JP6442328B2 - 透明導電性フィルムの製造方法および透明導電性フィルム - Google Patents
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Description
図1に本発明の透明導電性フィルムの成膜装置の一例としてスパッタリング装置10を模式的に示す。基材フィルム12は供給ロール11にセットされたフィルムロールから一定速度で巻き出され、複数のガイドロール13に案内されながら、第1成膜ロール14、第2成膜ロール15を通り、透明導電性フィルム16となって収納ロール17に一定速度で巻き取られる。供給ロール11、基材フィルム12、複数のガイドロール13、第1成膜ロール14、第2成膜ロール15、透明導電性フィルム16、収納ロール17は全体として一つの真空槽18に収納されている。このような生産方式をロール・トゥ・ロール方式という。
金属酸化物層形成工程では基材フィルム12の少なくとも一面に、少なくとも1層の金属酸化物層を形成する。第1成膜ロール14の周囲に例えばケイ素Siのターゲット23が設置されており、第1成膜ロール14に巻かれた基材フィルム12に、少なくとも1層の金属酸化物層、望ましくは金属層および金属酸化物層が成膜される。金属層(または金属酸化物層)を成膜する前に、基材フィルム12の表面を真空槽18内でプラズマ処理して、金属層(または金属酸化物層)と基材フィルム12の密着性を高くすることが好ましい。
透明導電層形成工程では金属酸化物層の上に透明導電層を形成する。第2成膜ロール15の周囲に透明導電体(例えばインジウムスズ酸化物ITO : Indium Tin Oxide)のターゲット20が配置されており、第2成膜ロール15に巻かれた基材フィルム12上の金属酸化物層の上に透明導電層が成膜される。
結晶化工程は図1に示されていないが、透明導電層の熱処理工程である。透明導電層は加熱処理することにより非晶質から結晶質に転化する。結晶化工程は透明導電層形成工程に引き続いてロール・トゥ・ロール方式にて実施してもよい。あるいは透明導電層形成工程の完了した透明導電性フィルムロールを真空槽18から取り出して熱処理炉(図示しない)で結晶化工程を実施してもよい。
基材フィルム12の材質は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース、アセチルセルロースブチレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリメチルペンテン、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、フッ素樹脂、ポリアミド、アクリル樹脂、ノルボルネン系樹脂、シクロオレフィン樹脂のいずれかあるいは2種以上からなるが、材料がこれらに限定されることはない。
金属酸化物層21と基材フィルム12の間に、基材フィルム12との密着性を改善させるための金属層30が設けられていてもよい。金属層30を構成する元素は、金属酸化物層21と同種金属でも異種金属でもよいが、同種金属を選択することで金属層30と金属酸化物層21の間の密着性を高めることができるため、同種金属が望ましい。同種金属の例としては、金属層30がケイ素(Si)、金属酸化物層21が酸化ケイ素(SiO2)からなるものが挙げられる。金属層30の膜厚は、特に限定されないが、1nm〜10nmが好ましい。金属層30の膜厚が1nmを下回ると十分な密着性向上効果が得られないおそれがあり、10nmを上回ると透明導電性フィルム16,31,32の透過率が低下するおそれがある。
金属酸化物層21は、例えば、酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO2)、酸化ニオブ(Nb2O5)などからなるが、これらに限定されることはない 。金属酸化物層21は優れたガスバリア性(特に水のバリア性)を有するため、基材フィルム12の含有ガス(特に水)が透明導電層22に侵入することを抑制することができる。金属酸化物層21の厚さは、10nm以上、100nm以下であることが好ましい。金属酸化物層21の厚さが10nm未満であると、基材フィルム12の含有ガスの透明導電層22への侵入を十分抑制できないことがある。金属酸化物層21の厚さが100nmを超えると、透明導電性フィルム16、31、32の透明度が低下することがある。
透明導電層22は、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物を例示することができ、これら2種以上を複合して形成してもよい。中でも、インジウム錫酸化物(ITO)など、結晶化させて抵抗値を低減させるような系の場合、膜中に不純物が取り込まれることで結晶化速度が低減するため、特に本発明が有効となる。
金属酸化物層21を含む基材フィルム12の、40℃、相対湿度90%での透湿度は、1.0g/m2・day以下であることが好ましい。金属酸化物層21を含む基材フィルム12とは、図2の場合は金属酸化物層21が形成された基材フィルム12(金属酸化物層21と基材フィルム12の積層体)であり、図3、図4の場合は金属層30および金属酸化物層21が形成された基材フィルム12(金属酸化物層21と金属層30と基材フィルム12の積層体)である。図示しないが、金属酸化物21と基材フィルム12の間に金属層30に加えて他の層が形成されたときは、金属酸化物層21を含む基材フィルム12は、金属酸化物層21、金属層30および全ての他の層が形成された基材フィルム12(金属酸化物層21と金属層30と全ての他の層と基材フィルム12の積層体)である。金属酸化物層21を含む基材フィルム12の透湿度がこのように小さいのは、金属酸化物層21のガス(水分)バリア性による。
金属酸化物層形成工程および透明導電層形成工程において成膜ロール14,15を用いる場合、成膜ロール14,15の、基材フィルム12に接する面の温度は40℃以下に維持されることが好ましい。第1成膜ロール14および第2成膜ロール15の表面を40℃以下に維持する理由は、基材フィルム12の金属酸化物層21を形成しない側の面(第1成膜ロール14および第2成膜ロール15に接する面)からのガス放出を抑制するためである。
透明導電層形成工程にて透明導電層22を形成する際の全ガス圧に対する水の分圧の比率は、0.25%以下であることが好ましい。スパッタリング装置10の場合、全ガス圧とは、スパッタリングガス(代表的にはアルゴンガス)と反応性ガス(代表的には酸素ガス)と水などの不純物ガスの圧力の合計である。大部分の水は基材フィルム12から放出されたものである。水の分圧の比率が0.25%を超えると、透明導電層22の結晶化(非晶質から結晶質に転化させること)に長時間かかることがある。透明導電層22がインジウムスズ酸化物からなるとき、透明導電層22の結晶化は、例えば、140℃、60分で行なわれる。しかし透明導電層形成工程にて水の分圧の比率が0.25%を超えると、この条件で透明導電層22の結晶化が完了しないことがある。
透明導電層22の結晶化後の表面抵抗値は、40Ω/□(ohms per square)以上、190Ω/□以下であることが好ましい。表面抵抗値を40Ω/□より小さくするためには、透明導電層22の膜厚を厚くする必要があり、その場合、透明導電性フィルム16、31、32の光の透過率が低下するおそれがある。表面抵抗値が190Ω/□を超えると、透明導電性フィルム16、31、32を例えばタッチパネルに用いたとき、タッチパネルの動作に不具合を生じることがある。
金属酸化物層形成工程と透明導電層形成工程は、連続的に実施されることが好ましい。金属酸化物層形成工程と透明導電層形成工程を、例えば、一つの真空槽18内で連続的に実施することにより、金属酸化物層21と透明導電層22の間にゴミやコンタミネーションが入り込むことが防止できる。
少なくとも金属酸化物層形成工程と透明導電層形成工程はロール・トゥ・ロール方式にて実施されることが好ましい。一つの真空槽内で金属酸化物層形成工程と透明導電層形成工程をロール・トゥ・ロール方式にて実施することにより、製造ラインのスペースを小さくし、透明導電性フィルム16、31、32の取り扱いを容易にし、更に金属酸化物層21と透明導電層22の間にゴミやコンタミネーションが入り込むことが防止できる。
本発明を詳細に説明するために実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの記載に限定されることはない。
[ハードコート層の形成]
アクリル樹脂と酸化ジルコニウム(ZnO2)粒子(平均粒径20nm)とが含まれている紫外線(UV)硬化型樹脂組成物を、固形分濃度が5重量%になるようにメチルイソブチルケトン(MIBK)で希釈した。得られた希釈組成物を、厚み100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)基材フィルム(三菱樹脂製、商品名「ダイアホイル」)の一方の主面に塗布し、乾燥させた。次に希釈組成物に紫外線を照射して硬化させ、膜厚0.5μmのハードコート層を形成した。ハードコート層の形成されたポリエチレンテレフタレート基材フィルムを巻取り、ポリエチレンテレフタレート基材フィルムロールを作製した。
金属層30及び金属酸化物層21(及び後に記す透明導電層22)は、図1に示されるようなロール・トゥ・ロール型スパッタリング装置10を用いて形成した。ハードコート層を有するポリエチレンテレフタレート基材フィルム12のロールをスパッタリング装置10の供給ロール11に設置し,1×10−4Pa以下の真空状態で15時間保管した。その後、供給ロール11からポリエチレンテレフタレート基材フィルム12を繰出し、第1成膜ロール14及び第2成膜ロール15を通過させ、巻取り室にて収納ロール17に巻き取った。金属層30及び金属酸化物層21はポリエチレンテレフタレート基材フィルム12が第1成膜ロール14に接している間に、ターゲット19、23を用いて成膜した。この際、第1成膜ロール14の温度は0℃に維持した。
金属酸化物層21に引き続き透明導電層22を成膜した。透明導電層22は、ポリエチレンテレフタレート基材フィルム12が第2成膜ロール15と接している間に、ターゲット20を用いて成膜した。この際、第2成膜ロール15の温度は0℃に維持した。透明導電層22を成膜する際は、アルゴンAr:酸素O2の圧力比が99:1で、全ガス圧が0.3Paのスパッタリング雰囲気とし、1.0W/m2の電力を投入して、10重量%の酸化スズと90重量%の酸化インジウムの焼結体から成るインジウムスズ酸化物ターゲットをスパッタリングして、厚さ23nmの第1透明導電層を形成した。
金属層30及び金属酸化物層21を成膜しなかったこと以外は実施例1と同様の方法で、透明導電性フィルムを作製した。なお、透明導電層を形成する際、全ガス圧に対する水の分圧は、0.30%であった。
第1成膜ロール14および第2成膜ロール15の温度を100℃とする以外は実施例1と同様の方法で、透明導電性フィルムを作製した。なお、透明導電層を形成する際、全ガス圧に対する水の分圧は、0.32%であった。水の分圧が大きいのは、基材フィルムの、成膜ロールに接する面の温度が高いため、基材フィルムから水が多く放出されたためである。
図1のロール・トゥ・ロール型スパッタリング装置10の供給ロール11に、実施例1でハードコート層を形成したポリエチレンテレフタレート基材フィルムロールを設置した。続いて、供給ロール11からポリエチレンテレフタレート基材フィルム12を繰出し、温度を100℃に維持した第1成膜ロール14および第2成膜ロール15を通過させ、ポリエチレンテレフタレート基材フィルム12を収納ロール17に巻き取った。このとき金属層、金属酸化物層及び透明導電層は成膜しなかった。次に収納ロール17からポリエチレンテレフタレート基材フィルム12を逆走させて、第2成膜ロール15、第1成膜ロール14を順次通過させて、再度供給ロール11側にポリエチレンテレフタレート基材フィルム12を巻き取った。このときも金属層、金属酸化物層及び透明導電層は成膜しなかった。以上の作業はポリエチレンテレフタレート基材フィルム12に含まれる蒸発性の含有ガス(主として水)を、透明導電層等を成膜する前に放出させるために行なわれた。
[金属酸化物層の膜厚]
透過型電子顕微鏡(日立製作所製HF-2000)を用いて金属酸化物層の断面を観察し、金属酸化物層21の膜厚を測定した。
基材フィルム12の透湿度は、JIS K7129:2008に準じ、40℃、相対湿度90%の雰囲気下で、等圧法(通称モコン法)により測定した。
水の分圧はULVAC社製Qulee BGM-101を用いて測定した。
表面抵抗値はJIS K7194に準じて、4端子法を用いて測定した。
透明導電層22の結晶化が完了しているかどうかは、透明導電層22を透過型電子顕微鏡(日立製作所製HF-2000)を用いて観察し、非晶質相の有無により判断した。また、結晶化が完了すれば、表面抵抗値の変化が飽和するため、表面抵抗値の変化によっても判断した。
11 供給ロール
12 基材フィルム
13 ガイドロール
14 第1成膜ロール
15 第2成膜ロール
16 透明導電性フィルム
17 収納ロール
18 真空槽
19 ターゲット
20 ターゲット
21 金属酸化物層
22 透明導電層
23 ターゲット
24 第1分割槽
25 第2分割槽
26 第3分割槽
27 第4分割槽
28 第5分割槽
29 第6分割槽
30 金属層
31 透明導電性フィルム
32 透明導電性フィルム
33 成膜下地フィルム
34 粘着剤層
35 裏打ちフィルム
Claims (3)
- 基材フィルムを準備する工程と、
前記基材フィルムの少なくとも一面に少なくとも1層の金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層上に少なくとも1層の金属酸化物層を形成する金属酸化物層形成工程と、
前記金属酸化物層上に透明導電層を形成する透明導電層形成工程とを含み、
前記金属酸化物層を含む前記基材フィルムの、40℃、相対湿度90%での透湿度が1.0g/m2・day以下であり、
前記透明導電層形成工程にて前記透明導電層を形成する際の、全ガス圧に対する水の分圧の比率が0.25%以下であることを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記透明導電層形成工程で形成された前記透明導電層が非晶質であり、前記透明導電層を加熱処理することにより非晶質から結晶質に転化させる結晶化工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
- 少なくとも前記金属酸化物層形成工程と前記透明導電層形成工程はロール・トゥ・ロール方式にて実施されることを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
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