TW202023733A - 薄膜及薄膜的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種薄膜，其厚度為20 μm以下，彈性模數為2000 MPa以上，斷裂點伸長率為20%以上。以在前述薄膜的邊緣部中，長度30 μm以上之裂縫為前述邊緣部之長度每1 mm未達1條者為佳。

Description

薄膜及薄膜的製造方法
本發明係關於薄膜及薄膜的製造方法。
薄膜使用於例如個人數位助理所具備之影像顯示元件的表面保護、偏光板的製造、光學補償等，需求隨著近年之個人數位助理之出貨量的增大而增加。
尤其，為了製造偏光板，由以纖維素酯作為主體之材料所形成之薄膜的開發正在進行中（專利文獻1、2）。
『專利文獻』 《專利文獻1》日本專利公開第2010-204616號公報 《專利文獻2》日本專利公開第2007-284570號公報
然則因應需求的增加而大量生產薄膜，為此通常會邊運送薄膜邊進行各種處理。然而，若運送中薄膜斷裂，則通常需要使運送線停止，以將斷裂的薄膜重新導入運送線。是故，要求薄膜的運送性良好。
亦即，要求運送性良好的薄膜，以及製造運送性良好的薄膜之方法。
本發明人為能解決前述問題而潛心研究。其結果，發現藉由將薄膜的厚度、彈性模數及斷裂點伸長率做成指定範圍，可解決前述問題，進而完成本發明。
亦即，本發明提供以下。
［1］一種薄膜，其厚度為20 μm以下，彈性模數為2000 MPa以上，斷裂點伸長率為20%以上。
［2］如［1］所記載之薄膜，其中在前述薄膜的邊緣部中，長度30 μm以上之裂縫為前述邊緣部之長度每1 mm未達1條。
［3］如［1］或［2］所記載之薄膜，其中水蒸氣滲透率為5 g／（m2 ·24h）以下。
［4］如［1］～［3］之任一項所記載之薄膜，其中波長380 nm之紫外線穿透率為5%以下。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之薄膜，其係由包含含脂環結構聚合物50重量%以上的材料所形成。
［6］如［5］所記載之薄膜，其中前述含脂環結構聚合物為結晶性。
［7］如［1］～［6］之任一項所記載之薄膜，其係長條狀。
［8］如［1］～［5］之任一項所記載之薄膜，其係利用雷射光線而裁切。
［9］一種薄膜的製造方法，其包含利用雷射光線將厚度為20 μm以下的切割前薄膜裁切，以獲得厚度為20 μm以下、彈性模數為2000 MPa以上、斷裂點伸長率為20%以上之薄膜的工序。
根據本發明，提供運送性良好的薄膜、製造運送性良好的薄膜的方法。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中，得任意變更而實施。
在以下說明中，所謂「長條狀」的薄膜，係謂相對於幅寬具有5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或其以上的長度為佳，具體而言，係謂具有可收捲成輥來儲存或搬運之程度之長度的薄膜。薄膜之長度的上限，並無特別限制，得做成例如相對於幅寬為10萬倍以下。
在以下說明中，所謂構件的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，除非另有註記，否則在不損及本發明之效果的範圍內，亦可包含例如±3°、±2°或±1°之範圍內的誤差。
長條狀之薄膜的長邊方向通常與在生產線中之薄膜運送方向平行，薄膜的幅寬方向通常與薄膜運送方向正交。
在以下說明中，「（甲基）丙烯酸」之用語包含「丙烯酸」、「甲基丙烯酸」及此等之組合。
［1.薄膜的概要］
本發明之一實施型態相關之薄膜，厚度為20 μm以下，彈性模數為2000 MPa以上，斷裂點伸長率為20%以上。
藉由薄膜具備前述特徵，可實現良好的運送性。
［1.1.薄膜的厚度］
薄膜的厚度通常為20 μm以下，以未達20 μm為佳，以18 μm以下為較佳，以15 μm以下為更佳。薄膜之厚度的下限通常大於0 μm，以1 μm以上為佳，以3 μm以上為較佳，以5 μm以上為更佳。
本實施型態之薄膜在厚度為前述範圍的情況下，亦得優化運送性。
薄膜的厚度，在薄膜具有多層結構的情況下，係構成多層結構之各層之厚度的合計。
薄膜的厚度得藉由例如接觸式膜厚計（例如Mitutoyo公司製「數位型測厚計」）來量測。
［1.2.薄膜的彈性模數］
薄膜的彈性模數通常為2000 MPa以上，以2300 MPa以上為佳，以2500 MPa以上為更佳，且以5000 MPa以下為佳，以4000 MPa以下為較佳，以3500 MPa以下為更佳。藉由薄膜的彈性模數為前述下限值以上，可優化運送性。藉由為前述上限值以下，得使彈性模數與斷裂點伸長率取得平衡而提升運送性。
薄膜的彈性模數得藉由例如下述方法來量測。
依照JIS K7161，準備啞鈴形的試片，在試驗溫度25℃±1℃中，利用拉伸試驗器將試片延伸而測量應力及應變，算出彈性模數。
由於能自市場取得具有各種彈性模數的材料作為薄膜的材料，故藉由適當選擇材料，可將彈性模數收束於前述範圍。
［1.3.薄膜的斷裂點伸長率］
薄膜的斷裂點伸長率通常為20%以上，以40%以上為佳，以60%以上為較佳，且以500%以下為佳，以300%以下為較佳，以200%以下為更佳。藉由薄膜的斷裂點伸長率落於前述範圍，得抑制運送中之薄膜的斷裂，同時抑制皺褶的發生。
舉例而言，藉由減少薄膜邊緣部的裂縫，得增大薄膜的斷裂點伸長率。
薄膜的斷裂點伸長率得藉由例如下述方法來量測。
依照JIS K7161，準備啞鈴形的試片，在試驗溫度25℃±1℃中，利用拉伸試驗機將試片延伸，量測斷裂時的伸長量ΔL，藉由下述式由初始長度L0與ΔL算出斷裂點伸長率。 斷裂點伸長率（%）＝ΔL／L0×100
［1.4.薄膜之其他物性］
薄膜以在邊緣部中，長度30 μm以上之裂縫為邊緣部之長度每1 mm未達1條為佳。在薄膜的邊緣部中，藉由長度30 μm以上之裂縫為邊緣部之長度每1 mm未達1條，得有效提升運送性。
圖1係在薄膜的邊緣部可能存在之裂縫的說明圖。
薄膜100的邊緣部110係離薄膜100之邊緣120的距離為L以下之薄膜100的部分。舉例而言，L為大於0 mm且5 mm以下，以大於0 mm且0.5 mm以下為佳。在薄膜100係長條狀薄膜的情況下，幅寬方向邊緣部之幅寬為L。
於此，薄膜100之邊緣部110的長度方向LD，在薄膜100為長條狀之薄膜的情況下，通常平行於運送方向。裂縫130的方向並不特別受限，得為任意方向。
「在薄膜的邊緣部中，將長度30 μm以上之裂縫的條數做成邊緣部之長度每1 mm未達1條」之情事，可藉由例如利用雷射光線將薄膜裁切來實現。
因此，薄膜以經雷射光線裁切的薄膜為佳。薄膜以長條狀為較佳，以長條狀且在與薄膜之運送方向平行的方向上經雷射光線裁切的薄膜為更佳。
作為將薄膜裁切時之雷射光線，可列舉例如：CO2 雷射光線及YAG雷射光線。
薄膜的水蒸氣滲透率，以5 g／（m2 ·24h）以下為佳，以4 g／（m2 ·24h）以下為較佳，以3 g／（m2 ·24h）以下為更佳，理想上為0 g／（m2 ·24h），得做成0 g／（m2 ·24h）以上。藉由薄膜的水蒸氣滲透率為前述上限值以下，得合適使用薄膜作為例如易受濕度影響之部件的保護薄膜。
水蒸氣滲透率遵循JIS K7129 B法，得在溫度40℃、濕度90%RH的條件下量測。
藉由使用包含含脂環結構聚合物的材料作為薄膜的材料，得將水蒸氣滲透率做成前述良佳的範圍。
薄膜以波長380 nm之紫外線穿透率為5%以下為佳，以3%以下為較佳，以1%以下為更佳，理想上為0%，得做成0%以上。藉由薄膜之波長380 nm的紫外線穿透率為前述上限值以下，得合適使用薄膜作為例如易受紫外線影響之部件的保護薄膜。
舉例而言，藉由在薄膜的材料中使之至少含有得將波長380 nm之紫外線吸收的紫外線吸收劑，得將薄膜之波長380 nm的紫外線穿透率做成前述良佳的範圍。
［1.5.薄膜的材料］
形成薄膜的材料通常包含聚合物。作為形成薄膜之材料所得包含的聚合物，可列舉例如：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴；聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯等聚酯；聚苯硫醚等聚芳硫醚；聚乙烯醇；聚碳酸酯；聚芳酯；纖維素酯聚合物；聚醚碸；聚碸；聚芳碸（polyarylsulfone）；聚氯乙烯；降𦯉烯系聚合物等含脂環結構聚合物；棒狀液晶聚合物；聚苯乙烯系聚合物等。此等聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。並且，聚合物可為均聚物，亦可為共聚物。此等之中，就機械特性、耐熱性、透明性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性優異而言，以含脂環結構聚合物為佳。
所謂含脂環結構聚合物，係此聚合物之結構單元含有脂環結構的聚合物。含脂環結構聚合物可在主鏈具有脂環結構，亦可在側鏈具有脂環結構，還可在主鏈及側鏈具有脂環結構。其中，就機械強度及耐熱性的觀點而言，以在主鏈含有脂環結構的聚合物為佳。
作為脂環結構，可列舉例如：飽和脂環烴（環烷）結構、不飽和脂環烴（環烯、環炔）結構等。其中，就機械強度及耐熱性的觀點而言，以環烷結構及環烯結構為佳，其中，以環烷結構為尤佳。
構成脂環結構的碳原子數，係「每一個脂環結構以4個以上為佳，以5個以上為較佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳」的範圍。藉由構成脂環結構之碳原子數定於此範圍，包含含脂環結構聚合物之樹脂的機械強度、耐熱性及成形性可取得高度平衡。
在含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之結構單元的比例，以55重量%以上為佳，以70重量%以上為更佳，以90重量%以上為尤佳。若在含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之結構單元的比例位於此範圍，則包含含脂環結構聚合物之樹脂的透明性及耐熱性變得良好。
作為含脂環結構聚合物，可列舉例如：降𦯉烯系聚合物、單環之環烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯脂環烴聚合物及此等之氫化物。此等之中，由於透明性及成形性良好，故以降𦯉烯系聚合物為較佳。
作為降𦯉烯系聚合物之例，可舉出：具有降𦯉烯結構之單體的開環聚合物及其氫化物；具有降𦯉烯結構之單體的加成聚合物及其氫化物。並且，作為具有降𦯉烯結構之單體之開環聚合物之例，可列舉：具有降𦯉烯結構之1種單體的開環均聚物、具有降𦯉烯結構之2種以上單體的開環共聚物，以及具有降𦯉烯結構之單體及得與之共聚合之任意單體的開環共聚物。再者，作為具有降𦯉烯結構之單體的加成聚合物之例，可列舉：具有降𦯉烯結構之1種單體的加成均聚物、具有降𦯉烯結構之2種以上單體的加成共聚物，以及具有降𦯉烯結構之單體及得與之共聚合之任意單體的加成共聚物。此等之中，具有降𦯉烯結構之單體之開環聚合物的氫化物就成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性的觀點而言，尤其合適。
作為含脂環結構聚合物的市售品之例，可列舉：日本瑞翁公司製之ZEONEX及ZEONOR（降𦯉烯系樹脂）；住友電木公司製之SUMILITE FS-1700；JSR公司製之ARTON（改質降𦯉烯系樹脂）；三井化學公司製之APEL（環烯烴共聚物）；Ticona公司製之Topas（環烯烴共聚物）；及日立化成公司製之OPTOREZ OZ-1000系列（脂環丙烯酸樹脂）。
在形成薄膜的材料中之含脂環結構聚合物的含率，以50重量%以上為佳，以70重量%以上為較佳，以90重量%以上為更佳，且通常為100重量%以下，亦可定為99重量%以下。
藉由含脂環結構聚合物的含率為前述下限值以上，得對薄膜有效賦予成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性等含脂環結構聚合物之優異的特性。
在薄膜具有多層結構的情況下，以形成構成薄膜之各個薄膜的各個材料在前述良佳之含率的範圍內包含含脂環結構聚合物為佳。
形成薄膜的材料以包含結晶性的含脂環結構聚合物為佳。結晶性的含脂環結構聚合物，透明性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性優異。
於此，所謂結晶性的聚合物，係謂具有可利用微差掃描熱量計（DSC）觀測之熔點的聚合物。此種結晶性的聚合物通常分子鏈擁有長程序而規律排列。並且，所謂非晶性的聚合物，係謂不具有可利用微差掃描熱量計（DSC）觀測之熔點的聚合物。非晶性的聚合物通常分子鏈不具有如結晶般的長程序。
由微差掃描熱量計之熔點的量測，得依例如下述條件來進行。
在氮氣環境下，利用液態氮將已加熱至300℃之試樣急冷，使用微差掃描熱量計（DSC），以10℃／分鐘升溫，求得試樣的熔點。
作為結晶性的含脂環結構聚合物之佳例，可列舉下述聚合物（α）～聚合物（δ）。此等之中，就容易獲得耐熱性優異的薄膜而言，以聚合物（β）為尤佳。 聚合物（α）：環烯烴單體的開環聚合物且具有結晶性者。 聚合物（β）：聚合物（α）的氫化物且具有結晶性者。 聚合物（γ）：環烯烴單體的加成聚合物且具有結晶性者。 聚合物（δ）：聚合物（γ）的氫化物等且具有結晶性者。
更具體而言，作為結晶性的聚合物，以「雙環戊二烯的開環聚合物且具有結晶性者」及「雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具有結晶性者」為較佳，以「雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具有結晶性者」為尤佳。於此，所謂雙環戊二烯的開環聚合物，係謂源自雙環戊二烯之結構單元相對於全結構單元的比例，通常為50重量%以上，以70重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳，以100重量%的聚合物為尤佳。
結晶性的含脂環結構聚合物可藉由以往眾所周知的方法來製造，例如得藉由日本專利公開第2002-249553號公報所記載之方法來製造。
形成薄膜的材料除了前述聚合物，還得包含任意成分。
作為任意成分，可列舉例如：酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等抗氧化劑；受阻胺系光穩定劑等光穩定劑；石油系蠟、費托蠟、聚伸烷蠟等蠟；山梨醇系化合物、有機磷酸之金屬鹽、有機羧酸之金屬鹽、高嶺土及滑石等成核劑；二胺基二苯乙烯衍生物、香豆素衍生物、唑系衍生物（例如苯并㗁唑衍生物、苯并三唑衍生物、苯并咪唑衍生物及苯并噻唑衍生物）、咔唑衍生物、吡啶衍生物、萘酸衍生物及咪唑酮衍生物等螢光增白劑；滑石、矽石、碳酸鈣、玻璃纖維等無機填充材；顏料、染料等著色劑；分散劑；熱穩定劑；光穩定劑；阻燃劑；阻燃助劑；抗靜電劑；抗氧化劑；塑化劑；雷射光線吸收劑；近紅外線吸收劑；紫外線吸收劑；界面活性劑；滑劑；填料；等。
並且，任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
形成薄膜的材料以包含紫外線吸收劑為佳。
作為紫外線吸收劑之例，可列舉：三𠯤系紫外線吸收劑、二苯基酮系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑、丙烯腈系紫外線吸收劑等有機紫外線吸收劑。其中，就所謂在波長380 nm附近之紫外線吸收性能優異這點，以三𠯤系紫外線吸收劑為佳。並且，作為紫外線吸收劑，以分子量為400以上者為佳。
作為三𠯤系紫外線吸收劑之例，得良佳使用具有1,3,5-三𠯤環的化合物。作為三𠯤系紫外線吸收劑的具體例，可列舉：2-(4,6-二苯基-1,3,5-三𠯤-2-基)-5-[(己基)氧基]酚、2,4-雙(2-羥基-4-丁氧苯基)-6-(2,4-二丁氧苯基)-1,3,5-三𠯤等。並且，作為三𠯤系紫外線吸收劑的市售品，可舉出例如「Tinuvin 1577」（Ciba Specialty Chemicals公司製）等。
在薄膜為多層結構的情況下，可在構成薄膜之全部之層體的材料中包含有紫外線吸收劑，亦可僅在一部分之層體的材料中包含有紫外線吸收劑。
［1.6.薄膜的構成］
薄膜可為單層結構，亦可為多層結構。作為多層結構之薄膜之例，可列舉：係為「包含異種之聚合物之2個以上之層體的堆疊體」之薄膜、係為「包含同種之聚合物但各聚合物的含率相異之2個以上之層體的堆疊體」之薄膜，以及係為「包含同種之聚合物但添加劑的種類及／或含量相異之2個以上之層體的堆疊體」之薄膜。
作為多層結構之薄膜之進一步的具體例，可舉出：依序包含第1表層、核層及第2表層且核層包含紫外線吸收劑的薄膜。第1表層、核層及第2表層各自所得包含的聚合物之例及佳例，得與在前述［1.5.薄膜的材料］之項目中已說明之例及佳例相同。
第1表層及第2表層，以用相同含率包含同種之聚合物為佳，以包含同種之含脂環結構聚合物50重量%以上為更佳。核層以包含與第1表層及第2表層同種之含脂環結構聚合物50重量%以上與紫外線吸收劑為佳。
紫外線吸收劑的含率在形成包含紫外線吸收劑之層體（例如核層）的材料中，得定為例如1重量%以上且20重量%以下。
［2.薄膜的製造方法］
前述薄膜得藉由任意方法來製造。薄膜的製造方法以包含「利用雷射光線將厚度為20 μm以下之切割前薄膜裁切，以獲得厚度為20 μm以下、彈性模數為2000 MPa以上、斷裂點伸長率為20%以上之薄膜」的工序為佳。
對於形成切割前薄膜的材料之例及佳例、切割薄膜之良佳的層體構成，得分別與在前述［1.5.薄膜的材料］之項目中已說明之例及佳例、在前述［1.6.薄膜的構成］中已說明之良佳之層體構成相同。
作為雷射光線，得使用任意波長的雷射光線，但以具有紅外線區域之波長的雷射光線為佳。作為發出具有紅外線區域之波長之雷射光線的雷射裝置，可舉出CO2 雷射。
薄膜的製造方法除了前述工序，亦可還包含任意工序。作為任意工序之例，可列舉：將經雷射光線裁切的薄膜運送的工序、收捲於收捲輥的工序。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中，得任意變更而實施。
在以下說明中，表示量之「%」及「份」除非另有註記，否則為重量基準。並且，於以下說明的操作除非另有註記，否則在常溫及常壓的條件下進行。
［評價方法］
（熔點）
依下述條件量測熱塑性樹脂的熔點。
在氮氣環境下，利用液態氮將已加熱至300℃之試樣急冷，使用微差掃描熱量計（NanoTechnology公司製「DSC6220S11」），以10℃／分鐘升溫，求得試樣的熔點。
在前述條件的量測中，未出現表示熔點之吸熱峰值的熱塑性樹脂判斷為非晶性。
（薄膜厚度）
藉由接觸式膜厚計（Mitutoyo公司製「數位型測厚計」）來量測薄膜的厚度。
（彈性模數）
依照JIS K7161，藉由下述方法來量測薄膜的彈性模數。
藉由各實施例及比較例所記載之方法，將依照JIS K7161之啞鈴形的試片自薄膜切出而製作。在試驗溫度25℃±1℃中，利用拉伸試驗器（INSTRON JAPAN公司製「附有恆溫恆濕之拉伸試驗機」）將試片延伸而測量應力及應變，算出彈性模數。
（斷裂點伸長率）
依照JIS K7161，藉由下述方法來量測薄膜的斷裂點伸長率。
在試驗溫度25℃±1℃中，利用拉伸試驗機將試片延伸，量測斷裂時的伸長量ΔL，藉由前述斷裂點伸長率之計算式，由初始長度L0與ΔL算出斷裂點伸長率。
（裂縫）
自長條狀之輥狀薄膜樣本以任意長度切出薄膜片。利用光學顯微鏡在幅寬0.5 mm且長度1 mm的範圍中觀察薄膜片之幅寬方向上的邊緣部。在觀察之薄膜的邊緣部中，在長度30 μm以上之裂縫為薄膜的邊緣部每1 mm存在1條以上的情況下，判定為「有裂縫」，在長度30 μm以上之裂縫於薄膜之邊緣部每1 mm不存在的情況下，判定為「無裂縫」。
（水蒸氣滲透率）
遵循JIS K7129 B法，在溫度40℃、濕度90%RH的條件下量測薄膜的水蒸氣滲透率。使用水蒸氣滲透度量測裝置（MOCON公司製「PERMATRAN-W」）作為量測裝置。
（紫外線穿透率）
遵循JIS K0115（吸光光度分析通則），量測薄膜之波長380 nm的紫外線穿透率。使用分光光度計（日本分光公司製「紫外線可見光近紅外線分光光度計V-570」）作為量測裝置。
（運送性）
將長條狀之輥狀的薄膜樣本裝設於運送裝置，以運送速度10 m／min運送薄膜樣本30分鐘。運送裝置具備10根自由輥、2根軋輥。在30分鐘之薄膜樣本的運送中未發生薄膜樣本之斷裂或彎折的情況下，判定為運送性良好，在薄膜樣本之斷裂或彎折發生一次以上的情況下判定為運送性不良。
［製造例1］
（熱塑性樹脂K的製造）
將金屬製的耐壓反應器充分乾燥後，進行氮氣置換。在此金屬製耐壓反應器中，加入環己烷154.5份、雙環戊二烯（內型體含率99%以上）之濃度70%環己烷溶液42.8份（就雙環戊二烯的量而言為30份）及1-己烯1.9份，加溫至53℃。
將四氯化苯基醯亞胺(四氫呋喃)鎢錯合物0.014份溶解於0.70份的甲苯，製備溶液。在此溶液中，加入濃度19%之二乙基乙氧基鋁／正己烷溶液0.061份攪拌10分鐘，製備觸媒溶液。
將此觸媒溶液加入耐壓反應器中，起始開環聚合反應。之後，保持53℃並使之反應4小時，獲得雙環戊二烯之開環聚合物的溶液。
所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw）分別為8,750及28,100，自此等所求得之分子量分布（Mw／Mn）為3.21。
在所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份中，加入1,2-乙二醇0.037份作為終止劑，加溫至60℃攪拌1小時，使聚合反應終止。於此，加入類水滑石化合物（協和化學工業公司製「KYOWAAD（註冊商標）2000」）1份，加溫至60℃攪拌1小時。之後，加入過濾助劑（昭和化學工業公司製「RADIOLITE（註冊商標）#1500」）0.4份，使用PP摺筒式濾器（ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」）將吸附劑與溶液過濾分離。
在過濾後之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份（聚合物量30份）中，加入環己烷100份，添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，在氫壓6 MPa、180℃進行氫化反應4小時。藉此，可獲得包含雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的反應液。此反應液析出氫化物而成為漿料溶液。
使用離心分離器將前述反應液所包含之氫化物與溶液分離，在60℃減壓乾燥24小時，獲得具有結晶性之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物28.5份。此氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為93℃，熔點（Tm）為262℃，外消旋二單元組的比例為89%。
在所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物100份中，混合抗氧化劑（肆{3-[3’,5’-二(三級丁基)-4’-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷；BASF Japan公司製「Irganox（註冊商標）1010」）1.1份，獲得熱塑性樹脂K，隨後，放入具備4個內徑3 mm∅之模具孔的雙軸擠製機（製品名「TEM-37B」，東芝機械公司製），藉由熱熔融擠製成形做成股狀之成形體後，以股線切割機細切，獲得係顆粒形狀之熱塑性樹脂K之熱熔融擠製成形體。熱塑性樹脂K的熔點為265℃。
雙軸擠製機的運轉條件條列於下。 ・料桶設定溫度＝270～280℃ ・模具設定溫度＝250℃ ・螺桿轉數＝145 rpm ・進料器轉數＝50 rpm
［實施例1］
將在製造例1中製造之包含結晶性之含脂環結構聚合物的熱塑性樹脂K（熔點265℃，樹脂中之紫外線吸收劑濃度為0重量%，在樹脂中包含結晶性之含脂環結構聚合物99重量%。）導入熔融擠製機熔融，利用幅寬約700 mm之模具在鑄造輥上將熔融狀態的熱塑性樹脂K擠製成薄膜狀，利用冷卻輥冷卻，獲得切割前薄膜。冷卻輥的速度以切割前薄膜之厚度呈20 μm的方式調整。
利用紅外線雷射光線照射機，將所獲得之切割前薄膜的幅寬方向兩邊緣部沿平行於薄膜之運送方向切落，獲得幅寬約400 mm的切割薄膜。裁切係藉由自薄膜的表面照射雷射光線來進行。藉由設置於雷射光線照射機之下游的收捲輥將所獲得之切割薄膜收捲，獲得長度約300 m之長條狀之輥狀的薄膜樣本。藉由前述方法來評價所獲得之薄膜樣本的運送性。
並且，自所獲得之薄膜樣本切出薄膜片，藉由前述方法來評價裂縫的條數、水蒸氣滲透率及紫外線穿透率。
再者，利用紅外線雷射光線照射機，自所獲得之薄膜樣本切出依照JIS K7161之啞鈴形的試片，藉由前述方法來量測彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表1。
［實施例2］
除了將切割前薄膜的厚度做成10 μm以外，比照實施例1操作，製造切割前薄膜。厚度的變更係藉由調整冷卻輥的速度來進行。使用所獲得之切割前薄膜，比照實施例1操作，獲得薄膜樣本，藉由與實施例1相同的方法來評價運送性、裂縫的條數、水蒸氣滲透率、紫外線穿透率、彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表1。
［實施例3］
將前述熱塑性樹脂K 85重量份與紫外線吸收劑15重量份（ADEKA公司製「LA-31」）放入擠製機熔融混合，自擠製機擠製，獲得包含紫外線吸收劑15重量%的熱塑性樹脂K’。
將第1表層形成用之熱塑性樹脂K、核層形成用之熱塑性樹脂K’及第2表層形成用之熱塑性樹脂K分別供給至擠製機熔融，將已熔融之各樹脂供給至多歧管模具，自多歧管模具共擠製至鑄件上。各個樹脂朝多歧管模具之供給以排出成包含「係為第1表層之熱塑性樹脂K之層體、係為核層之熱塑性樹脂K’之層體及係為第2表層之熱塑性樹脂K之層體之3層」之薄膜狀的方式來進行。共擠製時，藉由調整自擠製機之進料器的送出量，來調整各層之厚度。
利用冷卻輥將在鑄件上經共擠製之薄膜冷卻，獲得切割前薄膜。冷卻輥的速度係以切割前薄膜之厚度呈15 μm的方式調整。在切割前薄膜中，核層為10 μm，第1表層及第2表層分別為2.5 μm。
使用所獲得之切割前薄膜，比照實施例1操作，獲得薄膜樣本，藉由與實施例1相同的方法來評價運送性、裂縫的條數、水蒸氣滲透率、紫外線穿透率、彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表1。
［實施例4］
除了將熱塑性樹脂K變更為包含非晶性之含脂環結構聚合物的熱塑性樹脂H（日本瑞翁公司製「ZEONOR 1430」，玻璃轉移溫度135℃）以外，比照實施例1操作，製造切割前薄膜。使用所獲得之切割前薄膜，比照實施例1操作，獲得薄膜樣本，藉由與實施例1相同的方法來評價運送性、裂縫的條數、水蒸氣滲透率、紫外線穿透率、彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表1。
［比較例1］
比照實施例1操作，製造切割前薄膜。
利用具有金屬刃的切割機，將所獲得之切割前薄膜的幅寬方向兩邊緣部沿平行於薄膜之運送方向切落，獲得幅寬約400 mm的切割薄膜。藉由設置於切割機之下游的收捲輥將所獲得之切割薄膜收捲，獲得長度約300 m之長條狀之輥狀的薄膜樣本。藉由前述方法來評價所獲得之薄膜樣本的運送性。
並且，自所獲得之薄膜樣本以任意長度切出薄膜片，藉由前述方法來評價裂縫的條數、水蒸氣滲透率及紫外線穿透率。
再者，利用啞鈴形衝壓刀，自所獲得之薄膜樣本切出依照JIS K7161之啞鈴形的試片，藉由前述方法來量測彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表2。
［比較例2］
除了將切割前薄膜的厚度做成10 μm以外，比照實施例1操作，製造切割前薄膜。厚度的變更係藉由調整冷卻輥的速度來進行。使用所獲得之切割前薄膜，比照比較例1操作，獲得薄膜樣本，藉由與比較例1相同的方法來評價運送性、裂縫的條數、水蒸氣滲透率、紫外線穿透率、彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表2。
［比較例3］
除了將熱塑性樹脂K變更為前述熱塑性樹脂H以外，比照實施例1操作，製造切割前薄膜。使用所獲得之切割前薄膜，比照比較例1操作，獲得薄膜樣本，藉由與比較例1相同的方法來評價運送性、裂縫的條數、水蒸氣滲透率、紫外線穿透率、彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表2。
［比較例4］
除了將熱塑性樹脂K變更為熱塑性樹脂PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯，旭化成公司製「DELPET 80NH」）以外，比照實施例1操作，製造切割前薄膜。使用所獲得之切割前薄膜，比照比較例1操作，獲得薄膜樣本，藉由與比較例1相同的方法來評價運送性、裂縫的條數、水蒸氣滲透率、紫外線穿透率、彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表2。
［比較例5］
除了將熱塑性樹脂K變更為前述熱塑性樹脂PMMA以外，比照實施例1操作，製造切割前薄膜。使用所獲得之切割前薄膜，比照實施例1操作，獲得薄膜樣本，藉由與實施例1相同的方法來評價運送性、裂縫的條數、水蒸氣滲透率、紫外線穿透率、彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表3。
［比較例6］
除了將熱塑性樹脂K變更為熱塑性樹脂PE（聚乙烯，日本聚乙烯公司製「NOVATEC UF421」以外，比照實施例1操作，製造切割前薄膜。使用所獲得之切割前薄膜，比照實施例1操作，獲得薄膜樣本，藉由與實施例1相同的方法來評價運送性、裂縫的條數、水蒸氣滲透率、紫外線穿透率、彈性模數及斷裂點伸長率。
評價結果揭示於表3。
下述表中的簡稱表示下述意義。 K：包含結晶性之含脂環結構聚合物的熱塑性樹脂 K’：包含結晶性之含脂環結構聚合物及紫外線吸收劑的熱塑性樹脂 H：包含非晶性之含脂環結構聚合物的熱塑性樹脂 PMMA：聚甲基丙烯酸甲酯 PE：聚乙烯 薄膜的切割：切割前薄膜的裁切手段
『表1』
表1        
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4
核層        
樹脂 K K K’ H
紫外線吸收劑濃度(%) 0 0 15 0
厚度(μm) 20 10 10 20
第1表層        
樹脂 - - K -
厚度(μm) - - 2.5 -
第2表層        
樹脂 - - K -
厚度(μm) - - 2.5 -
斷裂點伸長率(%) 110 100 95 60
彈性模數(MPa) 2800 2800 2700 2300
裂縫 無 無 無 無
水蒸氣滲透率(g/m2 ･24h) 2.5 4.8 3.4 5.0
紫外線穿透率(@380 nm) 92% 92% 0.5% 92%
運送性 良 良 良 良
薄膜的切割 雷射 雷射 雷射 雷射
『表2』
表2        
  比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
核層        
樹脂 K K H PMMA
紫外線吸收劑濃度(%) 0 0 0 0
厚度(μm) 20 10 20 20
第1表層 - - - -
樹脂 - - - -
厚度(μm) - - - -
第2表層 - - - -
樹脂 - - - -
厚度(μm) - - - -
斷裂點伸長率(%) 10 10 8 3
彈性模數(MPa) 2800 2800 2300 2400
裂縫 有 有 有 有
水蒸氣滲透率(g/m2 ･24h) 2.5 4.9 5.0 20.0
紫外線穿透率(@380 nm) 92% 92% 92% 92%
運送性 不良 不良 不良 不良
薄膜的切割 刀具 刀具 刀具 刀具
『表3』
表3    
  比較例5 比較例6
核層    
樹脂 PMMA PE
紫外線吸收劑濃度(%) 0 0
厚度(μm) 20 20
第1表層 - -
樹脂 - -
厚度(μm) - -
第2表層 - -
樹脂 - -
厚度(μm) - -
斷裂點伸長率(%) 5 200以上
彈性模數(MPa) 2400 500
裂縫 無 無
水蒸氣滲透率(g/m2 ･24h) 19.0 19.0
紫外線穿透率(@380 nm) 92% 92%
運送性 不良 不良
薄膜的切割 雷射 雷射
根據以上結果，可知以下內容。
彈性模數為2000 MPa以上、斷裂點伸長率為20%以上且裂縫未達1條之實施例1～4相關之薄膜，可知運送性良好。
並且，利用雷射光線將切割前薄膜裁切而獲得之實施例1～4相關之薄膜，可知彈性模數為2000 MPa以上，斷裂點伸長率為20%以上，裂縫未達1條，運送性良好。
另一方面，彈性模數未達2000 MPa之比較例6相關之薄膜、斷裂點伸長率未達20%之比較例1～5相關之薄膜，可知運送性不良。
並且，裂縫為1條以上之比較例1～4相關之薄膜，可知運送性不良。
前述結果表示藉由本發明可提供運送性優異的薄膜。
100:薄膜 110:邊緣部 120:邊緣 130:裂縫 LD:長度方向
〈圖1〉圖1係在薄膜邊緣部可能存在之裂縫的說明圖。
100:薄膜
110:邊緣部
120:邊緣
130:裂縫
LD:長度方向

Claims (9)

  1. 一種薄膜，其厚度為20 μm以下，彈性模數為2000 MPa以上，斷裂點伸長率為20%以上。
  2. 如請求項1所述之薄膜，其中在前述薄膜的邊緣部中，長度30 μm以上之裂縫為前述邊緣部之長度每1 mm未達1條。
  3. 如請求項1或2所述之薄膜，其中水蒸氣滲透率為5 g／（m2 ·24h）以下。
  4. 如請求項1或2所述之薄膜，其中波長380 nm之紫外線穿透率為5%以下。
  5. 如請求項1或2所述之薄膜，其係由包含含脂環結構聚合物50重量%以上的材料所形成。
  6. 如請求項5所述之薄膜，其中前述含脂環結構聚合物為結晶性。
  7. 如請求項1或2所述之薄膜，其係長條狀。
  8. 如請求項1或2所述之薄膜，其係利用雷射光線來裁切。
  9. 一種薄膜的製造方法，其包含利用雷射光線將厚度為20 μm以下的切割前薄膜裁切，以獲得厚度為20 μm以下、彈性模數為2000 MPa以上、斷裂點伸長率為20%以上之薄膜的工序。
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