TW201938388A - 半導體密封用樹脂組成物、半導體裝置、及半導體密封用樹脂組成物之製造方法 - Google Patents

半導體密封用樹脂組成物、半導體裝置、及半導體密封用樹脂組成物之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201938388A
TW201938388A TW108103782A TW108103782A TW201938388A TW 201938388 A TW201938388 A TW 201938388A TW 108103782 A TW108103782 A TW 108103782A TW 108103782 A TW108103782 A TW 108103782A TW 201938388 A TW201938388 A TW 201938388A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin composition
carbon black
semiconductor
sealing
inorganic filler
Prior art date
Application number
TW108103782A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI793258B (zh
Inventor
小谷貴浩
柴田洋志
Original Assignee
日商住友電木股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商住友電木股份有限公司 filed Critical 日商住友電木股份有限公司
Publication of TW201938388A publication Critical patent/TW201938388A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI793258B publication Critical patent/TWI793258B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/02—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
    • C08G59/022—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule characterised by the preparation process or apparatus used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/688—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/44—Carbon
    • C09C1/48—Carbon black
    • C09C1/56—Treatment of carbon black ; Purification
    • C09C1/60—Agglomerating, pelleting, or the like by dry methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本發明的半導體密封用樹脂組成物為含有環氧樹脂、硬化劑、無機填充材料及碳黑微粒之半導體密封用樹脂組成物，並在模具溫度為175℃、注入壓力為10MPa、硬化時間為120秒的條件下，將該半導體密封用樹脂組成物注入成形成長度為80mm、寬度為10mm、厚度為4mm，接著，在175℃的條件下加熱處理4小時而獲得硬化物，並藉由SEM觀察該硬化物的表面時，上述碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑為50μm以下。

Description

半導體密封用樹脂組成物、半導體裝置、及半導體密封用樹脂組成物之製造方法
本發明係有關一種半導體密封用樹脂組成物、半導體裝置及半導體密封用樹脂組成物之製造方法。
例如，如專利文獻1所示，半導體密封用樹脂組成物的領域中，摻合碳黑。藉此，在半導體密封用樹脂組成物的硬化物上標記商品名稱、批號等資訊時，能夠更加清晰地印刷。又，藉由碳黑吸收光，防止光的透射並對於防止半導體元件因光引起之故障亦發揮作用。
專利文獻1：日本特開2009-275110號公報
例如，採用了引線框之半導體裝置的領域中，為了使半導體裝置高性能化，要求縮小用於連接電子元件和引線框之接合線的間隔。
本發明人發現了：在藉由專利文獻1中所記載的密封用樹脂組成物製作半導體裝置之情形下，有時發生短路，從而半導體裝置的電可靠性下降。
本發明的課題為提供一種在製成半導體裝置時能夠提高電可靠性之半導體密封用樹脂組成物。
為了提高半導體裝置的電可靠性，本發明人對發生短路之原因進行了研究。其結果，發現了碳黑的凝聚物亦即碳凝聚物堵塞在間隔窄的接合線之間，成為短路的原因。
因此，本發明人發現藉由將半導體密封用樹脂組成物中所含之碳黑的凝聚物的最大粒徑設為特定的數值以下，控制碳黑的凝聚物在接合線之間發生堵塞，能夠提高半導體裝置的電可靠性，以完成了本發明。
依本發明，可提供一種半導體密封用樹脂組成物，其含有：
環氧樹脂、
硬化劑、
無機填充材料及
碳黑微粒，
在模具溫度為175℃、注入壓力為10MPa、硬化時間為120秒的條件下，將該半導體密封用樹脂組成物注入成形成長度為80mm、寬度為10mm、厚度為4mm，接著，在175℃的條件下加熱處理4小時而獲得硬化物，並藉由螢光顯微鏡觀察該硬化物的表面時，前述碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑為50μm以下。
又，依本發明，可提供一種半導體裝置，其具備：
裝載於基板上之半導體元件及
密封前述半導體元件之密封構件，
前述密封構件由上述半導體密封用樹脂組成物的硬化物構成。
進而，依本發明，可提供一種半導體密封用樹脂組成物之製造方法，其包括：將碳黑和無機填充材料進行混合而獲得混合物，並藉由噴射磨機粉碎前述混合物來粉碎前述碳黑而獲得碳黑微粒之步驟；及將環氧樹脂、硬化劑、無機填充材料及前述碳黑微粒進行混合而獲得半導體密封用樹脂組成物之步驟。
依本發明，可提供一種在製成半導體裝置時能夠提高電可靠性之半導體密封用樹脂組成物、具備該樹脂組成物的硬化物之半導體裝置、及該半導體密封用樹脂組成物之製造方法。
以下，使用圖式對本發明的實施形態進行說明。另外，在所有圖式中，對相同的構成要素標註相同的符號，並適當省略說明。
本實施形態的半導體密封用樹脂組成物（以下，還稱為“密封用樹脂組成物”或“樹脂組成物”）為含有環氧樹脂、硬化劑、無機填充材料及碳黑微粒之半導體密封用樹脂組成物，並在模具溫度為175℃、注入壓力為10MPa、硬化時間為120秒的條件下，將該密封用樹脂組成物注入成形成長度為80mm、寬度為10mm、厚度為4mm，接著，在175℃的條件下加熱處理4小時而獲得硬化物，並藉由螢光顯微鏡觀察該硬化物的表面時，上述碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑為50μm以下。
為了提高半導體裝置的電可靠性，本發明人對發生短路的原因進行了研究。其結果，判斷出碳黑的凝聚物亦即碳凝聚物堵塞在間隔窄的接合線之間，成為短路的原因。因此，本發明人判斷出將密封用樹脂組成物中所含之碳黑的凝聚物的最大粒徑設為特定的數值以下時，能夠提高半導體裝置的電可靠性。雖然詳細的機制尚不明確，但是推測其原因如下：藉由將碳黑的凝聚物的最大粒徑設為特定的數值以下，縮小碳凝聚物的尺寸，即使接合線之間的間隔窄，亦能夠抑制碳凝聚物成為短路的原因。
由以上內容，推測為本實施形態之半導體密封用樹脂組成物在製成半導體裝置時能夠提高電可靠性。
（半導體密封用樹脂組成物）
首先，對本實施形態之半導體密封用樹脂組成物進行說明。
將本實施形態之密封用樹脂組成物製成硬化物時的碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑的上限值為50μm以下，例如，40μm以下為較佳，30μm以下為更佳，25μm以下為進一步較佳，20μm以下為更加進一步較佳。藉此，縮小碳凝聚物的尺寸，能夠抑制碳凝聚物成為短路的原因。
又，將本實施形態之密封用樹脂組成物製成硬化物時的碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑的下限值，例如可以係0.1μm以上，亦可以係1μm以上。基本上，就提高電可靠性的觀點而言，碳黑微粒係高分散為較佳。
另外，本實施形態中，對於將密封用樹脂組成物製成硬化物時的碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑，能夠以下述方式進行測量。
首先，例如，使用低壓轉注成形機，在模具溫度為175℃、注入壓力為10MPa、硬化時間為120秒的條件下，將密封用樹脂組成物注入成形成長度為80mm、寬度為10mm、厚度為4mm，接著，在175℃的條件下加熱處理4小時而製作硬化物。藉由螢光顯微鏡觀察該密封用樹脂組成物的硬化物的表面，並對碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑進行評價。另外，碳凝聚物的最大粒徑係指觀察區域中的碳凝聚物的粒徑的最大值。對於碳凝聚物的粒徑，藉由將連結某一碳凝聚物中的任意2個點時的最大長度設為粒徑來進行測量。
以往密封用樹脂組成物中，藉由噴射磨機粉碎碳黑來使凝聚物破碎。然而，碳黑的機械特性優異，僅藉由噴射磨機粉碎，無法完全去除粗大的凝聚物。
本實施形態中，藉由對粉碎碳黑之方法進行鑽研，能夠將所獲得之碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑控制在所期望的數值範圍內。關於粉碎碳黑而製造碳黑微粒之方法，在以下進行詳細敘述，但是可使用將碳黑和無機填充材料進行混合而製作混合物，並噴射磨機粉碎混合物之方法。雖然詳細的機制尚不明確，但是推測為藉由將碳黑和硬度高於碳黑的無機填充材料進行混合，無機填充材料能夠使碳黑破碎，並使再凝聚之粗大的碳凝聚物破碎。藉此，能夠將碳黑的最大粒徑控制在所期望的數值範圍內。
又，粉碎上述碳黑之方法中，控制無機填充材料的種類、粒徑、比表面積、莫氏硬度等無機填充材料的性狀；混合物中的無機填充材料和碳黑的含量；混合物中的碳黑的凝聚物的平均粒徑；噴射磨機粉碎時的混合物的供給量、氣體壓力等要素，對於粉碎碳黑，並實現所期望的最大粒徑而言是重要的。
又，作為將碳黑的凝聚物的最大粒徑控制在所期望的數值範圍內之方法，例如，進行2個階段的粉碎，對於控制碳黑的最大粒徑而言亦是有效的，該2個階段的粉碎中，首先，藉由碳黑進行噴射磨機粉碎，接著，將碳黑和無機填充材料進行混合並進行噴射磨機粉碎。
本實施形態之密封用樹脂組成物含有環氧樹脂、硬化劑、無機填充材料及碳黑微粒。
以下，對本實施形態之密封用樹脂組成物的原料成分進行說明。
（環氧樹脂）
環氧樹脂表示在1分子內具有2個以上的環氧基之化合物（單體、低聚物及聚合物），且不限定分子量及分子結構。
作為環氧樹脂，具體而言，可舉出聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂等結晶性環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三酚甲烷型環氧樹脂等多官能環氧樹脂；含伸苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂、含聯伸苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂等苯酚芳烷基型環氧樹脂；二羥基萘型環氧樹脂、將二羥基萘的二聚物進行環氧丙基醚化而獲得之環氧樹脂等萘酚型環氧樹脂；三聚異氰酸三環氧丙酯、單烯丙基二環氧丙基三聚異氰酸酯等含三核之環氧樹脂；二環戊二烯改質酚型環氧樹脂等橋聯環狀烴化合物改質酚型環氧樹脂等。作為環氧樹脂，能夠使用上述具體例中的1種，或組合2種以上來使用。
作為環氧樹脂，上述具體例中，例如使用苯酚芳烷基型環氧樹脂或雙酚型環氧樹脂為較佳。藉此，能夠將碳黑微粒較佳地分散於密封用樹脂組成物中，並在製成半導體裝置時能夠提高電可靠性。
關於密封用樹脂組成物中的環氧樹脂的含量的下限值，例如，相對於密封用樹脂組成物的固體成分100質量份，係0.1質量份以上為較佳，0.3質量份以上為更佳，0.5質量份以上為進一步較佳。
又，關於密封用樹脂組成物中的環氧樹脂的含量的上限值，例如，相對於密封用樹脂組成物的固體成分100質量份，係20質量份以下為較佳，15質量份以下為更佳，10質量份以下為進一步較佳。
藉由密封用樹脂組成物中的環氧樹脂的含量在上述數值範圍內，能夠將碳黑微粒較佳地分散於密封用樹脂組成物中，並在製成半導體裝置時能夠提高電可靠性。
（硬化劑）
硬化劑能夠依據環氧樹脂的種類而選擇公知的硬化劑。作為硬化劑，具體而言，可舉出複加成型硬化劑、觸媒型硬化劑及縮合型硬化劑等。
作為上述複加成型硬化劑，具體而言，可舉出二伸乙三胺（DETA）、三伸乙四胺（TETA）、間伸茬基二胺（MXDA）等脂肪族多胺；二胺基二苯甲烷（DDM）、間伸苯基二胺（MPDA）、二胺基二苯碸（DDS）等芳香族多胺；二氰二胺（DICY）、有機酸二醯肼等多胺化合物；六氫酞酸酐（HHPA）、甲基四氫酞酸酐（MTHPA）等脂環族酸酐；1,2,4-苯三甲酸酐（TMA）、1,2,4,5-苯四甲酸酐（PMDA）、二苯基酮四羧酸（BTDA）等芳香族酸酐等酸酐；酚醛清漆型酚樹脂、聚乙烯苯酚、芳烷基型酚樹脂等酚樹脂系硬化劑；多硫化物、硫酯、硫醚等多硫醇化合物；異氰酸酯預聚物、封端（block）化異氰酸酯等異氰酸酯化合物；含羧酸之聚酯樹脂等有機酸類等。作為複加成型硬化劑，能夠使用上述具體例中的1種，或組合2種以上來使用。
作為上述觸媒型硬化劑，具體而言，可舉出苄基二甲胺（BDMA）、2,4,6-三（二甲胺基甲基）苯酚（DMP-30）等三級胺化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑（EMI24）等咪唑化合物；BF3 錯合物等路易斯酸等。作為觸媒型硬化劑，能夠使用上述具體例中的1種，或組合2種以上來使用。
作為上述縮合型硬化劑，具體而言，可舉出可溶酚醛樹脂型酚樹脂；含羥甲基之脲樹脂等脲樹脂；含羥甲基之三聚氰胺樹脂等三聚氰胺樹脂等。作為縮合型硬化劑，能夠使用上述具體例中的1種，或組合2種以上來使用。
作為硬化劑，上述具體例中，包含酚樹脂系硬化劑為較佳。
作為酚樹脂系硬化劑，能夠使用所有在一分子內具有2個以上的酚性羥基之單體、低聚物、聚合物，且不限定其分子量、分子結構。
作為酚樹脂系硬化劑，具體而言，可舉出苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚酚醛清漆、苯酚‐聯苯酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；聚乙烯苯酚；三酚甲烷型酚樹脂等多官能型酚樹脂；萜烯改質酚樹脂、二環戊二烯改質酚樹脂等改質酚樹脂；含伸苯基骨架和/或聯伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂、含伸苯基和/或聯伸苯基骨架之萘酚芳烷基樹脂等苯酚芳烷基型酚樹脂；雙酚A、雙酚F等雙酚化合物等。作為酚樹脂系硬化劑，能夠使用上述具體例中的1種，或組合2種以上來使用。
作為酚樹脂系硬化劑，上述具體例中，包含含伸苯基骨架和/或聯伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂為較佳。藉此，在密封用樹脂組成物中，能夠使環氧樹脂良好地硬化。因此，能夠抑制由於硬化不充分而產生碳黑微粒粗大的凝聚物。
關於密封用樹脂組成物中的硬化劑的含量的下限值，相對於密封用樹脂組成物的固體成分100質量份，例如係0.5質量份以上為較佳，1質量份以上為更佳，1.5質量份以上為進一步較佳，2質量份以上為更加進一步較佳。
又，關於密封用樹脂組成物中的硬化劑的含量的上限值，例如，相對於密封用樹脂組成物的固體成分100質量份，係10質量份以下為較佳，8質量份以下為更佳，6質量份以下為進一步較佳，5質量份以下為更加進一步較佳。
藉由密封用樹脂組成物中的硬化劑的含量在上述數值範圍內，能夠使環氧樹脂良好地硬化。因此，能夠抑制由於硬化不充分而產生碳黑微粒粗大的凝聚物。
（無機填充材料）
本實施形態之密封用樹脂組成物含有無機填充材料。藉由該無機填充材料，能夠粉碎後述之碳黑。另外，本實施形態之密封用樹脂組成物例如除了含有用於粉碎之無機填充材料以外，還可以含有不用於粉碎之無機填充材料。
作為無機填充材料，並無限定，具體而言可舉出無機氧化物、無機氮化物、無機碳化物及無機氫氧化物等。
作為無機氧化物，具體而言可舉出二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、滑石、黏土、雲母、玻璃纖維（石英玻璃）等。另外，作為二氧化矽，具體而言，能夠使用熔融破碎二氧化矽、熔融球狀二氧化矽、結晶性二氧化矽、2次凝聚二氧化矽、微粉二氧化矽等。
又，作為無機氮化物，具體而言，可舉出氮化矽、氮化鋁、氮化硼等。
又，作為無機碳化物，具體而言，可舉出碳化矽、碳化鋯、碳化鈦、碳化硼、碳化鉭等。
又，作為無機氫氧化物，具體而言，可舉出氫氧化鋁、氫氧化鎂等。
作為無機填充材料，上述具體例中，例如，使用無機氧化物或無機氫氧化物為較佳，使用選自由二氧化矽、氧化鋁及氫氧化鋁組成的群中之1種以上為更佳。藉此，藉由噴射磨機粉碎無機填充材料和碳黑的混合物，而使碳黑與無機填充材料較佳地碰撞，能夠微細地粉碎碳黑。因此，能夠將最大粒徑設在所期望的數值範圍內。
作為本實施形態之無機填充材料的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 的下限值，例如係0.1μm以上為較佳，0.5μm以上為更佳，1.0μm以上為進一步較佳。藉此，藉由在粉碎步驟中，無機填充材料與碳黑碰撞，能夠粉碎碳黑，能夠獲得較佳的最大粒徑的碳黑。
又，作為本實施形態之無機填充材料的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 的上限值，例如係100μm以下為較佳，75μm以下為更佳，50μm以下為進一步較佳。藉此，在粉碎步驟中，能夠提高無機填充材料與碳黑碰撞之頻率。因此，能夠較佳地粉碎碳黑。
作為本實施形態之無機填充材料的比表面積的下限值，例如係0.1m2 /g以上為較佳，0.5m2 /g以上為更佳，1.0m2 /g以上為進一步較佳。藉此，能夠增加粉碎步驟中的無機填充材料與碳黑接觸之頻率，並能夠較佳地粉碎碳黑。
又，作為本實施形態之無機填充材料的比表面積的上限值，例如，可以設為10m2 /g以下，亦可以設為8m2 /g以下。
作為本實施形態之無機填充材料的莫氏硬度的下限值，例如係2以上為較佳，3以上為更佳。藉此，在粉碎步驟中無機填充材料與碳黑碰撞時，能夠較佳地粉碎碳黑。另外，碳黑的莫氏硬度例如係0.5以上1以下。
又，作為本實施形態之無機填充材料的莫氏硬度的上限值，例如係10以下，亦可以係9以下。
（碳黑微粒）
作為用作本實施形態之碳黑微粒之碳黑，並無特別限定，具體而言，能夠使用爐黑、槽黑、熱碳黑、乙炔黑、科琴碳黑（Ketjen black）、燈黑等碳黑。
作為本實施形態樹脂組成物中使用之碳黑微粒的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 （亦即，二次粒徑）的上限值，例如係25μm以下為較佳，20μm以下為更佳，15μm以下為進一步較佳，10μm以下為更加進一步較佳，7μm以下為更加進一步較佳。藉此，即使將本實施形態之碳黑微粒用作密封用樹脂組成物，亦能夠抑制半導體裝置短路。
又，本實施形態之碳黑微粒的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 的下限值，例如，可以係0.01μm以上，亦可以係0.1μm以上。為了提高電可靠性，碳黑微粒的平均粒徑小者為較佳，但是藉由為上述下限值以上，能夠提高碳黑微粒的處理性。
作為密封用樹脂組成物中的碳黑微粒的含量的下限值，相對於密封用樹脂組成物的固體成分100質量份，例如係0.10質量份以上為較佳，0.20質量份以上為更佳，0.25質量份以上為進一步較佳。藉此，就能夠抑制形成碳凝聚物，且在密封用樹脂組成物的硬化物上標記商品名稱、批號等資訊時，能夠更加清晰地印刷之觀點而言，本實施形態之半導體裝置為較佳。又，就防止光的透射並能夠抑制半導體元件因光引起之故障之觀點而言，亦為較佳。
又，作為密封用樹脂組成物中的碳黑微粒的含量的上限值，相對於密封用樹脂組成物的固體成分100質量份，例如係2.0質量份以下為較佳，1.5質量份以下為更佳，1.0質量份以下為進一步較佳，0.5質量份以下為更加進一步較佳。與以往的著色劑相比，本實施形態之碳黑微粒微細。因此，就即使在含量少至上述下限值以下之情形下，亦能夠維持著色能力之觀點而言，為較佳。又，就藉由為上述下限值以下，能夠提高半導體裝置的電可靠性之觀點而言，亦為較佳。
如上所述，為了將本實施形態之密封用樹脂組成物中的碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑設在所期望的數值範圍內，對粉碎碳黑之方法進行鑽研是重要的。因此，以下，對碳黑微粒之製造方法進行說明。
（碳黑微粒之製造方法）
本實施形態之碳黑微粒之製造方法包括：混合步驟，製作將碳黑和無機填充材料進行混合而得之混合物；及粉碎步驟，藉由噴射磨機粉碎該混合物來粉碎碳黑。
又，本實施形態之碳黑微粒之製造方法例如在混合步驟之前還可以包括單獨噴射磨機粉碎碳黑之預粉碎步驟。
以下，對各步驟的詳細內容進行說明。
（混合步驟）
混合步驟中，製作將碳黑和上述之無機填充材料進行混合而得之混合物。
作為混合之方法，只要可將碳黑和無機填充材料均勻地混合，則並無限定。作為混合之方法，具體而言，能夠使用混合器等。
混合物中的碳黑的凝聚體的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 的下限值，例如係6μm以上為較佳，10μm以上為更佳。依本實施形態之碳黑微粒之製造方法，係粒徑D50 為上述下限值以上的碳黑，從而就即使是利用以往的方法無法粉碎者，亦能夠微粉化之觀點而言，為較佳。
又，混合物中的碳黑的凝聚體的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 的上限值，例如，可以係500μm以下，亦可以係300μm以下。藉此，能夠使混合物中的碳黑和無機填充材料的分散均勻。因此，在粉碎步驟中，能夠均勻地粉碎碳黑，並能夠將碳凝聚體的最大粒徑設在所期望的數值範圍內。
當將混合物中的碳黑的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 設為A，且將混合物中的無機填充材料的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 設為B時，作為A/B的下限值，例如係0.1以上為較佳，0.2以上為更佳，0.3以上為進一步較佳。藉此，粉碎步驟中，無機填充材料能夠與粗大的碳黑較佳地碰撞，並能夠獲得更小粒徑的微細碳黑。
又，作為A/B的上限值，例如係200以下為較佳，175以下為更佳，150以下為進一步較佳。藉此，在粉碎步驟中，藉由無機填充材料與粗大的碳黑碰撞，能夠對碳黑施加適當的衝擊並進行粉碎。因此，能夠獲得更小粒徑的碳黑微粒。
關於混合物中的無機填充材料的含量的下限值，相對於混合物中的碳黑100質量份，例如係5質量份以上為較佳，8質量份以上為更佳，10質量份以上為進一步較佳。
又，關於混合物中的無機填充材料的含量的上限值，相對於混合物中的碳黑100質量份，例如係2000質量份以下為較佳，1300質量份以下為更佳，1000質量份以下為進一步較佳。
藉由無機填充材料的含量在上述數值範圍內，無機填充材料能夠與碳黑較佳地碰撞，並粉碎碳黑。
（粉碎步驟）
粉碎步驟中，藉由噴射磨機粉碎混合物來粉碎碳黑。藉此，能夠獲得碳黑微粒。
作為噴射磨機粉碎的方法，能夠使用以往公知的方法。作為噴射磨機粉碎的方法，具體而言，可舉出壁碰撞式噴射磨機、粉體碰撞式噴射磨機等氣流式噴射磨機。作為噴射磨機粉碎的方法，上述具體例中，例如，使用氣流式噴射磨機為較佳。藉此，能夠使無機填充材料與碳黑較佳地碰撞。因此，能夠微細地粉碎粗大的碳黑。
另外，進行噴射磨機粉碎之裝置例如可以具備用於向噴射磨機供給一定量的混合物之定量供給機、袋濾器等過濾裝置等隨附於噴射磨機之裝置。
例如，藉由適當地調節從定量供給機供給至噴射磨機的混合物的供給量及供給至噴射磨機之氣體壓力，能夠進一步微細地粉碎粗大的碳黑。
（預粉碎步驟）
本實施形態之碳黑微粒之製造方法例如在混合步驟之前還可以包含單獨噴射磨機粉碎碳黑之預粉碎步驟。
預先藉由預粉碎步驟噴射磨機粉碎碳黑，藉此能夠使混合物中的碳黑及無機填充材料進一步均勻地分散。藉此，藉由噴射磨機粉碎，能夠微細地粉碎粗大的碳黑。
另外，作為預粉碎步驟中的噴射磨機粉碎的方法，並無限定，例如，能夠使用與上述之粉碎步驟相同的方法。
（其他成分）
依需要，能夠在密封用樹脂組成物中適當地摻合偶合劑、流動性賦予劑、脫模劑、離子捕捉劑、硬化促進劑、低應力劑、著色劑及阻燃劑等各種添加劑中的1種或2種以上。
以下，對代表性成分進行說明。
（偶合劑）
作為偶合劑，具體而言可舉出乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等乙烯基矽烷；2-（3,4-環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷等環氧矽烷；對苯乙烯基三甲氧基矽烷等苯乙烯基矽烷；3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等甲基丙烯醯基矽烷；3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等丙烯醯基矽烷；N-2-（胺乙基）-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-（胺乙基）-3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-（1,3-二甲基-亞丁基）丙胺、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、苯基胺丙基三甲氧基矽烷等胺基矽烷；三聚異氰酸酯矽烷；烷基矽烷；3-脲基丙基三烷氧基矽烷等脲基矽烷；3-巰丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷等巰基矽烷；3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等異氰酸酯矽烷；鈦系化合物；鋁螯合物類；鋁/鋯系化合物等。作為偶合劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（流動性賦予劑）
流動性賦予劑能夠抑制含磷原子之硬化促進劑等不具有潛伏性之硬化促進劑在樹脂組成物熔融混煉時進行反應。藉此，能夠提高密封用樹脂組成物的生產性。
作為流動性賦予劑，具體而言，可舉出兒茶酚、五倍子酚、沒食子酸、沒食子酸酯、1,2-二羥基萘、2,3-二羥基萘及該等的衍生物等在構成芳香環之2個以上的相鄰之碳原子上分別鍵結有羥基之化合物等。
（脫模劑）
作為脫模劑，具體而言，可舉出棕櫚蠟等天然蠟；十八酸酯蠟、氧化聚乙烯蠟等合成蠟；硬脂酸鋅等高級脂肪酸及其金屬鹽；石蠟；芥子酸醯胺等羧酸醯胺等。作為脫模劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（離子捕捉劑）
關於上述離子捕捉劑，具體而言，可舉出水滑石、水滑石狀物質等水滑石類；選自鎂、鋁、鉍、鈦、鋯中之元素的含氫氧化物等。作為離子捕捉劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（硬化促進劑）
作為硬化促進劑，具體而言，可舉出鎓鹽化合物、有機膦、四取代鏻化合物、磷酸酯甜菜鹼（phosphobetaine）化合物、膦化合物與醌化合物的加成物、鏻化合物與矽烷化合物的加成物等含磷原子之化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑（EMI24）、2-苯基-4-甲基咪唑（2P4MZ）、2-苯基咪唑（2PZ）、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑（2P4MHZ）、1-苄基-2-苯基咪唑（1B2PZ）等咪唑化合物；可例示1,8-二吖雙環[5.4.0]十一烯-7、苄基二甲胺等之脒或三級胺；上述脒或上述三級胺的四級銨鹽等含氮原子之化合物等。作為硬化促進劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（低應力劑）
作為低應力劑，具體而言，能夠舉出聚矽氧油、聚矽氧橡膠等聚矽氧化合物；聚丁二烯化合物；丙烯腈-羧基末端丁二烯共聚化合物等丙烯腈-丁二烯共聚化合物等。作為低應力劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（著色劑）
作為著色劑，具體而言，能夠舉出碳黑、赤鐵氧化物、氧化鈦等。作為著色劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（阻燃劑）
作為阻燃劑，具體而言，能夠舉出氫氧化鋁、氫氧化鎂、硼酸鋅、鉬酸鋅、磷腈、碳黑等。作為阻燃劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（密封用樹脂組成物之製造方法）
接著，對本實施形態之密封用樹脂組成物之製造方法進行說明。
本實施形態之密封用樹脂組成物之製造方法例如包括：混合步驟（S1），將上述之原料成分進行混合而製作混合物；及成形步驟（S2），將混合物進行成形。
（混合步驟（S1））
混合步驟為將原料成分進行混合而製作混合物之步驟。關於混合之方法，並無限定，能夠依據所使用之成分，使用公知的方法。
作為混合步驟，具體而言，使用混合器等將上述之密封用樹脂組成物所含有之原料成分均勻地混合。接著，藉由輥、捏合機或擠出機等混煉機進行熔融混煉，而製作混合物。
（成形步驟（S2））
在上述之混合步驟（S1）之後，進行將混合物進行成形之成形步驟（S2）。
作為成形之方法，並無限定，能夠依據密封用樹脂組成物的形狀，使用公知的方法。作為密封用樹脂組成物的形狀，並無限定，例如可舉出顆粒狀、粉末狀、錠狀、片狀等。密封用樹脂組成物的形狀能夠依據成形方法來選擇。
作為製作呈顆粒狀之密封用樹脂組成物之成形步驟，例如可舉出在熔融混煉之後，粉碎經冷卻之混合物之步驟。另外，例如，可以篩選呈顆粒狀之密封用樹脂組成物，以調節顆粒的大小。又，例如，可以藉由離心製粉法或熱切（hot cut）法等方法對呈顆粒狀之密封用樹脂組成物進行處理，以調節分散度或流動性等。
又，作為製作呈粉末狀之密封用樹脂組成物之成形步驟，例如可舉出粉碎混合物並製成顆粒狀密封用樹脂組成物之後，進一步粉碎該顆粒狀密封用樹脂組成物之步驟。
又，作為製作呈錠狀之密封用樹脂組成物之成形步驟，例如可舉出粉碎混合物並製成顆粒狀密封用樹脂組成物之後，將該顆粒狀密封用樹脂組成物進行壓錠成形之步驟。
又，作為製作呈片狀之密封用樹脂組成物之成形步驟，例如可舉出在熔融混煉之後，將混合物進行擠出成形或壓延成形之步驟。
（半導體裝置）
接著，對使用了本實施形態之密封用樹脂組成物之半導體裝置進行說明。
本實施形態之半導體裝置例如具備裝載於基板上之半導體元件及密封半導體元件之密封構件。進而，上述密封構件例如由藉由上述密封用樹脂組成物之製造方法獲得之密封用樹脂組成物的硬化物構成。
本實施形態之密封用樹脂組成物用於密封半導體元件之密封構件。關於形成密封構件之方法，並無限定，但是例如可舉出轉注成形法、壓縮成形法、注入成形等。藉由該等方法，將密封用樹脂組成物進行成形並使其硬化，藉此能夠形成密封構件。
作為半導體元件，並無限定，但是例如可舉出積體電路、大型積體電路、電晶體、閘流體、二極體、固體攝像元件。
作為基材，並無限定，但是例如可舉出中介層（interposer）等配線基板、引線框等。
在需要半導體元件與基材的電連接之情形下，可以適當地進行連接。關於電連接之方法，並無限定，但是例如可舉出打線、倒裝晶片連接等。
藉由形成藉由密封用樹脂組成物密封半導體元件之密封構件，可獲得半導體裝置。作為半導體裝置，並無限定，但是藉由模製半導體元件而獲得之半導體裝置為較佳。
作為半導體裝置的種類，具體而言，可舉出MAP（Mold Array Package：模具陣列封裝）、QFP（Quad Flat Package：四面扁平封裝）、SOP（Small Outline Package：小外形封裝）、CSP（Chip Size Package：晶片尺寸封裝）、QFN（Quad Flat Non-leaded Package：四側無引腳扁平封裝）、SON（Small Outline Non-leaded Package：小外形無引腳封裝）、BGA（Ball Grid Array：球柵陣列封裝）、LF-BGA（Lead Flame BGA：引線框球柵陣列封裝）、FCBGA（Flip Chip BGA：倒裝晶片球柵陣列封裝）、MAPBGA（Molded Array Process BGA：模具陣列製程球柵陣列封裝）、eWLB（Embedded Wafer-Level BGA：嵌入式晶片級球柵陣列封裝）、Fan-In（扇入）型eWLB、Fan-Out（扇出）型eWLB等種類。
以下，對使用了本實施形態之密封用樹脂組成物之半導體裝置的一例進行說明。
圖1係表示本實施形態之半導體裝置100之剖面圖。
本實施形態的半導體裝置100具備電子元件20、與電子元件20連接之接合線40及密封構件50，該密封樹脂層50由前述密封用樹脂組成物的硬化物構成。
更具體而言，電子元件20經由晶片黏著（die attach）材10而固定於基材30上，半導體裝置100具有經由接合線40而從設置於電子元件20上之未圖示之電極墊連接之外引線34。關於接合線40，能夠一邊考慮所使用之電子元件20等一邊進行設定，但是例如能夠使用Cu線。
以下，對使用了本實施形態之密封用樹脂組成物之半導體裝置之製造方法進行說明。
本實施形態之半導體裝置之製造方法例如具備：藉由上述之密封用樹脂組成物之製造方法獲得密封用樹脂組成物之製造步驟；將電子元件裝載於基板上之步驟；及使用前述密封用樹脂組成物來密封前述電子元件之步驟。
半導體裝置100例如藉由以下方法來形成。
首先，將電子元件裝載於基板上。具體而言，使用晶片黏著材10，將電子元件20固定於晶片墊32（基板30）上，藉由接合線40，連接作為引線框之晶片墊32（基材30）。藉此，形成被密封物。
藉由使用密封用樹脂組成物密封該被密封物並形成密封構件50來製造半導體裝置100。
密封有電子元件20之半導體裝置100，依需要，在80℃至200℃左右的溫度下，經10分鐘至10小時左右的時間，使密封用樹脂組成物硬化之後，裝載於電子機器等上。
以上，基於實施形態，對本發明進行了說明，但是本發明並不限定於上述實施形態，還能夠在不改變本發明的要旨之範圍內改變其構成。
［實施例］
以下，利用實施例對本發明進行詳細說明，但是本發明不受該等實施例記載的任何限定。
首先，對各實施例、各比較例的密封用樹脂組成物中使用之原料成分進行說明。
（環氧樹脂）
•環氧樹脂1：含聯伸苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂（Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造，NC-3000L）
•環氧樹脂2：雙酚A型環氧樹脂（Mitsubishi Chemical Corporation.製造，YL6810）
（硬化劑）
•硬化劑1：含聯伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂（Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造，GPH-65）
（碳黑）
•碳黑1：作為碳黑1，使用了Mitsubishi Chemical Corporation.製造的碳#5。碳黑1的一次粒徑為80nm。又，碳黑1的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 （亦即，二次粒徑）為200μm。
•碳黑2：作為碳黑2，使用了Tokai Carbon Co., Ltd.製造的ESR-2001。碳黑2的一次粒徑為60nm。又，碳黑3的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 （亦即，二次粒徑）為200μm。
（無機填充材料）
•無機填充材料1：球狀微粉二氧化矽（Admatechs Company Limited製造，SO-32R，體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 =1.5μm，比表面積為5.5m2 /g，莫氏硬度：7）
•無機填充材料2：熔融球狀二氧化矽（Micron, Inc.製造，TS-3100，體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 =2.5μm，比表面積為7.5m2 /g，莫氏硬度：7）
•無機填充材料3：熔融球狀二氧化矽（Denka Company Limited製造，FB-560，體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 =30μm，比表面積為1.3m2 /g，莫氏硬度：7）
•無機填充材料4：氧化鋁（Denka Company Limited製造，DAB-30FC，體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 =13μm，比表面積為1.4m2 /g，莫氏硬度：9）
•無機填充材料5：氫氧化鋁（Sumitomo Chemical Co., Ltd.製造，CL-303，體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 =5μm，比表面積為1.0m2 /g，莫氏硬度：3）
•無機填充材料6：熔融球狀二氧化矽（Denka Company Limited製造，FB-950，體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 =23μm，比表面積為1.5m2 /g）
（偶合劑）
•偶合劑1：3-巰丙基三甲氧基矽烷（CHISSO CORPORATION製造，S810）
（硬化促進劑）
•硬化促進劑1：合成由下述式（P1）表示之鏻化合物與矽烷化合物的加成物，以用作硬化促進劑1。以下，對合成方法進行詳細說明。
首先，向裝有甲醇1800g之燒瓶中，添加苯基三甲氧基矽烷249.5g、2,3-二羥基萘384.0g並進行溶解，接著，在室溫攪拌下滴加了28%甲醇鈉-甲醇溶液231.5g。接著，在室溫攪拌下向燒瓶中滴加將四苯基溴化鏻503.0g溶解於甲醇600g而得之溶液，析出了結晶。對所析出之結晶進行過濾、水洗、真空乾燥，獲得了鏻化合物與矽烷化合物的加成物的桃白色結晶亦即硬化促進劑1。
（脫模劑）
•脫模劑1：十八酸酯蠟（Clariant（Japan）K.K.製造，Licolub WE-4）
使用上述之原料成分，製作了實施例1～實施例10、比較例1的密封用樹脂組成物。以下，對詳細內容進行說明。
（實施例1）
首先，粉碎了實施例1之碳黑。對於碳黑的粉碎，使用下述表1所示之摻合量（質量份）的碳黑1和無機填充材料1來進行。
具體而言，首先，使用氣流式噴射磨機（供給量為10kg/小時，氣壓為0.45MPa），對碳黑1進行了第1噴射磨機粉碎。另外，經第1噴射磨機粉碎之碳黑1的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 （亦即，二次粒徑）為10μm。
接著，將經第1噴射磨機粉碎之碳黑1和無機填充材料1進行混合，以製作了混合物。
接著，使用氣流式噴射磨機（供給量為50kg/小時，氣壓為0.45MPa），對該混合物進行第2噴射磨機粉碎，以獲得了碳黑1的微粒。實施例1的碳黑1的微粒的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 （亦即，二次粒徑）為3μm。
接著，在常溫下，使用混合器，以下述表1所記載之摻合量，將碳黑1的微粒、用於粉碎之無機填充材料1及除了用於碳黑1的微粒的製作以外的原料成分進行混合，接著，在70℃以上100℃以下的溫度下進行了雙軸混煉。接著，冷卻至常溫之後，進行粉碎而獲得了實施例1的密封用樹脂組成物。
（實施例2～實施例4）
關於實施例2～實施例4的密封用樹脂組成物，如下述表1那樣變更各成分的摻合量，除此以外，以與實施例1的密封用樹脂組成物相同的方法進行了製作。
將實施例2～實施例4的碳黑微粒的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 （亦即，二次粒徑）分別示於下述表1中。另外，單位為μm。
（實施例5）
關於實施例5的密封用樹脂組成物，如下述表1那樣變更各成分的摻合量，進而，製作對碳黑1不進行第1噴射磨機粉碎，而僅進行第2噴射磨機粉碎而粉碎之碳黑1的微粒，除此以外，以與實施例1的密封用樹脂組成物相同的方法進行了製作。實施例5的碳黑微粒的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 （亦即，二次粒徑）為5μm。
（實施例6）
關於實施例6的密封用樹脂組成物，使用下述表1所示之摻合量的碳黑2和無機填充材料1進行碳黑的粉碎，進而，如下述表1那樣變更各成分的摻合量，除此以外，以與實施例5的密封用樹脂組成物相同的方法進行了製作。實施例6的碳黑微粒的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 （亦即，二次粒徑）為3μm。
（實施例7）
關於實施例7的密封用樹脂組成物，如下述表1那樣變更各成分的摻合量，並使用碳黑1和無機填充材料2製作了實施例7之粉碎之碳黑1，除此以外，以與實施例1的密封用樹脂組成物相同的方法進行了製作。
（實施例8）
關於實施例8的密封用樹脂組成物，如下述表1那樣變更各成分的摻合量，並使用碳黑1和無機填充材料3製作了實施例8之粉碎之碳黑，除此以外，以與實施例1的密封用樹脂組成物相同的方法進行了製作。
（實施例9）
關於實施例9的密封用樹脂組成物，如下述表1那樣變更各成分的摻合量，並使用碳黑1和無機填充材料4製作了實施例9之粉碎之碳黑，除此以外，以與實施例1的密封用樹脂組成物相同的方法進行了製作。
（實施例10）
關於實施例10的密封用樹脂組成物，如下述表1那樣變更各成分的摻合量，並使用碳黑1和無機填充材料5製作了實施例10之粉碎之碳黑，除此以外，以與實施例1的密封用樹脂組成物相同的方法進行了製作。
將實施例7～實施例10的碳黑微粒的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 （亦即，二次粒徑）分別示於下述表1中。另外，單位為μm。
（比較例1）
在常溫下，使用混合器，將下述表1所記載之摻合量的各成分進行混合，接著，在70℃以上100℃以下的溫度下進行了雙軸混煉。接著，冷卻至常溫之後，進行粉碎而獲得了比較例1的密封用樹脂組成物。
＜評價＞
對於實施例1～實施例10、比較例1的密封用樹脂組成物，進行了以下評價。
（碳凝聚物的最大粒徑）
關於實施例1～實施例10、比較例1之密封用樹脂組成物的硬化物，對其中所含之粒徑超過25μm之碳黑微粒的凝聚物（碳黑凝聚物）的個數、及碳黑凝聚物的最大粒徑進行了評價。
首先，使用低壓轉注成形機，在模具溫度為175℃、注入壓力為10MPa、硬化時間為120秒的條件下，將實施例1～實施例10、比較例1的密封用樹脂組成物注入成形成直徑為100mm、厚度為2mm，獲得了硬化物。藉由螢光顯微鏡觀察該硬化物的表面，並計數了大於25μm之碳黑凝聚物的個數。另外，大於25μm之碳黑凝聚物表示連結某一個碳黑凝聚物中的任意2個點時的最大長度大於25μm。下述表1中將評價結果表示為“碳黑凝聚物（粒徑超過25μm）的個數”。單位為“個”。進而，藉由螢光顯微鏡觀察上述硬化物的表面，並測量了碳黑凝聚物的最大粒徑。將結果示於表1中。單位為μm。另外，碳黑凝聚物的最大粒徑係指碳凝聚物的粒徑的最大值。對於碳黑凝聚物的粒徑，藉由將連結某一碳凝聚物中的任意2個點時的最大長度設為粒徑來進行了測量。
（高溫洩漏特性）
使用實施例1～實施例10、比較例1的密封用樹脂組成物製作半導體裝置，並評價了高溫洩漏特性來作為半導體裝置的電可靠性。以下示出詳細內容。
首先，對於實施例1～實施例10、比較例1的密封用樹脂組成物，使用低壓轉注成形機（TOWA CORPORATION製造，Y系列），在模具溫度為175℃、注入壓力為6.9MPa、保壓時間為90秒的條件下，將樹脂組成物注入成形並密封成形352針BGA，並在175℃的條件下在4小時之後進行了硬化。接著，關於100個352針BGA，使用ADVANTEST CORPORATION製造的微電流測量儀8240A，測量了175℃的條件下的洩漏電流，作為高溫洩漏特性的評價。評價基準如下。
○：對於100個352針BGA，均未檢測到洩漏電流。
×：對於1個以上的352針BGA，檢測到洩漏電流。
[表1]
如表1所示，確認到與比較例1的密封用樹脂組成物相比，將實施例1～實施例10的密封用樹脂組成物製成半導體裝置時的電可靠性優異。
本申請主張基於2018年2月6日申請之日本專利申請2018-018871號及2018年2月6日申請之日本專利申請2018-018872號之優先權，並將該揭示的全部內容援用於此。
10‧‧‧晶片黏著材
20‧‧‧電子元件
30‧‧‧基材（基板）
32‧‧‧晶片墊
34‧‧‧外引線
40‧‧‧接合線
50‧‧‧密封構件（密封樹脂層）
100‧‧‧半導體裝置
關於上述之目的及其他目的、特徵及優點，藉由以下敘述之較佳的實施形態及隨附於此的以下圖式而變得更加明確。
圖1係本實施形態之半導體裝置的剖面圖的一例。

Claims (13)

  1. 一種半導體密封用樹脂組成物，其含有： 環氧樹脂、 硬化劑、 無機填充材料及 碳黑微粒， 在模具溫度為175℃、注入壓力為10MPa、硬化時間為120秒的條件下，將該半導體密封用樹脂組成物注入成形成長度為80mm、寬度為10mm、厚度為4mm，接著，在175℃的條件下加熱處理4小時而獲得硬化物，並藉由螢光顯微鏡觀察該硬化物的表面時，該碳黑微粒的凝聚物的最大粒徑為50μm以下。
  2. 如請求項1所述之半導體密封用樹脂組成物，其中， 該碳黑微粒的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 為0.01μm以上25μm以下。
  3. 如請求項1所述之半導體密封用樹脂組成物，其中， 相對於該半導體密封用樹脂組成物的固體成分100質量份，該半導體密封用樹脂組成物中的碳黑微粒的含量為0.10質量份以上2.0質量份以下。
  4. 一種半導體裝置，其具備： 裝載於基板上之半導體元件及 密封該半導體元件之密封構件， 該密封構件由請求項1至3中任一項所述之半導體密封用樹脂組成物的硬化物構成。
  5. 如請求項4所述之半導體裝置，其中， 該半導體元件經由接合線而與該基板連接， 該密封構件密封該接合線。
  6. 一種半導體密封用樹脂組成物之製造方法，其包括： 將碳黑和無機填充材料進行混合而獲得混合物，並藉由噴射磨機粉碎該混合物來粉碎該碳黑而獲得碳黑微粒之步驟；及 將環氧樹脂、硬化劑、無機填充材料及該碳黑微粒進行混合而獲得半導體密封用樹脂組成物之步驟。
  7. 如請求項6所述之半導體密封用樹脂組成物之製造方法，其中， 相對於該碳黑100質量份，該混合物中的該無機填充材料的含量為5質量份以上2000質量份以下。
  8. 如請求項6所述之半導體密封用樹脂組成物之製造方法，其中， 該混合物中的該碳黑的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 為6μm以上500μm以下。
  9. 如請求項8所述之半導體密封用樹脂組成物之製造方法，其中， 當將該D50 設為A，且將該混合物中的該無機填充材料的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 設為B時，A/B為0.1以上200以下。
  10. 如請求項6所述之半導體密封用樹脂組成物之製造方法，其中， 該混合物中的該無機填充材料為選自由無機氧化物、無機氮化物、無機碳化物及無機氫氧化物組成的群中之1種以上。
  11. 如請求項6所述之半導體密封用樹脂組成物之製造方法，其中， 該混合物中的該無機填充材料的莫氏硬度為2以上10以下。
  12. 如請求項6所述之半導體密封用樹脂組成物之製造方法，其中， 該混合物中的該無機填充材料為選自由二氧化矽、氧化鋁及氫氧化鋁組成的群中之1種以上。
  13. 如請求項6所述之半導體密封用樹脂組成物之製造方法，其中， 該碳黑微粒的凝聚物的體積基準粒度分佈的累積頻率成為50%之粒徑D50 為0.01μm以上25μm以下。
TW108103782A 2018-02-06 2019-01-31 半導體密封用樹脂組成物、半導體裝置、及半導體密封用樹脂組成物之製造方法 TWI793258B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP2018-018872 2018-02-06
JP2018018872 2018-02-06
JPJP2018-018871 2018-02-06
JP2018018871 2018-02-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201938388A true TW201938388A (zh) 2019-10-01
TWI793258B TWI793258B (zh) 2023-02-21

Family

ID=67549570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108103782A TWI793258B (zh) 2018-02-06 2019-01-31 半導體密封用樹脂組成物、半導體裝置、及半導體密封用樹脂組成物之製造方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US11015017B2 (zh)
EP (1) EP3751601A4 (zh)
JP (1) JP6590133B1 (zh)
KR (1) KR102171971B1 (zh)
CN (1) CN111684588B (zh)
MY (1) MY183266A (zh)
SG (1) SG11202007089YA (zh)
TW (1) TWI793258B (zh)
WO (1) WO2019155950A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112409757B (zh) * 2020-10-21 2023-05-30 江苏中科科化新材料股份有限公司 一种高功率模块封装用高导热环氧塑封料及其制备方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5521026A (en) * 1994-03-01 1996-05-28 Hydro-Quebec Process for preparing solutions of a positive electrode for polymer electrolyte battery by pre-dispersion of solid powders
JP2000007894A (ja) * 1998-06-24 2000-01-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000169676A (ja) 1998-12-03 2000-06-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置
US20040126665A1 (en) * 2002-12-26 2004-07-01 Luying Sun Gel polymer electrolyte battery and method of producing the same
JP2005002273A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体封止材用カーボンブラック
JP2005041967A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 組成物配合用カーボンブラックの製造方法及び熱硬化性樹脂組成物
JP2005120277A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物の製造方法及びそれに用いる着色剤の微細化方法
JP4156488B2 (ja) * 2003-10-17 2008-09-24 住友ベークライト株式会社 粉体混合装置、半導体封止用樹脂組成物の製造装置及び半導体封止用樹脂組成物の製造方法
JP2006052279A (ja) 2004-08-11 2006-02-23 Tokai Carbon Co Ltd 半導体封止材用カーボンブラック着色剤およびその製造方法
JP4483655B2 (ja) * 2005-03-30 2010-06-16 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR101274906B1 (ko) 2005-05-16 2013-06-13 캐보트 코포레이션 카본블랙의 블렌드 및 이것을 함유하는 제품
JP4618056B2 (ja) * 2005-08-31 2011-01-26 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法
JP2009275110A (ja) 2008-05-14 2009-11-26 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP5392632B2 (ja) * 2009-07-17 2014-01-22 東海カーボン株式会社 表面処理カーボンブラック粉末分散体の製造方法および表面処理カーボンブラック粉末の製造方法
JP2013001861A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Kyocera Chemical Corp 半導体封止用樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置
EP2734583B1 (en) * 2011-07-22 2020-03-18 Cabot Corporation High resistivity coating compositions having unique percolation behavior, and electrostatic image developing systems and components thereof incorporating same
KR101882556B1 (ko) 2012-03-16 2018-07-26 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 밀봉용 수지 조성물 및 이것을 사용한 전자 장치
CN104497544B (zh) * 2014-12-08 2016-04-27 国家电网公司 一种电力电容器壳体
JP6733261B2 (ja) * 2016-03-30 2020-07-29 Jnc株式会社 組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜付き部材、電子・電気部品、および部材の製造方法
JP6547702B2 (ja) 2016-07-26 2019-07-24 信越半導体株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の評価方法
JP2018018871A (ja) 2016-07-26 2018-02-01 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019155950A1 (ja) 2019-08-15
KR20200108089A (ko) 2020-09-16
TWI793258B (zh) 2023-02-21
SG11202007089YA (en) 2020-08-28
CN111684588A (zh) 2020-09-18
EP3751601A1 (en) 2020-12-16
KR102171971B1 (ko) 2020-10-30
EP3751601A4 (en) 2021-12-01
JP6590133B1 (ja) 2019-10-16
JPWO2019155950A1 (ja) 2020-02-27
US20210002414A1 (en) 2021-01-07
US11015017B2 (en) 2021-05-25
MY183266A (en) 2021-02-18
CN111684588B (zh) 2021-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6551499B2 (ja) コンプレッション成形用半導体封止樹脂材料及び半導体装置
JP2008163138A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2022116077A (ja) Ｌｄｓ用熱硬化性樹脂組成物および半導体装置の製造方法
JP5363704B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂及びその用途
JP2019210447A (ja) 封止用樹脂組成物、これを用いる電子装置及び封止用樹脂組成物の製造方法
JP6315368B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP6950299B2 (ja) 封止材用樹脂組成物及びこれを用いた電子装置
JP7343096B2 (ja) 封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
TWI793258B (zh) 半導體密封用樹脂組成物、半導體裝置、及半導體密封用樹脂組成物之製造方法
TWI778200B (zh) 電子裝置的製造方法
JP7139598B2 (ja) 封止用樹脂組成物の製造方法及び電子装置の製造方法
JP2021113267A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、電子装置、熱伝導性材料の製造方法、熱硬化性樹脂組成物の製造方法
JP2018024770A (ja) 封止用樹脂組成物、および半導体装置
JP6044096B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物および電子機器の製造方法
JP2021187868A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、及び電子装置
JP2014009233A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2017088828A (ja) 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および構造体
JP7427990B2 (ja) 樹脂組成物、及び構造体
JP7501117B2 (ja) 難燃性樹脂組成物、及び構造体
JP7434972B2 (ja) 潜在性架橋剤、樹脂組成物、及び構造体
JP2017101254A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2024073100A (ja) 半導体封止用の樹脂組成物およびその製造方法
JP2021113269A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、電子装置、及び熱硬化性樹脂組成物の製造方法
JP2017130546A (ja) コンプレッション成形用半導体封止樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法
JP2022138253A (ja) 難燃性樹脂組成物、および構造体