TW201835344A - 電阻材料用銅合金材料及其製造方法、以及電阻器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種電阻材料用銅合金材料及其製造方法，該電阻材料用銅合金材料兼具低電阻溫度係數與良好的沖壓成形性。其中，一種電阻材料用銅合金材料，其含有10質量%以上且14質量%以下的錳、1質量%以上且3質量%以下的鎳，剩餘部分由銅及無法避免的雜質所組成，並且，結晶粒徑是8微米以上且60微米以下。另一種電阻材料用銅合金材料，其含有6質量%以上且8質量%以下的錳、2質量%以上且4質量%以下的錫，剩餘部分由銅及無法避免的雜質所組成，並且，結晶粒徑是8微米以上且60微米以下。

Description

電阻材料用銅合金材料及其製造方法、以及電阻器
本發明關於電阻材料用銅合金材料及其製造方法、以及電阻器。
就用於電阻器之電阻材料的金屬材料而言，要求電阻溫度係數（temperature coefficient of resistance，以下，也記載為「TCR」）要低，以使電阻器的電阻在環境溫度變化時仍然穩定。所謂電阻溫度係數，是將由於溫度造成的電阻值變化的大小以每1℃相應的百萬分率來呈現，並以TCR（×10-6 /K）=（R-R0 ）/R0 ×1/（T-T0 ）×106 的算式來呈現。此處，算式中的T表示試驗溫度（℃），T0 表示基準溫度（℃），R表示在試驗溫度T時的電阻值（Ω），R0 表示在試驗溫度T0 時的電阻值（Ω）。Cu-Mn-Ni合金和Cu-Mn-Sn合金，其TCR非常低，因此被廣泛用作為構成電阻材料之金屬材料（例如，參照專利文獻1）。 伴隨近年的電氣和電子零件的小型化和高集成化，電阻材料也進行著小型化。伴隨此小型化，將金屬材料作沖壓成形來製造電阻材料時的尺寸精度對於電阻器的電阻值偏差所帶來的影響也變大，於是尋求改善電阻材料的金屬材料的沖壓成形性。 [先前技術文獻] （專利文獻）
專利文獻1：日本特許公開公報 2016年第69724號
[發明所欲解決的問題] 本發明所欲解決的問題在於，提供一種電阻材料用銅合金材料及其製造方法，該電阻材料用銅合金材料兼具低電阻溫度係數與良好的沖壓成形性。又，本發明所欲解決的問題還在於提供一種電阻器，其即便環境溫度變化，該電阻器的電阻值仍然穩定，並且，電阻值偏差小。
[用於解決問題的技術手段] 本發明的一態樣之電阻材料用銅合金材料，其重點在於：含有10質量%以上且14質量%以下的錳、1質量%以上且3質量%以下的鎳，剩餘部分由銅及無法避免的雜質所組成，並且，結晶粒徑是8微米（μm）以上且60μm以下。 本發明的另一態樣之電阻材料用銅合金材料，其重點在於：含有6質量%以上且8質量%以下的錳、2質量%以上且4質量%以下的錫，剩餘部分由銅及無法避免的雜質所組成，並且，結晶粒徑是8μm以上且60μm以下。
本發明的另一態樣之電阻材料用銅合金材料的製造方法，其製造上述一態樣之電阻材料用銅合金材料或上述另一態樣之電阻材料用銅合金材料，該方法的重點在於具備：均質化熱處理步驟，其對銅合金的鑄塊（ingot）施行800℃以上且950℃以下並歷時10分鐘以上且10小時以下的熱處理；熱加工步驟，其對利用均質化熱處理步驟被均質化後的鑄塊施行熱加工；中間冷加工步驟，其對利用熱加工步驟施行熱加工後的鑄塊施行加工率50%以上的冷加工；中間再結晶退火步驟，其對利用中間冷加工步驟施行冷加工後的鑄塊施行400℃以上且700℃以下並歷時10秒以上且10小時以下的熱處理，以施行再結晶退火；最終冷加工步驟，其對利用中間再結晶退火步驟施行再結晶退火後的鑄塊施行加工率5%以上且80%以下的冷加工；以及，最終再結晶退火步驟，其對利用最終冷加工步驟施行冷加工後的鑄塊施行400℃以上且700℃以下並歷時10秒以上且10小時以下的熱處理，以施行再結晶退火。 本發明的另一態樣之電阻器，其重點在於：利用上述一態樣之電阻材料用銅合金材料或上述另一態樣之電阻材料用銅合金材料來構成至少一部分而成。
[發明的功效] 本發明的電阻材料用銅合金材料，其兼具低電阻溫度係數與良好的沖壓成形性。 本發明的電阻材料用銅合金材料的製造方法，其能夠製造一種電阻材料用銅合金材料，該電阻材料用銅合金材料兼具低電阻溫度係數與良好的沖壓成形性。 本發明的電阻器，即便環境溫度變化，該電阻器的電阻值仍然穩定，並且，電阻值偏差小。
針對本發明的一實施型態，詳細說明如下。 第一實施型態的電阻材料用銅合金材料，其含有10質量%以上且14質量%以下的錳（Mn）、1質量%以上且3質量%以下的鎳（Ni），剩餘部分由銅（Cu）及無法避免的雜質所組成，並且，結晶粒徑是8μm以上且60μm以下。此外，在本段落以後，也將第一實施型態的電阻材料用銅合金材料記載為「Cu-Mn-Ni合金材料」。
第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其含有6質量%以上且8質量%以下的錳、2質量%以上且4質量%以下的錫（Sn），剩餘部分由銅及無法避免的雜質所組成，並且，結晶粒徑是8μm以上且60μm以下。此外，在本段落以後，也將第二實施型態的電阻材料用銅合金材料記載為「Cu-Mn-Sn合金材料」。
這些第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其結晶粒徑被控制在8μm以上且60μm以下，因此兼具低電阻溫度係數與良好的沖壓成形性。因此，第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其適合作為構成電阻材料之金屬材料，該電阻材料被使用於例如分路電阻器（shunt resistor）等電阻器。
第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其由於電阻溫度係數低，故即便環境溫度變化，該電阻器的電阻值仍然穩定。關於第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料的電阻溫度係數，在20℃以上且50℃以下的範圍內，電阻溫度係數的絕對值可以是50ppm/K以下。若電阻溫度係數是上述範圍內，則在環境溫度變化時，電阻值的穩定性較良好。
又，第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其由於沖壓成形性良好，故在將銅合金材料沖壓成形來製造電阻材料時，即便電阻材料是小型，尺寸精度也優良。關於第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料的沖壓成形性，其能夠以剪切比作為指標。例如，若根據日本伸銅協會技術標準JCBA T310：2002規定的銅及銅合金薄板條的剪切試驗方法所測得的剪切比是未滿85%，則沖壓成形性會較優良，於是在沖壓成形時的尺寸精度會較優良。
此外，第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其不只是沖壓成形性，在其他加工方法中的成形性也優良。 第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其具有如上所述的優良特性，因此，利用第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料來構成至少一部分而成的電阻器，即便環境溫度變化，該電阻器的電阻值仍然穩定，並且，電阻值偏差小。
第一實施型態的電阻材料用銅合金材料，其含有10質量%以上且14質量%以下的錳、1質量%以上且3質量%以下的鎳，若錳的含量未滿10質量%，則會有TCR變大之虞，並且，再結晶退火時，結晶粒徑會容易變大。另一方面，若錳的含量超過14質量%，則會有電阻率變高之虞，並且，再結晶退火時，結晶粒徑會容易變小。進一步，會有電阻材料用銅合金材料的耐蝕性與製造性下降之虞。
又，若鎳的含量未滿1質量%，則會有TCR變大之虞，並且，再結晶退火時，結晶粒徑會容易變大。進一步，會有電阻材料用銅合金材料的耐蝕性下降之虞。另一方面，若鎳的含量超過3質量%，則會有電阻率變高之虞，並且，再結晶退火時，結晶粒徑會容易變小。進一步，會有電阻材料用銅合金材料的製造性下降之虞。
第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其含有6質量%以上且8質量%以下的錳、2質量%以上且4質量%以下的錫，若錳的含量未滿6質量%，則會有TCR變大之虞，並且，再結晶退火時，結晶粒徑會容易變大。另一方面，若錳的含量超過8質量%，則會有電阻率變高之虞，並且，再結晶退火時，結晶粒徑會容易變小。
又，若錫的含量未滿2質量%，則會有TCR變大之虞，並且，再結晶退火時，結晶粒徑會容易變大。進一步，會有電阻材料用銅合金材料的耐蝕性下降之虞。另一方面，若錫的含量超過4質量%，則會有電阻率變高之虞，並且，再結晶退火時，結晶粒徑會容易變小。進一步，會有電阻材料用銅合金材料的製造性下降之虞。
第一實施型態的電阻材料用銅合金材料，其可進一步含有錳、鎳以外的合金成分。又，第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其可進一步含有錳、錫以外的合金成分。在任一實施型態的電阻材料用銅合金材料中，可含有的合金成分是：選自由0.001質量%以上且0.5質量%以下的鐵（Fe）、0.001質量%以上且0.1質量%以下的矽（Si）、0.001質量%以上且0.5質量%以下的鉻（Cr）、0.001質量%以上且0.2質量%以下的鋯（Zr）、0.001質量%以上且0.2質量%以下的鈦（Ti）、0.001質量%以上且0.5質量%以下的銀（Ag）、0.001質量%以上且0.5質量%以下的鎂（Mg）、0.001質量%以上且0.1質量%以下的鈷（Co）、0.001質量%以上且0.1質量%以下的磷（P）、以及0.001質量%以上且0.5質量%以下的鋅（Zn）所組成之群組的1種或2種以上的元素。
藉由含有這些合金成分，電阻材料用銅合金材料的耐熱性會提升，並且，再結晶退火時，晶粒成長會變慢，因此結晶粒徑的控制會變成較容易。若這些合金成分的含量超過上述範圍的上限值，則會有抑制晶粒成長的作用變得過大之虞。又，會有電阻率變高之虞，並且，會有電阻材料用銅合金材料的製造性下降之虞。
第一實施型態的電阻材料用銅合金材料，其藉由將結晶粒徑作成在前述範圍內，並且，在後述的最終再結晶退火步驟以後不進行冷加工，能夠使維氏硬度（Vickers hardness）成為90HV以上且未滿150HV，進一步較佳是成為90HV以上且135HV以下。若第一實施型態的電阻材料用銅合金材料的維氏硬度未滿90HV，則結晶粒徑會超出並大於前述範圍，而會有沖壓成形性變得不足的情況。另一方面，若維氏硬度是150HV以上，則意謂結晶粒徑超出並小於前述範圍、或在最終再結晶退火步驟以後施行了冷加工，於是會有無法獲得低電阻溫度係數的情況。
第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其藉由將結晶粒徑作成在前述範圍內，並且，在後述的最終再結晶退火步驟以後不進行冷加工，能夠使維氏硬度成為80HV以上且未滿120HV，進一步較佳是成為90HV以上且105HV以下。若第二實施型態的電阻材料用銅合金材料的維氏硬度未滿80HV，則結晶粒徑會超出並大於前述範圍，而會有沖壓成形性變得不足的情況。另一方面，若維氏硬度是120HV以上，則意謂結晶粒徑超出並小於前述範圍、或在最終再結晶退火步驟以後施行了冷加工，於是會有無法獲得低電阻溫度係數的情況。
隨後，針對第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料的製造方法來作說明。第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其能夠藉由同樣的方法來製造。亦即，一種方法，其具備：均質化熱處理步驟，其對銅合金的鑄塊施行800℃以上且950℃以下並歷時10分鐘以上且10小時以下的熱處理；熱加工步驟，其對利用均質化熱處理步驟被均質化後的鑄塊施行熱加工；中間冷加工步驟，其對利用熱加工步驟施行熱加工後的鑄塊施行加工率50%以上的冷加工；中間再結晶退火步驟，其對利用中間冷加工步驟施行冷加工後的鑄塊施行400℃以上且700℃以下並歷時10秒以上且10小時以下的熱處理，以施行再結晶退火；最終冷加工步驟，其對利用中間再結晶退火步驟施行再結晶退火後的鑄塊施行加工率5%以上且80%以下的冷加工；以及，最終再結晶退火步驟，其對利用最終冷加工步驟施行冷加工後的鑄塊施行400℃以上且700℃以下並歷時10秒以上且10小時以下的熱處理，以施行再結晶退火。
藉由這種製造方法，能夠製造第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其結晶粒徑是8μm以上且60μm以下。第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料，其可成形為任何形狀的部件，例如，可成形為線材、棒材、板材等。以下，作為一個例子，說明利用第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料構成之板材的製造方法。
首先，使用爐等來熔解原料（raw material）後加以鑄造，而獲得具有上述合金成分之鑄塊（鑄造步驟）。隨後，將利用鑄造步驟所獲得的鑄塊作熱處理來使合金成分均質化（均質化熱處理步驟）。均質化熱處理步驟中的熱處理條件，其可依據合金組成來適當設定，不過，作為一個例子，能夠舉出在800℃以上且950℃以下並歷時10分鐘以上且10小時以下之條件。若加熱溫度過高、加熱時間過長之類的話，會有電阻材料用銅合金材料的加工性下降之虞。另一方面，若加熱溫度過低、加熱時間過短之類的話，則會有合金成分的均質化變得不足之虞。
隨後，對藉由均質化熱處理步驟被均質化後的鑄塊施行熱加工，將鑄塊成形為所需形狀的部件（熱加工步驟）。例如，將鑄塊作熱軋延而成形為呈約略板狀的板狀物。由於均質化熱處理步驟剛結束後的鑄塊是加熱至高溫的狀態，故較佳是就此連續地移送至熱加工步驟來實施熱加工。若熱加工結束，則將板狀物冷卻至常溫。由於在熱加工步驟後的板狀物的表面形成有氧化皮膜，故將此氧化皮膜去除（表面磨削步驟）。
隨後，對已去除氧化皮膜的板狀物施行加工率50%以上的冷加工（中間冷加工步驟）。例如，將板狀物作冷軋延來將板厚加以薄化。若加工率是50%以上，則能夠將直到熱加工步驟為止所獲得的材料組織充分地微細化，因此最終所獲得的結晶粒徑不會變得過大，而容易成為適當的大小。
隨後，對利用中間冷加工步驟施行冷加工來將板厚加以薄化後的板狀物作熱處理，以施行再結晶退火（中間再結晶退火步驟）。中間再結晶退火步驟中的熱處理條件，其可依據合金組成等來適當設定，但作為一個例子，能夠舉出在400℃以上且700℃以下並歷時10秒以上且10小時以下之條件。若加熱溫度過高、加熱時間過長之類的話，則會有無法將直到熱加工步驟為止所獲得的材料組織充分地微細化而無法減小最終所獲得的結晶粒徑之虞。另一方面，若加熱溫度過低、加熱時間過短之類的話，則會有無法獲得再結晶組織、或是再結晶組織變得過小而最終所獲得的結晶粒徑變小之虞。就此熱處理而言，可使用將板狀物放入爐內後加以升溫之批次熱處理，也可使用使板狀物連續地通過已升溫的爐內之移動式（traveling）熱處理。
隨後，對利用中間再結晶退火步驟施行再結晶退火後的板狀物施行加工率5%以上且80%以下的冷加工（最終冷加工步驟）。例如，將板狀物作冷軋延來將板厚進一步加以薄化以作成所需的厚度。若加工率超過80%，則會有最終所獲得的結晶粒徑變小之虞。另一方面，若加工率未滿5%，則會有無法獲得再結晶組織、或是最終所獲得的結晶粒徑變大之虞。
隨後，將利用最終冷加工步驟施行冷加工來將板厚進一步加以薄化後的板狀物作熱處理，以施行再結晶退火（最終再結晶退火步驟）。最終再結晶退火步驟中的熱處理條件，其可依據合金組成等來適當設定，但作為一個例子，能夠舉出在400℃以上且700℃以下並歷時10秒以上且10小時以下之條件。若加熱溫度過高、加熱時間過長之類的話，則會有最終所獲得的結晶粒徑變大之虞。另一方面，若加熱溫度過低、加熱時間過短之類的話，則會有無法獲得再結晶組織、或是最終所獲得的結晶粒徑變小之虞。就此熱處理而言，可使用將板狀物放入爐內後加以升溫之批次熱處理，也可使用使板狀物連續地通過已升溫的爐內之移動式熱處理。
藉由具備如上所述的步驟之製造方法，能夠製造一種利用第一及第二實施型態的電阻材料用銅合金材料構成之板材，其結晶粒徑是8μm以上且60μm以下。進一步，依據製造方法和條件，能夠將結晶粒徑作成8μm以上且45μm以下，也能夠作成8μm以上且25μm以下。藉由中間冷加工步驟與中間再結晶退火步驟，來將直到熱加工步驟為止所獲得的材料組織充分地微細化，並藉由最終冷加工步驟與最終再結晶退火步驟，來獲得所需的結晶粒徑。不過，上述中間冷加工步驟與中間再結晶退火步驟，可以各進行一次，也可以在進行最終冷加工步驟前各自重複進行複數次。
又，在相鄰的步驟與步驟之間、或在最終再結晶退火步驟後，可實施矯正形狀、去除氧化膜、脫脂、防鏽等處理。不過，若在最終再結晶退火步驟後進行任何步驟，則在該加工是低度變形(low deformation)的情況下，會有變得組織不均勻而無法獲得穩定的TCR之虞，在該加工是高度變形(high deformation)的情況下，會有硬度增加而致操作變得困難之虞。因此，較佳是在最終再結晶退火步驟後，不進行任何加工。
並且，本實施型態顯示本發明的一個例子，本發明並非僅限於本實施形態。又，可對本實施型態加入各種變更或改良，此加入多樣變更或改良後的型態亦可包含於本發明中。 [實施例]
以下，顯示實施例及比較例來進一步具體說明本發明。藉由鑄造來製造具有預定的合金組成之鑄塊，並利用加熱溫度800℃以上且950℃以下並歷時加熱時間10分鐘以上且10小時以下之條件來熱處理來將合金成分作均質化後，藉由熱軋延成形為板狀並進行水冷。
隨後，在對藉由熱軋延所獲得的板狀物施行表面磨削來去除表面的氧化皮膜後，以預定的加工率來將板狀物作冷軋延（中間冷加工步驟），進一步接著以預定的條件（加熱溫度及加熱時間）作熱處理，以施行再結晶退火（中間再結晶退火步驟）。進一步，以預定的加工率來將板狀物作冷軋延（最終冷加工步驟），進一步接著以預定的條件（加熱溫度及加熱時間）作熱處理，以施行再結晶退火（最終再結晶退火步驟），而獲得厚度0.2mm的板材。
合金組成如表1～4所示，表1～4所示的合金成分以外的剩餘部分是銅及無法避免的雜質。又，中間冷加工步驟、中間再結晶退火步驟、最終冷加工步驟、以及最終再結晶退火步驟的各條件，如表1～4所示。表1是將合金組成作各種變更後的Cu-Mn-Ni合金材料的例子，表2是將合金組成作各種變更後的Cu-Mn-Sn合金材料的例子。又，表3是將上述四個步驟的條件作各種變更後的Cu-Mn-Ni合金材料的例子，表4是將上述四個步驟的條件作各種變更後的Cu-Mn-Sn合金材料的例子。並且，相較於表3、4的製造條件，表1、2的製造條件更佳。
［表1］
［表2］
［表3］
［表4］
針對表1～4所示的實施例1～36及比較例1～36的板材，進行各種評估。以下，說明其內容與方法。又，評估結果顯示於表5～8中。 ＜關於結晶粒徑的測定＞ 根據JIS H0501（1986）規定的伸銅品(將銅進行軋延加工而得的製品)結晶粒度試驗方法的切斷法，進行了結晶粒徑的測定。亦即，將板材沿著軋延方向作切斷而露出剖面後，對該剖面施行濕式鏡面研磨。然後，蝕刻該研磨面後，使用金相顯微鏡（metallurgical microscope）來觀察，並由觀察到的圖像來測定結晶粒徑。
＜關於X射線繞射＞ 對板材的表面，進行θ-2θ法的X射線繞射，檢測出(111)、(200)、(220)、(311)、(222)、(400)、(331)、(420)的峰，並評估其體積比與半值寬度。並且，入射X射線的種類是Cu-Kα，燈管電壓是40kV，燈管電流是20mA，取樣速度是1°/min。
＜關於電阻溫度係數的測定＞ 根據JIS C2526(1994)規定的方法，測定了板材的20℃以上且50℃以下之範圍內的電阻溫度係數。將20℃以上且50℃以下之範圍內的電阻溫度係數的絕對值是50ppm/K以下的情況設為合格，並在表5～8中以「○」符號顯示。將20℃以上且50℃以下之範圍內的電阻溫度係數的絕對值超過50ppm/K的情況設為不合格，並在表5～8中以「×」符號顯示。
＜關於沖壓成形性＞ 藉由根據日本伸銅協會技術標準JCBA T310：2002規定的銅及銅合金薄板條的剪切試驗方法所測得的剪切比，來評估板材的沖壓成形性。亦即，使用沖壓機、矩形模具切塊（dice）等來將板材作沖孔，露出垂直於板材的軋延方向的剖面（沖壓破斷面）後，使用掃描式電子顯微鏡來進行剖面觀察，並算出剪切比。並且，關於板材沖孔中的條件，間隔（clearance）是10μm，沖壓速度是200mm/s，潤滑條件是無潤滑。 在剪切比未滿85%的情況下，評估為沖壓成形性優良，在表5～8中以「○」符號顯示。在剪切比是85%以上的情況下，評估為沖壓成形性不足，在表5～8中以「×」符號顯示。
＜關於維氏硬度的測定＞ 根據JIS Z2244(2009)規定的方法，由板材的表面來測定維氏硬度。並且，荷重是2.9N，壓頭（indenter）的壓下時間是15秒。
由表5～8所示的結果可知，實施例1～36的板材，其結晶粒徑是8μm以上且60μm以下，因此兼具低電阻溫度係數與良好的沖壓成形性。 相較於此，比較例1～8是合金組成超出本發明的合適範圍的例子，比較例1～7的板材，其合金組成超出本發明的合適範圍，因此結晶粒徑成為未滿8μm或超過60μm，而無法兼具低電阻溫度係數與良好的沖壓成形性。又，比較例1與比較例4，其Mn的含量低，因此即使結晶粒徑是在規定的範圍內，也無法獲得低電阻溫度係數。
比較例8，其合金組成超出本發明的合適範圍，因此在熱軋延時，板狀物中會產生破裂，而無法進行至之後的步驟來獲得板材。 比較例9～44，其是製造條件超出本發明的合適範圍的例子，比較例9～14、17～23、26～32、35～41及44的板材，其製造條件超出本發明的合適範圍，因此結晶粒徑成為未滿8μm或超過60μm，而無法兼具低電阻溫度係數與良好的沖壓成形性。 比較例15、16、24、25、33、34、42、43的板材，其製造條件超出本發明的合適範圍，因此無法藉由最終再結晶退火步驟來獲得再結晶組織，而無法兼具低電阻溫度係數與良好的沖壓成形性。
［表5］
［表6］
［表7］
［表8］
無
無
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國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (9)

  1. 一種電阻材料用銅合金材料，其含有10質量%以上且14質量%以下的錳、1質量%以上且3質量%以下的鎳，剩餘部分由銅及無法避免的雜質所組成，並且，結晶粒徑是8微米以上且60微米以下。
  2. 如請求項1所述的電阻材料用銅合金材料，其中，維氏硬度是90HV以上且未滿150HV。
  3. 一種電阻材料用銅合金材料，其含有6質量%以上且8質量%以下的錳、2質量%以上且4質量%以下的錫，剩餘部分由銅及無法避免的雜質所組成，並且，結晶粒徑是8微米以上且60微米以下。
  4. 如請求項3所述的電阻材料用銅合金材料，其中，維氏硬度是80HV以上且未滿120HV。
  5. 如請求項1～4中任一項所述的電阻材料用銅合金材料，其中，進一步含有：選自由0.001質量%以上且0.5質量%以下的鐵、0.001質量%以上且0.1質量%以下的矽、0.001質量%以上且0.5質量%以下的鉻、0.001質量%以上且0.2質量%以下的鋯、0.001質量%以上且0.2質量%以下的鈦、0.001質量%以上且0.5質量%以下的銀、0.001質量%以上且0.5質量%以下的鎂、0.001質量%以上且0.1質量%以下的鈷、0.001質量%以上且0.1質量%以下的磷、以及0.001質量%以上且0.5質量%以下的鋅所組成之群組的1種或2種以上的元素。
  6. 如請求項1～5中任一項所述的電阻材料用銅合金材料，其中，在20℃以上且50℃以下的範圍內，電阻溫度係數的絕對值是50ppm/K以下。
  7. 如請求項1～6中任一項所述的電阻材料用銅合金材料，其中，根據日本伸銅協會技術標準JCBA T310：2002規定的銅及銅合金薄板條的剪切試驗方法所測得的剪切比是未滿85%。
  8. 一種電阻材料用銅合金材料的製造方法，其製造如請求項1～7中任一項所述的電阻材料用銅合金材料，該方法具備： 均質化熱處理步驟，其對銅合金的鑄塊施行800℃以上且950℃以下並歷時10分鐘以上且10小時以下的熱處理； 熱加工步驟，其對利用前述均質化熱處理步驟被均質化後的鑄塊施行熱加工； 中間冷加工步驟，其對利用前述熱加工步驟施行熱加工後的鑄塊施行加工率50%以上的冷加工； 中間再結晶退火步驟，其對利用前述中間冷加工步驟施行冷加工後的鑄塊施行400℃以上且700℃以下並歷時10秒以上且10小時以下的熱處理，以施行再結晶退火； 最終冷加工步驟，其對利用前述中間再結晶退火步驟施行再結晶退火後的鑄塊施行加工率5%以上且80%以下的冷加工；以及， 最終再結晶退火步驟，其對利用前述最終冷加工步驟施行冷加工後的鑄塊施行400℃以上且700℃以下並歷時10秒以上且10小時以下的熱處理，以施行再結晶退火。
  9. 一種電阻器，其利用如請求項1～7中任一項所述的電阻材料用銅合金材料來構成至少一部分而成。
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