TW201946212A - 保持台以及加工裝置 - Google Patents
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Abstract
[課題] 在拍攝保持台所保持之晶圓以檢測晶圓之外周緣位置的情況下,可避免在所形成之攝像影像中產生光暈而正確地檢測晶圓的外周緣。[解決手段] 本發明之保持台30具備:保持部300,具有吸引保持晶圓W的保持面300a;及框體301,圍繞保持部300;框體301的內徑形成為小於保持之晶圓W的外徑,且框體301的外徑形成為大於保持之晶圓W的外徑,並且框體301的上表面301a形成為反射率低於保持之晶圓W的上表面Wa。
Description
本發明係關於一種保持晶圓的保持台以及將保持台所保持之晶圓進行加工的加工裝置。
在半導體製程中研削晶圓的過程中,例如,若將外周部分經倒角成圓邊的晶圓進行研削而使其薄化,則晶圓的外周部會形成朝向外周部變尖的邊緣狀。然後,由於該變尖的邊緣而會具有晶圓外周的強度降低的問題。為了防止這種情況,有一種方法係在薄化晶圓之前,利用切割將晶圓的外周部分進行修整,藉此避免在薄化後的晶圓上形成尖形邊緣(例如,參照專利文獻1)。
在進行上述邊緣修整加工時,以保持台吸引保持晶圓,該保持台具備傳遞吸引力的保持部與支撐保持部的框體。然後,以攝影機從上方拍攝所保持之晶圓,並以所形成之攝像影像為基礎進行檢測晶圓之外周緣位置的邊緣對準(例如,參照專利文獻2)。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2000-173961號公報
[專利文獻2]日本特開2011-249572號公報
[專利文獻2]日本特開2011-249572號公報
[發明所欲解決的課題]
然而,邊緣修整裝置之保持台的框體係由金屬所構成,若在拍攝晶圓時對晶圓投射光線以進行拍攝,則具有這樣的問題:在形成之攝像影像中,晶圓的上表面和框體皆出現光暈,而無法正確地檢測晶圓的外周緣。
然而,邊緣修整裝置之保持台的框體係由金屬所構成,若在拍攝晶圓時對晶圓投射光線以進行拍攝,則具有這樣的問題:在形成之攝像影像中,晶圓的上表面和框體皆出現光暈,而無法正確地檢測晶圓的外周緣。
因此,在拍攝保持台所保持之晶圓以檢測晶圓之外周緣位置的情況下,具有需使所形成之攝像影像中不會產生光暈以能夠正確地檢測晶圓之外周緣這樣的課題。
[解決課題的技術手段]
用以解決上述課題的本發明係一種保持台,其係保持晶圓,具備:保持部,具有吸引保持晶圓的保持面;及框體,圍繞該保持部,該框體的內徑形成為小於保持之晶圓的外徑,且該框體的外徑形成為大於保持之晶圓的外徑,並且該框體的上表面形成為反射率低於保持之晶圓的上表面。
用以解決上述課題的本發明係一種保持台,其係保持晶圓,具備:保持部,具有吸引保持晶圓的保持面;及框體,圍繞該保持部,該框體的內徑形成為小於保持之晶圓的外徑,且該框體的外徑形成為大於保持之晶圓的外徑,並且該框體的上表面形成為反射率低於保持之晶圓的上表面。
又,用以解決上述課題的本發明係一種加工裝置,係具備該保持台,其具備:攝像手段,面對該保持台的保持面而配設,以拍攝該保持台所保持之晶圓的外周緣;照明手段,面對該保持面而配設,以對該保持台所保持之晶圓的外周緣投射光線;及加工手段,將該保持台所保持之晶圓進行加工。
[發明功效]
本發明之保持台具備:保持部,具有吸引保持晶圓的保持面;及框體,圍繞保持部;框體的內徑形成為小於保持之晶圓的外徑,且框體的外徑形成為大於保持之晶圓的外徑,並且框體的上表面形成為反射率低於保持之晶圓的上表面,因此在對晶圓投射光線以進行拍攝時,不會產生光暈,可明確地區別晶圓與框體而進行拍攝。亦即,在所形成之攝像影像中,例如,僅晶圓顯示白色,框體則顯示黑色,故可正確地檢測晶圓的外周緣。
本發明之保持台具備:保持部,具有吸引保持晶圓的保持面;及框體,圍繞保持部;框體的內徑形成為小於保持之晶圓的外徑,且框體的外徑形成為大於保持之晶圓的外徑,並且框體的上表面形成為反射率低於保持之晶圓的上表面,因此在對晶圓投射光線以進行拍攝時,不會產生光暈,可明確地區別晶圓與框體而進行拍攝。亦即,在所形成之攝像影像中,例如,僅晶圓顯示白色,框體則顯示黑色,故可正確地檢測晶圓的外周緣。
本發明之加工裝置具備上述保持台,其具備:攝像手段,面對保持台的保持面而配設,以拍攝保持台所保持之晶圓的外周緣;照明手段,面對保持面而配設,以對保持台所保持之晶圓的外周緣投射光線;及加工手段,將保持台所保持之晶圓進行加工,因此可從所取得的無光暈之攝像影像正確檢測晶圓的外周緣,並根據所檢測的晶圓之外周緣的正確位置適當地進行晶圓與加工手段的對位而進行各種加工。
(1)加工裝置的實施方式1
圖1所示之加工裝置2(以下作為實施方式1的加工裝置2)係以加工手段62對藉由保持台30吸引保持之晶圓W實施邊緣修整加工的裝置。
圖1、2所示之晶圓W,例如係以矽為母材且外形為圓形的半導體晶圓,其正面Wa上設有元件區域Wa1與圍繞元件區域Wa1的外周剩餘區域Wa2。在圖2中,外周剩餘區域Wa2係比晶圓W的正面Wa中以二點鏈線所示之虛線L1更外側的區域。以垂直交叉的多條分割預定線S將元件區域Wa1劃分成格子狀,在劃分成格子狀的各區域分別形成IC等的元件D。在圖1中,朝向下方的晶圓W之背面Wb黏貼有圖中未表示的保護膠膜且被加以保護。晶圓W的外周緣Wd,例如經倒角加工而剖面變成略圓弧狀。
此外,晶圓W,除了矽以外,亦可由砷化鎵、藍寶石、氮化鎵或碳化矽等所構成,亦可為形成元件D之前的晶圓。又,可透過直徑大於晶圓W的圖中未表示之保護膠膜將晶圓W支撐於環狀框架上,以形成可進行使用環狀框架之處理的狀態。
圖1所示之加工裝置2(以下作為實施方式1的加工裝置2)係以加工手段62對藉由保持台30吸引保持之晶圓W實施邊緣修整加工的裝置。
圖1、2所示之晶圓W,例如係以矽為母材且外形為圓形的半導體晶圓,其正面Wa上設有元件區域Wa1與圍繞元件區域Wa1的外周剩餘區域Wa2。在圖2中,外周剩餘區域Wa2係比晶圓W的正面Wa中以二點鏈線所示之虛線L1更外側的區域。以垂直交叉的多條分割預定線S將元件區域Wa1劃分成格子狀,在劃分成格子狀的各區域分別形成IC等的元件D。在圖1中,朝向下方的晶圓W之背面Wb黏貼有圖中未表示的保護膠膜且被加以保護。晶圓W的外周緣Wd,例如經倒角加工而剖面變成略圓弧狀。
此外,晶圓W,除了矽以外,亦可由砷化鎵、藍寶石、氮化鎵或碳化矽等所構成,亦可為形成元件D之前的晶圓。又,可透過直徑大於晶圓W的圖中未表示之保護膠膜將晶圓W支撐於環狀框架上,以形成可進行使用環狀框架之處理的狀態。
於圖1所示之加工裝置2的基台20在-Y方向側的一角設置有卡匣載置台210,卡匣載置台210可藉由配置於其下方的圖中未表示之升降機而在Z軸方向上下移動。在將容納有多片晶圓W的卡匣211載置於卡匣載置台210上的狀態下,利用升降機使卡匣載置台210升降,藉此可調整相對卡匣211取出與送入晶圓W時的高度位置。
如圖1所示,在面對基台20上之卡匣211在+Y方向側之搬入搬出口211d的位置上配設有中心校正導引構件213,其將藉由下述推拉構件212從卡匣211拉出的晶圓W定位於固定位置。中心校正導引構件213具備剖面形成L狀且在Y軸方向上延伸的各導軌,各導軌可在X軸方向上互相分離或接近,其以階梯狀導引面(內側面)對向的方式而配置。在將晶圓W搬入保持台30時,藉由推拉構件212將晶圓W從卡匣211拉出並載置於中心校正導引構件213上。又,藉由圖中未表示的搬送手段將經加工並清洗的晶圓W載置於中心校正導引構件213後,藉由推拉構件212推入卡匣211。
推拉構件212可在Y軸方向上來回移動,其在從上下方向握持環狀框架F的狀態下將加工前的晶圓W從卡匣211拉出。
可容納多片晶圓W的圖1所示之卡匣211具備:第1側板211a及第2側板211b,其隔著預定間隔在X軸方向上平行配設;及連結構件211c,將第1側板211a及第2側板211b的上部側連結。
卡匣211的正面側(+Y方向側)成為將晶圓W取出與送入的搬入搬出口211d。在Y軸方向上水平延伸的多個層板211e在Z軸方向上保持預定間隔而固定於第1側板211a及第2側板211b的內側面,藉由多個層板211e形成多個收納板,該收納板將晶圓W支撐於第1側板211a及第2側板211b。在第1側板211a及第2側板211b的內側面後部側(-Y方向側)分別安裝有卡止片211f,在將晶圓W沿著層板211e從搬入搬出口211d水平地插入卡匣211內時,卡止片211f防止晶圓W從卡匣211的背面側飛出。
藉由外殼31從周圍將保持台30包圍,並利用配設於外殼31之下方的圖中未表示之旋轉手段,以可繞著Z軸方向的軸心旋轉的方式支撐保持台30。外殼31上連結有在X軸方向上伸縮的蛇腹罩311,在外殼31及蛇腹罩311的下方配設有圖中未表示的切割進給手段,其使保持台30在切割進給方向(X軸方向)上來回移動。切割進給手段係利用馬達使滾珠螺桿旋動,藉此將保持台30進行切割進給的滾珠螺桿機構。
圖2所示之保持台30,例如,其外形為圓形狀,具備由多孔構件等所構成以吸附晶圓W的保持部300、及圍繞並支撐保持部300的框體301。保持部300透過吸引通路380及配設於吸引通路380上的電磁閥38與真空產生裝置等的吸引源39連通。在電磁閥38開啟的狀態下使吸引源39運作,藉此將吸引源39所產生的吸引力傳遞至保持部300的露出面、即與框體301的略平坦之上表面301a形成同一平面的保持面300a,且保持台30將晶圓W吸引保持在保持面300a上。
如圖2所示,框體301的內徑形成為小於保持之晶圓W的外徑,且框體301的外徑形成為大於保持之晶圓W的外徑。因此,若以使晶圓W的中心與保持台30的旋轉中心大概一致的方式將晶圓W載置於保持台30上,則變成晶圓W覆蓋保持面300a的整個表面並且外周緣Wd在框體301的上表面301a上突出的狀態。
框體301的上表面301a形成為反射率低於保持之晶圓W的上表面Wa(正面Wa)。亦即,晶圓W的正面Wa為反射光線的銀色等的鏡面,相對於此,框體301的上表面301a則為例如吸收光線的黑色面。
為了使框體301的上表面301a為黑色面,而將例如由SUS等的金屬所構成的框體301之上表面預先形成為稍低於保持部300的保持面300a,並在框體301之上表面上塗布非水溶性黑色塗料、進行黑色電鍍處理或黑色蒸鍍處理等以形成黑色膜,作為與保持面300a同一平面的上表面301a。亦可將黑色的高分子樹脂薄膜(抗光反射膜)黏貼於框體301的上表面來代替塗布黑色塗料等,以作為與保持面300a為同一平面的上表面301a。
亦可不僅使框體301的上表面301a為黑色面,而是以黑色陶瓷形成整個框體301,藉此使框體301的整個表面為黑色面。
亦可不僅使框體301的上表面301a為黑色面,而是以黑色陶瓷形成整個框體301,藉此使框體301的整個表面為黑色面。
如圖1所示,在基台20上的中心校正導引構件213的附近配設有清洗手段219。清洗手段219例如為枚葉式旋轉清洗裝置,其將藉由圖中未表示的搬送手段從保持台30搬來的邊緣修整完成之晶圓W進行清洗。
如圖1所示,在保持台30的移動路徑附近配設分度進給手段60,該分度進給手段60在與X軸方向和Z軸方向正交的Y軸方向上使加工手段62來回移動。分度進給手段60中,馬達600使在Y軸方向上延伸的圖中未表示之滾珠螺桿旋動,藉此透過切入進給手段61使配設有加工手段62且內部螺帽與滾珠螺桿螺合的可動板601在Y軸方向上移動,伴隨於此,使加工手段62在Y軸方向上分度進給。
加工手段62可藉由配設於可動板601上的切入進給手段61在Z軸方向(垂直方向)上來回移動。切入進給手段61具備:滾珠螺桿610,其具有垂直方向的軸心;一對導軌611,與滾珠螺桿610平行配設;馬達612,與滾珠螺桿610的上端連結以使滾珠螺桿610旋動;及升降構件613,其內部螺帽與滾珠螺桿610螺合且側部與導軌611滑動接觸;若馬達612使滾珠螺桿610旋動,則伴隨於此,升降構件613由導軌611引導而在Z軸方向上來回移動,固定於升降構件613的加工手段62在Z軸方向上切入進給。
加工手段62具備:主軸620,其軸向為Y軸方向;外殼621,固定於升降構件613的側面,可旋轉地支撐主軸620;圖中未表示的馬達,使主軸620旋轉;及切割刀片623,裝設於主軸620的前端;馬達使主軸620旋轉驅動,切割刀片623則隨之旋轉。
如圖1所示,以從Y軸方向兩側夾住切割刀片623的方式配設有2支切割水噴嘴624。在切割水噴嘴624相對於切割刀片623的位置上,於X軸方向上排列設置有多個切割水噴射口,利用切割水噴射口從側方噴射切割水,將切割刀片623與晶圓W的接觸部位進行清洗、冷卻。又,以可從切割刀片623的外周方向朝向切割刀片623噴射切割水的方式配設切割水噴嘴625。
加工裝置2具備:攝像手段81,在Z軸方向上面對保持台30的保持面300a而配設,以拍攝保持台30所保持之晶圓W的外周緣Wd;及照明手段82,在Z軸方向上面對保持面300a而配設,對保持台30所保持之晶圓W的外周緣Wd投射光線。
攝像手段81及照明手段82,例如透過安裝構件83配設於加工手段62的附近、亦即外殼621的側面,其可與加工手段62一起在Y軸方向及Z軸方向上移動。此外,攝像手段81及照明手段82的配設位置並不限定於圖1所示的例子。
如圖3所示,攝像手段81例如具備遮蔽外部光的長方體狀殼體810,照明手段82安裝於殼體810的側面。照明手段82例如具備LED或氙燈等作為圖中未表示的光源。利用光纖等的光學傳輸系統821,將照明手段82發出的光線傳送至殼體810內部。照明手段82發出之光線的光量,可藉由圖中未表示的調整器等進行調整。
攝像手段81具備:半反射鏡(half mirror)811,配設於殼體810內,將照明手段82發出的光線朝下反射而使其改變方向;圖中未表示的接物鏡,配設於殼體810內的半反射鏡811的下側,使半反射鏡811所反射的光線入光;及受光部812,配設於半反射鏡811的上側,將在晶圓W中反射而接物鏡所捕捉的反射光進行光電轉換,並作為影像資訊輸出。受光部812例如係由CCD等的多個受光元件在水平上排列而構成。受光元件的各像素可藉由反射光的強度進行傳輸的資料,例如,輝度值為8位元階調,亦即以0~255的256級表示。
如圖1所示,加工裝置2具備對裝置整體進行控制的控制手段9。具備CPU與由記憶體等的記憶元件等所構成之記憶部90的控制手段9,與分度進給手段60、切入進給手段61及攝像手段81等電性連接,在控制手段9下,對分度進給手段60所進行的加工手段62之分度進給運作、及切入進給手段61所進行的加工手段之切入進給運作進行控制,又,根據攝像手段81所形成的攝像影像實施邊緣對準。
以下說明藉由圖1所示之加工裝置2將晶圓W的外周緣Wd進行邊緣修整的情況。
首先,將收納有多片晶圓W的卡匣211載置於圖1所示的卡匣載置台210上,之後,藉由升降機進行卡匣211的高度調整。
首先,將收納有多片晶圓W的卡匣211載置於圖1所示的卡匣載置台210上,之後,藉由升降機進行卡匣211的高度調整。
接著,藉由推拉構件212將1片晶圓W從卡匣211拉出,並將晶圓W載置於中心校正導引構件213上。然後,中心校正導引構件213的一對導軌在X軸方向上互相接近以進行晶圓W的中心校正。
圖中未表示的搬送手段將中心校正導引構件213上的晶圓W揀起,並搬送至保持台30。然後,以使晶圓W的中心與保持台30之保持面300a的中心大概一致的方式,在晶圓W的上表面Wa朝上的狀態下,跨越保持面300a與框體301的上表面301a進行載置。然後,將驅動圖2所示之吸引源39而產生的吸引力傳遞至保持面300a,保持台30將晶圓W吸引保持在保持面300a上。
圖中未表示的切割進給手段使保持台30在X軸方向上移動,並且分度進給手段60使攝像手段81在Y軸方向上移動,如圖3所示,以使晶圓W的外周緣Wd與框體301的上表面301a吻合於攝像手段81之攝像區域內的方式,將保持台30定位於預定位置。進行自動對焦以使攝像手段81的焦距對準晶圓W的上表面Wa後,藉由攝像手段81拍攝晶圓W的外周緣Wd。
亦即,照明手段82的光源發出預定光量的光,從光源所發出的光通過光學傳輸系統821到達殼體810內,在半反射鏡811中反射,並透過圖中未表示的接物鏡投射至晶圓W之上表面Wa的外周緣Wd及框體301的上表面301a。然後,以圖中未表示的接物鏡捕捉來自晶圓W的反射光,並射入受光部812的受光元件。另一方面,框體301的上表面301a形成黑色面,其反射率低於晶圓W的上表面Wa,因此幾乎沒有來自上表面301a的反射光,亦不會射入受光部812。
此外,在透過直徑大於晶圓W的保護膠膜將晶圓W支撐於環狀框架上,以形成可進行使用環狀框架之處理的狀態的情況下,保護膠膜可為透明膠膜。此情況下,在透明的保護膠膜的環狀框架的內周緣與晶圓W的外周緣Wd之間的區域下方,成為可透過保護膠膜而看見框體301之黑色上表面301a的狀態,因此可進行與上述相同的攝像。
此外,在透過直徑大於晶圓W的保護膠膜將晶圓W支撐於環狀框架上,以形成可進行使用環狀框架之處理的狀態的情況下,保護膠膜可為透明膠膜。此情況下,在透明的保護膠膜的環狀框架的內周緣與晶圓W的外周緣Wd之間的區域下方,成為可透過保護膠膜而看見框體301之黑色上表面301a的狀態,因此可進行與上述相同的攝像。
將攝像影像資訊從攝像手段81發送至圖1所示之控制手段9。攝像手段81所得到的影像中,在受光部812的各受光元件中,與晶圓W對應之受光元件的受光量較多,其輝度值接近255而接近白色,與框體301之上表面301a對應之受光元件的受光量則非常少,其輝度值接近0而接近黑色。控制手段9例如具備圖1、3所示的影像處理部92,對影像處理部92所發送的攝像影像資訊進行二值化處理,使光的輝度值超過預定閾值的部分為白色,而光的輝度值為預定閾值以下的部分為黑色。此外,亦可不利用影像處理部92進行二值化處理。
然後,將二值化處理後的攝像影像G顯示於預定解析度的虛擬輸出頁面B(X軸Y軸正交坐標系)上。
本發明之保持台30具備:保持部300,具有吸引保持晶圓W的保持面300a;及框體301,圍繞保持部300;框體301的內徑形成小於保持之晶圓W的外徑,且框體301的外徑形成大於保持之晶圓W的外徑,並且框體301的上表面301a形成反射率低於保持之晶圓W的上表面Wa,因此若從照明手段82對晶圓W投射光線以進行拍攝,則所形成的圖3所示之攝像影像G不會產生光暈,而可明確地區別顯示晶圓W與框體301。亦即,在所形成之攝像影像G中,例如,僅晶圓W顯示白色,框體301則顯示黑色,故可正確地檢測晶圓W的外周緣Wd。
本發明之保持台30具備:保持部300,具有吸引保持晶圓W的保持面300a;及框體301,圍繞保持部300;框體301的內徑形成小於保持之晶圓W的外徑,且框體301的外徑形成大於保持之晶圓W的外徑,並且框體301的上表面301a形成反射率低於保持之晶圓W的上表面Wa,因此若從照明手段82對晶圓W投射光線以進行拍攝,則所形成的圖3所示之攝像影像G不會產生光暈,而可明確地區別顯示晶圓W與框體301。亦即,在所形成之攝像影像G中,例如,僅晶圓W顯示白色,框體301則顯示黑色,故可正確地檢測晶圓W的外周緣Wd。
控制手段9以正確地顯示晶圓W之外周緣Wd的攝像影像G為基礎,而決定攝像影像G中的晶圓W之外周緣Wd上的一點、即邊緣坐標P的坐標位置,並將邊緣坐標P的坐標位置記憶於圖1所示之記憶部90。
進一步至少在晶圓W之外周緣Wd上分離的2處形成上述攝像影像G及決定邊緣坐標P,控制手段9決定包含邊緣坐標P的至少3點之邊緣坐標並記憶於記憶部90。再者,控制手段9根據3點的邊緣坐標實施幾何學演算處理,求出保持於保持台30的晶圓W之中心點的坐標位置。
控制手段9持續掌握保持台30的保持面300a之中心的坐標位置,故可求出保持於保持台30的晶圓W之中心點的坐標位置,藉此,控制手段9可識別晶圓W的中心點與保持台30的保持面300a之中心的偏差量。因此,例如,控制手段9可決定已修正該偏差量的加工手段62之適當分度進給量等(所謂的可實施邊緣對準)。
例如,如上所述,檢測出晶圓W的外周緣Wd之邊緣坐標P的坐標位置後,保持台30以預定的切割進給速度往-X方向切割進給,將保持於保持台30的晶圓W定位於圖4所示之加工手段62的下方。然後,進行邊緣對準,分度進給手段60以晶圓W的外周緣Wd之邊緣坐標P的坐標位置為基準,使加工手段62在Y軸方向上移動,將切割刀片623定位於從晶圓W的外周緣Wd僅間隔預定距離的徑向內側位置。亦即,例如,以使切割刀片623之端面的約2/3與包含晶圓W之外周緣Wd的晶圓W之外周剩餘區域Wa2接觸的方式將切割刀片623進行定位。
此外,邊緣對準亦可不是如上所述以晶圓W的外周緣Wd之邊緣坐標P的坐標位置為基準而將從該坐標位置與徑向內側間隔預定距離的位置決定為切割刀片623之定位位置的方法,而是使用預先識別的晶圓W之半徑值,將從晶圓W的中心點之坐標位置與徑向外側間隔預定距離的位置決定為切割刀片623之定位位置的方法。
此外,邊緣對準亦可不是如上所述以晶圓W的外周緣Wd之邊緣坐標P的坐標位置為基準而將從該坐標位置與徑向內側間隔預定距離的位置決定為切割刀片623之定位位置的方法,而是使用預先識別的晶圓W之半徑值,將從晶圓W的中心點之坐標位置與徑向外側間隔預定距離的位置決定為切割刀片623之定位位置的方法。
接著,圖中未表示的馬達使主軸620在從+Y方向側來看為逆時鐘的方向上高速旋轉,藉此使固定於主軸620的切割刀片623在從+Y方向側來看為逆時鐘的方向上高速旋轉。再者,圖1所示之切入進給手段61使加工手段62往-Z方向下降,以使切割刀片623從晶圓W的上表面Wa切入預定深度。切割刀片623的切入深度,例如根據在晶圓W的修整加工後實施的研削加工中的晶圓W之研削量等而決定。將切割刀片623切入進給至預定的高度位置後,在使切割刀片623持續高速旋轉的狀態下,使保持台30在從+Z方向側來看為逆時鐘的方向上旋轉360度,藉此將晶圓W的外周緣Wd整個圓周進行切割而修整。
本發明之加工裝置2具備保持台30,其具備:攝像手段81,面對保持台30的保持面300a而配設,以拍攝保持台30所保持之晶圓W的外周緣Wd;照明手段82,面對保持面300a而配設,以對保持台30所保持之晶圓W的外周緣Wd投射光線;及加工手段62,將保持台30所保持之晶圓W進行加工,因此可從所取得的無光暈之攝像影像G正確地檢測晶圓W的外周緣Wd,並根據所檢測的晶圓W之外周緣Wd的正確坐標位置而適當地進行晶圓W與加工手段62的對位(邊緣對準),以進行邊緣修整加工。
(2)加工裝置的實施方式2
圖5所示之加工裝置1(以下作為實施方式2的加工裝置1),係對藉由保持台30進行吸引保持之晶圓W實施研削加工的裝置。
進行研削之晶圓W,例如與先前所說明的圖2所示之晶圓W相同。此外,在圖5中朝向上方的晶圓W之正面Wa上黏貼有保護膠膜T加以保護。
圖5所示之加工裝置1(以下作為實施方式2的加工裝置1),係對藉由保持台30進行吸引保持之晶圓W實施研削加工的裝置。
進行研削之晶圓W,例如與先前所說明的圖2所示之晶圓W相同。此外,在圖5中朝向上方的晶圓W之正面Wa上黏貼有保護膠膜T加以保護。
在加工裝置1之X軸方向上延伸的底座10的前側(-X方向側)配設有輸入手段110,用以使操作員對加工裝置1輸入加工條件等。又,在底座10上的前側配設有容納研削前之晶圓W的第一卡匣111及容納已研削之晶圓W的第二卡匣112。在第一卡匣111與第二卡匣112之間配設有機械手臂113,該機械手臂113具備將研削前的晶圓W從第一卡匣111搬出並且將已研削的晶圓W搬入第二卡匣112的多關節臂。
在機械手臂113的可動範圍內設有暫置加工前之晶圓W的暫置台114,並在暫置台114上配設有對位手段115。對位手段115以縮徑的對位銷將從第一卡匣111搬出並載置於暫置台114的晶圓W進行中心校正。
在機械手臂113的可動範圍內配設有將已研削的晶圓W進行清洗的清洗手段116。清洗手段116例如為枚葉式旋轉清洗裝置。
在對位手段115的附近配設有第一搬送手段117,並在清洗手段116的附近配設有第二搬送手段118。可藉由軸部117a水平旋轉移動且上下移動的第一搬送手段117將載置於暫置台114並已進行中心校正的研削前之晶圓W搬送至保持台30,第二搬送手段118則將保持於保持台30的已研削之晶圓W搬送至清洗手段116。
藉由外殼31從周圍將保持台30包圍,並利用配設於外殼31之下方的圖中未表示之旋轉手段,以可繞著Z軸方向的軸心旋轉的方式支撐保持台30。外殼31上連結有在X軸方向上伸縮的蛇腹罩311,在外殼31及蛇腹罩311的下方配設有圖中未表示的X軸方向移動手段,其使保持台30在X軸方向上來回移動。X軸方向移動手段係利用馬達使滾珠螺桿旋動,藉此使保持台30移動的滾珠螺桿機構。
柱體12立設於加工裝置1的後側(+X方向側),在柱體12的前面配設有在垂直方向(Z軸方向)上研削進給的研削進給手段15,其使加工手段7相對於保持台30分離或接近。研削進給手段15具備:滾珠螺桿150,其具有垂直方向的軸心;一對導軌151,與滾珠螺桿150平行配設;馬達152,與滾珠螺桿150的上端連結以使滾珠螺桿150旋動;及升降板153,內部螺帽與滾珠螺桿150螺合且側部與導軌151滑動接觸;若馬達152使滾珠螺桿150旋動,則伴隨於此,升降板153由導軌151引導而在Z軸方向上來回移動,固定於升降板153的加工手段7在Z軸方向上研削進給。
加工手段7具備:主軸70,其軸向為垂直方向;外殼71,可旋轉地支撐主軸70;馬達72,將主軸70進行旋轉驅動;圓形的安裝件73,連接於主軸70的下端;及研削輪74,可裝卸地連接於安裝件73的下表面。然後,如圖6所示,研削輪74具備:輪基台740、及在輪基台740之底面的外緣部配設成環狀的略長方體形狀的多個研削磨石741。研削磨石741例如係以樹脂結合劑或金屬結合劑等固著有金剛石磨粒等而成形。排列成環狀的研削磨石741例如形成為:其最外周的直徑大於晶圓W之元件區域Wa1的半徑且小於元件區域Wa1的直徑,並且其最內周的直徑小於元件區域Wa1的半徑。
於主軸70內部形成有圖中未表示的流路,其在主軸70的軸向上貫通而成為研削水的通路。該流路通過安裝件73,並在輪基台740的底面上以可朝向研削磨石741噴出研削水的方式開口。
加工裝置1與圖1所示之實施方式1的加工裝置2相同地具備攝像手段81及照明手段82。攝像手段81及照明手段82例如配設於保持台30的移動路徑上,在本實施方式中,其固定於與第一搬送手段117的軸部117a水平連結之臂部84的前端。
此外,攝像手段81及照明手段82的配設處並不限定於上述例子,攝像手段81及照明手段82亦可與第一搬送手段117分開而移動。
此外,攝像手段81及照明手段82的配設處並不限定於上述例子,攝像手段81及照明手段82亦可與第一搬送手段117分開而移動。
加工裝置2具備對裝置整體進行控制的控制手段9,在控制手段9下,對圖中未表示的X軸方向移動手段所進行的保持台30之移動動作、研削進給手段15所進行的加工手段7之研削進給動作進行控制,又,根據攝像手段81所形成的攝像影像實施邊緣對準。控制手段9具備記憶部90及影像處理部92。
以下說明藉由圖5所示之加工裝置1將晶圓W的背面Wb進行研削的情況。本研削加工係用以將晶圓W研削至極薄並且提升處理性的研削加工(所謂的TAIKO研削加工),其係將與正面Wa之元件區域Wa1對應的晶圓W之背面Wb中的區域進行研削以形成圓形的凹部,並在與外周剩餘區域Wa2對應的晶圓W之背面Wb的區域形成補強用的環狀凸部。
首先,藉由機械手臂113將黏貼有保護膠膜T的一片晶圓W從第一卡匣111內搬出。接著,機械手臂113在使晶圓W的背面Wb側朝上的狀態下將其載置暫置台114上。然後,對位手段115的各對位銷推壓晶圓W的外周緣Wd來修正其位置,以將晶圓W進行中心校正。
藉由第一搬送手段117吸附經進行中心校正之狀態的晶圓W,並從暫置台114搬出。吸引保持有晶圓W的第一搬送手段117進行旋轉移動,藉由第一搬送手段117,以使晶圓W的中心與保持台30之保持面300a的中心大概一致的方式,在晶圓W的背面Wb朝上側的狀態下,將其跨置在保持面300a與框體301的上表面301a之後,保持台30將晶圓W吸引保持在保持面300a上。
圖中未表示的X軸方向移動手段使保持台30在X軸方向上移動,並且臂部84隨著軸部117a的旋轉而旋轉移動,以使晶圓W的外周緣Wd與框體301的上表面301a包含於攝像手段81之攝像區域內的方式,將保持台30定位於預定位置。進行自動對焦以使攝像手段81的焦距對準晶圓W的背面Wb後,藉由攝像手段81拍攝晶圓W的外周緣Wd。
晶圓W的上表面、即背面Wb成為反射光線的銀色等的鏡面,相對於此,框體301的上表面301a則成為吸收光線的黑色面。
照明手段82的光源發出預定光量的光,從光源所發出的光投射至晶圓W之背面Wb的外周緣Wd及框體301的上表面301a。然後,以圖中未表示的接物鏡捕捉來自晶圓W的反射光,並射入受光部812(參照圖3)的受光元件。另一方面,框體301的上表面301a形成黑色面,其反射率低於晶圓W的上表面、即背面Wb,因此幾乎無來自上表面301a的反射光,亦不會射入受光部812。
照明手段82的光源發出預定光量的光,從光源所發出的光投射至晶圓W之背面Wb的外周緣Wd及框體301的上表面301a。然後,以圖中未表示的接物鏡捕捉來自晶圓W的反射光,並射入受光部812(參照圖3)的受光元件。另一方面,框體301的上表面301a形成黑色面,其反射率低於晶圓W的上表面、即背面Wb,因此幾乎無來自上表面301a的反射光,亦不會射入受光部812。
將攝像影像資訊從攝像手段81發送至圖1所示之控制手段9。控制手段9的影像處理部92對所發送的攝像影像資訊進行二值化處理。此外,亦可不利用影像處理部92進行二值化處理。
本發明之保持台30具備:保持部300,具有吸引保持晶圓W的保持面300a;及框體301,圍繞保持部300;框體301的內徑形成為小於保持之晶圓W的外徑,且框體301的外徑形成為大於保持之晶圓W的外徑,並且框體301的上表面301a形成為反射率低於保持之晶圓W的上表面Wb,因此若從照明手段82對晶圓W投射光線以進行拍攝,則不會在所形成之攝像影像上產生光暈,而可明確地區別顯示晶圓W與框體301。亦即,在所形成之攝像影像中,例如,僅晶圓W顯示白色,框體301則顯示黑色,故可正確地檢測晶圓W的外周緣Wd。
控制手段9以正確地顯示晶圓W之外周緣Wd的攝像影像為基礎,與在實施方式1的加工裝置2中所說明的情況相同地,根據攝像影像決定晶圓W之外周緣Wd的邊緣坐標,而算出保持於保持台30的晶圓W之中心點的坐標位置。結果,可實施邊緣對準以修正晶圓W的中心點與保持台30之保持面300a的中心的偏差量,而可將保持於保持台30之晶圓W與加工手段7的研削磨石741適當地對位。
保持有晶圓W的保持台30往+X方向移動至加工手段7之下,進行加工手段7之研削磨石741與保持於保持台30之晶圓W的對位。該對位例如係以晶圓W的外周緣Wd之邊緣坐標的位置為基準,將研削磨石741定位於從晶圓W的外周緣Wd僅間隔預定距離的徑向內側的位置。亦即,如圖6所示,例如,以使晶圓W之外周剩餘區域Wa2的內周緣與研削磨石741之旋轉軌道的最外周之一部分重疊、且研削磨石741的旋轉軌道通過晶圓W之旋轉中心的方式而進行。
進行研削磨石741與晶圓W的對位後,馬達72使主軸70例如在從+Z方向側來看為逆時鐘的方向上旋轉驅動,而研削磨石741隨之旋轉。又,將加工手段7送往-Z方向,圖6所示的旋轉之研削磨石741抵接於晶圓W的背面Wb,藉此進行背面Wb的研削。研削加工中,使研削水通過主軸70中的流路,供給至研削磨石741與晶圓W的接觸部位,以將接觸部位進行冷卻・清洗。又,研削加工中,保持台30在從+Z方向側來看為逆時鐘的方向上自轉,保持於保持台30上之晶圓W亦隨之旋轉。
研削加工中,例如,以使晶圓W的旋轉中心持續位於比研削磨石741之旋轉軌道的最外周更內側且比旋轉軌道的內周更外側的方式,使研削磨石741進行旋轉。再者,以使該研削磨石741之旋轉軌道的最外周不接觸與晶圓W之外周剩餘區域Wa2對應的背面Wb之外周區域的方式進行加工控制。因此,研削磨石741將與晶圓W之元件區域Wa1對應的背面Wb之中央區域進行研削,而將該中央區域研削加工成圓形的凹狀,藉此形成圓形凹部Wb1。又,將與外周剩餘區域Wa2對應且圍繞圓形凹部Wb1的環狀凸部Wb2以朝向+Z方向突出的方式形成於晶圓W的背面Wb。
本發明之加工裝置1具備保持台30,其具備:攝像手段81,面對保持台30的保持面300a而配設,以拍攝保持台30所保持之晶圓W的外周緣Wd;照明手段82,面對保持面300a而配設,以對保持台30所保持之晶圓W的外周緣Wd投射光線;及加工手段7,將保持台30所保持之晶圓W進行加工,因此可從所取得的無光暈之攝像影像正確地檢測晶圓W的外周緣Wd,並根據所檢測的晶圓W之外周緣Wd的正確坐標位置適當地進行晶圓W與加工手段7的對位(例如,邊緣對準),以進行所謂TAIKO研削。
此外,本發明之加工裝置並不限定於上述實施方式1的加工裝置2及實施方式2的加工裝置1,附圖中表示的加工裝置2及加工裝置1之構成也不限定於圖示的例子,而可在能夠發揮本發明之效果的範圍內適當變更。例如,在實施方式2的加工裝置1中,攝像手段81及照明手段82亦可配設於暫置台114的上方,在暫置台114上正確地檢測晶圓W之外周緣Wd的攝像及晶圓W的外周緣Wd。
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧晶圓的表面
Wb‧‧‧晶圓的背面
S‧‧‧分割預定線
D‧‧‧元件
Wd‧‧‧晶圓的外周緣
2‧‧‧加工裝置
20‧‧‧基台
210‧‧‧卡匣載置台
211‧‧‧卡匣
212‧‧‧推拉構件
213‧‧‧中心校正導引構件
219‧‧‧清洗手段
30‧‧‧保持台
300‧‧‧保持部
301‧‧‧框體
31‧‧‧外殼
60‧‧‧分度進給手段
61‧‧‧切入進給手段
62‧‧‧加工手段
623‧‧‧切割刀片
81‧‧‧攝像手段
810‧‧‧殼體
811‧‧‧半反射鏡
812‧‧‧受光部
82‧‧‧照明手段
821‧‧‧光學傳輸系統
1‧‧‧加工裝置
10‧‧‧底座
110‧‧‧輸入手段
111‧‧‧第一卡匣
112‧‧‧第二卡匣
113‧‧‧機械手臂
114‧‧‧暫置台
115‧‧‧對位手段
116‧‧‧清洗手段
117‧‧‧第一搬送手段
118‧‧‧第二搬送手段
15‧‧‧研削進給手段
7‧‧‧加工手段
74‧‧‧研削輪
圖1係表示加工裝置(邊緣修整裝置)之一例的立體圖。
圖2係表示保持台與晶圓的立體圖。
圖3係表示從照明手段對保持台所保持之晶圓的外周緣投射光線,並以攝像手段拍攝保持台所保持之晶圓的外周緣之狀態的剖面圖。
圖4係表示以加工手段將保持台所保持之晶圓進行邊緣修整的狀態的剖面圖。
圖5係表示加工裝置(研削裝置)之另一例的立體圖。
圖6係表示以加工手段將保持台所保持之晶圓進行研削的狀態的立體圖。
Claims (2)
- 一種保持台,係保持晶圓,其具備: 保持部,具有吸引保持晶圓的保持面;及框體,圍繞該保持部; 該框體的內徑形成為小於保持之晶圓的外徑,且該框體的外徑形成為大於保持之晶圓的外徑,並且該框體的上表面形成為反射率低於保持之晶圓的上表面。
- 一種加工裝置,係具備如申請專利範圍第1項所述之保持台,其具備: 攝像手段,面對該保持台的保持面而配設,以拍攝該保持台所保持之晶圓的外周緣; 照明手段,面對該保持面而配設,以對該保持台所保持之晶圓的外周緣投射光線;及 加工手段,將該保持台所保持之晶圓進行加工。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018086433A JP7144964B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | ウェーハの研削方法 |
JP2018-086433 | 2018-04-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201946212A true TW201946212A (zh) | 2019-12-01 |
TWI787501B TWI787501B (zh) | 2022-12-21 |
Family
ID=68358154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108114282A TWI787501B (zh) | 2018-04-27 | 2019-04-24 | 保持台以及加工裝置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7144964B2 (zh) |
CN (1) | CN110405570A (zh) |
TW (1) | TWI787501B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112117209A (zh) * | 2019-06-21 | 2020-12-22 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 硅片吸附装置及激光退火设备 |
JP7560249B2 (ja) * | 2020-01-16 | 2024-10-02 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
WO2024135175A1 (ja) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | ウェハ処理装置、ウェハ処理方法、イオン注入装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0582628A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-04-02 | Fujitsu Ltd | オリフラ検出装置及び方法 |
JPH05165222A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Olympus Optical Co Ltd | リングパターン描画装置 |
JPH10144748A (ja) * | 1996-11-12 | 1998-05-29 | Shimadzu Corp | ウェハステージ |
JP4544706B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | 基板ホルダー |
JP2002280287A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nikon Corp | 位置検出方法、位置検出装置、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006093333A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
JP4728061B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2011-07-20 | 株式会社ディスコ | 被加工物形状認識装置 |
JP4462140B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2010-05-12 | 住友電気工業株式会社 | ウエハプローバ用チャックトップ、ウエハ保持体、及びそれらを備えたウエハプローバ |
JP2009229266A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークのエッジ検出装置及びレーザー加工方法及び装置 |
JP5438963B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-03-12 | リンテック株式会社 | 板状部材の位置認識装置および位置認識方法 |
JP5829881B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2015-12-09 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP5893952B2 (ja) * | 2012-02-22 | 2016-03-23 | 株式会社ディスコ | チャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法 |
JP2014229875A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6532800B2 (ja) * | 2015-10-21 | 2019-06-19 | 東芝メモリ株式会社 | 反射防止部材及びオリエンタ装置 |
-
2018
- 2018-04-27 JP JP2018086433A patent/JP7144964B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-19 CN CN201910317673.2A patent/CN110405570A/zh active Pending
- 2019-04-24 TW TW108114282A patent/TWI787501B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7144964B2 (ja) | 2022-09-30 |
JP2019192854A (ja) | 2019-10-31 |
CN110405570A (zh) | 2019-11-05 |
TWI787501B (zh) | 2022-12-21 |
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