TW202005888A - 構件、容器、藥液收容體、反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽、管路、藥液之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種與藥液接觸時所得到之藥液的殘渣缺陷抑制性及橋接缺陷抑制性優異之構件。又，提供一種容器、藥液收容體、反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽、管路及藥液之製造方法。本發明的構件為與藥液接觸之構件，上述構件的表面由含有鉻原子及鐵原子之不鏽鋼構成，從上述構件的表面沿著深度方向至10 nm，測量上述鉻原子與上述鐵原子的原子比時，在從上述構件的表面沿深度方向3 nm以內顯示上述原子比的最大值，上述最大值為0.5～3.0，上述構件的表面的表面平均粗糙度為10 nm以下。

Description

構件、容器、藥液收容體、反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽、管路、藥液之製造方法

本發明係關於一種構件、容器、藥液收容體、反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽、管路及藥液之製造方法。

半導體製造步驟中包括微影術步驟、蝕刻步驟、離子植入步驟及剝離步驟等各種步驟。但是，在結束各步驟之後或者繼續下一步驟之前，通常含有利用藥液來進行處理之步驟。 半導體製造步驟中，由於因細微的異物等而導致產生缺陷，藥液中需要高純度且高清潔度之特徵之情況較多。例如已知有在光刻步驟中所使用之預濕液、顯影液及沖洗液等藥液中，對形成有微量包含之金屬成分等雜質之圖案的性能帶來較大地影響。 藉由將氟樹脂材質用於接液部來進一步減少金屬成分雜質的含量，但是對顯示高體積電阻之溶劑進行處理之情況下，隨著流動帶電等而產生靜電，尤其超過2kV之情況下，藉由處理方法伴隨放電而引起接液構件的損傷和/或液的污染等危險。 專利文獻1中揭示有能夠極其微量地維持高純度藥品中的粒子量之高純度藥品的供給裝置，上述供給裝置含有內部表面被電解研磨之不鏽鋼製容器本體。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2004-233254號公報

本發明人等對在專利文獻1中揭示之收容於容器之藥液進行了研究，其結果見解有對收容後的藥液的殘渣缺陷抑制性及橋接缺陷抑制性具有改善的空間。 因此，本發明的課題在於提供一種與藥液接觸時所得到之藥液的殘渣缺陷抑制性及橋接缺陷抑制性優異之構件。 又，本發明的課題在於提供一種容器、藥液收容體、反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽、管路及藥液之製造方法。

本發明人等欲要解決上述課題而進行了深入研究的結果，發現了藉由以下的結構能夠解決上述課題。

[1]一種構件，其與藥液接觸，其中 上述構件的表面由含有鉻原子及鐵原子之不鏽鋼構成， 從上述構件的表面沿著深度方向至10 nm，測量上述鉻原子與上述鐵原子的原子比時，在從上述構件的表面沿深度方向3 nm以內顯示上述原子比的最大值， 上述最大值為0.5～3.0， 上述構件的表面的表面平均粗糙度為10 nm以下。 [2]如[1]所述之構件，其中 上述表面平均粗糙度為0.10～10 nm。 [3]如[1]或[2]所述之構件，其中 上述構件的表面中的上述鉻原子與上述鐵原子的原子比為1.1～2.5。 [4]如[1]至[3]中任一項所述之構件，其中 對上述構件的表面進行電解研磨。 [5]如[4]所述之構件，其中 在上述電解研磨之前，進而對上述構件的表面實施除了上述電解研磨以外的表面處理。 [6]如[4]或[5]所述之構件，其中 在上述電解研磨之後，進而對上述構件的表面實施酸處理。 [7]如[1]～[6]中任一項所述之構件，其用於選自包括作為半導體製造用之藥液的製造、儲存、運輸及轉移之群組中之至少1種。 [8]如[7]所述之構件，其中 上述藥液的體積電阻係數為500,000,000 Ωm以上。 [9]一種容器，其為收容藥液之容器，其中 上述溶液的接液部的至少一部分由[1]至[8]中任一項所述之構件構成。 [10]一種藥液收容體，其含有[8]所述之容器及收容於上述容器之藥液。 [11]如[10]所述之藥液收容體，其中 上述藥液為混合溶劑，該混合溶劑相對於上述藥液的總質量含有20～80質量%的相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為3～20 MPa^0.5 之有機溶劑，且相對於上述藥液的總質量含有20～80質量%的相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離不為3～20 MPa^0.5 之有機溶劑。 [12]如[10]所述之藥液收容體，其中 上述藥液含有選自包括丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、乙酸丁酯、環己酮、4-甲基-2-戊醇、異丙醇、乙醇、丙酮、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯、乙酸異戊酯、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、二異戊醚、二甲亞碸、N-甲基吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、環丁碸、環庚酮及2-庚酮、丁酸丁酯、異丁酸異丁酯、十一烷、丙酸戊酯、丙酸異戊酯、乙基環己烷、均三甲苯、癸烷、3,7-二甲基-3-辛醇、2-乙基-1-己醇、1-辛醇、2-辛醇、乙醯乙酸乙酯、丙二酸二甲酯、丙酮酸甲酯及草酸二甲酯之群組中之1種以上。 [13]如[10]至[12]中任一項所述之藥液收容體，其中 上述藥液的體積電阻係數為500,000,000 Ωm以上。 [14]如[10]所述之藥液收容體，其中 上述藥液為鹼性顯影液。 [15]如[10]至[14]中任一項所述之藥液收容體，其中 上述藥液相對於藥液的質量含有0.1～100000質量ppt的沸點為250℃以上之有機成分。 [16]如[10]至[15]中任一項所述之藥液收容體，其中 在上述容器內的空隙部中填充有惰性氣體。 [17]一種反應槽，其用於使原料反應而得到作為反應物之藥液，其中 上述反應槽的接液部的至少一部分由[1]至[8]中任一項所述之構件構成。 [18]一種蒸餾塔，其用於對被純化物進行純化而得到作為純化物之藥液，其中 上述蒸餾塔的接液部的至少一部分由[1]至[8]中任一項所述之構件構成。 [19]一種過濾器單元，其用於對被純化物進行純化而得到作為純化物之藥液，其中 上述過濾器單元的接液部的至少一部分由[1]至[8]中任一項所述之構件構成。 [20]一種儲存槽，其儲存用於進行反應而得到作為反應物之藥液之原料或用於進行純化而得到作為純化物之藥液之被純化物，其中 上述儲存槽的接液部的至少一部分由[1]至[8]中任一項所述之構件構成。 [21]一種管路，其為用於轉移上述藥液，其中 上述管路的接液部的至少一部分由[1]至[8]中任一項所述之構件構成。 [22]一種藥液之製造方法，其使用具備選自包括[17]所述之反應槽、[18]所述之蒸餾塔、[19]所述之過濾器單元、[20]所述之儲存槽及[21]所述之管路之群組中之至少1個之藥液的製造裝置來製造藥液。 [23]如[22]所述之藥液之製造方法，其中 上述藥液含有有機溶劑，上述有機溶劑含有選自包括丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、環己酮、γ-丁內酯、二異戊醚、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、異丙醇、4-甲基-2-戊醇、二甲亞碸、正甲基-2-吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、碳酸伸丙酯、環丁碸、環庚酮及2-庚酮、丁酸丁酯、異丁酸異丁酯、十一烷、丙酸戊酯、丙酸異戊酯、乙基環己烷、均三甲苯、癸烷、3,7-二甲基-3-辛醇、2-乙基-1-己醇、1-辛醇、2-辛醇、乙醯乙酸乙酯、丙二酸二甲酯、丙酮酸甲酯及草酸二甲酯之群組中之1種以上。 [24]如[23]所述之藥液之製造方法，其中 上述藥液的體積電阻係數為500,000,000 Ωm以上。 [25]如[22]所述之藥液之製造方法，其中 上述藥液為鹼性顯影液。 [發明效果]

依據本發明，能夠提供一種與藥液接觸時所得到之藥液的殘渣缺陷抑制性及橋接缺陷抑制性優異之構件。 又，本發明能夠提供一種容器、藥液收容體、反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽、管路及藥液之製造方法。

以下，對本發明進行詳細說明。 以下所記載之構成要件的說明有時基於本發明的代表性實施形態來進行，但本發明並不限定於該種實施形態。 另外，本說明書中，使用“～”表示之數值範圍係指將“～”前後所記載之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。 又，本發明中，“ppm”係指“parts-per-million（10^-6 ），百萬分之一”，「ppb”係指“parts-per-billion（10^-9 ），十億分之一”，“ppt”係指“parts-per-trillion（10^-12 ），一兆分之一”，“ppq”係指“parts-per-quadrillion（10^-15 ），千兆分之一”。 又，本發明中的基團（原子團）的標記中，未標有取代及未取代之標記在不損害本發明的效果之範圍內，不僅包含不具有取代基之基團亦包含具有取代基之基團。例如，“烴基”不僅包含不具有取代基之烴基（未取代烴基）亦包含具有取代基之烴基（取代烴基）。關於該內容，亦與各化合物的含義相同。 又，本發明中的“放射線”例如係指遠紫外線、極紫外線（EUV；Extreme ultraviolet）、X射線或電子束等。又，本發明中光係指光化射線或放射線。本發明中的“曝光”，除非另有說明，否則不僅包括利用遠紫外線、X射線或EUV等之曝光，還包括利用電子束或離子束等粒子束之描繪。

[構件] 本發明的構件為與藥液接觸之構件。 上述構件的表面由含有鉻原子及鐵原子之不鏽鋼構成。 又，從構件的表面沿著深度方向至10 nm，測量鉻原子與鐵原子的原子比時，在從構件的表面沿深度方向3 nm以內顯示原子比（Cr/Fe比）的最大值，最大值為0.5～3.0。 另外，構件的表面的表面平均粗糙度為10 nm以下。

使用這樣的結構的構件來解決本發明的課題之機制雖不明確，但是本發明人等認為，為了將不鏽鋼中的Cr/Fe比的深度方向的輪廓與表面的粗糙度之間的關係控制在規定的範圍內，協同作用效果上能夠抑制金屬成分從不鏽鋼轉移到藥液等，並改善所得到之藥液的殘渣缺陷抑制性及橋接缺陷抑制性。 另外，殘渣缺陷例如係指將藥液用作預濕液或沖洗液時的粒子狀缺陷，橋接缺陷例如係指將藥液應用於圖案形成時的圖案彼此的交聯狀缺陷。 以下，亦將藥液的殘渣缺陷抑制性及橋接缺陷抑制性中的至少一個成為良好者稱為“本發明的效果優異”等。

又，依據本發明的構件，能夠將使用以往氟樹脂材料而成之接液構件部置換成不鏽鋼構件，能夠減少伴隨靜電產生之接液構件的損傷和/或液的污染等危險。

[不鏽鋼] 本發明的構件的表面由含有鉻原子及鐵原子之不鏽鋼構成。 另外，本發明的構件的表面由上述不鏽鋼構成即可，構件整體亦可以由上述不鏽鋼構成，構件亦可以具有由除了不鏽鋼以外的材料構成之基材及由配置於基材上之上述不鏽鋼構成之被覆層。亦即，構件具有除了不鏽鋼以外的基材及由配置於基材上之上述不鏽鋼構成之被覆層，被覆層亦滿足後述之要件。

＜Cr/Fe比＞ 上述不鏽鋼含有鉻原子及鐵原子。 又，從構件的表面沿著深度方向至10 nm，測量鉻原子與鐵原子的原子比（Cr/Fe比）時，在從構件的表面沿深度方向3 nm以內顯示原子比的最大值。 若將來自Cr/Fe比成為最大之構件的表面的深度定義為特定深度，則亦可以被解釋為特定深度存在於從構件的表面沿深度方向3 nm以內。 上述不鏽鋼的Cr/Fe比的最大值（換言之，特定深度中的Cr/Fe比）為0.5～3.0，0.7～2.8為較佳，1.1～2.5為更佳。 特定深度存在於從接液部中的構件的表面沿深度方向3 nm以內即可，構件的表面（深度0 nm）亦可以為特定深度。 構件的表面（深度0 nm）中的Cr/Fe比為0.4～3.0為較佳，0.7～2.8為較佳，1.1～2.5為更佳。

又，隨著來自構件的表面的深度從特定深度進而變深，上述不鏽鋼的Cr/Fe比逐漸降低為較佳。 從構件的表面到深度10 nm的位置中的Cr/Fe比並無特別限制，但是0.3～0.6為較佳，0.3～0.5為更佳。 另外，從構件的表面到深度10 nm以後的深度方向上，Cr/Fe比的值並無特別限制，但是大致恆定為較佳。其中，大致恆定係指10 nm的位置中的來自Cr/Fe比的變化率的絕對值為5%以內。上述變化率表示（10 nm中的Cr/Fe比-既定的位置中的Cr/Fe比）/（10 nm中的Cr/Fe比）×100。

另外，本說明書中，如下所述那樣測量各深度中的Cr/Fe比。 首先，對構件的表面實施60分鐘的Ar氣體蝕刻。從經蝕刻之深度（蝕刻深度）算出平均蝕刻速度，確定用於蝕刻至所期望的深度之蝕刻處理時間。另外，此時，使用原子力顯微鏡（AFM）來測量蝕刻深度。 以經確定之蝕刻處理時間為基礎，從構件的表面進行每一次蝕刻1 nm，各深度中，使用ESCA（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis（用於化學分析的電子光譜學），例如Shimadzu Corporation製 ESCA-3400）來進行測量，從峰值強度算出各元素的atoms%，並求出Cr/Fe比。 另外，構件的表面的Cr/Fe比為未實施上述蝕刻而使用上述ESCA進行測量而求出之值。

＜表面平均粗糙度＞ 構件的表面的表面平均粗糙度（Ra）為10 nm以下，0.10～10 nm為較佳，0.20～5 nm為更佳。 若將上述表面平均粗糙度設為10 nm以下，則能夠減少相對於構件的表面中的藥液等之微觀的接觸面積，能夠抑制對藥液的雜質含量的影響。若將上述表面平均粗糙度設為0.10 nm以上，則容易避免在表面平均粗糙度的平滑化的過程中所產生之金屬微粒子混入藥液中，本發明的效果更優異。 另外，本發明中，上述不鏽鋼的表面平均粗糙度能夠利用原子力顯微鏡（AFM）來進行測量。

＜表面處理＞ 對構件的表面實施表面處理為較佳。 表面處理為基於電解研磨之表面處理為較佳。 作為上述電解研磨中的處理液（電解液），磷酸與硫酸的混合液為較佳，其混合比例如為85質量%磷酸:98質量%硫酸=4:3（體積比）為較佳。 電解研磨時的液溫為30～60℃為較佳，40～50℃為更佳。 電解研磨時的電流密度為10～20 A/dm² 為較佳。 電解研磨的時間為10～120分鐘為較佳，30～60分鐘為更佳。

又，在電解研磨的前後，對上述構件的表面進行前處理（拋光或磁性流體研磨等）和/或後處理（退火處理或酸處理等）為較佳，至少實施前處理為更佳。 作為上述前處理，拋光為較佳。 拋光處理中所使用之研磨粒的尺寸為#400以下為較佳，#1000～#400為更佳，#600～#400為進一步較佳。

作為酸處理中所使用之處理液，例如可舉出硫酸、磷酸、鹽酸、氟酸及包含該等一種以上之混酸等酸以及上述酸的稀釋水溶液。酸處理例如可舉出使處理液與被處理面接觸之方法，更具體而言，例如亦可以為將被處理物浸漬於填充有處理液之處理層之方法。此時，亦可以適當地實施處理液的循環和/或加溫等。 又，酸處理亦可以由將設為漿料狀之處理液塗佈於被處理面之方法來實施。

作為上述不鏽鋼（不鏽鋼），只要上述構件的表面滿足規定的要件，則並無特別限制，能夠使用公知的不鏽鋼。其中，含有8質量%以上的鎳之合金為較佳，含有8質量%以上的鎳之沃斯田鐵系不鏽鋼為更佳。作為奧氏體系不鏽鋼，例如可舉出SUS（Steel Use Stainless，不鏽鋼）304（Ni含量為8質量%、Cr含量為18質量%）、SUS304L（Ni含量為9質量%、Cr含量為18質量%）、SUS316（Ni含量為10質量%、Cr含量為16質量%）及SUS316L（Ni含量為12質量%、Cr含量為16質量%）等。

[用途] 本發明的構件用於選自包括藥液（較佳為作為半導體製造用之藥液）的製造、儲存、運輸及轉移之群組中之至少1種為較佳。 作為具體的用途，可舉出收容藥液之容器、藥液的製造裝置（純化裝置及反應裝置等）及管路等。

本發明的構件亦較佳地用於進行接觸（製造、儲存、運輸和/或轉移等）之藥液為500,000,000 Ωm以上的體積電阻係數之情況。 尤其，後述之本發明的藥液收容體中所收容之藥液或後述之本發明的藥液之製造方法中的藥液為500,000,000 Ωm以上的體積電阻係數之情況下，能夠較佳地使用本發明的構件（本發明的容器、本發明的反應槽、本發明的蒸餾塔、本發明的過濾器單元、本發明的儲存槽和/或本發明的管路等）。 若使這樣的高體積電阻係數的藥液與氟樹脂材質的構件接觸，則相對於產生伴隨放電而接液構件的損傷和/或液的污染等危險，本發明的構件的表面由不鏽鋼構成，因此不會產生靜電的帶電，並且能夠減少如上述的危險。又，認為在本發明的構件中，亦可抑制金屬成分從金屬材料（不鏽鋼）轉移，來自於金屬材料以外的藥液的污染亦減少。 例如能夠使用HIOKI E.E. CORPORATION製體積電阻計SME-8310或超絕緣計SM-8220來測量藥液的體積電阻係數。測量溫度設為23℃。 又，若與本發明的構件接觸之藥液的帶電電位為-2 kV～2 kV以內，則能夠判斷為上述危險（伴隨放電之接液構件的損傷和/或液的污染等）較小。 藥液的靜電（帶電電位）的測量例如能夠如下所述那樣進行測量。亦即，將NICHIAS Corporation製PFA-HG軟管（內徑4.35 mm、外徑6.35 mm）切斷成長度3 m，使測量對象液（藥液）以流速0.5 m/sec進行通液，用KASUGA DENKI,Inc.製數字靜電電位測量器KSD-3000，能夠測量軟管中央附近（1.5 m部分）的外側的帶電電位來進行測定。測量溫度設為23℃。

[容器] 本發明的實施形態之容器可使用上述之本發明的構件（之後，亦稱為“特定構件”。）來形成。 更具體而言，本發明的實施形態之容器為收容藥液之容器，容器的接液部的至少一部分由特定構件構成。 換言之，本發明的容器為收容藥液之容器，容器的接液部的至少一部分由含有鉻原子及鐵原子之不鏽鋼構成，從上述接液部中的容器的表面沿著深度方向至10 nm，測量鉻原子與鐵原子的原子比時，在從容器的表面沿深度方向3 nm以內顯示原子比的最大值，上述原子比的最大值為0.5～3.0，接液部中的容器的表面的表面平均粗糙度為10 nm以下。

以下，利用圖式進行詳述。 在圖1中示出了本發明的實施形態之含有容器和蓋之附蓋容器的示意圖。 附蓋容器10含有中空容器11和蓋12，能夠藉由設置於容器的口部13的外側之未圖示之外螺紋和配置於蓋12的側部14的內側之未圖示之內螺紋而嵌合。藉由被嵌合之容器11及蓋12，在附蓋之容器10的內部形成空穴L，能夠在上述空穴L中收容液體（例如半導體製造用藥液）。

上述附蓋之容器10的接液部由特定構件構成。 亦即，作為附蓋之容器10的接液部之內壁面15由含有鉻原子及鐵原子之不鏽鋼構成。 內壁面15在從表面到深度3 nm以內存在上述特定深度，其Cr/Fe比為0.5～3.0，表面中的表面平均粗糙度為10 nm以下。 另外，圖1中，附蓋之容器10的內壁面15的整個表面為由特定構件構成之樣態，但是作為本發明的實施形態之容器並不限制於上述，但是內壁面的接液部的至少一部分亦可以由特定構件構成。更具體而言，接液部的整個表面面積的70%以上由特定構件構成為較佳，接液部的整個表面面積的80%以上由特定構件構成為更佳，接液部的整個表面面積的90%以上由特定構件構成為進一步較佳，接液部的整個表面由特定構件構成為特佳。

上述容器中，在內部收容藥液時，接液部（係指與被收容物接觸之表面且即使實際上未與被收容物接觸亦具有其可能性之部分。）由特定構件構成（由構件構成），因此即使收容藥液來進行保管，亦難以對藥液的雜質含量帶來影響，本發明的效果優異。

另外，上述附蓋之容器10中，內壁面15由特定構件構成，但是外壁面16亦可以由特定構件構成。

[藥液收容體] 本發明的實施形態之藥液收容體含有已進行說明之容器和收容於上述容器中之藥液。本發明的實施形態之藥液收容體中，容器的接液部的至少一部分由上述特定構件構成，因此藉由上述藥液收容體進行長期間保管時，亦難以對經收容之藥液的雜質含量帶來影響，本發明的效果優異。

＜藥液＞ 藥液為作為半導體製造用之藥液為較佳。又，減少了金屬雜質及有機雜質之藥液為較佳。藥液的種類雖然沒有限定，但是可舉出用於製造半導體之拋光材料、包含抗蝕劑組成物之液、預濕液、顯影液、沖洗液及剝離液等中的高純度的液體，在用於製造半導體以外的其他用中途，可舉出聚醯亞胺、感測器用抗蝕劑、透鏡用抗蝕劑等顯影液及沖洗液等中的高純度的液體。 另外，作為較佳形態中的1種，藥液含有有機溶劑。 以下，對有機溶劑的含量（含有複數個有機溶劑時為其合計含量）相對於藥液中所含有之溶劑的總質量超過50質量%之有機溶劑系藥液及水的含量相對於藥液中所含有之溶劑的總質量超過50質量%之水系藥液進行區分來進行說明。

（有機溶劑系藥液） 有機溶劑系藥液含有溶劑，有機溶劑的含量相對於藥液中所含有之溶劑的總質量超過50質量%。 有機溶劑系藥液含有有機溶劑。作為有機溶劑系藥液中的有機溶劑的含量並無特別限制，但是通常相對於有機溶劑系藥液的總質量為99.0質量%以上為較佳。作為上限值並不受特別限制，但一般係99.99999質量%以下為較佳。 有機溶劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。當併用2種以上的有機溶劑時，合計含量在上述範圍內為較佳。

另外，本說明書中，所謂有機溶劑，係指相對於上述藥液的總質量，以超過10000質量ppm之含量含有每1種成分之液態有機化合物。亦即，本說明書中，相對於上述藥液的總質量，含有超過10000質量ppm之量的液狀有機化合物屬於有機溶劑。 另外，本說明書中，液狀係指在25℃、大氣壓下為液體。

有機溶劑系藥液的有機溶劑的種類並無特別限制，能夠使用公知的有機溶劑。有機溶劑例如可舉出伸烷基二醇單烷基醚羧酸酯、伸烷基二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、環狀內酯（較佳為碳數4～10）、亦可以含有環之單酮化合物（較佳為碳數4～10）、伸烷基碳酸酯、烷氧基乙酸烷基酯、丙酮酸烷基酯、二烷基亞碸、環狀碸、二烷基醚、一元醇、二醇、乙酸烷基酯及N-烷基吡咯啶酮等。 又，作為有機溶劑，例如亦可以使用日本特開2016-057614號公報、日本特開2014-219664號公報、日本特開2016-138219號公報及日本特開2015-135379號公報中所記載的有機溶劑。

有機溶劑例如為相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為3～20 MPa^0.5 （更佳為5～20 MPa^0.5 ）者亦為較佳。 使用2種以上有機溶劑之情況下，至少1種滿足上述漢森溶解度參數的範圍為較佳。 使用2種以上有機溶劑之情況下，基於各有機溶劑的含量的莫耳比之漢森溶解度參數的加權平均值滿足上述漢森溶解度參數的範圍為較佳。

例如藥液中的有機溶劑僅為實質上滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑為較佳。藥液中的有機溶劑僅為實質上滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑係指滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑的含量相對於有機溶劑的總質量為99質量%以上（較佳為99.9質量%以上）。

又，例如有機溶劑為含有滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑及不滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑該兩者之混合溶劑亦為較佳。 該情況下，藥液（混合溶劑）相對於藥液的總質量含有20～80質量%（較佳為30～70質量%）的滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑，相對於藥液的總質量含有20～80質量%（較佳為30～70質量%）的不滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑為較佳。 滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑的含量與不滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑的含量分別在規定的範圍內之情況下，認為與不滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑的含量為過剩或過少（例如相對於藥液（混合溶劑）的總質量為1質量%以上且小於20質量%或超過80質量%）之情況相比，能夠將藥液的相對於金屬系原材料及有機系原材料之親和性調整為適當的範圍，本發明的效果更優異。 又，該情況下，滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑與不滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑的合計含量相對於藥液的總質量為99.0質量%以上為較佳。作為上限值並不受特別限制，但一般係99.99999質量%以下為較佳。 另外，不滿足上述漢森溶解度參數的範圍之有機溶劑中的相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為0 MPa^0.5 以上且小於3 MPa^0.5 （較佳為超過0 MPa^0.5 且小於3 MPa^0.5 ）或超過20 MPa^0.5 （較佳為超過20 MPa^0.5 且50 MPa^0.5 以下）。

本說明書中，漢森溶解度參數係指“Hansen Solubility Parameters：A Users Handbook， Second Edition”（第1-310頁、CRC Press、2007年發行）等中所記載之漢森溶解度參數。亦即，漢森溶解度參數中，由多維的向量（分散項（δd）、偶極間項（δp）及氫鍵項（δh））表示溶解性，該等3個參數被認為是稱為漢森空間之三維空間中的點的座標。 漢森溶解度參數的距離為2種化合物的漢森空間中的距離，漢森溶解度參數的距離藉由以下的式來求出。 (Ra)² =4(δd2-δd1)² +(δp2-δp1)² +(δh2-δh1)² Ra：第1化合物與第2化合物的漢森溶解度參數的距離（單位：MPa^0.5 ） δd1：第1化合物的分散項（單位：MPa^0.5 ） δd2：第2化合物的分散項（單位：MPa^0.5 ） δp1：第1化合物的偶極間項（單位：MPa^0.5 ） δp2：第2化合物的偶極間項（單位：MPa^0.5 ） δh1：第1化合物的氫鍵項（單位：MPa^0.5 ） δh2：第2化合物的氫鍵項（單位：MPa^0.5 ） 本說明書中，化合物的漢森溶解度參數具體而言使用HSPiP（Hansen Solubility Parameter in Practice，漢森溶解度參數的實踐）來進行計算。

有機溶劑例如含有選自包括丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、乙酸丁酯、環己酮、4-甲基-2-戊醇、異丙醇、乙醇、丙酮、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯、乙酸異戊酯、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、二異戊醚、二甲亞碸、N-甲基吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、環丁碸、環庚酮、2-庚酮、丁酸丁酯、異丁酸異丁酯、十一烷、丙酸戊酯、丙酸異戊酯、乙基環己烷、均三甲苯、癸烷、3,7-二甲基-3-辛醇、2-乙基-1-己醇、1-辛醇、2-辛醇、乙醯乙酸乙酯、丙二酸二甲酯、丙酮酸甲酯及草酸二甲酯之群組中之1種以上為較佳。 另外，藥液中之有機溶劑的種類及含量能夠使用氣相層析質譜分析儀進行測量。

[金屬成分] 有機溶劑系藥液亦可以含有金屬成分。 本發明中，金屬成分例如為金屬粒子。

金屬成分中的金屬元素例如可舉出Al（鋁）、B（硼）、Ba（鋇）、Ca（鈣）、Cd（鎘）、Co（鈷）、Cr（鉻）、Cu（銅）、Fe（鐵）、K（鉀）、Li（鋰）、Mg（鎂）、Mn（錳）、Mo（鉬）、Na（鈉）、Ni（鎳）、P（磷）、Pb（鉛）、Sb（銻）、Si（矽）、Ti（鈦）、V（釩）及Zn（鋅）。 其中，金屬成分中的金屬元素為選自包括Ni、Fe及Cr之群組中之1種以上為較佳。之後，尤其亦將該等金屬元素稱為特定金屬元素。又，亦將含有特定金屬元素之金屬成分、金屬粒子分別稱為特定金屬成分、特定金屬粒子。

金屬粒子可以為單體亦可以為合金，亦可以為氧化物、氮化物、氧氮化物或其他金屬化合物，亦可以以金屬（包含金屬化合物）與有機物締合之形態存在。又，金屬的價數亦無限定。 金屬成分可以為不可避免地包含於藥液之金屬成分，亦可以為處理液的製造、儲存和/或轉移時不可避免地包含之金屬成分，還可以有意添加。 若將特定構件用於接液部，則能夠抑制藥液中的金屬成分（尤其，特定金屬粒子）的含量的變化，所得到之殘渣缺陷抑制性及橋接缺陷抑制性優異。

藥液含有金屬成分（較佳為特定金屬成分）之情況下，其含量相對於藥液的總質量例如為0.1～100質量ppt為較佳，0.1～10質量ppt為更佳。 藥液含有金屬粒子（較佳為特定金屬粒子）之情況下，其含量相對於藥液的總質量為0.001～100質量ppt為較佳，0.001～10質量ppt為更佳。

另外，能夠由SP-ICP-MS法（Single Nano Particle Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry，單奈米粒子電感耦合電漿質譜）測量藥液中的金屬粒子（特定金屬粒子）的種類及含量。 其中，SP-ICP-MS法使用與通常的ICP-MS法（感應耦合電漿質譜法）相同的裝置，只有資料分析不同。SP-ICP-MS法的資料分析能夠藉由市售的軟體來實施。 ICP-MS法中，對於成為測量對象之金屬成分的含量，與其存在形態無關地進行測量。 作為SP-ICP-MS法的裝置，例如使用Agilent Technologies公司製，Agilent 8800三重四極ICP-MS（inductively coupled plasma mass spectrometry：感應耦合電漿質譜法，用於半導體分析，選項#200），能夠藉由實施例中所記載之方法來進行測量。除了上述以外，除了PerkinElmer Co., Ltd.製 NexION350S以外，還能夠使用Agilent Technologies Japan, Ltd製、Agilent 8900。

·其他成分 藥液亦可以含有除了上述以外的其他成分。作為其他成分，例如可舉出樹脂、除了樹脂以外的有機物及水等。

··樹脂 藥液亦可以含有樹脂。 上述藥液還可以含有樹脂。作為樹脂，含有藉由酸的作用進行分解而產生極性基之基團之樹脂P為更佳。

作為上述樹脂P，藉由酸的作用而對以有機溶劑為主成分之顯影液之溶解性減少之樹脂、亦即含有後述之式（AI）所表示之重複單元之樹脂為更佳。含有後述之式（AI）所表示之重複單元之樹脂含有藉由酸的作用進行分解而產生鹼可溶性基之基團（以下，亦稱為“酸分解性基”）。 作為極性基，可舉出鹼可溶性基。作為鹼可溶性基，例如可舉出羧基、氟化醇基（較佳為六氟異丙醇基）、酚性羥基及磺基。

在酸分解性基中，極性基被在酸的作用下脫離之基團（酸脫離性基）保護。作為酸脫離性基，例如可舉出-C(R₃₆ )(R₃₇ )(R₃₈ )、-C(R₃₆ )(R₃₇ )(OR₃₉ )及-C(R₀₁ )(R₀₂ )(OR₃₉ )等。

式中，R₃₆ ～R₃₉ 分別獨立地表示烷基、環烷基、芳基、芳烷基或烯基。R₃₆ 與R₃₇ 可以相互鍵結而形成環。

R₀₁ 及R₀₂ 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基或烯基。

以下，對藉由酸的作用而對以有機溶劑為主成分之顯影液之溶解性減少之樹脂P進行詳述。

··式（AI）：含有酸分解性基之重複單元 樹脂P含有式（AI）所表示之重複單元為較佳。

[化1]

式（AI）中， Xa₁ 表示氫原子或可以含有取代基之烷基。 T表示單鍵或2價的連接基。 Ra₁ ～Ra₃ 分別獨立地表示烷基（直鏈狀或支鏈狀）或環烷基（單環或多環）。 Ra₁ ～Ra₃ 中的2個可以鍵結而形成環烷基（單環或多環）。

作為由Xa₁ 表示之可以含有取代基之烷基，例如可舉出甲基及-CH₂ -R₁₁ 所表示之基團。R₁₁ 表示鹵素原子（氟原子等）、羥基或1價的有機基。 Xa₁ 係氫原子、甲基、三氟甲基或羥基甲基為較佳。

作為T的2價的連接基，可舉出伸烷基、-COO-Rt-基及-O-Rt-基等。式中，Rt表示伸烷基或伸環烷基。 T係單鍵或-COO-Rt-基為較佳。Rt係碳數1～5的伸烷基為較佳，-CH₂ -基、-(CH₂ )₂ -基或-(CH₂ )₃ -基為更佳。

作為Ra₁ ～Ra₃ 的烷基，碳數1～4的烷基為較佳。

作為Ra₁ ～Ra₃ 的環烷基，環戊基或環己基等單環的環烷基或者降莰基、四環癸基、四環十二烷基或金剛烷基等多環的環烷基為較佳。 作為Ra₁ ～Ra₃ 中的2個鍵結而形成之環烷基，環戊基或環己基等單環的環烷基或者降莰基、四環癸基、四環十二烷基或金剛烷基等多環的環烷基為較佳。碳數5～6的單環的環烷基為更佳。

關於Ra₁ ～Ra₃ 中的2個鍵結而形成之上述環烷基，例如構成環之亞甲基中的1個可以經氧原子等雜原子或羰基等含有雜原子之基團取代。

由式（AI）所表示之重複單元例如係Ra₁ 為甲基或乙基、Ra₂ 與Ra₃ 鍵結而形成上述環烷基之態樣為較佳。

上述各基團可以含有取代基，作為取代基，例如可舉出烷基（碳數1～4）、鹵素原子、羥基、烷氧基（碳數1～4）、羧基及烷氧基羰基（碳數2～6）等，碳數8以下為較佳。

由式（AI）所表示之重複單元的含量相對於樹脂P中的所有重複單元，係20～90莫耳%為較佳，25～85莫耳%為更佳，30～80莫耳%為進一步較佳。

··含有內酯結構之重複單元 又，樹脂P含有具有內酯結構之重複單元Q為較佳。

含有內酯結構之重複單元Q在側鏈上含有內酯結構為較佳，來自於（甲基）丙烯酸衍生物單體之重複單元為更佳。 含有內酯結構之重複單元Q可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上，但單獨使用1種為較佳。 含有內酯結構之重複單元Q的含量相對於樹脂P中的所有重複單元，係3～80莫耳%為較佳，3～60莫耳%為更佳。

作為內酯結構，5～7員環的內酯結構為較佳，在5～7員環的內酯結構中以形成雙環結構或螺環結構之形態縮合有其他環結構之結構為更佳。 作為內酯結構，含有具有下述式（LC1-1）～（LC1-17）中的任一個所表示之內酯結構之重複單元為較佳。作為內酯結構，式（LC1-1）、式（LC1-4）、式（LC1-5）或式（LC1-8）所表示之內酯結構為較佳，式（LC1-4）所表示之內酯結構為更佳。

[化2]

內酯結構部分可以含有取代基（Rb₂ ）。作為較佳的取代基（Rb₂ ），可舉出碳數1～8的烷基、碳數4～7的環烷基、碳數1～8的烷氧基、碳數2～8的烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、羥基、氰基及酸分解性基等。n₂ 表示0～4的整數。當n₂ 為2以上時，存在複數個之取代基（Rb₂ ）可以相同亦可以不同，又，存在複數個之取代基（Rb₂ ）彼此可以鍵結而形成環。

···含有酚性羥基之重複單元 又，樹脂P可以含有具有酚性羥基之重複單元。 作為含有酚性羥基之重複單元，例如可舉出下述通式（I）所表示之重複單元。

[化3]

式中， R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 分別獨立地表示氫原子、烷基、鹵素原子、氰基或烷氧羰基。其中，R₄₂ 可以與Ar₄ 鍵結而形成環，此時的R₄₂ 表示單鍵或伸烷基。

X₄ 表示單鍵、-COO-或-CONR₆₄ -，R₆₄ 表示氫原子或烷基。 L₄ 表示單鍵或伸烷基。 Ar₄ 表示（n+1）價的芳香環基，當與R₄₂ 鍵結而形成環時表示（n+2）價的芳香環基。 n表示1～5的整數。

作為通式（I）中之R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的烷基，可以含有取代基之甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、己基、2-乙基己基、辛基及十二烷基等碳數20以下的烷基為較佳，碳數8以下的烷基為更佳，碳數3以下的烷基為進一步較佳。

作為通式（I）中之R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的環烷基，可以為單環型，亦可以為多環型。作為環烷基，可以含有取代基之環丙基、環戊基及環己基等碳數3～8且單環型的環烷基為較佳。

作為通式（I）中之R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，氟原子為較佳。

作為通式（I）中之R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 的烷氧基羰基中所包含之烷基，與上述R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 中之烷基相同的基團為較佳。

作為上述各基團中之取代基，例如可舉出烷基、環烷基、芳基、胺基、醯胺基、脲基、胺基甲酸酯基、羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基、硫醚基、醯基、醯氧基、烷氧基羰基、氰基及硝基等，取代基的碳數係8以下為較佳。

Ar₄ 表示（n+1）價的芳香環基。n為1時的2價的芳香環基可以含有取代基，例如可舉出伸苯基、甲伸苯基、伸萘基及伸蒽基等碳數6～18的伸芳基、以及包含噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三嗪、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑及噻唑等雜環之芳香環基。

作為n為2以上的整數時的（n+1）價的芳香環基的具體例，可舉出從2價的芳香環基的上述具體例中去除（n-1）個任意的氫原子而成之基團。 上述（n+1）價的芳香環基可以進一步含有取代基。

作為上述烷基、環烷基、烷氧基羰基、伸烷基及（n+1）價的芳香環基能夠含有之取代基，例如可舉出在通式（I）中之R₄₁ 、R₄₂ 及R₄₃ 中所舉出之烷基；甲氧基、乙氧基、羥基乙氧基、丙氧基、羥基丙氧基及丁氧基等烷氧基；苯基等芳基。

作為由X₄ 表示之-CONR₆₄ -（R₆₄ 表示氫原子或烷基）中之R₆₄ 的烷基，可舉出可以含有取代基之甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、己基、2-乙基己基、辛基及十二烷基等碳數20以下的烷基，碳數8以下的烷基為更佳。

作為X₄ ，單鍵、-COO-或-CONH-為較佳，單鍵或-COO-為更佳。

作為L₄ 中之伸烷基，可以含有取代基之亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基及伸辛基等碳數1～8的伸烷基為較佳。

作為Ar₄ ，可以含有取代基之碳數6～18的芳香環基為較佳，苯環基、萘環基或伸聯苯（biphenylene）環基為更佳。

通式（I）所表示之重複單元具備羥基苯乙烯結構為較佳。亦即，Ar₄ 係苯環基為較佳。

含有酚性羥基之重複單元的含量相對於樹脂P中的所有重複單元，係0～50莫耳%為較佳，0～45莫耳%為更佳，0～40莫耳%為進一步較佳。

···含有具有極性基之有機基之重複單元 樹脂P可以進一步包含含有具有極性基之有機基之重複單元、尤其具有經極性基取代之脂環烴結構之重複單元。藉此，基板密接性、顯影液親和性得到提高。 作為經極性基取代之脂環烴結構，金剛烷基、鑽石烷基或降莰烷基為較佳。作為極性基，羥基或氰基為較佳。

當樹脂P包含含有具有極性基之有機基之重複單元時，其含量相對於樹脂P中的所有重複單元，係1～50莫耳%為較佳，1～30莫耳%為更佳，5～25莫耳%為進一步較佳，5～20莫耳%為特佳。

···通式（VI）所表示之重複單元 樹脂P可以含有下述通式（VI）所表示之重複單元。

[化4]

通式（VI）中， R₆₁ 、R₆₂ 及R₆₃ 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧羰基。其中，R₆₂ 可以與Ar₆ 鍵結而形成環，此時的R₆₂ 表示單鍵或伸烷基。 X₆ 表示單鍵、-COO-或-CONR₆₄ -。R₆₄ 表示氫原子或烷基。 L₆ 表示單鍵或伸烷基。 Ar₆ 表示（n+1）價的芳香環基，當與R₆₂ 鍵結而形成環時表示（n+2）價的芳香環基。 N≥2時，Y₂ 分別獨立地表示因氫原子或酸的作用而脫離之基團。其中，Y₂ 中的至少1個表示藉由酸的作用而脫離之基團。 n表示1～4的整數。

作為藉由酸的作用而脫離之基團Y₂ ，由下述通式（VI-A）所表示之結構為較佳。

[化5]

L₁ 及L₂ 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或組合伸烷基及芳基之基團。 M表示單鍵或2價的連接基。 Q表示烷基、可以包含雜原子之環烷基、可以包含雜原子之芳基、胺基、銨基、巰基、氰基或醛基。 Q、M、L₁ 中的至少2個可以鍵結而形成環（較佳為5員或6員環）。

由上述通式（VI）所表示之重複單元係由下述通式（3）所表示之重複單元為較佳。

[化6]

通式（3）中， Ar₃ 表示芳香環基。 R₃ 表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、醯基或雜環基。 M₃ 表示單鍵或2價的連接基。 Q₃ 表示烷基、環烷基、芳基或雜環基。 Q₃ 、M₃ 及R₃ 中的至少2個可以鍵結而形成環。

Ar₃ 所表示之芳香環基與上述通式（VI）中之n為1時的上述通式（VI）中之Ar₆ 相同，伸苯基或伸萘基為較佳，伸苯基為更佳。

··在側鏈上含有矽原子之重複單元 樹脂P可以進一步含有在側鏈上具有矽原子之重複單元。含有矽原子之重複單元，例如可舉出含有矽原子之（甲基）丙烯酸酯系重複單元及含有矽原子之乙烯基系重複單元等。在側鏈上含有矽原子之重複單元典型地為含有在側鏈上含有矽原子之基團之重複單元，作為含有矽原子之基團，例如可舉出三甲基矽基、三乙基矽基、三苯基矽基、三環己基矽基、三(三甲基矽氧基矽基)、三(三甲基矽基矽基)、甲基雙三甲基矽基矽基、甲基雙三甲基矽氧基矽基、二甲基三甲基矽基矽基、二甲基三甲基矽氧基矽基及如下述的環狀或直鏈狀聚矽氧烷或者籠型或梯型或無規型倍半矽氧烷結構等。式中，R及R¹ 分別獨立地表示1價的取代基。*表示鍵結鍵。

[化7]

作為含有上述基團之重複單元，例如來自於含有上述基團之丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物之重複單元或者來自於含有上述基團和乙烯基之化合物之重複單元為較佳。

當樹脂P含有上述在側鏈上含有矽原子之重複單元時，其含量相對於樹脂P中的所有重複單元，係1～30莫耳%為較佳，5～25莫耳%為更佳，5～20莫耳%為進一步較佳。

作為基於GPC（Gel permeation chromatography，凝膠滲透色譜法）法之聚苯乙烯換算值，樹脂P的重量平均分子量為1,000～200,000為較佳，3,000～20,000為更佳，5,000～15,000為進一步較佳。若將重量平均分子量設為1,000～200,000，則防止耐熱性及乾式蝕刻耐性的劣化，並且防止顯影性劣化或黏度變高而製膜性劣化。

分散度（分子量分佈）通常係1～5，1～3為較佳，1.2～3.0為更佳，1.2～2.0為進一步較佳。

關於藥液中所包含之其他成分（例如酸產生劑、鹼性化合物、淬滅劑（quencher）、疏水性樹脂、界面活性劑及溶劑等），均能夠使用公知的成分。

（高沸點有機成分） 藥液含有沸點為250℃以上之高沸點有機成分亦為較佳。另外，其中，高沸點有機成分係指相對於上述藥液的總質量以10000質量ppm以下的含量含有之有機化合物。亦即，本說明書中，相對於上述藥液的總質量以10000質量ppm以下的含量含有之沸點為250℃以上之有機化合物相當於高沸點有機成分，而並不相當於上述之有機溶劑等。 另外，高沸點有機成分的沸點係指常壓下的沸點。 藥液含有高沸點有機成分之情況下，其含量相對於藥液的質量為0.01～500000質量ppt為較佳，0.1～100000質量ppt為更佳，0.1～20000質量ppt為進一步較佳。 尤其，若高沸點有機成分的含量為0.1質量ppt以上，則被認為是容易成為高沸點有機成分以含有微量的金屬成分之形式締合而容易去除之形態，並且將藥液用於半導體製造步驟時能夠抑制高沸點有機成分作為殘渣殘存於被處理物上。此外，若高沸點有機成分的含量為0.1質量ppt以上，則被認為是藥液與金屬（本發明的構件等）接觸時能夠抑制金屬溶出到藥液。 又，若高沸點有機成分的含量為100000質量ppt以下，則被認為是將藥液用於半導體製造步驟時容易抑制過剩地存在之高沸點有機成分作為殘渣而殘存於被處理物上。 另外，能夠由GC/MS（氣相層析法質量分析）法測量藥液中的高沸點有機成分的含量。

（水系藥液） 水系藥液相對於水系藥液所含有之溶劑的總質量含有超過50質量%的水，51～100質量%為較佳，51～95質量%為較佳。 上述水並不受特別限定，但使用半導體製造中所使用之超純水為較佳，使用對該超純水進一步純化而減少了無機陰離子及金屬離子等之水為更佳。

·鹼性顯影液 水系藥液例如為鹼性顯影液為較佳。 作為鹼性顯影液的pH，在25℃中，10以上為較佳，12以上為更佳，13以上為進一步較佳。

··有機鹼性化合物 鹼性顯影液含有有機鹼性化合物為較佳，四級氫氧化銨鹽或胺化合物為更佳，四級氫氧化銨鹽為進一步較佳。 鹼性顯影液中有機鹼性化合物的含量相對於水系藥液的總質量為0.5～10質量%為較佳，2～5質量%為更佳。

···四級氫氧化銨鹽 作為四級氫氧化銨鹽，例如可舉出由下述式（a1）所表示之化合物。

[化8]

上述式（a1）中，R^a1 ～R^a4 分別獨立地表示碳數1～16的烷基、碳數6～16的芳基、碳數7～16的芳烷基或碳數1～16的羥基烷基。R^a1 ～R^a4 中的至少2個可彼此鍵結而形成環狀結構，尤其，R^a1 與R^a2 的組合及R^a3 與R^a4 的組合中的至少一個可以彼此鍵結而形成環狀結構。

由上述式（a1）所表示之化合物的中，從容易獲得的觀點考慮，選自包括氫氧化四甲銨、苄基三甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化甲基三丙基銨、氫氧化甲基三丁基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化二甲基二乙基銨、氫氧化十六烷基三甲基銨、氫氧化（2-羥基乙基）三甲基銨及氫氧化螺-（1,1’）-聯吡咯啶鎓之群組之至少1種為較佳。

·其他成分 水系藥液（包含鹼性顯影液）亦可以含有除了如上述的有機鹼性化合物以外的其他成分。作為其他成分，可舉出金屬成分（有機溶劑系藥液中與上述者相同且較佳的含量亦相同）、氧化劑、作為水系藥液的除了上述成分以外的無機酸、作為水系藥液的除了上述成分以外的耐蝕劑、界面活性劑、有機溶劑及高沸點有機成分（有機溶劑系藥液中與上述者相同且較佳的含量亦相同）等。

＜惰性氣體＞ 在本發明的構件的空隙部（尤其本發明的藥液收容體中的容器內的空隙部）中填充有惰性氣體亦為較佳。 上述空隙部例如係指在藥液收容體未由容器中的藥液填滿的間隙的空間。 上述惰性氣體例如為水分和/或油分等雜質被分離而純化之以高純度含有穩定的氣體之氣體。 更具體而言，上述惰性氣體係指以95體積%以上的純度含有穩定的氣體（稀有氣體（氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣）和/或氮氣等）之氣體。上述純度為99.9體積%以上為較佳，99.999體積%以上為更佳，超過99.9999體積%為進一步較佳。上限並無特別限制，例如為99.99999體積%。 又，藥液收容體的空隙部中存在在上述純度的範圍內上述穩定之氣體為較佳。

藥液收容體的容器內的空隙率（空隙部所佔之體積）為2～80體積%為較佳，2～50體積%為更佳，5～30體積%為進一步較佳。 另外，上述空隙率按照式（1）來進行計算。 式（1）：空隙率=｛1-（容器內的藥液的體積/容器的容器體積）｝×100 上述容器體積的含義與容器的內容積（容量）相同。 若空隙率一定程度減小，則存在於空隙之空氣較小，因此使空氣中的有機化合物等混入藥液之量降低，因此容易使收容之藥液的組成穩定。 若空隙率為2體積%以上，則由於具有適當的空間，藥液的處理變得容易。

[製造裝置] 本發明的實施形態之製造裝置為藥液的製造裝置，例如具備接液部中的至少一部分為特定構件之由反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽及管路構成之群組中的至少1個。 作為上述製造裝置的例，可舉出用於使原料反應而得到作為反應物之藥液的製造裝置亦即反應裝置及用於使被純化物純化而得到作為純化物之藥液的製造裝置亦即純化裝置。 另外，組合上述反應裝置與上述純化裝置而使用亦為較佳，例如將使用上述反應裝置來得到之作為反應物之藥液作為被純化物，使用上述純化裝置，亦可以得到作為純化物之藥液。 另外，將藥液（例如作為反應物之藥液）作為被純化物之情況下，“作為純化物之藥液”通常係指使“被作為純化物之藥液（例如作為反應物之藥液）”更高純度化之藥液。 依據使用本發明的藥液之製造方法之製造裝置，可得到殘渣缺陷抑制性及橋接缺陷抑制性優異之藥液。又，製造的步驟中實施過濾之情況下，亦能夠使所使用之過濾器的壽命變長。

以下，對使用藥液的製造裝置的一形態亦即製造裝置（純化裝置30）來製造（純化）藥液之方法進行說明。 圖2所示之藥液的純化裝置30具備製造槽31、過濾器單元32及填充裝置34（以下，亦將它們分別稱為“單元”。），它們分別藉由管路33而連結。管路33具備泵35、閥36及37，且形成為：能夠藉由運行或打開/關閉它們來在各單元之間轉移純化裝置30內部的被純化物或藥液。

過濾器單元32具備過濾器殼體和容納於過濾器殼體中之過濾器。關於過濾器，並無特別限制，能夠使用作為用於純化藥液者而公知的深層過濾器及篩濾機（screen filter）等。另外，亦可以為具備褶襉之過濾器。過濾器的材質的較佳形態將在後面進行敘述。 儲存槽31儲存藥液。儲存槽例如在後述之純化步驟或反應步驟的中途過程臨時儲存藥液（包含純化前或純化中途的藥液（被純化物等））時所使用。

圖2的藥液的純化裝置30具備1個過濾器單元32，但是並不限定於此，亦可以具備複數個過濾器單元，關於其排列，可以與管路串聯，亦可以與管路並聯，還可以同時使用該些排列。

填充裝置34具有將藥液填充於容器中之功能。作為其形態，並無特別限制，能夠使用公知的填充裝置。

藥液的製造裝置30中，儲存槽31的接液部由特定構件構成，過濾器單元32的接液部由特定構件構成，管路33的接液部由特定構件構成。亦即，儲存槽31、過濾器單元32及管路33的各自的接液部由特定構件構成。另外，關於過濾器單元32，過濾器外殼的接液部由上述特定構件構成。 另外，上述對儲存槽、過濾器單元（尤其，過濾器外殼）及管路的各自的接液部的整個表面由特定構件構成之樣態進行了敘述，但是並不限定於該樣態。例如，儲存槽的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。又，過濾器單元（尤其，過濾器外殼）的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。又，管路的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。 如上所述，選自包括儲存槽、過濾器單元及管路之群組中之至少1個結構體的接液部的至少一部分由特定構件構成即可。其中，上述結構體的接液部的整個表面積的70%以上由特定構件構成為較佳，接液部的整個表面積的80%以上由特定構件構成為更佳，接液部的整個表面積的90%以上由特定構件構成為進一步較佳，接液部的整個表面由特定構件構成為特佳。

關於過濾器單元的接液部，使用圖3～圖5進行說明。 圖3係去除過濾器單元所具備之典型過濾器的局部而得之立體圖。關於過濾器40，圓筒狀過濾材料41和支撐該過濾器41之圓筒狀芯部42配置於圓筒狀過濾材料的內側。圓筒狀芯部42形成為網格狀，以使液體能夠容易地通過。過濾材料41與芯部42為同心圓狀。又，在圓筒狀過濾材料41和芯部42的上部配置有罩體43，以免液體自上部侵襲。又，在過濾材料41和芯部42的下部配置有用於自芯部42的內側提取液體之液體出口44。

由於流入到過濾器40之液體（被純化物）受到罩體43的妨礙，因此通過過濾材料41、芯部42，並流入到芯部42的內側，藉此自液體出口44流出到過濾器40的外部。 另外，過濾器40中，在過濾材料41的內側配置有芯部42，但是作為過濾器，並不限制於上述形態，在過濾材料41的外側可以具有保護器（Protector）（形態與芯部42相同，但是半徑不同）。

圖4係本發明的過濾器單元所具備之殼體50的立體圖，圖5係上述殼體的局部剖面圖。殼體50由蓋51和主體52構成，且能夠使蓋51與主體52嵌合。若蓋51與主體52嵌合，則在內部形成空穴L，藉此能夠在空穴L中容納過濾器40。

殼體50具有液體流入口53和液體流出口54，過濾器40的液體出口44與殼體的液體流出口54藉由設置於蓋51的內部之內部管路55而連接。被純化物的流向由F₁ 表示。自液體流入口53流入之被純化物經由設置於蓋51內部之內部管路56，流入到主體52內部，並自過濾器40的外側表面通過過濾材料及芯部而流入到芯部內側，在該過程中被純化。 流入到芯部的內側之純化後的液體自過濾器40的液體出口經由內部管路55，並自液體流出口54提取到殼體50外（依據圖2中由F₂ 表示之流向）。

在圖4及圖5中，液體流入口53及液體流出口54配置於殼體50的蓋51上，但是作為本發明的實施形態之過濾器單元所具備之殼體，並不限制於此，液體流入口53及液體流出口54能夠配置於殼體50的任意位置上。此時，液體流入口53可以以使被純化物自過濾器40的外側流入到過濾器40之方式配置，液體流出口54可以以自過濾器40的芯部的內側提取純化後的被純化物之方式配置。

在上述典型的過濾器單元中，所謂“過濾器單元的接液部”，係除過濾其40以外的部分，且係指與被純化物相接觸之部位。具體而言為外殼50的內壁面及液體出口44等。 另外，關於構件的形態，如上說明。

以下，對使用藥液的製造裝置（純化裝置30）來製造（純化）藥液之方法進行說明。作為使用純化裝置對藥液進行純化之方法，並無特別限制，但是具有使用過濾器單元所具備之過濾器對被純化物進行過濾之製程（純化製程）為較佳。

＜純化製程＞ 被純化物首先儲存於儲存槽31。 儲存槽的形狀及容量並無特別限制，能夠依據所製造之藥液的量和/或種類等而適當變更。 另外，儲存槽還可以具備攪拌被收容之被純化物等之攪拌葉片等，但是在該情形下，上述攪拌葉片等接液部亦藉由特定構件形成為較佳。

若打開閥36，則收容於儲存槽31中之被純化物藉由泵35沿F₁ 方向在管路33中移動，並導入至過濾器單元32。導入至過濾器單元32中之被純化物藉由通過過濾器40所具備之過濾材料41而被純化。以下，對過濾器單元所具備之過濾器的較佳形態進行說明。

･過濾器 作為過濾器所具備之過濾材料，並無特別限制，能夠使用公知的過濾材料，其形態亦可以為深層過濾器及篩濾機中的任一種且亦可以具有褶襉。 作為過濾材料的材料，選自包括尼龍、聚乙烯（包含高密度及高分子量者）、聚丙烯（包含高密度及高分子量者）、多氟烴（Polyfluorocarbon）（例如，聚四氟乙烯：PTFE等）、纖維素、矽藻土、聚苯乙烯及玻璃之群組中之至少1種為較佳。

在純化裝置具備2個以上的過濾器單元之情形下，各過濾器單元所具備之過濾器的過濾材料分別由疏水性材料及親水性材料形成為較佳。另外，在本說明書中，所謂疏水性材料，係指過濾材料表面在25℃下的水接觸見方為45°以上，所謂親水性材料，係指過濾材料表面在25℃下的水接觸見方小於45°。

在使用2個以上的過濾器單元之情形下，被純化物最後通過之過濾器具備包含由親水性材料形成之過濾材料之過濾器（以下，亦稱為“親水性過濾器”。）為較佳。親水性過濾器與被純化物所含有之雜質、尤其係與金屬成分的相互作用更強，並更容易吸附上述者。因此，變得容易將純化後的被純化物中的金屬粒子及金屬離子的含量控制在所希望的範圍內。

在使用2個以上的過濾器單元之情形下，作為通過各過濾器單元前後的差壓(以下，亦稱為“過濾差壓”。)，並無特別限制，但是250 kPa以下為較佳，200 kPa以下為較佳。作為下限，並無特別限制，但是50 kPa以上為較佳。若過濾差壓為250 kPa以下，則能夠防止對過濾器施加過大的壓力，因此能夠減少溶出物。

各過濾材料的孔徑之間的關係並無特別限制，但是不同為較佳。與被純化物首先通過之過濾器（以下，亦稱為“第1過濾器”。）所具備之過濾材料（以下，亦稱為“第1過濾材料”。）的孔徑相比，被純化物在其之後通過之過濾器（以下，亦稱為“第2過濾器”。）所具備之過濾材料（以下，亦稱為“第2過濾材料”。）的孔徑相同或小為較佳。另外，本說明書中，所謂過濾材料的孔徑，能夠參閱過濾器製造商的標稱值。作為市售的過濾器，例如能夠選自Nihon Pall Ltd.、Toyo Roshi Kaisha， Ltd.、Nihon Entegris K.K.（原Nippon Mykrolis Corporation）或KITZ MICRO FILTER CORPORATION等所提供之各種過濾器中。又，還能夠使用聚醯胺製的“P-尼龍過濾器（孔徑為0.02 μm，臨界表面張力為77 mN/m）”；（Nihon Pall Ltd.製）、高密度聚乙烯製的“PE･Kleen過濾器（孔徑為0.02 μm）”；（Nihon Pall Ltd.製）及高密度聚乙烯製的“PE･Kleen過濾器（孔徑為0.01 μm）”；（Nihon Pall Ltd.製）。

在使用第2過濾材料的孔徑小於第1過濾材料者之情形下，第2過濾材料的孔徑與第1過濾材料的孔徑之比（第2過濾材料的孔徑/第1過濾材料的孔徑）係0.01～0.99為較佳，0.1～0.9為更佳，0.2～0.9為進一步較佳。藉由將第2過濾材的孔徑設為上述範圍，則混入藥液之微細的異物更確實地被去除。

藥液含有有機溶劑之情況下，就保管所純化之藥液時，抑制藥液中的金屬粒子及金屬離子的增加之觀點而言，藥液與過濾材料的材料之間的關係為滿足設為自過濾材料的材料導出之漢森溶解度參數空間中的相互作用半徑（R0）及自藥液中所含有之有機溶劑導出之漢森空間的球體半徑（Ra）時的Ra與R0之間的關係式（Ra/R0）≤1之組合，且利用滿足該些關係式之過濾器材質被純化之藥液為較佳。（Ra/R0）≤0.98為較佳，（Ra/R0）≤0.95為更佳。作為下限，0.5以上為較佳，0.6以上為更佳，0.7為進一步較佳。雖然機制尚不明確，但是若在該範圍內，則可抑制長期保管時的藥液中的金屬粒子及金屬離子含量的增加。 作為該些過濾材料及有機溶劑的組合，並無特別限定，但是可舉出美國US2016/0089622號公報者。

由於過濾壓力會對過濾精度有所影響，因此過濾時的壓力的脈動盡可能少者為較佳。

過濾速度並無特別限定，但是就可獲得具有更加優異之本發明的效果之藥液之觀點而言，1.0 L/分鐘/m² 以上為較佳，0.75 L/分鐘/m² 以上為更佳，0.6 L/分鐘/m² 以上為進一步較佳。 在過濾器中設定有保障過濾器性能（過濾器不受損）之耐差壓，該值大時，能夠藉由提高過濾壓力來提高過濾速度。亦即，上述過濾速度上限通常依賴於過濾器的耐差壓，但通常係10.0 L/分鐘/m² 以下為較佳。另一方面，能夠藉由降低過濾壓力來有效地降低溶解於藥液中之粒子狀異物或雜質的量，能夠依據目的來調節壓力。

從得到具有更優異之本發明的效果之藥液之觀點考慮，過濾壓力為0.001～1.0 MPa為較佳，0.01～0.4 MPa為更佳，0.05～0.2 MPa為進一步較佳。尤其，在使用孔徑小的過濾材料之情形下，能夠藉由降低過濾的壓力來有效地降低溶解於藥液中之粒子狀異物或雜質的量。在使用孔徑小於20 nm之過濾材料之情形下，過濾的壓力係0.05～0.2 MPa為尤佳。

又，若過濾材料的孔徑變小，則過濾速度下降。但是，藉由並聯連接複數個相同種類的過濾器，過濾面積增大且過濾壓力下降，藉此能夠補償過濾速度的下降。

純化製程具有以下各製程為更佳。另外，純化製程可以具有1次以下各製程，亦可以具有複數次。又，以下各製程的順序並無特別限制。 1.粒子去除製程 2.金屬離子去除製程 3.有機雜質去除製程 以下，對上述製程分別進行說明。

（粒子去除製程） 純化製程可以具有粒子去除製程。粒子去除製程為使用粒子去除過濾器來去除含有有機溶劑之藥液中的粒子之製程。 作為粒子去除過濾器的形態，並無特別限制，但是例如可舉出具備孔徑為20 nm以下的過濾材料之過濾器。 另外，作為過濾材料的孔徑，1～15 nm為較佳，1～12 nm為更佳。若孔徑為15 nm以下，則能夠去除更加微細的粒子，若孔徑為1 nm以上，則過濾效率得到提高。 作為粒子去除過濾器所具備之過濾材料的材料，例如可舉出6-尼龍及6、6-尼龍等尼龍、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺以及多氟烴等。 聚醯亞胺和/或聚醯胺醯亞胺可以具有選自包括羧基、鹽型羧基及-NH-鍵之群組中之至少1個。關於耐溶劑性，多氟烴、聚醯亞胺和/或聚醯胺醯亞胺優異。又，就吸附金屬離子之觀點而言，6-尼龍及6、6-尼龍等尼龍為尤佳。

在純化製程具有粒子去除製程之情形下，可以使用複數個粒子去除過濾器。在使用複數個粒子去除過濾器之情形下，進而，作為其中1個過濾器，具備孔徑為50 nm以上的過濾材料（例如，孔徑為50 nm以上的微粒去除用微量濾膜（microfiltration membrane））之過濾器為較佳。在含有有機溶劑之藥液中存在經膠體化之雜質等微粒之情形下，在使用具備孔徑為20 nm以下的過濾材料之過濾器（例如，孔徑為20 nm以下的微量濾膜）進行過濾之前，使用具備孔徑為50 nm以上的過濾材料之過濾器（例如，孔徑為50 nm以上的微粒去除用微量濾膜）實施含有有機溶劑之藥液的過濾，藉此具備孔徑為20 nm以下的過濾材料之過濾器（例如，孔徑為20 nm以下的微量濾膜）的過濾效率得到提高，從而粒子的去除性能得到進一步提高。

（金屬離子去除製程） 純化製程可以具有金屬離子去除製程。金屬離子去除製程係使含有有機溶劑之藥液通過金屬離子吸附過濾器之製程為較佳。 作為金屬離子吸附過濾器，並無特別限制，可舉出公知的金屬離子吸附過濾器。 其中，作為金屬離子吸附過濾器，能夠進行離子交換之過濾器為較佳。在此，關於成為吸附對象之金屬離子，可舉出含有特定金屬之離子及含有除此以外的金屬之離子。關於金屬離子吸附過濾器所具備之過濾材料，就金屬離子的吸附性能得到提高之觀點而言，在表面含有酸基為較佳。作為酸基，可舉出磺酸基及羧基等。 作為金屬離子吸附過濾器所具備之過濾材料的材料，可舉出纖維素、矽藻土、尼龍、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯及多氟烴等。就吸附金屬離子之效率的觀點而言，尼龍為尤佳。

（有機雜質去除製程） 純化製程可以具有有機雜質去除製程。作為有機雜質去除製程，使含有有機溶劑之藥液通過有機雜質吸附過濾器之製程為較佳。 作為有機雜質吸附過濾器，並無特別限制，可舉出公知的有機雜質吸附過濾器。 作為有機雜質吸附過濾器所具備之過濾材料，就有機雜質的吸附性能得到提高之觀點而言，在表面具有能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架（換言之，藉由能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架修飾表面）為較佳。作為能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架，例如可舉出如藉由與有機雜質進行反應而能夠將有機雜質捕獲到有機雜質吸附過濾器之化學結構。更具體而言，在被純化物含有正長鏈烷基醇（將1-長鏈烷基醇用作有機溶劑時的結構異構體）來作為有機雜質之情形下，可舉出烷基來作為有機物骨架。又，在被純化物含有二丁基羥基甲苯（BHT）來作為有機雜質之情形下，可舉出苯基來作為有機物骨架。 作為有機雜質吸附過濾器所具備之過濾材料的材料，可舉出載持有活性碳之纖維素、矽藻土、尼龍、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯及多氟烴等。 又，對於有機雜質吸附過濾器，還能夠使用日本特開2002-273123號公報及日本特開2013-150979號公報中所記載之活性碳黏著在不織佈上之過濾器。

作為有機雜質吸附過濾器，除了上述所示之化學吸附（使用了在表面具有能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架之有機雜質吸附過濾器之吸附）以外，還能夠應用物理吸附方法。 例如，在被純化物含有BHT來作為有機雜質之情形下，BHT的結構大於10埃（=1 nm）。因此，藉由使用具備孔徑為1 nm的過濾材料之有機雜質吸附過濾器，BHT無法通過過濾材料的孔。亦即，BHT藉由過濾器以物理的方式被捕獲，因此將其自含有有機溶劑之藥液中去除。如此，關於有機雜質的去除，不僅能夠應用化學性相互作用，還能夠應用物理性去除方法。其中，在該情形下，將具備3 nm以上的孔徑的過濾材料之過濾器用作“粒子去除過濾器”，將具備小於3 nm之孔徑的過濾材料之過濾器用作“有機雜質吸附過濾器”。

（清洗製程：清洗過濾器之製程） 本發明的實施形態之藥液的純化方法還具有清洗過濾器之製程為較佳。作為清洗過濾器之方法，並無特別限制，但是可舉出將過濾器浸漬於清洗液中，使清洗液通過過濾器及組合它們之方法。 藉由清洗過濾器，變得容易控制自過濾器萃取之成分的量，以便滿足上述試驗液之各要件，作為結果，可獲得具有更加優異之本發明的效果之藥液。

作為清洗液，並無特別限制，能夠使用公知的清洗液。作為清洗液，並無特別限制，可舉出水及有機溶劑等。作為有機溶劑，可以為藥液能夠含有之有機溶劑、例如伸烷基二醇單烷基醚羧酸酯、伸烷基二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、環狀內酯（較佳為碳數4～10）、可以具有環之單酮化合物（較佳為碳數4～10）、伸烷基碳酸酯、烷氧基乙酸烷基酯及丙酮酸烷基酯等。

更具體而言，作為清洗液，例如可舉出丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、二甲基亞碸、N-甲基吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、環丁碸、環己烷、環己酮、環庚酮、環戊酮、2-庚酮及γ-丁內酯以及它們的混合物等。

通過過濾器單元而被純化之經純化之被純化物，藉由打開閥37並使泵35運行，向F₂ 及F₃ 方向流動，並在填充裝置34中作為藥液而收容於容器中。 又，藉由閥37的操作，可以自F₂ 流向F₄ 方向，並使經純化之被純化物再次循環到儲存槽31。在該情形下，能夠再次利用過濾器單元來對經純化之被純化物進行純化，從而可獲得具有更加優異之缺陷抑制性能之藥液。 填充裝置34的接液部並無特別限制，但是接液部中的至少一部分(較佳為接液部的整個表面面積的70%以上，更佳為接液部的整個表面面積的80%以上，進一步較佳為接液部的整個表面面積的90%以上，特佳為接液部的整個表面)為本發明的構件為較佳。

[製造裝置的其他實施形態] 使用圖6對藥液的製造裝置的其他實施形態進行說明。製造裝置（純化裝置70）為蒸餾塔71通過管路73來與圖2的純化裝置30的儲存槽31連結之純化裝置。 在純化裝置70中，被純化物經由管路72而自蒸餾塔71的下部導入至蒸餾塔71內部。導入至蒸餾塔71內部之被純化物被蒸餾，經蒸餾之被純化物向F₀ 方向流動並被導入至儲存槽31中。關於其之後的純化製程，如上說明。

藥液的純化裝置70中，蒸餾塔71的接液部由特定構件構成，管路73的接液部由特定構件構成，儲存槽31的接液部由特定構件構成，過濾器單元32的接液部由特定構件構成，管路33的接液部由特定構件構成。亦即，蒸餾塔71、管路73、儲存槽31、過濾器單元32及管路33的各自的接液部由特定構件構成。另外，關於過濾器單元32，過濾器外殼的接液部由上述特定構件構成。 另外，上述對蒸餾塔、儲存槽、過濾器單元（尤其，過濾器外殼）及管路的各自的接液部的整個表面由特定構件之樣態進行了敘述，但是並不限定於該樣態。例如，蒸餾塔的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。儲存槽的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。又，過濾器單元（尤其，過濾器外殼）的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。又，管路的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。 如上所述，選自包括蒸餾塔、儲存槽、過濾器單元及管路之群組中之至少1個結構體的接液部的至少一部分由特定構件構成即可。其中，上述結構體的接液部的整個表面積的70%以上由特定構件構成為較佳，接液部的整個表面積的80%以上由特定構件構成為更佳，接液部的整個表面積的90%以上由特定構件構成為進一步較佳，接液部的整個表面由特定構件構成為特佳。

作為使用上述實施形態之藥液的製造裝置來純化藥液之方法，除了已進行說明之藥液的純化方法以外，亦可以具有使用蒸餾塔來蒸餾被純化物之蒸餾步驟，亦可以省略僅具有蒸餾步驟來使用過濾器單元之純化方法。 使用本發明的實施形態之製造裝置的圖7進行說明。圖7表示藥液的製造裝置的示意圖。關於藥液的製造裝置80，藉由具備閥83之管路72，在圖6中已進行說明之純化裝置70的蒸餾塔71連接有具有原料投入部82之反應槽81（亦將它們統稱為“反應部”。）。另外，圖7的藥液的製造裝置具有蒸餾塔71，但是作為製造裝置，並不限制於此，可以不具有蒸餾塔71。在該情形下，例如可舉出如下形態：藉由具備閥83之管路72，連接圖2中所示之純化裝置30的儲存槽31與具備原料投入部82之反應槽81。 又，製造裝置80亦可以具備用於在反應部之前或中途儲存用於進行反應來得到作為反應物之藥液之原料之儲存槽。另外，用於儲存原料之儲存槽所儲存之原料不僅係指起始物而且亦係指製造過程的中間物質。這樣的儲存槽的接液部的一部分（較佳為接液部的整個表面積的70%以上，更佳為接液部的整個表面積的80%以上，進一步較佳為接液部的整個表面積的90%以上，特佳為接液部的整個表面）亦可以由特定構件構成。

反應部具有如下功能：使由原料投入部82供給之原材料（依據需要，在觸媒的存在下）在反應槽81中進行反應而獲得含有有機溶劑之反應物。 作為反應槽81及原料投入部82的接液部並無特別限制，但是接液部中的至少一部分由特定構件構成為較佳。

藥液的製造裝置80中，反應槽81的接液部由特定構件構成，管路72的接液部由特定構件構成，蒸餾塔71的接液部由特定構件構成，管路73的接液部由特定構件構成，儲存槽31的接液部由特定構件構成，過濾器單元32的接液部由特定構件構成，管路33的接液部由特定構件構成。亦即，反應槽81、管路72、蒸餾塔71、管路73、儲存槽31、過濾器單元32及管路33的各自的接液部由特定構件構成。另外，關於過濾器單元32，過濾器外殼的接液部由上述特定構件構成。 另外，上述中對反應槽、蒸餾塔、儲存槽、過濾器單元（尤其，過濾器外殼）及管路的各自的接液部的整個表面由特定構件構成之樣態進行了敘述，但是並不限定於該樣態。例如，反應槽的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。蒸餾塔的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。儲存槽的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。又，過濾器單元（尤其，過濾器外殼）的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。又，管路的接液部的一部分亦可以由特定構件構成。 如上所述，選自包括反應槽、蒸餾塔、儲存槽、過濾器單元及管路之群組中之至少1個結構體的接液部的至少一部分由特定構件構成即可。其中，上述結構體的接液部的整個表面積的70%以上由特定構件構成為較佳，接液部的整個表面積的80%以上由特定構件構成為更佳，接液部的整個表面積的90%以上由特定構件構成為進一步較佳，接液部的整個表面由特定構件構成為特佳。

＜藥液之製造方法＞ 使用接液部中的至少一部分為特定構件且具備由反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽及管路構成之群組中的至少1個之藥液的製造裝置來製造藥液為較佳。關於藥液的製造裝置為如上所述。所製造之藥液能夠相同地例示作為上述藥液收容體所收容之液而舉出之例子。 作為使用上述製造裝置製造藥液之方法，並無特別限制，但是具有以下製程為較佳。 ･反應製程 ･純化製程 其中，純化製程與已進行說明之形態相同，因此省略說明，並在以下對反應製程進行說明。

反應製程係使原料進行反應而獲得反應物之製程。 作為反應物，並無特別限制，但是例如可舉出含有上述有機溶劑之被純化物。亦即，可舉出為了獲得含有有機溶劑之被純化物而合成有機溶劑之製程。 作為獲得反應物之方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法。例如，可舉出在觸媒的存在下，使1種或複數種原料進行反應而獲得反應物之方法。 更具體而言，例如可舉出：在硫酸的存在下使乙酸與正丁醇進行反應而獲得乙酸丁酯之製程；在Al(C₂ H₅ )₃ 的存在下使乙烯、氧及水進行反應而獲得1-己醇之製程；在Ipc2BH（二異松蒎烯基磞烷：Diisopinocampheylborane）的存在下使順式-4-甲基-2-戊烯進行反應而獲得4-甲基-2-戊醇之製程；在硫酸的存在下使環氧丙烷、甲醇及乙酸進行反應而獲得PGMEA（丙二醇1-單甲醚2-乙酸酯）之製程；在氧化銅-氧化鋅-氧化鋁的存在下使丙酮及氫進行反應而獲得IPA（isopropyl alcohol：異丙醇）之製程；以及使乳酸及乙醇進行反應而獲得乳酸乙酯之製程等。 [實施例]

以下，基於實施例對本發明進行進一步詳細的說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理步驟等，只要不脫離本發明的主旨便能夠適當地變更。從而，本發明的範圍不應被以下所示之實施例限定地解釋。

又，在製備實施例及比較例的藥液時，容器的處理、藥液的製備、填充、保管及分析測量全部在滿足ISO等級2或1之無塵室中進行。為了提高測量精度，有機化合物的含量的測量及金屬成分的含量的測量中，由通常的測量進行檢測極限以下的成分的測量時，濃縮藥液來進行測量，換算成濃縮前的溶液的濃度來算出含量。 無特別記載之情況下，供於試驗之設備等中事前未實施充分的洗淨處理。

《實施例X》 [容器] [容器的準備] 在後段的表1中所示之條件下，對由SUS304、SUS316或SUS316L構成之容器進行了表面處理。具體而言，實施了表1中的前處理之後，依據需要進行電解研磨，進而實施了後處理1和/或後處理2。

另外，電解研磨中所使用之電解液為85質量%磷酸:98質量%硫酸=4:3（體積比）的混合液。

又，作為後處理實施了退火或/及酸處理之情況下，其條件為如下所示。 ·退火 （800℃、1小時、含水10質量ppm之Ar環境中） 其中，實施例08中，實施了2倍的時間（2小時）的退火。 ·酸處理 （35質量%鹽酸:69質量%硝酸:50質量%氫氟酸:98質量%硫酸=5:1:1:13（體積比）、處理溫度60℃）

[表1]

[容器的測量] ＜Cr/Fe比＞ 由說明書中上述之方法測量了容器（構件）的內壁中的Cr/Fe比。另外，作為ESCA使用了Shimadzu Corporation製 ESCA-3400。 又，深度到達10nm為止，因深度的變化而引起之Cr/Fe比的變化在任意容器中消失，將深度為10nm中的Cr/Fe比設為容器的母材的Cr/Fe比。

＜表面平均粗糙度＞ 用原子力顯微鏡（AFM）Veeco製NanoScope4A進行測量來求出了所製作之容器的接液部的表面的表面平均粗糙度（Ra）。

[試驗] 實施了表面處理之各容器中收容以下所示之藥液，設為藥液收容體。 關於藥液，在容器中收容空隙率成為20體積%之量，空隙部被99.9999體積%的氮氣填滿。 藥液B～H中，均使用了以高沸點有機成分的含量相對於藥液的質量成為10000質量ppt的方式進行了純化之藥液。又，藥液A中，準備以高沸點有機成分的含量相對於藥液的質量成為0.01質量ppt的方式進行了純化之藥液，並向其添加規定量的未純化的藥液A，以藥液中的高沸點有機成分的含量成為所期望的量的方式進行了調整。 另外，濃縮藥液之後，用GC/MS（氣相層析法質量分析）法測量了藥液中的高沸點有機成分的含量。 A：PGMEA：丙二醇單甲醚乙酸酯 B：PGMEA/PGME=7:3（丙二醇單甲醚乙酸酯/丙二醇單甲醚=7/3（質量比）混合液） C：nBA（乙酸丁酯） D：環己酮 E：IPA（異丙醇） F：MIBC（4-甲基-2-戊醇） G：乳酸乙酯 H：PGMEA/PC=9:1（丙二醇單甲醚乙酸酯/碳酸伸丙酯=9/1（質量比）混合液） 鹼液：2.38質量%TMAH（氫氧化四甲銨）水溶液

＜金屬成分的含量的變化＞ 容器中填充了藥液之後，在40℃環境下保存了12個月。 保存的前後，測量藥液中的粒徑超過直徑25nm之粒子狀的Fe、Cr或Ni（特定金屬粒子）的含量，檢測因保存而引起之特定金屬粒子的含量的變化，按照下述基準進行了評價。 另外，任意藥液中保存處理前的特定金屬成分的含量為10質量ppt以下。 A：增加量為5質量ppt以下 B：增加量超過5質量ppt且10質量ppt以下 C：增加量超過10質量ppt且100質量ppt以下 D：增加量超過100質量ppt且300質量ppt以下 E：增加量超過300質量ppt

另外，藉由使用SP-ICP-MS之方法測量了藥液中的特定金屬粒子的含量。 裝置使用了以下的裝置。 ·廠商：PerkinElmer Co., Ltd. ·型式：NexION350S 解析時使用了以下的解析軟體。 ·“SP-ICP-MS”專用Syngistix 奈米應用模組 ·Syngistix for ICP-MS 軟體

＜藥液的缺陷抑制性的評價＞ 使用填充到容器之後在40℃環境下保存了12個月後的藥液來進行了以下的評價。

（殘渣缺陷抑制） 關於殘差缺陷的評價，使用日本特開2009-188333號公報中所記載的原理及0015～0067段中所記載的方法，將相當於直徑0.5～17 nm之缺陷數作為殘差缺陷來進行了檢測。亦即，藉由CVD（化學氣相沉積）法在直徑300 mm的矽晶圓（Bare-Si）基板上形成SiO_X 層，接著，以覆蓋上述層上之方式形成了藥液層。接著，使用了對具有上述SiO_X 層及塗佈於其上之藥液層之複合層進行了乾式蝕刻，而對所得到之突起物進行光照射，檢測散射光，從上述散射光計算突起物的體積，從上述突起物的體積計算了粒子的粒徑之方法。 A 缺陷數為100個/晶圓以下。 B 缺陷數超過100個/晶圓且200個/晶圓以下。 C 缺陷數超過200個/晶圓且2000個/晶圓以下。 D 缺陷數超過2000個/晶圓且10000個/晶圓以下。 E 缺陷數超過10000個/晶圓。

（色斑缺陷抑制性） 在直徑約300 mm的矽晶圓（Bare-Si）上旋轉塗佈實施例1的藥液，得到了完成藥液塗佈之晶圓。所使用之裝置為Lithius ProZ，塗佈的條件為如下所示。

·塗佈中所使用之藥液的量：各2 ml ·塗佈時的矽晶圓的轉速：2,200 rpm、60 sec

接著，使用KLA-Tencor Corporation製的晶圓檢查裝置“SP-5”及Applied Materials公司的全自動缺陷評論分類裝置“SEMVision G6”，對存在於晶圓的整個表面之19 nm以上的尺寸的缺陷中的塗佈後所增加之缺陷進行形狀觀察，將除了粒子狀以外的異物設為色斑異物。 若評價為A～C，則實用上沒有問題之等級。 A 缺陷數為1個/晶圓以下。 B 缺陷數超過1個/晶圓且10個/晶圓以下。 C 缺陷數超過10個/晶圓且100個/晶圓以下。 D 缺陷數超過100個/晶圓。

（橋接缺陷抑制性） 在使用抗蝕劑組成物之圖案形成中使用藥液，對藥液的橋接缺陷抑制性能進行了評價。 首先，對所使用之抗蝕劑組成物進行說明。

·抗蝕劑組成物 混合以下的各成分來得到了抗蝕劑組成物。

酸分解性樹脂（下述式所表示之樹脂（重量平均分子量（Mw）：7500）：各重複單元中所記載之數值表示莫耳%。）：100質量份

[化9]

下述所示之光酸產生劑：8質量份

[化10]

下述所示之淬滅劑：5質量份（質量比從左依次設為0.1:0.3:0.3:0.2。）。另外，下述淬滅劑中，聚合物類型者為質量比0.2的淬滅劑，重量平均分子量（基於Mw、GPC法之聚苯乙烯換算值）為5000。又，各重複單元中所記載之數值表示莫耳比。

[化11]

下述所示之疏水性樹脂：4質量份(質量比設為（1）:（2）=0.5:0.5。)另外，下述疏水性樹脂中，（1）式的疏水性樹脂的重量平均分子量(基於Mw、GPC法之聚苯乙烯換算值、以下相同)為7000，（2）式的疏水性樹脂的重量平均分子量(Mw)為8000。另外，在各疏水性樹脂中，各重複單元中所記載之數值表示莫耳比。

[化12]

溶劑： PGMEA（丙二醇單甲醚乙酸酯）：3質量份 環己酮：600質量份 γ-BL（γ-丁內酯）：100質量份

·試驗方法 接著對試驗方法進行說明。首先，用藥液預濕約300 mm的矽晶圓，接著，將上述抗蝕劑組成物旋轉塗佈於完成上述預濕之矽晶圓。之後，在加熱板上在150℃下進行90秒鐘加熱乾燥，形成了9 μm的厚度的抗蝕劑膜。 經由如縮小投影曝光及顯影後所形成之圖案的線寬度成為30 nm、空間寬度成為30 nm之具有線與空間圖案之遮罩，使用ArF準分子雷射掃描儀（ASML製、PAS5500/850C波長248 nm），在NA=0.60、σ=0.75的曝光條件下，對該抗蝕劑膜進行了圖案曝光。照射後，在120℃下進行60秒鐘烘烤，之後進行顯影及沖洗，在110℃下進行60秒鐘烘烤，形成了線寬度為30 nm、空間寬度為30 nm的圖案。

關於上述圖案，用測長掃描型電子顯微鏡（測長SEM、CG4600、Hitach-HighTech），以100射出成形量獲取圖案，測量圖案彼此的交聯狀的缺陷（橋接缺陷）的數，求出了每一單位面積的缺陷數。 另外，圖案彼此的交聯狀的缺陷數愈少，表示藥液愈具有更優異之橋接缺陷抑制性。另外，藉由與上述相同的方法，對其他藥液的橋接缺陷抑制性進行了評價。 另外，預濕時通常使用了實施例20的液、顯影時通常使用了實施例19-2的液、沖洗時通常使用了實施例19的液，評價對象的藥液應用於實施例表中的“製程”欄中所記載的步驟來進行了評價。 例如，實施例01中，作為預濕液使用實施例01的藥液，作為顯影液使用實施例19-2的藥液，作為沖洗液使用實施例19的藥液來形成圖案，測量了所得到之圖案的橋接缺陷的數。 其中，作為顯影液使用了鹼液（實施例25的藥液或比較例11的藥液）之情況下，將超純水作為沖洗液。

A：橋接缺陷數小於2個/cm² 。 B：橋接缺陷數為2個/cm² 以上且小於5個/cm² 。 C：橋接缺陷數為5個/cm² 以上且小於10個/cm² 。 D：橋接缺陷數為10個/cm² 以上且小於15個/cm² 。 E：橋接缺陷數為15個/cm² 以上。

表2中示出各容器的表面結構及收容之藥液。 又，表3中示出使用收容後的藥液來進行了試驗之結果。 表3中，“高沸點有機成分含量”的欄示出相對於藥液的質量之高沸點有機成分的含量（質量ppt）。

[表2]

[表3]

從表3所示之結果，確認到藉由本發明的藥液收容體，本發明的效果更優異。

又，確認到容器的表面平均粗糙度為0.1 nm以上時，藥液的缺陷抑制性更優異之傾向（實施例28與29的比較等）。 確認到容器的表面的Cr/Fe為1.1～2.5時，本發明的效果更優異之傾向（實施例08～10、18～24、26～28的結果等）。 確認到只要容器的表面使用被電解研磨之構件，則本發明的效果更優異之傾向（實施例09與15的比較等）。 確認到只要使用除了電解研磨以外還進行了前處理之構件，則本發明的效果更優異之傾向（實施例16與17的比較等）。 確認到藥液的高沸點有機成分的含量為0.1～100000質量ppt（較佳為0.1～20000質量ppt）時，本發明的效果更優異（實施例02～06的比較等）。

《實施例Y》 [製造裝置] 使用由與上述實施例X中的實施例02或比較例03的容器相同的實施了表面處理之構件構成之含有反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽及管路之藥液的製造裝置，製造了藥液。亦即，反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽及管路中，其表面特性（Cr/Fe比等）與實施例02或比較例03的容器的樣態相同。所製造之藥液收容於使用了與實施例X中的實施例02或比較例03的容器相同地實施了表面處理之構件之容器。 另外，製造時不進行循環過濾。又，上述製造裝置中亦含有填充裝置，作為填充裝置，在任意試驗中使用了與實施例X中的實施例02的容器相同地由實施了表面處理之構件構成之填充裝置。 另外，上述製造裝置從臨時側依序具備反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽、填充裝置，在管路中串聯各構件。 其中，所製造之藥液為二種有機溶劑的混合物時，分別製備了各個有機溶劑，直至填充於儲存槽。分別製造而在儲存槽中儲存之有機溶劑以所期望的質量比填充於設置於儲存槽與填充裝置之間之槽（亦稱為“混合槽”）來製得混合液，之後，與其他藥液相同地經由填充裝置將上述混合液（藥液）填充於容器中。 亦即，所製造之藥液為二種有機溶劑的混合物時的製造裝置並列地含有2組串聯有“反應槽、蒸餾塔、過濾器單元、儲存槽”之結構，兩者由混合槽進行合流。混合槽進而與填充裝置連結而能夠將混合液（藥液）填充於容器中。 另外，上述混合槽為儲存槽的一形態，與實施例02的容器相同地由實施了表面處理之構件構成。 又，過濾器單元中，在與實施例02或比較例03的容器相同地實施了表面處理之過濾器外殼設置NIHON PALL Corporation製離子交換過濾器來使用。 表4中示出製造裝置的結構。

所製造之藥液如以下所示。 A：PGMEA：丙二醇單甲醚乙酸酯 B：PGMEA/PGME=7:3（丙二醇單甲醚乙酸酯/丙二醇單甲醚=7/3（質量比）混合液） C：nBA（乙酸丁酯） D：環己酮 E：IPA（異丙醇） F：MIBC（4-甲基-2-戊醇） G：乳酸乙酯 H：PGMEA/PC=9:1（丙二醇單甲醚乙酸酯/碳酸伸丙酯=9/1（質量比）混合液） 鹼液：2.38質量%TMAH（氫氧化四甲銨）水溶液

另外，上述藥液分別如下所述那樣製造。 A（PGMEA）： 在硫酸的存在下使環氧丙烷、甲醇及乙酸進行反應。

B（PGMEA/PGME=7:3）： 在硫酸的存在下使環氧丙烷、甲醇及乙酸進行反應，製造了PGMEA。又，在硫酸的存在下使環氧丙烷、甲醇進行反應，製造了PGME。

C（nBA）： 在硫酸的存在下使乙酸與正丁醇進行反應。

D（環己酮）： 在鈷存在下使環己烷進行氧化反應。

E（IPA）： 在氧化銅-氧化鋅-氧化鋁的存在下使丙酮及氫氣進行反應。

F（MIBC）： 在Ipc₂ BH（Diisopinocampheylborane）的存在下使順式-4-甲基-2-戊烯進行反應。

G（乳酸乙酯）： 使乳酸及乙醇進行反應。

H（PGMEA/PC=9:1）： 硫酸的存在下使環氧丙烷、甲醇及乙酸進行反應，製造PGMEA。又，使酸化伸丙酯與二氧化碳進行反應，製造PC。

又，鹼液的製造中，未使用反應槽與蒸餾塔。使TMAH（氫氧化四甲銨）溶解而將純水設為鹼液，依次在過濾器單元、儲存槽、填充裝置通液，填充於容器中。

[試驗] 使用填充到容器之後在23℃環境下保存3天之後的藥液，進行了以下的評價。

＜高沸點有機成分的含量＞ 用GC/MS（氣相層析法質量分析）法測量了所製造之藥液中的高沸點有機成分的含量。

＜金屬成分的含量＞ 使用ICP-MS測量所製造之藥液中的特定金屬成分的含量，依據下述基準進行了評價。 A：藥液中的特定金屬成分的含量為10質量ppt以下 B：藥液中的特定金屬成分的含量超過10質量ppt且30質量ppt以下 C：藥液中的特定金屬成分的含量超過30質量ppt且100質量ppt以下 D：藥液中的特定金屬成分的含量超過100質量ppt且500質量ppt以下 E：藥液中的特定金屬成分的含量超過500質量ppt

＜藥液的缺陷抑制性的評價＞ 以與實施例X中的方法相同的方法及基準對所製造之藥液的缺陷抑制性進行了評價。

＜過濾器壽命（離子交換過濾器壽命）的評價＞ 使用表4中所記載之各製造裝置連續製造了藥液。開始藥液的製造而製造裝置的狀態穩定之後，將立即得到之藥液作為試驗用（初期樣品）來回收，之後，將每製造10000kg通液量之後得到之藥液作為試驗用（經時樣品）來回收。藉由上述的藥液的殘渣缺陷抑制性的評價法，對試驗用回收之藥液進行評價，將每一單位面積的缺陷數與初期樣品進行比較，將經時樣品的缺陷數成為2倍時的通液量作為過濾器（離子交換過濾器）的“壽命”。將使用比較例的製造裝置時的壽命設為1，以比例對製造同種藥液之各實施例的製造裝置的過濾器的壽命進行了評價。藉由以下的基準對結果進行了評價。

A：壽命超過10倍。 B：壽命超過5倍且10倍以下。 C：壽命超過2倍且5倍以下。 D：壽命超過1倍且2倍以下。 E：壽命為1倍以下。 -：作為比較對象之比較例

表4中示出各製造裝置的結構，表5中示出試驗結果。 表4中示出，在“實施例2”或“比較例3”的記載中，製造裝置的各構成要素或容器是否由與實施例X中的實施例02的容器相同地實施了表面處理之構件構成或由與比較例03的容器相同地實施了表面處理之構件構成。

[表4]

[表5]

從表5所示之結果，確認了藉由本發明的藥液之製造方法可得到殘渣缺陷抑制性及橋接缺陷抑制性更優異之藥液。又，確認了製造的步驟中實施過濾時，所使用之過濾器的壽命亦可以長期保持。

《實施例Z》 在表6所示之條件下，對由SUS316L或PFA（四氟化乙烯與全氟烷氧基乙烯的共聚物）構成之容器進行了表面處理。 表7中示出處理後的各容器中的表面結構及收容之藥液。 另外，只要無特別說明，在之後的試驗上的處理中，以相同的順序進行與上述所示之處理共同之處理。 又，只要無特別說明，在之後的表的記載中，與上述所示之表中的記載共同之記載的含義相同。

[表6]

[表7]

表8示出各試驗例的容器中所收容之藥液及容器的空隙部中所填充之氣體的種類。另外，藥液收容體中的容器的空隙率設為20體積%。 另外，表中，各溶劑中的簡稱的含義為如下。 又，各藥液中的高沸點有機成分的含量（相對於藥液的總質量之含量）調整成後段所示之表中所記載之含量（質量ppt）。 A：PGMEA：丙二醇單甲醚乙酸酯 B：PGMEA/PGME=7:3（丙二醇單甲醚乙酸酯/丙二醇單甲醚=7/3（質量比）混合液） C：nBA（乙酸丁酯） D：環己酮 E：IPA（異丙醇） F：MIBC（4-甲基-2-戊醇） G：乳酸乙酯 I：十一烷 J：丙二酸二甲酯/異戊基醚=9/1（質量比）混合液 K：丙二酸二甲酯/異戊基醚=5/5（質量比）混合液 L：丙二酸二甲酯/異戊基醚=1/9（質量比）混合液 M：丙二酸二甲酯 另外，相對於PGMEA單獨的二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為9.5 MPa^0.5 。 相對於PGME單獨的二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為11.0 MPa^0.5 。 相對於丙二酸二甲酯單獨的二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為10.3 MPa^0.5 。 相對於異戊基醚單獨的二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為2.1 MPa^0.5 。

表中，“體積電阻值”欄表示藥液的體積電阻係數（Ωm）。由說明書中所記載的方法測量了體積電阻係數。 “HSP距離vs Eikosen”欄表示藥液的相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離。另外，藥液含有2種溶劑時，表中所示之藥液的“HSP距離vs Eikosen”欄的值為基於各溶劑的含量的莫耳比之漢森溶解度參數的加權平均值。 “氣體種類”欄表示填充於藥液收容體的空隙部之惰性氣體的種類 “vol%”欄表示上述惰性氣體的純度。

[表8]

[試驗] ＜帶電電位的評價＞ 容器中填充了藥液之後，在40℃環境下保存了12個月。之後，用與說明書中所記載者相同的方法測量了藥液的帶電電位。

＜金屬成分的含量的變化＞ 用與實施例X中所示者相同的方法及基準，對金屬含量的變化進行了評價。

＜藥液的缺陷抑制性的評價＞ 使用填充到容器之後在40℃環境下保存了12個月後的藥液來進行了以下的評價。

（殘渣缺陷抑制、色斑缺陷抑制性） 用與實施例X中所示者相同的方法及基準，對殘渣缺陷抑制及色斑缺陷抑制性進行了評價。

（含金屬之殘渣缺陷抑制性） 藉由以下的方法，對藥液的含金屬之殘渣缺陷抑制性進行了評價。另外，試驗時使用了SOKUDO公司製Coat Develop Track“RF^3S ”。 將填充到容器之後在40℃環境下保存了12個月後的藥液返回到室溫（23度），在直徑300 mm的矽晶圓旋轉塗佈了藥液。使上述矽晶圓乾燥之後，對使用KLA Tencor公式製晶圓表面異物檢查裝置SP-5增加之缺陷的位置進行了識別。關於各個增加之缺陷，用Apried Materials公司製Review SEM解析了是否含有Fe、Cr和/或Ni。增加之缺陷中，將含有Fe、Cr和/或Ni之缺陷定義為含金屬之殘渣缺陷，用下述基準對藥液的含金屬之殘渣缺陷抑制性進行了評價。

A：含金屬之殘渣缺陷的增加數為0個/晶圓以下。 B：含金屬之殘渣缺陷的缺陷增加數為1個/晶圓以上且5個/晶圓以下。 C：含金屬之殘渣缺陷的缺陷增加數為6個/晶圓以上且50個/晶圓以下。 D：含金屬之殘渣缺陷的缺陷增加數為51個/晶圓以上。

（橋接缺陷抑制性） 藉由以下的方法，對藥液的橋接缺陷抑制性能進行了評價。 首先，製備了以下所示之摻合的抗蝕劑組成物。

·抗蝕劑組成物 以以下的組成混合各成分來得到了抗蝕劑組成物。 ··樹脂（A-1）：0.77 g ··光酸產生劑（B-1）：0.03 g ··鹼性化合物（E-3）：0.03 g ··PGMEA（市售品、對高純度等級進行蒸餾純化）：67.5 g ··乳酸乙酯（市售品、對高純度等級進行蒸餾純化）：75 g

··樹脂 作為樹脂，使用了以下的樹脂。

[化13]

·光酸產生劑 作為光酸產生劑，使用了以下的化合物。

[化14]

··鹼性化合物 作為鹼性化合物，使用了以下的化合物。

[化15]

接著，在直徑300 mm的矽晶圓上塗佈AL412（BREWER SCIENCE,INC.製），在200℃下進行60秒鐘烘烤，形成了膜厚20 nm的抗蝕劑下層膜。在其上塗佈預濕液（對市售品的PGMEA（高純度等級）進行蒸餾純化而得到），從其上塗佈抗蝕劑組成物，在100℃下進行60秒鐘烘烤（PB：Prebake），形成有膜厚30nm的抗蝕劑膜。

使用EUV曝光機（ASML公司製；NXE3350、NA0.33、Dipole 90°、外西格瑪0.87、內西格瑪0.35），經由反射型遮罩對該抗蝕劑膜進行了曝光。然後，在85℃下加熱（PEB：Post Exposure Bake，曝光後烘烤）了60秒鐘。接著，用噴霧法對顯影液（市售品的乙酸丁酯（高純度等級）進行蒸餾純化而得到）進行噴霧30秒鐘而進行顯影，用旋轉塗佈法將沖洗液吐出到矽晶圓上20秒鐘並進行了沖洗。接著，以2000 rpm的轉速旋轉40秒鐘矽晶圓，形成了空間寬度為20 nm且圖案線寬為15 nm的線與空間的圖案。 作為上述沖洗液，使用了評價對象的各藥液。 另外，對用作沖洗液時的藥液的吐出，藥液經由配管（NICHIAS Corporation製/接液部：PFA製/φ：內徑4.35 mm、外徑6.35 mm/長度：10 m/事前用對市售的PGMEA進行蒸餾純化之洗淨液進行通液洗淨之後使用）進行轉移，直至從容器到塗佈裝置等的吐出口。

獲取上述圖案的圖像，使用上述分析裝置對所得到之圖像進行解析，測量了每一單位面積的橋接缺陷數。

（橋接缺陷抑制性的評價基準） A：缺陷數為50個/晶圓以下。 B：缺陷數為51個/晶圓以上且100個/晶圓以下。 C：缺陷數為101個/晶圓以上且1000個/晶圓以下。 D：缺陷數為1001個/晶圓以上。

表9中示出結果。 表中“帶電電位”欄的“＜±2kV”的記載表示所測量之藥液的帶電電位為-2～2kV以內，表示“＞±2kV”的範圍外。

[表9]

從表所示之結果，確認到只要使用本發明的構件，則與體積電阻係數高的藥液接觸時，亦將所接觸之藥液的帶電電位維持在-2～2kV的範圍內，並能夠減少基於藥液的帶電之危險。 確認到藥液收容體的空隙部中填充有惰性氣體時，含金屬之殘渣缺陷抑制性更優異（實施例206的結果等）。 又，上述惰性氣體的純度為99.9體積%以上為較佳，超過99.9999體積%為更佳（實施例201、202、203的比較等）。 確認到作為有機溶劑之藥液為相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為3～20 MPa^0.5 之有機溶劑時，本發明的效果更優異（實施例213的結果等）。 又，確認到藥液包含相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為3～20 MPa^0.5 之有機溶劑及相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離不為3～20 MPa^0.5 之有機溶劑時，若其混合比（質量比）為20/80～80/20，則本發明的效果更優異（實施例214～216的比較等）。

10‧‧‧附蓋容器 11‧‧‧容器 12、51‧‧‧蓋 13‧‧‧口部 14‧‧‧側部 15‧‧‧內壁面 16‧‧‧外壁面 30、70‧‧‧純化裝置 31‧‧‧儲存槽 32‧‧‧過濾器單元 33、71、72、73‧‧‧管路 34‧‧‧填充裝置 35‧‧‧泵 36、37、83‧‧‧閥 40‧‧‧過濾器 41‧‧‧過濾材料 42‧‧‧芯部 43‧‧‧罩體 44‧‧‧液體出口 50‧‧‧殼體 52‧‧‧主體 53‧‧‧液體流入口 54‧‧‧液體流出口 55、56‧‧‧內部管路 71‧‧‧蒸餾塔 80‧‧‧製造裝置 81‧‧‧反應槽 82‧‧‧原料投入部 L‧‧‧空穴 F₀、F₁、F₂、F₃、F₄‧‧‧方向

圖1係含有本發明的實施形態之容器和蓋之附蓋容器的示意圖。 圖2係表示本發明的藥液之製造方法的一實施形態之製造裝置之概要圖。 圖3係去除過濾器單元所具備之典型過濾器的局部而得之立體圖。 圖4係過濾器單元所具備之殼體的立體圖。 圖5係過濾器單元所具備之殼體的局部剖面圖。 圖6係表示本發明的藥液之製造方法的一實施形態之製造裝置之概要圖。 圖7係表示本發明的藥液之製造方法的一實施形態之製造裝置之概要圖。

10‧‧‧附蓋容器

11‧‧‧容器

12‧‧‧蓋

13‧‧‧口部

14‧‧‧側部

15‧‧‧內壁面

16‧‧‧外壁面

L‧‧‧空穴

Claims (25)

1. 一種構件，其與藥液接觸，其中 該構件的表面由含有鉻原子及鐵原子之不鏽鋼構成， 從該構件的表面沿著深度方向至10 nm，測量該鉻原子與該鐵原子的原子比時，在從該構件的表面沿深度方向3 nm以內顯示該原子比的最大值， 該最大值為0.5～3.0， 該構件的表面的表面平均粗糙度為10 nm以下。
2. 如申請專利範圍第1項所述之構件，其中 該表面平均粗糙度為0.10～10 nm。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之構件，其中 該構件的表面中的該鉻原子與該鐵原子的原子比為1.1～2.5。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之構件，其中 對該構件的表面進行電解研磨。
5. 如申請專利範圍第4項所述之構件，其中 在該電解研磨之前，進而對該構件的表面實施除了該電解研磨以外的表面處理。
6. 如申請專利範圍第4項所述之構件，其中 在該電解研磨之後，進而對該構件的表面實施酸處理。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之構件，其用於選自包括作為半導體製造用之藥液的製造、儲存、運輸及轉移之群組中之至少1種。
8. 如申請專利範圍第7項所述之構件，其中 該藥液的體積電阻係數為500,000,000 Ωm以上。
9. 一種容器，其為收容藥液之容器，其中 該溶液的接液部的至少一部分由如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之構件構成。
10. 一種藥液收容體，其含有如申請專利範圍第8項所述之容器及收容於該容器之藥液。
11. 如申請專利範圍第10項所述之藥液收容體，其中 該藥液相對於該藥液的總質量含有20～80質量%的相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離為3～20 MPa^0.5 之有機溶劑，且相對於該藥液的總質量含有20～80質量%的相對於二十碳烯之漢森溶解度參數的距離不為3～20 MPa^0.5 之有機溶劑。
12. 如申請專利範圍第10項所述之藥液收容體，其中 該藥液含有選自包括丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、乙酸丁酯、環己酮、4-甲基-2-戊醇、異丙醇、乙醇、丙酮、碳酸伸丙酯、γ-丁內酯、乙酸異戊酯、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、二異戊醚、二甲亞碸、N-甲基吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、環丁碸、環庚酮、2-庚酮、丁酸丁酯、異丁酸異丁酯、十一烷、丙酸戊酯、丙酸異戊酯、乙基環己烷、均三甲苯、癸烷、3,7-二甲基-3-辛醇、2-乙基-1-己醇、1-辛醇、2-辛醇、乙醯乙酸乙酯、丙二酸二甲酯、丙酮酸甲酯及草酸二甲酯之群組中之1種以上。
13. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之藥液收容體，其中 該藥液的體積電阻係數為500,000,000 Ωm以上。
14. 如申請專利範圍第10項所述之藥液收容體，其中 該藥液為鹼性顯影液。
15. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之藥液收容體，其中 該藥液相對於藥液的質量含有0.1～100000質量ppt的沸點為250℃以上之高沸點有機成分。
16. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之藥液收容體，其中 該容器內的空隙部中填充有惰性氣體。
17. 一種反應槽，其用於使原料反應而得到作為反應物之藥液，其中 該反應槽的接液部的至少一部分由如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之構件構成。
18. 一種蒸餾塔，其用於對被純化物進行純化而得到作為純化物之藥液，其中 該蒸餾塔的接液部的至少一部分由如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之構件構成。
19. 一種過濾器單元，其用於對被純化物進行純化而得到作為純化物之藥液，其中 該過濾器單元的接液部的至少一部分由如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之構件構成。
20. 一種儲存槽，其用於儲存該藥液，其中 該儲存槽的接液部的至少一部分由如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之構件構成。
21. 一種管路，其用於轉移該藥液，其中 該管路的接液部的至少一部分由如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之構件構成。
22. 一種藥液之製造方法，其使用具備選自包括如申請專利範圍第17項所述之反應槽、如申請專利範圍第18項所述之蒸餾塔、如申請專利範圍第19項所述之過濾器單元、如申請專利範圍第20項所述之儲存槽及如申請專利範圍第21項所述之管路之群組中之至少1個之藥液的製造裝置來製造藥液。
23. 如申請專利範圍第22項所述之藥液之製造方法，其中 該藥液含有有機溶劑，該有機溶劑含有選自包括丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、環己酮、γ-丁內酯、二異戊醚、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、異丙醇、4-甲基-2-戊醇、二甲亞碸、正甲基-2-吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、碳酸伸丙酯、環丁碸、環庚酮、2-庚酮、丁酸丁酯、異丁酸異丁酯、十一烷、丙酸戊酯、丙酸異戊酯、乙基環己烷、均三甲苯、癸烷、3,7-二甲基-3-辛醇、2-乙基-1-己醇、1-辛醇、2-辛醇、乙醯乙酸乙酯、丙二酸二甲酯、丙酮酸甲酯及草酸二甲酯之群組中之1種以上。
24. 如申請專利範圍第23項所述之藥液之製造方法，其中 該藥液的體積電阻係數為500,000,000 Ωm以上。
25. 如申請專利範圍第22項所述之藥液之製造方法，其中 該藥液為鹼性顯影液。

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