TW201912586A - 厚膜電阻組成物及含有其之厚膜電阻糊 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供可藉脈衝修整法有效率地調整厚膜電阻之電阻值的厚膜電阻組成物。 本發明之解決手段為一種厚膜電阻組成物，係包含玻璃料與釕化合物粉末的電阻組成物，其特徵在於，上述玻璃料包含：軟化點為550℃以上且650℃以下的玻璃料LM、與顯示在較上述玻璃料LM之軟化點高出200℃以上且350℃以下之範圍內的高溫軟化點的玻璃料HM；相對於上述玻璃料LM與上述玻璃料HM的合計量，含有15質量%以上且50質量%以下的上述玻璃料LM；上述釕化合物粉末的比表面積粒徑為30nm以上且100nm以下。

Description

厚膜電阻組成物及含有其之厚膜電阻糊
本案發明關於製作片式電阻或厚膜電阻基板、厚膜電阻加熱器等時使用的厚膜電阻組成物。
一般而言，片式電阻器或厚膜電阻、厚膜電阻加熱器等係例如將氧化鋁基板用於基板，將厚膜電極用於電極，將厚膜電阻或薄膜電阻用於電阻。此等電阻器根據其用途、特性而有各式各樣的種類，隨著裝置的小型化，電阻器相關零件的小型化亦急速發展。
進而，片式電阻器的特性亦存在著例如耐電湧、可調節品、高精度品等各種製品。
片式電阻器的電阻值之調整一般係藉由雷射光將厚膜電阻的一部分切除的雷射修整所進行。但是，以雷射修整所進行之電阻值調整，係在厚膜電阻的表面殘留切除痕跡。因此，作為不殘留切除痕跡的厚膜電阻的電阻值調整方法，有如藉由利用雷射照射而引起厚膜電阻之特性變化而降低電阻值的方法，或將脈衝電壓施加於厚膜電阻而降低電阻值的方法等。
此等藉由雷射引起特性變化的方法、或將脈衝電壓施加於厚膜電阻而降低電阻值的方法，係利用施加對厚膜電阻的外觀不致造成物理性破壞之程度的能量的雷射光或脈衝電壓而使電阻 值變低的調整方法。
其中，將高電壓脈衝施加於厚膜電阻而降低電阻值的方法，作為脈衝修整法而為已知。在專利文獻1及2中揭示了有關脈衝修整法的技術。
由於今後進一步之零件之小型化等，認為此種不伴隨物理性破壞之電阻值的調整方法將變得比目前更為必要。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2002-067366號公報
專利文獻2：日本專利特開2002-127483號公報
然而，由於厚膜電阻組成物的組成不同，即使對得到的厚膜電阻採用脈衝修整法而嘗試電阻值調整，有時電阻值之調整、即電阻值的變化亦不充足。
有鑒於此種狀況，本發明課題在於提供能夠藉由脈衝修整法有效率地調整厚膜電阻之電阻值的厚膜電阻組成物。
為了解決上述課題，發現可提供如下電阻糊，本申請發明人等遂完成本發明，該電阻糊為在導電材料中將二氧化釕粉末及玻璃料有機載體混合而成的電阻糊，藉由適當地調整為了滿足耐電湧特性而使軟化點較糊之燒成溫度高的玻璃料與為了在施加了脈衝電壓時得到適當之電阻變化量的厚膜電阻而使其軟化點較糊 之燒成溫度低的玻璃料與比表面積粒徑為30nm以上且100nm以下的釕化合物粉末的比率，從而同時具有耐電湧、耐脈衝特性的電阻糊。
本發明之第1發明為一種厚膜電阻組成物，其為包含玻璃料與釕化合物粉末的電阻組成物，其特徵在於，該玻璃料包含軟化點為550℃以上且650℃以下的玻璃料LM、及顯示在較該玻璃料LM之軟化點高出200℃以上且350℃以下之範圍內的高溫軟化點的玻璃料HM，相對於玻璃料LM與玻璃料HM的合計量，含有15質量%以上且50質量%以下的玻璃料LM，釕化合物粉末之比表面積粒徑為30nm以上且100nm以下。
本發明之第2發明為一種厚膜電阻組成物，其特徵在於，含有15質量%以上且35質量%以下之第1發明中之釕化合物粉末。
本發明之第3發明為一種厚膜電阻組成物，其特徵在於，第1及第2發明中之釕化合物粉末為二氧化釕粉末。
本發明之第4發明為一種厚膜電阻組成物，其特徵在於，第1至第3發明中之玻璃料之50%體積累積粒度為20μm以下。
本發明之第5發明為一種厚膜電阻糊，其特徵在於，包含第1至第4發明中之厚膜電阻組成物、與使樹脂溶解於有機溶劑而成的載體。
根據本發明，可獲得較習知厚膜電阻組成物大的電阻變化量，利用脈衝對電阻值進行調整時能夠容易地得到電阻變化幅度大的電阻，極有助於調整作業的改善，發揮工業上顯著的效果。
圖1為表示實施例6中之施加電力與電阻值變化率之關係的圖。
本發明之厚膜電阻組成物係包含玻璃料及釕化合物粉末的電阻組成物，該玻璃料之構成係包含顯示550℃以上且650℃以下之軟化點的玻璃料LM、與顯示在較該玻璃料LM之軟化點高出200℃以上且350℃以下之範圍內的高溫軟化點的玻璃料HM，相對於玻璃料LM及玻璃料HM的合計量，含有15質量%以上且50質量%以下的玻璃料LM。進而，釕化合物粉末的特徵在於，其比表面積粒徑為30nm以上且100nm以下；另外，作為釕化合物粉末，較佳為「二氧化釕粉末」。
使用上述厚膜電阻組成物，將厚膜電阻組成物與後述有機載體混練，能夠得到厚膜電阻糊。
將該所得厚膜電阻糊在氧化鋁基板等陶瓷基板的表面進行印刷等，形成含有厚膜電阻組成物的印刷膜並進行燒成，可得到厚膜電阻。
以下針對各構成要素進行說明。
[玻璃料]
本發明之厚膜電阻組成物中所使用的玻璃料，係由軟化點為550℃以上且650℃以下之軟化點較低的玻璃料LM、與顯示在較該玻璃料LM之軟化點高出200℃以上且350℃以下之範圍內的高溫軟化點的玻璃料HM的兩種玻璃料所構成。
其中，玻璃料之軟化點係設為：在較藉由示差熱分析法(TG-DTA)在大氣中以每分鐘10℃將玻璃料升溫、加熱而得到之示差熱曲線的最低溫側的表現示差熱曲線減少的溫度更高溫側，其次之表現示差熱曲線減少的峰的溫度。尚且，本發明中使用之玻璃料的軟化點可藉由玻璃料之成分組成進行調整。
厚膜電阻係藉由將厚膜電阻組成物燒成而得到。得到厚膜電阻時的燒成溫度如後述般，為800℃至900℃，軟化點較低的玻璃料LM係在燒成過程中熔融，玻璃料HM雖未如玻璃料LM般但亦軟化。而且，在將厚膜電阻組成物燒成的過程中，形成在玻璃料LM經熔融的基體中玻璃料HM點狀存在的厚膜電阻的玻璃基體(LH)。
為了形成在該基體中使具有較形成該基體之玻璃料LM之軟化點高的軟化點的玻璃料HM點狀存在的玻璃基體(LH)，玻璃料LM的軟化點必須為550℃以上且650℃以下。
另外，形成此種玻璃基體(LH)，係對藉由脈衝修整進行的電阻值調整、與屬於對最終得到的厚膜電阻瞬間施加了高電力時之耐久性的耐電湧性造成影響。即，在軟化點較低的玻璃料LM的軟化點未滿550℃時，則得到的厚膜電阻的耐電湧性劣化。另一方面，若玻璃料LM的軟化點超過650℃，根據與軟化點高的玻璃料HM的調配比例，有藉由脈衝修整等之玻璃基體(LH)的軟化不足、藉由脈衝修整進行之電阻值調整的幅度變窄的情形。
另外，玻璃料HM需要較玻璃料LM之軟化點高出200℃以上且350℃以下之範圍內的高溫軟化點。即，軟化點較高的玻璃料HM的軟化點係在玻璃料LM的軟化點加上了200℃至350 ℃的溫度的軟化點。在玻璃料HM的軟化點較玻璃料LM的軟化點僅高出未滿200℃的情況下，有對於厚膜電阻的玻璃基體(LH)的溫度變得柔軟故耐電湧性劣化的情形；在玻璃料HM的軟化點較玻璃料LM的軟化點高出超過350℃的情況下，有藉由脈衝修整進行之電阻值的調整幅度變小的情形。
本發明之厚膜電阻組成物中的玻璃料LM及玻璃料HM的兩軟化點，由於對厚膜電阻的玻璃基體(LH)的軟化造成影響，因此對藉由脈衝修整法進行的電阻值調整造成影響。因此，在厚膜電阻組成物中，藉由使玻璃料及釕化合物粉末的調配比例適當化，而調整所得之厚膜電阻的電阻值。
電阻值高的厚膜電阻組成物係釕化合物粉末的調配比例減少，電阻值低的厚膜電阻組成物係釕化合物粉末的調配比例增加。作為該調配比例的結果，在藉由脈衝修整法進行調整電阻值的方法中，發現如下傾向：相同脈衝電壓之施加前後的電阻值的變化量，係電阻值超過3000Ω般之高電阻者容易變大，而3000Ω以下之低電阻則變小。
在該脈衝修整法中，認為由於脈衝電壓的能量，構成厚膜電阻的玻璃基體再熔融或再軟化，導致電阻值的變化，並認為藉由脈衝電壓的施加而構成厚膜電阻的玻璃基體的熔融容易度係與電阻域所造成的電阻值變化率的大小有關。
另外，由於高電阻域的厚膜電阻中所含的玻璃的量較低電阻域的調配比例多，因此構成厚膜電阻的玻璃基體的再熔融或再軟化容易進行，高電阻域的藉由脈衝修整法進行的電阻值變化變大。另一方面，低電阻域的厚膜電阻西，由於玻璃量少且導電物質 的調配比高，因此構成厚膜電阻的玻璃基體的再熔融或再軟化難以進行，故藉由脈衝修整法進行的電阻值變化變小。
因此，本發明中為了作成使低電阻域的厚膜電阻可藉由脈衝修整法容易調整電阻值的厚膜電阻組成物，必須相對於軟化點較低的玻璃料LM、與軟化點較高的玻璃料HM的合計量，包含15質量%至50質量%的玻璃料LM。
在全部玻璃料中依超過50質量%使用玻璃料LM的情況下，對於耐電湧變弱，藉由脈衝修整調整電阻值後的穩定性等惡化。耐電湧性的劣化係構成厚膜電阻的玻璃基體(LH)的軟化的影響。以提高厚膜電阻之耐電湧性為目的，為了調整玻璃基體(LH)的軟化，在厚膜電阻組成物中需要有顯示較基體高之軟化點的玻璃料HM。
即，含有50質量%以上的軟化點較高的玻璃料HM。另一方面，全部玻璃料中的玻璃料LM的含有率未滿15質量%時，則玻璃料HM過多，藉由脈衝修整進行的電阻值調整的幅度變小。
玻璃料的化學組成一般大多含有金屬氧化物，其中大多含有PbO、SiO2、B2O3、BaO、CaO、Al2O3等。其中，本發明之厚膜電阻組成物中能夠使用的玻璃料的化學組成，若為硼矽酸鉛系玻璃、硼矽酸鋇系玻璃、硼矽酸鈣系玻璃、硼矽酸鋅系玻璃等玻璃系、顯示軟化點、為可調整的組成即可。
為了得到軟化點較低的玻璃料LM，以氧化物換算計，若增加PbO、BaO、CaO、ZnO2、B2O3、Na2O等鹼金屬氧化物的調配比例即可；為了得到軟化點較高的玻璃料HM時，若增加SiO2的調配比例即可。進而，由於各玻璃料的構成成分的調配比例，玻璃料的燒成物的熱膨脹係數變化，因此可適當調整與使用的 基板間的最優化。
另外，玻璃料亦作為使厚膜電阻密黏於基板的黏著材料發揮功能。因此，在將厚膜電阻組成物進行燒成時，基板與玻璃料必須黏著。因此，玻璃料的組成必須為能夠與氧化鋁等陶瓷基板黏著的組成。若為硼矽酸鉛系玻璃、硼矽酸鋇系玻璃、硼矽酸鈣系玻璃、硼矽酸鋅系玻璃，則在將厚膜電阻組成物進行燒成的過程中能夠與氧化鋁基板黏著。特別是本發明的厚膜電阻組成物中，與基板的黏著性係受到軟化點較低的玻璃料LM熔融性的影響較大。
不論軟化點較高的玻璃料HM或軟化點較低的玻璃料LM，在厚膜電阻組成物中所含的玻璃料的50%體積累積粒度(D50)較佳為0.5~20μm，更佳為0.5~15μm，再更佳為0.5~6μm，最好於判別粉體的凝聚狀態等之下進行選擇。尚且，50%體積累積粒度(D50)為體積累積粒度分佈的中位值，50%體積累積粒度可藉由雷射繞射‧散射式粒度分佈測定裝置的Microtrac(註冊商標)進行測定。
若玻璃料的50%體積累積粒度超過20μm，則厚膜電阻的表面粗糙度變粗，在形成了厚膜電阻加熱器的情況，有不能充分地傳熱的情形。另一方面，如果50%體積累積粒度未滿0.5μm，則需要對玻璃料進行過度的粉碎處理，因此玻璃料的生產性降低，有雜質等混入亦增加之虞。
[釕化合物粉末]
其次，厚膜電阻組成物中的釕化合物粉末係作為導電性成分發揮功能。
在該釕化合物粉末中，可使用二氧化釕粉末、釕酸鉛粉末、釕 酸鍶粉末般之釕複合氧化物粉末。
釕化合物粉末的各粒子的形狀並無特別限定，可為球形、橢圓形、板狀、針狀等。
厚膜電阻組成物中較佳係含有15質量%以上且35質量%以下的釕化合物粉末，更佳20質量%以上且35質量%以下，再更佳為25質量%以上且35質量%以下。
在厚膜電阻組成物中，係藉由玻璃料與釕化合物粉末的調配比例調整所得厚膜電阻的電阻值。在厚膜電阻組成物中所含的釕化合物粉末的含有率未滿15質量%時，則電阻值過高。另一方面，若厚膜電阻組成物中所含的釕化合物粉末的含有率超過35質量%，則厚膜電阻的燒結面未變得緻密，因此無法確保厚膜電阻的機械強度。
另外，由本發明之厚膜電阻組成物得到的厚膜電阻中，係將釕化合物粉末分散於上述玻璃基體(LH)中，依釕化合物粒子之型式存在而形成導電網路。
於使用脈衝修整法的電阻值調整時，認為藉由對於厚膜電阻施加脈衝電壓，由於其玻璃基體(LH)的再熔融、再軟化，釕化合物粒子存在的位置變化，釕化合物粒子的距離縮短等，進行導電網路的再建構。考慮此種脈衝修整性，選擇釕化合物粉末的比表面積粒徑。
更具體地進行說明，釕化合物粉末的平均粒徑係由比表面積粒徑表示，為30nm以上且100nm以下。若釕化合物粉末的比表面積粒徑未滿30nm，有對厚膜電阻進行了脈衝修整時的電阻值變化率少的情況，電阻值的調整困難。其原因尚不明，但認為若釕化合物粉末的比表面積粒徑未滿30nm，則施加了脈衝電壓的厚膜電阻的玻璃基體的再熔融所造成的導電網路之再建構的規模較 小。
另一方面，若釕化合物粉末的比表面積粒徑超過100nm，則有厚膜電阻的表面粗糙度變大的情形，而有不適於發熱電阻的情形。
比表面積粒徑可使用下述(1)式求得。另外，釕化合物粉末的比表面積可採用BET法測定。
[數1]D[nm]=6×103/(ρ‧S)‧‧‧(1)
其中，D為釕化合物粉末的比表面積粒徑[nm]，ρ為釕化合物粉末的密度[g/cm3]，S為釕化合物粉末的比表面積[m2/g]。若於釕化合物粉末中使用二氧化釕粉末，則ρ可設為7.05[g/cm3]。
於釕化合物較佳係使用二氧化釕。此係由於二氧化釕之電阻率較釕酸鉛等釕複合氧化物小，適合於實現低電阻域的厚膜電阻的電阻值50Ω~3000Ω的範圍。在藉由厚膜電阻作成發熱電阻的情況，考慮到脈衝修整性或所得厚膜電阻的消耗電力，較佳係使厚膜電阻的電阻值成為50Ω~1000Ω。
[厚膜電阻組成物]
本發明之厚膜電阻組成物含有軟化點不同的2種玻璃料、即軟化點較低的玻璃料LM及軟化點較其高的玻璃料HM，並進一步含有釕化合物。另外，在厚膜電阻組成物中亦可添加具有調整屬於厚膜電阻之電特性之一的電阻溫度係數等效果的公知的TiO2粉末等。
[有機載體]
本發明中使用的有機載體不需為特定載體，可為製造厚膜電阻糊時一般使用的載體。較佳係在乾燥及燒成時之脫黏著劑時揮發、分解而消失者。可使用下述的有機溶劑、例如乙基纖維素、硝基纖維素等纖維素系樹脂、丙烯酸系樹脂等樹脂。
可將此等樹脂溶解於萜品醇等萜烯醇類、薴烯等萜烯類、丁基卡必醇乙酸酯或丁基賽珞蘇乙酸酯等醚類等有機溶劑中者使用作為有機載體。為了厚膜電阻糊的粘度調整，可進一步添加萜品醇等有機溶劑。
另外，為了使厚膜電阻組成物分散於載體中，可添加具有羧基或胺基的高分子分散劑、硬脂酸等脂肪酸、卵磷脂等磷脂質類作為分散劑。
[厚膜電阻糊的製造方法]
較佳係使二氧化釕粉末、玻璃料、有機載體、有機溶劑均勻地分散。其方法並無限定，但較佳係公知之三輥研磨機的分散方法。
[厚膜電阻的形成方法]
將所得之厚膜電阻糊，藉由網版印刷在氧化鋁等陶瓷基板上印刷厚膜電阻圖案，經過乾燥及燒成，可形成厚膜電阻。
燒成條件可設為：在大氣中峰值溫度800℃至900℃下，該峰值溫度的保持時間為5分鐘至60分鐘，另外，將從室溫至峰值溫度的升溫時間設為5分鐘至60分鐘，在峰值溫度保持結束後，冷卻到室溫。在燒成過程的升溫時，進行將厚膜電阻糊的印刷膜中殘留的有機溶劑、樹脂成分除去的脫黏著劑處理。
在峰值溫度800℃至900℃下燒成的厚膜電阻，係調整為膜厚5μm~20μm，更佳膜厚為10μm~15μm。
進而，厚膜電阻係以可在600℃左右之燒成溫度進行燒成的玻璃糊被覆其表面，將該玻璃糊燒成而作成厚膜電阻的保護膜，藉此可製成具有保護膜的厚膜電阻器。藉由如此在厚膜電阻的表面配置由玻璃糊所形成的保護膜，可使厚膜電阻器的表面平滑。
尚且，在厚膜電阻的形成之前，可採用公知的厚膜技術在陶瓷基板的表面形成成為厚膜電阻之端子的電極。
[厚膜電阻的脈衝修整]
藉由脈衝修整法對燒成所得之厚膜電阻的電阻值進行調整。
具體而言，將1000V~6000V的脈衝電壓施加於厚膜電阻，施加脈衝電壓直至成為既定的電阻值。施加電壓可根據厚膜電阻的電阻值而適當地選擇。逐次施加脈衝電壓1000V~6000V，相對於施加前的電阻值，在施加後的電阻值的變化率小於-40%的情況，有效率的電阻值調整困難。
[實施例]
以下根據實施例具體說明本發明，但本發明並不限定於此等實施例。
將本發明的實施例及比較例中使用的玻璃料的組成示於表1中。玻璃料(A)及(B)為軟化點較高的玻璃料HM，玻璃料(C)為軟化點較低的玻璃料LM。
玻璃料(A)係軟化點為856℃、50%體積累積粒度(D50)為3.6μm，玻璃料(B)係將玻璃料(A)以球磨機粉碎、50%體積累積粒度 (D50)為1.4μm，玻璃料(C)係軟化點為640℃、50%體積累積粒度(D50)為1.5μm。各玻璃料的50%體積累積粒度(D50)的測定係使用MicrotracBEL公司製的Microtrac(註冊商標)進行。
於釕化合物粉末使用二氧化釕，使用藉BET法測定的比表面積粒徑為24nm(比表面積35m2/g)的二氧化釕粉末(A)、比表面積粒徑為40nm(比表面積21.5m2/g)的二氧化釕粉末(B)及比表面積粒徑為73nm(比表面積11.6m2/g)的二氧化釕粉末(C)。
相對於萜品醇的組成75質量%，添加乙基纖維素25質量%，於藉由氣動馬達攪拌下加熱至60℃、進行分散，製作有機載體。
接著，於由表2及表3中所示比例的二氧化釕粉末及玻璃料所構成的厚膜電阻組成物100重量份中，加入表2及表3之重量份的有機載體與溶劑，進而視需要加入溶劑的萜品醇，使用三輥研磨機進一步混練，製作實施例1至6及比較例1至7的厚膜電阻糊。
使用所製作的厚膜電阻糊，在藉厚膜法設置了銀電極的1吋氧化鋁基板印刷各實施例與各比較例的厚膜電阻糊，在大氣中依120℃乾燥後，依峰值溫度及其保持時間為810℃、9分鐘的條件，以帶式爐進行燒成，得到厚膜電阻。於帶式爐的升溫、峰值溫度保持、降溫所需的總時間合計設為30分鐘。厚膜電阻的尺寸係 長(電極間距離)0.3mm、寬0.3mm，膜厚大致調整為12μm。尚且，銀電極係將銀電極糊印刷於氧化鋁基板，於120℃乾燥5分鐘，在峰值溫度850℃下燒成9分鐘而設置。從帶式爐之入口至出口的時間設為30分鐘。
藉數位萬用表(KEITHLEY公司製、Model2001 Multimeter)測定所得厚膜電阻25個的電阻值。另外，電阻值變化率係對厚膜電阻依脈衝電壓1000V、1500V、2000V、2500V、3000V的順序各電壓施加1秒，由電壓施加前的電阻值與直至脈衝電壓3000V的電壓施加後的電阻值之差及電壓施加前的電阻值計算電阻值變化率。在實施例及比較例中表示電阻值變化率的最大值。
進而，對實施例6的厚膜電阻5個，施加從1W至10W的電力，計算與初期電阻值的變化率，確認耐電湧特性。
其結果係將實施例的結果示於表2中，將比較例的結果示於表3中。
如實施例1~3般使用比表面積為11.6m2/g之二氧化釕粉末(C)的電阻糊，電阻值調整的幅度(電阻值變化率)的絕對值成為50%以上，獲得較大值。實施例4~6雖使用比表面積為21.5m2/g的二氧化釕粉末(B)，但此情況下電阻值調整的幅度(電阻值變化率)的絕對值亦均成為50%以上。
比較例1表示習知組成中的電阻值變化率的結果，組成係將比表面積粒徑24nm(比表面積35m2/g)的二氧化釕粉末(A)與將玻璃料(A)以球磨機粉碎而成的玻璃料(B)及有機載體。
由其脈衝電壓之施加前後的電阻值所求得的電阻值調整的幅度(電阻值變化率)的絕對值為34.2%，為較本發明之實施例小的結果。
另外，在玻璃料中僅使用了未粉碎的粒徑大的玻璃料(A)的比較例2至6的電阻值變化率為些微(比較例2)、或者未變化(比較例3-5)，即使是降低的比較例6亦為-26.0%，與本發明之實施例相比，其絕對值小，而為電阻值變化率小的結果。
進而，如比較例7所示般單獨使用了經粉碎的軟化點856℃的玻璃料(B)的情況下，並未獲得大的電阻值變化率。
圖1中表示實施例6之情況的厚膜電阻的SST(級增應力試驗，Step Stress Test)時的施加電力與電阻值變化率的關係。
相對於施加電力，於負區域中電阻值變化率並無變化。於負區域中電阻值變化率發生變化的情況，可預設為由於玻璃與導電填料等不均勻所造成的影響，但實施例6中於負區域中電阻值變化率不變化而為較習知物毫不遜色的結果。

Claims (5)

  1. 一種厚膜電阻組成物，係包含玻璃料與釕化合物粉末的厚膜電阻組成物，其特徵在於，上述玻璃料包含：軟化點為550℃以上且650℃以下的玻璃料LM、與顯示在較上述玻璃料LM之軟化點高出200℃以上且350℃以下之範圍內的高溫軟化點的玻璃料HM；相對於上述玻璃料LM與上述玻璃料HM的合計量，含有15質量%以上且50質量%以下的上述玻璃料LM；上述釕化合物粉末的比表面積粒徑為30nm以上且100nm以下。
  2. 如請求項1之厚膜電阻組成物，其中，包含15質量%以上且35質量%以下的上述釕化合物粉末。
  3. 如請求項1或2之厚膜電阻組成物，其中，上述釕化合物粉末為二氧化釕粉末。
  4. 如請求項1至3中任一項之厚膜電阻組成物，其中，上述玻璃料的50%體積累積粒度為20μm以下。
  5. 一種厚膜電阻糊，其特徵在於，包含請求項1至4中任一項之厚膜電阻組成物、與將樹脂溶解於有機溶劑而成的載體。
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