TW201903826A - 基板加熱裝置、基板處理系統及基板加熱方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的基板加熱裝置包含：腔室，在內部形成有能夠容納塗佈了溶液的基板的容納空間；減壓部，能夠將前述容納空間的氣氛減壓；基板加熱部，配置在前述基板的一側及另一側的至少一方，並且能夠加熱前述基板；和腔室加熱部，能夠加熱前述腔室的內表面的至少一部分。

Description

基板加熱裝置、基板處理系統及基板加熱方法
本發明涉及基板加熱裝置、基板處理系統及基板加熱方法。
近年來，存在以下的市場需求：代替玻璃基板而使用具有柔性的樹脂基板作為電子裝置用的基板。例如，這樣的樹脂基板使用聚醯亞胺膜。例如，聚醯亞胺膜是在對基板塗佈聚醯亞胺的前驅物的溶液後，經過將前述基板加熱的工序(加熱工序)而形成。作為聚醯亞胺的前驅物的溶液，例如有由聚醯胺酸和溶媒構成的聚醯胺酸清漆(例如，參照專利文獻1及專利文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻 　　專利文獻1：日本特開2001-210632號公報 　　專利文獻2：國際公開第2009/104371號
發明要解決的技術問題 　　另外，上述加熱工序在能夠容納基板的腔室內進行。但是，存在在腔室的內表面上附著昇華物的技術問題。 　　鑒於以上那樣的情況，本發明的目的在於提供一種能夠抑制昇華物附著在腔室的內表面上的基板加熱裝置、基板處理系統及基板加熱方法。 用於解決上述技術問題的方案 　　本發明的一技術方案的基板加熱裝置的特徵在於，包含：腔室，在內部形成有能夠容納塗佈了溶液的基板的容納空間；減壓部，能夠將前述容納空間的氣氛減壓；基板加熱部，配置在前述基板的一側及另一側的至少一方，並且能夠加熱前述基板；和腔室加熱部，能夠加熱前述腔室的內表面的至少一部分。 　　根據該構成，包含能夠將腔室的內表面的至少一部分加熱的腔室加熱部，藉此能夠抑制腔室的內表面的降溫。因此，能夠抑制腔室的容納空間中的氣體被腔室的內表面冷卻而成為固體的堆積物(昇華物)。因而，能夠抑制昇華物附著在腔室的內表面上。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述腔室包含覆蓋前述基板的周圍的周壁；前述腔室加熱部至少配置在前述周壁上。 　　根據該構成，能夠抑制腔室的周壁的內表面的降溫。因此，能夠抑制腔室的容納空間中的氣體被腔室的周壁的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在腔室的周壁的內表面上。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述減壓部包含連接於前述腔室的真空管道；上述基板加熱裝置還包含能夠加熱前述真空管道的內表面的至少一部分的真空管道加熱部。 　　根據該構成，能夠抑制真空管道的內表面的降溫。因此，能夠抑制經過真空管道的氣體被真空管道的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在真空管道的內表面上。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述基板加熱部包含能夠藉由紅外線加熱前述基板的紅外線加熱器；前述腔室的內表面的至少一部分被設為反射前述紅外線的腔室側反射面。 　　根據該構成，由於被腔室側反射面反射的紅外線的至少一部分被基板吸收，所以能夠促進基板的加熱。另一方面，基於由被腔室側反射面反射的紅外線引起的基板的溫度上升量，能夠降低紅外線加熱器的輸出。另外，如果是用烤爐使熱風循環從而加熱基板的方式，則存在異物藉由熱風的循環在基板的容納空間中被揚起的可能性。相對於此，根據該構成，由於能夠在使基板的容納空間的氣氛減壓的狀態下將基板加熱，所以異物不會在基板的容納空間中被揚起。因而，在抑制異物附著在腔室的內表面或基板上的方面是較佳的。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，還包含：氣體供給部，藉由將惰性氣體供給至前述容納空間而能夠調整前述容納空間的狀態；和氣體擴散部，將從前述氣體供給部供給的前述惰性氣體朝向前述基板擴散。 　　另外，如果是將惰性氣體朝向腔室的周壁的內表面噴射的構成，則惰性氣體在碰撞腔室的周壁的內表面之後在腔室內對流，藉此異物有可能在基板的容納空間中被揚起。相對於此，根據該構成，由於惰性氣體朝向基板擴散，所以能夠抑制惰性氣體在腔室內對流，避免異物在基板的容納空間中被揚起。因而，在抑制異物附著在腔室的內表面或基板上的方面是較佳的。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述氣體供給部包含連接於前述腔室的氣體供給管道；上述基板加熱裝置還包含能夠加熱前述氣體供給管道的內表面的至少一部分的氣體供給管道加熱部。 　　根據該構成，能夠抑制氣體供給管道的內表面的降溫。因此，能夠抑制經過氣體供給管道的氣體被氣體供給管道的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在氣體供給管道的內表面上。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，還包含：基板搬入搬出部，能夠將前述基板搬入及搬入前述容納空間；和基板搬入搬出部加熱部，能夠加熱前述基板搬入搬出部的至少一部分。 　　根據該構成，能夠抑制基板搬入搬出部的降溫。因此，能夠抑制經過基板搬入搬出口的氣體被基板搬入搬出部冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在基板搬入搬出部上。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，還具備從前述腔室的外側覆蓋前述腔室加熱部的至少一部分的隔熱構件。 　　根據該構成，由於能夠抑制向腔室的外側的熱移動，所以能夠藉由腔室加熱部而高效地加熱腔室的內表面。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，還具備從前述腔室的外側覆蓋前述隔熱構件的至少一部分的殼體構件。 　　根據該構成，由於能夠保護腔室加熱部及隔熱構件，所以能夠藉由腔室加熱部穩定且高效地加熱腔室的內表面。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述減壓部包含連接於前述腔室的真空管道，上述基板加熱裝置還具備氣體液化回收部，前述氣體液化回收部使經過前述真空管道的氣體液化，並且能夠回收從塗佈於前述基板的前述溶液揮發的溶媒。 　　根據該構成，由於能夠將經過真空管道的氣體液化，所以能夠防止經過真空管道的氣體逆流至腔室內。此外，由於能夠將從塗佈於基板的溶液揮發的溶媒回收，所以能夠防止從溶液揮發的溶媒向工廠側排出。此外，在將氣體液化回收部連接於減壓部(真空泵)的管線的情況下，能夠防止從溶液揮發的溶媒再次液化而逆流至真空泵內。進而，能夠將從溶液揮發的溶媒作為清洗液再利用。例如，清洗液可以用於噴嘴前端的清洗、附著於刮取構件的液體的清洗等，前述刮取構件對附著在噴嘴上的液體進行刮取。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述基板加熱部包含：電熱板，配置在前述基板的一側；和紅外線加熱器，配置在前述基板的另一側，並且能夠藉由紅外線加熱前述基板。 　　另外，如果是用烤爐使熱風循環而將基板加熱的方式，則存在異物藉由熱風的循環在基板的容納空間中被揚起的可能性。相對於此，根據該構成，由於能夠在使基板的容納空間的氣氛減壓的狀態下將基板加熱，所以異物不會在基板的容納空間中被揚起。因而，在抑制異物附著在腔室的內表面或基板上的方面是較佳的。此外，由於能夠藉由配置在基板的一側的電熱板使基板的加熱溫度在基板的面內均勻化，所以能夠提高膜特性。例如，藉由在使電熱板的一面與基板的第二表面抵接的狀態下將基板加熱，能夠提高基板的加熱溫度的面內均勻性。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述腔室包含：底板，配置在前述基板的一側；頂板，配置在前述基板的另一側，並且與前述底板對向；和周壁，與前述頂板及前述底板的外周邊緣相連，前述電熱板配置在前述底板一側；前述紅外線加熱器配置在前述頂板一側，前述腔室加熱部至少配置在前述周壁上。 　　根據該構成，藉由電熱板能夠抑制腔室的底板的內表面的降溫。此外，藉由紅外線加熱器，能夠抑制腔室的頂板的內表面的降溫。此外，藉由腔室加熱部，能夠抑制腔室的周壁的內表面的降溫。即，能夠抑制腔室整體的內表面的降溫。因此，能夠抑制腔室的容納空間中的氣體被腔室整體的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在腔室整體的內表面上。此外，在腔室加熱部僅被配置在腔室的周壁上的情況下，與腔室加熱部還被配置在頂板及底板上的情況相比，能夠用簡單的構成抑制昇華物附著在腔室整體的內表面上。另外，由於在腔室的頂板配置有紅外線加熱器的支承構件等，所以腔室加熱部在被配置在腔室的頂板的情況下受到佈局上的制約。相對於此，根據該構成，由於腔室加熱部僅被配置在腔室的周壁上，所以不會受到前述佈局上的制約。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，還包含：氣體供給部，藉由將惰性氣體供給至前述容納空間而能夠調整前述容納空間的狀態；和氣體擴散部，將從前述氣體供給部供給的前述惰性氣體朝向前述基板擴散，前述氣體供給部包含連接於前述周壁中的前述頂板一側的氣體供給管道。 　　另外，如果是將惰性氣體朝向腔室的周壁的內表面噴射的構成，則惰性氣體在碰撞到腔室的周壁的內表面上之後在腔室內對流，藉此異物有可能在基板的容納空間中被揚起。相對於此，根據該構成，由於惰性氣體朝向基板擴散，所以能夠抑制惰性氣體在腔室內對流，避免異物在基板的容納空間中被揚起。因而，在抑制異物附著在腔室的內表面或基板上的方面是較佳的。另外，由於在腔室的頂板配置有紅外線加熱器的支承構件等，所以氣體供給管道在被連接於腔室的頂板的情況下受到佈局上的制約。相對於此，根據該構成，由於氣體供給管道被連接在腔室的周壁上，所以不會受到前述佈局上的制約。此外，氣體供給管道被連接在腔室的周壁中的頂板一側，藉此惰性氣體容易從頂板一側朝向基板更廣地擴散，所以能夠更有效地抑制惰性氣體在腔室內對流，更有效地避免異物在基板的容納空間中被揚起。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，還包含紅外線反射部，其配置在前述電熱板與前述紅外線加熱器之間，並且具有將朝向前述電熱板的前述紅外線反射的電熱板側反射面；前述電熱板包含能夠載置前述紅外線反射部的載置面。 　　根據該構成，藉由包含被配置在電熱板與紅外線加熱器之間並且將朝向電熱板的紅外線反射的電熱板側反射面，能夠避免紅外線被電熱板吸收，所以能夠抑制紅外線引起的電熱板的升溫。因此，無需考慮伴隨由紅外線引起的電熱板的升溫的電熱板的降溫時間。因而，能夠縮短電熱板的降溫所需的週期時間。此外，由於被電熱板側反射面反射的紅外線的至少一部分被基板吸收，所以能夠促進基板的加熱。另一方面，基於由被電熱板側反射面反射的紅外線引起的基板的溫度上升量，能夠降低紅外線加熱器的輸出。此外，電熱板包含能夠載置紅外線反射部的載置面，藉此在將基板的容納空間的氣氛減壓成為真空狀態的情況下，能夠將電熱板中的載置面與紅外線反射部之間真空隔熱。即，能夠使載置面與紅外線反射部的界面中的間隙作為隔熱層發揮功能。因此，能夠抑制紅外線引起的電熱板的升溫。另一方面，在將氮氣供給(N2 驅氣)至基板的容納空間的情況下，能夠解除載置面與紅外線反射部之間的真空隔熱。因此，能夠推測當電熱板降溫時，紅外線反射部也在降溫。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述溶液僅被塗佈於前述基板的第一表面，前述電熱板配置在前述基板的與第一表面相反的一側之第二表面的一側。 　　根據該構成，由於從電熱板發出的熱從基板的第二表面的一側朝向第一表面的一側傳遞，所以能夠有效地加熱基板。此外，在用電熱板加熱基板的期間，能夠高效地進行被塗佈於基板的溶液的揮發或醯亞胺化(例如，成膜中的排氣)。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述電熱板及前述紅外線加熱器的至少一方能夠階段性地加熱前述基板。 　　根據該構成，與電熱板及紅外線加熱器僅能在恒定的溫度下加熱基板的情況相比，能夠高效地加熱基板，以便適合於塗佈於基板的溶液的成膜條件。因而，能夠使塗佈於基板的溶液階段性地乾燥而使其良好地固化。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，還包含位置調整部，前述位置調整部能夠調整前述電熱板及前述紅外線加熱器的至少一方與前述基板的相對位置。 　　根據該構成，與不具備前述位置調整部的情況相比，容易調整基板的加熱溫度。例如，在使基板的加熱溫度變高的情況下能夠使電熱板及紅外線加熱器接近基板，在使基板的加熱溫度變低的情況下能夠使電熱板及紅外線加熱器遠離基板。因而，容易階段性地加熱基板。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述位置調整部還包含能夠使前述基板在前述電熱板與前述紅外線加熱器之間移動的移動部。 　　根據該構成，藉由使基板在電熱板與紅外線加熱器之間移動，在將電熱板及紅外線加熱器的至少一方配置在固定位置的狀態下，能夠調整基板的加熱溫度。因而，無需另外設置能夠使電熱板及紅外線加熱器的至少一方移動的裝置，因此能夠以簡單的構成調整基板的加熱溫度。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，在前述電熱板與前述紅外線加熱器之間，設置有能夠輸送前述基板的輸送部，在前述輸送部形成有能夠通過前述移動部的通過部。 　　根據該構成，因為能夠使基板於在電熱板與紅外線加熱器之間移動的情況下，通過通過部，所以無需使基板繞過輸送部而移動。因而，無需另外設置用於使基板繞過輸送部而移動的裝置，所以能夠以簡單的構成順暢地進行基板的移動。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述移動部包含多個銷，前述多個銷能夠支承前述基板的與第一表面相反一側的第二表面，並且能夠在前述第二表面的法線方向上移動，前述多個銷的前端配置在與前述第二表面平行的面內。 　　根據該構成，因為能夠在穩定地支承基板的狀態下加熱基板，所以能夠使塗佈於基板上的溶液穩定地成膜。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，在前述電熱板上形成多個插通孔，前述多個插通孔將前述電熱板在前述第二表面的法線方向上開口，前述多個銷的前端能夠經由前述多個插通孔而抵接於前述第二表面。 　　根據該構成，因為能夠短時間地進行在多個銷與電熱板之間之基板的交接，所以能夠高效地調整基板的加熱溫度。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，還包含能夠檢測前述基板溫度的溫度檢測部。 　　根據該構成，能夠即時地掌握基板的溫度。例如，基於溫度檢測部的檢測結果將基板加熱，藉此能夠抑制基板的溫度偏離目標值。 　　也可以是，在上述基板加熱裝置中，前述基板及前述基板加熱部容納於共用的前述腔室。 　　根據該構成，能夠在共用的腔室內一併進行由基板加熱部對基板所進行的加熱處理。例如，能夠在共用的腔室內一併進行由電熱板對基板所進行的加熱處理與由紅外線加熱器對基板所進行的加熱處理。即，無需如電熱板及紅外線加熱器被容納於相互不同的腔室的情況那樣、用於使基板在不同的2個腔室間輸送的時間。因而，能夠更進一步高效地進行基板的加熱處理。此外，與具備不同的2個腔室的情況相比，能夠使裝置整體小型化。 　　本發明的一技術方案的基板處理系統的特徵在於，包含上述基板加熱裝置。 　　根據該構成，包含上述基板加熱裝置，藉此能夠在基板處理系統中抑制昇華物附著在腔室的內表面上。 　　本發明的一技術方案的基板加熱方法的特徵在於，包含：容納工序，將塗佈了溶液的基板容納於腔室的內部的容納空間；減壓工序，將前述容納空間的氣氛減壓；基板加熱工序，使用配置在前述基板的一側及另一側的至少一方的基板加熱部，加熱前述基板；和腔室加熱工序，將前述腔室的內表面的至少一部分加熱。 　　根據該方法，在腔室加熱工序中將腔室的內表面的至少一部分加熱，藉此能夠抑制腔室的內表面的降溫。因此，能夠抑制腔室的容納空間中的氣體被腔室的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在腔室的內表面上。 　　也可以是，在上述基板加熱方法中，還包含將連接於前述腔室的真空管道的內表面的至少一部分加熱的真空管道加熱工序。 　　根據該方法，能夠抑制真空管道的內表面的降溫。因此，能夠抑制經過真空管道的氣體被真空管道的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在真空管道的內表面上。 發明效果 　　根據本發明，能夠提供一種能夠抑制昇華物附著在腔室的內表面上的基板加熱裝置、基板處理系統及基板加熱方法。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下的說明中，設定XYZ正交坐標系，一邊參照該XYZ正交坐標系，一邊對各構件的位置關係進行說明。設水平面內的規定方向為X方向，設在水平面內與X方向正交的方向為Y方向，設分別與X方向及Y方向正交的方向(即垂直方向)為Z方向。 (第一實施方式) ＜基板加熱裝置＞ 　　圖1是第一實施方式的基板加熱裝置1的立體圖。 　　如圖1所示，基板加熱裝置1具備：腔室2、基板搬入搬出部24、減壓部3、氣體供給部4、氣體擴散部40(參照圖2)、電熱板5、紅外線加熱器6、位置調整部7、輸送部8、溫度檢測部9、氣體液化回收部11、紅外線反射部30、加熱單元80、隔熱構件26、殼體構件27及控制部15。控制部15總體控制基板加熱裝置1的構成要素。為了方便，在圖1中，以兩點鏈線示出腔室2的一部分(除了頂板21的一部分以外的部分)、基板搬入搬出部24及氣體供給部4。 ＜腔室＞ 　　腔室2能夠容納基板10、電熱板5及紅外線加熱器6。在腔室2的內部形成有能夠容納基板10的容納空間2S。基板10、電熱板5及紅外線加熱器6被容納於共用的腔室2。腔室2形成為長方體的箱狀。具體而言，腔室2由以下構件形成：矩形板狀的頂板21；矩形板狀的底板22，與頂板21對向；矩形框狀的周壁23，與頂板21及底板22的外周邊緣相連。例如，在周壁23的-X方向側設置基板搬入搬出口23a，用於相對於腔室2搬入以及搬出基板10。 　　腔室2構成為能夠以密閉空間容納基板10。例如，利用焊接等無間隙地結合頂板21、底板22及周壁23的各連接部，藉此能夠提高腔室2內的氣密性。 　　腔室2的內表面被做成將來自紅外線加熱器6的紅外線反射的腔室側反射面2a(參照圖2)。例如，腔室2的內表面被做成由鋁等的金屬形成的鏡面(反射面)。藉此，與使得腔室2的內表面能夠吸收紅外線的情況相比，能夠提高腔室2內的溫度均勻性。 　　腔室側反射面2a被設置於腔室2的內表面整體。腔室側反射面2a被實施了鏡面加工。具體而言，使得腔室側反射面2a的表面粗糙度(Ra)成為0.01μm左右、Rmax0.1μm左右。另外，利用東京精密社製的測量機器(Surfcom 1500SD2)測量腔室側反射面2a的表面粗糙度(Ra)。 ＜基板搬入搬出部＞ 　　基板搬入搬出部24被設置在周壁23的-X方向側。基板搬入搬出部24能夠將基板10搬入至到容納空間2S，並且能夠從容納空間2S排出基板10。例如，基板搬入搬出部24移動基板搬入搬出口23a，使其能夠開閉。具體而言，使得基板搬入搬出部24能夠在沿著周壁23的方向(Z方向或Y方向)上移動。 ＜減壓部＞ 　　減壓部3能夠將腔室2內減壓。減壓部3包含被連接於腔室2的真空管道3a。真空管道3a是在Z方向上延伸的圓筒狀的管道。例如，真空管道3a在X方向上隔開間隔配置有多個。為了方便，在圖1中僅示出1個真空管道3a。另外，真空管道3a的設置數量沒有被限定。 　　圖1所示的真空管道3a被連接於底板22的-X方向側的靠近基板搬入搬出口23a的部分。另外，真空管道3a的連接部位並不限定於底板22的-X方向側的靠近基板搬入搬出口23a附近的部分。真空管道3a只要被連接於腔室2即可。 　　例如，減壓部3具備泵機構等的減壓機構。減壓機構具備真空泵13。真空泵13被連接於在真空管道3a中、從與腔室2連接的連接部(上端部)相反側的部分(下端部)延伸的管線。 　　減壓部3能夠對基板10的容納空間2S的氣氛進行減壓，前述基板10塗佈有用於形成聚醯亞胺膜(聚醯亞胺)的溶液(以下稱作“聚醯亞胺形成用液”)。聚醯亞胺形成用液例如包含聚醯胺酸或聚醯亞胺粉末。聚醯亞胺形成用液僅被塗佈於呈矩形板狀的基板10的第一表面10a(上表面)。另外，溶液並不限定於聚醯亞胺形成用液。溶液只要是用於在基板10上形成規定的膜的溶液即可。 ＜氣體供給部＞ 　　氣體供給部4能夠調整腔室2的內部氣氛的狀態。氣體供給部4包含被連接於腔室2的氣體供給管道4a。氣體供給管道4a是在X方向上延伸的圓筒狀的管道。氣體供給管道4a被連接於周壁23的+X方向側的靠近頂板21的部分。另外，氣體供給管道4a的連接部位並不限定於周壁23的+X方向側的靠近頂板21的部分。氣體供給管道4a只要被連接於腔室2即可。 　　氣體供給部4可以藉由對容納空間2S供給惰性氣體來調整容納空間2S的狀態。氣體供給部4向腔室2內供給氮氣(N2 )、氦氣(He)、氬氣(Ar)等的惰性氣體。另外，也可以是，氣體供給部4藉由在基板降溫時供給氣體，將前述氣體用於基板冷卻。 　　藉由氣體供給部4能夠調整腔室2的內部氣氛的氧濃度。腔室2的內部氣氛的氧濃度(品質基準)較佳是越低越好。具體而言，較佳是使腔室2的內部氣氛的氧濃度設為100ppm以下，更較佳是設為20ppm以下。 　　例如，在如後述那樣將塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液固化時的氣氛中，藉由這樣使氧濃度成為較佳的上限以下，能夠容易地進行聚醯亞胺形成用液的固化。 ＜氣體擴散部＞ 　　如圖2所示，氣體供給管道4a的-X方向側突出至腔室2內。氣體擴散部40被連接於腔室2內的氣體供給管道4a的突出端。氣體擴散部40在腔室2內被配置在靠近頂板21的部分。氣體擴散部40在腔室2內被配置在紅外線加熱器6與輸送部8之間。氣體擴散部40使從氣體供給管道4a供給的惰性氣體朝向基板10擴散。 　　氣體擴散部40具備在X方向上延伸的圓筒狀的擴散管41、將擴散管41的-X方向端閉塞的蓋部42、和將擴散管41的+X方向端與氣體供給管道4a的-X方向端(突出端)連結的連結部43。擴散管41的外徑比氣體供給管道4a的外徑大。在擴散管41的-Z方向側(下側)形成有多個細孔(未圖示)。即，擴散管41的下部被做成多孔狀(多孔質體)。氣體供給管道4a的內部空間經由連結部43連通至擴散管41內。 　　從氣體供給管道4a供給的惰性氣體經由連結部43進入擴散管41內。進入到擴散管41內的惰性氣體通過形成於擴散管41的下部的多個細孔向下方擴散。即，從氣體供給管道4a供給的惰性氣體通過擴散管41，藉此朝向基板10擴散。 ＜電熱板＞ 　　如圖1所示，電熱板5被配置在腔室2內的下方。電熱板5是被配置在基板10的一側、並且為能夠加熱基板10的基板加熱部。電熱板5能夠將基板10以第一溫度加熱。電熱板5能夠階段性地加熱基板10。包含第一溫度的溫度範圍例如是20℃以上且300℃以下的範圍。電熱板5被配置在基板10的與第一表面10a相反側之第二表面10b(下表面)的一側。電熱板5被配置在腔室2的底板22一側。 　　電熱板5呈矩形板狀。電熱板5能夠從下方支承紅外線反射部30。 　　圖3是示出電熱板5及其周邊結構的側視圖。 　　如圖3所示，電熱板5具備作為加熱源的加熱器5b、和覆蓋加熱器5b的基體板5c。 　　加熱器5b是與XY平面平行的面狀發熱體。 　　基體板5c具備從上方覆蓋加熱器5b的上層板5d、和從下方覆蓋加熱器5b的下層板5e。上層板5d及下層板5e呈矩形板狀。上層板5d的厚度比下層板5e的厚度厚。 　　另外，在圖3中，附圖標記18與附圖標記19分別示出能夠檢測電熱板5中的加熱器的溫度的加熱器溫度檢測部與能夠檢測電熱板5中的上層板5d的溫度的板溫度檢測部。加熱器溫度檢測部18及板溫度檢測部19例如是熱電偶等的接觸式溫度感測器。 　　電熱板5(即上層板5d)具備能夠載置紅外線反射部30的載置面5a(上表面)。載置面5a呈沿著紅外線反射部30的背面的平坦面。載置面5a被實施了氧化鋁膜處理。載置面5a包含在載置面5a的面內劃分的多個(例如，在本實施方式中是4個)載置區域(在圖3中僅圖示了位於-Y方向側的2個載置區域A1、A2)。載置區域在俯視狀態下呈在X方向上具有長邊的長方形形狀。另外，載置區域的數量並不限定於4個，能夠進行適當變更。 ＜紅外線加熱器＞ 　　如圖1所示，紅外線加熱器6被配置在腔室2內的上方。紅外線加熱器6能夠利用紅外線加熱基板10。紅外線加熱器6是被配置在基板10的另一側、並且為能夠加熱基板10的基板加熱部。紅外線加熱器6能夠以比第一溫度高的第二溫度加熱基板10。紅外線加熱器6與電熱板5分別獨立地設置。紅外線加熱器6能夠階段性地加熱基板10。包含第二溫度的溫度範圍例如是200℃以上且600℃以下的範圍。紅外線加熱器6被配置在基板10的第一表面10a的一側。紅外線加熱器6被配置在腔室2的頂板21的一側。 　　紅外線加熱器6被頂板21支承。在紅外線加熱器6與頂板21之間，設有紅外線加熱器6的支承構件(未圖示)。紅外線加熱器6被固定在腔2內的靠近頂板21的固定位置。紅外線加熱器6的峰值波長範圍例如是1.0μm以上且4μm以下的範圍。另外，紅外線加熱器6的峰值波長範圍並不限於上述範圍，可以根據要求規範而設定為各種各樣的範圍。 ＜位置調整部＞ 　　位置調整部7被配置在腔室2的下方。位置調整部7能夠調整電熱板5及紅外線加熱器6和基板10的相對位置。位置調整部7具備移動部7a和驅動部7b。移動部7a是上下(Z方向)延伸的柱狀構件。移動部7a的上端被固定於電熱板5的下表面。驅動部7b能夠使移動部7a上下移動。移動部7a能夠使基板10在電熱板5與紅外線加熱器6之間移動。具體而言，移動部7a在基板10被紅外線反射部30支承的狀態下，藉由驅動部7b的驅動，使基板10上下移動(參照圖6及圖7)。 　　驅動部7b被配置在腔室2的外部。因此，即便假設隨著驅動部7b的驅動而產生了粒子，藉由將腔室2內做成密閉空間，也能夠避免粒子向腔室2內的侵入。 ＜輸送部＞ 　　輸送部8在腔室2內被配置在電熱板5與紅外線加熱器6之間。輸送部8能夠輸送基板10。在輸送部8上，形成有使得移動部7a能夠通過的通過部8h。輸送部8具備沿著基板10的輸送方向即X方向配置的多個輸送輥8a。 　　多個輸送輥8a遠離地配置周壁23的+Y方向側和-Y方向側。即，通過部8h是周壁23的+Y方向側的輸送輥8a與周壁23的-Y方向側的輸送輥8a之間的空間。 　　例如，在周壁23的+Y方向側及-Y方向側的各自一側，沿著X方向隔開間隔地配置有沿Y方向延伸的多個軸(未圖示)。各輸送輥8a在驅動機構(未圖示)的驅動下，繞各軸被驅動旋轉。 　　圖4是用於說明輸送輥8a、基板10及電熱板5的配置關係的圖。圖4對應於基板加熱裝置1(參照圖1)的俯視圖。為了方便，在圖4中以兩點鏈線示出腔室2。 　　在圖4中，附圖標記L1是周壁23的+Y方向側的輸送輥8a和周壁23的-Y方向側的輸送輥8a遠離的間隔(以下稱作“輥遠離間隔”)。此外，附圖標記L2是基板10的Y方向的長度(以下稱作“基板長度”)。此外，附圖標記L3是電熱板5的Y方向的長度(以下稱作“電熱板長度”)。另外，電熱板長度L3的長度與紅外線反射部30的Y方向的長度實質上相同。 　　如圖4所示，輥遠離間隔L1比基板長度L2小，且比電熱板長度L3大(L3＜L1＜L2)。由於輥遠離間隔L1比電熱板長度L3大，移動部7a能夠與電熱板5及紅外線反射部30一起通過通過部8h(參照圖6及圖7)。 ＜溫度檢測部＞ 　　如圖1所示，溫度檢測部9被配置在腔室2外。溫度檢測部9能夠檢測基板10的溫度。具體而言，溫度檢測部9被設置在頂板21的上部。在頂板21中安裝有未圖示的窗。溫度檢測部9越過頂板21的窗檢測基板10的溫度。溫度檢測部9例如是放射溫度計等的非接觸溫度感測器。另外，雖然在圖1中僅圖示了1個溫度檢測部9，但溫度檢測部9的數量並不限於1個，也可以是多個。例如，較佳是將多個溫度檢測部9配置在頂板21的中央部及四個角部。 ＜氣體液化回收部＞ 　　氣體液化回收部11被連接於減壓部3(真空泵13)的管線。氣體液化回收部11在減壓部3的管線中被配置在比真空泵13靠下游側。氣體液化回收部11將經過真空管道3a的氣體液化，並且能夠回收從塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發的溶媒。 　　假如在氣體液化回收部11在減壓部3的管線中被配置在比真空泵13靠上游側的情況下，存在在上游側液化的液體在下次減壓時被氣化的情況，抽真空時間有可能延遲。相對於此，根據本實施方式，藉由氣體液化回收部11在減壓部3的管線中被配置在比真空泵13靠下游側，在下游側液化的液體在下次減壓時不會被氣化，因此能夠避免抽真空時間的延遲。 ＜擺動部＞ 　　另外，基板加熱裝置1也可以還具備能夠擺動基板10的擺動部(未圖示)。在基板10被加熱的狀態下，擺動部例如使基板10在沿著XY平面的方向或沿著Z方向的方向上擺動。藉此，能夠一邊使基板10擺動一邊加熱，因此能夠提高基板10的溫度均勻性。 　　擺動部例如也可以被設置於位置調整部7。另外，擺動部的配置位置沒有被限定。 ＜紅外線反射部＞ 　　紅外線反射部30具備電熱板側反射面30a，前述電熱板側反射面30a將從紅外線加熱器6朝向電熱板5的紅外線反射。電熱板側反射面30a被配置在電熱板5與紅外線加熱器6之間。 　　電熱板側反射面30a被實施了鏡面加工。具體而言，電熱板側反射面30a的表面粗糙度(Ra)被設為0.01μm左右、Rmax0.1μm左右。另外，利用東京精密社製的測量機器(Surfcom 1500SD2)測量電熱板側反射面30a的表面粗糙度(Ra)。 　　如圖3所示，在電熱板側反射面30a上設置有能夠支承基板10的多個(在圖3中僅圖示了位於-Y方向側的10個)基板支承凸部35(在圖1中省略圖示)。基板支承凸部35是圓柱狀的銷。另外，基板支承凸部35並不限定於圓柱狀。例如，基板支承凸部35也可以是陶瓷球等的球狀體。此外，基板支承凸部35也可以是棱柱狀，能夠進行適當變更。 　　在電熱板側反射面30a的面內，在X方向及Y方向隔開一定的間隔地配置有多個基板支承凸部35。例如，基板支承凸部35的配置間隔被設為50mm左右。基板支承凸部35的高度例如被設為0.1mm左右。例如，基板支承凸部35的高度能夠在0.05mm～3mm的範圍內調整。另外，基板支承凸部35的配置間隔、基板支承凸部35的高度並不限定於上述尺寸，在電熱板側反射面30a與基板10之間形成了間隙的狀態下，在能夠支承基板10的範圍內可以適當變更。 　　紅外線反射部30具備被按照多個(例如，在本實施方式中是4個)載置區域(在圖3中僅圖示了位於-Y方向側的2個載置區域A1、A2)分割的多個(例如，在本實施方式中是4個)紅外線反射板(在圖3中僅圖示了位於-Y方向側的2個紅外線反射板31、32)。另外，紅外線反射板的數量並不限定於4個，可以適當變更。例如，紅外線反射板也可以僅是1個。 　　多個紅外線反射板為相互實質上相同的大小。藉此，能夠共用載置在各載置區域的紅外線反射板。另外，紅外線反射板的大小也可以相互不同，能夠進行適當變更。 　　相鄰的2個紅外線反射板31、32被隔開間隔S1而配置。間隔S1被設為能夠容許相鄰的2個紅外線反射板31、32的熱膨脹的大小。具體而言，在X方向上相鄰的2個紅外線反射板31、32的間隔S1被設為能夠吸收紅外線反射板31、32向X方向的膨脹的大小。另外，雖然沒有圖示，但在Y方向上相鄰的2個紅外線反射板的間隔被設為能夠吸收紅外線反射板向Y方向的膨脹的大小。 　　另外，紅外線反射板的配置結構並不限於上述結構。例如，也可以利用施力構件從側面推壓固定紅外線反射板。例如，作為施力構件，可使用能夠吸收紅外線反射板的膨脹地來伸縮的彈簧。 　　此外，在將紅外線反射部30做成1張G6尺寸(縱150cm×橫185cm)以上的板構件的情況下，也可以利用彈簧等的施力構件從側面推壓固定前述板構件。另外，如果前述板構件是G6尺寸以上，則即使是1張前述板構件，也有相當大的重量。但是，藉由利用彈簧等的施力構件從側面推壓固定前述板構件，能夠容易地固定前述板構件。 ＜電熱板與紅外線反射部的拆裝結構＞ 　　雖然沒有圖示，但在電熱板5與紅外線反射部30之間，設有能夠將紅外線反射部30相對於電熱板5拆裝的拆裝結構。 　　例如，拆裝結構具備從載置面5a突出的突出部與形成於紅外線反射部30、並且供前述突出部插入的插入部。另外，拆裝結構也可以具備從紅外線反射部30的下表面突出的凸部、與形成於載置面5a並且供前述凸部插入的凹部。 ＜冷卻機構＞ 　　如圖3所示，基板加熱裝置1還具備能夠冷卻電熱板5的冷卻機構50。 　　冷卻機構50具備冷媒通過部51，前述冷媒通過部51被配置在電熱板5的內部，並且能夠使冷媒通過。冷媒例如是空氣。另外，冷媒並不限定於空氣等的氣體。冷媒例如也可以是水等的液體。 　　冷媒通過部51具備多條冷卻通路，前述多條冷卻通路在與載置面5a平行的一方向上延伸，並且排列在與載置面5a平行且在與前述一方向交叉的方向上。即，冷媒通過部51具備在X方向上延伸並且在Y方向上排列的多個冷卻通路。 　　冷媒通過部51還具備在電熱板5的一端側和另一端側、連結於多個冷卻通路的冷卻歧管52、53。冷卻歧管52、53具備：第一歧管52，在電熱板5的-X方向側被連結於多個冷卻通路；第二歧管53，在加熱部的+X方向側被連結於多個冷卻通路。 　　第一歧管52具備第一連結通路52a，前述第一連結通路52a在Y方向上延伸以連結多個冷卻通路的-X方向的一端。在第一歧管52中設置有連接於第一連結通路52a的第一管道54。 　　第二歧管53具備第二連結通路53a，前述第二連結通路53a在Y方向上延伸以連結多個冷卻通路的+X方向的一端。在第二歧管53中設置有連接於第二連結通路53a的第二管道55。 　　例如，空氣藉由未圖示的送風機被導入至第一管道54的內部空間。藉此，來自送風機的空氣經過第一管道54、第一連結通路52a分別朝向多個冷卻通路的+X方向側流動後，經過第二連結通路53a、第二管道55被排出至外部。 　　另外，並不限於使用送風機進行空氣的導入，也可以利用乾空氣的壓縮空氣進行空氣的導入。 ＜加熱單元＞ 　　如圖2所示，加熱單元80具備腔室加熱部81、真空管道加熱部82、氣體供給管道加熱部83及基板搬入搬出部加熱部84。例如，加熱單元80作為各構成要素的加熱構件而包含具有撓性的面狀發熱體。例如，面狀發熱體是橡膠加熱器。另外，加熱構件並不限於橡膠加熱器，也可以是電熱板，也可以是橡膠加熱器與電熱板的組合，能夠進行適當變更。 　　加熱單元80能夠將腔室加熱部81、真空管道加熱部82、氣體供給管道加熱部83及基板搬入搬出部加熱部84的至少一個選擇性地加熱。控制部15(參照圖1)控制加熱單元80，選擇性地加熱腔室加熱部81、真空管道加熱部82、氣體供給管道加熱部83及基板搬入搬出部加熱部84的至少一個。例如，在真空管道3a的內表面要降溫那樣的情況下，控制部15控制加熱單元80，選擇性地加熱真空管道加熱部82。 ＜腔室加熱部＞ 　　腔室加熱部81能夠將腔室2的內表面的至少一部分加熱。在實施方式中，腔室加熱部81僅被配置在腔室2的周壁23。腔室加熱部81是沿著腔室2的周壁23的外表面的面狀發熱體。在實施方式中，腔室加熱部81覆蓋腔室2的周壁23的外表面整體。例如，在使腔室加熱部81包覆腔室2的周壁23的外表面整體的狀態下加熱腔室2的周壁23，藉此能夠提高腔室2的周壁23的內表面的溫度的面內均勻性。 　　例如，腔室加熱部81能夠進行加熱，以使腔室2的周壁23的內表面的溫度成為40℃以上且150℃以下的範圍。在基板10上塗佈了聚醯亞胺形成溶液的情況下，從抑制昇華物附著在腔室2的周壁23的內表面上的觀點來看，較佳是將腔室2的周壁23的內表面的溫度設定在75℃以上且105℃以下的範圍，特別較佳是設定為90℃。另外，腔室2的周壁23的內表面的溫度並不限於上述範圍，只要在能夠抑制腔室2的容納空間2S中的氣體被腔室2的周壁23的內表面冷卻而成為昇華物的範圍內設定即可。 ＜真空管道加熱部＞ 　　真空管道加熱部82能夠加熱真空管道3a的內表面的至少一部分。在實施方式中，真空管道加熱部82是沿著真空管道3a的外表面的面狀發熱體。在實施方式中，真空管道加熱部82將真空管道3a的外表面整體覆蓋。例如，在使真空管道加熱部82包覆真空管道3a的外表面整體的狀態下加熱真空管道3a，藉此能夠提高真空管道3a的內表面的溫度的面內均勻性。 ＜氣體供給管道加熱部＞ 　　氣體供給管道加熱部83能夠加熱氣體供給管道4a的內表面的至少一部分。在實施方式中，氣體供給管道加熱部83是沿著氣體供給管道4a的外表面的面狀發熱體。在實施方式中，氣體供給管道加熱部83將氣體供給管道4a的外表面整體覆蓋。例如，在使氣體供給管道加熱部83包覆氣體供給管道4a的外表面整體的狀態下加熱氣體供給管道4a，藉此能夠提高氣體供給管道4a的內表面的溫度的面內均勻性。 ＜基板搬入搬出部加熱部＞ 　　基板搬入搬出部加熱部84能夠加熱基板搬入搬出部24的至少一部分。在實施方式中，基板搬入搬出部加熱部84是沿著基板搬入搬出部24的外表面的面狀發熱體。在實施方式中，基板搬入搬出部加熱部84將基板搬入搬出部24的外表面整體覆蓋。 ＜隔熱構件＞ 　　隔熱構件26從腔室2的外側覆蓋腔室加熱部81的至少一部分。在實施方式中，隔熱構件26具備腔室隔熱構件26a、真空管道隔熱構件26b、氣體供給管道隔熱構件26c及基板搬入搬出部隔熱構件26d。隔熱構件26例如包含覆蓋各構成要素的加熱部的隔熱材料。例如，隔熱材料是發泡類隔熱材料。另外，隔熱材料並不限於發泡類隔材料，也可以是纖維類隔熱材料，也可以是使空氣夾在多層玻璃板的間隙中的結構，能夠進行適當變更。 　　在實施方式中，腔室隔熱構件26a覆蓋腔室加熱部81的外表面整體。真空管道隔熱構件26b覆蓋真空管道加熱部82的外表面整體。氣體供給管道隔熱構件26c覆蓋氣體供給管道加熱部83的外表面整體。基板搬入搬出部隔熱構件26d覆蓋基板搬入搬出部加熱部84的外表面整體。 ＜殼體構件＞ 　　殼體構件27從腔室2的外側覆蓋隔熱構件26的至少一部分。在實施方式中，殼體構件27具備腔室殼體構件27a、真空管道殼體構件27b、氣體供給管道殼體構件27c及基板搬入搬出部殼體構件27d。殼體構件27例如包含將各構成要素的隔熱構件覆蓋的保護材料。保護材料例如是金屬製的保護材料。另外，保護材料並不限於金屬製的，也可以是樹脂製的，能夠進行適當變更。 　　在實施方式中，腔室殼體構件27a覆蓋腔室隔熱構件26a的外表面整體。真空管道殼體構件27b覆蓋真空管道隔熱構件26b的外表面整體。氣體供給管道殼體構件27c覆蓋氣體供給管道隔熱構件26c的外表面整體。基板搬入搬出部殼體構件27d覆蓋基板搬入搬出部隔熱構件26d的外表面整體。 ＜基板加熱方法＞ 　　接著對本實施方式的基板加熱方法進行說明。在本實施方式中，使用上述的基板加熱裝置1將基板10加熱。藉由控制部15控制在基板加熱裝置1的各構件中進行的動作。 　　圖5是用於說明第一實施方式的基板加熱裝置1的動作的一例的圖。圖6是接著圖5的、第一實施方式的基板加熱裝置1的動作說明圖。圖7是接著圖6的、第一實施方式的基板加熱裝置1的動作說明圖。 　　為了方便，在圖5～圖7中，省略了基板加熱裝置1的構成要素之中的基板搬入搬出部24、減壓部3、氣體供給部4、氣體擴散部40、溫度檢測部9、氣體液化回收部11、冷卻機構50、加熱單元80、隔熱構件26、殼體構件27及控制部15的圖示。 　　本實施方式的基板加熱方法包含容納工序、減壓工序、基板加熱工序及腔室加熱工序。 　　如圖5所示，在容納工序中，將塗佈了聚醯亞胺形成用液的基板10容納至腔室2的內部的容納空間2S。 　　在減壓工序中，對容納空間2S的氣氛進行減壓。 　　在減壓工序中，基板10被配置在輸送輥8a上。此外，在減壓工序中，電熱板5位於底板22附近。在減壓工序中，電熱板5及基板10以電熱板5的熱量不會傳遞至基板10的程度遠離。在減壓工序中，接通電熱板5的電源。電熱板5的溫度例如為250℃左右。另一方面，在減壓工序中，斷開紅外線加熱器6的電源。 　　在減壓工序中，使基板10的容納空間2S的氣氛從大氣壓減壓到500Pa以下。例如，在減壓工序中，使腔室內壓力從大氣壓逐漸下降到20Pa。 　　在減壓工序中，使腔室2的內部氣氛的氧濃度盡可能變低。例如，在減壓工序中，使腔室2內的真空度成為20Pa以下。藉此，能夠使腔室2內的氧濃度成為100ppm以下。 　　在減壓工序後，在基板加熱工序中，使用配置在基板10的一側的電熱板5和配置在基板10的另一側的紅外線加熱器6將基板10加熱。 　　基板加熱工序包含第一加熱工序及第二加熱工序。 　　在減壓工序後，在第一加熱工序中，將基板10以第一溫度加熱。 　　如圖6所示，在第一加熱工序中，使電熱板5向上方移動，使基板10載置在紅外線反射部30的電熱板側反射面30a。具體而言，使基板10支承於設置在電熱板側反射面30a的基板支承凸部35(參照圖3)。藉此，因為電熱板側反射面30a接近於基板10的第二表面10b，所以電熱板5的熱量經由紅外線反射部30傳遞給基板10。電熱板5的溫度例如在第一加熱工序中維持在250℃。因此，基板溫度能夠上升到250℃。另一方面，在第一加熱工序中，紅外線加熱器6的電源一直處於斷開狀態。 　　另外，在第一加熱工序中，電熱板5位於通過部8h(參照圖1)內。為了方便，在圖6中，將移動前(減壓工序時的位置)的電熱板5用兩點鏈線示出，將移動後(第一加熱工序時的位置)的電熱板5用實線示出。 　　在第一加熱工序中，在保持著減壓工序的氣氛的狀態下，在基板溫度從150℃到300℃的範圍中，將基板10加熱直到塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液揮發或醯亞胺化。例如，在第一加熱工序中，將加熱基板10的時間設為10min以下。具體而言，在第一加熱工序中，將加熱基板10的時間設為3min。例如，在第一加熱工序中，使基板溫度從25℃緩慢地上升到250℃。 　　在第一加熱工序之後，在第二加熱工序中，以比第一溫度高的第二溫度將基板10加熱。在第二加熱工序中，使用與在第一加熱工序中使用的電熱板5分別獨立地設置的紅外線加熱器6將基板10加熱。 　　如圖7所示，在第二加熱工序中，使電熱板5移動到比第一加熱工序時的位置的更上方，使基板10接近紅外線加熱器6。例如，在第二加熱工序中，電熱板5的溫度維持在250℃。此外，在第二加熱工序中，接通紅外線加熱器6的電源。例如，紅外線加熱器6能夠以450℃對基板10進行加熱。因此，使得基板溫度能夠上升到450℃。在第二加熱工序中，由於基板10比第一加熱工序時更接近紅外線加熱器6，所以紅外線加熱器6的熱量被充分地傳遞給基板10。 　　另外，在第二工序中，電熱板5位於輸送輥8a(圖1所示的通過部8h)的上方且紅外線加熱器6的下方。為了方便，在圖7中，將移動前(第一加熱工序時的位置)的電熱板5用兩點鏈線示出，將移動後(第二加熱工序時的位置)的電熱板5用實線示出。 　　在第二加熱工序中，在保持著減壓工序的氣氛的狀態下，將基板10加熱直到基板溫度從第一加熱工序的溫度變為600℃以下。例如，在第二加熱工序中，使基板溫度從250℃急劇地上升到450℃。此外，在第二加熱工序中，將腔室內壓力維持為20Pa以下。 　　在第二加熱工序中，使用配置在電熱板5與紅外線加熱器6之間的電熱板側反射面30a反射朝向電熱板5的紅外線。藉此，能夠避免紅外線被電熱板5吸收。另外，藉由電熱板側反射面30a被反射的紅外線的至少一部分被基板10吸收。 　　此外，在第二加熱工序中，紅外線在設置在腔室2的內表面上的腔室側反射面2a處被反射。藉此，能夠提高腔室2內的溫度均勻性。另外，由腔室側反射面2a反射的紅外線的至少一部分被基板10吸收。 　　此外，在第二加熱工序中，將電熱板5冷卻。例如，在第二加熱工序中，使冷媒(空氣)通過到配置在加熱部的內部中的冷媒通過部51中(參照圖3)。 　　第二加熱工序包含使基板10冷卻的冷卻工序。例如，在冷卻工序中，在保持著減壓工序的氣氛或低氧氣氛的狀態下，將基板10冷卻直到基板溫度從第二加熱工序的溫度成為能夠輸送基板10的溫度。在冷卻工序中，斷開紅外線加熱器6的電源。 　　藉由經過以上的工序，進行塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液的揮發或醯亞胺化，並且進行塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時的分子鏈的再排列，能夠形成聚醯亞胺膜。 　　在實施方式中，從抑制腔室2的容納空間2S中的氣體被腔室2的內表面冷卻而成為昇華物的觀點，進行以下的腔室加熱工序。 　　在腔室加熱工序中，將腔室2的內表面的至少一部分加熱。在實施方式中，在腔室加熱工序中，使用配置在腔室2的周壁23的腔室加熱部81，將腔室2的周壁23的內表面加熱(參照圖2)。例如，在腔室加熱工序中，進行加熱，以使腔室2的周壁23的內表面的溫度成為40℃以上且150℃以下的範圍。例如，至少在基板加熱工序的期間始終進行腔室加熱工序。 　　實施方式的基板加熱方法還包含真空管道加熱工序、氣體供給管道加熱工序及基板搬入搬出部加熱工序。 　　在真空管道加熱工序中，將連接到腔室2的真空管道3a的內表面的至少一部分加熱。在實施方式中，在真空管道加熱工序中，使用覆蓋真空管道3a的外表面的真空管道加熱部82，將真空管道3a的內表面加熱(參照圖2)。例如，至少在基板加熱工序的期間始終進行真空管道加熱工序。 　　在氣體供給管道加熱工序中，將氣體供給管道4a的內表面的至少一部分加熱。在實施方式中，在氣體供給管道加熱工序中，使用覆蓋氣體供給管道4a的外表面的氣體供給管道加熱部83，將氣體供給管道4a的內表面加熱(參照圖2)。例如，至少在基板加熱工序的期間始終進行氣體供給管道加熱工序。 　　在基板搬入搬出部加熱工序中，能夠將基板搬入搬出部24的至少一部分加熱。在實施方式中，在基板搬入搬出部加熱工序中，使用覆蓋基板搬入搬出部24的外表面的基板搬入搬出部加熱部84，將基板搬入搬出部24加熱(參照圖2)。例如，至少在基板加熱工序的期間始終進行基板搬入搬出部加熱工序。 　　如以上這樣，根據本實施方式，藉由包含能夠加熱腔室2的內表面的至少一部分的腔室加熱部81，能夠抑制腔室2的內表面的降溫。因此，能夠抑制腔室2的容納空間2S中的氣體被腔室2的內表面冷卻而成為固體的堆積物(昇華物)。因而，能夠抑制昇華物附著在腔室2的內表面上。 　　此外，腔室2包含將基板10的周圍覆蓋的周壁23，藉由將腔室加熱部81至少配置在周壁23，能夠抑制腔室2的周壁23的內表面的降溫。因此，能夠抑制腔室2的容納空間2S中的氣體被腔室2的周壁23的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在腔室2的周壁23的內表面上。 　　此外，減壓部3包含連接於腔室2的真空管道3a，藉由還包含能夠將真空管道3a的內表面的至少一部分加熱的真空管道加熱部82，能夠抑制真空管道3a的內表面的降溫。因此，能夠抑制經過真空管道3a的氣體被真空管道3a的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在真空管道3a的內表面上。 　　此外，基板加熱部包含藉由紅外線能夠加熱基板10的紅外線加熱器6，藉由將腔室2的內表面的至少一部分做成將紅外線反射的腔室側反射面2a，取得以下的效果。由於被腔室側反射面2a反射的紅外線的至少一部分被基板10吸收，所以能夠促進基板10的加熱。另一方面，基於由腔室側反射面2a反射的紅外線引起的基板10的溫度上升量，能夠降低紅外線加熱器6的輸出。另外，如果是用烤爐使熱風循環而將基板加熱的方式，則存在異物藉由熱風的循環在基板的容納空間中被揚起的可能性。相對於此，根據該構成，由於能夠在使基板10的容納空間2S的氣氛減壓的狀態下對基板10進行加熱，所以異物不會在基板10的容納空間2S中被捲起。因而，在抑制異物附著在腔室2的內表面或基板10上的方面是較佳的。 　　此外，還包含：氣體供給部4，可以藉由將惰性氣體供給至容納空間2S來調整容納空間2S的狀態；氣體擴散部40，將從氣體供給部4供給的惰性氣體朝向基板10擴散，因此取得以下的效果。 　　如果是將惰性氣體朝向腔室的周壁的內表面噴射的構成，則由於惰性氣體在碰撞到腔室的周壁的內表面上之後在腔室內對流，存在異物在基板的容納空間中被揚起的可能性。相對於此，根據該構成，由於惰性氣體朝向基板10擴散，所以能夠抑制惰性氣體在腔室2內對流，避免異物在基板10的容納空間2S中被捲起。因而，在抑制異物附著在腔室2的內表面或基板10上的方面是較佳的。 　　此外，氣體供給部4包含連接於腔室2的氣體供給管道4a，藉由還包含能夠將氣體供給管道4a的內表面的至少一部分加熱的氣體供給管道加熱部83，能夠抑制氣體供給管道4a的內表面的降溫。因此，能夠抑制經過氣體供給管道4a的氣體被氣體供給管道4a的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在氣體供給管道4a的內表面上。 　　此外，還具備能夠將基板10相對於容納空間2S搬入及排出的基板搬入搬出部24、和能夠將基板搬入搬出部24的至少一部分加熱的基板搬入搬出部加熱部84，藉此能夠抑制基板搬入搬出部24的降溫。因此，能夠抑制經過基板搬入搬出口23a的氣體被基板搬入搬出部24冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在基板搬入搬出部24上。 　　此外，藉由還具備從腔室2的外側覆蓋腔室加熱部81的至少一部分的隔熱構件26，能夠抑制熱向腔室2外側的移動，所以能夠藉由腔室加熱部81而高效地加熱腔室2的內表面。 　　此外，藉由還具備從腔室2的外側覆蓋隔熱構件26的至少一部分的殼體構件27，能夠保護腔室加熱部81及隔熱構件26，所以能夠藉由腔室加熱部81而穩定且高效地加熱腔室2的內表面。 　　此外，減壓部3包含連接於腔室2的真空管道3a，本發明還具備氣體液化回收部11，前述氣體液化回收部11使經過真空管道3a的氣體液化，並且能夠將從塗佈於前述基板的前述溶液揮發的溶媒回收，藉此取得以下的效果。由於能夠將經過真空管道3a的氣體液化，所以能夠防止經過真空管道3a的氣體逆流至腔室2內。此外，由於能夠將從塗佈在基板10上的聚醯亞胺形成用液揮發的溶媒回收，所以能夠防止從聚醯亞胺形成用液揮發的溶媒向工廠側排出。此外，在將氣體液化回收部11連接於減壓部3(真空泵13)的管線的情況下，能夠防止從聚醯亞胺形成用液揮發的溶媒再次液化而逆流至真空泵13內。進而，能夠將從聚醯亞胺形成用液揮發的溶媒作為清洗液再利用。例如，清洗液可以用於噴嘴前端的清洗、附著於刮取構件的液體的清洗等，前述刮取構件對附著在噴嘴上的液體進行刮取。 　　另外，在氣體液化回收部11在減壓部3的管線中被配置在比真空泵13靠上游側的情況下，存在在上游側液化的液體在下次減壓時被氣化的情況，抽真空時間有可能延遲。相對於此，根據本實施方式，藉由將氣體液化回收部11在減壓部3的管線中配置在比真空泵13靠下游側，在下游側液化的液體在下次減壓時不會被氣化，因此能夠避免抽真空時間的延遲。 　　此外，基板加熱部包含配置在基板10的一側的電熱板5、和配置在基板10的另一側並且能夠將基板10用紅外線加熱的紅外線加熱器6，因此取得以下的效果。 　　如果是用烤爐使熱風循環從而加熱基板的方式，則存在異物藉由熱風的循環而在基板的容納空間中被揚起的可能性。相對於此，根據該構成，由於能夠在使基板10的容納空間2S為氣氛減壓狀態下將基板10加熱，所以異物不會在基板10的容納空間2S中被捲起。因而，在抑制異物附著在腔室2的內表面或基板10的方面是較佳的。此外，由於藉由配置在基板10的一側的電熱板5使基板10的加熱溫度在基板10的面內均勻化，所以能夠提高膜特性。例如，在使電熱板5的一表面與基板10的第二表面10b抵接的狀態下將基板加熱，藉此能夠提高基板10的加熱溫度的面內均勻性。 　　此外，腔室2包含配置在基板10的一側的底板22、配置在基板10的另一側並與底板22對向的頂板21、和與頂板21及底板22的外周邊緣相連的周壁23，電熱板5被配置在底板22側，紅外線加熱器6被配置在頂板21側，腔室加熱部81至少被配置在周壁23上，藉此取得以下的效果。藉由電熱板5，能夠抑制腔室2的底板22的內表面的降溫。此外，藉由紅外線加熱器6，能夠抑制腔室2的頂板21的內表面的降溫。此外，藉由腔室加熱部81，能夠抑制腔室2的周壁23的內表面的降溫。即，能夠抑制腔室2整體的內表面的降溫。因此，能夠抑制腔室2的容納空間2S中的氣體被腔室2整體的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在腔室2整體的內表面上。此外，由於腔室加熱部81僅被配置在腔室2的周壁23上，所以與腔室加熱部81還被配置在頂板21及底板22上的情況相比，能夠用簡單的構成抑制昇華物附著在腔室2整體的內表面上。另外，由於在腔室的頂板配置有紅外線加熱器的支承構件等，所以腔室加熱部在被配置在腔室的頂板的情況下受到佈局上的制約。相對於此，根據該構成，由於腔室加熱部81僅被配置在腔室2的周壁23上，所以不會受到前述佈局上的制約。 　　此外，還包含：氣體供給部4，可以藉由將惰性氣體供給至容納空間2S來調整容納空間2S的狀態；氣體擴散部40，將從氣體供給部4供給的惰性氣體朝向基板10擴散，氣體供給部4包含連接於周壁23中的頂板21一側的氣體供給管道4a，藉此取得以下的效果。 　　如果是將惰性氣體朝向腔室的周壁的內表面噴射的構成，則惰性氣體在碰撞到腔室的周壁的內表面上之後在腔室內對流，藉此異物有可能在基板的容納空間中被揚起。相對於此，根據該構成，由於惰性氣體朝向基板10擴散，所以能夠抑制惰性氣體在腔室2內對流，避免異物被捲入至基板10的容納空間2S。因而，在抑制異物附著在腔室2的內表面或基板10上的方面是較佳的。另外，由於在腔室的頂板配置有紅外線加熱器的支承構件等，所以氣體供給管道在被連接於腔室的頂板的情況下受到佈局上的制約。相對於此，根據該構成，由於氣體供給管道4a被連接於腔室2的周壁23，所以不會受到前述佈局上的制約。此外，氣體供給管道4a被連接在腔室2的周壁23中靠頂板21一側，藉此惰性氣體容易從頂板21一側朝向基板10更廣泛地擴散，所以能夠更有效地抑制惰性氣體在腔室2內對流，更有效地避免異物被捲入至基板10的容納空間2S中。 　　此外，還包含被配置在電熱板5與紅外線加熱器6之間、並且具有將朝向電熱板5的紅外線反射的電熱板側反射面30a的紅外線反射部30，電熱板5包含能夠載置紅外線反射部30的載置面5a，藉此取得以下的效果。根據該構成，藉由包含被配置在電熱板5與紅外線加熱器6之間並且將朝向電熱板5的紅外線反射的電熱板側反射面30a，能夠避免紅外線被電熱板5吸收，所以能夠抑制紅外線引起的電熱板5的升溫。因此，無需考慮由紅外線導致電熱板5升溫而帶來的電熱板5的降溫時間。因而，能夠縮短電熱板5的降溫所需的週期時間。此外，由於被電熱板側反射面30a反射的紅外線的至少一部分被基板10吸收，所以能夠促進基板10的加熱。另一方面，基於由被電熱板側反射面30a反射的紅外線引起的基板10的溫度上升量，能夠降低紅外線加熱器6的輸出。此外，電熱板5包含能夠載置紅外線反射部30的載置面5a，因此在將基板10的容納空間的氣氛減壓成為真空狀態的情況下，能夠將電熱板5中的載置面5a與紅外線反射部30之間真空隔熱。即，能夠使載置面5a與紅外線反射部30的界面中的間隙作為隔熱層發揮功能。因此，能夠抑制紅外線引起的電熱板5的升溫。另一方面，在將氮氣供給(N2 驅氣)至基板10的容納空間的情況下，能夠解除載置面5a與紅外線反射部30之間的真空隔熱。因此，能夠推測當電熱板5降溫時，紅外線反射部30也在降溫。 　　此外，聚醯亞胺形成用液僅被塗佈於基板10的第一表面10a，電熱板5被配置在與基板10的與第一表面10a相反一側之第二表面10b的一側，藉此取得以下的效果。由於從電熱板5發出的熱被從基板10的第二表面10b側朝向第一表面10a的一側傳遞，所以能夠有效地加熱基板10。此外，在用電熱板5加熱基板10的期間，能夠高效地進行被塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液的揮發或醯亞胺化(例如，成膜中的排氣)。 　　此外，電熱板5及紅外線加熱器6的兩者能夠階段性地加熱基板10，藉此取得以下的效果。與電熱板5及紅外線加熱器6僅能在恒定的溫度下加熱基板的情況相比，能夠高效地加熱基板10，以便適合於塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液的成膜條件。因而，能夠使塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液階段性地乾燥而使其良好地固化。 　　此外，還包含位置調整部7，前述位置調整部7能夠調整電熱板5及紅外線加熱器6與基板10的相對位置，因此與不具備前述位置調整部7的情況相比，容易調整基板10的加熱溫度。例如，在使基板10的加熱溫度變高的情況下能夠使電熱板5及紅外線加熱器6接近基板10，在使基板10的加熱溫度變低的情況下能夠使電熱板5及紅外線加熱器6遠離基板10。因而，容易階段性地加熱基板10。 　　此外，位置調整部7包含能夠使基板10在電熱板5與紅外線加熱器6之間移動的移動部7a，藉此取得以下的效果。藉由使基板10在電熱板5與紅外線加熱器6之間移動，在將電熱板5及紅外線加熱器6的至少一方配置在固定位置的狀態下，能夠調整基板10的加熱溫度。因而，無需另外設置能夠使電熱板5及紅外線加熱器6的至少一方移動的裝置，因此能夠以簡單的構成調整基板10的加熱溫度。 　　此外，在電熱板5與紅外線加熱器6之間設置有能夠輸送基板10的輸送部8，在輸送部8中形成有能夠使移動部7a通過的通過部8h，藉此取得以下的效果。在使基板10在電熱板5與紅外線加熱器6之間移動的情況下，能夠使移動部7a在通過部8h中通過，所以無需使基板10繞過輸送部8地移動。因而，無需另外設置用於使基板10繞過輸送部8而移動的裝置，所以能夠以簡單的構成順暢地進行基板10的移動。 　　此外，還包含能夠檢測基板10的溫度的溫度檢測部9，藉此能夠即時地掌握基板10的溫度。例如，藉由基於溫度檢測部9的檢測結果將基板10加熱，能夠抑制基板10的溫度偏離目標值。 　　此外，藉由基板10及基板加熱部5、6被共用的腔室2容納，能夠在共用的腔室2內一併進行由基板加熱部5、6對基板10所進行的加熱處理。例如，能夠在共用的腔室2內一併進行由電熱板5對基板10所進行的加熱處理與由紅外線加熱器6對基板10所進行的加熱處理。即，無需如電熱板5及紅外線加熱器6被容納於相互不同的腔室2的情況那樣、用於使基板10在不同的2個腔室2之間輸送的時間。因而，能夠更進一步高效地進行基板10的加熱處理。此外，與具備不同的2個腔室2的情況相比，能夠使裝置整體小型化。 　　此外，包含能夠容納基板10、電熱板5及紅外線加熱器6的腔室2，藉此能夠在腔室2內管理基板10的加熱溫度，因此能夠有效地加熱基板10。此外，由於能夠在腔室2內管理電熱板5的溫度，所以能夠將電熱板5有效地降溫。 　　此外，紅外線加熱器6被配置在基板10的第一表面10a的一側，藉此從紅外線加熱器6發出的熱從基板10的第一表面10a的一側朝向第二表面10b一側傳遞，因此由電熱板5進行的加熱和由紅外線加熱器6進行的加熱相輔相成，能夠更進一步有效地加熱基板10。 　　此外，藉由紅外線加熱器6的紅外線加熱，能夠在短時間內將基板10升溫到第二溫度。此外，由於能夠在使紅外線加熱器6與基板10遠離的狀態下將基板10加熱(所謂的非接觸加熱)，所以能夠保持基板10的清潔(進行所謂的清潔加熱)。 　　此外，因為紅外線加熱器的峰值波長範圍是1.0μm以上且4μm以下的範圍，而1.0μm以上且4μm以下的範圍的波長與玻璃及水等的吸收波長一致，所以能夠更進一步有效地加熱基板10及塗布於基板10的聚醯亞胺形成用液。 　　此外，藉由在腔室加熱工序中加熱腔室2的內表面的至少一部分，能夠抑制腔室2的內表面的降溫。因此，能夠抑制腔室2的容納空間2S中的氣體被腔室2的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在腔室2的內表面上。 　　此外，還具備真空管道加熱工序，前述真空管道加熱工序將連接於腔室2的真空管道3a的內表面的至少一部分加熱，藉此能夠抑制真空管道3a的內表面的降溫。因此，能夠抑制經過真空管道3a的氣體被真空管道3a的內表面冷卻而成為昇華物。因而，能夠抑制昇華物附著在真空管道3a的內表面上。 　　此外，在第二加熱工序中，使用配置在電熱板5與紅外線加熱器6之間的電熱板側反射面30a，反射朝向電熱板5的紅外線，藉此能夠避免紅外線被電熱板5吸收，因此能夠抑制紅外線引起的電熱板5的升溫。因此，無需考慮由於紅外線引起的電熱板5升溫而帶來的加熱部5的降溫時間。因而，能夠縮短電熱板5的降溫所需的週期時間。此外，由於被電熱板側反射面30a反射的紅外線的至少一部分被基板10吸收，所以能夠促進基板10的加熱。另一方面，根據藉由電熱板側反射面30a反射的紅外線引起的基板10的溫度上升量，能夠降低紅外線加熱器6的輸出。 　　此外，藉由在第二加熱工序中冷卻電熱板5，與在第二加熱工序之後冷卻電熱板5的情況相比，能夠在短時間內對電熱板5進行降溫。因而，能夠更進一步地縮短電熱板5的降溫所需的週期時間。 (第二實施方式) 　　接著，使用圖8～圖11對本發明的第二實施方式進行說明。 　　在第二實施方式中，相對於第一實施方式，位置調整部207的構成特別不同。在圖9～圖11中，對與第一實施方式同樣的構成賦予相同的附圖標記，省略其詳細說明。 　　圖8是包含第二實施方式的基板加熱裝置201中的加熱單元80、隔熱構件26及殼體構件27的截面、與圖2相對應的圖。 ＜位置調整部＞ 　　如圖8所示，位置調整部207具備容納部270、移動部275及驅動部279。 　　容納部270被配置在腔室2的下側。容納部270能夠容納移動部275及驅動部279。容納部270被形成為長方體的箱狀。具體而言，容納部270由以下構件形成：矩形板狀的第一支承板271；與第一支承板271對向的矩形板狀的第二支承板272；包圍板273，與第一支承板271及第二支承板272的外周邊緣相連，並且以包圍移動部275及驅動部279的周圍的方式覆蓋移動部275及驅動部279。另外，也可以不設置包圍板273。即，位置調整部207只要至少具備第一支承板271、移動部275及驅動部279即可。例如，也可以設置包圍裝置整體的外裝殼體。 　　第一支承板271的外周邊緣被連接於腔室2的周壁23的下端。第一支承板271也作為腔室2的底板發揮作用。在第一支承板271配置有電熱板205。具體而言，電熱板205在腔室2內由第一支承板271支承。 　　包圍板273和周壁23上下連續地相連。腔室2構成為能夠在密閉空間中容納基板10。例如，利用焊接等無間隙地接合頂板21、作為底板的第一支承板271及周壁23的各連接部，藉此能夠提高腔室2內的氣密性。 　　移動部275具備銷276、伸縮管277及基台278。 　　銷276能夠支承基板10的第二表面10b，並且能夠在第二表面10b的法線方向(Z方向)上移動。銷276是上下延伸的棒狀構件。使得銷276的前端(上端)能夠抵接於基板10的第二表面10b且能夠遠離基板10的第二表面10b。 　　在與第二表面10b平行的方向(X方向及Y方向)上隔開間隔設置有多個銷276。多個銷276分別被形成為大致相同的長度。多個銷276的前端被配置在與第二表面10b平行的面內(XY平面內)。 　　伸縮管277被設置在第一支承板271與基台278之間。伸縮管277是以包圍銷276的周圍的方式進行覆蓋、並且上下延伸的管狀構件。伸縮管277在第一支承板271與基台278之間上下伸縮自如。伸縮管277例如是真空波紋管。 　　伸縮管277以與多個銷276相同的數量設置有多個。多個伸縮管277的前端(上端)被固定於第一支承板271。具體而言，在第一支承板271上形成有使第一支承板271在厚度方向上開口的多個插通孔271h。各插通孔271h的內徑被設為與各伸縮管277的外徑大致相同的大小。各伸縮管277的前端例如被嵌合固定於第一支承板271的各插通孔271h。 　　基台278是與第一支承板271對向的板狀的構件。基台278的上表面呈沿著基板10的第二表面10b的平坦面。在基台278的上表面固定有多個銷276的基端(下端)及多個伸縮管277的基端(下端)。 　　多個銷276的前端能夠插通電熱板205。在電熱板205中，在第二表面10b的法線方向上與第一支承板271的各插通孔271h(各伸縮管277的內部空間)重疊的位置，形成有使電熱板205在第二表面10b的法線方向(電熱板205的厚度方向)上開口的多個插通孔205h。 　　多個銷276的前端能夠插通紅外線反射部230。在紅外線反射部230中，在第二表面10b的法線方向上與第一支承板271的各插通孔271h(各伸縮管277的內部空間)重疊的位置，形成有使紅外線反射部230在第二表面10b的法線方向(紅外線反射板的厚度方向)上開口的多個插通孔230h。 　　多個銷276的前端能夠經由各伸縮管277的內部空間、電熱板205的各插通孔205h及紅外線反射部230的各插通孔230h，而抵接於基板10的第二表面10b。因此，藉由多個銷276的前端成為平行於XY平面地支承基板10。多個銷276一邊支承被容納在腔室2內的基板10，一邊在腔室2內的Z方向上移動(參照圖9～圖11)。 　　驅動部279被配置在作為腔室2的外部即容納部270內。因此，即便假設隨著驅動部279的驅動而產生粒子，藉由將腔室2內做成密閉空間，也能夠避免粒子向腔室2內的侵入。 ＜基板加熱方法＞ 　　接著，對本實施方式的基板加熱方法進行說明。在本實施方式中，使用上述基板加熱裝置201將基板10加熱。由基板加熱裝置201的各部進行的動作由控制部15控制。另外，關於與第一實施方式同樣的工序，省略了其詳細說明。 　　圖9是用於說明第二實施方式的基板加熱裝置201的動作的一例的圖。圖10是接著圖9的、有關第二實施方式的基板加熱裝置201的動作說明圖。圖11是接著圖10的、有關第二實施方式的基板加熱裝置201的動作說明圖。 　　為了方便，在圖9～圖11中，省略了基板加熱裝置201的構成要素中的基板搬入搬出部24、減壓部3、氣體供給部4、氣體擴散部40、溫度檢測部9、氣體液化回收部11、冷卻機構50、加熱單元80、隔熱構件26、殼體構件27及控制部15的圖示。 　　本實施方式的基板加熱方法包含容納工序、減壓工序、基板加熱工序及腔室加熱工序。 　　如圖9所示，在容納工序中，將塗佈了聚醯亞胺形成用液的基板10容納於腔室2的內部的容納空間2S。 　　在減壓工序中，將容納空間2S的氣氛減壓。 　　在減壓工序中，基板10遠離電熱板205。具體而言，使多個銷276的前端經由各伸縮管277的內部空間、電熱板205的各插通孔205h及紅外線反射部230的各插通孔230h而抵接於基板10的第二表面10b，並使基板10上升，藉此使基板10遠離電熱板205。在減壓工序中，電熱板205及基板10以電熱板205的熱量不傳遞給基板10的程度遠離。在減壓工序中，接通電熱板205的電源。電熱板205的溫度例如為250℃左右。另一方面，在減壓工序中，斷開紅外線加熱器6的電源。 　　在減壓工序之後，在基板加熱工序中，使用配置在基板10的一側的電熱板205和配置在基板10的另一側的紅外線加熱器6加熱基板10。 　　基板加熱工序包含第一加熱工序及第二加熱工序。 　　在減壓工序之後，在第一加熱工序中，以第一溫度加熱基板10。 　　如圖10所示，在第一加熱工序中，藉由使多個銷276的前端遠離基板10的第二表面10b，使基板10載置在紅外線反射部230的電熱板側反射面230a。具體而言，使基板10支承於設置在電熱板側反射面230a的基板支承凸部(未圖示)。藉此，由於電熱板側反射面230a接近基板10的第二表面10b，所以電熱板205的熱量經由紅外線反射部230傳遞給基板10。例如，在第一加熱工序中，電熱板205的溫度維持在250℃。因此，能夠使基板溫度上升到250℃。另一方面，在第一加熱工序中，紅外線加熱器6的電源一直處於斷開狀態。 　　在第一加熱工序之後，在第二加熱工序中，以比第一溫度高的第二溫度將基板10加熱。 　　如圖11所示，在第二加熱工序中，藉由使基板10上升到比第一加熱工序時的位置更高的位置，使基板10接近紅外線加熱器6。例如，在第二加熱工序中，電熱板205的溫度維持在250℃。此外，在第二加熱工序中，接通紅外線加熱器6的電源。例如，紅外線加熱器6能夠以450℃對基板10進行加熱。因此，能夠使基板溫度上升到450℃。在第二加熱工序中，基板10比在第一加熱工序時更接近紅外線加熱器6，因此紅外線加熱器6的熱量被充分傳遞給基板10。 　　然後，經過與第一實施方式同樣的工序，進行塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液的揮發或醯亞胺化，並且進行塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液的醯亞胺化時的分子鏈的再排列，能夠形成聚醯亞胺膜。 　　此外，從抑制腔室2的容納空間2S中的氣體被腔室2的內表面冷卻而成為昇華物的觀點來看，進行與第一實施方式相同的腔室加熱工序等。 　　如上前述，根據本實施方式，移動部275包含能夠支承基板10的第二表面10b、並且能夠在第二表面10b的法線方向上移動的多個銷276，多個銷276的前端被配置在與第二表面10b平行的面內，藉此取得以下的效果。因為能夠在穩定地支承基板10的狀態下加熱基板10，所以能夠使塗佈於基板10的聚醯亞胺形成用液穩定地成膜。 　　此外，在電熱板205中，形成有使電熱板205在第二表面10b的法線方向開口的多個插通孔205h，各銷276的前端能夠經由各插通孔205h抵接於第二表面10b，從而取得以下的效果。由於能夠在短時間內進行基板10在多個銷276與電熱板205之間的交接，所以能夠高效地調整基板10的加熱溫度。 　　另外，在上述例子中示出的各構成構件的諸形狀及組合等是一例，基於設計要求等能夠進行各種各樣變更。 　　例如，在上述實施方式中，基板加熱部具備配置在基板的一側的電熱板、和配置在基板的另一側並能夠藉由紅外線加熱基板的紅外線加熱器，但本發明並不限於此。基板加熱部例如也可以僅具備配置在基板的一側的電熱板，也可以僅具備配置在基板的另一側的紅外線加熱器。即，基板加熱部只要被配置在基板的一側及另一側的至少一方就可以。 　　此外，在上述實施方式中，腔室加熱部僅被配置在腔室的周壁，但本發明並不限於此。例如除了將腔室加熱部配置在腔室的周壁以外，也可以將腔室加熱部配置在腔室的頂板及底板。即，腔室加熱部只要能夠將腔室的內表面的至少一部分加熱即可。 　　此外，在上述實施方式中，具備具有反射面的紅外線反射部，但本發明並不限於此。例如，也可以不具備紅外線反射部，而將電熱板的上表面做成為反射紅外線的反射面。 　　此外，在上述實施方式中，基板、電熱板及紅外線加熱器被容納於共用的腔室，但本發明並不限於此。例如，也可以是電熱板及紅外線加熱器被容納於相互不同的腔室。 　　此外，在上述實施方式中，電熱板及紅外線加熱器的兩者能夠階段性地加熱基板，但本發明並不限於此。例如，也可以是電熱板及紅外線加熱器的至少一方能夠階段性地加熱基板。此外，也可以是電熱板及紅外線加熱器的兩者僅能以恒定的溫度加熱基板。 　　此外，在上述實施方式中，使用了多個輸送輥作為輸送部，但本發明並不限於此。例如，作為輸送部可以使用傳送帶，也可以使用線性電機致動器。例如，也可以在X方向上添加傳送帶及線性電機致動器。藉此，能夠調整X方向上的基板的輸送距離。 　　此外，在作為輸送部而採用圖4所示的構成(在輸送部上形成有通過部的構成)以外的構成的情況下，電熱板在俯視狀態下的尺寸也可以大於等於基板在俯視狀態下的尺寸。藉此，與使電熱板在俯視狀態下的尺寸比基板在俯視狀態下的尺寸小的情況相比，能夠更進一步提高基板的加熱溫度的面內均勻性。 　　此外，在上述實施方式中，在減壓工序及第一加熱工序中，接通電熱板的電源，斷開紅外線加熱器的電源，但本發明並不限於此。例如，也可以是，在減壓工序及第一加熱工序中，接通電熱板及紅外線加熱器的電源。 　　此外，在上述第二實施方式中，使得多個銷的前端能夠插通紅外線反射部(即，在紅外線反射部形成有多個插通孔)，但本發明並不限於此。例如，也可以使得多個銷的前端不能插通紅外線反射部。即，也可以不在紅外線反射部上形成插通孔。在此情況下，使得多個銷的前端能夠經由各伸縮管的內部空間及電熱板的各插通孔而抵接於紅外線反射部的背面。因此，利用多個銷的前端成為平行於XY平面地支承紅外線反射部。多個銷一邊經由紅外線反射部支承被容納於腔室內的基板，一邊在腔室內的Z方向上移動。 　　此外，也可以將本發明應用於包含上述實施方式的基板加熱裝置的基板處理系統。例如，基板處理系統是被裝入到工廠等的生產線中使用、在基板的規定的區域上形成薄膜的系統。雖然沒有圖示，但基板處理系統例如具備：基板處理單元，包含上述基板加熱裝置；基板搬入單元，是供給容納了處理前的基板的搬入用盒、並且回收空的搬入用盒的單元；基板搬出單元，是搬出容納了處理後的基板的搬出用盒、並且供給空的搬出用盒的單元；輸送單元，在基板處理單元與基板搬入單元之間輸送搬入用盒，並且在基板處理單元與基板搬出單元之間輸送搬出用盒；控制單元，總體控制各單元。 　　根據該構成，由於包含上述基板加熱裝置，在基板處理系統中能夠抑制昇華物附著在腔室的內表面上。 　　另外，上述作為實施方式或其變形例記載的各構成要素，在不脫離本發明的主旨的範圍內，能夠適當組合，此外也可以在組合得到的多個構成要素之中，適當地不使用一部分的構成要素。
1、201‧‧‧基板加熱裝置
2‧‧‧腔室
2a‧‧‧腔室側反射面
2S‧‧‧容納空間
3‧‧‧減壓部
3a‧‧‧真空管道
4‧‧‧氣體供給部
4a‧‧‧氣體供給管道
5、205‧‧‧電熱板(基板加熱部)
5a‧‧‧載置面
6‧‧‧紅外線加熱器(基板加熱部)
7、207‧‧‧位置調整部
7a、275‧‧‧移動部
8‧‧‧輸送部
8h‧‧‧通過部
9‧‧‧溫度檢測部
10‧‧‧基板
10a‧‧‧第一表面
10b‧‧‧第二表面
11‧‧‧氣體液化回收部
21‧‧‧頂板
22‧‧‧底板
23‧‧‧周壁
24‧‧‧基板搬入搬出部
26‧‧‧隔熱構件
27‧‧‧殼體構件
30、230‧‧‧紅外線反射部
30a、230a‧‧‧電熱板側反射面
40‧‧‧氣體擴散部
81‧‧‧腔室加熱部
82‧‧‧真空管道加熱部
83‧‧‧氣體供給管道加熱部
84‧‧‧基板搬入搬出部加熱部
205h‧‧‧插通孔
276‧‧‧銷
圖1是第一實施方式的基板加熱裝置的立體圖。 　　圖2是包含第一實施方式的基板加熱裝置中的加熱單元、隔熱構件及殼體構件的截面的圖。 　　圖3是示出電熱板及其周邊結構的側視圖。 　　圖4是用於說明輸送輥、基板及電熱板的配置關係的圖。 　　圖5是用於說明第一實施方式的基板加熱裝置的動作的一例的圖。 　　圖6是接著圖5的、第一實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 　　圖7是接著圖6的、第一實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 　　圖8是包含第二實施方式的基板加熱裝置中的加熱單元、隔熱構件及殼體構件的截面的圖。 　　圖9是用於說明第二實施方式的基板加熱裝置的動作的一例的圖。 　　圖10是接著圖9的、第二實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。 　　圖11是接著圖10的、第二實施方式的基板加熱裝置的動作說明圖。

Claims (26)

  1. 一種基板加熱裝置，包含： 　　腔室，在內部形成有能夠容納塗佈了溶液的基板的容納空間； 　　減壓部，能夠將前述容納空間的氣氛減壓； 　　基板加熱部，配置在前述基板的一側及另一側的至少一方，並且能夠加熱前述基板；和 　　腔室加熱部，能夠加熱前述腔室的內表面的至少一部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述腔室包含覆蓋前述基板的周圍的周壁， 　　前述腔室加熱部至少配置在前述周壁上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述減壓部包含連接於前述腔室的真空管道， 　　前述基板加熱裝置還包含能夠加熱前述真空管道的內表面的至少一部分的真空管道加熱部。
  4. 如申請專利範圍第1～3項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述基板加熱部包含能夠藉由紅外線加熱前述基板的紅外線加熱器， 　　前述腔室的內表面的至少一部分被設為反射前述紅外線的腔室側反射面。
  5. 如申請專利範圍第1～4項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　還包含： 　　氣體供給部，藉由將惰性氣體供給至前述容納空間而能夠調整前述容納空間的狀態；和 　　氣體擴散部，將從前述氣體供給部供給的前述惰性氣體朝向前述基板擴散。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述氣體供給部包含連接於前述腔室的氣體供給管道， 　　前述基板加熱裝置還包含能夠加熱前述氣體供給管道的內表面的至少一部分的氣體供給管道加熱部。
  7. 如申請專利範圍第1～6項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　還包含： 　　基板搬入搬出部，能夠將前述基板搬入及搬出前述容納空間；和 　　基板搬入搬出部加熱部，能夠加熱前述基板搬入搬出部的至少一部分。
  8. 如申請專利範圍第1～7項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　還具備從前述腔室的外側覆蓋前述腔室加熱部的至少一部分的隔熱構件。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　還具備從前述腔室的外側覆蓋前述隔熱構件的至少一部分的殼體構件。
  10. 如申請專利範圍第1～9項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述減壓部包含連接於前述腔室的真空管道， 　　前述基板加熱裝置還具備氣體液化回收部，前述氣體液化回收部使經過前述真空管道的氣體液化，並且能夠回收從塗佈於前述基板的前述溶液揮發的溶媒。
  11. 如申請專利範圍第1～10項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述基板加熱部包含： 　　電熱板，配置在前述基板的一側；和 　　紅外線加熱器，配置在前述基板的另一側，並且能夠藉由紅外線加熱前述基板。
  12. 如申請專利範圍第11項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述腔室包含： 　　底板，配置在前述基板的一側； 　　頂板，配置在前述基板的另一側，並且與前述底板對向；和 　　周壁，與前述頂板及前述底板的外周邊緣相連， 　　前述電熱板配置在前述底板一側， 　　前述紅外線加熱器配置在前述頂板一側， 　　前述腔室加熱部至少配置在前述周壁上。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　還包含： 　　氣體供給部，藉由將惰性氣體供給至前述容納空間而能夠調整前述容納空間的狀態；和 　　氣體擴散部，將從前述氣體供給部供給的前述惰性氣體朝向前述基板擴散， 　　前述氣體供給部包含連接於前述周壁中的前述頂板一側的氣體供給管道。
  14. 如申請專利範圍第11～13項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　還包含紅外線反射部，其配置在前述電熱板與前述紅外線加熱器之間，並且具有將朝向前述電熱板的前述紅外線反射的電熱板側反射面， 　　前述電熱板包含能夠載置前述紅外線反射部的載置面。
  15. 如申請專利範圍第11～14項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述溶液僅被塗佈於前述基板的第一表面， 　　前述電熱板配置在前述基板的與第一表面相反一側之第二表面的一側。
  16. 如申請專利範圍第11～15項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述電熱板及前述紅外線加熱器的至少一方能夠階段性地加熱前述基板。
  17. 如申請專利範圍第11～16項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　還包含位置調整部，前述位置調整部能夠調整前述電熱板及前述紅外線加熱器的至少一方與前述基板的相對位置。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述位置調整部還包含能夠使前述基板在前述電熱板與前述紅外線加熱器之間移動的移動部。
  19. 如申請專利範圍第18項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　在前述電熱板與前述紅外線加熱器之間，設置有能夠輸送前述基板的輸送部， 　　在前述輸送部形成有能夠通過前述移動部的通過部。
  20. 如申請專利範圍第18或19項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述移動部包含多個銷，前述多個銷能夠支承前述基板的與第一表面相反一側的第二表面、並且能夠在前述第二表面的法線方向上移動， 　　前述多個銷的前端被配置在與前述第二表面平行的面內。
  21. 如申請專利範圍第20項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　在前述電熱板上形成有多個插通孔，前述多個插通孔將前述電熱板在前述第二表面的法線方向上開口； 　　前述多個銷的前端能夠經由前述多個插通孔而抵接於前述第二表面。
  22. 如申請專利範圍第1～21項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　還包含能夠檢測前述基板溫度的溫度檢測部。
  23. 如申請專利範圍第1～22項中的任一項所記載的基板加熱裝置，其中， 　　前述基板及前述基板加熱部容納於共用的前述腔室。
  24. 一種基板處理系統，包含如申請專利範圍第1～23項中的任一項所記載的基板加熱裝置。
  25. 一種基板加熱方法，包含： 　　容納工序，將塗佈了溶液的基板容納於腔室的內部的容納空間； 　　減壓工序，將前述容納空間的氣氛減壓； 　　基板加熱工序，使用配置在前述基板的一側及另一側的至少一方的基板加熱部，加熱前述基板；和 　　腔室加熱工序，將前述腔室的內表面的至少一部分加熱。
  26. 如申請專利範圍第25項所記載的基板加熱方法，其中， 　　還包含將連接於前述腔室的真空管道的內表面的至少一部分加熱的真空管道加熱工序。
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