TW201940125A - 放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置以及製造方法 - Google Patents

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Abstract

放射線檢測器具備：基板，在具有微粒層的基材的與具有所述微粒層的面相反側的面的像素區域，形成有對根據從放射線變換後的光而產生的電荷進行蓄積的多個像素，所述基材為可撓性且為樹脂製，所述微粒層包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒；變換層，設置在所述基材的設置有所述像素區域的面，將所述放射線變換為光；和增強基板，設置在層疊有所述基板以及所述變換層的層疊體的所述基板側的面以及所述變換層側的面的至少一方。

Description

放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置以及製造方法
本發明涉及放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置以及製造方法。
以往，已知有進行以醫療診斷為目的的放射線攝影的放射線圖像攝影裝置。在這樣的放射線圖像攝影裝置中，利用了用於檢測透過了被攝體的放射線並生成放射線圖像的放射線檢測器。
作為放射線檢測器，有具備將放射線變換為光的閃爍器等變換層、和在基材的像素區域設有多個像素的基板的放射線檢測器，其中，所述多個像素對根據由變換層變換後的光而產生的電荷進行蓄積。作為這樣的放射線檢測器的基板的基材，已知利用了可撓性基材的基材（例如，參照日本特開2013-217769號公報）。通過利用可撓性基材，例如能夠使放射線圖像攝影裝置（放射線檢測器）輕量化，此外存在被攝體的攝影變得容易的情況。
[發明要解決的課題]
但是，在放射線圖像攝影裝置的製造步驟的中途等，存在放射線檢測器以單體來處理的情況。
在與變換層和基板被層疊的層疊方向交叉的方向上排列配置放射線檢測器和電氣電路，並且遍及放射線檢測器以及電氣電路的整體地設置了撓曲調整構件的放射線圖像攝影裝置中，未考慮以放射線檢測器單體來處理的情況。因而，在上述結構的放射線圖像攝影裝置中的放射線檢測器以單體來處理的情況下，變換層有可能被破壞。
本公開提供一種放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置以及製造方法，較之於在與變換層和基板被層疊的層疊方向交叉的方向上排列配置放射線檢測器和電氣電路、且遍及放射線檢測器以及電氣電路的整體設置了撓曲調整構件的放射線圖像攝影裝置，能夠抑制放射線檢測器單體中的變換層的破壞。
[用於解決課題的手段]
本公開的第1形態為放射線檢測器，具備：基板，在具有微粒層的基材的與具有微粒層的面相反側的面的像素區域，形成有對根據從放射線變換後的光而產生的電荷進行蓄積的多個像素，所述基材為可撓性且為樹脂製，所述微粒層包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒；變換層，設置在基材的設置有像素區域的面，將放射線變換為光；和增強基板，設置在層疊有基板以及變換層的層疊體的基板側的面以及變換層側的面的至少一方。在上述方案中，包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒的基材，可以為單層或者改變了無機微粒的含有率（重量%）的兩層以上的層疊的任意構造。
本公開的第2形態的放射線檢測器在第1形態的放射線檢測器中，基材在300℃～400℃下的熱膨脹係數為20ppm/K以下。
本公開的第3形態的放射線檢測器在第1形態的放射線檢測器或者第2形態的放射線檢測器中，基材在厚度為25μm的狀態下，滿足400℃下的MD（Machine Direction；縱向）方向的熱收縮率為0.5%以下以及500℃下的彈性模數為1GPa以上的至少一方。
本公開的第4形態的放射線檢測器在第1形態至第3形態的任一個形態的放射線檢測器中，微粒包含原子序號比構成基材的元素大且原子序號為30以下的元素。
本公開的第5形態的放射線檢測器在第1形態至第4形態的任一個形態的放射線檢測器中，增強基板的彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下。
本公開的第6形態的放射線檢測器在第1形態至第5形態的任一個形態的放射線檢測器中，增強基板的熱膨脹係數相對於變換層的熱膨脹係數之比為0.5以上且2以下。
本公開的第7形態的放射線檢測器在第1形態至第6形態的任一個形態的放射線檢測器中，增強基板的熱膨脹係數為30ppm/K以上且80ppm/K以下。
本公開的第8形態的放射線檢測器在第1形態至第7形態的任一個形態的放射線檢測器中，增強基板包含具有降伏點的材料。
本公開的第9形態的放射線檢測器在第1形態至第8形態的任一個形態的放射線檢測器中，增強基板與基材相比剛性高。
本公開的第10形態的放射線檢測器在第1形態至第9形態的任一個形態的放射線檢測器中，增強基板的厚度比基材的厚度厚。
本公開的第11形態的放射線檢測器在第1形態至第10形態的任一個形態的放射線檢測器中，變換層覆蓋像素區域，並且設置在基材的設置有像素區域的面的一部分的區域，增強基板設置在比設置有變換層的區域大的區域。
本公開的第12形態的放射線檢測器在第1形態至第11形態的任一個形態的放射線檢測器中，增強基板設置在層疊有基板以及變換層的層疊體的基板側的面以及變換層側的面，在變換層側的面設置的增強基板的厚度比在基板側的面設置的增強基板的厚度厚。
本公開的第13形態的放射線檢測器在第1形態至第12形態的任一個形態的放射線檢測器中，增強基板是將塑料作為材料的基板。
本公開的第14形態的放射線檢測器在第13形態的放射線檢測器中，塑料為聚碳酸酯以及聚對苯二甲酸乙二醇酯的至少一種。
本公開的第15形態的放射線檢測器在第13形態或者第14形態的放射線檢測器中，塑料為苯乙烯、丙烯酸、聚縮醛、以及尼龍的至少一種。
本公開的第16形態的放射線檢測器在第13形態至第15形態的任一個形態的放射線檢測器中，塑料為聚丙烯、ABS、工程塑料、聚對苯二甲酸乙二醇酯、以及聚苯醚的至少一種。
本公開的第17形態的放射線檢測器在第13形態的放射線檢測器中，塑料為熱可塑性的樹脂。
本公開的第18形態的放射線檢測器在第1形態至第17形態的任一個形態的放射線檢測器中，還具備：緩衝層，設置在基板與變換層之間，對變換層的熱膨脹係數與基板的熱膨脹係數之差進行緩衝。
本公開的第19形態的放射線檢測器在第1形態至第18形態的任一個形態的放射線檢測器中，像素具有：傳感器部，產生與被照射的放射線的劑量相應的電荷，並對產生的電荷進行蓄積；以及開關元件，將傳感器部中蓄積的電荷讀出。
本公開的第20形態的放射線檢測器在第19形態的放射線檢測器中，開關元件為具有閘極的電晶體，基板在基材與閘極之間設置有由無機材料形成的層。
本公開的第21形態的放射線檢測器在第1形態至第20形態的任一個形態的放射線檢測器中，增強基板設置在層疊有變換層的層疊體的基板側的面，在增強基板與基板中的變換層側的面之間還具備對變換層的側面進行密封的密封構件。
本公開的第22形態的放射線檢測器在第1形態至第21形態的任一個形態的放射線檢測器中，層疊體在變換層側還具有依次層疊了黏結層、黏合層和保護層的部分，所述黏結層是對由變換層變換後的光進行反射的反射性的黏結層，所述黏合層對包含從黏結層的端部到基板的表面的區域在內的區域進行覆蓋，所述保護層對黏結層以及黏合層進行覆蓋，增強基板設置在層疊體的基板側的面以及保護層側的面的至少一方。
本公開的第23形態的放射線檢測器在第1形態至第21形態的任一個形態的放射線檢測器中，在變換層側還具有依次層疊了黏結層和保護層的部分，所述黏結層是對由變換層變換後的光進行反射、並對變換層整體以及包含到基板的表面的區域在內的區域進行覆蓋的反射性的黏結層，所述保護層對黏結層進行覆蓋，增強基板設置在層疊體的基板側的面以及保護層側的面的至少一方。
本公開的第24形態的放射線檢測器在第1形態至第23形態的任一個形態的放射線檢測器中，變換層包含CsI的柱狀晶體。
此外，本公開的第25形態的放射線圖像攝影裝置具備：第1形態至第24形態的任一個形態的放射線檢測器；控制部，輸出用於將多個像素中蓄積的電荷讀出的控制信號；驅動部，根據控制信號使得從多個像素讀出電荷；和信號處理部，輸入與從多個像素讀出的電荷相應的電信號，生成與輸入的電信號相應的圖像數據並輸出至控制部。
此外，本公開的第26形態的放射線圖像攝影裝置在第25形態的放射線圖像攝影裝置中，還具備：殼體，具有被照射放射線的照射面，將放射線檢測器收納為放射線檢測器中的傳感器基板以及變換層之中的傳感器基板與照射面對置的狀態。
此外，本公開的第27形態為製造方法，包括：在與放射線檢測器相應的大小的增強基板塗敷黏結層的步驟；在支承體隔著剝離層形成基板的步驟，所述基板在具有微粒層的基材的與具有微粒層的面相反側的面的像素區域，設置有對根據從放射線變換後的光而產生的電荷進行蓄積的多個像素，所述基材為可撓性且為樹脂製，所述微粒層包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒；在基材的設置有像素區域的面形成將放射線變換為光的變換層的步驟；在基板連接用於將像素與電路部連接的佈線的步驟；在變換層的與和基板對置的面相反側的面黏貼增強基板的步驟；和將連接有佈線且設置有變換層以及增強基板的基板從支承體剝離的步驟。在上述方案中，包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒的基材，可以為單層或者改變了無機微粒的含有率（重量%）的兩層以上的層疊的任意構造。
[發明效果]
根據本公開，較之於在與變換層和基板被層疊的層疊方向交叉的方向上排列配置放射線檢測器和電氣電路、且遍及放射線檢測器以及電氣電路的整體設置了撓曲調整構件的放射線圖像攝影裝置，能夠抑制放射線檢測器單體中的變換層的破壞。
以下，參照附圖來詳細地說明本發明的示例的實施方式。另外，本示例的實施方式並不限定本發明。
[第1示例的實施方式]
本示例的實施方式的放射線檢測器具有檢測透過了被攝體的放射線並輸出表示被攝體的放射線圖像的圖像信息的功能。本示例的實施方式的放射線檢測器具備：TFT（Thin Film Transistor；薄膜電晶體）基板、和將放射線變換為光的變換層（參照圖4、放射線檢測器10的TFT基板12以及變換層14）。
首先，參照圖1來說明本示例的實施方式的放射線檢測器中的TFT基板12的結構的一例。另外，本示例的實施方式的TFT基板12是在基材11的像素區域35形成有包含多個像素30的像素陣列31的基板。因此，以下，將“像素區域35”這一表現作為與“像素陣列31”相同含義來使用。本示例的實施方式的TFT基板12為公開的技術的基板的一例。
基材11為樹脂製且具有可撓性。基材11例如為包含聚醯亞胺等塑料的樹脂片等。基材11的厚度只要是根據材質的硬度以及TFT基板12的大小等可得到希望的可撓性的厚度即可。例如，在基材11為樹脂片的情況下，厚度為5μm～125μm即可，如果厚度為20μm～50μm，則更優選。
另外，基材11具有能承受製造後述詳情的像素30的特性，在本示例的實施方式中，具有能承受製造非晶矽TFT（a-Si TFT）的特性。作為這樣的基材11具有的特性，300℃～400℃下的熱膨脹係數優選為與非晶矽（Si）晶圓（wafer）相同程度（例如，±5ppm/K），具體而言，優選為20ppm/K以下。此外，作為基材11的熱收縮率，在厚度為25μm的狀態下，400℃下的MD（Machine Direction；縱向）方向的熱收縮率優選為0.5%以下。此外，基材11的彈性模數優選的是，在300℃～400℃間的溫度區域，不具有一般的聚醯亞胺所具有的轉變點，500℃下的彈性模數為1GPa以上。
此外，如圖2A以及圖2B所示，本示例的實施方式的基材11優選在與設置變換層14的一側相反的一側的面，具有包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒11P的微粒層11L。
另外，圖2B以及圖2C表示將本示例的實施方式的放射線檢測器10應用於從TFT基板12側照射放射線R的ISS（Irradiation Side Sampling；輻照側取樣）方式的放射線檢測器的情況下的例子。
如圖2B以及圖2C所示，在基材11中，由於透過了被攝體S的放射線R而產生後方散射線Rb。在基材11為PI等樹脂製的情況下，由於為有機物，因此構成有機物的原子序號比較小的C、H、O以及N等原子根據康普頓效應而後方散射線Rb變多。
如圖2B所示基材11具有包含對在基材11內產生的後方散射線Rb進行吸收的微粒11P的微粒層11L的情況下，與如圖2C所示基材11不具有微粒層11L的情況相比，透過基材11並在後方散射的後方散射線Rb被抑制，因此優選。
作為這樣的微粒11P，優選包含自身引起的後方散射線Rb的產生量少、對後方散射線Rb進行吸收且透過了被攝體S的放射線R的吸收少的原子的無機物。另外，從後方散射線Rb的抑制和放射線R的透過性具有折衷關係的後方散射線Rb的抑制的觀點出發，優選微粒11P包含原子序號比構成基材11的樹脂的C、H、O以及N等大的元素。另一方面，雖然原子序號越大，對後方散射線Rb進行吸收的能力越高，但若原子序號超過30，則放射線R的吸收量增加，到達變換層14的放射線R的劑量顯著減少，因此不優選。因而，在樹脂性的基材11的情況下，微粒11P優選使用原子序號比構成作為基材11的有機物的原子大且為30以下的無機物。作為這樣的微粒11P的具體例，可列舉原子序號為14的Si的氧化物即SiO2 、原子序號為12的Mg的氧化物即MgO、原子序號為13的Al的氧化物即Al2 O3 、以及原子序號為22的Ti的氧化物即TiO2 等。
作為具有這種特性的樹脂片的具體例，可列舉XENOMAX（注冊商標）。
另外，關於本示例的實施方式中的上述的厚度，利用測微計進行了測定。關於熱膨脹係數，依據JIS K7197﹕1991進行了測定。另外，在測定中，從基材11的主面，各15度地改變角度來切取試驗片，對切取出的各試驗片測定熱膨脹係數，將最高的值設為基材11的熱膨脹係數。在熱膨脹係數的測定中，分別關於MD（Machine Direction；縱向）方向以及TD（Transverse Direction；橫向）方向，在-50℃～450℃下以10℃間隔來進行，將（ppm/℃）換算成（ppm/K）。在熱膨脹係數的測定中，利用MAC Science公司製TMA4000S裝置，將樣本長度設為10mm，將樣本寬度設為2mm，將初始載重設為34.5g/mm2，將升溫速度設為5℃/min，以及將氣氛設為氬。關於彈性模數，依據JIS K 7171﹕2016進行了測定。另外，在測定中，從基材11的主面，各15度地改變角度來切取試驗片，對切取出的各試驗片進行拉伸試驗，將最高的值設為基材11的彈性模數。
另外，由於微粒層11L中包含的微粒11P，有時會在基材11的表面產生凹凸。這樣，在基材11的表面產生了凹凸的狀態上，有時難以形成像素30。因而，如圖2B所示，優選基材11在與形成像素30的第1面11A相反側的第2面11B，換言之在與設置變換層14的第1面11A相反側的第2面11B，具有微粒層11L。
此外，為了充分地吸收在基材11內產生的後方散射線Rb，優選在基材11中在接近被攝體S的一側的面具有微粒層11L，如圖2B所示在ISS方式的放射線檢測器10中，優選在第2面11B具有微粒層11L。
這樣，在ISS方式的放射線檢測器10中，基材11在第2面11B具有微粒層11L，從而能夠精度良好地形成像素30，並且能夠有效地抑制後方散射線Rb。
像素30分別包括：根據變換層變換後的光產生電荷並蓄積的傳感器部34、以及將由傳感器部34蓄積的電荷讀出的開關元件32。在本示例的實施方式中，作為一例，將薄膜電晶體（TFT）用作開關元件32。因而，以下，將開關元件32稱為“TFT32”。
多個像素30在TFT基板12的像素區域35中，在一方向（與圖1的橫向對應的掃描佈線方向，以下也稱為“行方向”）以及相對於行方向的交叉方向（與圖1的縱向對應的信號佈線方向，以下也稱為“列方向”）上呈二維狀配置。在圖1中，簡化示出了像素30的排列，但例如像素30在行方向以及列方向上配置1024個×1024個。
此外，在放射線檢測器10中，相互交叉地設置有：用於對TFT32的開關狀態（接通以及斷開）進行控制的多個掃描佈線38、和按照像素30的每列配備的將傳感器部34中蓄積的電荷讀出的多個信號佈線36。多個掃描佈線38各自分別經由設置於TFT基板12的焊盤（省略圖示）而與放射線檢測器10的外部的驅動部（參照圖18以及圖19、驅動部103）連接，由此流動從驅動部輸出的對TFT32的開關狀態進行控制的控制信號。此外，多個信號佈線36各自分別經由設置於TFT基板12的焊盤（省略圖示）而與放射線檢測器10的外部的信號處理部（參照圖18以及圖19、信號處理部104）連接，由此從各像素30讀出的電荷輸出至信號處理部。
此外，在各像素30的傳感器部34，為了向各像素30施加偏置電壓，在信號佈線36的佈線方向上設置有共用佈線39。共用佈線39經由設置於TFT基板12的焊盤（省略圖示）而與放射線檢測器10的外部的偏置電源連接，由此從偏置電源向各像素30施加偏置電壓。
在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，在TFT基板12上形成有變換層。圖3是從形成有變換層14的一側觀察本示例的實施方式的放射線檢測器10的俯視圖。此外，圖4是圖3中的放射線檢測器10的A-A線剖視圖。另外，以下，在放射線檢測器10的構造中稱為“上”的情況下，表示在以TFT基板12側為基準的位置關係中為上。
如圖3以及圖4所示，本示例的實施方式的變換層14設置在TFT基板12的第1面12A中的包含像素區域35的一部分的區域上。這樣，本示例的實施方式的變換層14未設置在TFT基板12的第1面12A的外周部的區域上。
在本示例的實施方式中，作為變換層14的一例，利用了包含CsI（碘化銫）的閃爍器。作為這樣的閃爍器，例如優選包含X射線照射時的發光光譜為400nm～700nm的CsI﹕Tl（添加有鉈的碘化銫）或CsI﹕Na（添加有鈉的碘化銫）。另外，CsI﹕Tl的可見光區域中的發光峰值波長為565nm。
在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，如圖4所示的一例那樣，變換層14在TFT基板12上直接通過真空蒸鍍法、濺射法、以及CVD（Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積）法等氣相沉積法形成為長條狀的柱狀晶體14A（參照圖9）。作為變換層14的形成方法，例如可列舉如下的真空蒸鍍法，即，在作為變換層14使用了CsI﹕Tl的情況下，在真空度為0.01Pa～10Pa的環境下，通過電阻加熱式的坩堝（crucible）等的加熱手段對CsI﹕Tl進行加熱而使其氣化，將TFT基板12的溫度設為室溫（20℃）～300℃，使CsI﹕Tl沉積在TFT基板12上。作為變換層14的厚度，優選100μm～800μm。
另外，在本示例的實施方式中，將變換層14的柱狀晶體14A（參照圖9）的生長方向的基點側（在本示例的實施方式中為TFT基板12側）的端部稱為“根部”，將生長方向上的與根部相反側的尖銳的端部稱為“前端”。在本示例的實施方式中，作為一例，如圖4所示，在TFT基板12與變換層14之間設置有緩衝層13。作為緩衝層13，使用PI（PolyImide：聚醯亞胺）膜、派瑞林（Parylene）（注冊商標）膜。
本示例的實施方式的保護層22具有保護變換層14不受濕氣等水分影響的功能。作為保護層22的材料，例如可列舉有機膜，具體而言，可列舉PET（Polyethylene Terephthalate：聚對苯二甲酸乙二醇酯）、PPS（PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫醚）、OPP（Oriented PolyPropylene：雙軸取向聚丙烯薄膜）、PEN（PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯）、PI等的單層膜或者層疊膜。此外，作為保護層22，可以使用通過在PET等的絕緣性的片材（薄膜）黏合鋁箔等而層疊了鋁的Alpet（注冊商標）的片材。
在作為層疊有TFT基板12、緩衝層13、變換層14以及保護層22的層疊體19的變換層14側的面的第1面19A，通過黏結層48設置有增強基板40。
增強基板40與基材11相比剛性高，相對於在與第1面19A所對置的面垂直的方向施加的力的尺寸變化（變形），小於相對於在與基材11的第1面19A垂直的方向施加的力的尺寸變化。此外，本示例的實施方式的增強基板40的厚度比基材11的厚度厚。
具體而言，本示例的實施方式的增強基板40優選使用彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下的素材。彎曲彈性模數的測定方法基於例如依據JIS K 7171﹕2016。增強基板40從抑制基材11的撓曲的觀點出發，優選彎曲剛性比基材11高。另外，若彎曲彈性模數變低，則彎曲剛性也變低，為了得到希望的彎曲剛性而必須加厚增強基板40的厚度，從而放射線檢測器10整體的厚度會增大。若考慮上述的增強基板40的材料，則在要得到超過140000Pacm4 的彎曲剛性的情況下，具有增強基板40的厚度會變得比較厚的趨勢。因而，在要得到適當的剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度時，用於增強基板40的素材更優選的是彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下。此外，增強基板40的彎曲剛性優選為540Pacm4 以上且140000Pacm4 以下。
此外，本示例的實施方式的增強基板40的熱膨脹係數優選接近變換層14的材料的熱膨脹係數，更優選的是，增強基板40的熱膨脹係數相對於變換層14的熱膨脹係數之比（增強基板40的熱膨脹係數/變換層14的熱膨脹係數）優選為0.5以上且2以下。作為這樣的增強基板40的熱膨脹係數，優選為30ppm/K以上且80ppm/K以下。例如，在變換層14將CsI﹕Tl作為材料的情況下，熱膨脹係數為50ppm/K。在該情況下，作為比較接近變換層14的材料，可列舉熱膨脹係數為60ppm/K～80ppm/K的PVC（Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯）、熱膨脹係數為70ppm/K～80ppm/K的丙烯酸、熱膨脹係數為65ppm/K～70ppm/K的PET、熱膨脹係數為65ppm/K的PC、以及熱膨脹係數為45ppm/K～70ppm/K的特氟隆（注冊商標）等。
進而，若考慮上述的彎曲彈性模數，則作為增強基板40的材料更優選為包含PET、PC以及LDPE的至少一種的材料。
另外，增強基板40從彈性的觀點出發優選包含具有降伏點的材料。另外，在本示例的實施方式中，“降伏點”是指在拉伸材料的情況下應力暫時急劇下降的現象，在表示應力與應變的關係的曲線上是指應力不增加而應變增加的點，是指對材料進行拉伸強度試驗時的應力-應變曲線中的頂部。作為具有降伏點的樹脂，一般可列舉硬且黏性強的樹脂、以及軟且黏性強且中等程度的強度的樹脂。作為硬且黏性強的樹脂，例如可列舉PC等。此外，作為軟且黏性強且中等程度的強度的樹脂，例如可列舉聚丙烯等。
本示例的實施方式的增強基板40是將塑料作為材料的基板。成為增強基板40的材料的塑料根據上述的理由而優選為熱可塑性的樹脂，可列舉PC（Polycarbonate：聚碳酸酯）、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚縮醛、尼龍、聚丙烯、ABS（Acrylonitrile Butadiene Styrene；丙烯腈丁二烯苯乙烯）、工程塑料、PET、以及聚苯醚的至少一種。另外，增強基板40優選為其中的聚丙烯、ABS、工程塑料、PET、以及聚苯醚的至少一種，更優選為苯乙烯、丙烯酸、聚縮醛、以及尼龍的至少一種，進一步優選為PC以及PET的至少一種。
如圖3以及圖4所示，本示例的實施方式的增強基板40設置在TFT基板12的第1面12A中的比設置有變換層14的區域更大的區域。因而，如圖3以及圖4所示，增強基板40的端部突出到比變換層14的外周部更靠外側（TFT基板12的外周部側）。
在TFT基板12的外周部連接有後述詳情的柔性線纜112。在增強基板40與TFT基板12的第1面12A之間，夾著柔性線纜112、防濕劑44以及黏結層45而設置有對變換層14的側面進行密封的隔離件46。本示例的實施方式的隔離件46為本公開的密封構件的一例。
設置隔離件46的方法未被特別限定，例如，可以預先在增強基板40的端部的黏結層48貼附隔離件46，將設置有隔離件46的狀態的增強基板40貼附至設置有層疊體19、柔性線纜112、防濕劑44以及黏結層45的狀態的TFT基板12，從而將隔離件46設置在TFT基板12與增強基板40之間。另外，隔離件46的寬度（與層疊體19的層疊方向交叉的方向）並不限定於圖4所示的例子。例如，與圖4所示的例子相比，也可以將隔離件46的寬度擴展至接近變換層14的位置。
此外，在本示例的實施方式的層疊體19的TFT基板12側的面即第2面19B，設置有具有進行保護使得不會受到濕氣等水分影響的功能的保護膜42。作為保護膜42的材料，例如可列舉與保護層22同樣的材料。
作為本示例的實施方式的放射線檢測器10的製造方法的一例，可列舉以下的方法。
預先在設為與放射線檢測器10相符的希望的大小的增強基板40塗敷黏結層48，並在黏結層48設置隔離件46。另一方面，如圖5所示，在厚度比基材11厚的玻璃基板等的支承體50，隔著剝離層52例如通過層壓法等形成TFT基板12。進而，在TFT基板12上，直接如上述那樣通過氣相沉積法形成變換層14，此外，預先設置柔性線纜112、防濕劑44、以及黏結層45。
然後，使設置有隔離件46的增強基板40黏貼於形成有變換層14的TFT基板12，從而對變換層14進行密封。另外，在進行上述的黏貼的情況下，在大氣壓下或者減壓下（真空下）進行，但為了在黏貼期間抑制空氣等進入而優選在減壓下進行。
然後，通過剝離層52將TFT基板12從支承體50剝離。剝離方法未被特別限定，例如在機械剝離法中，將TFT基板12（基材11）的四邊的任一邊作為剝離的起點，從成為起點的邊朝向對置的邊逐漸將TFT基板12從支承體50剝掉即可。此外，例如在激光剝離（laser Lift Off）法中，從支承體50的背面（與設置有TFT基板12的面相反側的面）照射激光，透過支承體50，通過激光使剝離層52分解，由此從支承體50剝離TFT基板12即可。
另外，優選在通過熱壓接等將柔性線纜112黏合於TFT基板12之後，進行上述的機械剝離或者激光剝離。在從支承體50剝離了TFT基板12之後，將柔性線纜112黏合於TFT基板12的情況下，由於TFT基板12撓曲，因此難以連接柔性線纜112，此外，容易引起位置偏離。在本示例的實施方式的放射線圖像攝影裝置1中，如後述，設為驅動部103以及信號處理部104（均後述詳情）等的晶片（chip）設置在柔性線纜112上的所謂的COF（Chip On Film；膜上晶片）。由於驅動部103以及信號處理部104等的晶片重，因此因柔性線纜112的重量而TFT基板12變得容易撓曲。尤其是，在TFT基板12連接多個作為COF的柔性線纜112的情況下，由於先連接的柔性線纜112的重量而TFT基板12撓曲，因此在後續連接的柔性線纜112中有可能容易發生位置偏離。因而，如上述，優選在將柔性線纜112連接於TFT基板12之後，從支承體50剝離TFT基板12。另外，本示例的實施方式的柔性線纜112為本公開的佈線的一例，本示例的實施方式的驅動部103以及信號處理部104為本公開的電路部的一例。
在此，在從支承體50剝離TFT基板12的情況下，由於基材11具有可撓性，因此TFT基板12容易撓曲。在TFT基板12較大程度撓曲的情況下，TFT基板12也較大程度撓曲，結果有可能導致變換層14被破壞。此外，並不限定於從支承體50剝離TFT基板12的情況，在放射線圖像攝影裝置1的製造步驟的中途等的放射線檢測器10以單體來處理的情況下，有可能由於TFT基板12撓曲而導致變換層14被破壞。相對於此，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，由於增強基板40設置在層疊體19的變換層14側的面即第1面19A，因此能夠抑制TFT基板12較大程度撓曲，能夠抑制變換層14被破壞。
[第2示例的實施方式]
接下來，對第2示例的實施方式進行說明。另外，本示例的實施方式的放射線檢測器10的層疊體19與第1示例的實施方式不同，因此參照附圖對層疊體19進行說明。
圖6是從形成有變換層14的一側觀察本示例的實施方式的放射線檢測器10的一例的俯視圖。此外，圖7是圖6中的放射線檢測器10的A-A線剖視圖。
如圖7所示，關於本示例的實施方式的變換層14，外周的區域具有整體上觀察時越朝向外側則厚度變得越薄的趨勢，因而，具有越朝向外側則厚度變得越薄的傾斜。在本示例的實施方式中，將在忽視製造誤差以及測定誤差時厚度可視作大致一定的變換層14的中央至規定的範圍內的變換層14的厚度的平均值作為基準，作為一例，如圖8所示，將相對於基準的厚度的相對的膜厚（以下稱為“相對膜厚”）為90%以下的外周的區域稱為“周緣部（周緣部14C）”。此外，如圖8所示，將被周緣部14C包圍的變換層14的區域稱為“中央部（中央部14B）”。換言之，“中央部”是指至少包含變換層14的厚度大致一定的部分，也包含相對膜厚超過90%的部分的區域。另外，在本示例的實施方式中，如圖7以及圖8所示，像素區域35比中央部14B小，由中央部14B覆蓋像素區域35。
在本示例的實施方式中，作為具體例，將距變換層14的外周為5mm以內的區域內且相對膜厚為90%以下的外周的區域稱為“周緣部（周緣部14C）”。因而，如圖7以及圖8等所示，在周緣部14C中具有變換層14的厚度朝向外周（緣）逐漸變薄的趨勢。
另外，在本示例的實施方式中，作為變換層14的厚度朝向外周變薄的例子，示例了具有傾斜角度為θ的一定的傾斜且厚度逐漸變薄的方式，但並不限定於該方式，例如可以為厚度呈台階狀變化的方式。
另外，上述傾斜角度θ的測定方法未被特別限定，但在本示例的實施方式中，作為一例，在傾斜角度θ的測定方法中，在矩形狀的變換層14的一邊上的等間隔的四處位置，將變換層14的端部的一部分從TFT基板12剝離而分別作為樣本。對四個樣本進行研磨而出現剖面之後，利用光學顯微鏡進行觀察，從而進行了測定。將四個樣本的測定值的平均值作為製成樣本的變換層14的邊處的傾斜角度θ。
進而，如圖6以及圖7所示，本示例的實施方式的放射線檢測器10的層疊體19還具備黏結層16、黏合層20，在這一點上不同於第1示例的實施方式的層疊體19。在圖10中示出示意性地表示本示例的實施方式的黏結層16、黏合層20、以及保護層22的一例的剖面的剖視圖。如圖10所示，在本示例的實施方式中，作為一例。將保護層22作為層疊有PET膜22A、鋁箔膜22B、以及PET膜22C的層疊膜。
黏結層16作為一例如圖6以及圖7所示設置在包含變換層14的周緣部14C的一部分以及中央部14B的整體的區域上。換言之，黏結層16覆蓋變換層14的中央部14B以及周緣部14C的一部分。此外，如圖9所示，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，變換層14的前端侵入黏結層16。
本示例的實施方式的黏結層16是對由變換層14變換後的光進行反射的反射性的黏結層。在本示例的實施方式中，作為黏結層16的一例，使用在黏結性的樹脂中分散了無機的白色的粉末得到的白色的黏結層。另外，在本示例的實施方式中，“白色”是指所有波長的可見光被漫反射的狀態，在光具有指向性地反射的情況下是指“鏡面”。此外，黏結層16等中的反射光的“反射性”是指500nm～550nm的光的反射率的平均值為80%以上的狀態。
此外，“黏結層”以及“黏合層”為直接相接的層，在本示例的實施方式中是指具有不易將變換層14以及基材18從黏結層16剝離的功能的層。此外，“黏結層”以及“黏合層”是指對於固體的表面具有通過不限定於化學鍵合的某些力來結合的狀態的層。
作為黏結性的樹脂，例如可列舉丙烯酸糊。作為無機的白色的粉末，可列舉包含氧化鈦（TiO2 ）、硫酸鋇（BaSO4 ）、氧化鋁（Al2 O3 ）、氧化鎂（MgO）、以及氧化鈣（CaO）等的至少一種的粉末。作為一例，在本示例的實施方式中，將白色粉末作為填料而分散於透明的糊（樹脂），由此得到白色的黏結層。
如圖10所示，本示例的實施方式的黏結層16形成於基材18，基材18配置在黏合層20側，黏結層16配置在變換層14（在圖10中省略圖示）側。作為基材18的材料的例子，可列舉反射光的反射性的白PET（PolyEthylene Terephthalate：聚對苯二甲酸乙二醇酯）等。並不限定於本示例的實施方式，基材18可以不具有反射性，具體而言，可以使用不對由變換層14變換後的光進行反射的材料例如透光性的材料，但優選如本示例的實施方式那樣使用反射性的材料。在該情況下，由於能夠通過基材18反射未完全被黏結層16反射（漏掉）的光，因此作為黏結層16以及基材18的整體，能夠提高反射率。
另外，白PET是指在PET中添加了TiO2 、硫酸鋇等的白色顏料。此外，聚酯系高反射片材是具有將薄的聚酯的片材重疊多個的多層構造的片材（薄膜）。此外，發泡白PET是表面成為多孔質的白PET。
另外，若將黏結層16以及基材18合在一起的厚度變厚，則黏結層16以及基材18的外周部的上表面與變換層14的上表面之間的高低差變大。若上述高低差大，則將在變換層14黏貼有保護層22的黏結層16黏合於形成有變換層14的TFT基板12的情況下，在該高低差部分有時保護層22會浮起。此外，若將黏結層16以及基材18合在一起的厚度變厚，則可以說成為具有黏度的狀態，因此有時沿著變換層14的周緣部14C的傾斜難以彎曲，變得難以加工。另一方面，黏結層16的厚度變得越薄，則反射率越下降。若反射率下降，則由放射線檢測器10得到的放射線圖像的畫質也具有下降的趨勢。因而，黏結層16以及基材18的厚度優選從基於由放射線檢測器10得到的放射線圖像的畫質的觀點的希望的反射率（例如，80%）和製造以及加工等的觀點出發來決定。
黏合層20作為一例，如圖6以及圖7所示覆蓋包含從黏結層16的端部到TFT基板12的表面的區域在內的區域，具體而言，覆蓋設置有黏結層16的變換層14整體、以及TFT基板12的表面的一部分。換言之，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，對設置有黏結層16的變換層14的整體進行覆蓋的黏合層20被直接固定（黏合）於TFT基板12的表面的一部分。黏合層20具有對於TFT基板12以及變換層14來固定黏結層16以及保護層22的功能。作為黏合層20的材料，例如可列舉丙烯酸系黏結劑、熱熔系黏結劑、以及矽酮系黏合劑等。作為丙烯酸系黏結劑，例如可列舉聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯、以及環氧丙烯酸酯等。作為熱熔系黏結劑，例如可列舉EVA（乙烯·乙酸乙烯酯共聚物樹脂）、EAA（乙烯和丙烯酸的共聚物樹脂）、EEA（乙烯-丙烯酸乙酯共聚物樹脂）、以及EMMA（乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物）等的熱可塑性塑料。另外，在本示例的實施方式中，黏合層20具有的黏合力比黏結層16具有的黏合力強。
作為本示例的實施方式的放射線檢測器10的製造方法的一例，可列舉以下的方法。
預先將黏結層16塗敷於設為與放射線檢測器10相符的希望的大小的基材18。將保護層22塗敷於設為與放射線檢測器10相符的希望的大小的黏合層20。然後，使塗敷有黏結層16的基材18和塗敷有黏合層20的保護層22黏貼，由此來準備圖10所示的狀態的層疊薄膜。在本示例的實施方式中，如圖10所示，基材18以及黏結層16比黏合層20以及保護層22小，在基材18以及黏結層16的周圍設置有黏合部21。
然後，與第1示例的實施方式的放射線檢測器10同樣地，在形成有變換層14的TFT基板12，將上述層疊薄膜配置為覆蓋變換層14的整體的狀態，使黏合部21黏貼於TFT基板12，由此對變換層14進行密封，形成層疊體19。
而且，對於形成有層疊體19的TFT基板12，黏貼與第1示例的實施方式同樣地準備的設置有隔離件46的增強基板40，由此對層疊體19進行密封。然後，通過剝離層52（參照圖5），將TFT基板12從支承體50（參照圖5）剝離。
這樣，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，黏合層20以及保護層22覆蓋黏結層16的整體。此外，黏合層20以及保護層22被直接固定在TFT基板12上。
為了使由變換層14變換後的光更多地聚集（反射）到TFT基板12，變換層14的周緣部14C上也由具有反射光的功能的黏結層16覆蓋，從而在傾斜的周緣部14C具有黏結層16易於從變換層14剝離的趨勢。此外，由於TFT基板12的基材11具有可撓性，因此TFT基板12撓曲，從而具有黏結層16易於從變換層14剝離的趨勢。相對於此，根據本示例的實施方式的放射線檢測器10，通過上述結構可抑制黏結層16的剝離，因此可抑制變換層14的剝離。
此外，根據本示例的實施方式的放射線檢測器10，由於黏結層16具備具有反射光的功能的層、以及具有黏結性的層的兩者的功能，因此與將各自設為不同的層的情況相比，能夠增厚厚度。因此，根據本示例的實施方式的放射線檢測器10，能夠增大黏結力，因此黏結層16變得更難以剝離。
此外，關於變換層14與具有反射光的功能的層的間隔，從MTF（Modulation Transfer Function；調製傳遞函數）、以及DQE（Detective Quantum Efficiency；探測量子效應）的觀點出發優選窄。在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，在變換層14上直接形成了具有反射光的功能的反射性的黏結層16。因而，根據本示例的實施方式的放射線檢測器10，能夠進一步縮窄變換層14與具有反射光的功能的層的間隔。因此，根據本示例的實施方式的放射線檢測器10，與在具有反射光的功能的層與變換層之間設置了具有黏結性的層的情況相比，能夠在不降低放射線圖像的畫質的情況下抑制具有反射光的功能的層的剝離。
如圖7所示，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，也在層疊體19的第1面19A設置有增強基板40。因而，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，也能夠抑制TFT基板12較大程度撓曲，能夠抑制變換層14被破壞。
[第3示例的實施方式]
接下來，對第3示例的實施方式進行說明。在圖11中示出本示例的實施方式的放射線檢測器10的一例的剖視圖。
如圖11所示，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，在層疊體19的TFT基板12側的面即第2面19B設置有增強基板41。在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，如圖11所示，在TFT基板12與增強基板41之間，與上述各示例的實施方式同樣地設置有保護膜42。
增強基板41與增強基板40同樣地，與基材11相比剛性高，相對於在與第1面19B所對置的面垂直的方向施加的力的尺寸變化（變形），小於相對於在與基材11的第1面19B垂直的方向施加的力的尺寸變化。此外，本示例的實施方式的增強基板41的厚度比基材11的厚度厚且比增強基板40的厚度薄。另外，增強基板41優選具有與增強基板40同樣的特性。作為這樣的本示例的實施方式的增強基板41的材料，優選為熱可塑性的樹脂，能夠使用與增強基板40同樣的材料，但增強基板40和增強基板41可以使用不同的材料。
本示例的實施方式的放射線檢測器10例如通過與在第1示例的實施方式中上述的放射線檢測器10的製造方法同樣的製造方法，在設置有層疊體19的TFT基板12黏貼了設置有隔離件46的增強基板40之後，從支承體50剝離TFT基板12。然後，在TFT基板12的第1面19A通過塗敷等設置保護膜42以及增強基板41，由此能夠製造本示例的實施方式的放射線檢測器10。
在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，在層疊體19的第1面19A設置有增強基板40，在層疊體19的第2面19B設置有增強基板41。因而，與上述各示例的實施方式的放射線檢測器10相比，能夠進一步地抑制TFT基板12較大程度撓曲，能夠抑制變換層14被破壞。
[第4示例的實施方式]
接下來，對第4示例的實施方式進行說明。在圖12中示出本示例的實施方式的放射線檢測器10的一例的剖視圖。
如圖12所示，本示例的實施方式的放射線檢測器10在形成有層疊體19的TFT基板12的第1面12A與黏結層48之間填充有填充材料70。即，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，與第2示例的實施方式的放射線檢測器10（參照圖7）的不同點在於，在形成有層疊體19的TFT基板12與增強基板40（黏結層48）之間空開的空間填充有填充材料70。
填充材料70的材料未被特別限定，能夠使用一般的半導體材料的密封材料等。設置填充材料70的方法未被特別限定，例如也可以在層疊有層疊體19的TFT基板12與設置有黏結層48的增強基板40之間（間隙），注入具有流動性的填充材料70，使填充材料70固化，由此來設置填充材料70。此外，例如也可以在TFT基板12形成有層疊體19的狀態，在要填充填充材料70的地方載置具有流動性的填充材料70，在層疊體19以及填充材料70上黏貼設置有隔離件46的增強基板40，由此來設置填充材料70。
這樣，本示例的實施方式的放射線檢測器10將填充材料70填充在層疊體19與增強基板40之間，由填充材料70來支承從變換層14的中央部14B向前（向TFT基板12的端部側）突出的增強基板40。因而，根據本示例的實施方式的放射線檢測器10，穩定地設置了增強基板40，不易從TFT基板12以及層疊體19剝離。此外，根據本示例的實施方式的放射線檢測器10，由於通過增強基板40和填充材料70將層疊體19固定於TFT基板12，因此不易從TFT基板12剝離變換層14。
另外，在圖12所示的例子中，示出在形成有層疊體19的TFT基板12與增強基板40之間無間隙地填充有填充材料70的方式，但並不限定於圖12所示的方式，例如也可以在形成有層疊體19的TFT基板12與增強基板40之間的一部分具有間隙（未填充填充材料70的區域）。
在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，由於在層疊體19的第1面19A設置有增強基板40，因此也與上述各示例的實施方式的放射線檢測器10同樣地，能夠抑制TFT基板12較大程度撓曲，能夠抑制變換層14被破壞。
[第5示例的實施方式]
接下來，對第5示例的實施方式進行說明。另外，本示例的實施方式的放射線檢測器10的黏結層16的結構、以及設置黏結層16的區域不同於上述第2～第4示例的實施方式，因此參照附圖來說明黏結層16的結構、以及設置黏結層16的區域。在圖13中示出本示例的實施方式的放射線檢測器10的一例的剖視圖。此外，在圖14中示出示意性地表示本示例的實施方式的黏結層16、以及保護層22的一例的剖面的剖視圖。
如圖13所示，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，黏結層16設置在包含中央部14B以及周緣部14C的變換層14上的整個區域、以及變換層14的外周附近的TFT基板12上的區域。此外，如圖13以及圖14所示，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，保護層22直接設置在黏結層16上，未設置黏合層20，在這一點上，不同於第2～第4示例的實施方式的放射線檢測器10。
在本示例的實施方式中，作為黏結層16的一例，使用分散有無機的白色的粉末的熱可塑性的樹脂所形成的黏結層。作為該情況下的熱可塑性的樹脂，能夠使用被稱作所謂的熱熔的樹脂，作為具體例，能夠使用聚烯烴系、聚酯系、以及EVA等。作為無機的白色的粉末，與在第1～第3示例的實施方式中上述的黏結層16同樣地，可列舉包含氧化鈦（TiO2 ）、硫酸鋇（BaSO4 ）、氧化鋁（Al2 O3 ）、氧化鎂（MgO）、以及氧化鈣（CaO）等的至少一種的粉末。
如圖14所示，作為一例，本示例的實施方式的放射線檢測器10中的保護層22，也是將保護層22設為層疊有PET膜22A、鋁箔膜22B、以及PET膜22C的層疊膜。
作為本示例的實施方式的放射線檢測器10的製造方法的一例，可列舉以下的方法。
預先準備在設為與放射線檢測器10相符的希望的大小的保護層22直接塗敷了黏結層16的結構。另外，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，由於黏結層16也承擔保護層22的端部的密封的作用，因此將黏結層16塗敷在保護層22的整個面。另一方面，在TFT基板12上如上述預先形成層疊體19。然後，使塗敷於保護層22的黏結層16黏貼至TFT基板12，由此對變換層14進行密封。
在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，由於黏結層16對變換層14的整體進行覆蓋，還對基材11的表面進行覆蓋，因此能夠對於TFT基板12以及變換層14充分地固定黏結層16。此外，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，黏結層16直接設置於變換層14。因此，在本示例的實施方式的放射線檢測器10中，也與上述第2～第4示例的實施方式的放射線檢測器10同樣地，能夠在不降低放射線圖像的畫質的情況下抑制黏結層16的剝離。
如以上說明的那樣，上述各示例的實施方式的放射線檢測器10具備：TFT基板12，在具有微粒層11L的基材11的與具有微粒層11L的面相反側的第1面12A的像素區域35，形成有對根據從放射線變換後的光而產生的電荷進行蓄積的多個像素30，基材11為可撓性且為樹脂製，微粒層11L包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒11P；變換層14，設置在基材11的設置有像素區域35的第1面12A，將放射線變換為光；和設置在層疊有TFT基板12以及變換層14的層疊體19的TFT基板12側的面即第2面19B上的增強基板41、以及設置在變換層14側的面即第1面19A的面上的增強基板40的至少一方。
在上述各示例的實施方式的放射線檢測器10中，由於增強基板40以及增強基板41的至少一方設置在層疊體19，因此能夠抑制TFT基板12較大程度撓曲。因此，根據上述各示例的實施方式的放射線檢測器10，能夠在放射線檢測器10單體中抑制變換層14被破壞。
另外，放射線檢測器10具備增強基板40以及增強基板41的至少一方即可。因而，並不限定於上述各示例的實施方式，放射線檢測器10也可以是僅具備增強基板41的結構。
此外，增強基板40以及增強基板41的大小也並不限定於上述各示例的實施方式。例如，如圖15所示的一例那樣，增強基板40以及黏結層48的端部（外周）和保護層22以及黏合層20的端部（外周）也可以為相同的位置。另外，優選通過增強基板40以及增強基板41的至少一方覆蓋比變換層14對TFT基板12的第1面12A進行覆蓋的區域大的區域。
此外，如圖16所示的一例那樣，優選在基材11與像素30尤其為像素30的TFT32的閘極80之間設置有無機材料所形成的層90。在圖16所示的一例中，作為該情況下的無機材料，可列舉SiNx、SiOx等。TFT32的汲極81和源極82形成在相同層，在形成有汲極81以及源極的層與基材11之間形成了閘極80。此外，在基材11與閘極80之間設置有無機材料所形成的層90。
此外，像素陣列31（像素區域35）的大小並不限定於上述各示例的實施方式。例如，在上述第2～第5各示例的實施方式中，說明了像素陣列31（像素區域35）的大小比變換層14的中央部14B的大小還小、且像素陣列31（像素區域35）的外周位於中央部14B內的方式。然而，像素陣列31（像素區域35）並不限定於上述方式，也可以如圖17所示的一例的放射線檢測器10那樣為像素陣列31（像素區域35）的大小比變換層14的中央部14B的大小還大、且像素陣列31（像素區域35）的外周達到變換層14的周緣部14C的方式。另外，由變換層14從放射線變換後的光量具有在變換層14的厚度變薄時減少的趨勢，因此與上述各示例的實施方式的放射線檢測器10同樣地，像素陣列31（像素區域35）的外周位於中央部14B內的方式下的像素陣列31（像素區域35）上的變換層14的厚度變得大致均勻，因此像素區域35的靈敏度特性提高。另一方面，在圖17所示的一例的放射線檢測器10中，能夠減小放射線檢測器10整體的大小。
此外，在上述各示例的實施方式中，對如圖1所示那樣像素30呈矩陣狀二維排列的形態進行了說明，但並不限於此，例如，可以為一維排列，也可以為蜂窩排列。此外，像素的形狀也不被限定，可以為矩形，也可以為六邊形等多邊形。進而，像素陣列31（像素區域35）的形狀也不被限定是不言而喻的。
此外，變換層14的形狀等也不限定於上述各示例的實施方式。在上述各示例的實施方式中，對變換層14的形狀與像素陣列31（像素區域35）的形狀同樣為矩形狀的形態進行了說明，但變換層14的形狀也可以不是與像素陣列31（像素區域35）同樣的形狀。此外，像素陣列31（像素區域35）的形狀可以不是矩形狀，例如為其他的多邊形，也可以為圓形。
另外，在上述各示例的實施方式中，作為一例，對放射線檢測器10的變換層14為包含CsI的閃爍器的方式進行了說明，但變換層14也可以為GOS等分散於樹脂等的黏合劑的閃爍器。使用了GOS的變換層14例如通過在TFT基板12、剝離層等上直接塗敷分散有GOS的黏合劑之後使其乾燥、固化，由此形成。作為變換層14的形成方法，例如也可以採用一邊控制塗敷膜的厚度一邊將塗敷液塗敷在形成變換層14的區域的Gisa法。另外，在該情況下，也可以在塗敷分散有GOS的黏合劑之前，進行用於使像素陣列31的表面活性化的表面處理。此外，也可以在像素陣列31的表面設置層間絕緣膜或表面保護膜。
另外，上述各示例的實施方式的放射線檢測器10可以應用於從TFT基板12側照射放射線的ISS方式的放射線圖像攝影裝置，也可以應用於從變換層14側照射放射線的PSS方式的放射線圖像攝影裝置。
在圖18中，示出在ISS方式的放射線圖像攝影裝置1應用了第1示例的實施方式的放射線檢測器10的狀態的一例的剖視圖。
如圖18所示，在殼體120內，放射線檢測器10、電源部108以及控制基板110沿著與放射線的入射方向交叉的方向排列設置。放射線檢測器10被設置為像素陣列31的未設置變換層14的一側與被照射透過了被攝體的放射線的殼體120的攝影面120A側對置。
控制基板110是形成有對與從像素陣列31的像素30讀出的電荷相應的圖像數據進行存儲的圖像存儲器210、或對從像素30讀出電荷等進行控制的控制部212等的基板，通過包含多個信號佈線的柔性線纜112而與像素陣列31的像素30電連接。另外，在圖18所示的放射線圖像攝影裝置1中，設為通過控制部212的控制來對像素30的TFT32的開關狀態進行控制的驅動部103、以及生成並輸出與從像素30讀出的電荷相應的圖像數據的信號處理部104被設置在柔性線纜112上的所謂的COF，但也可以是驅動部103以及信號處理部104的至少一方形成於控制基板110。
此外，控制基板110通過電源線114而與向形成於控制基板110的圖像存儲器210、控制部212等供給電源的電源部108連接。
殼體120優選為輕量，放射線R尤其是X射線的吸收率低，並且為高剛性，優選由彈性模數充分高的材料構成。作為殼體120的材料，優選使用彎曲彈性模數為10000MPa以上的材料。作為殼體120的材料，能夠合適地使用具有20000～60000MPa程度的彎曲彈性模數的碳或者CFRP（Carbon Fiber Reinforced Plastics；碳纖維增強塑料）。
在放射線圖像攝影裝置1所執行的放射線圖像的攝影中，在殼體120的攝影面120A施加來自被攝體的載重。在殼體120的剛性不足的情況下，由於來自被攝體的載重而TFT基板12產生撓曲，有可能產生像素30損傷等的不良狀況。通過在由具有10000MPa以上的彎曲彈性模數的材料構成的殼體120內部容納放射線檢測器10，能夠抑制來自被攝體的載重導致的TFT基板12的撓曲。
在圖18所示的放射線圖像攝影裝置1的殼體120內，在透過了放射線檢測器10的放射線射出的一側，還設置有片材116。作為片材116，例如可列舉銅製的片材。銅製的片材不易由於入射放射線而產生2次放射線，由此，具有防止向後方即變換層14側的散射的功能。另外，片材116優選至少覆蓋變換層14的放射線射出的一側的整個面，此外優選覆蓋變換層14整體。
此外，在圖18所示的放射線圖像攝影裝置1的殼體120內，在放射線入射的一側（攝影面120A側），還設置有保護層117。作為保護層117，能夠應用通過在絕緣性的片材（薄膜）黏合鋁箔等而層疊了鋁的Alpet（注冊商標）的片材、派瑞林（注冊商標）膜、以及PET等的絕緣性的片材等的防濕膜。保護層117具有對於像素陣列31的防濕功能以及防帶電功能。因而，保護層117優選至少覆蓋像素陣列31的放射線入射的一側的整個面，優選覆蓋放射線入射的一側的TFT基板12的整個面。
另外，在圖18中，示出將電源部108以及控制基板110雙方設置在放射線檢測器10的一側、具體而言矩形狀的像素陣列31的一邊的側的方式，但設置電源部108以及控制基板110的位置並不限定於圖18所示的方式。例如，可以使電源部108以及控制基板110分散設置在像素陣列31的對置的兩邊的各個邊，也可以分散設置在相鄰的兩邊的各個邊。
此外，例如，在分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分、和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分，厚度可以不同。如圖18所示，電源部108以及控制基板110各自比放射線檢測器10厚的情況較多。在這種情況下，也可以與分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分的厚度相比，使設置有放射線檢測器10的殼體120的部分的厚度更薄（參照圖56～圖58，後述詳情）。另外，這樣，在分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分、和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分使得厚度不同的情況下，若在兩部分的邊界部產生高低差，則有可能會給接觸邊界部的被檢者帶來不適感等，因此邊界部的方式優選設為具有傾斜的狀態。
此外，例如，在分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分、和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分，殼體120的材質可以不同。進而，例如，分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分、和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分可以作為分體來構成。
此外，在圖19中，示出在ISS方式的放射線圖像攝影裝置1應用了第1示例的實施方式的放射線檢測器10的狀態的另一例的剖視圖。
如圖19所示，在殼體120內，電源部108以及控制基板110沿著與放射線的入射方向交叉的方向排列設置，放射線檢測器10和電源部108以及控制基板110沿著放射線的入射方向排列設置。
此外，在圖19所示的放射線圖像攝影裝置1中，在控制基板110以及電源部108與片材116之間，設置有對放射線檢測器10以及控制基板110進行支承的基座118。對於基座118，例如使用碳等。
除此之外，上述各示例的實施方式中說明過的放射線檢測器10等的結構、製造方法等為一例，能夠在不脫離本發明主旨的範圍內根據狀況變更是不言而喻的。
[其他示例的實施方式]
首先，參照圖20～圖41對增強基板40的其他示例的實施方式進行說明。
如圖20～圖40所示，在變換層14與增強基板40之間，可以設置有黏結層60、反射層62、黏合層64、保護層22以及黏結層48。
黏結層60覆蓋包括變換層14的中央部14B以及周緣部14C的變換層14的整個表面。黏結層60具有將反射層62固定在變換層14上的功能。黏結層60優選具有透光性。作為黏結層60的材料，例如能夠使用丙烯酸系黏結劑、熱熔系黏結劑以及矽酮系黏合劑。作為丙烯酸系黏結劑，例如可列舉聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯、以及環氧丙烯酸酯等。作為熱熔系黏結劑，例如可列舉EVA（乙烯·乙酸乙烯酯共聚物樹脂）、EAA（乙烯和丙烯酸的共聚物樹脂）、EEA（乙烯-丙烯酸乙酯共聚物樹脂）、以及EMMA（乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物）等的熱可塑性塑料。黏結層60的厚度優選為2μm以上且7μm以下。通過將黏結層60的厚度設為2μm以上，從而能夠充分地發揮將反射層62固定在變換層14上的效果。進而，能夠抑制在變換層14與反射層62之間形成空氣層的風險。若在變換層14與反射層62之間形成空氣層，則有可能發生從變換層14發出的光在空氣層與變換層14之間以及在空氣層與反射層62之間反復反射的多重反射。此外，通過將黏結層60的厚度設為7μm以下，從而能夠抑制MTF（Modulation Transfer Function；調製傳遞函數）以及DQE（Detective Quantum Efficiency；探測量子效應）的下降。
反射層62覆蓋黏結層60的整個表面。反射層62具有對由變換層14變換後的光進行反射的功能。優選反射層62由有機系材料構成。作為反射層62的材料，例如能夠使用白PET、TiO2、Al2O3、發泡白PET、聚酯系高反射片材、以及鏡面反射鋁等。反射層62的厚度優選為10μm以上且40μm以下。
黏合層64覆蓋反射層62的整個表面。黏合層64的端部延伸至TFT基板12的表面。即，黏合層64在其端部與TFT基板12黏合。黏合層64具有將反射層62以及保護層22固定在變換層14的功能。作為黏合層64的材料，能夠使用與黏結層60的材料相同的材料，但優選黏合層64具有的黏合力比黏結層60具有的黏合力大。
保護層22覆蓋黏合層64的整個表面。即，保護層22被設置為覆蓋變換層14的整體並且其端部覆蓋TFT基板12的一部分。保護層22作為防止水分向變換層14的浸入的防濕膜來發揮功能。作為保護層22的材料，例如能夠使用包含PET、PPS、OPP、PEN、PI等有機材料的有機膜。此外，作為保護層22，可以使用Alpet（注冊商標）的片材。
增強基板40經由黏結層48而設置在保護層22的表面。作為黏結層48的材料，例如能夠使用與黏結層60以及黏結層48的材料相同的材料。
在圖20所示的例子中，增強基板40延伸至變換層14的中央部14B以及周緣部14C所對應的區域，增強基板40的外周部折彎成沿著變換層14的周緣部14C中的傾斜的狀態。增強基板40在變換層14的中央部14B所對應的區域以及周緣部14C所對應的區域的雙方經由黏結層48而黏合於保護層22。在圖20所示的例子中，增強基板40的端部配置在變換層14的周緣部14C所對應的區域。
如圖21所示，增強基板40可以僅設置在變換層14的中央部14B所對應的區域。在該情況下，增強基板40在變換層14的中央部14B所對應的區域中經由黏結層48而黏合於保護層22。
如圖22所示，在增強基板40延伸至變換層14的中央部14B以及周緣部14C所對應的區域的情況下，增強基板40可以不具有沿著變換層14的外周部中的傾斜的折彎部。在該情況下，增強基板40在變換層14的中央部14B所對應的區域中經由黏結層48而黏合於保護層22。在變換層14的周緣部14C所對應的區域中，在變換層14（保護層22）與增強基板40之間，形成與變換層14的周緣部14C中的傾斜相應的空間。
在此，在TFT基板12的外周部的連接區域設置的端子113連接柔性線纜112。TFT基板12經由柔性線纜112而與控制基板（參照控制基板110、圖54等）連接。在TFT基板12發生了撓曲的情況下，有可能導致柔性線纜112從TFT基板12剝離或者發生位置偏離。在該情況下，需要重新進行柔性線纜112與TFT基板12的連接的作業。將該重新進行柔性線纜112與TFT基板12的連接的作業稱作重工（rework）。如圖20～圖22所示，通過將增強基板40的端部配置在比變換層14的端部更靠內側，從而與增強基板40延伸至連接區域的附近的情況相比，能夠容易地進行重工。
如圖23～圖26所示，增強基板40也可以被設置為其端部配置在比變換層14的端部更靠外側，並且與延伸至TFT基板12上的黏合層64以及保護層22的端部一致。另外，無需使得增強基板40的端部的位置與黏合層64以及保護層22的端部的位置完全一致。
在圖23所示的例子中，增強基板40在變換層14的中央部14B所對應的區域中經由黏結層48而黏合於保護層22，在變換層14的周緣部14C所對應的區域，以及進一步在其外側的區域，在變換層14（保護層22）與增強基板40之間，形成有與變換層14的周緣部14C中的傾斜相應的空間。
在圖24所示的例子中，在變換層14的周緣部14C所對應的區域、以及進一步在其外側的區域，在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間的空間設置有填充材料70。填充材料70的材料未被特別限定，例如能夠使用樹脂。另外，在圖24所示的例子中，為了將增強基板40固定於填充材料70，黏結層48設置在增強基板40與填充材料70之間的整個區域。
形成填充材料70的方法未被特別限定。例如，也可以在由黏結層60、反射層62、黏合層64以及保護層22覆蓋的變換層14上，依次形成了黏結層48以及增強基板40之後，在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間的空間，注入具有流動性的填充材料70，並使填充材料70固化。此外，例如，也可以在TFT基板12上依次形成了變換層14、黏結層60、反射層62、黏合層64以及保護層22之後，形成填充材料70，將黏結層48以及增強基板40依次形成為對由黏結層60、反射層62、黏合層64以及保護層22覆蓋的變換層14以及填充材料70進行覆蓋的狀態。
這樣，通過將填充材料70填充在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間的空間，從而與圖23所示的方式相比，能夠抑制增強基板40從變換層14（保護層22）剝離。進而，變換層14成為被增強基板40以及填充材料70的雙方固定在TFT基板12的構造，因此能夠抑制變換層14從TFT基板12剝離。
在圖25所示的例子中，增強基板40的外周部以沿著變換層14的周緣部14C中的傾斜的方式折彎，並且還對黏合層64以及保護層22覆蓋在TFT基板12上的部分進行覆蓋。此外，增強基板40的端部與黏合層64以及保護層22的端部一致。另外，無需使得增強基板40的端部的位置與黏合層64以及保護層22的端部的位置完全一致。
增強基板40、黏結層48、保護層22以及黏合層64的端部被密封構件72密封。密封構件72優選設置在從TFT基板12的表面到增強基板40的表面的區域、且不覆蓋像素區域35的區域。作為密封構件72的材料，能夠使用樹脂，尤其優選熱可塑性樹脂。具體而言，能夠將丙烯酸糊、以及聚氨酯系的糊等用作密封構件72。增強基板40與保護層22相比剛性高，在增強基板40的折彎部作用要消除折彎的恢復力，由此保護層22有可能剝離。通過由密封構件72密封增強基板40、黏結層48、保護層22以及黏合層64的端部，從而能夠抑制保護層22的剝離。
在圖26所示的例子中，與圖24所示的方式同樣地，在變換層14的周緣部14C所對應的區域，以及進一步在其外側的區域，在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間的空間設置有填充材料70。此外，在變換層14的端部所對應的區域，在增強基板40的表面進一步經由黏結層48A而層疊有另一增強基板40A。更具體而言，增強基板40A設置在跨越變換層14的端部（外緣、邊緣）的區域。增強基板40A也可以由與增強基板40相同的材料構成。在放射線檢測器10中，在變換層14的端部，TFT基板12的撓曲量比較大。在變換層14的端部所對應的區域，通過形成由增強基板40以及50A構成的層疊構造，從而能夠促進對變換層14的端部處的TFT基板12的撓曲進行抑制的效果。
如圖23～圖26所示，在被設置為增強基板40的端部配置在比變換層14的端部更靠外側且與黏合層64以及保護層22的端部一致的情況下，與增強基板40延伸至連接區域的附近的情況相比，也能夠容易地進行重工。
此外，如圖27～圖30所示，增強基板40也可以被設置為其端部位於比延伸至TFT基板12上的黏合層64以及保護層22的端部更靠外側、且比TFT基板12的端部更靠內側。
在圖27所示的例子中，增強基板40在變換層14的中央部14B所對應的區域，經由黏結層48而黏合於保護層22，在變換層14的周緣部14C所對應的區域，以及進一步在其外側的區域，在變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間，形成有與變換層14的周緣部14C中的傾斜相應的空間。
在圖28所示的例子中，增強基板40的端部被隔離件46支承。即，隔離件46的一端與TFT基板12的第2面12A連接，隔離件46的另一端經由黏合層47而與增強基板40的端部連接。通過由隔離件46支承在與TFT基板12之間形成空間並且延伸的增強基板40的端部，從而能夠抑制增強基板40的剝離。此外，能夠使增強基板40帶來的撓曲抑制效果作用至TFT基板12的端部附近。另外，也可以取代設置隔離件46或者在設置隔離件46的基礎上，還仿效圖24所示的例子，將填充材料填充在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間的空間。
在圖29所示的例子中，增強基板40的外周部以沿著變換層14的周緣部14C中的傾斜的方式折彎，並且還對黏合層64以及保護層22覆蓋在TFT基板12上的部分以及其外側的TFT基板12上進行覆蓋。即，黏合層64以及保護層22的端部被增強基板40密封。增強基板40的延伸至TFT基板12上的部分經由黏結層48而黏合於TFT基板12。這樣，通過由增強基板40覆蓋黏合層64以及保護層22的端部，從而能夠抑制保護層22的剝離。另外，也可以仿效圖25所記載的例子，利用密封構件72來密封增強基板40的端部。
在圖30所示的例子中，在增強基板40的端部被隔離件46支承的方式中，在增強基板40的表面的與變換層14的端部對應的區域，進一步經由黏結層48A而層疊有另一增強基板40A。更具體而言，增強基板40A設置在跨越變換層14的端部（外緣、邊緣）的區域。增強基板40A可以由與增強基板40相同的材料構成。在放射線檢測器10中，變換層14的端部處的TFT基板12的撓曲量比較大。在變換層14的端部所對應的區域，通過形成由增強基板40以及50A構成的層疊構造，從而能夠促進對變換層14的端部處的TFT基板12的撓曲進行抑制的效果。另外，也可以取代設置隔離件46，而仿效圖24所示的例子，將填充材料70填充在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間的空間。
如圖31～圖35所示，增強基板40也可以被設置為其端部與TFT基板12的端部一致。另外，無需使得增強基板40的端部的位置與TFT基板12的端部的位置完全一致。
在圖31所示的例子中，增強基板40在變換層14的中央部14B所對應的區域，經由黏結層48而黏合於保護層22，在變換層14的周緣部14C所對應的區域，以及進一步在其外側的區域，在變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間，形成有與變換層14的周緣部14C中的傾斜相應的空間。
在圖32所示的例子中，增強基板40的端部被隔離件46支承。即，隔離件46的一端與在TFT基板12的端部設置的柔性線纜112連接，隔離件46的另一端經由黏合層47而與增強基板40的端部連接。通過由隔離件46支承在與TFT基板12之間形成空間且延伸的增強基板40的端部，從而能夠抑制增強基板40的剝離。此外，能夠使增強基板40帶來的撓曲抑制效果作用至TFT基板12的端部附近。
在圖33所示的例子中，在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間的空間，填充有填充材料70。在本示例的實施方式中，柔性線纜112和端子113的連接部被填充材料70覆蓋。這樣，在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間的空間填充有填充材料70，從而與圖31所示的方式相比，能夠抑制增強基板40從變換層14（保護層22）的剝離。進而，變換層14成為被增強基板40以及填充材料70的雙方固定在TFT基板12的構造，因此能夠抑制變換層14從TFT基板12的剝離。此外，柔性線纜112和端子113的連接部被填充材料70覆蓋，從而能夠抑制柔性線纜112的剝離。
在圖34所示的例子中，增強基板40的外周部以沿著變換層14的周緣部14C中的傾斜的方式折彎，並且還對黏合層64以及保護層22覆蓋在TFT基板12上的部分、其外側的基板上、以及端子113和柔性線纜112的連接部進行覆蓋。增強基板40的延伸至TFT基板12上以及柔性線纜112上的部分分別經由黏結層48而黏合於TFT基板12以及柔性線纜112。柔性線纜112和端子113的連接部被撓曲增強基板40覆蓋，從而能夠抑制柔性線纜112的剝離。此外，由於假定在柔性線纜112的另一端連接搭載了電子部件的控制基板，因此在柔性線纜112和端子113的連接部有可能在TFT基板12發生比較大的撓曲。柔性線纜112和端子113的連接部被增強基板40覆蓋，從而能夠抑制該部分中的TFT基板12的撓曲。
在圖35所示的例子中，在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間的空間填充有填充材料70。此外，在變換層14的端部所對應的區域，在增強基板40的表面，進一步經由黏結層48A而層疊有另一撓曲增強基板40A。更具體而言，增強基板40A設置在跨越變換層14的端部（外緣、邊緣）的區域。增強基板40A可以由與增強基板40相同的材料構成。在放射線檢測器10中，在變換層14的端部，TFT基板12的撓曲量比較大。在變換層14的端部所對應的區域，通過形成由增強基板40以及50A構成的層疊構造，從而能夠促進對變換層14的端部處的TFT基板12的撓曲進行抑制的效果。
此外，如圖36～圖40所示，增強基板40也可以被設置為其端部位於比TFT基板12的端部更靠外側。
在圖36所示的例子中，增強基板40在變換層14的中央部14B所對應的區域，經由黏結層48而黏合於保護層22，在變換層14的周緣部14C所對應的區域，以及進一步在其外側的區域，在變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間，形成有與變換層14的周緣部14C中的傾斜相應的空間。
在圖37所示的例子中，增強基板40的端部被隔離件46支承。即，隔離件46的一端與在TFT基板12的端部設置的柔性線纜112連接，隔離件46的另一端經由黏合層47而與增強基板40的端部連接。通過由隔離件46支承在與TFT基板12之間形成空間且延伸的增強基板40的端部，從而能夠抑制增強基板40的剝離。此外，能夠使增強基板40帶來的撓曲抑制效果作用至TFT基板12的端部附近。
在圖38所示的例子中，在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間的空間，填充有填充材料70。在本示例的實施方式中，柔性線纜112和端子113的連接部被填充材料70覆蓋。這樣，在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間的空間填充有填充材料70，從而與圖36所示的方式相比，能夠抑制增強基板40從變換層14（保護層22）的剝離。進而，變換層14成為被增強基板40以及填充材料70的雙方固定在TFT基板12的構造，因此能夠抑制變換層14從TFT基板12的剝離。此外，柔性線纜112和端子113的連接部被填充材料70覆蓋，從而能夠抑制柔性線纜112的剝離。
在圖39所示的例子中，增強基板40的外周部以沿著變換層14的周緣部14C中的傾斜的方式折彎，並且還對黏合層64以及保護層22覆蓋在TFT基板12上的部分、其外側的基板上、以及端子113和柔性線纜112的連接部進行覆蓋。增強基板40的延伸至TFT基板12上以及柔性線纜112上的部分分別經由黏結層48而黏合於TFT基板12以及柔性線纜112。柔性線纜112和端子113的連接部被增強基板40覆蓋，從而能夠抑制柔性線纜112的剝離。此外，由於假定在柔性線纜112的另一端連接搭載了電子部件的控制基板，因此在柔性線纜112和端子113的連接部有可能在TFT基板12發生比較大的撓曲。柔性線纜112和端子113的連接部被增強基板40覆蓋，從而能夠抑制該部分中的TFT基板12的撓曲。
在圖40所示的例子中，在形成於變換層14（保護層22）與增強基板40之間、以及TFT基板12與增強基板40之間的空間，填充有填充材料70。此外，在變換層14的端部所對應的區域，在增強基板40的表面，進一步經由黏結層48A而層疊有另一增強基板40A。更具體而言，增強基板40A設置在跨越變換層14的端部（外緣、邊緣）的區域。增強基板40A可以由與增強基板40相同的材料構成。在放射線檢測器10中，在變換層14的端部，TFT基板12的撓曲量比較大。在變換層14的端部所對應的區域，通過形成由增強基板40以及50A構成的層疊構造，從而能夠促進對變換層14的端部處的TFT基板12的撓曲進行抑制的效果。
如上述，在放射線檢測器10的製造步驟中，在玻璃基板等的支承體50隔著剝離層52貼附具有可撓性的TFT基板12，並在TFT基板12上層疊了變換層14之後，將支承體50從TFT基板12剝離。此時，在具有可撓性的TFT基板12發生撓曲，由此形成在TFT基板12上的像素30有可能損傷。在將支承體50從TFT基板12剝離之前，預先以如圖20～圖40所示例的那樣的方式在變換層14上層疊增強基板40，從而能夠抑制在將支承體50從TFT基板12剝離時發生的TFT基板12的撓曲，能夠降低像素30損傷的風險。
此外，增強基板40並不限於單一的層（單層），也可以由多層來構成。例如，在圖41所示的例子中，放射線檢測器10示出增強基板40設為從接近變換層14的一方依次層疊有第1增強基板40B、第2增強基板40C、以及第3增強基板40D的3層的多層膜的方式。
在將增強基板40設為多層的情況下，優選增強基板40中包含的各層具有不同的功能。例如，在圖41所示的一例中，也可以將第1增強基板40B以及第3增強基板40D設為具有非導電性的防帶電功能的層，將第2增強基板40C設為導電性的層，由此使增強基板40具有電磁屏蔽功能。作為該情況下的第1增強基板40B以及第3增強基板40D，例如可列舉使用了防帶電塗料“Colcoat”（商品名：Colcoat公司製）的膜等的防帶電膜。此外，作為第2增強基板40C，例如可列舉導電性片材、Cu等的導電性的網眼片材（mesh sheet）等。
例如，在放射線檢測器10的讀取方式為ISS方式的情況下，有時在變換層14側設置控制基板110、或電源部108等（參照圖59），但在這樣增強基板40具有防帶電功能的情況下，能夠屏蔽來自控制基板110、電源部108的電磁雜訊。
此外，圖42是表示增強基板40的構造的一例的俯視圖。增強基板40可以在其主面具有多個貫通孔40H。貫通孔40H的大小以及間距被規定為可在增強基板40中得到希望的剛性。
增強基板40通過具有多個貫通孔40H，從而能夠使導入至增強基板40和變換層14的接合面的空氣從貫通孔40H排出。由此，能夠抑制增強基板40和變換層14的接合面處的氣泡的產生。
不存在使導入至增強基板40和變換層3的接合面的空氣排出的單元的情況下，有可能會在上述接合面產生氣泡。例如，若由於放射線圖像攝影裝置1工作時的熱而使得在上述接合面產生的氣泡膨脹，則增強基板40和變換層14的密接性下降。由此，有可能導致未充分發揮增強基板40帶來的撓曲抑制效果。如圖42所示，通過利用具有多個貫通孔50A的增強基板40，從而如上述那樣能夠抑制增強基板40和變換層14的接合面處的氣泡的產生，因此能夠維持增強基板40和變換層14的密接性，能夠維持增強基板40帶來的撓曲抑制效果。
圖43是表示增強基板40的構造的另一例的立體圖。在圖43所示的例子中，增強基板40在與變換層14的接合面具有凹凸構造。該凹凸構造如圖43所示也可以構成為包含相互平行配置的多個溝槽63。增強基板40例如像圖44所示，具有基於多個溝槽63的凹凸構造的面與被反射層62覆蓋的變換層14接合。這樣，增強基板40通過在與變換層14的接合面具有凹凸構造，從而能夠使導入至增強基板40和變換層14的接合部的空氣從溝槽63排出。由此，與圖42所示的方式同樣地，能夠抑制增強基板40和變換層14的接合面處的氣泡的產生。由此，能夠維持增強基板40和變換層14的密接性，能夠維持增強基板40帶來的撓曲抑制效果。
圖45以及圖46分別是表示增強基板40的構造的另一例的俯視圖。如圖45以及圖46所示，增強基板40可以被分斷為多個斷片54。增強基板40如圖45所示可以被分斷為多個斷片54（圖545 ～5411 ）在一個方向上排列。此外，增強基板40如圖46所示也可以被分斷為多個斷片54（圖541 ～544 ）在縱向以及橫向上排列。
增強基板40的面積越大，越容易在增強基板40和變換層14的接合面產生氣泡。如圖45以及圖46所示，通過將增強基板40分斷為多個斷片54，從而能夠抑制增強基板40和變換層14的接合面處的氣泡的產生。由此，能夠維持增強基板40和變換層14的密接性，能夠維持增強基板40帶來的撓曲抑制效果。
此外，也可以在增強基板41的與和TFT基板12（第2面19B）相接的一側相反的一側設置增強構件53。圖47～圖51分別是表示增強構件53的設置方式的例子的剖視圖。
在圖47～圖51所示的例子中，在增強基板41的與TFT基板12側的面相反側的面，經由黏合層51而層疊有增強構件53。增強構件53可以由與增強基板40相同的材料構成。在將放射線檢測器10作為ISS方式來利用的情況下，為了儘量減小增強構件53和像素區域35重疊的部分的面積，優選增強構件53僅設置在TFT基板12的外周部。即，增強構件53如圖47～圖51所示可以是在與像素區域35對應的部分具有開口61的環狀。這樣，通過在TFT基板12的外周部形成由增強基板41以及增強構件53構成的層疊構造，從而能夠增強比較容易發生撓曲的TFT基板12的外周部的剛性。
在圖47～圖49所示的例子中，增強構件53設置在跨越變換層14的端部（外緣、邊緣）的區域。在放射線檢測器10中，在變換層14的端部，TFT基板12的撓曲量比較大。在變換層14的端部所對應的區域，通過形成由增強基板41以及增強構件53構成的層疊構造，從而能夠促進對變換層14的端部處的TFT基板12的撓曲進行抑制的效果。
在將放射線檢測器10作為ISS方式來利用的情況下，如圖47所示，增強構件53的一部分與像素區域35重疊的情況下，由於增強構件53的材質，有可能會給圖像帶來影響。因此，在增強構件53的一部分與像素區域35重疊的情況下，作為增強構件53的材料優選使用塑料。
如圖48以及圖49所示，增強構件53跨越變換層14的端部（外緣、邊緣）且不與像素區域35重疊的方式（即，增強構件53的開口61的端部配置在像素區域35的外側的方式）最優選。在圖48所示的例子中，增強構件53的開口61的端部的位置和像素區域35的端部的位置大體一致。在圖49所示的例子中，增強構件53的開口61的端部配置在像素區域35的端部與變換層14的端部之間。
此外，增強構件53的開口61的端部的位置如圖50所示可以與變換層14的端部的位置大體一致，此外，如圖51所示也可以配置在比變換層14的端部更靠外側。在該情況下，由於增強構件53未成為跨越變換層14的端部（外緣、邊緣）的構造，因此對變換層14的端部處的TFT基板12的撓曲進行抑制的效果有可能下降。然而，在柔性線纜112和端子113的連接部存在的TFT基板12的外周部，形成由增強基板41以及增強構件53構成的層疊構造，因此對柔性線纜112和端子113的連接部處的TFT基板12的撓曲進行抑制的效果被維持。
此外，在上述各示例的實施方式的放射線檢測器10中，對TFT基板12（基材11）和增強基板41的大小相同的方式進行了說明，但TFT基板12和增強基板41的大小可以不同。
例如，在將放射線檢測器10應用於放射線圖像攝影裝置1的情況下，有時將放射線檢測器10固定於收納放射線檢測器10的殼體120（參照圖7等）等來利用。在這種情況下，例如，如圖52A所示的一例那樣，可以將增強基板41設得比TFT基板12大，設置片狀物（flap）等，利用片狀物等的部分來進行放射線檢測器10的固定。例如，也可以設為如下的方式，即，在增強基板41的片狀物部分設置孔，利用將孔進行貫通的螺釘而與殼體120（參照圖7等）固定。
另外，使增強基板41比TFT基板12大的方式並不限定於圖52A所示的方式。也可以設為如下的方式，即，由層疊的多個層來構成增強基板41，使一部分的層比TFT基板12大。例如，如圖52B所示，也可以將增強基板41設為具有與TFT基板12（基材11）相同程度的大小的第1層41A、以及比TFT基板12大的第2層41B的2層構造。第1層41A和第2層41B通過雙面膠、黏結層等（省略圖示）黏貼。作為第1層41A，例如優選由與上述的增強基板41同樣的材質形成，具有與增強基板41同樣的性質。此外，第2層41B通過雙面膠、黏結層等（省略圖示）黏貼於基材11的第2面19B。作為第2層41B，例如能夠應用Alpet（注冊商標）。此外，在由多個層來構成增強基板41的情況下，與圖52B所示的方式相反地，如圖52C所示可以設為使第1層41A黏貼於基材11的第2面19B的方式。
如上述，在利用設置於增強基板41的片狀物等將放射線檢測器10固定至殼體120（參照圖7等）等的情況下，有時以使片狀物部分彎曲的狀態來進行固定。厚度越薄，增強基板41的片狀物部分越容易彎曲，不給放射線檢測器10主體帶來影響，能夠僅使片狀物部分彎曲。因而，在使片狀物部分等彎曲的情況下，如圖52B以及圖52C所示的一例那樣，優選設為由層疊的多個層來構成增強基板41，使一部分的層比TFT基板12大的方式。
此外，如圖53所示的例子那樣，可以與上述圖52A～圖52C的放射線檢測器10相反地使增強基板41比TFT基板12小。通過TFT基板12的端部位於比增強基板41的端部更靠外部，從而例如在進行將放射線檢測器10收納於殼體120（參照圖7等）等組裝的情況下，容易確認TFT基板12的端部的位置，因此能夠提高定位的精度。另外，並不限定於圖53所示的方式，只要TFT基板12（基材11）的端部的至少一部分位於比增強基板41更靠外部就可獲得同樣的效果，因此優選。
進而，參照圖54～圖60對在殼體120內容納了放射線檢測器10的放射線圖像攝影裝置1的例子進行說明。圖54～圖60分別是表示放射線圖像攝影裝置1的其他結構例的圖。
在圖54所示的例子中，與上述圖18所示的放射線圖像攝影裝置1同樣地表示ISS方式的放射線圖像攝影裝置1的一例。此外，在圖55所示的例子中，表示PSS方式的放射線圖像攝影裝置1的一例。在圖54以及圖55所示的例子中，示例出放射線檢測器10、控制基板110、以及電源部108在圖中橫向地並排設置的結構。
此外，在圖54以及圖55所示的例子中，在放射線檢測器10與殼體120的攝影面120A的內壁之間，還設置有保護層117。換言之，在放射線R入射的一側即攝影面120A側還設置有保護層117。作為保護層117，能夠應用通過在絕緣性的片材（薄膜）黏合鋁箔等而層疊了鋁的Alpet（注冊商標）的片材、派瑞林（注冊商標）膜、以及聚對苯二甲酸乙二醇酯等的絕緣性的片材等的防濕膜。保護層117具有對於像素區域35的防濕功能以及防帶電功能。因而，保護層117優選至少覆蓋像素區域35的放射線R入射的一側的整個面，優選覆蓋放射線R入射的一側的TFT基板12的整個面。
另外，在圖54以及圖55中，示出將電源部108以及控制基板110雙方設置在放射線檢測器10的一側、具體為矩形狀的像素區域35的一邊的一側的方式，但設置電源部108以及控制基板110的位置並不限定於圖54以及圖55所示的方式。例如，可以使電源部108以及控制基板110分散設置在像素區域35的對置的兩邊的各個邊，也可以分散設置在相鄰的兩邊的各個邊。
此外，如圖54以及圖55所示的例子那樣，在與層疊有TFT基板12以及變換層14的方向（層疊方向P）交叉的方向上並排設置放射線檢測器10、控制基板110、以及電源部108的情況下，在分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分、和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分，殼體120的厚度可以不同。
如上述，如圖55所示的例子那樣，電源部108以及控制基板110各自比放射線檢測器10厚的情況較多。在這種情況下，如圖56所示的例子那樣，也可以與分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分的厚度相比，設置有放射線檢測器10的殼體120的部分的厚度更薄。另外，這樣，在分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分、和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分使得厚度不同的情況下，若在兩部分的邊界部產生高低差，則有可能會給接觸邊界部120B的被檢者帶來不適感等，因此邊界部120B的方式優選設為具有傾斜的狀態。
由此，能夠構成與放射線檢測器10的厚度相應的極薄型的便攜式電子卡帶。
此外，例如，在該情況下，在分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分、和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分，殼體120的材質可以不同。進而，例如，分別設置有電源部108以及控制基板110的殼體120的部分、和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分可以作為分體來構成。
此外，如上述，殼體120優選放射線R尤其為X射線的吸收率低、且為高剛性，優選由彈性模數充分高的材料構成，但也可如圖57所示的例子那樣，關於殼體120的攝影面120A所對應的部分120C，放射線R的吸收率低、且為高剛性，由彈性模數充分高的材料構成，關於其他部分，由與部分120C不同的材料構成，例如由彈性模數比部分120C低的材料構成。
此外，如圖58所示的例子那樣，放射線檢測器10和殼體120的內壁面可以相接。在該情況下，放射線檢測器10和殼體120的內壁面可以經由黏合層來黏合，也可以不經由黏合層而僅僅簡單接觸。這樣，放射線檢測器10和殼體120的內壁面相接，從而可進一步確保放射線檢測器10的剛性。
此外，在圖59所示的例子中，與上述圖19所示的放射線圖像攝影裝置1同樣地表示ISS方式的放射線圖像攝影裝置1的一例。此外，在圖60所示的例子中，表示PSS方式的放射線圖像攝影裝置1的一例。在圖59以及圖60所示的例子中，夾著片材116以及基座118而設置有TFT基板12和控制基板110以及電源部108。根據該結構，與放射線檢測器10、控制基板110以及電源部108在圖中橫向地並排設置的情況（參照圖54～圖58）相比，能夠減小放射線圖像攝影裝置1的俯視下的尺寸。
日本申請2018-051690、2018-219696、2019-022148、2018-119356、2018-219699、2019-022126的公開其整體通過參照而援引於本說明書。
本說明書中記載的所有的文獻、專利申請以及技術標準，與通過具體且單獨地記述通過參照來援引各個文獻、專利申請以及技術標準的情況同等程度地，通過參照援引於本說明書中。
1‧‧‧放射線圖像攝影裝置
10‧‧‧放射線檢測器
11、18‧‧‧基材
11A、12A、19A‧‧‧第1面
11B、19B‧‧‧第2面
11P‧‧‧微粒
11L‧‧‧微粒層
12‧‧‧TFT基板
13‧‧‧緩衝層
14‧‧‧變換層
14A‧‧‧柱狀晶體
14B‧‧‧中央部
14C‧‧‧周緣部
16、45、48、48A、60‧‧‧黏結層
19‧‧‧層疊體
20、47、64‧‧‧黏合層
22、117‧‧‧保護層
22A、22C‧‧‧PET膜
22B‧‧‧鋁箔膜
30‧‧‧像素
31‧‧‧像素陣列
32‧‧‧開關元件（TFT）
34‧‧‧傳感器部
35‧‧‧像素區域
36‧‧‧信號佈線
38‧‧‧掃描佈線
39‧‧‧共用佈線
40、40A、41‧‧‧增強基板
40B‧‧‧第1增強基板
40C‧‧‧第2增強基板
40D‧‧‧第3增強基板
40H‧‧‧貫通孔
41A‧‧‧第1層
41B‧‧‧第2層
42‧‧‧保護膜
44‧‧‧防濕劑
46‧‧‧隔離件
50‧‧‧支承體
52‧‧‧剝離層
53‧‧‧增強構件
54‧‧‧斷片
541～544、545～5411‧‧‧圖
61‧‧‧開口
62‧‧‧反射層
63‧‧‧溝槽
70‧‧‧填充材料
72‧‧‧密封構件
80‧‧‧閘極
81‧‧‧汲極
82‧‧‧源極
90‧‧‧層
103‧‧‧驅動部
104‧‧‧信號處理部
108‧‧‧電源部
110‧‧‧控制基板
112‧‧‧柔性線纜
113‧‧‧端子
114‧‧‧電源線
116‧‧‧片材
118‧‧‧基座
120‧‧‧殼體
120A‧‧‧攝影面
120B‧‧‧邊界部
120C‧‧‧部分
210‧‧‧圖像存儲器
212‧‧‧控制部
R‧‧‧放射線
Rb‧‧‧後方散射線
S‧‧‧被攝體
θ‧‧‧傾斜角度
圖1是表示第1示例的實施方式的放射線檢測器中的TFT（Thin Film Transistor；薄膜電晶體）基板的結構的一例的結構圖。
圖2A是用於說明示例的實施方式的基材的一例的剖視圖。
圖2B是用於說明由於透過了被攝體的放射線而在具有微粒層的基材內產生的後方散射線的說明圖。
圖2C是用於說明由於透過了被攝體的放射線而在不具有微粒層的基材內產生的後方散射線的說明圖。
圖3是從設置有變換層的一側觀察第1示例的實施方式的放射線檢測器的一例的俯視圖。
圖4是圖3所示的放射線檢測器的A-A線剖視圖。
圖5是說明第1示例的實施方式的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。
圖6是從設置有變換層的一側觀察第1示例的實施方式的放射線檢測器的一例的俯視圖。
圖7是圖6所示的放射線檢測器的A-A線剖視圖。
圖8是用於說明第2示例的實施方式的變換層中的周緣部和中央部的剖視圖。
圖9是表示第2示例的實施方式的放射線檢測器中的黏結層、黏合層、以及保護層的層疊狀態的一例的剖視圖。
圖10是示意性地表示第2示例的實施方式的黏結層、黏合層、以及保護層的一例的剖面的剖視圖。
圖11是第3示例的實施方式的放射線檢測器的一例的剖視圖。
圖12是第4示例的實施方式的放射線檢測器的一例的剖視圖。
圖13是第5示例的實施方式的放射線檢測器的一例的剖視圖。
圖14是表示第5示例的實施方式的放射線檢測器中的黏結層以及保護層的層疊狀態的一例的剖視圖。
圖15是示例的實施方式的放射線檢測器的另一例的剖視圖。
圖16是關於示例的實施方式的放射線檢測器的另一例的一像素部分的剖視圖。
圖17是示例的實施方式的放射線檢測器的另一例的剖視圖。
圖18是表示應用了示例的實施方式的放射線檢測器的放射線圖像攝影裝置的一例的剖面的剖視圖。
圖19是表示應用了示例的實施方式的放射線檢測器的放射線圖像攝影裝置的另一例的剖面的剖視圖。
圖20是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖21是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖22是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖23是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖24是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖25是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖26是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖27是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖28是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖29是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖30是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖31是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖32是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖33是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖34是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖35是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖36是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖37是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖38是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖39是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖40是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖41是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖42是表示公開的技術的示例的實施方式的撓曲抑制構件的構造的一例的俯視圖。
圖43是表示公開的技術的示例的實施方式的撓曲抑制構件的構造的一例的立體圖。
圖44是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖45是表示公開的技術的示例的實施方式的撓曲抑制構件的構造的一例的俯視圖。
圖46是表示公開的技術的示例的實施方式的撓曲抑制構件的構造的一例的俯視圖。
圖47是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖48是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖49是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖50是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖51是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖52A是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖52B是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖52C是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖53是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的剖視圖。
圖54是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線圖像攝影裝置的結構的一例的剖視圖。
圖55是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線圖像攝影裝置的結構的一例的剖視圖。
圖56是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線圖像攝影裝置的結構的一例的剖視圖。
圖57是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線圖像攝影裝置的結構的一例的剖視圖。
圖58是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線圖像攝影裝置的結構的一例的剖視圖。
圖59是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線圖像攝影裝置的結構的一例的剖視圖。
圖60是表示公開的技術的示例的實施方式的放射線圖像攝影裝置的結構的一例的剖視圖。

Claims (27)

  1. 一種放射線檢測器，具備： 基板，在具有微粒層的基材的與具有所述微粒層的面相反側的面的像素區域，形成有對根據從放射線變換後的光而產生的電荷進行蓄積的多個像素，所述基材為可撓性且為樹脂製，所述微粒層包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒； 變換層，設置在所述基材的設置有所述像素區域的面，將所述放射線變換為光；和 增強基板，設置在層疊有所述基板以及所述變換層的層疊體的所述基板側的面以及所述變換層側的面的至少一方。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述基材在300℃～400℃下的熱膨脹係數為20ppm/K以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放射線檢測器，其中， 所述基材在厚度為25μm的狀態下，滿足400℃下的縱向MD方向的熱收縮率為0.5%以下以及500℃下的彈性模數為1GPa以上的至少一方。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述微粒包含原子序號比構成所述基材的元素大且原子序號為30以下的元素。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述增強基板的彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述增強基板的熱膨脹係數相對於所述變換層的熱膨脹係數之比為0.5以上且2以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述增強基板的熱膨脹係數為30ppm/K以上且80ppm/K以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述增強基板包含具有降伏點的材料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述增強基板與所述基材相比剛性高。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述增強基板的厚度比所述基材的厚度厚。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述變換層覆蓋所述像素區域，並且設置在所述基材的設置有所述像素區域的面的一部分的區域， 所述增強基板設置在比設置有所述變換層的區域大的區域。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述增強基板設置在層疊有所述基板以及所述變換層的層疊體的所述基板側的面以及所述變換層側的面， 在所述變換層側的面設置的增強基板的厚度比在所述基板側的面設置的增強基板的厚度厚。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述增強基板是將塑料作為材料的基板。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的放射線檢測器，其中， 所述塑料為聚碳酸酯以及聚對苯二甲酸乙二醇酯的至少一種。
  15. 如申請專利範圍第13項或第14項所述的放射線檢測器，其中， 所述塑料為苯乙烯、丙烯酸、聚縮醛、以及尼龍的至少一種。
  16. 如申請專利範圍第13項所述的放射線檢測器，其中， 所述塑料為聚丙烯、ABS、工程塑料、聚對苯二甲酸乙二醇酯、以及聚苯醚的至少一種。
  17. 如申請專利範圍第13項所述的放射線檢測器，其中， 所述塑料為熱可塑性的樹脂。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 還具備：緩衝層，設置在所述基板與所述變換層之間，對所述變換層的熱膨脹係數與所述基板的熱膨脹係數之差進行緩衝。
  19. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述像素具有： 傳感器部，產生與被照射的放射線的劑量相應的電荷，並對產生的電荷進行蓄積；和 開關元件，將所述傳感器部中蓄積的電荷讀出。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的放射線檢測器，其中， 所述開關元件為具有閘極的電晶體， 所述基板在所述基材與所述閘極之間設置有由無機材料形成的層。
  21. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述增強基板設置在層疊有所述變換層的層疊體的所述基板側的面， 在所述增強基板與所述基板中的所述變換層側的面之間還具備對所述變換層的側面進行密封的密封構件。
  22. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述層疊體在所述變換層側還具有依次層疊了黏結層、黏合層和保護層的部分，所述黏結層是對由所述變換層變換後的光進行反射的反射性的黏結層，所述黏合層對包含從所述黏結層的端部到所述基板的表面的區域在內的區域進行覆蓋，所述保護層對所述黏結層以及所述黏合層進行覆蓋， 所述增強基板設置在所述層疊體的所述基板側的面以及所述保護層側的面的至少一方。
  23. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述層疊體在所述變換層側還具有依次層疊了黏結層和保護層的部分，所述黏結層是對由所述變換層變換後的光進行反射、並對包含所述變換層整體以及到所述基板的表面的區域在內的區域進行覆蓋的反射性的黏結層，所述保護層對所述黏結層進行覆蓋， 所述增強基板設置在所述層疊體的所述基板側的面以及所述保護層側的面的至少一方。
  24. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中， 所述變換層包含CsI的柱狀晶體。
  25. 一種放射線圖像攝影裝置，具備： 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器； 控制部，輸出用於將所述多個像素中蓄積的電荷讀出的控制信號； 驅動部，根據所述控制信號使得從所述多個像素讀出電荷；和 信號處理部，輸入與從所述多個像素讀出的電荷相應的電信號，生成與輸入的電信號相應的圖像數據並輸出至所述控制部。
  26. 如申請專利範圍第25項所述的放射線圖像攝影裝置，其中， 還具備：殼體，具有被照射放射線的照射面，將所述放射線檢測器收納為所述放射線檢測器中的傳感器基板以及變換層之中的所述傳感器基板與所述照射面對置的狀態。
  27. 一種放射線檢測器的製造方法，包括： 在與放射線檢測器相應的大小的增強基板塗敷黏結層的步驟； 在支承體隔著剝離層形成基板的步驟，所述基板在具有微粒層的基材的與具有所述微粒層的面相反側的面的像素區域，設置有對根據從放射線變換後的光而產生的電荷進行蓄積的多個像素，所述基材為可撓性且為樹脂製，所述微粒層包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒； 在所述基材的設置有所述像素區域的面形成將所述放射線變換為光的變換層的步驟； 在所述基板連接用於將所述像素與電路部連接的佈線的步驟； 在所述變換層的與和所述基板對置的面相反側的面黏貼所述增強基板的步驟；和 將連接有所述佈線且設置有所述變換層以及所述增強基板的所述基板從所述支承體剝離的步驟。
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