TW202004851A - 發光元件的製造方法 - Google Patents

發光元件的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202004851A
TW202004851A TW108113626A TW108113626A TW202004851A TW 202004851 A TW202004851 A TW 202004851A TW 108113626 A TW108113626 A TW 108113626A TW 108113626 A TW108113626 A TW 108113626A TW 202004851 A TW202004851 A TW 202004851A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
tape
electrode
emitting element
substrate
Prior art date
Application number
TW108113626A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Inventor
石崎順也
Original Assignee
日商信越半導體股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越半導體股份有限公司 filed Critical 日商信越半導體股份有限公司
Publication of TW202004851A publication Critical patent/TW202004851A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
TW108113626A 2018-05-22 2019-04-18 發光元件的製造方法 TW202004851A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018097828A JP6791208B2 (ja) 2018-05-22 2018-05-22 発光素子の製造方法
JPJP2018-097828 2018-05-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202004851A true TW202004851A (zh) 2020-01-16

Family

ID=68616390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108113626A TW202004851A (zh) 2018-05-22 2019-04-18 發光元件的製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6791208B2 (enrdf_load_stackoverflow)
TW (1) TW202004851A (enrdf_load_stackoverflow)
WO (1) WO2019225206A1 (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112687767A (zh) * 2020-12-01 2021-04-20 华灿光电(苏州)有限公司 芯片扩膜方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024104823A (ja) 2023-01-25 2024-08-06 株式会社ナノマテリアル研究所 発光素子搭載配線用基板の表示用基板への転写による表示装置の製造方法および表示用基板と表示装置
JP2025008930A (ja) 2023-07-06 2025-01-20 株式会社ナノマテリアル研究所 マイクロledの製造方法と発光素子および表示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003098977A (ja) * 2001-09-19 2003-04-04 Sony Corp 素子の転写方法、素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法
JP2003093961A (ja) * 2001-09-21 2003-04-02 Sony Corp 液体の塗布方法、素子の実装方法、素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP4120223B2 (ja) * 2002-01-16 2008-07-16 ソニー株式会社 電子部品の製造方法、これを用いた画像表示装置
JP4745073B2 (ja) * 2006-02-03 2011-08-10 シチズン電子株式会社 表面実装型発光素子の製造方法
JP6013806B2 (ja) * 2012-07-03 2016-10-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6116827B2 (ja) * 2012-08-07 2017-04-19 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP6205897B2 (ja) * 2013-06-27 2017-10-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6425435B2 (ja) * 2014-07-01 2018-11-21 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置
CN108028292B (zh) * 2015-03-06 2020-11-17 亮锐控股有限公司 使用切割带将陶瓷磷光板附着在发光器件(led)管芯上的方法、形成切割带的方法以及切割带
JP5888455B1 (ja) * 2015-04-01 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 半導体製造装置および半導体片の製造方法
JP6573072B2 (ja) * 2015-08-27 2019-09-11 株式会社村田製作所 フィルム拡張装置およびそれを用いた電子部品の製造方法
US10032827B2 (en) * 2016-06-29 2018-07-24 Applied Materials, Inc. Systems and methods for transfer of micro-devices
CN106206397B (zh) * 2016-08-05 2020-02-07 厦门市三安光电科技有限公司 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112687767A (zh) * 2020-12-01 2021-04-20 华灿光电(苏州)有限公司 芯片扩膜方法
CN112687767B (zh) * 2020-12-01 2021-11-05 华灿光电(苏州)有限公司 芯片扩膜方法
CN112687767B9 (zh) * 2020-12-01 2021-12-03 华灿光电(苏州)有限公司 芯片扩膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019225206A1 (ja) 2019-11-28
JP2019204842A (ja) 2019-11-28
JP6791208B2 (ja) 2020-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11791446B2 (en) Micro-device with strengthened connecting layers
US7442565B2 (en) Method for manufacturing vertical structure light emitting diode
KR100714589B1 (ko) 수직구조 발광 다이오드의 제조 방법
CN103814447B (zh) 垂直型第iii族氮化物半导体led芯片及其制造方法
CN100388518C (zh) 氮化物基化合物半导体发光器件
CN101262118A (zh) 半导体激光元件的制作方法和半导体激光元件
JP2006332681A (ja) 発光ダイオードの製造方法
CN108198926A (zh) 一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法
TW202004851A (zh) 發光元件的製造方法
JP2010232625A (ja) 貼り合わせ基板の製造方法
EP2953171B1 (en) Method of manufacturing a semiconductor optical device
JP2008306021A (ja) Ledチップの製造方法
JP2012174902A (ja) 窒化物半導体発光素子の製造方法
KR20140068474A (ko) 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법
TWI404237B (zh) 發光元件及其製造方法
KR20090114870A (ko) 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법
JP7701319B2 (ja) マイクロled用接合型ウェーハの製造方法
JP4570683B2 (ja) 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
KR100691186B1 (ko) 수직구조 발광 다이오드의 제조 방법
JP2014120511A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
TWI807028B (zh) 發光元件以及其製造方法
KR100661717B1 (ko) 알루미늄 버퍼층을 이용한 발광 다이오드 제조방법
JP2004128187A (ja) 半導体素子及び半導体装置、並びにこれらの製造方法
KR100934636B1 (ko) 발광다이오드 소자의 제조방법 및 그의 제조 중간체
KR100629210B1 (ko) 수직형 발광 다이오드 및 그 제조 방법