TW201928111A - 成膜方法 - Google Patents

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守屋剛
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題]提供可以設定膜之應力及膜密度的成膜方法。
[解決手段]一實施形態之成膜方法係在基板載置於支撐台上的狀態下被執行。該成膜方法包含：從氣體供給部對腔室本體之內部空間供給包含前驅體之前驅體氣體的工程；從氣體供給部對內部空間供給反應性氣體的工程；及為了強化前驅體與反應性氣體之反應而生成反應性氣體之電漿的工程。在生成反應性氣體之電漿的工程中，調整供給至下部電極的第2高頻之電力相對於供給至上部電極的第1高頻之電力之比，並且，藉由相位調整電路對下部電極之電壓之相位相對於上部電極之電壓之相位進行調整。

Description

成膜方法
本開示之實施形態關於成膜方法。
電子元件之製造中，為了在基板上形成膜而執行成膜處理。成膜處理中，藉由前驅體(precursor)與反應性氣體之反應來形成膜。一種成膜處理中，為了強化反應，因此利用反應性氣體之電漿。
成膜處理要求控制膜之應力(stress)。可以控制膜之應力的成膜處理記載於專利文獻1~3。專利文獻1記載的成膜處理中使用電容耦合型之電漿處理裝置。電容耦合型之電漿處理裝置具有平行平板電極亦即上部電極及下部電極。專利文獻1記載的成膜處理中，為了控制SiN膜之應力，因此相對於供給至上部電極的高頻之電力來調整供給至下部電極的高頻之電力。
專利文獻2記載的成膜處理中使用感應耦合型之電漿處理裝置。專利文獻2記載的成膜處理中，為了提高SiN膜之壓縮應力，因此調整高頻之電力。
專利文獻3記載的成膜處理中使用電容耦合型之電漿處理裝置。專利文獻3記載的成膜處理中，為了控制鈍化膜之應力，因此相對於供給至上部電極的高頻之電力來調整供給至下部電極的高頻之電力。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]特開2011-23718號公報
[專利文獻2]特開2008-47620號公報
[專利文獻3]特開平9-298193號公報
[發明所欲解決之課題]
專利文獻1~3記載的成膜處理，係藉由調整高頻之電力來控制形成的膜之應力。膜之應力，係和膜質相關的重要要素，但除了膜之應力以外，亦要求設定膜密度，亦即要求形成具有高的膜密度之膜或形成具有低的膜密度之膜。

[解決課題之手段]
第1態樣中，提供使用電漿處理裝置執行的成膜方法。電漿處理裝置具備腔室本體、氣體供給部、支撐台、上部電極、高頻供給部、及相位調整電路。於腔室本體內提供內部空間。氣體供給部構成為對內部空間供給氣體。支撐台包含下部電極。支撐台設置於內部空間之中，對載置於其上的基板進行支撐而構成。上部電極設置於支撐台之上方。高頻供給部構成為，產生供給至上部電極的第1高頻、及具有和第1高頻同一頻率且供給至下部電極的第2高頻，並且，可以調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比。相位調整電路構成為調整下部電極之電壓之相位相對於上部電極之電壓之相位。第1態樣之成膜方法，係基板載置於支撐台上的狀態下被執行。該成膜方法包含：從氣體供給部對內部空間供給包含前驅體之前驅體氣體的工程；從氣體供給部對內部空間供給反應性氣體的工程；及為了強化前驅體與反應性氣體之反應而生成反應性氣體之電漿的工程。在生成反應性氣體之電漿的工程中，係調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比，並且，以使下部電極之自偏壓電位成為零或成為具有正值的方式藉由相位調整電路來調整下部電極之電壓之相位相對於上部電極之電壓之相位。
第1態樣之成膜方法中，藉由調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比，可以調整形成於基板上的膜之應力。又，以使下部電極之自偏壓電位成為零或成為具有正值的方式，藉由相位調整電路調整下部電極之電壓之相位相對於上部電極之電壓之相位。下部電極之自偏壓電位成為零或成為具有正值的情況下，撞擊基板的離子之能量變小。因此，形成於基板上的膜之膜密度變高。
第2態樣中提供使用電漿處理裝置執行的成膜方法。電漿處理裝置具備腔室本體、氣體供給部、支撐台、上部電極、高頻供給部、及相位調整電路。於腔室本體內提供內部空間。氣體供給部構成為對內部空間供給氣體。支撐台包含下部電極。支撐台設置於內部空間之中，對載置於其上的基板進行支撐而構成。上部電極設置於支撐台之上方。高頻供給部構成為，產生供給至上部電極的第1高頻、及具有和第1高頻同一頻率且供給至下部電極的第2高頻，並且，可以調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比。相位調整電路構成為調整下部電極之電壓之相位相對於上部電極之電壓之相位。第2態樣之成膜方法，係基板載置於支撐台上的狀態下被執行。該成膜方法包含：從氣體供給部對內部空間供給包含前驅體之前驅體氣體的工程；從氣體供給部對內部空間供給反應性氣體的工程；及為了強化前驅體與反應性氣體之反應而生成反應性氣體之電漿的工程。在生成反應性氣體之電漿的工程中，係調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比，並且，以使下部電極之自偏壓電位成為具有負值的方式藉由相位調整電路來調整下部電極之電壓之相位相對於上部電極之電壓之相位。
第2態樣之成膜方法中，藉由調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比，可以調整形成於基板上的膜之應力。又，以使下部電極之自偏壓電位成為具有負值的方式，藉由相位調整電路調整下部電極之電壓之相位相對於上部電極之電壓之相位。下部電極之自偏壓電位成為具有負值的情況下，撞擊基板的離子之能量變高。因此，形成於基板上的膜之膜密度變低。
一實施形態中，高頻供給部具備高頻電源及變壓器。變壓器具有一次線圈、第1二次線圈、及第2二次線圈。一次線圈電連接於高頻電源。第1二次線圈係電磁耦合於一次線圈且電連接於上部電極。第2二次線圈係電磁耦合於一次線圈且電連接於下部電極。變壓器構成為可以調整第2二次線圈輸出的第2高頻之電力相對於第1二次線圈輸出的第1高頻之電力之比。在生成反應性氣體之電漿的工程中，藉由變壓器調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比。
一實施形態中，供給前驅體氣體的工程、供給反應性氣體的工程、及生成反應性氣體之電漿的工程係同時執行。該實施形態中，藉由電漿強化CVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)來形成膜。
一實施形態中，在供給反應性氣體的工程之執行中，供給前驅體氣體的工程與生成反應性氣體之電漿的工程係被交替執行。該實施形態中，藉由電漿強化ALD(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition)來形成膜。
一實施形態中，前驅體氣體為含鈦氣體，反應性氣體為含氧氣體。一實施形態中，含鈦氣體為鹵化鈦氣體。一實施形態中，鹵化鈦氣體為四氯化鈦氣體。一實施形態中，含氧氣體為氧氣。
第3態樣中提供使用電漿處理裝置執行的成膜方法。電漿處理裝置具備腔室本體、氣體供給部、支撐台、上部電極、高頻供給部、及相位調整電路。於腔室本體內提供內部空間。氣體供給部構成為對內部空間供給氣體。支撐台包含下部電極。支撐台設置於內部空間之中，對載置於其上的基板進行支撐而構成。上部電極設置於支撐台之上方。高頻供給部構成為，產生供給至上部電極的第1高頻、及具有和第1高頻同一頻率且供給至下部電極的第2高頻，並且，可以調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比。相位調整電路構成為調整下部電極之電壓之相位相對於上部電極之電壓之相位。第3態樣之成膜方法，係包含以下工程，亦即包含：(i)為了在載置於支撐台上的第1基板上形成第1膜，而在初期條件之下執行成膜處理的工程，該成膜處理包含(a)從氣體供給部對內部空間供給包含前驅體之前驅體氣體的工程、(b)從氣體供給部對內部空間供給反應性氣體的工程、及(c)為了強化前驅體與反應性氣體之反應而生成反應性氣體之電漿的工程，初期條件係包含生成反應性氣體之電漿的工程中的第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比之初期值、以及下部電極之電壓相對於上部電極之電壓的相位差之初期值的工程；(ii)對第1膜進行評價的工程，係生成至少包含第1膜之應力之評價結果的工程；(iii)依據評價結果來確定成膜處理之處理條件的工程；及(iv)為了在載置於支撐台上的第2基板上形成第2膜，而在處理條件之下執行成膜處理的工程。處理條件包含：在生成反應性氣體之電漿的工程中的第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比，以及下部電極之電壓相對於上部電極之電壓的相位差。在確定處理條件的工程中，係依據評價結果來設定處理條件中的比。
第3態樣之成膜方法中，藉由下部電極之電壓相對於上部電極之電壓的相位差之設定，可以設定形成的膜之膜密度。又，依據初期條件之下之成膜處理形成的第1膜之應力，來調整第2膜形成時之第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比，因此第2膜之應力可以接近所期待之應力。
一實施形態中，處理條件之下之成膜處理之執行時的下部電極之自偏壓電位之極性，係和初期條件之下之成膜處理之執行時的下部電極之自偏壓電位之極性相同。
一實施形態中，相對於第1膜之應力，為了減少第2膜之壓縮應力或增加第2膜之拉伸應力，因此相對於包含於初期條件的比之初期值使包含於處理條件的比增加。相對於第1膜之應力，為了減少第2膜之拉伸應力或增加第2膜之壓縮應力，因此相對於包含於初期條件的比之初期值使包含於處理條件的比減少。

[發明效果]
如以上說明，除了膜之應力以外，亦可以設定膜密度。
以下參照圖面對各種實施形態詳細說明。又，各圖面中對於相同或相當之部分附加相同符號。
圖1表示一實施形態的成膜方法之流程圖。圖1所示成膜方法(以下稱為「方法MT1」)，係在基板上形成膜的方法。方法MT1中使用電漿處理裝置。
圖2表示各種實施形態的成膜方法之執行中可以使用的一實施形態之電漿處理裝置之圖。圖2所示電漿處理裝置10係電容耦合型之電漿處理裝置。電漿處理裝置10具備腔室本體12。腔室本體12具有大致筒形狀，向垂直方向延伸。腔室本體12具有大致筒狀之側壁部及在側壁部之下端呈連續之底部。腔室本體12提供內部空間12s。腔室本體12由鋁之金屬形成。在腔室本體12之內壁面形成具有耐電漿性之被覆。具有耐電漿性之被覆可以是陽極氧化處理膜、氧化釔膜等之陶瓷製之膜。腔室本體12被接地。
於腔室本體12之側壁部形成通路12p。基板W從腔室本體12之外部搬送至內部空間12s時，及從內部空間12s搬送至腔室本體12之外部時係通過通路12p。通路12p係藉由柵閥12g可以開/關。柵閥12g沿著腔室本體12之側壁部設置。
在腔室本體之內部空間12s之中設置有支撐台14。支撐台14構成為支撐載置於其上的基板W。支撐台14被支撐體15支撐。支撐體15具有絕緣性，從腔室本體12之底部向上方延伸。
支撐台14包含下部電極16。下部電極16具有大致圓盤形狀。下部電極16由鋁等之導電性材料形成。一實施形態中，支撐台14進一步包含靜電吸盤18。靜電吸盤18設置於下部電極16上。基板W載置於靜電吸盤18上。靜電吸盤18包含介電膜及內建於該介電膜內的電極。靜電吸盤18之電極可以是具有導電性之膜。於靜電吸盤18之電極經由開關連接電源。藉由從電源對靜電吸盤18之電極施加電壓，在靜電吸盤18與基板W之間產生靜電引力。藉由產生的靜電引力使基板W被靜電吸盤18吸附，被靜電吸盤18保持。
於支撐台14之上方設置有上部電極20。在上部電極20與支撐台14之間存在內部空間12s之一部分。一實施形態中，腔室本體12之上端部設有開口。上部電極20透過構件21被腔室本體12之上端部支撐。構件21具有絕緣性。上部電極20與構件21共同關閉腔室本體12之上端部之開口。
上部電極20由具有導電性之一以上之元件形成。構成上部電極20的一以上之元件可以由鋁、矽等之材料形成。或者，上部電極20由具有導電性之一以上之元件及具有絕緣性之一以上之元件形成亦可。於上部電極20之表面可以形成耐電漿性之被膜。
於上部電極20形成有複數個氣體吐出孔20a及氣體擴散室20b。複數個氣體吐出孔20a係從氣體擴散室20b至內部空間12s側之上部電極20下面為止向下方延伸。於氣體擴散室20b連接有氣體供給部22。氣體供給部22構成為對內部空間12s供給氣體。氣體供給部22例如具有複數個氣體源、質量流量控制器等之複數個流量控制器、及複數個閥。複數個氣體源之各個，係經由複數個流量控制器之中對應之流量控制器及複數個閥之中對應之閥連接於氣體擴散室20b。氣體供給部22調整來自複數個氣體源之中選擇的氣體源之氣體之流量，並將該氣體供給至氣體擴散室20b。供給至氣體擴散室20b的氣體，係由複數個氣體吐出孔20a被供給至內部空間12s。
於腔室本體12之底部連接有排氣裝置24。排氣裝置24設置為可與內部空間12s連通。排氣裝置24具有壓力調整閥等之壓力控制裝置、及渦輪分子泵、乾式泵等之真空泵。藉由作動排氣裝置24，使存在內部空間12s之中的氣體，通過支撐台14與腔室本體12之側壁部之間之空間12v被排出。又，藉由排氣裝置24使內部空間12s之中之壓力被調整為指定的壓力。
電漿處理裝置10還具備高頻供給部26、相位調整電路281、相位調整電路282、及控制部30。高頻供給部26產生第1高頻及第2高頻。第1高頻為供給至上部電極20的高頻。第2高頻為供給至下部電極16的高頻，具有和第1高頻之頻率相同之頻率。高頻供給部26構成為可以調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比R(亦即P2/P1)。又，P1為第1高頻之電力，P2為第2高頻之電力。
控制部30可以是電腦裝置，可以具有處理器、記憶體等之記憶裝置、鍵盤、滑鼠、觸控面板等之輸入裝置、顯示裝置、信號之輸出入介面等。於控制部30之記憶裝置記憶著控制程式及配方資料。控制部30之處理器執行控制程式並依據配方資料對電漿處理裝置10之各部進行控制。方法MT1及後述之各種實施形態的成膜方法，係經由控制部30對電漿處理裝置10之各部之控制來執行。
一實施形態中，高頻供給部26具有高頻電源261及變壓器100。高頻電源261構成為產生高頻。高頻電源261之高頻被供給至變壓器100之一次線圈。
圖3係可以作為圖2所示電漿處理裝置的變壓器使用的變壓器之局部破斷之立體圖。圖4係圖3所示變壓器之三個線圈之概略表示圖。圖3及圖4所示變壓器100A係作為電漿處理裝置10之變壓器100使用。變壓器100A具備：旋轉軸112，一次線圈101A，第1二次線圈102A，及第2二次線圈103A。第1二次線圈102A及第2二次線圈103A構成二次側線圈對106。一實施形態中，變壓器100A還具備：支撐構件122，支撐構件124，支柱126，支撐構件128，支撐構件130，支撐構件132，支撐構件134，端子101a，端子101b，端子102a，端子102b，端子103a，及端子103b。
旋轉軸112形成為大致圓柱狀。旋轉軸112設置成為可以繞其中心軸線RX旋轉。一實施形態中，旋轉軸112係藉由支撐構件122與支撐構件124支撐成為可以旋轉。支撐構件122及支撐構件124，係板狀之構件，具有大致矩形之平面形狀。支撐構件122及支撐構件124係由絕緣體形成。支撐構件122及支撐構件124以在中心軸線RX交叉或大致正交的方式設置，以彼等之板厚方向與中心軸線RX延伸之方向RD大致一致的方式沿著方向RD配列。於支撐構件122之隅部固定有支柱126之一端，於支撐構件124之隅部固定有支柱126之另一端。旋轉軸112之一端部貫穿支撐構件122，並從支撐構件122突出。該旋轉軸112之一端部連接於驅動機構(例如馬達)。
支撐構件128及支撐構件130，係大致圓盤狀之構件，由絕緣體形成。支撐構件128及支撐構件130設置成為在支撐構件122與支撐構件124之間與中心軸線RX交叉或大致正交，以彼等之板厚方向與方向RD大致一致的方式沿著方向RD配列。又，支撐構件132及支撐構件134係大致圓盤狀之構件，由絕緣體形成。支撐構件132及支撐構件134設置成為在支撐構件128與支撐構件130之間與中心軸線RX交叉或大致正交，以彼等之板厚方向與方向RD大致一致的方式沿著方向RD配列。旋轉軸112貫穿支撐構件128、支撐構件130、支撐構件132、及支撐構件134個別之中心。支撐構件128、支撐構件130、支撐構件132及支撐構件134被固定於旋轉軸112。
一次線圈101A朝向與中心軸線RX正交之第1軸線AX1周圍延伸。一實施形態中，第1軸線AX1係在支撐構件122與支撐構件124之中間與中心軸線RX正交。一次線圈101A以交替通過支撐構件122之外側與支撐構件124之外側的方式卷繞於第1軸線AX1中心。
一次線圈101A之一端連接於端子101a。一實施形態中，端子101a設置於支撐構件122之一面122a(朝向變壓器100A之外側之面)。又，一次線圈101A之另一端連接於端子101b。一實施形態中，端子101b設置於支撐構件124之一面124a(朝向變壓器100A之外側之面)。
第1二次線圈102A係朝向第2軸線AX2周圍延伸。第2軸線AX2係在被一次線圈101A包圍的區域內與中心軸線RX正交。一實施形態中，第2軸線AX2係在支撐構件128與支撐構件130之中間與中心軸線RX正交。第1二次線圈102A係以交替通過支撐構件128之外側與支撐構件130之外側的方式卷繞於第2軸線AX2中心。第1二次線圈102A係經由支撐構件128及支撐構件130被旋轉軸112支撐。
第1二次線圈102A之一端連接於端子102a。又，第1二次線圈102A之另一端連接於端子102b。一實施形態中，端子102a及端子102b設置於支撐構件122之一面122a。旋轉軸112包含以同軸狀設置的第1導體與第2導體，第1二次線圈102A之一端連接於第1導體，第1二次線圈102A之另一端連接於第2導體。第1導體係經由旋轉連接器140內之滑環連接於端子102a。又，第2導體係經由旋轉連接器140內之另一滑環連接於端子102b。
第2二次線圈103A係朝向第3軸線AX3周圍延伸。第3軸線AX3係在被一次線圈101A包圍的區域內與中心軸線RX正交。又，第3軸線AX3與第2軸線AX2交叉。第3軸線AX3與第2軸線AX2相互之間形成規定之角度θp。角度θp並非被限定者，例如可以是90度。一實施形態中，第3軸線AX3係在支撐構件132與支撐構件134之中間與中心軸線RX正交。第2二次線圈103A係以交替通過支撐構件132之外側與支撐構件134之外側的方式卷繞於第3軸線AX3中心。第2二次線圈103A係經由支撐構件132及支撐構件134被旋轉軸112支撐。在該第2二次線圈103A與第1二次線圈102A之間確保絕緣距離。
第2二次線圈103A之一端連接於端子103a。又，第2二次線圈103A之另一端連接於端子103b。一實施形態中，端子103a及端子103b係設置於支撐構件124之一面124a。旋轉軸112包含以同軸狀設置的第3導體及第4導體，第2二次線圈103A之一端連接於第3導體，第2二次線圈103A之另一端連接於第4導體。第3導體經由設置於支撐構件124之附近的另一旋轉連接器之滑環連接於端子103a。又，第4導體經由該另一旋轉連接器內之另一滑環連接於端子103b。
變壓器100A作為電漿處理裝置10之變壓器100使用之情況下，如圖2所示，端子101a及端子101b係電連接於高頻電源261。又，端子101b被電性接地。端子102a經由相位調整電路281電連接於上部電極20。端子103a經由相位調整電路282電連接於下部電極16。端子102b及端子103b被電性接地。
相位調整電路281及相位調整電路282係構成為調整下部電極16之電壓之相位相對於上部電極20之電壓之相位。相位調整電路281電連接於上部電極20。一實施形態中，相位調整電路281係包含電容器281a及可變電感器281b。電容器281a及可變電感器281b被串聯連接於上部電極20與端子102a之間。一實施形態中，電容器281a之一端連接於端子102a。電容器281a之另一端連接於可變電感器281b之一端。可變電感器281b之另一端電連接於上部電極20。
相位調整電路282係電連接於下部電極16。一實施形態中，相位調整電路282係包含電容器282a及可變電感器282b。電容器282a及可變電感器282b被串聯連接於下部電極16與端子103a之間。一實施形態中，電容器282a之一端連接於端子103a。電容器282a之另一端連接於可變電感器282b之一端。可變電感器282b之另一端電連接於下部電極16。
變壓器100A作為電漿處理裝置10之變壓器100使用之情況下，對一次線圈101A供給來自高頻電源261之高頻時，一次線圈101A在與第1軸線AX1延伸之方向呈大致平行的方向產生磁通。又，藉由對二次側線圈對106之旋轉角度進行調整，可以調整貫穿第1二次線圈102A的磁通之量，及貫穿第2二次線圈103A的磁通之量。於第1二次線圈102A產生與貫穿之磁通之量相應的感應電動勢，由該第1二次線圈102A輸出第1高頻。又，於第2二次線圈103A產生與貫穿其的磁通之量相應的感應電動勢，由該第2二次線圈103A輸出第2高頻。因此，依據變壓器100A可以調整第2高頻的電力相對於第1高頻的電力之比。
又，藉由對相位調整電路281及相位調整電路282之中至少一方之相位調整電路之可變電感器之電感進行調整，來調整下部電極16之電壓之相位相對於上部電極20之電壓之相位。亦即下部電極16之電壓相對於上部電極20之電壓的相位差Δø，係藉由至少一方之相位調整電路之可變電感器之電感被確定。
圖5之(a)表示相位差Δø大致為零之情況之上部電極之電壓及下部電極之電壓的時間變化之圖，圖5之(b)表示相位差Δø大致為零之情況之電漿之電位及基板之電位之時間變化之圖。圖6之(a)表示相位差Δø不是零之情況之上部電極之電壓及下部電極之電壓的時間變化之圖，圖6之(b)表示相位差Δø不是零之情況之電漿之電位及基板之電位之時間變化之圖。又，相位差Δø大致為零之情況下，下部電極16之自偏壓電位Vdc(直流自偏壓電位)成為零或正值。另一方面，相位差Δø不是零之情況下，下部電極16之自偏壓電位Vdc成為負值。
如圖5之(a)所示，相位差Δø大致為零之情況下，亦即上部電極20之電壓之相位與下部電極16之電壓之相位實質上對齊之情況下，如圖5之(b)所示，在電漿之電位與基板W之電位之間之差變少，自偏壓電位Vdc成為零或正值。電漿之電位與基板W之電位之間之差變少，並且，自偏壓電位Vdc成為零或正值之情況下，電漿中之離子持有較小的能量而撞擊基板。
如圖6之(a)所示，相位差Δø不是零之情況下，亦即上部電極20之電壓之相位與下部電極16之電壓之相位不對齊之情況下，如圖6之(b)所示，電漿之電位與基板W之電位之間產生大的差，而且，自偏壓電位Vdc成為負值。當電漿之電位與基板W之電位之間之差較大，並且，自偏壓電位Vdc成為負值之情況下，電漿中之離子持有大的能量而撞擊基板。
如上述般，藉由相位調整電路281及相位調整電路282之中至少一方，來調整下部電極16之電壓之相位相對於上部電極20之電壓之相位，據此，可以調整電漿之電位與基板W之電位之間之電位差及自偏壓電位Vdc，進而，可以調整撞擊基板W的離子之能量。
圖7概略表示可以作為圖2所示電漿處理裝置的變壓器使用的另一變壓器之圖。圖7所示變壓器100B係作為圖2所示電漿處理裝置10之變壓器100使用。
變壓器100B具有一次線圈101B、第1二次線圈102B、及第2二次線圈103B。一次線圈101B之一端為端子101a，另一端為端子101b。端子101a及端子101b係連接於高頻電源261。端子101b被電性接地。
第1二次線圈102B及第2二次線圈103B與一次線圈101B電磁耦合。第1二次線圈102B之一端為端子102a。端子102a經由相位調整電路281電連接於上部電極20。又，第2二次線圈103B之一端為端子103a。端子103a經由相位調整電路282電連接於下部電極16。
變壓器100B中，第1二次線圈102B及第2二次線圈103B係由單一之線圈形成。具體而言，變壓器100B之二次側具有單一之線圈，該單一之線圈具有複數個接頭100t。複數個接頭100t構成為選擇性地連接於地面。變壓器100B中，相對於以連接於地面的方式被選擇的接頭，該單一之線圈之一方側成為第1二次線圈102B，另一方側成為第2二次線圈103B。依據該變壓器100B，可以調整第2二次線圈103B所輸出的第2高頻之電力相對於第1二次線圈102B所輸出的第1高頻之電力之比。
再度參照圖1對方法MT1進行說明。以下，以使用電漿處理裝置10之情況為例對方法MT1進行說明。但是，方法MT1之執行中亦可以使用其他電漿處理裝置。又，以下之說明中參照圖1與圖8。圖8係與圖1所示成膜方法相關的時序圖。圖8中，橫軸表示時間。圖8中，縱軸表示載氣之流量、反應性氣體之流量、前驅體氣體之流量、及高頻(第1高頻及第2高頻)之電力。又，工程ST3中需留意，比R為零之情況下，第2高頻之電力為零。
方法MT1係在基板W載置於電漿處理裝置10之支撐台14上的狀態下執行。方法MT1中，成膜處理DP1被執行。成膜處理DP1中，進行基於電漿強化ALD
(PEALD。Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition)之成膜。成膜處理DP1包含工程ST1、工程ST2、及工程ST3。成膜處理DP1之執行中，藉由排氣裝置24使內部空間12s之中之壓力減壓至指定的壓力。
工程ST1中，對內部空間12s供給反應性氣體。一實施形態之成膜處理DP1中，如圖8所示，在從其開始時至結束時為止之間對內部空間12s供給反應性氣體。因此，工程ST1係在遍及成膜處理DP1之執行期間繼續。反應性氣體為後述之與前驅體反應的氣體。應形成於基板W上的膜為氧化鈦膜(TiO2 膜)之情況下，反應性氣體為含氧氣體。含氧氣體可以包含氧氣(O2 氣體)、CO氣體、CO2 氣體等之中一種以上。
方法MT1中，如圖8所示，在成膜處理DP1之執行期間中，載氣被供給至內部空間12s亦可。載氣為惰性氣體。載氣可以包含He氣體、Ne氣體、Ar氣體、Kr氣體、Xe氣體等之一種以上之稀有氣體。
如圖1及圖8所示，成膜處理DP1中，工程ST2與工程ST3被交替執行。工程ST2中，對內部空間12s供給前驅體氣體。前驅體氣體係包含前驅體之氣體，前驅體包含構成應形成於基板W上的膜之元素。應形成於基板W上的膜為氧化鈦膜(TiO2 膜)之情況下，前驅體氣體為含鈦氣體。含鈦氣體可以是鹵化鈦氣體。鹵化鈦氣體例如為四氯化鈦氣體(TiCl4 氣體)。工程ST2中，第1高頻及第2高頻之供給被停止。亦即工程ST2中，在內部空間12s之中未生成電漿。藉由工程ST2之執行，使前驅體被吸附於基板W。
如圖8所示，在工程ST2之執行期間與工程ST3之執行期間之間之期間PA中，停止對內部空間12s之前驅體氣體之供給。於該期間PA中執行將前驅體氣體從內部空間12s排出之淨化。又，於期間PA中，停止第1高頻及第2高頻之供給。亦即於期間PA中，在內部空間12s之中未生成電漿。
如圖1及圖8所示，工程ST3中，為了強化前驅體與反應性氣體之反應，因此生成反應性氣體之電漿。具體而言，於工程ST3中，第1高頻被供給至上部電極20，第2高頻被供給至下部電極16。又，工程ST3中，比R為零之情況下，第2高頻之電力為零，第2高頻未被供給至下部電極16。若工程ST3被執行，則於內部空間12s之中生成反應性氣體之電漿。反應性氣體之電漿中之離子及/或自由基與基板上之前驅體反應，於基板上形成膜。
一實施形態之工程ST3中，比R被調整，以自偏壓電位Vdc成為零或成為具有正值的方式藉由相位調整電路281及/或相位調整電路282來調整下部電極16之電壓之相位相對於上部電極20之電壓之相位。比R係以形成於基板W上的膜之應力成為所要之壓力的方式被調整。比R越大，膜之壓縮應力變小，或膜之拉伸應力變大。另一方面，比R越小，膜之拉伸應力變小，或膜之壓縮應力變大。自偏壓電位Vdc係以在基板W上形成具有所要之膜密度的膜的方式被調整。自偏壓電位Vdc成為零或具有正值之情況下，撞擊基板W(或基板W上之前驅體)的離子之能量變小。因此，形成於基板W上的膜之膜密度變高。亦即膜之膜密度在正極性之自偏壓電位Vdc越大時變為越高。
另一實施形態之工程ST3中，比R被調整，以自偏壓電位Vdc成為具有負值之方式藉由相位調整電路281及/或相位調整電路282來調整下部電極16之電壓之相位相對於上部電極20之電壓之相位。比R係以形成於基板W上的膜之應力成為所要之壓力的方式被調整。比R越大，膜之壓縮應力變小，或膜之拉伸應力變大。另一方面，比R越小，膜之拉伸應力變小，或膜之壓縮應力變大。自偏壓電位Vdc係以在基板W上形成具有所要之膜密度的膜的方式被調整。自偏壓電位Vdc具有負值之情況下，撞擊基板W(或基板W上之前驅體)的離子之能量變大。因此，形成於基板W上的膜之膜密度變低。亦即，自偏壓電位Vdc越低，膜之膜密度變低。換言之，負極性之自偏壓電位Vdc之絕對值越大，膜之膜密度變越低。
如圖8所示，在工程ST3之執行期間與工程ST2之執行期間之間之期間PB中，停止第1高頻及第2高頻之供給。亦即於該期間PB中，未生成電漿，執行淨化。
接著，執行工程ST4。於工程ST4中，判斷是否滿足停止條件。停止條件，係當包含工程ST2及工程ST3之循環之執行次數到達規定次數之情況下判斷為滿足。規定次數為1次以上之次數。工程ST4中，若判斷為不滿足停止條件，則再度執行工程ST2。另一方面，於工程ST4中若判斷為滿足停止條件，則結束成膜處理DP1，方法MT1之執行結束。
以下，參照圖9。圖9係表示另一實施形態的成膜方法之流程圖。以下以使用電漿處理裝置10之情況為例，進行圖9所示成膜方法(以下稱為「方法MT2」)之說明。但是，方法MT2之執行中亦可以使用其他電漿處理裝置。
方法MT2係在基板W載置於電漿處理裝置10之支撐台14上的狀態下執行。方法MT2中，成膜處理DP2被執行。成膜處理DP2包含工程ST21、工程ST22、及工程ST23。成膜處理DP2之執行中，藉由排氣裝置24使內部空間12s之中之壓力減壓為指定的壓力。又，在成膜處理DP2之執行期間中，載氣被供給至內部空間12s亦可。載氣為惰性氣體。載氣可以包含He氣體、Ne氣體、Ar氣體、Kr氣體、Xe氣體等之一種以上之稀有氣體。
於工程ST21中，對內部空間12s供給前驅體氣體。工程ST21中使用的前驅體氣體可以是和工程ST2中使用的前驅體氣體為相同之氣體。工程ST22中，對內部空間12s供給反應性氣體。工程ST22中使用的反應性氣體可以是和工程ST1中使用的反應性氣體為相同的氣體。工程ST23中，為了強化前驅體與反應性氣體之反應，因此生成反應性氣體之電漿。具體而言，於工程ST23中，第1高頻被供給至上部電極20，第2高頻被供給至下部電極16。
工程ST23中，比R被調整，藉由相位調整電路281及/或相位調整電路282來調整自偏壓電位Vdc。工程ST23中的比R及自偏壓電位Vdc之調整，係和方法MT1之工程ST3同樣地進行。又，工程ST23中，比R為零之情況下，第2高頻之電力為零，第2高頻未被供給至下部電極16。
於成膜處理DP2中，工程ST21、工程ST22、及工程ST23係同時執行。因此，成膜處理DP2中，進行基於電漿強化CVD(PECVD。Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)之成膜。
以下，參照圖10。圖10係表示再另一實施形態的成膜方法之流程圖。以下以使用電漿處理裝置10之情況為例進行圖10所示成膜方法(以下稱為「方法MT3」)之說明。但是，方法MT3之執行中，亦可以使用其他電漿處理裝置。
於方法MT3中，首先，執行工程ST31。工程ST31係在支撐台14上載置有第1基板之狀態下執行。工程ST31中係在初期條件之下執行成膜處理。成膜處理為上述成膜處理DP1或成膜處理DP2。初期條件包含生成反應性氣體之電漿的工程(工程ST3或工程ST23)中的比R之初期值Ri，以及下部電極16之電壓相對於上部電極20之電壓的相位差Δø之初期值Δøi。於工程ST31中成膜處理DP1被執行之情況下，於工程ST3，比R被設定為初期值Ri，相位差Δø被設定為初期值Δøi。於工程ST31中成膜處理DP2被執行之情況下，於工程ST23，比R被設定為初期值Ri，相位差Δø被設定為初期值Δøi。作為該工程ST31之執行之結果，在第1在基板上形成第1膜。
在接續之工程ST32中，第1膜被評價。工程ST32中獲得的評價結果至少包含第1膜之應力。第1膜之應力係藉由使用應力測定裝置測定而可以獲得。應力測定裝置例如由第1膜之形成前後之基板之曲率半徑可以求得。一實施形態中，工程ST32中獲得的評價結果可以包含反映第1膜之密度的參數。反映第1膜之密度的參數例如可以是第1膜之濕蝕刻速率。第1膜之濕蝕刻速率例如藉由使用稀釋氫氟酸對第1膜進行蝕刻而求得。若第1膜之濕蝕刻速率越高，則第1膜之膜密度越低。第1膜之濕蝕刻速率越低，則第1膜之膜密度越高。
於接續之工程ST33中，依據工程ST32中獲得之評價結果來確定成膜處理之處理條件。接續之工程ST34係在第2基板載置於支撐台14上的狀態下執行。工程ST34中，為了在第2基板上形成第2膜而執行成膜處理。工程ST34中執行的成膜處理為成膜處理DP1或成膜處理DP2，係和工程ST31中執行的成膜處理相同之成膜處理。但是，工程ST31中係在初期條件之下執行成膜處理，而工程ST34中，係在工程ST33中確定的處理條件之下執行成膜處理。處理條件至少包含生成反應性氣體之電漿的工程(工程ST3或工程ST23)中的比R。處理條件還可以包含下部電極16之電壓相對於上部電極20之電壓的相位差Δø。
一實施形態中，工程ST34中的成膜處理所包含的工程ST3或工程ST23之執行時的自偏壓電位Vdc之極性，係和工程ST31中的成膜處理所包含的工程ST3或工程ST23之執行時的自偏壓電位Vdc之極性相同。為了設定該自偏壓電位Vdc之極性，例如將處理條件中的相位差Δø設定成為和初期條件中的相位差之初期值Δøi相同之相位差。該實施形態中，於工程ST33中，係以減少第1膜之應力與所期待之應力之差的方式，來設定處理條件中的比R。於工程ST33中，相對於第1膜之應力，係減少第2膜之壓縮應力，或者為了增加第2膜之拉伸應力，相對於包含於初期條件的比之初期值Ri而增加包含於處理條件的比R。或者，相對於第1膜之應力而減少第2膜之拉伸應力，或為了增加第2膜之壓縮應力，相對於包含於初期條件的比之初期值Ri而減少包含於處理條件的比R。在工程ST34中被執行的工程ST3或工程ST23中，係依據包含於處理條件的比R，來設定第1高頻之電力及第2高頻之電力。
另一實施形態中，於工程ST33中，依據工程ST32之評價結果除了設定處理條件之比R以外，亦設定處理條件之相位差Δø。處理條件之相位差Δø係依據反映第1膜之密度的參數被確定。由該參數判斷為應增加第2膜之膜密度之情況下，Δø被減少。另一方面，由該參數判斷為應減少第2膜之膜密度之情況下，Δø被增加。
方法MT3中，藉由設定相位差Δø，可以設定第2膜之膜密度。又，藉由依據第1膜之應力來調整第2膜之形成時之比R，可以使第2膜之應力接近所期待之應力。
以上，說明各種實施形態，但不限定於上述實施形態可以構成各種變形態樣。例如，電漿處理裝置10可以不具有相位調整電路281及相位調整電路282之中之一方。又，方法MT1及方法MT2中形成的膜，以及方法MT3中形成的第1膜及第2膜可以是任意之膜。這樣的膜可以是矽氧化膜、矽氮化膜、含鎢膜等。前驅體氣體及反應性氣體依據形成的膜之種類可以適當選擇。
以下，說明為了評價上述實施形態之方法而進行的幾個實驗。以下說明的實驗並非用來限定本開示之範圍者。
(第1實驗)
第1實驗中，使用作為變壓器100具有變壓器100A之電漿處理裝置10，對入射至載置於支撐台14上的基板的離子之能量進行測定。第1實驗中，按第1~第6條件之各條件生成電漿，對離子之能量(平均離子能量)進行測定。以下示出第1實驗之條件。
＜第1實驗之條件＞
內部空間12s之壓力：66.5Pa
供給至內部空間12s的混合氣體所包含的Ar(氬)氣體之流量：1000sccm
供給至內部空間12s的混合氣體所包含的氧氣之流量：500sccm
第1條件
高頻電源261之高頻：450kHz、300W
比R：0.25
相位差Δø：166°
第2條件
高頻電源261之高頻：450kHz、300W
比R：0.00
相位差Δø：15°
第3條件
高頻電源261之高頻：450kHz、300W
比R：0.67
相位差Δø：11°
第4條件
高頻電源261之高頻：450kHz、1000W
比R：0.25
相位差Δø：166°
第5條件
高頻電源261之高頻：450kHz、1000W
比R：0.00
相位差Δø：15°
第6條件
高頻電源261之高頻：450kHz、1000W
比R：0.67
相位差Δø：11°
圖11表示第1實驗之結果。於圖11之圖表中，橫軸表示自偏壓電位Vdc，縱軸表示平均離子能量。由圖11及上述第1~第6條件可知，比R變小，亦即供給至下部電極16的第2高頻之電力變低之情況下，藉由設定相位差Δø成為較大的值，在自偏壓電位Vdc被設定為較低、亦即自偏壓電位Vdc具有負極性之情況下，可以將該絕對值設定為較大。又，確認了即使被供給至下部電極16的第2高頻之電力較低，藉由將相位差Δø設為較大的值，可以將具有高能量之離子照射至基板。
(第2實驗)
第2實驗中，使用作為變壓器100具有變壓器100A之電漿處理裝置10，藉由成膜處理DP1在六片基板之各基板上形成TiO2 膜。在成膜處理DP1之工程ST3中，分別使用上述第1~第6條件。第2實驗中，成膜處理DP1中的循環之執行次數，係以形成的TiO2 膜之膜厚成為15nm的方式調整為164次~218次之間之次數。以下表示第2實驗中的成膜處理DP1之條件。
＜第2實驗中的成膜處理DP1之條件＞
內部空間12s之壓力：66.5Pa
載氣(Ar氣體)之流量：1000sccm
反應性氣體(氧氣)之流量：500sccm
工程ST1中的前驅體氣體(TiCl4 氣體)之流量：24sccm
各循環中的工程ST2之處理時間：0.05秒
各循環中的工程ST3之處理時間：0.4秒
第2實驗中，對在複數片基板上形成的TiO2 膜適用使用了稀釋氫氟酸的濕蝕刻，求出各別之TiO2 膜之濕蝕刻速率。第2實驗之結果如圖12所示。圖12之圖表中，橫軸表示工程ST3中的自偏壓電位Vdc，縱軸表示濕蝕刻速率。如圖12所示，濕蝕刻速率相對於工程ST3中的自偏壓電位Vdc具有負的相關性。亦即確認了相位差Δø越小則濕蝕刻速率越變低。因此，確認了相位差Δø越小則膜密度越高。
(第3實驗)
第3實驗中，使用作為變壓器100具有變壓器100A之電漿處理裝置10，藉由成膜處理DP1在八片基板之各基板上形成TiO2 膜。在對八片基板之中之四片基板執行的成膜處理DP1之工程ST3中，以產生正極性之自偏壓電位Vdc的方式將相位差Δø設定成為大致零，設定了不同的比R。另一方面，在對其他四片基板執行的成膜處理DP1之工程ST3中，以產生具有負極性之自偏壓電位Vdc的方式來設定相位差Δø，設定了不同的比R。第3實驗中，將成膜處理DP1中的循環之執行次數，以形成的TiO2 膜之膜厚成為15nm的方式調整成為164次~218次之間之次數。以下示出第3實驗中的成膜處理DP1之條件。
＜第3實驗中的成膜處理DP1之條件＞
內部空間12s之壓力：66.5Pa
載氣(Ar氣體)之流量：1000sccm
反應性氣體(氧氣)之流量：500sccm
工程ST1中的前驅體氣體(TiCl4 氣體)之流量：24sccm
各循環中的工程ST2之處理時間：0.05秒
各循環中的工程ST3之處理時間：0.4秒
第3實驗中，對形成於八片基板之上的膜之應力進行測定。第3實驗之結果示出於圖13。圖13之圖表中，橫軸表示工程ST3中的自偏壓電位Vdc，縱軸表示膜之應力。圖13中，以自偏壓電位Vdc為零以上之範圍所包含的資料，係於工程ST3中，以產生正極性之自偏壓電位Vdc的方式經由設定相位差Δø而取得的資料。另一方面，圖13中，自偏壓電位Vdc小於零(亦即負極性之)範圍所包含的資料，係於工程ST3中，以產生負極性之自偏壓電位Vdc的方式經由設定相位差Δø而取得的資料。在自偏壓電位Vdc成為零以上之範圍中，比R與自偏壓電位Vdc具有正的相關性。亦即伴隨比R之增加，自偏壓電位Vdc亦增加。又，在自偏壓電位Vdc小於零的範圍中，比R與自偏壓電位Vdc之絕對值具有正的相關性。亦即伴隨比R之增加，具有負極性之自偏壓電位Vdc之絕對值亦增加。如圖13所示確認了，以產生正極性之自偏壓電位Vdc的方式來設定相位差Δø之情況下，伴隨比R之增加膜之應力朝正側增加。又，確認了以產生負極性之自偏壓電位Vdc的方式來設定相位差Δø之情況下，伴隨比R之增加膜之應力朝正側增加。又，膜之具有正之應力(拉伸應力)或具有負之應力(壓縮應力)係和膜種有關。第3實驗中形成的TiO2 膜具有負之應力。因此，確認了形成TiO2 膜之情況下，藉由比R之增加，可以減少膜之壓縮應力。換言之，確認了藉由比R之減低，可以增加膜之壓縮應力。由該結果推測，形成的膜為具有正的應力之膜之情況下，藉由比R之增加，可以增加膜之拉伸應力。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧腔室本體
12s‧‧‧內部空間
14‧‧‧支撐台
16‧‧‧下部電極
20‧‧‧上部電極
22‧‧‧氣體供給部
24‧‧‧排氣裝置
26‧‧‧高頻供給部
281,282‧‧‧相位調整電路
[圖1]一實施形態的成膜方法之流程圖。
[圖2]各種實施形態的成膜方法之執行中可以使用的一實施形態之電漿處理裝置之圖。
[圖3]作為圖2所示電漿處理裝置的變壓器而可以使用的變壓器之局部破斷之立體圖。
[圖4]概略表示圖3所示變壓器之三個線圈之圖。
[圖5]圖5之(a)表示相位差Δø大致為零之情況之上部電極之電壓及下部電極之電壓之時間變化之圖，圖5之(b)表示相位差Δø大致為零之情況之電漿之電位及基板之電位之時間變化之圖。
[圖6]圖6之(a)表示，相位差Δø不是零之情況之上部電極之電壓及下部電極之電壓的時間變化之圖，圖6之(b)表示相位差Δø不是零之情況之電漿之電位及基板之電位之時間變化之圖。
[圖7]作為圖2所示電漿處理裝置的變壓器而可以使用的另一變壓器之概略圖。
[圖8]與圖1所示成膜方法相關的時序圖。
[圖9]圖9表示另一實施形態的成膜方法之流程圖。
[圖10]表示再另一實施形態的成膜方法之流程圖。
[圖11]表示第1實驗之結果之圖表。
[圖12]表示第2實驗之結果之圖表。
[圖13]表示第3實驗之結果之圖表。

Claims (12)

  1. 一種成膜方法，係使用電漿處理裝置執行的成膜方法， 上述電漿處理裝置具備： 腔室本體； 氣體供給部，構成為對上述腔室本體內所提供的內部空間供給氣體； 支撐台，構成為包含下部電極，且設置於上述內部空間之中，對載置於其上的基板進行支撐； 上部電極，設置於上述支撐台之上方； 高頻供給部，構成為產生供給至上述上部電極的第1高頻及具有和上述第1高頻相同之頻率且被供給至上述下部電極的第2高頻，並且可以調整上述第2高頻之電力相對於上述第1高頻之電力之比；及 相位調整電路，構成為調整上述下部電極之電壓之相位相對於上述上部電極之電壓之相位； 該成膜方法，係在上述支撐台上載置有基板的狀態下被執行，且包含以下工程： 從上述氣體供給部對上述內部空間供給包含前驅體之前驅體氣體的工程； 從上述氣體供給部對上述內部空間供給反應性氣體的工程；及 為了強化上述前驅體與上述反應性氣體之反應而生成上述反應性氣體之電漿的工程； 在生成上述反應性氣體之電漿的上述工程中，係調整上述第2高頻之電力相對於上述第1高頻之電力之比，並且，藉由上述相位調整電路以使上述下部電極之自偏壓電位成為零或成為具有正值的方式來調整上述下部電極之電壓之相位相對於上述上部電極之電壓之相位。
  2. 一種成膜方法，係使用電漿處理裝置執行的成膜方法， 上述電漿處理裝置具備： 腔室本體； 氣體供給部，構成為對上述腔室本體內所提供的內部空間供給氣體； 支撐台，構成為包含下部電極，且設置於上述內部空間之中，對載置於其上的基板進行支撐； 上部電極，設置於上述支撐台之上方； 高頻供給部，構成為產生供給至上述上部電極的第1高頻及具有和上述第1高頻相同之頻率且被供給至上述下部電極的第2高頻，並且可以調整上述第2高頻之電力相對於上述第1高頻之電力之比；及 相位調整電路，構成為調整上述下部電極之電壓之相位相對於上述上部電極之電壓之相位； 該成膜方法，係在上述支撐台上載置有基板的狀態下被執行，且包含以下工程： 從上述氣體供給部對上述內部空間供給包含前驅體之前驅體氣體的工程； 從上述氣體供給部對上述內部空間供給反應性氣體的工程；及 為了強化上述前驅體與上述反應性氣體之反應而生成上述反應性氣體之電漿的工程； 在生成上述反應性氣體之電漿的上述工程中，係調整上述第2高頻之電力相對於上述第1高頻之電力之比，並且，藉由上述相位調整電路以使上述下部電極之自偏壓電位成為具有負值的方式來調整上述下部電極之電壓之相位相對於上述上部電極之電壓之相位。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中 上述高頻供給部還具備： 高頻電源；及 變壓器，其具有電連接於上述高頻電源的一次線圈、電磁耦合於上述一次線圈且電連接於上述上部電極的第1二次線圈、及電磁耦合於上述一次線圈且電連接於上述下部電極的第2二次線圈，且該變壓器構成為可以調整從上述第2二次線圈輸出的上述第2高頻之電力相對於從上述第1二次線圈輸出的上述第1高頻之電力之比； 在生成上述反應性氣體之電漿的上述工程中，係藉由變壓器調整上述第2高頻之電力相對於上述第1高頻之電力之比。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中 供給前驅體氣體的上述工程、供給反應性氣體的上述工程、及生成上述反應性氣體之電漿的上述工程係同時被執行。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中 在供給反應性氣體的上述工程之執行中，供給前驅體氣體的上述工程與生成上述反應性氣體之電漿的上述工程係被交替執行。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中 上述前驅體氣體為含鈦氣體， 上述反應性氣體為含氧氣體。
  7. 如申請專利範圍第6項之成膜方法，其中 上述含鈦氣體為鹵化鈦氣體。
  8. 如申請專利範圍第7項之成膜方法，其中 上述鹵化鈦氣體為四氯化鈦氣體。
  9. 如申請專利範圍第6項之成膜方法，其中 上述含氧氣體為氧氣。
  10. 一種成膜方法，係使用電漿處理裝置執行的成膜方法， 上述電漿處理裝置具備： 腔室本體； 氣體供給部，構成為對上述腔室本體內所提供的內部空間供給氣體； 支撐台，構成為包含下部電極，且設置於上述內部空間之中，對載置於其上的基板進行支撐； 上部電極，設置於上述支撐台之上方； 高頻供給部，構成為產生供給至上述上部電極的第1高頻及具有和上述第1高頻相同之頻率且被供給至上述下部電極的第2高頻，並且可以調整上述第2高頻之電力相對於上述第1高頻之電力之比；及 相位調整電路，構成為調整上述下部電極之電壓之相位相對於上述上部電極之電壓之相位； 該成膜方法包含以下工程： 為了在載置於上述支撐台上的第1基板上形成第1膜，而在初期條件之下執行成膜處理的工程，該成膜處理包含 從上述氣體供給部對上述內部空間供給包含前驅體之前驅體氣體的工程， 從上述氣體供給部對上述內部空間供給反應性氣體的工程， 為了強化上述前驅體與上述反應性氣體之反應而生成上述反應性氣體之電漿的工程， 且該工程中的上述初期條件係包含：在生成上述反應性氣體之電漿的上述工程中的上述第2高頻之電力相對於上述第1高頻之電力之比的初期值，以及上述下部電極之電壓相對於上述上部電極之電壓的相位差之初期值者； 對上述第1膜進行評價的工程，係生成至少包含上述第1膜之應力的評價結果之工程； 依據上述評價結果來確定上述成膜處理之處理條件的工程；及 為了在載置於上述支撐台上的第2基板上形成第2膜，而在上述處理條件之下執行上述成膜處理的工程； 上述處理條件係包含：在生成上述反應性氣體之電漿的上述工程中的上述第2高頻之電力相對於上述第1高頻之電力之比，以及上述下部電極之電壓相對於上述上部電極之電壓的相位差， 在確定處理條件的上述工程中，係依據上述評價結果來設定上述處理條件中的上述比。
  11. 如申請專利範圍第10項之成膜方法，其中 在上述處理條件之下的上述成膜處理之執行時的上述下部電極之自偏壓電位之極性，係和在上述初期條件之下的上述成膜處理之執行時的上述下部電極之自偏壓電位之極性相同。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之成膜方法，其中 相對於上述第1膜之上述應力，為了減少上述第2膜之壓縮應力或增加該第2膜之拉伸應力，因此相對於上述初期條件所包含的上述比之上述初期值而使上述處理條件所包含的上述比増加， 相對於上述第1膜之上述應力，為了減少上述第2膜之拉伸應力或增加該第2膜之壓縮應力，因此相對於上述初期條件所包含的上述比之上述初期值而使上述處理條件所包含的上述比減少。
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