TW201913717A - 處理液供給裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種供給用於處理基板之處理液的處理液供給裝置，且上述裝置包含以下要素，即，具備：可供處理液流通之通液部；及泵，其具有藉由容積之變化而於上述通液部之間進行處理液之收送之腔室及經電性驅動而使上述腔室之容積變化之腔室驅動部；上述通液部、上述腔室及上述腔室驅動部依序於橫向配置。

Description

處理液供給裝置
本發明係關於對半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL (ElectroLuminescence：電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display：平面顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、太陽電池用基板(以下，簡稱為基板)供給處理液之處理液供給裝置。
先前，作為此種裝置，有具備如下者：取入處理液之取入配管、將處理液送出至基板之送出配管、控制取入配管與送出配管中之處理液之流通之空氣閥、自取入配管吸入處理液且將處理液送出至送出配管之腔室、及作用於腔室並送出處理液之馬達(例如，參照日本專利特開2013-100825號公報)。於該裝置中，處理液流通之取入配管、送出配管、空氣閥、及腔室配置於馬達之上方。
然而，於具有此種構成之先前例，存在如下問題。
即，先前之裝置因電性動作之馬達的熱使周圍空氣變熱。因經加熱之空氣上昇，而使熱傳遞至配置於馬達上方之取入配管、送出配管或腔室。其結果，有配管內或腔室內之處理液變質或劣化之虞。
本發明係鑒於此種狀況而完成者，目的在於提供一種可藉由抑制熱傳遞至處理液，防止因熱之影響造成之處理液變質或劣化之處理液供給裝置。
本發明為了達成此種目的，而採用如下之構成。
本發明係供給用於處理基板之處理液的處理液供給裝置，上述裝置包含以下之要素，即，具備：可供處理液流通之通液部；及泵，其具有藉由容積之變化而於與上述通液部之間進行處理液之收送之腔室與經電性驅動而使上述腔室之容積變化之腔室驅動部；且上述通液部、上述腔室及上述腔室驅動部依序於橫向配置。
根據本發明，由於產生熱之腔室驅動部與通液部配置於腔室之橫向，故即使腔室驅動部周圍之環境溫度因腔室驅動部之熱而上昇，通液部或腔室亦不會暴露於已加熱之空氣中。即，可抑制熱量向通液部與腔室傳遞。因此，可防止因熱之影響造成處理液之變質或劣化。
又，本發明中較佳為上述通液部、上述腔室、及上述腔室驅動部係直線狀配置。
由於為直線狀配置，故可高效地進行腔室驅動部之動作。
又，本發明中較佳為，上述泵於上述腔室與上述腔室驅動部之間，具備抑制上述腔室驅動部之熱向上述腔室側傳遞之空氣層。
由於可藉由空氣層抑制來自腔室驅動部之熱向腔室傳遞，故可進而抑制熱之影響。
又，本發明中較佳為，上述泵之上述腔室具備隔膜。
藉由隔膜之變形可於與通液部之間收送處理液。
又，本發明中較佳為，上述通液部具備非電性驅動且容許或阻斷處理液流通之非電性動作開關閥，上述非電性動作開關閥之開關係以電性驅動之電性驅動閥予以操作，上述電性驅動閥相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
雖操作設置於通液部之非電性動作開關閥之電性驅動閥會產生熱，但由於配置於腔室驅動部側，故可抑制熱傳遞至處理液。
另，非電性動作開關閥係一種例如以空氣之供給、阻斷使由彈壓機構彈壓之閥體進行開關動作或以空氣之供給、阻斷與真空之供給、阻斷驅動未被彈壓之閥體之空氣閥。又，電性驅動閥係一種例如藉由對螺線管之通電、阻斷而驅動閥體之電磁閥等。
又，本發明較佳具備控制上述腔室驅動部之控制盤，上述控制盤相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
控制盤雖因電性動作而產生熱，但由於配置於腔室驅動部側，故可抑制熱傳遞至處理液。
又，本發明中較佳為，上述通液部進而具備過濾器，上述過濾器於俯視下隔著上述腔室而配置於上述腔室驅動部之相反側之端部。
可抑制腔室驅動部之熱傳遞至過濾器，且由於過濾器配置於端部，故亦容易進行更換作業。
又，本發明中較佳具備兩台上述泵作為第1泵與第2泵，上述第1泵配置於處理液之液流之上游側，上述第2泵配置於處理液之液流之下游側，且上述第2泵配置於上述第1泵之上部。
由於具備第1泵與第2泵，故可高效地進行處理液之收送，且亦由於第1泵與第2泵重合而配置，故可縮小佔用面積。
又，本發明中較佳為，上述第1泵與上述第2泵配置於彼此之腔室驅動部於俯視下重合之相同位置。
即使泵為兩台，亦由於產生熱之腔室驅動部配置於相同之位置，故可抑制熱量傳遞至處理液。
又，本發明中較佳為上述通液部進而具備過濾器，上述第2泵自上述第1泵經由上述過濾器與上述通液部連通連接，將上述過濾器與上述第2泵連通連接之上述通液部係以處理液自上述過濾器向下流通至低於上述第2泵之位置之方式配置，以處理液向上流通至上述第2泵之腔室之方式配置，且於處理液向上流通之部分，具備非電性驅動且容許或阻斷處理液流通之非電性動作開關閥。
於過濾器中，雖捕捉處理液中之氣泡，但亦有其進入連通連接於第2泵之通液部之情形。於該情形時，若於處理液向下流通之通液部設置非電性動作開關閥，則於非電性動作開關閥之流路上之構造部氣泡會因表面張力而容易滯留，而且，亦有氣泡浮力之影響，而難以將氣泡向下輸送送入至第2泵。因此，一旦以處理液自過濾器向下流通之方式配置通液部，則於處理液自過濾器向上流通至第2泵之部分處設置非電性動作開關閥。藉此，即使氣泡因表面張力而於非電性動作開關閥之流路上之構造部滯留，亦有氣泡之浮力可將氣泡送入至第2泵。因此，可防止氣泡積存於過濾器之下游之通液部而對處理液之收送產生不良影響。
以下，參照圖式對本發明之一實施例進行說明。 圖1係顯示實施例之處理液供給裝置之全體構成之側視圖，圖2係顯示實施例之處理液供給裝置之概略構成之俯視圖，圖3係泵之縱剖視圖，圖4係顯示處理液之流通路徑之圖。
處理液供給裝置1係用於供給用以處理未圖示之基板之處理液之裝置。作為處理液，例如可舉出具有感光性之光阻液。該處理液供給裝置1具備包含水平配置之基底板、及立設於該基底板之兩端部的板狀構件之裝置框架3。
於裝置框架3中立設於右側之部分，沿內側面安裝有控制盤5。該控制盤5具備微控制器、馬達驅動器及記憶體等。由於控制盤5於處理液供給裝置1動作時通電，因控制後述之馬達等之關係，故會發熱。
於裝置框架3之中央部且控制盤5側，配置有第1泵7與第2泵9。第1泵7以介隔安裝台11而與裝置框架3之上表面分開之狀態安裝於裝置框架3。第2泵9以介隔安裝於第1泵7之上部之安裝台13而與第1泵7之上表面分開之狀態安裝於第1泵7之上部。如圖2所示，第1泵與第2泵9配置於俯視下重合之相同位置。藉此可縮小佔用面積。
第1泵7與第2泵9由於為相同之構造，故於此處僅對第1泵7之構造詳細說明。另，於圖1中，第1泵7與第2泵9之形狀不同，但此係由於切斷面不同之緣故。
第1泵7具備馬達15與腔室17。馬達15例如為步進馬達。具體而言，如圖3所示，馬達15具備：定子19，其於內周側產生磁場；轉子21，其可旋轉地配置於定子19之內周側，且呈筒狀；軸23，其螺合於轉子21之中空部，藉由轉子21之旋轉相對於轉子21進退驅動。由於馬達15藉由對定子19之卷線通電產生磁場而使轉子21產生旋轉力，故動作時會發熱。
於軸23之一端側安裝有腔室17。於軸23之另一端側，安裝有於圖3中省略之蓋體。腔室17自馬達15側起具備引導部25及腔室本體27。於引導部25插通導銷31。導銷31係其一端側連結於軸23，其另一端側連結於設置於腔室本體27側之隔膜29。於引導部25，自導銷31所引導之引導孔33離開特定距離之位置向外周側形成空腔部35。空腔部35於自軸23方向觀察時，以包圍引導孔33之外周之方式形成。
於引導部25之腔室本體27側，形成位於隔膜29之中央之厚壁部37與收容導銷31之另一端側之凹部39。隔膜29之薄壁部41之外緣被引導部25與腔室本體27之接合面夾持而固定。隔膜29為樹脂製，例如，由PTFE(聚四氟乙烯：polytetrafluoroethylene)構成。
於腔室本體27之凹部39側形成有貯存部43。該貯存部43於自軸23方向觀察時呈圓形狀，於引導部25之相反側形成縱剖面於相對於軸23正交之方向形成之鉛直面47。該鉛直面47形成為自軸23方向觀察時之直徑小於凹部39之直徑。又，鉛直面47以自其外周緣連結稍微大於凹部39之內周面之直徑之圓之方式形成傾斜面49。鉛直面47形成連通於貯存部43與外部之檢查開口部51。於該檢查開口部51，安裝有測定貯存部43內之壓力之壓力感測器53。
於傾斜面49中之下部，形成有連通連接貯存部43與外部之第1連通口55與第2連通口57。第1連通口55與第2連通口57係自引導部25側觀察時，位於較貯存部43之中心部更下方，且隔著貯存部43之縱方向之中心線以左右對稱之位置關係形成。又，第1連通口55與第2連通口57以其中心軸與傾斜面49成大致正交之位置關係之方式形成。於較貯存部43之中心部更上方處，於貯存部43之縱方向之中心線之位置，形成第3連通口59。換言之，以與貯存部43內之最高位置連通之方式形成第3連通口59。該第3連通口59亦以其中心軸與傾斜面49成大致正交之位置關係之方式形成。
當上述構成之第1泵7驅動馬達15而使軸23後退至馬達15側時，如圖3所示，隔膜29之厚壁部37成為收納並退避於凹部39之狀態(吸入動作)。藉由該吸入動作，處理液被吸入且被收納於貯存部43。又，當驅動馬達15使軸23進入腔室本體27側時，隔膜29之厚壁部37成為進入至靠近鉛直面47之位置之狀態(送出動作)。藉由該送出動作，貯存於貯存部43之處理液被送出。
於圖1之側視圖中立設於左側之裝置框架3中，於第1泵7及第2泵9之相反側裝卸自由地安裝有過濾器61。過濾器61過濾處理液，捕捉處理液中之粒子或氣泡。過濾器61具備注入部63與排出部65。注入部63注入處理液，排出部65將經過濾器61過濾之處理液排出。如此，過濾器61因於俯視下隔著腔室17配置於馬達15之相反側之端部，故可抑制熱傳遞至過濾器61。又，由於過濾器61配置於端部，故亦可容易地進行更換作業。
如圖4所示，第1泵7之第1連通口55以第1配管67連通連接於未圖示之處理液供給源。於第1配管67安裝有開關閥69。開關閥69容許或阻斷處理液自上而下地流通。
第1泵7係其第3連通口59經第2配管71連通連接於過濾器61之注入部63。於第2配管71安裝有開關閥73。開關閥73容許或阻斷處理液自上而下地流通。
過濾器61係其排出部65與第2泵9之第2連通口57以第3配管75連通連接。第3配管75自過濾器61延伸至較第2泵9更低之位置，且具備：下延出部75a，其位於低於第1泵7之高度位置處，向下方延伸至構成底面之裝置框架3；上延出部75b，其自下延出部75a向上方延伸至第2泵9。於第3配管75，於其上延出部75b安裝有開關閥77。下延出部75a使處理液向下方流通，上延出部75b使處理液向上方流通。
第2泵9之第2連通口55經第4配管79連通連接於未圖示之處理液之供給處。於第4配管79安裝有開關閥81。開關閥81容許或阻斷處理液自下而上地流通。另，開關閥81亦可位於處理液供給裝置1之外部。
第1泵7之第2連通口57與第2泵9之第3連通口59係經第5配管83連通連接。於第5配管83安裝有開關閥85。開關閥85容許或阻斷處理液自上而下及自下而上地流通。
另，上述之開關閥69、73、77、81、85係例如藉由供給空氣而容許流通，藉由阻斷空氣而阻斷流通之空氣動作閥。
構成底面之裝置框架3中，於第1泵7之下部配置有電磁閥單元87。該電磁閥單元87具備複數個電磁閥。電磁閥內置有螺線管，電性地開關閥門。電磁閥單元87供給來自空氣供給部89之空氣，空氣供給部89自公用事業等向其供給特定壓力之空氣。構成電磁閥單元87之各電磁閥供給或阻斷上述各開關閥69、73、77、81、85之動作所需之空氣。電磁閥單元87藉由控制盤5操作，藉由操作各電磁閥而控制各開關閥69、73、77、81、85之開關。
另，上述之過濾器61、第1配管67、第2配管71、第3配管75、第4配管79、第5配管83相當於本發明之「通液部」。又，上述之馬達15相當於本發明之「腔室驅動部」。又，空腔部35相當於本發明之「空氣層」。進而，開關閥69、73、77、81、85相當於「非電性動作開關閥」，電磁閥單元87相當於「電性驅動閥」。
如此構成之處理液供給裝置1於供給處理液時，例如，如以下般動作。
初期狀態時，藉由控制盤5操作電磁閥單元87，各開關閥69、73、77、81、85關閉。於該狀態下，首先，控制盤5操作電磁閥單元87，開啟開關閥69。其次，控制盤5使第1泵7動作並經由第1連通口55將來自處理液供給源之處理液吸入並收納於腔室17之貯存部43。具體而言，使隔膜29朝馬達15側移動，使貯存部43之容積成為最大限度之狀態(吸入動作)。
其次，控制盤5經由電磁閥單元87使開關閥69關閉且使開關閥73、77開啟。控制盤5係如圖3中顯示之第1泵7般，使隔膜29向馬達15之相反側移動(送出動作)以使貯存部43之容積最小限度，同時使第2泵9之隔膜29向馬達15側移動以使貯留部43之容積成為最大限度之狀態(吸入動作)。藉此，一面使自第1泵7送出之處理液以過濾器61過濾，一面經由第2泵9之第2連通口57吸入並收納於腔室17之貯存部43。
其次，控制盤5經由電磁閥單元87，使開關閥73、77關閉，且使開關閥81開啟。使第2泵9動作，藉由使隔膜29向馬達15之相反側移動以使貯存部43之容積最小限度之送出動作，自第2泵9之第1連通口55將處理液送出至供給處。
另，處理液中之氣泡雖藉由過濾器61捕捉，但仍有穿過其而氣泡滯留於第2泵9之貯存部43之情形。於該情形時，關閉開關閥81且開啟開關閥85。且，藉由以送出較處理液供給時更少量之處理液之方式使第2泵9進行送出動作，並且以吸入較處理液供給時更少量之處理液之方式使第1泵7進行吸入動作，可再次於過濾器61捕捉氣泡。藉此，可避免將包含氣泡之處理液供給至供給處之問題。
如上所述，藉由處理液供給裝置1進行處理液之供給動作。此時，控制盤5、第1泵1與第2泵9之馬達15、電磁閥單元87發熱。處理液流通於腔室17及作為通液部之過濾器61、第1配管67、第2配管71、第3配管75、第4配管79及第5配管83。腔室17或通液部與上述發熱源於橫向分開而配置。因此，即使因於如馬達15或電磁閥單元87般之發熱源產生之熱而使得周圍環境溫度上升，腔室17或通液部亦不會暴露於經加熱之空氣中。即，可抑制熱向腔室17或通液部傳遞。因此，可防止因熱之影響造成處理液之變質或劣化。
又，由於第1泵7及第2泵9具備空腔部35，故可抑制來自馬達15之熱向腔室17傳遞，故可進而抑制熱之影響。
又，第1泵7配置於處理液之液流之上游側，第2泵9配置於處理液之液流之下游側。因此，由於可一面有效率地進行處理液之收送，一面將第1泵7與第2泵9上下重合配置，故可縮小佔用面積。又，第1泵7與第2泵9配置於彼此之馬達15於俯視下重合之相同位置。因此，即使泵為2台，由於發熱之馬達15配置於相同位置，故仍可抑制熱向處理液傳遞。
又，本實施例裝置係如上所述，第3配管75具備下延伸部75a與上延伸部75b。且，於上延伸部75b安裝有開關閥77。第3配管75係連通連接過濾器61之排出部65與第2泵9之第2連通口57者，下延出部75a下降至第1泵7附近後，以上延出部75b往上拉。如此特意迂迴配置配管係基於以下之理由。此處，參照圖5及圖6。再者，圖5係顯示向下方流過開關閥之處理液中之氣泡舉動之模式圖，圖6係顯示向上方流過開關閥之處理液中之氣泡舉動之模式圖。開關閥77具備移動之閥體77a及安裝閥體77a之閥座77b，且具備包含該等與彎曲之流路之構造部。
如圖5所示，若於處理液向下流通之配管設置開關閥77，則氣泡因表面張力而容易滯留於開關閥77之流路之構造部，而且，亦有氣泡之浮力之影響，而難以將氣泡向下輸送送入至第2泵9。因此，一旦以處理液自過濾器61向下流通之方式配置第3配管75之下延伸部75a，則需預先於處理液自其向第2泵9向上流通之上延伸部75b設置開關閥77。藉此，如圖6所示，即使氣泡因表面張力而滯留於開關閥77之流路之構造部，亦有氣泡之浮力而可將氣泡送入至第2泵9。因此，可防止氣泡積存於過濾器61之下游之通液部而對處理液之收送產生不良影響。
另，於上述之實施例中，舉出第1泵7與第2泵9之2台泵之例進行說明，但本發明並未限定於此種構成。此處，參照圖7。另，圖7係顯示泵為一個之情形之處理液之流通路徑。
於該例中，第1配管67連通連接處理液供給源與過濾器61之注入部63，具備開關閥69。又，第3配管75連接連接過濾器61之排出部65與泵9之第2連通口57，具備開關閥77。即使於該情形時，亦較佳為第3配管75具備下延出部75a與上延出部75b，開關閥77藉由上述之理由設置於上延出部75b。又，排液管91連通連接泵9之第1連通口55與排液處理部，具備開關閥93。即使如此具備一台泵9之情形時，藉由如上所述將配管、過濾器61、腔室17自馬達15或控制盤5分開而橫向配置，亦產生同樣之效果。
又，上述之處理液供給裝置1例如適合進行基板之處理之基板處理裝置。此處，參照圖8。另，圖8係具備實施例之處理液供給裝置之基板處理裝置之概略構成圖。
該基板處理裝置101係逐片處理基板W之單片處理裝置。旋轉卡盤103可以水平姿勢旋轉地保持基板W。旋轉驅動部105可使旋轉卡盤103與基板W一起繞鉛直軸旋轉。飛散防止杯107包圍旋轉卡盤103之周圍，防止處理液之飛散。於旋轉卡盤103之上方，配置有處理液噴嘴109。處理液噴嘴109係以可於位於飛散防止杯107之側方之待機位置與如圖8所示之供給位置之間搖動地構成。處理液供給源111貯存處理液。上述之處理液供給裝置1之第1配管67與處理液供給源111連通連接，第4配管79與處理液噴嘴109連通連接。
如此構成之基板處理裝置101由於抑制因熱對處理液之不良影響，故可適當地進行利用處理液對基板W之處理。
本發明並非限定於上述實施形態，可如下述般變化實施。
(1)於上述之實施例中，泵7、9具備空腔部35，但本發明並非將其視作必須者。即，即使無空腔部35，只要通液部、腔室、腔室驅動部依序橫向配置即可。
(2)於上述之實施例中，舉出腔室17具備隔膜29之構成之例進行說明，但本發明亦可為取代隔膜29而具備管膜之構成。
(3)於上述之實施例中，各開關閥69、73、77、81、85係設為以彈簧等彈壓機構彈壓之閥體藉空氣之供給、阻斷而動作者。然而，本發明之非電性開關閥並未限定於此。本發明之非電性開關閥包含所有非電性動作之開關閥，例如，亦可包含藉由空氣之供給、阻斷與真空之供給、阻斷而驅動未被彈壓之閥體者。
(4)於上述實施例中，於配置於過濾器61之下游側之第3配管75之上延出部75b配置開關閥77，但此種構成於本發明中並非必須。即，於無或可容許氣泡因與過濾器61之配置關係而造成之不良影響之情形時，亦可以最短距離將第3配管75連通連接於第2泵9。 本發明可在不違背其精神或本質屬性而以其他具體形式實現，且因此應參考附屬申請專利範圍界定發明範圍而非以前述說明書界定發明範圍。
1‧‧‧處理液供給裝置
3‧‧‧裝置框架
5‧‧‧控制盤
7‧‧‧第1泵
9‧‧‧第2泵
11‧‧‧安裝台
13‧‧‧安裝台
15‧‧‧馬達
17‧‧‧腔室
19‧‧‧定子
21‧‧‧轉子
23‧‧‧軸
25‧‧‧引導部
27‧‧‧腔室本體
29‧‧‧隔膜
31‧‧‧導銷
33‧‧‧引導孔
35‧‧‧空腔部
37‧‧‧厚壁部
39‧‧‧凹部
41‧‧‧薄壁部
43‧‧‧貯存部
47‧‧‧鉛直面
49‧‧‧傾斜面
51‧‧‧檢查開口部
53‧‧‧壓力感測器
55‧‧‧第1連通口
57‧‧‧第2連通口
59‧‧‧第3連通口
61‧‧‧過濾器
63‧‧‧注入部
65‧‧‧排出部
67‧‧‧第1配管
69‧‧‧開關閥
71‧‧‧第2配管
73‧‧‧開關閥
75‧‧‧第3配管
75a‧‧‧下延出部
75b‧‧‧上延出部
77‧‧‧開關閥
77a‧‧‧安裝閥體
77b‧‧‧閥座
79‧‧‧第4配管
81‧‧‧開關閥
83‧‧‧第5配管
85‧‧‧開關閥
87‧‧‧電磁閥單元
89‧‧‧空氣供給部
91‧‧‧排液管
93‧‧‧開關閥
101‧‧‧基板處理裝置
103‧‧‧旋轉卡盤
105‧‧‧旋轉驅動部
107‧‧‧飛散防止杯
109‧‧‧處理液噴嘴
111‧‧‧處理液供給源
W‧‧‧基板
基於說明本發明之目的，於圖示中顯示數種較佳形式，然而，應理解本發明並未限定於所示之精確排列與設備。
圖1係顯示實施例之處理液供給裝置之全體構成之側視圖。 圖2係顯示實施例之處理液供給裝置之概略構成之俯視圖。 圖3係泵之縱剖面圖。 圖4係顯示處理液之流通路徑之圖。 圖5係顯示向下方流過開關閥之處理液中之氣泡舉動之模式圖。 圖6係顯示向上方流過開關閥之處理液中之氣泡舉動之模式圖。 圖7係顯示泵為一個之情形之處理液之流通路徑。 圖8係顯示具備實施例之處理液供給裝置的基板處理裝置之概略構成圖。

Claims (20)

  1. 一種處理液供給裝置，其係供給用於處理基板之處理液者，上述裝置包含以下要素，即，具備： 通液部，其可供處理液流通； 泵，其具有藉由容積之變化而於與上述通液部之間進行處理液之收送之腔室；及經電性驅動而使上述腔室之容積變化之腔室驅動部；且 上述通液部、上述腔室及上述腔室驅動部依序於橫向配置。
  2. 如請求項1之裝置，其中 上述通液部、上述腔室及上述腔室驅動部係直線狀配置。
  3. 如請求項1之裝置，其中 上述泵於上述腔室與上述腔室驅動部之間，具備抑制上述腔室驅動部之熱向上述腔室側傳遞之空氣層。
  4. 如請求項2之裝置，其中 上述泵於上述腔室與上述腔室驅動部之間，具備抑制上述腔室驅動部之熱向上述腔室側傳遞之空氣層。
  5. 如請求項1之裝置，其中 上述泵之上述腔室具備隔膜。
  6. 如請求項2之裝置，其中 上述泵之上述腔室具備隔膜。
  7. 如請求項3之裝置，其中 上述泵之上述腔室具備隔膜。
  8. 如請求項1之裝置，其中 上述通液部具備非電性驅動且容許或阻斷處理液流通之非電性動作開關閥； 上述非電性動作開關閥之開關係以電性驅動之電性驅動閥予以操作； 上述電性驅動閥相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
  9. 如請求項2之裝置，其中 上述通液部具備非電性驅動且容許或阻斷處理液流通之非電性動作開關閥； 上述非電性動作開關閥之開關係以電性驅動之電性驅動閥予以操作； 上述電性驅動閥相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
  10. 如請求項3之裝置，其中 上述通液部具備非電性驅動且容許或阻斷處理液流通之非電性動作開關閥； 上述非電性動作開關閥之開關係以電性驅動之電性驅動閥予以操作； 上述電性驅動閥相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
  11. 如請求項4之裝置，其中 上述通液部具備非電性驅動且容許或阻斷處理液流通之非電性動作開關閥； 上述非電性動作開關閥之開關係以電性驅動之電性驅動閥予以操作； 上述電性驅動閥相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
  12. 如請求項5之裝置，其中 上述通液部具備非電性驅動且容許或阻斷處理液之流通之非電性動作開關閥； 上述非電性動作開關閥之開關係以電性驅動之電性驅動閥予以操作； 上述電性驅動閥相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
  13. 如請求項6之裝置，其中 上述通液部具備非電性驅動且容許或阻斷處理液之流通之非電性動作開關閥； 上述非電性動作開關閥之開關係以電性驅動之電性驅動閥予以操作； 上述電性驅動閥相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
  14. 如請求項7之裝置，其中 上述通液部具備非電性驅動且容許或阻斷處理液之流通之非電性動作開關閥； 上述非電性動作開關閥之開關係以電性驅動之電性驅動閥予以操作， 上述電性驅動閥相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
  15. 如請求項1之裝置，其中 具備控制上述腔室驅動部之控制盤； 上述控制盤相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
  16. 如請求項2之裝置，其中 具備控制上述腔室驅動部之控制盤； 上述控制盤相對於上述腔室配置於上述腔室驅動部側。
  17. 如請求項1之裝置，其中 上述通液部進而具備過濾器； 上述過濾器於俯視下隔著上述腔室而配置於上述腔室驅動部之相反側之端部。
  18. 如請求項1之裝置，其中 具備兩台上述泵作為第1泵與第2泵， 上述第1泵配置於處理液之液流之上游側，上述第2泵配置於處理液之液流之下游側，且上述第2泵配置於上述第1泵之上部。
  19. 如請求項18之裝置，其中 上述第1泵與上述第2泵配置於彼此之腔室驅動部於俯視下重合之相同位置。
  20. 如請求項18之裝置，其中 上述通液部進而具備過濾器； 上述第2泵自上述第1泵經由上述過濾器與上述通液部連通連接； 將上述過濾器與上述第2泵連通連接之上述通液部係以處理液自上述過濾器向下流通至低於上述第2泵之位置之方式配置，且以處理液向上流通至上述第2泵之腔室之方式配置，且於處理液向上流通之部分，具備非電性驅動且容許或遮斷處理液流通之非電性動作開關閥。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5490765A (en) * 1993-05-17 1996-02-13 Cybor Corporation Dual stage pump system with pre-stressed diaphragms and reservoir
KR100277522B1 (ko) * 1996-10-08 2001-01-15 이시다 아키라 기판처리장치
JP4902067B2 (ja) * 2001-08-07 2012-03-21 シーケーディ株式会社 液体供給装置
JP3947398B2 (ja) * 2001-12-28 2007-07-18 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
KR101087633B1 (ko) 2002-11-15 2011-11-30 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4541069B2 (ja) * 2004-08-09 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 薬液供給システム
JP4723218B2 (ja) * 2004-09-10 2011-07-13 シーケーディ株式会社 薬液供給用ポンプユニット
EP1859169A2 (en) * 2004-11-23 2007-11-28 Entegris, Inc. System and method for a variable home position dispense system
US7850431B2 (en) 2005-12-02 2010-12-14 Entegris, Inc. System and method for control of fluid pressure
US7878765B2 (en) 2005-12-02 2011-02-01 Entegris, Inc. System and method for monitoring operation of a pump
JP5873687B2 (ja) * 2011-11-01 2016-03-01 日本ピラー工業株式会社 ダイヤフラムポンプ
US10399018B2 (en) * 2013-08-16 2019-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Liquid supply system and method
JP5967045B2 (ja) * 2013-10-02 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
SG11201609910XA (en) * 2014-05-28 2016-12-29 Entegris Inc Anti-backlash mechanism for motor-driven components in precision systems and applications
JP6685754B2 (ja) * 2016-02-16 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ポンプ装置および基板処理装置

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