CN111712901A - 单片体形成装置及单片体形成方法 - Google Patents

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Abstract

一种能够防止装置复杂化的单片体形成装置EA,其使被粘物WF单片化而形成单片体CP,在被粘物WF上预先粘贴了粘接片AS,该粘接片AS添加有通过赋予规定能量IR而膨胀的膨胀性微粒SG,该单片体形成装置EA具备:改性部形成单元10,其在被粘物WF形成改性部MT,并在被粘物WF形成被改性部MT围绕的单片化预定区域WFP;单片化单元20,其向被粘物WF赋予外力而以改性部MT为起点在被粘物WK形成裂缝CK,使被粘物WF单片化而形成单片体CP,单片化单元20对粘接片AS局部地赋予能量IR,使被赋予能量IR的粘接片局部ASP中添加的膨胀性微粒SG膨胀,并使粘贴于该粘接片局部ASP的单片化预定区域WFP位移而形成单片体CP。

Description

单片体形成装置及单片体形成方法
技术领域
本发明涉及一种单片体形成装置及单片体形成方法。
背景技术
当前,已知一种在单片体的制造方法中使用的单片体形成装置,该单片体形成装置以在被粘物上形成的改性部为起点,使该被粘物单片化而形成单片体(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-211080号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
但是,在专利文献1记载的现有单片体形成装置中,由于对粘贴于半导体晶圆4(被粘物)的切割带1(粘接片)进行拉伸,以改性区域41(改性部)为起点而使该被粘物单片化,并形成小片接合用芯片(单片体),因此会发生装置复杂化的不良情况。
本发明的目的在于提供一种能够防止装置复杂化的单片体形成装置。
(二)技术方案
本发明采用了权利要求书中记载的结构。
(三)有益效果
根据本发明,通过使所添加的膨胀性微粒膨胀,从而使单片化预定区域位移而形成单片体,因此能够防止装置复杂化。
附图说明
图1的(A)~(D)是本发明实施方式的单片体形成装置的说明图。
图2的(A)~(C)是本发明变形例的说明图。
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的实施方式进行说明。
此外,本实施方式的X轴、Y轴、Z轴分别具有正交的关系,X轴及Y轴设定为规定平面内的轴,Z轴设定为与所述规定平面正交的轴。而且,在本实施方式中,以从平行于Y轴的、图1的(A)中近前方向观察的情况为基准,在不指定图来表示方向的情况下,“上”是Z轴的箭头方向且“下”是其相反方向,“左”是X轴的箭头方向且“右”是其相反方向,“前”是平行于Y轴的、图1的(A)中近前方向且“后”是其相反方向。
本发明的单片体形成装置EA使作为被粘物的半导体晶圆(以下也简称为“晶圆”)WF单片化而形成作为单片体的半导体芯片(以下也简称为“芯片”)CP,且具备:改性部形成单元10,其在晶圆WF上形成改性部MT,并在晶圆WF上形成被该改性部MT围绕的单片化预定区域WFP;单片化单元20,其向晶圆WF赋予外力而以改性部MT为起点在该晶圆WF上形成裂缝CK,并使该晶圆WF单片化而形成芯片CP;移动单元30,其使晶圆WF和单片化单元20相对移动;以及位移抑制单元40,其抑制通过单片化单元20进行位移前的晶圆WF局部发生位移,单片体形成装置EA配置于支撑晶圆WF的晶圆支撑单元50的附近。
此外,预先在粘接片AS上粘贴了粘接片AS,该粘接片AS添加有膨胀性微粒SG,该膨胀性微粒SG通过赋予作为规定的能量的红外线IR而膨胀。另外,在本实施方式中,粘接片AS采用了具备基材BS和粘接剂层AL、并仅在该粘接剂层AL中添加有膨胀性微粒SG的结构。
改性部形成单元10构成为,具备:所谓的多关节机器人11,其作为驱动设备由多个臂构成并能够在其作业范围内使通过作业部即前端的臂11A进行支撑的物体在任意的位置、以任意的角度进行位移;以及激光照射机12,其支撑于前端的臂11A,向晶圆WF照射激光LS,形成改性部MT,所述改性部形成单元10形成沿着作为第一方向的Y轴方向的第一改性部MTY、和沿着作为与Y轴方向交叉的第二方向的X轴方向的第二改性部MTX,并形成被第一改性部MTY和第二改性部MTX围绕的单片化预定区域WFP。此外,作为适当的例示,多关节机器人11例如可举出在日本特开2016-81974中记载的多关节机器人111等。
单片化单元20具备:光源盒21,其支撑于移动单元30;发光源22,其支撑于光源盒21内,并发出红外线IR;以及聚光板23,其使该发光源22发出的红外线IR聚光,该单片化单元20设置为能够在赋予了红外线IR的位置上形成:该红外线IR的赋予区域沿着规定的方向延伸的线状赋予区域LG,该单片化单元20构成为,对粘接片AS局部地赋予红外线IR,使被赋予该红外线IR的粘接片局部ASP中所添加的膨胀性微粒SG膨胀,并使粘贴于该粘接片局部ASP的单片化预定区域WFP位移而形成芯片CP。
移动单元30具备:作为驱动设备的转动电动机31、以及作为驱动设备的直线电动机32,该直线电动机32支撑于电动机31的输出轴31A,利用该直线电动机32的滑块32A对光源盒21进行支撑,该移动单元30构成为,使单片化单元20形成的线状赋予区域LG以与Y轴方向平行的方式移动,而且,使线状赋予区域LG以与X轴方向平行的方式移动。
位移抑制单元40具备按压板41,该按压板41支撑于与多关节机器人11相同的未图示的驱动设备的前端的臂。
晶圆支撑单元50具备能够透射红外线IR的支撑台51,该支撑台51具有能够利用减压泵、真空喷射器等未图示的减压单元(保持单元)进行吸附保持的支撑面51A。
对以上的单片体形成装置EA的动作进行说明。
首先,对于在由图1的(A)中实线表示的初始位置上配置有各部件的单片体形成装置EA,该单片体形成装置EA的使用者(以下简称为“使用者”)或者多关节机器人、带式输送机等未图示的输送单元将粘贴了粘接片AS的晶圆WF如该图1的(A)所示那样载置到支撑台51上。于是,晶圆支撑单元50驱动未图示的减压单元,并开始吸附保持支撑面51A上的晶圆WF。接着,改性部形成单元10驱动多关节机器人11和激光照射机12,使激光照射机12沿前后方向移动,如图1的(A)中双点划线所示,在晶圆WF上形成了第一改性部MTY之后,使激光照射机12沿左右方向移动,如图1的(B)中双点划线所示,在晶圆WF上形成第二改性部MTX,并形成单片化预定区域WFP。
之后,单片化单元20及移动单元30驱动发光源22及直线电动机32,在形成了沿着Y轴方向延伸的线状赋予区域LG之后,如图1的(C)所示,使光源盒21从右方朝向左方移动。于是,被赋予红外线IR的粘接片局部ASP中所添加的膨胀性微粒SG如该图1的(C)所示那样逐渐膨胀,并在粘接剂层AL形成无数的凸部CV。由此,晶圆WF从右方朝向左方逐渐局部地抬升、位移,以第一改性部MTY为起点形成沿着Y轴方向延伸的裂缝CKY,成为沿着Y轴方向延伸的长条状的晶圆WFS。此时,位移抑制单元40驱动未图示的驱动设备,使按压板41配置到不希望发生位移的单片化预定区域WFP上。由此,抑制相邻的单片化预定区域WFP追随着发生位移的单片化预定区域WFP也一起位移的情况,并能够防止不能形成以改性部MT为起点的裂缝CK的情况。
接着,当光源盒21到达晶圆WF左端部的左方规定位置时,单片化单元20及移动单元30停止发光源22及直线电动机32的驱动。此外,在本实施方式中,当如上述那样形成裂缝CKY时,单片化单元20以使得被赋予红外线IR的粘接片局部ASP中所添加的各个膨胀性微粒SG不完全地膨胀的方式、或者使得被赋予红外线IR的粘接片局部ASP中所添加的膨胀性微粒SG未全部膨胀的方式来照射红外线IR。
而且,移动单元30驱动转动电动机31,使单片化单元20在XY平面内转动90度。接着,单片化单元20及移动单元30驱动发光源22及直线电动机32,在形成了沿着X轴方向延伸的线状赋予区域LG之后,如图1的(D)所示,使光源盒21从前方朝向后方移动。于是,如该图1的(D)所示,被赋予红外线IR的粘接片局部ASP中所添加的各个膨胀性微粒SG逐渐进一步增大地膨胀,或者,被赋予红外线IR的粘接片局部ASP中所添加的膨胀性微粒SG其中更多的膨胀性微粒SG膨胀,形成于粘接剂层AL的无数的凸部CV扩大。由此,长条状的晶圆WFS从前方朝向后方逐渐局部地抬升而位移,以第二改性部MTX为起点形成沿着X轴方向延伸的裂缝CKX,通过该裂缝CKX和之前形成的裂缝CKY形成多个芯片CP。此时,也可以是位移抑制单元40驱动未图示的驱动设备,利用按压板41对不希望发生位移的单片化预定区域WFP进行按压。
之后,当光源盒21到达晶圆WF后端部的后方规定位置时,单片化单元20停止发光源22的驱动,之后移动单元30驱动直线电动机32,使光源盒21复位到初始位置。接着,拾取装置、保持装置等未图示的芯片输送单元或者使用者从粘接片AS取下全部的芯片CP或者规定数量的芯片CP,当向其它工序输送该芯片CP时,晶圆支撑单元50停止未图示的减压单元的驱动,之后使用者或者未图示的输送单元从支撑台51取下粘接片AS,之后重复上述的作业。
此外,粘接片AS因无数的凸部CV而减少了与芯片CP的粘接区域,因此粘接片AS与该芯片CP的粘接力减少,即使在采用了与芯片CP(晶圆WF)的粘接力较强的粘接片AS的情况下,也能够简单地从粘接片AS取下芯片CP。
根据以上的实施方式,通过使所添加的膨胀性微粒SG膨胀,从而使单片化预定区域WFP位移并形成芯片CP,因此能够防止装置复杂化。
关于本发明中的单元及工序,只要能够实现对这些单元及工序进行说明的动作、功能或者工序,则并无特别限定,甚至完全不限定于所述实施方式中示出的单一实施方式的构成物、工序。例如,改性部形成单元只要能够在被粘物上形成改性部,并在被粘物上形成被该改性部围绕或者被该改性部和被粘物的外缘围绕的单片化预定区域,则对照最初申请时的技术常识,只要是在其技术范围内,则没有任何限定(其它的单元及工序也同样)。
改性部形成单元10可以不使激光照射机12移动或者一边使其移动一边使晶圆WF移动而在该晶圆WF上形成改性部MT,可以形成与X轴或者Y轴平行的一条改性部MT,可以形成不与X轴或者Y轴平行的一条或者多条改性部MT,可以形成相互不等间隔的多条改性部MT,可以形成相互平行或者不平行的多条改性部MT,可以形成相互不交叉的多条改性部MT,可以形成相互正交或者斜交的多条改性部MT,可以形成曲线状或者折线状的一条或者多条改性部MT。利用这样的改性部MT形成的单片化预定区域WFP、芯片CP的形状可以是圆形、椭圆形、三角形或者四边形以上的多边形等任意的形状,除了第一、第二方向以外,还可以沿着其它的一个或者两个以上的方向上分别形成一条或者多条改性部MT。
改性部形成单元10可以通过赋予激光、电磁波、振动、热、药品、化学物质等来变更晶圆WF的特性、特质、性质、材质、组成、结构、尺寸等,从而使晶圆WF脆弱化、粉碎化、液化或者空洞化来形成改性部MT。这样的改性部MT只要能够以膨胀性微粒SG的膨胀为外力使被粘物单片化而形成单片体即可。
在改性部MT预先形成于晶圆WF的情况下,本发明的单片体形成装置EA可以不具备改性部形成单元10,也可以具备。
如图2的(A)所示,单片化单元20由能够一并向粘接片AS整体赋予红外线IR的发光源24、使该发光源24所发出的红外线IR反射的反射板25、能够使反射板25上部的开口部25A开闭的开闭板26构成,从利用开闭板26完全关闭开口部25A的状态起使该开闭板26从右方朝向左方逐渐移动,如图2的(A-1)所示,从右方朝向左方逐渐形成裂缝CKY,并形成沿着Y轴方向延伸的长条状的晶圆WFS。接着,使单片化单元20在XY平面内转动90度,之后从利用开闭板26完全关闭开口部25A的状态起使该开闭板26从前方朝向后方逐渐移动,如图2的(A-2)所示,可以从前方朝向后方逐渐形成裂缝CKX,并利用裂缝CKX和裂缝CKY形成芯片CP。在这种情况下,可以如图2的(B-1)、(B-2)所示那样,取代开闭板26而采用开闭板27,该开闭板27具备利用发光源24发出的红外线IR来形成线状赋予区域LG的切口27A。此外,也可以在切口27A设置使红外线IR聚光、或者成为平行光的透镜。
单片化单元20可以没有聚光板23、反射板25,也可以取代聚光板23或者与聚光板23并用地,设置使红外线IR聚光、或者成为平行光的透镜,可以考虑膨胀性微粒SG的特性、特质、性质、材质、组成及结构等来任意地确定向粘接片AS照射红外线IR的时间。作为单片化单元20的发光源22、24,可以采用LED(Light EmittingDiode:发光二极管)灯、高压水银灯、低压水银灯、金属卤化物灯、疝气灯、卤素灯等,或者采用由它们适当组合而成的灯。单片化单元20可以采用作为能量而赋予激光、电磁波、振动、热、药品、化学物质等的方式,或者采用由这些适当组合而成的方式,也可以考虑膨胀性微粒SG的特性、特质、性质、材质、组成及结构等而采用任意的方式,在被粘物能够使规定的能量透过的情况下,单片化单元20可以从被粘物侧赋予该规定的能量,也可以从粘接片AS侧进行赋予,也可以从被粘物侧和粘接片AS侧双方进行赋予。
单片化单元20例如可以仅通过使赋予红外线IR的粘接片局部ASP与任意位置的单片化预定区域WFP的一个或者多个区段对应,使由粘贴于该粘接片局部ASP的一个或者多个区段构成的单片化预定区域WFP位移而形成芯片CP。
虽然单片化单元20在上述实施方式中形成线状赋予区域LG并对粘接片AS局部地赋予红外线IR,但是也可以形成红外线IR的赋予区域呈点状的点状赋予区域并对粘接片AS局部地赋予红外线IR,或者形成与单片化预定区域WFP的平面形状对应的面状赋予区域、或是不与单片化预定区域WFP的平面形状对应的面状赋予区域,并对粘接片AS局部地赋予红外线IR。
如图2的(C)所示,移动单元30可以通过使与第一改性部MTY及第二改性部MTX斜交的线状赋予区域LG(未图示)从晶圆WF的一端朝向另一端移动,从而以第一、第二改性部MTY、MTX双方为起点同时形成裂缝CKY、CKX并形成芯片CP。此外,这种情况下的斜交角度可以是例如相对于X轴、Y轴而言为1度、5度、10度、45度、60度、89度等任意的角度。
移动单元30可以不使单片化单元20移动或者一边使单片化单元20移动一边使晶圆WF移动,使晶圆WF相对于单片化单元20在XY平面内转动90度,或者使线状赋予区域LG以与Y轴方向平行的方式移动,或者使线状赋予区域LG以与X轴方向平行的方式移动,也可以使线状赋予区域LG以不与X轴、Y轴方向平行的方式移动,作为构成本发明的单片体形成装置EA的构成物,可以具备移动单元30,在利用其它装置使晶圆WF及单片化单元20的至少一方移动的情况下,本发明的单片体形成装置EA也可以不具备移动单元30。
位移抑制单元40可以使按压板41抵接在不希望发生位移的单片化预定区域WFP上,也可以不抵接,也可以通过喷射气体来抑制利用单片化单元20进行位移前的晶圆WF发生位移,或者通过滑轮和带来抑制利用单片化单元20进行位移前的晶圆WF发生位移,本发明的单片体形成装置EA也可以不具备位移抑制单元40。
晶圆支撑单元50可以是在基材BS侧粘贴铁板、玻璃板等板状部件(保持部件)来支撑晶圆WF的结构,如果被粘物不能使规定的能量透过,则支撑台51、板状部件只要由能够使该规定的能量透过的材料构成即可,如果被粘物能够使规定的能量透过,则支撑台51、板状部件可以由不能使该规定的能量透过的材料构成,也可以由能够使该规定的能量透过的材料构成。
晶圆支撑单元50也可以是没有保持单元的方式,作为构成本发明的单片体形成装置EA的构成物,可以具备晶圆支撑单元50,在利用其它装置支撑晶圆WF的情况下,本发明的单片体形成装置EA也可以不具备晶圆支撑单元50。
例如,膨胀性微粒SG具有以作为第一能量的80℃的热进行膨胀的未图示的第一膨胀性微粒、和以作为第二能量的100℃的热进行膨胀的未图示的第二膨胀性微粒,单片化单元20可以具备赋予作为第一能量的80℃的热的未图示的第一单片化单元、和赋予作为第二能量的100℃的热的未图示的第二单片化单元。在这种情况下,单片化单元20可以通过与上述实施方式同样的动作赋予80℃的热,并以第一改性部MTY为起点形成裂缝CKY,之后赋予100℃的热并以第二改性部MTX为起点形成裂缝CKX,以形成芯片CP。此外,第一能量、第二能量可以是任意温度的热,在膨胀性微粒SG具有利用第一、第二能量以外的其它温度的热进行膨胀的其它膨胀性微粒的情况下,可以是单片化单元20增设了赋予其它温度的热的其它单片化单元的方式。
另外,可以采用添加有以作为第一能量的红外线进行膨胀的未图示的第一膨胀性微粒、和以作为第二能量的紫外线进行膨胀的未图示的第二膨胀性微粒作为膨胀性微粒SG的粘接片AS,单片化单元20通过与上述实施方式同样的动作赋予红外线并以第一改性部MTY为起点形成裂缝CKY,之后赋予紫外线并以第二改性部MTX为起点形成裂缝CKX,以形成芯片CP。此外,第一能量与第二能量的组合根据粘接片AS中所添加的第一、第二膨胀性微粒的组合而可以是红外线、紫外线、可见光、声波、X射线或者伽马射线等电磁波、热水、热风等任意的组合,在采用添加有利用第一、第二能量以外的其它能量进行膨胀的其它膨胀性微粒的粘接片AS的情况下,可以是增设了赋予该其它能量的其它单片化单元的方式。
另外,虽然在所述实施方式中,使线状赋予区域LG从晶圆WF的一端朝向另一端逐渐移动,但是也可以使单片化单元20以线状赋予区域LG仅位于形成有改性部MT的位置的方式移动,以改性部MT为起点形成裂缝CK,或者预先将发光源22、24关闭,在使单片化单元20、切口27A以线状赋予区域LG位于形成有改性部MT的位置的方式移动之后驱动发光源22、24,以改性部MT为起点形成裂缝CK。
另外,可以采用添加有膨胀性微粒SG的粘接片AS,该膨胀性微粒SG以紫外线、可见光、声波、X射线或者伽马射线等电磁波、热水、热风等的热为规定的能量进行膨胀,单片化单元20可以考虑到这些膨胀性微粒SG的特性、特质、性质、材质、组成及结构等而使该膨胀性微粒SG膨胀,并且使被粘物单片化而形成单片体。
粘接片AS可以采用仅在构成该粘接片AS的基材BS中添加有膨胀性微粒SG的结构,也可以采用向粘接剂层AL和基材BS双方添加有膨胀性微粒SG的结构,也可以采用如下结构:在粘接剂层AL与基材BS的中间存在中间层,向该中间层、粘接剂层AL和基材BS的其中至少一方或者至少两方添加有膨胀性微粒SG。粘接片AS可以粘贴于晶圆WF的形成有电路的面,也可以粘贴于未形成电路的面,也可以粘贴于晶圆WF的双面,这样,在粘接片AS粘贴于晶圆WF双面的情况下,这些粘接片AS可以相同也可以不同,也可以是其中一方的粘接片未添加膨胀性微粒SG的情况。
单片体不限于芯片CP,例如可以是长条状的晶圆WFS,这种情况下的单片化预定区域是被第一改性部MTY和晶圆WF的外缘围绕的区域,移动单元30只要使单片化单元20所形成的线状赋予区域LG以与Y轴、X轴或者其它方向平行的方式移动即可。
如果被粘物是预先成为长条状的晶圆WFS那样的结构,则移动单元30可以使单片化单元20所形成的线状赋予区域LG仅以与X轴、Y轴或者其它方向平行的方式移动,并形成芯片CP。
膨胀性微粒SG可以例示:例如将异丁烷、丙烷、戊烷等容易通过加热而气化膨胀的物质内置在具有弹性的壳内的微粒等,可以是在日本专利申请的特愿2017-73236、日本特开2013-159743、日本特开2012-167151、日本特开2001-123002等中公开的热发泡性微粒、在日本特开2013-47321、日本特开2007-254580、日本特开2011-212528、日本特开2003-261842等中公开的膨胀性微粒等,并无特别限定,例如,也可以采用进行热解而产生水、二氧化碳、氮气并具有与膨胀性微粒类似的效果的发泡剂,也可以是如在日本特开2016-53115、日本特开平7-278333中公开的利用通过紫外线而产生气体的偶氮化合物等气体发生剂使壳体膨胀之物,例如也可以是通过加热而膨胀的橡胶、树脂等,除此之外,也可以是小苏打、碳酸氢钠、烘焙粉末等。
膨胀性微粒SG也可以是通过赋予除了红外线以外的紫外线、可见光、声波、X射线或者伽马射线等电磁波、热水、热风等的热等作为规定的能量而进行膨胀的类型,只要根据这种膨胀性微粒SG的特性、特质、性质、材质、组成及结构等来选择能量赋予单元即可。
晶圆WF可以在一面及另一面的至少一方形成有规定的电路,也可以未在其双方形成电路。
本发明的单片体形成装置EA可以具备在晶圆WF上粘贴粘接片AS的公知的片粘贴单元,可以具备将晶圆WF研削(研磨)至规定厚度的公知的研削(研磨)单元,可以具备从粘接片AS取下芯片CP的公知的拾取单元,可以具备将从粘接片AS取下的芯片CP粘接于基板、载置台等其它部件的公知的粘接单元。
本发明中的粘接片AS及被粘物的材质、种类、形状等没有特别限定。例如,粘接片AS可以是圆形、椭圆形、三边形、四边形等多边形,也可以是其它的形状;粘接片AS可以是压敏粘接性、热敏粘接性等粘接方式,在采用热敏粘接性的粘接片AS的情况下,可以通过设置对该粘接片AS进行加热的适当的线圈加热器、热管的加热侧等加热单元等适当的方法来进行粘接。另外,这样的粘接片AS例如可以是仅有粘接剂层AL的单层结构、在基材BS与粘接剂层AL之间具有中间层的结构、在基材BS的上表面具有覆盖层等的3层以上的结构,此外也可以是能够从粘接剂层AL剥离基材BS的所谓双面粘接片那样的结构,双面粘接片也可以是具有单层或者多层的中间层的结构、或者没有中间层的单层或多层的结构。另外,被粘物例如可以是食品、树脂容器、硅半导体晶圆或者化合物半导体晶圆等半导体晶圆、电路基板、光盘等信息记录基板、玻璃板、钢板、陶瓷、木板或者树脂等单体物,也可以是由这些其中的两种以上形成的复合物,任意形态的部件、物品等都能够成为对象。此外,粘接片AS也可以转换为实现功能性的、用途性的读取方式之物,例如可以是信息记载用标签、装饰用标签、保护片、切割带、芯片粘接膜、小片接合带、记录层形成树脂片等任意的片、膜、带等。
上述实施方式中的驱动设备可以采用:转动电动机、直线运动电动机、直线马达、单轴机器人、具备双轴或者三轴以上的关节的多关节机器人等电动设备、气缸、液压缸、无杆缸和旋转缸等致动器等,此外也可以采用由它们直接地或间接地组合而成之物。
在上述实施方式中,在采用支撑(保持)单元、支撑(保持)部件等对被支撑部件进行支撑或者保持之物的情况下,可以采用通过机械夹头、卡盘缸等把持单元、库仑力、粘接剂(粘接片、粘接带)、粘合剂(粘合片、粘合带)、磁力、伯努利吸附、抽吸吸附、驱动设备等对被支撑部件进行支撑(保持)的结构。
附图标记说明
EA-单片体形成装置;10-改性部形成单元;20-单片化单元;30-移动单元;AS-粘接片;ASP-粘接片局部;CK-裂缝;CP-半导体芯片(单片体);IR-红外线(能量);LG-线状赋予区域;MT-改性部;MTX-第二改性部;MTY-第一改性部;SG-膨胀性微粒;WF-半导体晶圆(被粘物);WFP-单片化预定区域。

Claims (8)

1.一种单片体形成装置,其使被粘物单片化而形成单片体,其特征在于,
预先在所述被粘物上粘贴了粘接片,该粘接片添加有通过赋予规定的能量而膨胀的膨胀性微粒,
所述单片体形成装置具备:
改性部形成单元,其在所述被粘物上形成改性部,并在所述被粘物上形成被该改性部围绕或者被该改性部和所述被粘物的外缘围绕的单片化预定区域;以及
单片化单元,其向所述被粘物赋予外力而以所述改性部为起点在该被粘物上形成裂缝,并使该被粘物单片化而形成所述单片体,
所述单片化单元对所述粘接片局部地赋予所述能量,使被赋予该能量的粘接片局部中所添加的所述膨胀性微粒膨胀,并使粘贴于该粘接片局部的所述单片化预定区域位移而形成所述单片体。
2.一种单片体形成装置,其使被粘物单片化而形成单片体,其特征在于,
预先在所述被粘物上粘贴了粘接片,且预先在所述被粘物上形成有改性部,并形成有被该改性部围绕或者被该改性部和所述被粘物的外缘围绕的单片化预定区域,其中,所述粘接片添加有通过赋予规定的能量而膨胀的膨胀性微粒,
所述单片体形成装置具备单片化单元,该单片化单元向所述被粘物赋予外力而以所述改性部为起点在该被粘物上形成裂缝,并使该被粘物单片化而形成所述单片体,
所述单片化单元对所述粘接片局部地赋予所述能量,使被赋予该能量的粘接片局部中所添加的所述膨胀性微粒膨胀,并使粘贴于该粘接片局部的所述单片化预定区域位移而形成所述单片体。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的单片体形成装置,其特征在于,
具备使所述被粘物和单片化单元相对移动的移动单元。
4.根据权利要求3所述的单片体形成装置,其特征在于,
所述改性部包括:沿着第一方向的第一改性部、和沿着与该第一方向交叉的第二方向的第二改性部,
所述单片化单元设置为能够在赋予了所述能量的位置上形成该能量的赋予区域沿着规定的方向延伸的线状赋予区域,
所述移动单元使所述线状赋予区域以与所述第一方向平行的方式移动,而且使所述线状赋予区域以与所述第二方向平行的方式移动。
5.根据权利要求1至权利要求4的任一项所述的单片体形成装置,其特征在于,
所述膨胀性微粒具有以第一能量进行膨胀的第一膨胀性微粒、和以第二能量进行膨胀的第二膨胀性微粒,
所述单片化单元具备:赋予所述第一能量的第一单片化单元、和赋予所述第二能量的第二单片化单元。
6.根据权利要求1至权利要求5的任一项所述的单片体形成装置,其特征在于,
具备位移抑制单元,该位移抑制单元抑制通过所述单片化单元进行位移前的被粘物局部发生位移。
7.一种单片体形成方法,其使被粘物单片化而形成单片体,其特征在于,
预先在所述被粘物上粘贴了粘接片,该粘接片添加有通过赋予规定的能量而膨胀的膨胀性微粒,
所述单片体形成方法实施:
改性部形成工序,在所述被粘物上形成改性部,并在所述被粘物上形成被该改性部围绕或者被该改性部和所述被粘物的外缘围绕的单片化预定区域;以及
单片化工序,向所述被粘物赋予外力而以所述改性部为起点在该被粘物上形成裂缝,并使该被粘物单片化而形成所述单片体,
在所述单片化工序中,对所述粘接片局部地赋予所述能量,使被赋予该能量的粘接片局部中所添加的所述膨胀性微粒膨胀,并使粘贴于该粘接片局部的所述单片化预定区域位移而形成所述单片体。
8.一种单片体形成方法,其使被粘物单片化而形成单片体,其特征在于,
预先在所述被粘物上粘贴了粘接片,且预先在所述被粘物上形成有改性部,并形成有被该改性部围绕或者被该改性部和所述被粘物的外缘围绕的单片化预定区域,其中,所述粘接片添加有通过赋予规定的能量而膨胀的膨胀性微粒,
所述单片体形成方法具备单片化工序,在所述单片化工序中,向所述被粘物赋予外力而以所述改性部为起点在该被粘物上形成裂缝,并使该被粘物单片化而形成所述单片体,
在所述单片化工序中,对所述粘接片局部地赋予所述能量,使被赋予该能量的粘接片局部中所添加的所述膨胀性微粒膨胀,并使粘贴于该粘接片局部的所述单片化预定区域位移而形成所述单片体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116100237A (zh) * 2023-04-11 2023-05-12 核芯光电科技(山东)有限公司 一种用于芯片切割的夹具

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7373267B2 (ja) * 2018-03-29 2023-11-02 リンテック株式会社 個片体の製造方法
JP6838633B1 (ja) 2019-09-26 2021-03-03 ソニー株式会社 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
US20070111476A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Separating device for separating semiconductor substrate and method for separating the same
JP2008132710A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の割断方法およびその装置
CN102373022A (zh) * 2010-07-29 2012-03-14 日东电工株式会社 半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法
JP2014086611A (ja) * 2012-10-25 2014-05-12 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07278333A (ja) 1994-04-12 1995-10-24 Hitachi Cable Ltd 紫外線照射発泡硬化樹脂組成物、成形品及び電線
JP2001123002A (ja) 1999-10-25 2001-05-08 Hitachi Chem Co Ltd 不飽和ポリエステル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂成形材料、繊維強化プラスチック成形品およびその製造法
JP4219605B2 (ja) 2002-03-12 2009-02-04 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
JP2003282629A (ja) 2002-03-22 2003-10-03 Nippon Avionics Co Ltd 超音波フリップチップ実装方法
JP2004260083A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd ウェハの切断方法および発光素子アレイチップ
JP2006269897A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP4800778B2 (ja) 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
JP2007214457A (ja) 2006-02-10 2007-08-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工装置及び方法
JP5063016B2 (ja) 2006-03-23 2012-10-31 リンテック株式会社 粘着シート及び剥離シート
JP2011212528A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Sekisui Chem Co Ltd 中空糸膜モジュールの製造方法、この製造方法で得られる中空糸膜モジュール及びこの製造方法に用いる封止樹脂組成物
EP2434528A1 (en) * 2010-09-28 2012-03-28 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO An active carrier for carrying a wafer and method for release
JP2012167151A (ja) 2011-02-10 2012-09-06 Toyo Tire & Rubber Co Ltd タイヤ用ゴム組成物及び空気入りタイヤ
KR101210586B1 (ko) 2011-04-20 2012-12-11 한국생산기술연구원 부피팽창제가 포함된 접착제를 사용한 플립 칩 패키지 및 그 접합방법
JP2013047321A (ja) 2011-07-28 2013-03-07 Nitto Denko Corp 粘着シート
CN103137501A (zh) 2011-11-28 2013-06-05 日东电工株式会社 半导体装置的制造方法
JP2013115185A (ja) 2011-11-28 2013-06-10 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
JP2013159743A (ja) 2012-02-07 2013-08-19 Nitto Denko Corp 粘着剤積層物の剥離方法およびそれに用いる粘着剤層
JP5921927B2 (ja) 2012-03-27 2016-05-24 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート
JP2015211080A (ja) 2014-04-24 2015-11-24 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP2016053115A (ja) 2014-09-03 2016-04-14 積水化学工業株式会社 被着体の剥離方法
JP6420623B2 (ja) 2014-10-10 2018-11-07 リンテック株式会社 離間装置および離間方法
DE102015100863B4 (de) 2015-01-21 2022-03-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats und ein verklebtes Substratsystem
JP2017103362A (ja) 2015-12-02 2017-06-08 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JPWO2017221777A1 (ja) 2016-06-21 2019-04-11 東レ株式会社 発光体、ならびにそれを用いた光源ユニット、ディスプレイおよび照明装置
WO2018181765A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 リンテック株式会社 粘着シート

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
US20070111476A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Separating device for separating semiconductor substrate and method for separating the same
JP2008132710A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の割断方法およびその装置
CN102373022A (zh) * 2010-07-29 2012-03-14 日东电工株式会社 半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法
JP2014086611A (ja) * 2012-10-25 2014-05-12 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116100237A (zh) * 2023-04-11 2023-05-12 核芯光电科技(山东)有限公司 一种用于芯片切割的夹具

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019187419A1 (ja) 2019-10-03
US11443985B2 (en) 2022-09-13
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