TW201934782A - 電波透過性金屬光澤構件、使用此之物品、及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係一種電波透過性金屬光澤構件，使用此之物品，及其製造方法，其目的為提供：不僅鉻(Cr)或銦(In)，而例如，鋁(Al)等其他的金屬，則作為金屬層而形成於由各種材料所成之連續面，製造容易之電波透過性金屬光澤構件，及使用此之物品者。另外，其目的係提供：不僅鉻或銦，而例如，可將鋁等其他的金屬，作為金屬層而容易地形成於由各種材料所成之連續面之電波透過性金屬光澤構件，或使用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法者。解決手段為具備：具有電波透過性之基體，和直接形成於基體的連續面之鋁層。鋁層係具有包含相互非連續之複數的分離區分之非連續範圍。

Description

電波透過性金屬光澤構件、使用此之物品、及其製造方法

本發明係有關電波透過性金屬光澤構件，使用此之物品，及其製造方法。

例如，為了裝飾在稱為水箱護罩，廠徽之汽車的車頭部分之毫米波雷達的蓋構件，而要求兼具光輝性與電波透過性雙方的金屬光澤構件。

毫米波雷達係將毫米波譜的電磁波(頻率數約77GHz、波長約4mm)送訊至汽車的前方，受訊來自標靶的反射波，由測定，分析反射波者，可計測與標靶的距離，或標靶的方向，尺寸之構成。計測結果係可利用於車距計測，速度自動調整，煞車自動調整等。配置有如此毫米波雷達的汽車之車頭部分係所謂汽車的臉，因對於使用者傳達大的印象之故，以金屬光澤調之車頭裝飾而表現出高級感等為佳。但對於使用金屬於汽車的車頭部分之情況，係經由毫米波雷達之電磁波的送受訊則實質上為不可能，或者會被妨礙。隨之，為了不妨礙毫米波雷達的作動，而不損及汽車的設計性，兼具光輝性與電波透過性雙方的金屬光澤構件則作為必要。

此種之金屬光澤構件係不僅是毫米波雷達，而期待應用於將通信作為必要之各種機器，例如，設置智慧鑰匙之汽車的車門把，車載通信機器，行動電話，電腦等之電子機器等。更且，在近年來，伴隨著IoT技術之發達，亦期待有在以往係未進行有通信等之電冰箱等之家電製品，生活機器等廣泛領域之應用。

關於金屬光澤構件，對於日本特開2007-144988號公報(專利文獻1)係揭示有包含鉻(Cr)或銦(In)所成之金屬被膜的樹脂製品。此樹脂製品係包含：樹脂基材，和包含成膜於該樹脂基材上之無機化合物的無機質基底膜，和經由物理蒸鍍法而成膜於該無機質基底膜上之光輝性及非連續構造的鉻(Cr)或銦(In)所成之金屬皮膜。作為無機質基底膜，在專利文獻1中，係使用經由將(a)金屬化合物的薄膜，例如氧化鈦(TiO、TiO₂ 、Ti₃ O₅ 等)等之鈦化合物；氧化矽(SiO、SiO₂ 等)、氮化矽(Si₃ N₄ 等)等之矽化合物；氧化鋁(Al₂ O₃ )等之鋁化合物；氧化鐵(Fe₂ O₃ )等之鐵化合物；氧化硒(CeO)等之硒化合物；氧化鋯(ZrO)等之鋯化合物；硫化鋅(ZnS)等之鋅化合物等，(b)無機塗料之塗膜，例如，矽，非晶形TiO₂ 等(其他、上述例示之金屬化合物)作為主成分之無機塗料的塗膜。但在此樹脂製品中，作為金屬皮膜，僅使用鉻(Cr)或銦(In)之構成，而比較於此等，在價格或光輝性中為優越，例如，作為金屬皮膜而無法使用鋁(Al)者。

另一方面，對於日本特開2009-298006號(專利文獻2)係揭示有：不僅鉻(Cr)或銦(In)，而作為金屬膜亦可形成鋁(Al)、銀(Ag)、鎳(Ni)之電磁波透過性光輝樹脂製品。此等金屬膜係經由設置非連續構造之基底膜而加以形成之構成，但為了將基底膜作為非連續層，而從有將濺鍍的基材傾斜角度，必須設定為0°或70°等之限制情況，有著製造產生繁雜之問題。另外，經由專利文獻2係例如，作為金屬膜而亦無法形成鋅(Zn)、鉛(Pb)、銅(Cu)、或此等之合金者。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-144988號公報
[專利文獻2]日本特開2009-298006號公報

[發明欲解決之課題]

本發明係為了解決在此等以往技術之問題點所作為之構成，其目的為提供：不僅鉻(Cr)或銦(In)，而例如，鋁(Al)等其他的金屬，則作為金屬層而形成於由各種材料所成之連續面，製造容易之電波透過性金屬光澤構件，及使用此之物品者。另外，本申請發明之目的係提供：不僅鉻(Cr)或銦(In)，而例如，可將鋁(Al)等其他的金屬，作為金屬層而容易地形成於由各種材料所成之連續面之電波透過性金屬光澤構件，或使用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法者。

為了解決課題之手段

本發明者等係為了解決上述課題而重複進行銳意檢討之結果，發現經由使用AC(交流)濺鍍之時，通常不易成為非連續構造，例如，鋁(Al)等其他的金屬則在由各種材料所成之連續面中發現非連續構造者，而至完成本發明。

為了解決上述之課題，經由本發明之一形態的電波透過性金屬光澤構件係具備：具有電波透過性之基體，和直接形成於前述基體的連續面之鋁層，而前述鋁層係具有包含相互非連續的複數之分離區分的非連續範圍。
如根據此形態的電波透過性金屬光澤構件，不僅鉻(Cr)或銦(In)，而加以提供例如，鋁(Al)則作為金屬層而形成於由各種材料所成之連續面，製造容易之電波透過性金屬光澤構件。
在上述形態之電波透過性金屬光澤構件中，前述鋁層之薄片阻抗係90Ω/□以上者為佳。

另外，為了解決上述之課題，經由本發明之其他的形態之電波透過性金屬光澤構件係具備：具有電波透過性之基體，和直接形成於前述基體的連續面的鋁層，而薄片阻抗則為90Ω/□以上。
如根據此形態的電波透過性金屬光澤構件，不僅鉻(Cr)或銦(In)，而加以提供例如，鋁(Al)則作為金屬層而形成於由各種材料所成之連續面，製造容易之電波透過性金屬光澤構件。

在上述形態之電波透過性金屬光澤構件中，前述連續面係由介電性樹脂材料，或玻璃材料所成亦可。在此，前述介電性樹脂材料係自聚酯，聚烯烴，丙烯系聚合物，聚碳酸酯之任一所構成亦可。
另外，在上述形態之電波透過性金屬光澤構件中，前述連續面係利用氧化銦含有材料所形成亦可。

另外，在上述形態之電波透過性金屬光澤構件中，前述基體則亦可為薄膜，樹脂成型品，玻璃製品，或欲賦予金屬光澤之物品本身。

更且，在上述形態之電波透過性金屬光澤構件中，前述鋁層之最大的厚度為15~80nm者為佳。

另外，在上述形態之電波透過性金屬光澤構件中，前述鋁層之電波透過衰減量則為10dB以下者為佳。

另外，在上述形態之電波透過性金屬光澤構件中，前述鋁層係亦可為鋁(Al)或鋁(Al)的合金之任一。在此，在前述鋁(Al)之合金的全金屬成分中之鋁含有比率則為50%以上者為佳。

另外，在上述形態之電波透過性金屬光澤構件中，於利用前述基體的連續面所形成之透明的框體之內面，設置有前述鋁亦可。

有關本發明之一形態之電波透過性金屬光澤構件，或利用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法係包含：於具有電波透過性的基體，利用AC濺鍍法，直接形成具有包含相互非連續之複數的分離區分之非連續範圍的鋁層的階段。
另外，有關本發明之其他形態之電波透過性金屬光澤構件，或利用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法係包含：於具有電波透過性的基體，利用AC濺鍍法，薄片阻抗則呈成為90Ω/□以上地，直接形成鋁層之階段。
如根據此等形態之電波透過性金屬光澤構件，或利用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法，不僅鉻(Cr)或銦(In)，而例如，可將鋁(Al)等其他的金屬，作為金屬層而容易地形成於由各種材料所成之連續面者。

在上述形態之電波透過性金屬光澤構件之製造方法中，前述鋁層係直接形成於前述基體的連續面亦可。在此，前述連續面係亦可由介電性樹脂材料，或玻璃材料所成，另外，利用氧化銦含有材料而加以形成亦可。

在上述形態之電波透過性金屬光澤構件之製造方法中，前述AC濺鍍法係在1.5Pa以上之壓力下加以進行者為佳。

另外，在上述形態之電波透過性金屬光澤構件之製造方法中，進行前述AC濺鍍法時之前述基體的溫度為20℃以上者為佳。

發明效果

如根據本發明，加以提供：形成有金屬層的面為連續面亦可，且不僅鉻(Cr)或銦(In)，而例如，亦可將鋁(Al)等其他的金屬，作為金屬層而利用，製造容易之電波透過性金屬光澤構件，使用此之物品，及其製造方法電波透過性。

以下，參照附加圖面之同時，對於本發明之一最佳的實施形態加以說明。為了說明之方便，而僅顯示本發明之最佳的實施形態，但當然，並非作為經由此等而限定本發明者。

＜1.基本構造＞
於圖1之(a)、(b)，各顯示經由本發明之一實施形態的電波透過性金屬光澤構件(以下，稱為「金屬光澤構件」)1、1A之概略剖面圖。包括此等圖及其他的圖，對於同樣或對應之構件，係附上相同的參照號碼。

金屬光澤構件1、1A係同時包含具有電波透過性的基體10，和直接形成於基體10之連續面10a、11a之金屬層12。金屬光澤構件1與金屬光澤構件1A之不同係對於金屬光澤構件1A係與金屬光澤構件1不同，於基體10設置有基底層11的點。基底層11係為了縮小金屬層12與基體10之間的潤濕性而加以設置者，經由設置如此之基底層11之時，金屬層12係成為不易成為非連續。因設置基底層11之故，在金屬光澤構件1A之連續面11a係與在金屬光澤構件1之連續面10a不同，而並非經由基體10本身的面10a而加以形成，正確來說係成為經由設置於基體10之基底層11的面11a而加以形成者。此基底層11係為薄膜狀之構成之故，亦有產生有非連續部分11b者，但假設即使產生有如此之非連續部分11b，基底層11係亦為厚度10nm程度以下的薄物之故，金屬層12則並不會因此等之非連續部分11b引起而成為非連續者。換言之，假設即使於基底層11存在有非連續部分11b，基體10係在與金屬層12之關係中，無論含有基底層11而了解實質上形成連續面11a即可。因而，對於本說明書中之「基體之連續面」的語彙係不僅基體本身之連續面10a，而亦包含含有基底層之連續面11a。如此，在此等金屬光澤構件1、1A之任一中，金屬層12係從直接形成於基體10之連續面10a、11a之情況，大大的改善此等之平滑性或耐蝕性，另外，未有不均一配置此等金屬層12於面內之情況則成為容易者。

＜2.基體＞
＜2-1.構成基體之物品＞
基體10係需要具有電波透過性者，例如，薄膜，樹脂成型品，玻璃製品之其他，亦可為欲賦予金屬光澤之物品者。

基體10為薄膜之情況，該薄膜係例如，由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯，聚醯胺，聚醯亞胺，尼龍，聚氯乙烯，聚碳酸酯(PC)、環烯烴聚合物(COP)、聚苯乙烯，聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚環烯烴，聚胺酯，聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、ABS等之單獨聚合物或共聚物等之材料而加以形成。如根據此等材料，亦未對於光輝性或電波透過性帶來影響。此等薄膜係為透明為佳。另外，從之後形成金屬層12之觀點，可耐在進行濺鍍時的高溫者為佳，隨之，在上述材料之中，例如，聚對苯二甲酸乙二酯，聚對萘二甲酸乙二酯，聚碳酸酯，環烯烴聚合物，聚丙烯，聚胺酯，聚甲基丙烯酸甲脂，ABS為佳。其中，從耐熱性與成本之平衡為佳之情況，聚對苯二甲酸乙二酯或環烯烴聚合物，聚碳酸酯，聚甲基丙烯酸甲脂為佳。基體10係亦可為單層薄膜或層積薄膜。從容易進行加工等，厚度係例如，為6μm~250μm程度為佳。

基體10為玻璃製品之情況，例如，可使用鈉鈣玻璃，無鹼玻璃，化學強化玻璃等者，但並不限定於此者。

基體10為樹脂成形品之情況，例如，可使用ABS、PC、PMMA、PP、PE、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚甲醛(POM)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)，但並不限定於此等者。

基體10則作為欲賦予金屬光澤之物品本身的情況，例如，有著經由基體10，形成汽車的廠徽，設置智慧鑰匙之汽車的門把，行動電話或電腦等之通信機器的框體，電冰箱之框體之情況。對於通信機器等之框體為透明之情況，金屬層12係設置於如此之框體的外面亦可，而亦可設置於內面。但，欲賦予金屬光澤之物品係滿足與基體為薄膜，玻璃製品，樹脂成型品之情況同樣的材質，條件者為佳。

＜2-2.基體之連續面＞
基體10之連續面10a係例如，可自介電性樹脂材料，玻璃材料而形成者，另外，基體10之連續面11a係例如，亦可自介電性樹脂材料，玻璃材料及氧化銦含有材料之任一種之材料而形成者。未必將連續面10a，11a之所有的範圍，自此等材料之任一種而形成，而將一部分的範圍與其他的範圍，各由不同的材料而形成亦可。另外，僅連續面10a，11a之一部分，則以此等材料而加以形成亦可。

作為介電性樹脂材料，例如，可使用聚酯，聚烯烴，丙烯酸系聚合物，聚碳酸酯者。對於介電性樹脂材料，係亦包含將Al₂ O₃ 或SiO₂ 、Nb₂ O₃ 、TiO₂ 等之介電性金屬氧化物材料，或AlN、SiN等之介電性金屬氮化物材料，形成於薄膜等之樹脂成形品上之構成。例如，如圖1(a)所示，基體10為樹脂成型品之情況，經由以此等材料而形成基體10之連續面10a之時，可經由欲賦予金屬光澤之物品本身而形成連續面10a者。換言之，可將金屬層12直接形成於基體10者。

作為玻璃材料，例如，可使用無鹼玻璃者。例如，如圖1(a)所示，基體10為玻璃製品之情況，經由以此等材料而形成基體10之連續面10a之時，可經由欲賦予金屬光澤之物品本身而形成連續面10a者。換言之，可將金屬層12直接形成於基體10者。

作為氧化銦含有材料係例如，亦可使用氧化銦(In₂ O₃ )本身者，而使用銦錫氧化物(ITO)，或如銦鋅氧化物(IZO)之金屬含有物亦可。但含有第二金屬之ITO或IZO者，則在濺鍍工程之放電安定性為高的點為更佳。對於在ITO之In₂ O₃ 的重量而言之錫(Sn)的含有率係未特別加以限定，但例如，為2.5wt%~30wt%，而更理想為3wt%~10wt%，另外，對於在IZO之In₂ O₃ 的重量而言之氧化鋅(ZnO)的含有率係例如，為2wt%~20wt%。此等氧化銦含有材料係如圖1(b)所示，為了縮小金屬層12與基體10之間的潤濕性，作為基底層11而加以賦予之故，實質上係可形成基體10之連續面11a。但如此，以介電性樹脂材料而形成連續面11a之情況，經由欲賦予金屬光澤之物品本身係無法形成基體10之連續面11a者。作為基底層11之氧化銦含有層11係直接設置於基體10的面亦可，而亦可藉由設置於基體10的面之保護膜等而間接性地加以設置。氧化銦含有層11之厚度係從薄片阻抗或電波透過性，生產性的觀點，通常為100nm以下為佳，而50nm以下為更佳，20nm以下為又更佳。另一方面，所層積之金屬層12則呈成為非連續狀態地，為1nm以上者為佳，而為了確實地作為非連續狀態，而為2nm以上者為更佳，5nm以上者為又更佳。

＜3.金屬層＞
＜3-1.金屬層之構造＞
金屬層12係於基體10之連續面10a，11a，例如使用利用40kHz之中間頻率範圍的MF-AC濺鍍等之AC濺鍍而加以賦予。經由利用AC濺鍍而賦予金屬層12之時，金屬層12係在連續面10a，11a之至少一部分的範圍中，可形成相互非連續的狀態，又換言之，包含經由間隙12b而加以隔開之複數的分離區分12a的非連續範圍。經由間隙12b而加以隔開之故，在分離區分12a之薄片阻抗係變大，另外，電波透過衰減量係變小，其結果，與電磁波之相互作用則降低，而可使電磁波透過。此等分離區分12a係各經由AC濺鍍金屬而加以形成之濺鍍粒子的集合體。金屬層12則在連續面10a、11a上成為非連續狀態的結構之詳細係雖並不明確，但大致推測為如以下者。即，在金屬層12之薄膜形成處理中，容易形成非連續構造係與在賦予金屬層12之被賦予構件(在本件中，形成連續面10a、11a之構件)上之表面擴散有著關聯性，而被賦予構件的溫度為高，對於被賦予構件的金屬層之潤濕性為小，金屬層之材料的熔點為低者則容易形成非連續構造。隨之，對於在以下的實施例特別使用的鋁(Al))以外的金屬，亦對於鋅(Zn)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)等之熔點比較低之金屬，係認為以同樣的手法可得到非連續構造。然而，在本說明書所稱之「非連續之狀態」係指：意味經由間隙12b而相互加以隔開，其結果，意味相互加以電性絕緣之狀態。經由加以電性絕緣之時，薄片阻抗則變大，而成為可得到作為期望之電波透過性者。非連續的狀態係並未特別加以限定，而例如，包含島狀，裂縫等。在此「島狀」係指：意味如圖1(b)所示，濺鍍粒子之集合體的粒子彼此則各自獨立，而此等粒子則以僅相互離間或一部分接觸之狀態加以全片面鋪上而成之構造。

＜3-2.金屬層之材料＞
金屬層12係當然可發揮充分之光輝性者，熔點為比較低之構成者為佳。金屬層12係經由使用濺鍍之薄膜成長而加以賦予之故。從如此之理由，作為金屬層12係熔點為約1000℃以下之金屬為佳，例如，含有選自鋁(Al)、鋅(Zn)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)之至少一種的金屬，及將該金屬作為主成分之合金之任一者為佳。特別是從物質之光輝性或安定性，價格等之理由，鋁及其合金者為佳。對於鋁的合金係在合金之全金屬成分中之鋁含有比率為50%以上為佳，而60%以上為更佳，75%以上為又更佳。

＜3-2-1.經由基體本身而形成連續面之情況＞
如圖1(a)所示，經由基體10本身的面10a而形成連續面，金屬層12則直接形成於如此之連續面10a之情況，金屬層12之厚度係呈發揮充分的光輝性地，通常為15nm以上為佳，另一方面，從薄片阻抗或電波透過性的觀點，通常為80nm以下為佳。例如，20nm~75nm為佳，而25nm~70nm為更佳。此厚度係對於生產性佳地形成均一的膜者亦為最佳，另外，最終製品之樹脂成形品之外觀亦為佳。

另外，金屬層12之薄片阻抗係呈發揮充分之電波透過性地，100~100000Ω/□為佳。此情況，電波透過衰減量係在1GHz之波長中，成為10~0.01[-dB]程度。更理想為1000~50000Ω/□。

＜3-2-2.經由基底層而形成連續面之情況＞
如圖1(b)所示，經由基底層11的面而形成連續面11a，金屬層12則直接形成於如此之基體10的連續面11a之情況，金屬層12之厚度係呈發揮充分的光輝性地，通常為20nm以上為佳，另一方面，從薄片阻抗或電波透過性的觀點，通常為100nm以下為佳。例如，20nm~100nm為佳，而30nm~70nm為更佳。理想的值則與上述＜3-2-1＞做比較，可作為大的值之情況係經由設置基底層11之時，金屬層12與基體10之間的潤濕性變小，而金屬層12則成為容易形成非連續層之故，隨之，因可成為厚膜化。然而，基底層11係為薄膜狀之構成之故，對於光輝性或薄膜阻抗等，實質上未帶來影響者。此厚度係對於生產性佳地形成均一的膜者亦為最佳，另外，最終製品之樹脂成形品之外觀亦為佳。

另外，從同樣的理由，例如，基底層11為氧化銦含有層之情況，金屬層之厚度與氧化銦含有層之厚度的比(金屬層之厚度/氧化銦含有層之厚度)係0.1~100之範圍為佳，而0.3~35之範圍則更佳。

更且，作為金屬層12與基底層11之層積體的薄片阻抗係100~100000Ω/□為佳。此情況，電波透過衰減量係在1GHz之波長中，成為10~0.01[-dB]程度。更理想為1000~50000Ω/□。

＜4.金屬光澤構件之製造方法＞
說明金屬光澤構件1，1A之製造方法的一例。

＜4-1.經由基體本身而形成連續面之情況＞
如圖1(a)所示，經由基體10本身的面而形成連續面10a，而將金屬層12直接形成於如此之連續面10a之情況係未歷經形成連續面10a之工程，而使用AC濺鍍，直接層積金屬層12於連續面10a。

＜4-2.經由基底層而形成連續面之情況＞
如圖1(b)所示，經由基底層11而形成連續面11a，而將金屬層12直接形成於如此之連續面11a之情況係必須至少2個工程。

(1)將氧化銦含有層進行成膜之工程
對於基體10而言，將氧化銦含有層11進行成膜。氧化銦含有層11係可經由真空蒸鍍，濺鍍，離子鍍敷等而形成者。但從在大面積亦可嚴格地控制厚度的點，濺鍍為佳。

(2)層積金屬層之工程。
接著，於經由氧化銦含有層11而加以形成之連續面11a，直接層積金屬層12。對於金屬層12之層積係使用AC濺鍍。然而，對於氧化銦含有層11，和金屬層12之間係未使其他的層介入存在而直接接觸者為佳，但如為確保在以上所說明之氧化銦含有層11上之金屬層12之表面擴散的機構者，亦可使其他層介入存在。

＜5.實施例及比較例＞
＜5-1.經由基體本身而形成連續面之情況＞
在實施例及比較例中，作為基體10而使用薄膜，準備各種試料。對於所準備之各種試料，評估薄片阻抗，電波透過衰減量，及光澤度。薄片阻抗與電波透過衰減量係有關電波透過性的評估，光澤度係有關光輝性的評估。光澤度與薄片阻抗的值係大者為佳，而電波透過衰減量的值係小者為佳。
評估方法的詳細係如以下。

(1)薄片阻抗
使用Napuson公司製非接觸式阻抗測定裝置NC-80MAP，依照JIS-Z2316，經由渦電流測定法而測定金屬層之薄片阻抗。
此薄片阻抗係必須為90Ω/□以上，而200Ω/□以上者為佳，250Ω/□以上者為更佳，600Ω/□以上者為又更佳。當較90Ω/□為小時，有著無法得到充分之電波透過性之問題。

(2)電波透過衰減量
將在1GHz之電波透過衰減量，利用KEC法測定評估夾具及Agilent公司製信號分析器CXA signal Analyzer NA9000A而加以評估。對於毫米波雷達之頻率區域(76~80GHz)之電磁波透過性，和微波區域(1GHz)之電磁波透過性係有相關性，從顯示比較接近的值之情況，在這次的評估中，將在微波區域(1GHz)之電波透過性，即微波電場透過衰減量作為指標。
此微波電場透過衰減量係必須為10[-dB]以下者，而5[-dB]以下者為佳，而2[-dB]以下者為更佳。當為10[-dB]以上時，有著遮斷90%以上之電波的問題。

(3)光澤度
使用日本電色工業製便利型光澤計PG-II M，依照JIS-Z8741而測定金屬層之20°鏡面光澤度。光澤度係可進行在下記＜5-2.＞所使用之可視光反射率，和有相關關係而實質上相同之評估，但在此係使用對於金屬光澤之定量表現優越之光澤度。
此光澤度係為了具有充分的光輝性而必須為500以上，而750以上者為佳，更理想為1000以上。光澤度當較500為小時，光輝性則降低，有著對於外觀不優越之問題。

(4)金屬層之厚度
在實施例及比較例中，考慮在金屬層之不均，更詳細係在圖1所示之分離區分12a間的厚度之不均，將分離區分12a之厚度的平均值作為金屬層之厚度。以下，將此平均值，方便上稱為「最大的厚度」。然而，各個分離區分12a之厚度係作為自基底(相當於在圖1之連續面10a，11a)至垂直方向最厚的厚度。
於圖2，顯示電波透過性金屬光澤構件的表面之電子顯微鏡照片(SEM畫像)的一例。在圖2(a)之SEM畫像的畫像尺寸係1.16μm×0.85μm、而在圖2(b)之SEM畫像的畫像尺寸係1.16μm×0.85μm。在求得最大的厚度時，首先，在出現於如圖2所示之電波透過性金屬光澤構件之表面的金屬層中，適當地抽出如圖3所示之一邊5cm之正方形範圍3，將經由各作為4等分而得到之合計5處的點「a」~「e」作為測定處，而選擇該正方形範圍3之縱邊及橫邊各自之中心線A，B。
接著，在所選擇之各測定處，在如圖4所示之剖面畫像(透過型電子顯微鏡照片(TEM畫像))中，抽出含有大約5個之分離區分12a之視野角範圍。
在此等合計5處之各測定處，求取大約5個之分離區分12a，即，約25個(5個×5處)之分離區分12a的各個厚度，將此等平均值作為「最大的厚度」。

於以下的表1，顯示評估結果。

[實施例1]
作為基體10之薄膜(以下，稱為「基材薄膜」，準備日本三菱樹脂公司製PET薄膜(厚度125μm)。另外，對於金屬層係使用鋁層。對於基材薄膜的連續面，利用AC濺鍍(利用40kHz之中間頻率範圍之MF-AC濺鍍)，直接形成20nm之最大厚度之鋁(Al)層，得到金屬光澤構件(以下，稱為「金屬薄膜」)。形成Al層時之基材薄膜的溫度係設定為130℃，在收容基材薄膜之處理室的氬(Ar)氣之壓力係設定為2Pa。

在實施例1之構成中，基材薄膜之連續面係發揮高平滑性與耐蝕性，另一方面，在此連續面中，鋁層係從含有形成為非連續之狀態的複數之分離區分12a之情況，其薄片阻抗係成為大的值，另外，電波透過衰減量係顯示比較良好之結果。然而，在表1中，方便上，作為電波透過衰減量的「評估」結果，將該電波透過衰減量則較2[-dB]為小之情況，以「◎」，而2[-dB]以上，且較5[-dB]為小之情況，以「○」，5[-dB]以上，且較10[-dB]為小之情況，以「△」，10[-dB]以上，以「×」各加以表示。
另外，在實施例1之構成中，對於光輝性亦對於實用可得到充分耐用結果。然而，方便上，在表1中，作為光澤度的「評估」結果，將該光澤度則為1000以上之情況，以「◎」，而750以上，且較1000為小之情況，以「○」，500以上，且較750為小之情況，以「△」，較500為小之情況，以「×」各加以表示。更且，作為電波透過性與光輝性之「總合評估」，對於任何的評估如為「×」時，作為「×」，對於除此以外係作為「○」。結果，對於實施例1，總合評估係成為「○」，而可得到兼具電波透過性與光輝性之雙方的良好之金屬光澤構件，或者金屬薄膜。

[實施例2]~[實施例6]
對於實施例2~6係將形成於基材薄膜的連續面之鋁層的最大厚度，呈成為較實施例1之最大厚度地，階段性地增加。另外，對於實施例4~6係將氬氣的壓力，設定為較實施例1為大的值。其他的條件係與實施例1相同。
關於薄片阻抗，在實施例2~4中，與實施例1同樣地，成為超過3kΩ/□之大的值，另一方面，在實施例5，6中，雖未如實施例2~4之程度，但實用上係可得到充分之大的值。在實施例5，6中，薄片阻抗則成為較實施例1為低的值係認為鋁的堆積量變多，而經由非連續範圍減少之情況。關於電波透過衰減量，在實施例2~6之所有中，得到與實施例1的值同等或超過此之結果。另一方面，關於光澤度，當然，在實施例2~6之所有中，得到超出實施例1的值之結果。

於圖2(a)，顯示經由實施例6所得到之金屬光澤構件(金屬薄膜)表面之SEM畫像。

[實施例7]~[實施例11]
在實施例7~11之所有中，將形成於連續面的鋁層之最大厚度，作為與實施例2之最大厚度相同，且將基材薄膜之溫度以外的平衡條件作為一致。基材薄膜之溫度係設定為較實施例2為低溫。在實施例7~11之間係變更基材薄膜之材質。各在實施例7中，使用聚對苯二甲酸乙二酯(日本三菱化學公司製PET薄膜，厚度125μm)，在實施例8中，使用聚甲基丙烯酸甲脂(日本三菱化學公司製PMMA薄膜，厚度125μm)，在實施例9中，使用聚碳酸酯(日本住友化學公司製PC，厚度125μm)，在實施例10中，使用無鹼玻璃(康寧公司製，厚度400μm)，在實施例11中，使用ITO/PET(對於在ITO之In₂ O₃ 的重量而言之錫(Sn)的含有率係10wt%、膜厚係5nm)。如此，在實施例7~11中，無論變更基材薄膜之材質，而在此等所有中，與電波透過性及光輝性同時，得到至少與實施例1~6同等，或超出此等之結果。因而，自實施例7~11之結果，無論基材薄膜的材質，明確可得到兼具電波透過性與光輝性之雙方的金屬光澤構件，或者金屬薄膜者。

[比較例1]~[比較例2]
在比較例1中，將形成於基材薄膜的連續面的鋁層之最大厚度，作為較實施例1~11之最大厚度為薄，與此相反，在比較例2中係作為較厚。另外，將氬氣的壓力，設定為較實施例1~11之壓力為低的值。其他的條件係與實施例1~6相同。

在比較例1中，鋁層之厚度為薄之故，對於薄片阻抗或電波透過衰減量係得到良好的結果，但另一方面，對於光澤性係成為不充分的結果。另一方面，在比較例2中，鋁層之厚度為厚之故，對於光澤性係得到充分的結果，但薄片阻抗或電波透過衰減量的值係惡化，實用上無法耐用。

[比較例3]
對於濺鍍方法與氬氣之壓力以外的條件，係作為與實施例2相同條件。氬氣的壓力係與比較例1，2同樣地，設定為較實施例1~11為低的值。另外，作為濺鍍的方法，在此係使用DC濺鍍。DC濺鍍裝置係與實施例1同樣的裝置，使用僅電源變更為直流方式之構成。此情況，電波透過性及光輝性同時成為不充分的結果。

[比較例4]
作為製膜方法，在此係使用真空蒸鍍。更詳細係使用ULVAC公司製高真空蒸鍍裝置EX-550，將基材裝置於處理室內，真空吸引至10^-4 Pa之後，由阻抗加熱方式，以1nm/sec的速率將鋁做30nm製膜。此情況，電波透過性及光輝性同時成為不充分的結果。

＜5-2.經由基底層而形成連續面之情況＞
在實施例及比較例中，作為基體10而使用薄膜，準備各種試料。對於所準備之各種試料，評估薄片阻抗，電波透過衰減量，及可視光反射率。在此，薄片阻抗與電波透過衰減量係有關電波透過性的評估，可視光反射率係有關光輝性的評估。可視光反射率與薄片阻抗的值係大者為佳，而電波透過衰減量的值係小者為佳。
評估方法的詳細係如以下。

(1)薄片阻抗
以與上述「＜5-1＞(1)」同樣的方法進行測定。
此薄片阻抗係必須為90Ω/□以上，而200Ω/□以上者為佳，250Ω/□以上者為更佳，600Ω/□以上者為又更佳。當較90Ω/□為小時，有著無法得到充分之電波透過性之問題。

(2)電波透過衰減量
以與上述「＜5-1＞(2)」同樣的方法進行測定，評估。對於更詳細，係對於毫米波雷達之頻率區域(76~80GHz)之電磁波透過性，和微波區域(1GHz)之電磁波透過性係有相關性，從顯示比較接近的值之情況，在這次的評估中，將在微波區域(1GHz)之電波透過性，即微波電場透過衰減量作為指標。
此微波電場透過衰減量係必須為10[-dB]以下者，而5[-dB]以下者為佳，而2[-dB]以下者為更佳。當為10[-dB]以上時，有著遮斷90%以上之電磁波的問題。

(3)可視光反射率
使用Hitachi High-Technologies公司製分光光度計U4100，測定在550nm之測定波長的反射率。作為基準，將Al蒸鍍反射鏡的反射率作為反射率100%。此可視光反射率係為了具有充分的光輝性而必須為20%以上，而40%以上者為佳，更理想為50%以上。可視光反射率當較20%為小時，光輝性則降低，有著對於外觀不優越之問題。

(4)金屬層之厚度
以與上述「＜5-1＞(4)」同樣的方法，作為「最大的厚度」而進行測定。

於以下的表2，顯示評估結果。

[實施例12]
作為基材薄膜，使用三菱樹脂公司製PEN薄膜(厚度125μm)。
首先，使用DC磁控濺鍍，沿著基材薄膜的面，將50nm厚度之ITO層直接形成於其上方。在形成ITO層時之基材薄膜的溫度係設定為130℃。ITO係對於In₂ O₃ 而言，使Sn含有10wt%之構成。

接著，使用AC濺鍍(利用40kHz之中間頻率範圍之MF-AC濺鍍)，於ITO層上，直接形成50nm之最大厚度之鋁(Al)層，得到金屬光澤構件(金屬薄膜)。形成Al層時之基材薄膜的溫度係設定為130℃，將在收容基材薄膜之處理室的氬(Ar)氣之壓力設定為0.22Pa。

圖2(b)係此等處理的結果所得到之金屬光澤構件(金屬薄膜)表面之SEM畫像，而圖4係在此圖2(b)之一部分範圍的剖面之畫像。畫像尺寸係1.16μm×0.85μm。對於實施例1等，亦認為可得到與此同樣的剖面即可。

從此等圖了解到，在本實施例中，金屬光澤構件的ITO層係從沿著基材薄膜的面，以連續狀態加以設置之情況，發揮高平滑性與耐蝕性，另一方面，鋁層係從包含經由層積於ITO層而形成為非連續之狀態的複數之部分12a之情況，其薄片阻抗係成為260Ω/□，而其電波透過衰減量係在1GHz之波長中成為4.5[-dB]，對於電波透過性得到良好之結果。然而，在表1中，方便上，作為電波透過衰減量的「評估」結果，將該電波透過衰減量則較2[-dB]為小之情況，以「◎」，而2[-dB]以上，且較5[-dB]為小之情況，以「○」，5[-dB]以上，且較10[-dB]為小之情況，以「△」，10[-dB]以上，以「×」各加以表示。
另外，此金屬光澤構件的可視光反射率係成為56%，對於光輝性亦可得到良好之結果。然而，方便上，在表1中，作為可視光反射率的「評估」結果，將該可視光反射率則為較50%為大之情況，以「◎」，而50%以下，且較40為大之情況，以「○」，40%以下，且較20%為大之情況，以「△」，20%以下，以「×」各加以表示。更且，作為電波透過性與光輝性的「總合評估」，各對於兩者為相同之評估結果的情況，係顯示相同的評估結果，而對於一方較單方為差之結果的情況係顯示不佳側的評估結果。結果，對於實施例11，總合評估係成為「○」，而可得到兼具電波透過性與光輝性之雙方的良好之金屬光澤構件，或者金屬薄膜。

[實施例13]~[實施例15]
將層積於ITO層上的鋁層之最大厚度，對於實施例13，14係呈較實施例12為薄地進行變更，另一方面，對於實施例15係呈較實施例12為厚地進行變更。對於其他的條件係與實施例12相同。
此情況，對於薄片阻抗及電波透過衰減量係在實施例13~15之所有中，得到與實施例12同樣的值及結果。另一方面，對於可視光反射率係對於鋁層之最大厚度則較實施例12為薄之實施例13，14，成為若干為差之結果，但對於實施例15係可得到較實施例12為良好之結果。但對於實施例13，14，亦對於實用可充分耐用之構成。

[實施例16]~[實施例17]
將ITO層之厚度，設定呈成為較實施例12為薄。對於其他的條件係與實施例12相同。
此情況，對於薄片阻抗及電波透過衰減量係在實施例16~19之所有中，得到較實施例12為良好的結果。另外，對於可視光反射率係在實施例16~19之所有中，得到與實施例12同樣的值及結果。經由此等之實施例，明確了解到ITO層之厚度係即使為薄亦可，而經由薄化ITO層之厚度，明確了解到可抑制材料成本者。

[實施例20]~[實施例23]
將在ITO層之Sn的含有率，對於實施例20係變更呈成為較實施例12為大，另一方面，對於實施例21~23係變更呈成為較實施例12為小。然而，在實施例23之ITO層中，從將Sn作為零之情況，對於更正確係並非ITO層，而成為氧化銦(In₂ O₃ )層。其他，在實施例23中，鋁層係作為40nm。對於其他的條件係與實施例12相同。
此情況，對於薄片阻抗及電波透過衰減量係在實施例20~22中，可得到與實施例12同樣的結果，在實施例23中係成為較實施例12若干為差之結果。另外，對於可視光反射率係在實施例20~22中，可得到與實施例12同樣的值及結果，對於實施例23係成為較實施例12若干為差之結果。從此等結果，ITO層係明確了解到較含有Sn者為佳。

[實施例24]
並非ITO而使用含有ZnO於氧化銦之IZO。ZnO係對於In₂ O₃ 而言，含有11wt%。對於其他的條件係與實施例12相同。
此情況，對於薄片阻抗及電波透過衰減量係成為較實施例12若干為差之結果。另一方面，對於可視光反射率係可得到與實施例12同樣的值及結果。自實施例12，總合評估係雖為差，但在含有ZnO之情況，明確了解到可充分地實用者。

[比較例5]
將層積於ITO層上之鋁層的最大厚度，變更呈成為較實施例12為厚。對於其他的條件係與實施例12相同。
此情況，對於可視光反射率係增加厚度的部分，得到較實施例11為良好之結果。另一方面，對於薄片阻抗及電波透過衰減量係成為較實施例12為相當差之結果，而成為無法實用之構成。

[比較例6]
未設置ITO層而直接成膜鋁層於基材薄膜上。對於其他的條件係與實施例12相同。
此情況，對於可視光反射率係可得到與實施例12同樣的值及結果，但對於薄片阻抗及電波透過衰減量係成為較實施例12為相當差之結果，而成為無法實用之構成。

＜6.金屬薄膜之利用＞
形成於金屬光澤構件1A之金屬層12係為厚度20nm ~100nm程度之薄的構成，亦可僅將此作為金屬薄膜而使用者。例如，於層積於如基體10之基體的銦氧化物含有層11上，以濺鍍形成金屬層12而得到薄膜。另外，與此另外，將接著劑塗工於基材上而作成附有接著劑層之基材。將薄膜與基材，金屬層12與接著劑層呈接觸地貼合，在充分地使其密著之後，由剝離薄膜與基材者，可使存在於薄膜之最表面的金屬層(金屬薄膜)12轉印至基材之最表面。

本發明係並未限定於前述實施例者，在不脫離發明之內容範圍，亦可作適宜變更而作為具體化者。

[產業上之利用可能性]

有關本發明之金屬薄膜或金屬光澤構件係例如，為了裝飾在稱為水箱護罩，廠徽之汽車的車頭部分之毫米波雷達的蓋構件而可適當地使用。另外，例如，對於行動電話或智慧型手機，平板型PC，筆記型PC，冰箱等，要求設計性與電波透過性雙方之各種用途亦可利用。

1‧‧‧金屬光澤構件

3‧‧‧金屬薄膜

10‧‧‧基材薄膜

10a‧‧‧連續面

11‧‧‧基底層(氧化銦含有層)

11a‧‧‧連續面

12‧‧‧金屬層

圖1係與圖1之(a)、(b)同時，顯示經由本發明之一實施形態之電波透過性金屬光澤構件的概略剖面圖的圖。

圖2係與圖2之(a)、(b)同時，顯示經由本發明之一實施形態之電波透過性金屬光澤構件的表面之電子顯微鏡照片。

圖3係說明在實施例及比較例之金屬層的厚度之測定方法的圖。

圖4係在圖2的(b)之一部分範圍的剖面之畫像。

Claims (21)

1. 一種電波透過性金屬光澤構件，其特徵為具備：具有電波透過性之基體， 和直接形成於前述基體的連續面之鋁層， 前述鋁層係具有包含相互非連續的複數之分離區分的非連續範圍者。
2. 如申請專利範圍第1項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，前述鋁層之薄片阻抗則為90Ω/□以上。
3. 一種電波透過性金屬光澤構件，其特徵為具備：具有電波透過性之基體， 和直接形成於前述基體的連續面之鋁層， 薄片阻抗則為90Ω/□以上者。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，前述連續面係由介電性樹脂材料，或玻璃材料所成。
5. 如申請專利範圍第4項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，前述介電性樹脂材料係由聚酯，聚烯烴，丙烯系聚合物，聚碳酸酯之任一所構成。
6. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，前述連續面則利用氧化銦含有材料而形成。
7. 如申請專利範圍第1項至第6項任一項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，前述基體則為薄膜，樹脂成型品，玻璃製品，或欲賦予金屬光澤之物品本身。
8. 如申請專利範圍第1項至第7項任一項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，前述鋁層之最大厚度則為15~80nm。
9. 如申請專利範圍第1項至第8項任一項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，前述鋁層之電波透過衰減量則為10dB以下。
10. 如申請專利範圍第1項至第9項任一項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，前述鋁層係為鋁(Al)或鋁(Al)的合金之任一。
11. 如申請專利範圍第10項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，前述鋁(Al)之合金的全金屬成分中之鋁含有比率則為50%以上。
12. 如申請專利範圍第1項至第11項任一項記載之電波透過性金屬光澤構件，其中，於利用前述基體的連續面所形成之透明的框體之內面，設置有前述鋁。
13. 一種物品，其為利用如申請專利範圍第1項至第12項任一項記載之電波透過性金屬光澤構件。
14. 如申請專利範圍第13項記載之物品，其中，前述物品為通信機器。
15. 一種電波透過性金屬光澤構件，或使用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法，其特徵為包含：於具有電波透過性的基體，利用AC濺鍍法，直接形成具有包含相互非連續之複數的分離區分之非連續範圍的鋁層的階段者。
16. 一種電波透過性金屬光澤構件，或使用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法，其特徵為包含：於具有電波透過性的基體，利用AC濺鍍法，呈薄片阻抗則成為90Ω/□以上地直接形成鋁層之階段者。
17. 如申請專利範圍第15項或第16項記載之電波透過性金屬光澤構件，或使用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法，其中，前述鋁層係直接形成於前述基體的連續面。
18. 如申請專利範圍第17項記載之電波透過性金屬光澤構件，或使用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法，其中，前述連續面則由介電性樹脂材料，或玻璃材料所成。
19. 如申請專利範圍第17項記載之電波透過性金屬光澤構件，或使用該電波透過性金屬光澤構件之物品的製造方法，其中，前述連續面則利用氧化銦含有材料而形成。
20. 如申請專利範圍第15項至第19項任一項記載之製造方法，其中，前述AC濺鍍係在1.5Pa以上之壓力下進行。
21. 如申請專利範圍第15項至第20項任一項記載之製造方法，其中，在進行前述AC濺鍍時之前述基體的溫度則為20℃以上。