TW201839093A - 聚合電荷轉移層及包括其之有機電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示適用於電子裝置之有機層的聚合電荷轉移層組合物，所述電子裝置展示驅動電壓減小且發光效率增大。

Description

聚合電荷轉移層及包括其之有機電子裝置
本發明係關於一種包括聚合物之聚合電荷轉移層組合物，所述聚合物包括至少一個基於咔唑之單體A以作為聚合單元。本發明進一步係關於一種有機電子裝置，尤其係關於一種含有聚合電荷轉移層之發光裝置。
有機電子裝置為使用至少一種有機材料執行電氣操作之裝置。其相對於習知無機電子裝置具有諸如可撓性、低電力消耗及相對低成本之優點。有機電子裝置通常包含有機發光裝置、有機太陽能電池、有機記憶體裝置、有機感測器、有機薄膜電晶體以及電力產生及儲存裝置（諸如有機電池組、燃料電池及有機超級電容器）。此類有機電子裝置由電洞注入或傳輸材料、電子注入或傳輸材料或發光材料製備。
典型的有機發光裝置為具有多層結構且典型地包含陽極及金屬陰極之有機發光二極體（OLED）。包夾在陽極與金屬陰極之間的為若干有機層，諸如電洞注入層（HIL）、電洞轉移層（HTL）、發光層（EML）、電子轉移層（ETL）及電子注入層（EIL）。OLED中的ETL及HTL的新材料發現已以改良裝置效能及使用期限為目標。在HTL層的情況下，如典型的聚合電荷轉移層，沈積層之方法對於最終用途應用而言為至關重要的。在小型顯示器應用中沈積HTL層之方法涉及在引導沈積之精煉金屬遮罩下蒸發小有機化合物。在大型顯示器的狀況下，此方法自材料使用及高通量觀點來看不實用。考慮到此等發現，需要沈積HTL之新程序，其滿足此等挑戰且其可直接應用於大型顯示器應用。
呈現出有前景的一種方法為涉及沈積與交聯或聚合部分附接的小分子HTL材料之溶液程序。基於溶液程序之方法包含此項技術中熟知的旋塗、噴墨印刷、狹縫型塗佈及網版印刷。在此領域沿著此等生產線已做出大量努力；然而，此等方法具有其自身缺點。詳言之，作為交聯或聚合化學反應之結果，電荷在HTL中之遷移率變得減小。在一些狀況下此可引起裝置使用期限縮減。
因此，仍然需要提供用於有機電子裝置之新聚合電荷轉移層組合物，確切而言，用於具有改良式電洞遷移率及裝置使用期限之有機發光裝置、有機太陽能電池或有機記憶體裝置的新聚合電荷轉移層組合物。
本發明提供一種包括聚合物之聚合電荷轉移層組合物，所述聚合物包括至少一個基於咔唑之單體A及視情況至少一個單體B以作為聚合單元。
單體A具有以下結構A：（結構A），且 單體B具有以下結構B：（結構B）。
Ar1 至Ar6 各自獨立地選自經取代或未經取代之芳族部分及經取代或未經取代之雜芳族部分。
R1 、 R2 及R3 各自獨立地選自由以下各者組成之群：氫、氘（「D」）、經取代或未經取代之烴基、經取代或未經取代之雜烴基、鹵素、氰基、經取代或未經取代之芳基及經取代或未經取代之雜芳基。
本發明進一步提供一種有機發光裝置及一種包括聚合電荷轉移層之有機電子裝置。
本發明之聚合電荷轉移層組合物包括聚合物及視情況選用的p型摻雜劑。聚合物包括至少一個基於咔唑之單體A及視情況至少一個單體B以作為聚合單元。 聚合物
聚合物包括具有以下結構A之單體A：（結構A），及 具有以下結構B之視情況選用的單體B：（結構B）； 其中Ar1 至Ar6 各自獨立地選自經取代或未經取代之芳族部分及經取代或未經取代之雜芳族部分。
Ar1 至Ar6 之合適實例包含 。
R1 至R3 各自獨立地選自由以下各者組成之群：氫；氘（「D」）；經取代或未經取代之烴基，諸如C1 至C100 烴基、C3 至C100 烴基、C10 至C100 烴基、C20 至C100 烴基及C30 至C100 烴基；經取代或未經取代之雜烴基，諸如C1 至C100 雜烴基、C3 至C100 雜烴基、C10 至C100 雜烴基、C20 至C100 雜烴基及C30 至C100 雜烴基；鹵素；氰基；經取代或未經取代之芳基，諸如C5 至C100 芳基、C6 至C100 芳基、C10 至C100 芳基、C20 至C100 芳基及C30 至C100 芳基；及經取代或未經取代之雜芳基，諸如C5 至C100 雜芳基、C6 至C100 雜芳基、C10 至C100 雜芳基、C20 至C100 雜芳基及C30 至C100 雜芳基。
較佳地，R1 至R3 各自獨立地具有由結構I表示的官能團，使得自其獲得的聚合物具有交聯結構。（結構I）， 其中R4 至R6 各自獨立地選自由以下各者組成之群：氫、氘、經取代或未經取代之C1 至C50 烴基、經取代或未經取代之C1 至C50 雜烴基、鹵素、氰基、經取代或未經取代之C6 至C50 芳基及經取代或未經取代之C4 至C50 雜芳基。
L係選自由以下各者組成之群：共價鍵；-O-；-伸烷基-；-伸芳基-；-伸烷基-伸芳基-；-伸芳基-伸烷基-；-O-伸烷基-；-O-伸芳基-；-O-伸烷基-伸芳基-；-O-伸烷基-O-；-O-伸烷基-O-伸烷基-O-；-O-伸芳基-O-；-O-伸烷基-伸芳基-O-；-O-(CH2 CH2 -O)n -，其中n為2至20之整數；-O-伸烷基-O-伸烷基-；-O-伸烷基-O-伸芳基-；-O-伸芳基-O-；-O-伸芳基-O-伸烷基-；及-O-伸芳基-O-伸芳基。
較佳地，L為-伸烷基-、-伸芳基-、-伸烷基-伸芳基-、-伸芳基-伸烷基-或共價鍵。更佳地，L為-伸芳基-、-伸芳基-伸烷基-或共價鍵。
結構I之合適實例包含以下結構（I-1）至（I-12）： 。
較佳地，結構I係選自結構（I-4）、（I-5）、（I-11）及（I-12）。
在一個實施例中，單體A係選自以下化合物（A1）至（A9）： 。
用於本發明中之單體A的分子量為500 g/mol至28,000 g/mol，較佳地為800 g/mol至14,000 g/mol，較佳地為1,000 g/mol至7,000 g/mol。
在一個實施例中，進一步經由離子交換珠粒純化單體A，以移除諸如金屬離子、硫酸根離子、甲酸根離子、草酸根離子及醋酸根離子之陽離子及陰離子雜質。單體A之純度等於或高於99%、等於或高於99.4%，或甚至等於或高於99.5 %。經由此項技術中熟知的方法達成所述純化，包含（例如）分餾、昇華、層析、結晶及沈澱方法。
以聚合物中之所有單體的總莫耳計，單體A以至少54莫耳%、70莫耳%或大於70莫耳%、80莫耳%或大於80莫耳%、90莫耳%或大於90莫耳%或甚至100莫耳%之量存在於本發明中。較佳地，以組合物中之所有單體的總莫耳計，聚合物包括100莫耳%之單體A。
以聚合物中之所有單體的總莫耳計，單體B以至多46莫耳%，或30莫耳%或小於30莫耳%、20莫耳%或小於20莫耳%、10莫耳%或小於10莫耳%，或甚至5莫耳%或小於至5莫耳%之量存在於本發明中。
在一個實施例中，單體B係選自以下化合物（B1）至（B9）：。 p型摻雜劑
視情況，可將聚合物與一或多種p型摻雜劑摻合以製成聚合電荷轉移層組合物。p型摻雜劑係選自包含以下各者之離子化合物：三苯甲基鹽、銨鹽、碘鹽、卓鎓鹽、咪唑鎓鹽、鏻鹽、氧鎓鹽及其混合物。較佳地，離子化合物係選自三苯甲基硼酸鹽、硼酸銨、硼酸碘、硼酸卓鎓、硼酸咪唑鎓、硼酸鏻、硼酸氧鎓及其混合物。本發明中所使用的p型摻雜劑之合適實例包含以下化合物（p-1）至（p-13）： 及。
較佳地，p型摻雜劑為以下化合物（p-1）：。
以聚合電荷轉移層組合物之總重量計，p型摻雜劑以如下量存在於本發明中：1重量%或大於1重量%、3重量%或大於3重量%、5重量%或大於5重量%，或甚至7重量%或大於7重量%，且同時，20重量%或小於20重量%、15重量%或小於15重量%、12重量%或小於12重量%，或甚至10重量%或小於10重量%。 有機電荷轉移膜
本發明提供進一步關於有機電荷傳輸膜之有機電荷轉移膜及用於藉由在表面上塗佈聚合電荷轉移層組合物而產生有機電荷轉移膜之程序，較佳地關於另一有機電荷傳輸膜及氧化銦錫（ITO）玻璃或矽晶圓。膜係藉由以下步驟而形成：在表面上塗佈組合物；在50至150℃（較佳地，80至120℃）之溫度下進行烘烤，較佳地達小於5分鐘；接著在120至280℃之溫度下進行熱交聯；較佳地為至少140℃，較佳地為至少160℃，較佳地為至少170℃；較佳地不超過230℃，較佳地不超過215℃。
較佳地，根據本發明產生之聚合物膜的厚度為1 nm至100微米，較佳地為至少10 nm，較佳地為至少30 nm，較佳地不超過10微米，較佳地不超過1微米，較佳地不超過300 nm。主要由溶液中之固體含量及旋塗轉速來測定經旋塗膜的厚度。舉例而言，在2000 rpm之旋塗轉速下，2 wt%、5 wt%、8 wt%及10 wt%之聚合物樹脂調配溶液分別產生30、90、160及220 nm之膜厚度。濕膜在烘烤及交聯之後收縮5%或小於5%。 有機電子裝置
本發明提供一種製造有機電子裝置之方法。所述方法包括：提供本發明之聚合電荷轉移層組合物；及在已知或提出用於藉由溶液程序而製造有機電子裝置之有機溶劑中之任一者中溶解或分散聚合電荷轉移層組合物。此類有機溶劑包含四氫呋喃（THF）、環己酮、氯仿、1,4-二噁烷、乙腈、乙酸乙酯、萘滿、氯苯、甲苯、二甲苯、苯甲醚、均三甲苯、四氫萘酮及其混合物。所得的聚合電荷轉移層溶液經由膜或過濾器過濾以移除大於50 nm之粒子。
接著將聚合電荷轉移層溶液沈積於第一電極上方。沈積可藉由已知或提出用於製造有機電子裝置之各種類型的溶液處理技術中之任一者來執行。舉例而言，聚合電荷轉移層溶液可使用印刷程序（諸如噴墨印刷、噴嘴印刷、平版印刷、轉移印刷或網版印刷）或例如使用塗佈程序（諸如噴塗、旋塗或浸塗）沈積。在溶液沈積之後，移除溶劑，其可藉由使用習知方法（諸如真空乾燥及/或加熱）來執行。
進一步使聚合電荷轉移層溶液交聯以形成聚合電荷轉移層。交聯可藉由使層溶液曝露於熱及/或光化輻射（包含UV光、γ射線或x射線）來執行。交聯可在引發劑存在的情況下進行，所述引發劑在熱量或輻照下分解以產生起始交聯反應之自由基或離子。交聯可在裝置製造期間原位進行。在交聯之後，其製得的聚合電荷轉移層較佳不含在曝露於光、正電荷、負電荷或激子的情況下為反應性或可分解的殘餘部分。
可重複溶液沈積及交聯之程序以產生多個層。
較佳地，OLED以如下次序含有以下彼此接觸之層：基板、第一導電層、視情況存在之一或多個電洞注入層、一或多個電洞傳輸層、視情況存在之一或多個電子阻擋層、發光層、視情況存在之一或多個電洞阻擋層、視情況存在之一或多個電子傳輸層、電子注入層及第二導電層。
在一個實施例中，將聚合電荷轉移層用作OLED中之電洞傳輸層。第一導電層用作陽極且一般為透明的導電氧化物，例如摻氟氧化錫、摻銻氧化錫、氧化鋅、摻鋁氧化鋅、氧化銦錫、金屬氮化物、金屬硒化物及金屬硫化物。較佳地，材料具有良好薄膜形成屬性以確保第一導電層與電洞傳輸層之間的充分接觸，從而促進在低電壓下進行電洞注入且提供較好穩定性。通常，電洞傳輸層與發光層接觸。視情況，可將電子阻擋層置放於電洞傳輸層與發光層之間。發光層在發光裝置之整個結構中發揮極重要作用。除了測定裝置顏色以外，發光層亦在整體上對亮度效率具有重要影響。取決於發光機構，可將常見發射極材料歸類為螢光及磷光。第二導電層為陰極且包括導電材料。舉例而言，陰極材料可為諸如鋁及鈣之金屬、諸如鎂/銀及鋁/鋰之金屬合金，及其任何組合。此外，可視情況將作為電子注入層的氟化鋰之極薄膜置放於陰極與發光層之間。氟化鋰可有效地降低電子自陰極注入至發光層的能量障壁。視情況，可將電子傳輸層置放於發光層與電子注入層之間。視情況，可將電洞阻擋層置放於電子傳輸層與發光層之間。 定義
術語「有機電子裝置」係指在存在有機材料的情況下進行電氣操作之裝置。有機電子裝置之特定實例包含：有機光伏打裝置；有機感測器；有機薄膜電晶體；有機記憶體裝置；有機場效電晶體；及諸如OLED裝置之有機發光裝置；以及諸如有機電池組、燃料電池及有機超級電容器之電力產生及儲存裝置。
術語「有機發光裝置」係指當在兩個電極上施加電流時發光之裝置。特定實例包含發光二極體。
術語「p型摻雜劑」係指可使電荷轉移層之電洞導電性增加的添加劑。
術語「聚合電荷轉移層」係指可傳輸電荷（電洞或電子）之聚合材料。特定實例包含電洞傳輸層。
術語「陽極」通常指金屬、金屬氧化物、金屬鹵化物、導電聚合物及其組合，其將電洞注入至發光層或位於發光層與陽極之間的層（諸如電洞注入層或電洞傳輸層）中。將陽極安置於基板上。
術語「阻擋層」係指提供明顯禁止將一種類型之電荷載流子及/或激子傳輸通過裝置之障壁，而不表明層必定會完全地阻擋所有電荷載流子及/或激子的層。與缺乏阻擋層之相似裝置相比，此類阻擋層在裝置中之存在可產生更高的效率。又，阻擋層可用於將發射限於OLED之所需區。阻擋層（若存在）一般存在於發光層之任一側上。
電子阻擋可以各種方式實現，包含（例如）藉由使用LUMO能量位準明顯高於發射層之LUMO能量位準的阻擋層。LUMO能量位準的較大差異導致較好電子阻擋特性。適用於阻擋層的材料取決於發射層之材料。主要執行電子阻擋之層為電子阻擋層（EBL）。電子阻擋可在其他層，例如電洞傳輸層（HTL）中發生。
電洞阻擋可以各種方式實現，包含（例如）藉由使用HOMO能量位準明顯低於發射層之HOMO能量位準的阻擋層。HOMO能量位準的較大差異導致較好電洞阻擋特性。適用於阻擋層的材料取決於發射層之材料。主要執行電洞阻擋之層為電洞阻擋層（HBL）。電洞阻擋可在其他層，例如電子傳輸層（ETL）中發生。
阻擋層亦可用以藉由使用三重態能位準明顯高於EML摻雜劑或EML主體之三重態能量位準的阻擋層而阻止激子擴散出發射層。適用於阻擋層的材料取決於發射層的材料組合物。
術語「陰極」通常指金屬、金屬氧化物、金屬鹵化物、導電聚合物或其組合，其將電子注入至發光層或位於發光層與陰極之間的層（諸如電子注入層或電子傳輸層）中。
術語「電子注入層」或「EIL」及其類似術語係指改良自陰極注入至電子傳輸層中之電子之注入的層。
術語「發光層」及其類似術語係指位於電極（陽極及陰極）之間，且當被置放於電場中時會藉由電洞與電子之再結合而支援光之發射，發光層為主要發光源。發光層通常由主體及發射極組成。主體材料可優先傳輸電洞或電子或可相似地傳輸電洞及電子兩者，且可單獨使用或組合使用兩種或多於兩種主體材料。主體材料之光電特性可根據所使用之發射極的類型（磷光或螢光）而不同。發射極為經歷激發態之輻射發射的材料。激發態可例如藉由發射極分子上之電荷或通過自另一分子之激發態的能量轉移而產生。
術語「電子傳輸層」或「ETL」及類似術語係指由展現包含以下特性的材料製得之層：有效傳輸自陰極或EIL注入之電子的高電子遷移率及將彼等電子有利地注入至電洞阻擋層或發光層中。
術語「電洞注入層」或「HIL」及其類似術語係指有效地將電洞自陽極傳輸或注入至發射層、電子阻擋層或更典型地電洞傳輸層中之層。多個電洞注入層可用以實現自陽極至電洞傳輸層、電子阻擋層或發光層之電洞注入。
術語「電洞傳輸層」或「HTL」及類似術語係指由展現包含以下特性的材料製得之層：有效傳輸自陽極或HIL注入之電洞的高電洞遷移率及將彼等電洞有利地注入至電子阻擋層或發光層中。
術語「芳族部分」係指藉由自芳族烴基刪除至少一個氫原子而衍生自芳族烴基之有機部分。芳族部分可為單環及/或稠環系統，其每一環適當地含有4至7個、較佳地5或6個原子。亦包含其中兩個或多於兩個芳族部分經由單鍵組合之結構。特定實例包含苯基、萘基、聯苯基、蒽基、茚基、茀基、苯并茀基、菲基、聯伸三苯基、芘基、苝基、屈基、稠四苯基及茀蒽基。萘基可為1-萘基或2-萘基，蒽基可為1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，且茀基可為1-茀基、2-茀基、3-茀基、4-茀基及9-茀基中之任一者。
術語「雜芳族部分」係指芳族部分，其中至少一個碳原子或CH基團或CH2 基團經雜原子或含有至少一個雜原子之化學基團取代。雜芳族部分可為5或6元單環雜芳基或與一或多個苯環稠合之多環雜芳基，且可為部分飽和的。亦包含一或多個雜芳族部分經由單鍵鍵結之結構。特定實例包含：單環雜芳基，諸如呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、異噻唑基、異噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基；多環雜芳基，諸如苯并呋喃基、茀并[4,3-b]苯并呋喃基、苯并噻吩基、茀并[4,3-b]苯并噻吩基、異苯并呋喃基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并異噻唑基、苯并異噁唑基、苯并噁唑基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喏啉基、咔唑基、啡啶基及苯并間二氧雜環戊烯基。
術語「烴基」係指僅含有氫及碳原子之化學基團。
術語「經取代烴基」係指其中至少一個氫原子經雜原子或含有至少一個雜原子之化學基團取代的烴基。
術語「雜烴基」係指含有氫及碳原子之化學基團，且其中至少一個碳原子或CH基團或CH2 基團經雜原子或含有至少一個雜原子之化學基團取代。
術語「經取代雜烴基」係指其中至少一個氫原子經雜原子或含有至少一個雜原子之化學基團取代的雜烴基。
術語「芳基」係指藉由自芳族烴基刪除一個氫原子而衍生自芳族烴基之有機基團。芳基可為單環及/或稠環系統，其每一環適當地含有4至7個、較佳地5或6個原子。亦包含其中兩個或多於兩個芳基經由單鍵組合之結構。特定實例包含苯基、萘基、聯苯基、蒽基、茚基、茀基、苯并茀基、菲基、聯伸三苯基、芘基、苝基、屈基、稠四苯基及茀蒽基。萘基可為1-萘基或2-萘基，蒽基可為1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，且茀基可為1-茀基、2-茀基、3-茀基、4-茀基及9-茀基中之任一者。
術語「經取代芳基」係指其中至少一個氫原子經雜原子或含有至少一個雜原子之化學基團取代的芳基。
術語「雜芳基」係指其中至少一個碳原子或CH基團或CH2 基團經雜原子或含有至少一個雜原子之化學基團取代的芳基。雜芳基可為5或6元單環雜芳基或與一或多個苯環稠合之多環雜芳基，且可為部分飽和的。亦包含一或多個雜芳基經由單鍵鍵結之結構。雜芳基可包含二價芳基，其雜原子經氧化或四級化以形成N-氧化物、四級鹽或其類似物。特定實例包含（但不限於）：單環雜芳基，諸如呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、異噻唑基、異噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基；多環雜芳基，諸如苯并呋喃基、茀并[4,3-b]苯并呋喃基、苯并噻吩基、茀并[4,3-b]苯并噻吩基、異苯并呋喃基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并異噻唑基、苯并異噁唑基、苯并噁唑基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喏啉基、咔唑基、啡啶基及苯并間二氧雜環戊烯基；及其對應的N-氧化物（例如，吡啶基N-氧化物、喹啉基N-氧化物）及四級鹽。
術語「經取代雜芳基」係指其中至少一個氫原子經雜原子或含有至少一個雜原子之化學基團取代的雜芳基。雜原子包含O、N、P、P（=O）、Si、B及S。
術語「單體」係指含有能夠被聚合成聚合物之一或多個官能團的化合物。
術語「聚合物」係指藉由使單體（無論相同或不同類型）聚合來製備的聚合化合物。通用術語「聚合物」因此包括術語「均聚物」（用於指由僅一種類型的單體製備的聚合物，應理解痕量的雜質可併入至聚合物結構中及/或聚合物結構內）及如下文定義的術語「互聚物」。
術語「共聚物」係指藉由使至少兩種不同類型之單體聚合而製備的聚合物。 實例
以下實例說明本發明之實施例。除非另有指示，否則所有份數及百分比皆以重量計。
所有溶劑及試劑皆可自商業銷售商（例如Sigma-Aldrich、TCI及Alfa Aesar）獲得且以最高可用的純度及/或在必需時在使用之前再結晶的形式使用。無水溶劑自內部純化/分配系統（己烷、甲苯及四氫呋喃）獲得或購自Sigma-Aldrich。所有涉及「水敏感性化合物」之實驗皆在「烘箱乾燥的」玻璃器皿中在氮氣氛圍下或在手套箱中進行。
以下標準分析性設備及方法用於實例中。 凝膠滲透層析法（GPC）
使用凝膠滲透層析法（GPC）來分析聚合物之分子量。將2 mg HTL聚合物溶解於1 mL THF中。溶液經由0.20 μm聚四氟乙烯（PTFE）針筒過濾器過濾，且將50 μl濾液注入至GPC系統上。使用以下分析條件：泵：Waters™ e2695分離模組，在1.0 mL/min的標稱流速下；溶離劑：Fisher Scientific HPLC級THF（穩定）；注入器：Waters e2695分離模組；管柱：兩個5 µm混合-C管柱，來自Polymer Laboratories Inc.，保持在40℃下；偵測器：Shodex RI-201差示折射率（DRI）偵測器；校準：17聚苯乙烯標準材料，來自Polymer Laboratories Inc.，擬合在3742kg kg/mol至0.58 kg/mol範圍內的3階多頂式曲線。 核磁共振（NMR）
在30℃下在Varian VNMRS-500或VNMRS-400光譜儀上獲得1 H-NMR光譜（500 MHz或400 MHz）。化學位移係參考CDCl3 中之四甲基矽烷（TMS）（6:000）。 液相層析質譜法（LC/MS）
如下進行常規液相層析/質譜（LC/MS）研究。將一微升等分試樣的樣品（作為將一微升等分試樣的樣品（作為1 mg/ml四氫呋喃（THF）溶液）注入於以PI模式操作之經由雙重電噴霧界面（ESI）耦接至Agilent 6520四極飛行時間（Q-TOF）MS系統之Agilent 1200SL二元液相層析（LC）上。使用以下分析條件：管柱：Agilent Eclipse XDB-C18，4.6×50mm，1.7 μm；管柱烘箱溫度：30℃；溶劑A：THF；溶劑B：0.1%甲酸於水/乙腈（v/v，95/5）中；梯度：在0-6 min內40-80%溶劑A，且保持9 min；流速：0.3 mL/min；UV偵測器：二極體陣列，254 nm；MS條件：毛細管電壓：3900 kV（負），3500kV（正）；模式：負及正；掃描：100-2000 amu；速率：1秒/掃描；去溶劑化溫度：300℃。 合成單體A1及單體A2合成4-(3,6-雙(4-([1,1'-聯苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-咔唑-9-基)苯甲醛（化合物 ）
在氮氣下在80℃下將4-(3,6-二溴-9H-咔唑-9-基)苯甲醛（6.00 g，17.74 mmol）、N-([1,1'-聯苯]-4-基)-9、9-二甲基-N-(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2--二氧硼口東-2-基)苯基)-9H-茀-2-胺（15.70 g，35.49 mmol）、Pd(PPh3 )3 （0.96 g）、7.72g K2 CO3 、100 mL THF及30 mL H2 O之混合物加熱隔夜。在冷卻至室溫之後，在真空下移除溶劑且用二氯甲烷萃取殘餘物。接著藉由矽膠管柱層析法用石油醚及二氯甲烷作為溶離劑來獲得產物，以提供所需產物（14.8 g，產率92%）。1 H NMR (CDCl3 , ppm): 10.14 (s, 1H), 8.41 (d, 2H), 8.18 (d, 2H), 7.86 (d, 2H), 7.71 (dd, 2H), 7.56-7.68 (m, 14H), 7.53 (m, 4H), 7.42 (m, 4H), 7.26-735 (m, 18H), 7.13-7.17 (d, 2H), 1.46 (s, 12H)。 合成(4-(3,6-雙(4-([1,1'-聯苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-咔唑-9-基)苯基)甲醇（化合物 2 ）
將4-(3,6-雙(4-([1,1'-聯苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-咔唑-9-基)苯甲醛（10.0 g，8.75 mmol）溶解於80 mL THF及30 mL醇中。在氮氣氛圍下經2小時添加NaBH4 （1.32 g，35.01 mmol）。接著，添加鹽酸水溶液直至pH 5為止，且混合物保持攪拌30 min。在真空下移除溶劑且用二氯甲烷萃取殘餘物。產物接著在真空下乾燥且未經進一步純化即用於下一步驟。 合成單體A1
在N2 氛圍下，將PPh3 CMeBr（1.45 g，4.00 mmol）裝入配備有攪拌器之三頸圓底燒瓶中，其中添加180 mL無水THF。將懸浮液置放於冰浴中。接著將t -BuOK（0.70 g，6.20 mmol）緩慢添加至溶液中，反應混合物變為鮮黃色。使反應物再反應3 h。之後，將4-(3,6-雙(4-([1,1'-聯苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-咔唑-9-基)苯甲醛（2.0 g，1.75 mmol）裝入燒瓶中，且在室溫下攪拌隔夜。用2 N HCl淬滅混合物及用二氯甲烷進行萃取，且用去離子水洗滌有機層三次及經無水Na2 SO4 乾燥。將濾液濃縮且經矽膠管柱使用二氯甲烷及石油醚（1:3）作為溶離劑來純化。粗產物進一步由二氯甲烷及乙酸乙酯再結晶，純度達99.8%。ESI-MS (m/z,離子): 1140.523, (M+H)+ 。1 H NMR (CDCl3 , ppm): 8.41 (s, 2H), 7.56-7.72 (m, 18H), 7.47-7.56 (m, 6H), 7.37-7.46 (m, 6H), 7.23-7.36 (m, 18H), 6.85 (q, 1H), 5.88 (d, 1H), 5.38 (d, 1H), 1.46 (s, 12H)。 合成單體A2
將0.45 g 60% NaH添加至10.00 g (4-(3,6-雙(4-([1,1'-聯苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-咔唑-9-基)苯基)甲醇之100 mL經乾燥DMF溶液。在室溫下攪拌1 h之後，藉由針筒添加2.00 g 1-(氯甲基)-4-乙烯基苯。在N2 下在60℃下攪拌所述溶液且由TLC進行追蹤。在起始材料消耗之後，使溶液冷卻且將所述溶液倒入至冰水中。在進行過濾且分別用水、乙醇及石油醚洗滌之後，獲得粗產物且在50℃下在真空烘箱中乾燥所述粗產物隔夜，且接著藉由閃光矽膠管柱層析法憑藉二氯甲烷與石油醚之溶離劑（1:3至1:1）的梯度演進進行純化。藉由來自乙酸乙酯之再結晶及管柱層析法進一步純化粗產物，其實現純度為99.8%。ESI-MS (m/z,離子): 1260.5811, (M+H)+ 。1 H NMR (CDCl3 , ppm): 8.41 (s, 2H), 7.58-7.72 (m, 18H), 7.53 (d, 4H), 7.38-7.50 (m, 12H), 7.25-7.35 (m, 16H), 7.14 (d, 2H), 6.75 (q, 1H), 5.78 (d, 1H), 5.26 (d, 1H), 4.68 (s, 4H), 1.45 (s, 12H)。 製備單體A1之均聚物（實例1）
首先在手套箱中製備4 mg/mL AIBN苯甲醚溶液。在手套箱中在密封管中將A1單體（300 mg，0.26 mmol）及0.32 mL 4 mg/mL AIBN苯甲醚溶液（3 mol%）添加至0.68 mL苯甲醚中。接著在70℃下攪拌混合物隔夜。在冷卻至室溫之後，將密封管放入手套箱中，接著從新製備8 mg/mL AIBN苯甲醚溶液，添加0.1 mL AIBN苯甲醚溶液且在70℃下攪拌隔夜，所述步驟確保充分轉化。24小時之後觀測沈澱。添加0.5 mL苯甲醚以在反應時使沈澱物溶解。接著用甲醇進行沈澱，將固體內含物溶解於4 mL苯甲醚中（需要熱量以確保溶解），且用10 mL甲醇進行沈澱。重複沈澱2次。在100℃下在真空烘箱中經10小時乾燥所獲得的白色固體。所得的單體A1之均聚物的Mn 為15,704、Mw 為61,072、Mz 為124,671、Mz+1 為227,977且PDI為3.89。 製備單體A2之均聚物（實例2）
首先在手套箱中製備4 mg/mL AIBN苯甲醚溶液。在手套箱中在密封管中將A2單體（600 mg，0.48mmol）及0.60 mL 4 mg/mL AIBN苯甲醚溶液（3 mol%）添加至1.0 mL苯甲醚中。接著在70℃下攪拌混合物隔夜。檢查1 H NMR，其展示來自未反應乙烯基之極差信號。從新製備8 mg/mL AIBN苯甲醚溶液。添加0.3 mL苯甲醚溶液且在70℃下攪拌隔夜，所述步驟確保充分轉化。在用甲醇進行沈澱之後，將固體內含物溶解於6 mL苯甲醚中（需要熱量以確保溶解），且用15 mL甲醇進行沈澱。重複沈澱2次。在100℃下在真空烘箱中經10小時乾燥所獲得的白色固體。所得的單體A2之均聚物的Mn 為21,482、Mw 為67,058、Mz 為132,385、Mz+1 為226,405且PDI為3.12。 合成單體B1
將甲醇鈉（2.68 g，39.31 mmol）添加至4-氯甲基乙烯基苯（3.00 g，19.66 mmol）之MeOH溶液（20 mL）。將反應混合物加熱以回流達24 h。在冷卻至室溫之後，接著使所述混合物過濾且在真空中濃縮。用乙醚（30 mL）稀釋粗產物，且接著用水（3*30 mL）進行洗滌。有機層經Na2 SO4 乾燥，過濾且真空濃縮。藉由矽膠層析法（5%EtOAc/己烷）純化粗產物以得到無色液體作為1-(甲醇乙基)4-乙烯苯。1 H NMR (CDCl3 , ppm): 7.38 (d, 2H), 7.28 (d, 2H), 6.70 (dd, 1H), 5.73 (d, 1H), 5.22 (d, 1H), 4.42 (s, 2H), 3.36 (s, 3H)。 製備單體A1及單體B1之共聚物
首先在手套箱中製備4 mg/mL AIBN苯甲醚溶液。在手套箱中在密封管中將A1單體（593 mg，0.52 mmol）、1-(甲氧基甲基)-4-乙烯基苯（33 mg，0.22 mmol）及0.65 mL 4 mg/mL AIBN苯甲醚溶液添加至1.1 mL苯甲醚中。在70℃下將混合物攪拌隔夜。檢查1 H NMR，其展示來自未反應乙烯基之極差信號。從新製備8 mg/mL AIBN苯甲醚溶液，添加0.2 mL AIBN苯甲醚溶液且在70℃下攪拌隔夜，所述步驟確保充分轉化。在用甲醇進行沈澱之後，將固體內含物溶解於6 mL苯甲醚中（需要熱量以確保溶解），且用12 mL甲醇進行沈澱。重複沈澱2次。在100℃下在真空烘箱中經10小時乾燥所獲得的白色固體。所得的單體A1及單體B1之共聚物的Mn 為11,951、Mw 為48,474、Mz 為140,533、Mz+1 為248,932且PDI為4.06。 合成比較單體：N-([1,1'-聯苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-(4-(((4-乙烯基苯甲基)氧基)甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺（CAS：1883576-19 -9）合成4-(3-(4-([1,1'-聯苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-咔唑-9-基)苯甲醛
向圓底燒瓶填充N-(4- (9H-咔唑-3-基)苯基)-N-([1,1'-聯苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-茀-2-胺（2.00 g，3.32 mmol，1.0當量）、4-溴苯甲醛（0.74 g，3.98 mmol，1.2當量）、CuI（0.13 g，0.66 mmol，0.2當量）、碳酸鉀（1.38 g，9.95 mmol，3.0當量）及18-冠-6（86 mg，10 mol%）。燒瓶用氮氣沖洗且連接至回流冷凝器。添加10.0 mL無水除氣1,2-二氯苯，且使混合物回流達48小時。用飽和NH4 Cl水溶液淬滅經冷卻溶液，且用二氯甲烷進行萃取。將經合併之有機溶離份乾燥，且藉由蒸餾移除溶劑。藉由矽膠層析法（己烷/氯仿梯度）純化粗殘餘物，且得到鮮黃色固體產物（2.04 g）。所述產物具有以下特性：1 H-NMR (CDCl3 , ppm): 10.13 (s, 1H), 8.37 (d,J = 2.0Hz, 1H), 8.20 (dd,J = 7.7, 1.0Hz 1H), 8.16 (d,J = 8.2Hz, 2H), 7.83 (d,J = 8.1Hz, 2H), 7.73-7.59 (m, 7H), 7.59-7.50 (m, 4H), 7.50-7.39 (m, 4H), 7.39-7.24 (m, 10H), 7.19-7.12 (m, 1H), 1.47 (s, 6H)。 合成(4-(3-(4-([1,1'-聯苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-咔唑-9-基)苯基)甲醇
在氮氣層下向圓底燒瓶填充4-(3-(4-([1,1'-聯苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基)苯基)-9H-咔唑-9-基)苯甲醛（4.36 g，6.17 mmol，1.00當量）。將材料溶解於40mL 1:1之THF:EtOH中。逐份添加硼氫化物（0.28 g，7.41 mmol，1.20當量），且攪拌材料達3小時。謹慎地用1 M HCl淬滅反應混合物，且用二氯甲烷之部分萃取產物。經合併之有機溶離份係用飽和碳酸氫鈉水溶液洗滌、用MgSO4 乾燥且濃縮成粗殘餘物。藉由層析法（己烷/二氯甲烷梯度）純化材料，且得到白色固體產物（3.79 g）。所述產物具有以下特性：1 H-NMR (CDCl3 , ppm): 8.35 (s, 1H), 8.19 (dt,J = 7.8, 1.1Hz, 1H), 7.73-7.56 (m, 11H), 7.57-7.48 (m, 2H), 7.48-7.37 (m, 6H), 7.36-7.23 (m, 9H), 7.14 (s, 1H), 4.84 (s, 2H), 1.45 (s, 6H)。 合成N-([1,1'-聯苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-(4-(((4-乙烯基苯甲基)氧基)甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺
在氮氣填充手套工作箱中，向100 mL圓底燒瓶填充配方2 （4.40 g，6.21 mmol，1.00當量）及35 mL THF。逐份添加氫化鈉（0.22 g，9.32 mmol，1.50當量），且攪拌混合物達30分鐘。附接回流冷凝器，密封單元且自手套工作箱移除。注入4-氯甲基乙烯基苯（1.05 mL，7.45 mmol，1.20當量），且使混合物回流直至起始材料消耗為止。使反應混合物冷卻（冰浴）且謹慎地用異丙醇進行淬滅。添加飽和NH4 Cl水溶液，且用乙酸乙酯萃取產物。經合併之有機溶離份係用鹽水洗滌、用MgSO4 乾燥、過濾、濃縮及藉由二氧化矽層析法進行純化。產物具有以下特性：1 H-NMR (CDCl3 , ppm): 8.35 (s, 1H), 8.18 (dt,J = 7.8, 1.0Hz, 1H), 7.74-7.47 (m, 14H), 7.47-7.35 (m, 11H), 7.35-7.23 (m, 9H), 7.14 (s, 1H), 6.73 (dd,J = 17.6, 10.9Hz, 1H), 5.76 (dd, J = 17.6, 0.9Hz, 1H), 5.25 (dd,J = 10.9, 0.9Hz, 1H), 4.65 (s, 4H), 1.45 (s, 6H)。 製備N-([1,1'-聯苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-(4-(((4-乙烯基苯甲基)氧基)甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺之均聚物（比較實例）
在手套工作箱中，將N-([1,1'-聯苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-(4-(((4-乙烯基苯甲基)氧基)甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺（1.00當量）溶解於苯甲醚（電子級，0.25 M）中。將混合物加熱至70℃，且注入AIBN溶液（甲苯為0.20 M，5 mol%）。攪拌混合物直至單體完全消耗，至少24小時（可添加2.5 mol%部分之AIBN溶液以完成轉化）。聚合物用甲醇（苯甲醚之10×體積）沈澱且藉由過濾分離。用額外部分之甲醇沖洗經過濾固體。將經過濾固體再溶解於苯甲醚中且再重複沈澱/過濾工序兩次。經分離固體在50℃下置放於真空烘箱中隔夜以移除殘餘溶劑。所得的N-([1,1'-聯苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-(4-(((4-乙烯基苯甲基)氧基)甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺之均聚物的Mn 為21,501、Mw 為45,164、Mz 為73,186、Mz+1 為102,927且PDI為2.10。 HTL均聚物/共聚物膜研究
製備HTL均聚物/共聚物溶液：直接將HTL均聚物/共聚物固體粉末溶解於苯甲醚中以製成2 wt%儲備溶液。溶液在80℃下於N2 中攪拌5至10 min以完全溶解。
製備熱退火HTL均聚物/共聚物膜：Si晶圓在使用之前由UV-臭氧預處理2 min。將幾滴以上經過濾HTL溶液沈積至經預處理之Si晶圓上。薄膜藉由在500 rpm下旋塗5 s且接著在2000 rpm下旋塗30 s而獲得。所得膜接著轉移至N2 吹掃箱中。「濕」膜在100℃下預烘烤1 min以移除大部分的殘餘苯甲醚。隨後，在205o C下使膜熱退火達10 min。
對熱退火HTL均聚物/共聚物膜之剝離測試：使用M-2000D橢偏儀（J.A.Woollam Co., Inc.）來量測熱退火HTL膜之「初始」厚度。接著，將幾滴鄰二甲苯添加至膜上以形成覆液。90s之後，鄰二甲苯溶劑在3500 rpm下剝離30 s。立即使用橢偏儀來量測膜之「剝離」厚度。膜接著轉移至N2 吹掃箱中，接著在100℃下後烘烤1 min以移除膜中之任何溶脹溶劑。使用橢偏儀來量測「最終」厚度。使用柯西（Cauchy）模型來測定膜厚度，且在1cm×1cm區域中對9=3×3點取平均。 「-剝離」=「剝離」-「初始」：歸因於溶劑剝離產生的初始膜損失 「-PSB」=「最終」-「剝離」：溶脹溶劑之另外膜損失 「-總計」=「-剝離」+「-PSB」=「最終」-「初始」：歸因於溶劑剝離及溶脹產生的總計膜損失
應用剝離測試以用於研究HTL均聚物/共聚物正交溶解力。對於完全耐溶劑HTL膜，溶劑剝離之後的總計膜損失應小於1 nm，較佳地小於0.5 nm。
A1均聚物剝離測試結果
A2均聚物剝離測試結果
A1B1共聚物剝離測試結果
出於完全耐溶劑性，總計膜損失應小於1 nm，較佳地小於0.50 nm。均聚物A1、A2及共聚物A1B1膜與1.5及5 min鄰二甲苯剝離正交，從而實現溶液EML層在層間穿透縮減的情況下的另外程序。 OLED裝置製造
用溶劑（依序為乙醇、丙酮、異丙醇）及紫外線/臭氧（UVO）處理劑清潔具有像素化氧化銦錫（ITO）電極之玻璃基板（50 mm乘50 mm）。
基於表1中所列材料製備含有HIL、HTL、EML、ETL及EIL之每一電池。
對於HIL層，在氮氣填充手套箱內部，將可自Sigma-Aldrich購得之Plexcore™ OC RG-1200（聚(噻吩-3-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)、用0.5微米聚四氟乙烯（PTFE）針筒過濾器過濾之磺化溶液）旋塗（速度：5 s 1000 rpm，30 s 5000 rpm）至ITO玻璃基板上。經旋塗膜在150℃下退火20分鐘。退火膜厚度介於30至80 nm的範圍內。
將苯甲醚之HTL材料溶液（22 mg/mL，用0.2微米聚四氟乙烯（PTFE）針筒過濾器進行過濾）旋塗（速度：5 s 2000 rpm，30 s 4000 rpm）至HIL塗佈ITO玻璃基板上，且進行退火（退火條件：205℃，10 min）。退火膜厚度介於10至200 nm的範圍內。
對於EML層，將9-(4,6-二苯基嘧啶-2-基)-9'-苯基-9H,9'H-3,3'-二咔唑（主體）及三[3-[4-(1,1-二甲基乙基)-2-吡啶基-κN][1,1'-聯苯]-4-基-κC]銥（摻雜劑）混合於鄰二甲苯（2.0wt%，主體：摻雜劑（15%），用0.2微米聚四氟乙烯（PTFE）針筒過濾器進行過濾）中，接著將所得物質旋塗（速度：5 s 500 rpm，30 s 2000 rpm）至HIL及HTL塗佈ITO玻璃基板上，且在120℃下退火10 min。退火膜厚度介於10至200 nm的範圍內。對於電子傳輸層，將2,4-雙(9,9-二甲基-9H-茀-2-基))-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪與喹啉鋰（液體）一起共蒸發，直至厚度到達350埃為止。ETL化合物及液體之蒸發速率為0.4 A/s及0.6 A/s。最終，「20埃」之薄電子注入層（液體）在0.5 A/s速率下蒸發。最終，此等OLED（表1中所報告）在進行測試之前被密閉性密封。
OLED具有以下常見結構：HIL（400ű20Å）/HTL（200至300Å）/未淬火EML（400Å）/ETL：液體（350Å）/液體（20Å）。 表1
用吉時利（KEITHLEY）2400電源電錶及光電研究PR655分光輻射度計執行OLED裝置之電流密度-電壓-亮度（J-V-L）表徵。
如表2中所展示，與比較裝置之發光效率相比較，發明性OLED裝置具有更高發光效率。 表2
無
無

Claims (15)

  1. 一種包括聚合物之聚合電荷轉移層組合物，所述聚合物包括至少一個具有以下結構A之基於咔唑之單體A作為聚合單元：（結構A）， 其中Ar1 至Ar6 各自獨立地選自經取代或未經取代之芳族部分及經取代或未經取代之雜芳族部分，且 R1 係選自由以下各者組成之群：氫、氘、經取代或未經取代之烴基、經取代或未經取代之雜烴基、鹵素、氰基、經取代或未經取代之芳基及經取代或未經取代之雜芳基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中以所述聚合物中之所有單體的總莫耳計，單體A以至少54莫耳%之量存在。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中單體A選自以下化合物（A1）至（A9）： 。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中所述聚合物進一步包括至少一個具有以下結構B之單體B作為聚合單元：（結構B）， 其中R2 及R3 各自獨立地選自由以下各者組成之群：氫、氘、經取代或未經取代之烴基、經取代或未經取代之雜烴基、鹵素、氰基、經取代或未經取代之芳基及經取代或未經取代之雜芳基。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中以所述聚合物中之所有單體的所述總莫耳計，單體B以至多46莫耳%之量存在。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中單體B選自以下化合物（B1）至（B9）：。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中所述聚合電荷轉移層組合物進一步包括選自離子化合物之p型摻雜劑，所述離子化合物包含三苯甲基鹽、銨鹽、碘鹽、卓鎓鹽、咪唑鎓鹽、鏻鹽、氧鎓鹽及其混合物。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中所述離子化合物係選自三苯甲基硼酸鹽、硼酸銨、硼酸碘、硼酸卓鎓、硼酸咪唑鎓、硼酸鏻、硼酸氧鎓及其混合物。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中所述p型摻雜劑為以下化合物（p-1）：。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中以所述聚合電荷轉移層組合物之總重量計，所述p型摻雜劑以1至20重量%之量存在。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中R1 至R3 各自獨立地具有由結構I表示的官能團：（結構I）， 其中R4 至R6 各自獨立地選自由以下各者組成之群：氫、氘、經取代或未經取代之C1 至C50 烴基、經取代或未經取代之C1 至C50 雜烴基、鹵素、氰基、經取代或未經取代之C6 至C50 芳基及經取代或未經取代之C4 至C50 雜芳基；且 L係選自由以下各者組成之群：共價鍵；-O-；-伸烷基-；-伸芳基-；-伸烷基-伸芳基-；-伸芳基-伸烷基-；-O-伸烷基-；-O-伸芳基-；-O-伸烷基-伸芳基-；-O-伸烷基-O-；-O-伸烷基-O-伸烷基-O-；-O-伸芳基-O-；-O-伸烷基-伸芳基-O-；-O-(CH2 CH2 -O)n -，其中n為2至20之整數；-O-伸烷基-O-伸烷基-；-O-伸烷基-O-伸芳基-；-O-伸芳基-O-；-O-伸芳基-O-伸烷基-；及-O-伸芳基-O-伸芳基。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的聚合電荷轉移層組合物，其中L為-伸烷基-、-伸芳基-、-伸烷基-伸芳基-、-伸芳基-伸烷基-或共價鍵。
  13. 一種電子裝置，其包括如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的聚合電荷轉移層組合物。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的電子裝置，其中所述聚合電荷轉移層為電洞傳輸層、電子傳輸層或電洞注入層。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的電子裝置，其中所述電子裝置為發光裝置。
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