TW201942965A - 單件體形成裝置和單件體形成方法 - Google Patents

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Abstract

可防止裝置複雜化之單件體形成裝置係將被接著體WF單件化而形成單件體CP之單件體形成裝置EA，於被接著體WF係預先貼附有接著片AS，在該接著片AS係添加有藉由賦予預定之能量IR而膨脹之膨脹性微粒子SG，該單件體形成裝置EA係包括：改質部形成機構10，係於被接著體WF形成改質部MT，且於被接著體WF形成由該改質部MT圍繞之單件化預定區域WFP；以及單件化機構20，係對被接著體WF賦予外力而以改質部MT為起點於該被接著體WK形成龜裂CK，將該被接著體WF單件化而形成單件體CP；單件化機構20係對接著片AS部分地賦予能量IR，使在被賦予了該能量IR之接著片部分ASP所添加之前述膨脹性微粒子SG膨脹，使貼附於該接著片部分ASP之單件化預定區域WFP位移而形成單件體CP。

Description

單件體形成裝置和單件體形成方法
本發明係關於一種單件體形成裝置和單件體形成方法。
先前，已知單件體之製造方法中所使用之單件體形成裝置，該單件體之製造方法係以已形成於被接著體之改質部為起點將該被接著體單件化而形成單件體(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2015-211080號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，在專利文獻1中所記載之先前之單件體形成裝置中，係拉引貼附於半導體晶圓4(被接著體)之切割帶(dicing tape)1(接著片)，以改質區域41(改質部)為起點將該被接著體單件化，從而形成黏晶(die bond)用晶片(單件體)，因此會產生裝置複雜化的不良情況。
本發明之目的在於提供可防止裝置複雜化之單件體形成裝置。 [用以解決課題的手段]
本發明係採用請求項記載之構成。 [發明功效]
根據本發明，藉由使所添加之膨脹性微粒子膨脹，使單件化預定區域位移而形成單件體，因此可防止裝置複雜化。
以下，基於圖式對本發明之實施形態進行說明。 再者，本實施形態中之X軸、Y軸、Z軸處於各自正交之關係，X軸及Y軸設為預定平面內之軸，Z軸設為與前述預定平面正交之軸。進而，在本實施形態中，以與Y軸平行之圖1中的(A)中近前方向觀察之情形為基準，不指定圖來表示方向時，「上」為Z軸之箭頭方向而「下」為其反方向，「左」為X軸之箭頭方向而「右」為其反方向，「前」為與Y軸平行之圖1中的(A)中近前方向而「後」為其反方向。
本發明之單件體形成裝置EA係將作為被接著體之半導體晶圓(以下有時也簡稱為「晶圓」)WF單件化而形成作為單件體之半導體晶片(以下有時簡稱為「晶片」)CP之裝置，包括：改質部形成機構10，係於晶圓WF形成改質部MT，且於晶圓WF形成由該改質部MT圍繞之單件化預定區域WFP；單件化機構20，係對晶圓WF賦予外力而以改質部MT為起點於該晶圓WF形成龜裂CK，將該晶圓WF單件化而形成晶片CP；移動機構30，係使晶圓WF與單件化機構20相對移動；以及位移抑制機構40，係抑制藉由單件化機構20位移前之晶圓WF部分發生位移；該單件體形成裝置EA係被配置於支持晶圓WF之晶圓支持機構50之附近。 再者，於接著片AS係預先貼附有已添加膨脹性微粒子SG之接著片AS，該膨脹性微粒子SG係藉由賦予作為預定之能量之紅外線IR而膨脹。而且，本實施形態中，接著片AS採用的是以下材料：具備基材BS及接著劑層AL且僅在該接著劑層AL添加有膨脹性微粒子SG。
改質部形成機構10係具備：作為驅動機器之所謂的多關節機器人11，係由複數個臂(arm)構成，且能夠於其作業範圍內將由作為作業部之前端之臂11A所支持的構件位移至任一位置任一角度；以及雷射照射機12，係被支持於前端之臂11A，對晶圓WF照射雷射LS而形成改質部MT；該改質部形成機構10係以如下方式構成：形成第一改質部MTY與第二改質部MTX，且形成由第一改質部MTY及第二改質部MTX圍繞之單件化預定區域WFP，該第一改質部MTY係沿著作為第一方向之Y軸方向，該第二改質部MTX係沿著作為與Y軸方向交叉之第二方向之X軸方向。再者，多關節機器人11例如可例示為與日本特開2016-81974所例示之多關節機器人111等相符的機器人。
單件化機構20為如下構成：係具備被支持於移動機構30之光源箱21、被支持於光源箱21內且發出紅外線IR之發光源22、以及使已由該發光源22發出之紅外線IR聚光之聚光板23；設置成於賦予了紅外線IR之位置能夠形成該紅外線IR之賦予區域沿預定之方向延伸之線狀賦予區域LG；對接著片AS部分地賦予紅外線IR，使在被賦予了該紅外線IR之接著片部分ASP所添加之膨脹性微粒子SG膨脹，使貼附於該接著片部分ASP之單件化預定區域WFP位移而形成晶片CP。
移動機構30為如下構成：係具備作為驅動機器之轉動馬達31及作為驅動機器之線性馬達(linear motor)32，該線性馬達32係被支持於該轉動馬達31之輸出軸31A且利用其滑塊(slider)32A來支持光源箱21；使單件化機構20已形成的線狀賦予區域LG以與Y軸方向平行之方式移動，進而使線狀賦予區域LG以與X軸方向平行之方式移動。
位移抑制機構40係具備壓板41，該壓板41係被支持於與多關節機器人11同等之未圖示之驅動機器之前端之臂。
晶圓支持機構50係具備支持台(table)51，該支持台51係具有能夠藉由減壓泵或真空噴射器等未圖示之減壓機構(保持機構)吸附保持之支持面51A，且能夠透射紅外線IR。
對以上之單件體形成裝置EA之動作進行說明。 首先，對於在圖1中的(A)中由實線表示之初始位置配置有各構件的單件體形成裝置EA，由該單件體形成裝置EA之使用者(以下簡稱為「使用者」)或多關節機器人或帶式輸送機等未圖示之搬送機構來將貼附有接著片AS之晶圓WF如該圖所示般載置於支持台51上。於是，晶圓支持機構50驅動未圖示之減壓機構，開始支持面51A處之晶圓WF之吸附保持。接下來，改質部形成機構10驅動多關節機器人11及雷射照射機12，使雷射照射機12向前後方向移動，如圖1中的(A)中以雙點鏈線所示，當在晶圓WF形成第一改質部MTY後，使雷射照射機12向左右方向移動，如圖1中的(B)中以雙點鏈線所示，於晶圓WF形成第二改質部MTX，形成單件化預定區域WFP。
其後，單件化機構20及移動機構30驅動發光源22及線性馬達32且形成沿Y軸方向延伸之線狀賦予區域LG後，如圖1中的(C)所示，使光源箱21從右側朝向左側移動。於是，在被賦予了紅外線IR之接著片部分ASP所添加之膨脹性微粒子SG如該圖所示逐個地膨脹，於接著劑層AL形成無數個凸部CV。藉此，晶圓WF係從右側朝向左側逐個且部分地被上拉而位移，以第一改質部MTY為起點形成沿Y軸方向延伸之龜裂CKY，成為沿Y軸方向延伸之短條狀之晶圓WFS。此時，位移抑制機構40驅動未圖示之驅動機器，於不欲使其位移之單件化預定區域WFP上配置壓板41。藉此，可抑制鄰接之單件化預定區域WFP追隨位移之單件化預定區域WFP一起位移，且可防止不能形成以改質部MT為起點之龜裂CK。
然後，當光源箱21到達晶圓WF之左端部之左側預定位置時，單件化機構20及移動機構30使發光源22及線性馬達32之驅動停止。再者，本實施形態中，當如上述般形成龜裂CKY時，單件化機構20係照射紅外線IR，俾使在被賦予了紅外線IR之接著片部分ASP所添加之各個膨脹性微粒子SG不會完全膨脹、或者俾使在被賦予了紅外線IR之接著片部分ASP所添加之膨脹性微粒子SG不會全部膨脹。
而且，移動機構30驅動轉動馬達31，使單件化機構20於XY平面內以90度旋轉移動。接下來，單件化機構20及移動機構30驅動發光源22及線性馬達32，形成了沿X軸方向延伸之線狀賦予區域LG後，如圖1中的(D)所示，使光源箱21從前方朝向後方移動。於是，如該圖所示，在被賦予了紅外線IR之接著片部分ASP所添加之各個膨脹性微粒子SG逐個地膨脹得更大，或在被賦予了紅外線IR之接著片部分ASP所添加之膨脹性微粒子SG膨脹得更多，形成於接著劑層AL之無數個凸部CV擴大。藉此，短條狀之晶圓WFS係從前方朝向後方逐個且部分地被上拉而位移，以第二改質部MTX為起點形成沿X軸方向延伸之龜裂CKX，由該龜裂CKX及先形成之龜裂CKY成為複數個晶片CP。此時亦宜為位移抑制機構40驅動未圖示之驅動機器，以壓板41壓好不欲使其位移之單件化預定區域WFP。
其後，當光源箱21到達晶圓WF之後端部之後方預定位置時，單件化機構20停止發光源22之驅動後，移動機構30驅動線性馬達32，使光源箱21恢復到初始位置。然後，拾取(pick-up)裝置或保持裝置等未圖示之晶片搬送機構或使用者將全部晶片CP或預定數量之晶片CP從接著片AS取出，當將該晶片CP向另一步驟搬送時，晶圓支持機構50停止未圖示之減壓機構之驅動後，使用者或未圖示之搬送機構從支持台51上取出接著片AS，以後重複上述相同之動作。 再者，因接著片AS藉由無數個凸部CV而與晶片CP之接著區域減少，因此與該晶片CP之接著力減少，即便在採用與晶片CP(晶圓WF)之接著力強之材料作為接著片AS之情形時，亦可簡單地將晶片CP從接著片AS取出。
根據以上之實施形態，藉由使所添加之膨脹性微粒子SG膨脹，使單件化預定區域WFP位移而形成晶片CP，因此可防止裝置複雜化。
本發明中之機構及步驟只要能夠實現對該等機構及步驟所說明之動作、功能或步驟則不作限定，而且完全不限定於前述實施形態中所示之僅僅一實施形態之構成物或步驟。例如，改質部形成機構只要能夠於被接著體形成改質部且於被接著體形成由該改質部圍繞或由該改質部及被接著體之外緣圍繞之單件化預定區域，則比對申請當初之技術常識，只要在其技術範圍內則不作限定(其他機構及步驟亦相同)。
改質部形成機構10可不使雷射照射機12移動或使雷射照射機12移動，且使晶圓WF移動而於該晶圓WF形成改質部MT、亦可形成一個與X軸或Y軸平行之改質部MT、亦可形成一個或複數個不與X軸或Y軸平行之改質部MT、亦可形成複數個相互不等間隔之改質部MT、亦可形成複數個相互平行或不平行之改質部MT、亦可形成複數個不相互交叉之改質部MT、亦可形成複數個相互正交或斜交之改質部MT、亦可形成一個或複數個曲線狀或折線狀之改質部MT。藉由這種改質部MT所形成之單件化預定區域WFP或晶片CP之形狀可為圓形、橢圓形、三角形或四邊形以上之多邊形等任何形狀，除第一方向、第二方向以外，亦可於其他一個或兩個以上之方向分別形成一個或複數個改質部MT。 改質部形成機構10係可藉由雷射光、電磁波、振動、熱、化學藥劑、化學物質等之賦予而變更晶圓WF之特性、特質、性質、材質、組成、構成、尺寸等，藉此將晶圓WF脆化、粉碎、液化或空心化而形成改質部MT。這種改質部MT可以是任何種類，只要以膨脹性微粒子SG之膨脹為外力將被接著體單件化而形成單件體即可。 於改質部MT預先形成於晶圓WF之情形時，本發明之單件體形成裝置EA中可不具備改質部形成機構10，亦可具備改質部形成機構10。
單件化機構20係如圖2中的(A)所示由如下構成：發光源24，係能夠對接著片AS整體一併賦予紅外線IR；反射板25，係使已由該發光源24發出之紅外線IR反射；以及開閉板26，係能夠使反射板25之上部之開口部25A開閉；從已利用開閉板26完全關閉開口部25A的狀態起，使該開閉板26從右側朝向左側逐漸移動，且如圖2中的(A-1)所示，從右側朝向左側逐個地形成龜裂CKY，形成沿Y軸方向延伸之短條狀之晶圓WFS。接下來，使單件化機構20在XY平面內以90度旋轉移動後，從已利用開閉板26完全關閉開口部25A的狀態起，使該開閉板26從前方朝向後方逐漸移動，且如圖2中的(A-2)所示，可從前方朝向後方逐個地形成龜裂CKX，由龜裂CKX及龜裂CKY形成晶片CP。在該情形下，亦可如圖2中的(B-1)、(B-2)所示，採用具備狹縫(slit)27A之開閉板27代替開閉板26，該狹縫27A係供以發光源24發出的紅外線IR形成線狀賦予區域LG。再者，亦可於狹縫27A設置使紅外線IR聚光或成為平行光的透鏡。 單件化機構20可不具有聚光板23或反射板25，亦可代替聚光板23或與聚光板23並用地設置使紅外線IR聚光或成為平行光之透鏡，可考慮膨脹性微粒子SG之特性、特質、性質、材質、組成及構成等而任意地決定對接著片AS照射紅外線IR之時間。可採用LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、金屬鹵化物燈(metal halide lamp)、氙氣燈、鹵素燈等之類的任何的燈，亦可採用將該等適當組合而成的燈作為單件化機構20之發光源22、24。單件化機構20可採用賦予雷射光、電磁波、振動、熱、化學藥劑、化學物質等作為能量的機構，或採用將該等適當組合而成的機構，還可考慮膨脹性微粒子SG之特性、特質、性質、材質、組成及構成等採用任意之構成，於被接著體能夠透射預定之能量之情形時，單件化機構20可從被接著體側賦予該預定之能量，亦可從接著片AS側賦予，還可從被接著體側與接著片AS側之雙方賦予。 單件化機構20例如可使賦予紅外線IR之接著片部分ASP僅對應於任意位置之單件化預定區域WFP之一個或複數個區塊，使貼附於該接著片部分ASP之由一個或複數個區塊構成之單件化預定區域WFP位移而形成晶片CP。 於前述實施形態中，雖單件化機構20形成線狀賦予區域LG而對接著片AS部分地賦予紅外線IR，不過亦可形成紅外線IR之賦予區域為點狀的點狀賦予區域而對接著片AS部分地賦予紅外線IR，亦可形成與單件化預定區域WFP之平面形狀對應之面狀賦予區域或不與單件化預定區域WFP之平面形狀對應之面狀賦予區域而對接著片AS部分地賦予紅外線IR。
移動機構30係如圖2中的(C)所示，可使與第一改質部MTY及第二改質部MTX斜交之線狀賦予區域LG(未圖示)從晶圓WF之一端朝向另一端移動，藉此以第一改質部MTY、第二改質部MTX之雙方為起點而同時形成龜裂CKY、CKX地形成晶片CP。再者，該情形之斜交角度可以是例如相對於X軸或Y軸為1度、5度、10度、45度、60度、89度等任一角度。 移動機構30可不使單件化機構20移動或使單件化機構20移動，且使晶圓WF移動，相對於單件化機構20使晶圓WF在XY平面內以90度旋轉移動，或可使線狀賦予區域LG以與Y軸方向平行之方式移動，或可使線狀賦予區域LG以與X軸方向平行之方式移動，或可使線狀賦予區域LG以不與X軸或Y軸方向平行之方式移動，可作為構成本發明之單件體形成裝置EA之構成物而設置，在以其他裝置使晶圓WF及單件化機構20之至少一者移動之情形下，可不設置於本發明之單件體形成裝置EA。
位移抑制機構40係可採用如下之其他構成：可使壓板41抵接於不欲使其位移之單件化預定區域WFP上，亦可不使壓板41抵接於該單件化預定區域WFP上，藉由氣體之吹送來抑制藉由單件化機構20位移前之晶圓WF發生位移，或利用滑輪及帶(belt)來抑制藉由單件化機構20位移前之晶圓WF發生位移，亦可不設置在本發明之單件體形成裝置EA中。
晶圓支持機構50可以是在基材BS側貼附鐵板或玻璃板等板狀構件(保持構件)而支持晶圓WF之構成，若被接著體無法透射預定之能量，則支持台51或板狀構件可由能夠透射該預定之能量之構件構成，若被接著體能夠透射預定之能量，則支持台51或板狀構件可由無法透射該預定之能量之構件構成，亦可由能夠透射該預定之能量之構件構成。 晶圓支持機構50可以是無保持機構之態樣，或者可作為構成本發明之單件體形成裝置EA之構成物而設置，或者當以其他裝置來支持晶圓WF時，可不設置於本發明之單件體形成裝置EA中。
例如，膨脹性微粒子SG具有：未圖示之第一膨脹性微粒子，係利用作為第一能量之80℃之熱而膨脹；以及未圖示之第二膨脹性微粒子，係利用作為第二能量之100℃之熱而膨脹；單件化機構20可具備：未圖示之第一單件化機構，係賦予作為第一能量之80℃之熱；以及未圖示之第二單件化機構，係賦予作為第二能量之100℃之熱。在該情形下，以與上述實施形態相同之動作，單件化機構20賦予80℃之熱而以第一改質部MTY為起點形成龜裂CKY後，賦予100℃之熱而以第二改質部MTX為起點形成龜裂CKX，從而可形成晶片CP。再者，第一能量及第二能量可以是任何溫度之熱，於膨脹性微粒子SG具有利用第一能量、第二能量以外之其他溫度之熱而膨脹之其他膨脹性微粒子之情形下，單件化機構20可設為增設了用以賦予其他溫度之熱之其他單件化機構之態樣。 而且，採用添加有利用作為第一能量之紅外線而膨脹之未圖示之第一膨脹性微粒子與利用作為第二能量之紫外線而膨脹之未圖示之第二膨脹性微粒子來作為膨脹性微粒子SG的接著片AS，以與上述實施形態相同之動作，單件化機構20可於賦予紅外線而以第一改質部MTY為起點形成龜裂CKY後，賦予紫外線而以第二改質部MTX為起點形成龜裂CKX，從而形成晶片CP。再者，第一能量與第二能量之組合可以依據在接著片AS所添加之第一膨脹性微粒子、第二膨脹性微粒子之組合而採用如紅外線、紫外線、可見光、聲波、X射線或伽馬(gamma)射線等電磁波或熱水或熱空氣等任何組合，於採用添加有利用第一能量、第二能量以外之其他能量而膨脹之其他膨脹性微粒子之接著片AS之情形時，可設為增設了用以賦予該其他能量之其他單件化機構之態樣。 進而，在前述實施形態中，雖使線狀賦予區域LG從晶圓WF之一端朝向另一端逐漸移動，不過也能夠以線狀賦予區域LG僅位於形成有改質部MT之位置的方式使單件化機構20移動，以改質部MT為起點形成龜裂CK，或可使發光源22、24熄滅，以線狀賦予區域LG位於形成有改質部MT之位置的方式使單件化機構20或狹縫27A移動後驅動發光源22、24，以改質部MT為起點形成龜裂CK。 而且，可採用添加有將紫外線、可見光、聲波、X射線或伽馬射線等電磁波或熱水或熱空氣等之熱作為預定之能量而膨脹之膨脹性微粒子SG的材料作為接著片AS，關於單件化機構20，考慮該等膨脹性微粒子SG之特性、特質、性質、材質、組成及構成等而能使該膨脹性微粒子SG膨脹且將被接著體單件化而形成單件體即可。
對於接著片AS而言，可採用僅在構成該接著片AS之基材BS添加有膨脹性微粒子SG的材料，亦可採用在接著劑層AL與基材BS之雙方添加有膨脹性微粒子SG的材料，亦可採用在接著劑層AL與基材BS之中間存在中間層且於該中間層、接著劑層AL及基材BS中至少一個或至少兩個添加膨脹性微粒子SG的材料。接著片AS可貼附於晶圓WF中形成有電路之面，亦可貼附於未形成電路之面，還可貼附於晶圓WF之兩面，如此，當於晶圓WF之兩面貼附有接著片AS時，該等接著片AS可相同，亦可不同，膨脹性微粒子SG可不添加到任一方的接著片。 單件體不限於晶片CP，例如可以是短條狀之晶圓WFS，該情形之單件化預定區域係成為由第一改質部MTY及晶圓WF之外緣圍繞之區域，移動機構30僅使單件化機構20形成之線狀賦予區域LG以與Y軸、X軸或其他方向平行之方式移動即可。 若被接著體為預先如短條狀之晶圓WFS那樣的構件，則移動機構30也可以只使單件化機構20形成之線狀賦予區域LG以與X軸、Y軸或其他方向平行之方式移動形成晶片CP。 例如可例示如下微粒子作為膨脹性微粒子SG：異丁烷、丙烷、戊烷等之藉由加熱而容易氣化並膨脹之物質內包在具有彈性之殼內而成，可以是日本專利申請之特願2017-73236、日本特開2013-159743、日本特開2012-167151、日本特開2001-123002等中揭示之熱發泡性微粒子、或日本特開2013-47321、日本特開2007-254580、日本特開2011-212528、日本特開2003-261842等中揭示之膨脹性微粒子等，不作任何限定，例如可採用熱分解而產生水、碳酸氣體、氮氣而實現與膨脹性微粒子類似之效果的發泡劑，亦可以是日本特開2016-53115、日本特開平7-278333中揭示之利用由紫外線產生氣體之偶氮化合物等氣體產生劑使殼膨脹之劑，例如可以是藉由加熱而膨脹之橡膠或樹脂等，此外，亦可以是碳酸氫鈉(sodium bicarbonate)、發酵粉(baking powder)等。 除紅外線以外，膨脹性微粒子SG可藉由賦予紫外線、可見光、聲波、X射線或伽馬射線等電磁波或熱水或熱空氣等之熱等作為預定之能量而膨脹，根據此種膨脹性微粒子SG之特性、特質、性質、材質、組成及構成等選擇能量賦予機構即可。 晶圓WF係可於一面及另一面中的至少一面形成有預定之電路，亦可不在該等雙方形成有電路。
本發明之單件體形成裝置EA係可具備對晶圓WF貼附接著片AS之眾所周知的片(sheet)貼附機構，亦可具備將晶圓WF研削(研磨)至預定之厚度的眾所周知之研削(研磨)機構，亦可具備將晶片CP從接著片AS取出之眾所周知之拾取機構，亦可具備將已從接著片AS取出之晶片CP接著於基板或載置台等其他構件之眾所周知之接著機構。
本發明中之接著片AS及被接著體之材質、類別、形狀等不作特別限定。例如，接著片AS可以是圓形、橢圓形、三角形或四邊形等多邊形、其他形狀，可以是感壓接著性、感熱接著性等接著形態，於採用感熱接著性之接著片AS之情形時，以如下的適當方法接著即可：設置用來加熱該接著片AS之適當的線圈加熱器(coil heater)或熱管(heat pipe)之加熱側等之加熱機構。而且，此種接著片AS可以是例如僅具有接著劑層AL之單層的接著片、於基材BS與接著劑層AL之間具有中間層的接著片、於基材BS之上表面具有覆蓋層(cover layer)等三層以上的接著片、更可以是可將基材BS從接著劑層AL剝離之所謂兩面接著片，兩面接著片可以是具有單層或複層之中間層、或者可以無中間層之單層或複層的接著片。而且，作為被接著體而言，例如可以是食品、樹脂容器、矽半導體晶圓或化合物半導體晶圓等半導體晶圓、電路基板、光碟等資訊記錄基板、玻璃板、鋼板、陶器、木板或樹脂等單獨物質，可以是該等兩個以上形成之複合物，可將任意形態之構件或物品等作為對象。再者，接著片AS可以替換為功能性及用途性可讀者，例如，可以是資訊記載用標籤(label)、裝飾用標籤、保護片、切割帶、晶粒黏著膜(die attach film)、固晶帶(die bond tape)、記錄層形成樹脂片材等任意之片、膜、帶等。
在前述實施形態中之驅動機器中可採用：轉動馬達、直動馬達、線性馬達(linear motor)、單軸機器人、具備二軸或三軸以上之關節之多關節機器人等電動機器，氣缸(air cylinder)、液壓缸、無桿缸(rod-less cylinder)及旋轉缸(rotary cylinder)等致動器(actuator)等，此外，亦可採用將該等直接或間接組合而成的機構。 在前述實施形態中，當採用支持(保持)機構或支持(保持)構件等對被支持構件進行支持或保持的構件時，可採用利用機械夾盤(mechanical chuck)或夾具缸(chuck cylinder)等固持機構、庫侖力(Coulomb force)、接著劑(接著片、接著帶)、黏著劑(黏著片、黏著帶)、磁力、伯努利吸附(Bernoulli)、抽吸吸附、驅動機器等將被支持構件予以支持(保持)之構成。
10‧‧‧改質部形成機構
11、111‧‧‧多關節機器人
11A‧‧‧前端之臂
12‧‧‧雷射照射機
20‧‧‧單件化機構
21‧‧‧光源箱
22、24‧‧‧發光源
23‧‧‧聚光板
25‧‧‧反射板
25A‧‧‧開口部
26、27‧‧‧開閉板
27A‧‧‧狹縫
30‧‧‧移動機構
31‧‧‧轉動馬達
31A‧‧‧輸出軸
32‧‧‧線性馬達
32A‧‧‧滑塊
40‧‧‧位移抑制機構
41‧‧‧壓板
50‧‧‧晶圓支持機構
51‧‧‧支持台
51A‧‧‧支持面
AL‧‧‧接著劑層
AS‧‧‧接著片
ASP‧‧‧接著片部分
BS‧‧‧基材
CK、CKX、CKY‧‧‧龜裂
CP‧‧‧半導體晶片(單件體)
CV‧‧‧凸部
EA‧‧‧單件體形成裝置
IR‧‧‧紅外線(能量)
LG‧‧‧線狀賦予區域
LS‧‧‧雷射
MT‧‧‧改質部
MTX‧‧‧第二改質部
MTY‧‧‧第一改質部
SG‧‧‧膨脹性微粒子
WF‧‧‧半導體晶圓(被接著體)
WFP‧‧‧單件化預定區域
WFS‧‧‧短條狀之晶圓
X、Y、Z‧‧‧軸
圖1中的(A)至圖1中的(D)係本發明之實施形態之單件體形成裝置之說明圖。 圖2中的(A)至圖2中的(C)係本發明之變形例之說明圖。

Claims (8)

  1. 一種單件體形成裝置，係將被接著體單件化而形成單件體； 於前述被接著體係預先貼附有接著片，前述接著片係添加有藉由賦予預定之能量而膨脹之膨脹性微粒子； 前述單件體形成裝置係包括： 　改質部形成機構，於前述被接著體形成改質部，且於前述被接著體形成由前述改質部圍繞或由前述改質部與前述被接著體之外緣圍繞之單件化預定區域；以及 　單件化機構，對前述被接著體賦予外力而以前述改質部為起點於前述被接著體形成龜裂，將前述被接著體單件化而形成前述單件體； 前述單件化機構係對前述接著片部分地賦予前述能量，使在被賦予了前述能量之接著片部分所添加之前述膨脹性微粒子膨脹，使貼附於前述接著片部分之前述單件化預定區域位移而形成前述單件體。
  2. 一種單件體形成裝置，係將被接著體單件化而形成單件體； 於前述被接著體係預先貼附有接著片，前述接著片係添加有藉由賦予預定之能量而膨脹之膨脹性微粒子，且於前述被接著體係形成有改質部，且預先形成有由前述改質部圍繞或由前述改質部與前述被接著體之外緣圍繞之單件化預定區域； 前述單件體形成裝置係包括單件化機構，前述單件化機構對前述被接著體賦予外力而以前述改質部為起點於前述被接著體形成龜裂，將前述被接著體單件化而形成前述單件體； 前述單件化機構係對前述接著片部分地賦予前述能量，使在被賦予了前述能量之接著片部分所添加之前述膨脹性微粒子膨脹，使貼附於前述接著片部分之前述單件化預定區域位移而形成前述單件體。
  3. 如請求項1或2所記載之單件體形成裝置，其中包括使前述被接著體與單件化機構相對移動之移動機構。
  4. 如請求項3所記載之單件體形成裝置，其中前述改質部係包含： 　第一改質部，係沿第一方向；以及 　第二改質部，係沿與前述第一方向交叉之第二方向； 前述單件化機構係設置成：於賦予了前述能量之位置能夠形成前述能量之賦予區域沿預定之方向延伸之線狀賦予區域； 前述移動機構係使前述線狀賦予區域以與前述第一方向平行之方式移動，進而使前述線狀賦予區域以與前述第二方向平行之方式移動。
  5. 如請求項1或2所記載之單件體形成裝置，其中前述膨脹性微粒子係具有： 　第一膨脹性微粒子，係利用第一能量而膨脹；以及 　第二膨脹性微粒子，係利用第二能量而膨脹； 前述單件化機構係具備： 　第一單件化機構，係賦予前述第一能量；以及 　第二單件化機構，係賦予前述第二能量。
  6. 如請求項1或2所記載之單件體形成裝置，其中具備位移抑制機構，前述位移抑制機構係抑制藉由前述單件化機構所位移前之被接著體部分發生位移。
  7. 一種單件體形成方法，係將被接著體單件化而形成單件體； 於前述被接著體係預先貼附有接著片，前述接著片係添加有藉由賦予預定之能量而膨脹之膨脹性微粒子； 前述單件體形成方法係實施： 　改質部形成步驟，於前述被接著體形成改質部，且於前述被接著體形成由前述改質部圍繞或由前述改質部與前述被接著體之外緣圍繞之單件化預定區域；以及 　單件化步驟，對前述被接著體賦予外力而以前述改質部為起點於前述被接著體形成龜裂，將前述被接著體單件化而形成前述單件體； 前述單件化步驟係對前述接著片部分地賦予前述能量，使在被賦予了前述能量之接著片部分所添加之前述膨脹性微粒子膨脹，使貼附於前述接著片部分之前述單件化預定區域位移而形成前述單件體。
  8. 一種單件體形成方法，係將被接著體單件化而形成單件體； 於前述被接著體係預先貼附有接著片，前述接著片係添加有藉由賦予預定之能量而膨脹之膨脹性微粒子，且於前述被接著體係形成有改質部，且預先形成有由前述改質部圍繞或由前述改質部與前述被接著體之外緣圍繞之單件化預定區域； 前述單件體形成方法包括單件化步驟，前述單件化步驟係對前述被接著體賦予外力而以前述改質部為起點於前述被接著體形成龜裂，將前述被接著體單件化而形成前述單件體； 前述單件化步驟係對前述接著片部分地賦予前述能量，使在被賦予了前述能量之接著片部分所添加之前述膨脹性微粒子膨脹，使貼附於前述接著片部分之前述單件化預定區域位移而形成前述單件體。
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