TW201842389A - 陣列基板及其製造方法、顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種陣列基板及其製造方法、顯示面板及其製造方法，在襯底基板上形成金屬層之後，在金屬層上形成保護層，該保護層能夠保護金屬層，避免在後續對顯示面板內的玻璃材料進行雷射照射時對金屬層造成的損傷，從而降低引線裂紋的發生率，有利於提高顯示面板的良率。此外，藉由本申請的技術方案，該保護層暴露出檢測電路，能夠避免檢測電路由於保護層的覆蓋所造成的靜電不良，進一步提高顯示面板的良率。

Description

陣列基板及其製造方法、顯示面板及其製造方法
本發明有關於平板顯示領域，特別有關於一種陣列基板及其製造方法、顯示面板及其製造方法。
顯示面板具有顯示區(或稱主動區(active area)，AA區)和非顯示區，顯示區內配置有多個像素以形成像素陣列，非顯示區則設置有多層金屬層以構成周邊線路。每個像素一般至少包括薄膜電晶體以及與該薄膜電晶體連接的像素電極，且每個像素都被兩條相鄰的掃描線以及兩條相鄰的資料線包圍。這些掃描線以及資料線從顯示區延伸至非顯示區，並藉由非顯示區的周邊線路與驅動晶片電連接，進而實現顯示面板的正常工作。周邊線路由連接掃描線與資料線的一端向驅動晶片所在區域集中匯攏而構成扇出走線，即多條周邊線路在靠近主動區的一端具有較大間距，而在靠近驅動晶片的一端具有較小間距，從而大致形成扇形。
發明人研究發現，扇出走線尤其是金屬引線很容易出現引線裂紋(Metal Crack)現象，最終導致顯示面板出現亮線，對顯示面板的良率造成很大的影響。因此，如何降低甚至避免引線裂紋的發生率，是本領域技術人員極需解决的技術問題。
本發明的目的在於提供一種陣列基板及其製造方 法、顯示面板及其製造方法，能夠降低引線裂紋的發生率，並且能夠避免接合區內檢測電路的靜電擊傷，提高顯示面板的畫面品質。
為實現上述目的，本發明提供一種陣列基板，包括：襯底基板；位於該襯底基板上的檢測電路，以及偏離該檢測電路的至少一層金屬層；以及保護層，該保護層覆蓋該至少一層金屬層，並且暴露該檢測電路。
可選的，該保護層的材質為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽中的一種或其組合。
可選的，該陣列基板還包括形成於該襯底基板上的多個輸入及輸出端子，該保護層暴露該多個輸入及輸出端子。
可選的，該檢測電路與該多個輸入及輸出端子組成接合區，該保護層暴露出的區域等於該接合區或大於該接合區。
可選的，該襯底基板包括封裝區；該保護層僅覆蓋該封裝區內的該至少一層金屬層。
相應的，本發明還提供一種陣列基板的製造方法，包括：提供一襯底基板，在該襯底基板上形成檢測電路，以及偏離該檢測電路的至少一層金屬層；形成保護層，令該保護層覆蓋該至少一層金屬層，並且暴露該檢測電路。
可選的，該方法還包括在該襯底基板上設置多個輸入及輸出端子，該保護層暴露該多個輸入及輸出端子。
可選的，該襯底基板包括封裝區；該保護層僅覆蓋該封裝區內的該至少一層金屬層。
可選的，該襯底基板包括顯示區和非顯示區，該封裝區以及該檢測電路、該多個輸入及輸出端子均位於該非顯示區內；該至少一層金屬層同時形成在該非顯示區和該顯示區內，且在形成該至少一層金屬層的同時，在該非顯示區內形成該檢測電路以及在該顯示區內形成多個薄膜電晶體；該保護層同時形成在該非顯示區和該顯示區內；該形成保護層的步驟還包括：在使該保護層暴露該檢測電路的同時，去除該顯示區內設置有接觸孔的位置處的保護層，暴露出該接觸孔。
相應的，本發明還提供一種顯示面板，包括陣列基板及玻璃蓋板，該顯示面板包括顯示區和非顯示區，該非顯示區進一步包括封裝區和接合區，該陣列基板包括：襯底基板；位於該襯底基板上的檢測電路，以及偏離該檢測電路的至少一層金屬層；以及保護層，該保護層覆蓋著該至少一層金屬層，並且暴露著該檢測電路，該陣列基板或玻璃蓋板的封裝區內塗佈有玻璃材料，以對該陣列基板與該玻璃蓋板進行封裝，該顯示面板進一步包括接合在接合區內的驅動晶片。
可選的，該保護層的材質為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽中的一種或其組合。
可選的，該陣列基板還包括形成於該襯底基板上的多 個輸入及輸出端子，該保護層暴露該多個輸入及輸出端子。
可選的，該檢測電路與該多個輸入及輸出端子均位於該接合區內，該保護層暴露出的區域等於該接合區或大於該接合區。
可選的，該保護層僅覆蓋該封裝區內的該至少一層金屬層。
相應的，本發明還提供一種顯示面板的製造方法，該顯示面板包括顯示區和非顯示區，該非顯示區進一步包括封裝區和接合區，該方法包括：採用如上所述的陣列基板的製造方法製造陣列基板，並提供玻璃蓋板；在該陣列基板或玻璃蓋板的封裝區塗佈玻璃材料，將陣列基板與該玻璃蓋板進行封裝；對該玻璃材料進行雷射照射；在接合區內接合驅動晶片。
與現有技術相比，本發明提供的陣列基板及其製造方法、顯示面板及其製造方法中，在襯底基板上形成至少一層金屬層之後，在金屬層上形成保護層，該保護層能夠保護金屬層，避免在後續對顯示面板內的玻璃材料進行雷射照射時對金屬層造成的損傷，從而降低引線裂紋的發生率，有利於提高顯示面板的良率。此外，藉由本申請的技術方案，該保護層暴露出檢測電路，能夠避免檢測電路由於保護層的覆蓋所造成的靜電損傷，進一步提高顯示面板的良率。
10‧‧‧襯底基板
11‧‧‧底層金屬層
12‧‧‧中間金屬層
13‧‧‧頂層金屬層
14‧‧‧介質層
15‧‧‧玻璃材料
20‧‧‧玻璃蓋板
100‧‧‧襯底基板
110‧‧‧底層金屬層
120‧‧‧中間金屬層
130‧‧‧頂層金屬層
140‧‧‧介質層
150‧‧‧保護層
160‧‧‧玻璃材料
170‧‧‧開口
310‧‧‧輸入端子
320‧‧‧輸出端子
330‧‧‧檢測電路
A‧‧‧封裝區
a‧‧‧長度
B‧‧‧接合區
b‧‧‧寬度
圖1為一顯示面板的包含封裝區的非顯示區的部分截面圖；圖2為本發明一實施例所提供的陣列基板的製造方法的流程圖；圖3為本發明一實施例所提供的陣列基板的包含封裝區的非顯示區的部分截面圖；圖4為本發明一實施例所提供的陣列基板的包含接合區的非顯示區的部分俯視圖；圖5為本發明一實施例所提供的顯示面板中封裝區與接合區的位置關係示意圖；圖6為本發明一實施例所提供的顯示面板的包含封裝區的非顯示區的部分截面圖。
顯示面板，例如OLED(有機電致發光二極體)顯示面板一般包括相對設置的陣列基板和玻璃蓋板。該顯示面板包括顯示區與非顯示區，在非顯示區內設置有封裝區，用於塗佈玻璃材料(Frit)來封裝陣列基板與玻璃蓋板。
如圖1所示，其為顯示面板的非顯示區的部分結構示意圖。如圖1所示，該顯示面板包括相對設置的襯底基板10與玻璃蓋板20。在非顯示區內，在該襯底基板10上形成多層金屬層，在圖1中僅示出了三層金屬層，分別為：底層金屬層11、中間金屬層12以及頂層金屬層13，三層金屬層之間藉由介質層14相互隔離，在封裝區內的頂層金屬層13上直接塗佈玻璃材料(Frit)15，然後將襯底基板10與玻璃蓋板20相封裝形成顯示面板。該非顯示區 內形成的底層金屬層11、中間金屬層12以及頂層金屬層13等金屬層屬於扇出走線，用於連接驅動晶片與顯示區內的資料線、掃描線等，將驅動晶片提供的電信號傳輸至該資料線或掃描線。
為了能將襯底基板10與玻璃蓋板20良好地封裝在一起，本申請的一個實施例的方案如下：襯底基板上形成至少一層金屬層之後；在金屬層上形成保護層。保護層能夠保護金屬層，並且可以避免後續對顯示面板內的玻璃材料進行雷射照射時對金屬層造成損傷(例如，避免金屬層在垂直於雷射前進的方向上出現裂紋)，從而降低引線裂紋的發生。申請人還意外發現，這種方法還降低顯示面板的亮線不良率，這是由於金屬層的損傷或裂紋會導致顯示區內的某一條資料線或掃描線無法接收到信號或接受的信號不準確，從而導致顯示面板出現亮線。
在本申請的另一個實施例中：提供一襯底基板，在該襯底基板上形成檢測電路，以及偏離該檢測電路的至少一層金屬層；形成保護層，該保護層覆蓋著該金屬層，並且暴露著該檢測電路。發明人發現，在襯底基板上形成至少一層金屬層之後，在金屬層上形成保護層，該保護層能夠保護金屬層，避免在後續對顯示面板內的玻璃材料進行雷射照射時對金屬層造成的損傷，從而降低引線裂紋的發生率，有利於提高顯示面板的良率。此外，形成保護層之後，該保護層暴露著該檢測電路，能夠避免檢測電路由於保護層的覆蓋所造成的靜電不良，特別是可以消除檢測電路(CT電路)中累積的靜電荷，從而進一步提高顯示面板的良率。
為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容做進一步說明。當然本發明並不侷限於該具體 實施例，本領域的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護範圍內。
其次，本發明利用示意圖進行詳細的描述，在詳述本發明實例時，為了便於說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應對此作為本發明的限定。
請參考圖2所示，其為本發明一實施例所提供的陣列基板的製造方法的流程圖，如圖2所示，本發明提出一種陣列基板的製造方法，包括以下步驟：步驟S01：提供一襯底基板，在該襯底基板上形成檢測電路，以及偏離該檢測電路的至少一層金屬層；步驟S02：形成保護層，該保護層覆蓋著該至少一層金屬層，並且暴露著該檢測電路。
圖3為本發明一實施例所提供的陣列基板的包含封裝區的非顯示區的部分截面圖，圖4為本發明一實施例所提供的陣列基板的包含接合區的非顯示區的部分俯視圖，請參考圖2所示，並結合圖3與圖4，詳細說明本發明提出的陣列基板的製造方法：在步驟S01中，提供一襯底基板100。在本實施例中，該襯底基板100包括顯示區和非顯示區，該非顯示區包圍該顯示區。該非顯示區內設置有封裝區與驅動晶片接合區。當然，在其他實施例中，該非顯示區也可以與該顯示區位於襯底基板的不同表面，例如，該非顯示區位於該襯底基板的背面，不佔用顯示區的面積，從而提高解析度，以及實現窄邊框或無邊框。本發明對此不做限定。
該襯底基板100可以由透明材料製成，例如可以是玻璃、石英、矽晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或者金屬箔等。 該襯底基板100可以為剛性基板，也可以為柔性基板。該襯底基板100的選擇及預處理為本領域技術人員所熟悉，故不再詳述。該顯示區後續用於在襯底基板100上形成掃描線、資料線、電晶體開關或像素電極等，該非顯示區後續用於在襯底基板100上形成扇出走線，用於連接顯示區的掃描線、資料線等至驅動晶片。
如圖3所示，該非顯示區包括封裝區A，形成陣列基板之後在該封裝區A上塗佈玻璃材料，用於封裝陣列基板與玻璃蓋板以形成顯示面板。該封裝區上同樣會設置有扇出走線。在一個實施例中，該封裝區A呈環形，包圍該顯示區。圖3中僅示出包含封裝區A的部分非顯示區的截面圖。
如圖4所示，該非顯示區還包括驅動晶片接合區B，形成顯示面板之後，在驅動晶片接合區B接合(bonding)驅動晶片。該非顯示區內的扇出走線一端連接至該顯示區的掃描線、資料線等，另一端延伸至該接合區B，即扇出走線在接合區B設置輸入端子310與輸出端子320，作為驅動晶片的輸入與輸出。在該輸入端子310與輸出端子320之間還設置有檢測電路330，該檢測電路330包含彼此連接的多個電晶體，藉由該扇出走線連接至顯示區，用於在接合驅動晶片之前，或者在形成顯示面板之前，對陣列基板的電路進行檢測。需要說明的是，該接合區B的尺寸與該驅動晶片的外框尺寸完全一致。圖4僅示出包含接合區B的部分非顯示區的俯視圖。
該封裝區A與接合區B的位置關係示意圖請參照圖5。如圖5所示，最終形成的顯示面板包括顯示區10與非顯示區20，該非顯示區20包圍該顯示區10，該封裝區A與接合區B均位於該 非顯示區20內，該封裝區A包圍該顯示區10，用於將陣列基板與玻璃蓋板封裝在一起，該接合區B位於該非顯示區20的一側邊緣，用於接合驅動晶片。
接著，請參考圖3與圖4所示，在該襯底基板100的接合區B內形成檢測電路330以及多個輸入端子310與輸出端子320。該輸入端子310與該輸出端子320均規則排列。較佳地，多個輸入端子310排成一列，多個輸出端子320排成一列，且兩列均與該陣列基板的一側邊平行。該檢測電路330位於該輸入端子310與輸出端子320之間。
在該襯底基板100的接合區B內形成檢測電路330以及輸入端子310、輸出端子320的同時，在該襯底基板100的非顯示區內形成偏離該檢測電路330的至少一層金屬層，此處，「偏離」的含義是指在垂直於襯底基板100的方向上互不交疊。在本實施例中，較佳地，在該襯底基板100的非顯示區內形成三層金屬層，分別為底層金屬層110、中間金屬層120以及頂層金屬層130，在其他實施例中，也可以形成兩層、四層或更多的金屬層，需要根據陣列基板實際的需求來確定，本發明並不做限定。該底層金屬層110、中間金屬層120以及頂層金屬層130之間藉由介質層140相隔離。金屬層與該輸入端子310、輸出端子320以及檢測電路330的位置關係如圖4所示，該輸入端子310靠近該襯底基板的邊緣，該輸出端子320靠近該襯底基板的中心區域，在該輸出端子320遠離該輸入端子310一側的非顯示區內均可以設置有金屬層，如圖4中示意性的標示出頂層金屬層130。當然，其位置關係也可以參照圖5所示，在該接合區B到該顯示區10之間的非顯示區20內都可 以設置金屬層，當然在其餘三側的非顯示區20內也可以設置金屬層。
較佳的，該輸入端子310與該輸出端子320均包括藉由接觸孔相連接兩層金屬層。在形成底層金屬層110、中間金屬層120以及頂層金屬層130的同時形成該輸入端子310與該輸出端子320。
例如，在形成底層金屬層110的同時在該接合區內形成第一層金屬層，之後在底層金屬層110上形成介質層的同時在該接合區內形成一層介質層，之後對該介質層進行蝕刻形成通孔(該蝕刻可以與顯示區內的某一次蝕刻同步)，然後在形成中間層金屬層120的同時，填充該通孔並形成第二層金屬層，第一層金屬層與第二層金屬層構成輸入端子310或輸出端子320。
較佳的，在該顯示區內形成薄膜電晶體的過程中，在該接合區形成檢測電路。較佳的，該檢測電路包括多個相互連接的薄膜電晶體，其中電晶體的數量以及電晶體之間的連接關係需要根據實際的需求來確定，在本實施例中不對檢測電路的具體結構進行詳細描述，並且本發明對檢測電路不做具體限定。
較佳的，在該襯底基板100的非顯示區內形成輸入端子310與輸出端子320的同時，在該襯底基板100的顯示區也形成多層金屬膜層，例如形成資料線、掃描線或像素電極等，即在顯示區內形成資料線、掃描線、像素電極或其他金屬膜層的同時在該非顯示區內形成多層金屬層、以及在該非顯示區的接合區內形成輸入/輸出端子。由此，多層金屬層及輸入/輸出端子的材質取決於在該顯示區內同時形成的資料線、掃描線、像素電極或其他金屬膜層的 材質，多層金屬層的材質可以各不相同，也可以完全相同。該多層金屬層的材質可以包含但不限於銅、鋁、鎳、鎂、鉻、鉬、鎢及其合金等材料。當然，也可以單獨在該襯底基板100的非顯示區內形成多層金屬層。
該多層金屬層之間藉由介質層140相隔離，不同金屬層之間的介質層140是在不同的步驟中形成的，但是都有產生隔離金屬層的作用，因此，在附圖3中沒有進行區分。可以理解的是，該介質層140的形成步驟也與該顯示區內的絕緣層的形成同步，例如，在形成電晶體的閘極絕緣層、層間絕緣層等的過程中形成該介質層140中的任意一層，則該介質層的材質與同時形成的閘極絕緣層、層間絕緣層的材質相同。該介質層140的材質包含但不限於氧化物或氮化物，當然，不同金屬層之間的介質層的材質可以不同。可以理解的是，也可以單獨的在該多層金屬層之間形成該介質層140，亦即，在非顯示區內形成的多層金屬層以及介質層可以與該顯示區內的金屬層或絕緣層同時形成，也可以單獨的形成。
以下簡單介紹在該襯底基板100的非顯示區內形成該多層金屬層以及介質層的其中的一個方法，包括以下步驟：首先，在該襯底基板100上形成第一層介質層，較佳的可以採用化學氣相沉積法形成，例如高密度電漿化學氣相沉積(HDPCVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)或超高真空化學氣相沉積(UHVCVD)等。然後在該第一層介質層上形成底層金屬，較佳的，採用濺射的方法形成；然後對該底層金屬進行圖案化，該圖案化工藝例如包括旋塗光蝕刻膠、曝光、顯影以及蝕刻工藝，形成底層金屬層110。然後重複上述的步驟，在該底層金屬層110上形成第二 介質層，該第二介質層覆蓋該底層金屬層110，接著在第二介質層上形成中間金屬，並蝕刻形成中間金屬層120，然後在中間金屬層120上形成第三介質層，該第三介質層覆蓋該中間金屬層120，最後在第三介質層上形成頂層金屬，蝕刻之後形成頂層金屬層130。該第一介質層、第二介質層與第三介質層構成圖3所示的介質層140。可以理解的是，該金屬層的數量並不限於上述所介紹的三層，也可以僅包括兩層金屬層，或者是包括四層以上金屬層，相應的，介質層的數量也可以根據金屬層的數量適應性變化。
在步驟S02中，請參考圖3所示，在該非顯示區內形成保護層150，該保護層150覆蓋該非顯示區內的多層金屬層中的頂層金屬層130以及檢測電路330與輸入端子310與輸出端子320。該保護層150可以是單層結構，也可以是疊層結構。該保護層150的材質包含但不限於氮化矽、氧化矽或氮氧化矽，當然，該保護層150的材質也可以為本領域技術人員已知的其他材料，能夠保護金屬層不受後續封裝所使用的雷射照射的破壞即可。由於氮化矽、氧化矽或氮氧化矽為本領域的常規材料，所以可作為本實施例的較佳材料。該保護層150的厚度較佳為2000Å~4000Å，最佳的，該保護層150的厚度為3000Å。該厚度的該保護層150能夠保護金屬層不受雷射照射的損傷，也不會對最終形成的顯示面板的厚度造成影響。
本實施例中，採用化學氣相沉積法形成該保護層150，形成該保護層150的條件較佳為：腔室溫度350℃~400℃，腔室壓力強度900mtorr~1100mtorr，成膜時間350s~450s，最佳的，腔室溫度為385℃，腔室壓力強度1000mtorr，成膜時間400s。
較佳的，在非顯示區內形成保護層150的同時，在該顯示區內也形成保護層，即在整個該襯底基板100上同時形成保護層，並對該顯示區內設置有接觸孔的位置處的保護層進行蝕刻，暴露出該接觸孔，避免保護層對顯示區的連接造成影響。在顯示區內形成保護層之前的膜層並不受限定，例如，在顯示區內形成資料線的同時，在該非顯示區內形成頂層金屬層，之後如果直接形成保護層，則在顯示區內，是在資料線上形成保護層，如果在顯示區內還要在資料線上形成其他膜層(例如掃描線)之後再形成保護層，則在顯示區內，是在掃描線上形成保護層。
在頂層金屬層130上形成保護層150，該保護層150用於保護金屬層，避免後續進行雷射照射時雷射對金屬層造成的影響，從而避免引線裂紋的產生，降低引線裂紋的發生率，最終提高顯示面板的良率。但是由於在接合區B內也形成該保護層150，該接合區B內的檢測電路330被該保護層150覆蓋，不利於表面電荷的消除，容易引起檢測電路發生靜電不良，因此，需要繼續進行步驟S04。
接著，請參考圖4所示，對該保護層150進行圖案化，形成開孔，該開孔暴露出該接合區B內的檢測電路330以及輸入端子310與輸出端子320。
具體的，在該保護層150上形成光蝕刻膠層，對該光蝕刻膠層進行曝光與顯影，形成圖案化的光蝕刻膠層，暴露出該接合區B內的檢測電路330以及輸入端子310與輸出端子320上方的保護層150；然後，以圖案化的光蝕刻膠層為遮罩，對該保護層150進行蝕刻，較佳的，採用電漿乾式蝕刻對該保護層150進行蝕刻， 去除暴露出的該保護層150，暴露出該接合區B內的檢測電路330以及輸入端子310與輸出端子320。
蝕刻氣體較佳為C2HF5(五氟乙烷)、H2(氫氣)與Ar(氬氣)的混合氣體。該氬氣可以提高電漿轟擊的能量，利用電漿轟擊促進五氟乙烷與保護層的反應，並可以加快反應速率。該蝕刻氣體還可以為CF4(四氟化碳)與O2(氧氣)的混合氣體，或者本領域技術人員已知的其他蝕刻氣體，當然，也可以採用本領域技術人員已知的其他蝕刻方法對該保護層150進行蝕刻，本發明對此不做限定。
較佳的，對該保護層150進行圖案化，還包括暴露出除檢測電路330以及輸入端子310與輸出端子320之外的其餘接合區，亦即藉由對該保護層150進行圖案化，形成的開孔的尺寸等於該接合區的尺寸。如圖4所示，對該保護層150進行圖案化，可以直接蝕刻暴露出接合區B，與上述只暴露出該接合區B內的檢測電路330以及輸入端子310與輸出端子320，蝕刻的範圍增大，可以在一定程度上降低工藝難度。
當然，為了避免後續在接合驅動晶片時對顯示面板造成影響，對該保護層150進行圖案化時，還可以暴露出距離該接合區B的週邊0~100μm內的非顯示區，如圖4中的開口170，該開口170的尺寸大於該接合區B的尺寸。即在對該保護層150進行蝕刻時，直接形成該開口170，與上述暴露出該接合區B相比，進一步增大蝕刻的範圍，進一步降低工藝難度。該開口170在平行於該驅動晶片長邊的方向上，比該接合區B的兩側各增加長度a，在平行於該驅動晶片短邊的方向上，該開口170比該接合區B的兩側各增加寬度b，其中長度a與寬度b的尺寸均在0~100μm內，例如20μm、 40μm、60μm、80μm或100μm，當然，如果非顯示區的尺寸允許的話，也可以大於100μm，其具體尺寸由實際的顯示面板內的尺寸以及蝕刻的工藝條件來確定。
當然，對該保護層150進行圖案化時，去除該接合區B內的保護層的同時，也可以對該非顯示區除封裝區A以外的區域進行蝕刻，只保留封裝區A內的頂層金屬層130上的保護層150(如圖3所示)，這樣不僅可以減少引線裂紋的發生，而且還可以避免由於接合區內的檢測電路上形成保護層所造成的靜電不良，從而有助於提高產品的良率。
在對該保護層150進行蝕刻時，還可以同時蝕刻去除顯示區域的保護層。也就是說，在形成該保護層之後，需要對顯示區內設置有接觸孔的位置處的保護層進行蝕刻，暴露出該接觸孔。此外，在該蝕刻過程中，可以蝕刻去除非顯示區內接合區上的保護層，也可以蝕刻去除非顯示區除封裝區之外的其餘區域內的保護層，也可以將顯示區內的所有保護層均蝕刻掉，需要根據實際情況進行選擇。
具體的，在該保護層150上塗佈光蝕刻膠層，藉由遮罩板對該光蝕刻膠層進行曝光，對於正光蝕刻膠而言，該遮罩板可以僅暴露出該顯示區內的接觸孔，或者暴露出整個顯示區，或者暴露出非顯示區內的接合區，或者暴露出非顯示區內除封裝區之外的其他區域，或者暴露出除封裝區以外的所有的非顯示區與所有的顯示區，根據具體情況來確定所使用的遮罩板。然後對經過曝光的光蝕刻膠層進行顯影，形成圖案化的光蝕刻膠層，然後以該圖像化的光蝕刻膠層為遮罩對該保護層進行蝕刻，最後剝離剩餘的光蝕刻膠 層，形成所需的保護層的圖案。
需要說明的是，以圖案化的光蝕刻膠層為遮罩對保護層進行蝕刻的過程中，要避免對保護層之下的其他膜層造成損傷，例如蝕刻非顯示區除封裝區外其餘區域的保護層時，要避免對保護層下的頂層金屬層造成損傷。針對該問題，可以調整蝕刻選擇比，選擇合適的蝕刻選擇比對該保護層進行蝕刻，保證對該保護層具有高的蝕刻率，對於其餘膜層具有低的蝕刻率，或者不對其餘膜層進行蝕刻。例如，該保護層與其餘膜層的蝕刻選擇比較佳為大於5：1。
另外，在對該保護層150進行蝕刻的步驟中，還可以對該封裝區內的保護層150進行部分蝕刻，使得封裝區內的保護層150至少有部分背離該頂層金屬層130的表面為凹面、凸面或凹凸面，即該保護層150至少有部分背離該頂層金屬層130的表面為非平面表面，使得之後塗覆的玻璃材料與該保護層150具有更好的黏結力，即藉由非平面表面提高玻璃材料與保護層的黏結力，從而提高最終形成的顯示面板的可靠性。
較佳的，該凹面或凸面為圓柱體、圓錐體、圓台或半球體中的一種或兩種以上的組合，該凹凸面由該凹面、凸面交錯相連而成，也可以是由該凹面、凸面交錯間隔分佈而成。該凹面例如是由形成於該保護層150表面的若干凹槽構成，這些凹槽的尺寸和形狀可以相同，也可以不相同。該凸面例如是由形成於該保護層150表面的若干凸起構成，這些凸起的尺寸和形狀可以相同，也可以不相同。該凹凸面則是由形成於該保護層150表面的若干凹槽和若干凸起共同構成，同樣的，不限定凹槽和凸起的形狀和尺寸。
最終形成如圖3與圖4所示的結構，形成該保護層 150之後，在封裝之前還包括完成襯底基板100的顯示區內剩餘各膜層的製作，其製作方法為本領域技術人員所熟悉，故不再詳述，最終完成陣列基板的製作。
相應的，本發明還提供一種顯示面板的製造方法，包括如上所述的陣列基板的製造方法，請參照圖3、圖4與圖6所示，該顯示面板的製造方法包括：完成陣列基板的製作，並提供一玻璃蓋板200。
在該陣列基板或玻璃蓋板200的封裝區塗佈玻璃材料160，將陣列基板與玻璃蓋板200相貼合。
對該玻璃材料進行雷射照射；該保護層150能夠保護金屬層，避免金屬層產生裂紋，降低裂紋的發生率，提高顯示面板的良率。
在該陣列基板的接合區內接合驅動晶片，由於在測試電路330的保護層被去除，能夠避免檢測電路被靜電損傷，降低靜電不良的發生率，進一步提高顯示面板的良率。
相應的，本發明還提供一種陣列基板，採用如上所述的陣列基板的製造方法製造而成。該陣列基板包括：襯底基板；位於該襯底基板上的檢測電路，以及偏離該檢測電路的至少一層金屬層；以及保護層，該保護層覆蓋著該至少一層金屬層，並且暴露著該檢測電路。
具體的，請參考圖3與圖4所示，該陣列基板包括：包含顯示區和非顯示區的襯底基板100(圖3中僅示出包含封裝區A 的部分非顯示區，圖4中僅示出包含接合區B的部分非顯示區)，位於該襯底基板100的非顯示區內的多層金屬層，較佳為三層，即底層金屬層110、中間金屬層120以及頂層金屬層130，還包括位於三層金屬層之間、包圍底層金屬層110與中間金屬層120、並且位於底層金屬層110與襯底基板100之間的介質層140；還包括位於除接合區B內的檢測電路330以及輸入端子310與輸出端子320以外的其餘非顯示區內頂層金屬層130上的保護層150。
在頂層金屬層130上形成保護層150，該保護層150能夠保護金屬層，避免在後續對顯示面板內的玻璃材料進行雷射照射時對金屬層造成的損傷，從而降低引線裂紋的發生率，有利於提高顯示面板的良率；並且形成保護層150之後對該保護層150進行圖案化，暴露出接合區內的檢測電路330以及輸入/輸出端子310/320，能夠避免檢測電路由於保護層的覆蓋所造成的靜電不良，進一步提高顯示面板的良率。
相應的，本發明還提供一種顯示面板，採用如上所述的顯示面板的製造方法製造而成。
綜上所述，本發明提供的陣列基板及其製造方法、顯示面板及其製造方法中，在襯底基板上形成至少一層金屬層之後，在金屬層上形成保護層，該保護層能夠保護金屬層，避免後續顯示面板內的玻璃材料進行雷射照射時對金屬層造成的損傷，從而降低引線裂紋的發生率，有利於提高顯示面板的良率。此外，藉由本申請的技術方案，該保護層暴露出檢測電路，能夠避免檢測電路由於保護層的覆蓋所造成的靜電不良，進一步提高顯示面板的良率。
上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本 發明範圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬於請求項的保護範圍。

Claims (15)

  1. 一種陣列基板，該陣列基板包括：一襯底基板；一檢測電路，位於該襯底基板上：至少一層金屬層，位於該襯底基板上及偏離該檢測電路；以及一保護層，該保護層覆蓋該至少一層金屬層，並且暴露該檢測電路。
  2. 如請求項1之陣列基板，其中，該保護層的材質為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽中的一種或其組合。
  3. 如請求項1之陣列基板，其中，該陣列基板還包括形成於該襯底基板上的多個輸入及輸出端子，該保護層暴露該多個輸入及輸出端子。
  4. 如請求項3之陣列基板，其中，該檢測電路與該多個輸入及輸出端子組成一接合區，該保護層暴露出的區域等於該接合區或大於該接合區。
  5. 如請求項1之陣列基板，其中，該襯底基板包括一封裝區；該保護層僅覆蓋該封裝區內的該至少一層金屬層。
  6. 一種陣列基板的製造方法，其包括下列步驟：提供一襯底基板，在該襯底基板上形成一檢測電路及偏離該檢測電路的至少一層金屬層；形成一保護層，令該保護層覆蓋該至少一層金屬層，並且暴露該檢測電路。
  7. 如請求項6之陣列基板的製造方法，其中，該方法還包括在該襯底基板上設置多個輸入及輸出端子，該保護層暴露該多個輸入及 輸出端子。
  8. 如請求項7之陣列基板的製造方法，其中，該襯底基板包括一封裝區；該保護層僅覆蓋該封裝區內的該至少一層金屬層。
  9. 如請求項8之陣列基板的製造方法，其中，該襯底基板包括一顯示區和一非顯示區，該封裝區以及該檢測電路、該多個輸入及輸出端子均位於該非顯示區內；該至少一層金屬層同時形成在該非顯示區和該顯示區內，且在形成該至少一層金屬層的同時，在該非顯示區內形成該檢測電路以及在該顯示區內形成多個薄膜電晶體；該保護層同時形成在該非顯示區和該顯示區內；形成該保護層的步驟還包括：在使該保護層暴露該檢測電路的同時，去除該顯示區內設置有一接觸孔的位置處的該保護層，以暴露出該接觸孔。
  10. 一種顯示面板，包括：一陣列基板及一玻璃蓋板，該顯示面板包括一顯示區和一非顯示區，該非顯示區進一步包括一封裝區和一接合區，該陣列基板包括：一襯底基板；一檢測電路，位於該襯底基板上；至少一層金屬層，位於該襯底基板上及偏離該檢測電路；以及一保護層，該保護層覆蓋著該至少一層金屬層，並且暴露著該檢測電路，該陣列基板或該玻璃蓋板的該封裝區內塗佈有一玻璃材料，以對該陣列基板與該玻璃蓋板進行封裝， 該顯示面板進一步包括接合在該接合區內的一驅動晶片。
  11. 如請求項10之顯示面板，其中，該保護層的材質為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽中的一種或其組合。
  12. 如請求項10之顯示面板，其中，該陣列基板還包括形成於該襯底基板上的多個輸入及輸出端子，該保護層暴露該多個輸入及輸出端子。
  13. 如請求項12之顯示面板，其中，該檢測電路與該多個輸入及輸出端子均位於該接合區內，該保護層暴露出的區域等於該接合區或大於該接合區。
  14. 如請求項10之顯示面板，其中，該保護層僅覆蓋該封裝區內的該至少一層金屬層。
  15. 一種顯示面板的製造方法，該顯示面板包括一顯示區和一非顯示區，該非顯示區進一步包括一封裝區和一接合區，該方法包括下列步驟：採用請求項6至9中任一項之陣列基板的製造方法製造陣列基板，並提供一玻璃蓋板；在該陣列基板或該玻璃蓋板的該封裝區塗佈一玻璃材料，將該陣列基板與該玻璃蓋板進行封裝；對該玻璃材料進行一雷射照射；在該接合區內接合一驅動晶片。
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