JP2020511772A - ポリマー電荷輸送層およびそれを含む有機電子デバイス - Google Patents
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Abstract
低い駆動電圧および高い発光効率を示す電子デバイスの有機層に好適なポリマー電荷輸送層組成物。
Description
本開示は、重合単位として、少なくとも1つのカルバゾール系モノマーAを含むポリマーを含むポリマー電荷輸送層組成物に関する。本開示はさらに、有機電子デバイス、とりわけポリマー電荷輸送層を含む発光デバイスに関する。
有機電子デバイスは、少なくとも1つの有機材料を用いて電気的動作を実行するデバイスである。有機電子デバイスは、柔軟性、低電力消費、および従来の無機電子デバイスを超える比較的低コストなどの利点を有する。有機電子デバイスとしては、通常、有機発光デバイス、有機太陽電池、有機メモリデバイス、有機センサ、有機薄膜トランジスタ、ならびに有機電池、燃料電池、および有機スーパーキャパシタなどの発電および蓄電デバイスが挙げられる。そのような有機電子デバイスは、正孔注入もしくは輸送材料、電子注入もしくは輸送材料、または発光材料から調製される。
典型的な有機発光デバイスは、多層構造を有する有機発光ダイオード(OLED)であり、典型的にアノードと金属カソードを含む。アノードと金属カソードとの間には、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、発光層(EML)、電子輸送層(ETL)、および電子注入層(EIL)などのいくつかの有機層が挟まれている。OLEDにおけるETLおよびHTLのための新材料の発見は、デバイス性能および寿命を改善することを目的としていた。HTL層の場合、典型的なポリマー電荷輸送層として、層を堆積させるプロセスはその最終用途にとってクリティカルである。小型ディスプレイ用途においてHTL層を堆積させる方法は、堆積を方向付けるために微細な金属マスクを用いて小さな有機化合物を蒸着させることを含む。大型ディスプレイの場合、この手法は材料の使用量および高スループットの観点から実用的ではない。これらの発見を念頭に置いて、これらの課題を満たし、大型ディスプレイ用途に直接適用することができるHTLを堆積させるための新しいプロセスが必要とされている。
有望と思われる1つの手法は、架橋または重合部分で結合した小分子HTL材料の堆積を含む溶液プロセスである。溶液プロセスに基づく方法としては、スピンコーティング、インクジェット印刷、スロットダイコーティングおよびスクリーン印刷が挙げられ、これらは当技術分野において周知である。この分野では、これらの方針に沿って広範な取り組みが行われてきたが、これらの手法にはそれぞれ欠点がある。特に、架橋または重合化学の結果として、HTL中の電荷の移動度が低下する。場合によっては、これによってデバイスの寿命が短くなるおそれがある。
したがって、有機電子デバイス用、特に有機発光デバイス、有機太陽電池、または有機メモリデバイス用の改善された正孔移動度およびデバイス寿命を有する新しいポリマー電荷輸送層組成物を提供することが依然として望まれている。
本開示は、重合単位として、少なくとも1つのカルバゾール系モノマーA、および任意選択で少なくとも1つのモノマーBを含むポリマーを含むポリマー電荷輸送層組成物を提供する。
モノマーAは、以下の構造Aを有する:
モノマーBは、以下の構造Bを有する:
Ar1〜Ar6は、それぞれ独立して、置換または非置換の芳香族部分、および置換または非置換のヘテロ芳香族部分から選択される。
R1、R2およびR3は、それぞれ独立して、水素、重水素(「D」)、置換または非置換ヒドロカルビル、置換または非置換ヘテロヒドロカルビル、ハロゲン、シアノ、置換または非置換アリール、および置換または非置換ヘテロアリールからなる群から選択される。
本開示はさらに、ポリマー電荷輸送層を含む有機発光デバイスおよび有機電子デバイスを提供する。
本開示のポリマー電荷輸送層組成物は、ポリマーと任意選択のp型ドーパントとを含む。ポリマーは、重合単位として、少なくとも1つのカルバゾール系モノマーA、および任意選択で少なくとも1つのモノマーBを含む。
ポリマー
ポリマーは、以下の構造Aを有するモノマーA:
ポリマーは、以下の構造Aを有するモノマーA:
以下の構造Bを有する任意選択のモノマーB:
式中、Ar1〜Ar6は、それぞれ独立して、置換または非置換の芳香族部分、および置換または非置換のヘテロ芳香族部分から選択される。
Ar1〜Ar6の好適な例としては、
が挙げられる。
R1〜R3は、それぞれ独立して、水素、重水素(「D」)、C1−C100ヒドロカルビル、C3−C100ヒドロカルビル、C10−C100ヒドロカルビル、C20−C100ヒドロカルビル、およびC30−C100ヒドロカルビルなどの置換または非置換ヒドロカルビル、C1−C100ヘテロヒドロカルビル、C3−C100ヘテロヒドロカルビル、C10−C100ヘテロヒドロカルビル、C20−C100ヘテロヒドロカルビル、およびC30−C100ヘテロヒドロカルビルなどの置換または非置換ヘテロヒドロカルビル、ハロゲン、シアノ、C5−C100アリール、C6−C100アリール、C10−C100アリール、C20−C100アリール、C30−C100アリールなどの置換もしくは無置換アリール、C5−C100ヘテロアリール、C6−C100ヘテロアリール、C10−C100ヘテロアリール、C20−C100ヘテロアリール、およびC30−C100ヘテロアリールなどの置換または非置換ヘテロアリールからなる群から選択される。
好ましくは、R1〜R3は、それぞれ独立して、それらから得られるポリマーが架橋構造を有するように、構造Iで表される官能基を有する。
式中、R4〜R6は、それぞれ独立して、水素、重水素、置換または非置換のC1−C50ヒドロカルビル、置換または非置換のC1−C50ヘテロヒドロカルビル、ハロゲン、シアノ、置換または非置換のC6−C50アリール、および置換または非置換のC4−C50ヘテロアリールからなる群から選択される。
Lは、共有結合、−O−、−アルキレン−、−アリーレン−、−アルキレン−アリーレン−、−アリーレン−アルキレン−、−O−アルキレン−、−O−アリーレン−、−O−アルキレン−アリーレン−、−O−アルキレン−O−、−O−アルキレン−O−アルキレン−O−、−O−アリーレン−O−、−O−アルキレン−アリーレン−O−、−O−(CH2CH2−O)n−(式中、nは2〜20の整数である)、−O−アルキレン−O−アルキレン−、−O−アルキレン−O−アリーレン−、−O−アリーレン−O−、−O−アリーレン−O−アルキエン−、および−O−アリーレン−O−アリーレンからなる群から選択される。
好ましくは、Lは、−アルキレン−、−アリーレン−、−アルキレン−アリーレン−、−アリーレン−アルキレン−、または共有結合である。より好ましくは、Lは、−アリーレン−、−アリーレン−アルキレン−、または共有結合である。
構造Iの好適な例としては、を介して、以下の構造(I−1)〜(I−12)が挙げられる:
好ましくは、構造Iは、構造(I−4)、(I−5)、(I−11)、および(I−12)から選択される。
一実施形態において、モノマーAは、以下の化合物(A1)〜(A9)から選択される:
本開示において有用なモノマーAは、500g/モル〜28,000g/モル、好ましくは800g/モル〜14,000g/モル、好ましくは1,000g/モル〜7,000g/モルの分子量を有する。
一実施形態では、モノマーAをイオン交換ビーズでさらに精製して、金属イオン、硫酸イオン、ギ酸イオン、シュウ酸イオンおよび酢酸イオンなどの陽イオン性および陰イオン性不純物を除去する。モノマーAの純度は99%以上、99.4%以上、さらには99.5%以上である。当該精製は、例えば分別、昇華、クロマトグラフィー、結晶化および沈殿法を含む当技術分野において周知の方法によって達成される。
モノマーAは、本開示において、ポリマー中の全モノマーの総モルに基づいて少なくとも54モル%、70モル%以上、80モル%以上、90モル%以上、さらには100モル%の量で存在する。好ましくは、ポリマーは、組成物中の全モノマーの総モルに基づいて100モル%のモノマーAを含む。
モノマーBは、本開示において、ポリマー中の全モノマーの総モルに基づいて最大46モル%、または30モル%以下、20モル%以下、10モル%以下、またはさらに5モル%以下の量で存在する。
一実施形態において、モノマーBは、以下の化合物(B1)〜(B9)から選択される:
p型ドーパント
任意選択で、ポリマー電荷輸送層組成物を作製するためにポリマーを1つ以上のp型ドーパントとブレンドしてもよい。p型ドーパントは、トリチル塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、トロピリウム塩、イミダゾリウム塩、ホスホニウム塩、オキソニウム塩、およびそれらの混合物を含むイオン性化合物から選択される。好ましくは、イオン性化合物は、トリチルボレート、アンモニウムボレート、ヨードニウムボレート、トロピリウムボレート、イミダゾリウムボレート、ホスホニウムボレート、オキソニウムボレート、およびそれらの混合物から選択される。本開示において用いられるp型ドーパントの好適な例としては、以下の化合物(p−1)〜(p−13)が挙げられる:
任意選択で、ポリマー電荷輸送層組成物を作製するためにポリマーを1つ以上のp型ドーパントとブレンドしてもよい。p型ドーパントは、トリチル塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、トロピリウム塩、イミダゾリウム塩、ホスホニウム塩、オキソニウム塩、およびそれらの混合物を含むイオン性化合物から選択される。好ましくは、イオン性化合物は、トリチルボレート、アンモニウムボレート、ヨードニウムボレート、トロピリウムボレート、イミダゾリウムボレート、ホスホニウムボレート、オキソニウムボレート、およびそれらの混合物から選択される。本開示において用いられるp型ドーパントの好適な例としては、以下の化合物(p−1)〜(p−13)が挙げられる:
好ましくは、p型ドーパントは、以下の化合物(p−1)である:
本開示において、p型ドーパントは、ポリマー電荷輸送層組成物の総重量に基づいて、1重量%以上、3重量%以上、5重量%以上、またはさらには7重量%以上、かつ同時に20重量%以下、15重量%以下、12重量%以下、またはさらには10重量%以下の量で存在する。
有機電荷輸送膜
本発明は、有機電荷輸送膜を提供し、有機電荷輸送膜と、表面、好ましくは別の有機電荷輸送膜、およびインジウム−錫酸化物(ITO)ガラスまたはシリコンウエハ上に有機電荷輸送組成物をコーティングすることによって有機電荷輸送膜を生産するプロセスとをさらに対象とする。膜は、表面上に配合物をコーティングし、50〜150℃(好ましくは80〜120℃)の温度で好ましくは5分未満焼成し、その後、120〜280℃、好ましくは少なくとも140℃、好ましくは少なくとも160℃、好ましくは少なくとも170℃、好ましくは230℃以下、好ましくは215℃以下の温度で熱架橋することによって形成される。
本発明は、有機電荷輸送膜を提供し、有機電荷輸送膜と、表面、好ましくは別の有機電荷輸送膜、およびインジウム−錫酸化物(ITO)ガラスまたはシリコンウエハ上に有機電荷輸送組成物をコーティングすることによって有機電荷輸送膜を生産するプロセスとをさらに対象とする。膜は、表面上に配合物をコーティングし、50〜150℃(好ましくは80〜120℃)の温度で好ましくは5分未満焼成し、その後、120〜280℃、好ましくは少なくとも140℃、好ましくは少なくとも160℃、好ましくは少なくとも170℃、好ましくは230℃以下、好ましくは215℃以下の温度で熱架橋することによって形成される。
好ましくは、本発明に従って生産されるポリマー膜の厚さは、1nm〜100ミクロンであり、好ましくは少なくとも10nm、好ましくは少なくとも30nm、好ましくは10ミクロン以下、好ましくは1ミクロン以下、好ましくは300nm以下である。スピンコーティングされた膜の厚さは、主に溶液中の固体含有量およびスピン速度によって決定される。例えば、2000rpmのスピン速度で、2、5、8、および10重量%のポリマー樹脂配合溶液はそれぞれ、30、90、160、および220nmの膜厚をもたらす。湿潤膜は、焼成および架橋後に5%以下だけ収縮する。
有機電子デバイス
本発明は有機電子デバイスを作製する方法を提供する。この方法は、本発明のポリマー電荷輸送層組成物を設けること、および溶液プロセスによる有機電子デバイスの製造に使用することが知られているまたは提案されている有機溶媒のいずれかにポリマー電荷輸送層組成物を溶解または分散させることを含む。そのような有機溶媒としては、テトラヒドロフラン(THF)、シクロヘキサノン、クロロホルム、1,4−ジオキサン、アセトニトリル、酢酸エチル、テトラリン、クロロベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン、テトラロン、およびそれらの混合物が挙げられる。得られたポリマー電荷輸送層溶液を膜またはフィルターを通して濾過して50nmより大きい粒子を除去した。
本発明は有機電子デバイスを作製する方法を提供する。この方法は、本発明のポリマー電荷輸送層組成物を設けること、および溶液プロセスによる有機電子デバイスの製造に使用することが知られているまたは提案されている有機溶媒のいずれかにポリマー電荷輸送層組成物を溶解または分散させることを含む。そのような有機溶媒としては、テトラヒドロフラン(THF)、シクロヘキサノン、クロロホルム、1,4−ジオキサン、アセトニトリル、酢酸エチル、テトラリン、クロロベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン、テトラロン、およびそれらの混合物が挙げられる。得られたポリマー電荷輸送層溶液を膜またはフィルターを通して濾過して50nmより大きい粒子を除去した。
ポリマー電荷輸送層溶液は、次いで第1の電極上に堆積される。堆積は、有機電子デバイスを製造するために使用されることが知られている、または提案されている様々なタイプの溶液処理技術のいずれかによって遂行することができる。例えば、ポリマー電荷輸送層溶液は、インクジェット印刷、ノズル印刷、オフセット印刷、転写印刷、もしくはスクリーン印刷などの印刷プロセスを用いて、または例えばスプレーコーティング、スピンコーティング、もしくはディップコーティングなどのコーティングプロセスを使用して、堆積させることができる。溶液が堆積した後、溶媒が除去される。この除去は、真空乾燥および/または加熱などの従来の方法を用いて行うことができる。
ポリマー電荷輸送層溶液は、さらに架橋されてポリマー電荷輸送層を形成する。架橋は、層溶液を、熱および/またはUV光、ガンマ線またはX線を含む化学線に暴露することによって行うことができる。架橋は、熱または照射により分解し、架橋反応を開始させるフリーラジカルまたはイオンを生成する開始剤の存在下で行うことができる。架橋は、デバイスの製造中に現場で実施することができる。架橋後、架橋により作製されたポリマー電荷輸送層は、好ましくは、光、正電荷、負電荷または励起子への暴露に対して反応性または分解性である残留部分を含まない。
溶液堆積および架橋のプロセスを繰り返して、複数の層を形成することができる。
好ましくは、OLEDは、以下に示す順序で互いに接触している以下の層、すなわち基板、第1の導電層、任意選択で1つ以上の正孔注入層、1つ以上の正孔輸送層、任意選択で1つ以上の電子阻止層、発光層、任意選択で1つ以上の正孔阻止層、任意選択で1つ以上の電子輸送層、電子注入層、および第2の導電層を含む。
一実施形態では、ポリマー電荷輸送層は、OLED中の正孔輸送層として使用される。第1の導電層は、アノードとして使用され、一般に透明導電性酸化物、例えばフッ素ドープ酸化スズ、アンチモンドープ酸化スズ、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛、インジウムスズ酸化物、金属窒化物、金属セレン化物および金属硫化物である。この材料は、第1の導電層と正孔輸送層との間の十分な接触を確実にして低電圧下で正孔注入を促進してより良好な安定性を提供するために、良好な薄膜形成特性を有することが好ましい。典型的には、正孔輸送層は発光層と接触している。任意選択で、正孔輸送層と発光層との間に電子阻止層を配置することができる。発光層は、発光デバイスの全体構成において非常に重要な役割を果たす。デバイスの色を決定することに加えて、発光層は全体としての輝度効率にも重要な影響を及ぼす。一般的な発光体材料は、発光メカニズムに応じて蛍光性および燐光性として分類することができる。第2の導電層はカソードであり、導電材料を含む。例えば、カソードの材料は、アルミニウムおよびカルシウムなどの金属、マグネシウム/銀およびアルミニウム/リチウムなどの金属合金、ならびにそれらの任意の組み合わせとすることができる。その上、必要に応じて、カソードと発光層との間に電子注入層として極めて薄いフッ化リチウム膜を配置してもよい。フッ化リチウムは、カソードから発光層への電子の注入のエネルギー障壁を効果的に低減することができる。任意選択で、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を配置することができる。任意選択で、電子輸送層と発光層との間に正孔阻止層を配置することができる。
定義
「有機電子デバイス」という用語は、有機材料の存在下で電気的動作を実行するデバイスを指す。有機電子デバイスの具体例としては、有機太陽電池、有機センサ、有機薄膜トランジスタ、有機メモリデバイス、有機電界効果トランジスタ、OLEDデバイスなどの有機発光デバイス、ならびに有機電池、燃料電池、有機スーパーキャパシタなどの発電および蓄電デバイスが挙げられる。
「有機電子デバイス」という用語は、有機材料の存在下で電気的動作を実行するデバイスを指す。有機電子デバイスの具体例としては、有機太陽電池、有機センサ、有機薄膜トランジスタ、有機メモリデバイス、有機電界効果トランジスタ、OLEDデバイスなどの有機発光デバイス、ならびに有機電池、燃料電池、有機スーパーキャパシタなどの発電および蓄電デバイスが挙げられる。
「有機発光デバイス」という用語は、電流が2つの電極間で印加されるときに発光するデバイスを指す。具体例としては、発光ダイオードが挙げられる。
「p型ドーパント」という用語は、電荷輸送層の正孔伝導性を高めることができる添加剤を指す。
「ポリマー電荷輸送層」という用語は、電荷、正孔または電子のいずれかを輸送することができるポリマー材料を指す。具体例としては、正孔輸送層が挙げられる。
「アノード」という用語は、典型的に、発光層、または正孔注入層もしくは正孔輸送層などの発光層とアノードとの間に位置する層に正孔を注入する金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物、導電性ポリマー、およびそれらの組み合わせを指す。アノードは、基板上に配設される。
「阻止層」という用語は、デバイスを通過する1つのタイプの電荷担体および/または励起子の輸送を著しく阻害する障壁を提供する層を指すが、その層が必ずしも全ての電荷担体および/または励起子を完全に阻止することは示唆していない。デバイス内にそのような阻止層が存在すると、阻止層を欠く同様のデバイスと比較してより高い効率をもたらすことができる。また、阻止層を使用して、発光をOLEDの所望の領域に閉じ込めることができる。阻止層は、存在するとき、一般に発光層の両側に存在する。
電子阻止は、例えば、発光層のLUMOエネルギー準位よりも著しく高いLUMOエネルギー準位を有する阻止層を使用することによって、を含む様々な方法で達成することができる。LUMOエネルギー準位の差がより大きいと、より良好な電子阻止特性がもたらされる。阻止層において使用するのに好適な材料は発光層の材料に依存する。主に電子阻止を行う層は電子阻止層(EBL)である。電子阻止は、他の層、例えば正孔輸送層(HTL)において起こり得る。
正孔阻止は、例えば、発光層のHOMOエネルギー準位よりも著しく低いHOMOエネルギー準位を有する阻止層を使用することによって、を含む様々な方法で達成することができる。HOMOエネルギー準位の差がより大きいと、より良好な正孔阻止特性がもたらされる。阻止層において使用するのに好適な材料は発光層の材料に依存する。主に正孔阻止を行う層は正孔阻止層(HBL)である。正孔阻止は、他の層、例えば電子輸送層(ETL)において起こり得る。
阻止層はまた、EMLドーパントまたはEMLホストの三重項エネルギー準位よりも著しく高い三重項エネルギー準位を有する阻止層を使用することによって、発光層から励起子が拡散するのを阻止するために使用することもできる。阻止層において使用するのに好適な材料は発光層の材料組成に依存する。
「カソード」という用語は、典型的には、発光層、または電子注入層もしくは電子輸送層などの発光層とカソードとの間に位置する層に電子を注入する金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物、導電性ポリマー、またはそれらの組み合わせを指す。
「電子注入層」または「EIL」などの用語は、カソードから注入された電子の電子輸送層への注入を改善する層を指す。
「発光層」などの用語は、電極(アノードとカソード)の間に位置し、電界の中に置かれたときに正孔と電子との再結合によって発光を支援する層を指し、発光層が主たる発光源である。発光層は典型的にはホストとエミッタとからなる。ホスト材料は、優先的に正孔あるいは電子を輸送することができ、または正孔および電子の両方を同様に輸送することができ、単独でまたは2つ以上のホスト材料の組み合わせで使用することができる。ホスト材料の光電気特性は、どちらのタイプのエミッタ(リン光または蛍光)が使用されるかによって異なり得る。エミッタは、励起状態から放射放出する材料である。励起状態は、例えば、エミッタ分子上の電荷によって、または他の分子の励起状態からのエネルギー移動によって、発生させることができる。
「電子輸送層」または「ETL」などの用語は、カソードまたはEILから注入された電子を効率的に輸送するための高い電子移動度と、それらの電子を正孔阻止層または発光層中へと好ましく注入することと、を含む特性を示す材料から作製された層を指す。
「正孔注入層」または「HIL」などの用語は、アノードから発光層、電子阻止層、またはより典型的には正孔輸送層に正孔を効率的に輸送または注入するための層を指す。アノードから正孔輸送層、電子阻止層、または発光層への正孔の注入を達成するために、複数の正孔注入層を使用することができる。
「正孔輸送層」または「HTL」などの用語は、アノードまたはHILから注入された正孔を効率的に輸送するための高い正孔移動度と、それらの正孔を電子阻止層または発光層中へと好ましく注入することと、を含む特性を示す材料から作製された層を指す。
「芳香族部分」という用語は、芳香族ヒドロカルビルから少なくとも1個の水素原子を削除することにより芳香族ヒドロカルビルから誘導される有機部分を指す。芳香族部分は、単環式および/または縮合環系であり得、その各環が好適には4〜7個、好ましくは5または6個の原子を含有する。2つ以上の芳香族部分が単結合(複数可)を介して結合している構造も含まれる。具体例としては、フェニル、ナフチル、ビフェニル、アントリル、インデニル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、フェナントリル、トリフェニレニル、ピレニル、ペリレニル、クリセニル、ナフタセニル、およびフルオランテニルが挙げられる。ナフチルは1−ナフチルまたは2−ナフチルであり得、アントリルは1−アントリル、2−アントリル、または9−アントリルであり得、フルオレニルは1−フルオレニル、2−フルオレニル、3−フルオレニル、4−フルオレニル、および9−フルオレニルのいずれか1つであり得る。
「ヘテロ芳香族部分」という用語は、少なくとも1つの炭素原子、またはCH基、またはCH2基が、ヘテロ原子、または少なくとも1つのヘテロ原子を含有する化学基で置換されている芳香族部分を指す。ヘテロ芳香族部分は、5または6員の単環式ヘテロアリール、または1つ以上のベンゼン環(複数可)と縮合した多環式ヘテロアリールであり得、部分的に飽和され得る。単結合を介して結合した1つ以上のヘテロ芳香族部分を有する構造も含まれる。具体例としては、フリル、チオフェニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、チアゾリル、チアジアゾリル、イソチアゾリル、イソキサゾリル、オキサゾリル、オキサジアゾリル、トリアジニル、テトラジニル、トリアゾリル、テトラゾリル、フラザニル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニルなどの単環式ヘテロアリール基;ベンゾフラニル、フルオレノ[4,3−b]ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、フルオレノ[4,3−b]ベンゾチオフェニル、イソベンゾフラニル、ベンジイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンジイソチアゾリル、ベンジイソオキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、イソインドリル、インドリル、インダゾリル、ベンゾチアジアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリニル、キナゾリニル、キノキサリニル、カルバゾリル、フェナントリジニル、およびベンゾジオキソリルなどの多環式ヘテロアリール基が挙げられる。
本明細書で使用される場合、「ヒドロカルビル」という用語は、水素原子および炭素原子のみを含有する化学基を指す。
「置換ヒドロカルビル」という用語は、少なくとも1個の水素原子が、ヘテロ原子、または少なくとも1つのヘテロ原子を含有する化学基で置換されているヒドロカルビルを指す。
本明細書で使用される場合、「ヘテロヒドロカルビル」という用語は、水素原子および炭素原子を含有する化学基であって、少なくとも1つの炭素原子、またはCH基、またはCH2基が、ヘテロ原子、または少なくとも1つのヘテロ原子を含有する化学基で置換されている化学基を指す。
本明細書で使用される場合、「置換ヘテロヒドロカルビル」という用語は、少なくとも1個の水素原子が、ヘテロ原子、または少なくとも1つのヘテロ原子を含有する化学基で置換されているヘテロヒドロカルビルを指す。
「アリール」という用語は、芳香族ヒドロカルビルから1個の水素原子を削除することにより芳香族ヒドロカルビルから誘導される有機ラジカルを指す。アリール基は、単環式および/または縮合環系であり得、その各環が好適には4〜7個、好ましくは5または6個の原子を含有する。2つ以上のアリール基が単結合(複数可)を介して結合している構造も含まれる。具体例としては、フェニル、ナフチル、ビフェニル、アントリル、インデニル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、フェナントリル、トリフェニレニル、ピレニル、ペリレニル、クリセニル、ナフタセニル、およびフルオランテニルが挙げられる。ナフチルは、1−ナフチルまたは2−ナフチルであり得、アントリルは1−アントリル、2−アントリル、または9−アントリルであり得、フルオレニルは1−フルオレニル、2−フルオレニル、3−フルオレニル、4−フルオレニル、および9−フルオレニルのいずれか1つであり得る。
「置換アリール」という用語は、少なくとも1個の水素原子が、ヘテロ原子、または少なくとも1つのヘテロ原子を含有する化学基で置換されているアリールを指す。
「ヘテロアリール」という用語は、少なくとも1つの炭素原子、またはCH基、またはCH2基が、ヘテロ原子、または少なくとも1つのヘテロ原子を含有する化学基で置換されているアリール基を指す。ヘテロアリールは、5または6員の単環式ヘテロアリール、または1つ以上のベンゼン環(複数可)と縮合した多環式ヘテロアリールであり得、部分的に飽和され得る。単結合を介して結合した1つ以上のヘテロアリール基(複数可)を有する構造も含まれる。ヘテロアリール基は、ヘテロ原子が、N−オキシド、第四級塩等を形成するように酸化された、または第四級化された2価のアリール基を含み得る。具体例としては、フリル、チオフェニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、チアゾリル、チアジアゾリル、イソチアゾリル、イソキサゾリル、オキサゾリル、オキサジアゾリル、トリアジニル、テトラジニル、トリアゾリル、テトラゾリル、フラザニル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニルなどの単環式ヘテロアリール基;ベンゾフラニル、フルオレノ[4,3−b]ベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、フルオレノ[4,3−b]ベンゾチオフェニル、イソベンゾフラニル、ベンジイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンジイソチアゾリル、ベンジイソオキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、イソインドリル、インドリル、インダゾリル、ベンゾチアジアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリニル、キナゾリニル、キノキサリニル、カルバゾリル、フェナントリジニル、およびベンゾジオキソリルなどの多環式ヘテロアリール基;ならびに対応するN−オキシド(例えば、ピリジルN−オキシド、キノリルN−オキシド)およびそれらの第四級塩が挙げられるが、これらに限定されない。
「置換ヘテロアリール」という用語は、少なくとも1個の水素原子が、ヘテロ原子、または少なくとも1つのヘテロ原子を含有する化学基で置換されているヘテロアリールを指す。ヘテロ原子としては、O、N、P、P(=O)、Si、BおよびSが挙げられる。
「モノマー」という用語は、ポリマーに重合することができる1つ以上の官能基を含有する化合物を指す。
「ポリマー」という用語は、同じタイプか異なるタイプかに関わらず、モノマーを重合することによって調製されたポリマー化合物を指す。したがって、ポリマーという一般的な用語は、ホモポリマーという用語(微量の不純物がポリマー構造に組み込まれ得るという理解の下に、1つのタイプのみのモノマーから調製されたポリマーを指すために用いられる)、および本明細書において以下に定義されるコポリマーという用語を包含する。
「コポリマー」という用語は、少なくとも2つの異なるタイプのモノマーの重合によって調製されるポリマーを指す。
以下の実施例は、本開示の実施形態を示す。すべての部およびパーセンテージは、特に指示がない限り重量による。
溶媒および試薬は全て、例えば、Sigma−Aldrich、TCIおよびAlfa Aesarなどの商用ベンダーから入手可能であり、入手可能な最高の純度で使用されるか、および/または必要に応じて、使用前に再結晶される。乾燥溶媒は、社内の精製/分配システム(ヘキサン、トルエン、およびテトラヒドロフラン)から得たか、またはSigma−Aldrichから購入した。「水に敏感な化合物」を含むすべての実験は、「オーブン乾燥」したガラス器具、窒素雰囲気下、またはグローブボックス中で行われる。
実施例では、以下の標準的な分析装置および方法を使用する。
ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)
ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)を用いて、ポリマーの分子量を分析する。2mgのHTLポリマーを1mLのTHFに溶解した。この溶液を0.20μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)シリンジフィルターで濾過し、50μlの濾液をGPCシステムに注入した。以下の分析条件を使用した:ポンプ:公称流量1.0mL/分のWaters(商標)e2695セパレーションモジュール、溶離液:Fisher Scientific HPLCグレードのTHF(安定化)、インジェクター:Waters e2695セパレーションモジュール、カラム:40℃に保たれたPolymer Laboratories Inc.の2つの5μm混合Cカラム、検出器:Shodex RI−201示差屈折率(DRI)検出器、校正:Polymer Laboratories Inc.の17ポリスチレン標準物質、3742kg/mol〜0.58kg/molの範囲で3次多項式曲線に適合する。
ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)を用いて、ポリマーの分子量を分析する。2mgのHTLポリマーを1mLのTHFに溶解した。この溶液を0.20μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)シリンジフィルターで濾過し、50μlの濾液をGPCシステムに注入した。以下の分析条件を使用した:ポンプ:公称流量1.0mL/分のWaters(商標)e2695セパレーションモジュール、溶離液:Fisher Scientific HPLCグレードのTHF(安定化)、インジェクター:Waters e2695セパレーションモジュール、カラム:40℃に保たれたPolymer Laboratories Inc.の2つの5μm混合Cカラム、検出器:Shodex RI−201示差屈折率(DRI)検出器、校正:Polymer Laboratories Inc.の17ポリスチレン標準物質、3742kg/mol〜0.58kg/molの範囲で3次多項式曲線に適合する。
核磁気共鳴(NMR)
1H−NMRスペクトル(500MHzまたは400MHz)を、30℃で、Varian VNMRS−500またはVNMRS−400分光計で得た。化学シフトは、CDCl3中のテトラメチルシラン(TMS)(6:000)を基準とする。
1H−NMRスペクトル(500MHzまたは400MHz)を、30℃で、Varian VNMRS−500またはVNMRS−400分光計で得た。化学シフトは、CDCl3中のテトラメチルシラン(TMS)(6:000)を基準とする。
液体クロマトグラフィー−質量分析(LC/MS)
通常の液体クロマトグラフィー/質量分析(LC/MS)の研究は以下のように実施した。「テトラヒドロフラン(THF)中の1mg/ml溶液」として、試料の1マイクロリットルのアリコートを、Agilent 6520四重極飛行時間型(Q−TOF)MSシステムに連結されたAgilent 1200SLバイナリ液体クロマトグラフィー(LC)システム上に、PIモードで動作するデュアルエレクトロスプレーインターフェース(ESI)を介して、注入する。以下の分析条件を使用する:カラム:Agilent Eclipse XDB−C18、4.6*50mm、1.7μm、カラムオーブン温度:30℃、溶媒A:THF、溶媒B:水/アセトニトリル(v/v、95/5)中の0.1%ギ酸、勾配:0〜6分で溶媒Aを40〜80%、9分間保持、流量:0.3mL/分、UV検出器:ダイオードアレイ、254nm、MS条件:キャピラリー電圧:3900kV(Neg)、3500kV(Pos)、モード:NegおよびPos、スキャン:100−2000amu、レート:1秒/スキャン、脱溶媒和温度:300℃。
通常の液体クロマトグラフィー/質量分析(LC/MS)の研究は以下のように実施した。「テトラヒドロフラン(THF)中の1mg/ml溶液」として、試料の1マイクロリットルのアリコートを、Agilent 6520四重極飛行時間型(Q−TOF)MSシステムに連結されたAgilent 1200SLバイナリ液体クロマトグラフィー(LC)システム上に、PIモードで動作するデュアルエレクトロスプレーインターフェース(ESI)を介して、注入する。以下の分析条件を使用する:カラム:Agilent Eclipse XDB−C18、4.6*50mm、1.7μm、カラムオーブン温度:30℃、溶媒A:THF、溶媒B:水/アセトニトリル(v/v、95/5)中の0.1%ギ酸、勾配:0〜6分で溶媒Aを40〜80%、9分間保持、流量:0.3mL/分、UV検出器:ダイオードアレイ、254nm、MS条件:キャピラリー電圧:3900kV(Neg)、3500kV(Pos)、モード:NegおよびPos、スキャン:100−2000amu、レート:1秒/スキャン、脱溶媒和温度:300℃。
モノマーA1およびモノマーA2の合成
4−(3,6−ビス(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾール−)9−イル)ベンズアルデヒドの合成(化合物1)
4−(3,6−ジブロモ−9H−カルバゾ−ル−9−イル)ベンズアルデヒド(6.00g、17.74mmol)、N−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン(15.70g、35.49mmol)、Pd(PPh3)3(0.96g)、7.72gのK2CO3、100mLのTHF、および30mLのH2Oの混合物を、窒素下、80℃で一晩加熱した。室温まで冷却した後、溶媒を真空下で除去し、残渣をジクロロメタンで抽出した。次いで、溶離剤として石油エーテルおよびジクロロメタンを用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより生成物を得、所望の生成物を提供した(14.8g、収率92%)。1H NMR(CDCl3,ppm):10.14(s,1H),8.41(d,2H),8.18(d,2H),7.86(d,2H),7.71(dd,2H),7.56−7.68(m,14H),7.53(m,4H),7.42(m,4H),7.26−735(m,18H),7.13−7.17(d,2H),1.46(s,12H)。
4−(3,6−ジブロモ−9H−カルバゾ−ル−9−イル)ベンズアルデヒド(6.00g、17.74mmol)、N−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン(15.70g、35.49mmol)、Pd(PPh3)3(0.96g)、7.72gのK2CO3、100mLのTHF、および30mLのH2Oの混合物を、窒素下、80℃で一晩加熱した。室温まで冷却した後、溶媒を真空下で除去し、残渣をジクロロメタンで抽出した。次いで、溶離剤として石油エーテルおよびジクロロメタンを用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより生成物を得、所望の生成物を提供した(14.8g、収率92%)。1H NMR(CDCl3,ppm):10.14(s,1H),8.41(d,2H),8.18(d,2H),7.86(d,2H),7.71(dd,2H),7.56−7.68(m,14H),7.53(m,4H),7.42(m,4H),7.26−735(m,18H),7.13−7.17(d,2H),1.46(s,12H)。
(4−(3,6−ビス(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾール)−9−イル)フェニル)メタノールの合成(化合物2)
4−(3,6−ビス(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾ−ル−9−イル)ベンズアルデヒド(10.0g、8.75mmol)を、80mLのTHFおよび30mLのエタノ−ル中に溶解させた。NaBH4(1.32g、35.01mmol)を窒素雰囲気下で2時間かけて添加した。その後、塩酸水溶液をpHが5になるまで添加し、混合物を30分間撹拌し続けた。溶媒を真空下で除去し、残留物をジクロロメタンで抽出した。次いで、生成物を真空下で乾燥し、さらに精製することなく次の工程に使用した。
4−(3,6−ビス(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾ−ル−9−イル)ベンズアルデヒド(10.0g、8.75mmol)を、80mLのTHFおよび30mLのエタノ−ル中に溶解させた。NaBH4(1.32g、35.01mmol)を窒素雰囲気下で2時間かけて添加した。その後、塩酸水溶液をpHが5になるまで添加し、混合物を30分間撹拌し続けた。溶媒を真空下で除去し、残留物をジクロロメタンで抽出した。次いで、生成物を真空下で乾燥し、さらに精製することなく次の工程に使用した。
モノマーA1の合成
N2雰囲気下、撹拌機を備えた三口丸底フラスコにPPh3CMeBr(1.45g、4.00mmol)を充填し、これに180mLの無水THFを添加した。懸濁液を氷浴中に配置した。その後、溶液にt−BuOK(0.70g、6.20mmol)を緩徐に添加し、反応混合物は明るい黄色に変化した。反応物をさらに3時間反応させた。その後、4−(3,6−ビス(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾ−ル−9−イル)ベンズアルデヒド(2.0g、1.75mmol)をフラスコに充填し、室温で一晩撹拌した。混合物を2NのHClで反応停止させ、ジクロロメタンで抽出し、有機層を脱イオン水で3回洗浄し、無水Na2SO4で乾燥させた。濾液を濃縮し、溶出剤としてジクロロメタンおよび石油エーテル(1:3)を使用するシリカゲルカラムで精製した。粗生成物を、99.8%の純度を有するジクロロメタンおよび酢酸エチルからさらに再結晶化した。ESI−MS(m/z、Ion):1140.523、(M+H)+。1H NMR(CDCl3,ppm):8.41(s,2H),7.56−7.72(m,18H),7.47−7.56(m,6H),7.37−7.46(m,6H),7.23−7.36(m,18H),6.85(q,1H),5.88(d,1H),5.38(d,1H),1.46(s,12H)。
N2雰囲気下、撹拌機を備えた三口丸底フラスコにPPh3CMeBr(1.45g、4.00mmol)を充填し、これに180mLの無水THFを添加した。懸濁液を氷浴中に配置した。その後、溶液にt−BuOK(0.70g、6.20mmol)を緩徐に添加し、反応混合物は明るい黄色に変化した。反応物をさらに3時間反応させた。その後、4−(3,6−ビス(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾ−ル−9−イル)ベンズアルデヒド(2.0g、1.75mmol)をフラスコに充填し、室温で一晩撹拌した。混合物を2NのHClで反応停止させ、ジクロロメタンで抽出し、有機層を脱イオン水で3回洗浄し、無水Na2SO4で乾燥させた。濾液を濃縮し、溶出剤としてジクロロメタンおよび石油エーテル(1:3)を使用するシリカゲルカラムで精製した。粗生成物を、99.8%の純度を有するジクロロメタンおよび酢酸エチルからさらに再結晶化した。ESI−MS(m/z、Ion):1140.523、(M+H)+。1H NMR(CDCl3,ppm):8.41(s,2H),7.56−7.72(m,18H),7.47−7.56(m,6H),7.37−7.46(m,6H),7.23−7.36(m,18H),6.85(q,1H),5.88(d,1H),5.38(d,1H),1.46(s,12H)。
モノマーA2の合成
0.45gの60%NaHを、(4−(3,6−ビス(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾール−9−イル]フェニル)メタノール10.00gの乾燥DMF溶液100mLに添加した。室温で1時間撹拌した後、2.00gの1−(クロロメチル)−4−ビニルベンゼンを、シリンジによって添加した。この溶液をN2下で60℃で撹拌し、TLCで追跡した。出発物質を消費した後、溶液を冷却し、氷水に注いだ。濾過し、水、エタノールおよび石油エーテルでそれぞれ洗浄した後、粗生成物を得、50℃の真空オーブンで一晩乾燥させ、次いでジクロロメタンおよび石油エーテルの溶離剤のグラーズエボリューション(1:3〜1:1)を用いるフラッシュシリカクロマトグラフィーにより精製した。粗生成物を、酢酸エチルからの再結晶、および99.8%の純度を可能にするカラムクロマトグラフィーによりさらに精製した。ESI−MS(m/z、Ion):1260.5811,(M+H)+。1H NMR(CDCl3,ppm):8.41(s,2H),7.58−7.72(m,18H),7.53(d,4H),7.38−7.50(m,12H),7.25−7.35(m,16H),7.14(d,2H),6.75(q,1H),5.78(d,1H),5.26(d,1H),4.68(s,4H),1.45(s,12H)。
0.45gの60%NaHを、(4−(3,6−ビス(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾール−9−イル]フェニル)メタノール10.00gの乾燥DMF溶液100mLに添加した。室温で1時間撹拌した後、2.00gの1−(クロロメチル)−4−ビニルベンゼンを、シリンジによって添加した。この溶液をN2下で60℃で撹拌し、TLCで追跡した。出発物質を消費した後、溶液を冷却し、氷水に注いだ。濾過し、水、エタノールおよび石油エーテルでそれぞれ洗浄した後、粗生成物を得、50℃の真空オーブンで一晩乾燥させ、次いでジクロロメタンおよび石油エーテルの溶離剤のグラーズエボリューション(1:3〜1:1)を用いるフラッシュシリカクロマトグラフィーにより精製した。粗生成物を、酢酸エチルからの再結晶、および99.8%の純度を可能にするカラムクロマトグラフィーによりさらに精製した。ESI−MS(m/z、Ion):1260.5811,(M+H)+。1H NMR(CDCl3,ppm):8.41(s,2H),7.58−7.72(m,18H),7.53(d,4H),7.38−7.50(m,12H),7.25−7.35(m,16H),7.14(d,2H),6.75(q,1H),5.78(d,1H),5.26(d,1H),4.68(s,4H),1.45(s,12H)。
モノマーA1のホモポリマーの調製(実施例1)
4mg/mLのAIBNアニソール溶液を最初にグローブボックス中で調製した。A1モノマー(300mg、0.26mmol)および0.32mLの4mg/mLのAIBNアニソール溶液(3mol%)を、グローブボックス内のシールチューブ内の0.68mLのアニソールに添加した。次いで混合物を70℃で一晩撹拌した。室温に冷却した後、シールチューブをグローブボックスに入れ、次いで8mg/mLのAIBNアニソール溶液を新たに調製し、そのうちの0.1mLを添加し、70℃で一晩撹拌した。これは完全な変換を確実にする。24時間後に沈殿が観察された。0.5mLのアニソールを添加して反応中の沈殿物を溶解させた。次いでメタノールで沈殿させ、固形分を4mLのアニソールに溶解させ(溶解を確実にするために加熱が必要であった)、10mLのメタノールで沈殿させた。沈殿を2回繰り返した。得られた白色固体を100℃の真空オーブン中で10時間かけて乾燥させた。得られたモノマーA1のホモポリマーは、15,704のMn、61,072のMw、124,671のMz、227,977のMz+1、および3.89のPDIを有する。
モノマーA2のホモポリマーの調製(実施例2)
4mg/mLのAIBNアニソール溶液を最初にグローブボックス中で調製した。A2モノマー(600mg、0.48mmol)および0.60mLの4mg/mLのAIBNアニソール溶液(3mol%)をグローブボックス内のシールチューブ内の1.0mLのアニソールに添加した。次いで混合物を70℃で一晩撹拌した。1H NMRを確認したところ、未反応ビニル基からのシグナルは非常に低いことが示された。8mg/mLのAIBNアニソール溶液を新たに調製した。0.3mLを添加し、70℃で一晩撹拌した。これは完全な変換を確実にする。メタノールで沈殿させた後、固形分を6mLのアニソールに溶解させ(溶解を確実にするために加熱が必要であった)、15mLのメタノールで沈殿させた。沈殿を2回繰り返した。得られた白色固体を100℃の真空オーブン中で10時間かけて乾燥させた。得られたモノマーA2のホモポリマーは、21,482のMn、67,058のMw、132,385のMz、226,405のMz+1、および3.12のPDIを有する。
モノマーB1の合成
塩化4−ビニルベンジル(3.00g、19.66mmol)のMeOH溶液(20mL)にナトリウムメトキシド(2.68g、39.31mmol)を添加した。反応混合物を24時間加熱還流した。室温に冷却した後、反応混合物を次いで濾過し、真空中で濃縮した。粗生成物をジエチルエーテル(30mL)で希釈し、次いで水(3×30mL)で洗浄した。有機層をNa2SO4で乾燥させ、濾過し、真空中で濃縮した。粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー(5%EtOAc/ヘキサン)により精製して、1−(メトキシメチル)4−ビニルベンゼンとして無色の液体を得た。1H NMR(CDCl3,ppm):7.38(d,2H)、7.28(d,2H),6.70(dd,1H),5.73(d,1H),5.22(d,1H),4.42(s,2H),3.36(s,3H)。
モノマーA1とモノマーB1のコポリマーの調製
4mg/mLのAIBNアニソール溶液を最初にグローブボックス中で調製した。A1モノマー(593mg、0.52mmol)、1−(メトキシメチル)−4−ビニルベンゼン(33mg、0.22mmol)および0.65mLの4mg/mLのAIBNアニソール溶液をグローブボックス内のシールチューブ内の1.1mLのアニソールに添加した。混合物を70℃で一晩撹拌した。1H NMRを確認したところ、未反応ビニル基からのシグナルは非常に低いことが示された。8mg/mLのAIBNアニソール溶液を新たに調製し、そのうちの0.2mLを添加し、70℃で一晩撹拌した。これは完全な変換を確実にする。メタノールで沈殿させた後、固形分を6mLのアニソールに溶解させ(溶解を確実にするために加熱が必要であった)、12mLのメタノールで沈殿させた。沈殿を2回繰り返した。得られた白色固体を100℃の真空オーブン中で10時間かけて乾燥させた。得られたモノマーA1とモノマーB1のコポリマーは、11,951のMn、48,474のMw、140,533のMz、248,932のMz+1、および4.06のPDIを有する。
比較モノマーの合成:N−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(9−(4−(((4−ビニルベンジル)オキシ)メチル)フェニル)−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン(CAS:1883576−19−9)
(4−(3−(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾール−9−イル)ベンズアルデヒドの合成
丸底フラスコに、N−(4−(9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−N−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン(2.00g、3.32mmol、1.0当量)、4−ブロモベンズアルデヒド(0.74g、3.98mmol、1.2当量)、CuI(0.13g、0.66mmol、0.2当量)、炭酸カリウム(1.38g、9.95mmol、3.0当量)、および18−クラウン−6(86mg、10mol%)を充填した。フラスコを窒素でフラッシュし、還流冷却器に接続した。10.0mLの乾燥した脱気1,2−ジクロロベンゼンを添加し、混合物を48時間還流した。冷却した溶液を飽和NH4Cl水溶液で反応停止させ、ジクロロメタンで抽出した。合わせた有機画分を乾燥させ、溶媒を蒸留によって除去した。粗残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン/クロロホルム勾配)によって精製し、明るい黄色の固体生成物(2.04g)を得た。この生成物は、以下の特徴を有していた:1H−NMR(CDCl3,ppm):10.13(s,1H),8.37(d,J=2.0Hz,1H),8.20(dd,J=7.7,1.0Hz,1H),8.16(d,J=8.2Hz,2H),7.83(d,J=8.1Hz,2H),7.73−7.59(m,7H),7.59−7.50(m,4H),7.50−7.39(m,4H),7.39−7.24(m,10H),7.19−7.12(m,1H),1.47(s,6H)。
丸底フラスコに、N−(4−(9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−N−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−アミン(2.00g、3.32mmol、1.0当量)、4−ブロモベンズアルデヒド(0.74g、3.98mmol、1.2当量)、CuI(0.13g、0.66mmol、0.2当量)、炭酸カリウム(1.38g、9.95mmol、3.0当量)、および18−クラウン−6(86mg、10mol%)を充填した。フラスコを窒素でフラッシュし、還流冷却器に接続した。10.0mLの乾燥した脱気1,2−ジクロロベンゼンを添加し、混合物を48時間還流した。冷却した溶液を飽和NH4Cl水溶液で反応停止させ、ジクロロメタンで抽出した。合わせた有機画分を乾燥させ、溶媒を蒸留によって除去した。粗残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン/クロロホルム勾配)によって精製し、明るい黄色の固体生成物(2.04g)を得た。この生成物は、以下の特徴を有していた:1H−NMR(CDCl3,ppm):10.13(s,1H),8.37(d,J=2.0Hz,1H),8.20(dd,J=7.7,1.0Hz,1H),8.16(d,J=8.2Hz,2H),7.83(d,J=8.1Hz,2H),7.73−7.59(m,7H),7.59−7.50(m,4H),7.50−7.39(m,4H),7.39−7.24(m,10H),7.19−7.12(m,1H),1.47(s,6H)。
(4−(3−(4−([1,1’−ビフェニル]−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾール−9−イル)フェニル)メタノールの合成
窒素のブランケット下、丸底フラスコに、(4−(3−(4−(1,1’−ビフェニル)−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾ−ル−9−イル)ベンズアルデヒド(4.36g、6.17mmol、1.00当量)を充填した。この材料を40mLの1:1のTHF:EtOH中に溶解させた。水素化ホウ素(0.28g、7.41mmol、1.20当量)を少量に分けて添加し、材料を3時間撹拌した。反応混合物を1MのHClで慎重に反応停止させ、生成物を少量のジクロロメタンで抽出した。合わせた有機画分を飽和重炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、MgSO4で乾燥させ、濃縮して粗残渣を得た。この材料をクロマトグラフィー(ヘキサン/ジクロロメタン勾配)によって精製し、白色の固体生成物(3.79g)を得た。この生成物は、以下の特徴を有していた:1H−NMR(CDCl3,ppm):8.35(s,1H),8.19(dt,J=7.8,1.1Hz,1H),7.73−7.56(m,11H),7.57−7.48(m,2H),7.48−7.37(m,6H),7.36−7.23(m,9H),7.14(s,1H),4.84(s,2H),1.45(s,6H)。
窒素のブランケット下、丸底フラスコに、(4−(3−(4−(1,1’−ビフェニル)−4−イル(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)アミノ)フェニル)−9H−カルバゾ−ル−9−イル)ベンズアルデヒド(4.36g、6.17mmol、1.00当量)を充填した。この材料を40mLの1:1のTHF:EtOH中に溶解させた。水素化ホウ素(0.28g、7.41mmol、1.20当量)を少量に分けて添加し、材料を3時間撹拌した。反応混合物を1MのHClで慎重に反応停止させ、生成物を少量のジクロロメタンで抽出した。合わせた有機画分を飽和重炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、MgSO4で乾燥させ、濃縮して粗残渣を得た。この材料をクロマトグラフィー(ヘキサン/ジクロロメタン勾配)によって精製し、白色の固体生成物(3.79g)を得た。この生成物は、以下の特徴を有していた:1H−NMR(CDCl3,ppm):8.35(s,1H),8.19(dt,J=7.8,1.1Hz,1H),7.73−7.56(m,11H),7.57−7.48(m,2H),7.48−7.37(m,6H),7.36−7.23(m,9H),7.14(s,1H),4.84(s,2H),1.45(s,6H)。
N−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(9−(4−(((4−ビニルベンジル)オキシ)メチル)フェニル)−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミンの合成
窒素充填グロ−ブボックス内で、100mLの丸底フラスコに、式2(4.40g、6.21mmol、1.00当量)および35mLのTHFを充填した。水素化ナトリウム(0.22g、9.32mmol、1.50当量)を少量に分けて添加し、混合物を30分間撹拌した。還流冷却器を取り付け、ユニットを密封し、グローブボックスから取り出した。塩化4−ビニルベンジル(1.05mL、7.45mmol、1.20当量)を注入し、混合物を出発材料が消費されるまで還流した。反応混合物を冷却し(氷浴)、イソプロパノ−ルで慎重に反応停止させた。飽和NH4Cl水溶液を添加し、生成物を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機画分をブラインで洗浄し、MgSO4で乾燥させ、濾過し、濃縮し、シリカクロマトグラフィーによって精製した。生成物は、以下の特徴を有していた:1H−NMR(CDCl3,ppm):8.35(s,1H),8.18(dt,J=7.8,1.0Hz,1H),7.74−7.47(m,14H),7.47−7.35(m,11H),7.35−7.23(m,9H),7.14(s,1H),6.73(dd,J=17.6,10.9Hz,1H),5.76(dd,J=17.6,0.9Hz,1H),5.25(dd,J=10.9,0.9Hz,1H),4.65(s,4H),1.45(s,6H)。
窒素充填グロ−ブボックス内で、100mLの丸底フラスコに、式2(4.40g、6.21mmol、1.00当量)および35mLのTHFを充填した。水素化ナトリウム(0.22g、9.32mmol、1.50当量)を少量に分けて添加し、混合物を30分間撹拌した。還流冷却器を取り付け、ユニットを密封し、グローブボックスから取り出した。塩化4−ビニルベンジル(1.05mL、7.45mmol、1.20当量)を注入し、混合物を出発材料が消費されるまで還流した。反応混合物を冷却し(氷浴)、イソプロパノ−ルで慎重に反応停止させた。飽和NH4Cl水溶液を添加し、生成物を酢酸エチルで抽出した。合わせた有機画分をブラインで洗浄し、MgSO4で乾燥させ、濾過し、濃縮し、シリカクロマトグラフィーによって精製した。生成物は、以下の特徴を有していた:1H−NMR(CDCl3,ppm):8.35(s,1H),8.18(dt,J=7.8,1.0Hz,1H),7.74−7.47(m,14H),7.47−7.35(m,11H),7.35−7.23(m,9H),7.14(s,1H),6.73(dd,J=17.6,10.9Hz,1H),5.76(dd,J=17.6,0.9Hz,1H),5.25(dd,J=10.9,0.9Hz,1H),4.65(s,4H),1.45(s,6H)。
N−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(9−(4−(((4−ビニルベンジル)オキシ)メチル)フェニル)−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミンのホモポリマーの調製(比較例)
グローブボックス内で、N−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(9−(4−(((4−ビニルベンジル)オキシ)メチル)フェニル)−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン(1.00当量)をアニソール(電子グレード、0.25M)に溶解した。混合物を70℃に加熱し、AIBN溶液(トルエン中0.20M、5mol%)を注入した。混合物を、モノマーが完全に消費されるまで少なくとも24時間攪拌した(AIBN溶液の2.5mol%部分を添加して変換を完了させることができる)。ポリマーをメタノール(アニソールの10倍量)で沈殿させ、濾過によって単離した。濾過した固体をメタノールの追加部分ですすいだ。濾過した固体をアニソールに再溶解し、沈殿/濾過のシーケンスをさらに2回繰り返した。単離した固体を50℃の真空オーブン内に一晩配置し、残留溶媒を除去した。得られたN−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(9−(4−(((4−ビニルベンジル)オキシ)メチル)フェニル)−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミンのホモポリマーは、21,501のMn、45,164のMw、73,186のMz、102,927のMz+1、および2.10のPDIを有する。
グローブボックス内で、N−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(9−(4−(((4−ビニルベンジル)オキシ)メチル)フェニル)−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン(1.00当量)をアニソール(電子グレード、0.25M)に溶解した。混合物を70℃に加熱し、AIBN溶液(トルエン中0.20M、5mol%)を注入した。混合物を、モノマーが完全に消費されるまで少なくとも24時間攪拌した(AIBN溶液の2.5mol%部分を添加して変換を完了させることができる)。ポリマーをメタノール(アニソールの10倍量)で沈殿させ、濾過によって単離した。濾過した固体をメタノールの追加部分ですすいだ。濾過した固体をアニソールに再溶解し、沈殿/濾過のシーケンスをさらに2回繰り返した。単離した固体を50℃の真空オーブン内に一晩配置し、残留溶媒を除去した。得られたN−([1,1’−ビフェニル]−4−イル)−9,9−ジメチル−N−(4−(9−(4−(((4−ビニルベンジル)オキシ)メチル)フェニル)−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミンのホモポリマーは、21,501のMn、45,164のMw、73,186のMz、102,927のMz+1、および2.10のPDIを有する。
HTLホモポリマー/コポリマー膜の研究
HTLホモポリマー/コポリマー溶液の調製:HTLホモポリマー/コポリマー固体粉末をアニソールに直接溶解して、2重量%ストック溶液を作製した。完全に溶解させるために、溶液をN2中で80℃で5〜10分間撹拌した。
HTLホモポリマー/コポリマー溶液の調製:HTLホモポリマー/コポリマー固体粉末をアニソールに直接溶解して、2重量%ストック溶液を作製した。完全に溶解させるために、溶液をN2中で80℃で5〜10分間撹拌した。
熱アニーリングしたHTLホモポリマー/コポリマー膜の調製:Siウエハを使用前に紫外線オゾンにより2分間前処理した。数滴の上記濾過したHTL溶液を、前処理したSiウエハ上に堆積させた。500rpmで5秒間、次いで2000rpmで30秒間スピンコーティングすることにより薄膜を得た。次いで、得られた膜をN2パージボックスに移した。「湿潤」膜を100℃で1分間、前焼成して残留アニソールをほとんど除去した。その後、膜を205℃で15分間熱アニールした。
熱アニーリングしたHTLホモポリマー/コポリマー膜の剥離試験:M−2000Dエリプソメータ(J.A.Woollam Co.,Inc.)を用いて熱アニーリングされたHTL膜の「初期」厚さを測定した。次いで、膜上に数滴のo−キシレンを添加して液溜まりを形成した。90秒後、3500rpmで30秒間回転させてo−キシレン溶媒を振り落とした。エリプソメータを使用して膜の「剥離」厚さを直ちに測定した。次いで、膜をN2パージボックスに移し、続いて100℃で1分間、後焼成して膜中の膨張した溶媒を全て除去した。エリプソメータを使用して「最終」厚さを測定した。Cauchyモデルを用いて膜厚を決定し、1cm×1cmの面積内で9=3×3ポイントにわたって平均化した。
「−剥離」=「剥離」−「初期」:溶媒剥離による初期膜損失
「−PSB」=「最終」−「剥離」:膨張する溶媒の更なる膜損失
「−合計」=「−剥離」+「−PSB」=「最終」−「初期」:溶媒剥離および膨張による総膜損失
「−剥離」=「剥離」−「初期」:溶媒剥離による初期膜損失
「−PSB」=「最終」−「剥離」:膨張する溶媒の更なる膜損失
「−合計」=「−剥離」+「−PSB」=「最終」−「初期」:溶媒剥離および膨張による総膜損失
剥離試験をHTLホモポリマー/コポリマー直交溶解作用の研究に適用した。完全な耐溶媒性HTL膜については、溶媒剥離後の総膜損失は<1nm、好ましくは<0.5nmであるべきである。
完全な耐溶媒性のためには、総膜損失は<1nm、好ましくは<0.50nmであるべきである。ホモポリマーA1、A2、およびコポリマーA1B1膜は、1.5分および5分のo−キシレン剥離に対して直交しており、これにより、層間浸透を減少させながら溶液EML層のさらなるプロセスを可能にする。
OLEDデバイス製造
画素化された酸化インジウム錫(ITO)電極を有するガラス基板(50mm×50mm)を溶媒(順次エタノール、アセトン、イソプロパノール)および紫外線/オゾン(UVO)処理で洗浄した。
画素化された酸化インジウム錫(ITO)電極を有するガラス基板(50mm×50mm)を溶媒(順次エタノール、アセトン、イソプロパノール)および紫外線/オゾン(UVO)処理で洗浄した。
HIL、HTL、EML、ETLおよびEILを含有する各セルを、表1に列挙した材料に基づいて調製した。
HIL層については、窒素を充填したグローブボックスの内側で、Sigma−Aldrichから入手可能なPlexcore(商標)OCRG−1200(ポリ(チオフェン−3−[2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ)−2,5−ジイル)、0.5ミクロンのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)シリンジフィルターで濾過したスルホン化溶液)を、ITOガラス基板上にスピンコーティングした(速度:5秒1000rpm、30秒5000rpm)。スピンコーティングした膜を150℃で20分間アニールした。アニール膜厚は30〜80nmの範囲であった。
アニソール中のHTL材料溶液(22mg/mL、0.2ミクロンのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)シリンジフィルターで濾過した)を、HILでコーティングされたITOガラス基板上にスピンコーティングし(速度:5秒2000rpm、30秒4000rpm)、アニールした(アニール条件:205℃、10分)。アニール膜厚は、10〜200nmの範囲内であった。
EML層については、9−(4,6−ジフェニルピリミジン−2−イル)−9’−フェニル−9H,9’H−3,3’−ビカルバゾール(ホスト)およびトリス[3−[4−(1,1−ジメチルエチル)−2−ピリジニル−κN][1,1’−ビフェニル]−4−イル−κC]イリジウム(ドーパント)をo−キシレン(2.0重量%、ホスト:ドーパント(15%)、0.2ミクロンのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)シリンジフィルターで濾過した)中で混合し、次いでHILおよびHTLでコーティングされたITOガラス基板上にスピンコーティングし(速度:5秒500rpm、30秒2000rpm)、120℃で10分間アニールした。アニール膜厚は、10〜200nmの範囲内であった。電子輸送層については、2,4−ビス(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−6−(ナフタレン−2−イル)−1,3,5−トリアジンを、厚さが350オングストロームに達するまでリチウムキノレート(Liq)と共蒸着した。ETL化合物およびLiqの蒸発速度は0.4A/sおよび0.6A/sであった。最後に、「20オングストローム」の薄い電子注入層(Liq)を0.5A/sの速度で蒸着した。最後に、これらのOLED(表1に報告)を試験前に気密封止した。
OLEDは以下の共通構造を有する:HIL(400ű20Å)/HTL(200〜300Å)/緑色EML(400Å)/ETL:Liq(350Å)/Liq(20Å)。
OLEDデバイスの電流密度−電圧−輝度(JVL)の特徴付けは、KEITHLEY 2400 Source MeterおよびPhoto Research PR655 Spectroradiometerを用いて行った。
表2に示されるように、本発明のOLEDデバイスは、比較デバイスの発光効率と比較してより高い発光効率を有していた。
Claims (15)
- 重合単位として、以下の構造Aを有する少なくとも1つのカルバゾール系モノマーAを含むポリマーを含むポリマー電荷輸送層組成物であって、
R1は、水素、重水素、置換または非置換ヒドロカルビル、置換または非置換ヘテロヒドロカルビル、ハロゲン、シアノ、置換または非置換アリール、および置換または非置換ヘテロアリールからなる群から選択される、ポリマー電荷輸送層組成物。 - モノマーAが、前記ポリマー中の全モノマーの総モルに基づいて、少なくとも54モル%の量で存在する、請求項1に記載のポリマー電荷輸送層組成物。
- モノマーAが、以下の化合物(A1)〜(A9)から選択される、請求項1に記載のポリマー電荷輸送層組成物:
- 前記ポリマーが、重合単位として、以下の構造Bを有する少なくとも1つのモノマーBをさらに含み、
- モノマーBが、前記ポリマー中の全モノマーの総モルに基づいて、最大46モル%の量で存在する、請求項4に記載のポリマー電荷輸送層組成物。
- モノマーBが、以下の化合物(B1)〜(B9)から選択される、請求項4に記載のポリマー電荷輸送層組成物:
- トリチル塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、トロピリウム塩、イミダゾリウム塩、ホスホニウム塩、オキソニウム塩、およびそれらの混合物を含むイオン性化合物から選択されるp型ドーパントをさらに含む、請求項1に記載のポリマー電荷輸送層組成物。
- 前記イオン性化合物が、トリチルボレート、アンモニウムボレート、ヨードニウムボレート、トロピリウムボレート、イミダゾリウムボレート、ホスホニウムボレート、オキソニウムボレート、およびそれらの混合物から選択される、請求項7に記載のポリマー電荷輸送層組成物。
- 前記p型ドーパントが以下の化合物(p−1)である、請求項7に記載のポリマー電荷輸送層組成物:
- 前記p型ドーパントが、前記ポリマー電荷輸送層組成物の総重量に基づいて、1〜20重量%の量で存在する、請求項7に記載のポリマー電荷輸送層組成物。
- R1〜R3が、それぞれ独立して、構造式Iで表される官能基を有し、
Lは、共有結合、−O−、−アルキレン−、−アリーレン−、−アルキレン−アリーレン−、−アリーレン−アルキレン−、−O−アルキレン−、−O−アリーレン−、−O−アルキレン−アリーレン−、−O−アルキレン−O−、−O−アルキレン−O−アルキレン−O−、−O−アリーレン−O−、−O−アルキレン−アリーレン−O−、−O−(CH2CH2−O)n−(式中、nは2〜20の整数である)、−O−アルキレン−O−アルキレン−、−O−アルキレン−O−アリーレン−、−O−アリーレン−O−、−O−アリーレン−O−アルキエン−、および−O−アリーレン−O−アリーレンからなる群から選択される、請求項1または2に記載のポリマー電荷輸送層組成物。 - Lが−アルキレン−、−アリーレン−、−アルキレン−アリーレン−、−アリーレン−アルキレン−、または共有結合である、請求項9に記載のポリマー電荷輸送層組成物。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のポリマー電荷輸送層組成物を含む電子デバイス。
- 前記ポリマー電荷輸送層が、正孔輸送層、電子輸送層、または正孔注入層である、請求項13に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスは発光デバイスである、請求項13に記載の電子デバイス。
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