TW202016360A

TW202016360A - 電鍍銅浴

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Publication number: TW202016360A
Application number: TW108129592A
Authority: TW
Inventors: 池田健; 岸本一喜; 高谷康子; 安田弘樹; 下村彩; 原崎裕介; 佐波正浩; 清原靖; 藤原伊織; 田中正夫; 阿部峰大
Original assignee: 日商傑希優股份有限公司; 日商互應化學工業股份有限公司
Priority date: 2018-08-28
Filing date: 2019-08-20
Publication date: 2020-05-01
Also published as: KR102319041B1; CN111108235A; CN111108235B; WO2020044432A1; KR20200026800A; JPWO2020044432A1; TWI707989B; JP6782477B2

Abstract

本發明提供一種電鍍銅浴，其介層孔的填充性優異。電鍍銅浴，含有下述化合物在酸的存在下的反應產物：分子內含有胺基之化合物、及分子內含有環氧基之化合物。前述分子內含有胺基之化合物，包含由特定通式表示的胺化合物。前述分子內含有環氧基之化合物，包含由特定通式表示的環氧化物化合物。

Description

電鍍銅浴

本發明有關一種電鍍銅浴。詳言之，有關一種電鍍銅浴，其在實行電鍍銅時使用。

伴隨電子機器的小型輕量化，印刷線路基板的高密度化、多層化、貫通孔的小徑化持續進展，為了進一步小型化的目的，增層法技術的開發被視為當務之急。增層法，是指一種技術，其將介層孔鍍覆用於銅線路-絕緣體之間的連接，但是當藉由鍍覆來填充介層孔內部時，下述情形成為問題：在介層孔鍍覆中產生內部孔洞、或在介層孔鍍覆的表面產生凹陷。

作為能夠填充(埋入)高深寬比的介層孔、貫通孔等之鍍銅技術，日本國專利第5724068號公報提供一種電鍍銅浴，該電鍍銅浴含有作為添加劑的雜環化合物與具有3個以上的縮水甘油醚基之化合物的反應產物，但是期望填充性進一步提升。

本發明是有鑑於上述問題點而完成，其目的在於提供一種電鍍銅浴，該電鍍銅浴的介層孔的填充性優異。

本發明的其中一態樣的電鍍銅浴，含有下述化合物在酸的存在下的反應產物：分子內含有胺基之化合物、及分子內含有環氧基之化合物。

以下，說明用以實施本發明的形態。

(1)概要本實施形態的電鍍銅浴(PB)，是一種鍍覆液，其儲存於用以實行電鍍的槽內。電鍍銅浴(PB)，含有銅離子。

電鍍銅浴(PB)，除了含有銅離子以外，進一步含有下述化合物的反應產物(RP)：分子內含有胺基之化合物(以下，有時稱為化合物(AM))、及分子內含有環氧基之化合物(以下，有時稱為化合物(EP))。此反應產物(RP)，是藉由在酸(AC)的存在下使化合物(AM)與化合物(EP)反應來獲得。

電鍍銅浴(PB)，除了含有銅離子和反應產物(RP)以外，能夠進一步含有低分子量成分(LC)。低分子量成分(LC)，是在生成反應產物(RP)時產生的副反應產物。

(2)分子內含有胺基之化合物(化合物(AM)) 化合物(AM)，是一種在分子內含有胺基之化合物。化合物(AM)，可在分子內含有1個或2個以上的胺基。化合物(AM)可以是1種，亦可含有2種以上不同結構式的化合物(AM)。例如，化合物(AM)，可包含由下述通式(I)表示的1種或複數種的胺化合物。

R₁ 是選自氫原子、或是碳數為1～5的烷基或羥基伸烷基中的任一種。R₂ 是選自氫原子、或是碳數為1～5的烷基或羥基伸烷基中的任一種。R₁ 與R₂ 可相同亦可不同。

R₃ 是選自碳數為1～5的伸烷基或由-(C₂ H₄ -O)_α -(C₃ H₆ -O)_β -表示的聚環氧烷基中的任一種。α與β各自是0～5的整數，α與β可相同(其中，α＝β≠0)亦可不同。

R₁ 或R₂ 能夠與R₃ 的元素形成五～七員環的環狀伸烷基。

A是選自下述群組中的任一種：氫、甲基、乙基、丙基、亞甲基、伸乙基、伸丙基、次甲基、碳原子、氧原子、羥基、-(C₂ H₄ -O)_α -、胺基、或是碳數為1～3的單烷基胺基或二烷基胺基。a表示1～4的整數。

作為具有通式(I)的結構之化合物的例子，不限定於這些化合物，當a為4時，可列舉：3,3-雙(2-胺基乙基)-1,5-戊二胺、2,2-雙(胺基甲基)-1,3-丙二胺、2,2-雙(二甲基胺基甲基)-N,N,N’,N’-四甲基-1,3-丙二胺；當a為3時，可列舉：Jeffamine T-403(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine T-3000(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine T-5000A(Huntsman Corp.製造)、2-(胺基甲基)-2-甲基-1,3-丙二胺、2-(胺基甲基)-1,3-丙二胺、3-(2-胺基乙基)-3-甲基-1,5-戊二胺、3-(1-胺基乙基)-3-甲基-2,4-戊二胺、參[2-(二甲基胺基)乙基]胺；當a為2時，可列舉：1,3-二胺基丙烷、1,6-二胺基己烷、1,3-二(4-哌啶基)丙烷、N,N,N’,N’-四甲基-1,3-二胺基丙烷、N,N,N’,N’-四甲基六亞甲基二胺、雙(3-胺基丙基)醚、雙(2-二甲基胺基乙基)醚、亞胺基雙丙胺、N,N,N’,N’’,N’’-五甲基二伸乙基三胺、N,N,N’,N’’,N’’-五甲基二伸丙基三胺、Jeffamine D-230(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine D-400(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine D-2000(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine D-4000(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine EDR-148(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine EDR-176(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine ED-600(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine ED-900(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine ED-2003(Huntsman Corp.製造)、Jeffamine HK-511(Huntsman Corp.製造)；當a為1時，可列舉：乙胺、N-甲胺、丙胺、二乙胺、三乙胺、二丙胺、丁胺、二丁胺、N,N-二甲基丁胺、N-丁胺、己胺、N-甲基己胺、乙醇胺、2-二甲基胺基乙胺、N,N’-二甲基乙二胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、2-乙基胺基乙胺、2-二乙基胺基乙胺、3-甲基胺基丙胺、3-二甲基胺基丙胺、3-二乙基胺基丙胺等。

(3)分子內具有環氧基之化合物(化合物(EP)) 化合物(EP)，是一種在分子內具有環氧基之化合物。化合物(EP)，可在分子內含有1個或2個以上的環氧基。化合物(EP) ，可以是1種，亦可含有2種以上的不同結構式的化合物(EP)。例如，化合物(EP)，可包含由下述通式(II)表示的1種或複數種的環氧化物化合物。

R₄ 是選自下述群組中的任一種：碳數為1～8的直鏈、支鏈或環狀的伸烷基、-(CH₂ -CH₂ -O)_n -(CH₂ -CH₂ )-、-(C₃ H₆ -O)_n -(C₃ H₆ )-、碳數為1～3的羥基伸烷基、由下述式(V)表示的取代基或由下述式(VI)表示的取代基。n表示1～9的整數。B表示選自下述群組中的任一種：碳數為3的羥基伸烷基、甲基、乙基、亞甲基、伸乙基、伸丙基、次甲基、由下述式(III)表示的取代基、由下述式(IV)表示的取代基、碳原子或氧原子。b表示1～4的整數。

上述通式(V)是由3個區段隨機鍵結而成之結構表示的取代基。R₅ 是由上述式(IV)表示的取代基。x、y、z是0～6的整數，且x＋y＋z≦6。

作為具有通式(II)的結構之化合物，並不限定於這些化合物，當b為4時，可列舉：季戊四醇四縮水甘油基醚、山梨糖醇四縮水甘油基醚、聚甘油四縮水甘油基醚；當b為3時，可列舉：三羥甲基丙烷三縮水甘油基醚、山梨糖醇三縮水甘油基醚、聚甘油三縮水甘油基醚；當b為2時，可列舉：甘油二縮水甘油基醚、新戊二醇二縮水甘油基醚、1,6-己二醇二縮水甘油基醚、1,4-丁二醇二縮水甘油基醚、雙酚A二縮水甘油基醚、氫化雙酚 A二縮水甘油基醚；當b為1時，可列舉：乙二醇二縮水甘油基醚、二乙二醇二縮水甘油基醚、聚(乙二醇)#200二縮水甘油基醚、聚(乙二醇)#400二縮水甘油基醚、丙二醇二縮水甘油基醚、聚(丙二醇)二縮水甘油基醚、正丁基縮水甘油基醚、2-乙基己基縮水甘油基醚等。

(4)酸(AC) 酸(AC)，是用來使化合物(AM)與化合物(EP)的反應在酸存在下實行。酸(AC)，能夠使用有機酸和無機酸中的一者或兩者。作為有機酸，能夠使用：檸檬酸、乳酸、甲磺酸、對甲苯磺酸等。作為無機酸，能夠使用：硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸等。

(5)反應產物(RP) 反應產物(RP)，是藉由在酸(AC)的存在下使化合物(AM)與化合物(EP)反應來獲得。反應產物(RP)是一種水溶性的化合物。又，反應產物(RP)，被認為是化合物(AM)與化合物(EP)鍵結而成之聚合物。又，反應產物(RP)，被認為是化合物(AM)與化合物(EP)鍵結而成之高分子。再者，發明人嘗試了鑑定反應產物(RP)的詳細結構，但是由於反應產物(RP)的單離的困難度，因此未能鑑定其結構。

生成反應產物(RP)時，相對於1當量(莫耳當量)的化合物(AM)，化合物(AM)與化合物(EP)的摻合比率較佳是使0.9當量以上且1.1當量以下的範圍內的化合物(EP)反應。如果化合物(AM)與化合物(EP)的當量比脫離上述範圍，則變得不易獲得一種介層孔的填充性優異的電鍍銅浴。

又，生成反應產物(RP)時，相對於1當量(莫耳當量)的化合物(AM)，酸(AC)的摻合比率較佳是在0.5當量以上且1.5當量以下的範圍內。

藉由相對於化合物(AM)，反應時存在的酸(AC)的當量為0.5當量以上，能夠抑制化合物(AM)與化合物(EP)過剩地進行生長反應，結果能夠抑制反應產物(RP)的相對重量平均分子量的增大。又，能夠充分獲得在膠體過濾層析上低分子量的區域，亦即相對重量平均分子量低於1000的副產物成分(低分量成分(LC))。以這樣的方式進行，能夠獲得一種添加劑(包含反應產物(RP)與低分子量成分(LC)之組成物)，其適合用於介層孔的填充性優異的電鍍銅浴(PB)。

又，若相對於化合物(AM)，反應時存在的酸(AC)的當量為1.5當量以下，則能夠防止因過剩的酸性而導致阻礙反應及反應產物(RP)分解，且能夠獲得一種添加劑，該添加劑適合用於介層孔的填充性優異的電鍍銅浴(PB)。相對於化合物(AM)，酸(AC)的摻合量更佳是在1.0～1.2當量的範圍內。

反應產物(RP)以聚乙二醇換算的相對重量平均分子量，較佳是在500以上且20000以下的範圍內。又，反應產物(RP)的絕對重量平均分子量，較佳是在2000以上且60000以下的範圍內。又，較佳是上述相對重量平均分子量/上述絕對重量平均分子量的比值在0.13以上且1.3以下的範圍內。

相對重量平均分子量，是根據介質亦即溶劑中的表觀的分子尺寸，來規定分子量。因此，若對系統的親和性較高，則分子能夠擴散至系統中，因此相對重量平均分子量會被估計較大。若對系統的親和性較低，則分子在系統中收縮，因此相對重量平均分子量會被估計較小。另一方面，絕對重量平均分子量，是根據藉由組合膠體過濾層析與光散射法來實行的測定法而獲得。不管如上所述的表觀的分子尺寸，都能夠估計真正的分子量，例如，如果是聚合體的話，則能夠估算沒有加上構形(comformation)之分子鏈長度。因此，有時確認到相對重量平均分子量與絕對重量平均分子量有明顯差異，具體而言，當對溶劑的親和性顯著較低時、或當形成大量的分子內交聯時，分子的結構具有過度折疊的結構，因此相對重量平均分子量變小。亦即，上述相對重量平均分子量/上述絕對重量平均分子量的比值變小。

若上述相對重量平均分子量/上述絕對重量平均分子量的比值是1.3以下，則暗示水中的反應產物(RP)的結構為緊密地折疊的結構，鍍銅時能夠促進對於介層孔附近的接觸，藉此電鍍銅浴具有優異的介層孔填充性(對介層孔的埋入性)。又，若相對重量平均分子量/絕對重量平均分子量的比值是0.13以上，則反應產物的結構不會過度折疊，在水中能夠作為適度地柔軟的結構體來發揮作用，因此鍍銅時能夠抑制對於介層孔附近的接觸被阻礙的情形。

上述相對重量平均分子量，更佳是500以上且5000以下。上述絕對重量平均分子量，更佳是3000以上且17000以下。又，上述相對重量平均分子量/上述絕對重量平均分子量的比值，更佳是在0.13以上且0.3以下的範圍內。

再者，絕對重量平均分子量，亦能夠藉由靜態光散射法來測定，但是反應產物(RP)並非具有單一分子量的化合物，具有分子量分佈。因此，雖然以重量平均分子量來規定，但是靜態光散射法難以獲得加上了分子量分佈的絕對重量平均分子量，因此不適合本實施形態的討論。在本實施形態中，是藉由具備光散射偵測器之膠體過濾層析裝置來測定絕對重量平均分子量。在此方法中，能夠獲得包含分子量分佈的要素之絕對重量平均分子量，因此能夠基於更適當的訊息來進行討論。

又，反應產物(RP)，是在過剩當量的酸的存在下的化合物(AM)與化合物(EP)的反應產物(聚合物)，由於其反應條件的特殊性，被認為具有與通用的反應產物的結構大幅不同的結構。如上述相對重量平均分子量/絕對重量平均分子量的比值所教示，預期反應產物(RP)的結構在水中為適度折疊的結構。

(6)低分子量成分(LC) 低分子量成分(LC)，是一種副反應產物，其是化合物(AM)與化合物(EP)在酸的存在下反應而生成反應產物(RP)時產生。本實施形態中的低分子量成分(LC)，是指一種化合物，其在膠體過濾層析上的低分子量的區域，亦即相對重量平均分子量低於500。再者，關於低分子量成分(LC)的結構，由於與反應產物(RP)同樣的理由而難以決定其結構。

(7)電鍍銅浴電鍍銅浴(PB)，包含反應產物(RP)作為整平劑(添加劑)。又，電鍍銅浴(PB)，包含反應產物(RP)和低分子量成分(LC)作為整平劑。進一步，電鍍銅浴(PB)，能夠含有：載體(carrier)、光澤劑(brightener)等的各種添加劑；水；以及，銅離子。

電鍍銅浴(PB)中的反應產物(RP)的含量(濃度)，較佳是0.1mg/L以上且1000mg/L以下。若反應產物(RP)的含量(濃度)為0.1mg/L以上，則能夠充分確保反應產物(RP)的含量，因此能夠充分發揮反應產物(RP)的作為整平劑(平滑劑)的性能。若反應產物(RP)的含量(濃度)為1000mg/L以下，則能夠充分確保低分子量成分(LC)的含量，因此能夠充分發揮低分子量成分(LC)的作為整平劑(平滑劑)的性能。

相對於反應產物(RP)，電鍍銅浴(PB)中的低分子量成分(LC)的含量較佳是在30質量%以上且70質量%以下的範圍內。若相對於反應產物(RP)，低分子量成分(LC)的含量為30質量%以上，則能夠獲得一種具有優異的介層孔填充性的電鍍銅浴。若相對於反應產物(RP)，低分子量成分(LC)的含量為70質量%以下，則能夠充分確保反應產物(RP)的含量，因此能夠充分發揮反應產物(RP)的作為整平劑(平滑劑)的性能。

電鍍銅浴(PB)中的載體的含量(濃度)，並無特別限定，較佳是1mg/L以上且5000mg/L以下。電鍍銅浴(PB)中的光澤劑的含量(濃度)，並無特別限定，較佳是0.1mg/L以上且50mg/L以下。電鍍銅浴(PB)中的銅離子的含量(濃度)，並無特別限定，較佳是30g/L以上且75g/L以下。

能夠藉由例如摻合硫酸銅來獲得電鍍銅浴(PB)中的銅離子，但是不限定於此，亦可以是其他的銅離子供給來源。

電鍍銅浴(PB)，是在藉由鍍銅來填充(埋入)多層印刷線路板等的基板的介層孔時使用。介層孔的大小，並無特別限定，例如，開孔徑(基板表面的開口的直徑)能夠設為40μm以上且150μm以下，深度能夠設為20μm以上且100μm以下。

而且，本實施形態的電鍍銅浴，藉由含有一種反應產物(RP)，從而獲得能夠均勻地鍍覆填充介層孔等的高填充性能，該反應產物(RP)是藉由在特定條件的酸(AC)的存在下，使分子內含有1個以上的胺基之化合物(AM)與分子內含有1個以上的環氧基之化合物(EP)反應而獲得。

(變化例) 本實施形態的電鍍銅浴，亦能夠在對貫通孔進行鍍銅填充時使用。 (實施例)

以下，列舉實施例來詳細地說明本發明，但是本發明完全不限定於這些實施例。

[製備反應產物(RP)] 在具備溫度計、攪拌機及原料投入口之1L容量的玻璃製反應容器中，混合表1所示的1當量的化合物(AM)與所記載的當量的酸(AC)，並利用純淨水，以化合物(AM)的濃度成為35質量%的方式進行稀釋。

繼而，一面攪拌這些內容物一面緩緩地將1當量的化合物(EP)導入反應容器內之後，升溫至95℃，並使其熟成4小時，藉此獲得水溶性的反應產物(RP)。冷卻後，投入適當的硫酸和水，來調整pH值和有效成分濃度，藉此獲得反應產物(RP)的40質量%水溶液。此水溶液中亦包含低分子量成分(LC)。藉由對所獲得的水溶液實行核磁共振和膠體滲透層析測定，來確認反應產物(RP)和低分子量成分(LC)的生成。

所獲得的反應產物(RP)的相對重量平均分子量、絕對重量平均分子量、及相對重量平均分子量/絕對重量平均分子量的比值，亦如表2所示。

[表1]

[表2]

[相對重量平均分子量] 藉由下述方式來測定以聚乙二醇換算的相對重量平均分子量和低分子量的副產物的含量：利用純淨水將各製造例中獲得的反應產物(RP)的40質量%水溶液(亦包含低分子量成分(LC))稀釋成4g/L，然後將稀釋而得的液作為試料，並藉由下述裝置和條件來實行膠體過濾層析測定。・裝置：Prominence系統(島津製作所股份有限公司製造) ・管柱：TSKgel G3000PWXL-CP(東曹股份有限公司製造) ・移動相：0.1M硝酸鈉水溶液・流速：0.8ml/min ・管柱溫度：40℃ ・偵測器：示差折射率偵測器・分子量換算：聚乙二醇

[絕對重量平均分子量] 藉由下述方式測定絕對重量平均分子量：利用純淨水將各製造例中獲得的反應產物(RP)的40質量%水溶液(亦包含低分子量成分(LC))稀釋成4g/L，然後對稀釋而得的試料，藉由下述裝置和條件來實行膠體過濾層析測定。・裝置：Viscotek TDAmax系統(Spectris股份有限公司製造) ・管柱：TSKgel G3000PWXL-CP(東曹股份有限公司製造) ・移動相：0.1M硝酸鈉水溶液・流速：0.8ml/min ・管柱溫度：40℃ ・偵測器：黏度偵測器、示差折射率偵測器、光散射偵測器(串聯) ・校正試料：聚乙二醇

[鍍覆試驗] 使以下組成的硫酸銅電鍍液中分別含有50mg/L的製造例1～18中製備的反應產物(RP)和低分子量成分(LC)，而製備電鍍銅浴(實施例1～16、比較例6、7)。又，亦使同樣組成的硫酸銅電鍍液中含有2mg/L～50mg/L的比較例1～5所記載的化合物，而製備電鍍銅浴。

將實施無電鍍銅後的具有開口徑為60μm且深度為35μm的盲介層孔之樹脂基板放入這些電鍍銅浴中，並依以下條件來實行硫酸銅電鍍。鍍覆後對於基板，用以下方式進行來評估填充性。該等的結果如表3所示。

＜硫酸銅電鍍條件＞硫酸銅電鍍液組成・五水合硫酸銅150g/L、硫酸150g/L、氯離子40mg/L ・添加劑：表2所示的量的添加劑鍍覆條件・電流密度：1.65A/dm² ・時間：28分鐘・浴量：500mL ・攪拌：曝氣，1.5L/min

＜填充性評估基準＞以填充後的介層孔上方的凹陷量作為評分，並使用立體白光干涉型顯微鏡來進行測定。又，作為評估基準，將凹陷量低於3μm設為A(非常良好)，3μm以上但低於7μm設為B(稍微良好)，7μm以上但低於11μm設為C(普通)，11以上設為D(差)。結果如表3所示。

再者，表3中的各成分，是使用以下成分。・SPS：聚二硫二丙烷磺酸鈉・PEG：聚乙二醇(分子量為4000) ・Jeffamine D230：聚醚胺(Huntsman Corp.製造) ・Jeffamine ED600：聚醚胺(Huntsman Corp.製造) ・聚乙烯亞胺600：聚乙烯亞胺(分子量為600，日本觸媒股份有限公司製造) ・PAA-1112：烯丙基胺-二甲基烯丙基胺共聚物(NITTOBO MEDICAL股份有限公司製造) ・PAS-M1-A：甲基二烯丙基胺乙酸鹽聚合物(NITTOBO MEDICAL股份有限公司製造)

[表3]

(總結) 由以上所述的實施形態和實施例可知，第1態樣的電鍍銅浴，含有下述化合物在酸的存在下的反應產物：分子內含有胺基之化合物、及分子內含有環氧基之化合物。

根據第1態樣，如果在電鍍銅時使用，則介層孔的填充性優異。

第2態樣的電鍍銅浴，針對第1態樣，前述分子內含有胺基之化合物包含由上述通式(I)表示的胺化合物，且前述分子內含有環氧基之化合物包含由上述通式(II)表示的環氧化物化合物。

根據第2態樣，如果在電鍍銅時使用，則介層孔的填充性進一步優異。

第3態樣的電鍍銅浴，針對第1或2態樣，相對於前述胺基，前述酸的酸當量為0.5當量以上。

根據第3態樣，能夠抑制分子內含有胺基之化合物與分子內含有環氧基之化合物過剩地進行生長反應，從而能夠抑制在酸的存在下的反應產物的相對重量平均分子量的增大。

第4態樣的電鍍銅浴，針對第1至3態樣中任一項，前述反應產物以聚乙二醇換算的相對重量平均分子量在500以上且20000以下的範圍內，絕對重量平均分子量在2000以上且60000以下的範圍內，並且，前述相對重量平均分子量/前述絕對重量平均分子量的比值在0.13以上且1.3以下的範圍內。

根據第4態樣，暗示水中的反應產物的結構為緊密地折疊的結構，鍍銅時能夠促進對於介層孔附近的接觸，藉此電鍍銅浴具有優異的介層孔填充性。又，反應產物的結構不會過度折疊，在水中能夠作為適度地柔軟的結構體來發揮作用，因此鍍銅時能夠抑制對於介層孔附近的接觸被阻礙的情形。

第5態樣的電鍍銅浴，針對第1至4態樣中任一項，進一步含有低分子量成分，該低分子量成分是在生成前述反應產物時產生的副反應產物。

根據第5態樣，能夠獲得一種具有進一步優異的介層孔填充性的電鍍銅浴，並且能夠充分發揮反應產物的作為整平劑的性能。

第6態樣的電鍍銅浴，針對第1至5態樣中任一項，相對於前述反應產物，含有30質量%以上且70質量%以下的範圍內的前述低分子量成分。

根據第6態樣，能夠獲得一種具有進一步優異的介層孔填充性的電鍍銅浴，並且能夠進一步充分發揮作為整平劑的性能。

無

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims

一種電鍍銅浴，其含有下述化合物在酸的存在下的反應產物：分子內含有胺基之化合物、及分子內含有環氧基之化合物。
如請求項1所述之電鍍銅浴，其中，前述分子內含有胺基之化合物包含由下述通式(I)表示的胺化合物，且前述分子內含有環氧基之化合物包含由下述通式(II)表示的環氧化物化合物：
上述通式(I)中，R₁ 和R₂ 各自獨立地為氫原子或碳數為1～5的烷基、羥基伸烷基，R₃ 是碳數為1～5的伸烷基、由-(C₂ H₄ -O)_α -(C₃ H₆ -O)_β -表示的聚環氧烷基中的任一種，α與β各自獨立地為0～5，R₁ 或R₂ 能夠與R₃ 的元素形成五～七員環的環狀伸烷基，A表示氫、甲基、乙基、丙基、亞甲基、伸乙基、伸丙基、次甲基、碳原子、氧原子、羥基、-(C₂ H₄ -O)_α -、胺基、或是碳數為1～3的單烷基胺基或二烷基胺基，a表示1～4的整數；
上述通式(II)中，R₄ 表示碳數為1～8的直鏈、支鏈或環狀的伸烷基、-(CH₂ -CH₂ -O)_n -(CH₂ -CH₂ )-、-(C₃ H₆ -O)_n -(C₃ H₆ )-、碳數為1～3的羥基伸烷基、由下述式(V)表示的取代基、或是由下述式(VI)表示的取代基，n表示1～9的整數，B表示碳數為3的羥基伸烷基、甲基、乙基、亞甲基、伸乙基、伸丙基、次甲基、由下述式(III)表示的取代基、由下述式(IV)表示的取代基、碳原子或氧原子，b表示1～4的整數，
上述通式(V)是由3個區段隨機鍵結而成之結構表示的取代基，R₅ 是由上述式(IV)表示的取代基，x、y、z是0～6的整數，且x＋y＋z≦6，
。
如請求項1或2所述之電鍍銅浴，其中，相對於前述胺基，前述酸的酸當量為0.5當量以上。
如請求項1或2所述之電鍍銅浴，其中，前述反應產物以聚乙二醇換算的相對重量平均分子量在500以上且20000以下的範圍內，絕對重量平均分子量在2000以上且60000以下的範圍內，並且，前述相對重量平均分子量/前述絕對重量平均分子量的比值在0.13以上且1.3以下的範圍內。
如請求項1或2所述之電鍍銅浴，其中，進一步含有低分子量成分，該低分子量成分是在生成前述反應產物時產生的副反應產物。
如請求項1或2所述之電鍍銅浴，其中，相對於前述反應產物，含有30質量%以上且70質量%以下的範圍內的前述低分子量成分。