TW202012311A - Rho沸石及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

所揭露為新穎並具有經改良形態均勻性之結晶化RHO沸石組合物。該等RHO組合物係適用於製備陽離子交換RHO沸石，其可作為具有改善特性用於氧氣及/或氮氣之吸附劑。吸附劑可用於變壓吸附程序以自進料流例如一空氣流或粗氬氣流選擇性吸附氧氣及/或氮氣。亦揭露製備具有改良形態控制之RHO沸石之新穎方法。

Description

RHO沸石及其製造方法
本發明係關於RHO型之結晶化沸石組合物（於此亦稱為RHO沸石），由所述結晶化RHO沸石所製得之離子交換RHO沸石及其製造方法。於此所揭露之離子交換RHO沸石可作為各種應用中之吸附劑，例如用於自含氧氣流動力學分離出氧氣，例如用於純化粗氬氣，用於自空氣中分離出氮氣，用於自氬氣中去除微量N2 ，及/或用於自甲烷中去除CO2 。具體地，於此所揭露為具有經改良形態之結晶化RHO（3.1至3.6）沸石組合物，其可經離子交換並作為吸附劑組合物，及其製造方法。
於工業氣體生產工業中，對於在環境溫度或低於環境溫度（sub-ambient）下自含氧氣流中有效分離出氧氣係有其需求。
於低溫空氣分離中，係根據氮氣（N2 ）、氧氣（O2 ）與氬氣（Ar）之沸點與相對揮發性進行分離。第一低溫塔提供三種主要氣體成分：N2 （78%）、O2 （21%）與Ar（1%）之粗略分離。移除側流並將其輸送至稱作側臂塔或粗氬氣塔之第二塔。此氣流稱為「粗氣體（crude）」，因其離開側臂塔時氬氣僅為95%。用於進一步純化此粗氬氣之傳統方法限於：「Deoxo」純化，集氣床技術以及額外蒸餾。Deoxo程序使受控量之氫氣與氬氣流中之氧氣反應形成水，其更易自氣流中移除。因氫氣與氧氣之反應會產生大量熱能，因此若未妥善控制則此程序會具有危險性。集氣床僅能於較低氧濃度下透過使氧氣與銅催化劑進行反應以形成氧化銅而發揮作用。當需高純度氬氣時，可使用第三蒸餾塔已對其進一步濃縮。不幸地，因O2 與Ar之沸點相近，因此該等蒸餾塔需要超過200階且經濟效益不如預期。
相較於自粗氬氣流中回收氬氣之傳統且極為複雜之方法相比，PSA（變壓吸附）程序對於氬氣純化與回收提供簡易且有效之替代方式。不需氫氣或額外低溫階段。
然而，為透過吸附機制達成自N2 或Ar動力學或吸附速率依賴性分離O2 ，必須開發具有極特殊孔洞尺寸之吸附劑結構。Ar（3.40Å）之蘭納瓊斯6-12動力學直徑係小於O2 （3.46Å），但O2 非為球形分子，並且具有最小可利用之分子尺寸。符號Å代表埃格斯特朗（Ångström），其為長度之單位，定義為10-10 公尺。吸附機制表示最小分子尺寸為動力學不相容之限制因素。利用適當定向，O2 應擴散至有效直徑為2.8Å之孔洞中。氬為一種球形原子，其恆定直徑為3.4Å。此0.6Å直徑差異係為O2 選擇性吸附劑必須展現以達成氧氣與氬氣之間動力學分離之關鍵靈敏度。利用此種吸附劑可取得一種程序，其以更安全與更具經濟效益之方式自低溫空氣分離程序中純化粗氬氣，並且能更快速與有效自氬氣中移除O2 。
美國專利號5,730,003描述一種混合程序，其中，於2床體變壓吸附（PSA）單位中處理於低溫蒸餾設備中所產生之粗氬氣，以產生99.999%氬氣。若粗氬亦含有除氧氣之外之大量氮氣，則此篇專利揭示於與氧氣選擇性層體分離之層體中包括一氮氣選擇性吸附劑。於美國專利號5,294,418中所揭露之碳分子篩（CMS）、A型沸石、斜髮沸石（clinoptilolite）及吸附劑係經使用作為一氧氣選擇性層體。作為一氮氣選擇性層體，可列舉吸附劑例如CaA、X型沸石（LiX或NaX），以及含有選自週期表第I族與第II族之混合陽離子之A型與X型沸石（LiNaX）。
美國專利申請案序列號15/718467，RHO吸附劑組合物、製造方法及其用途，以及15/718620，利用經改良RHO吸附劑組合物之程序（於此透過引用方式將其內容併入本文中），描述新穎RHO沸石組合物以及先前所述RHO沸石組合物，及其等於PSA程序中之應用，特別係用於自含氧流體氣流中移除氧氣之PSA程序。
RHO沸石具有對稱三維孔洞結構，其包含具有由兩個8員氧環構成之開口之通道並且呈現結晶化形式，其包含鈉與銫陽離子。標稱環直徑或開口為3.6Å。其接近如上所述用於將O2 自Ar與N2 分離，以及將N2 自Ar分離之目標孔洞尺寸。此孔洞尺寸亦可用於將CO2 自甲烷分離。
經製備之水合RHO沸石係以對稱中心體心立方（bcc）結構進行結晶，但已顯示出此結構於脫水時並且若經受某些類型之骨架外陽離子取代時會歷經相當大形變而降低對稱性。此形變，其經觀察為較大單位晶胞收縮，主要由RHO之8環形變所驅使。Corbin及其同事已證實，質子交換RHO其未形變且實質上呈圓形之環可於與較小且為高電荷密度之陽離子例如Ca2+ 與Li+ 交換時變形成高度橢圓形環（美國化學會期刊，1990，112，4821）。
RHO沸石於合成期間需要較大銫骨架外陽離子作為結構導向劑（structure directing agent），並且非自然存在。首先由Robson及其同事於1973年將其製備（化學系列進展，1973，121，106）。此初始合成未使用額外有機模板劑（templating agent），並且製造Si對Al原子之比率等於3.1至3.2之RHO材料，此後由簡要表達為RHO（3.1）至RHO（3.2）。不幸地，已證實Robson無模板之方法於一定程度上不可靠，通常會產生RHO與其他含銫相之混合物，如銫沸石以及晶體形態與粒徑之混合物。
Corbin及其同事（美國化學會期刊，1990，112，4821）描述一種經改良無模板合成之NaCsRHO（3.2），其使用可溶性氧化鋁源、鋁酸鈉與較高含量之水。此方法比上述Robson之方法能更可靠製造純沸石RHO，但本發明人發現其仍會導致混合RHO形態相發生。此外，本發明人已發現該等混合形態相於經過後續離子交換程序仍持續存在，例如製備離子交換RHO組合物所需之程序，所述離子交換RHO組合物係於美國專利申請案序列號15/718467，RHO吸附劑組合物、製造方法及其用途，以及15/718620，利用經改良RHO吸附劑組合物之程序（如上所述），並且所述混合形態相會對離子交換RHO沸石之吸附特性造成負面影響。
Mousavi及其同事（Mousavi，S.F.等人，國際陶瓷，2013，39，7149）更充分研究來自該等現有NaCsRHO（3.2）結晶路徑之混合形態RHO之存在。其評估於合成期間之結晶時間、合成溫度、水含量與鹼度對所得NaCsRHO（3.2）顆粒形狀與尺寸之影響。雖未明確引用，但作者遵照於Robson（美國專利號7,169,212）所發現之合成配方。透過本研究中顯微術研究顯示出，RHO（3.2）同時自然結晶成兩種不同顆粒形態：1）推測為均勻密度之多面體微晶，以及2）整體尺寸大致相同但由許多共同生長之小型微晶所組成之多晶聚集體。於研究中所呈現X光繞射資料表示出均勻NaCsRHO（3.2），本領域技術之人將理解於XRD檢測極限內，兩種顆粒形態皆為具有相同化學組成之RHO（3.2）。
本發明人已發現，於結晶化之純NaCsRHO（3.2）中存在雜質相與複數個形態相會使於後續離子交換RHO形式中難以獲得一致且均勻吸附特性。
近期，Chatelain及其同事利用18-冠-6（18-crown-6）作為模板劑已合成出RHO沸石（微孔材料，1995，4，231）。模板化方法能更可靠獲得高度結晶NaCsRHO，其Si/Al = 3.9至4.5，即RHO（3.9）至RHO（4.5），以及極均勻之粒徑與形態，但因18-冠-6模板劑之成本較高、需增加單元操作以及難以於高溫下透過煅燒（calcination）完全去除模板劑，因此其於商業上受到挑戰。
因此，本領域對於具有均勻粒徑與形態之固定高純度結晶化RHO（3.1-3.6）沸石，以及用於製造此種沸石之有機無模板方法仍有其需求，此種沸石可為離子交換（例如上述於美國專利申請案序列號15/718467與15/718620中所描述）以提供經改良吸附劑，其特別適用於將O2 自含有N2 及/或Ar之混合物中分離。
於此揭露具有一形態（morphology）之結晶化NaCsRHO（3.1至3.6）沸石，其中大量沸石為多面體微晶形式，且至多僅少量沸石為多晶聚集體（polycrystalline aggregates）形式。本發明人已發現，透過測量結晶化沸石之O2 吸附容量可間接評估多面體微晶形式（與多晶聚集體相反）之結晶化RHO沸石之含量。更具體而言，多面體微晶形式之沸石其比例越大，則沸石之O2 吸附容量越低。
具體地，於此所揭露為結晶化NaCsRHO（3.1至3.6）沸石，其O2 吸附容量透過O2 單點等溫線測量係小於0.015 mmol/g。本發明人已發現，此種沸石可對製備使用作為PSA及其他吸附程序之吸附劑之離子交換RHO（3.1至3.6）沸石提供優異起始點，具體地，係使用作為自含其他氣體（例如氮氣及/或氬氣）之氣體混合物吸附與分離氧氣之動力學選擇性吸附劑。
於此亦揭露由上述結晶化RHO沸石所製備之離子交換RHO沸石。具體地，於此所揭露為離子交換RHO沸石，其構成用於如上所述吸附程序之較佳吸附劑。
於此亦揭露製備上述結晶化沸石與離子交換RHO沸石之方法。具體地，於此所揭露為製備此種沸石之方法，其不需使用18-冠-6或其他有機模板劑，並且所需反應時間少於前述之方法。
以下根據本發明列舉多種RHO沸石較佳態樣及製造方法。
態樣1：一種具有Si/Al比率為3.1至3.6之結晶化NaCsRHO沸石，其中該沸石之O2 容量透過O2 單點等溫線測量係小於0.015 mmol/g。
態樣2：如態樣1所述之沸石，其中該沸石之O2 容量透過O2 單點等溫線測量係小於0.010 mmol/g。
態樣3：如態樣1所述之沸石，其中該沸石之O2 容量透過O2 單點等溫線測量係小於0.005 mmol/g。
態樣4：如態樣1至3所述之沸石，其中該沸石之Ar容量透過Ar單點等溫線測量係小於0.015 mmol/g。
態樣5：如態樣1至3所述之沸石，其中該沸石之Ar容量透過Ar單點等溫線測量係小於0.010 mmol/g。
態樣6：如態樣1至3所述之沸石，其中該沸石之Ar容量透過Ar單點等溫線測量係小於0.005 mmol/g。
態樣7：一種由態樣1所述之結晶化NaCsRHO沸石所形成RHO沸石，其透過將存在於該結晶化NaCsRHO沸石中之部分或全部Na與Cs陽離子與至少一其他類型骨架外陽離子進行交換。
態樣8：如態樣7所述之RHO沸石，其中該沸石包含非質子骨架外陽離子，其中存在於該沸石中之骨架外陽離子其尺寸、數量與電荷使每單位晶胞需要至多1.8個非質子骨架外陽離子佔據8環位，且其中該沸石之晶胞軸長為14.23Å至14.55Å。
態樣9：如態樣7或8所述之RHO沸石，其中該沸石其每單位晶胞至多包含6個質子。
態樣10：如態樣7至9中任一者所述之RHO沸石，其中該RHO沸石包含Li+ 、Mg2+ 、Mn2+ 、Fe2+ 、Co2+ 、Ni2+ 、Cu2+ 及/或Zn2+ 陽離子。
態樣11：如態樣7至10中任一者所述之RHO沸石，其中該RHO沸石包含Li+ 及/或Zn2+ 陽離子。
態樣12：如態樣11所述之RHO沸石，其中所述Li+ 及/或Zn2+ 陽離子構成存在於每單位晶胞之多數非質子骨架外陽離子。
態樣13：如態樣11所述之RHO沸石，其中所述Li+ 及/或Zn2+ 陽離子構成存在於每單位晶胞之至少70%非質子骨架外陽離子。
態樣14：一種製造RHO沸石之方法，該方法包含以下步驟： 形成含SiO2 、Al2 O3 、Na2 O, Cs2 O以及H2 O之一膠體，其中SiO2 ：Al2 O3 莫耳比率為10.4至11.2，（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 莫耳比率為0.3至0.4，以及H2 O：SiO2 莫耳比率為6.0至10.5； 透過將該膠體於溫度為20°C至30°C下保持1至5天時間以老化該膠體；以及 透過將該經老化膠體加熱至溫度為85°C至105°C之間並將該膠體於溫度為85°C至105°C下保持3至5天時間，以使該經老化膠體結晶並分離成一結晶化NaCsRHO沸石沉澱物與一母液。
態樣15：如態樣14所述之方法，其中該膠體未包含18-冠-6。
態樣16：如態樣14所述之方法，其中該膠體未包含任何有機模板劑。
態樣17：如態樣14所述之方法，其中該膠體未包含任何有機化合物。
態樣18：如態樣14至17中任一者所述之方法，其中該膠體之SiO2 ：Al2 O3 莫耳比率為10.6至11.0。
態樣19：如態樣14至18中任一者所述之方法，其中該膠體之H2 O：SiO2 莫耳比率為7.0至9.0。
態樣20：如態樣14至19中任一者所述之方法，其中該膠體係透過於溫度為20°C至30°C下混合水與二氧化矽、氧化鋁、鈉與銫之來源以形成該膠體。
態樣21：如態樣14至20中任一者所述之方法，其中該膠體係經老化1至2天時間。
態樣22：如態樣14至21中任一者所述之方法，其中透過將該經老化膠體加熱至溫度為90°C至100°C之間並將該膠體於溫度為90°C至100°C下保持3至5天時間，以使該經老化膠體結晶與分離。
態樣23：如態樣14至22中任一者所述之方法，其中該方法進一步包含以下步驟： 自該母液過濾出該結晶化NaCsRHO沸石； 以水洗滌該結晶化NaCsRHO沸石；以及選擇性地 乾燥該結晶化NaCsRHO沸石。
態樣24：如態樣23所述之方法，其中該結晶化NaCsRHO沸石係經由真空或加壓過濾進行過濾。
態樣25：如態樣23或24所述之方法，其中該結晶化NaCsRHO沸石係經洗滌直到比率為每100mL水有5g懸浮RHO產物所得之pH值為9至11。
態樣26：如態樣23至25所述之方法，其中該方法進一步包含將於經過濾、經洗滌與選擇性經乾燥之NaCsRHO沸石中之部分或全部Na+ 與Cs+ 陽離子與其他陽離子進行交換。
態樣27：如態樣26所述之方法，其中於經過濾、經洗滌與選擇性經乾燥之NaCsRHO沸石中之Na+ 與Cs+ 陽離子係與NH4 + 陽離子進行交換以提供一（NH4 ）RHO沸石；接著選擇性將該（NH4 ）RHO沸石中之部分或全部NH4 + 陽離子與Na+ 及/或Ca2+ 陽離子進行交換；以及將該沸石中之部分或全部NH4 + 、Na+ 及/或Ca2+ 陽離子與Zn2+ 及/或Li+ 陽離子進行交換，以提供一鋅交換及/或鋰交換RHO沸石。
後續詳細說明僅提供較佳範例性實施例，並非用以限制本發明之範疇、應用性或配置。然而，較佳範例性實施例之隨後詳細說明將對本技術領域通常知識者提供用於實施本發明較佳範例性實施例之可行描述，應當理解於不脫離本發明申請專利範圍之範疇下，可對元件之功能與配置進行各種改變。
當應用至說明書與申請專利範圍中所述本發明實施例之任何特徵時，於此所述之冠詞「一」與「一個」意指至少為一。使用「一」與「一個」並未限制單數特徵之意涵，除非有特別敘明此種限制。單數或複數名詞或名詞片語前之冠詞「該」表示一具體特定特徵或複數個具體特定特徵，並根據上下文所使用可具有單數或複數含義。
如此所使用，放置於第一實體與第二實體之間之詞組「與/或」包括（1）僅有第一實體；（2）僅有第二實體；以及（3）第一實體及第二實體。放置於至少三個實體之列表中最後兩個實體之間之用語「與/或」意指列表中該等實體中至少一者，其包括列表中該等實體之任何特定組合。舉例而言，「A、B與/或C」具有如「A與/或B與/或C」相同意義，並包含A、B與C之下列組合：（1）僅有A；（2）僅有B；（3）僅有C；（4）A與B但非C；（5）A與C但非B；（6）B與C但非A；以及（7）A與B與C。
本領域所屬技術之人將可理解，沸石結構通常根據氧連結四面體之延伸結構骨架所定義（L. Pauling，「化學鍵本質」 ，第三版，康乃爾大學出版社，Ithaca，1960；D.W. Breck，「沸石分子篩」，Robert E. Krieger出版公司，1984）。於延伸四面體骨架中，該結構骨架中所稱「骨架陽離子」（即矽，Si4+ 與鋁，Al3+ ，陽離子）係由位於四面體之四個角處之氧陰離子O2- 所包圍。當骨架陽離子之電荷為「4+」時，例如骨架陽離子為矽陽離子之情況下，透過於兩個四面體之間平均共享各氧陰離子以維持延伸四面體骨架之電中性，各四面體係為電中性之「SiO4 」。相反地，當骨架陽離子之電荷為「3+」時，例如骨架陽離子為鋁陽離子之情況下，相似地，於兩個四面體之間平均共享氧陰離子，此導致各以鋁為中心之四面體係帶負電，即「AlO4- 」。於 [(Alx Si1-x )O2 ]x- 聚陰離子骨架中所產生之負電荷係由稱為「骨架外陽離子」所平衡，其位於延伸結構中之間隙或非骨架位。該等電荷平衡骨架外陽離子（通常亦稱為「非骨架陽離子」）通常可透過標準陽離子交換方法與其他陽離子進行交換。範例性骨架外陽離子包括鹼金屬與鹼土金屬陽離子、過渡金屬陽離子與質子（即氫陽離子）。
本發明技術領域之人亦將理解，雖然沸石中之骨架外陽離子與骨架陽離子係稱為（如本領域中常用）陽離子，其等與沸石之骨架氧陰離子之交互作用實際上非完全為離子性。骨架矽及鋁陽離子對氧陰離子之鍵結為充分共價，使該等骨架陽離子不易透過標準陽離子交換方法與其他陽離子進行交換。關於骨架外陽離子，其可能為體積較小，電荷密度較高之陽離子例如Li+ 或Ca2+ ，相較於體積較大、電荷密度較低之陽離子例如K+ 與Cs+ ，能於沸石骨架中產生較大形變。此部分係因與骨架氧離子有更大共價交互作用。此外，關於骨架外陽離子，氫陽離子或質子可透過與骨架氧陰離子形成一相對共價鍵以於平衡負骨架電荷產生作用（實際上已假設所述質子係與羥基結構形式之氧陰離子結合；D.W. Breck，沸石分子篩，Robert E.Krieger出版公司，1984）。
如上所述，最初合成且結晶化形式之RHO沸石含有鈉與銫陽離子作為唯一骨架外陽離子，並且當完全水合時，以此形式其具有中心對稱體心立方（bcc）結構。然而，脫水及/或陽離子交換（即，以其他骨架外陽離子取代最初存在之鈉與銫陽離子）可導致立方單位晶胞結構之形變發生。如此所使用，除非另有說明，否則該用語「RHO沸石」於不具任何進一步限定物（qualifier）下，包括其最初合成與水合形式之RHO沸石，以及已脫水之及/或已進行陽離子交換之RHO沸石。本發明技術領域之人可理解RHO不需為立方體，並且可經由陽離子交換及/或脫水產生形變為較一較低對稱性子群（subgroup）。
如此所使用，用語「結晶化RHO沸石」係指處於其最初結晶化形式之RHO沸石，於其中唯一存在之骨架外陽離子為鈉與銫陽離子（其等為合成以及使RHO結晶化之程序所需之陽離子，且其中具體地，多面體微晶形式或多晶聚集體形式之沸石之相對比例係由合成RHO沸石及使其結晶化之程序所決定）。「結晶化」RHO沸石可由其製備介質（即來自受結晶化之RHO沸石之母液）中分離出，例如透過至少一過濾及/或乾燥步驟，因此可為脫水形式但於其他方面未經任何後續修改（例如，任何陽離子交換步驟）。
相反地，於此所使用之用語「陽離子交換RHO沸石」或「離子交換RHO沸石」係指一RHO沸石，其已進行至少一離子交換步驟以利用其他骨架外陽離子取代最初存在於結晶化RHO沸石中之部分或全部骨架外陽離子（即最初存在之鈉與銫陽離子）。
如此所使用，用語「NaCsRHO」沸石係指一RHO沸石，於其中唯一骨架外陽離子為鈉與銫陽離子（例如為此種對於結晶化RHO沸石之情況）。相似地，除非另有說明，「NaRHO」沸石為一種RHO沸石，於其中唯一骨架外陽離子為鈉陽離子，「（NH4 ）RHO」沸石為一種RHO沸石，於其中唯一骨架外陽離子為銨陽離子，「HRHO」沸石」為一種RHO沸石，於其中唯一骨架外陽離子為質子，「LiRHO」沸石為一種RHO沸石，於其中唯一骨架外陽離子為鋰陽離子，「ZnRHO」沸石為一種RHO沸石，於其中唯一骨架外陽離子為鋅陽離子等。
除非另有說明，否則於此所有關於沸石之矽鋁（Si/Al）比率係以將Si/Al比率化整至小數點第一位所表示。例如，沸石之Si/Al比率可利用固態29 Si NMR所測定。適當之固態29 Si NMR技術以及自所得NMR資料決定沸石之Si/Al比率之方法其進一步細節將於以下實驗部分中提供。
如此所使用，所有關於以RHO（X.X）命名之沸石，其中「X.X」為數字，表示具矽鋁比率為X.X（化整至小數點第一位）之RHO沸石。因此，如上所述，習知先前技術混合陽離子RHO沸石Li7.1 Na1.93 Cs0.3 Al11.7 Si36.3 O96 ，其矽鋁（Si/Al）比率為36.3/11.7=3.1025641，亦可參酌Li7.1 Na1.93 Cs0.3 RHO（3.1）。
上述美國專利申請案序列號15/718467與15/718620描述各種陽離子交換RHO沸石組合物及其在PSA程序中之應用，特別係用於自含氧流體氣流中移除氧之PSA程序。複數個此等RHO沸石組合物提供於環境溫度下O2 對Ar以及O2 對N2 吸附之高動力學選擇性。因此，於該等應用中所述之陽離子交換RHO沸石材料似乎具有能自其他氣體例如含氬氣之氣流中移除O2 之理想特性。
於不受理論拘束下，據信於此等應用中所述之陽離子交換RHO沸石根據該些結構之8環開口之本質，可達成期望之吸附特性，氣體分子必須通過該開口進入RHO籠體中。 於RHO中，該些環係極具彈性，並可根據骨架外陽離子之位置與類型經受由圓形至高度橢圓形之顯著形變。骨架外陽離子位置之最佳化以及橢圓形8環開口之產生可能為細長氧分子能極快速吸收而球形氬原子吸收較為緩慢之重要因素。
RHO沸石中之骨架外陽離子可佔據單位晶胞籠體中三個不同位置中之至少一者。 尺寸相較於Li+ 較小之陽離子，即為由Shannon（RD Shannon，Acta Cryst.1976，A32,751-767）所定義該些具有6配位陽離子半徑，長度至多為0.8Å，位於單位晶胞籠體之6環開口中之陽離子。於任何RHO組合物中，具有至多為5之Si/Al之每RHO單元晶胞中有八個此種位置。長度至多為0.8Å之較小陽離子，亦可佔據各8環開口中心處12位置中之一處，若八個6環位皆經填滿，則需令其等佔據該些位置。 除Li+ 之外，小於0.8Å具6配位Shannon陽離子半徑之陽離子範例為Mg2+ 以及第一行過渡序列之二價陽離子，更具體而言係為Mn2+ 、Fe2+ 、Co2+ 、Ni2+ 、Cu2+ 與Zn2+ 。
中間尺寸之陽離子，即具有6配位Shannon陽離子半徑為0.8至約1.3Å者，可位於各8環開口中心處十二個位置中之一處，並且於某些情況下，係位於該RHO單位晶胞中兩個8環窗中心處六個位置中之一處。其等於環境溫度條件下，即0至50°C之間係無法填入6環位，除非單位晶胞係已擴張大於50%以可能填入8環位。舉例而言，於美國專利號5,944,876中Corbin教示完全與部分Cd交換RHO沸石，其Si/Al> 3，包括每單元晶胞具有至少一個Cd2+ 陽離子之RHO組合物，以及其他各種陽離子。因Cd2+ 陽離子之尺寸之故，使該些組合物需至少一種陽離子，即Cd2+ 陽離子於環境溫度條件下駐於8環位。
大於1.3Å具有6配位Shannon陽離子半徑之最大陽離子，包括Cs+ （如上所述係為RHO結晶過程中所需），通常會佔據RHO單位晶胞中兩個8環窗中心處六個位置中之一處。
較小且為單價之陽離子例如Li+ ，其正電性極高並顯示能於8環開口中造成大橢圓形變。較大且為二價之陽離子例如Ca2+ 與Cd2+ ，其等正電性亦極高並顯示能造成8環開口更大之形變。相反地，極小之質子或H+ 陽離子無法造成RHO 8環形變，推測可能因其等係直接與沸石氧原子中之一者結合。
先前經提出，雖然較大之Ca2+ 陽離子會使8環開口形變並對其進行阻擋，藉以抑制氣體吸收，但較小之Li+ 陽離子雖同樣會使8環發生形變，但卻使足量之8環開放至仍然允許一部分氣體之吸收。Corbin於美國專利號7,169,212中部分證實此概念，其顯示出Li7.1 Na1.93 Cs0.3 RHO（3.1）可於有效排除N2 情況下進行O2 之吸附。不幸地，此種材料之O2 吸收速度極慢，且對於PSA應用而言過於緩慢。雖然未對此材料呈現具有陽離子位置之詳細結構資料，但Paul A. Wright及其同事（美國化學會期刊，2012，134，17628）已表示富含鋰之組合物具有晶胞軸長>14.3Å之相對較小單位晶胞。因單位晶胞小，因此可推論至少2.2個較大非質子陽離子，即鈉與銫陽離子須佔據8環阻擋位。當單位晶胞過小時，因鈉與銫陽離子體積過大而無法填入6環中，因次每單位晶胞總共填充2.2個8環位置。於此未報導此材料之完全陽離子平衡，並且可能有其他非質子陽離子被迫駐留於8環中。若以質子以外之任何單價陽離子完成陽離子平衡時，則需多達3.7個非質子陽離子位於8環中。無論如何，根據其他比較性範例，經報導O2 吸收速率係極為緩慢，並且與經迫使留駐於此化合物之8環中至少2.2個非質子陽離子一致。對於Si/Al為3.2之RHO材料而言，即使當所有陽離子足夠小至填入6環窗時，若其等為單價例如Li+ ，則根據RHO（3.2）材料所需之電荷平衡，於其等中至少3.4個將需留駐於8環窗中。於美國專利申請案序列號15/718467與15/718620中所述一比較性範例中，已證實完全鋰交換之Li11.4 RHO（3.2）對於氧氣之動力學選擇性係優於氮氣與氬氣，但氧氣吸收速率仍明顯低於CMS且實際上係與該材料相當，如Corbin所述。相反地，於另一比較性範例中，已顯示出完全質子交換之H10.7 RHO（3.5）與H9.2 RHO（4.2）可非常快速吸附O2 、N2 與Ar，但非選擇性地與8環窗中缺乏形變一致。
於美國專利申請案序列號15/718620中，經使用作為吸附劑之陽離子交換RHO沸石為含非質子骨架外陽離子之RHO沸石，其中存在於該沸石中之骨架外陽離子其尺寸、數量與電荷使每單位晶胞需要至多1.8個非質子骨架外陽離子佔據8環位，其係因骨架外陽離子之尺寸、電荷及/或總數量，且其中該沸石之晶胞軸長為14.23Å至14.55Å。
對於Si/Al介於3.1至4.5之間之RHO組合物，鋁取代之程度以及因此須經平衡之形式負電荷，其範圍係介於11.7至8.7之間。為確保每單位晶胞需至多1.8個非質子骨架外陽離子佔據8環位，可使用三種不同策略中至少一者之組合，如美國專利申請案序列號15/718467與15/718620所述。
第一，可使用較小二價陽離子以減少每單位晶胞所需骨架外陽離子之總數，以平衡骨架之負電荷。舉例而言，如前所述，一旦所有6環位均受充填，則將迫使Li11.4 RHO（3.2）於8環阻擋位中具有至少3.4個Li+ 陽離子。相反地，Zn5.7 RHO（3.2）可滿足RHO（3.2）之電荷平衡，於8環窗中可能不具有陽離子，即所有陽離子皆小至足以填入6環（Zn2+ 之Shannon 6配位陽離子半徑為0.74Å），並有能容納所有陽離子之充足6環。實際上，經觀察部分Zn2+ 陽離子係留駐於Zn5.7 RHO（3.2）單位晶胞之8環中，但因其等尺寸與數量之故，其可能於6環與8環之間移動。
第二，亦可透過增加Si/Al比率以減少需位於8環窗中之形變陽離子數量。當RHO之Si/Al比率由3.2到3.9再到4.2時，LiRHO組合物係由Li11.4 RHO（3.2）變為Li9.8 RHO（3.9）再變為Li9.2 RHO（4.2）。
第三，可透過以質子取代阻擋陽離子以減少需用以佔據阻擋8環位之形變陽離子數量，其推測質子未使8環產生形變。Corbin於美國專利號7,169,212亦提及，可製備具有H+ 部分交換之混合陽離子RHO材料（例如H，CsRHO）之可能性，其將「產生至少一部分所期望之形變以及較小孔洞尺寸」，但未報告出特定組合物。Paul A. Wright及其同事（美國化學會期刊，2012，134，17628）描述混合Li9.8-x Hx RHO（3.9）之製備，但未報告吸附資料。
該等如上所述之陽離子交換RHO沸石之商業利用係取決於數種因素。以吸附為基礎之程序，特別係以氣體吸附之動力學選擇性為基礎之PSA程序，係高度取決於沸石吸附劑純度與顆粒均勻性。沸石吸附劑純度與顆粒均勻性皆會影響速率與容量。就最佳情況而言，存在於大型吸附材料中之結晶與非結晶雜質相透過降低活性吸附劑之濃度以限制選擇性吸附之目標容量。就最壞情況而言，此等相會阻擋大型吸附劑之孔洞，進一步限制容量並顯著影響吸附劑動力學。利用含作為結構導向劑之18-冠-6之膠體可輕易製備具優良粒徑與形態均勻性之高純度RHO（3.9-4.5）沸石。不幸地，因18-冠-6模板劑之成本較高、需增加單元操作以及難以於高溫下透過煅燒（calcination）完全去除模板劑，因此該途徑於商業上受到挑戰。
以成本為觀點，有機且無模板路徑之RHO沸石係為期望，但於缺乏模板下，特別係於較低SAR（二氧化矽/氧化鋁比）膠體配方情況下，立方且含銫之銫沸石相似乎極為常見且某種程度上難以控制雜質。於以下所述本發明之比較性實施例1中，根據XRD分析（參見下表1），其顯示即便依循Robson（US3904738）所述最佳膠體組合物、老化與結晶條件，仍會產生RHO以及大量銫沸石之沸石混合物。圖1之影像A中顯示來自此範例之產物其SEM分析，並經顯示相較於較高純度RHO相中所觀察到更佳成形之多面體晶體，其具有相當拙劣成形且略呈球形之晶體。如下所述本發明之比較性範例9，高於105°C之較高結晶溫度亦會導致RHO中具有更高程度銫沸石雜質。
當依循Corbin及其同事之方法（美國化學會期刊，1990，112，4821）時，如下於本發明之比較性範例2中所述，此方法使用具有比Robson方法更高二氧化矽/氧化鋁（SAR）比率以及更高水對二氧化矽比率之膠體，本發明人亦能製造作為主要晶相（crystalline phase）之RHO沸石。然而，仍可觀察到大量之銫沸石、交沸石、鈉沸石（參見下表1）。將此樣本之質子與鋅交換形式之吸附資料與較高結晶純度之交換形式者進行比較（參見下表2），證實該等雜質會使RHO吸附劑之總容量下降。對容量所造成之影響可最清楚見於由比較性實範例2之結晶化沸石所製備之全開且未形變之HRHO沸石與由範例4之結晶化沸石所製備之未形變HRHO沸石之比較中（參見下表2）。由比較性範例2所製備之HRHO沸石其O2 吸附容量或Pmax比由範例4所製備之HRHO沸石之Pmax低約35%，其透過XRD顯示出具有少許或不具雜質相。圖1之影像B顯示比較性範例2之產物其SEM分析，並顯現為含多面體單微晶以及略呈球形之多晶聚集體之標準混合物形態。
Mousavi及其同事（Mousavi，S.F等人，國際陶瓷，2013，39，7149）已描述具有來自現有無模板NaCsRHO（3.2）結晶途徑之此等混合形態RHO之存在。其評估於合成期間結晶時間、合成溫度、水含量與鹼度對所得RHO（3.2）顆粒形狀與尺寸之影響。雖未明確引用，但作者係依照原始Corbin作業中所發現之合成配方（美國專利號7,169,212）。於此研究期間透過SEM顯微術顯示出RHO（3.2）同時自然結晶成兩種不同顆粒形態：1）推測為均勻密度之多面體微晶，以及2）整體尺寸大致相同但由許多共同生長且為更小之微晶所組成之多晶聚集體。於塊狀混合形態材料研究中呈現之X光繞射資料指出均勻NaCsRHO（3.2），其表示於XRD檢測極限內，兩種顆粒形態皆為具有相同化學組成之RHO（3.2）。
先前尚未理解此兩種差異極大之形態對RHO材料之吸附特性之潛在影響。
Paul A. Wright及其同事所進行之結構研究（美國化學會期刊，2012，134，17628）顯示出結晶化NaCsRHO（3.9）中所有8環窗開口係由鈉離子或銫陽離子阻擋，且實際上，部分鈉陽離子佔據該沸石相對較大單位晶胞中之6環位。因NaCsRHO（3.2）需額外2.6個單價骨架外陽離子/單位晶胞，因此同樣可預期NaCsRHO（3.2）其所有8環窗之相似阻擋。
因此，可預期非極性氣體例如氧氣、氮氣或氬氣之微孔吸附應可忽略，或通常至少於結晶化NaCsRHO沸石中極為緩慢，特別於具有Si/Al比率為3.1至3.6之結晶化NaCsRHO沸石，即NaCsRHO（3.1至3.6）沸石。
於以下本發明之比較性範例2、範例3及範例4中，發明人係測量結晶化NaCsRHO（3.2）上之氧氣吸附資料。於比較性範例3中，亦收集氬氣吸附資料。於此等經測試之樣本中，僅範例4之結晶化NaCsRHO（3.2）接近預期可忽略非極性氣體之微孔吸附。比較性範例2之結晶化RHO沸石顯示0.017 mmol/g氧氣之快速吸收。比較性範例3之結晶化RHO沸石，其係由相似於比較性範例2中所使用之膠體組合物所製備，但具有更短老化與結晶時間，透過XRD顯示出實質上結晶學純NaCsRHO（3.2），然而仍顯示出更高（0.034 mmol/g）快速氧氣吸收。比較性範例3之結晶化RHO沸石亦顯示出0.034 mmol/g快速Ar吸收，展現出所觀察快速非極性氣體吸收為非選擇性。比較性範例2與3之結晶化沸石（圖1之影像B與C）以及範例4之結晶化RHO沸石之SEM影像至少定性顯示出，於作為多晶聚集體之RHO之相對濃度上，比較性範例2與3之結晶化RHO沸石係明顯高於範例4之結晶化RHO沸石。因多晶聚集體形式之RHO之存在係與多面體微晶（多面體單晶）之形式相反，因此係與非極性氣體之非選擇性吸附水平相關。該等多晶聚集體似乎係由50至100nm微晶體（microcrystals）所組成。不欲受理論限制，當存在此等極小微晶以及產生於黏聚物（agglomerate）中與其周圍之孔隙時，其等可能作為非選擇性、高表面積之來源。
對於吸附程序，特別是該等依賴縝密控制微孔結構中不同尺寸氣體之間動力學或吸附速率差異之吸附程序，組合物中非選擇性吸附之存在會嚴重阻礙吸附劑之最終選擇性與效率。作為陽離子交換RHO沸石吸附劑之前驅物，例如該等於美國專利申請案序列號15/718467與15/718620中所述，因此結晶化NaCsRHO沸石應具有可忽略或極緩慢之非極性氣體吸附，使透過後續陽離子交換程序可有效調整微孔尺寸與形狀，以及選擇氧氣對氮氣與氬氣之吸附。
於此所揭露為現有可製備結晶化NaCsRHO沸石之方法，其中Si/Al比率為3.1至3.6，且其中高比例之沸石為多面體微晶形式以及低比例為多晶聚集體形式，使結晶化NaCsRHO沸石顯示出可忽略或極緩慢之非極性氣體吸附。
因此，根據本發明之一態樣於此所揭露為一種結晶化NaCsRHO沸石，其具有Si/Al比率為3.1至3.6，其中該沸石之O2 容量係小於0.015 mmol/g，較佳為小於0.010 mmol/g，以及最佳為小於0.005 mmol/g，其等係透過O2 單點等溫線所測量。此沸石中可忽略之氧氣容量確保當進行離子交換時沸石之吸附特性之最大可調性，藉以作為一吸附劑。
以下測量並決定根據本發明結晶化NaCsRHO沸石其由O2 單點單點等溫線所測量之O2 容量（即O2 吸附容量）。將固定重量之玻璃珠置於固定體積且維持於30°C之真空腔室中。將預定量之純氧引入腔室中，接著使腔室中之壓力平衡，經選擇引入之氧氣量使所到達之平衡壓力為608托耳（0.8atm， 0.81kPa），此平衡壓力係作為參考平衡壓力。接著將腔室抽真空並移除玻璃珠。將處於乾燥與活化狀態之結晶化沸石置於真空腔室中，其再次維持於30°C，置於腔室中之結晶化沸石之重量係先前使用之玻璃珠之重量相同。接著將與先前使用之相同預定量氧氣再次引入腔室中並再次使腔室內壓力平衡，記錄新平衡壓力。可透過自參考平衡壓力減去新平衡壓力以計算結晶化沸石之O2 容量，以計算由沸石所吸附之氧氣壓力（其係與腔室僅含相同重量玻璃珠之情況相比），根據總系統體積，將此壓力值轉換成每重量（以克為單位）沸石所吸附之氧氣量（以mmol為單位）。因根據本發明之結晶化沸石應吸附極少量氧氣（如上所述），因此當包含結晶化沸石時於腔室中所達到平衡壓力應極為接近，雖然略低於參考平衡壓力，因此，此技術所給予之結晶化沸石之O2 容量係近似於30°C與0.8atm下透過O2 單點等溫線所測量之結晶化沸石之O2 容量。於以下範例中將進一步描述此技術。
較佳地，結晶化NaCsRHO沸石亦具有一Ar容量，其係小於0.015 mmol/g，較佳為小於0.010 mmol/g，以及最佳為小於0.005 mmol/g，其等係透過Ar單點等溫線所測量。如上所述，可利用與O2 容量相同測量方式測量沸石之Ar容量（Ar吸附容量），但係將純氬引入腔室中而非純氧。
除非另有說明，否則所有關於以mmol/g為單位之沸石吸附容量，係指單位為mmol/g之沸石之吸附容量，其經化整至小數位數。因此，舉例而言，有關0.010 mmol/g之O2 吸附容量係表示一吸附容量為0.010 mmol/g，其經化整至小數點後三位。
較佳地，結晶化NaCsRHO沸石為大於95%純RHO沸石，較佳為大於97%純RHO沸石，最佳為大於98%純沸石。高純度能確保最終RHO吸附劑之最高可能容量。RHO沸石之純度較佳係由粉末X光繞射（XRD）所測量，如下範例中進一步所述。
較佳地，結晶化NaCsRHO沸石具有1.5至3.5之Na/Cs比率。除非另有說明，與此所有關於沸石之鈉對銫（Na/Cs）比率表示經化整至小數點第一位之Na/Cs比率。
於某些較佳實施例中，結晶化NaCsRHO沸石具有3.1至3.3之Si/Al比率。
於以下範例4至6中進一步描述例示性結晶化NaCsRHO沸石。
根據本發明之另一態樣，於此揭露一種離子交換RHO沸石，其係透過將存在於結晶化NaCsRHO沸石中部分或全部Na與Cs陽離子與至少一其他類型骨架外陽離子進行交換，由前述態樣之結晶化NaCsRHO沸石所形成。
根據此態樣之離子交換RHO沸石，具體地，係可透過至少一離子交換步驟修改前述態樣之結晶化NaCsRHO沸石所形成以獲得一離子交換RHO沸石，其具有如美國專利申請案序列號15/718467與15/718620（於此將其內容整體併入本文中）所描述與所揭露之骨架外陽離子組合物。當於此所述之結晶化NaCsRHO（3.1至3.6）沸石經使用作為用於製備具有如前述專利申請案所述骨架外陽離子組合物之離子交換RHO（3.1至3.6）沸石之前驅物時，可獲得具改良吸附特性之離子交換RHO（3.1至3.6）沸石。
具體地，於根據此態樣之一較佳實施例中，離子交換RHO沸石包含非質子骨架外陽離子，其中存在於沸石中之骨架外陽離子其尺寸、數量與電荷使每單位晶胞需至多1.8個非質子骨架外陽離子佔據8環位，且其中沸石之單位晶胞軸長為14.23至14.55Å。
較佳地，離子交換RHO沸石每單位晶胞具有至多1.6個非質子骨架外陽離子，且最佳為具有至多1.0個非質子骨架外陽離子，因其等之尺寸、電荷及/或數量之故，需留駐於8環位；且較佳地，離子交換沸石其單位晶胞軸長為14.23至14.50Å，最佳為14.30至14.45Å。
較佳地，該離子交換RHO沸石其每單位晶胞至多含6個質子。更佳地，該沸石每單位晶胞至多含5個質子、至多含4個質子、至多含3個質子、至多含2個質子或至多含1個質子。
較佳地，離子交換RHO沸石包含Li+ 、Mg2+ 、Mn2+ 、Fe2+ 、Co2+ 、Ni2+ 、Cu2+ 及/或Zn2+ 陽離子。更佳地，離子交換RHO沸石包含Li+ 及/或Zn2+ 陽離子。較佳地，所述Li+ 及/或Zn2+ 陽離子構成存在於每單位晶胞之多數非質子骨架外陽離子。更佳地，所述Li+ 及/或Zn2+ 陽離子構成存在於每單位晶胞之至少60%、至少70%、至少80%或至少90%之非質子骨架外陽離子。
如此所使用，用語「非質子骨架外陽離子」係指非為質子（氫陽離子）之任何骨架外陽離子。除非特別說明，否則存在於每單位晶胞之非質子骨架外陽離子之數量係指將非質子骨架外陽離子（任何與所有類型）之總數量化整至小數點第一位。因此，該條件「每單位晶胞至多需1.8個非質子骨架外陽離子以佔據8環位」表示每單位晶胞用以佔據8環位所需非質子骨架外陽離子之最大數量，其經化整至小數點第一位，總數為1.8個非質子骨架外陽離子。
如此所使用，語句「每單位晶胞至多含6個質子之沸石」表示該沸石之每單位晶胞至多含6.0個質子（經化整至小數點第一位），因此亦包括不含質子之沸石，但不包括每單位晶胞至少含6.1個質子之沸石。
可透過標準實驗技術決定沸石之骨架外陽離子含量，即存在於每單位晶胞之骨架外陽離子（包括任何質子）之數量與類型。舉例而言，一沸石之骨架外陽離子含量可透過能量色散光譜（EDX）進行固體之元素分析，或透過溶解樣本並利用電感耦合電漿體光學發射光譜法（ICP-OES）對溶液進行分析所測定。當透過EDX或ICP-OES對沸石之分析指出該沸石每單位晶胞之負電荷係未完全由經確定存在之非質子骨架外陽離子所平衡時，即假設每單位晶胞之剩餘負電荷係由質子所平衡。
於此所用之用語「多數」意指超過50%。 因此，於此所提及組成存在於一RHO沸石每單位晶胞中之多數骨架外陽離子之至少一陽離子，係指所述至少一陽離子其總體構成存在於該RHO沸石每單位晶胞中所有骨架外陽離子（包括任何質子）之至少50%。
如此所使用，除非另有說明，否則所有關於存在於或必須存在於每單位晶胞中陽離子之百分比係以原子百分比（at.%）表示。因此，於此關於佔一RHO沸石每單位晶胞中非質子骨架外陽離子至少「X」%之至少一陽離子表示，所述至少一陽離子，其總體上等於或大於RHO沸石每單位晶胞中所有非質子骨架外陽離子之X at.%。 舉例而言，於沸石Zn3.9 H2.1 Na1.3 RHO（3.2）中，每單位晶胞具有7.3個骨架外陽離子，其中3.9個為Zn2+ 陽離子；因此，於此組合物中Zn2+ 陽離子佔存在於每單位晶胞中之骨架外陽離子之53.4 at.%，因此該組合物將符合多數骨架外陽離子為Zn2+ 陽離子之條件。
除非另有說明，否則所有關於RHO沸石之單位晶胞軸長係表示利用X光繞射（XRD）測量與測定立方體或概呈立方體之RHO沸石脫水時之晶胞軸長。適當XRD技術以及由XRD資料結果決定RHO沸石之單位晶胞軸長之方法之進一步細節將於以下實驗部分中提供。舉例而言，RHO沸石之脫水樣本之單位晶胞軸長可透過裏特沃爾德精算法（Rietveld refinement）對XRD資料所決定。除非另有說明，否則於此所有關於RHO沸石之單位晶胞軸長係將單位晶胞軸長化整至小數點後兩位所表示。
可透過任何適當離子交換方法例如於所引用申請案中所述者、美國專利申請案序列號15/718467與15/718620（將其內容整體併入於此）所述離子交換方法及/或以下進一步所述者將前述態樣之結晶化NaCsRHO沸石轉換為本發明態樣之離子交換RHO沸石。
當製備包含離子交換RHO沸石之吸附劑材料時，如本領域通常知識者所知，可經由標準技術形成吸附劑材料以製備珠狀、擠製或層壓吸附劑，於製備此種吸附劑時，除了離子交換RHO沸石外，亦可使用任何數量之黏合劑材料例如氧化鋁、黏土、綠坡縷石（attapulgite）等。
根據於此所揭露本發明之另一態樣，其提供一種製備RHO沸石之方法，該方法包含以下步驟：形成包含SiO2 、Al2 O3 、Na2 O, Cs2 O、H2 O及Si之一膠體，其中SiO2 ：Al2 O3 莫耳比率為10.4至11.2，（Na2 O+ Cs2 O）：SiO2 莫耳比率為0.3至0.4，以及H2 O：SiO2 莫耳比率為6.0至10.5；透過將該膠體於溫度為20°C至30°C下保持1至5天時間以老化該膠體；以及透過將該經老化膠體加熱至溫度為85°C至105°C之間並將該膠體於溫度為85°C至105°C下保持3至5天時間，以將該經老化膠體結晶並分離成一結晶化NaCsRHO沸石沉澱物與一母液。
此等方法係適用於形成前述態樣之結晶化NaCsRHO沸石。
根據此態樣之製造方法於該膠體中使用比Robson中所使用較高SAR（二氧化矽對氧化鋁比率），並且明顯低於Corbin所述之水含量，H2 O：SiO2 比率。同時，持續1至5天之膠體老化步驟（更佳為1至2天持續時間）以及持續3至5天之結晶步驟（更佳為3至4天持續時間）通常短於兩種所述先前技術方法之老化與結晶步驟之持續時間，其等分別使用4天與6天老化時間以及7天與6天結晶時間。於透過標準方法分離結晶化NaCsRHO產物後，其包括例如重力、真空或加壓過濾、離心、沖洗及/或乾燥步驟，此方法能產生高純度結晶化NaCsRHO沸石組合物，其具有高多面體微晶比例，低多晶聚集體比例，並且展現低程度O2 吸附容量（透過O2 單點等溫線所測量）。
根據此態樣製造方法之顯著優點為其等不需使用18-冠-6或任何其他形式之有機模板劑（即於膠體中所使用以輔助確立沸石形成時結構之任何有機化合物）。因此，根據一較佳實施例，所形成之膠體未包含18-冠-6。較佳地，其未包含任何有機模板劑或任何類型之任何有機化合物。
較佳地，SAR即該膠體之SiO2 ：Al2 O3 莫耳比率為10.4至11.0、10.6至11.0或10.6至10.8。較佳地，該膠體之H2 O：SiO2 莫耳比率為6.0至10.0或6.0至9.0或7.0至9.0。較低SAR比率，特別為該等低於10.4者，似乎有助於較高程度之其他結晶相雜質，而較高水含量，特別為該等導致H2 O：SiO2 莫耳比率高於10.5者，其等會導致產物RHO中具有較高程度之多晶聚集體形態。
除非另有說明，否則於此有關執行步驟之天數（例如膠體經老化之天數，或經老化之膠體經加熱以形成結晶化沸石之天數）係指經取整至最近天數之一段時間。因此，舉例而言，除非另有說明，3至5天之時間包含65小時之時間（經取整至最近天數為3天）或130小時之時間，但未包含55小時之時間（其經取整至最近天數為2天）。當用以形成膠體所需之成分共同混合（例如水與二氧化矽、氧化鋁，鈉與銫之來源）時，則開始進行老化膠體之步驟。
除非另有說明，否則於此所有關於一膠體之SiO2 ：Al2 O3 莫耳比率（或SAR）係指經化整至小數點第一位之SiO2 ：Al2 O3 莫耳比率。同樣地，除非另有說明，否則於此所有關於一膠體之（Na2 O+ Cs2 O）：SiO2 莫耳比率係指經化整至小數點第二位之（Na2 O+ Cs2 O）：SiO2 莫耳比率，以及所有關於一膠體之H2 O：SiO2 莫耳比率係指經化整至小數點第一位之H2 O：SiO2 莫耳比率。可自用以形成該膠體之成分（例如水與二氧化矽、氧化鋁，鈉與銫之來源）其質量計算出該膠體之SiO2 ：Al2 O3 莫耳比率、（Na2 O+ Cs2 O）：SiO2 莫耳比率與H2 O：SiO2 莫耳比率。
較佳地，該膠體係透過於溫度為20°C至30°C下將水與二氧化矽、氧化鋁，鈉與銫之來源混合所形成。二氧化矽、氧化鋁、鈉及銫之來源可為本領域習知之任何適當類型。舉例而言，膠體二氧化矽可經使用作為二氧化矽之來源，且異丙醇鋁及/或鋁酸鈉可經使用作為氧化鋁之來源，且氫氧化鈉與氫氧化銫可分別作為鈉與銫之來源。舉例而言，於US 3,904,738與US 7,169,212描述進一步適當來源。
較佳地，可透過將該膠體於20°C至30°C下維持1至2天以老化該膠體。
較佳地，透過將該經老化之膠體加熱至溫度為85°C至105°C下並將該膠體於溫度為85°C至105°C下維持3至4天，以使該經老化之膠體結晶或分離；透過將該經老化之膠體加熱至溫度為90°C至100°C下並將該膠體於溫度為85°C至105°C下維持3至4天；或透過將該經老化之膠體加熱至溫度為90°C至100°C下並將該膠體於溫度90°C至100°C下維持3至4天。
可選擇地，該方法可進一步以下步驟：自該母液過濾出該結晶化NaCsRHO沸石；以液態水洗滌（washing）該結晶化NaCsRHO沸石；以及選擇性乾燥該結晶化沸石。可透過將該沸石浸漬於液態水中以完成沖洗，接著進行過濾或於過濾步驟期間以液態水沖洗（rinsing）沸石。較佳可經由真空或加壓過濾以對該結晶化NaCsRHO沸石進行過濾。該結晶化NaCsRHO沸石較佳可經洗滌直到每100Ml沖洗液（rinsate）懸浮RHO產物之比率為5g且pH值為9至11。
此等例示性方法將於以下範例4至6中描述。
於某些實施例中，該方法可為用於製備一離子交換RHO沸石之方法，其中該方法可進一步包含以將該經過濾、經洗滌與經選擇性乾燥NaCsRHO沸石中之部分或全部Na+ 與Cs+ 陽離子與其他陽離子進行交換。
舉例而言，可將於經過濾、洗滌與選擇性乾燥NaCsRHO沸石中之Na+ 與Cs+ 陽離子與NH4 + 陽離子進行交換以提供一（NH4 ）RHO沸石；選擇性地，該（NH4 ）RHO沸石中部分或全部NH4 + 陽離子係與Na+ 及/或Ca2+ 陽離子進行交換；接著沸石中部分或全部NH4 + 、Na+ 及/或Ca2+ 陽離子係與Zn2+ 及/或Li+ 陽離子進行交換以提供一鋅交換及/或鋰交換RHO沸石。
此等例示性方法將於以下範例10中描述。範例
以下列方式表現於此範例中所述組合物之特徵。除測量其等之吸附特性外，透過X光繞射、29 Si NMR、利用ICP-OES或EDX進行元素分析以及掃描電子顯微術（scanning electron microscopy，SEM）表現沸石組合物之特徵。
利用Co-Kα輻射、0.033°步長以及400秒/步計數時間，位於範圍5 ≤ 2q ≤ 85°內於Panalytical X’Pert Pro MPD上測量水合及脫水樣本之粉末X光繞射（XRD）圖案。將各樣本研磨並擠壓於低背景座架上，接著以Kapton薄膜覆蓋氣敏（air-sensitive）樣本。透過將布拉格峰（Bragg peak）位置以及相對強度與來自ICDD資料庫之參考圖案其布拉格峰位置以及相對強度進行比較，以識別XRD圖案中之結晶相。利用經建立之方法透過元素分析決定陽離子交換程度，其涉及透過能量色散光譜（EDX）直接分析固體沸石或溶解固體並利用電感耦合電漿體光學發射光譜儀（ICP-OES）進行後續分析。
可於環境溫度下於配備有7mm MAS探針之Bruker Avance II 300FT-NMR光譜儀上取得固態29 Si NMR光譜。利用每脈衝採用8秒循環延遲同時轉子係以5000Hz以魔角（magic angle）旋轉下進行擷取。利用GRAMS/32 AI（第六版）軟體執行峰值反褶積（deconvolution）。採用混合高斯/洛仁子線形（Lorentzian line shapes）。自相對峰值面積，利用等式計算出Si/Al比率：
Figure 02_image001
其中，Si/Al = 矽鋁比率，I = NMR峰值之相對面積； Si(nAl) = 具有n個鋁原子之矽，其透過氧氣為最近鄰鍵結；以及 n = 由NMR峰值所呈現最接近鋁原子之數量。
利用Perkin Elmer 3000DV電感耦合電漿體光學發射光譜儀進行ICP-OES樣本分析。
以2Kv加速電壓操作Hitachi S-4800場發射掃描式電子顯微術進行掃描電子顯微術（SEM）分析。
利用Oxford INCA Energy 200 EDX分析儀於JEOL JSM 5600 掃描式電子顯微術中對樣本進行EDX分析。
利用一標準體積吸附裝置以下列方式評估各結晶化NaCsRHO沸石樣本之O2 吸附容量（於此亦稱為O2 Pmax），其係透過O2 單點等溫線所測量。2.2克之玻璃珠係放置於固定體積為86mL之真空腔室中，其係保持於30°C。將固定量之純氧引入該腔室中，使該腔室內部之壓力達760托耳（1atm，101 kPa），於其後停止引入氧氣並使該腔室中之壓力達平衡，其中腔室中之平衡壓力為608托耳（0.8 atm，0.81 kPa），此平衡壓力可作為參考平衡壓力。接著將該腔室抽真空並移除玻璃珠。將經測試之2.2g處於乾燥及活化狀態之結晶化沸石放置於該真空腔室中，其再次保持於30°C。將相同固定量之氧氣再次引入該腔室中，使該腔室內部之壓力達760托耳（1atm，101 kPa），於其後再次停止引入氧氣並使該腔室中之壓力達平衡，對新平衡壓力進行記錄。可透過自參考平衡壓力減去新平衡壓力以計算結晶化沸石之O2 容量，以計算由結晶化沸石所吸附之氧氣壓力，此壓力值係經轉換成每重量（以克為單位）結晶化沸石所吸附之氧氣量（以mmol為單位）。於各種情況下，於腔室內部壓降之速率達到可忽略程度或已停止（即，壓降之速率係已低於0.2 托耳/分（0.0003 atm/分，0.03 kPa/分）之時點記錄平衡壓力（不論是對於待測試之沸石樣本或利用玻璃珠之參考情況下），於所有樣本經測試之情況下發生不到1分鐘。以相同方式但分別利用一固定量純氬或純氮代替純氧對Ar吸附容量與N2 吸附容量進行測量，其係分別透過Ar或N2 單點等溫線所測量。同樣地，以相同方式測量由結晶化RHO沸石所製備之離子交換RHO沸石其O2 、Ar或N2 之吸附容量。
於執行吸附測量之前，將如上述經測試之所有RHO樣本乾燥並於真空（>10mPa）下於400°C下活化至少8小時以移除水與CO2 。
比較性範例1：
利用Robson US3904738 B2中所給定「最佳」膠體組合物製備NaCsRHO（3.2）。此樣本係顯示於圖1之影像「A」中。對Robson配方所進行之唯一改變為使用鋁酸鈉作為鋁來源而非「較佳」三水合氧化鋁。於相同專利中Robson提及可使用鋁酸鈉。此膠體組合物為SiO2 ：Al2 O3 為10.2、（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 為0.33以及H2 O：SiO2 為8.2。二氧化矽來源為Ludox-40HS（膠體比例中包含來自矽溶膠之水含量），而鈉來源與銫來源分別為其等之氫氧化物水溶液（50 wt %）。將膠體組合物充分混合，並於室溫下老化4天，接著於94°C下加熱4天。透過標準真空或加壓過濾方法分離所得材料，並以水洗滌直到5g懸浮RHO產物於100 mL水中所產生之pH值為10.5。雖然為Robson所教示RHO最佳膠體組合物，但本發明藉由XRD分析發現，多數結晶相為具有>50% RHO材料之銫沸石，如表1所示。基於RHO（3.2）之純度相對較低，因此未對其進行吸附測量。
比較性範例2：
於另一比較性範例中，利用Robson中所給定「最佳」膠體組合物之改良版本製備一NaCsRHO（3.2）樣本。此樣本係顯示於圖1之影像「B」中，而XRD與吸附資料係經記錄於表1與表2中。於此樣本中，膠體之水含量與SiO2 ：Al2 O3 比率係由Robson專利增加至以與Corbin及其同事所提出者相匹配（美國化學會期刊，1990，112，4821）。此膠體組合物為SiO2 ：Al2 O3 為10.8、（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 為0.31以及H2 O：SiO2 為11.0。將膠體組合物充分混合，並於室溫下老化6天，接著於94°C下加熱6天，如Corbin中所述。透過標準真空或加壓過濾方法分離所得材料，並以水洗滌直到5g懸浮RHO產物於100 mL水中所產生之pH值為10.5。雖然此使結晶RHO具有期望吸附表現，但透過XRD總能觀察到較小雜質相，其中最常見為銫沸石、鈉沸石與交沸石。所得之材料透過SEM成像具有略微不規則形態並且粒徑為0.75微米等級。此樣本顯示經由上述的吸附速率吸收測量所計算活化NaCsRHO（3.2）之快速氧氣吸收Pmax為8.5托耳或於0.8atm下為0.018 mmol/g。於純相材料中未期望於此RHO組合物中之吸附，於其中所有8環窗皆受完全阻擋，並指出存在某些非期望、非選擇性吸附位，其可為微晶黏聚物上或其內部之表面吸附。相同材料之HRHO形式其氧氣吸收Pmax為39托耳（0.078 mmol/g），所得ZnRHO（3.2）之O2 、N2 與Ar Pmax分別為39托耳（0.078 mmol/g）、91托耳（0.18 mmol/g）與30托耳（0.06 mmol/g）。 表1，各種RHO（3.2）樣本之合成條件與分析
Figure 108134181-A0304-0001
比較性範例3
於另一比較性範例中，製備NaCsRHO（3.2）樣本，於其中重複比較性範例2之膠體組合物但縮短膠體老化時間。將膠體組合物充分混合，並於室溫下老化2小時，接著於94°C下加熱8天。透過標準真空或加壓過濾方法分離所得材料，並以水洗滌直到5g懸浮RHO產物於100 mL水中所產生之pH值為10.5。如表1與表2中所示，透過XRD顯示出RHO材料之純度相對於比較性範例1係經改善，但如圖1之影像C所示，多晶黏聚物形式對單晶多面體形式之RHO其比例係增加。平均微晶尺寸亦增加至約3微米。所展現之NaCsRHO相對較大且能快速吸收氧氣以及氬氣。經測量對於氧氣（與氬氣）之Pmax值為16.5托耳（0.033 mmol/g）或幾乎為比較性範例2之兩倍氧氣Pmax。此種相對較大非選擇性容量似乎與樣本中作為多晶聚集體之RHO其相對濃度有關。所得之HRHO材料其O2 吸收為63.7托耳（0.13mmol/g），其相較於比較性範例2係有提升，以及ZnRHO，其O2 、N2 以及Ar之Pmax值分別為54托耳（0.11 mmol/g）、119托耳（ 0.24 mmol/g）與38托耳（0.076 mmol/g）。此實施例展現出，雖然RHO組成純度之提升會導致總吸附容量增加，但作為多晶黏聚物之RHO濃度之顯著增加係與非選擇性NaCsRHO（3.2）其O2 吸收相關。
範例4
透過本發明之方法製備NaCsRHO（3.2）之樣本，於其中膠體組合物係經調整至一較低水含量，使膠體比率為SiO2 ：Al2 O3 為10.8、（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 為0.32以及H2 O：SiO2 為8.3。二氧化矽來源為Ludox-40HS（膠體比例中包含來自矽溶膠之水含量），氧化鋁來源為鋁酸鈉，而鈉來源與銫來源分別為其等之氫氧化物水溶液（50 wt %）。具體地，該膠體包含0.400莫耳Na、0.053莫耳Cs、0.133莫耳Al、0.718莫耳Si以及5.937莫耳H2 O。首先，鋁酸鈉與氫氧化鈉係溶解於水，並經加熱以產生一澄清溶液。對苛性溶液（caustic solution）進行真空過濾並冷卻。接著以快速攪拌下逐滴加入Ludox-40HS之前，加入氫氧化銫並使其充分混合，使膠體所發生之加熱最小（反應本質上係為放熱）。將膠體組合物充分混合，於室溫下老化2天並於94°C下加熱4天。透過標準真空或加壓過濾方法分離所得材料，並以水洗滌直到5g懸浮RHO產物於100 mL水中所產生之pH值為10.5。如表1與表2所示，此膠體比率不僅透過XRD顯示出最純RHO，如圖1之影像D所示，而且其亦提供均勻多面體單晶顆粒形態，具有概為1微米之晶體並且僅有極小比例之多晶黏聚物。活化NaCsRHO顯示出最小非選擇性孔隙空間，快速O2 吸收僅為1.9托耳（於約0.8atm下為0.004 mmol/g）。可預期微晶狀NaCsRHO（3.2）之均勻樣本其快速微孔受控氧氣吸附應接近零。所得之HRHO材料具有最高經觀察之O2 吸收，其Pmax為65.8托耳（0.13 mmol/g），最高ZnNaRHO（3.2）O2 、N2 與Ar容量，其Pmax值分別為59托耳（0.12 mmol/g），144托（0.29 mmol/g）以及52托耳（0.10 mmol/g）。
範例5
透過範例4之方法製備NaCsRHO（3.2）之樣本，於其中，膠體組合物係經調整至一較低水含量，使膠體比率為SiO2 ：Al2 O3 為10.8、（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 為0.32以及H2 O：SiO2 為6.5。將該膠體混合物充分混合，於室溫下老化2天並於94°C下加熱4天。透過標準真空或加壓過濾方法分離所得材料，並以水洗滌直到5g懸浮RHO產物於100 mL水中所產生之pH值為10.5。如表1所示，此膠體比率亦透過XRD顯示出其產生結晶學上純RHO，並提供約1微米之均勻顆粒單晶多面體形態以及極小比例之多晶黏聚物。
範例6
透過範例4之方法製備NaCsRHO（3.2）之樣本，於其中，膠體組合物係經調整至一較低水含量，使膠體比率為SiO2 ：Al2 O3 為10.8、（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 為0.32以及H2 O：SiO2 為7.4。將該膠體混合物充分混合，於室溫下老化2天並於94°C下加熱4天。透過標準真空或加壓過濾方法分離所得材料，並以水洗滌直到5g懸浮RHO產物於100 mL水中所產生之pH值為10.5。如表1所示，此膠體比率亦透過XRD顯示出其產生結晶學上純RHO，並提供約1微米之均勻多面體形態以及極小比例之多晶黏聚物。
範例7
利用Robson US3904738 B2中所給定之「較佳」膠體組合物製備NaCsRHO（3.2）之樣本。對Robson配方所進行之唯一改變為使用鋁酸鈉作為鋁來源而非「較佳」三水合氧化鋁。於相同專利中Robson提及可使用鋁酸鈉。此膠體組合物為SiO2 ：Al2 O3 為10.0、（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 為0.34以及H2 O：SiO2 為11.2（相較於比較性範例1具有較高水負載）。二氧化矽來源為Ludox-30HS（膠體比例中包含來自矽溶膠之水含量），鈉與銫之來源分別為其等之氫氧化物水溶液（50 wt %）。將該膠體混合物充分混合，於室溫下老化4天並於94°C下加熱2天。透過標準真空或加壓過濾方法分離所得材料，並以水洗滌直到5g懸浮RHO產物於100 mL水中所產生之pH值為10.5。雖然為Robson所教示RHO之較佳膠體組合物，本發明透過XRD分析發現該樣本包含少量方沸石，其為非期望的，並且透過SEM分析粒徑尺寸為非均勻。
比較性範例8
利用與比較性範例2相同之膠體組合物製備NaCsRHO（3.2）之樣本。此膠體組合物為SiO2 ：Al2 O3 為10.8、（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 為0.31以及H2 O：SiO2 為11.0。二氧化矽來源為Ludox-30HS（膠體比例中包含來自矽溶膠之水含量），鈉與銫之來源分別為其等之氫氧化物水溶液（50 wt %）。將膠體混合物充分混合並於80°C下加熱7天。未於膠體中觀察到RHO結晶之相分離指示，因此無樣本係經回收。 表2，各種RHO（3.2）樣本之合成條件與吸附特性
Figure 108134181-A0304-0002
比較性範例9
以一膠體組合物製備NaCsRHO（3.2）之樣本，該膠體組合物為SiO2 ：Al2 O3 為10.0、（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 為0.34以及H2 O：SiO2 為11.2。二氧化矽來源為Ludox-30HS（膠體比例中包含來自矽溶膠之水含量），鈉與銫之來源分別為其等之氫氧化物水溶液（50 wt %），氧化鋁之來源為鋁酸鈉。將膠體組合物充分混合並靜置老化2天，接著轉移至帕爾反應器（Parr reactor）並於自體壓力下加熱至120°C達3天。樣本之XRD顯示純相（phase-pure）之銫沸石，其不具沸石RHO之跡象。
範例10：RHO沸石之陽離子交換
透過來自比較性範例2至4以及5至7之起始Na8.4 Cs3.0 RHO（3.2）之離子交換製備各種經交換RHO（3.1至3.6）材料。於90°C下以40倍過量（以莫耳%為基礎）1M氯化銨溶液重複（8次）交換至少4小時以製備銨交換之RHO樣本。於90°C下以40倍過量（以莫耳%為基礎）1M氯化鈉溶液重複（8次）交換至少4小時以自銨RHO沸石製備鈉交換RHO材料。於90°C下以100倍過量（以莫耳%為基礎）1M氯化鈣溶液重複（5次）交換至少4小時以自銨RHO沸石製備鈣交換RHO材料。於90°C透過與5.0莫耳或2.0莫耳六水合硝酸鋅（zinc nitrate hexahydrate）溶液重複（4至5次），其比率為1g沸石：20 mL之5.0m溶液、或1 g沸石：50 mL之2.0m溶液交換4小時，以將所得NaRHO交換成富含Zn之RHO（3.2）（Znx RHO（3.2），其中x>2.5）。沸石中Zn2+ 陽離子與Na+ 陽離子之比率似乎為此交換程序中之關鍵因素。來自NaRHO之最終交換組合物係由ICP-OES或EDX所測定並顯示於表3中。ICP-OES資料之分析假設根據Si：Al莫耳比率之全佔有四面體中心並假設晶格之全氧佔有率。當分析所給予之陽離子電荷平衡低於一給定RHO組合物中鋁原子/單位晶胞數量所需之陽離子電荷平衡時，假設差異係由質子所構成，例如將Zn3.1 Na2.6 RHO（3.2）經調整至Zn3.1 Na2.6 H2.6 RHO（3.2）以完全平衡RHO（3.2）中氧化鋁中心之電荷。表3中顯示於活化至最終溫度450°C之容量。
範例11：H10.7 RHO（3.5）之合成
來自比較性範例1至3以及範例4至6之Na8.4 Cs3.0 RHO（3.2）樣本係與10倍過量（以莫耳%為基礎）1M氯化銨溶液於90°C混合至少4小時。於混合後對材料進行過濾。混合氯化銨係重複進行8次以將材料完全轉換成銨交換RHO（3.2）。於過濾後，以3倍過量（以重量%為基礎）去離子水沖洗該材料3次並於90°C乾燥至隔日。通常，將75g銨交換RHO（3.2）放置於陶瓷盤中並於經吹洗Fisher Scientific公司之馬弗爐中煅燒。於用5L/min環境空氣吹洗爐體時，以0.8°C/min之速率於乾燥空氣或氮氣中將該材料加熱至550°C並於此溫度下煅燒24小時以製備質子交換RHO組合物。固態29 Si NMR顯現於煅燒期間已發生部分脫鋁作用（de-alumination），其導致Si/Al為3.5。各種HRHO（3.5）樣本之吸附資料係顯示於表2中。 表3，NaRHO（3.2）之鋅交換
Figure 108134181-A0304-0003
圖1顯示一組於各種不同合成條件下所產生各種結晶化RHO沸石之SEM（掃描電子顯微術）影像（標號A至D）。

Claims (20)

  1. 一種具有Si/Al比率為3.1至3.6之結晶化NaCsRHO沸石，其中，該沸石之O2 容量透過O2 單點等溫線測量係少於0.015mmol/g。
  2. 如請求項1所述之具有Si/Al比率為3.1至3.6之結晶化NaCsRHO沸石，其中，該沸石之O2 容量透過O2 單點等溫線測量係少於0.010mmol/g。
  3. 如請求項1所述之具有Si/Al比率為3.1至3.6之結晶化NaCsRHO沸石，其中，該沸石之O2 容量透過O2 單點等溫線測量係少於0.005mmol/g。
  4. 一種RHO沸石，其係由請求項1所述之結晶化NaCsRHO沸石透過將存在於該結晶化NaCsRHO沸石之部分或全部Na與Cs陽離子與至少一其他類型骨架外陽離子交換所形成。
  5. 如請求項4所述之RHO沸石，其中，該沸石包含非質子骨架外陽離子，其中，存在於該沸石中之骨架外陽離子之尺寸、數量與電荷使每單位晶胞需至多1.8個非質子骨架外陽離子佔據8環位，且其中該沸石之單位晶胞軸長為14.23Å至14.55Å。
  6. 如請求項4所述之RHO沸石，其中，該沸石之每單位晶胞至多含6個質子。
  7. 如請求項4所述之RHO沸石，其中，該RHO沸石包含Li+ 、Mg2+ 、Mn2+ 、Fe2+ 、Co2+ 、Ni2+ 、Cu2+ 及/或 Zn2+ 。
  8. 如請求項4所述之RHO沸石，其中，該RHO沸石包含Li+ 及/或 Zn2+ 。
  9. 如請求項8所述之RHO沸石，其中，該Li+ 及/或 Zn2+ 陽離子構成每單位晶胞之多數非質子骨架外陽離子。
  10. 如請求項8所述之RHO沸石，其中，該Li+ 及/或 Zn2+ 陽離子構成每單位晶胞之至少70%非質子骨架外陽離子。
  11. 一種製備RHO沸石之方法，該方法包含以下步驟： 形成一膠體，其包含SiO2 、Al2 O3 、Na2 O、Cs2 O及H2 O，其中，SiO2 ：Al2 O3 莫耳比率為10.4至11.2，（Na2 O+Cs2 O）：SiO2 莫耳比率為0.3至0.4，以及H2 O：SiO2 莫耳比率為6.0至10.5； 透過將該膠體於溫度為20°C至30°C之間維持1至5天時間以老化該膠體；以及 透過將經老化之該膠體加熱至溫度為85°C至105°C之間並且將該膠體於溫度為85°C至105°C之間維持3至5天時間，以使經老化之該膠體結晶化並分離成一結晶化NaCsRHO沸石沉澱物與一母液。
  12. 如請求項11所述之製備RHO沸石之方法，其中，該膠體未包含18-冠-6。
  13. 如請求項11所述之製備RHO沸石之方法，其中，該膠體未包含任何有機模板劑。
  14. 如請求項11所述之製備RHO沸石之方法，其中，該膠體之該SiO2 ：Al2 O3 莫耳比率為10.6至11.0。
  15. 如請求項11所述之製備RHO沸石之方法，其中，該膠體之該H2 O：SiO2 莫耳比率為7.0至9.0。
  16. 如請求項11所述之製備RHO沸石之方法，其中，該膠體係經老化1至2天時間。
  17. 如請求項11所述之製備RHO沸石之方法，其中，透過將經老化之該膠體加熱至溫度為90°C至100°C之間並將該膠體於溫度為90°C至100°C之間維持3至5天時間，以使經老化之該膠體結晶化與分離。
  18. 如請求項11所述之製備RHO沸石之方法，其中，該方法進一步包含以下步驟： 自該母液過濾出該結晶化NaCsRHO沸石； 以水洗滌該結晶化NaCsRHO沸石；以及選擇性 乾燥該結晶化NaCsRHO沸石。
  19. 如請求項18所述之製備RHO沸石之方法，其中，該方法進一步包含將經過濾、經洗滌與經選擇性乾燥之該NaCsRHO沸石中之部分或全部Na+ 及Cs+ 陽離子與其他陽離子進行交換。
  20. 如請求項19所述之製備RHO沸石之方法，其中，將於該經過濾、經洗滌與經選擇性乾燥之該NaCsRHO沸石中之該Na+ 及Cs+ 陽離子與NH4 + 陽離子進行交換以提供一（NH4 ）RHO沸石；選擇性將該（NH4 ）RHO沸石中之部分或全部NH4 + 陽離子與Na+ 及/或Ca2+ 陽離子進行交換；以及將該沸石中之部分或全部NH4 + 、Na+ 及/或Ca2+ 陽離子與Zn2+ 及/或Li+ 進行交換以提供一鋅交換及/或鋰交換RHO沸石。
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