JP5270132B2 - 抵抗体ペースト及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 106
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O Chemical class [Ru]=O ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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Description
Claims (8)
- ガラスフリットと、前記ガラスフリット中に分散される導電粒子とを含む抵抗体ペーストにおいて、
前記導電粒子は、前記ガラスフリットよりも軟化点の高いガラス組成物を、ルテニウム酸化物粒子が被覆してなるものであり、
導電粒子を構成する前記ガラス組成物は、SiO 2 :10〜60重量%、B 2 O 3 :0〜20重量%、PbO又はBi 2 O 3 :40〜70重量%、Al 2 O 3 :0〜20重量%、アルカリ金属又はその酸化物、若しくは、アルカリ土類金属:0〜20重量%の、軟化点が530〜1000℃のガラスからなり、
前記ガラスフリットは、SiO 2 :5〜30重量%、B 2 O 3 :0〜20重量%、PbO又はBi 2 O 3 :40〜90重量%、Al 2 O 3 :0〜20重量%、アルカリ金属又はその酸化物、若しくは、アルカリ土類金属:0〜20重量%の、軟化点が300〜870℃のガラスからなる、
抵抗体ペースト。 - 導電粒子を構成するガラス組成物の粒径は1.0〜5.0μmであり、ルテニウム酸化物粒子の粒径は0.01〜1.0μmである請求項1記載の抵抗体ペースト。
- ルテニウム酸化物は、RuO2、又は、Pb2Ru2O6、Bi2Ru2O7、M−RuO3(M:アルカリ金属又はアルカリ土類金属)で示される複合ルテニウム酸化物、のいずれかである請求項1又は請求項2に記載の抵抗体ペースト。
- 更に、導電粒子としてルテニウム酸化物のみからなる粒子が分散する請求項1〜請求項3のいずれかに記載の抵抗体ペースト。
- ルテニウム酸化物の含有量は、ガラスフリット及びガラス組成物の重量の合計に対して、7.5〜40重量%である請求項1〜請求項4のいずれかに記載の抵抗体ペースト。
- 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の抵抗体ペーストの製造方法であって、
ガラス組成物粉末とルテニウム酸化物粉末とをボールミルに導入し、
前記ボールミルにより混合粉砕処理を行うことにより、粉砕された前記ガラス組成物粉末の表面を前期ルテニウム酸化物粉末で被覆し、
その後、粉砕後の粉砕品とガラスフリットとを混合する抵抗体ペーストの製造方法。 - ボールミルに導入するガラス組成物の粒径を5〜10μmとし、ルテニウム酸化物粉末の粒径は0.01〜1.0μmとして混合粉砕処理を行う請求項6記載の抵抗体ペーストの製造方法。
- 粉砕媒体の直径は5〜20mmとし、粉砕時間を24〜48時間として混合粉砕処理を行う請求項6又は請求項7記載の抵抗体ペーストの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007276401A JP5270132B2 (ja) | 2007-10-24 | 2007-10-24 | 抵抗体ペースト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007276401A JP5270132B2 (ja) | 2007-10-24 | 2007-10-24 | 抵抗体ペースト及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009105263A JP2009105263A (ja) | 2009-05-14 |
JP5270132B2 true JP5270132B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=40706658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007276401A Active JP5270132B2 (ja) | 2007-10-24 | 2007-10-24 | 抵抗体ペースト及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5270132B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10622115B2 (en) | 2014-12-26 | 2020-04-14 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Flexible conductive film and process for producing the same |
JP6966717B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-11-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体組成物及びそれを含む厚膜抵抗ペースト |
JP7468273B2 (ja) | 2020-09-24 | 2024-04-16 | 住友金属鉱山株式会社 | ルテニウム酸鉛粉末、およびルテニウム酸鉛粉末の製造方法 |
JP2022129313A (ja) * | 2021-02-24 | 2022-09-05 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子及びバッテリパック |
CN114373567B (zh) * | 2022-03-21 | 2022-07-08 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种厚膜电阻浆料 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02292801A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-04 | Hitachi Ltd | 厚膜抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体 |
JPH04290401A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-15 | Tdk Corp | 抵抗体ペーストおよびその製造方法ならびに厚膜抵抗体 |
JPH07283012A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Du Pont Kk | 厚膜抵抗体エレメントの製造方法 |
JPH09153681A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 低温焼成基板製造用内蔵抵抗ペースト |
JP4488324B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2010-06-23 | コーア株式会社 | サーミスタ用の組成物およびその作製方法並びにその組成物を用いたサーミスタ |
-
2007
- 2007-10-24 JP JP2007276401A patent/JP5270132B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009105263A (ja) | 2009-05-14 |
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