TWI778200B - 電子裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的電子裝置的製造方法包括：準備在表面上具備銅電路之構件之步驟；藉由在上述表面上塗佈前助焊劑 (pre-flux agent)而在上述銅電路形成OSP膜之塗佈步驟；及將上述銅電路藉由密封用樹脂組成物進行密封之密封步驟，上述密封步驟不進行去除在該塗佈步驟中形成之該OSP膜之洗淨步驟而實施，上述密封用樹脂組成物包含環氧樹脂、硬化劑、密接助劑，上述前助焊劑包含咪唑化合物。

Description

電子裝置的製造方法
本發明有關一種電子裝置的製造方法。
在使用於電子裝置的製造之模具底部填充用密封材料中，以提高流動性為目的而開發了各種技術。作為該種技術，可舉出例如在專利文獻1中記載的技術。依據專利文獻1，記載有以下內容：在將使用N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷進行了表面處理之填充劑與樹脂材料進行混合時，能夠在廣泛的剪切速率範圍內實現低黏度。又，依專利文獻1，記載有以下內容：以使用N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷進行了表面處理之填充劑來製作樹脂組成物時，填充劑的凝聚性降低。
專利文獻1：日本特開2015-140389號公報
關於配置於印刷配線基板等基板之銅電路，例如在其生產步驟中為抑制銅電路的氧化而塗佈前助焊劑 (pre-flux agent)。藉此，在銅電路的表面上形成有避免銅電路的氧化之膜（Organic Solderability Preservative膜：OSP膜，有機保焊膜）。
在以往的電子裝置的製造方法中，藉由密封用樹脂組成物將銅電路進行密封時，事先洗淨並去除OSP膜。然而，去除OSP膜之步驟會導致電子裝置的生產性的下降。 本發明人為了提高電子裝置的生產性，正在探討著使用在專利文獻1中記載之密封材料，不藉由洗淨來去除OSP膜而製造電子裝置。然而，已確知當使用以往的密封材料時，會導致密封材料的硬化物與銅電路的密接性下降。
本發明的課題在於，提供一種以不進行去除OSP膜之洗淨步驟為前提，提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性之電子裝置的製造方法。
本發明人為了以不進行去除OSP膜之洗淨步驟為前提，提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性，對密封用樹脂組成物的原料成分進行了探討。其結果，發現當密封用樹脂組成物含有特定的密接助劑時，在導入密封用樹脂組成物時OSP膜被破壞，即使不進行洗淨步驟，密封用樹脂組成物與銅電路的密接性亦會提高。 依據以上內容，本發明人發現藉由採用特定的密接助劑，密封用樹脂組成物與銅電路的密接得到提高，並完成了本發明。
依本發明，提供一種電子裝置的製造方法，其包括： 準備在表面上具備銅電路之構件之步驟； 藉由在前述表面上塗佈前助焊劑而在前述銅電路形成OSP膜之塗佈步驟；及 將前述銅電路藉由密封用樹脂組成物進行密封之密封步驟， 前述密封步驟不進行去除在前述塗佈步驟中形成之前述OSP膜之洗淨步驟而實施， 前述密封用樹脂組成物包含環氧樹脂、硬化劑、密接助劑， 前述前助焊劑包含咪唑化合物。
依本發明，能夠提供一種即使已將形成有OSP膜之銅電路密封時，密封用樹脂組成物與銅電路的密接性亦提高之電子裝置的製造方法。
以下，對本發明的實施形態進行說明。
本實施形態之電子裝置的製造方法係藉由將在表面上具備銅電路之構件以密封用樹脂組成物進行密封來製造電子裝置之方法，前述電子裝置的製造方法包括：準備在表面上具備銅電路之構件之步驟；藉由在上述表面上塗佈前助焊劑而在上述銅電路上形成OSP膜之塗佈步驟；及將上述銅電路藉由密封用樹脂組成物進行密封之密封步驟，前述密封步驟不進行去除在前述塗佈步驟中形成之前述OSP膜之洗淨步驟而實施，上述密封用樹脂組成物包含環氧樹脂、硬化劑、密接助劑，上述前助焊劑包含咪唑化合物。
關於配置於印刷配線基板等基板之銅電路，例如在其生產步驟中被塗佈用於抑制銅電路的氧化之前助焊劑。藉此，在銅電路的表面上形成避免銅電路的氧化之OSP膜。
在以往的電子裝置的製造方法中，藉由密封用樹脂組成物將銅電路進行密封時，用於抑制銅電路的氧化之OSP膜未藉由洗淨步驟被去除。藉此，若使用以往的密封用樹脂組成物不去除OSP膜而進行銅電路的密封並製造電子裝置，則OSP膜殘留。該殘留OSP膜有時會使銅電路與密封用樹脂組成物之間的密接性下降。 又，當進行去除OSP膜之洗淨步驟時，會導致電子裝置的生產性降低。
因此，本發明人以不進行去除OSP膜之洗淨步驟為前提，為了提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性，對密封用樹脂組成物的原料成分進行了探討。其結果，發現當密封用樹脂組成物含有特定的密接助劑時，在導入密封用樹脂組成物時OSP膜被破壞，即使不進行洗淨步驟，密封用樹脂組成物與銅電路的密接性亦會提高。 詳細的機制尚不確定，但其理由推測如下。 首先，將包含咪唑化合物之前助焊劑塗佈到銅電路，藉此藉由咪唑化合物與含有銅電路之銅原子的交互作用來形成錯合物。OSP膜具有由該錯合物構成之錯合物層。而且，當密封用樹脂組成物含有後述之特定的密接助劑時，在密封用樹脂組成物將銅電路進行密封時，能夠破壞由錯合物層中的咪唑化合物和銅原子形成之錯合物。藉此，當使用包含特定的密接助劑之密封用樹脂組成物來將銅電路進行密封時，能夠一面破壞OSP膜，一面進行密封。進而，推測為藉由密接助劑所具備之孤電子對以及銅電路的銅原子的交互作用，密接助劑與銅電路的銅原子形成錯合物。藉此，包含特定的密接助劑之密封用樹脂組成物的硬化物與以往的密封用樹脂組成物相比，能夠提高針對銅電路之密接性。 依據以上內容，推測為本實施形態之電子裝置的製造方法中，即使不進行去除OSP膜之洗淨步驟，亦能夠提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性。
另外，OSP膜除了上述錯合物層以外，進而包含例如由不形成錯合物之咪唑化合物形成之咪唑層。在此，咪唑層藉由咪唑化合物的分子間力形成，與藉由錯合物的離子鍵結形成之錯合物層相比，分子間的交互作用弱。藉此，本實施形態之電子裝置的製造方法會破壞由錯合物構成之錯合物層，並且可破壞咪唑層。因此，依本實施形態之電子裝置的製造方法，即使在不進行去除OSP膜之洗淨步驟時，亦能夠提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性。
首先，對在本實施形態之電子裝置的製造方法中使用之密封用樹脂組成物的原料成分進行說明。 密封用樹脂組成物包含環氧樹脂、硬化劑、密接助劑。
（環氧樹脂） 本實施形態之密封用樹脂組成物包含環氧樹脂。作為環氧樹脂沒有限定，與其分子量、分子結構無關地，能夠使用所有在1個分子內具有2個以上的環氧基之單體、低聚物、聚合物。 作為環氧樹脂的具體例，可舉出：例如聯苯型環氧樹脂；雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、四甲基雙酚F型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；茋型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；例示為三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三酚甲烷型環氧樹脂等之三苯型環氧樹脂等多官能環氧樹脂；具有伸苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂、具有伸苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂、具有聯伸苯基骨架之苯酚芳烷基型環氧樹脂（聯苯芳烷基型環氧樹脂）、具有聯伸苯基骨架之萘酚芳烷基型環氧樹脂等苯酚芳烷基型環氧樹脂；二羥基萘型環氧樹脂、將二羥基萘的2聚體進行環氧丙基醚化而獲得之環氧樹脂等萘酚型環氧樹脂；三聚異氰酸三環氧丙酯、單烯丙基三聚異氰酸二環氧丙酯等含有三𠯤核之環氧樹脂；二環戊二烯改質酚醛型環氧樹脂等交聯環狀碳氫化合物改質酚醛型環氧樹脂。作為環氧樹脂，在該等之中，可以單獨使用1種，亦可以併用不同的2種以上。
（硬化劑） 本實施形態之密封用樹脂組成物包含硬化劑。作為密封用樹脂組成物中所含之硬化劑，具體而言，有複加成型硬化劑、觸媒型硬化劑以及聚加成型硬化劑等3種。
作為上述硬化劑使用之複加成型硬化劑，具體而言，除了二伸乙三胺（DETA）、三伸乙四胺（TETA）、間二甲苯二胺（MXDA）等脂肪族多胺、二胺基二苯甲烷（DDM）、間伸苯基二胺（MPDA）、二胺基二苯碸（DDS）等芳香族多胺以外，還可以舉出包含二氰二胺（DICY）、有機酸二酼肼等之多胺化合物；包含六氫酞酸酐（HHPA）、甲基四氫酞酸酐（MTHPA）等脂環族酸酐、1,2,4-苯三甲酸酐（TMA）、焦蜜石酸二酐（PMDA）、二苯甲酮四羧酸（BTDA）等芳香族酸酐等之酸酐；酚醛清漆型酚樹脂、聚乙烯苯酚、芳烷基型酚樹脂等酚樹脂系硬化劑；多硫化物、硫酯、硫醚等多硫醇化合物；異氰酸酯預聚合物、嵌段化異氰酸酯等異氰酸酯化合物；含有羧酸之聚酯樹脂等。作為複加成型硬化劑，能夠包含選自上述具體例中之1種或2種以上。
作為上述硬化劑使用之觸媒型硬化劑，具體而言，可舉出：苄基二甲胺（BDMA）、2,4,6-三(二甲胺)甲基苯酚（DMP-30）等三級胺化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑（EMI24）等咪唑化合物；BF3 錯合物等路易斯酸等。作為觸媒型硬化劑，能夠包含選自上述具體例中之1種或2種以上。
作為上述硬化劑使用之聚加成型硬化劑，具體而言，可舉出：可溶酚醛樹脂型酚樹脂（resol type phenol resin）；含有羥甲基之脲樹脂等脲樹脂；含有羥甲基之三聚氰胺樹脂等三聚氰胺樹脂等。作為聚加成型硬化劑，能夠包含選自上述具體例中之1種或2種以上。
在上述硬化劑中，包含酚樹脂系硬化劑為較佳。藉此，能夠較佳地使環氧樹脂硬化。進而，藉由硬化劑與密接助劑進行交互作用，能夠進一步提高密接性。 作為酚樹脂系硬化劑，能夠使用所有在1個分子內具有2個以上的酚性羥基之單體、低聚物、聚合物，其分子量、分子結構沒有限定。 作為硬化劑使用之酚樹脂系硬化劑，具體而言，可舉出：苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚酚醛清漆樹脂、苯酚-聯苯酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；聚乙烯苯酚；三苯甲烷型酚樹脂等多官能型酚樹脂；萜烯改質酚樹脂、二環戊二烯改質酚樹脂等改質酚樹脂；具有伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂、具有聯伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂（聯苯芳烷基型酚樹脂）、具有伸苯基骨架之萘酚芳烷基樹脂、具有聯伸苯基骨架之萘酚芳烷基樹脂等苯酚芳烷基型酚樹脂；雙酚A、雙酚F等雙酚化合物等。作為酚醛樹脂系硬化劑，能夠包含選自上述具體例中之1種或2種以上。
（密接助劑） 作為密接助劑，具備特定的官能基者為較佳。 作為特定的官能基，具體而言，可舉出：硫醇基、羧基、胺基等。藉由具備該等特定的官能基，密接助劑能夠破壞OSP膜。又，當密接助劑具備孤電子對時，在破壞OSP膜後，孤電子對與銅電路的銅原子交互作用，能夠提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性。 另外，關於密接助劑，能夠組合上述具體例中的1種或2種以上而作為特定的官能基來使用。
另外，詳細的機制尚不明確，但作為破壞OSP膜之機制，可推測為如下。 推測為密接助劑包含羧基作為特定的官能基時，OSP膜的錯合物層成為酸性而錯合物變得不穩定，能夠破壞OSP膜。 又，推測為密接助劑包含硫醇基、胺基作為特定的官能基時，在OSP膜的錯合物層中，在密接助劑與前助焊劑的咪唑化合物之間產生錯合物交換反應，能夠破壞OSP膜。
作為本實施形態中的胺基，具體而言，包含未併入到雜環中之一級、二級以及三級胺基、併入到雜環中之一級或二級胺基亦即雜環胺基。作為胺基，例如包含雜環胺基為較佳。藉此，密封用樹脂組成物的密接助劑與銅電路的銅原子強力地交互作用，能夠進一步提高密接性。 在此，作為雜環胺基，具體而言，可舉出：三𠯤、三唑等。作為三𠯤，例如由下述通式（H1）表示之結構者為較佳。又，作為三唑，例如由下述通式（H2）表示之結構者為較佳。
Figure 02_image001
（上述通式（H1）中，R分別獨立地為選自由氫原子、碳原子、矽原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子、氟原子、氯原子以及溴原子組成之群中之1種或2種以上的原子形成之基團。）
Figure 02_image003
（上述通式（H2）中，R分別獨立地為選自由氫原子、碳原子、矽原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子、氟原子、氯原子以及溴原子組成之群中之1種或2種以上的原子形成之基團。）
上述通式（H1）、（H2）中，當R包含碳原子時，例如為碳數1以上30以下的有機基團為較佳，碳數1以上10以下的有機基團為更佳，碳數1以上5以下的有機基團為進一步較佳。 又，當R為包含碳原子之有機基團時，R例如包含羥基為較佳。
上述通式（H1）、（H2）中，作為複數個R，例如至少1個為包含選自由羧基、硫醇基以及胺基組成之群中之1種以上者為較佳，至少包含胺基者為更佳。藉此，能夠破壞OSP膜，而提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性。
上述通式（H1）、（H2）中，作為複數個R，例如1個以上的R包含選自由羧基、硫醇基以及胺基組成之群中之1種以上為較佳，2個以上的R包含選自由羧基、硫醇基以及胺基組成之群中之1種以上為更佳。藉此，能夠破壞OSP膜，而提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性。
在密接助劑中，作為包含羧基者，具體而言，可舉出硬脂酸等。 在密接助劑中，作為包含硫醇基者，具體而言，可舉出：γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑等。 在密接助劑中，作為包含胺基者，具體而言，可舉出：4,6-二胺基-1,3,5-三𠯤-2-乙醇、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑等。
前述密封用樹脂組成物中的密接助劑的含量的下限值相對於密封用樹脂組成物的總固體成分，例如為0.010質量份以上為較佳，0.015質量份以上為更佳，0.020質量份以上為進一步較佳，0.025質量份以上為更進一步較佳，0.030質量份以上為特佳。藉此，能夠較佳地破壞OSP膜。 又，前述密封用樹脂組成物中的密接助劑的含量的上限值相對於密封用樹脂組成物的總固體成分，例如為1.0質量份以下為較佳，0.7質量份以下為更佳，0.5質量份以下為進一步較佳，0.3質量份以下為更進一步較佳。藉此，能夠抑制產生粒子的凝聚而在溶劑等中生成不溶解之異物之情形。 另外，在本實施形態中，密封用樹脂組成物的總固體成分表示去除了溶劑之原料成分的合計。
密封用樹脂組成物中的密接助劑的含量的下限值相對於總體樹脂量例如為0.10質量份以上為較佳，0.15質量份以上為更佳，0.20質量份以上為進一步較佳，0.30質量份以上為更進一步較佳，0.40質量份以上為特佳。藉此，破壞OSP膜之後，適當分散於密封用樹脂組成物中之密接助劑與銅原子適當地交互作用，能夠提高密接性。 密封用樹脂組成物中的密接助劑的含量的上限值相對於總體樹脂量，例如為10質量份以下為較佳，8質量份以下為更佳，6質量份以下為進一步較佳。 另外，在本實施形態中，樹脂量表示環氧樹脂與硬化劑的合計量。
（其他成分） 配合需要，能夠在密封用樹脂組成物中適當摻合硬化促進劑、無機填充材料、耦合劑、脫模劑、著色劑、阻燃劑、離子捕捉劑、低應力劑等各種添加劑中的1種或2種以上。
（硬化促進劑） 硬化促進劑只要為促進環氧樹脂以及硬化劑的硬化反應者則沒有限定，能夠配合環氧樹脂以及硬化劑的種類選擇。 作為硬化促進劑，具體而言，可舉出：鎓鹽化合物、有機膦、四取代鏻化合物、磷酸酯甜菜鹼化合物、膦化合物與醌化合物的加成物、鏻化合物與矽烷化合物的加成物等含有磷原子之化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑（EMI24）、2-苯基-4-甲基咪唑（2P4MZ）、2-苯基咪唑（2PZ）、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑（2P4MHZ）、1-苄基-2-苯基咪唑（1B2PZ）等咪唑化合物；例示有1,8-二吖雙環[5.4.0]十一烯-7、苄基二甲胺等之脒或三級胺；上述脒或上述三級胺的四級銨鹽等含氮原子化合物等。作為硬化促進劑，能夠組合上述具體例中的1種或2種以上來使用。
（無機填充材料） 作為無機填充材料沒有限定，能夠配合電子裝置的結構、電子裝置所要求之機械強度、熱特性來選擇適當的無機填充材料。 作為無機填充材料，具體而言，可舉出：熔融破碎二氧化矽、熔融球狀二氧化矽、結晶性二氧化矽、2次凝聚二氧化矽、球狀微粉二氧化矽等二氧化矽；氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鈦、碳化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、鈦白等金屬化合物；滑石；黏土；雲母；玻璃纖維等。作為無機填充材料，能夠組合上述具體例中的1種或2種以上來使用。作為無機填充材料，在上述具體例中，例如使用二氧化矽為較佳。藉此，無機填充材料與密接助劑交互作用，能夠進一步提高密接性。
在本實施形態中，填充材料的體積基準的累積50%粒徑（D50 ）的下限值，例如為0.1μm以上為較佳，0.3μm以上為更佳，0.5μm以上為進一步較佳。藉此，能夠防止由密封用樹脂組成物的成形時之無機填充材料的凝聚引起之模具的堵塞，能夠提高電子裝置的生產性。 又，無機填充材料的體積基準的累積50%粒徑（D50 ）的上限值，例如為50μm以下為較佳，30μm以下為更佳，20μm以下為進一步較佳，10μm以下為更進一步較佳，5μm以下為特佳。藉此，在密封步驟中，能夠確實抑制在模具產生堵塞，能夠提高電子裝置的生產性。 另外，當製造覆晶封裝（FLIP CHIP PACKAGE）等密封用樹脂組成物的進入間隙小的電子裝置時，密封用樹脂組成物為模具底部填充材料。此時，無機填充材料的體積基準的累積50%粒徑（D50 ）例如為1μm以上20μm以下為較佳。藉此，能夠提高密封用樹脂組成物的填充性。 另外，填充材料的體積基準的累積50%粒徑（D50 ），例如能夠使用市售的雷射繞射式粒度分佈測量裝置（例如SHIMADZU CORPORATION製、SALD-7000）以體積基準來測量粒子的粒度分佈並進行計算。
（耦合劑） 作為耦合劑沒有限定，能夠使用用於密封用樹脂組成物之公知的耦合劑。 作為耦合劑，具體而言，可舉出：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等乙烯基矽烷；2-（3,4-環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷等環氧矽烷；對苯乙烯基三甲氧基矽烷等苯乙烯基矽烷；3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等甲基丙烯醯基矽烷；3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等丙烯醯基矽烷；N-2-（胺基乙基）-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-（胺基乙基）-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-（1,3-二甲基-亞丁基）丙胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、苯基胺基丙基三甲氧基矽烷等胺基矽烷；三聚異氰酸矽烷；烷基矽烷；3-脲基丙基三烷氧基矽烷等脲基矽烷；3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷等巰基矽烷；3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等異氰酸酯矽烷；鈦系化合物；鋁螯合物類；鋁/鋯系化合物等。作為耦合劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（脫模劑） 作為脫模劑沒有限定，能夠使用用於密封用樹脂組成物之公知的脫模劑。 作為脫模劑，具體而言，可舉出：棕櫚蠟等天然蠟、二乙醇胺・二褐煤酸酯等合成蠟、硬脂酸鋅等高級脂肪酸及其金屬鹽、石蠟等。作為脫模劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（著色劑） 作為著色劑沒有限定，能夠使用用於密封用樹脂組成物之公知的著色劑。 作為著色劑，具體而言，能夠舉出：碳黑、紅丹、氧化鈦等。作為著色劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（阻燃劑） 作為阻燃劑沒有限定，能夠使用用於密封用樹脂組成物之公知的阻燃劑。 作為阻燃劑，具體而言，能夠舉出：氫氧化鋁、氫氧化鎂、硼酸鋅、鉬酸鋅、磷腈等。作為阻燃劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（離子捕捉劑） 作為離子捕捉劑沒有限定，能夠使用用於密封用樹脂組成物之公知的離子捕捉劑。 作為離子捕捉劑，具體而言，能夠舉出：水滑石、沸石、氫氧化鉍等。
（低應力劑） 作為低應力劑沒有限定，能夠使用用於密封用樹脂組成物之公知的低應力劑。 作為低應力劑，具體而言，能夠舉出：聚矽氧油、聚矽氧橡膠等聚矽氧化合物；聚丁二烯化合物；丙烯腈-丁二烯共聚物等。作為低應力劑，能夠摻合上述具體例中的1種或2種以上。
（密封用樹脂組成物的製造方法） 接著，對本實施形態之密封用樹脂組成物的製造方法進行說明。 本實施形態之密封用樹脂組成物的製造方法，包含例如混合上述之原料成分來製作混合物之混合步驟（S1）、以及接著混合物成形之成形步驟（S2）。
（混合步驟（S1）） 混合步驟為混合原料成分來製作混合物之步驟。混合之方法沒有限定，能夠配合所使用之成分來使用公知的方法。 作為混合步驟，具體而言，利用混合機等將上述密封用樹脂組成物所包含之原料成分均勻地進行混合。接著，以輥、捏合機或押出機等混煉機進行熔融混煉來製作混合物。
（成形步驟（S2）） 接著上述混合步驟（S1）進行使混合物成形之成形步驟（S2）。 作為成形之方法沒有限定，能夠配合密封用樹脂組成物的形狀使用公知的方法。作為密封用樹脂組成物的形狀沒有限定，可舉出例如：顆粒狀、粉末狀、錠狀、片狀等。密封用樹脂組成物的形狀能夠配合成形方法來選擇。
作為製作顆粒狀之密封用樹脂組成物之成形步驟，例如可舉出熔融混煉後粉碎冷卻之混合物之步驟。另外，例如亦可以篩選製成顆粒形狀之密封用樹脂組成物來調節顆粒的大小。又，例如亦可以將製成顆粒形狀之密封用樹脂組成物以離心製粉法或熱切割法等方法進行處理來調整分散度或流動性等。 又，作為製作粉末狀之密封用樹脂組成物之成形步驟，例如可舉出將混合物粉碎而製成顆粒狀的密封用樹脂組成物後，將該顆粒狀的密封用樹脂組成物進一步粉碎之步驟。 又，作為製作錠狀之密封用樹脂組成物之成形步驟，可舉出例如將混合物進行粉碎來製成顆粒狀的密封用樹脂組成物後，將該顆粒狀的密封用樹脂組成物進行打錠成型之步驟。 又，作為製作片狀之密封用樹脂組成物之成形步驟，可舉出例如在熔融混煉後，將混合物進行押出成形或壓延成形之步驟。
接著，對本實施形態之電子裝置的製造方法的詳細內容進行說明。
（電子裝置的製造方法） 本實施形態之電子裝置的製造方法包含藉由將前助焊劑塗佈到在表面上具備銅電路之構件的表面而在銅電路形成OSP膜之塗佈步驟、以及藉由密封用樹脂組成物將銅電路進行密封之密封步驟。 又，在塗佈步驟之後且密封步驟之前，不進行去除OSP膜之洗淨步驟。 又，在塗佈步驟之後且密封步驟之前，可以包含例如進行焊接之迴焊步驟。
（塗佈步驟） 首先，進行藉由將前助焊劑塗佈到在表面上具備銅電路之構件的表面而在銅電路形成OSP膜之塗佈步驟。藉此，在電子裝置的製造步驟中，能夠抑制銅電路氧化。因此，能夠提高電子裝置的電可靠性。 作為塗佈前助焊劑之方法沒有限定，可舉出例如對於包含前助焊劑之溶液，浸漬在表面上具備銅電路之構件之方法。此時，藉由控制浸漬時間，能夠調整OSP膜的厚度。 如上述，OSP膜具有例如由前助焊劑與銅原子的錯合物構成之錯合物層。又，OSP膜除了上述錯合物層，亦可以進一步包含例如由未形成錯合物之咪唑化合物形成之咪唑層。
作為在表面上具備銅電路之構件沒有限定，例如能夠使用配置有銅電路之基板。 作為本實施形態之基板，具體而言，可舉出：可撓性印刷基板、中介層 (interposer)、引線框等配線基板。 作為形成本實施形態之基板之材料沒有限定，可舉出例如：樹脂等有機物、陶瓷等無機物。 另外，本實施形態之密封用樹脂組成物相對於例如形成有OSP膜之銅焊盤等包含銅之構件，亦能夠不去除OSP膜而顯現較佳的密接性，從該種觀點考慮為較佳。
作為本實施形態之前助焊劑，使用包含咪唑化合物者。 作為咪唑化合物，只要係用作前助焊劑之以往公知者則沒有限定，例如能夠使用由下述通式（I1）、（I2）表示者。
Figure 02_image005
（上述通式（I1）、（I2）中，複數個RI 分別獨立為氫或碳數1以上30以下的有機基團。複數個RI 可以彼此相同，亦可以彼此不同。）
上述通式（I1）、（I2）中，作為RI 的碳數1以上30以下的有機基團，具體而言，可舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等烷基；苯基、萘基、蒽基等芳基；將上述烷基或上述芳基的氫原子中的1個以上以鹵素原子取代之鹵素取代烷基等。
作為咪唑化合物，具體而言，可舉出：咪唑、2-甲基咪唑、2-（1-甲基戊基）咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、4-甲基咪唑、2,4,5-三甲基咪唑、4,5-二氯-2-乙基咪唑、2-甲基苯并咪唑、2-庚基-5,6-二甲基苯并咪唑、2-辛基-5-氯苯并咪唑、4-氟苯并咪唑、2-戊基-5-碘苯并咪唑、2,4-二苯基咪唑、2-（2,4-二乙基）-4-（3-丙基-5-辛基）-5-異丁基咪唑、2-苯基-4-（1-萘基）咪唑、2-（1-萘基）-4-苯基咪唑、2-苯基苯并咪唑、2-（1-萘基）苯并咪唑、2-環己基苯并咪唑等。 作為咪唑化合物，能夠組合上述具體例中的1種或2種以上來使用。
藉由塗佈步驟形成之OSP膜的厚度的上限值，例如為：1.0μm以下為較佳，0.8μm以下為更佳，0.6μm以下為進一步較佳，0.4μm以下為更進一步較佳，0.3μm以下為特佳。藉此，在密封步驟中，密封用樹脂組成物容易破壞OSP膜，能夠進一步提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性。 又，藉由塗佈步驟形成之OSP膜的厚度的下限值，例如為：0.05μm以上為較佳，0.08μm以上為更佳，0.10μm以上為進一步較佳，0.15μm以上為更進一步較佳。藉此，能夠進一步抑制銅電路氧化。因此，能夠提高電子裝置的電性可靠性。又，依本實施形態之電子裝置的製造方法，即使OSP膜的厚度為上述下限值以上，亦能夠不進行洗淨步驟而破壞OSP膜，並提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性，在這一觀點上較佳。
（密封步驟） 塗佈步驟之後，不進行去除OSP膜之洗淨步驟而進行藉由密封用樹脂組成物將銅電路進行密封之密封步驟。密封步驟例如能夠藉由模具成形來進行。
作為模具成形的方法沒有限定，具體而言，能夠使用轉移模具成形法 (transfer molding)、壓模成形法 (compression moding)以及射出成形法 (injection molding)等。作為進行密封時的成形方法，在上述具體例中使用轉移成形法為較佳。
在本實施形態中，作為模具成形的條件沒有限定，例如能夠在溫度120℃以上200℃以下進行10秒鐘以上30分鐘以下的熱處理來進行預硬化，接著在120℃以上200℃以下的溫度下進行1小時以上24小時以下的熱處理來進行後硬化（post cure）。 另外，在本實施形態中，將後硬化之密封用樹脂組成物作為硬化物來表示。
作為模具成形溫度的下限值，例如為：100℃以上為較佳，110℃以上為更佳，120℃以上為進一步較佳，150℃以上為更進一步較佳。模具成形的溫度越高，越容易藉由密封用樹脂組成物來破壞OSP膜。藉此，能夠提高密封用樹脂組成物的硬化物與銅電路的密接性。 又，作為模具成形溫度的上限值，例如可以為240℃以下，亦可以設為220℃以下。
（洗淨步驟） 本實施形態之電子裝置的製造方法中，在塗佈步驟之後且密封步驟之前，不進行去除OSP膜之洗淨步驟。藉此，在能夠提高電子裝置的生產性之觀點上較佳。 在以往的電子裝置的製造方法中，未進行例如去除OSP膜之洗淨步驟。藉此，密封用樹脂組成物與銅的密接性有改善的空間。 又，當需要去除OSP膜時，作為在以往的電子裝置的製造方法中實施之洗淨步驟，具體而言，可舉出使用薬水之化學處理。為了去除OSP膜的錯合物層，作為薬水，具體而言，使用了：己二酸、壬二酸、二十烷二酸、檸檬酸、乙醇酸、琥珀酸、水楊酸、二乙醇酸、2,6-吡啶二甲酸、二丁基苯胺二乙醇酸、辛二酸、癸二酸、巰乙酸、對苯二甲酸、十二烷二酸、對羥基苯乙酸、吡啶甲酸、苯琥珀酸、酞酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、丙二酸、月桂酸、苯甲酸、酒石酸、異三聚氰酸三（2-羧乙基）、甘胺酸、1,3-環己烷二甲酸、2,2-雙（羥甲基）丙酸、2,2-雙（羥甲基）丁酸、2,3-二羥基苯甲酸、2,4-二乙基戊二酸、2-喹啉甲酸、3-羥基苯甲酸、蘋果酸、對茴香酸、硬脂酸、12-羥基硬脂酸、油酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、二聚酸、氫化二聚酸、三聚酸、氫化三聚酸等有機酸。 另外，例如有在焊接時使用之助焊劑中包含上述有機酸之情形。藉此，存在有助焊劑之部分，焊接周邊之OSP膜被破壞，能夠藉由洗淨助焊劑的殘渣來去除。然而，焊接周邊以外之OSP膜殘留，成為密封材料的硬化物與銅電路的密接性下降之原因。
（迴焊步驟） 本實施形態之電子裝置的製造方法中，在塗佈步驟之後且密封步驟之前，例如可以包含進行焊接之迴焊步驟。 在迴焊步驟中，焊接例如在180℃以上300℃以下的溫度進行。OSP膜的錯合物層藉由迴焊步驟中之熱處理而變得牢固。本實施形態之電子裝置的製造方法中，藉由經過迴焊步驟，即使OSP膜的錯合物層變得牢固，亦能夠藉由密封步驟來破壞錯合物層，因此較佳。
接著，對本實施形態之電子裝置進行說明。
（電子裝置） 作為本實施形態之電子裝置沒有限定，具體而言，可舉出：印刷配線基板；成形電路零件（Molded Interconnect Device：MID）等。 在此，作為印刷配線基板沒有限定，具體而言，可舉出：MAP（Mold Array Package，模具陣列封裝）、QFP（Quad Flat Package，四側引腳扁平封裝）、SOP（Small Outline Package，小外形封裝）、CSP（Chip Size Package，晶片尺寸封裝）、QFN（Quad Flat Non-leaded Package，四側無引腳扁平封裝）、SON（Small Outline Non-leaded Package，小外形無引腳封裝）、BGA（Ball Grid Array，球柵陣列封裝）、LF-BGA（Lead Flame BGA，引線框球柵陣列封裝）、FCBGA（Flip Chip BGA，覆晶球柵陣列封裝）、MAPBGA（Molded Array Process BGA，模具陣列工藝球柵陣列封裝）、eWLB（Embedded Wafer-Level BGA，嵌入式晶片級球柵陣列封裝）、Fan-In（扇入）型eWLB、Fan-Out（扇出）型eWLB等半導體封裝；SIP（System In package，系統封裝）等。 又，作為成形電路零件沒有限定，具體而言，可舉出：用於汽車用構件者等。
以上，依據實施形態對本發明進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，在不改變本發明的主旨之範圍內亦能夠改變其構成。 ［實施例］
以下，使用實施例對本發明進行詳細地說明，但本發明並不受該等實施例的記載的任何限定。
首先，對密封用樹脂組成物的原料成分進行說明。
（環氧樹脂） ・環氧樹脂1：聯苯芳烷基型環氧樹脂（Nippon Kayaku Co., Ltd.製、NC3000） ・環氧樹脂2：三苯甲烷型環氧樹脂與聯苯型環氧樹脂的混合物（Mitsubishi Chemical Corporation製、YL6677）
（硬化劑） ・硬化劑1：聯苯芳烷基型酚樹脂（Meiwa Plastic Industries, Ltd.製、MEH-7851SS） ・硬化劑2：三苯甲烷型酚樹脂（AIR WATER INC.製、HE910-20）
（密接助劑） ・密接助劑1：具備硫醇基之γ-巰基丙基三甲氧基矽烷（Chisso Corporation 製、S810） ・密接助劑2：具備硫醇基之γ-巰基丙基三乙氧基矽烷（Momentive Performance Materials Japan LLC製、SILQUESTA-1891 SILANE） ・密接助劑3：具備羧基之硬脂酸（NOF CORPORATION製、SR-SACRA） ・密接助劑4：具備三級胺基、雜環胺基之2,4-二胺基-6-（4,5-二羥基戊基）-1,3,5-三𠯤（SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製） ・密接助劑5：具備硫醇基、三級胺基、雜環胺基之3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑（NIPPON CARBIDE INDUSTRIES CO.,INC.製） 密接助劑1-5的結構式示於以下式（A1）-（A5）。
Figure 02_image007
（硬化促進劑） ・硬化促進劑1：將由下述式（P1）表示之鏻化合物與矽烷化合物的加成物進行合成，用作硬化促進劑1。以下對合成方法進行詳細的說明。 首先，在加入了甲醇1800g之燒瓶中，添加苯基三甲氧基矽烷249.5g、2,3-二羥基萘384.0g並使其溶解，接著在室溫下進行攪拌並滴加了28%甲醇鈉-甲醇溶液231.5g。接著，將四苯基溴化鏻503.0g溶解於甲醇600g而成之溶液在室溫下進行攪拌並向燒瓶中滴加，使結晶析出。將析出之結晶進行過濾、水洗、真空乾燥，獲得了作為鏻化合物與矽烷化合物的加成物的粉白色結晶之硬化促進劑1。
Figure 02_image009
（無機填充材料） ・無機填充材料1：熔融球狀二氧化矽（龍森公司製、MUF-46V、D50 =4.3μm） ・無機填充材料2：球狀微粉二氧化矽（Admatechs Company Limited製、SC-2500-SQ、D50 =0.6μm） 另外，填充材料的體積基準的累積50%粒徑（D50 ）使用雷射繞射式粒度分佈測量裝置（SHIMADZU CORPORATION製、SALD-7000）以體積基準來測量粒子的粒度分佈並進行了計算。
（耦合劑） ・耦合劑1：N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷（Dow Corning Toray Co.,Ltd.製、CF-4083）
（脫模劑） ・脫模劑1：二乙醇胺・二褐煤酸酯（Itoh Oil Chemicals Co., Ltd.製、ITOHWAX TP NC 133）
（著色劑） ・著色劑1：碳黑（Mitsubishi Chemical Corporation製、碳#5）
（阻燃劑） ・阻燃劑1：氫氧化鋁（Sumitomo Chemical Company, Limited製、CL-303）
（離子捕捉劑） ・離子捕捉劑1：水滑石（Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.製、DHT-4H）
（低應力劑） ・低應力劑1：羧基末端丙烯腈-丁二烯共聚物（PTI Japan Corporation製、CTBN1008SP）
（實施例1） 首先，將記載於下述表1之摻合量的各成分在常溫利用混合機進行混合，接著在70℃以上100℃以下的溫度進行了加熱混煉。接著，冷卻至常溫後，進行粉碎，準備了在實施例1的電子裝置的製作中使用之密封用樹脂組成物。 接著，準備了在長度15mm×寬度15mm的表面上具備銅電路之印刷配線基板。接著，在印刷配線基板上塗佈包含咪唑化合物之前助焊劑（SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製、GLICOAT-SMD F2（LX）PK），形成了厚度0.2μm的OSP膜。 接著，在印刷配線基板上配置長度10mm×寬度10mm×厚度250μm的覆晶封裝，接著，在峰值溫度240℃、峰值溫度時間10秒鐘、氮環境進行迴焊處理，藉此使焊接凸點熔融，使覆晶封裝與印刷配線基板接合。另外，迴焊處理進行了2次。 接著，將上述中獲得之搭載有封裝之基板配置於模具內，使用轉移成形機，在模具溫度175℃、注入壓力9.8MPa的條件，將上述密封用環氧樹脂組成物注入到模具內進行了成形。接著，進行175℃、120秒鐘的硬化處理來製作了電子裝置。
（實施例2～6、比較例1） 將密封用樹脂組成物的摻合組成變更為下述表1的實施例2～6、比較例1中所記載者，除此以外，以與實施例1相同的方式製作了電子裝置。
（Cu密接性） 對於實施例1～6、比較例1的電子裝置，為了評價密封用樹脂組成物與銅電路的密接性而進行了以下實驗。 首先，準備了模仿銅電路之長度10mm×寬度30mm×厚度0.2mm的銅板。接著，將包含咪唑化合物之前助焊劑（SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製、GLICOAT-SMD F2（LX）PK）塗佈到該銅板，形成了厚度0.2μm的OSP膜。 接著，進行了在峰值溫度240℃、峰值溫度時間10秒鐘、氮環境模擬迴焊處理之熱處理。另外，該熱處理進行了2次。 接著，將形成了OSP膜之銅板配置於模具內，利用轉移成形機，在模具溫度175℃、注入壓力9.8MPa的條件，將在各實施例、比較例1的電子裝置的製作中使用之密封用環氧樹脂組成物注入到模具內進行了成形。接著，以溫度175℃進行120秒鐘的硬化處理，在形成有OSP膜之銅板上，製作了底面直徑3.6mmφ、高度3mm的圓筒形狀的密封用樹脂組成物的硬化物。藉此，製作了10個在形成有OSP膜之銅板上配置有密封用樹脂組成物的硬化物之試驗片。 對於使用用於各實施例以及比較例1的電子裝置之密封用樹脂組成物之10個試驗片，在溫度260℃的條件，利用自動晶片剪斷測量裝置（Nordson Advanced Technology（Japan） K.K.製、DAGE4000型）評價了針對密封用樹脂組成物與銅板的密接之剪斷接著力。將10個試驗片的剪斷接著力的平均值作為Cu密接性，示於以下表1。另外，單位為“N/mm”。
［表1］
Figure 107146748-A0304-0001
如表1所示，確認到藉由各實施例的電子裝置的製造方法製作之電子裝置與藉由比較例1的電子裝置的製造方法製作之電子裝置相比，Cu密接性高。
本申請以2017年12月25日申請之日本特願2017-247284號為基礎主張優先權，其公開的全部內容引用於此。
無
無

Claims (13)

  1. 一種電子裝置的製造方法，其包括以下步驟：準備在表面上具備銅電路之構件之步驟；藉由在該表面上塗佈前助焊劑而在該銅電路形成OSP膜(有機保焊膜)之塗佈步驟；及將該銅電路藉由密封用樹脂組成物進行密封之密封步驟，該密封步驟不進行去除在該塗佈步驟中形成之該OSP膜之洗淨步驟而實施，該密封用樹脂組成物包含環氧樹脂、硬化劑、密接助劑，該前助焊劑包含咪唑化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子裝置的製造方法，其中，該密接助劑包含選自由硫醇基、羧基以及胺基組成之群中之1種以上。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子裝置的製造方法，其中，該密接助劑包含該胺基，該胺基包含雜環胺基。
  4. 如申請專利範圍第1項之電子裝置的製造方法，其中，該密封用樹脂組成物中的密接助劑的含量相對於該密封用樹脂組成物的總固體成分為0.010質量份以上且1.0質量份以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之電子裝置的製造方法，其中，該密封用樹脂組成物中的密接助劑的含量相對於該環氧樹脂以及該硬化劑的合計量為0.10質量份以上且10質量份以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之電子裝置的製造方法，其中，該密封用樹脂組成物進而包含無機填充材料，該無機填充材料包含二氧化矽。
  7. 如申請專利範圍第6項之電子裝置的製造方法，其中，該無機填充材料的體積基準的累積50%粒徑D50為0.1μm以上且50μm以下。
  8. 如申請專利範圍第1項之電子裝置的製造方法，其中，該硬化劑包含酚樹脂系硬化劑。
  9. 如申請專利範圍第1項之電子裝置的製造方法，其中，在該塗佈步驟中，該OSP膜的厚度為0.05μm以上且1.0μm以下。
  10. 如申請專利範圍第1項之電子裝置的製造方法，其中，該密封步驟藉由模具成形來進行。
  11. 如申請專利範圍第10項之電子裝置的製造方法，其中，在該密封步驟中，該模具成形的溫度為100℃以上240℃以下。
  12. 如申請專利範圍第10項之電子裝置的製造方法，其中，在該密封步驟中，該模具成形的方法為選自由轉移模具成形法、壓模成形法以及射出成形法組成之群中之1種。
  13. 如申請專利範圍第1項之電子裝置的製造方法，其中，該電子裝置為印刷配線基板或成形電路零件(Molded Interconnect Device：MID)。
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