TW201841101A - 一種觸控顯示面板及其製造方法、觸控顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本申請涉及觸控技術領域，特別涉及一種觸控顯示面板及其製造方法、觸控顯示裝置，用以解決先前技術中存在觸控結構由於不能兼具柔性和透光性，無法滿足使用要求的問題。觸控顯示面板包括：基板、薄膜封裝層、OLED元件層和觸控結構；OLED元件層包括多個呈陣列方式排列的發光器件，觸控結構與OLED元件層的發光器件在沿基板至薄膜封裝層的方向上投影不重疊。從而，通過錯開觸控結構與發光器件的位置，以避免觸控結構對顯示效果的影響，由此能夠選擇柔性更佳的材料製作觸控結構，以滿足柔性觸控顯示面板的使用要求。

Description

一種觸控顯示面板及其製造方法、觸控顯示裝置
本申請涉及觸控技術領域，特別涉及一種觸控顯示面板及其製造方法、觸控顯示裝置。
隨著觸控技術和顯示技術的發展，觸控顯示裝置已越來越多的受到人們的追捧，其不但可節省空間，方便攜帶，而且用戶通過手指或者觸控筆等就可直接操作，使用舒適，非常便捷。目前，已廣泛應用各個技術領域，例如市場常見的個人數字處理（PDA）、觸控類手機、手提式筆記型電腦等等。
有源矩陣有機發光顯示器（英文全稱Active Matrix Organic Lighting Emitting Display，簡稱AMOLED）是一種新興的平面顯示器，因為它有主動發光、對比度高、反應速度快、輕薄等諸多優點，被譽為可以取代液晶顯示器（LCD）的新一代顯示器。目前，觸控技術和AMOLED顯示技術的結合已經引起人們高度關注。可以預見的是，觸控式AMOLED顯示器將成為市場主流。
通常的，觸控顯示面板按照組成結構可以分為三種類型：附加型（Add-On）型、覆蓋表面（On-Cell）型和內嵌（In-Cell）型。其中，附加型（Add-On）型觸控顯示面板的顯示面板與觸控面板是分別製作之後再組裝的，觸控面板貼附於顯示面板的外表面。覆蓋表面（On-Cell）型觸控顯示面板的觸控電極設置於顯示面板上，內嵌（In-Cell）型觸控顯示面板的觸控電極設置於顯示面板的內部。採用覆蓋表面（On-Cell）型和內嵌（In-Cell）型能夠實現觸控面板與顯示面板一體化，使得顯示裝置更加輕薄。
請參考圖1，其為先前技術的覆蓋表面（On-Cell）型觸控顯示面板的結構示意圖。如圖1所示，現有的覆蓋表面（On-Cell）型觸控顯示面板100通常包括相對設置的第一基板110和第二基板120，設置於第一基板110和第二基板120之間的OLED元件層130，以及設置於第二基板120上的觸控層140。
其中，第一基板110具有薄膜晶體管陣列，也稱為陣列基板，第二基板120為封裝基板，OLED元件層130包括多個發光器件131，多個發光器件131呈矩陣排列，觸控層140一般採用透明導電材料或金屬材料製成。在實際使用過程中發現，由於透明導電材料製作的觸控層140柔性較差，不能滿足柔性觸控顯示面板的要求，當柔性觸控面板彎曲或折疊時觸控層140將無法承受該彎曲而產生裂縫，該裂縫可導致觸控結構的阻抗上升，嚴重時甚至斷裂導致斷路，無法傳輸信號，影響觸控操作。而金屬材料製成的觸控層140雖然柔性能夠滿足柔性觸控顯示面板的要求，但是由於金屬材料不透光，會影響發光效果。特別是小型顯示（例如手機等），採用金屬材料製作觸控層140，會出現視覺模糊問題，顯示效果非常差。
基此，如何解決現有的覆蓋表面（On-Cell）型觸控顯示面板的觸控結構由於不能兼具柔性和透光性，無法滿足使用要求的問題，成了本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。
本申請實施例提供一種觸控顯示面板及其製造方法、觸控顯示裝置，用以解決現有技術中存在的觸控結構不能兼具柔性和透光性，無法滿足使用要求的問題。
為了解決上述技術問題，本申請實施例採用下述技術方案：
一種觸控顯示面板，包括：基板、薄膜封裝層、OLED元件層和觸控結構；基板與薄膜封裝層相對設置，OLED元件層設置於基板與薄膜封裝層之間，觸控結構設置於薄膜封裝層之遠離基板的一側；OLED元件層包括多個呈陣列方式排列的發光器件，觸控結構在沿基板至薄膜封裝層延伸方向上的正投影，與OLED元件層的多個發光器件在沿基板至薄膜封裝層延伸方向上的正投影不重疊。
在本申請一實施例中，觸控結構包括：第一觸控結構和第二觸控結構，其中，第一觸控結構與第二觸控結構絕緣。
在本申請一實施例中，第一觸控結構包含多條沿第一方向設置的第一觸控電極；第二觸控結構包含多條沿第二方向設置的第二觸控電極，第一觸控電極和第二觸控電極交叉設置。
在本申請一實施例中，第一觸控電極為第一金屬層，第二觸控電極為第二金屬層，第一金屬層與第二金屬層之間設置有絕緣層。
在本申請一實施例中，第一觸控電極具有多個沿第二方向設置的第一電極單元，第二觸控電極均具有多個沿第一方向設置的第二電極單元；相鄰兩條第一觸控電極上的第一電極單元的間距和相鄰兩條第二觸控電極上的第二電極單元的間距相等；第一電極單元與其相鄰的第二觸控電極的間距和第二電極單元與其相鄰的第一觸控電極的間距相等。
在本申請一實施例中，第一觸控結構為第一金屬網格層，第二觸控結構為第二金屬網格層，第一金屬網格層與第二金屬網格層之間夾設有絕緣層。
在本申請一實施例中，第一金屬網格層與第二金屬網格層以錯位設置。
在本申請一實施例中，針對任一相鄰的發光器件對應的縫隙處，觸控結構的兩個最外側邊相距縫隙中心的距離均不大於預設閾值；其中，發光器件長度值的二分之一與縫隙間距的長度值的和值，和值再減去預設閾值得到差值，差值與薄膜封裝層的厚度值的比值為觸控顯示面板的視角的正切值。
在本申請一實施例中，觸控結構中觸控佈線的膜層厚度值與觸控佈線的線寬呈負相關。
在本申請一實施例中，觸控結構中觸控佈線的線寬滿足以下公式：（1） 其中，為觸控佈線的線寬，為觸控佈線的1/2線寬，為工程能力誤差，為相鄰發光器件對應的縫隙間距，為發光器件的1/2長度，為薄膜封裝層的厚度，為觸控顯示面板的視角。
在本申請一實施例中，觸控結構中觸控佈線的線寬滿足以下公式：（2）（3） 其中，為觸控佈線的線寬，為觸控佈線的1/2線寬，為工程能力誤差，為相鄰發光器件對應的縫隙間距，為發光器件的1/2長度，為薄膜封裝層的厚度，為觸控顯示面板的視角，為以觸控顯示面板的視角進入薄膜封裝層後的折射角，為薄膜封裝層的折射率。
在本申請一實施例中，觸控結構還包括導電材料，導電材料進一步包括一種或多種選自下列組成的群組之金屬元素：鉬鋁鉬、鈦鋁鈦或銀。第一觸控結構和第二觸控結構之間的絕緣層的材料包括一種或多種選自下列組成的群組之氧化物：氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。
在本申請實施例還採用以下技術方案：
一種觸控顯示裝置，包括的觸控顯示面板。
一種觸控顯示面板的製造方法，包括： 提供基板； 在基板上形成OLED元件層； 在OLED元件層上形成薄膜封裝層；以及 在薄膜封裝層上形成觸控結構； 其中，OLED元件層包括多個呈陣列方式排列的發光器件，觸控結構在沿基板至薄膜封裝層延伸方向上的正投影，與OLED元件層的發光器件在沿基板至薄膜封裝層的方向上的正投影不重疊。
本申請實施例採用的上述至少一個技術方案能夠達到以下有益效果：
在本發明提供的觸控顯示面板及其製造方法和觸控顯示裝置中，通過錯開觸控結構與發光器件的位置，以避免觸控結構對顯示效果的影響，由此能夠選擇柔性更佳的材料製作觸控結構，以滿足柔性觸控顯示面板的使用要求。
為使本申請的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本申請各項具體實施例及相應的附圖對本申請技術方案進行清楚、完整地描述。所描述的實施例僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本申請中的各項實施例，本領域普通技術人員在沒有做出進步性努力前提下所獲得的所有其他實施例，都屬本申請保護的範圍。
以下結合附圖，詳細說明本申請各實施例提供的技術方案。
參照圖2所示，圖2為本申請一實施例的觸控顯示面板的結構示意圖之一。該觸控顯示面板包括：基板210、薄膜封裝層（Thin Film Encapsulation，簡稱TFE）220、OLED元件層230和觸控結構240；基板210與薄膜封裝層220相對設置，OLED元件層230設置於基板210和薄膜封裝層220之間，觸控結構240設置於薄膜封裝層220之遠離基板210的一側；OLED元件層230包括多個呈陣列方式排列的發光器件，觸控結構240在沿基板210至薄膜封裝層220的方向上的正投影，與OLED元件層230的發光器件在沿基板210至薄膜封裝層220的方向上投影不重疊。
需要說明的是，在本申請實施例所涉及的發光器件可以是一個發光像素或一個發光子像素。因此，OLED元件層230中可以包含多個呈陣列方式排布的發光像素，或可以理解為OLED元件層230可以包含多個呈陣列方式排布的發光子像素。
其實，本申請一實施例中的觸控結構包括：第一觸控結構和第二觸控結構，而且，第一觸控結構與第二觸控結構絕緣設置。
具體的，仍參照圖2，基板210為陣列基板，陣列基板包括多個呈陣列方式排列的薄膜晶體管（圖2中未示出）。OLED元件層230形成於基板210上，OLED元件層230包括多個發光器件231，多個發光器件231呈陣列方式排列，每個發光器件231均包括陰極層、陽極層以及設置於陰極層與陽極層之間的有機發光層（圖2中未示出）。其中，發光器件231的陽極層與薄膜晶體管連接，薄膜晶體管用於控制發光器件231的發光。薄膜封裝層220形成於OLED元件層230上，薄膜封裝層220用於保護OLED元件層230，觸控結構240形成於薄膜封裝層220上。
本申請的一實施例中，可以採用薄膜封裝層代替封裝基板，並將觸控結構直接設置于薄膜封裝層上，從而減薄了觸控顯示面板的厚度，進而使得觸控顯示裝置更加輕薄。
在本申請的一實施例中，觸控結構可具體存在以下結構：
結構1：第一觸控結構包含多條沿第一方向設置的第一觸控電極；第二觸控結構包含多條沿第二方向設置的第二觸控電極，述第一觸控電極和第二觸控電極交叉設置。
參照圖3所示，圖3為本申請一實施例的觸控結構的結構示意圖，觸控結構240包括多條第一觸控電極240a和多條第二觸控電極240b，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b交叉設置且相互絕緣，本實例中以三條相鄰的觸控電極連接成為一個觸控單元為例，每三條相鄰的第一觸控電極240a連接成為一組第一觸控單元，每三條相鄰的第二觸控電極240b連接成為一組第二觸控單元，第一觸控單元與第二觸控單元的位置一一對應，相鄰觸控單元之間的中心間距L2均相等，相鄰觸控單元之間的邊緣間距D2均相等。
同一組相鄰的第一觸控單元之間的中心間距L1與同一組相鄰的第二觸控單元之間的中心間距L2根據觸控的精准度進行設置，同一組相鄰的第一觸控單元之間的邊緣間距D1與同一組相鄰的第二觸控單元之間的邊緣間距D2要求符合小間距及普通間距的設計需求。
本申請的一實施例中，為了能夠同時滿足2mm被動觸控筆和手指的觸控需求，相鄰的第一觸控單元之間的中心間距L1與相鄰的第二觸控單元之間的中心間距L2相等，且均在3mm到6mm之間。相鄰的第一觸控單元之間的邊緣間距D1與相鄰的第二觸控單元之間的邊緣間距D2相等，且均在1um到500um。
請結合參考圖2和圖3，在沿基板210至薄膜封裝層220的方向上，OLED元件層230的發光器件231與觸控結構240的投影不重疊，即第一觸控電極240a和第二觸控電極240b與OLED元件層230的位置相互錯開，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b交叉形成透光網孔。由於OLED元件層230發出的光可通過透光網孔出射，因此第一觸控電極240a和第二觸控電極240b可採用不透光導電材料。
結構2：第一觸控結構為第一金屬網格層，第二觸控結構為第二金屬網格層，第一金屬網格層與第二金屬網格層之間夾設有絕緣層。
本申請的一實施例中，觸控結構240採用金屬網狀結構設計，即採用金屬材料製作網狀結構的觸控結構240，不但能夠避開發光源（發光器件231），而且能夠提升觸控結構的柔性。
在本申請的一實施例中，第一金屬網格層與第二金屬網格層可以採用錯位設置。也就是說，第一金屬網格層的網格點（橫向金屬線與縱向金屬線交叉處）位於第二金屬網格層中一個網格中的任一點；第二金屬網格層的網格點（橫向金屬線與縱向金屬線交叉處）位於第一金屬網格層中一個網格的幾何中心。由於採用錯位設置，這樣可以進一步提升觸控顯示面板的視覺感受，避免觸控顯示面板中觸控結構對顯示層的影響。當然，可以理解的是，本申請的第一金屬網格層與第二金屬網格層並不局限於採用錯位設置，也可以採用不錯位設置。
進一步，第一觸控電極具有多個沿第二方向設置的第一電極單元，第二觸控電極均具有多個沿第一方向設置的第二電極單元；相鄰兩條第一觸控電極上的第一電極單元的間距和相鄰兩條第二觸控電極上的第二電極單元的間距相等。
具體地，仍參照圖3所示，第一觸控電極240a具有多個沿第二方向設置的第一電極單元，第二觸控電極240b均具有多個沿第一方向設置的第二電極單元。在結構2的實施例中，第一方向為橫向，第二方向為縱向。即，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的第二電極單元均為橫向設置，第二觸控電極240b和第一觸控電極240a的第一電極單元均為縱向設置。第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的尺寸設計要求避開OLED元件層230的發光器件231，以消除外觀摩爾紋現象，同時要求滿足互容觸控面板的節點電容感應量需求，達到最佳的外觀與觸控感受。如圖5所示，圖5為圖3觸控結構的結構示意圖中區域M的放大示意圖，相鄰的第一觸控電極240a的間距A與相鄰的第二觸控電極240b的間距B相等，且均在0.1mm到6mm之間，第一觸控電極240a上相鄰的第一電極單元的間距C和第二觸控電極240b上相鄰的第二電極單元的間距D相等，且均在0.1mm到6mm之間，第一觸控電極240a上的第一電極單元與其相鄰的第二觸控電極240b的間距E和第二觸控電極240b上的第二電極單元與其相鄰的第一觸控電極240a的間距F相等，且均在0.001mm到0.1mm之間。
其中，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的線寬要求，在保證生產良率的基礎上，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的線寬應盡可能細小，以滿足像素之間的佈線要求。本申請的實施例中，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的線寬相等，且均在0.001mm到0.020mm之間。
請參考圖4，其為本申請一實施例的觸控結構的剖面圖。如圖4所示，觸控結構240採用雙層金屬結構，第一觸控電極240a為第一金屬層（即發射層），第二觸控電極240b為第二金屬層（接收層），第一觸控電極240a和第二觸控電極240b之間設置有絕緣層243，絕緣層243的厚度與產品的容積有關，通過調節絕緣層243的厚度能夠調整容積。
其中，第一金屬層（即第一觸控電極240a）和第二金屬層（即第二觸控電極240b）還包括導電材料，所採用的導電材料進一步包括一種或多種選自下列組成的群組之金屬元素：鉬鋁鉬（Mo/AL/Mo）、鈦鋁鈦（Ti/AL/Ti）或銀（Ag）等金屬材料。第一觸控結構和第二觸控結構之間的絕緣層包括一種或多種選自下列組成的群組之氧化物：氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）或氮氧化矽（SiOxNy）等絕緣材料。
本申請的一實施例中，觸控結構240採用雙層金屬結構，即其發射層和接收層分別位於上下金屬層，因此發射層的高電壓可以屏蔽干擾信號，使得接收層接收的信號更加準確，從而提高靈敏度。而且，雙層金屬結構的間距（即絕緣層243的厚度）可以進行調節，以適應不同型號的產品。
本申請的一實施例中，基板210為柔性基板（例如透明塑料基板），觸控顯示面板200為柔性觸控顯示面板。在本申請的另一實施例中，基板210可為硬質基板（例如透明玻璃基板），觸控顯示面板200為硬質觸控顯示面板。
基於上述任一方案，在本申請的一實施例中，考慮到觸控結構在基板上的正投影，與OLED元件層的發光器件在基板上的正投影不重疊，因此，觸控結構中的觸控佈線可以排佈在對應OLED元件層的發光器件的間隙處，也因此必然存在觸控佈線的線寬小於相鄰兩個發光器件的間隙的狀況。
雖然將觸控結構設置在相鄰發光器件之間，並避開發光器件的位置，但是，並不能完全消除觸控結構對發光器件發出的光線的遮擋。參照圖6(a)和圖6(b)所示，圖6(a)為本申請一實施例的觸控結構在正面觀看時與發光器件的視角原理圖，圖6(b)為本申請一實施例的觸控結構在視角觀看時與發光器件的視角原理圖。因為位於發光器件301上的薄膜封裝層302具有一定的厚度，觸控結構303位於薄膜封裝層302之上，在觸控顯示面板正面觀看時，觸控結構303不會對發光器件301進行遮擋；但是以視角進行觀看時，若觸控結構的尺寸過大，仍然會對光線進行遮擋，從而降低顯示亮度，影響觀看品質。其中視角是指將亮度降到50%時的觀看角度。換言之，這是亮度降低的極限，觸控結構最多可遮擋單個發光器件50%的發光面積。
為此，本申請提出了一種解決方案，即通過合理設計觸控結構的觸控佈線的線寬，以避免在以視角觀看時，觸控佈線對發光器件的遮擋；針對任一相鄰發光器件對應的縫隙處，觸控結構的兩個最外側邊相距縫隙中心的距離均不大於預設閾值；其中，發光器件長度值的二分之一與縫隙間距的長度值的和值，所述和值再減去預設閾值得到差值，所述差值與薄膜封裝層的厚度值的比值為觸控顯示面板的視角的正切值。
需要說明的是，其中的觸控結構可以理解為以下幾種情況：
情況1：交叉電極條，相應地，縫隙處的觸控結構僅為第一觸控佈線或第二觸控佈線，參照圖7(a)所示本申請一實施例的縫隙處的觸控結構的一種情況示意圖。
情況2：錯位網格電極，縫隙處的觸控結構包含第一觸控佈線和第二觸控佈線，參照圖7(b)所示本申請一實施例的縫隙處的觸控結構的另一種情況示意圖，第一觸控佈線在基板上正投影與第二觸控佈線在基板上正投影部分重疊或不重疊。
具體地，參照圖8所示，圖8為觸控顯示面板的任意相鄰的兩個發光器件所在位置的示意圖之一，其中，發光器件A和發光器件B位於基板401上（如圖8中上表面），發光器件A與發光器件B所在發光層402被薄膜封裝層403覆蓋，觸控結構404設置在薄膜封裝層403表面，在圖8中示出的為一條觸控佈線S。該縫隙處也可以為兩條觸控佈線，採用錯位設置或是設置於不同膜層，具體參照上述情況1-情況2。
參照圖8所示，觸控結構404（此時僅是一條觸控佈線）的兩個最外側邊相距縫隙中心的距離均不大於預設閾值；即理解為觸控結構404佔據的區域寬度不大於兩倍預設閾值。其中，發光器件長度值的二分之一與縫隙間距的長度值的和值，所述和值再減去預設閾值得到差值，所述差值與薄膜封裝層的厚度值的比值為觸控顯示面板的視角的正切值。
基於圖8所示，觸控結構中觸控佈線的膜層厚度值與觸控佈線的線寬呈負相關。所述預設閾值確定後，即可確定在相距縫隙中心（虛線所示）的距離為預設閾值對應的區域設範圍內設置觸控佈線。
仍參照圖8所示，其中，根據三角形定律可知，視角的正切值與薄膜封裝層的厚度、相鄰發光器件的縫隙間距長度的二分之一、單個發光器件寬度值的二分之一、以及線寬值的二分之一呈負相關。
具體地，觸控結構中觸控佈線的線寬滿足以下公式：（1）
其中，為觸控佈線的線寬，為觸控佈線線寬的二分之一，為工程能力誤差，為相鄰的發光器件對應的縫隙間距，為發光器件長度的二分之一，為薄膜封裝層的厚度，為觸控顯示面板的視角。
而在實際的製造流程中，工程能力誤差，其中，為設備對位精度；為線寬工藝浮動值。相鄰的發光器件對應的縫隙間距為20μm；發光器件長度的二分之一為10μm；薄膜封裝層的厚度為8μm；設備對位精度為±0.5μm；線寬工藝浮動值為±0.5μm。
按照上述賦值計算得到觸控佈線的線寬小於等於5.36±1.0μm，其實，若按照常規RGB三原色發光器件排佈方式，260PPI解析度設計時，觸控佈線的線寬應該控制在4.36μm以下，屬製程的安全範圍。需要說明的是，觸控佈線的線寬僅是針對圖8中縫隙中設置一條觸控佈線的情況，且僅是理論計算，實際製程可存在一定偏差。
上述僅以圖8中的情況為例進行原理性解釋說明，其他情況下的觸控結構的也可以按照類似方式設計，以視角觀看時不遮擋50%的發光器件為主。
在本申請中，考慮到薄膜封裝層的存在，那麼，在以視角觀看時，其視線必然在薄膜封裝層發生折射，因此，需要關注薄膜封裝層的折射率對視線的影響。
參照圖9所示，圖9為觸控顯示面板的任意相鄰的兩個發光器件所在位置的示意圖之二，在不考慮觸控結構中觸控佈線厚度的情況下，假設視線作為光線傳播，從觸控佈線上的透明保護層進入薄膜封裝膜層，在交接面發生光線折射，之後再射入發光器件上，反之，在發光器件發光時，也會按照類似的路徑傳播。具體地，觸控結構中觸控佈線的線寬滿足以下公式：（2）（3）
其中，為觸控佈線的線寬，為觸控佈線線寬的二分之一，為工程能力誤差，為相鄰的發光器件對應的縫隙間距，為發光器件長度的二分之一，為薄膜封裝層的厚度，為觸控顯示面板的視角，為以觸控顯示面板的視角視角進入薄膜封裝層後的折射角，為薄膜封裝層的折射率。
從而，通過上述技術方案，在觸控結構佈設在相鄰發光器件的縫隙處，避免正面觀看時觸控佈線對發光器件的遮擋；而且，本申請還考慮到以視角觀看時存在的遮擋問題，通過合理設計觸控佈線的線寬來避免對發光器件的過度遮擋，至少保證發光器件在視角光看下能夠有50%的發光面積未被遮擋，從而，在整體上保證了觸控顯示面板的出光效率，提升觸控顯示面板的顯示品質。
在本申請的一實施例中，觸控結構中，至少一條沿任一軸向排佈的觸控佈線S包含依次連接的多個電極段，觸控佈線S至少滿足以下排佈規則：任意相鄰的兩個電極段的佈設角度不同。
需要說明的是，在本申請中，參照圖10所示，圖10為本申請一實施例的觸控佈線結構示意圖之一，所涉及的軸向是指觸控佈線S中首位處電極段L1的起點與末位處電極段Ln的終點確定的延伸方向，這裡的軸向可以理解為是一種延伸排佈趨勢，而並不要求一定在一條直線上排佈。
通過上述方式，觸控結構中至少一條觸控佈線是不規則排佈的，那麼觸控結構就會存在不規則排佈的圖案，相比于現有技術中全部都是規則排佈的圖案的情況，本申請在一定程度上可以達到消除部分區域Moire干涉的目的，改善觸控顯示面板的顯示性能，提升顯示品質。
其實，觸控顯示面板中的薄膜封裝層位於基板與觸控結構之間，顯示層位於基板與薄膜封裝層之間，薄膜封裝層用於封裝保護顯示層中呈陣列方式排列的發光器件。以及位於觸控結構上方，用於覆蓋保護觸控結構的保護層，其中，保護層的材質可以為矽氧化物或亞克力材料。
此外，一種可選的結構，薄膜封裝層是由多個絕緣子膜層組成，觸控結構可以夾設在薄膜封裝層的任意兩個絕緣子膜層之間，從而，一方面可以對觸控結構進行封裝保護，避免其受到損傷或氧化；另一方面還可以通過利用觸控結構的厚度替代薄膜封裝層中其他絕緣子膜層，從而，適當減小薄膜封裝層的厚度，有利於實現觸控顯示面板的輕薄化設計。相應地，在觸控結構可以夾設在薄膜封裝層的任意兩個絕緣子膜層之間時，不需要額外設置保護層，薄膜封裝層最外側的絕緣子膜層即可起到覆蓋保護觸控結構的作用。
在本申請的一實施例中，基於上述方案，觸控佈線S中所有電極段L的佈設角度均不同。從而，保證形成的圖案中，在該觸控佈線所在軸向上相鄰的圖案之間是不相同的，且同一觸控佈線所在軸向上所有圖案都是不相同的，消除了由觸控佈線在當前所在軸向上形成的圖案之間可能存在的Moire干涉，改善了觸控顯示面板的顯示性能，提升顯示品質。
在本申請中的一實施例中，觸控佈線還滿足以下排佈規則：任意相鄰的兩個電極段的長度不同。參照圖11所示，圖11為本申請一實施例的觸控佈線結構示意圖之二，其中的觸控佈線S中，包含依次連接的電極段L1-電極段Ln，其中，L1的長度與L2的長度不等，L2的長度與L3的長度不等；而L1的長度與L3的長度相等或不等。進一步地，可以設置為所有電極段的長度不等。從而，基於上述的排佈規則，在佈設角度不同和/或電極段長度不同的排佈規則下，更易形成排佈不規則的圖案，提升不規則圖案的數量，從而，可以消除更多的Moire干涉，進一步改善觸控顯示面板的顯示性能，提升顯示品質。
需要說明的是，在本申請中，所涉及的包含依次連接的多個電極段的觸控佈線中，各個電極段之間可以首尾相連，一個電極段的一端部搭接在另一個電極段的任一端部；也可以不是首尾相連，而是相鄰電極段中，其中一個電極段的一端部搭接在另一個電極段的非端部。
在本申請的一實施例中，在同一軸向排佈方向上，至少一組相鄰的兩條觸控佈線的排佈方式不同。
在本申請的一實施例中，針對本申請所涉及的任一方案，在同一軸向排佈方向上，每條觸控佈線中所包含的電極段的個數不同。
在本申請的一實施例中，，觸控結構中的觸控佈線S靠近基底的一表面設置有吸光膜層。利用吸光膜層將觸控佈線遮擋住，在顯示膜層發光時，即使有單色光線發射至觸控佈線所在位置，也會被觸控佈線下方的吸光膜層吸收，而不會將該單色光線發射至相鄰的其他單色發光區域，從而，避免了相鄰像素間跨像素混色的問題，提升顯示的彩色對比度。
在本申請的一實施例中，所述觸控結構還包括導電材料，所述導電材料進一步包括一種或多種選自下列組成的群組之金屬元素：鉬鋁鉬、鈦鋁鈦或銀。第一觸控結構和第二觸控結構之間的絕緣層的材料包括一種或多種選自下列組成的群組之氧化物：氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。
參照圖12所示，圖12為本申請實施例提供的一種觸控顯示面板的局部結構示意圖之一，該觸控顯示面板主要包括：觸控結構12；其中，觸控結構12包括多個第一觸控電極121以及與第一觸控電極121同層絕緣且穿插設置的多個第二觸控電極122，第一觸控電極121和第二觸控電極122均具有鏤空圖案。其中，鏤空圖案具體可以為網格狀或不規則多邊形狀。
其實，上述示意圖12中僅示出了觸控顯示面板的部分，在實際的觸控顯示面板中，呈陣列式排佈有多個類似的觸控單元，這些觸控單元週期性排佈在觸控顯示面板上形成觸控結構。
通過上述技術方案，第一觸控電極與第二觸控電極並不是通過架橋結構絕緣交疊在一起，而是這些觸控電極均具有鏤空圖案，並同層設置，第一觸控電極與第二觸控電極相互穿插設置，即第一觸控電極的部分伸入至第二觸控電極的縫隙處，第二觸控電極的部分伸入至第一觸控電極的縫隙處，從而，實現同層的電容觸控模式，避免現有技術中架橋所帶來的斷裂問題，保證觸控膜層的觸控有效性，提升觸控顯示面板的良率和性能。
在本申請的一實施例中，可具體存在以下幾種觸控單元的結構：
結構1：
第一觸控電極具有彎折形圖案，在第一觸控電極的彎折形圖案的每個縫隙內穿插有第二觸控電極。
參照圖13(a)所示，圖13(a)為本申請一實施例的觸控顯示面板的一種觸控結構示意圖，第一觸控電極RX可以是沿著基板縱向（即圖13(a)所示的圖形的縱向）延伸的彎折形圖案，每個彎折形圖案自身形成有多個縫隙，且縫隙在縱向上的寬度d5大於彎折形圖案中相鄰兩個縫隙之間的圖案在縱向上的寬度d4；縫隙在橫向上的長度d8不超過彎折形圖案中相鄰兩個縫隙之間的圖案在橫向上的長度d3。可選地，每個縫隙的寬度相等，每個縫隙的長度也相等。在每個縫隙處，絕緣穿插有一個第二觸控電極，如圖13(a)中所示，第二觸控電極TX1穿插在第一觸控電極RX的朝向左側開口的縫隙處，第二觸控電極TX2穿插在第一觸控電極RX的朝向右側開口的縫隙處。這種同層設計，採用網狀電極，並採用同層絕緣穿插的結構，避免了架橋結構導致的斷裂問題，而且相比於雙層觸控結構而言，這種同層觸控結構的觸控感應更為靈敏。
仍參照圖13(a)所示，第二觸控電極的引線分別從彎折形圖案的開口處引出。其中，第二觸控電極TX1的引線由左側開口的縫隙處引出，可引向走線區域；同理，第二觸控電極TX2的引線由右側開口的縫隙處引出，可引向走線區域。可見，圖13(a)所示的這種觸控結構中，第一觸控電極可不設計引線，或是直接從第一觸控電極的靠近走線區域的位置引出，第二觸控電極的引線分別從第一觸控電極的兩側引出，需要佔據一定的佈線空間。
結構2：
第一觸控電極具有多條沿橫向延伸的第一電極單元，第二觸控電極具有多條沿橫向延伸的第二電極單元；多個第一電極單元位於同一列，多個第二電極單元位於同一列，第一電極單元與第二電極單元相互穿插設置。
具體地，第一觸控電極具有沿預設方向設置的第一梳狀圖案，該第一梳狀圖案中包含有多條第一電極單元。第二觸控電極具有沿預設方向設置的第二梳狀圖案，該第二梳狀圖案中包含有三條第二電極單元。第一觸控電極與多個第二觸控電極相互穿插設置。
參照圖13(b)所示，圖13(b)為本申請一實施例的觸控顯示面板的另一種觸控結構示意圖，第一觸控電極RX可以是沿著基板縱向延伸的第一梳狀圖案，且第一梳狀圖案的梳齒（即為第一電極單元）橫向排佈，且朝向觸控顯示面板左側，由圖13(b)所示，第一觸控電極RX由6條梳齒構成，其形成了多個縫隙；同理，第二觸控電極TX1、TX2可以是沿著基板縱向延伸的第二梳狀圖案，且第二梳狀圖案的梳齒朝向觸控顯示面板右側，第二觸控電極TX1、TX2分別由3條梳齒構成，其形成了多個縫隙；在第一觸控電極RX的每個縫隙處，穿插設置有第二觸控電極的梳齒，在第二觸控電極TX1、TX2的每個縫隙處，穿插設置有第一觸控電極的梳齒；其中，由上至下，第一觸控電極RX第一個縫隙至第三個縫隙處，穿插有第二觸控電極TX1，該第二觸控電極TX1的3個梳齒分別穿插在第一觸控電極RX的縫隙處；第一觸控電極RX第四個縫隙至第六個縫隙處，穿插有第二觸控電極TX2，該第二觸控電極TX2的3個梳齒分別穿插在第一觸控電極RX的縫隙處。這種同層設計，採用網狀電極，並採用同層絕緣交錯穿插的結構，避免了架橋結構導致的斷裂問題，而且相比於雙層觸控結構而言，這種同層觸控結構的觸控感應更為靈敏。
需要說明的是，第一觸控電極RX和/或第二觸控電極TX1、TX2的梳齒（即第一電極單元或第二電極單元），分別通過引線連接或是連通的網格圖案連接；換言之，引線或是連通的網格圖案作為梳柄將多個梳齒連在一起形成第一觸控電極RX或第二觸控電極TX1、TX2。其實，考慮到網格圖案會佔據一定的空間，因此，為了避免佔據顯示面板的發光區域，優選通過引線連接各個梳齒。
仍參照圖13(b)所示，第二觸控電極的引線從同一側引出。其中，第一觸控電極從觸控顯示面板的一側引出引線，第二觸控電極從觸控顯示面板的另一側引出引線，這些引線分別被引入走線區域。
其實，在結構2中，還涉及另外一種觸控單元，同樣具有梳狀圖案；不同的是，該觸控單元中是在一個第二觸控電極TX1、TX2中穿插設置有兩個第一觸控電極RX；由於該結構比較特殊，下面以兩個觸控單元為例進行介紹，具體參照圖13(c)所示，圖13(c)為本申請一實施例的觸控顯示面板的又一種觸控結構示意圖，第二觸控電極TX1、TX2一般設計為相互分離的兩個梳狀圖案，由圖中所示，第二觸控電極TX2，分為左右兩個梳狀圖案，每個梳狀圖案具有三個梳齒（即第一電極單元或第二電極單元），且梳齒的朝向向背設置，即左側的第二觸控電極TX2的梳狀圖案的梳齒朝向左側開口，右側的第二觸控電極TX2的梳狀圖案的梳齒朝向右側開口；相應地，第一觸控電極RX1的梳齒穿插在左側的第二觸控電極TX2的縫隙處，第一觸控電極RX2的梳齒穿插在右側的第二觸控電極TX2的縫隙處。其中，第一觸控電極RX1的引線從觸控單元的左側引出，第一觸控電極RX2的引線從觸控單元的右側引出；而第二觸控單元TX2的引線從觸控單元的中間縫隙（左側的第二觸控電極TX2和右側的第二觸控電極TX2之間的縫隙）處引出。
需要說明的是，在該結構中，由於第二觸控電極TX1位於最下方，其下方沒有其他第二觸控電極的引線引出，因此，本應該分開設置的左側第二觸控電極TX1與右側第二觸控電極TX1可以合為一體，即通過一條引線引出。
其實，本申請的實施方式，並不限於其他類似的觸控結構的圖形，只要是同層絕緣設計，且相互穿插設置即可。
在本申請的一實施例，第一觸控電極與相鄰第二觸控電極之間的間距為單個鏤空圖案尺寸的整數倍。仍參照圖13(a)所示，第一觸控電極RX與相鄰第二觸控電極TX2之間的間距d1為網格尺寸d2（假設網格為正方形，則該鏤空圖案尺寸視為正方形的邊長）的整數倍。從而，保證相鄰觸控電極之間絕緣設置。
其實，在圖13(a)中，彎折形圖案中相鄰兩個縫隙之間的圖案在橫向上的長度d3的範圍為：3-6μm。縫隙在縱向上的寬度d4與彎折形圖案中相鄰兩個縫隙之間的圖案在縱向上的寬度d5之和的範圍為：2-6μm。在圖13(b)中，一個第二觸控電極TX1、TX2沿著基板縱向延伸的寬度d6範圍為：2-6μm，單個梳齒在橫向上的長度d7的範圍為：3-6μm。
參照圖14所示，圖14為本申請一實施例的一種觸控顯示面板的結構示意圖之二，該觸控顯示面板主要包括：基板21，位於基板21一表面的觸控結構22，觸控結構22中第一觸控結構221與第二觸控結構222絕緣設置；其中，觸控結構22包括觸控電極22a，以及絕緣嵌設在所述觸控電極22a中鏤空區域的至少一個補償電極22b。
參照圖15所示，圖15為本申請一實施例的觸控顯示面板的剖面結構示意圖之一，在基板21與觸控結構22之間，還設置有顯示層23以及薄膜封裝層24。顯示層23中靠近觸控結構22的導電膜層（陽極或是陰極）與觸控結構22之間的電容，僅是觸控電極22a與顯示層23中導電膜層之間的電容。而由於補償電極22b與觸控電極22a絕緣，且並未連通有電流，補償電極22b與顯示層23中導電膜層之間並不存在電容。通過減少觸控電極22a的實際導通面積，來減小觸控結構22與顯示層23產生的電容，進而使得觸控結構22與顯示層23的導電膜層之間的電容不會過大，從而減小驅動IC對觸控結構的驅動壓力，提升整體驅動效果。
基於上述的結構，主要針對網格狀電極而言，第一觸控電極中絕緣嵌設有至少一個第一補償電極；和/或，所述第二觸控電極中絕緣嵌設有至少一個第二補償電極。
情況1：參照圖16(a)所示，圖16(a)為本申請一實施例的觸控結構的一種情況下的補償電極佈設示意圖，第一觸控結構221包含第一觸控電極221a，在第一觸控電極221a的鏤空區域，還絕緣嵌設有第一補償電極221b。其中，該第一觸控電極221a中可存在多個鏤空區域，每個鏤空區域均設置有補償電極221b。而第二觸控結構222中僅包含第一觸控電極222a，並不存在第二補償電極。
情況2：參照圖16(b)所示，圖16(b)為本申請一實施例的觸控結構的另一種情況下的補償電極佈設示意圖，第一觸控結構221包含第一觸控電極221a，在第一觸控電極221a的鏤空區域，還絕緣嵌設有第一補償電極221b。其中，該第一觸控電極221a中可存在多個鏤空區域，每個鏤空區域均設置有第一補償電極221b。同時，第二觸控結構222包含第二觸控電極222a，在第二觸控電極222a的鏤空區域，絕緣嵌設有第二補償電極222b。其中，該第二觸控電極222a中可存在多個鏤空區域，每個鏤空區域均設置有第二補償電極222b。
情況3：參照圖16(c)所示，圖16(c)為本申請一實施例的觸控結構的又一種情況下的補償電極佈設示意圖，第一觸控結構221僅包含第一觸控電極221a，並不存在補償電極。而第二觸控結構222包含第二觸控電極222a，在第二觸控電極222a的鏤空區域，絕緣嵌設有第二補償電極222b。其中，該第二觸控電極222a中可存在多個鏤空區域，每個鏤空區域均設置有第二補償電極222b。
由此，上述三種情況中，觸控結構中均設置有補償電極，可以不同程度的減小觸控結構與顯示層的導電膜層之間的電容，減小驅動IC的驅動壓力，降低驅動難度，提升驅動效果。尤其針對第一觸控結構和第二觸控結構中均設置有補償電極的結構而言，不僅可以減小觸控結構與顯示層的導電膜層之間的電容，還可以減小觸控結構本身的電容（第一觸控結構與第二觸控結構之間的電容）。從而進一步減小驅動IC的驅動壓力，提升驅動效果。
需要說明的是，在本申請的各項實施例中，所涉及的補償電極的形狀與觸控電極的鏤空區域的形狀相適配。例如，補償電極的形狀可以為矩形、圓形或三角形等，本申請並不對此做限定。
在本申請一實施例中，觸控結構中補償電極在基板上正投影的面積與觸控電極在基板上正投影的面積相等。下面舉例說明，參照圖17所示，為本申請一實施例的觸控結構的俯視示意圖，其中，觸控結構中包含觸控電極22a，該觸控電極22a中設置有5個不同形狀的鏤空區域，且每個鏤空區域均嵌設有一個補償電極22b。在該觸控結構中，這5個補償電極22b的面積之和，與觸控電極22a的面積相等。從而，使得觸控電極22a與補償電極22b能夠設計的較為均衡，一方面保證觸控結構所帶來的電容不致於過大，減小驅動IC的驅動壓力；另一方面，可以保證觸控結構保持一定的觸控靈敏度。
其實，在具體的觸控結構中，在觸控靈敏度以及驅動能力允許的情況下，可以僅在第一觸控結構上考慮設計的均衡性，即第一補償電極在基板上正投影的面積與第一觸控電極在基板上正投影的面積相等。也可以僅在第二觸控結構上考慮設計的均衡性，即第二補償電極在基板上正投影的面積與第二觸控電極在基板上正投影的面積相等。優選地，觸控結構中第一補償電極在基板上正投影的面積與第一觸控電極在基板上正投影的面積相等，且第二補償電極在基板上正投影的面積與第二觸控電極在基板上正投影的面積相等。
本實施例中，基板為柔性基板（例如透明塑料基板），觸控顯示面板為柔性觸控顯示面板。在其他實施例中，基板可為硬質基板（例如透明玻璃基板），觸控顯示面板為硬質觸控顯示面板。
在本申請的實施例中，觸控結構的位置可以有以下兩種結構。
結構a：
參照圖19(a)所示，圖19(a)為本申請一實施例的觸控顯示面板的剖面結構示意圖之三，一般情況下，上述觸控顯示面板還包括：夾設顯示層34和觸控膜層之間的薄膜封裝層33。薄膜封裝層33位於基板31與觸控結構32之間，而顯示層34位於基板31與薄膜封裝層33之間，薄膜封裝層33用於封裝保護顯示層34中呈陣列方式排列的發光子像素。以及位於觸控結構32上方，用於覆蓋保護觸控膜層32的保護層(圖19(a)未示出)，其中，保護層的材質可以為矽氧化物或亞克力材料。
結構b：
此外，一種可選的結構，參照圖19(b)，圖19(b)為本申請一實施例的觸控顯示面板的剖面結構示意圖之四，上述觸控顯示面板還包括：位於顯示層34上的薄膜封裝層33，觸控結構32夾設在薄膜封裝層33的任意兩個相鄰的子膜層之間薄膜封裝層33是由多個絕緣子膜層組成，觸控結構32可以夾設在薄膜封裝層33的任意兩個絕緣子膜層之間，從而，一方面可以對觸控結構32進行封裝保護，避免其受到損傷或氧化；另一方面還可以通過利用觸控結構32的厚度替代薄膜封裝層33中其他絕緣子膜層，從而，適當減小薄膜封裝層33的厚度，有利於實現觸控顯示面板的輕薄化設計。相應地，在觸控結構32可以夾設在薄膜封裝層33的任意兩個絕緣子膜層之間時，不需要額外設置保護層，薄膜封裝層33最外側的絕緣子膜層即可起到覆蓋保護觸控結構32的作用。
在本申請的一實施例中，參照圖18所示，圖18為本申請一實施例的觸控顯示面板的剖面結構示意圖之二，觸控顯示面板由下至上主要包括：基底41，位於基底41一表面的顯示膜層42，位於顯示膜層42上的觸控結構43，觸控結構43與顯示膜層42相互絕緣，觸控結構43中的觸控佈線靠近基底41的一表面設置有吸光膜層44。
通過該技術方案，利用吸光膜層將觸控佈線遮擋住，在顯示膜層發光時，即使有單色光線發射至觸控佈線所在位置，也會被觸控佈線下方的吸光膜層吸收，而不會將該單色光線發射至相鄰的其他單色發光區域，從而，避免了相鄰像素間跨像素混色的問題，提升顯示的彩色對比度。
本申請還提供了一種觸控顯示裝置，包括上述任一方案的觸控顯示面板。
相應的，本發明還提供一種觸控顯示面板的製造方法。請繼續參考圖2，觸控顯示面板的製造方法包括： 提供基板210； 在基板210上形成OLED元件層230； 在OLED元件層230上形成薄膜封裝層220；以及 在薄膜封裝層220上形成觸控結構240； 其中，OLED元件層230包括多個呈陣列方式排列的發光器件，觸控結構240與OLED元件層230的發光器件在沿基板210至薄膜封裝層220的方向上投影不重疊。
具體的，首先，提供基板210，基板210上形成有多個呈陣列方式排列薄膜晶體管（TFT）。
接著，在基板210上形成OLED元件層230，OLED元件層230包括多個發光器件231，多個發光器件231呈陣列方式排列，每個發光器件231均包括陰極層、陽極層以及設置於陰極層與陽極層之間的有機發光層。其中，陽極層與多個薄膜晶體管連接。
然後，在OLED元件層230上形成薄膜封裝層220，薄膜封裝層220完全覆蓋OLED元件層230。
本申請的一實施例中，採用薄膜封裝層220代替封裝基板，保護OLED元件層230。由於薄膜封裝層220的厚度遠遠小於現有的封裝基板，因此能夠降低觸控顯示面板200的厚度。
之後，在薄膜封裝層220上形成觸控結構240，觸控結構240為金屬網格結構。請繼續參考圖3，觸控結構240包括多條沿第一方向設置的第一觸控電極240a和多條沿第二方向設置的第二觸控電極240b，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b交叉且相互絕緣，每三條相鄰的第一觸控電極240a連接成為一組第一觸控單元，每三條相鄰的第二觸控電極240b連接成為一組第二觸控單元，第一觸控單元與第二觸控單元的位置一一對應。
其中，同一組相鄰的第一觸控單元之間的中心間距L1與同一組相鄰的第二觸控單元之間的中心間距L2根據觸控的精准度進行設置，同一組相鄰的第一觸控單元之間的邊緣間距D1與同一組相鄰的第二觸控單元之間的邊緣間距D2要求符合小間距及普通間距的設計需求。
本申請的一實施例中，為了能夠同時滿足2mm被動觸控筆和手指的觸控需求，相鄰的第一觸控單元之間的中心間距L1與相鄰的第二觸控單元之間的中心間距L2相等，且均在3mm到6mm之間。相鄰的第一觸控單元之間的邊緣間距D1與相鄰的第二觸控單元之間的邊緣間距D2相等，且均在1um到500um。
請繼續參考圖3，第一觸控電極240a具有多個沿第二方向設置的第一電極單元，第二觸控電極240b均具有多個沿第一方向設置的第二電極單元。本實施例中，第一方向為橫向，第二方向為縱向。即，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的第二電極單元均為橫向設置，第二觸控電極240b和第一觸控電極240a的第一電極單元均為縱向設置。第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的尺寸設計要求避開OLED元件層230的發光器件231，以消除外觀摩爾紋現象，同時要求滿足互容觸摸屏的節點電容感應量需求，達到最佳的外觀與觸控感受。如圖5所示，相鄰的第一觸控電極240a的間距A與相鄰的第二觸控電極240b的間距B相等，且均在0.1mm到6mm之間，第一觸控電極240a上相鄰的第一電極單元的間距C和第二觸控電極240b上相鄰的第二電極單元的間距D相等，且均在0.1mm到6mm之間，第一觸控電極240a上的第一電極單元與其相鄰的第二觸控電極240b的間距E和第二觸控電極240b上的第二電極單元與其相鄰的第一觸控電極240a的間距F相等，且均在0.001mm到0.1mm之間。
其中，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的線寬要求在保證生產良率的基礎上線寬應盡可能細小，以滿足像素之間的佈線要求。本實施中，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的線寬相等，且均在0.001mm到0.020mm之間。
請結合參考圖2和圖3，第一觸控電極240a和第二觸控電極240b在製作時均避開OLED元件層230，即第一觸控電極240a和第二觸控電極240b均不遮蓋OLED元件層230，因此觸控結構240與OLED元件層230的發光器件231在沿基板210至薄膜封裝層220的方向上的投影不重疊。
請繼續參考圖4，形成第一觸控電極240a和第二觸控電極240b的具體過程均包括：首先，在薄膜封裝層220上形成第一金屬層（第一觸控電極240a）；接著，在第一金屬層（第一觸控電極240a）上形成絕緣層243；然後在絕緣層243上形成第二金屬層（第二觸控電極240b）。其中，第一金屬層（第一觸控電極240a）、第二金屬層（第二觸控電極240b）以及絕緣層243均可採用現有的成膜、曝光、顯影、刻蝕、剝離等方式進行製作。
本申請的一實施例中，多條第一觸控電極240a和多條第二觸控電極240b均由金屬材料製成，而且多條第一觸控電極240a和多條第二觸控電極240b交錯排列，形成金屬網格。由於OLED元件層230的發光器件231與金屬網格中的網孔位置相對應，因此發光器件231發出的光可通過網孔出射，即金屬網格不會遮擋發光器件231發出的光。
需要說明的是，上述金屬網格的形狀和尺寸，僅為舉例，而非限定，本領域通常知識者可結合實際需求對金屬網格的具體形狀和尺寸進行設置。
至此，完成觸控顯示面板200的製作。
以上所述僅為本申請的實施例而已，並不用於限制本申請。對於本領域通常知識者而言，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原理之內所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的權利要求範圍之內。
21、210、31、401‧‧‧基板
12、22、240、32、303、43、404‧‧‧觸控結構
110‧‧‧第一基板
120‧‧‧第二基板
121、221a、240a、RX、RX1、RX2‧‧‧第一觸控電極
122、222a、240b、TX、TX1、TX2‧‧‧第二觸控電極
130、230‧‧‧OLED元件層
131、231、301‧‧‧發光器件
140‧‧‧觸控層
22a‧‧‧觸控電極
22b‧‧‧補償電極
23、34‧‧‧顯示層
24、220、33、302、403‧‧‧薄膜封裝層
221‧‧‧第一觸控結構
221b‧‧‧第一補償電極
222‧‧‧第二觸控結構
222b‧‧‧第二補償電極
243‧‧‧絕緣層
41‧‧‧基底
42‧‧‧顯示膜層
44‧‧‧吸光膜層
402‧‧‧發光層
d1、D1、D2、L1、L2、L3、A、B、C、D、E、F‧‧‧間距
d2‧‧‧網格尺寸
d3、d7、d8‧‧‧長度
d4、d5、d6‧‧‧寬度
K‧‧‧縫隙間距
L‧‧‧線寬
N‧‧‧厚度
S‧‧‧觸控佈線
此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用於解釋本申請，並不構成對本申請的不當限定。在附圖中： 圖1為先前技術的覆蓋表面（On-Cell）型觸控顯示面板的結構示意圖； 圖2為本申請一實施例的觸控顯示面板的結構示意圖之一； 圖3為本申請一實施例的觸控結構的結構示意圖； 圖4為本申請一實施例的觸控結構的剖面圖； 圖5為圖3觸控結構的結構示意圖中區域M的放大示意圖； 圖6(a)為本申請一實施例的觸控結構在正面觀看時與發光器件的視角原理圖； 圖6(b)為本申請一實施例的觸控結構在視角觀看時與發光器件的視角原理圖； 圖7(a)-圖7(b)分別為本申請一實施例的縫隙處的觸控結構的二種情況示意圖； 圖8為本申請一實施例的觸控顯示面板的任意相鄰的兩個發光器件所在位置的示意圖之一； 圖9為本申請一實施例的觸控顯示面板的任意相鄰的兩個發光器件所在位置的示意圖之二； 圖10為本申請一實施例的觸控佈線結構示意圖之一； 圖11為本申請一實施例的觸控佈線結構示意圖之二； 圖12為本申請一實施例的觸控顯示面板的局部結構示意圖之一； 圖13(a)-圖13(c)分別為本申請一實施例的觸控顯示面板的三種觸控結構示意圖； 圖14為本申請一實施例的觸控顯示面板的局部結構示意圖之二； 圖15為本申請一實施例的觸控顯示面板的剖面結構示意圖之一； 圖16(a)-圖16(c)分別為本申請一實施例的觸控結構的三種情況下的補償電極佈設示意圖； 圖17為本申請一實施例的觸控結構的俯視示意圖； 圖18為本申請一實施例的觸控顯示面板的剖面結構示意圖之二； 圖19(a)為本申請一實施例的觸控顯示面板的剖面結構示意圖之三；以及 圖19(b)為本申請一實施例觸控顯示面板的剖面結構示意圖之四。

Claims (14)

  1. 一種觸控顯示面板，包括：一基板、一薄膜封裝層、一OLED元件層和一觸控結構；該基板與該薄膜封裝層相對設置，該OLED元件層設置於該基板與該薄膜封裝層之間，該觸控結構設置於該薄膜封裝層之遠離該基板的一側；該OLED元件層包括多個呈陣列方式排列的發光器件，該觸控結構在沿該基板至該薄膜封裝層延伸方向上的正投影，與該OLED元件層的該多個發光器件在沿該基板至該薄膜封裝層延伸方向上的正投影不重疊。
  2. 如請求項1所述的觸控顯示面板，該觸控結構包括：一第一觸控結構和一第二觸控結構，其中，該第一觸控結構與該第二觸控結構絕緣。
  3. 如請求項2所述的觸控顯示面板，該第一觸控結構包含多條沿一第一方向設置的第一觸控電極；該第二觸控結構包含多條沿一第二方向設置的第二觸控電極，該第一觸控電極和該第二觸控電極交叉設置。
  4. 如請求項3所述的觸控顯示面板，該第一觸控電極為一第一金屬層，該第二觸控電極為一第二金屬層，該第一金屬層與該第二金屬層之間設置有一絕緣層。
  5. 如請求項3或4所述的觸控顯示面板，該第一觸控電極具有多個沿該第二方向設置的第一電極單元，該第二觸控電極具有多個沿該第一方向設置的第二電極單元；相鄰兩條該第一觸控電極上的該第一電極單元的間距和相鄰兩條該第二觸控電極上的該第二電極單元的間距相等；該第一電極單元與其相鄰的該第二觸控電極的間距和該第二電極單元與其相鄰的該第一觸控電極的間距相等。
  6. 如請求項2所述的觸控顯示面板，該第一觸控結構為一第一金屬網格層，該第二觸控結構為一第二金屬網格層，該第一金屬網格層與該第二金屬網格層之間夾設有一絕緣層。
  7. 如請求項6所述的觸控顯示面板，該第一金屬網格層與該第二金屬網格層以錯位設置。
  8. 如請求項1-4、6、7任一項所述的觸控顯示面板，針對任一相鄰的該發光器件對應的縫隙處，該觸控結構的兩個最外側邊相距一縫隙中心的距離均不大於一預設閾值；其中，該發光器件的二分之一長度值與該縫隙間距的長度值的一和值，該和值再減去該預設閾值得到一差值，該差值與該薄膜封裝層的厚度值的比值為該觸控顯示面板的視角的正切值。
  9. 如請求項8所述的觸控顯示面板，該觸控結構中一觸控佈線的膜層厚度值與該觸控佈線的線寬負相關。
  10. 如請求項8所述的觸控顯示面板，該觸控結構中該觸控佈線的線寬滿足以下公式：（1） 其中，所述為該觸控佈線的線寬，所述為該觸控佈線線寬的二分之一，所述為一工程能力誤差，所述為相鄰的該發光器件對應的該縫隙間距，所述為該發光器件長度的二分之一，所述為該薄膜封裝層的厚度，所述為該觸控顯示面板的視角。
  11. 如請求項8所述的觸控顯示面板，該觸控結構中該觸控佈線的線寬滿足以下公式：（2）（3） 其中，所述為該觸控佈線的線寬，所述為該觸控佈線線寬的二分之一，所述為一工程能力誤差，所述為相鄰的該發光器件對應的該縫隙間距，所述為該發光器件長度的二分之一，所述為該薄膜封裝層的厚度，所述為該觸控顯示面板的視角，所述為以該觸控顯示面板的視角視角進入該薄膜封裝層後的折射角，所述為該薄膜封裝層的折射率。
  12. 如請求項4或6所述的觸控顯示面板，該觸控結構還包括導電材料，該導電材料進一步包括一種或多種選自下列組成的群組之金屬元素：鉬鋁鉬、鈦鋁鈦或銀；該絕緣層的材料包括一種或多種選自下列組成的群組之氧化物：氧化矽、氮化矽或氮氧化。
  13. 一種觸控顯示裝置，包括：如請求項1-12任一項所述的觸控顯示面板。
  14. 一種觸控顯示面板的製造方法，包括： 提供一基板； 在該基板上形成一OLED元件層； 在該OLED元件層上形成一薄膜封裝層；以及 在該薄膜封裝層上形成一觸控結構； 其中，該OLED元件層包括多個呈陣列方式排列的發光器件，該觸控結構在沿該基板至該薄膜封裝層延伸方向上的正投影，與該OLED元件層的該多個發光器件在沿該基板至該薄膜封裝層的方向上的正投影不重疊。
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