KR20200108089A - 반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치, 및 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법 - Google Patents

반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치, 및 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200108089A
KR20200108089A KR1020207025321A KR20207025321A KR20200108089A KR 20200108089 A KR20200108089 A KR 20200108089A KR 1020207025321 A KR1020207025321 A KR 1020207025321A KR 20207025321 A KR20207025321 A KR 20207025321A KR 20200108089 A KR20200108089 A KR 20200108089A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon black
resin composition
sealing
semiconductor
fine particles
Prior art date
Application number
KR1020207025321A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102171971B1 (ko
Inventor
다카히로 고타니
히로시 시바타
Original Assignee
스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 filed Critical 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
Publication of KR20200108089A publication Critical patent/KR20200108089A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102171971B1 publication Critical patent/KR102171971B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/02—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
    • C08G59/022—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule characterised by the preparation process or apparatus used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/688—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/44—Carbon
    • C09C1/48—Carbon black
    • C09C1/56—Treatment of carbon black ; Purification
    • C09C1/60—Agglomerating, pelleting, or the like by dry methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 반도체 봉지용 수지 조성물은, 에폭시 수지와, 경화제와, 무기 충전재와, 카본 블랙 미립자를 포함하는 반도체 봉지용 수지 조성물이며, 당해 반도체 봉지용 수지 조성물을, 금형 온도 175℃, 주입 압력 10MPa, 경화 시간 120초의 조건에서 길이 80mm, 폭 10mm, 두께 4mm로 주입 성형하고, 이어서, 175℃에서 4시간 가열 처리하여 경화물을 얻어, 당해 경화물의 표면을 SEM 관찰했을 때, 상기 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경은 50μm 이하이다.

Description

반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치, 및 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법
본 발명은, 반도체 봉지용(封止用) 수지 조성물, 반도체 장치, 및 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법에 관한 것이다.
예를 들면, 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 봉지용 수지 조성물의 분야에서는, 카본 블랙이 배합된다. 이로써, 반도체 봉지용 수지 조성물의 경화물에 품명, 로트 번호 등 정보를 마킹할 때, 보다 선명하게 인자(印字)할 수 있다. 또, 카본 블랙에 의하여 광이 흡수되고, 광의 투과를 방지하여 반도체 소자의 광에 의한 오동작 방지에도 작용을 나타낸다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2009-275110호
예를 들면, 리드 프레임을 채용한 반도체 장치의 분야에 있어서, 반도체 장치를 고성능화하기 위하여, 전자 소자와 리드 프레임의 접속에 이용되는 본딩 와이어의 간격을 좁히는 것이 요구되고 있다.
본 발명자는, 특허문헌 1에 기재된 봉지용 수지 조성물에 의하여 반도체 장치를 제작하는 경우, 쇼트가 발생되어 버려, 반도체 장치의 전기적 신뢰성이 저하되는 경우가 있다는 것을 알아냈다.
본 발명은, 반도체 장치로 했을 때에 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있는, 반도체 봉지용 수지 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자는, 반도체 장치의 전기적 신뢰성을 향상시키기 위하여, 쇼트가 발생하는 원인에 대하여 검토했다. 그 결과, 간격이 좁은 본딩 와이어 사이에 카본 블랙의 응집물, 즉 카본 응집물이 막혀 버려, 쇼트의 원인이 되는 것을 알아냈다.
그래서, 본 발명자는, 반도체 봉지용 수지 조성물 중에 포함되는 카본 블랙의 응집물의 최대 입자경을 특정 수치 이하로 하여, 본딩 와이어 사이에 있어서의 카본 블랙의 응집물의 막힘의 발생을 제어함으로써, 반도체 장치의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
본 발명에 의하면,
에폭시 수지와,
경화제와,
무기 충전재와,
카본 블랙 미립자를 포함하는 반도체 봉지용 수지 조성물로서,
당해 반도체 봉지용 수지 조성물을, 금형 온도 175℃, 주입 압력 10MPa, 경화 시간 120초의 조건에서 길이 80mm, 폭 10mm, 두께 4mm로 주입 성형하고, 이어서, 175℃에서 4시간 가열 처리하여 경화물을 얻어, 당해 경화물의 표면을 형광 현미경으로 관찰했을 때, 상기 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경은 50μm 이하인, 반도체 봉지용 수지 조성물이 제공된다.
또, 본 발명에 의하면,
기판 상에 탑재된 반도체 소자와,
상기 반도체 소자를 봉지하는 봉지 부재를 구비하는 반도체 장치로서,
상기 봉지 부재가, 상기 반도체 봉지용 수지 조성물의 경화물로 구성되는, 반도체 장치가 제공된다.
또한, 본 발명에 의하면, 카본 블랙과 무기 충전재를 혼합하여 혼합물을 얻고, 상기 혼합물을 제트밀 분쇄함으로써 상기 카본 블랙을 분쇄하여 카본 블랙 미립자를 얻는 공정과,
에폭시 수지와, 경화제와, 무기 충전재와, 상기 카본 블랙 미립자를 혼합하여 반도체 봉지용 수지 조성물을 얻는 공정을 포함하는, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 반도체 장치로 했을 때에 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있는, 반도체 봉지용 수지 조성물, 이 수지 조성물의 경화물을 구비하는 반도체 장치, 및 이 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법이 제공된다.
상술한 목적, 및 그 외의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 설명하는 적합한 실시형태, 및 그에 부수하는 이하의 도면에 의하여 더 명확해진다.
도 1은 본 실시형태에 관한 반도체 장치의 단면도의 일례이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.
본 실시형태의 반도체 봉지용 수지 조성물(이하, "봉지용 수지 조성물" 또는 "수지 조성물"이라고도 칭함)은, 에폭시 수지와, 경화제와, 무기 충전재와, 카본 블랙 미립자를 포함하는 반도체 봉지용 수지 조성물이며, 당해 봉지용 수지 조성물을, 금형 온도 175℃, 주입 압력 10MPa, 경화 시간 120초의 조건에서 길이 80mm, 폭 10mm, 두께 4mm로 주입 성형하고, 이어서, 175℃에서 4시간 가열 처리하여 경화물을 얻어, 당해 경화물의 표면을 형광 현미경으로 관찰했을 때, 상기 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경은 50μm 이하이다.
본 발명자는, 반도체 장치의 전기적 신뢰성을 향상시키기 위하여, 쇼트가 발생하는 원인에 대하여 검토했다. 그 결과, 간격이 좁은 본딩 와이어 사이에 카본 블랙의 응집물, 즉, 카본 응집물이 막혀 버려, 쇼트의 원인이 되는 것이 판명되었다. 그래서, 본 발명자가, 봉지용 수지 조성물 중에 포함되는 카본 블랙의 응집물의 최대 입자경을 특정 수치 이하로 했더니, 반도체 장치의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있는 것이 판명되었다. 상세한 메커니즘은 명확하지 않지만, 카본 블랙의 응집물의 최대 입자경을 특정 수치 이하로 함으로써, 카본 응집물의 사이즈를 작게 하고, 본딩 와이어 사이의 간격이 좁아도, 카본 응집물이 쇼트의 원인이 되는 것을 억제할 수 있기 때문이라고 추측된다.
이상으로부터, 본 실시형태에 관한 반도체 봉지용 수지 조성물은, 반도체 장치로 했을 때에 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다고 추측된다.
(반도체 봉지용 수지 조성물)
먼저, 본 실시형태에 관한 반도체 봉지용 수지 조성물에 대하여 설명한다.
본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물을 경화물로 했을 때의 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경의 상한값은, 50μm 이하이며, 예를 들면 40μm 이하인 것이 바람직하고, 30μm 이하인 것이 보다 바람직하며, 25μm 이하인 것이 더 바람직하고, 20μm 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 이로써, 카본 응집물의 사이즈를 작게 하여, 카본 응집물이 쇼트의 원인이 되는 것을 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물을 경화물로 했을 때의 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경의 하한값은, 예를 들면 0.1μm 이상이어도 되고, 1μm 이상이어도 된다. 기본적으로, 카본 블랙 미립자는 고분산시키는 편이 전기 신뢰성의 향상의 관점에서 바람직하다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 봉지용 수지 조성물을 경화물로 했을 때의 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경은 이하와 같이 측정할 수 있다.
먼저, 봉지용 수지 조성물을, 예를 들면 저압 트랜스퍼 성형기를 이용하여, 금형 온도 175℃, 주입 압력 10MPa, 경화 시간 120초의 조건에서 길이 80mm, 폭 10mm, 두께 4mm로 주입 성형하고, 이어서, 175℃에서 4시간 가열 처리하여 경화물을 제작한다. 이 봉지용 수지 조성물의 경화물의 표면을 형광 현미경으로 관찰하여, 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경을 평가한다. 또한, 카본 응집물의 최대 입자경이란, 관찰하는 영역에 있어서의, 카본 응집물의 입자경의 최댓값이다. 카본 응집물의 입자경은, 소정의 카본 응집물 중의 임의의 2점을 연결했을 때의 최대 길이를 입자경으로 함으로써 측정된다.
종래의 봉지용 수지 조성물에서는, 카본 블랙을 제트밀 분쇄함으로써 응집물을 파쇄했다. 그러나, 카본 블랙은 기계적 특성이 우수하여, 제트밀 분쇄하는 것만으로는, 조대(粗大)한 응집물을 완전하게 제거할 수 없었다.
본 실시형태에서는, 카본 블랙을 분쇄하는 방법을 고안함으로써, 얻어지는 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경을 원하는 수치 범위로 제어하는 것이 가능하다. 카본 블랙을 분쇄하여 카본 블랙 미립자를 제조하는 방법에 대해서는, 이하에서 상세하게 설명하지만, 카본 블랙과 무기 충전재를 혼합하여 혼합물을 제작하고, 혼합물을 제트밀 분쇄하는 방법이 이용된다. 상세한 메커니즘은 명확하지 않지만 카본 블랙과 카본 블랙보다 경도가 높은 무기 충전재를 혼합함으로써, 무기 충전재가 카본 블랙을 파쇄하여, 재응집된 조대한 카본 응집물을 파쇄할 수 있다고 추측된다. 이로써, 카본 블랙의 최대 입자경을 원하는 수치 범위로 제어하는 것이 가능하다.
또, 상기 카본 블랙을 분쇄하는 방법에 있어서는, 무기 충전재의 종류, 입경, 비표면적, 모스 경도와 같은 무기 충전재의 성상(性狀); 혼합물 중의 무기 충전재와, 카본 블랙의 함유량; 혼합물 중의 카본 블랙의 응집물의 평균 입경; 제트밀 분쇄에 있어서의 혼합물의 공급량, 기체 압력과 같은 요소를 제어하는 것이, 카본 블랙을 분쇄하여, 원하는 최대 입자경을 실현하는 데에 중요하다.
또, 카본 블랙의 응집물의 최대 입자경을 원하는 수치 범위로 제어하는 방법으로서는, 예를 들면 먼저, 카본 블랙에 의하여 제트밀 분쇄하고, 이어서, 카본 블랙과 무기 충전재를 혼합하여 제트밀 분쇄를 한다는, 2단계의 분쇄를 행하는 것도, 카본 블랙의 최대 입자경을 제어하는 데에 유효하다.
본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물은, 에폭시 수지와, 경화제와, 무기 충전재와, 카본 블랙 미립자를 포함한다.
이하, 본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물의 원료 성분에 대하여 설명한다.
(에폭시 수지)
에폭시 수지는, 1분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물(모노머, 올리고머 및 폴리머)을 나타내고, 분자량 및 분자 구조를 한정하는 것은 아니다.
에폭시 수지로서는, 구체적으로는, 바이페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 같은 비스페놀형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지 등의 결정성 에폭시 수지; 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 트라이페놀메테인형 에폭시 수지, 알킬 변성 트라이페놀메테인형 에폭시 수지 등의 다관능 에폭시 수지; 페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 바이페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬형 에폭시 수지 등의 페놀아랄킬형 에폭시 수지; 다이하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 다이하이드록시나프탈렌의 2량체를 글리시딜에터화하여 얻어지는 에폭시 수지 등의 나프톨형 에폭시 수지; 트라이글리시딜아이소사이아누레이트, 모노알릴다이글리시딜아이소사이아누레이트 등의 트라이아진핵 함유 에폭시 수지; 다이사이클로펜타다이엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 유교 환상 탄화 수소 화합물 변성 페놀형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지로서는, 상기 구체예 중, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
에폭시 수지로서는, 상기 구체예 중, 예를 들면 페놀아랄킬형 에폭시 수지 또는 비스페놀형 에폭시 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 이로써, 봉지용 수지 조성물 중에 카본 블랙 미립자를 적합하게 분산시킬 수 있어, 반도체 장치로 했을 때에 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
봉지용 수지 조성물 중의 에폭시 수지의 함유량의 하한값은, 예를 들면 봉지용 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.3질량부 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.5질량부 이상인 것이 더 바람직하다.
또, 봉지용 수지 조성물 중의 에폭시 수지의 함유량의 상한값은, 예를 들면 봉지용 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여, 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 15질량부 이하인 것이 보다 바람직하며, 10질량부 이하인 것이 더 바람직하다.
봉지용 수지 조성물 중의 에폭시 수지의 함유량이 상기 수치 범위 내임으로써, 봉지용 수지 조성물 중에 카본 블랙 미립자를 적합하게 분산시킬 수 있어, 반도체 장치로 했을 때에 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
(경화제)
경화제는, 에폭시 수지의 종류에 따라 공지의 경화제를 선택할 수 있다. 경화제로서는, 구체적으로는, 중부가형(重付加型)의 경화제, 촉매형의 경화제, 및 축합형의 경화제 등을 들 수 있다.
상기 중부가형의 경화제로서는, 구체적으로는, 다이에틸렌트라이아민(DETA), 트라이에틸렌테트라민(TETA), 메타자일릴렌다이아민(MXDA) 등의 지방족 폴리아민; 다이아미노다이페닐메테인(DDM), m-페닐렌다이아민(MPDA), 다이아미노다이페닐설폰(DDS) 등의 방향족 폴리아민; 다이사이안다이아마이드(DICY), 유기산 다이하이드라자이드 등의 폴리아민 화합물; 헥사하이드로 무수 프탈산(HHPA), 메틸테트라하이드로 무수 프탈산(MTHPA) 등의 지환족 산무수물; 무수 트라이멜리트산(TMA), 무수 파이로멜리트산(PMDA), 벤조페논테트라카복실산 이무수물(BTDA) 등의 방향족 산무수물 등의 산무수물; 노볼락형 페놀 수지, 폴리바이닐페놀, 아랄킬형 페놀 수지 등의 페놀 수지계 경화제; 폴리설파이드, 싸이오에스터, 싸이오에터 등의 폴리머캅탄 화합물; 아이소사이아네이트 프리폴리머, 블록화 아이소사이아네이트 등의 아이소사이아네이트 화합물; 카복실산 함유 폴리에스터 수지 등의 유기산류 등을 들 수 있다. 중부가형의 경화제로서는, 상기 구체예 중, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
상기 촉매형의 경화제로서는, 구체적으로는, 벤질다이메틸아민(BDMA), 2,4,6-트리스다이메틸아미노메틸페놀(DMP-30) 등의 3급 아민 화합물; 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸(EMI24) 등의 이미다졸 화합물; BF3 착체 등의 루이스산 등을 들 수 있다. 촉매형의 경화제로서는, 상기 구체예 중, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
상기 축합형의 경화제로서는, 구체적으로는, 레졸형 페놀 수지; 메틸올기 함유 요소 수지 등의 요소 수지; 메틸올기 함유 멜라민 수지 등의 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 축합형의 경화제로서는, 상기 구체예 중, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
경화제로서는, 상기 구체예 중, 페놀 수지계 경화제를 포함하는 것이 바람직하다.
페놀 수지계 경화제로서는, 1분자 내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 모노머, 올리고머, 폴리머 전반을 이용할 수 있으며, 그 분자량, 분자 구조는 한정되지 않는다.
페놀 수지계 경화제로서는, 구체적으로는, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 비스페놀노볼락 수지, 페놀-바이페닐노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지; 폴리바이닐페놀; 트라이페놀메테인형 페놀 수지 등의 다관능형 페놀 수지; 터펜 변성 페놀 수지, 다이사이클로펜타다이엔 변성 페놀 수지 등의 변성 페놀 수지; 페닐렌 골격 및/또는 바이페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬 수지, 페닐렌 및/또는 바이페닐렌 골격 함유 나프톨아랄킬 수지 등의 페놀아랄킬형 페놀 수지; 비스페놀 A, 비스페놀 F 등의 비스페놀 화합물 등을 들 수 있다. 페놀 수지계 경화제로서는, 상기 구체예 중, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
페놀 수지계 경화제로서는, 상기 구체예 중, 페닐렌 골격 및/또는 바이페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이로써 봉지용 수지 조성물에 있어서, 에폭시 수지를 양호하게 경화할 수 있다. 따라서, 경화가 불충분한 것에 기인하여, 카본 블랙 미립자의 조대한 응집물이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
봉지용 수지 조성물 중의 경화제의 함유량의 하한값은, 봉지용 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여, 예를 들면 0.5질량부 이상인 것이 바람직하고, 1질량부 이상인 것이 보다 바람직하며, 1.5질량부 이상인 것이 더 바람직하고, 2질량부 이상인 것이 보다 더 바람직하다.
또, 봉지용 수지 조성물 중의 경화제의 함유량의 상한값은, 예를 들면 봉지용 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여, 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 8질량부 이하인 것이 보다 바람직하며, 6질량부 이하인 것이 더 바람직하고, 5질량부 이하인 것이 보다 더 바람직하다.
봉지용 수지 조성물 중의 경화제의 함유량이 상기 수치 범위 내임으로써, 에폭시 수지를 양호하게 경화할 수 있다. 따라서, 경화가 불충분한 것에 기인하여, 카본 블랙 미립자의 조대한 응집물이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
(무기 충전재)
본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물은 무기 충전재를 포함한다. 이 무기 충전재에 의하여 후술하는 카본 블랙을 분쇄할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물은, 예를 들면 분쇄에 이용하는 무기 충전재에 더하여, 분쇄에 이용하지 않는 무기 충전재를 함유해도 된다.
무기 충전재로서는 한정되지 않고, 구체적으로는, 무기 산화물, 무기 질화물, 무기 탄화물 및 무기 수산화물 등을 들 수 있다.
무기 산화물로서는, 구체적으로는, 실리카, 알루미나, 산화 타이타늄, 탤크, 클레이, 마이카, 유리 섬유(석영 유리) 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는, 구체적으로는, 용융 파쇄 실리카, 용융 구상(球狀) 실리카, 결정성 실리카, 2차 응집 실리카, 미분 실리카 등을 이용할 수 있다.
또, 무기 질화물로서는, 구체적으로는, 질화 규소, 질화 알루미늄, 질화 붕소 등을 들 수 있다.
또, 무기 탄화물로서는, 구체적으로는, 탄화 규소, 탄화 지르코늄, 탄화 타이타늄, 탄화 붕소, 탄화 탄탈럼 등을 들 수 있다.
또, 무기 수산화물로서는, 구체적으로는, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘 등을 들 수 있다.
무기 충전재로서는 상기 구체예 중, 예를 들면 무기 산화물 또는 무기 수산화물을 이용하는 것이 바람직하고, 실리카, 알루미나 및 수산화 알루미늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 무기 충전재와, 카본 블랙의 혼합물이 제트밀 분쇄됨으로써, 카본 블랙과 무기 충전재가 적합하게 충돌하여, 카본 블랙을 세밀하게 분쇄할 수 있다. 따라서, 최대 입자경을 원하는 수치 범위로 할 수 있다.
본 실시형태에 관한 무기 충전재의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50의 하한값으로서는, 예를 들면 0.1μm 이상인 것이 바람직하고, 0.5μm 이상인 것이 보다 바람직하며, 1.0μm 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 분쇄 공정에 있어서, 무기 충전재가, 카본 블랙에 대하여 충돌함으로써, 카본 블랙을 분쇄할 수 있어, 적합한 최대 입자경의 카본 블랙을 얻을 수 있다.
또, 본 실시형태에 관한 무기 충전재의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50의 상한값으로서는, 예를 들면 100μm 이하인 것이 바람직하고, 75μm 이하인 것이 보다 바람직하며, 50μm 이하인 것이 더 바람직하다. 이로써, 분쇄 공정에 있어서, 무기 충전재가, 카본 블랙에 대하여 충돌하는 빈도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 카본 블랙을 적합하게 분쇄할 수 있다.
본 실시형태에 관한 무기 충전재의 비표면적의 하한값으로서는, 예를 들면 0.1m2/g 이상인 것이 바람직하고, 0.5m2/g 이상인 것이 보다 바람직하며, 1.0m2/g 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 분쇄 공정에 있어서의, 무기 충전재와, 카본 블랙이 접촉하는 빈도를 늘려, 카본 블랙을 적합하게 분쇄할 수 있다.
또, 본 실시형태에 관한 무기 충전재의 비표면적의 상한값으로서는, 예를 들면 10m2/g 이하여도 되고, 8m2/g 이하여도 된다.
본 실시형태에 관한 무기 충전재의 모스 경도의 하한값으로서는, 예를 들면 2 이상인 것이 바람직하고, 3 이상인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 분쇄 공정에서 무기 충전재가, 카본 블랙과 충돌했을 때에, 적합하게 카본 블랙을 분쇄할 수 있다. 또한, 카본 블랙의 모스 경도는, 예를 들면 0.5 이상 1 이하이다.
또, 본 실시형태에 관한 무기 충전재의 모스 경도의 상한값으로서는, 예를 들면 10 이하이며, 9 이하여도 된다.
(카본 블랙 미립자)
본 실시형태에 관한 카본 블랙 미립자로서 이용되는 카본 블랙으로서는 한정되지 않고, 구체적으로는, 퍼니스 블랙, 채널 블랙, 서멀 블랙, 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 램프 블랙 등의 카본 블랙을 이용할 수 있다.
본 실시형태 수지 조성물에 이용되는 카본 블랙 미립자의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50(즉, 2차 입경)의 상한값으로서는, 예를 들면 25μm 이하인 것이 바람직하고, 20μm 이하인 것이 보다 바람직하며, 15μm 이하인 것이 더 바람직하고, 10μm 이하인 것이 보다 더 바람직하며, 7μm 이하인 것이 특히 바람직하다. 이로써, 본 실시형태에 관한 카본 블랙 미립자를 봉지용 수지 조성물로서 이용했다고 해도, 반도체 장치가 쇼트하는 것을 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태에 관한 카본 블랙 미립자의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50의 하한값은, 예를 들면 0.01μm 이상이어도 되고, 0.1μm 이상이어도 된다. 전기적 신뢰성을 향상시키기 위하여, 카본 블랙 미립자의 평균 입경은 작은 편이 바람직하지만, 상기 하한값 이상임으로써, 카본 블랙 미립자의 취급성을 향상시킬 수 있다.
봉지용 수지 조성물 중의 카본 블랙 미립자의 함유량의 하한값으로서는, 봉지용 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여, 예를 들면 0.10질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.20질량부 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.25질량부 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 본 실시형태에 관한 반도체 장치는, 카본 응집물을 형성하는 것을 억제하면서, 봉지용 수지 조성물의 경화물에 품명, 로트 번호 등 정보를 마킹할 때, 보다 선명하게 인자할 수 있는 관점에서 바람직하다. 또, 광의 투과를 방지하여 반도체 소자의 광에 의한 오동작을 억제할 수 있는 관점에서도 바람직하다.
또, 봉지용 수지 조성물 중의 카본 블랙 미립자의 함유량의 상한값으로서는, 봉지용 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여, 예를 들면 2.0질량부 이하인 것이 바람직하고, 1.5질량부 이하인 것이 보다 바람직하며, 1.0질량부 이하인 것이 더 바람직하고, 0.5질량부 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 본 실시형태에 관한 카본 블랙 미립자는, 종래의 착색제와 비교하여, 미세하다. 따라서, 함유량이 상기 하한값 이하로 적은 경우에도, 착색능을 유지할 수 있는 점에서 적합하다. 또, 상기 하한값 이하임으로써, 반도체 장치의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있는 관점에서도 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물 중의 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경을 원하는 수치 범위 내로 하기 위해서는, 카본 블랙을 분쇄하는 방법을 고안하는 것이 중요하다. 그래서, 이하에 카본 블랙 미립자의 제조 방법에 대하여 설명한다.
(카본 블랙 미립자의 제조 방법)
본 실시형태에 관한 카본 블랙 미립자의 제조 방법은, 카본 블랙과 무기 충전재를 혼합한 혼합물을 제작하는 혼합 공정과, 당해 혼합물을 제트밀 분쇄함으로써 카본 블랙을 분쇄하는 분쇄 공정을 포함한다.
또, 본 실시형태에 관한 카본 블랙 미립자의 제조 방법은, 예를 들면 혼합 공정의 전에 카본 블랙을 단독으로 제트밀 분쇄하기 전 분쇄 공정을 더 포함해도 된다.
이하, 각 공정의 상세에 대하여 설명한다.
(혼합 공정)
혼합 공정에서는, 카본 블랙과 상술한 무기 충전재를 혼합한 혼합물을 제작한다.
혼합하는 방법으로서는, 카본 블랙과 무기 충전재가 균일하게 혼합된다면 한정되지 않는다. 혼합하는 방법으로서는, 구체적으로는, 믹서 등을 이용할 수 있다.
혼합물 중의 카본 블랙의 응집체의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50의 하한값은, 예를 들면 6μm 이상인 것이 바람직하고, 10μm 이상인 것이 보다 바람직하다. 본 실시형태에 관한 카본 블랙 미립자의 제조 방법에 의하면, 입경 D50이 상기 하한값 이상의 카본 블랙이며, 종래의 수법에서는 분쇄할 수 없었던 것이었어도, 미분화시킬 수 있는 점에서 바람직하다.
또, 혼합물 중의 카본 블랙의 응집체의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50의 상한값은, 예를 들면 500μm 이하여도 되고, 300μm 이하여도 된다. 이로써, 혼합물 중에 있어서의, 카본 블랙과 무기 충전재의 분산을 균일하게 할 수 있다. 따라서, 분쇄 공정에 있어서, 균일하게 카본 블랙을 분쇄하여, 카본 응집체의 최대 입자경을 원하는 수치 범위 내로 할 수 있다.
혼합물 중의 카본 블랙의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50을 A로 하고, 혼합물 중의 무기 충전재의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50을 B로 했을 때, A/B의 하한값으로서는, 예를 들면 0.1 이상인 것이 바람직하고, 0.2 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.3 이상인 것이 더 바람직하다. 이로써, 분쇄 공정에 있어서, 무기 충전재가, 조대한 카본 블랙에 대하여, 적합하게 충돌할 수 있어, 보다 소입경의 미세 카본 블랙을 얻을 수 있다.
또, A/B의 상한값으로서는, 예를 들면 200 이하인 것이 바람직하고, 75 이하인 것이 보다 바람직하며, 150 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 이로써, 분쇄 공정에 있어서, 무기 충전재가, 조대한 카본 블랙에 충돌함으로써, 적절한 충격을 카본 블랙에게 부여하여, 분쇄할 수 있다. 따라서, 보다 소입경의 카본 블랙 미립자를 얻을 수 있다.
혼합물 중의 무기 충전재의 함유량의 하한값은, 혼합물 중의 카본 블랙 100질량부에 대하여, 예를 들면 5질량부 이상인 것이 바람직하고, 8질량부 이상인 것이 보다 바람직하며, 10질량부 이상인 것이 더 바람직하다.
또, 혼합물 중의 무기 충전재의 함유량의 상한값은, 혼합물 중의 카본 블랙 100질량부에 대하여, 예를 들면 2000질량부 이하인 것이 바람직하고, 1300질량부 이하인 것이 보다 바람직하며, 1000질량부 이하인 것이 더 바람직하다.
무기 충전재의 함유량이 상기 수치 범위 내임으로써, 무기 충전재가 카본 블랙에 대하여 적절히 충돌하여, 카본 블랙을 분쇄할 수 있다.
(분쇄 공정)
분쇄 공정에서는, 혼합물을 제트밀 분쇄함으로써 카본 블랙을 분쇄한다. 이로써, 카본 블랙 미립자를 얻을 수 있다.
제트밀 분쇄의 방법으로서는, 종래 공지의 방법을 이용할 수 있다. 제트밀 분쇄의 방법으로서는, 구체적으로는, 벽 충돌식 제트밀, 분체 충돌식 제트밀 등의 기류식 제트밀을 들 수 있다. 제트밀 분쇄의 방법으로서는, 상기 구체예 중 예를 들면, 기류식 제트밀을 이용하는 것이 바람직하다. 이로써, 무기 충전재와, 카본 블랙을 적합하게 충돌시킬 수 있다. 따라서, 조대한 카본 블랙을 세밀하게 분쇄할 수 있다.
또한, 제트밀 분쇄를 행하는 장치는, 예를 들면 제트밀에 혼합물을 일정량 공급하기 위한 정량 공급기, 백 필터 등의 필터 장치와 같은 제트밀에 부수하는 장치를 구비하고 있어도 된다.
예를 들면, 정량 공급기로부터 제트밀로의 혼합물의 공급량과, 제트밀에 공급되는 기체 압력을 적절히 조정함으로써, 조대한 카본 블랙을 더 세밀하게 분쇄할 수 있다.
(전 분쇄 공정)
본 실시형태에 관한 카본 블랙 미립자의 제조 방법은, 예를 들면 혼합 공정의 전에 카본 블랙을 단독으로 제트밀 분쇄하기 전 분쇄 공정을 더 포함해도 된다.
전 분쇄 공정에 의하여 카본 블랙을 제트밀 분쇄해 둠으로써, 혼합물 중의 카본 블랙 및 무기 충전재를 더 균일하게 분산시킬 수 있다. 이로써, 제트밀 분쇄에 의하여, 조대한 카본 블랙을 세밀하게 분쇄할 수 있다.
또한, 전 분쇄 공정에 있어서의 제트밀 분쇄의 방법으로서는 한정되지 않고, 예를 들면 상술한 분쇄 공정과 동일한 방법을 이용할 수 있다.
(그 외의 성분)
봉지용 수지 조성물 중에는, 필요에 따라, 커플링제, 유동성 부여제, 이형제(離型劑), 이온 포착제, 경화 촉진제, 저응력제, 착색제 및 난연제 등의 각종 첨가제 중 1종 또는 2종 이상을 적절히 배합할 수 있다.
이하, 대표 성분에 대하여 설명한다.
(커플링제)
커플링제로서는, 구체적으로는, 바이닐트라이메톡시실레인, 바이닐트라이에톡시실레인 등의 바이닐실레인; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이에톡시실레인 등의 에폭시실레인; p-스타이릴트라이메톡시실레인 등의 스타이릴실레인; 3-메타크릴옥시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이에톡시실레인 등의 메타크릴실레인; 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실레인 등의 아크릴실레인; N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸다이메톡시실레인, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-아미노프로필트라이에톡시실레인, 3-트라이에톡시실릴-N-(1,3-다이메틸-뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 페닐아미노프로필트라이메톡시실레인 등의 아미노실레인; 아이소사이아누레이트실레인; 알킬실레인; 3-유레이도프로필트라이알콕시실레인 등의 유레이도실레인; 3-머캅토프로필 메틸다이메톡시실레인, 3-머캅토프로필트라이메톡시실레인 등의 머캅토실레인; 3-아이소사이아네이트프로필트라이에톡시실레인 등의 아이소사이아네이트실레인; 타이타늄계 화합물; 알루미늄 킬레이트류; 알루미늄/지르코늄계 화합물 등을 들 수 있다. 커플링제로서는, 상기 구체예 중 1종 또는 2종 이상을 배합할 수 있다.
(유동성 부여제)
유동성 부여제는, 인 원자 함유 경화 촉진제 등의 잠복성을 갖지 않는 경화 촉진제가, 수지 조성물의 용융 혼련 시에 반응하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 봉지용 수지 조성물의 생산성을 향상시킬 수 있다.
유동성 부여제로서는, 구체적으로는, 카테콜, 파이로갈롤, 갈산, 갈산 에스터, 1,2-다이하이드록시나프탈렌, 2,3-다이하이드록시나프탈렌 및 이들 유도체 등의 방향환을 구성하는 2개 이상의 인접하는 탄소 원자에 각각 수산기가 결합된 화합물 등을 들 수 있다.
(이형제)
이형제로서는, 구체적으로는, 카나우바 왁스 등의 천연 왁스; 몬탄산 에스터 왁스, 산화 폴리에틸렌 왁스 등의 합성 왁스; 스테아르산 아연 등의 고급 지방산 및 그 금속염; 파라핀; 에루크산 아마이드 등의 카복실산 아마이드 등을 들 수 있다. 이형제로서는, 상기 구체예 중 1종 또는 2종 이상을 배합할 수 있다.
(이온 포착제)
상기 이온 포착제는, 구체적으로는, 하이드로탈사이트, 하이드로탈사이트상 물질 등의 하이드로탈사이트류; 마그네슘, 알루미늄, 비스무트, 타이타늄, 지르코늄으로부터 선택되는 원소의 함수산화물 등을 들 수 있다. 이온 포착제로서는, 상기 구체예 중 1종 또는 2종 이상을 배합할 수 있다.
(경화 촉진제)
경화 촉진제로서는, 구체적으로는, 오늄염 화합물, 유기 포스핀, 테트라 치환 포스포늄 화합물, 포스포베타인 화합물, 포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물, 포스포늄 화합물과 실레인 화합물의 부가물 등의 인 원자 함유 화합물; 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸(EMI24), 2-페닐-4-메틸이미다졸(2P4MZ), 2-페닐이미다졸(2PZ), 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시이미다졸(2P4MHZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(1B2PZ) 등의 이미다졸 화합물; 1,8-다이아자바이사이클로[5.4.0]운데센-7, 벤질다이메틸아민 등이 예시되는 아미딘이나 3급 아민; 상기 아미딘 또는 상기 3급 아민의 4급 암모늄염 등의 질소 원자 함유 화합물 등을 들 수 있다. 경화 촉진제로서는, 상기 구체예 중 1종 또는 2종 이상을 배합할 수 있다.
(저응력제)
저응력제로서는, 구체적으로는, 실리콘 오일, 실리콘 고무 등의 실리콘 화합물; 폴리뷰타다이엔 화합물; 아크릴로나이트릴-카복실기 말단 뷰타다이엔 공중합 화합물 등의 아크릴로나이트릴-뷰타다이엔 공중합 화합물 등을 들 수 있다. 저응력제로서는, 상기 구체예 중 1종 또는 2종 이상을 배합할 수 있다.
(착색제)
착색제로서는, 구체적으로는, 카본 블랙, 벵갈라, 산화 타이타늄 등을 들 수 있다. 착색제로서는, 상기 구체예 중 1종 또는 2종 이상을 배합할 수 있다.
(난연제)
난연제로서는, 구체적으로는, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 붕산 아연, 몰리브데넘산 아연, 포스파겐, 카본 블랙 등을 들 수 있다. 난연제로서는, 상기 구체예 중 1종 또는 2종 이상을 배합할 수 있다.
(봉지용 수지 조성물의 제조 방법)
다음으로, 본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물의 제조 방법은, 예를 들면 상술한 원료 성분을 혼합하여 혼합물을 제작하는 혼합 공정(S1)과, 이어서, 혼합물을 성형하는 성형 공정(S2)을 포함한다.
(혼합 공정(S1))
혼합 공정은, 원료 성분을 혼합하여, 혼합물을 제작하는 공정이다. 혼합하는 방법은 한정되지 않고, 이용되는 성분에 따라, 공지의 방법을 이용할 수 있다.
혼합 공정으로서는, 구체적으로는, 상술한 봉지용 수지 조성물이 포함하는 원료 성분을, 믹서 등을 이용하여 균일하게 혼합한다. 이어서, 롤, 니더 또는 압출기 등의 혼련기로 용융 혼련하여, 혼합물을 제작한다.
(성형 공정(S2))
상술한 혼합 공정(S1)에, 이어서, 혼합물을 성형하는 성형 공정(S2)을 행한다.
성형하는 방법으로서는 한정되지 않고, 봉지용 수지 조성물의 형상에 따라, 공지의 방법을 이용할 수 있다. 봉지용 수지 조성물의 형상으로서는 한정되지 않고, 예를 들면 과립 형상, 분말 형상, 태블릿 형상, 시트 형상 등을 들 수 있다. 봉지용 수지 조성물의 형상은, 성형 방법에 따라 선택할 수 있다.
과립 형상으로 한 봉지용 수지 조성물을 제작하는 성형 공정으로서는, 예를 들면 용융 혼련 후, 냉각한 혼합물을 분쇄하는 공정을 들 수 있다. 또한, 예를 들면 과립 형상으로 한 봉지용 수지 조성물을 분체하여, 과립의 크기를 조절해도 된다. 또, 예를 들면 과립 형상으로 한 봉지용 수지 조성물을, 원심 제분법 또는 핫컷법 등의 방법으로 처리하여, 분산도 또는 유동성 등을 조절해도 된다.
또, 분말 형상으로 한 봉지용 수지 조성물을 제작하는 성형 공정으로서는, 예를 들면 혼합물을 분쇄하여 과립 형상의 봉지용 수지 조성물로 한 후, 당해 과립 형상의 봉지용 수지 조성물을 더 분쇄하는 공정을 들 수 있다.
또, 태블릿 형상으로 한 봉지용 수지 조성물을 제작하는 성형 공정으로서는, 예를 들면 혼합물을 분쇄하여 과립 형상의 봉지용 수지 조성물로 한 후, 당해 과립 형상의 봉지용 수지 조성물을 타정(打錠) 성형하는 공정을 들 수 있다.
또, 시트 형상으로 한 봉지용 수지 조성물을 제작하는 성형 공정으로서는, 예를 들면 용융 혼련 후, 혼합물을 압출 성형 또는 캘린더 성형하는 공정을 들 수 있다.
(반도체 장치)
다음으로, 본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물을 이용한 반도체 장치에 대하여 설명한다.
본 실시형태에 관한 반도체 장치는, 예를 들면 기판 상에 탑재된 반도체 소자와, 반도체 소자를 봉지하는 봉지 부재를 구비한다. 또한, 상기 봉지 부재는, 예를 들면 상기 봉지용 수지 조성물의 제조 방법에 의하여 얻어지는 봉지용 수지 조성물의 경화물로 구성된다.
본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물은, 반도체 소자를 봉지하는 봉지 부재에 이용된다. 봉지 부재를 형성하는 방법은 한정되지 않지만, 예를 들면 트랜스퍼 성형법, 압축 성형법, 인젝션 성형 등을 들 수 있다. 이들 방법에 의하여, 봉지용 수지 조성물을, 성형하고, 경화시킴으로써 봉지 부재를 형성할 수 있다.
반도체 소자로서는, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 집적 회로, 대규모 집적 회로, 트랜지스터, 사이리스터, 다이오드, 고체 촬상 소자를 들 수 있다.
기재로서는, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 인터포저 등의 배선 기판, 리드 프레임 등을 들 수 있다.
반도체 소자와, 기재의 전기적인 접속이 필요한 경우, 적절히 접속해도 된다. 전기적으로 접속하는 방법은, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 와이어 본딩, 플립 칩 접속 등을 들 수 있다.
봉지용 수지 조성물에 의하여 반도체 소자를 봉지하는 봉지 부재를 형성함으로써, 반도체 장치가 얻어진다. 반도체 장치로서는, 한정되는 것은 아니지만, 반도체 소자를 몰드함으로써 얻어지는 반도체 장치가 바람직하다.
반도체 장치의 종류로서는, 구체적으로는, MAP(Mold Array Package), QFP(Quad Flat Package), SOP(Small Outline Package), CSP(Chip Size Package), QFN(Quad Flat Non-leaded Package), SON(Small Outline Non-leaded Package), BGA(Ball Grid Array), LF-BGA(Lead Flame BGA), FCBGA(Flip Chip BGA), MAPBGA(Molded Array Process BGA), eWLB(Embedded Wafer-Level BGA), Fan-In형 eWLB, Fan-Out형 eWLB 등의 종류를 들 수 있다.
이하에, 본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물을 이용한 반도체 장치의 일례에 대하여 설명한다.
도 1은 본 실시형태에 관한 반도체 장치(100)를 나타내는 단면도이다.
본 실시형태의 반도체 장치(100)는, 전자 소자(20)와, 전자 소자(20)에 접속되는 본딩 와이어(40)와, 봉지 부재(50)를 구비하는 것이며, 당해 봉지 부재(50)는, 상술한 봉지용 수지 조성물의 경화물에 의하여 구성된다.
보다 구체적으로는, 전자 소자(20)는, 기재(30) 상에 다이아 터치재(10)를 개재하여 고정되어 있으며, 반도체 장치(100)는, 전자 소자(20) 상에 마련된 도시하지 않은 전극 패드로부터 본딩 와이어(40)를 개재하여 접속되는 아우터 리드(34)를 갖는다. 본딩 와이어(40)는 이용되는 전자 소자(20) 등을 감안하면서 설정할 수 있지만, 예를 들면 Cu 와이어를 이용할 수 있다.
이하에, 본 실시형태에 관한 봉지용 수지 조성물을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 예를 들면 상술한 봉지용 수지 조성물의 제조 방법에 의하여, 봉지용 수지 조성물을 얻는 제조 공정과, 기판 상에 전자 소자를 탑재하는 공정과, 상기 봉지용 수지 조성물을 이용하여, 상기 전자 소자를 봉지하는 공정을 구비한다.
반도체 장치(100)는, 예를 들면 이하의 방법으로 형성된다.
먼저, 기판 상에 전자 소자를 탑재한다. 구체적으로는, 다이아 터치재(10)를 이용하여 다이패드(32)(기판(30)) 상에 전자 소자(20)를 고정하고, 본딩 와이어(40)에 의하여 리드 프레임인 다이패드(32)(기재(30))를 접속한다. 이로써, 피봉지물을 형성한다.
이 피봉지물을, 봉지용 수지 조성물을 이용하여 봉지하고, 봉지 부재(50)를 형성함으로써, 반도체 장치(100)가 제조된다.
전자 소자(20)가 봉지된 반도체 장치(100)는, 필요에 따라, 80℃에서 200℃ 정도의 온도에서 10분에서 10시간 정도의 시간에 걸쳐 봉지용 수지 조성물을 경화시킨 후, 전자기기 등에 탑재된다.
이상, 실시형태에 근거하여, 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에서 그 구성을 변경할 수도 있다.
실시예
이하, 실시예를 이용하여 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 실시예의 기재에 한정되는 것은 아니다.
먼저, 각 실시예, 각 비교예의 봉지용 수지 조성물에 이용한 원료 성분에 대하여 설명한다.
(에폭시 수지)
·에폭시 수지 1: 바이페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠사제, NC-3000L)
·에폭시 수지 2: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, YL6810)
(경화제)
·경화제 1: 바이페닐렌 골격 함유 페놀아랄킬 수지(닛폰 가야쿠사제, GPH-65)
(카본 블랙)
·카본 블랙 1: 카본 블랙 1로서, 미쓰비시 가가쿠사제의 카본 #5를 이용했다. 카본 블랙 1의 1차 입경은 80nm였다. 또, 카본 블랙 1의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50(즉, 2차 입경)은 200μm였다.
·카본 블랙 2: 카본 블랙 2로서, 도카이 카본사제의 ESR-2001을 이용했다. 카본 블랙 2의 1차 입경은 60nm였다. 또, 카본 블랙 2의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50(즉, 2차 입경)은 200μm였다.
(무기 충전재)
·무기 충전재 1: 구상 미분 실리카(어드마텍스사제, SO-32R, 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50=1.5μm, 비표면적 5.5m2/g, 모스 경도: 7)
·무기 충전재 2: 용융 구상 실리카(마이크론사제, TS-3100, 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50=2.5μm, 비표면적 7.5m2/g, 모스 경도: 7)
·무기 충전재 3: 용융 구상 실리카(덴카사제, FB-560, 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50=30μm, 비표면적 1.3m2/g, 모스 경도: 7)
·무기 충전재 4: 알루미나(덴카사제, DAB-30FC, 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50=13μm, 비표면적 1.4m2/g, 모스 경도: 9)
·무기 충전재 5: 수산화 알루미늄(스미토모 가가쿠사제, CL-303, 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50=5μm, 비표면적 1.0m2/g, 모스 경도: 3)
·무기 충전재 6: 용융 구상 실리카(덴카사제, FB-950, 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50=23μm, 비표면적 1.5m2/g)
(커플링제)
·커플링제 1:3-머캅토프로필트라이메톡시실레인(치소사제, S810)
(경화 촉진제)
·경화 촉진제 1: 하기 식 (P1)로 나타나는 포스포늄 화합물과 실레인 화합물의 부가물을 합성하여, 경화 촉진제 1로서 이용했다. 이하에 합성 방법에 대하여 상세를 설명한다.
먼저, 메탄올 1800g을 넣은 플라스크에, 페닐트라이메톡시실레인 249.5g, 2,3-다이하이드록시나프탈렌 384.0g을 첨가하여 녹이고, 다음으로 실온 교반하 28% 나트륨메톡사이드메탄올 용액 231.5g을 적하했다. 이어서, 플라스크에 테트라페닐포스포늄 브로마이드 503.0g을 메탄올 600g에 녹인 용액을 실온 교반하 적하하고, 결정을 석출시켰다. 석출시킨 결정을 여과, 수세, 진공 건조하여, 포스포늄 화합물과 실레인 화합물의 부가물인 도백색(桃白色) 결정인 경화 촉진제 1을 얻었다.
Figure pct00001
(이형제)
·이형제 1: 몬탄산 에스터 왁스(클라리언트·재팬사제, 리콜브 WE-4)
상술한 원료 성분을 이용하여, 실시예 1~10, 비교예 1의 봉지용 수지 조성물을 제작했다. 이하에 상세를 설명한다.
(실시예 1)
먼저, 실시예 1에 관한 카본 블랙을 분쇄했다. 카본 블랙의 분쇄는, 하기 표 1에 나타내는 배합량(질량부)의 카본 블랙 1과, 무기 충전재 1을 이용하여 행했다.
구체적으로는, 먼저, 기류식 제트밀(공급량 10kg/hour, 공기압 0.45MPa)을 이용하여, 카본 블랙 1에 대하여 제1 제트밀 분쇄를 했다. 또한, 제1 제트밀 분쇄한 카본 블랙 1의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50(즉, 2차 입경)은 10μm였다.
이어서, 제1 제트밀 분쇄한 카본 블랙 1과, 무기 충전재 1을 혼합하여, 혼합물을 제작했다.
이어서, 상기 혼합물을 기류식 제트밀(공급량 50kg/hour, 공기압 0.45MPa)을 이용하여, 제2 제트밀 분쇄를 하고, 카본 블랙 1의 미립자를 얻었다. 실시예 1의 카본 블랙 1의 미립자의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50(즉, 2차 입경)은 3μm였다.
이어서, 카본 블랙 1의 미립자와, 분쇄에 이용한 무기 충전재 1과, 카본 블랙 1의 미립자의 제작에 이용한 이외의 원료 성분을, 상온으로 믹서를 이용하여, 하기 표 1에 기재한 배합량으로 혼합하고, 다음으로 70℃ 이상 100℃ 이하의 온도로 2축 혼련했다. 이어서, 상온까지 냉각 후, 분쇄하여 실시예 1의 봉지용 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 2~4)
실시예 2~4의 봉지용 수지 조성물은, 각 성분의 배합량을 하기 표 1과 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1의 봉지용 수지 조성물과 동일한 방법으로 제작했다.
실시예 2~4의 카본 블랙 미립자의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50(즉, 2차 입경)을, 각각 하기 표 1에 나타낸다. 또한, 단위는 μm이다.
(실시예 5)
실시예 5의 봉지용 수지 조성물은, 각 성분의 배합량을 하기 표 1과 같이 변경하고, 또한 카본 블랙 1에 대하여 제1 제트밀 분쇄를 행하지 않으며, 제2 제트밀 분쇄만을 행하여 분쇄한 카본 블랙 1의 미립자를 제작하는 것 이외에는, 실시예 1의 봉지용 수지 조성물과 동일한 방법으로 제작했다. 실시예 5의 카본 블랙 미립자의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50(즉, 2차 입경)은 5μm였다.
(실시예 6)
실시예 6의 봉지용 수지 조성물은, 카본 블랙의 분쇄를 하기 표 1에 나타내는 배합량의 카본 블랙 2와, 무기 충전재 1을 이용하여 행하고, 또한 각 성분의 배합량을 하기 표 1과 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 5의 봉지용 수지 조성물과 동일한 방법으로 제작했다. 실시예 6의 카본 블랙 미립자의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50(즉, 2차 입경)은 3μm였다.
(실시예 7)
실시예 7의 봉지용 수지 조성물은, 각 성분의 배합량을 하기 표 1과 같이 변경하고, 카본 블랙 1과, 무기 충전재 2를 이용하여 실시예 7에 관한 분쇄한 카본 블랙 1을 제작한 것 이외에는, 실시예 1의 봉지용 수지 조성물과 동일한 방법으로 제작했다.
(실시예 8)
실시예 8의 봉지용 수지 조성물은, 각 성분의 배합량을 하기 표 1과 같이 변경하고, 카본 블랙 1과, 무기 충전재 3을 이용하여 실시예 8에 관한 분쇄한 카본 블랙을 제작한 것 이외에는, 실시예 1의 봉지용 수지 조성물과 동일한 방법으로 제작했다.
(실시예 9)
실시예 9의 봉지용 수지 조성물은, 각 성분의 배합량을 하기 표 1과 같이 변경하고, 카본 블랙 1과, 무기 충전재 4를 이용하여 실시예 9에 관한 분쇄한 카본 블랙을 제작한 것 이외에는, 실시예 1의 봉지용 수지 조성물과 동일한 방법으로 제작했다.
(실시예 10)
실시예 10의 봉지용 수지 조성물은, 각 성분의 배합량을 하기 표 1과 같이 변경하고, 카본 블랙 1과, 무기 충전재 5를 이용하여 실시예 10에 관한 분쇄한 카본 블랙을 제작한 것 이외에는, 실시예 1의 봉지용 수지 조성물과 동일한 방법으로 제작했다.
실시예 7~10의 카본 블랙 미립자의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50(즉, 2차 입경)을, 각각, 하기 표 1에 나타낸다. 또한, 단위는 μm이다.
(비교예 1)
하기 표 1에 기재한 배합량의 각 성분을, 상온에서 믹서를 이용하여 혼합하고, 다음으로 70℃ 이상 100℃ 이하의 온도로 2축 혼련했다. 이어서, 상온까지 냉각 후, 분쇄하여 비교예 1의 봉지용 수지 조성물을 얻었다.
<평가>
실시예 1~10, 비교예 1의 봉지용 수지 조성물에 대하여, 이하의 평가를 행했다.
(카본 응집물의 최대 입자경)
실시예 1~10, 비교예 1에 관한 봉지용 수지 조성물의 경화물에 대하여, 이것에 포함되는 입경이 25μm를 초과하는 카본 블랙 미립자의 응집물(카본 블랙 응집물)의 개수, 및 카본 블랙 응집물의 최대 입자경을 평가했다.
먼저, 저압 트랜스퍼 성형기를 이용하여, 실시예 1~10, 비교예 1의 봉지용 수지 조성물을, 금형 온도 175℃, 주입 압력 10MPa, 경화 시간 120초의 조건에서 직경 100mm, 두께 2mm로 주입 성형하여, 경화물을 얻었다. 이 경화물의 표면을 형광 현미경으로 관찰하여, 25μm보다 큰 카본 블랙 응집물의 수를 계측했다. 또한, 25μm보다 큰 카본 블랙 응집물이란, 어느 하나의 카본 블랙 응집물 중의 임의의 2점을 연결했을 때의 최대 길이가 25μm보다 큰 것을 나타낸다. 평가 결과를 하기 표 1에, "카본 블랙 응집물(입경 25μm를 초과함)의 수"로서 나타낸다. 단위는, "개"이다. 또한, 상기 경화물의 표면을 형광 현미경으로 관찰하여, 카본 블랙 응집물의 최대 입자경을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 단위는 μm이다. 또한, 카본 블랙 응집물의 최대 입자경이란, 카본 응집물의 입자경의 최댓값이다. 카본 블랙 응집물의 입자경은, 어느 카본 응집물 중의 임의의 2점을 연결했을 때의 최대 길이를 입자경으로 함으로써 측정했다.
(고온 리크 특성)
실시예 1~10, 비교예 1의 봉지용 수지 조성물을 이용하여 반도체 장치를 제작하고, 반도체 장치의 전기적 신뢰성으로서 고온 리크 특성을 평가했다. 상세를 이하에 나타낸다.
먼저, 저압 트랜스퍼 성형기(토와사제, Y 시리즈)를 이용하여, 실시예 1~10, 비교예 1의 봉지용 수지 조성물을, 금형 온도 175℃, 주입 압력 6.9MPa, 보압 시간 90초의 조건에서, 수지 조성물을 주입 성형하여 352핀 BGA를 봉지 성형하고, 175℃에서 4시간 후 경화했다. 이어서, 100개의 352핀 BGA에 대하여, 어드반테스트사제의 미소 전류계 8240A를 이용하여, 175℃에 있어서의 리크 전류를 측정하고, 고온 리크 특성의 평가로 했다. 평가 기준은, 이하와 같이 했다.
○: 100개의 352핀 BGA 모두에 대하여, 리크 전류가 검출되지 않았다.
×: 1개 이상의 352핀 BGA에 대하여, 리크 전류가 검출되었다.
[표 1]
Figure pct00002
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1~10의 봉지용 수지 조성물은, 비교예 1의 봉지용 수지 조성물과 비교하여, 반도체 장치로 했을 때의 전기적 신뢰성이 우수한 것이 확인되었다.
이 출원은, 2018년 2월 6일에 출원된 일본 출원 특원 2018-018871호 및 2018년 2월 6일에 출원된 일본 출원 특원 2018-018872호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 모두를 여기에 원용한다.

Claims (13)

  1. 에폭시 수지와,
    경화제와,
    무기 충전재와,
    카본 블랙 미립자를 포함하는 반도체 봉지용 수지 조성물로서,
    당해 봉지용 수지 조성물을, 금형 온도 175℃, 주입 압력 10MPa, 경화 시간 120초의 조건에서 길이 80mm, 폭 10mm, 두께 4mm로 주입 성형하고, 이어서, 175℃에서 4시간 가열 처리하여 경화물을 얻어, 당해 경화물의 표면을 형광 현미경으로 관찰했을 때, 상기 카본 블랙 미립자의 응집물의 최대 입자경은 50μm 이하인, 반도체 봉지용 수지 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 카본 블랙 미립자의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50은 0.01μm 이상 25μm 이하인, 반도체 봉지용 수지 조성물.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    당해 반도체 봉지용 수지 조성물 중의 카본 블랙 미립자의 함유량은, 당해 반도체 봉지용 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여, 0.10질량부 이상 2.0질량부 이하인, 반도체 봉지용 수지 조성물.
  4. 기판 상에 탑재된 반도체 소자와,
    상기 반도체 소자를 봉지하는 봉지 부재를 구비하는 반도체 장치로서,
    상기 봉지 부재가, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 반도체 봉지용 수지 조성물의 경화물로 구성되는, 반도체 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 반도체 소자는, 본딩 와이어를 개재하여, 상기 기판과 접속되어 있으며,
    상기 봉지 부재는, 상기 본딩 와이어를 봉지하는, 반도체 장치.
  6. 카본 블랙과 무기 충전재를 혼합하여 혼합물을 얻고, 상기 혼합물을 제트밀 분쇄함으로써 상기 카본 블랙을 분쇄하여 카본 블랙 미립자를 얻는 공정과,
    에폭시 수지와, 경화제와, 무기 충전재와, 상기 카본 블랙 미립자를 혼합하여 반도체 봉지용 수지 조성물을 얻는 공정을 포함하는, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 혼합물 중의 상기 무기 충전재의 함유량은, 상기 카본 블랙 100질량부에 대하여, 5질량부 이상 2000질량부 이하인, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법.
  8. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 혼합물 중의 상기 카본 블랙의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50은, 6μm 이상 500μm 이하인, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 D50을 A로 하고, 상기 혼합물 중의 상기 무기 충전재의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50을 B로 했을 때, A/B가 0.1 이상 200 이하인, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법.
  10. 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 혼합물 중의 상기 무기 충전재는, 무기 산화물, 무기 질화물, 무기 탄화물 및 무기 수산화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법.
  11. 청구항 6 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 혼합물 중의 상기 무기 충전재의 모스 경도가, 2 이상 10 이하인, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법.
  12. 청구항 6 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 혼합물 중의 상기 무기 충전재는, 실리카, 알루미나 및 수산화 알루미늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법.
  13. 청구항 6 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 카본 블랙 미립자의 응집물의 체적 기준 입도 분포의 누적 빈도가 50%가 되는 입경 D50은, 0.01μm 이상 25μm 이하인, 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법.
KR1020207025321A 2018-02-06 2019-01-30 반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치, 및 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법 KR102171971B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018018872 2018-02-06
JP2018018871 2018-02-06
JPJP-P-2018-018871 2018-02-06
JPJP-P-2018-018872 2018-02-06
PCT/JP2019/003081 WO2019155950A1 (ja) 2018-02-06 2019-01-30 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体封止用樹脂組成物の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200108089A true KR20200108089A (ko) 2020-09-16
KR102171971B1 KR102171971B1 (ko) 2020-10-30

Family

ID=67549570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207025321A KR102171971B1 (ko) 2018-02-06 2019-01-30 반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치, 및 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법

Country Status (9)

Country Link
US (1) US11015017B2 (ko)
EP (1) EP3751601A4 (ko)
JP (1) JP6590133B1 (ko)
KR (1) KR102171971B1 (ko)
CN (1) CN111684588B (ko)
MY (1) MY183266A (ko)
SG (1) SG11202007089YA (ko)
TW (1) TWI793258B (ko)
WO (1) WO2019155950A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112409757B (zh) * 2020-10-21 2023-05-30 江苏中科科化新材料股份有限公司 一种高功率模块封装用高导热环氧塑封料及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000007894A (ja) * 1998-06-24 2000-01-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000169676A (ja) * 1998-12-03 2000-06-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置
JP2005120277A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物の製造方法及びそれに用いる着色剤の微細化方法
JP2005119197A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 粉体混合装置、半導体封止用樹脂組成物の製造装置及び半導体封止用樹脂組成物の製造方法
JP2009275110A (ja) 2008-05-14 2009-11-26 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
WO2013136685A1 (ja) * 2012-03-16 2013-09-19 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物およびこれを用いた電子装置
JP2017179129A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 Jnc株式会社 組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜付き部材、電子・電気部品、および部材の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5521026A (en) * 1994-03-01 1996-05-28 Hydro-Quebec Process for preparing solutions of a positive electrode for polymer electrolyte battery by pre-dispersion of solid powders
US20040126665A1 (en) * 2002-12-26 2004-07-01 Luying Sun Gel polymer electrolyte battery and method of producing the same
JP2005002273A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体封止材用カーボンブラック
JP2005041967A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 組成物配合用カーボンブラックの製造方法及び熱硬化性樹脂組成物
JP2006052279A (ja) 2004-08-11 2006-02-23 Tokai Carbon Co Ltd 半導体封止材用カーボンブラック着色剤およびその製造方法
JP4483655B2 (ja) 2005-03-30 2010-06-16 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
TWI405824B (zh) 2005-05-16 2013-08-21 Cabot Corp 碳黑摻合物及含其之產物
JP4618056B2 (ja) * 2005-08-31 2011-01-26 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法
EP2455430B1 (en) * 2009-07-17 2016-06-29 Tokai Carbon Co., Ltd. Process for producing dispersion of surface-treated carbon black powder and process for producing surface-treated carbon black powder
JP2013001861A (ja) 2011-06-20 2013-01-07 Kyocera Chemical Corp 半導体封止用樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置
EP2734583B1 (en) * 2011-07-22 2020-03-18 Cabot Corporation High resistivity coating compositions having unique percolation behavior, and electrostatic image developing systems and components thereof incorporating same
CN104497544B (zh) * 2014-12-08 2016-04-27 国家电网公司 一种电力电容器壳体
JP2018018871A (ja) 2016-07-26 2018-02-01 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
JP6547702B2 (ja) 2016-07-26 2019-07-24 信越半導体株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の評価方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000007894A (ja) * 1998-06-24 2000-01-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000169676A (ja) * 1998-12-03 2000-06-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置
JP2005120277A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物の製造方法及びそれに用いる着色剤の微細化方法
JP2005119197A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 粉体混合装置、半導体封止用樹脂組成物の製造装置及び半導体封止用樹脂組成物の製造方法
JP2009275110A (ja) 2008-05-14 2009-11-26 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
WO2013136685A1 (ja) * 2012-03-16 2013-09-19 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物およびこれを用いた電子装置
JP2017179129A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 Jnc株式会社 組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜付き部材、電子・電気部品、および部材の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102171971B1 (ko) 2020-10-30
JP6590133B1 (ja) 2019-10-16
JPWO2019155950A1 (ja) 2020-02-27
EP3751601A1 (en) 2020-12-16
US20210002414A1 (en) 2021-01-07
US11015017B2 (en) 2021-05-25
TWI793258B (zh) 2023-02-21
CN111684588B (zh) 2021-10-29
WO2019155950A1 (ja) 2019-08-15
EP3751601A4 (en) 2021-12-01
CN111684588A (zh) 2020-09-18
TW201938388A (zh) 2019-10-01
MY183266A (en) 2021-02-18
SG11202007089YA (en) 2020-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6436263B2 (ja) エポキシ樹脂組成物および構造体
KR102490214B1 (ko) Lds용 열경화성 수지 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2020088055A (ja) モールドアンダーフィル材料および電子装置
JP6950299B2 (ja) 封止材用樹脂組成物及びこれを用いた電子装置
KR102171971B1 (ko) 반도체 봉지용 수지 조성물, 반도체 장치, 및 반도체 봉지용 수지 조성물의 제조 방법
JP7343096B2 (ja) 封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP6281178B2 (ja) 電子装置、自動車および電子装置の製造方法
JP2023126267A (ja) 粉体
JP2021113267A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、電子装置、熱伝導性材料の製造方法、熱硬化性樹脂組成物の製造方法
JP7139598B2 (ja) 封止用樹脂組成物の製造方法及び電子装置の製造方法
JP7142233B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置
JP5029063B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2021187868A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、及び電子装置
TW202225244A (zh) 半導體密封用樹脂組成物及半導體裝置
JP2021138864A (ja) 封止用樹脂組成物および電子装置
JP7427990B2 (ja) 樹脂組成物、及び構造体
JP7501117B2 (ja) 難燃性樹脂組成物、及び構造体
JP7434972B2 (ja) 潜在性架橋剤、樹脂組成物、及び構造体
JP2021113269A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、電子装置、及び熱硬化性樹脂組成物の製造方法
JP2024073100A (ja) 半導体封止用の樹脂組成物およびその製造方法
JP2021155731A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2022138253A (ja) 難燃性樹脂組成物、および構造体
JP2023033936A (ja) 封止用樹脂組成物および電子装置
JP2022019065A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2021187982A (ja) 難燃性樹脂組成物、及び構造体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant