TW201928639A - 導電性膜、感測器、觸控面板、影像顯示裝置、及附保護膜之導電性膜 - Google Patents

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Abstract

根據本發明之一態樣，提供一種導電性膜10，其具有第1導電部11及第2導電部14，且第2導電部14之表面14A成為導電性膜10之正面10A之至少一部分，第1導電部11之表面11A成為導電性膜10之背面10B之至少一部分，第1導電部11及第2導電部14分別包含導電性纖維15、17，第2導電部14之表面電阻值為第1導電部11之表面電阻值之±30%以內。

Description

導電性膜、感測器、觸控面板、影像顯示裝置、及附保護膜之導電性膜
本發明係關於一種導電性膜、感測器、觸控面板、影像顯示裝置、及附保護膜之導電性膜。
自過去，導電性膜一直被廣泛地用於觸控面板等。導電性膜具備透光性基材、及設置於透光性基材之一面之導電部，且導電性膜之導電部主要使用氧化銦錫（ITO）。
然而，由於ITO無柔軟性，故而於使用可撓性之基材作為透光性基材之情形時，有於導電部容易產生裂紋之問題。
因此，目前正在研究使用銀奈米線等金屬奈米線代替ITO而形成導電部（例如，參照專利文獻1）。
另一方面，於使用導電性膜作為靜電電容方式之觸控面板之情形時，需要X方向之電極及Y方向之電極，因此將2片導電性膜重疊使用。然而，由於將2片導電性膜重疊使用，故而觸控面板之厚度增大。因此，為了謀求觸控面板之薄型化，正在研究使用於兩面具有導電部之導電性膜。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-68674號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，於在導電性膜之兩面形成有由金屬奈米線構成之導電部之情形時，即便使兩導電部以相同方式形成，一導電部之電阻值亦遠大於另一導電部之電阻值。
又，於具備包含金屬奈米線之導電部之導電性膜中，有於後續步驟中進行加熱之情況。例如，於在導電部之表面藉由銀膠形成取出配線之情形時，於導電部之表面塗佈銀膠後，為了對銀膠進行焙燒而將導電性膜加熱至130℃，但若於此種溫度將導電性膜進行加熱，則有透光性基材熱收縮而產生配線不良之虞，因此，首先，將導電性膜加熱至150℃而預先使透光性基材熱收縮，其後，塗佈銀膠並加熱至130℃而對銀膠進行焙燒。通常，於導電部之表面，為了防止導電部之表面之損傷及/或為了使導電性膜之卷取容易，而可剝離地貼附有保護膜，但若於在導電性膜貼附有保護膜之狀態下，將導電性膜進行加熱，則有導電性膜捲曲之虞。上述情況尤其是於透光性基材之厚度較薄之情形時變得顯著。
本發明係為了解決上述問題而完成者。即，本發明之目的在於提供一種第1導電部之電阻值與第2導電部之電阻值之差異減少之導電性膜、及具備該導電性膜之感測器、觸控面板及影像顯示裝置。又，本發明之目的在於提供一種可減少加熱時之捲曲之附保護膜之導電性膜。
[解決課題之技術手段]
本發明包含以下之發明。
[1]一種導電性膜，其具有第1導電部及第2導電部，且上述第2導電部之表面成為上述導電性膜之正面之至少一部分，上述第1導電部之表面成為上述導電性膜之背面之至少一部分，上述第1導電部及上述第2導電部分別包含導電性纖維，上述第2導電部之表面電阻值為上述第1導電部之表面電阻值之±30%以內。
[2]一種導電性膜，其具有第1導電部及第2導電部，且上述第2導電部之表面成為上述導電性膜之正面之至少一部分，上述第1導電部之表面成為上述導電性膜之背面之至少一部分，上述第1導電部及上述第2導電部分別包含導電性纖維，將上述導電性膜切取成寬度5 mm及長度100 mm之大小，分別測定上述第1導電部及上述第2導電部之線電阻值時，上述第2導電部之線電阻值為上述第1導電部之線電阻值之±30%以內。
[3]如上述[1]或[2]所述之導電性膜，其於上述第1導電部與上述第2導電部之間，自上述第1導電部向上述第2導電部，依序進而具備樹脂層及透光性基材。
[4]如上述[3]所述之導電性膜，其中，上述透光性基材於單面具備基底層，且上述樹脂層鄰接於上述基底層。
[5]如上述[3]所述之導電性膜，其中，上述透光性基材包含環烯烴聚合物系樹脂，且上述透光性基材之厚度為45 μm以下。
[6]如上述[3]所述之導電性膜，其中，上述透光性基材包含聚酯系樹脂，且上述透光性基材之厚度為45 μm以下。
[7]如上述[3]所述之導電性膜，其中，上述透光性基材包含聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、及聚醯胺醯亞胺系樹脂中之至少任一者，且上述透光性基材之厚度為75 μm以下。
[8]如上述[5]至[7]中任一項所述之導電性膜，其中，進行連續摺疊試驗，即以上述第1導電部成為內側，且上述導電性膜之對向之邊部的間隔成為4 mm之方式，將上述導電性膜反覆進行10萬次180°摺疊時，上述連續摺疊試驗後之上述第1導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第1導電部之電阻值之比為3以下，且上述連續摺疊試驗後之上述第2導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第2導電部之電阻值之比為3以下。
[9]如上述[1]至[8]中任一項所述之導電性膜，其中，上述導電性膜之霧度值為5%以下。
[10]如上述[1]至[9]中任一項所述之導電性膜，其中，上述導電性膜之全光線穿透率為80%以上。
[11]一種感測器，其具備上述[1]至[10]中任一項所述之導電性膜。
[12]一種觸控面板，其具備上述[1]至[11]中任一項之導電性膜。
[13]一種影像顯示裝置，其具備上述[12]所述之觸控面板。
[14]一種附保護膜之導電性膜，其具備導電性膜、及可剝離地設置於上述導電性膜之至少單面之第1保護膜，且上述導電性膜具備：透光性基材、設置於上述透光性基材之第1面側且包含導電性纖維之第1導電部、及設置於上述透光性基材中之與上述第1面相反側之第2面側且包含導電性纖維之第2導電部，上述第1保護膜為耐熱保護膜，將上述附保護膜之導電性膜於150℃加熱60分鐘時，加熱後之上述附保護膜之導電性膜之捲曲量為±14 mm以內。
[15]如上述[14]所述之附保護膜之導電性膜，其中，將上述附保護膜之導電性膜之表面內之任意方向設為第1方向，且將上述附保護膜之導電性膜之上述表面內之與上述第1方向正交之方向設為第2方向，於自上述附保護膜之導電性膜剝離上述第1保護膜之狀態下，將上述導電性膜與上述第1保護膜分別於150℃加熱60分鐘時，上述第1方向上之上述第1保護膜之熱收縮率與上述第1方向上之上述透光性基材之熱收縮率的差的絕對值為0.3%以下，且上述第2方向上之上述第1保護膜之熱收縮率與上述第2方向上之上述透光性基材之熱收縮率的差的絕對值為0.3%以下。
[16]如上述[14]或[15]所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述第1保護膜之厚度為上述透光性基材之厚度之300%以下。
[17]如上述[14]至[16]中任一項所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述第1保護膜設置於上述第1導電部之表面，上述附保護膜之導電性膜進而具備第2保護膜，該第2保護膜係設置於上述第2導電部之表面之非耐熱保護膜。
[18]如上述[14]至[17]中任一項所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述第2導電部之表面電阻值為上述第1導電部之表面電阻值之±30%以內。
[19]如上述[14]至[18]中任一項所述之附保護膜之導電性膜，其進而具備設置於上述透光性基材與上述第1導電部之間之樹脂層。
[20]如上述[14]至[19]中任一項所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述透光性基材包含環烯烴聚合物系樹脂，且上述透光性基材之厚度為45 μm以下。
[21]如上述[14]至[19]中任一項所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述透光性基材包含聚酯系樹脂，且上述透光性基材之厚度為45 μm以下。
[22]如上述[14]至[19]中任一項所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述透光性基材包含聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、及聚醯胺醯亞胺系樹脂中之至少任一者，且上述透光性基材之厚度為75 μm以下。
[23]如上述[20]至[22]中任一項所述之導電性膜，其中，進行連續摺疊試驗，即以上述第1導電部成為內側，且上述導電性膜之對向之邊部的間隔成為4 mm之方式，將上述導電性膜反覆進行10萬次180°摺疊時，上述連續摺疊試驗後之上述第1導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第1導電部之電阻值之比為3以下，且上述連續摺疊試驗後之上述第2導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第2導電部之電阻值之比為3以下。
[24]一種導電性膜之製造方法，其具備以下步驟：於透光性基材之第1面側形成樹脂層；形成上述樹脂層後，於上述透光性基材中之與上述第1面相反側之第2面形成包含導電性纖維之第2導電部；及形成上述第2導電部後，於上述樹脂層之表面形成包含導電性纖維之第1導電部。
[發明之效果]
根據本發明之一態樣，可提供一種第1導電部之電阻值與第2導電部之電阻值的差異減少之導電性膜、具備此種導電性膜之觸控面板及影像顯示裝置。
根據本發明之另一態樣，可提供一種可減少加熱時之捲曲之附保護膜之導電性膜。
[第1實施形態]
以下，同時參照圖式，並對本發明之第1實施形態之導電性膜、觸控面板、及影像顯示裝置進行說明。圖1係本實施形態之導電性膜之概略構成圖，圖2係圖1所示之導電性膜之一部分之放大圖，圖3係試驗後之導電性膜之俯視圖。圖5及圖6係實施形態示意性地表示連續摺疊試驗之情況之圖，圖4係連續摺疊之另一導電性膜之概略構成圖，圖7係圖6所示之導電性膜之示意俯視圖，圖8係圖6所示之導電性膜之一部分之放大圖。圖9～12係示意性地表示本實施形態之導電性膜之製造步驟之圖。
＜＜＜導電性膜＞＞＞
圖1所示之導電性膜10依序具備第1導電部11（以下，有時亦僅稱為「導電部11」）、樹脂層12、透光性基材13、及第2導電部14（以下，有時亦簡稱為「導電部14」）。本說明書中，所謂「透光性」，意指使光穿透之性質。又，所謂「透光性」，未必為透明，亦可為半透明。第1導電部11及第2導電部14係圖案化之前之狀態，呈層狀。本說明書中，所謂「導電部」，意指可自表面導通之部分，係包含層狀之形態及層狀以外之形態之兩者之概念。
導電性膜10之正面10A係由第2導電部14之表面14A構成，導電性膜10中之與正面10A相反側之面即背面10B係由第1導電部11之表面11A構成。如此，由第2導電部14構成導電性膜10之正面10A，由第1導電部11構成導電性膜10之背面10B，藉此自表面之導通性優異，可擔保與取出配線之接觸電阻。於導電性膜之兩面，亦可設置可剝離之保護膜，但於該情形時，導電性膜係於剝離了保護膜之狀態下使用，因此保護膜不構成導電性膜之一部分。
於導電性膜10中，較佳為即便於對導電性膜10進行連續摺疊試驗，即以導電部11成為內側（導電部14成為外側），且導電性膜10之對向之邊部的間隔成為4 mm之方式，反覆進行10萬次180°摺疊之情形時，連續摺疊試驗前後之導電性膜10之導電部11之後述之電阻值比亦為3以下，且連續摺疊試驗前後之導電性膜10之導電部14之後述之電阻值比亦為3以下。若於對導電性膜進行連續摺疊試驗之情形時，連續摺疊試驗前後之導電性膜之第1導電部之電阻值比及連續摺疊試驗前後之導電性膜之第2導電部之電阻值比超過3，則有於導電性膜之樹脂層等產生破裂等之虞，因此導電性膜之可撓性變得不充分。此處，若因連續摺疊試驗而於導電性膜之樹脂層等產生破裂等，則導電性降低，因此連續摺疊試驗後之導電性膜之第1導電部之電阻值較連續摺疊試驗前之導電性膜之第1導電部之電阻值上升，及/或連續摺疊試驗後之導電性膜之第2導電部之電阻值較連續摺疊試驗前之導電性膜之第2導電部之電阻值上升。因此，藉由求出連續摺疊試驗前後之導電性膜之第1導電部之電阻值比及第2導電部之電阻值比，可判斷是否於導電性膜之樹脂層等產生破裂等。
更佳為即便上述連續摺疊試驗之摺疊次數為20萬次、30萬次、50萬次或100萬次，連續摺疊試驗前後之導電性膜10之導電部11之電阻值比亦為3以下，且連續摺疊試驗前後之導電性膜10之導電部14之電阻值比亦為3以下。再者，上述摺疊次數越多，越不易使連續摺疊試驗前後之導電部之電阻值比成為3以下，因此於上述摺疊次數為20萬次、30萬次、50萬次或100萬次之連續摺疊試驗中連續摺疊試驗前後之導電部11之電阻值比及導電部14之電阻值比為3以下的情況，與於上述摺疊次數為10萬次之連續摺疊試驗中連續摺疊試驗前後之導電部11之電阻值比及導電部14之電阻值比為3以下的情況於技術上有顯著差異。又，使上述連續摺疊試驗之摺疊次數為至少10萬次而進行評價之原因在於以下之理由。例如，若假定將導電性膜組入至可摺疊之智慧型手機，則進行摺疊之頻率（進行開閉之頻率）變得非常多。因此，於將上述連續摺疊試驗之摺疊次數設為例如1萬次或5萬次之評價中，有無法進行實用水準上之評價之虞。具體而言，例如，若假定平時使用智慧型手機之人，則假定僅於早上上班時5次～10次開閉智慧型手機，故假定僅1天至少30次開閉智慧型手機。因此，若假定1天30次開閉智慧型手機，則摺疊次數為1萬次之連續摺疊試驗因30次×365天＝10950次而成為假定使用1年之試驗。即，即便摺疊次數為1萬次之連續摺疊試驗之結果良好，經過1年後，亦有於導電性膜產生折痕或龜裂之虞。因此，連續摺疊試驗中之摺疊次數為1萬次之評價僅可確認無法作為產品使用之水準，可使用但不充分者亦良好而無法評價。因此，為了評價是否為實用水準，上述連續摺疊試驗之摺疊次數必須以至少10萬次進行評價。
上述連續摺疊試驗之摺疊次數為10萬次、20萬次、30萬次、50萬次及100萬次之任一情形時，連續摺疊試驗前後之導電性膜10之導電部11之電阻值比及導電部14之電阻值比均分別更佳為1.5以下。
於上述連續摺疊試驗中，於導電性膜10之對向之邊部的間隔為4 mm之狀態下進行，但就謀求影像顯示裝置之薄型化之觀點而言，即便於以導電性膜10之對向之邊部的間隔成為更窄之範圍，具體而言為成為3 mm、2 mm、或1 mm之方式反覆進行10萬次180°摺疊之連續摺疊試驗之情形時，亦更佳為連續摺疊試驗前後之導電部11之電阻值比及導電部14之電阻值比為3以下。再者，即便上述摺疊次數相同，上述間隔越窄，越難以使連續摺疊試驗前後之導電部之電阻值比成為3以下，因此上述間隔為3 mm、2 mm、1 mm時之連續摺疊試驗中之連續摺疊試驗前後之導電部11之電阻值比及導電部14之電阻值比為3以下的情況，與上述間隔為4 mm時之連續摺疊試驗中之連續摺疊試驗前後之導電部11之電阻值比及導電部14之電阻值比為3以下的情況於技術上有顯著差異。
上述連續摺疊試驗係以導電部11成為內側（導電部14成為外側）之方式摺疊導電性膜10，但亦能以導電部14成為內側（導電部11成為外側）之方式摺疊導電性膜10。於該情形時，亦較佳為連續摺疊試驗前後之導電性膜10之導電部11之電阻值比及導電部14之電阻值比分別為3以下。
導電性膜10之連續摺疊試驗可使用自導電性膜10切取成特定之大小（例如，縱125 mm×橫50 mm之長方形形狀）之樣品進行。再者，於無法將樣品切取成縱125 mm×橫50 mm之大小之情形時，例如亦可將樣品切取成縱110 mm×橫50 mm之大小。具體而言，首先，自連續摺疊試驗前之導電性膜10切取特定之大小之樣品。其後，於所切取之樣品之長度方向之導電部11的兩端部（例如，各縱10 mm×橫50 mm之部分）及導電部14的兩端部（例如，各縱10 mm×橫50 mm之部分）上，為了防止電阻值之測定距離變動，分別塗佈銀膠（產品名「DW-520H-14」，東洋紡股份有限公司製造），於130℃加熱30分鐘，於樣品之第1導電部及第2導電部上之兩端部設置已硬化之銀膠，於該狀態下，使用測試機（產品名「Digital MΩ Hitester 3454-11」，日置電機股份有限公司製造），分別測定樣品之第1導電部11及第2導電部14之電阻值。於測定導電部11之電阻值時，使測試機之探針端子分別接觸於設置於導電部11的兩端部之已硬化之銀膠各者。同樣地，於測定導電部14之電阻值時，使測試機之探針端子接觸於設置於導電部14的兩端部之已硬化之銀膠各者。導電部11之電阻值之測定係於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下進行。於連續摺疊試驗前之樣品中，測定導電部11及導電部14之電阻值後，對樣品進行連續摺疊試驗。
連續摺疊試驗係以如下之方式進行。如圖3（A）所示，於連續摺疊試驗中，首先，將樣品S之邊部S1及與邊部S1對向之邊部S2由平行配置之耐久試驗機（產品名「DLDMLH-FS」，Yuasa System機器股份有限公司製造，依據IEC62715-6-1）之固定部25分別固定。又，如圖3（A）所示，固定部25可於水平方向上滑動移動。
繼而，如圖3（B）所示，使固定部25以相互接近之方式移動，藉此導電部11成為內側（導電部14成為外側），且以摺疊樣品S之中央部S3之方式使樣品變形，進而，如圖3（C）所示，使固定部25移動至樣品S之由固定部25固定之對向之2個邊部S1、S2的間隔成為4 mm之位置後，使固定部25向相反方向移動而消除樣品S之變形。
藉由如圖3（A）～（C）所示般使固定部25移動，能以導電部11成為內側之方式將樣品S於中央部S3摺疊180°。又，以樣品S之彎曲部S4不自固定部25之下端伸出之方式進行連續摺疊試驗，且藉由將固定部25最接近時的間隔控制為4 mm，可使樣品S之對向之2個邊部S1、S2的間隔成為4 mm。於該情形時，將彎曲部S4之外徑視為4 mm。再者，樣品S之厚度為與固定部25的間隔（4 mm）相比充分小之值，因此樣品S之連續摺疊試驗之結果可視為不受樣品S之厚度之差異之影響。
於進行連續摺疊試驗後，針對連續摺疊試驗後之樣品，以與連續摺疊試驗前之樣品相同之方式，分別測定導電部11及導電部14之電阻值。其後，求出連續摺疊試驗後之樣品的導電部11之電阻值相對於連續摺疊試驗前之樣品的導電部11之電阻值之比（連續摺疊試驗後之樣品的導電部11之電阻值/連續摺疊試驗前之樣品的導電部11之電阻值）。又，同樣地，求出連續摺疊試驗後之樣品的導電部14之電阻值相對於連續摺疊試驗前之樣品的導電部14之電阻值之比（連續摺疊試驗後的樣品之導電部14之電阻值/連續摺疊試驗前之樣品的導電部14之電阻值）。再者，電阻值比係設為進行3次測定所獲得之值之算術平均值。
若對導電性膜進行上述連續摺疊試驗，則即便連續摺疊試驗前後之導電性膜之導電部之電阻值比為3以下，亦有於彎曲部產生折痕，又，產生微龜裂，產生外觀不良，具體而言為有產生白濁現象或以微龜裂作為起點之層間剝離（密接不良）之虞。抑制彎曲部之折痕或微龜裂（microcrack）於用作影像顯示裝置之方面極為重要。因此，導電性膜10較佳為具有可撓性。本說明書中，所謂「可撓性」，意指不僅於上述連續摺疊試驗前後，於第1導電部及第2導電部之任一者，電阻值比均為3以下，且未確認到折痕及微龜裂。因此，本說明書中，所謂「可撓性」，與僅以於上述連續摺疊試驗前後，於第1導電部及第2導電部之任一者，電阻值比均為3以下作為必要條件之可撓性不同。
上述折痕之觀察係以目視進行，但於觀察折痕時，於白色照明之亮室（800勒克司～2000勒克司）中，藉由穿透光及反射光無遺漏地觀察彎曲部，並且觀察於摺疊時彎曲部中之成為內側的部分及成為外側的部分之兩者。上述折痕之觀察係於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下進行。
上述微龜裂之觀察係利用數位顯微鏡（digital microscope）進行。作為數位顯微鏡，例如可列舉KEYENCE股份有限公司所製造之VHX-5000。微龜裂係選擇環照明作為數位顯微鏡之照明，並且於暗視野及反射光下進行觀察。具體而言，首先，使連續摺疊試驗後之樣品緩慢地展開，利用膠帶將樣品固定於顯微鏡之載台。此時，於折痕較強之情形時，使進行觀察之區域盡可能平坦。其中，樣品之中央附近之觀察預定區域（彎曲部）係設為不用手觸碰而未施加力之程度。並且，設為觀察於摺疊時成為內側之部分及成為外側之部分之兩者。上述微龜裂之觀察係於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下進行。
於上述折痕及上述微龜裂之觀察中，較佳為以可容易地掌握應觀察之位置之方式，將連續摺疊試驗前之樣品設置於耐久試驗機之固定部，於摺疊1次時，如圖4所示，於彎曲部S4中之位於與摺疊方向FD正交之方向之兩端S41 ，利用油性筆等預先標附表示為彎曲部之記號A1。又，於在連續摺疊試驗後完全觀察不到折痕等樣品之情形時，為了防止觀察位置變得不明確，亦可於將樣品於連續摺疊試驗後自耐久試驗機卸除之狀態下，利用油性筆等畫出連結彎曲部S4之上述兩端S41 之記號A1彼此之線A2（圖4中之虛線）。其後，於折痕之觀察中，目視觀察作為由彎曲部S4之兩端S41 之記號A1與連結該記號A1彼此之線A2形成的區域之彎曲部S4整體。又，於微龜裂之觀察中，以顯微鏡視野範圍（圖4中之二點鏈線所包圍之範圍）之中心成為彎曲部S4之中央之方式對準顯微鏡之位置。
又，若對導電性膜進行上述連續摺疊試驗，則有透光性基材與樹脂層之間之密接性降低之虞。因此，較佳為於上述連續摺疊試驗後之導電性膜之彎曲部中，利用數位顯微鏡觀察樹脂層12與透光性基材13之間之界面附近時，於樹脂層12與透光性基材13之界面附近觀察不到剝離等。作為數位顯微鏡，例如可列舉KEYENCE股份有限公司所製造之VHX-5000。
導電性膜10較佳為霧度值（總霧度值）成為5%以下。若導電性膜10之霧度值為5%以下，則可獲得充分之光學性能。霧度值可於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下，依據JIS K7136：2000，使用霧度計（產品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造）進行測定。霧度值係以導電性膜整體進行測定時之值，又，切取成縱50 mm×橫100 mm之大小後，於無捲曲或皺褶且無指紋或灰塵等狀態下進行設置，設為對導電性膜1片進行3次測定所獲得之值之算術平均值。本說明書中，所謂「進行3次測定」，意指對不同之3個部位進行測定，而非對相同場所進行3次測定。導電性膜10中，目視之正面10A或背面10B為平坦，且導電部11等積層之層亦平坦，又，膜厚之偏差亦控制為膜厚之平均值之±10%之範圍內。因此，可認為藉由於所切取之導電性膜之不同之3個部位測定霧度值，可獲得大致之導電性膜之面內整體的霧度值之平均值。再者，於無法將導電性膜切取成上述大小之情形時，例如，由於HM-150測定時之入口開口為20 mm，故而需要如直徑成為21 mm以上之大小之樣品。因此，亦可將導電性膜適宜地切取成22 mm×22 mm以上之大小。於導電性膜之大小較小之情形時，於光源點不偏離之範圍內逐次少量地挪動或改變角度等而將測定點設為3個部位。導電性膜10之霧度值更佳為3%以下、2%以下、1.5%以下、1.2%以下、或1.1%以下。無論測定對象為1 m×3000 m之長尺寸或為5英吋之智慧型手機程度之大小，所獲得之霧度值之偏差均為霧度值之平均值之±10%以內，於成為上述較佳之範圍之情形時，更容易獲得低霧度及低電阻值。再者，導電性膜10之導電部未經圖案化，但即便是具備經圖案化之導電部之導電性膜，霧度值亦為5%以下，又，更佳為3%以下、2%以下、1.5%以下、1.2%以下、或1.1%以下。再者，於搭載有導電性膜之觸控面板感測器等多層重疊之積層體整體中，亦較佳為與上述相同之霧度值。
導電性膜10較佳為全光線穿透率為80%以上。若導電性膜10之全光線穿透率為80%以上，則光學性能充分。全光線穿透率可於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下，依據JIS K7361-1：1997，使用霧度計（產品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造）進行測定。全光線穿透率係以導電性膜整體進行測定時之值，又，切取成縱50 mm×橫100 mm之大小後，於無捲曲或皺褶且無指紋或灰塵等狀態下進行設置，設為對導電性膜1片進行3次測定所獲得之值之算術平均值。導電性膜10中，目視之正面10A或背面10B為平坦，且導電部11等積層之層亦平坦，又，膜厚之偏差亦控制為膜厚之平均值之±10%之範圍內。因此，可認為藉由測定所切取之導電性膜之不同之3個部位之全光線穿透率，可獲得大致之導電性膜之面內整體之全光線穿透率的平均值。再者，於無法將導電性膜切取成上述大小之情形時，例如，由於HM-150測定時之入口開口為20 mm，故而需要如直徑成為21 mm以上之大小之樣品。因此，亦可將導電性膜適宜地切取成22 mm×22 mm以上之大小。於導電性膜之大小較小之情形時，於光源點不偏離之範圍內逐次少量地挪動或改變角度等而將測定點設為3個部位。導電性膜10之全光線穿透率更佳為85%以上、88%以上、或90%以上。再者，導電性膜10之導電部未經圖案化，但即便是具備經圖案化之導電部之導電性膜，全光線穿透率亦更佳為80%以上、85%以上、88%以上、或90%以上。無論測定對象為1 m×3000 m之長尺寸或5英吋之智慧型手機程度之大小，所獲得之全光線穿透率之偏差均為全光線穿透率之平均值之±10%以內，於成為上述較佳之範圍之情形時，更容易獲得低霧度及低電阻值。再者，於搭載有導電性膜之觸控面板感測器等多層重疊之積層體整體中，亦較佳為與上述相同之全光線穿透率。
導電性膜10之背面10B較佳為於JIS K5600-5-4：1999中所規定之鉛筆硬度試驗中具有H以上之鉛筆硬度。藉由導電性膜10之背面10B之鉛筆硬度為H以上，而導電性膜10較硬，因此可提高耐久性。於鉛筆硬度試驗中，將導電性膜10切取成縱50 mm×橫100 mm之大小，以第1導電部11成為上側之方式，無折痕或皺褶地由米其邦股份有限公司所製造之Cellotape（註冊商標）固定於玻璃板上，於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下，以對鉛筆施加750 g之荷重，並且將刮痕速度設為1 mm/秒之狀態進行。導電性膜10之背面10B之鉛筆硬度係設為於鉛筆硬度試驗中於第1導電部11的表面11A未受損傷之最高之硬度。再者，於測定鉛筆硬度時，使用硬度不同之多根鉛筆進行，針對每1根鉛筆進行5次鉛筆硬度試驗，於5次中4次以上於第1導電部11之表面11A未受損傷之情形時，判斷為該硬度之鉛筆中於第1導電部11之表面11A未受損傷。上述損傷係指於螢光燈下透射觀察進行過鉛筆硬度試驗之導電性膜10之表面而視認者。
導電性膜10之黃色指數（YI）較佳為15以下。若為黃色調較強之透光性基材（尤其是包含聚醯亞胺系樹脂之透光性基材），則有無法應用於要求透明性之用途之可能性，但若導電性膜10之YI為15以下，則導電性膜10之黃色調不明顯，因此可應用於要求透明性之用途。再者，即便是包含聚醯亞胺系樹脂之透光性基材，亦只要導電性膜10之YI為15以下，則可應用於要求透明性之用途。導電性膜10之YI之上限更佳為10以下、5以下、或1.5以下。上述YI係於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下，使用分光光度計（產品名「UV-3100PC」，島津製作所製造，光源：鎢絲燈及氘燈），對切取成50 mm×100 mm之大小之光學膜進行測定，根據所測定之值，依據JIS Z8722：2009中所記載之運算式，計算色度三刺激值X、Y、Z，根據三刺激值X、Y、Z，依據ASTM D1925：1962中所記載之運算式所算出之值。上述YI係對導電性膜1片進行3次測定，設為進行3次測定所獲得之值之算術平均值。
於在導電性膜經由黏著層或接著層而設置有其他膜之情形時，將其他膜與黏著層或接著層一起剝離後進行連續摺疊試驗，又，測定霧度值、全光線穿透率、鉛筆硬度、YI。其他膜之剝離例如能以如下之方式進行。首先，利用乾燥機對於導電性膜經由黏著層或接著層而附有其他膜之積層體進行加熱，於被認為是導電性膜與其他膜之界面之部位插入切刀之刀尖，緩慢地逐漸剝離。藉由反覆進行此種加熱與剝離，可將黏著層或接著層及其他膜剝離。再者，即便有此種剝離步驟，對連續摺疊試驗或霧度值等測定亦無較大之影響。
又，如上所述，於對導電性膜10進行連續摺疊試驗時或測定霧度值、全光線穿透率、鉛筆硬度、YI時，必須將導電性膜10切取成上述各大小，但於導電性膜10之大小較大之情形（例如為如捲筒狀之長尺寸之情形）時，自任意之位置切取成A4尺寸（210 mm×297 mm）或A5尺寸（148 mm×210 mm）後，切取成各測定項目之大小。例如，於導電性膜10成為捲筒狀之情形時，自導電性膜10之捲筒卷出特定之長度，並且自品質穩定之中心部附近之有效區域切取，而並非自沿捲筒之長度方向延伸之包括兩端部在內之非有效區域。又，於對導電性膜10進行連續摺疊試驗時或測定霧度值、全光線穿透率、鉛筆硬度、YI時，使用上述裝置進行測定，但亦可藉由後繼機種等同程度之裝置而並非上述裝置進行測定。
導電性膜之用途並無特別限定，例如可於使用透明導電膜之各種用途（例如感測器用途）中使用。又，本發明之導電性膜適於影像顯示裝置（包含智慧型手機、平板終端、可穿戴終端、個人電腦、電視、數位標牌、公共信息顯示器（PID）、車載顯示器等）用途或車載（包含電車或車輛建設用機械等所有車）用途。於將導電性膜用作車載用途之感測器之情形時，例如可列舉配置於把手或座部等人接觸之部分之感測器。又，導電性膜於需要可摺疊、可卷取等可撓性之用途中亦較佳。進而，亦可用於住宅或車（包含電車或車輛建設用機械等所有車）中所使用之電器或窗戶。尤其，本發明之導電性膜可較佳地用於重視透明性之部分。又，不僅就透明性等技術上之觀點而言，本發明之導電性膜亦可較佳地用於要求獨特性或設計性之電器。作為本發明之導電性膜之具體用途，例如可列舉：電磁波屏蔽、除霜器、天線、太陽電池、影音系統、揚聲器、電扇、電子黑板或半導體用之承載膜等。導電性膜之使用時之形狀可根據用途而適宜設計，因此並無特別限定，例如亦可成為曲面狀。
導電性膜可切割成所需之大小，亦可為捲筒狀。於導電性膜成為捲筒狀之情形時，可於該階段切割成所需之大小，又，亦可於例如進行蝕刻等處理後切割成所需之大小。於將本發明之導電性膜切割成所需之大小之情形時，導電性膜之大小並無特別限制，可根據影像顯示裝置之顯示面之大小而適宜決定。具體而言，導電性膜之大小例如亦可成為5英吋以上且500英吋以下。本說明書中，所謂「英吋」，於導電性膜為四邊形狀之情形時，意指對角線之長度，於為圓形狀之情形時，意指直徑，於為楕圓形狀之情形時，意指短徑與長徑之和之平均值。此處，於導電性膜為四邊形狀之情形時，求出上述英吋時之導電性膜之縱橫比只要作為影像顯示裝置之顯示畫面無問題，則並無特別限定。例如可列舉縱：橫＝1：1、4：3、16：10、16：9、2：1等。其中，尤其於富設計性之車載用途或數位標牌中，並不限定於此種縱橫比。再者，例如，於導電性膜10成為捲筒狀之情形時，自導電性膜10之捲筒卷出特定之長度，並且自品質穩定之中心部附近之有效區域切取成所需之大小，而並非自沿捲筒之長度方向延伸之包括兩端部在內之非有效區域。
＜＜透光性基材＞＞
作為透光性基材13，只要具有透光性，則並無特別限定。例如，作為透光性基材13之構成材料，可列舉由具有透光性之樹脂構成之基材。作為此種樹脂，只要具有透光性，則並無特別限定，例如可列舉：聚烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、芳香族聚醚酮系樹脂、聚醚碸系樹脂、乙醯纖維素系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、或將該等樹脂混合2種以上而成之混合物等。透光性基材由於在塗佈樹脂層等時接觸於塗佈裝置，故而容易受到損傷，但由聚酯系樹脂構成之透光性基材即便接觸於塗佈裝置亦不易受到損傷，因此就可抑制霧度值之上升之方面，及耐熱性、阻隔性、耐水性亦較由聚酯系樹脂以外之透光性樹脂構成之基材本體優異之方面而言，該等之中，較佳為聚酯系樹脂。
於獲得可摺疊之導電性膜作為導電性膜之情形時，作為構成透光性基材之樹脂，就摺疊性良好而言，較佳為使用聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚酯系樹脂、環烯烴聚合物系樹脂或該等之混合物。又，該等之中，就不僅具有優異之摺疊性，而且亦具有優異之硬度及透明性，又，就耐熱性亦優異，藉由進行焙燒亦可賦予更優異之硬度及透明性之觀點而言，較佳為聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、或該等之混合物。進而，有於室外等配戴太陽眼鏡而觀察影像顯示裝置之顯示影像之情況，但於太陽眼鏡為偏光太陽眼鏡之情形時，若隔著偏光太陽眼鏡觀察顯示影像，則有視認性降低之虞。因此，目前要求即便於隔著偏光太陽眼鏡觀察顯示影像之情形時，亦可抑制視認性之降低。對此，環烯烴聚合物系樹脂可對映像光賦予相位差而抑制上述視認性之降低，因此就抑制上述視認性之降低之觀點而言，較佳為環聚烯烴聚合物系樹脂。
本發明者等人推測，於導電性膜中，於重視可撓性之情形時，作為透光性基材，包含聚醯亞胺系樹脂之基材良好。於使用聚醯亞胺系樹脂之情形時，確實地與習知通用之透明基材（例如，包含聚甲基丙烯酸甲酯系樹脂、三乙醯纖維素系樹脂、或聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之基材）相比，不易產生微龜裂或斷裂。然而，於使用聚醯亞胺系樹脂之情形時，若進行觀察，則有於樹脂層等產生皺褶或折痕之情況。尤其於將導電性膜用於智慧型手機用途之情形時，由於畫面較小，故而若可見折痕，則有無法讀取文字等之虞。對此，發現若使用包含環烯烴聚合物系樹脂之基材作為透光性基材，則相較於使用聚醯亞胺系樹脂之情形而摺疊性優異。又，例如，於包含環烯烴聚合物系樹脂之透光性基材之膜厚為5 μm以上且35 μm以下（進而為5 μm以上且18 μm以下）之極薄膜之情形時，面內及膜厚方向之相位差值非常小等光學性能亦優異。例如，於包含聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂之透光性基材之情形時，於膜之結構上，即便面內相位差未達100 nm，厚度方向之相位差亦有成為1000以上之情況，於用於影像顯示裝置之情形時，有對視認性產生影響之虞。另一方面，於包含環烯烴聚合物系樹脂之透光性基材之情形時，面內、厚度方向相位差均容易控制為未達100 nm、未達50 nm等而三維之光學各向同性優異，因此亦可應對偏光太陽眼鏡，於光學用途中極佳。因此，於可撓性用途及光學用途中，最佳為包含環烯烴聚合物系樹脂之透光性基材。再者，包含三乙醯纖維素系樹脂或聚碳酸酯系樹脂之透光性基材亦具有光學各向同性，但若摺疊，則容易產生皺褶或破裂等不良情況，因此認為包含同樣具有光學各向同性之環烯烴聚合物系樹脂之透光性基材於分子結構上摺疊性較強。
作為聚烯烴系樹脂，例如可列舉：以聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物系樹脂等中之至少1種作為構成成分之樹脂。
作為環烯烴聚合物系樹脂，可列舉：降莰烯系樹脂、單環之環狀烯烴系樹脂、環狀共軛二烯系樹脂、乙烯基脂環式烴系樹脂、及該等之氫化物等。該等之中，降莰烯系樹脂因透明性及成形性良好而可較佳地使用。
作為降莰烯系樹脂，可列舉：具有降莰烯結構之單體之開環聚合物或具有降莰烯結構之單體與其他單體之開環共聚物或其等之氫化物、具有降莰烯結構之單體之加成聚合物或具有降莰烯結構之單體與其他單體之加成共聚物或其等之氫化物等。
作為環烯烴聚合物系樹脂之市售品，例如可列舉：日本瑞翁股份有限公司所製造之商品名「ZEONEX（註冊商標）」或「ZEONOR（註冊商標）」（降莰烯系樹脂）、住友電木股份有限公司所製造之商品名「SUMILITE（註冊商標）FS-1700」、JSR股份有限公司所製造之商品名「ARTON（註冊商標）」（改質降莰烯系樹脂）、三井化學股份有限公司所製造之商品名「APEL（註冊商標）」（環狀烯烴共聚物）、Ticona公司所製造之商品名「Topas（註冊商標）」（環狀烯烴共聚物）、日立化成股份有限公司所製造之商品名「OPTOREZ OZ-1000系列」（脂環式丙烯酸樹脂）等。可將此種環烯烴系樹脂進行製膜而獲得透光性基材。作為製膜，並無特別限定，可使用溶劑流鑄法或熔融擠出法等公知之製膜方法。又，製膜而成之環烯烴聚合物系膜亦有市售，亦可將其用作透光性基材。作為環烯烴聚合物系膜，例如可列舉：積水化學股份有限公司所製造之商品名「S-SINA（註冊商標）」或「SCA40」，日本瑞翁股份有限公司之商品名「ZEONOR FILM（註冊商標）」、JSR股份有限公司所製造之商品名「ARTON（註冊商標）膜」等。
作為聚碳酸酯系樹脂，例如可列舉：以雙酚類（雙酚A等）作為基礎之芳香族聚碳酸酯、二乙二醇雙烯丙基碳酸酯等脂肪族聚碳酸酯等。
作為聚丙烯酸酯系樹脂，例如可列舉：聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物等。
作為聚酯系樹脂，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）中之至少1種。
作為芳香族聚醚酮系樹脂，例如可列舉聚醚醚酮（PEEK）等。
作為乙醯纖維素系樹脂，例如可列舉：三乙醯纖維素（TAC）、二乙醯纖維素。三乙醯纖維素係於可見光區域380～780 nm中，可使平均光穿透率成為50%以上之樹脂。三乙醯纖維素之平均光穿透率較佳為70%以上，進而較佳為85%以上。
再者，作為三乙醯纖維素系樹脂，除純粹之三乙醯纖維素以外，亦可為如乙酸丙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素般亦併用乙酸以外之成分作為與纖維素形成酯之脂肪酸者。又，該等三乙醯纖維素系樹脂中，亦可視需要添加二乙醯纖維素等其他纖維素低級脂肪酸酯、或塑化劑、紫外線吸收劑、易滑劑等各種添加劑。
聚醯亞胺系樹脂亦可為脂肪族之聚醯亞胺系樹脂，但較佳為包含芳香族環之芳香族系聚醯亞胺樹脂。芳香族系聚醯亞胺樹脂係於四羧酸成分及二胺成分之至少一者包含芳香族環者。
聚醯亞胺系樹脂亦可於其一部分包含聚醯胺結構。作為可包含之聚醯胺結構，例如可列舉：包含如1,2,4-苯三甲酸酐之三羧酸殘基之聚醯胺醯亞胺結構、或包含如對苯二甲酸之二羧酸殘基之聚醯胺結構。聚醯胺系樹脂之概念不僅包含脂肪族聚醯胺，亦包含芳香族聚醯胺（聚芳醯胺）。具體而言，作為聚醯亞胺系樹脂，例如可列舉：具有下述化學式（1）及（2）所表示之結構之化合物。下述化學式中，n為重複單位，表示2以上之整數。再者，下述化學式（1）及（2）所表示之化合物中，化學式（1）所表示之化合物因低相位差及高透明而較佳。

透光性基材13之厚度並無特別限定，可設為500 μm以下，就操作性等觀點而言，透光性基材13之厚度之下限更佳為3 μm以上、5 μm以上、10 μm以上、20 μm以上。就薄膜化之觀點而言，透光性基材13之厚度之上限較佳為250 μm以下、80 μm以下、50 μm以下、35 μm以下、18 μm以下。透光性基材之厚度係自使用掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）或掃描式電子顯微鏡（SEM）拍攝之透光性基材之剖面照片中隨機地測定10個部位之厚度，求出所測定之厚度之平均值。於使用掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）測定透光性基材之厚度之情形時，可藉由與導電部之膜厚之測定方法相同之方法進行測定。其中，拍攝透光性基材之剖面照片時之倍率係設為100～2萬倍。
銀奈米線等導電性纖維本身例如適於可撓性（例如摺疊性），但若用以積層包含導電性纖維之導電部之透光性基材或功能層（導電部除外）之厚度較厚，則有於摺疊時於彎曲部中之透光性基材或功能層產生破裂，因該破裂而導致導電性纖維斷線之虞，又，有於彎曲部中之透光性基材或功能層產生折痕或微龜裂之情況。有因上述之斷線而無法獲得目標之電阻值，此外，產生外觀不良，具體而言為有產生白濁現象或起因於龜裂之密接不良等之虞。因此，於將導電性膜用於可撓性用途之情形時，透光性基材或功能層之厚度控制或各層間之密接性（受材料影響之利用化學鍵結之密接、或不產生龜裂之物理密接）變得重要。尤其於透光性基材13包含環烯烴聚合物系樹脂或聚酯系樹脂之情形或包含聚醯亞胺系樹脂之情形時，不易破裂性亦因厚度而改變，因此控制透光性基材之厚度變得重要。
具體而言，例如於透光性基材13包含環烯烴聚合物系樹脂之情形時，透光性基材13之厚度較佳為45 μm以下。若該透光性基材13之厚度為45 μm以下，則可抑制於摺疊時彎曲部中之透光性基材13之破裂，又，可抑制彎曲部中之白濁現象。於該情形時之透光性基材13之厚度之上限較佳為35 μm以下、18 μm以下。又，就操作性等觀點而言，於該情形時之透光性基材13之厚度之下限較佳為5 μm以上。
於透光性基材13例如包含聚酯系樹脂之情形時，透光性基材13之厚度較佳為45 μm以下。若該透光性基材13之厚度為45 μm以下，則可抑制於摺疊時彎曲部中之透光性基材13之破裂，又，可抑制彎曲部中之白濁現象。於該情形時之透光性基材13之厚度之上限較佳為35 μm以下、18 μm以下。又，就操作性等觀點而言，於該情形時之透光性基材13之厚度之下限較佳為5 μm以上。
於透光性基材13例如包含聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、或該等之混合物之情形時，就抑制摺疊時之透光性基材13之破裂、光學特性或機械特性之觀點而言，透光性基材13之厚度以較薄者為佳，具體而言，較佳為75 μm以下。於該情形時之透光性基材13之厚度之上限較佳為70 μm以下、50 μm以下、35 μm以下、18 μm以下。又，就操作性等觀點而言，於該情形時之透光性基材13之厚度之下限較佳為5 μm以上。
於上述之各透光性基材之厚度為35 μm以下之情形時，若於製造時貼附保護膜，則加工適性提高，故而較佳。
為了提高密接性，透光性基材13亦可為對表面實施電暈放電處理、氧化處理等物理處理者。又，透光性基材13亦可為於至少一面側具有基底層者，該基底層用以提高與其他層之密接性，用以防止卷取時之貼附，及/或用以抑制形成其他層之塗佈液之不附著。但若使用包含導電性纖維及分散介質之含導電性纖維之組成物而於基底層之表面形成導電部，則雖根據分散系之種類而程度有所不同，但有因分散介質滲透至基底層而導致導電性纖維亦進入至基底層中，從而電阻值上升之虞，因此較佳為於透光性基材中之第2導電部側不具備基底層，第2導電部直接設置於透光性基材。 本說明書中，基底層成為透光性基材之一部分。
基底層係具有提高與其他層之密接性之功能、防止卷取時之貼附之功能、及/或抑制形成其他層之塗佈液之不附著之功能之層。透光性基材是否具有基底層可藉由下述方式進行確認，即，使用掃描式電子顯微鏡（SEM）、掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）、或穿透式電子顯微鏡（TEM），以1000～50萬倍（較佳為2.5萬倍～5萬倍）觀察透光性基材與樹脂層之界面周邊及透光性基材與第2導電部之界面周邊之剖面。再者，於基底層中，為了防止卷取時之貼附，有包含易滑劑等粒子之情況，因此藉由於透光性基材與樹脂層之間存在粒子，亦可判斷為該層為基底層。
基底層之膜厚較佳為10 nm以上且1 μm以下。若基底層之膜厚為10 nm以上，則可充分地發揮作為基底層之功能，又，若基底層之膜厚為1 μm以下，則無光學上造成影響之虞。基底層之膜厚係自使用掃描式電子顯微鏡（SEM）、掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）、或穿透式電子顯微鏡（TEM）以1000～50萬倍（較佳為2.5萬倍～5萬倍）拍攝之基底層之剖面照片中隨機地測定10個部位厚度，設為所測定之10個部位之厚度之算術平均值。基底層之膜厚之下限更佳為30 nm以上，上限更佳為150 nm以下。基底層之膜厚亦可藉由與導電部11之膜厚相同之方法進行測定。
基底層例如包含固著劑或底塗劑。作為固著劑或底塗劑，例如可使用聚胺酯（polyurethane）樹脂、聚酯樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、乙烯與乙酸乙烯酯或丙烯酸等之共聚物、乙烯與苯乙烯及/或丁二烯等之共聚物、烯烴樹脂等熱塑性樹脂及/或其改質樹脂、游離輻射聚合性化合物之聚合物、及熱聚合性化合物之聚合物等中之至少任一者。
基底層中，如上所述，為了防止卷取時之貼附，亦可包含易滑劑等粒子。作為粒子，可列舉二氧化矽（silica）粒子等。
＜＜樹脂層＞＞
樹脂層12配置於第1導電部11與透光性基材13之間。藉由將樹脂層12配置於第1導電部11與透光性基材13之間，可提高第1導電部11之耐擦傷性。圖1所示之樹脂層12鄰接於第1導電部11及透光性基材13，但亦可不鄰接。於透光性基材13具備基底層之情形時，樹脂層12較佳為鄰接於基底層。藉由樹脂層12鄰接於基底層，樹脂層12與透光性基材13之密接性較高。本說明書中，所謂「樹脂層」，係指包含樹脂之層，除樹脂以外，亦可包含粒子或添加劑等。
若樹脂層過於柔軟，則有於導電性膜之製造過程中容易受到損傷之虞，或有缺乏對蝕刻液等化學品之耐性之虞，因此層12例如較佳為硬塗層。若樹脂層12為硬塗層，則可防止導電性膜10之製造過程中之損傷，或可提高耐化學品性。本說明書中，所謂「硬塗層」，意指具有透光性，且較透光性基材硬之層。具體而言，硬塗層之壓痕硬度較透光性基材之壓痕硬度高。具體而言，硬塗層之壓痕硬度較佳為100 MPa以上。硬塗層之壓痕硬度之下限可為200 MPa以上或300 MPa以上，又，就防止微龜裂，維持光透明性基材、樹脂層、導電部之各層界面中之密接性之觀點而言，上限亦可為800 MPa以下。藉由設為此種下限及上限，可維持由導電性纖維等帶來之導電部自身之可撓性。又，於具有第1導電部及第2導電部之結構中，為了實用化，必須於耐久性試驗後，電阻值、物理特性、光學特性亦與試驗前大致相同。又，硬塗層作為防止加工時之損傷，作為基底補強導電性纖維之斷線等作用之層有效。因此，為了同時產生銀奈米線等導電性纖維所具有之可撓性，並且獲得如上所述之用於實用之物性，較佳為處於上述之數值範圍內。再者，雖取決於用途，但相較於僅於透光性基材的一面側設置硬塗層之情形，較佳為於透光性基材之兩面側設置硬塗層之構成。
本說明書中，所謂「壓痕硬度」，係指根據壓頭之負載起至卸載為止之荷重-位移曲線求出之值。上述壓痕硬度（HIT ）之測定係於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下，對測定樣品使用HYSITRON（海思創）公司所製造之「TI950 TriboIndenter」進行。具體而言，首先，將切取成10 mm×10 mm之大小之導電性膜放入至聚矽氧系之包埋板中，流入環氧系樹脂，利用樹脂包埋導電性膜整體。其後，將包埋樹脂於65℃放置12小時以上而使其硬化。其後，使用超薄切片機（產品名「Ultramicrotome EM UC7」，Leica Microsystems公司製造），將送出厚度設定為100 nm，而製作超薄切片。將切取掉超薄切片之剩餘之塊體作為測定樣品。繼而，將測定樣品以測定樣品中之藉由切取上述切片而獲得之剖面相對於載玻片之表面大致垂直之方式，經由接著樹脂（產品名「Aron Alpha（註冊商標）通用」，東亞合成股份有限公司製造）固定於市售之載玻片（產品名「SLIDE GLASS（未打磨型）1-9645-11」，AS ONE股份有限公司製造）。具體而言，於上述載玻片之中央部滴加上述接著樹脂。此時，以不將接著樹脂塗展開，且接著樹脂不自測定樣品伸出之方式，將滴加設為1滴。使測定樣品以測定樣品中之藉由切取上述切片而獲得之剖面相對於載玻片之表面大致垂直之方式接觸於載玻片，於載玻片與測定樣品之間將接著樹脂壓展開而進行暫時接著。其後，於該狀態下，於室溫放置12小時，將測定樣品藉由接著而固定於載玻片。再者，固定方法為任意，只要測定用樣品不動即可。繼而，於測定樣品之剖面中，尋找平坦之部位，於該平坦之部位，利用位移基準之測定，以最大壓入位移成為100 nm之方式，以速度10 nm/秒將三角錐（Berkovich）型壓頭同時以10秒自位移0 nm施加負載至位移100 nm並壓入至樹脂層12，其後，於位移100 nm處保持5秒鐘後，以10秒自位移100 nm卸載至位移0 nm。其後，連續地測定此時之與壓入荷重F（N）對應之壓入深度h（nm），製成荷重-位移曲線。根據所製成之荷重-位移曲線，藉由如以下之數式（1）般將最大壓入荷重Fmax （N）除以壓頭與第1樹脂層12接觸之接觸投影面積Ap （mm2 ）所得之值，求出壓痕硬度（HIT ）。壓痕硬度（HIT ）係設為進行10個部位測定所獲得之值之算術平均值。Ap 係使用標準試樣之熔融石英，利用Oliver-Pharr法修正壓頭前端曲率所得之接觸投影面積。
HIT ＝Fmax /Ap …（1）
為了控制具有樹脂層之導電性膜之物理特性，考慮測定樹脂層自身之彈性模數等，但具有三維交聯結構之樹脂層為薄膜且較脆，因此難以膜化成單層，難以將樹脂層以單層之形式測定彈性模數等。因此，上述係藉由利用奈米壓痕法之硬度測定進行評價。藉由該方法，不受透光性基材之影響，即便為薄膜高分子材料，亦可測定膜自身之物性，又，可根據荷重位移曲線如上述般藉由數式（1）解析彈性/塑性變形物質之硬度。
就不僅去除樹脂層12之表面之正電荷，而且亦去除內部之正電荷之觀點而言，樹脂層12之膜厚較佳為薄於透光性基材13之厚度。具體而言，樹脂層12之膜厚較佳為0.2 μm以上且15 μm以下。若樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上，則可獲得所需之硬度，又，若樹脂層12之膜厚為15 μm以下，則可謀求導電性膜10之薄型化。樹脂層12之膜厚可藉由與透光性基材13之厚度之測定方法相同的方法進行測定。就抑制摺疊時之樹脂層12之破裂之觀點而言，樹脂層12之膜厚之上限更佳為12 μm以下。又，就硬塗性之觀點而言，樹脂層12之膜厚之下限更佳為0.3 μm以上、0.5 μm以上、或0.7 μm以上。又，就謀求樹脂層12之薄膜化之觀點而言，樹脂層12之膜厚之上限更佳為10 μm以下、5 μm以下、或2 μm以下。但於在透光性基材之兩面積層樹脂層之情形時，較佳為薄於上述之樹脂層12之膜厚。於該情形時，當謀求薄膜化，又，獲得良好之可撓性時，各樹脂層之膜厚亦可為3 μm以下、1.5 μm以下、1 μm以下、0.7 μm以下。
於透光性基材13之厚度較薄之情形時，不易通過生產線，又，容易躲避，容易損傷等步驟上之操作變得困難，因此導電性膜10較佳為至少於透光性基材13之單面設置樹脂層12。於將導電性膜10用於可撓性用途之情形時，使樹脂層12密接於透光性基材13，且於摺疊時追隨於透光性基材13變得重要。為了形成此種密接於透光性基材13且於摺疊時可追隨於透光性基材13之樹脂層12，樹脂層12之膜厚相對於透光性基材13之厚度之平衡亦變得重要。
樹脂層12係至少包含樹脂之層，但樹脂層12中，除樹脂以外，亦可包含無機粒子、有機粒子及調平劑。
＜樹脂＞
作為構成樹脂層12之樹脂，可列舉包含聚合性化合物之聚合物（硬化物、交聯物）者。樹脂除聚合性化合物之聚合物以外，亦可包含溶劑乾燥型樹脂。作為聚合性化合物，可列舉游離輻射聚合性化合物及/或熱聚合性化合物。該等之中，就硬化速度較快，又，容易進行設計而言，作為聚合性化合物，較佳為游離輻射聚合性化合物。
游離輻射聚合性化合物係於1分子中具有至少1個游離輻射聚合性官能基之化合物。本說明書中，所謂「游離輻射聚合性官能基」，係指藉由游離輻射照射而可進行聚合反應之官能基。作為游離輻射聚合性官能基，例如可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等乙烯性不飽和基。再者，所謂「(甲基)丙烯醯基」，意指包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」之兩者。又，作為於使游離輻射聚合性化合物聚合時所照射之游離輻射，可列舉：可見光線、紫外線、X射線、電子束、α射線、β射線、及γ射線。
作為游離輻射聚合性化合物，可列舉：游離輻射聚合性單體、游離輻射聚合性低聚物、或游離輻射聚合性預聚物，可適宜調整該等而使用。作為游離輻射聚合性化合物，較佳為游離輻射聚合性單體、與游離輻射聚合性低聚物或游離輻射聚合性預聚物之組合。
作為游離輻射聚合性單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等含有羥基之單官能單體、或2官能以上之多官能單體、例如乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、伸丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、甘油(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯類。
作為游離輻射聚合性低聚物，較佳為2官能以上之多官能低聚物，較佳為游離輻射聚合性官能基為3個（3官能）以上之多官能低聚物。作為上述多官能低聚物，例如可列舉：聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺酯、聚酯-(甲基)丙烯酸胺酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、多元醇(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異氰尿酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。
游離輻射聚合性預聚物例如亦可具有1萬之重量平均分子量。作為游離輻射聚合性預聚物之重量平均分子量，較佳為1萬以上且8萬以下，更佳為1萬以上且4萬以下。於重量平均分子量超過8萬之情形時，由於黏度較高，故而有塗敷適性降低，所獲得之硬塗層之外觀劣化之虞。作為多官能預聚物，可列舉：(甲基)丙烯酸胺酯、(甲基)丙烯酸異氰尿酯、聚酯-(甲基)丙烯酸胺酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。
熱聚合性化合物係於1分子中具有至少1個熱聚合性官能基者。本說明書中，所謂「熱聚合性官能基」，係指藉由加熱同樣地於官能基彼此或與其他官能基之間可進行聚合反應之官能基。作為熱聚合性官能基，可列舉：羥基、羧基、異氰酸酯基、胺基、環狀醚基、巰基等。
作為熱聚合性化合物，並無特別限定，例如可列舉：環氧化合物、多元醇化合物、異氰酸酯化合物、三聚氰胺化合物、脲化合物、酚化合物等。
溶劑乾燥型樹脂係熱塑性樹脂等如僅藉由使於塗敷時為了調整固形物成分而添加之溶劑乾燥便成為被膜之樹脂。於添加溶劑乾燥型樹脂之情形時，形成樹脂層12時，可有效地防止塗液之塗佈面之被膜缺陷。作為溶劑乾燥型樹脂，並無特別限定，通常可使用熱塑性樹脂。
作為熱塑性樹脂，例如可列舉：苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、乙烯醚系樹脂、含鹵素之樹脂、脂環式烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、纖維素衍生物、聚矽氧系樹脂及橡膠或彈性體等。
熱塑性樹脂較佳為非晶性且可溶於有機溶劑（尤其是可溶解多種聚合物或硬化性化合物之共通溶劑）。尤其就透明性或耐候性之觀點而言，較佳為苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、脂環式烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、纖維素衍生物（纖維素酯類等）等。
＜無機粒子＞
無機粒子係用以提高樹脂層12之機械強度或鉛筆強度之成分，作為無機粒子，例如可列舉：二氧化矽（SiO2 ）粒子、氧化鋁粒子、二氧化鈦粒子、氧化錫粒子、摻銻氧化錫（簡稱：ATO）粒子、氧化鋅粒子等無機氧化物粒子。該等之中，就進一步提高硬度之觀點而言，較佳為二氧化矽粒子。作為二氧化矽粒子，可列舉球形二氧化矽粒子或異形二氧化矽粒子，該等之中，較佳為異形二氧化矽粒子。本說明書中，所謂「球形粒子」，意指例如真球狀、橢球狀等粒子，所謂「異形粒子」，意指形狀不定之膠體狀粒子、或表面具有馬鈴薯狀之無規之凹凸之形狀的粒子。上述異形粒子之表面積與球狀粒子相比較大，因此藉由含有此種異形粒子，與上述聚合性化合物等之接觸面積增大，可使樹脂層12之鉛筆硬度更優異。樹脂層12中所含之二氧化矽粒子是否為異形二氧化矽粒子可藉由利用穿透式電子顯微鏡（TEM）或掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）觀察樹脂層12之剖面而進行確認。於使用球形二氧化矽粒子之情形時，球形二氧化矽粒子之粒徑越小，樹脂層之硬度越高。相對於此，異形二氧化矽粒子即便不如市售之最小粒徑之球形二氧化矽粒子般小，亦可達成與該球形二氧化矽同等之硬度。
異形二氧化矽粒子之平均一次粒徑較佳為1 nm以上且100 nm以下。即便異形二氧化矽粒子之平均一次粒徑為該範圍，亦可達成與平均一次粒徑為1 nm以上且45 nm以下之球形二氧化矽同等之硬度。異形二氧化矽粒子之平均一次粒徑係根據使用穿透式電子顯微鏡（TEM）或掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）拍攝硬塗層之剖面所得的硬塗層之剖面之影像，測定粒子之外周之2點間距離之最大值（長徑）及最小值（短徑），進行平均而求出粒徑，設為20個粒子之粒徑之算術平均值。又，球形二氧化矽粒子之平均粒徑係根據使用穿透式電子顯微鏡（TEM）或掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）拍攝之粒子之剖面之影像，測定20個之粒子之粒徑，設為20個粒子之粒徑之算術平均值。於使用掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）（產品名「S-4800（TYPE2）」，日立高新技術股份有限公司製造）而進行剖面照片之拍攝時，將檢測器（選擇訊號）設為「TE」、加速電壓設為「30 kV」、發射電流設為「10 μA」而進行觀察。其他之利用STEM之剖面照片之拍攝條件可參照後述之條件。再者，平均一次粒徑測定中，亦可對影像資料進行二值化處理而算出。
樹脂層12中之無機粒子之含量較佳為20質量%以上且70質量%以下。若無機粒子之含量為20質量%以上，則可獲得充分之硬度，又，若無機粒子之含量為70質量%以下，則填充率不會過度上升，無機粒子與樹脂成分之密接性良好，因此亦不會使樹脂層之硬度降低。
作為無機粒子，較佳為使用於表面具有游離輻射聚合性官能基之無機粒子（反應性無機粒子）。此種於表面具有游離輻射聚合性官能基之無機粒子可藉由利用矽烷偶合劑等對無機粒子進行表面處理而製成。作為利用矽烷偶合劑對無機粒子之表面進行處理之方法，可列舉：對無機粒子噴霧矽烷偶合劑之乾式法、或使無機粒子分散於溶劑中後添加矽烷偶合劑而使之反應之濕式法等。
＜有機粒子＞
有機粒子亦為用以提高樹脂層12之機械強度或鉛筆強度之成分，作為有機粒子，例如可列舉塑膠珠。作為塑膠珠，作為具體例，可列舉：聚苯乙烯珠、三聚氰胺樹脂珠、丙烯酸珠、丙烯酸-苯乙烯珠、聚矽氧珠、苯胍口并珠、苯胍口并-甲醛縮合珠、聚碳酸酯珠、聚乙烯珠等。
樹脂層12可藉由使用包含聚合性化合物等樹脂層用組成物而形成。樹脂層用組成物包含上述聚合性化合物等，此外，亦可視需要添加溶劑、聚合起始劑。進而，於樹脂層用組成物中，亦可根據提高樹脂層之硬度，抑制硬化收縮，或控制折射率等目的，添加先前公知之分散劑、界面活性劑、矽烷偶合劑、增黏劑、防著色劑、著色劑（顏料、染料）、消泡劑、阻燃劑、紫外線吸收劑、接著賦予劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、表面改質劑、易滑劑等。
＜溶劑＞
作為溶劑，例如可列舉：醇類（甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、二級丁醇、三級丁醇、苄醇、PGME、乙二醇等）、酮類（丙酮、甲基乙基酮（MEK）、環己酮、甲基異丁基酮、二丙酮醇、環庚酮、二乙基酮等）、醚類（1,4-二口咢烷、二口咢口柬、二異丙基醚二口咢烷、四氫呋喃等）、脂肪族烴類（己烷等）、脂環式烴類（環己烷等）、芳香族烴類（甲苯、二甲苯等）、鹵化碳類（二氯甲烷、二氯乙烷等）、酯類（甲酸甲酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯等）、賽珞蘇類（甲基賽珞蘇、乙基賽珞蘇、丁基賽珞蘇等）、乙酸賽珞蘇類、亞碸類（二甲基亞碸等）、醯胺類（二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等）、或該等之混合物。
＜聚合起始劑＞
聚合起始劑係藉由光或熱而分解，產生自由基或離子種而使聚合性化合物開始或進行聚合（交聯）之成分。樹脂層用組成物中所使用之聚合起始劑可列舉：光聚合起始劑（例如，光自由基聚合起始劑、光陽離子聚合起始劑、光陰離子聚合起始劑）或熱聚合起始劑（例如，熱自由基聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、熱陰離子聚合起始劑）、或該等之混合物。
如上所述，於將導電性膜10用於可撓性用途之情形時，使樹脂層12密接於透光性基材13，且於摺疊時追隨於透光性基材13變得重要。為了形成此種密接於透光性基材13且於摺疊時可追隨於透光性基材13之樹脂層12，較佳為使用肟酯系化合物作為聚合起始劑。作為肟酯系化合物之市售品，例如可列舉：IRGACURE OXE01、IRGACURE OXE02、IRGACURE OXE03（均為BASF Japan公司製造）。尤其於包含環烯烴聚合物系樹脂之透光性基材中，較佳為該等起始劑。
樹脂層用組成物中之聚合起始劑之含量較佳為相對於聚合性化合物100質量份為0.5質量份以上且10.0質量份以下。藉由將聚合起始劑之含量設為該範圍內，可充分地保持硬塗性能，且可抑制硬化阻礙。
＜＜第1導電部＞＞
如圖2所示，導電部11包含導電性纖維15。導電部11中，除導電性纖維15以外，包含透光性樹脂16。但第1導電部只要包含導電性纖維，則亦可不包含透光性樹脂。本說明書中，所謂「導電部」，意指於使用掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）或穿透式電子顯微鏡（TEM）觀察剖面時，包含導電性纖維之層。於導電部之界面不易確認之情形時，較佳為進行於導電部之表面藉由濺鍍法形成Pt-Pd或Au等金屬層等電子顯微鏡觀察中通常所使用之預處理。又，若實施四氧化鋨、四氧化釕、磷鎢酸等染色處理，則變得容易看見有機層間之界面，因此利用樹脂包埋導電性膜整體後，亦可進行染色處理。
導電性纖維15配置於透光性樹脂16中。本說明書中，所謂「導電性纖維」，係指具有導電性，且具有長度與粗度（例如直徑）相比充分長之形狀者，例如大致長度為粗度之5倍以上者包含於導電性纖維。
導電部11之表面電阻值較佳為成為3 Ω/□以上且1000 Ω/□以下。若導電部之表面電阻值未達3 Ω/□，則有光學性能變得不充分之虞，又，若導電部之表面電阻值超過1000 Ω/□，則尤其是於觸控面板用途中，有產生應答速度變慢等不良情況之虞。導電部11之表面電阻值係表面11A中之表面電阻值。表面電阻值可於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下，使用依據JIS K7194：1994（導電性塑膠之利用四探針法之電阻率試驗方法）之接觸式之電阻率計（產品名「Loresta AX MCP-T370型」，三菱化學ANALYTECH股份有限公司製造，端子形狀：ASP探針）及非破壞式（渦電流法）之電阻率計（產品名「EC-80P」，Napson股份有限公司製造，https://www.napson.co.jp/wp/wp-content/uploads/2016/08/Napson_EC80P_Leaflet_ 160614.pdf）之任一者進行測定，但就可不因導電部之膜厚而準確地測定之方面而言，較佳為使用非破壞式之電阻率計進行測定。非破壞式之電阻率計之探針係僅藉由簡易地接觸於樣品便可測定者，不會對樣品造成損傷，可於任意之場所進行測定。在此意義上，亦有稱為非接觸式之情形。利用非破壞式之電阻率計之導電部之表面電阻值的測定，係將切取成80 mm×50 mm之大小之導電性膜以導電部側成為上表面的方式配置於平坦之玻璃板上，使探針接觸於導電部而進行。於使用EC-80P測定表面電阻值之情形時，選擇SW2，選擇模式M-H之薄片電阻測定Ω/□。又，可根據測定範圍而容易地更換探針類型，於本實施形態中，使用測定範圍為10～1000 Ω/□範圍之探針、0.5～10 Ω/□範圍之探針。再者，利用EC-80P-PN（Napson股份有限公司製造）代替EC-80P亦可同樣地測定，但於該機種之情形時，P/N較佳為選擇P。又，利用接觸式之電阻率計之導電部之表面電阻值的測定係藉由下述方式而進行，即，將切取成80 mm×50 mm之大小之導電性膜以導電部側成為上表面之方式配置於平坦之玻璃板上，將ASP探針配置於導電部之中心，將全部之電極接腳均勻地壓抵於導電部。於利用接觸式之電阻率計測定表面電阻值時，選擇作為測定薄片電阻之模式之Ω/□。其後，若按下開始按鈕並進行保持，則顯示測定結果。無論電阻率計之種類如何，表面電阻值之測定均於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下進行。又，於測定表面電阻值時，無論電阻率計之種類如何，均於水平之桌上配置導電性膜，於均勻之平面狀態下進行測定，但於導電性膜捲曲等無法維持平面狀態之情形時，於利用膠帶等將導電性膜貼附於玻璃板之狀態下進行。測定部位係設為導電性膜之中心部之3個部位，表面電阻值係設為3個部位之表面電阻值之算術平均值。此處，若全部依據JIS K7194：1994，則測定點為1點、5點、或9點，但實際上若將導電性膜切取成80 mm×50 mm之大小，如JIS K7194：1994之圖5般進行測定，則有測定值變得不穩定之情形。因此，關於測定點，與JIS K7194：1994不同，設為於導電部之中央部3個部位進行測定。例如，於JIS K7194：1994之圖5之1號之位置、1號及7號之間之位置（較佳為接近1號之位置）、及1號與9號之間之位置（較佳為接近1號之位置）進行測定。於井阪大智及其他一名之「利用四探針法之導電性薄膜之電阻率測定」2008年度電子資訊通訊學會東京支部學生研究發表會、https://www.ieice.org/tokyo/gakusei/kenkyuu/14/pdf/120.pdf）中亦報告有，較理想為於樣品之中心附近測定表面電阻值。導電部11之表面電阻值之下限更佳為5 Ω/□以上、或10 Ω/□以上，又，導電部11之表面電阻值之上限更佳為100 Ω/□以下、70 Ω/□以下、60 Ω/□以下、或50 Ω/□以下。
上述表面電阻值可根據後述之線電阻值藉由以下之數式（2）進行換算。以下之數式（2）中，Rs 為表面電阻值（Ω/□），RL 為線電阻值（Ω），WL 為測定線電阻值時之線寬，LL 為測定線電阻值時之長度。根據實際測定而獲得之表面電阻值及線電阻值藉由以下之式換算之表面電阻值成為大致相同值。
RS ＝RL ×WL ÷LL …（2）
導電部11之線電阻值較佳為成為60 Ω以上且20000 Ω以下。若導電部之線電阻值未達60 Ω，則有光學特性變得不充分之虞，又，若導電部之線電阻值超過20000 Ω，則尤其於觸控面板用途中，有產生應答速度變慢等不良情況之虞。導電部11之線電阻值可藉由使測試機（產品名「Digital MΩ Hitester 3454-11」，日置電機公司製造）之探針端子接觸於自導電性膜切取成寬度5 mm×長度100 mm之長方形形狀之樣品之長度方向的兩端部而進行測定。具體而言，Digital MΩ Hitester 3454-11具備2根探針端子（紅色探針端子及黑色探針端子，兩者均為針形），因此使紅色探針端子接觸於導電部之一端部，且使黑色探針端子接觸於導電部之另一端部而測定導電部之線電阻值。導電部11之線電阻值之下限更佳為200 Ω以上，又，導電部11之線電阻值之上限更佳為2000 Ω以下。線電阻值之測定係於溫度23±5℃及相對濕度30%以上且70%以下之環境下進行。
導電部11之膜厚較佳為設為未達300 nm。若導電部之膜厚為300 nm以上，則相應地，透光性樹脂之膜厚變得過厚，因此有全部之導電性纖維被埋於透光性樹脂中，由此導致一部分之導電性纖維不露出至導電部之表面，無法自導電部之表面獲得電性導通之虞。導電部之膜厚越大，導電性纖維彼此重疊之部分越增加，因此亦可達成1 Ω/□以上且10 Ω/□以下之低表面電阻值，但若導電性纖維過度重疊，則亦有難以維持低霧度值之情形。因此，膜厚較佳為未達300 nm。再者，就光學特性、薄膜化之觀點而言，只要可維持低表面電阻值，則導電部較佳為薄膜。就謀求薄型化之觀點及獲得低霧度值等良好之光學特性之觀點而言，導電部11之膜厚之上限更佳為200 nm以下、145 nm、140 nm以下、120 nm以下、110 nm以下、80 nm以下、或50 nm以下。又，導電部11之膜厚之下限較佳為10 nm以上。若導電部之膜厚未達10 nm，則相應地，透光性樹脂16之膜厚變得過薄，因此有產生導電性纖維自導電部之脫離、導電部之耐久性之劣化、耐擦傷性之降低之虞。又，為了使導電性纖維容易斷裂等不穩定性消失，較佳為導電性纖維之纖維直徑某種程度較大。作為導電性纖維穩定而可維持形態之纖維直徑，考慮為10 nm以上或15 nm以上。另一方面，為了獲得穩定之電性導通，較理想為2根以上之導電性纖維重疊而接觸，因此導電部11之膜厚之下限更佳為20 nm以上或30 nm以上。再者，於獲得可撓性之情形時，若上述間隔稍大且摺疊次數亦為10萬次左右，則當導電部11之膜厚未達300 nm時，可獲得穩定之電阻值。又，於上述間隔變小且摺疊次數亦超過10萬次之情形時，導電部11之膜厚以較薄者為佳，例如較佳為200 nm以下、145 nm以下，進而較佳為120 nm以下。
導電部11之膜厚係自使用掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）或穿透式電子顯微鏡（TEM）拍攝之導電部之剖面照片，隨機地測定10個部位之膜厚，設為所測定之10個部位之膜厚之算術平均值。以下記載具體之剖面照片之拍攝方法。首先，利用與上述相同之方法，由導電性膜製作剖面觀察用之樣品。再者，若於該樣品中未獲得導通，則有不易看見利用STEM獲得之觀察圖像之情形，因此較佳為將Pt-Pd進行20秒左右之濺鍍。濺鍍時間可適宜調整，但若為10秒則較少，若為100秒則過多，因而所濺鍍之金屬成為粒子狀之異物圖像，因此需要注意。其後，使用掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）（產品名「S-4800（TYPE2）」，日立高新技術股份有限公司製造），拍攝STEM用樣品之剖面照片。於拍攝該剖面照片時，將檢測器（選擇訊號）設為「TE」、加速電壓設為「30 kV」、發射電流設為「10 μA」而進行STEM觀察。關於倍率，同時調節聚焦而觀察能否辨別各層之對比度及亮度，並以5000倍～20萬倍適宜調節。較佳之倍率為1萬倍～10萬倍，進而較佳之倍率為1萬倍～5萬倍，最佳之倍率為2.5萬倍～5萬倍。再者，於拍攝剖面照片時，進而，亦可將光圈設為射束偵測光圈3、物鏡光圈設為3，又，將W.D.設為8 mm。於測定導電部之膜厚時，進行剖面觀察時，可盡可能明確地觀察導電部與其他層（樹脂層或包埋樹脂等）之界面對比度變得重要。假如於對比度不足而不易看見該界面之情形時，亦可進行於導電部之表面藉由濺鍍法形成Pt-Pd、Pt或Au等金屬層等電子顯微鏡觀察中通常所使用之預處理。又，若實施四氧化鋨、四氧化釕、磷鎢酸等染色處理，則容易看見有機層間之界面，因此亦可進行染色處理。又，關於界面之對比度，有高倍率者不易獲知之情形。於該情形時，低倍率亦同時觀察。例如，以2.5萬倍與5萬倍、或5萬倍與10萬倍等高低2個倍率進行觀察，以兩倍率求出上述之算術平均值，進而將其平均值設為導電部之膜厚之值。
＜導電性纖維＞
導電性纖維15較佳為於導電部11中存在多根。導電性纖維15可自導電部11之表面11A電性導通，因此於導電部11之膜厚方向上導電性纖維15彼此接觸。
於導電部11中，較佳為藉由導電性纖維15彼此接觸而於導電部11之平面方向（二維方向）形成網路結構（網狀結構）。藉由導電性纖維15形成網路結構，可形成導電路徑。
一部分之導電性纖維15較佳為於導電部11之表面11A露出。再者，只要以導電性纖維15固定於導電部11之程度使導電性纖維15之一部分露出即可，導電性纖維15自導電部11之表面11A突出之情形亦包含於導電性纖維15露出至導電部11之表面11A之情形。若一部分之導電性纖維未露出至導電部之表面，則有無法自導電部之表面獲得電性導通之虞，因此若自導電部11之表面11A獲得電性導通，則可判斷為一部分之導電性纖維15露出至導電部11之表面11A。導電性纖維是否可自導電部之表面電性導通可藉由利用與上述相同之方法測定導電部之表面電阻值而進行判斷。具體而言，若導電部之表面電阻值之算術平均值未達1×106 Ω/□，則可判斷為自導電部之表面獲得了電性導通。
導電性纖維15之纖維直徑較佳為100 nm以下。若導電性纖維15之纖維直徑為100 nm以下，則可抑制導電性膜10之霧度值之上升，又，亦無透光性能變得不充分之虞。就如上述般穩定而可維持形態，且可確保導電部11之導電性而言，導電性纖維15之纖維直徑之下限較佳為3 nm以上或5 nm以上。就透明性之觀點而言，導電性纖維15之纖維直徑之上限更佳為50 nm以下或30 nm以下。導電性纖維15之纖維直徑之更佳之範圍為7 nm以上且25 nm以下。
導電性纖維15之纖維直徑例如係使用穿透式電子顯微鏡（TEM）（產品名「H-7650」，日立高新技術股份有限公司製造），以10萬倍～20萬倍拍攝50張，藉由TEM附帶之軟體，於拍攝畫面上，實測100根導電性纖維之纖維直徑，求出其算術平均值。於使用上述H-7650測定纖維直徑時，將加速電壓設為「100 kV」、發射電流設為「10 μA」、聚焦透鏡光圈設為「1」、物鏡光圈設為「0」、觀察模式設為「HC」、焦點（Spot）設為「2」。又，亦可藉由掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）（產品名「S-4800（TYPE2）」，日立高新技術股份有限公司製造）測定導電性纖維之纖維直徑。於使用STEM之情形時，以10萬倍～20萬倍拍攝50張，藉由STEM附帶之軟體，於拍攝畫面上，實測100根之導電性纖維之纖維直徑，作為其算術平均值而求出導電性纖維之纖維直徑。於使用上述S-4800（TYPE2）測定纖維直徑時，將訊號選擇設為「TE」、加速電壓設為「30 kV」、發射電流設為「10 μA」、探針電流設為「Norm」、焦點模式設為「UHR」、聚光透鏡1設為「5.0」、W.D.設為「8 mm」、傾角（Tilt）設為「0°」。
於測定導電性纖維15之纖維直徑時，使用藉由以下之方法製作之測定用樣品。此處，由於TEM測定為高倍率，故而重要的是以導電性纖維盡可能不重疊之方式，盡可能降低含導電性纖維之組成物之濃度。具體而言，較佳為將含導電性纖維之組成物，根據組成物之分散介質，利用水或醇將導電性纖維之濃度稀釋成0.05質量%以下，或將固形物成分稀釋成0.2質量%以下。進而，將該經稀釋之含導電性纖維之組成物滴加1滴至TEM或STEM觀察用之附碳支持膜之柵網上，於室溫使其乾燥，於上述條件下進行觀察，設為觀察影像資料。以此為基礎求出算術平均值。作為附碳支持膜之柵網，較佳為Cu柵型號「#10-1012 彈性碳ELS-C10 STEM Cu100P柵規格」，又，由於可耐電子束照射量、電子束穿透率較塑膠支持膜良好，故而較佳為適於高倍率，可耐有機溶劑者。又，於滴加時，若僅為柵網，則過於微小而不易滴加，因此可於載玻片上載置柵網而進行滴加。
上述纖維直徑能以照片為基礎進行實測而求出，又，亦能以影像資料為基礎進行二值化處理而算出。於進行實測之情形時，亦可印刷照片並適宜放大。此時，導電性纖維係黑色之濃度較其他成分更濃地寫入。測定點係以輪廓外側作為起點、終點進行測定。導電性纖維之濃度係以導電性纖維之質量相對於含導電性纖維之組成物之總質量的比率求出，又，固形物成分係藉由分散介質以外之成分（導電性纖維、樹脂成分、其他添加劑）之質量相對於含導電性纖維之組成物之總質量的比率而求出。使用含導電性纖維之組成物求出之纖維直徑與以照片為基礎進行實測而求出之纖維直徑成為大致相同值。
導電性纖維15之纖維長較佳為1 μm以上。若導電性纖維15之纖維長為1 μm以上，則可形成具有充分之導電性能之導電部11，又，可抑制凝聚之產生，因此亦無招致霧度值之上升或透光性能之降低之虞。導電性纖維15之纖維長之上限可設為100 μm以下、30 μm以下、或20 μm以下，又，導電性纖維15之纖維長之下限可設為3 μm以上、10 μm以上。
導電性纖維15之纖維長例如係使用掃描式電子顯微鏡（SEM）（產品名「S-4800（TYPE2）」，日立高新技術股份有限公司製造）之SEM功能，以500～2000萬倍拍攝10張，藉由附帶之軟體，於拍攝畫面上，測定100根導電性纖維之纖維長，求出該100根導電性纖維之纖維長之算術平均值。於使用上述S-4800（TYPE2）測定纖維長時，使用45°傾斜之試樣台，將訊號選擇設為「SE」、加速電壓設為「3 kV」、發射電流設為「10 μA～20 μA」、SE檢測器設為「混合」、探針電流設為「Norm」、焦點模式設為「UHR」、聚光透鏡1設為「5.0」、W.D.設為「8 mm」、Tilt設為「30°」。再者，於SEM觀察時，不使用TE檢測器，因此於SEM觀察前必須預先卸除TE檢測器。上述S-4800可選擇STEM功能與SEM功能，但於測定上述纖維長時，使用SEM功能。
於測定導電性纖維15之纖維長時，使用藉由以下之方法製作之測定用樣品。首先，將含導電性纖維之組成物以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於B5尺寸之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜之未處理面，使分散介質乾燥，使導電性纖維配置於PET膜表面，製作導電性膜。自該導電性膜之中央部切取成10 mm×10 mm之大小。其後，使用銀膠，將該切取之導電性膜平坦地貼附於具有45°傾斜之SEM試樣台（型號「728-45」，日新EM股份有限公司製造，傾斜型試樣台45°，15 mm×10 mm M4鋁製）之台面。進而，將Pt-Pd進行20秒～30秒濺鍍而獲得導通。若無適度之濺鍍膜，則有不易看見圖像之情形，因此於該情形時進行適宜調整。
上述纖維長能以照片為基礎進行實測而求出，又，亦能以影像資料為基礎進行二值化處理而算出。於以照片為基礎進行實測之情形時，藉由與上述相同之方法進行。使用含導電性纖維之組成物所求出之纖維長與以照片為基礎進行實測所求出之纖維長成為大致相同值。
作為導電性纖維15，較佳為選自由導電性碳纖維、金屬纖維、被覆有金屬之有機纖維、被覆有金屬之無機纖維、及奈米碳管所組成之群中之至少1種纖維。
作為上述導電性碳纖維，例如可列舉：氣相沈積法碳纖維（VGCF）、奈米碳管、線杯（wire cup）、線牆（wire wall）等。該等導電性碳纖維可使用1種或2種以上。
作為上述金屬纖維，較佳為由不鏽鋼、Ag、Cu、Au、Al、Rh、Ir、Co、Zn、Ni、In、Fe、Pd、Pt、Sn、Ti、或該等之合金構成之金屬奈米線，於金屬奈米線中，就可實現低電阻值，不易氧化，又，適於濕式塗佈之觀點而言，較佳為銀奈米線。作為上述金屬纖維，例如可使用藉由將上述金屬較細且較長地拉伸之伸線法或切削法而製作之纖維。此種金屬纖維可使用1種或2種以上。
又，於使用銀奈米線作為金屬纖維之情形時，銀奈米線可於多元醇（例如乙二醇）及聚(乙烯基吡咯啶酮)之存在下，藉由銀鹽（例如硝酸銀）之液相還原而合成。均勻尺寸之銀奈米線之大量生產例如可依據Xia, Y. et al., Chem. Mater. (2002), 14, 4736-4745及Xia, Y. et al., Nanoletters (2003) 3(7), 955-960中所記載之方法而獲得。
金屬奈米線之製造手段並無特別限制，例如可使用液相法或氣相法等公知之手段。又，具體之製造方法亦無特別限制，可使用公知之製造方法。例如，作為銀奈米線之製造方法，能以Adv. Mater., 2002, 14, 833～837; Chem. Mater., 2002, 14, 4736～4745等作為參考，作為金奈米線之製造方法，能以日本特開2006-233252號公報等作為參考，作為Cu奈米線之製造方法，能以日本特開2002-266007號公報等作為參考，作為鈷奈米線之製造方法，能以日本特開2004-149871號公報等作為參考。
作為上述被覆有金屬之有機纖維，例如可列舉於丙烯酸纖維塗佈有金、銀、鋁、鎳、鈦等之纖維等。此種被覆有金屬之合成纖維可使用1種或2種以上。
＜透光性樹脂＞
透光性樹脂16係為了防止導電性纖維15自導電部11之脫離，且提高導電部11之耐久性或耐擦傷性，而覆蓋導電性纖維15者，但以自導電部11之表面11A獲得電性導通之程度覆蓋導電性纖維15。具體而言，若一部分之導電性纖維未露出至第1導電部之表面，則有無法自第1導電部之表面獲得電性導通之虞，因此透光性樹脂16較佳為以一部分之導電性纖維15自導電部11之表面11A露出之方式覆蓋導電性纖維15。為了以一部分之導電性纖維15露出至導電部11之表面11A之方式由透光性樹脂16覆蓋導電性纖維15，例如只要調整透光性樹脂16之厚度即可。即，若透光性樹脂之厚度過厚，則有全部之導電性纖維被埋於透光性樹脂，由此導致一部分之導電性纖維未露出至第1導電部之表面，自第1導電部之表面未獲得電性導通之虞。又，若透光性樹脂之厚度過薄，則有產生導電性纖維自第1導電部之脫離、第1導電部之耐久性之劣化、耐擦傷性之降低之虞。因此，必須將透光性樹脂之厚度調節為適度之厚度。
就上述之觀點而言，透光性樹脂16之厚度較佳為設為未達300 nm。透光性樹脂16之厚度可利用與導電部11之膜厚之測定方法相同之方法進行測定。透光性樹脂16之膜厚之上限更佳為200 nm以下、145 nm以下、140 nm以下、120 nm以下、110 nm以下、80 nm以下、或50 nm以下。又，透光性樹脂16之膜厚之下限較佳為10 nm以上。
透光性樹脂16只要為具有透光性之樹脂，則並無特別限定，作為透光性樹脂，可列舉聚合性化合物之聚合物或熱塑性樹脂等。作為聚合性化合物，可列舉與樹脂層12之欄中所說明之聚合性化合物相同者，故此處省略說明。
＜＜第2導電部＞＞
導電部14直接設置於透光性基材13中之與樹脂層12側之第1面13A相反側之第2面13B。透光性基材13較佳為於導電部14側不具備基底層。藉由設為此種構成，即便於使用包含導電性纖維及分散介質之含導電性纖維之組成物而形成導電部之情形時，導電性纖維亦不會進入至透光性基材，因此可抑制電阻值之上升。
如圖2所示，導電部14與導電部11同樣地包含導電性纖維17。導電部14中，除導電性纖維17以外，包含透光性樹脂18。導電性纖維17配置於透光性樹脂18中。導電性纖維17及透光性樹脂18與導電性纖維15及透光性樹脂16相同，故此處省略說明。
導電部14之表面電阻值成為導電部11之表面電阻值之±30%以內。導電部14之表面電阻值係表面14A中之表面電阻值。導電部14之表面電阻值係藉由與導電部11之表面電阻值相同之方法進行測定。導電部14之表面電阻值更佳為成為導電部11之表面電阻值之±20%以內、±15%以內、±10%以內、或±5%以內。導電部14之表面電阻值相對於導電部11之表面電阻值之差異率（%）係藉由以下之數式（3）而求出。
A＝（C－B）/B×100…（3）
上述數式（3）中，A為第2導電部之表面電阻值相對於第1導電部之表面電阻值之差異率（%），B為第1導電部之表面電阻值，C為第2導電部之表面電阻值。
就與導電部11之欄中所記載之理由相同之理由而言，導電部14之表面電阻值較佳為3 Ω/□以上且1000 Ω/□以下。導電部14之表面電阻值之下限更佳為5 Ω/□以上、或10 Ω/□以上，又，導電部14之表面電阻值之上限更佳為100 Ω/□以下、70 Ω/□以下、60 Ω/□以下、或50 Ω/□以下。
導電部14之線電阻值成為導電部11之線電阻值之±30%以內。導電部14之線電阻值係藉由與導電部11之線電阻值相同之方法進行測定。導電部14之線電阻值進而較佳為成為導電部11之線電阻值之±20%以內、±15%以內、±10%以內、或±5%以內。再者，亦有任意之第1方向之電阻值變低，但另一方面，導電部之面內中之與該第1方向正交之第2方向之電阻值高於第1方向之電阻值之情況，考慮該情況，導電部14之線電阻值亦處於導電部11之線電阻值之±30%以內。導電部14之線電阻值相對於導電部11之線電阻值之差異率（%）係藉由以下之數式（4）而求出。
D＝（F－E）/E×100…（4）
上述數式（4）中，D為第2導電部之線電阻值相對於第1導電部之線電阻值之差異率（%），E為第1導電部之線電阻值，F為第2導電部之線電阻值。
就與導電部11之欄中所記載之理由相同之理由而言，導電部14之線電阻值較佳為600 Ω以上且20000 Ω以下。導電部14之線電阻值之下限更佳為200 Ω以上，又，導電部14之線電阻值之上限更佳為2000 Ω以下。
就與導電部11之欄中所記載之理由相同之理由而言，導電部14之膜厚較佳為設為未達300 nm。就謀求薄型化之觀點及獲得低霧度值等良好之光學特性之觀點而言，導電部14之膜厚之上限更佳為200 nm以下、145 nm、140 nm以下、120 nm以下、110 nm以下、80 nm以下、或50 nm以下。又，就與導電部11之欄中所記載之理由相同之理由而言，導電部14之膜厚之下限更佳為10 nm以上、20 nm以上、30 nm以上。導電部14之膜厚可藉由與導電部11之膜厚相同之方法進行測定。
就與導電部11之欄中所記載之理由相同之理由而言，導電部14之壓痕硬度與導電部11之壓痕硬度相同，故此處省略說明。
如上所述，於將上述連續摺疊試驗之摺疊次數設為例如1萬次或5萬次之評價中，有無法進行實用水準上之評價之虞。因此，為了評價是否為實用水準，上述連續摺疊試驗之摺疊次數必須以至少10萬次進行評價。又，根據用途，所求出之間隔或摺疊次數不同。另一方面，先前認為，若使用導電性纖維或聚醯亞胺系樹脂等摺疊性較強之基材，則即便縮窄間隔，又，即便增加摺疊次數，可撓性亦良好。然而，意外的是，由聚醯亞胺系樹脂構成之基材根據摺疊試驗之條件而亦有無法維持良好的可撓性之情形。關於該方面，本發明者等人進行了努力研究，結果發現，於包含導電性纖維之導電性膜中，為了獲得良好之可撓性，各層之膜厚之平衡較為重要。
具體而言，於上述摺疊試驗中之上述間隔為4 mm以上且摺疊次數為10萬次以下之情形時，較佳為以下說明之膜厚之範圍。於透光性基材13包含聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之情形時，較佳為包含聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之透光性基材13之厚度為3 μm以上且45 μm以下，樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且3 μm以下，導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且未達300 nm。又，於透光性基材13包含環烯烴聚合物系樹脂之情形時，較佳為包含環烯烴聚合物系樹脂之透光性基材13之厚度為3 μm以上且45 μm以下，樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且3 μm以下，導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且未達300 nm。又，於透光性基材13包含聚醯亞胺系樹脂之情形時，較佳為包含聚醯亞胺系樹脂之透光性基材13之厚度為3 μm以上且75 μm以下，樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且3 μm以下，導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且未達300 nm。進而，於該等情形時，導電性膜10之厚度（總厚）較佳為5 μm以上且45 μm以下。
於上述摺疊試驗中之上述間隔為4 mm以上且摺疊次數為20萬次以下之情形時，較佳為以下說明之膜厚之範圍。於透光性基材13包含環烯烴聚合物系樹脂之情形時，較佳為包含環烯烴聚合物系樹脂之透光性基材13之厚度為3 μm以上且45 μm以下，樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且1.5 μm以下，導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且200 nm以下。又，於透光性基材13包含聚醯亞胺系樹脂之情形時，包含聚醯亞胺系樹脂之透光性基材13之厚度為3 μm以上且75 μm以下，樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且1.5 μm以下，導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且200 nm以下。再者，於上述摺疊試驗中之上述間隔為4 mm以上且摺疊次數為20萬次以下之情形時，於包含聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之透光性基材中，亦只要藉由透光性基材本身之薄膜化，而包含聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之透光性基材13之厚度為5 μm以上且25 μm以下、樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且1.5 μm以下、導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且200 nm以下則可使用，但於加工時有需要保護膜之情形。進而，於該等情形時，導電性膜10之厚度（總厚）較佳為5 μm以上且35 μm以下。
於上述摺疊試驗中之上述間隔為2 mm以上且摺疊次數為30萬次以下之情形時，較佳為以下說明之膜厚之範圍。於透光性基材13包含環烯烴聚合物系樹脂之情形時，較佳為包含環烯烴聚合物系樹脂之透光性基材13之厚度為3 μm以上且45 μm以下，樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且1.5 μm以下，導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且200 nm以下。於該情形時之透光性基材13之厚度之上限更佳為30 μm以下，樹脂層12之膜厚之上限更佳為1 μm以下或0.7 μm以下。再者，於上述摺疊試驗中之上述間隔為2 mm以上且摺疊次數為30萬次以下之情形時，於包含聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂或聚醯亞胺系樹脂之透光性基材中，亦只要藉由透光性基材本身之薄膜化，而包含聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之透光性基材13之厚度為5 nm以上且15 nm以下、樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且1.5 μm以下、導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且200 nm以下，或者包含聚醯亞胺系樹脂之透光性基材13之厚度為5 μm以上且25 μm以下、樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且1.5 μm以下、導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且200 nm以下則可使用，但於加工時有需要保護膜之情形。進而，於該情形時，導電性膜10之厚度（總厚）較佳為5 μm以上且35 μm以下，更佳為30 μm以下。
於上述摺疊試驗中之上述間隔為2 mm以上且摺疊次數為50萬次以下之情形時，較佳為以下說明之膜厚之範圍。於透光性基材13包含環烯烴聚合物系樹脂之情形時，較佳為包含環烯烴聚合物系樹脂之透光性基材13之厚度為3 μm以上且30 μm以下，樹脂層12之膜厚為0.2 μm以上且1 μm以下，導電部11、14之膜厚分別為10 nm以上且145 nm以下。於該情形時之透光性基材13之厚度之上限更佳為20 μm以下，樹脂層12之膜厚之上限更佳為0.7 μm以下。進而，於該情形時，導電性膜10之厚度（總厚）較佳為5 μm以上且25 μm以下，更佳為20 μm以下。
＜＜＜其他導電性膜＞＞＞
圖1所示之導電性膜10僅於透光性基材之單面側具備樹脂層，但如圖5所示，亦可於透光性基材之兩面側具備樹脂層。具體而言，圖5所示之導電性膜30於透光性基材13與導電部14之間進而具備樹脂層31。藉由於透光性基材13之兩面側具備樹脂層12、31，可抑制因樹脂層之收縮而產生之捲曲，並且可密封自透光性基材13析出之成分，因此可提高導電性膜30之耐久性，又，可抑制於圖案化時對透光性基材13之損傷。再者，於圖2及其以後之圖中，標附有與圖1相同符號之構件與圖1所示之構件相同，因此省略說明。
＜＜樹脂層＞＞
圖5所示之樹脂層31鄰接於透光性基材13及導電部14，但亦可不鄰接。由於樹脂層31與樹脂層12相同，故而省略說明。再者，樹脂層31之成分或膜厚可與樹脂層12之成分或膜厚相同，亦可不同。
於上述摺疊試驗中之上述間隔為4 mm以上且摺疊次數為10萬次以下之情形、上述摺疊試驗中之上述間隔為4 mm以上且摺疊次數為20萬次以下之情形、上述摺疊試驗中之上述間隔為2 mm以上且摺疊次數為30萬次以下之情形、上述摺疊試驗中之上述間隔為2 mm以上且摺疊次數為50萬次以下之情形時之透光性基材13之厚度、樹脂層12及導電部11、14之膜厚之平衡較佳為與上述相同之範圍。再者，該等情形時之樹脂層31之膜厚與樹脂層12之膜厚相同。
又，圖1所示之導電性膜10之導電部11、14係未經圖案化之層狀者，但如圖6所示，導電性膜之第1導電部及第2導電部亦可為經圖案化者。圖6所示之導電性膜40依序具備第1導電部41（以下，有時亦簡稱為「導電部41」）、樹脂層12、透光性基材13、及第2導電部42（以下，有時亦簡稱為「導電部42」）。導電部41、42圖案化為特定之形狀，並且存在多個。又，圖6所示之導電性膜40中，除導電部41、42以外，亦具有位於導電部41間之第1非導電部43（以下，有時亦簡稱為「非導電部43」）及位於導電部42間之第2非導電部44（以下，有時亦簡稱為「非導電部44」）。
導電性膜40之正面40A係由第2導電部42之表面42A及非導電部44之表面44A構成，導電性膜40中之與正面40A相反側之面即背面40B係由第1導電部41之表面41A及非導電部43之表面43A構成。
＜＜第1導電部＞＞
如圖8所示，導電部41包含導電性纖維45。導電部41中，除導電性纖維45以外，包含透光性樹脂46。但第1導電部只要包含導電性纖維，則亦可不包含透光性樹脂。導電性纖維45配置於透光性樹脂46中。導電性纖維45及透光性樹脂46與導電性纖維15及透光性樹脂16相同，故此處省略說明。
就與導電部11之欄中所記載之理由相同之理由而言，導電部41之表面電阻值、線電阻值、及膜厚與導電部11之表面電阻值、線電阻值、及膜厚相同，故此處省略說明。
導電部41係作為投影型靜電電容方式之觸控面板中之X方向之電極發揮功能者。如圖7所示，導電部41具備於X方向上延伸之多個感測器部41B、及連結於各感測器部41B之端子部（未圖示）。
各感測器部41B係設置於作為可檢測觸控位置之區域之矩形狀之主動區域內，端子部係設置於作為與主動區域鄰接且自四周呈周狀地包圍主動區域之區域之非主動區域內。
各感測器部41B具有呈直線狀延伸之線部41C、及自線部41C鼓出之鼓出部41D。圖7中，線部41C係沿與感測器部41B之排列方向交叉之方向呈直線狀延伸。鼓出部41D係沿著透光性基材13之表面自線部41C鼓出之部分。因此，各感測器部41B之寬度於設置有鼓出部41D之部分變寬。本實施形態中，鼓出部41D具有俯視大致正方形狀之外輪廓。再者，鼓出部41D不限於俯視大致正方形狀，亦可為菱形狀或條紋狀。
＜＜第2導電部＞＞
導電部42直接設置於透光性基材13中之與樹脂層12側之面相反側之面。圖6所示之導電部42亦鄰接於透光性基材13。
如圖8所示，第2導電部42與第1導電部41同樣地，包含導電性纖維47。第2導電部42中，除導電性纖維47以外，包含透光性樹脂48。導電性纖維47配置於透光性樹脂48中。導電性纖維47及透光性樹脂48與導電性纖維15及透光性樹脂16相同，故此處省略說明。
導電部42之表面電阻值成為導電部41之表面電阻值之±30%以內。導電部42之表面電阻值為表面42A中之表面電阻值。導電部42之表面電阻值係藉由與導電部11之表面電阻值相同之方法進行測定，又，差異率係藉由與導電性膜10相同之方法而算出。導電部42之表面電阻值進而較佳為成為導電部11之表面電阻值之±20%以內、±15%以內、±10%以內、或±5%以內。
就與導電部11之欄中所記載之理由相同之理由而言，導電部41之表面電阻值、線電阻值、及膜厚與導電部11之表面電阻值、線電阻值、及膜厚相同，故此處省略說明。
導電部42係作為投影型靜電電容方式之觸控面板中之Y方向之電極發揮功能者。如圖7所示，導電部42具備於Y方向上延伸之多個感測器部42B、及連結於各感測器部42B之端子部（未圖示）。
各感測器部42B係設置於作為可檢測觸控位置之區域之矩形狀之主動區域內，端子部係設置於作為鄰接於主動區域且自四周呈周狀包圍主動區域之區域之非主動區域內。
各感測器部42B具有呈直線狀延伸之線部42C、及自線部42C鼓出之鼓出部42D。於圖6中，線部42C沿與感測器部42B之排列方向交叉之方向呈直線狀延伸。鼓出部42D係沿著透光性基材13之表面自線部42C鼓出之部分。因此，各感測器部42B之寬度於設置有鼓出部42D之部分變寬。於本實施形態中，鼓出部42D具有俯視大致正方形狀之外輪廓。再者，鼓出部42D並不限定於俯視大致正方形狀，亦可為菱形狀或條紋狀。
＜＜第1非導電部及第2非導電部＞＞
非導電部43係位於導電部41間且不顯示導電性之部分，非導電部44係位於導電部42間且不顯示導電性之部分。本說明書中，若非導電部之表面中之電阻值（表面電阻值）為1500 Ω/□以上，則判斷為非導電部顯示導電性。如圖8所示，非導電部43包含透光性樹脂46，且實質上不含導電性纖維45。又，非導電部44包含透光性樹脂48，且實質上不含導電性纖維47。本說明書中，所謂「實質上」，意指只要不顯示導電性，則亦可包含少許導電性纖維。因此，例如，即便於藉由自導電部之金屬離子之遷移而金屬離子析出至非導電部側之情形時，只要為不顯示導電性之程度，則亦可包含少許導電性纖維。非導電部43較佳為不含導電性纖維45，又，非導電部44較佳為不含導電性纖維47。再者，如後所述，藉由利用雷射光使導電性纖維45、47昇華，而於自非導電部43、44中去除導電性纖維45、47時，有構成導電性纖維45、47之導電性材料殘存之虞，但由於該導電性材料不為纖維狀，故而不視為導電性纖維。
關於非導電部43之厚度，由於與導電部41一體地形成，故而較佳為未達300 nm，又，關於非導電部44之厚度，由於與導電部42一體地形成，故而較佳為未達300 nm。就謀求薄型化之觀點及獲得低霧度值等良好之光學特性之觀點而言，非導電部43、44之膜厚之上限更佳為200 nm以下、145 nm以下、140 nm以下、120 nm以下、110 nm以下、80 nm以下、或50 nm以下。又，非導電部43、44之膜厚之下限更佳為10 nm以上、20 nm以上、或30 nm以上。非導電部43、44之厚度係藉由與導電部11之厚度相同之方法進行測定。
＜＜導電性膜之製造方法＞＞
導電性膜10例如能以如下方式製作。首先，如圖9（A）所示，於透光性基材13中之第1面13A塗佈樹脂層用組成物並使其乾燥，形成上述樹脂層用組成物之塗膜19。再者，於透光性基材13於單面具備基底層之情形時，第1面13A較佳為基底層之表面。
作為塗佈樹脂層用組成物之方法，可列舉：旋轉塗佈、浸漬法、噴霧法、斜板式塗佈法、棒式塗佈法、輥式塗佈法、凹版塗佈法、模嘴塗佈法等公知之塗佈方法。
繼而，如圖9（B）所示，對塗膜19照射紫外線等游離輻射或進行加熱，使聚合性化合物進行聚合（交聯），藉此使塗膜19硬化，而形成樹脂層12。
於使用紫外線作為使塗膜19硬化時之游離輻射之情形時，可利用自超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧燈、氙弧燈、金屬鹵化物燈等發出之紫外線等。又，作為紫外線之波長，可使用190～380 nm之波長區域。作為電子束源之具體例，可列舉：柯克勞夫-沃耳吞（Cockcroft-Walton）型、凡德格拉夫（Van de Graaff）型、共振變壓器型、絕緣芯變壓器型、或直線型、高頻高壓加速器型、高頻型等各種電子束加速器。
於形成樹脂層12後，將樹脂層12進行去靜電。去靜電例如可使用電壓施加式去靜電器（產品名「SJ-H156A」，KEYENCE股份有限公司製造）進行。再者，上述去靜電器例如亦能以與樹脂層12之距離成為50 mm之方式設置。
於將樹脂層12進行去靜電後，於透光性基材13之第2面13B，塗佈包含導電性纖維17及分散介質之含導電性纖維之組成物並使其乾燥，如圖10（A）所示，使多根導電性纖維17配置於透光性基材13之第2面13B。含導電性纖維之組成物中，除導電性纖維17及分散介質以外，亦可包含由熱塑性樹脂或聚合性化合物構成之樹脂成分。本說明書中，「樹脂成分」之概念除包含樹脂（其中，不包含構成用以防止覆蓋導電性纖維之導電性纖維彼此之自熔接或與環境中物質的反應等於導電性纖維之合成時形成於導電性纖維周邊之有機保護層的樹脂（例如聚乙烯基吡咯啶酮等））以外，亦包含如聚合性化合物般進行聚合而可成為樹脂之成分。再者，含導電性纖維之組成物中之樹脂成分於形成第2導電部後，構成透光性樹脂之一部分。
作為分散介質，可為有機系分散介質及水系分散介質之任一種。但若含導電性纖維之組成物中之樹脂成分之含量過多，則有樹脂成分進入至導電性纖維間，導電部之導通劣化之虞。尤其於導電部之膜厚較薄之情形時，導電部之導通容易劣化。另一方面，使用有機系分散介質之情形相較於使用水系分散介質之情形，含導電性纖維之組成物中之樹脂成分變少。因此，於形成膜厚較薄，例如具有300 nm之膜厚之導電部14之情形時，較佳為使用有機分散介質。有機系分散介質亦可包含未達10質量%之水。
作為有機系分散介質，並無特別限定，較佳為親水性之有機系分散介質。作為有機系分散介質，例如可列舉：己烷等飽和烴類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮（MEK）、甲基異丁基酮、二異丁基酮等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；四氫呋喃、二口咢烷、二乙醚等醚類；N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮（NMP）、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；氯乙烯、氯苯等鹵化烴等。該等之中，就含導電性纖維之組成物之穩定性之觀點而言，較佳為醇類。作為水系分散介質，可列舉水。
作為含導電性纖維之組成物中可包含之熱塑性樹脂，可列舉：丙烯酸系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂；聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺等芳香族系樹脂；聚胺酯系樹脂；環氧系樹脂；聚烯烴系樹脂；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（ABS）；纖維素系樹脂；聚氯乙烯系樹脂；聚乙酸酯系樹脂；聚降莰烯系樹脂；合成橡膠；氟系樹脂等。
作為含導電性纖維之組成物中可包含之聚合性化合物，可列舉與樹脂層12之欄中所說明之聚合性化合物相同者，故此處省略說明。
使多根導電性纖維17配置於透光性基材13之第2面21B後，塗佈包含聚合性化合物及溶劑之透光性樹脂用組成物並使其乾燥，如圖10（B）所示，形成透光性樹脂用組成物之塗膜20。透光性樹脂用組成物包含聚合性化合物及溶劑，但此外亦可視需要添加聚合起始劑或反應抑制劑。
繼而，如圖11（A）所示，對塗膜20照射紫外線等游離輻射，使聚合性化合物聚合（交聯），藉此使塗膜20硬化，形成透光性樹脂18，形成導電部14。
於形成導電部14後，於樹脂層12中之與透光性基材13側之面相反側之面，塗佈包含導電性纖維15及分散介質之含導電性纖維之組成物並使其乾燥，如圖11（B）所示，使多個導電性纖維15配置於樹脂層12上。含導電性纖維之組成物與形成導電部14時所使用之含導電性纖維之組成物相同，故此處省略說明。
使導電性纖維15配置於樹脂層12上後，塗佈包含聚合性化合物及溶劑之透光性樹脂用組成物並使其乾燥，如圖12（A）所示，形成透光性樹脂用組成物之塗膜21。透光性樹脂用組成物與形成導電部14時所使用之透光性樹脂組成物相同，故此處省略說明。
繼而，如圖12（B）所示，對塗膜21照射紫外線等游離輻射，使聚合性化合物進行聚合（交聯），藉此使塗膜21硬化，形成透光性樹脂16，形成導電部11。藉此，形成圖1所示之導電性膜10。
又，於獲得圖5所示之導電性膜30之情形時，藉由與樹脂層12相同之方法形成樹脂層31，並且藉由與樹脂層12相同之方法將樹脂層31進行去靜電。
又，於獲得圖6所示之導電性膜40之情形時，於形成導電性膜10後，對導電部11、14中之特定區域照射雷射光（例如紅外線雷射），將導電部11、14分別進行圖案化。若對特定區域照射雷射光，則藉由雷射光之熱而使該區域中所含之導電性纖維15、17昇華。昇華之導電性纖維15、17穿破透光性樹脂16、18而釋出至透光性樹脂16、18外。藉此，可獲得圖6所示之具有導電部41、42及非導電部43、44之導電性膜40。
可認為於導電性膜之一面設置第1導電部，於另一面設置第2導電部之情形時，於第1導電部與第2導電部中電阻值差異較大之原因在於以下之理由。首先，為了形成樹脂層等而抽出捲筒狀之透光性基材，但此時，透光性基材帶正電。此處，於利用去靜電裝置將所抽出之透光性基材之正電荷進行去靜電之情形時，將存在於透光性基材之表面之正電荷去靜電，但未去靜電至存在於內部之正電荷。因此，若於形成樹脂層前形成第2導電部，則殘存於透光性基材之內部之正電荷移動至第2導電部側，第2導電部受到正電荷之影響。另一方面，可認為第1導電部由於隔著樹脂層，故而不易受到正電荷之影響，藉此於第1導電部與第2導電部中電阻值差異較大。相對於此，於本實施形態中，於形成第2導電部14之前於透光性基材13形成樹脂層12，因此殘存於透光性基材13之內部之正電荷移動至樹脂層12側。尤其於樹脂層12包含游離輻射聚合性化合物之聚合物作為樹脂之情形時，雖理由並不明確，但殘存於透光性基材13之內部之正電荷容易移動至樹脂層12側。因此，即便形成第2導電部14，亦不易受到正電荷之影響。又，樹脂層12之膜厚較透光性基材13之厚度薄，因此於形成第1導電部11時，可利用去靜電裝置將不僅存在於樹脂層12之表面而且存在於內部之正電荷進行去靜電。因此，第1導電部11亦不易受到正電荷之影響。藉此，可使第2導電部14之表面電阻值成為第1導電部11之表面電阻值之±30%以內，又，可使第2導電部14之線電阻值成為第1導電部11之線電阻值之±30%以內，因此可減少第1導電部11與第2導電部14之電阻值之差異。又，就相同之理由而言，於透光性基材13之兩面側具備樹脂層12、31之導電性膜30中，亦可減少第1導電部11與第2導電部14之電阻值之差異。再者，由於導電部之膜厚較透光性基材之厚度薄，故而亦可認為只要於形成導電部後，將導電部進行去靜電，則不會受到正電荷之影響，但即便於形成導電部後，將導電部進行去靜電，亦有未怎麼獲得去靜電之效果，而無法減少表面電阻值或線電阻值之差異之虞。因此，去靜電必須於形成導電部之前進行。
於將依序具備樹脂層、透光性基材、及導電部且僅於單面具有導電部之導電性膜重疊2片而製為觸控面板之情形時，使用2片透光性基材及樹脂層，又，導電性膜間藉由黏著層而貼附。相對於此，於本實施形態中，使用具有導電部11、14之導電性膜10，因此與將僅於單面具有導電部之導電性膜重疊2片使用之情形相比，可將透光性基材省略1片，又，可將樹脂層及黏著層省略各1層。藉此，可謀求觸控面板及影像顯示裝置之薄型化。
由於在透光性基材之表面存在微小之凹凸，故而有外部霧度變高之情況，但根據本實施形態，於透光性基材13之第1面13A具備樹脂層12，因此可藉由樹脂層12而將透光性基材13之第1面13A所存在之微小之凹凸填埋。因此，可降低外部霧度值。又，若將透光性基材進行加熱，則有低聚物成分自透光性基材析出，外部霧度值上升，透明性受損之情況。相對於此，於本實施形態中，於透光性基材13之第1面13A形成有樹脂層12，因此可抑制低聚物成分自透光性基材13之析出。藉此，即便於將導電性膜10進行加熱之情形時，亦可抑制導電性膜10之霧度值之上升，可確保透明性。
根據本實施形態，由於使用導電性纖維15、17，故而可提供與ITO不同，即便彎曲亦不易破裂之導電性膜10。因此，亦可將導電性膜10組入至可摺疊（foldable）之影像顯示裝置而使用。
本實施形態之導電性膜之用途並無特別限定，本實施形態之導電性膜10、30、40例如可組入至感測器、觸控面板、影像顯示裝置而使用。圖13係本實施形態之影像顯示裝置之概略構成圖。圖13所示之影像顯示裝置50係組入有導電性膜40者。於圖13中，標附有與圖6相同之符號之構件與圖6所示之構件相同，因此省略說明。
＜＜＜影像顯示裝置＞＞＞
如圖13所示，影像顯示裝置50主要具備：用以顯示影像之顯示面板60、配置於顯示面板60之背面側之背光裝置70、配置於較顯示面板60更靠觀察者側之觸控面板80、及介置於顯示面板60與觸控面板80之間之透光性接著層90。於本實施形態中，顯示面板60為液晶顯示面板，因此影像顯示裝置50具備背光裝置70，但根據顯示面板（顯示元件）之種類，亦可不具備背光裝置70。又，影像顯示裝置中，例如為了抑制利用偏光太陽眼鏡之視認性之降低，亦可進而具備膜。
＜＜顯示面板＞＞
如圖13所示，顯示面板60具有自背光裝置70側向觀察者側依序積層有偏光板61、顯示元件62、偏光板63之結構。顯示面板60只要具備顯示元件62即可，亦可不具備偏光板61、63等。
顯示元件62為液晶顯示元件。但顯示元件62並不限於液晶顯示元件，例如亦可為使用有機發光二極體（OLED）、無機發光二極體及/或量子點發光二極體（QLED）之顯示元件。於獲得可摺疊之影像顯示裝置之情形時，較佳為使用OLED。液晶顯示元件係於2片玻璃基材間配置有液晶層、配向膜、電極層、彩色濾光片等者。
＜＜背光裝置＞＞
背光裝置70係自顯示面板60之背面側對顯示面板60進行照明者。作為背光裝置70，可使用公知之背光裝置，又，背光裝置70可為邊緣照明型或正下型之背光裝置之任一種。
＜＜觸控面板＞＞
觸控面板80具備：導電性膜40、配置於較導電性膜40更靠觀察者側之覆蓋玻璃等透光性覆蓋構件81、及介置於導電性膜40與透光性覆蓋構件81之間之透光性黏著層82。導電性膜40係以導電部42較導電部41更靠觀察者側之方式進行配置。
＜透光性黏著層＞
透光性黏著層82例如可列舉如OCA（Optical Clear Adhesive）之黏著片材。亦可使用透光性接著層代替透光性黏著層82。再者，於如圖13所示將導電性膜40組入至觸控面板80之情形時，測定導電性膜40之第2導電部42之表面電阻值或線電阻值時，必須剝離透光性黏著層82，但若剝離透光性黏著層82，則有透光性黏著層82之一部分殘存於第2導電部42之表面42A，對表面電阻值或線電阻值造成影響之虞，因此較佳為於藉由利用溶劑將表面42A進行洗淨而去除殘留物後，測定第2導電部42之表面電阻值或線電阻值。
＜＜透光性接著層＞＞
透光性接著層90例如由包含如OCR（Optically Clear Resin）之聚合性化合物之液狀之硬化性接著層用組成物之硬化物構成。
[第2實施形態]
以下，同時參照圖式，並對本發明之第2實施形態之附保護膜之導電性膜進行說明。圖14係本實施形態之附保護膜之導電性膜之概略構成圖，圖15係圖14所示之附保護膜之導電性膜的一部分之放大圖，圖16係圖14所示之保護膜之俯視圖，圖17～圖19係本實施形態之另一附保護膜之導電性膜之概略構成圖。
＜＜＜附保護膜之導電性膜＞＞＞
圖14所示之附保護膜之導電性膜110具備：導電性膜120、可剝離地設置於導電性膜120之第1面120A之第1保護膜130、及可剝離地設置於導電性膜120中之與第1面120A相反側之面即第2面120B之第2保護膜140。圖14所示之附保護膜之導電性膜110僅於導電性膜120之單面（第1面120A）設置有第1保護膜130，但亦可於導電性膜之兩面可剝離地設置第1保護膜。又，亦可不於導電性膜之背面設置第1保護膜，而於導電性膜之正面設置第1保護膜。
於對附保護膜之導電性膜110進行於150℃加熱60分鐘之加熱試驗時，加熱試驗後之附保護膜之導電性膜10之捲曲量成為±14 mm以內。但於如附保護膜之導電性膜110般除第1保護膜以外設置有第2保護膜之情形時，第2保護膜不具有耐熱性，因此加熱試驗係於剝離第2保護膜之狀態下進行。加熱試驗係使用切取成縱340 mm×橫340 mm之大小之附保護膜之導電性膜10進行。加熱試驗可使用加熱裝置（產品名「HISPEC橫置式 200℃系列」，楠本化成股份有限公司製造）進行。此時，將附保護膜之導電性膜110以第1保護膜130成為下側之方式配置於加熱裝置內。其後，就自加熱裝置中取出附保護膜之導電性膜10，測定穩定之捲曲量之觀點而言，於自加熱結束時經過10分鐘後，於25℃、相對濕度50%之環境下進行捲曲量之測定。關於附保護膜之導電性膜之捲曲量，於將加熱試驗後之附保護膜之導電性膜以下側成為第1保護膜之方式載置於平坦之台上，附保護膜之導電性膜之四角自台隆起之情形時，設為四角之隆起之高度之平均值，又，於附保護膜之導電性膜之中央部自台隆起之情形時，設為附保護膜之導電性膜之中央部中距離台最遠之部位之高度。再者，於使第1保護膜成為下側之方式置於台上之情形時，將附保護膜之導電性膜之上表面捲曲成凹狀之情形設為正（+），將附保護膜之導電性膜之上表面捲曲成凸狀之情形設為負（-）。捲曲量更佳為±12 mm以內、±10 mm以內、±8 mm以內、±6mm以內、或±4 mm以內。
附保護膜之導電性膜110可切割成所需之大小，亦可為捲筒狀。於將附保護膜之導電性膜切割成所需之大小之情形時，附保護膜之導電性膜之大小並無特別限制，可根據影像顯示裝置之顯示面之大小而適宜決定。具體而言，附保護膜之導電性膜之大小例如可與第1實施形態中所說明之導電性膜10之大小相同。
＜＜導電性膜＞＞
導電性膜120具備：透光性基材121、設置於透光性基材121之第1面121A側之第1導電部122（以下，有時亦簡稱為「導電部122」）、及設置於透光性基材121中之與第1面121A相反側之第2面121B側之第2導電部123（以下，有時亦簡稱為「導電部123」）。導電性膜120進而具備設置於透光性基材121與導電部122之間之樹脂層124。第1導電部122及第2導電部123係圖案化之前之狀態，成為層狀。
導電性膜120之第1面120A由第1導電部122之表面122A構成，導電性膜120之第2面120B由第2導電部123之表面123A構成。以下，對導電性膜120之性質或物性值等進行說明，導電性膜120之性質或物性值等係剝離第1保護膜130或第2保護膜140之導電性膜120單體狀態下之性質或物性值。
導電性膜120較佳為於進行連續摺疊試驗時，獲得與導電性膜10相同之結果。連續摺疊試驗與第1實施形態中所說明之連續摺疊試驗相同，故此處省略說明。又，導電性膜120較佳為於連續摺疊試驗前自不待言，於上述連續摺疊試驗後，亦可維持透光性基材與樹脂層之間之密接性，又，未確認到白濁現象。又，導電性膜120較佳為具有可撓性。
導電性膜20之霧度值（總霧度值）、全光線穿透率、鉛筆硬度、黃色指數等與導電性膜10相同，故此處省略說明。
導電性膜120之厚度（總厚）較佳為127 μm以下。若導電性膜120之厚度為127 μm以下，則可謀求薄型化。導電性膜之厚度係根據使用掃描式電子顯微鏡（SEM）所拍攝之導電性膜之剖面照片，自無缺點或褶皺、剝離等場所，隨機地測定10個部位之厚度，求出所測定之厚度之平均值。就抑制搬送中之折痕或損傷之觀點而言，導電性膜120之厚度之下限較佳為25 μm以上，又，導電性膜20之厚度之上限更佳為52 μm以下。再者，於進一步需要柔軟性之可穿戴或可撓性用途等中，進而較佳為較薄之厚度（總厚）為7 μm以上且45 μm以下之導電性膜，進而更佳為厚度為35 μm以下之導電性膜，最佳為厚度為25 μm以下之導電性膜。
導電性膜120之用途亦與導電性膜10之用途相同，故此處省略說明。
＜＜透光性基材等＞＞
透光性基材121與透光性基材13相同，第1導電部122與第1導電部11相同，第2導電部123與第2導電部14相同，樹脂層124與樹脂層12相同，導電性纖維125、127與導電性纖維15、17相同，透光性樹脂126、127與透光性樹脂16、18相同，故此處省略說明。
＜＜第1保護膜＞＞
第1保護膜130係耐熱保護膜。本說明書中，所謂「耐熱保護膜」，意指於150℃加熱60分鐘時不熔融之膜。保護膜是否為於150℃加熱60分鐘時不熔融之膜實際上可藉由於150℃加熱60分鐘而利用目視進行確認，或者可藉由使用熱機械分析裝置（TMA）之分析進行確認。第1保護膜130較佳為軟化點存在於150℃以上者。第1保護膜之軟化點是否存在於150℃以上可藉由使用熱機械分析裝置（TMA）之分析進行確認。
較佳為將附保護膜之導電性膜110之表面110A內之任意方向設為第1方向D1（參照圖16），且將附保護膜之導電性膜110之表面110A內之與第1方向D1正交的方向設為第2方向D2（參照圖16），於自附保護膜之導電性膜110剝離第1保護膜130及第2保護膜140之狀態下，將導電性膜120與第1保護膜130分別於150℃加熱60分鐘時，第1方向D1上之第1保護膜130之熱收縮率與第1方向D1上之透光性基材121之熱收縮率的差（熱收縮率差）的絕對值為0.3%以下，第2方向D2上之第1保護膜130之熱收縮率與第2方向D2上之透光性基材121之熱收縮率的差（熱收縮率差）的絕對值為0.3%以下。若第1保護膜130與透光性基材121之熱收縮率差為此種關係，則即便於加熱時透光性基材121收縮，第1保護膜130亦與透光性基材121同樣地收縮，因此可進一步抑制捲曲。第1方向及第2方向只要存在於附保護膜之導電性膜之表面內，則並無特別限定。再者，導電性膜或第1保護膜之第1方向與附保護膜之導電性膜之第1方向一致，導電性膜或第1保護膜之第2方向與附保護膜之導電性膜之第2方向一致。透光性基材121之熱收縮率及第1保護膜130之熱收縮率可藉由下述方式而求出，即，於自切取成縱100 mm×橫100 mm之正方形之附保護膜之導電性膜剝離第1保護膜130的狀態下，於將導電性膜120及第1保護膜130分別於150℃加熱60分鐘之前後，於25℃、相對濕度50%之環境下分別測定第1方向及第2方向上之長度。具體而言，第1方向及第2方向上之第1保護膜之熱收縮率分別藉由以下之數式（5）及（6）而求出。再者，於求出第1保護膜之熱收縮率時，對第1保護膜1片測定3次第1方向上之長度，將進行3次測定所獲得之值的算術平均值設為「第1方向上之第1保護膜之長度」，又，對第1保護膜1片測定3次第2方向上之長度，將進行3次測定所獲得之值的算術平均值設為「第2方向上之第2保護膜之長度」。第1方向及第2方向上之透光性基材121之熱收縮率亦藉由與第1保護膜130之熱收縮率相同之方法而求出。加熱可使用加熱裝置（產品名「HISPEC橫置式 200℃系列」，楠本化成股份有限公司製造）進行。又，自加熱裝置取出附保護膜之導電性膜10，於自加熱結束時經過10分鐘後，於25℃、相對濕度50%之環境下測定上述長度。
第1方向之熱收縮率（%）＝（Lfd0 －Lfd1 ）/Lfd0 ×100…（5）
第2方向之熱收縮率（%）＝（Lsd0 －Lsd2 ）/Lsd0 ×100…（6）
上述數式（5）中，Lfd0 係第1方向上之加熱前之長度，Lfd1 係第1方向上之加熱後之長度，上述數式（6）中，Lsd0 係第2方向上之加熱前之長度，Lsd2 係第2方向上之加熱後之長度。上述第1方向D1上之第1保護膜130與透光性基材121之熱收縮率差之絕對值更佳為0.25%以下、0.2%以下、或0.18%以下。上述第2方向D2上之第1保護膜130與透光性基材121之熱收縮率差之絕對值更佳為0.25%以下、0.2%以下、或0.18%以下。
雖亦取決於透光性基材121之熱收縮率，但就使第1方向D1及第2方向D2上之第1保護膜130與透光性基材121之熱收縮率差之絕對值分別成為0.3%以下之觀點而言，上述第1方向及第2方向上之第1保護膜130之上述熱收縮率分別較佳為±0.7%以內，更佳為±0.6%以內。
尤佳為第1保護膜130於第1方向D1及第2方向D2上均具有正之熱收縮率，透光性基材121之第1方向D1及第2方向D2之至少任一者具有負之熱收縮率，且第1方向D1及第2方向D2上之第1保護膜130與透光性基材121之熱收縮率差之絕對值分別為0.05%以上且0.3%以下。於該情形時，可有效率地減少因加熱步驟所致之捲曲。又，藉由第1方向D1及第2方向D2上之上述熱收縮率差之絕對值為0.05%以上，可進一步減少捲曲量。但是，若第1方向D1及第2方向D2上之上述熱收縮率差之絕對值超過0.3%，則有產生反向之捲曲或於附保護膜之導電性膜之中央部產生隆起之虞。於該情形時，第1方向D1及第2方向D2上之上述熱收縮率差之絕對值較佳為分別為0.07%以上且0.3%以下。
第1保護膜130之厚度較佳為透光性基材121之厚度之300%以下。若第1保護膜130之厚度為透光性基材121之厚度之300%以下，則於後續步驟中可無損傷或折痕等地搬送。第1保護膜較薄者之可撓性良好，但若過薄，則有第1方向及第2方向上之第1保護膜與透光性基材之熱收縮率差之絕對值超過0.3%之虞。因此，第1保護膜130之厚度之下限較佳為透光性基材121之厚度之10%以上。進而，第1保護膜130之厚度較佳為透光性基材121之厚度之20%以上且250%以下，更佳為30%以上且250%以下。若第1保護膜130之厚度為透光性基材121之厚度之20%以上且250%以下，則第1方向D1及第2方向D2上之第1保護膜130之熱收縮率分別容易成為±0.7%以內，第1方向D1及第2方向D2上之上述熱收縮率差之絕對值分別容易成為0.3%以下，因此可進一步抑制捲曲。
具體而言，第1保護膜130之厚度較佳為25 μm以上且150 μm以下。若第1保護膜130之厚度為25 μm以上，則可充分地發揮保護導電性膜120之功能，又，若第1保護膜130之厚度為150 μm以下，則可抑制捲筒直徑之肥大及搬送時之第1保護膜130之剝離。第1保護膜130之厚度可藉由與透光性基材121之厚度相同之方法進行測定。就可抑制膜搬送時之折痕之觀點而言，第1保護膜130之厚度之下限較佳為50 μm以上，上限較佳為125 μm以下。第1保護膜130之厚度可藉由與透光性基材13之厚度之測定方法相同之方法進行測定。
第1保護膜130可由樹脂基材及設置於樹脂基材之一面側之黏著層構成。作為構成第1保護膜130之樹脂基材之樹脂，並無特別限定，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯樹脂等聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂等。例如，於透光性基材121為由聚酯系樹脂構成之基材之情形時，就進一步抑制捲曲之觀點而言，較佳為由聚酯系樹脂構成樹脂基材。再者，作為第1保護膜，亦可使用自黏著型之樹脂膜。
＜＜第2保護膜＞＞
第2保護膜140係非耐熱保護膜。本說明書中，所謂「非耐熱保護膜」，意指於150℃加熱60分鐘時熔融之膜。保護膜是否為於150℃加熱60分鐘時熔融之膜實際上可藉由於150℃加熱60分鐘而進行確認，又，可藉由使用熱機械分析裝置（TMA）之分析進行確認。第2保護膜140具有使導電性膜20之損傷防止或卷取良好之功能。
第2保護膜140之厚度較佳為20 μm以上且100 μm以下。若第2保護膜140之厚度為20 μm以上，則可充分地發揮保護導電性膜之功能，又，若第2保護膜140之厚度為100 μm以下，則可抑制捲筒直徑之肥大及搬送時之第2保護膜140之剝離。第2保護膜140之厚度可藉由與透光性基材121之厚度相同之方法進行測定。就可無皺褶地貼附於導電性膜之觀點而言，第2保護膜140之下限更佳為30 μm以上，上限更佳為60 μm以下。第2保護膜140之厚度可藉由與透光性基材13之厚度之測定方法相同的方法進行測定。
第2保護膜140可由自黏著型之樹脂膜構成。作為構成第2保護膜140之樹脂膜之樹脂，例如可列舉聚乙烯或聚丙烯等聚烯烴系樹脂等。再者，作為第2保護膜，亦可使用具備樹脂基材及設置於樹脂基材之一面側之黏著層之保護膜。
＜＜＜其他附保護膜之導電性膜＞＞＞
圖14所示之附保護膜之導電性膜110僅於透光性基材121之單面側具備樹脂層124，但如圖17所示，亦可於透光性基材之兩面側具備樹脂層。具體而言，圖17所示之附保護膜之導電性膜160中之導電性膜170進而於透光性基材121與導電部123之間具備樹脂層171。
＜＜樹脂層＞＞
樹脂層171與樹脂層12相同，因此省略說明。再者，樹脂層171之膜厚可與樹脂層124之膜厚相同，亦可不同。
圖14所示之保護膜130具備樹脂基材及黏著層，作為第1保護膜，亦可為具備樹脂基材、及設置於樹脂基材之一面側之樹脂層之保護膜。具體而言，圖18所示之附保護膜之導電性膜180具備：導電性膜120、可剝離地設置於導電性膜120之第1面120A之第1保護膜190、及可剝離地設置於導電性膜120中之與第1面120A相反側之面即第2面120B之第2保護膜140。圖18所示之附保護膜之導電性膜180僅於導電性膜120之單面（第1面120A）設置有第1保護膜190，但亦可於導電性膜之兩面可剝離地設置第1保護膜。又，亦可不於導電性膜之背面設置第1保護膜，而於導電性膜之正面設置第1保護膜。再者，於圖18中，標附有與圖14相同之符號之構件與圖14中所示之構件相同，因此省略說明。
於對附保護膜之導電性膜180進行於150℃加熱60分鐘之加熱試驗時，加熱試驗後之附保護膜之導電性膜180之捲曲量與附保護膜之導電性膜110相同，故此處省略說明。
＜＜第1保護膜＞＞
第1保護膜190係耐熱保護膜，具備樹脂基材191、及設置於樹脂基材191之一面側之樹脂層192。第1保護膜190係以樹脂層192成為導電部122側之方式可剝離地設置於導電性膜120。
將附保護膜之導電性膜180之表面180A之任意方向設為第1方向，且將附保護膜之導電性膜180之表面180A內之與第1方向正交之方向設為第2方向，於自附保護膜之導電性膜180剝離第1保護膜190及第2保護膜140之狀態下，將導電性膜120與第1保護膜190分別於150℃加熱60分鐘時，上述第1方向上之第1保護膜190之熱收縮率與上述第1方向上之透光性基材121之熱收縮率的差的絕對值與附保護膜之導電性膜110相同。
＜＜樹脂基材＞＞
作為樹脂基材191，並無特別限定，例如可與第1保護膜130之樹脂基材相同。
＜＜樹脂層＞＞
樹脂層192例如成為硬塗層。樹脂層192之膜厚較佳為1 μm以上且10 μm以下。若樹脂層192之膜厚為1 μm以上，則可獲得所需之硬度，又，若樹脂層192之膜厚為10 μm以下，則於彎折時不易產生龜裂，又，可容易地操作。樹脂層192之膜厚可利用與透光性基材13之厚度之測定方法相同的方法進行測定。就抑制樹脂層192之破裂之觀點而言，樹脂層192之膜厚之下限更佳為4 μm以上。又，就謀求樹脂層192之薄膜化，但另一方面，抑制捲曲之產生之觀點而言，樹脂層192之上限更佳為7 μm以下。
樹脂層192可至少由樹脂構成。再者，樹脂層192較佳為除樹脂以外，亦包含聚矽氧系化合物或氟系化合物作為添加劑。
＜樹脂＞
作為樹脂層192中之樹脂，可列舉包含游離輻射聚合性化合物之聚合物（硬化物、交聯物）者。作為游離輻射聚合性化合物，作為游離輻射聚合性化合物，較佳為包含非環氧烷（alkylene oxide）改質之游離輻射聚合性化合物、及環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物。環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物具有使與導電部122之密接性降低之性質，因此藉由使用環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物，可確保對導電部122之所需之密接性，並且可調整對樹脂層192中之導電部122之密接性。
（非環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物）
非環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物係未經環氧烷改質之化合物。本說明書中，所謂「非環氧烷改質」，意指於游離輻射聚合性化合物中不具有環氧乙烷（-CH2 -CH2 -O-）、環氧丙烷（-CH2 -CH2 -CH2 -O-）等環氧烷之結構。作為非環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物，並無特別限定，可列舉樹脂層12之樹脂之欄中所列舉之游離輻射聚合性化合物。
（環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物）
環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物係經環氧烷改質之化合物。本說明書中，所謂「環氧烷改質」，意指於游離輻射聚合性化合物中具有環氧乙烷（-CH2 -CH2 -O-）、環氧丙烷（-CH2 -CH2 -CH2 -O-）等環氧烷之結構。作為環氧烷，就保護膜190之剝離力之觀點而言，較佳為碳數2～4個之環氧烷（環氧乙烷、環氧丙烷、環氧丁烷），尤佳為碳數2～3個之環氧烷（環氧乙烷、環氧丙烷），進而較佳為碳數2個之環氧烷（環氧乙烷）。
環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物之含量較佳為相對於非環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物100質量份為30質量份以上且90質量份以下。若環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物之含量為30質量份以上，則可於導電部122與樹脂層192之間之界面容易地剝離，又，若環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物之含量為90質量份以下，則可確保所需之密接性。
作為環氧烷改質之游離輻射化合物，並無特別限定，可列舉於環氧烷使樹脂層12之樹脂之欄中所列舉之游離輻射聚合性化合物改質之化合物。該等之中，就保護膜190之剝離力之觀點而言，較佳為環氧乙烷改質二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改質二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
＜聚矽氧系化合物＞
聚矽氧系化合物係用以使樹脂層192自導電部122容易剝離之成分。藉由樹脂層192包含聚矽氧系化合物，聚矽氧系化合物於導電部122中之與樹脂層192之界面附近偏存，因此可於導電部122與樹脂層192之間之界面容易地剝離保護膜190。
聚矽氧系化合物亦可為具有聚合性官能基者。於使用具有聚合性官能基之聚矽氧系化合物作為聚矽氧系化合物之情形時，聚矽氧系化合物於樹脂層32層中以與樹脂鍵結之狀態存在。
作為聚矽氧系化合物，並無特別限定，可列舉：二甲基聚矽氧烷、甲基苯基聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷等直鏈聚矽氧或改質聚矽氧。
作為改質聚矽氧，例如可列舉：(甲基)丙烯酸改質聚矽氧等乙烯性不飽和基改質聚矽氧、胺基改質聚矽氧、醯胺改質聚矽氧、環氧改質聚矽氧、羧基改質聚矽氧、醇改質聚矽氧、甲醇改質聚矽氧、巰基改質聚矽氧等。
聚矽氧系化合物之含量較佳為相對於游離輻射聚合性化合物100質量份為0.05質量份以上且1質量份以下。若聚矽氧系化合物之含量為0.05質量份以上，則可於導電部122與樹脂層192之界面容易地剝離第1保護膜190，又，若聚矽氧系化合物之含量為1質量份以下，則可於導電部122與樹脂層192之界面確保所需之密接性。
作為聚矽氧系化合物之市售品，例如可列舉：SEIKABEAM 10-28（大日精化工業公司製造）或BYK-313、BYK-322、BYK-331、BYK-333、BYK-345、BYK-377、BYK-378、BYK-UV3500、BYK-UV3510（均為BYK-Chemie Japan公司製造）等。
＜氟系化合物＞
氟系化合物係用以使樹脂層192自導電部122容易剝離之成分。藉由樹脂層192包含氟系化合物，氟系化合物於導電部122中之與樹脂層192之界面附近偏存，因此可於導電部122與樹脂層192之間之界面容易地剝離保護膜190。
氟系化合物亦可為具有聚合性官能基者。於使用具有聚合性官能基之氟系化合物作為氟系化合物之情形時，氟系化合物係於第2樹脂層32層中以與樹脂鍵結之狀態存在。
氟系化合物之含量較佳為相對於游離輻射聚合性化合物100質量份為0.05質量份以上且1質量份以下。若氟系化合物之含量為0.05質量份以上，則可於導電部122與樹脂層192之界面容易地剝離第1保護膜190，又，若氟系化合物之含量為1質量份以下，則可於導電部122與樹脂層192之界面確保所需之密接性。
作為氟化合物之市售品，例如可列舉：F-568、F-556、F-554、F-553（均為DIC股份有限公司製造）等。
圖18所示之第1保護膜190具備樹脂基材191，但作為第1保護膜，亦可為如圖19所示般之不具備樹脂基材之保護膜。具體而言，圖19所示之附保護膜之導電性膜200具備導電性膜120、可剝離地設置於導電性膜120之第1面120A之第1保護膜210、及可剝離地設置於導電性膜120中之與第1面120A相反側之面即第2面120B之第2保護膜140，但第1保護膜210由樹脂層構成，不具備樹脂基材。圖19所示之附保護膜之導電性膜200僅於導電性膜120之單面（第1面120A）設置有第1保護膜210，但亦可於導電性膜之兩面可剝離地設置第1保護膜。又，亦可不於導電性膜之背面設置第1保護膜，而於導電性膜之正面設置第1保護膜。再者，於圖19中，標附有與圖14相同之符號之構件與圖14中所示之構件相同，因此省略說明。
於對附保護膜之導電性膜200進行於150℃加熱60分鐘之加熱試驗時，加熱試驗後之附保護膜之導電性膜200之捲曲量與附保護膜之導電性膜110相同，故此處省略說明。
＜＜第1保護膜＞＞
第1保護膜210係耐熱保護膜，由樹脂層構成。第1保護膜210可剝離地設置於導電性膜120。
將附保護膜之導電性膜200之表面200A內之任意方向設為第1方向，且將附保護膜之導電性膜200之表面200A內之與第1方向正交之方向設為第2方向，於自附保護膜之導電性膜200剝離第1保護膜210及第2保護膜140之狀態下，將導電性膜120與第1保護膜210分別於150℃加熱60分鐘時，上述第1方向上之第1保護膜210之熱收縮率與上述第1方向上之透光性基材121之熱收縮率的差的絕對值與附保護膜之導電性膜110相同，故此處省略說明。
第1保護膜210與樹脂層192相同，故此處省略說明。
＜＜附保護膜之導電性膜之製造方法＞＞
附保護膜之導電性膜110例如能以如下之方式製作。首先，以與第1實施形態相同之方式獲得導電性膜120。於形成導電性膜120後，於導電部122之表面122A可剝離地設置第1保護膜130。藉此，可獲得附保護膜之導電性膜110。
又，於獲得附保護膜之導電性膜180之情形時，首先，準備導電性膜120。另一方面，於樹脂基材191之一面塗佈樹脂層用組成物並使其乾燥，形成樹脂層用組成物之塗膜。塗膜之乾燥例如可於40℃以上且150℃以下之溫度下進行。再者，於塗膜之乾燥時，亦可不進行加熱。
樹脂層用組成物包含游離輻射聚合性化合物，但較佳為進而包含聚矽氧系化合物。游離輻射聚合性化合物較佳為非環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物與環氧烷改質之游離輻射聚合性化合物之混合物。此外，樹脂層用組成物亦可視需要包含溶劑、聚合起始劑。
於形成塗膜後，以導電部122接觸於塗膜之方式，使導電性膜120接觸於塗膜。繼而，於使導電性膜120接觸於塗膜之狀態下，對塗膜照射游離輻射，藉此使塗膜硬化。藉此，形成樹脂層192，並且獲得具有密接於導電性膜120之可剝離的第1保護膜190之附保護膜之導電性膜180。
進而，於獲得附保護膜之導電性膜200之情形時，首先，準備導電性膜120。其後，於導電部122之表面塗佈樹脂層用組成物並使其乾燥，形成樹脂層用組成物之塗膜。塗膜之乾燥例如可於40℃以上且150℃以下之溫度下進行。再者，於塗膜之乾燥時，亦可不進行加熱。樹脂層用組成物與製成附保護膜之導電性膜200之樹脂層192時所使用之樹脂層用組成物相同，故此處省略說明。
於形成塗膜後，對塗膜照射游離輻射，藉此使塗膜硬化。藉此，獲得具有密接於導電性膜120之可剝離的第1保護膜210之附保護膜之導電性膜200。
＜＜附保護膜之導電性膜之用途＞＞
附保護膜之導電性膜110、180、200之用途並無特別限定，例如可列舉感測器或觸控面板等。於將附保護膜之導電性膜110、180、200用作觸控面板之感測器之情形時，附保護膜之導電性膜110、180、200例如以如下之方式進行加工。首先，自附保護膜之導電性膜110、180、200剝離第2保護膜140，獲得由導電性膜120及第1保護膜130、190、210構成之積層體。為了防止因搬送所致之導電性膜120之損傷，積層體係以第1保護膜130、190、210成為線接觸側（下側）之方式配置。於獲得積層體後，於150℃加熱60分鐘，使透光性基材121預先熱收縮。
繼而，於導電部123之表面123A藉由網版印刷等塗佈導電性膠。作為導電性膠，例如可列舉銀膠。於塗佈導電性膠後，於130℃加熱30分鐘，對導電性膠進行焙燒，形成取出配線。
於形成取出配線後，對導電部123中之特定區域照射雷射光（例如紅外線雷射），而將導電部123進行圖案化。若對特定區域照射雷射光，則藉由雷射光之熱而使該區域中所含之導電性纖維125昇華，昇華之導電性纖維125穿破透光性樹脂26而釋出至透光性樹脂126外。藉此，將導電部123圖案化為特定形狀。
其後，自導電性膜120剝離第1保護膜130，以與上述相同之順序進行取出配線之形成及導電部122之圖案化。
根據本實施形態，於導電性膜120之單面（第1面120A）可剝離地設置有耐熱保護膜即第1保護膜130，因此於將導電性膜120於150℃加熱60分鐘時可不剝離第1保護膜130而進行加熱。又，於將附保護膜之導電性膜110、180、200於150℃加熱60分鐘時，加熱後之附保護膜之導電性膜110、180、200之捲曲量成為±14 mm以內。藉此，可減少導電性膜120之捲曲。再者，儘管亦認為於透光性基材之兩面形成樹脂層之情形時，上述捲曲量變小，但實際上並未變小。其原因在於，於透光性基材之兩面形成樹脂層時，若一次性形成，則量產性較差，因此逐個單面地形成，但若逐個單面地形成樹脂層，則一樹脂層於自身之硬化時及另一樹脂層之硬化時照射合計2次之游離輻射，因而膜質與僅照射1次游離輻射之另一樹脂層不同。因此，可認為於先形成之樹脂層中，內部之應變大於後形成之樹脂層，於加熱時該應變產生影響而捲曲。捲曲之問題尤其是於透光性基材之厚度較薄之情形，具體而言為125 μm以下之情形時變得顯著，因此於透光性基材13之厚度為125 μm以下之情形時尤其有效。又，即便於導電性膜之兩面可剝離地設置第1保護膜之情形時，亦可與上述同樣地，不剝離第1保護膜而進行加熱，因此可減少導電性膜120之加熱時之捲曲。
又，導電性膜120之厚度較薄，但於導電性膜120之第1面120A可剝離地設置有第1保護膜130，因此可於設置有第1保護膜130之狀態下進行操作，藉此可容易地進行操作。
若於導電性膜之兩面形成由金屬奈米線構成之導電部，則即便以使兩導電部相同之方式形成，一導電部之電阻值亦遠大於另一導電部之電阻值。可認為其原因在於以下之理由。首先，為了形成硬塗層等而抽出捲筒狀之透光性基材，但此時，透光性基材帶正電。此處，於利用去靜電裝置將所抽出之透光性基材之正電荷進行去靜電之情形時，儘管將存在於透光性基材之表面之正電荷去靜電，但未去靜電至存在於內部之正電荷。因此，若於形成樹脂層之前形成第2導電部，則殘存於透光性基材之內部之正電荷移動至第2導電部側，使第2導電部受到正電荷之影響。另一方面，可認為第1導電部由於隔著樹脂層，故而不易受到正電荷之影響，藉此於第1導電部與第2導電部中電阻值差異較大。相對於此，於本實施形態中，於形成第2導電部123之前，於透光性基材121形成樹脂層124，因此殘存於透光性基材121之內部之正電荷移動至樹脂層124側。因此，即便形成第2導電部123，亦不易受到正電荷之影響。又，由於樹脂層124之膜厚較透光性基材121之厚度薄，故而於形成第1導電部122時，可利用去靜電裝置將不僅存在於樹脂層124之表面而且存在於內部之正電荷進行去靜電。因此，第1導電部122亦不易受到正電荷之影響。藉此，可使第2導電部123之表面電阻值成為第1導電部122之表面電阻值之±30%以內，又，可使第2導電部123之線電阻值成為第1導電部122之線電阻值之±30%以內，因此可減少第1導電部122與第2導電部123之電阻值之差異。又，就相同之理由而言，即便於透光性基材121之兩面側具備樹脂層124、171之導電性膜170中，亦可減少第1導電部122與第2導電部123之電阻值之差異。
於將依序具備樹脂層、透光性基材、及導電部且僅於單面具有導電部之導電性膜重疊2片而製成觸控面板之情形時，透光性基材及樹脂層係使用2片，又，導電性膜間藉由黏著層而設置。相對於此，於本實施形態中，使用具有導電部122、123之導電性膜120，因此與將僅於單面具有導電部之導電性膜重疊2片而使用之情形相比，可將透光性基材省略1片，又，可將樹脂層及黏著層省略各1層。藉此，可謀求觸控面板及影像顯示裝置之薄型化。
由於在透光性基材之表面存在微小之凹凸，故而有外部霧度變高之情況，但根據本實施形態，於透光性基材121之第1面121A具備樹脂層124，因此可藉由樹脂層24而將透光性基材121之第1面121A所存在之微小之凹凸填埋。因此，可使外部霧度值降低。又，若將透光性基材進行加熱，則有低聚物成分自透光性基材析出，外部霧度值上升，透明性受損之情況。相對於此，於本實施形態中，於透光性基材121之第1面121A形成有樹脂層124，因此可抑制低聚物成分自透光性基材121之析出。藉此，即便於將導電性膜120進行加熱之情形時，亦可抑制導電性膜120之霧度值之上升，可確保透明性。
根據本實施形態，由於使用導電性纖維125、127，故而可提供與ITO不同，即便彎曲亦不易破裂之導電性膜120。因此，亦可將導電性膜120組入至可摺疊（foldable）之影像顯示裝置而使用。可摺疊之影像顯示裝置亦可具備有機發光二極體（OLED）作為顯示元件。
[實施例]
為了詳細地說明本發明，以下列舉實施例而進行說明，但本發明並不限定於該等記載。
＜硬塗層用組成物之製備＞
首先，以成為下述所示之組成之方式摻合各成分，獲得硬塗層用組成物。
（硬塗層用組成物1）
・新戊四醇三丙烯酸酯與新戊四醇四丙烯酸酯之混合物（產品名「KAYARAD-PET-30」，日本化藥股份有限公司製造）：15質量份
・聚甲基丙烯酸甲酯（聚合物，重量平均分子量75,000）：15質量份
・聚合起始劑（產品名「Irgacure（註冊商標）184」，BASF Japan公司製造）：1.5質量份
・甲基乙基酮（MEK）：50質量份
・環己酮：18.5質量份
（硬塗層用組成物2）
・新戊四醇三丙烯酸酯與新戊四醇四丙烯酸酯之混合物（產品名「KAYARAD-PET-30」，日本化藥股份有限公司製造）：15質量份
・聚甲基丙烯酸甲酯（聚合物，重量平均分子量75,000）：15質量份
・聚合起始劑（產品名「Irgacure（註冊商標） OXE01」，BASF Japan公司製造）：1.5質量份
・甲基乙基酮（MEK）：50質量份
・環己酮：18.5質量份
（硬塗層用組成物3）
・環氧乙烷改質雙酚A二丙烯酸酯（產品名「BPE-20」，第一工業製藥公司製造，2官能）：25質量份
・新戊四醇三丙烯酸酯與新戊四醇四丙烯酸酯之混合物（產品名「KAYARADPET-30」，日本化藥公司製造）：25質量份
・聚合起始劑（產品名「Irgacure（註冊商標）184」，BASF Japan公司製造）：4質量份
・聚矽氧系化合物（產品名「SEIKABEAM 10-28（MB）」，大日精化工業公司製造）：0.1質量份
・甲基異丁基酮（MIBK）：100質量份
＜含銀奈米線之組成物之製備＞
（含銀奈米線之組成物1）
使用乙二醇（EG）作為還原劑，使用聚乙烯基吡咯啶酮（PVP：平均分子量130萬，Aldrich公司製造）作為有機保護劑，將下述所示之成核步驟與粒子成長步驟分離而進行粒子形成，製備含銀奈米線之組成物。
1.成核步驟
於反應容器內，同時攪拌保持為160℃之EG溶液100 mL，並以固定之流量歷時1分鐘添加硝酸銀之EG溶液（硝酸銀濃度：1.0莫耳/L）2.0 mL。其後，同時於160℃保持10分鐘，並將銀離子還原而形成銀之核粒子。反應液呈現源自奈米尺寸之銀微粒子之表面電漿子吸收之黃色，確認到銀離子被還原而形成銀之微粒子（核粒子）。繼而，以固定之流量歷時10分鐘添加PVP之EG溶液（PVP濃度：3.0×10-1 莫耳/L）10.0 mL。
2.粒子成長步驟
將結束上述成核步驟後之包含核粒子之反應液同時進行攪拌並保持為160℃，使用雙噴法，以固定之流量歷時120分鐘添加硝酸銀之EG溶液（硝酸銀濃度：1.0×10- 1 莫耳/L）100 mL、及PVP之EG溶液（PVP濃度：3.0×10- 1 莫耳/L）100 mL。於該粒子成長步驟中，每隔30分鐘採集一次反應液並利用電子顯微鏡進行確認，結果成核步驟中所形成之核粒子隨著時間經過而成長為線狀之形態，未確認到粒子成長步驟中之新的微粒子之生成。
3.脫鹽水洗步驟
將結束粒子成長步驟之反應液冷卻至室溫後，使用區分分子量0.2 μm之超濾膜實施脫鹽水洗處理，並且將溶劑置換為乙醇。最後，將液量濃縮至100 mL，製備銀奈米線分散液。最後，以銀奈米線濃度成為0.1質量%之方式，利用乙醇進行稀釋，獲得含銀奈米線之組成物1。
測定含銀奈米線之組成物1中之銀奈米線之纖維直徑及纖維長，結果銀奈米線之纖維直徑為30 nm，纖維長為15 μm。銀奈米線之纖維直徑係使用穿透式電子顯微鏡（TEM）（產品名「H-7650」，日立高新技術股份有限公司製造），以10萬倍～20萬倍拍攝50張，藉由TEM附帶之軟體，於拍攝畫面上實測100根導電性纖維之纖維直徑，求出其算術平均值。於測定上述纖維直徑時，將加速電壓設為「100 kV」、發射電流設為「10 μA」、聚焦透鏡光圈設為「1」、物鏡光圈設為「0」、觀察模式設為「HC」、焦點（Spot）設為「2」。又，銀奈米線之纖維長係使用掃描式電子顯微鏡（SEM）（產品名「S-4800（TYPE2）」，日立高新技術股份有限公司製造），以500～2000萬倍測定100根之銀奈米線之纖維長，求出該100根銀奈米線之纖維長之算術平均值。於測定上述纖維長時，將訊號選擇設為「SE」、加速電壓設為「3 kV」、發射電流設為「10 μA」、SE檢測器設為「混合」。銀奈米線之纖維長係使用掃描式電子顯微鏡（SEM）（產品名「S-4800（TYPE2）」，日立高新技術股份有限公司製造）之SEM功能，以500～2000萬倍拍攝10張，藉由附帶之軟體，於拍攝畫面上測定100根銀奈米線之纖維長，求出該100根銀奈米線之纖維長之算術平均值。於測定上述纖維長時，使用45°傾斜之試樣台，將訊號選擇設為「SE」、加速電壓設為「3 kV」、發射電流設為「10 μA～20 μA」、SE檢測器設為「混合」、探針電流設為「Norm」、焦點模式設為「UHR」、聚光透鏡1設為「5.0」、W.D.設為「8 mm」、傾角設為「30°」。再者，TE檢測器預先卸除。測定銀奈米線之纖維直徑時，使用藉由以下之方法製作之測定用樣品。首先，將含銀奈米線之組成物1根據組成物之分散介質而利用乙醇將銀奈米線之濃度稀釋成0.05質量%以下。進而，將該稀釋之含銀奈米線之組成物1滴加1滴至TEM或STEM觀察用之附碳支持膜之柵網（Cu柵型號「#10-1012 彈性碳ELS-C10 STEM Cu100P柵規格」）上，於室溫使其乾燥，於上述條件下進行觀察，設為觀察影像資料。以此為基礎而求出算術平均值。於測定銀奈米線之纖維長時，使用藉由以下之方法製作之測定用樣品。首先，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於B5尺寸之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜之未處理面，使分散介質乾燥，使導電性纖維配置於PET膜表面，製作導電性膜。自該導電性膜之中央部切取為10 mm×10 mm之大小。其後，使用銀膠，將該切取之導電性膜平坦地貼附於具有45°傾斜之SEM試樣台（型號「728-45」，日新EM股份有限公司製造，傾斜型試樣台45°，15 mm×10 mm M4鋁製）之台面。進而，將Pt-Pd濺鍍20秒～30秒，獲得導通。再者，以下之銀奈米線之纖維直徑及纖維長亦同樣地求出。
（含銀奈米線之組成物2）
將銀奈米線之濃度設為0.2質量%，除此以外，以與含銀奈米線之組成物1相同之方式獲得含銀奈米線之組成物2。
（含銀奈米線之組成物3）
於粒子成長步驟中，使用微波，除此以外，以與含銀奈米線之組成物1相同之方式獲得含銀奈米線之組成物3。測定含銀奈米線之組成物3中之銀奈米線之纖維直徑及纖維長，結果銀奈米線之纖維直徑為26 nm，纖維長為16 μm。
＜透光性樹脂用組成物之製備＞
以成為下述所示之組成之方式摻合各成分，獲得透光性樹脂用組成物1。
（透光性樹脂用組成物1）
・新戊四醇三丙烯酸酯與新戊四醇四丙烯酸酯之混合物（產品名「KAYARAD-PET-30」，日本化藥股份有限公司製造）：5質量份
・聚合起始劑（產品名「Irgacure（註冊商標）184」，BASF Japan公司製造）：0.25質量份
・甲基乙基酮（MEK）：70質量份
・環己酮：24.75質量份
＜＜實施例A及比較例A＞＞
＜實施例A1＞
首先，準備作為透光性基材之僅於單面具有基底層之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4100」，東洋紡股份有限公司製造），於聚對苯二甲酸乙二酯膜之基底層之表面，塗佈硬塗層組成物1，形成塗膜。繼而，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚2 μm之硬塗層。
於形成硬塗層後，將硬塗層進行去靜電。去靜電係使用電壓施加式去靜電器（產品名「SJ-H156A」，KEYENCE股份有限公司製造）進行。上述去靜電器係以與硬塗層之距離成為50 mm之方式設置。
於將硬塗層進行去靜電後，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯膜中之與基底層側之面相反側之未處理面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於上述未處理面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第2導電部。
於形成第2導電部後，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於硬塗層之表面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於硬塗層之表面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第1導電部，從而獲得導電性膜。
實施例A1之第1導電部及第2導電部之膜厚係自使用掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）拍攝之導電部之剖面照片中，隨機地測定10個部位之厚度，設為所測定之10個部位之厚度之算術平均值。具體之剖面照片之拍攝係藉由以下之方法而進行。首先，由導電性膜製作剖面觀察用之樣品。詳細而言，將切取成2 mm×5 mm之導電性膜放入至聚矽氧系之包埋板中，流入環氧系樹脂，利用樹脂包埋導電性膜整體。其後，將包埋樹脂於65℃放置12小時以上而使其硬化。其後，使用超薄切片機（產品名「Ultramicrotome EMUC7」，Leica Microsystems公司製造），設定為送出厚度100 nm，製作超薄切片。利用附膠綿膜之篩網（150）採集所製作之超薄切片，設為STEM用樣品。其後，使用掃描穿透式電子顯微鏡（STEM）（產品名「S-4800（TYPE2）」，日立高新技術股份有限公司製造），拍攝STEM用樣品之剖面照片。於拍攝該剖面照片時，將檢測器（選擇訊號）設為「TE」、加速電壓設為30 kV、發射電流設為「10 μA」。關於倍率，同時調節聚焦而觀察能否辨別各層之對比度及亮度，並以5000倍～20萬倍適宜調節。較佳之倍率為1萬倍～5萬倍，進而較佳為2.5萬倍～4萬倍。若過度提高倍率，則層界面之像素變粗而不易獲知，因此於膜厚測定中，以不過度提高倍率為佳。再者，於拍攝剖面照片時，進而將光圈設為射束偵測光圈3、物鏡光圈設為3，又，將W.D.設為8 mm。不僅實施例A1，以下之實施例及比較例中，第1導電部之膜厚、第2導電部之膜厚、聚對苯二甲酸乙二酯膜等基材之厚度、及硬塗層之膜厚亦全部藉由該方法測定。其中，於拍攝基材及硬塗層之剖面照片時，以100～2萬倍適宜調節倍率。
＜實施例A2＞
於實施例A2中，使用含銀奈米線之組成物2代替含銀奈米線之組成物1形成第1導電部及第2導電部，除此以外，以與實施例A1相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例A3＞
於實施例A3中，使用厚度25 μm之環烯烴聚合物膜（產品名「ZEONOR FILM（註冊商標）ZF16」，日本瑞翁股份有限公司製造）代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，又，使用硬塗層用組成物2代替硬塗層用組成物1，除此以外，以與實施例A1相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例A4＞
於實施例A4中，使用具有上述化學式（1）所表示之結構之厚度50 μm之聚醯亞胺膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外，以與實施例A1相同之方式獲得導電性膜。再者，該聚醯亞胺膜可藉由公知之聚醯亞胺膜之製造方法進行製造。
＜實施例A5＞
首先，準備作為透光性基材之於兩面具有基底層之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4300」，東洋紡股份有限公司製造），於聚對苯二甲酸乙二酯膜之一基底層之表面，塗佈硬塗層組成物1，形成塗膜。繼而，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚2 μm之硬塗層。又，同樣地，於聚對苯二甲酸乙二酯膜之另一基底層之表面，形成膜厚2 μm之硬塗層。
於兩面形成硬塗層後，將兩硬塗層進行去靜電。去靜電係藉由與實施例A1相同之方法及條件進行。
於將硬塗層進行去靜電後，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於一硬塗層之表面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於該硬塗層之表面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第2導電部。
於形成第2導電部後，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於另一硬塗層之表面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於該硬塗層之表面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第1導電部，從而獲得導電性膜。
＜實施例A6＞
於實施例A6中，於形成實施例A1之導電性膜後，對第1導電部及第2導電部之特定區域，於以下之條件下照射雷射光，使存在於該區域之銀奈米線昇華而去除，藉此將第1導電部及第2導電部進行圖案化，除此以外，以與實施例A1相同之方式獲得導電性膜。圖案化後之第1導電部及第2導電部存在多個，各個第1導電部及第2導電部為寬度5 mm之直線狀，於第1導電部間及第2導電部間，分別形成有寬度30 μm之非導電部。
（雷射光照射條件）
・種類：YVO4
・波長：1064 nm
・脈衝寬度：8～10 ns
・頻率：100 kHz
・焦點直徑：30 μm
・脈衝能量：16 μJ
・加工速度：1200 mm/s
＜實施例A7＞
於實施例A7中，於形成實施例A2之導電性膜後，對第1導電部及第2導電部之特定區域，於與實施例A3相同之條件下照射雷射光，將第1導電部及第2導電部進行圖案化，除此以外，以與實施例A2相同之方式獲得導電性膜。圖案化後之第1導電部及第2導電部存在多個，各個第1導電部及第2導電部為寬度5 mm之直線狀，於第1導電部間及第2導電部間，分別形成有寬度30 μm之非導電部。
＜實施例A8＞
於實施例A8中，將兩硬塗層之膜厚分別設為1 μm，除此以外，以與實施例A5相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例A9＞
於實施例A9中，使用於兩面具有基底層之厚度38 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4300」，東洋紡股份有限公司製造）代替於兩面具有基底層之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4300」，東洋紡股份有限公司製造），除此以外，以與實施例A8相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例A10＞
於實施例A10中，使用厚度50 μm之環烯烴聚合物膜（產品名「ZEONOR FILM（註冊商標）ZF16」，日本瑞翁股份有限公司製造）代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，又，使用硬塗層用組成物2代替硬塗層用組成物1，除此以外，以與實施例A8相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例A11＞
於實施例A11中，使用厚度25 μm之環烯烴聚合物膜（產品名「ZEONOR FILM（註冊商標）ZF16」，日本瑞翁股份有限公司製造）代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，又，使用硬塗層用組成物2代替硬塗層用組成物1，除此以外，以與實施例A8相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例A12＞
於實施例A12中，使用具有上述化學式（1）所表示之結構之厚度80 μm之聚醯亞胺膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外，以與實施例A8相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例A13＞
於實施例A13中，使用具有上述化學式（1）所表示之結構之厚度30 μm之聚醯亞胺膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外，以與實施例A8相同之方式獲得導電性膜。
＜比較例A1＞
於比較例A1中，不將硬塗層進行去靜電，除此以外，以與實施例A1相同之方式獲得導電性膜。
＜比較例A2＞
首先，準備作為透光性基材之僅於單面具有基底層之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4100」，東洋紡股份有限公司製造），將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯膜中之與基底層側之面相反側之未處理面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於上述未處理面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚為100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之第2導電部。
於形成第2導電部後，於聚對苯二甲酸乙二酯膜之基底層之表面，塗佈硬塗層組成物1，形成塗膜。繼而，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚2 μm之硬塗層。
於形成硬塗層後，不將硬塗層進行去靜電，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於硬塗層之表面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於硬塗層之表面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第1導電部，獲得導電性膜。
＜比較例A3＞
於比較例A3中，使用含銀奈米線之組成物2代替含銀奈米線之組成物1，形成第1導電部及第2導電部，除此以外，以與比較例A1相同之方式獲得導電性膜。
＜比較例A4＞
於比較例A4中，使用含銀奈米線之組成物2代替含銀奈米線之組成物1，形成第1導電部及第2導電部，除此以外，以與比較例A2相同之方式獲得導電性膜。
＜比較例A5＞
於比較例A5中，於形成比較例A1之導電性膜後，對第1導電部及第2導電部之特定區域，於與實施例A3相同之條件下照射雷射光，將第1導電部及第2導電部進行圖案化，除此以外，以與比較例A1相同之方式獲得導電性膜。圖案化後之第1導電部及第2導電部存在多個，各個第1導電部及第2導電部為寬度5 mm之直線狀，於第1導電部間及第2導電部間，分別形成有寬度30 μm之非導電部。
＜比較例A6＞
於比較例A6中，於形成比較例A2之導電性膜後，對第1導電部及第2導電部之特定區域，於與實施例A3相同之條件下照射雷射光，將第1導電部及第2導電部進行圖案化，除此以外，以與比較例A2相同之方式獲得導電性膜。圖案化後之第1導電部及第2導電部存在多個，各個第1導電部及第2導電部為寬度5 mm之直線狀，於第1導電部間及第2導電部間，分別形成有寬度30 μm之非導電部。
＜比較例A7＞
於比較例A7中，於形成比較例A3之導電性膜後，對第1導電部及第2導電部之特定區域，於與實施例A6相同之條件下照射雷射光，將第1導電部及第2導電部進行圖案化，除此以外，以與比較例A3相同之方式獲得導電性膜。圖案化後之第1導電部及第2導電部存在多個，各個第1導電部及第2導電部為寬度5 mm之直線狀，於第1導電部間及第2導電部間，分別形成有寬度30 μm之非導電部。
＜比較例A8＞
於比較例A8中，於形成比較例A4之導電性膜後，對第1導電部及第2導電部之特定區域，於與實施例A6相同之條件下照射雷射光，將第1導電部及第2導電部進行圖案化，除此以外，以與比較例A4相同之方式獲得導電性膜。圖案化後之第1導電部及第2導電部存在多個，各個第1導電部及第2導電部為寬度5 mm之直線狀，於第1導電部間及第2導電部間，分別形成有寬度30 μm之非導電部。
＜表面電阻值差異率＞
分別測定實施例A1～A5、A8～A13及比較例A1～A4之導電性膜之第1導電部及第2導電部之表面電阻值，求出第2導電部之表面電阻值相對於第1導電部之表面電阻值相差何種程度之差異率。具體而言，使用依據JIS K7194：1994（導電性塑膠之利用四探針法之電阻率試驗方法）之接觸式之電阻率計（產品名「Loresta AX MCP-T370型」，三菱化學ANALYTECH股份有限公司製造，端子形狀：ASP探針），於溫度23℃及相對濕度50%之環境下，分別測定第1導電部及第2導電部之表面電阻值。表面電阻值之測定係藉由下述方式進行，即，將切取成縱80 mm×橫50 mm之大小之導電性膜以測定之導電部側成為上表面，且導電性膜成為均勻之平面狀態之方式配置於平坦之玻璃板上，將ASP探針配置於導電部之中心，使全部之電極接腳均勻地壓抵於導電部。於利用接觸式之電阻率計之測定時，選擇作為測定薄片電阻之模式之Ω/□。其後，按下開始按鈕並進行保持而獲得測定結果。第1導電部及第2導電部之表面電阻值之測定部位分別設為導電性膜之中心部之3個部位，表面電阻值分別設為3個部位之表面電阻值之算術平均值。表面電阻值之測定係於23℃及相對濕度55%之環境下進行。其後，使用所獲得之第1導電部及第2導電部之表面電阻值，藉由上述數式（3），求出第2導電部之表面電阻值相對於第1導電部之表面電阻值之差異率（%）。
＜線電阻值差異率＞
分別測定實施例A1～A13及比較例A1～A8之導電性膜之第1導電部及第2導電部之線電阻值，求出第2導電部之線電阻值相對於第1導電部之線電阻值相差何種程度之差異率。線電阻值係藉由下述方式測定，即，使測試機（產品名「Digital MΩ Hitester 3454-11」，日置電機股份有限公司製造）之探針端子接觸於自導電性膜切取成寬度5 mm×長度100 mm之長方形形狀之樣品之長度方向的兩端部。具體而言，Digital MΩ Hitester 3454-11具備2根探針端子（紅色探針端子及黑色探針端子，兩者均為針形），因此使紅色探針端子接觸於第1導電部之一端部，且使黑色探針端子接觸於第1導電部之另一端部而測定第1導電部之線電阻值。又，以與第1導電部相同之方式測定第2導電部之線電阻值。再者，線電阻值之測定係於溫度23℃及相對濕度50%之環境下進行。其後，使用所獲得之第1導電部及第2導電部之線電阻值，藉由上述數式（4），求出第2導電部之線電阻值相對於第1導電部之線電阻值之差異率。
＜全光線穿透率測定＞
針對上述實施例A1～A13及比較例A1～A8之導電性膜，使用霧度計（產品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造），於溫度23℃及相對濕度50%之環境下，依據JIS K7361：1997測定全光線穿透率。全光線穿透率係將導電性膜切取成50 mm×100 mm之大小後，於無捲曲或皺褶且無指紋或灰塵等之狀態下，以第1導電部側成為光源側之方式進行設置，對導電性膜1片進行3次測定，設為所獲得之值之算術平均值。
＜霧度測定＞
針對上述實施例A1～A13及比較例A1～A8之導電性膜，使用霧度計（產品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造），於溫度23℃及相對濕度50%之環境下，依據JIS K7136：2000測定導電性膜之霧度值（總霧度值）。霧度值係將導電性膜切取成50 mm×100 mm之大小後，於無捲曲或皺褶且無指紋或灰塵等之狀態下，以第1導電部側成為光源側之方式進行設置，對導電性膜1片進行3次測定，設為所獲得之值之算術平均值。
＜可撓性＞
（1）連續摺疊試驗前後之電阻值評價
針對實施例A8～A13之導電性膜進行連續摺疊試驗，評價連續摺疊試驗前後之電阻值。具體而言，自連續摺疊試驗前之導電性膜切取縱125 mm×橫50 mm之長方形狀之樣品。自導電性膜切取樣品後，於各個樣品之長度方向之第1導電部之兩端部及第2導電部之兩端部之各縱10 mm×橫50 mm之部分塗佈銀膠（產品名「DW-520H-14」，東洋紡股份有限公司製造），於130℃加熱30分鐘，於第1導電部之兩端部及第2導電部之兩端部形成已硬化之銀膠。再者，第1導電部之兩端部間之距離及第2導電部之兩端部間之距離分別以105 mm固定。其後，使用測試機（產品名「Digital MΩ Hitester 3454-11」，日置電機股份有限公司製造）測定連續摺疊試驗前之樣品之第1導電部之電阻值。具體而言，Digital MΩ Hitester 3454-11具備2根探針端子（紅色探針端子及黑色探針端子，兩者均為針形），因此使紅色探針端子接觸於設置於第1導電部之一端部之已硬化之銀膠，且使黑色探針端子接觸於設置於第1導電部之另一端部之已硬化之銀膠，於溫度23℃及相對濕度50%之環境下測定電阻值。又，以與第1導電部相同之方式測定連續摺疊試驗前之樣品之第2導電部之電阻值。其後，以將樣品之短邊（50 mm）側由固定部分別固定，且如圖3（C）所示對向之2個邊部之最小間隔成為4 mm（彎曲部之外徑4 mm）之方式，安裝於耐久試驗機（產品名「DLDMLH-FS」，Yuasa System機器股份有限公司製造，依據IEC62715-6-1），進行以第1導電部側成為內側（第2導電部成為外側）之方式，將樣品反覆進行10萬次180°摺疊之連續摺疊試驗。又，同樣地，由實施例9、11、13之導電性膜製作與上述相同之樣品，以將樣品之短邊側由固定部分別固定，且對向之2個邊部之最小間隔成為4 mm（彎曲部之外徑4 mm）之方式安裝，進行以第1導電部側成為內側（第2導電部成為外側）之方式，將樣品反覆進行20萬次180°摺疊之連續摺疊試驗。進而，由實施例9、11、13之導電性膜製作與上述相同之樣品，以將樣品之短邊側由固定部分別固定，且對向之2個邊部之最小間隔成為3 mm（彎曲部之外徑3 mm）之方式安裝，進行以第1導電部側成為內側（第2導電部成為外側）之方式，將樣品反覆進行30萬次180°摺疊之連續摺疊試驗。進行連續摺疊試驗後，針對連續摺疊試驗後之樣品，以與連續摺疊試驗前之樣品相同之方式，分別測定第1導電部及第2導電部之電阻值。其後，求出作為連續摺疊試驗後之樣品的第1導電部之電阻值相對於連續摺疊試驗前之樣品之第1導電部之電阻值之比的電阻值比（連續摺疊試驗後之樣品的第1導電部之電阻值/連續摺疊試驗前之樣品之第1導電部之電阻值）。又，求出作為連續摺疊試驗後之樣品的第2導電部之電阻值相對於連續摺疊試驗前之樣品之第2導電部之電阻值之比的電阻值比（連續摺疊試驗後之樣品的第2導電部之電阻值/連續摺疊試驗前之樣品之第2導電部之電阻值）。其後，按照以下之基準評價連續摺疊試驗之結果。再者，電阻值比係設為進行3次測定所獲得之值之算術平均值。
◎：於第1導電部及第2導電部之任一者中，電阻值比均為1.5以下。
〇：第1導電部及第2導電部之任一者之電阻值比為1.5以下，但另一者之電阻值比超過1.5且為3以下。
×：第1導電部及第2導電部之任一者之電阻值比超過3。
（2）連續摺疊試驗後之折痕評價
針對實施例A8～A13之導電性膜，觀察連續摺疊試驗後之外觀，評價是否於導電性膜之彎曲部產生折痕。連續摺疊試驗係藉由＜連續摺疊試驗前後之表面電阻值評價＞之欄中所記載之方法而進行。折痕之觀察係於溫度23℃及相對濕度50%之環境下以目視進行。於觀察折痕時，於白色照明之亮室（800勒克司～2000勒克司）中，藉由穿透光及反射光無遺漏地觀察彎曲部，並且觀察於摺疊時彎曲部中之作為內側之部分及作為外側之部分之兩者。於折痕之觀察中，以可容易地掌握應觀察之位置之方式，將連續摺疊試驗前之樣品設置於耐久試驗機之固定部，於1次摺疊時，如圖4所示，於彎曲部中之位於與摺疊方向正交之方向之兩端，利用油性筆標附顯示為彎曲部之記號。又，於連續摺疊試驗後，於連續摺疊試驗後，於自耐久試驗機卸除之狀態下，利用油性筆劃出連結彎曲部之上述兩端之記號彼此之線。其後，於折痕之觀察中，目視觀察作為由彎曲部之上述兩端之記號與連結該記號彼此之線形成的區域之彎曲部整體。再者，觀察連續摺疊試驗前之成為各導電性膜之彎曲部之區域，結果未觀察到折痕。評價基準如下所述。
〇：於連續摺疊試驗後，亦未於導電性膜觀察到折痕。
△：於連續摺疊試驗後，於導電性膜觀察到少許折痕，但為實際使用上無問題之水準。
×：於連續摺疊試驗後，於導電性膜明確地觀察到折痕。
（3）連續摺疊試驗後之微龜裂評價
針對實施例A8～A13之導電性膜，觀察連續摺疊試驗後之外觀，評價是否於導電性膜之彎曲部產生微龜裂。連續摺疊試驗係藉由＜連續摺疊試驗前後之表面電阻值評價＞之欄中所記載之方法而進行。微龜裂之觀察係於溫度23℃及相對濕度50%之環境下，使用數位顯微鏡（產品名「VHX-5000」，KEYENCE股份有限公司製造）進行。具體而言，首先，將連續摺疊試驗後之樣品緩慢地展開，利用膠帶將樣品固定於顯微鏡之載台。此時，於折痕較強之情形時，使觀察部分盡可能變得平坦。但樣品之中央附近之觀察預定部（彎曲部）係設為不用手觸碰而未施加力之程度。繼而，觀察摺疊時成為內側之部分及成為外側之部分之兩者。微龜裂之觀察係選擇環照明作為數位顯微鏡之照明，以倍率200倍，於暗視野及反射光下進行。於微龜裂之觀察中，以可容易地掌握應觀察之位置之方式，將連續摺疊試驗前之樣品設置於耐久試驗機之固定部，於1次摺疊時，如圖4所示，於彎曲部中之位於與摺疊方向正交之方向之兩端，利用油性筆標附表示為彎曲部之記號。又，於連續摺疊試驗後，於連續摺疊試驗後，於自耐久試驗機卸除之狀態下，利用油性筆劃出連結彎曲部之上述兩端之記號彼此之線。其後，於微龜裂之觀察中，以顯微鏡視野範圍之中心成為彎曲部之中央的方式對準顯微鏡之位置。再者，觀察連續摺疊試驗前之成為各導電性膜之彎曲部之區域，結果未觀察到微龜裂。評價基準如下所述。
（微龜裂）
〇：於連續摺疊試驗後，亦未於導電性膜觀察到微龜裂。
△：於連續摺疊試驗後，於導電性膜觀察到少許微龜裂，但為於實際使用上無問題之水準。
×：於連續摺疊試驗後，於導電性膜明確地觀察到微龜裂。
以下，將結果示於表1及表2。


[表1]
表面電阻值 線電阻值 霧度值（%） 全光線穿透率（%）
第1導電部 （Ω/□） 第2導電部 （Ω/□） 差異率（%） 第1導電部 （Ω） 第2導電部 （Ω） 差異率 （%）
實施例A1 52 50 -3.8 1059 1012 -4.4 1.3 90.7
實施例A2 31 28 -9.7 638 572 -10.3 1.7 89.3
實施例A3 50 49 -2.0 1002 985 -1.7 1.1 90.1
實施例A4 45 50 11.1 934 983 5.3 1.6 87.5
實施例A5 52 48 -7.7 1080 952 -11.9 1.3 90.1
實施例A6 - - - 1041 998 -4.1 1.2 91.1
實施例A7 - - - 623 561 -10.0 1.6 89.5
實施例A8 52 48 -7.7 1080 952 -11.9 1.3 90.1
實施例A9 51 50 -2.0 1080 952 -11.9 1.3 89.8
實施例A10 52 49 -5.8 1014 1008 -0.6 1.1 90.0
實施例A11 50 50 0.0 999 1052 5.3 1.0 89.9
實施例A12 53 57 7.5 1003 1140 13.7 1.6 87.8
實施例A13 53 51 -3.8 1024 989 -3.4 1.5 87.4
比較例A1 48 66 37.5 982 1331 35.5 1.4 91.3
比較例A2 50 69 38.0 1010 1380 36.6 1.4 91.3
比較例A3 28 38 35.7 569 781 37.3 1.8 89.3
比較例A4 29 41 41.4 605 820 35.5 1.8 89.3
比較例A5 - - - 962 1323 37.5 1.3 91.5
比較例A6 - - - 1000 1350 35.0 1.3 91.5
比較例A7 - - - 558 755 35.3 1.7 89.5
比較例A8 - - - 600 820 36.7 1.7 89.5
[表2]
於比較例A1～A4之導電性膜中，第2導電部之表面電阻值超過第1導電部之表面電阻值之±30%之範圍，因此未抑制第1導電部之電阻值與第2導電部之電阻值之差異。相對於此，於實施例A1～A5、A8～A13之導電性膜中，第2導電部之表面電阻值為第1導電部之表面電阻值之±30%以內，因此抑制了第1導電部之電阻值與第2導電部之電阻值之差異。
又，於比較例A1～A8之導電性膜中，第2導電部之線電阻值超過第1導電部之線電阻值之±30%之範圍，因此未抑制第1導電部之電阻值與第2導電部之電阻值之差異。相對於此，於實施例A1～A13之導電性膜中，第2導電部之線電阻值為第1導電部之線電阻值之±30%以內，因此抑制了第1導電部之電阻值與第2導電部之電阻值之差異。
於實施例A9之導電性膜相較於實施例A8之導電性膜而聚對苯二甲酸乙二酯膜之厚度較薄之情形時，相較於實施例A8之導電性膜而可撓性優異。又，於實施例A11之導電性膜相較於實施例A10之導電性膜而環烯烴聚合物膜之厚度較薄之情形時，相較於實施例A10之導電性膜而可撓性優異。於實施例A13之導電性膜相較於實施例A12之導電性膜而聚醯亞胺膜之厚度較薄之情形時，相較於實施例A12之導電性膜而可撓性優異。再者，若對於透光性基材之兩面側具備硬塗層之導電性膜進行上述連續摺疊試驗，則必然任一硬塗層均向外側彎曲，即所謂之外曲，因此於硬塗層容易產生微龜裂，但於實施例A9～A13之導電性膜中，未觀察到微龜裂，或者觀察到少許微龜裂，但為於實際使用上無問題之水準。再者，針對實施例A11、A13之導電性膜，亦以間隔為2 mm且摺疊次數為30萬次評價可撓性，獲得了與間隔為3 mm且摺疊次數為30萬次之評價結果相同之結果。
以間隔為4 mm且摺疊次數為20萬次進行評價時之可撓性良好意指例如即便將摺疊型顯示器1天50次以上開閉亦約10年良好，以間隔為3 mm且摺疊次數為30萬次進行評價時之可撓性良好意指即便1天75次以上開閉亦約10年良好。於該水準，作為可維持性能之理由，可認為存在透光性基材之樹脂系及膜厚之影響，不僅如此，亦認為有導電性膜整體之平衡優異之影響。例如，摺疊次數為10萬次之評價中良好之情形時的導電性膜之厚度（總厚）為45 μm以下，摺疊次數為20萬次、30萬次之評價中可撓性良好之情形時的導電性膜之厚度（總厚）為35 μm以下。尤其是即便摺疊次數為30萬次而可撓性亦良好之基材為環烯烴聚合物膜。再者，使用該摺疊次數為30萬次且可撓性良好之環烯烴聚合物膜，以更嚴苛之間隔為2 mm且摺疊次數為50萬次進行評價，結果若環烯烴聚合物膜之厚度為25 μm，則可見產生極少之折痕之情形，但其他性能無問題。繼而，以厚度更薄之15 μm之環烯烴聚合物膜實施相同之試驗，結果全部之性能良好。此時，導電性膜之厚度（總厚）為25 μm以下。
於實施例A8～A13之導電性膜中，使用上述數位顯微鏡，於上述條件下觀察連續摺疊試驗前後之作為透光性基材之各膜與硬塗層之間之界面附近，但未觀察到剝離等，密接性良好。
再者，於溫度23℃及相對濕度50%之環境下測定實施例A1～A13之導電性膜中之硬塗層與透光性基材之壓痕硬度，結果硬塗層相較於透光性基材之壓痕硬度較高。硬塗層之壓痕硬度係以如下之方式測定。首先，將切取成10 mm×10 mm之大小之導電性膜放入至聚矽氧系之包埋板中，流入環氧系樹脂，利用樹脂包埋導電性膜整體。其後，將包埋樹脂於65℃放置12小時以上而使其硬化。其後，使用超薄切片機（產品名「Ultramicrotome EMUC7」，Leica Microsystems公司製造），將送出厚度設定為100 nm，而製作超薄切片。其後，將切取掉超薄切片之剩餘之塊體作為測定樣品。繼而，將測定樣品以測定樣品中之藉由切取上述切片而獲得之剖面相對於載玻片之表面大致垂直之方式，經由接著樹脂（產品名「Aron Alpha（註冊商標）通用」，東亞合成股份有限公司製造）固定於市售之載玻片（產品名「SLIDE GLASS（未打磨型）1-9645-11」，AS ONE股份有限公司製造）。具體而言，於上述載玻片之中央部滴加上述接著樹脂。此時，以不將接著樹脂塗展開，且接著樹脂不自測定樣品伸出之方式，將滴加設為1滴。使測定樣品以測定樣品中之藉由切取上述切片而獲得之剖面相對於載玻片之表面大致垂直之方式接觸於載玻片，於載玻片與測定樣品之間將接著樹脂壓展開而進行暫時接著。其後，於該狀態下，於室溫放置12小時，將測定樣品藉由接著而固定於載玻片。繼而，於測定樣品之剖面中，尋找平坦之部位，於該平坦之部位，使用HYSITRON（海思創）公司所製造之「TI950 TriboIndenter」，利用位移基準之測定，以最大壓入位移成為100 nm之方式，以速度10 nm/秒將三角錐型壓頭同時以10秒自位移0 nm施加負載至位移100 nm並壓入至樹脂層12，其後，於位移100 nm處保持5秒鐘後，以10秒自位移100 nm卸載至位移0 nm。其後，連續地測定此時之與壓入荷重F（N）對應之壓入深度h（nm），製成荷重-位移曲線。根據所製成之荷重-位移曲線，藉由基於上述數式（1）將最大壓入荷重Fmax （N）除以壓頭與各層接觸之接觸投影面積Ap （mm2 ）所得之值而求出壓痕硬度HIT 。壓痕硬度係設為進行10個部位測定而獲得之值之算術平均值。Ap 係設為使用標準試樣之熔融石英，利用Oliver-Pharr法修正壓頭前端曲率所得之接觸投影面積。又，透光性基材之壓痕硬度亦以與硬塗層之壓痕硬度相同之方式測定。
＜＜實施例B及比較例B＞＞
＜實施例B1＞
首先，準備作為僅於單面具有基底層之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4100」，東洋紡股份有限公司製造）之透光性基材，於透光性基材之基底層之表面，塗佈硬塗層用組成物1，形成塗膜。繼而，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚2 μm之硬塗層。
於形成硬塗層後，將硬塗層進行去靜電。去靜電係使用電壓施加式去靜電器（產品名「SJ-H156A」，KEYENCE股份有限公司製造）進行。上述去靜電器係以與硬塗層之距離成為50 mm之方式設置。
於將硬塗層進行去靜電後，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於透光性基材中之與基底層側之面相反側之未處理面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於上述未處理面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第2導電部。
於形成第2導電部後，於第2導電部之表面可剝離地設置作為厚度50 μm之聚乙烯膜（產品名「SUNYTECT（註冊商標）PAC-3-50THK」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造）之第2保護膜。
於設置第2保護膜後，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於硬塗層之表面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於硬塗層之表面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第1導電部。
於形成第1導電部後，於第1導電部之表面可剝離地設置作為厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司製造）之第1保護膜，獲得附保護膜之導電性膜。
不僅實施例B1，以下之實施例及比較例中，第1導電部之膜厚、第2導電部之膜厚、聚對苯二甲酸乙二酯膜等基材之厚度、硬塗層之膜厚、第1保護膜之厚度、及第2保護膜之厚度亦全部藉由與實施例A中之導電部之膜厚之測定方法相同之方法測定。其中，於拍攝基材、硬塗層、第1保護膜及第2保護膜之剖面照片時，以100～2萬倍適宜調節倍率。
＜實施例B2＞
於實施例B2中，於第1導電部之表面，可剝離地設置作為厚度38 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「E-MASK（註冊商標）TP200」，日東電工股份有限公司製造）之第1保護膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司製造），除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得附保護膜之導電性膜。
＜實施例B3＞
於實施例B3中，於第1導電部之表面，可剝離可地設置作為厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「SAT TM40125TG」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造）之第1保護膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司製造），除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得附保護膜之導電性膜。
＜實施例B4＞
於實施例B4中，作為透光性基材，使用作為厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4100」，東洋紡股份有限公司製造）之透光性基材代替厚度50 μm者，於第1導電部之表面，可剝離地貼附作為厚度38 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「E-MASK（註冊商標）TP200」，日東電工股份有限公司）之第1保護膜代替厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司），除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得附保護膜之導電性膜。
＜實施例B5＞
於實施例B5中，作為透光性基材，使用作為厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4100」，東洋紡股份有限公司製造）之透光性基材代替厚度50 μm者，於第1導電部之表面，可剝離地設置作為厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司）之第1保護膜代替厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「SATTM40125TG」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造），除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得附保護膜之導電性膜。
＜實施例B6＞
於實施例B6中，於第2導電部之表面，可剝離地設置作為厚度38 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「E-MASK（註冊商標）TP200」，日東電工股份有限公司製造）之第1保護膜代替聚乙烯膜（產品名「SUNYTECT（註冊商標）PAC-3-50THK」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造），除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得附保護膜之導電性膜。
＜實施例B7＞
使用含銀奈米線之組成物3代替含銀奈米線之組成物1，形成膜厚0.1 μm之第1導電部及膜厚0.1 μm之第2導電部，除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得附保護膜之導電性膜。
＜實施例B8＞
首先，準備作為僅於單面具有基底層之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4100」，東洋紡股份有限公司製造）之透光性基材，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於透光性基材中之與基底層側之面相反側之未處理面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於上述未處理面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第2導電部。
於形成第2導電部後，於第2導電部之表面，可剝離地設置作為厚度50 μm之聚乙烯膜（產品名「SUNYTECT（註冊商標）PAC-3-50THK」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造）之第2保護膜。
於設置第2保護膜後，於透光性基材之基底層之表面，塗佈硬塗層用組成物1，形成塗膜。繼而，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚2 μm之硬塗層。
於形成硬塗層後，不將硬塗層進行去靜電，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於硬塗層之表面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於硬塗層之表面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第1導電部。
於形成第1導電部後，於第1導電部之表面，可剝離地設置作為厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司製造）之第1保護膜，獲得附保護膜之導電性膜。
＜實施例B9＞
首先，準備作為僅於單面具有基底層之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4100」，東洋紡股份有限公司製造）之透光性基材，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於透光性基材中之與基底層側之面相反側之未處理面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於上述未處理面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第2導電部。
於形成第2導電部後，於第2導電部之表面可剝離地設置作為厚度50 μm之聚乙烯膜（產品名「SUNYTECT（註冊商標）PAC-3-50THK」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造）之第2保護膜。
於設置第2保護膜後，於透光性基材之基底層之表面，塗佈硬塗層用組成物1，形成塗膜。繼而，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚2 μm之硬塗層。
於形成硬塗層後，不將硬塗層進行去靜電，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於硬塗層之表面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於硬塗層之表面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第1導電部，從而獲得導電性膜。
另一方面，於另一厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯基材（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4300」，東洋紡股份有限公司製造）之一面塗佈硬塗層用組成物3，形成塗膜。繼而，對所形成之塗膜，以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發。
其後，以第1導電部接觸於經乾燥之塗膜之方式使導電性膜接觸，於該狀態下，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化。藉此，獲得由可剝離地設置於第1導電部之表面之聚對苯二甲酸乙二酯基材及密接於第1導電部之膜厚6 μm之硬塗層構成之第1保護膜，從而獲得附保護膜之導電性膜。
＜實施例B10＞
於實施例B10中，作為透光性基材，使用厚度25 μm之環烯烴聚合物膜（產品名「ZEONOR FILM（註冊商標）ZF16」，日本瑞翁股份有限公司製造）代替聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4100」，東洋紡股份有限公司製造），又，使用硬塗層用組成物2代替硬塗層用組成物1，除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例B11＞
於實施例B11中，作為透光性基材，使用具有上述化學式（1）所表示之結構之厚度50 μm之聚醯亞胺膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例B12＞
首先，準備作為於兩面具有基底層之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4300」，東洋紡股份有限公司製造）之透光性基材，於透光性基材之基底層之表面，塗佈硬塗層用組成物1，形成塗膜。繼而，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚2 μm之硬塗層。又，同樣地，於聚對苯二甲酸乙二酯膜之另一基底層之表面，形成膜厚2 μm之硬塗層。
於兩面形成硬塗層後，將硬塗層分別進行去靜電。去靜電係使用電壓施加式去靜電器（產品名「SJ-H156A」，KEYENCE股份有限公司製造）進行。上述去靜電器係以與硬塗層之距離成為50 mm之方式設置。
於將硬塗層分別進行去靜電後，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於一硬塗層之表面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於該硬塗層之表面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第2導電部。
於形成第2導電部後，於第2導電部之表面可剝離地設置作為厚度50 μm之聚乙烯膜（產品名「SUNYTECT（註冊商標）PAC-3-50THK」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造）之第2保護膜。
於設置第2保護膜後，將含銀奈米線之組成物1以塗佈量成為10 mg/m2 之方式塗佈於另一硬塗層之表面。繼而，對所塗佈之含銀奈米線之組成物1，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使含銀奈米線之組成物1中之分散介質蒸發，藉此使多根銀奈米線配置於該硬塗層之表面。
繼而，以覆蓋銀奈米線之方式，塗佈上述透光性樹脂用組成物1，形成塗膜。其後，對所形成之塗膜，以0.5 m/s之流速使50℃之乾燥空氣流通15秒鐘後，進而以10 m/s之流速使70℃之乾燥空氣流通30秒鐘而使其乾燥，藉此使塗膜中之溶劑蒸發，以累計光量成為100 mJ/cm2 之方式照射紫外線而使塗膜硬化，藉此形成膜厚100 nm之透光性樹脂，獲得由透光性樹脂及配置於透光性樹脂中之銀奈米線構成之膜厚100 nm之第1導電部。
於形成第1導電部後，於第1導電部之表面可剝離地設置作為厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司製造）之第1保護膜，獲得附保護膜之導電性膜。
＜實施例B13＞
於實施例B13中，將兩硬塗層之膜厚分別設為1 μm，除此以外，以與實施例B12相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例B14＞
於實施例B14中，使用於兩面具有基底層之厚度38 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINEA4300」，東洋紡股份有限公司製造）代替於兩面具有基底層之厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「COSMOSHINE（註冊商標）A4300」，東洋紡股份有限公司製造），除此以外，以與實施例B13相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例B15＞
於實施例B15中，使用厚度50 μm之環烯烴聚合物膜（產品名「ZEONOR FILM（註冊商標）ZF16」，日本瑞翁股份有限公司製造）代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，又，使用硬塗層用組成物2代替硬塗層用組成物1，除此以外，以與實施例B13相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例B16＞
於實施例B16中，使用厚度25 μm之環烯烴聚合物膜（產品名「ZEONOR FILM（註冊商標）ZF16」，日本瑞翁股份有限公司製造）代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，又，使用硬塗層用組成物2代替硬塗層用組成物1，除此以外，以與實施例B13相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例B17＞
於實施例B17中，使用具有上述化學式（1）所表示之結構之厚度80 μm之聚醯亞胺膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外，以與實施例B13相同之方式獲得導電性膜。
＜實施例B18＞
於實施例B18中，使用具有上述化學式（1）所表示之結構之厚度30 μm之聚醯亞胺膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜，除此以外，以與實施例B13相同之方式獲得導電性膜。
＜比較例B1＞
於比較例B1中，於第1導電部之表面不設置聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司製造），除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得附保護膜之導電性膜。即，於比較例B1之附保護膜之導電性膜中，於導電性膜之表面可剝離地設置作為聚乙烯膜（產品名「SUNYTECT（註冊商標）PAC-3-50THK」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造）之第2保護膜，導電性膜之背面露出。
＜比較例B2＞
於比較例B2中，於第1導電部之表面，設置作為厚度50 μm之聚乙烯膜（產品名「SUNYTECT（註冊商標）PAC-3-50THK」，日東電工股份有限公司製造）之第2保護膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司製造），除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得附保護膜之導電性膜。即，於比較例B2之附保護膜之導電性膜中，於導電性膜之表面及背面之兩者可剝離地設置作為聚乙烯膜（產品名「SUNYTECT（註冊商標）PAC-3-50THK」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造）之第2保護膜。
＜比較例B3＞
於比較例B3中，於第1導電部之表面，設置作為厚度38 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「SUNYTECT（註冊商標）NSA33T」、SUN A.KAKEN股份有限公司製造）之第1保護膜代替聚對苯二甲酸乙二酯膜（產品名「CP170U」，日東電工股份有限公司製造），除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得附保護膜之導電性膜。即，於比較例B3之附保護膜之導電性膜中，於導電性膜之表面可剝離地設置作為聚對苯二甲酸乙二酯（產品名「SUNYTECT（註冊商標）NSA33T」，SUN A.KAKEN股份有限公司製造）之第1保護膜，導電性膜之背面露出。
＜耐熱性試驗＞
針對實施例B1～B18及比較例B1～B3之附保護膜之導電性膜進行加熱試驗，調查保護膜是否熔融。具體而言，切取成縱100 mm×橫100 mm之大小之附保護膜之導電性膜，進行於150℃加熱60分鐘之加熱試驗，調查於加熱試驗中保護膜是否熔融。其中，於實施例B1～B5、B7～B18之附保護膜之導電性膜中，於剝離作為第2保護膜之聚乙烯膜之狀態下進行加熱試驗。藉由目視確認於加熱試驗中保護膜是否熔融。評價基準如下所述。
〇：保護膜未熔融。
×：保護膜熔融。
＜熱收縮率＞
於自實施例B1～B18之附保護膜之導電性膜剝離全部之保護膜之狀態下，對導電性膜及第1保護膜分別進行加熱試驗，分別求出第1方向及與第1方向正交之第2方向上之第1保護膜及透光性基材之熱收縮率，求出第1方向上之第1保護膜之熱收縮率與透光性基材之熱收縮率的差的絕對值及第2方向上之第1保護膜之熱收縮率與透光性基材之熱收縮率的差的絕對值。具體而言，首先，將附保護膜之導電性膜切取成縱100 mm×橫100 mm之大小，將任意方向設為第1方向，又，將與第1方向正交之方向設為第2方向。其後，於自所切取之附保護膜之導電性膜剝離全部之保護膜之狀態下，於溫度23℃及相對濕度50%之環境下，分別測定3次第1方向上之導電性膜及第1保護膜之長度，又，分別測定3次第2方向上之導電性膜及第1保護膜之長度，分別求出加熱試驗前之第1方向上之導電性膜及第1保護膜之長度之算術平均值，並且分別求出第2方向上之導電性膜及第1保護膜之長度之算術平均值。其後，對導電性膜及第1保護膜，分別進行於150℃加熱60分鐘之加熱試驗。加熱試驗係使用加熱裝置（產品名「HISPEC橫置式 200℃系列」，楠本化成股份有限公司製造）進行。其後，自加熱裝置取出導電性膜及第1保護膜，於自加熱結束時經過10分鐘後，於25℃、相對濕度50%之環境下，分別測定3次第1方向上之導電性膜及第1保護膜之長度，又，分別測定3次第2方向上之導電性膜及第1保護膜之長度，分別求出加熱試驗後之第1方向上之導電性膜及第1保護膜之長度之算術平均值，並且分別求出第2方向上之導電性膜及第1保護膜之長度之算術平均值。其後，使用該等算術平均值，根據上述數式（5）分別求出第1方向上之導電性膜及第1保護膜之熱收縮率，又，根據上述數式（6）分別求出第2方向上之導電性膜及第1保護膜之熱收縮率。其後，求出第1方向上之第1保護膜之熱收縮率與透光性基材之熱收縮率的差的絕對值及第2方向上之第1保護膜之熱收縮率與透光性基材之熱收縮率的差的絕對值。再者，熱收縮率之測定係將導電性膜及第1保護膜置於平坦之台上而進行。
＜捲曲量＞
針對實施例B1～B18及比較例B1～B3之附保護膜之導電性膜進行加熱試驗，測定加熱試驗後之捲曲量。具體而言，對切取成縱340 mm×橫340 mm之大小之附保護膜之導電性膜，進行於150℃加熱60分鐘之加熱試驗。再者，針對實施例B1～B5、B7～B18之附保護膜之導電性膜，於剝離第2保護膜之狀態下進行加熱試驗。又，針對實施例B4及比較例B1～B3之附保護膜之導電性膜，於保持上述狀態不變之狀態下進行加熱試驗。加熱試驗係使用加熱裝置（產品名「HISPEC橫置式 200℃系列」，楠本化成股份有限公司製造）進行。此時，附保護膜之導電性膜係以保護膜成為下側之方式配置於加熱裝置內。其後，自加熱裝置中取出附保護膜之導電性膜，於自加熱結束時經過10分鐘後，於溫度23℃及相對濕度50%之環境下進行捲曲量之測定。於測定捲曲量時，將加熱試驗後之附保護膜之導電性膜或導電性膜以台側成為保護膜之方式放置於平坦之台上，於附保護膜之導電性膜或導電性膜之四角自台隆起之情形時，設為四角之隆起之高度之平均值，又，於附保護膜之導電性膜或導電性膜之中央部自台隆起之情形時，設為附保護膜之導電性膜或導電性膜之中央部中距離台最遠之部位之高度。再者，關於捲曲量，將附保護膜之導電性膜之上表面捲曲成凹狀之情形設為正（+），將附保護膜之導電性膜之上表面捲曲成凸狀之情形設為負（-）。
＜表面電阻值差異率＞
於自實施例B1～B18之附保護膜之導電性膜剝離全部之保護膜而成為導電性膜單體之狀態下，分別測定第1導電部及第2導電部之表面電阻值，求出第2導電部之表面電阻值相對於第1導電部之表面電阻值相差何種程度之差異率。第1導電部及第2導電部之表面電阻值係於與實施例A中之第1導電部及第2導電部之表面電阻值相同之測定條件下分別測定，又，表面電阻值差異率係藉由與實施例A中之求出表面電阻值差異率之式相同之式求出。
＜全光線穿透率測定＞
於自實施例B1～B18之附保護膜之導電性膜剝離全部之保護膜而成為導電性膜單體之狀態下，使用霧度計（產品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造），於實施例A中之全光線穿透率相同之方法及相同之測定條件下測定全光線穿透率。
＜霧度測定＞
於自實施例B1～B18之附保護膜之導電性膜剝離全部之保護膜而成為導電性膜單體之狀態下，使用霧度計（產品名「HM-150」，村上色彩技術研究所製造），於與實施例A中之霧度值相同之方法及相同之測定條件下測定導電性膜之霧度值（總霧度值）。
＜可撓性＞
（1）連續摺疊試驗前後之電阻值評價
於自實施例B13～B18之附保護膜之導電性膜剝離全部之保護膜而成為導電性膜單體之狀態下進行連續摺疊試驗，評價連續摺疊試驗前後之電阻值。電阻值係藉由與實施例A中之可撓性之評價方法相同之方法進行評價。又，評價電阻值時之連續摺疊試驗係於與實施例A中之連續摺疊試驗相同之試驗條件下進行，又，電阻值係藉由與實施例A中之電阻值相同之測定條件測定。其後，按照以下之基準進行評價。再者，電阻值比係設為進行3次測定所得之值之算術平均值。
◎：於第1導電部及第2導電部之任一者中，電阻值比均為1.5以下。
〇：第1導電部及第2導電部之任一者之電阻值比為1.5以下，但另一者之電阻值比超過1.5且為3以下。
×：第1導電部及第2導電部之任一者之電阻值比超過3。
（2）連續摺疊試驗後之折痕評價
於自實施例B13～B18之附保護膜之導電性膜剝離全部之保護膜而成為導電性膜單體之狀態下進行連續摺疊試驗，觀察連續摺疊試驗後之外觀，評價是否於導電性膜之彎曲部產生折痕。連續摺疊試驗係於與實施例A中之連續摺疊試驗相同之試驗條件下進行。再者，觀察連續摺疊試驗前之成為各導電性膜之彎曲部之區域，結果未觀察到折痕。折痕之觀察係藉由與實施例A相同之方法及相同之條件進行。評價基準如下所述。
（折痕）
〇：於連續摺疊試驗後，亦未於導電性膜觀察到折痕。
△：於連續摺疊試驗後，於導電性膜觀察到少許折痕，但為實際使用上無問題之水準。
×：於連續摺疊試驗後，於導電性膜明確地觀察到折痕。
（3）連續摺疊試驗後之微龜裂評價
於自實施例B13～B18之附保護膜之導電性膜剝離全部之保護膜而成為導電性膜單體之狀態下進行連續摺疊試驗，觀察連續摺疊試驗後之外觀，評價是否於導電性膜之彎曲部產生微龜裂。連續摺疊試驗係於與實施例A中之連續摺疊試驗相同之試驗條件下進行。再者，觀察連續摺疊試驗前之成為各導電性膜之彎曲部之區域，結果未觀察到微龜裂。微龜裂之觀察係藉由與實施例A相同之方法及相同之條件進行。評價基準如下所述。
（微龜裂）
〇：於連續摺疊試驗後，亦未於導電性膜觀察到微龜裂。
△：於連續摺疊試驗後，於導電性膜觀察到少許微龜裂，但為實際使用上無問題之水準。
×：於連續摺疊試驗後，於導電性膜明確地觀察到微龜裂。
以下，將結果示於表3～表6。


[表3]
[表4]
[表5]
表面電阻值 全光線穿透率（%） 霧度值（%）
第1導電部 （Ω/□） 第2導電部 （Ω/□） 差異率（%）
實施例B1 52 50 -3.8 90.7 1.3
實施例B2 52 50 -3.8 90.7 1.3
實施例B3 52 50 -3.8 90.7 1.3
實施例B4 52 50 -3.8 90.7 1.3
實施例B5 52 50 -3.8 90.7 1.3
實施例B6 52 50 -3.8 90.7 1.3
實施例B7 52 50 -3.8 90.7 1.3
實施例B8 50 69 38.0 91.3 1.4
實施例B9 50 69 38.0 91.3 1.4
實施例B10 50 49 -2.0 90.1 1.1
實施例B11 45 50 11.1 87.5 1.6
實施例B12 52 48 -7.7 90.1 1.3
實施例B13 52 48 -7.7 90.1 1.3
實施例B14 51 50 -2.0 89.8 1.3
實施例B15 52 49 -5.8 90.0 1.1
實施例B16 50 50 0.0 89.9 1.0
實施例B17 53 57 7.5 87.8 1.6
實施例B18 53 51 -3.8 87.4 1.5
[表6]
根據耐熱性之結果，可理解於比較例B1、B2之附保護膜之導電性膜中，若於將第2保護膜設置於導電性膜之狀態下進行加熱，則第2保護膜熔融。因此，於加熱步驟時，必須剝離第2保護膜。相對於此，可理解於實施例B1～B18之附保護膜之導電性膜中，即便於將第1保護膜設置於導電性膜之狀態下進行加熱之情形時，第1保護膜亦未熔融。因此，可理解於加熱步驟時，無需剝離第1保護膜。
於比較例B1、B2之附保護膜之導電性膜中，於設置有第2保護膜之狀態下進行加熱試驗，因此明顯捲曲，無法測定加熱試驗後之捲曲量。又，於比較例B3之附保護膜之導電性膜中，於設置有第1保護膜之狀態下進行加熱試驗，但由於第1保護膜與透光性基材之熱收縮率差較大，故而加熱試驗後之捲曲量較大。相對於此，於實施例B1～B18之附保護膜之導電性膜中，於設置有第1保護膜之狀態下進行加熱試驗，且由於第1保護膜與透光性基材之熱收縮率差較小，故而加熱試驗後之捲曲量較小。
於自實施例B8之附保護膜之導電性膜剝離第1保護膜及第2保護膜之導電性膜中，第2導電部之表面電阻值超過第1導電部之表面電阻值之±30%之範圍，因此第1導電部之電阻值與第2導電部之電阻值之差異率較高。相對於此，於自實施例B1～B7、B9～B18之附保護膜之導電性膜剝離第1保護膜及第2熱保護膜之導電性膜中，第2導電部之表面電阻值為第1導電部之表面電阻值之±30%以內，因此抑制了第1導電部之電阻值與第2導電部之電阻值之差異。
實施例B14之導電性膜相較於實施例B13之導電性膜而聚對苯二甲酸乙二酯膜之厚度較薄，因此相較於實施例B13之導電性膜而可撓性優異。又，實施例B16之導電性膜相較於實施例B15之導電性膜而環烯烴聚合物膜之厚度較薄，因此相較於實施例B15之導電性膜而可撓性優異。實施例B18之導電性膜相較於實施例B17之導電性膜而聚醯亞胺膜之厚度較薄，因此相較於實施例B17之導電性膜而可撓性優異。再者，若對於透光性基材之兩面側具備硬塗層之導電性膜進行上述連續摺疊試驗，則必然任一硬塗層均向外側彎曲，即所謂之外曲，因此於硬塗層產生微龜裂，但於實施例B13～B18之導電性膜中，未觀察到微龜裂，或者觀察到少許微龜裂，但為實際使用上無問題之水準。再者，於實施例B16、B18之導電性膜中，以間隔為2 mm且摺疊次數為30萬次評價可撓性，獲得了與間隔為3 mm且摺疊次數為30萬次之評價結果相同之結果。
於實施例B13～B18之導電性膜中，使用上述數位顯微鏡，於上述條件下觀察連續摺疊試驗前後之作為透光性基材之各膜與硬塗層之間之界面附近，但未觀察到剝離等，而密接性良好。
於與實施例A中之壓痕硬度相同之方法及相同之測定條件下測定實施例B1～B18之附保護膜之導電性膜中之硬塗層及透光性基材之壓痕硬度，結果硬塗層相較於透光性基材之壓痕硬度較高。
10、30、40、120、170‧‧‧導電性膜
10A、120A‧‧‧正面
10B、120B‧‧‧背面
11、41、122‧‧‧第1導電部
12、31、124、131‧‧‧樹脂層
13、121‧‧‧透光性基材
14、42、123‧‧‧第2導電部
15、17、45、47、125、127‧‧‧導電性纖維
16、18、46、48、126、128‧‧‧透光性樹脂
50‧‧‧影像顯示裝置
60‧‧‧顯示面板
62‧‧‧顯示元件
80‧‧‧觸控面板
110、180、200‧‧‧附保護膜之導電性膜
130、190、210‧‧‧第1保護膜
140‧‧‧第2保護膜
圖1係第1實施形態之導電性膜之概略構成圖。
圖2係圖1所示之導電性膜之一部分之放大圖。
圖3（A）～圖3（C）係示意性地表示連續摺疊試驗之情況之圖。
圖4係連續摺疊試驗後之導電性膜之俯視圖。
圖5係第1實施形態之另一導電性膜之概略構成圖。
圖6係第1實施形態之另一導電性膜之概略構成圖。
圖7係圖6所示之導電性膜之示意俯視圖。
圖8係圖6所示之導電性膜之一部分之放大圖。
圖9（A）及圖9（B）係示意性地表示第1實施形態之導電性膜之製造步驟之圖。
圖10（A）及圖10（B）係示意性地表示第1實施形態之導電性膜之製造步驟之圖。
圖11（A）及圖11（B）係示意性地表示第1實施形態之導電性膜之製造步驟之圖。
圖12（A）及圖12（B）係示意性地表示第1實施形態之導電性膜之製造步驟之圖。
圖13係第1實施形態之影像顯示裝置之概略構成圖。
圖14係第2實施形態之附保護膜之導電性膜之概略構成圖。
圖15係圖14所示之附保護膜之導電性膜的一部分之放大圖。
圖16係圖14所示之保護膜之俯視圖。
圖17係第2實施形態之另一附保護膜之導電性膜之概略構成圖。
圖18係第2實施形態之另一附保護膜之導電性膜之概略構成圖。
圖19係第2實施形態之另一附保護膜之導電性膜之概略構成圖。

Claims (25)

  1. 一種導電性膜，其具有第1導電部及第2導電部，且 上述第2導電部之表面成為上述導電性膜之正面之至少一部分， 上述第1導電部之表面成為上述導電性膜之背面之至少一部分， 上述第1導電部及上述第2導電部分別包含導電性纖維， 上述第2導電部之表面電阻值為上述第1導電部之表面電阻值之±30%以內。
  2. 一種導電性膜，其具有第1導電部及第2導電部，且 上述第2導電部之表面成為上述導電性膜之正面之至少一部分， 上述第1導電部之表面成為上述導電性膜之背面之至少一部分， 上述第1導電部及上述第2導電部分別包含導電性纖維， 將上述導電性膜切取成寬度5 mm及長度100 mm之大小，分別測定上述第1導電部及上述第2導電部之線電阻值時，上述第2導電部之線電阻值為上述第1導電部之線電阻值之±30%以內。
  3. 如請求項1或2所述之導電性膜，其於上述第1導電部與上述第2導電部之間，自上述第1導電部向上述第2導電部，依序進而具備樹脂層及透光性基材。
  4. 如請求項3所述之導電性膜，其中，上述透光性基材於單面具備基底層，且上述樹脂層鄰接於上述基底層。
  5. 如請求項3所述之導電性膜，其中，上述透光性基材包含環烯烴聚合物系樹脂，且上述透光性基材之厚度為45 μm以下。
  6. 如請求項3所述之導電性膜，其中，上述透光性基材包含聚酯系樹脂，且上述透光性基材之厚度為45 μm以下。
  7. 如請求項3所述之導電性膜，其中，上述透光性基材包含聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、及聚醯胺醯亞胺系樹脂中之至少任一者，且上述透光性基材之厚度為75 μm以下。
  8. 如請求項5所述之導電性膜，其中，進行連續摺疊試驗，即以上述第1導電部成為內側，且上述導電性膜之對向之邊部的間隔成為4 mm之方式，將上述導電性膜反覆進行10萬次180°摺疊時，上述連續摺疊試驗後之上述第1導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第1導電部之電阻值之比為3以下，且上述連續摺疊試驗後之上述第2導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第2導電部之電阻值之比為3以下。
  9. 如請求項6所述之導電性膜，其中，進行連續摺疊試驗，即以上述第1導電部成為內側，且上述導電性膜之對向之邊部的間隔成為4 mm之方式，將上述導電性膜反覆進行10萬次180°摺疊時，上述連續摺疊試驗後之上述第1導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第1導電部之電阻值之比為3以下，且上述連續摺疊試驗後之上述第2導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第2導電部之電阻值之比為3以下。
  10. 如請求項7所述之導電性膜，其中，進行連續摺疊試驗，即以上述第1導電部成為內側，且上述導電性膜之對向之邊部的間隔成為4 mm之方式，將上述導電性膜反覆進行10萬次180°摺疊時，上述連續摺疊試驗後之上述第1導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第1導電部之電阻值之比為3以下，且上述連續摺疊試驗後之上述第2導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第2導電部之電阻值之比為3以下。
  11. 如請求項1或2所述之導電性膜，其中，上述導電性膜之霧度值為5%以下。
  12. 如請求項1或2所述之導電性膜，其中，上述導電性膜之全光線穿透率為80%以上。
  13. 一種感測器，其具備請求項1或2所述之導電性膜。
  14. 一種觸控面板，其具備請求項1或2所述之導電性膜。
  15. 一種影像顯示裝置，其具備請求項14所述之觸控面板。
  16. 一種附保護膜之導電性膜，其具備導電性膜、及可剝離地設置於上述導電性膜之至少單面之第1保護膜，且 上述導電性膜具備：透光性基材、設置於上述透光性基材之第1面側且包含導電性纖維之第1導電部、及設置於上述透光性基材中之與上述第1面相反側之第2面側且包含導電性纖維之第2導電部， 上述第1保護膜為耐熱保護膜， 將上述附保護膜之導電性膜於150℃加熱60分鐘時，加熱後之上述附保護膜之導電性膜之捲曲量為±14 mm以內。
  17. 如請求項16所述之附保護膜之導電性膜，其中，將上述附保護膜之導電性膜之表面內之任意方向設為第1方向，且將上述附保護膜之導電性膜之上述表面內之與上述第1方向正交之方向設為第2方向，於自上述附保護膜之導電性膜剝離上述第1保護膜之狀態下，將上述導電性膜與上述第1保護膜分別於150℃加熱60分鐘時，上述第1方向上之上述第1保護膜之熱收縮率與上述第1方向上之上述透光性基材之熱收縮率的差的絕對值為0.3%以下，且上述第2方向上之上述第1保護膜之熱收縮率與上述第2方向上之上述透光性基材之熱收縮率的差的絕對值為0.3%以下。
  18. 如請求項16所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述第1保護膜之厚度為上述透光性基材之厚度之300%以下。
  19. 如請求項16所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述第1保護膜可剝離地設置於上述第1導電部之表面，且上述附保護膜之導電性膜進而具備第2保護膜，該第2保護膜係可剝離地設置於上述第2導電部之表面之非耐熱保護膜。
  20. 如請求項16所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述第2導電部之表面電阻值為上述第1導電部之表面電阻值之±30%以內。
  21. 如請求項16所述之附保護膜之導電性膜，其進而具備設置於上述透光性基材與上述第1導電部之間之樹脂層。
  22. 如請求項16所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述透光性基材包含環烯烴聚合物系樹脂，且上述透光性基材之厚度為35 μm以下。
  23. 如請求項16所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述透光性基材包含聚酯系樹脂，且上述透光性基材之厚度為45 μm以下。
  24. 如請求項16所述之附保護膜之導電性膜，其中，上述透光性基材包含聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、及聚醯胺醯亞胺系樹脂中之至少任一者，且上述透光性基材之厚度為75 μm以下。
  25. 如請求項22至24中任一項所述之導電性膜，其中，進行連續摺疊試驗，即以上述第1導電部成為內側，且上述導電性膜之對向之邊部的間隔成為4 mm之方式，將上述導電性膜反覆進行10萬次180°摺疊時，上述連續摺疊試驗後之上述第1導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第1導電部之電阻值之比為3以下，且上述連續摺疊試驗後之上述第2導電部之電阻值相對於上述連續摺疊試驗前之上述第2導電部之電阻值之比為3以下。
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