TW201838478A - 成膜方法及電子裝置的製造方法、以及遮罩保持體 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種技術，其係能夠抑制膜形成於遮罩與基板之間的間隙，且提升遮罩與基板之間的密著性。[解決手段]一種成膜方法，其係具有懸吊步驟，其係在以支撐部SU支撐懸吊部HU的狀態下，藉由懸吊部HU懸吊遮罩MK；接觸步驟，在以支撐部SU支撐懸吊部HU的狀態下，使由懸吊部HU懸吊之遮罩MK接觸於玻璃基板GS上。

Description

成膜方法及電子裝置的製造方法、以及遮罩保持體
本發明係例如關於成膜技術及電子裝置的製造技術、以及遮罩保持體，且本發明係例如能夠適用於形成保護有機電致發光(Electro-Luminescence, EL)膜的保護膜之有效技術。
日本特開2005-339861號公報(專利文獻1)揭示一種關於遮罩構造體的技術，其係在賦予拉伸力於金屬遮罩的狀態下，將其固定於支撐框架(frame)。
日本特開2013-187019號公報(專利文獻2)揭示一種關於將有機EL元件的表面被覆之保護膜的技術。
[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2005-339861號公報 [專利文獻2]日本專利特開2013-187019號公報
[發明所欲解決之課題] 舉例來說，為了抑制膜形成於遮罩與基板的間隙，故期望著提升遮罩與基板之密著性的技術。
其他的課題與新穎的特徵係能夠從本說明書的記載及附加圖式而明白。
[用於解決課題之手段] 一實施形態的成膜方法，其係具有懸吊步驟，其係在以支撐部支撐懸吊部的狀態下，藉由懸吊部懸吊遮罩；接觸步驟，在以支撐部支撐懸吊部的狀態下，使由懸吊部懸吊之遮罩接觸於基板上。
[發明的效果] 根據一實施形態的成膜技術，能夠冀求成膜特性的提升。
在用於說明實施形態的全部圖式中，原則上於同樣的構件賦予同樣的符號，並省略重複的說明。再者，為了使圖式更容易理解，也有在平面圖賦予剖面線的情形。
＜攜帶電話機顯示部的構成＞ 圖1係從表面側觀看攜帶電話機(Smart phone)MP之平面圖。如圖1所示，本實施形態的攜帶電話機MP係略呈矩形形狀，於攜帶電話機MP的表面側係設有用於顯示圖像的顯示部DU。舉例來說，本實施形態的顯示部DU係利用有機EL元件的有機EL顯示部(有機電致發光顯示部)。又，雖然未圖示，但攜帶電話機MP亦具有驅動顯示部DU的電路部。
於顯示部DU中，複數像素排列成陣列(Array)狀，且能夠顯示圖像。於電路部，係因應必要形成各種電路。舉例來說，電路部係以含有與構成顯示部DU之各複數像素電連接之驅動電路的方式來構成，且此驅動電路係藉由控制構成顯示部DU之複數像素，而使顯示部DU成為能夠顯示圖像的構成。
接著，圖2係概略地顯示形成於顯示部DU之一部分區域RA的佈局(layout)構成之平面圖。如圖2所示，在區域RA中，舉例來說，在x方向延伸的各下部電極層ELB係在y方向隔開且並列地配置的同時，在y方向延伸的各上部電極層ELA係在x方向隔開且並列地配置。因此，在區域RA中，以使其成為交錯的方式，佈局配置下部電極層ELB與上部電極層ELA。
接著，圖3係以圖2之A-A線切斷之剖面圖。如圖3所示，舉例來說，在對於可見光具有透光性之玻璃基板GS上，形成有鈍化膜PAS。鈍化膜PAS係由絕緣材料(絕緣膜)而成，例如由氧化矽膜而成。雖然也有不在玻璃基板GS上形成鈍化膜PAS的情形，但較佳係期望形成之。能夠幾乎在玻璃基板GS的整個頂面形成鈍化膜PAS。
鈍化膜PAS係具有防止水分由玻璃基板GS側浸入有機EL元件(特別是有機層OEL)的功能。因此，鈍化膜PAS係能夠作為有機EL元件下側的保護膜而作用。另一方面，保護膜PF係成為有機EL元件上側的保護膜而作用，並具有防止水分由上側浸入有機EL元件(特別是有機層OEL)的功能。
於玻璃基板GS的頂面之上，界隔著鈍化膜PAS，而形成有機EL元件。有機EL元件係由下部電極層ELB與有機層OEL與上部電極層ELA而成。也就是說，於玻璃基板GS上的鈍化膜PAS上，下部電極層ELB與有機層OEL與上部電極層ELA係由下依序層積而形成，且藉由此等下部電極層ELB與有機層OEL與上部電極層ELA，而構成有機EL元件。
下部電極層ELB係構成陽極與陰極間的任一者，且上部電極層ELA係構成陽極與陰極間的另一者。也就是說，當下部電極層ELB係陽極(陽極層)時，上部電極層ELA係為陰極(陰極層)，當下部電極層ELB係陰極(陰極層)時，上部電極層ELA係為陽極(陽極層)。下部電極層ELB及上部電極層ELA係各自由導電膜而成。
下部電極層ELB及上部電極層ELA中的一者，係被期望能夠具有反射電極的功能，而由鋁膜(Al膜)等金屬膜構成。又，下部電極層ELB及上部電極層ELA中的另一者，係被期望能夠具有透明電極的功能，而由ITO(氧化銦錫)等而成之透明導體膜構成。從玻璃基板GS的下面側取出光，也就是採用底部發光方法時，能夠使下部電極層ELB成為透明電極。另一方面，從玻璃基板GS的頂面側取出光，也就是採用頂部發光方法時，能夠使上部電極層ELA成為透明電極。又，採用底部發光方法時，能夠使用對於可見光具有透光性的透明基板，作為玻璃基板GS。
因為於玻璃基板GS上的鈍化膜PAS上形成下部電極層ELB，且於下部電極層ELB上形成有機層OEL，且於有機層OEL上形成上部電極層ELA，故下部電極層ELB與上部電極層ELA之間，界隔存在著有機層OEL。
有機層OEL至少包含有機發光層。除了有機發光層以外，有機層OEL可因應必要，還包含電洞輸送層、電洞注入層、電子輸送層與電子注入層中任意的層。因此，舉例來說，有機層OEL可由下述構造所構成：具有單層有機發光層的構造；具有電洞輸送層與有機發光層與電子輸送層之層積構造；或者，具有電洞注入層、電洞輸送層、有機發光層、電子輸送層與電子注入層之層積構造等。
舉例來說，如圖2所示，下部電極層ELB係構成在x方向延伸之條紋(Stripe)狀圖案。也就是說，各下部電極層ELB係在x方向延伸且於y方向以特定間隔複數排列。另一方面，上部電極層ELA係構成在y方向延伸之條紋(Stripe)狀圖案。也就是說，各上部電極層ELA係在y方向延伸且於x方向以特定間隔複數排列。也就是說，下部電極層ELB係由在x方向延伸之條紋狀電極群而成，上部電極層ELA係由在y方向延伸之條紋狀電極群而成。此處，x方向與y方向係指互相交錯的方向，更特定而言，係指互相直交的方向。又，x方向與y方向亦可為略平行於玻璃基板GS頂面的方向。
因為下部電極層ELB之延伸方向係x方向，且上部電極層ELA之延伸方向係y方向，在平面視角中，下部電極層ELB與上部電極層ELA係互相交錯的。再者，「平面視角」係指，以略平行於玻璃基板GS頂面之平面觀看的情況。
在下部電極層ELB與上部電極層ELA的各交錯部分中，有機層OEL成為被下部電極層ELB與上部電極層ELA上下夾持的構造。因此，於下部電極層ELB與上部電極層ELA的各交錯部分，形成以下部電極層ELB與上部電極層ELA與有機層OEL構成之有機EL元件，藉由此有機EL元件形成像素。藉由於下部電極ELB與上部電極ELA之間施加特定的電壓，被夾持在下部電極ELB與上部電極ELA之間的有機層OEL中的有機發光層會發光。
再者，雖然有機層OEL亦能夠形成於顯示部DU的整體，但其亦能夠作為與下部電極層ELB相同的圖案來形成。同樣地，有機層OEL亦能夠作為與上部電極層ELA相同的圖案來形成。不論如何，有機層OEL存在於下部電極層ELB與上部電極層ELA的各交點。
如此一來，於平面視角的顯示部DU中，於玻璃基板GS上構成像素之有機EL元件係配置成陣列狀。
再者，此處已經針對下部電極層ELB及上部電極層ELA由條紋狀圖案構成的情形進行說明。因此，就被排列成陣列狀之複數有機EL元件(像素)而言，並列於x方向的複數有機EL元件具有共通的下部電極層ELB。另一方面，並列於y方向的複數有機EL元件具有共通的上部電極層ELA。然而，被排列成陣列狀的有機EL元件之構造能有各種變化，並不限於此。
舉例來說，亦有配置成陣列狀之複數有機EL元件，不互相連接於上部電極層ELA及下部電極層ELB，而是獨立配置的情形。此時，各有機EL元件係從具有下部電極層與有機層與上部電極層之層積構造的孤立圖案而成，此孤立之有機EL元件係複數配置成陣列狀。此時，在各像素中，除了設置有機EL元件，還設置TFT(薄膜晶體管(Transistor))等之活性元件，能夠以配線連接各像素。
於玻璃基板GS(鈍化膜PAS)的頂面上，以被覆有機EL元件的方式，也就是說，以被覆下部電極層ELB與有機層OEL與上部電極層ELA的方式，形成保護膜PF。於有機EL元件在顯示部DU配置成陣列狀時，以被覆排列成陣列狀之有機EL元件的方式，形成保護膜PF。因此，期望著保護膜PF形成於顯示部DU的整體。又，期望著幾乎形成於玻璃基板GS的整體頂面。藉由以保護膜PF被覆有機EL元件，能夠藉由保護膜防止水分侵入至有機EL元件(特別是，水分侵入有機層OEL)。
於保護膜PF上，形成樹脂膜PIF。就樹脂膜PIF的材料而言，例如由PET(polyethylene terephthalate：聚對苯二甲酸)等構成。亦可省略樹脂膜PIF的形成。然而，相較於未形成樹脂膜PIF的情況，期望著形成樹脂膜PIF的情況。因為樹脂膜PIF柔軟，故藉由設置樹脂膜PIF，變得容易處理顯示部DU。如上述般，構成攜帶電話機MP的顯示部DU。
＜顯示部的製造方法＞ 接著，針對顯示部DU的製造方法，一邊參照圖式進行說明。圖4係顯示顯示部DU的製造步驟的流程之流程圖。首先，舉例來說，準備對可見光具有透光性的玻璃基板(S101)。接著，於玻璃基板的頂面上，形成鈍化膜(S102)。鈍化膜係能夠例如使用濺射法、CVD（Chemical Vapor Deposition）法或ALD（Atomic Layer Deposition）法形成。鈍化膜係由絕緣材料而成，例如由氧化矽膜而成。特別是，能夠將藉由CVD法形成之氧化矽膜，作為鈍化膜來使用。
接著，在鈍化膜上，形成由下部電極層、下部電極層上的有機層、與有機層上的上部電極層而成之有機EL元件。也就是說，於鈍化膜上，依序形成下部電極層、有機層及上部電極層(S103~S105)。此步驟係能夠如下述般進行。
也就是說，於鈍化膜上形成下部電極層(S103)。舉例來說，下部電極層係能夠在導電膜形成於鈍化膜上之後，使用光刻技術或蝕刻技術，並藉由使導體膜圖案化而形成。之後，於下部電極層上形成有機層(S104)。舉例來說，有機層係能夠藉由使用遮罩的蒸氣沉積法(真空蒸氣沉積法)形成。接著，於有機層上形成上部電極層(S105)。舉例來說，上部電極層係能夠藉由使用遮罩的蒸氣沉積法形成。
接著，於形成由下部電極層與有機層與上部電極層而成之有機EL元件後，於上部電極層上形成保護膜(S106)。保護膜係以被覆有機EL元件的方式形成。在複數EL元件排列成陣列狀的情況下，此等複數個有機EL元件變得被保護膜被覆。舉例來說，保護膜係能夠由氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜或氮氧化鋁膜中的任一者形成。
之後，於保護膜上形成樹脂膜(S107)。舉例來說，樹脂膜係能夠由PET而成，且能夠藉由使用旋轉塗佈(Spin coat)法(塗佈法)來形成。如上述般，能夠製造顯示部DU。
＜顯示部與電路部的連接構成＞ 為了在顯示部顯示圖像，必須要針對構成顯示部之複數像素(有機EL元件)進行驅動控制，能夠在電路部實現驅動控制該有機EL元件的功能。因此，為了在顯示部顯示圖像，顯示部有必要與電路部電連接。
圖5係概略地顯示將顯示部DU與電路部CRU電連接的構成例之圖。如圖5所示，與構成顯示部DU之像素(有機EL元件)電連接的電極EL1係形成於包圍顯示部DU的框緣區域，形成於此框緣區域的電極EL1係與構成顯示部DU之像素(有機EL元件)電連接。接著，此電極EL1與形成於連接用帶狀電極TE的電極EL2連接。接著，於連接用帶狀電極TE，在形成電極EL2的同時，亦形成與電極EL2電連接的電極EL3，此電極EL3係與電路部CRU連接。因此，顯示部DU係以下述路徑，與電路部CRU電連接：形成於框緣區域的電極EL1→形成於連接用帶狀電極TE的電極EL2→形成於連接用帶狀電極TE的電極EL3→電路部CRU的路徑。
此處，在形成於包圍顯示部DU的框緣區域之電極EL1上，藉由以使形成於連接用帶狀電極TE的電極EL2與其重合的方式來配置，使形成於框緣區域之電極EL1與構成連接用帶狀電極TE的電極EL2電連接。因此，為了確保電極EL1與電極EL2的電連接，有必要不形成被覆電極EL1的保護膜。此係因為，若形成被覆電極EL1之由絕緣膜而成的保護膜，則變得無法電連接電極EL1與連接用帶狀電極TE的電極EL2。
因此，為了從水分的侵入中保護有機EL元件，有必要形成保護膜來被覆形成於顯示部DU的像素(有機EL元件)，且另一方面，為了確保電極EL1與連接用帶狀電極TE的電極EL2的導通，有必要在形成電極EL1的框緣區域不形成保護膜。
＜形成保護膜時遮罩的必要性＞ 如上述般，有必要形成保護膜來被覆形成於顯示部DU的像素(有機EL元件)，且另一方面，有必要不在形成電極EL1的框緣區域形成保護膜。此處，如圖6所示，因為在一片玻璃基板GS存在有複數個形成顯示部DU的區域，舉例來說，若不使用遮罩，而於形成有機EL元件之玻璃基板GS主面的整個面形成保護膜，則保護膜變得不僅形成於顯示部DU，甚至亦形成於包圍顯示部DU的框緣區域。此係意味以被覆形成於框緣區域之電極EL1的方式，形成保護膜，藉此，變得無法確保電極EL1與連接用膠狀電極TE之電極EL2的導通。因此，於形成保護膜時，有必要使用遮罩。也就是說，如圖6所示，在將具有對應於顯示部DU的開口區域OPR及對應於框緣區域的被覆區域CVR之遮罩MK，與玻璃基板GS重合的狀態下，形成保護膜。此時，從形成於遮罩MK之開口區域OPR露出之玻璃基板GS的區域(形成顯示部DU的區域)，形成保護膜，且另一方面，在以形成於遮罩MK之被覆區域CVR被覆之玻璃基板GS的區域(成為框緣區域之區域)，不形成保護膜。藉此，於形成保護膜時，使用具有對應於顯示部DU的開口區域OPR及對應於框緣區域的被覆區域CVR之遮罩MK。藉此，能夠在以被覆形成於顯示部DU之像素(有機EL元件)的方式形成保護膜的同時，於形成電極EL1之框緣區域，不形成保護膜。
＜於形成保護膜時使用原子層成長法(ALD法)的理由＞ 接著，舉例來說，能夠使用原子層成長法(ALD法)形成保護有機EL元件被水分侵入的保護膜，並於以下針對其理由進行說明。
原子層成長法係藉由在基板上交互地供給原料氣體與反應氣體，而在基板上以原子層單位形成膜的成膜方法。因為此原子層成長法係以原子層單位形成膜，故具有階差被覆性及膜厚控制性優異的優點。接著，特別是，藉由階差被覆性優異的優點，根據原子層成長法，能夠一邊使膜厚變薄，且能夠形成充分地發揮保護有機EL元件被水分侵入的功能之保護膜。因此，就形成保護有機EL元件被水分侵入的功能之保護膜而言，能夠使用原子層成長法。
舉例來說，考慮在附著有異物PCL之玻璃基板GS上形成保護膜PF的情形。此處，就保護膜PF的形成方法而言，亦能夠考慮使用CVD法。然而，就CVD法形成之保護膜的形成傾向而言，其係具有垂直指向性強的傾向。因此，舉例來說，如圖7(a)所示，若藉由CVD法於附著有異物PCL之玻璃基板GS上形成保護膜PF，則因為具有垂直指向性強的傾向，變得無法以被覆異物PCL的方式形成保護膜PF。結果，在異物PCL的周圍形成了無法形成保護膜PF的死角(Dead Space)，且變得容易從此死角產生水分的侵入。也就是說，在CVD法中，因為具有垂直指向性強的傾向，即使以被覆附著有異物PCL之玻璃基板GS的方式，來形成保護膜PF，也會在異物PCL與玻璃基板GS之間的階差部分，產生無法形成保護膜PF的死角，且水分變得可能從此死角侵入有機EL元件。因此，以CVD法形成保護膜PF時，舉例來說，如圖7(b)所示，藉由使以CVD法形成之保護膜的膜厚變厚，能夠以完全被覆附著於玻璃基板GS之異物PCL的方式，形成保護膜PF。也就是說，以垂直指向性強的CVD法形成保護膜PF時，藉由使保護膜PF的膜厚變厚，能夠抑制在異物PCL與玻璃基板GS之間的階差部分，產生無法形成保護膜PF的死角。也就是說，因為完全地抑制異物PCL附著於玻璃基板GS係困難的，故考慮異物PCL附著於玻璃基板GS的情形，並為了有效地防止由保護膜PF所造成之有機EL元件被水分侵入，於使用CVD法形成保護膜PF的情況下，變得必須使保護膜PF的膜厚變厚。
相對於此，就保護膜PF的形成方法而言，考慮使用電漿原子層成長法的情形。舉例來說，在電漿原子層成長裝置中，在保持基板之下部電極、及與下部電極對向配置的上部電極之間，交互地供給原料氣體與反應氣體，且藉由在供給反應氣體時產生電漿放電，能夠以原子層單位在基板上形成膜。此時，在電漿原子層成長裝置中，藉由以原子層單位形成膜，能夠形成階差被覆性優異的膜。特別是，在電漿原子層成長裝置中，為了使階差被覆性良好，在使用容易擴散的材料作為原料氣體的同時，一邊確保各氣體(原料氣體、吹掃氣體與反應氣體)具有在成膜容器內充分擴散的時間，一邊交互地供給各氣體。因此，在電漿原子層成長裝置中，即使在微細的間隙，原料氣體與反應氣體也變得能夠反應並形成膜。也就是說，在原子層成長裝置中，因為具有下述特徵，結果變得能夠在微細的間隙形成膜：(1)以原子層單位形成膜；(2)原料氣體與反應氣體傳遞至微細間隙為止的各個角落；(3)即使在未產生電漿放電的位置，原料氣體與反應氣體亦容易產生反應。
結果，在電漿原子層成長法中，變得能夠獲得階差被覆性優異的優點，藉此，舉例來說，如圖8所示，即使使保護膜PF的膜厚變薄，亦能夠以被覆附著有異物PCL之玻璃基板GS的方式，形成保護膜PF。也就是說，因為電漿原子層成長法的階差被覆性優異，就能夠防止於異物PCL與玻璃基板GS之間的階差部分產生無法形成保護膜PF的死角的結果而言，即使一邊使保護膜PF的膜厚變薄，亦能夠有效地抑制有機EL元件被水分侵入。也就是說，以電漿原子層成長法形成保護膜PF時，在不使膜厚變厚的情況下，而能夠形成可有效地抑制有機EL元件被水分侵入的保護膜PF。
如以上般，根據電漿原子層成長法，並藉由階差被覆性優異的優點，即使在異物PCL附著於玻璃基板GS的情況下，能夠在不使膜厚變厚的情況下，而能夠形成防止水分侵入之效果優異的保護膜PF。因此，期望著使用電漿原子層成長法，來形成能夠有效地保護有機EL元件被水分侵入的保護膜PF。
如此一來，在藉由電漿原子層成長法形成保護膜PF的情況下，因為能夠使保護膜PF的膜厚變薄，故舉例來說，亦能夠有效地適用在可撓性基板形成顯示部DU的構成中以電漿原子層成長法來形成之保護膜PF。
圖9係概略地顯示使用作為顯示部DU基板的可撓性基板1S，並將此可撓性基板1S折曲時的狀態之圖。在圖9中，圖示下述狀態：於可撓性基板1S上形成鈍化膜PAS，且於鈍化膜PAS上形成有機EL層OLDL，並於有機EL層OLDL上形成保護膜PF，再於保護膜PF上形成有樹脂膜PIF之顯示部DU的折曲狀態。如此一來，藉由於可撓性基板1S形成顯示部DU，顯示部DU亦可折曲。於使用可撓性基板1S作為基板的情況下，伴隨著折曲，具有於由無機絕緣膜而成之保護膜PF上產生裂縫(Crack)的風險。因此，期望著由無機絕緣膜而成之保護膜PF儘可能地變薄。
關於此點，於使用可撓性基板1S作為基板的情況下，藉由採用使用電漿原子層成長法所形成之保護膜PF，能夠使保護膜PF的膜厚變薄。結果，能夠抑制於由無機絕緣膜而成之保護膜PF上形成裂縫，亦能夠有效地獲得防止由保護膜PF所造成之水分侵入的效果，且就上述觀點來看，使用電漿原子層成長法所形成之保護膜PF係有用的。
＜電漿原子層成長法之保護膜的形成方法＞ 如上述般，一邊使保護膜PF的膜厚變薄，且為了有效地保護有機EL元件被水分侵入，藉由電漿原子層成長法來形成保護膜係有用的。因此，於以下針對電漿原子層成長法之保護膜的形成方法進行說明。圖10係說明電漿原子層成長法之保護膜的形成方法之流程之流程圖。
首先，在準備玻璃基板後，於電漿原子層成長裝置的下部電極(平台)上搭載玻璃基板。接著，從電漿原子層成長裝置的氣體供給部將原料氣體導入成膜容器(處理室)內部(S201)。此時，原料氣體係例如供給0.1秒至成膜容器的內部。藉此，於成膜容器內供給原料氣體，且原料氣體吸附於玻璃基板上並形成吸附層。
接著，在停止原料氣體的供給後，從氣體供給部將吹掃氣體導入成膜容器(處理室)內(S202)。藉此，於成膜容器內供給吹掃氣體，且另一方面，原料氣體從排氣部被排出至成膜容器的外部。吹掃氣體係例如供給0.1秒至成膜容器的內部。接著，排氣部係例如將成膜容器內的原料氣體及吹掃氣體排氣2秒。藉此，於成膜容器內供給吹掃氣體，且將未吸附於玻璃基板上的原料氣體從成膜容器吹掃出去。
接著，從氣體供給部供給反應氣體(S203)。藉此，反應氣體係供給至成膜容器的內部。反應氣體係例如供給1秒至成膜容器的內部。在供給此反應氣體的步驟中，藉由於上部電極與下部電極之間施加放電電壓，產生電漿放電(S204)。結果，於反應氣體生成自由基(活性種)。如此一來，於成膜容器內供給反應氣體，且藉由使吸附於玻璃基板上的吸附層與反應氣體進行化學反應，形成由原子層而成的保護膜。
接著，於停止反應氣體的供給後，從氣體供給部供給吹掃氣體(S205)。藉此，於成膜容器內供給吹掃氣體，且另一方面，反應氣體從排氣部被排出至成膜容器的外部。吹掃氣體係例如供給0.1秒至成膜容器的內部。接著，排氣部係例如將成膜容器內的反應氣體及吹掃氣體排氣2秒。藉此，於成膜容器內供給吹掃氣體，且將未用於反應的多餘反應氣體從成膜容器吹掃出去。
如以上般，於玻璃基板上形成由一層原子層而成的保護膜。之後，藉由重複上述步驟(S201~S205)特定次數(S206)，形成由複數原子層而成的保護膜。藉此，結束成膜處理(S207)。如以上般，能夠藉由電漿原子層成長法，形成保護膜PF。
＜改善的探討＞ 由上述可知，保護有機EL元件不被水分侵入的保護膜，係能夠藉由使用具有對應於顯示部的開口區域與對應於框緣區域的被覆區域之遮罩的電漿原子層成長法而形成。
此時，根據本發明人的探討，在藉由使用具有對應於顯示部的開口區域與對應於框緣區域的被覆區域之遮罩的電漿原子層成長法，來形成保護膜的步驟中，創新地發現到存在有改善的餘地。
首先，如同在「＜形成保護膜時遮罩的必要性＞」之欄位所說明般，於形成保護膜時，遮罩MK係必要的，且此遮罩MK係具有與玻璃基板GS同等程度的尺寸。此係因為，有必要針對具有對應於複數顯示部DU之玻璃基板GS的全部區域皆形成保護膜，且於形成保護膜時，以在全部框緣區域不形成保護膜的方式，而有必要將框緣區域而成之區域(複數顯示部DU以外的區域)全部被覆。
此處，近年來，從提升製造效率的觀點來看，為了使從一枚玻璃基板GS中能夠取得之顯示部DU的數量變多，故玻璃基板GS的尺寸變大。此係意味，與玻璃基板GS同等程度尺寸的遮罩MK的尺寸也會大型化。接著，遮罩MK的尺寸大型化係產生確保遮罩MK的平坦性變得困難之狀況。此係因為，因為遮罩MK的尺寸大型化，使遮罩MK本身的重量變重的結果，變得容易在遮罩MK產生變形，故確保遮罩MK的平坦性變得困難。
接著，因為伴隨著遮罩MK尺寸的增大，確保遮罩MK的平坦性變得困難，故於遮罩MK與玻璃基板GS之間存在微細的間隙。此時，在相關技術中，(1)於遮罩MK與玻璃基板GS之間存在微細的間隙；(2)起因於作為保護膜的形成方法係電漿原子層成長方法所造成之即使於玻璃基板GS與框緣區域的一部分亦形成保護膜。舉例來說，圖11係概略地顯示保護膜以穿入至玻璃基板GS與遮罩MK之間所產生之微細間隙的方式來形成的樣子之圖。此時，在存在於遮罩MK下層的框緣區域中，若形成與顯示部電連接的電極，且於此電極上形成由絕緣材料而成之保護膜，變得無法確保通過電極之顯示部與電路部間的導通。
也就是說，在形成保護膜的電漿原子層成長方法中，為了使階差被覆性良好，因此在使用容易擴散的材料作為原料氣體的同時，一邊確保各氣體(原料氣體、吹掃氣體與反應氣體)具有充分地擴散至成膜容器內的時間，一邊交互地供給各氣體。因此，舉例來說，原料氣體與反應氣體並非僅在基板上，而會傳遞至成膜容器的各個角落。接著，在電漿原子層成長裝置中，不僅藉由使反應氣體電漿放電而形成活性種(自由基)，而此活性種能夠與吸附於基板之原料氣體產生反應並形成膜，即使在未產生由電漿放電所產生之活性種(自由基)的狀態下，在電漿原子層成長裝置中，原料氣體與反應氣體亦有容易反應的傾向。因此，在電漿原子層成長裝置中，即使在未產生電漿放電之微細的間隙，原料氣體與反應氣體產生反應並形成膜。也就是說，在原子層成長裝置中，因為具有下述特徵，結果變得能夠在遮罩MK與玻璃基板GS間所產生之微細的間隙形成膜：(1)以原子層單位形成膜；(2)原料氣體與反應氣體傳遞至微細間隙為止的各個角落；(3)即使在未產生電漿放電的位置，原料氣體與反應氣體亦容易產生反應。
圖12係顯示相關技術中，從遮罩邊緣穿入遮罩側的距離與形成之保護膜之膜厚的關係之圖。於圖12中，橫軸表示從遮罩邊緣穿入遮罩側的距離(mm)，縱軸表示形成之保護膜之膜厚(nm)。如圖12所示，於從遮罩邊緣穿入遮罩側的位置，亦形成保護膜。也就是說，從圖11所示之實測結果來看，在相關技術中，在應該以遮罩被覆之玻璃基板GS之框緣區域的一部分，亦形成保護膜。此處，在攜帶電話機(智慧型手機)中，期望著儘可能地使顯示部的尺寸變大，且另一方面，使框緣區域的尺寸變小。此係因為，在攜帶電話機(智慧型手機)中，期望著一邊確保顯示部的尺寸，並一邊使攜帶電話機全體的尺寸小型化。關於此點，在相關技術中，若框緣區域的尺寸變小，則因為保護膜的穿入，以被覆形成於框緣區域之電極的方式來形成保護膜的可能性提高，此時，具有難以確保通過電極之顯示部與電路部的導通之虞。另一方面，若框緣區域的尺寸變大，且以在不會產生保護膜穿入的深處區域形成電極的方式來構成電極，儘管顯示部的尺寸沒有變大，但起因於框緣區域尺寸變大，攜帶電話機全體的尺寸仍然變大。因此，在相關技術中，就從使框緣區域的尺寸變小，且確保通過形成於框緣區域之電極之顯示部與電路部的電連接穩定性的觀點來看，存在有改善的餘地。
此處，因為朝框緣區域之保護膜的穿入，係成為在玻璃基板與遮罩之間產生微細間隙的主因，故考慮去除此微細間隙。特別是，因為此微細間隙係起因於遮罩平坦性的下降，故考慮藉由選擇構成遮罩之遮罩材料的選擇來應對。舉例來說，由金屬(Metal)構成遮罩材料的情況下，保護膜的穿入距離成為3mm左右，且另一方面，由陶瓷構成遮罩材料的情況下，保護膜的穿入距離成為1mm左右。因此，藉由將遮罩材料從金屬變更成陶瓷，能夠抑制朝框緣區域之保護膜的穿入。然而，即使將遮罩的材料變更成陶瓷，也無法完全解決遮罩平坦性的下降，特別是，即使係由陶瓷而成的遮罩，伴隨著遮罩的大型化，亦具有擴大朝框緣區域之保護膜的穿入之虞。如此一來，為了抑制朝框緣區域之保護膜的穿入，就變更遮罩材料之對策而言，並非本質上的對策，還需要更根本性的對策。
也就是說，為了抑制微細的間隙形成於遮罩MK與玻璃基板GS之間，確保遮罩MK的平坦性係本質上重要的。關於此點，藉由提高遮罩MK的剛性，且為了抑制遮罩MK的變形與提升遮罩MK的平坦性，考慮使遮罩MK的厚度變厚。
然而，在剛性高的遮罩MK中，若無法製造完全出平坦的遮罩MK，則如圖13所示，於遮罩MK與玻璃基板GS之間產生微細的間隙。也就是說，在剛性高的遮罩MK中，若無法實現完全的平坦性，反而會因為剛性高，而於遮罩MK與玻璃基板GS之間產生微細的間隙。接著，若考慮到難以製造出實現完全平坦性的遮罩MK之特點，在使遮罩MK的厚度變厚且製造鋼性高的遮罩MK之方法中，實際上，被認為是難以確保遮罩MK的平坦性。
另一方面，若遮罩MK的厚度變薄，則遮罩MK的剛性變低。因此，如圖14所示，若將厚度薄的遮罩MK配置於玻璃基板GS上，能夠反應玻璃基板GS的凹凸形狀，並能夠在具有凹凸形狀的玻璃基板GS上配置遮罩MK。也就是說，作為厚度薄的遮罩MK之鋼性低的結果，其係能夠適應具有凹凸形狀的玻璃基板GS，且能夠提升遮罩MK與玻璃基板GS之間的密著性。因此，就從提升遮罩MK與玻璃基板GS之間的密著性、以及抑制微細間隙產生於遮罩MK與玻璃基板GS之間的觀點來看，相較於剛性高且厚度厚的遮罩MK，期望著使用鋼性低且厚度薄的遮罩MK。然而，如圖15所示，作為薄的遮罩MK之鋼性低的結果，存在著難以以細桿(Pin)PN保持的情況。也就是說，雖然從提升遮罩MK與玻璃基板GS之間的密著性之觀點來看，薄的遮罩MK係有用的，但另一方面，從保持薄的遮罩MK之觀點來看，還必須要下功夫。
關於此點，首先，為了確實地保持薄的遮罩MK，如圖16(a)所示，考慮到於薄的遮罩MK施加張力，並以保持構件100固定遮罩MK兩端的方法。然而，於採用此方法時，如圖16(b)所示，若於玻璃基板GS存在凹凸形狀(波浪形狀)，則於薄的遮罩MK施加張力之結果，薄的遮罩MK係變得不適應玻璃基板GS的凹凸形狀，且變得在具有凹凸形狀之玻璃基板GS與薄的遮罩MK之間產生微細的間隙。也就是說，從保持遮罩MK的觀點來看，雖然於薄的遮罩MK施加張力，並以保持構件100固定遮罩MK兩端的方法係有效的，但變得必須付出，失去能夠順從玻璃基板GS凹凸形狀之薄遮罩MK之優點的犧牲。因此，在於薄的遮罩MK施加張力並以保持構件100固定遮罩MK兩端的方法中，難以一邊維持能夠順從玻璃基板GS凹凸形狀之薄遮罩MK的優點，並一邊實現確實地保持薄的遮罩MK。也就是說，為了提升遮罩MK與玻璃基板GS之間的密著性，同時確實地保持遮罩MK，有必要下功夫。
因此，在本實施形態中，施加用於「提升遮罩MK與玻璃基板GS之間的密著性，同時確實地保持遮罩MK」的功夫。以下，針對施加此工夫之本實施形態中的技術思想，進行說明。
＜遮罩保持體的平面構成＞ 在本實施形態中，使用保持遮罩的遮罩保持體。在以下，首先，針對本實施形態中遮罩保持體的平面構成進行說明，之後，針對本實施形態中遮罩保持體的剖面構成進行說明。
圖17係顯示實施形態中遮罩保持體MSP的平面構成之平面圖。如圖17所示，本實施形態中的遮罩保持體MSP，其具有矩形形狀的平面形狀，且於內部形成複數個開口部OPU。此遮罩保持體MSP，係以配置在如圖6所示之遮罩MK上的方式來構成，特別是，遮罩保持體MSP的開口部OPU係以使其被配置成位於圖6所示之遮罩MK的開口區域OPR上的方式來構成。
＜遮罩保持體的剖面構成＞ 圖18係顯示遮罩保持體MSP的剖面構成之概略圖，其係以圖17的A-A線切斷之剖面圖。如圖18所示，本實施形態中的遮罩保持體MSP係具有能夠保持遮罩MK的構成，且其具備能夠懸吊遮罩MK且能夠上下移動之懸吊部HU，以及能夠支撐懸吊部HU且能夠與懸吊部HU隔開之支撐部SU。
具體而言，支撐部SU係具有表面(頂面)、位於表面相反側的裏面(底面)，且如圖18所示，於前述支撐部SU形成：凹槽DIT1，其係形成於表面；凹槽DIT2，其係與凹槽DIT1連通，且其寬度係較凹槽DIT1的寬度小；凹槽DIT3，其係形成於裏面，並與凹槽DIT2連通，且其寬度係較凹槽DIT2的寬度小。接著， 懸吊部HU係配置於凹槽DIT2的內部，其具有能夠上下移動的構成且其具有能夠與凹槽DIT2的底面成為接觸/非接觸的構成。又，支撐部SU的裏面係具有能夠與遮罩MK成為接觸/非接觸的構成。接著，如圖18所示，於支撐部SU設有嵌埋凹槽DIT1的蓋部CP。接著，懸吊部HU係具有能夠朝支撐部SU之厚度方向(上下方向)移動的構成，且被懸吊於懸吊部HU的遮罩MK係在與支撐部SU的裏面接觸的情況下，具有於懸吊部HU的頂面與蓋部CP的底面之間存在著間隙的構成。
舉例來說，如圖18所示，遮罩MK係與複數的軸桿(Shaft)焊接，且於此軸桿的前端部分形成螺紋。接著，複數軸桿之各前端部分係插入形成於複數懸吊部HU的各螺孔，藉此，將複數軸桿與複數懸吊部HU連接。結果，遮罩MK界隔著軸桿，而被懸吊於懸吊部HU。如此一來，懸吊部HU係以能夠懸吊遮罩MK的方式來構成。接著，在與配置有懸吊部HU之凹槽DIT2連通之凹槽DIT1中，嵌埋有蓋部CP，且此蓋部CP係藉由例如螺旋(Screw)而被固定於支撐部SU。此時，於懸吊部HU與蓋部CP之間，存在有間隙，且即使懸吊部HU在上下方向移動，其也會以不與蓋部CP接觸的尺寸來形成。也就是說，即使在被懸吊於懸吊部HU的遮罩MK與支撐部SU接觸的情況下，本實施形態中的遮罩保持體MSP係藉由使懸吊部HU在上方移動，而成為具有使間隙存在於懸吊部HU與蓋部CP之間的構成。
此處，如圖18所示，相較於懸吊部HU的厚度，支撐部SU的厚度係變得非常地厚，且相較於懸吊部HU的質量，支撐部SU的質量係變大。又，遮罩MK係變薄且剛性變低，舉例來說，遮罩MK的厚度係變得小於1mm。
＜經由遮罩保持體之朝基板上的遮罩配置動作＞ 本實施形態中的遮罩保持體MSP係如上述般地構成，且以下，針對使用本實施形態中的遮罩保持體MSP並於基板上配置遮罩MK的動作，參照圖式進行說明。
具體而言，在使用具有基板搭載部的電漿原子層成長裝置，並於基板上實施成膜處理的方法中，在搭載於基板搭載部上的玻璃基板上配置遮罩MK的步驟中，針對使用本實施形態中的遮罩保持體MSP之例進行說明。
特別是，在具有顯示圖像的顯示部之電子裝置的製造方法中，針對經由遮罩保持體MSP之將遮罩MK配置於玻璃基板上的動作進行說明。詳細而言，在具有下述步驟的成膜方法中，針對經由遮罩保持體MSP之將遮罩MK配置於玻璃基板上的動作進行說明：基板配置步驟，於基板搭載部上配置基板；遮罩配置步驟，藉由遮罩保持體MSP將遮罩MK配置於玻璃基板上；原料氣體供給步驟，於玻璃基板的上方供給原料氣體；反應氣體供給步驟，於玻璃基板的上方供給反應氣體；電漿產生步驟，於玻璃基板的上方產生電漿。
首先，如圖19所示，遮罩保持體MSP藉由細桿PN，而被支撐在位於配置於平台(基板搭載部)ST上的玻璃基板GS上方。此時，遮罩保持體MSP係具有懸吊遮罩MK的懸吊部HU，以及支撐懸吊部HU的支撐部SU，且藉由配置於支撐部SU內部的懸吊部HU，懸吊遮罩MK。也就是說，藉由將懸吊部HU與形成於支撐部SU之凹槽DIT2底面接觸，在以支撐部SU支撐懸吊部HU的狀態下，遮罩MK在懸吊部HU被懸吊。於此狀態下，遮罩MK從支撐部SU的裏面離開，且變得於遮罩MK施加來自懸吊部HU的拉伸力。此遮罩MK的厚度係變得比玻璃基板GS的厚度還小。再者，在於玻璃基板GS形成對位標記(Alignment mark)AM1的同時，於遮罩MK形成對位標記AM2。
接著，如圖20所示，將搭載有玻璃基板GS的平台ST朝上方移動。藉此，玻璃基板GS與被遮罩保持體MSP懸吊的遮罩MK之間的距離變小。如此一來，在玻璃基板GS與被遮罩保持體MSP懸吊的遮罩MK之間的距離變小的狀態下，實施玻璃基板GS與遮罩MK的位置對齊。具體而言，以使形成於玻璃基板GS的對位標記AM1與形成於遮罩MK的對位標記AM2在平面上成為一致的方式，將搭載有玻璃基板GS的平台ST朝水平方向(左右方向)移動。
再者，作為使搭載有玻璃基板GS的平台ST朝上方移動的替代，藉由使支撐遮罩保持體MSP的細桿PN朝下方移動，亦可縮短玻璃基板GS與被遮罩保持體MSP懸吊的遮罩MK之間的距離。
接著，如圖21所示，若玻璃基板GS與遮罩MK之間的位置對齊終了，再使平台ST上昇，並使玻璃基板GS與遮罩MK接觸。也就是說，在實施玻璃基板GS與遮罩MK之間的位置對齊後，在以支撐部SU支撐懸吊部HU的狀態下，使由懸吊部HU所懸吊之遮罩MK接觸於玻璃基板GS上。此時，因為遮罩MK係變得被玻璃基板GS支撐，故變得不施加來自懸吊部HU的拉伸力於遮罩MK。此處，大面積遮罩MK的厚度係小於1mm，且作為剛性低的結果，遮罩MK順從玻璃基板GS表面的凹凸形狀而變形。也就是說，因為係剛性低的遮罩MK，故以使遮罩MK適應於玻璃基板GS表面的方式來配置。
再者，使平台ST上昇，且作為使玻璃基板GS與遮罩MK接觸的替代，亦可藉由使支撐遮罩保持體MSP的細桿PN朝下方移動，使玻璃基板GS與遮罩MK接觸。
接著，如圖22所示，使搭載有玻璃基板GS的平台ST上升。藉此，維持使遮罩MK接觸於玻璃基板GS上的狀態，並將懸吊部HU從支撐部SU隔開。結果，因為基於懸吊部HU(包含軸桿)的質量而施加重力於遮罩MK，從懸吊部HU而來之按壓力變得施加於遮罩MK。因此，藉由此按壓力，變得進一步提升玻璃基板GS與遮罩MK的密著性。
再者，作為使搭載有玻璃基板GS之平台ST上升的替代，亦可藉由使支撐遮罩保持體MSP的細桿PN朝下方移動，一邊維持使遮罩MK接觸於玻璃基板GS上的狀態，一邊使懸吊部HU從支撐部SU隔開。
接著，如圖23所示，藉由使平台ST更進一步上升，使遮罩MK與遮罩保持體MSP的裏面接觸。再者，作為使平台ST上升的替代，亦可藉由使支撐遮罩保持體MSP的細桿PN朝下方移動，使遮罩MK與遮罩保持體MSP的裏面接觸。
之後，如圖24所示，使支撐遮罩保持體MSP的細桿PN下降。藉此，在維持使懸吊部HU從支撐部SU隔開的狀態下，使支撐部SU與遮罩MK接觸。結果，基於支撐部SU的質量於遮罩MK施加重力。也就是說，在此狀態下，在來自懸吊部HU的按壓力施加至遮罩MK的同時，更進一步施加來自支撐部SU的按壓力於遮罩MK。因此，藉由來自懸吊部HU的按壓力與來自支撐部SU的按壓力之累加，變得更進一步提升玻璃基板GS與遮罩MK之間的密著性。特別是，因為支撐部SU的質量遠比懸吊部HU的質量還大，藉由施加來自支撐部SU的按壓力，玻璃基板GS與遮罩MK間密著性的提升效果變大。
如以上般，使用遮罩保持體MSP，結束將遮罩MK配置於玻璃基板GS上的動作。之後，於玻璃基板GS上配置遮罩MK，且在維持於遮罩MK上配置有遮罩保持體MSP的狀態下，藉由電漿原子層成長裝置，實施朝玻璃基板GS上之膜的成膜處理。
＜實施形態的特徵＞ 接著，針對本實施形態的特徵點進行說明。本實施形態的第1特徵點係如圖19所示，其係指：在以遮罩保持體MSP的支撐部SU支撐遮罩保持體MSP的懸吊部HU之狀態下，一邊藉由懸吊部HU懸吊遮罩MK，一邊使被懸吊部HU懸吊之遮罩MK與玻璃基板GS接觸。藉此，根據本實施形態，即使使用具有能夠順從玻璃基板GS的凹凸形狀且能夠提升玻璃基板GS的密著性等優點之鋼性低的薄遮罩MK，藉由以懸吊部HU懸吊遮罩MK的構成，亦能夠確實地支撐難以以細桿支撐之鋼性低的薄遮罩MK。也就是說，在本實施形態中，使用具有懸吊遮罩MK的懸吊部HU與支撐懸吊部HU的支撐部SU之遮罩保持體MSP，藉由支撐鋼性低的薄遮罩MK，能夠同時達成提昇玻璃基板GS與遮罩MK之間的密著性與提升遮罩MK的保持容易性之效果。結果，根據本實施形態，提高玻璃基板GS與遮罩MK之間的密著性，能夠抑制玻璃基板GS與遮罩MK間之微細間隙的產生。藉此，根據本實施形態，即使在使用容易亦於微細的間隙形成膜之電漿原子層成長法的情況下，亦能夠抑制朝以遮罩MK被覆之玻璃基板GS的區域形成膜。因此，根據本實施形態，在使用圖6所示之具有對應於顯示部DU的開口區域OPR及對應於框緣區域的被覆區域CVR之遮罩MK，於玻璃基板GS上形成保護膜時，能夠在被覆形成於顯示部DU之像素(有機EL元件)形成保護膜的同時，亦能夠在形成電極之框緣區域不形成保護膜。結果，根據本實施形態，能夠提升如圖5所示之和顯示部DU電連接的電極EL1與形成於連接用帶狀電極TE的電極EL2之間的連接穩定性。從注目於作為最終產品之電子裝置的觀點來看，此係在意味著能夠在提升含有顯示部DU之電子裝置之穩定性的同時，從注目於電子裝置之製造步驟的觀點來看，此係亦意味著能夠提升含有顯示部DU之電子裝置的製造良率。因此，根據本實施形態的第1特徵點，能夠減少電子裝置的製造成本，並能夠實現穩定性高的電子裝置。
接著，本實施形態的第2特徵點如圖24所示，其係指最終，相對於遮罩MK，使其與遮罩保持體MSP的支撐部SU接觸的特徵點。藉此，能夠從遮罩保持體MSP的支撐部SU相對於遮罩MK，施加能夠按壓玻璃基板GS的按壓力。此係意味著，能夠冀望進一步提升鋼性低的遮罩MK與玻璃基板GS之間的密著性，藉此，能夠更進一步降低產生於遮罩MK與玻璃基板GS之間的微細間隙。特別是，因為支撐部SU的質量較懸吊部HU的質量還大，故能夠增大施加於遮罩MK的按壓力，且藉此，能夠有效地抑制產生於玻璃基板GS與遮罩MK之間的微細間隙。
再者，從有效地抑制產生於玻璃基板GS與遮罩MK之間的微細間隙的觀點來看，由磁性體構成遮罩MK亦係有效的。此係因為，例如藉由將電磁石嵌埋於平台ST內，並藉由將由磁性體而成之遮罩MK吸引至此電磁石，能夠進一步增大朝玻璃基板GS之遮罩MK的按壓力。再者，不僅係遮罩MK，期望著遮罩保持體MSP的支撐部SU亦由磁性體構成。此係因為，在此情況下，來自電磁石的磁力亦作用於遮罩保持體MSP的結果，從遮罩保持體MSP相對於遮罩MK，不僅僅基於遮罩保持體MSP的質量施加按壓力，變得亦基於磁力施加按壓力。
以上，雖然基於本發明人們所完成之發明的實施形態進行具體說明，但本發明並不限於前述實施形態，只要在不脫離本發明概念之範圍下，亦能夠有各種的變化。
1S‧‧‧可撓性基板
AM1~AM2‧‧‧對位標記
CRU‧‧‧電路部
CVR‧‧‧被覆區域
CP‧‧‧蓋部
DU‧‧‧顯示部
DIT1~DIT3‧‧‧(第1~第3)凹槽
EL1~EL3‧‧‧電極
ELA‧‧‧上部電極層
ELB‧‧‧下部電極層
GS‧‧‧玻璃基板
HU‧‧‧懸吊部
MP‧‧‧攜帶電話機
MK‧‧‧遮罩
MSP‧‧‧遮罩保持體
OEL‧‧‧有機層
OPR‧‧‧開口區域
OLDL‧‧‧有機EL層
PF‧‧‧保護膜
PCL‧‧‧異物
PIF‧‧‧樹脂膜
PN‧‧‧細桿
PAS‧‧‧鈍化膜
RA‧‧‧區域
SP‧‧‧基座
SU‧‧‧支撐部
ST‧‧‧平台
TE‧‧‧連接用帶狀電極
S101~S107‧‧‧步驟
S201~S207‧‧‧步驟
[圖1]係從表面側觀看攜帶電話機(Smart phone)之平面圖。 [圖2]係概略地顯示形成於顯示部之一部分區域的佈局(layout)構成之平面圖。 [圖3]係以圖2之A-A線切斷之剖面圖。 [圖4]係顯示顯示部的製造步驟的流程之流程圖。 [圖5]係概略地顯示將顯示部與電路部電連接的構成例之圖。 [圖6]係顯示遮罩配置於玻璃基板上的樣子之圖。 [圖7](a)係顯示藉由CVD法於附著有異物之玻璃基板上形成薄保護膜的樣子之剖面圖；(b)係藉由CVD法於附著有異物之玻璃基板上形成厚保護膜的樣子之剖面圖。 [圖8]係顯示藉由ALD法於附著有異物之玻璃基板上形成薄保護膜的樣子之剖面圖。 [圖9]係概略地顯示使用作為顯示部基板的可撓性基板，並將此可撓性基板折曲時的狀態之圖。 [圖10]係說明電漿原子層成長法之保護膜的形成方法之流程之流程圖。 [圖11]係概略地顯示保護膜以穿入至玻璃基板與遮罩之間所產生之微細間隙的方式來形成的樣子之圖。 [圖12]係顯示相關技術中，從遮罩邊緣穿入遮罩側的距離與形成之保護膜之膜厚的關係之圖。 [圖13]係說明在厚度厚的遮罩中，於遮罩與玻璃基板之間產生微細間隙之圖。 [圖14]係說明在厚度薄的遮罩中，於遮罩與玻璃基板之間產生微細間隙之圖。 [圖15]係說明在厚度薄的遮罩中難以維持細桿的保持之圖。 [圖16](a)係說明於薄遮罩施加張力並以保持構件固定遮罩兩端的方法之圖；(b)係說明施加張力之薄遮罩係不適應玻璃基板的凹凸形狀之圖。 [圖17]係顯示實施形態中遮罩保持體的平面構成之平面圖。 [圖18]係顯示遮罩保持體的剖面構成之概略圖，其係以圖17的A-A線切斷之剖面圖。 [圖19]係說明於玻璃基板上配置遮罩的動作之圖。 [圖20]係說明圖19的後續動作之圖。 [圖21]係說明圖20的後續動作之圖。 [圖22]係說明圖21的後續動作之圖。 [圖23]係說明圖22的後續動作之圖。 [圖24]係說明圖23的後續動作之圖。

Claims (21)

  1. 一種成膜方法，其係使用含有基板搭載部之電漿原子層成長裝置的成膜方法，其係包含： (a)基板配置步驟，於前述基板搭載部上配置基板； (b)遮罩配置步驟，藉由遮罩保持體將遮罩配置於前述基板上； (c)成膜步驟，於前述(b)步驟後，在前述基板上形成膜；其中， 前述遮罩保持體係包括： 懸吊部，其係懸吊前述遮罩； 支撐部，其係支撐前述懸吊部；且， 前述(b)步驟係包括： (b1)步驟：在以前述支撐部支撐前述懸吊部的狀態下，藉由前述懸吊部懸吊前述遮罩；及 (b2)步驟：在以前述支撐部支撐前述懸吊部的狀態下，使由前述懸吊部懸吊之前述遮罩接觸於前述基板上。
  2. 如請求項1所述之成膜方法，其中，前述成膜方法還包含： (b3)步驟：在前述(b2)步驟後，維持前述遮罩接觸於前述基板上的狀態，將前述懸吊部從前述支撐部隔開； (b4)步驟：在前述(b3)步驟後，維持前述懸吊部從前述支撐部隔開的狀態，使前述支撐部與前述遮罩接觸。
  3. 如請求項1所述之成膜方法，其中，在前述(b1)步驟中，拉伸力從前述懸吊部施加至前述遮罩。
  4. 如請求項1所述之成膜方法，其中，在前述(b2)步驟中，拉伸力不從前述懸吊部施加至前述遮罩。
  5. 如請求項2所述之成膜方法，其中，在前述(b3)步驟中，按壓力從前述懸吊部施加至前述遮罩。
  6. 如請求項2所述之成膜方法，其中，在前述(b4)步驟中，在按壓力從前述懸吊部施加至前述遮罩的同時，按壓力還從前述支撐部施加至前述遮罩。
  7. 如請求項1所述之成膜方法，其中，在前述(b2)步驟中，藉由使前述基板搭載部移動，使前述遮罩接觸於前述基板上。
  8. 如請求項1所述之成膜方法，其中，在前述(b2)步驟中，藉由移動支撐前述遮罩保持體的細桿，使前述遮罩接觸於前述基板上。
  9. 如請求項2所述之成膜方法，其中，前述支撐部的質量係較前述懸吊部的質量大。
  10. 如請求項1所述之成膜方法，其中，前述遮罩的厚度係較前述基板的厚度小。
  11. 如請求項10所述之成膜方法，其中，前述遮罩的厚度係小於1mm。
  12. 一種電子裝置的製造方法，其係具有顯示圖像之顯示部之電子裝置的製造方法，其係包含： (a)基板配置步驟，於基板搭載部上配置基板； (b)遮罩配置步驟，藉由遮罩保持體將遮罩配置於前述基板上； (c)原料氣體供給步驟，於前述(b)步驟後，將原料氣體供給至前述基板的上方； (d)反應氣體供給步驟，於前述(c)步驟後，將反應氣體供給至前述基板的上方； (e)電漿產生步驟，於前述(d)步驟後，於前述基板的上方產生電漿；其中， 前述遮罩保持體係包括： 懸吊部，其係懸吊前述遮罩； 支撐部，其係支撐前述懸吊部；且， 前述(b)步驟係包括： (b1)步驟：在以前述支撐部支撐前述懸吊部的狀態下，藉由前述懸吊部懸吊前述遮罩；及 (b2)步驟：在以前述支撐部支撐前述懸吊部的狀態下，使由前述懸吊部懸吊之前述遮罩接觸於前述基板上。
  13. 如請求項12所述之電子裝置的製造方法，其中，前述電子裝置的製造方法還包含： (b3)步驟：在前述(b2)步驟後，維持前述遮罩接觸於前述基板上的狀態，將前述懸吊部從前述支撐部隔開； (b4)步驟：在前述(b3)步驟後，維持前述懸吊部從前述支撐部隔開的狀態，使前述支撐部與前述遮罩接觸。
  14. 如請求項12所述之電子裝置的製造方法，其中，前述基板係玻璃基板。
  15. 如請求項12所述之電子裝置的製造方法，其中，在前述(e)步驟中，藉由於前述基板的上方產生電漿，於前述基板上形成膜。
  16. 如請求項15所述之電子裝置的製造方法，其中，前述膜係保護有機EL元件不被水分侵入的保護膜。
  17. 如請求項16所述之電子裝置的製造方法，其中，前述膜係氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、或氮氧化鋁膜中任一者的膜。
  18. 一種遮罩保持體，其係能夠保持遮罩的遮罩保持體，其係包含： 懸吊部，其係能夠懸吊前述遮罩，且能夠上下移動； 支撐部，其係能夠支撐前述懸吊部，且能夠與前述懸吊部隔開。
  19. 如請求項18所述之遮罩保持體，其中，前述支撐部係包括： 表面； 裏面，其係位於前述表面相反側； 並於前述支撐部形成： 第1凹槽，其係形成於前述表面； 第2凹槽，其係與前述第1凹槽連通，且其寬度係較前述第1凹槽的寬度小； 第3凹槽，其係形成於前述裏面，並與前述第2凹槽連通，且其寬度係較前述第2凹槽的寬度小； 其中，前述懸吊部係配置於前述第2凹槽的內部，且其具有能夠與前述第2凹槽的底面成為接觸/非接觸的構成；及 前述支撐部的前述裏面係具有能夠與前述遮罩成為接觸/非接觸的構成。
  20. 如請求項19所述之遮罩保持體，其中，於前述支撐部設有嵌埋前述第1凹槽的蓋部，前述懸吊部係具有能夠朝前述支撐部之厚度方向移動的構成，且被懸吊於前述懸吊部的前述遮罩係在與前述支撐部的前述裏面接觸的情況下，於前述懸吊部的頂面與前述蓋部的底面之間存在著間隙。
  21. 如請求項18所述之遮罩保持體，其中，前述遮罩係由磁性體構成。
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