JPS6092601A - 厚膜抵抗体組成物 - Google Patents
厚膜抵抗体組成物Info
- Publication number
- JPS6092601A JPS6092601A JP58200329A JP20032983A JPS6092601A JP S6092601 A JPS6092601 A JP S6092601A JP 58200329 A JP58200329 A JP 58200329A JP 20032983 A JP20032983 A JP 20032983A JP S6092601 A JPS6092601 A JP S6092601A
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- JP
- Japan
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- glass frit
- thick film
- film resistor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は印刷技術を用いてセラミック基板上に必要とす
る形状に印刷し、焼成することによって得られる厚膜抵
抗体組成物に関する３゜従来例の構成とその問題点 最近、電子部品が小形化、薄形化されて行くに従い、こ
れら電子部品を搭載する電子機器も産業用、一般民生用
を問わず超小形化、超薄形化の方向へ順次指向し、つ＼
あシ、さらにこの傾向は電子部品に対して一層の小形化
や大集積化を要求しつつある。電子部品の中で重要な要
素を占めるコンデンザ部品においても、比較的容量の小
さいセラミソクコッデンサは従来のディスク形から積層
することによって容量値を大きくかつ小形化の可能なチ
ップコンデンジ−へ移行し、現在その需要は急激に拡大
しつ５ある。しかしながら上記チップコンデンサといえ
ども単一のディスクリート部品であり、他の電子部品な
どと共に１つの電子部品として構成された場合、電子部
品の集積密度としては限界がある。そこで、最近１つの
コンデンサチップでありながらその中に複数個の容量値
を有するコンデンサを内蔵させると共に該コンデンサチ
ップの上に抵抗体を厚膜技術によって形成させるととに
よってＣＲネットワークを構成させようとする考えがあ
る。しかしながら基板として使用されるコンデンサ月相
は一般に反応性に富むところのチタン酸バリウムを主成
分とするために、その上に抵抗体を高温で焼成した場合
、抵抗体と化学的に反応し必要とする抵抗値を得ること
が困難となり、さらにその抵抗値が大きくばらつく結果
となる。したがって上記チタン酸バリウムのような高誘
電率材料の基板の上に抵抗体を形成しようとする場合、
一般的にはまづコンデンサ基板の上に上記高誘電率材料
と化学反応を起さない様な物質すなわちガラス質のもの
で被覆しだのちさらにその上に抵抗体を形成させる必要
がある。しだがって工程上、印刷、焼成の工程を２度必
要とすることになり生産性が悪く、かつコストが高くな
るという問題があった。
る形状に印刷し、焼成することによって得られる厚膜抵
抗体組成物に関する３゜従来例の構成とその問題点 最近、電子部品が小形化、薄形化されて行くに従い、こ
れら電子部品を搭載する電子機器も産業用、一般民生用
を問わず超小形化、超薄形化の方向へ順次指向し、つ＼
あシ、さらにこの傾向は電子部品に対して一層の小形化
や大集積化を要求しつつある。電子部品の中で重要な要
素を占めるコンデンザ部品においても、比較的容量の小
さいセラミソクコッデンサは従来のディスク形から積層
することによって容量値を大きくかつ小形化の可能なチ
ップコンデンジ−へ移行し、現在その需要は急激に拡大
しつ５ある。しかしながら上記チップコンデンサといえ
ども単一のディスクリート部品であり、他の電子部品な
どと共に１つの電子部品として構成された場合、電子部
品の集積密度としては限界がある。そこで、最近１つの
コンデンサチップでありながらその中に複数個の容量値
を有するコンデンサを内蔵させると共に該コンデンサチ
ップの上に抵抗体を厚膜技術によって形成させるととに
よってＣＲネットワークを構成させようとする考えがあ
る。しかしながら基板として使用されるコンデンサ月相
は一般に反応性に富むところのチタン酸バリウムを主成
分とするために、その上に抵抗体を高温で焼成した場合
、抵抗体と化学的に反応し必要とする抵抗値を得ること
が困難となり、さらにその抵抗値が大きくばらつく結果
となる。したがって上記チタン酸バリウムのような高誘
電率材料の基板の上に抵抗体を形成しようとする場合、
一般的にはまづコンデンサ基板の上に上記高誘電率材料
と化学反応を起さない様な物質すなわちガラス質のもの
で被覆しだのちさらにその上に抵抗体を形成させる必要
がある。しだがって工程上、印刷、焼成の工程を２度必
要とすることになり生産性が悪く、かつコストが高くな
るという問題があった。
発明の目的
本発明ｄ上述した様な従来の限界と欠点を解決しようと
するものであって、厚膜抵抗体をコンデンサ基板の上に
直接焼成しても化学反応を起さずめる所の抵抗値を得る
ことができる厚膜抵抗体組成物を提供することを目的と
するものである。
するものであって、厚膜抵抗体をコンデンサ基板の上に
直接焼成しても化学反応を起さずめる所の抵抗値を得る
ことができる厚膜抵抗体組成物を提供することを目的と
するものである。
発明の構成
本発明は厚膜抵抗体組成物として酸化ルテニウムと２種
類のガラスフリットずなわち軟化点が４５０１：〜６６
０℃の範囲にある第１のガラスフリットおよび同じく軟
化点が６５０’Ｃ〜８５０Ｃの範囲にある第２のガラス
フリットを主成分とし。
類のガラスフリットずなわち軟化点が４５０１：〜６６
０℃の範囲にある第１のガラスフリットおよび同じく軟
化点が６５０’Ｃ〜８５０Ｃの範囲にある第２のガラス
フリットを主成分とし。
て構成されるものである。
実施例の説明
本発明を実施例によってさらに詳しく説明すると、まず
軟化点が４６０℃〜６５０℃の範囲にあの第１のガラス
フリットを作製するためにシリカ５〜２６重量係、無水
ホウ酸３０〜７０重量係、酸化鉛１０〜３０重量％を攪
拌混合したのち１１００℃〜１２００℃で１〜２時間溶
融してガラス物質を形成させる。次にこれを水中に投入
して急冷し得られた粒状ガラスを粉砕して粒径１ミクロ
ン以下の微粉末とする（このガラス粉末を以下第１ガラ
スフリツトと呼ぶ）。
軟化点が４６０℃〜６５０℃の範囲にあの第１のガラス
フリットを作製するためにシリカ５〜２６重量係、無水
ホウ酸３０〜７０重量係、酸化鉛１０〜３０重量％を攪
拌混合したのち１１００℃〜１２００℃で１〜２時間溶
融してガラス物質を形成させる。次にこれを水中に投入
して急冷し得られた粒状ガラスを粉砕して粒径１ミクロ
ン以下の微粉末とする（このガラス粉末を以下第１ガラ
スフリツトと呼ぶ）。
次に軟化点が６５０℃〜８６０℃の範囲にある第２のガ
ラスフリットを作製するためにシリカ２０〜５０重柘係
、無水ホウ酸２０〜５０重量％、酸化カルシウム６〜３
０重１君係、酸化鉛２〜２６重量係を攪拌し、上記第１
ガラスフリツトと同様な方法でガラス粉末を作製する。
ラスフリットを作製するためにシリカ２０〜５０重柘係
、無水ホウ酸２０〜５０重量％、酸化カルシウム６〜３
０重１君係、酸化鉛２〜２６重量係を攪拌し、上記第１
ガラスフリツトと同様な方法でガラス粉末を作製する。
、（このガラス粉末を以下第２ガラスフリツトと１１１
ぶ）。
ぶ）。
厚膜抵抗体ペーストを作るために酸化ルテニウム６〜５
０重量部、第１ガラスフリツトを５０〜１００重量部、
第２ガラスフリツトを５〜６０重量部、有機バインダー
成分を６０〜１ｏＯ重量部配合して３本ロール機などを
用いて混練し充分均質なる抵抗体用ペーストを形成させ
る。以上のごとく調製された抵抗体ペーストをチタン酸
ノくリウムセラミノクコンデンサ基板の上に所定の形状
にスクリーン印刷し、１５０℃で乾燥させて有機溶剤を
充分除去したのち、トンネル炉などによって７５０℃〜
９５０Ｃで焼成する。このようにして得られたＯＲ基板
はチタン酸バリウム基板と抵抗体の層間に第１ガラスフ
リツトが溶融拡散して−」二記チタン酸バリウムの表面
を化学的に不活性化し２ているだめに抵抗体物質との反
応を抑制することができる。
０重量部、第１ガラスフリツトを５０〜１００重量部、
第２ガラスフリツトを５〜６０重量部、有機バインダー
成分を６０〜１ｏＯ重量部配合して３本ロール機などを
用いて混練し充分均質なる抵抗体用ペーストを形成させ
る。以上のごとく調製された抵抗体ペーストをチタン酸
ノくリウムセラミノクコンデンサ基板の上に所定の形状
にスクリーン印刷し、１５０℃で乾燥させて有機溶剤を
充分除去したのち、トンネル炉などによって７５０℃〜
９５０Ｃで焼成する。このようにして得られたＯＲ基板
はチタン酸バリウム基板と抵抗体の層間に第１ガラスフ
リツトが溶融拡散して−」二記チタン酸バリウムの表面
を化学的に不活性化し２ているだめに抵抗体物質との反
応を抑制することができる。
次に１実施例についてさらに本発明を詳述する。１第１
ガラスフリット成分としてノリ力２０ｇ、無水ホウ酸６
（１、酸化鉛２０９、および第２ガラスフリツト成分と
してシリカ３６ｇ１無水ホウ酸３０ｇ、酸化カルシウム
２６ｇ、酸化鉛１０．９をそれぞれ正確に秤取し、機械
乳鉢を用いて約２時間混合粉砕する。しかるのちこの混
合原料金アルミナルツボ中に移し、あらかじめ８００℃
に昇温しである電気炉中に投入し徐々に昇温を続け、１
２００℃にいたって約１時間保持する。完全に溶融、均
質化してガラスを生成したのち取出し、急冷する。これ
をまず乾式で約１時間粉砕したのちさらにアルコールを
加えて湿式により約３時間粉砕を続けて微粉末とする。
ガラスフリット成分としてノリ力２０ｇ、無水ホウ酸６
（１、酸化鉛２０９、および第２ガラスフリツト成分と
してシリカ３６ｇ１無水ホウ酸３０ｇ、酸化カルシウム
２６ｇ、酸化鉛１０．９をそれぞれ正確に秤取し、機械
乳鉢を用いて約２時間混合粉砕する。しかるのちこの混
合原料金アルミナルツボ中に移し、あらかじめ８００℃
に昇温しである電気炉中に投入し徐々に昇温を続け、１
２００℃にいたって約１時間保持する。完全に溶融、均
質化してガラスを生成したのち取出し、急冷する。これ
をまず乾式で約１時間粉砕したのちさらにアルコールを
加えて湿式により約３時間粉砕を続けて微粉末とする。
これをふるいわけによって粒径１ミクロン以下の微粉末
のみを選別し乾燥してガラスフリットを得る。上記のご
とくして得られた第１ガラスフリツトを５５重量部、第
２ガラスフリツトを２０重量部、酸化ルテニウムを４０
重量部配合したものに有機バインダ成分を１００重量部
加えて３本ロール機を用いて全体が均質になるまで混練
し必要とする適当な粘度のペーストとする。以」−の実
施例によって詳述されたようにして得られた抵抗体ペー
ストはスクリーン印刷法によってチタン酸バリウムなど
誘電体拐料から成るセラミックコンデンサ基板の上に直
接印刷される。約１６０℃の乾燥機中で加熱し充分有機
溶剤を除去したのちトンネル炉を用いて最高温度７５０
℃〜９５０’Ｃで約１５分〜３０分間焼成することによ
って必要とする一定のシート抵抗を有する抵抗体を形成
することができる。
のみを選別し乾燥してガラスフリットを得る。上記のご
とくして得られた第１ガラスフリツトを５５重量部、第
２ガラスフリツトを２０重量部、酸化ルテニウムを４０
重量部配合したものに有機バインダ成分を１００重量部
加えて３本ロール機を用いて全体が均質になるまで混練
し必要とする適当な粘度のペーストとする。以」−の実
施例によって詳述されたようにして得られた抵抗体ペー
ストはスクリーン印刷法によってチタン酸バリウムなど
誘電体拐料から成るセラミックコンデンサ基板の上に直
接印刷される。約１６０℃の乾燥機中で加熱し充分有機
溶剤を除去したのちトンネル炉を用いて最高温度７５０
℃〜９５０’Ｃで約１５分〜３０分間焼成することによ
って必要とする一定のシート抵抗を有する抵抗体を形成
することができる。
なお本発明にかかわるガラスフリットの基本成分の組成
において重量百分率で第１ガラスフリツトの場合シリカ
が５％以下では耐水性が悪くなり２６％以上では軟化温
度が高くなる。無水ホウ酸が３０％以下では同じく軟化
温度が高くなり７０チをこえると耐水性悪くまた良好な
ガラスを形成し得ない。酸化鉛が１０％以下では溶融ガ
ラスの流動性が悪くなり３０チ以上ではチタン酸バリウ
ムに対して化学的反応を起こす様になる。さらに第２ガ
ラスフリツトの場合、ノリ力が２０％以下では軟化温度
が低くなシ過ぎまた４０チ以上では軟化温度が高くなり
９６０℃の焼成温度でガラス化しない。無水ホウ酸が２
０％以下では同じく軟化温度が高くなりｔｓｏ％以上で
は耐水性が悪くなる。酸化カルシウムが６％以下では面
］化学性が乏しくなり３０チをこえるとガラスの流動性
が悪くなる。酸化鉛が２チ以下では同じぐ流動性が悪く
なり、２５％以上では組成的に不安定となシ一部結晶化
する現象が起る。さらに上述の組成範囲においてその範
囲内における含有量の変化は他の成分のその範囲内にお
ける含有量の選択によって抵抗ペーストの電気特性なら
びに物理的性質を適当に調節することが可能である。
において重量百分率で第１ガラスフリツトの場合シリカ
が５％以下では耐水性が悪くなり２６％以上では軟化温
度が高くなる。無水ホウ酸が３０％以下では同じく軟化
温度が高くなり７０チをこえると耐水性悪くまた良好な
ガラスを形成し得ない。酸化鉛が１０％以下では溶融ガ
ラスの流動性が悪くなり３０チ以上ではチタン酸バリウ
ムに対して化学的反応を起こす様になる。さらに第２ガ
ラスフリツトの場合、ノリ力が２０％以下では軟化温度
が低くなシ過ぎまた４０チ以上では軟化温度が高くなり
９６０℃の焼成温度でガラス化しない。無水ホウ酸が２
０％以下では同じく軟化温度が高くなりｔｓｏ％以上で
は耐水性が悪くなる。酸化カルシウムが６％以下では面
］化学性が乏しくなり３０チをこえるとガラスの流動性
が悪くなる。酸化鉛が２チ以下では同じぐ流動性が悪く
なり、２５％以上では組成的に不安定となシ一部結晶化
する現象が起る。さらに上述の組成範囲においてその範
囲内における含有量の変化は他の成分のその範囲内にお
ける含有量の選択によって抵抗ペーストの電気特性なら
びに物理的性質を適当に調節することが可能である。
発明の効果
以上実施例より明らかなように本発明による抵抗体組成
物は 導電物質として酸化ルテニウム、ガラス成分とし
て４５０℃〜６５０℃に軟化温度を有する第１ガラスフ
リツト、６５０’［−８５０１：に軟化温度を有する第
２ガラスフリツトから構成されていることによってチタ
ン酸バリウムのような化学的活性の高いセラミックコン
デンサを基板とするような場合でも従来のようにあらか
じめ化学的に絶縁するためのグレーズ層を作っておくこ
とを必要としない。すなわち上記セラミックコンデンサ
に直接本発明にか＼わる抵抗体組成物を設けた場合、チ
タン酸バリウムが化学的活性を示す温度に達する前に軟
化温度の低い第１ガラスフリツトがセラミックコンデン
サの表面に拡散して行き化学的に不活性なものとしたの
ち抵抗体が高温でセラミック基板に焼付けられることに
なり従来法に比べて工程を短縮化することが可能となり
コストを下げる効果をも生み出すものである。
物は 導電物質として酸化ルテニウム、ガラス成分とし
て４５０℃〜６５０℃に軟化温度を有する第１ガラスフ
リツト、６５０’［−８５０１：に軟化温度を有する第
２ガラスフリツトから構成されていることによってチタ
ン酸バリウムのような化学的活性の高いセラミックコン
デンサを基板とするような場合でも従来のようにあらか
じめ化学的に絶縁するためのグレーズ層を作っておくこ
とを必要としない。すなわち上記セラミックコンデンサ
に直接本発明にか＼わる抵抗体組成物を設けた場合、チ
タン酸バリウムが化学的活性を示す温度に達する前に軟
化温度の低い第１ガラスフリツトがセラミックコンデン
サの表面に拡散して行き化学的に不活性なものとしたの
ち抵抗体が高温でセラミック基板に焼付けられることに
なり従来法に比べて工程を短縮化することが可能となり
コストを下げる効果をも生み出すものである。
Claims (3)
- （１） 主成分とする酸化ルテニウムに軟化点の異る２
種類のガラスフリットを含有し、これに有機質ビヒクル
を添加混練して成ることを特徴とする厚膜抵抗体組成物
。 - （２）２種類のガラスフリットのうち、第１のガラスフ
リットの軟化点が４５０℃〜６５０℃、第２のガラスフ
リノｉ・の軟化点が６５０℃〜８６０℃であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の厚膜抵抗体組成
物。 - （３） 酸化ルテニウムが５〜５０Ｍ量部、軟化点４６
０℃〜６５０℃の第１のガラスフリットが６０〜１００
重量部、軟化点６５０℃〜８６０℃の第２のガラスフリ
ットが５〜６０重量部であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の厚膜抵抗体組成物。 （４１ｍ１のガラスフリットの組成がシリカ５〜２６重
量％、無水ホウ酸３０〜７０重量係、酸化鉛１０〜３０
０〜３０重量部第２のガラスフリットの組成がシリカ２
０〜４０重量係、無水ホウ酸２．０〜６０重量％、酸化
カルシウム６〜３０重量係、酸化鉛２〜２６重量係であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の厚膜
抵抗体組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200329A JPS6092601A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 厚膜抵抗体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200329A JPS6092601A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 厚膜抵抗体組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092601A true JPS6092601A (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=16422482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58200329A Pending JPS6092601A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 厚膜抵抗体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092601A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7282163B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-10-16 | Tdk Corporation | Resistor paste, resistor, and electronic device |
| CN109427427A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 住友金属矿山株式会社 | 厚膜电阻体组合物和包含其的厚膜电阻糊剂 |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP58200329A patent/JPS6092601A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7282163B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-10-16 | Tdk Corporation | Resistor paste, resistor, and electronic device |
| CN109427427A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 住友金属矿山株式会社 | 厚膜电阻体组合物和包含其的厚膜电阻糊剂 |
| TWI686358B (zh) * | 2017-08-25 | 2020-03-01 | 日商住友金屬礦山股份有限公司 | 厚膜電阻組成物及含有其之厚膜電阻糊 |
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