TW202006971A - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

發光裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202006971A
TW202006971A TW107124684A TW107124684A TW202006971A TW 202006971 A TW202006971 A TW 202006971A TW 107124684 A TW107124684 A TW 107124684A TW 107124684 A TW107124684 A TW 107124684A TW 202006971 A TW202006971 A TW 202006971A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
semiconductor layer
light
substrate
emitting device
Prior art date
Application number
TW107124684A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI660524B (zh
Inventor
藍伊奮
何金原
吳宗典
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW107124684A priority Critical patent/TWI660524B/zh
Priority to CN201811125853.2A priority patent/CN109192835A/zh
Priority to US16/151,349 priority patent/US10862005B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI660524B publication Critical patent/TWI660524B/zh
Publication of TW202006971A publication Critical patent/TW202006971A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02697—Forming conducting materials on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種發光裝置，包括基板、黏著層、微型發光元件、第一導電層與第二導電層。微型發光元件的發光面遠離基板。微型發光元件包括第一半導體層、第二半導體層、繫連層、第一電極與第二電極。第一半導體層的垂直投影面積大於第二半導體層的垂直投影面積。第二半導體層比第一半導體層更接近於基板。繫連層覆蓋第一半導體層的部分側面與部分下表面以及第二半導體層的側面與部分下表面。第一電極與第二電極分別透過繫連層的第一通孔與第二通孔而電性連接第一半導體層與第二半導體層。第一導電層與第二導電層分別電性連接第一電極與第二電極。

Description

發光裝置及其製造方法
本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種具有繫連層的發光裝置及其製造方法。
微型發光元件（或稱微型發光二極體）之發光裝置為新一代的顯示裝置，其具有效率高、壽命長、不易破損、反應速度快以及可靠性高等優點。但是，仍然有可能存在微型發光元件之有效發光面積較少等等的問題。
本發明提供一種發光裝置，可以增加微型發光元件的有效發光面積。
本發明的一種發光裝置包括基板、黏著層、微型發光元件、第一導電層以及第二導電層。黏著層位於基板上。黏著層的下表面朝向基板且黏著層的上表面背對基板。微型發光元件位於黏著層的凹槽中。微型發光元件的發光面遠離基板。微型發光元件包括第一半導體層、第二半導體層、繫連層、第一電極以及第二電極。第二半導體層與第一半導體層重疊。第一半導體層的垂直投影面積大於第二半導體層的垂直投影面積。第二半導體層比第一半導體層更接近於基板。繫連層覆蓋第一半導體層的部分側面、第一半導體層的部分下表面、第二半導體層的側面以及第二半導體層的部分下表面。繫連層具有第一通孔與第二通孔。第一通孔對應於第一半導體層的該部份下表面以及第二通孔對應於第二半導體層的該部份下表面。第一電極位於繫連層上，且透過第一通孔而與第一半導體層電性連接。第二電極位於繫連層上，且透過第二通孔而與第二半導體層電性連接。第一導電層位於基板上，且電性連接第一電極。第二導電層位於基板上，且電性連接第二電極。
本發明的一種發光裝置的製造方法，包括：形成微型發光元件於成長基板上，其中，微型發光元件包含第一半導體層、第二半導體層、繫連層、第一電極與第二電極，繫連層設置於第一半導體層與第二半導體層上，且繫連層具有第一延伸部、第二延伸部以及沿著預定方向延伸的至少一繫連，第一電極與第二電極分別設置於第一延伸部以及第二延伸部上，且分別電性連接於第一半導體層與第二半導體層；形成第一犧牲層於微型發光元件上；形成第二犧牲層於微型發光元件上，其中繫連連接犧牲部，且犧牲部接觸第二犧牲層；提供中介基板於第二犧牲層上以形成中介結構，倒置中介結構，並移除生長基板；移除第一犧牲層；於基板上形成黏著層；利用轉置裝置接觸微型發光元件之第一半導體層，且將微型發光元件轉置於黏著層上；以及形成第一導電層和第二導電層於基板上，第一導電層和第二導電層分別電性連接第一電極與第二電極。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解的是，這些實務上的細節不應用被以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知的結構與元件在圖式中將省略或以簡單示意的方式為之。
在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同或類似的元件。在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當一元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，所述元件可以直接在所述另一元件上或與所述另一元件連接，或者所述元件與所述另一元件中間可以存在其他中間元件。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到另一元件」時，所述元件與所述另一元件中間不存在其他中間元件。本文所使用的「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，二元件互相「電性連接」或「耦合」並不限制是二元件互相直接連接，二元件之間可以存在其它元件。
應當理解，儘管術語「第一」與「第二」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。
本文使用的術語僅僅是為了描述本發明特定的實施例，而不是用來限制本發明。舉例來說，本文使用的「一」、「一個」和「該」並非限制元件為單數形式或複數形式。本文使用的「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」或「包含」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為原本在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為原本在其他元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其他元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
本文使用的「約」、「大致」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(例如：測量系統的限制)或製程系統的偏差(例如：製程系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的流程圖。圖2A~圖12A、圖15A~圖17A是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖。圖2B~圖12B、圖15B~圖17B是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的製造方法的剖面示意圖。圖7C~圖12C、圖13、圖14、圖15C~圖16C是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖1，發光裝置的製造方法包括步驟S1~步驟S8。步驟S1包括形成微型發光元件於成長基板上。步驟S2包括形成第一犧牲層於微型發光元件上。步驟S3包括形成第二犧牲層於微型發光元件上。步驟S4包括提供中介基板於第二犧牲層上以形成中介結構，倒置中介結構，並移除生長基板。步驟S5包括移除第一犧牲層。步驟S6包括於基板上形成黏著層。步驟S7包括將微型發光元件轉置於黏著層上。步驟S8包括形成第一導電層和第二導電層於基板上。
圖2A~圖7A、圖2B~圖7B以及圖7C是本發明第一實施例中形成微型發光元件於成長基板上之方法的示意圖，其中圖2B~圖7B是沿著圖2A~圖7A剖線AA’的剖面示意圖，圖7C是沿著圖7A剖線BB’的剖面示意圖。
請參考圖2A與圖2B，於成長基板GS上依序形成第一半導體材料層110、發光材料層120以及第二半導體材料層130為範例，但不限於此。於其它實施例，於成長基板GS上依序形成第二半導體材料層130、發光材料層120以及第一半導體材料層110。換言之，於成長基板GS上形成第一半導體材料層110、發光材料層120以及第二半導體材料層130。成長基板GS可以為砷化鎵（GaAs）基板、磷化鎵（GaP）基板、磷化銦（InP）基板、藍寶石（Sapphire）基板、碳化矽（SiC）基板、氮化鎵（GaN）基板或其他適用的基板。換言之，成長基板GS可做為此時的暫時承載基板(或可稱為第一暫時基板)。第一半導體材料層110與第二半導體材料層130中之一者為N形摻雜半導體，另一者為P形摻雜半導體。發光材料層120例如為單一量子井層（single quantum well, SQW）或多重量子井層（multiple quantum well, MQW），在一些實施例中，發光材料層120的材料例如包括氮化鎵（GaN）、氮化銦鎵（InGaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化鋁鎵銦（AlGaInP）、砷化銦鋁鎵（InAlGaAs）或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料。
請參考圖3A與圖3B，圖案化第二半導體材料層130與發光材料層120以形成第二半導體層130’與發光層120’。圖案化第二半導體材料層130與發光材料層120的方法例如包括微影蝕刻製程，但不限於此。
請參考圖4A與圖4B，圖案化第一半導體材料層110以形成第一半導體層110’。第二半導體層130’與第一半導體層110’部份重疊，其中第一半導體層110’的垂直投影面積大於第二半導體層130’的垂直投影面積。
在本實施例中，圖案化第一半導體材料層110後，成長基板GS上選擇性的留有底層BS，底層BS大致上覆蓋成長基板GS。在一些實施例中，成長基板GS上形成有多個第一半導體層110’、多個第二半導體層130’與多個發光層120’，底層BS連接多個第一半導體層110’。
請參考圖5A與圖5B，形成繫連材料層140。繫連材料層140覆蓋第一半導體層110’的側面SW1、第一半導體層110’的第一面B1、第二半導體層130’的側面SW3、第二半導體層130’的第一面B3、發光層120’的側面SW2以及底層BS的部分第一面B4。繫連材料層140可為單層或多層結構，且其材料例如為氧化矽、氮化矽、非晶矽、或其他合適且可圖案化的材料。
請參考圖6A與圖6B，圖案化繫連材料層140以形成繫連層140’。繫連層140’具有第一延伸部142’、第二延伸部144’以及可實質上沿著預定方向D1延伸的至少一繫連146’。
第一延伸部142’覆蓋第一半導體層110’的部分第一面B1、第一半導體層110’的部分側面SW1以及底層BS的部分第一面B4，且至少部分第一延伸部142’自第一半導體層110’的側面SW1往遠離第一半導體層110’的方向X1延伸。在一些實施例中，部分第一延伸部142’覆蓋底層BS的部分第一面B4，且部分第一延伸部142’可實質上沿著底層BS的第一面B4或成長基板GS的表面延伸。
第二延伸部144’覆蓋第二半導體層130’的部分第一面B3、第二半導體層130’的部分側面SW3、發光層120’的部分側面SW2、第一半導體層110’的部分側面SW1、底層BS的部分第一面B4，且至少部分第二延伸部144’自第二半導體層130’的側面SW3往遠離第二半導體層110’的方向X2延伸。在一些實施例中，部分第二延伸部144’覆蓋底層BS的部分第一面B4，且部分第二延伸部144’可實質上沿著底層BS的第一面B4或成長基板GS的表面延伸。
繫連146’連接第一延伸部142’與第二延伸部144’中的至少一者，且繫連146’自第一半導體層110’的側面SW1(例如：圖6A中，第一半導體層110’的多個側面SW1中的其中一個，但不限於此)往遠離第一半導體層110’的方向D1延伸。繫連146’的一端連接犧牲部148’，繫連146’與犧牲部148’例如是一體成形。在一些實施例中，犧牲部148’與部分繫連146’覆蓋底層BS的部分第一面B4，且犧牲部148’與部分繫連146’可實質上沿著底層BS的第一面B4或成長基板GS的表面延伸。繫連146’的數量可以依照實際需求調整，在其他實施例中，繫連層140’包括兩個以上的繫連146’。
可於繫連層140’形成第一通孔H1與第二通孔H2，第一通孔H1與第二通孔H2分別對應於第一半導體層110’的部份表面（例如為部分第一面B1）以及第二半導體層120’的部份表面（例如為部分第一面B3）。在一些實施例中，圖案化繫連材料層140以形成繫連層140’的同時，於繫連層140’形成第一通孔H1與第二通孔H2。換句話說，藉由一次圖案化製程即可將繫連材料層140圖案化為具有第一通孔H1與第二通孔H2的繫連層140’，但本發明不以此為限。
請參考圖7A、圖7B與圖7C，形成第一電極152與第二電極154。第一電極152與第二電極154分別設置於繫連層140’的第一延伸部142’以及第二延伸部144’上。第一電極152透過第一通孔H1而與第一半導體層110’電性連接。第二電極154透過第二通孔H2而與第二半導體層130’電性連接。
在本實施例中，部分第一電極152往遠離第一半導體層110’的方向X1延伸，且部分第一電極152可實質上沿著底層BS的第一面B4或成長基板GS的表面延伸。舉例來說，部分第一電極152自繫連層140’ 可實質上沿著遠離第一半導體層110’的方向X1延伸。在本實施例中，第一電極152的部分側邊與第一延伸部142’的部分側邊切齊，但本發明不以此為限。
在本實施例中，部分第二電極154往遠離第一半導體層110’的方向X2延伸，且部分第二電極154可實質上沿著底層BS的第一面B4或成長基板GS的表面延伸。舉例來說，部分第二電極154自繫連層140’可實質上沿著遠離第一半導體層110’的方向X2延伸。在本實施例中，第二電極154的部分側邊與第二延伸部144’的部分側邊切齊，但本發明不以此為限。
在一些實施例中，形成第一電極152與第二電極154的方法包括先形成導電材料層（未繪出），接著再以微影蝕刻製程圖案化導電材料層以形成第一電極152與第二電極154，但不限於此。在一些實施例中，形成第一電極152與第二電極154的方法包括濺鍍、塗佈、印刷、或其他可適用的製程。
至此，微型發光元件100大致完成。微型發光元件100包含第一半導體層110’、第二半導體層130’、繫連層140’、第一電極152與第二電極154，繫連層140’設置於第一半導體層110’與第二半導體層130’上，且繫連層140’具有第一延伸部142’、第二延伸部144’以及可實質上沿著預定方向D1延伸的至少一繫連146’，第一電極152與第二電極154分別設置於第一延伸部142’以及第二延伸部144’上，且分別電性連接於第一半導體層110’與第二半導體層130’。在本實施例中，微型發光元件100可選擇性的包括設置於第一半導體層110’與第二半導體層130’之間的發光層120’。
雖然在本實施例中，形成微型發光元件100於成長基板GS上之方法如圖2A~圖7A、圖2B~圖7B以及圖7C所示，但本發明不以此為限，微型發光元件100也可以用其他方法形成。
圖8A、圖8B以及圖8C是本發明第一實施例中形成第一犧牲層於微型發光元件上的示意圖，其中圖8C是沿著圖8A剖線AA’的剖面示意圖，圖8B是沿著圖8A剖線BB’的剖面示意圖。
請參考圖8A、圖8B以及圖8C，形成第一犧牲層210於微型發光元件100上。舉例而言，第一犧牲層210覆蓋部分繫連層140’、第一電極152、第二電極154與部分底層BS上，且第一犧牲層210暴露出犧牲部148’。換言之，犧牲部148’之一部份接觸第一犧牲層210。第一犧牲層210可為單層或多層結構，且其材質可為無機材料（例如：金屬、合金、氮化矽、氧化矽、或其它合適的材質）、有機材料（例如：光阻、聚醯亞胺、或其它合適的材質）、或其它合適的材質。第一犧牲層210可以藉由下列至少一種形成，例如：沉積製程形成、黃光微影製程形成、塗佈製程形成、印刷製程形成、或其它合適的製程形成。
圖9A、圖9B以及圖9C是本發明第一實施例中形成第二犧牲層於微型發光元件上的示意圖，其中圖9B是沿著圖9A剖線AA’的剖面示意圖，圖9C是沿著圖9A剖線BB’的剖面示意圖。
請參考圖9A、圖9B以及圖9C，形成第二犧牲層220於微型發光元件100上。舉例而言，第二犧牲層220覆蓋第一犧牲層210與部分底層BS上。更甚而，第二犧牲層220會覆蓋被第一犧牲層210暴露出的犧牲部148’的其中一部份上。換言之，犧牲部148’其中一部份接觸第二犧牲層220。第二犧牲層220可為單層或多層結構，且其材質可為無機材料（例如：金屬、合金、氮化矽、氧化矽、或其它合適的材質）、或有機材料（例如：光阻、聚醯亞胺、或其它合適的材質）、或其它合適的材質。第二犧牲層220可以藉由下列至少一種形成，例如：沉積製程形成、黃光微影製程形成、塗佈製程形成、印刷製程形成、其它合適的製程形成。第二犧牲層220之材質可不同於第一犧牲層210之材質。
圖10A、圖10B以及圖10C是本發明第一實施例中提供中介基板於第二犧牲層上以形成中介結構的示意圖，其中圖10B是沿著圖10A剖線AA’的剖面示意圖，圖10C是沿著圖10A剖線BB’的剖面示意圖。
請參考圖10A、圖10B以及圖10C，提供中介基板MS於第二犧牲層220上以形成中介結構200。中介結構200包括中介基板MS、微型發光元件100、底層BS、犧牲部148’、第一犧牲層210、第二犧牲層220與中介基板MS。倒置中介結構200，並移除生長基板GS。換言之，中介基板MS可做為此時的暫時承載基板(或可稱為第二暫時基板)。此時，微型發光元件100之第二半導體層130’位於中介基板MS與第一半導體層110’之間，且第二半導體層130’比第一半導體層110’較接近中介基板MS，但不限於此。移除生長基板GS的方式例如包括雷射舉離(laser lift-off)、或其他合適的製程，但本發明不以此為限。
圖11A、圖11B以及圖11C是本發明第一實施例中移除底層的示意圖，其中圖11B是沿著圖11A剖線AA’的剖面示意圖，圖11C是沿著圖11A剖線BB’的剖面示意圖。
請參考圖11A、圖11B以及圖11C，在本實施例中，移除生長基板GS後更包括移除底層BS。此時，中介結構200不包含底層BS。移除底層BS的方式例如包括研磨、或其它合適製程。在其他實施例中，形成微型發光元件100的過程中不會有底層BS產生，因此移除生長基板GS後可以不包括移除底層BS的步驟。
圖12A、圖12B以及圖12C是本發明第一實施例中移除第一犧牲層的示意圖，其中圖12B是沿著圖12A剖線AA’的剖面示意圖，圖12C是沿著圖12A剖線BB’的剖面示意圖。
請參考圖12A、圖12B以及圖12C，移除第一犧牲層210以形成開口O。在移除第一犧牲層210後，微型發光元件100藉由於犧牲部148’連接的繫連146’而支撐於第二犧牲層220上。犧牲部148’與繫連146’能使微型發光元件100不會在移除第一犧牲層210後倒塌。
圖13是本發明第一實施例中於基板上形成黏著層的示意圖。
請參考圖13，於基板RS上形成黏著層310。黏著層310的下表面310B朝向基板RS且黏著層的上表面310A背對基板RS。基板RS中例如包括驅動電路(未繪出，且驅動電路例如：包括多個區域，每個區域至少包含二個電晶體，但不限於此)，但本發明不以此為限。在一些實施例中，基板RS中不具有驅動電路，且基板RS可藉由導線而與其他外加的驅動電路（例如：晶片或是承載晶片的膜片）電性連接。此時，基板RS可稱為最終承載基板或可稱為承載基板。
圖14、圖15A、圖15B以及圖15C是本發明第一實施例中將微型發光元件轉置於黏著層上的示意圖，其中圖15B是沿著圖15A剖線AA’的剖面示意圖，圖15C是沿著圖15A剖線BB’的剖面示意圖。
請參考圖14，利用轉置裝置T接觸微型發光元件100之第一半導體層110’，並將微型發光元件100提起。犧牲部148’與微型發光元件100的繫連146’斷開，且互相分離。
請參考圖15A、圖15B以及圖15C將微型發光元件100轉置於黏著層310上，且第二半導體層130’比第一半導體層110’較接近於基板RS。換言之，微型發光元件100之第二半導體層130’位於基板RS與第一半導體層110’之間，但不限於此。在本實施例中，於轉置裝置T上施加外力，以將微型發光元件100壓入於黏著層310中，並使得黏著層310中形成容納微型發光元件100之凹槽312。
在本實施例中，黏著層310的上表面310A具有第一子凹槽312A、第二子凹槽312B以及第三子凹槽312C。第一子凹槽312A容納第一延伸部142’遠離第一半導體層110’的部分以及位於其上的部分第一電極152。第二子凹槽312B容納第二延伸部144’遠離第一半導體層110’的部分以及位於其上的部分第二電極154。第三子凹槽312C容納繫連146’。
圖16A、圖16B以及圖16C是本發明第一實施例中進行蝕刻製程以移除至少部分繫連層的示意圖，其中圖16B是沿著圖16A剖線AA’的剖面示意圖，圖16C是沿著圖16A剖線BB’的剖面示意圖。
請參考圖16A、圖16B以及圖16C，進行蝕刻製程以移除繫連層140’的至少部分第一延伸部142’、至少部分第二延伸部144’以及至少部分繫連146’，以使第一子凹槽312A暴露出部分第一電極152，且第二子凹槽312B暴露出部分第二電極154。雖然在本實施例中，進行蝕刻製程後之第一延伸部142’以及第二延伸部144’的高度皆低於黏著層310的上表面310A，且繫連146’被完全移除，但本發明不以此為限。在一些實施例中，進行蝕刻製程後之部分第一延伸部142’仍可與黏著層310的上表面310A大致齊平，換句話說，進行蝕刻製程後之第一延伸部142’仍可以完整的覆蓋第一半導體層110’靠近第一電極152之側面。在一些實施例中，進行蝕刻製程後之部分第二延伸部144’仍與黏著層310的上表面310A大致齊平，換句話說，進行蝕刻製程後之第二延伸部144’仍可以完整的覆蓋第一半導體層110’靠近第二電極154之側面。在一些實施例中，進行蝕刻製程後仍有部分繫連146’殘留。
圖17A以及圖17B是本發明第一實施例中形成第一導電層和第二導電層於基板上的示意圖，其中圖17B是沿著圖17A剖線AA’的剖面示意圖。
請參考圖17A以及圖17B，形成第一導電層162和第二導電層164於基板RS上。第一導電層162與第二導電層164皆位於黏著層310上。
部分第一導電層162填入第一子凹槽312A並與第一電極152接觸。舉例而言，第一電極152之第一重疊部152A重疊並接觸第一導電層162，但不限於此。第一電極152之第一重疊部152A自繫連層140’可實質上沿著遠離第一半導體層110’的第一方向X1延伸。第一重疊部152A之寬度W1例如大於兩微米，但不限於此。
部分第二導電層164填入第二子凹槽312B並與第二電極154接觸。舉例而言，第二電極154之第二重疊部152B重疊並接觸第二導電層164，但不限於此。第二電極154之第二重疊部154A自繫連層140’可實質上沿著遠離第一半導體層110’的第二方向X2延伸。第二重疊部154A之寬度W2例如大於兩微米，但不限於此。
至此，發光裝置10大致完成，發光裝置10包括基板RS、黏著層310、微型發光元件100、第一導電層162以及第二導電層164。黏著層310位於基板RS上。黏著層310的下表面310B朝向基板RS且黏著層310的上表面310A背對基板RS。微型發光元件100位於黏著層310的凹槽312中。微型發光元件100包括第一半導體層110’、第二半導體層130’、繫連層140’、第一電極152以及第二電極154。微型發光元件100的發光面例如是第一半導體層110’的第二面T1（或可稱為上表面），微型發光元件100的發光面遠離基板RS。第二半導體層130’與第一半導體層110’部份重疊。第一半導體層110’的垂直投影面積（例如：垂直投影於基板RS上的面積）大於第二半導體層130’的垂直投影面積（例如：垂直投影於基板RS上的面積）。第二半導體層130’比第一半導體層110’較接近於基板RS。繫連層140’覆蓋第一半導體層110’的部分側面SW1、第一半導體層110’的部分第一面B1（或可稱為下表面）、第二半導體層130’的側面SW3以及第二半導體層130’的部分第一面B3（或可稱為下表面）。在本實施例中，繫連層140’還可覆蓋發光層120’的側面SW2。繫連層140’具有第一通孔H1與第二通孔H2。第一通孔H1對應於第一半導體層110’的部份第一面B1（或可稱為下表面）以及第二通孔H2對應於第二半導體層130’的部份第一面B3（或可稱為下表面）。第一電極152位於繫連層140’上，且透過第一通孔H1而與第一半導體層110’電性連接。第二電極154位於繫連層140’上，且透過第二通孔H2而與第二半導體層130’電性連接。第一導電層162位於基板RS上，且電性連接第一電極152。第二導電層164位於基板RS上，且電性連接第二電極154。於本實施例中，黏著層310至少一部份除了黏著效果，較佳地，也具有實質上絕緣的效果（例如:電阻率大於108 歐姆•公分，但不限於此），其可為單層或多層結構，且其材料可以是絕緣材料，例如壓克力樹脂（acrylic resin）、環氧樹脂（epoxy）、玻璃膠（glass frit）、或其它合適的材料、或前述材料之組合。
基於上述，本實施例的發光裝置10中之第一電極152、第二電極154第一導電層162以及第二導電層164皆不會遮擋微型發光元件100的發光面（例如：第二面T1），藉此可以增加微型發光元件100的有效發光面積。
圖18是依照本發明的第二實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，第二實施例沿用第一實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖18，在第二實施例的發光裝置20中，進行蝕刻製程（如圖16A、圖16B以及圖16C之蝕刻製程）後之部分第二延伸部144’仍與黏著層310的上表面310A大致齊平，換句話說，進行蝕刻製程後之第二延伸部144’仍可以完整的覆蓋第一半導體層110’靠近第二電極154之側面。部分繫連層140’位於第二導電層164與第一半導體層110’之間，藉此，可以避免第二導電層164與第一半導體層110’之間形短路。
在本實施例中，部分第一延伸部142’仍與黏著層310的上表面310A大致齊平，換句話說，進行蝕刻製程後之第一延伸部142’仍可以完整的覆蓋第一半導體層110’靠近第一電極152之側面，但本發明不以此為限。
圖19是依照本發明的第三實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，第三實施例沿用第二實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖19，在第三實施例的發光裝置30中，基板RS包括第一接墊322與第二接墊324。在第三實施例中，於黏著層310形成第一開孔O1與第二開孔O2，第一開孔O1與第二開孔O2分別對應於第一接墊322與第二接墊324。第一開孔O1與第二開孔O2例如是在將微型發光元件100轉置於黏著層310之後形成，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一開孔O1與第二開孔O2例如是在將微型發光元件100轉置於黏著層310之前形成。
第一導電層162透過黏著層310的第一開孔O1而電性連接基板RS之第一接墊322，且第二導電層164透過黏著層310的第二開孔O2而電性連接基板RS之第二接墊324。第一接墊322與第二接墊324例如電性連接至控制微型發光元件100的驅動電路（未繪出）。
圖20是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的流程圖。在此必須說明的是，本實施例沿用圖1之實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖20之實施例與圖1之實施例的主要差異在於：在圖20的實施例中，在形成第一導電層和第二導電層於基板上之後，將微型發光元件轉置於黏著層上。
圖20之實施例的發光裝置如圖21所示。圖21是依照本發明的第四實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，第四實施例沿用第一實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖21，在第四實施例的發光裝置40中，於黏著層310形成第一子凹槽312A與第二子凹槽312B。分別形成第一導電層162與第二導電層164於第一子凹槽312A與第二子凹槽312B，其中第一導電層162與基板RS的第一接墊322接觸，且第二導電層164與基板RS的第二接墊324接觸。
在形成第一導電層162與第二導電層164之後，將微型發光元件100轉置於黏著層310上。第一電極152電性連接成第一導電層162，且第二電極154電性連接成第二導電層164。
第一導電層162與第二導電層164至少其中一者可為單層或多層結構，且其材料包含導電膠，例如：異方性導電膠、等方性導電膠、銀膠、或其它合適的材料。在本實施例中，第一導電層162與第二導電層164之材料皆為導電膠。換言之，第一子凹槽312A與第二子凹槽312B內之導電膠可被視為具有導電效果，較佳地，也具有實質上粘著的效果。若將導電膠也視為黏著層310之另一部份，則黏著層310之一部份為導電與黏著效果。
在本實施例中，繫連層140’也可以包括第一延伸部142’、 第二延伸部144’以及繫連146’（未繪出），但本發明不以此為限。
前述實施例中，微型發光元件之尺寸小於100微米且大於0微米。較佳地，微型發光元件之尺寸小於50微米且大於0微米。前述實施例中，微型發光元件可被視為覆晶式微型發光元件。前述實施例中，電晶體之類型可為底閘型、頂閘型、立體型、或其它合適類型的電晶體，且電晶體之個數可依需要而設計。
綜上所述，本發明發光裝置中之第一電極、第二電極第一導電層以及第二導電層皆不會遮擋微型發光元件的發光面，藉此可以增加微型發光元件的有效發光面積。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30、40‧‧‧發光裝置100‧‧‧微型發光元件110‧‧‧第一半導體材料層110’‧‧‧第一半導體層120‧‧‧發光材料層120’‧‧‧發光層130‧‧‧第二半導體材料層130’‧‧‧第二半導體層140‧‧‧繫連材料層140’‧‧‧繫連層142’‧‧‧第一延伸部144’‧‧‧第二延伸部146’‧‧‧繫連148’‧‧‧犧牲部152‧‧‧第一電極152A‧‧‧第一重疊部154‧‧‧第二電極154A‧‧‧第二重疊部162‧‧‧第一導電層164‧‧‧第二導電層200‧‧‧中介結構210‧‧‧第一犧牲層220‧‧‧第二犧牲層310‧‧‧黏著層310A‧‧‧上表面310B‧‧‧下表面312‧‧‧凹槽312A‧‧‧第一子凹槽312B‧‧‧第二子凹槽312C‧‧‧第三子凹槽322‧‧‧第一接墊324‧‧‧第二接墊B1、B3、B4‧‧‧第一面BS‧‧‧底層D1、X1、X2‧‧‧方向GS‧‧‧成長基板H1‧‧‧第一通孔H2‧‧‧第二通孔MS‧‧‧中介基板O‧‧‧開口O1‧‧‧第一開孔O2‧‧‧第二開孔RS‧‧‧基板S1~S8‧‧‧步驟SW1、SW2、SW3‧‧‧側面T‧‧‧轉置裝置T1‧‧‧第二面W1、W2‧‧‧寬度
圖1是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的流程圖。 圖2A~圖12A、圖15A~圖17A是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖。 圖2B~圖12B、圖15B~圖17B是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖7C~圖12C、圖13、圖14、圖15C~圖16C是依照本發明的第一實施例的一種發光裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖18是依照本發明的第二實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。 圖19是依照本發明的第三實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。 圖20是依照本發明的一實施例的一種發光裝置的製造方法的流程圖。 圖21是依照本發明的第四實施例的一種發光裝置的剖面示意圖。
10‧‧‧發光裝置
100‧‧‧微型發光元件
110’‧‧‧第一半導體層
120’‧‧‧發光層
130’‧‧‧第二半導體層
140’‧‧‧繫連層
142’‧‧‧第一延伸部
144’‧‧‧第二延伸部
152‧‧‧第一電極
152A‧‧‧第一重疊部
154‧‧‧第二電極
154A‧‧‧第二重疊部
162‧‧‧第一導電層
164‧‧‧第二導電層
310‧‧‧黏著層
310A‧‧‧上表面
310B‧‧‧下表面
B1、B3‧‧‧第一面
X1、X2‧‧‧方向
H1‧‧‧第一通孔
H2‧‧‧第二通孔
RS‧‧‧基板
SW1、SW2、SW3‧‧‧側面
T1‧‧‧第二面
W1、W2‧‧‧寬度

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，包括： 一基板； 一黏著層，位於該基板上，其中該黏著層的下表面朝向該基板且該黏著層的上表面背對該基板； 一微型發光元件，位於該黏著層的一凹槽中，其中該微型發光元件的發光面遠離該基板，且該微型發光元件包括： 一第一半導體層； 一第二半導體層，與該第一半導體層重疊，其中該第一半導體層的垂直投影面積大於該第二半導體層的垂直投影面積，且該第二半導體層比該第一半導體層更接近於該基板； 一繫連層，覆蓋該第一半導體層的部分側面、該第一半導體層的部分下表面、該第二半導體層的側面以及該第二半導體層的部分下表面，其中，該繫連層具有一第一通孔與一第二通孔，且該第一通孔對應於該第一半導體層的該部份下表面以及該第二通孔對應於該第二半導體層的該部份下表面； 一第一電極，位於該繫連層上，且透過該第一通孔而與該第一半導體層電性連接；以及 一第二電極，位於該繫連層上，且透過該第二通孔而與該第二半導體層電性連接； 一第一導電層，位於該基板上，且電性連接該第一電極；以及 一第二導電層，位於該基板上，且電性連接該第二電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中部分該第一電極自該繫連層沿著遠離該第一半導體層的一第一方向延伸，且部分該第二電極自該繫連層沿著遠離該第一半導體層的一第二方向延伸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該基板具有一第一接墊以及一第二接墊，其中該第一導電層透過該黏著層的一第一開孔而電性連接該第一接墊，且該第二導電層透過該黏著層的一第二開孔而電性連接該第二接墊。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中部分該繫連層位於該第二導電層與該第一半導體層之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第一電極之一第一重疊部重疊並接觸該第一導電層，該第二電極之一第二重疊部重疊並接觸該第二導電層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中，該第一導電層與該第二導電層皆位於該黏著層上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中，該黏著層之該凹槽具有一第一子凹槽與一第二子凹槽，其中該第一導電層設置於該第一子凹槽且與該基板之一第一接墊接觸，該第二導電層設置於該第二子凹槽且與該基板之一第二接墊接觸。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中，該第一導電層與該第二導電層至少其中一者之材料包含導電膠。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該黏著層的上表面具有暴露出部分該第一電極的一第一子凹槽，該黏著層的上表面具有暴露出部分該第二電極的一第二子凹槽。
  10. 一種發光裝置的製造方法，包括： 形成一微型發光元件於一成長基板上，其中，該微型發光元件，包含： 一第一半導體層與一第二半導體層； 一繫連層，設置於該第一半導體層與該第二半導體層上，且該繫連層具有一第一延伸部、一第二延伸部以及沿著一預定方向延伸的至少一繫連；以及 一第一電極與一第二電極，分別設置於該第一延伸部以及該第二延伸部上，且分別電性連接於該第一半導體層與該第二半導體層； 形成一第一犧牲層於該微型發光元件上； 形成一第二犧牲層於該微型發光元件上，其中該繫連連接一犧牲部，且該犧牲部接觸該第二犧牲層； 提供一中介基板於該第二犧牲層上以形成一中介結構，倒置該中介結構，並移除該生長基板； 移除該第一犧牲層； 於一基板上形成一黏著層； 利用一轉置裝置接觸該微型發光元件之該第一半導體層，且將該微型發光元件轉置於該黏著層上；以及 形成一第一導電層和一第二導電層於該基板上，該第一導電層和該第二導電層分別電性連接於該第一電極與該第二電極。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，其中，形成該第一半導體層與該第二半導體層之該步驟包含： 形成一第一半導體材料層以及一第二半導體材料層於該生長基板上； 圖案化該第二半導體材料層以形成一第二半導體層；以及 圖案化該第一半導體材料層以形成該第一半導體層。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，更包括： 進行一蝕刻製程以移除該繫連層的至少部分該第一延伸部、至少部分該第二延伸部以及至少部分該繫連。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，其中，該第一半導體層的垂直投影面積大於該第二半導體層，且該第二半導體層比該第一半導體層較接近於該基板。
  14. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，更包含： 於該黏著層形成一第一開孔與一第二開孔，其中該第一導電層透過該黏著層的該第一開孔而電性連接該基板之一第一接墊，且該第二導電層透過該黏著層的該第二開孔而電性連接該基板之一第二接墊。
  15. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，其中該黏著層的上表面具有暴露出部分該第一電極的一第一子凹槽，且該黏著層的上表面具有暴露出部分該第二電極的一第二子凹槽。
  16. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，其中形成該第一導電層與該第二導電層於該黏著層的上表面。
  17. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，更包含： 於該繫連層形成一第一通孔與一第二通孔，該第一通孔與該第二通孔分別對應於該第一半導體層的部份表面以及該第二半導體層的部份表面；以及 該第一電極經由該第一通孔電性連接該第一半導體層，且該第二電極經由該第二通孔電性連接該第二半導體層。
  18. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，更包含： 於該黏著層形成一第一子凹槽與一第二子凹槽；以及 分別形成該第一導電層與該第二導電層於該第一子凹槽與該第二子凹槽，其中該第一導電層與該基板接觸，且該第二導電層與該基板接觸。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的發光裝置的製造方法，其中，該第一導電層與該第二導電層至少其中一者之材料包含導電膠。
  20. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置的製造方法，更包含： 於該轉置裝置上施加一外力，以將該微型發光元件壓入於該黏著層中，並使得該黏著層中形成容納該微型發光元件之一凹槽。
TW107124684A 2018-07-17 2018-07-17 發光裝置及其製造方法 TWI660524B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107124684A TWI660524B (zh) 2018-07-17 2018-07-17 發光裝置及其製造方法
CN201811125853.2A CN109192835A (zh) 2018-07-17 2018-09-26 发光装置及其制造方法
US16/151,349 US10862005B2 (en) 2018-07-17 2018-10-04 Light emitting device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107124684A TWI660524B (zh) 2018-07-17 2018-07-17 發光裝置及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI660524B TWI660524B (zh) 2019-05-21
TW202006971A true TW202006971A (zh) 2020-02-01

Family

ID=64906251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107124684A TWI660524B (zh) 2018-07-17 2018-07-17 發光裝置及其製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10862005B2 (zh)
CN (1) CN109192835A (zh)
TW (1) TWI660524B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI690102B (zh) 2019-01-04 2020-04-01 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
CN111864025A (zh) * 2019-04-30 2020-10-30 云谷（固安）科技有限公司 微型发光二极管及其制作方法、显示装置
CN110707197A (zh) * 2019-09-11 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Led基板及led显示面板的制作方法
CN111276592B (zh) * 2020-02-18 2021-07-09 厦门乾照半导体科技有限公司 一种Micro-LED阵列基板的制备方法及制备系统
CN111146315B (zh) * 2020-02-19 2020-07-03 华引芯（武汉）科技有限公司 一种全无机封装的倒装uv-led器件及制作方法
TWI731712B (zh) * 2020-06-12 2021-06-21 友達光電股份有限公司 發光裝置及發光裝置的製造方法
CN114068372A (zh) * 2020-07-29 2022-02-18 华为技术有限公司 一种用于Micro LED晶粒的转移组件及转移方法
CN113140661B (zh) * 2021-04-30 2023-01-06 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN116137306B (zh) * 2023-04-18 2023-07-21 南昌凯捷半导体科技有限公司 一种Micro-LED芯片及其制作方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP2006186297A (ja) * 2004-12-03 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2007201420A (ja) * 2005-12-27 2007-08-09 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法
US7888688B2 (en) * 2008-04-29 2011-02-15 Bridgelux, Inc. Thermal management for LED
JP5759790B2 (ja) * 2010-06-07 2015-08-05 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
CN102479902B (zh) 2010-11-23 2017-04-12 晶元光电股份有限公司 发光组件
JP5840377B2 (ja) * 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
JP5832956B2 (ja) * 2012-05-25 2015-12-16 株式会社東芝 半導体発光装置
TWI489658B (zh) * 2012-05-25 2015-06-21 Toshiba Kk 半導體發光裝置及光源單元
CN103489980A (zh) * 2012-06-12 2014-01-01 群康科技(深圳)有限公司 一种发光元件及其制作方法
JP6398222B2 (ja) * 2013-02-28 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6023660B2 (ja) * 2013-05-30 2016-11-09 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP2015195332A (ja) * 2014-03-27 2015-11-05 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
CN203859142U (zh) 2014-04-28 2014-10-01 深圳大学 一种led芯片
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array
JP2016134605A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 株式会社東芝 複合樹脂及び電子デバイス
CN107210016B (zh) * 2015-01-29 2020-05-29 索尼半导体解决方案公司 显示装置
JP2016171188A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社東芝 半導体発光装置とその製造方法
US9640715B2 (en) * 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
EP3271951B1 (en) * 2015-05-21 2019-03-20 Goertek Inc. Transferring method, manufacturing method of micro-led
KR20160141063A (ko) * 2015-05-27 2016-12-08 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 그 제조 방법
US10133426B2 (en) * 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
JP6619966B2 (ja) * 2015-08-21 2019-12-11 アルパッド株式会社 半導体発光装置
CN109155351A (zh) * 2016-03-08 2019-01-04 阿尔发得株式会社 半导体发光装置
TWI625871B (zh) 2017-07-24 2018-06-01 友達光電股份有限公司 微型發光元件及其製造方法及其應用之顯示裝置與過渡載板裝置
TWI630729B (zh) 2017-08-28 2018-07-21 友達光電股份有限公司 發光裝置
CN108231968B (zh) * 2017-12-11 2020-02-11 厦门市三安光电科技有限公司 微发光二极管及其转移方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200028030A1 (en) 2020-01-23
TWI660524B (zh) 2019-05-21
US10862005B2 (en) 2020-12-08
CN109192835A (zh) 2019-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI660524B (zh) 發光裝置及其製造方法
US11302842B2 (en) Micro light emitting diode device and manufacturing method thereof
TWI644420B (zh) 元件基板及其製造方法
US10833220B2 (en) Micro light emitting diode device
TWI678000B (zh) 可印刷之無機半導體結構
TWI688121B (zh) 發光二極體結構
TWI565382B (zh) 電子元件的轉移方法、電子模組及光電裝置
US11527571B2 (en) Light emitting device with small footprint
TWI679762B (zh) 顯示裝置及其製造方法
JP2007533133A (ja) 半導体発光ダイオード上での反射層の作製
TW202147656A (zh) 發光裝置
US20090133908A1 (en) Interconnect structure for a microelectronic device, method of manfacturing same, and microelectronic structure containing same
TW202322348A (zh) 封裝結構及其形成方法
WO2015074353A1 (zh) 一种半导体发光二极管芯片
TW202101731A (zh) 微裝置匣體結構
TWI785678B (zh) 顯示裝置與其製造方法
TWI776115B (zh) 封裝組件及其形成方法
US20210134774A1 (en) Area-efficient subpixel apparatus
TWI663724B (zh) 發光二極體顯示器及其製造方法
TWI653767B (zh) 微型發光二極體裝置及其製作方法
TWI773322B (zh) 發光二極體
JP7091598B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP7243899B1 (ja) 発光素子及びその製造方法
TW202327133A (zh) 發光元件、包含其之發光組件及顯示裝置、及顯示裝置之製造方法
TW202329496A (zh) 發光裝置