TW201834316A - 導電粒子配置膜、其製造方法、檢查探頭單元、導通檢查方法 - Google Patents

導電粒子配置膜、其製造方法、檢查探頭單元、導通檢查方法 Download PDF

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Abstract

本發明之導電粒子配置膜對用以進行半導體裝置等微間距之導通檢查對象之導通檢查的檢查探頭單元有用，導電粒子配置膜係將導電粒子配置於彈性體膜之面方向而成。彈性體膜之厚度與導電粒子之平均粒徑大致一致。導電粒子之端部位於彈性體膜之兩面各自之最外面附近。可積層相同或不同之導電粒子配置膜。可於導電粒子配置膜之至少一面形成黏著層。

Description

導電粒子配置膜、其製造方法、檢查探頭單元、導通檢查方法
本發明係關於一種導電粒子配置膜，其作為用於半導體裝置等之導通檢查之檢查探頭單元之檢查探頭材料、異向導電性連接器或者異向導電性轉接器(adaptor)而有用之。
於進行半導體裝置之導通檢查之情形時，一般使用將探頭材料與檢查用電路基板連接而成之檢查探頭單元，該探頭材料係於面方向上排列有多個微細之棒狀電極者，但檢查對象區域並非一定平滑而是有凹凸，故而習知之簡單之檢查探頭單元無法追隨檢查對象區域之凹凸，而有無法獲得高精度之導通試驗結果之擔憂。又，由於係將探頭材料直接壓接於半導體裝置之端子，故而亦有產生檢查區域之外觀不良之擔憂。因此，為了防止導通檢查時因檢查對象區域之凹凸所導致之檢查精度之降低，且防止產生半導體裝置之外觀不良，考慮於檢查探頭單元中之探頭材料及檢查用電路基板之間，配置異向導電性彈性體片材(專利文獻1)作為異向導電性連接器(專利文獻2)，該異向導電性彈性體片材係將因平行磁場而於厚度方向上連續之導電粒子群於面方向上隔離配置者。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開平10-188672號公報
專利文獻2：日本特開2009-98065號公報
然而，於專利文獻1之異向導電性彈性體片材中，因磁場之影響而於厚度方向上連續之導電粒子群可能會彎曲，為了穩定地確保於面方向上隔離之導電粒子群彼此之絕緣性，存在不得不犧牲異向導電性彈性體片材之面方向之微間距化的問題。又，就於此種片材上進行檢查而言，由於存在多種規格，故而要求處理性更優異者。
本發明之課題在於，於使用檢查探頭單元進行半導體裝置等微間距之導通檢查對象的導通檢查時，即便檢查對象區域不平滑而呈凹凸，亦可獲得高精度之導通試驗結果，且避免產生外觀不良。又，本發明提供一種即便檢查對象區域平滑，另外即便導通檢查對象為非微間距，亦容易使用且處理性優異的導通檢查構件。
本發明者發現：代替專利文獻1之異向導電性彈性體片材，而使用將導電粒子埋入厚度與其平均粒徑大致相同之彈性體膜其深度方向之一半且配置於面方向上所得之導電粒子配置膜，作為檢查探頭材料、異向導電性連接器、或者異向導電性轉接器，藉此可解決上述問題，從而完成了本發明。
即，本發明提供一種導電粒子配置膜，係將導電粒子配置於彈性 體膜之面方向上所得者；彈性體膜之厚度與導電粒子之平均粒徑大致一致，導電粒子之端部位於彈性體膜之兩面各自之最外面附近。
又，本發明提供一種製造方法，其係上述導電粒子配置膜之製造方法，並且，在平面方向上形成有多個凹部之轉印模具的該凹部配置導電粒子，並將彈性體膜按壓於轉印模具之凹部形成面而使導電粒子轉印，將轉印有導電粒子之彈性體膜夾於一對壓盤，藉由加熱加壓將導電粒子壓入彈性體膜中。
進而，本發明提供一種檢查探頭單元，係相對於導通檢查用電子電路基板，設置上述之導電粒子配置膜作為檢查探頭材料者。
另外，本發明提供一種檢查探頭單元，其具有導通檢查用電子電路基板；及探頭材料，其具備與該導通檢查用電子電路導通之電極結構體，並且，於導通檢查用電子電路基板與探頭材料之間，配置上述之導電粒子配置膜來作為異向導電性連接器。
進而，又，本發明提供一種檢查探頭單元，其具有：導通檢查用電子電路基板；及探頭材料，其具備與該導通檢查用電子電路導通之電極結構體，並且，於探頭材料之與導通檢查用電子電路基板相反側之前端，配置上述之導電粒子配置膜來作為異向導電性轉接器。
又，本發明提供一種檢查探頭單元，其具有：導通檢查用電子電路基板；及探頭材料，其具有與該導通檢查用電子電路導通之電極結構體，並且，於探頭材料之與導通檢查用電子電路基板相反側之前端、及探頭材料之與導通檢查用電子電路基板相反側之前端，配置上述之導電粒子配置膜來作為異向導電性轉接器。
再者，本發明亦提供一種將上述檢查探頭單元應用於導通檢查對象之導通檢查方法。
本發明之導電粒子配置膜係將導電粒子埋入厚度與其平均粒徑大致相同之彈性體膜其深度方向之一半並配置於面方向上。因此，無需使導電粒子於膜厚度方向上連結，故而可進行半導體裝置等微間距之導通檢查對象(例如，2~15μm寬度之矩形端子、或3~25μm端子間距離之端子等)的導通檢查。又，為了提高導通檢查精度，例如以未達1000mΩ之較低之電阻值進行導通檢查之情形時，可使多個導電粒子與端子接觸，故而即便導通檢查對象之端子間距離大於上述範圍，亦能以低電阻且高精度地進行導通檢查。並且，由於係大致平面地對導通檢查對象進行壓接，故而能夠避免導通檢查對象產生外觀不良。再者，亦可對檢查對象區域平滑之導通檢查對象或非微間距之導通檢查對象進行高精度之導通檢查。換言之，對導通檢查對象可簡易地非破壞性判定是否導通。
又，具備本發明之導電粒子配置膜之檢查探頭單元可發揮來自本發明之導電粒子配置膜之發明的效果。並且，若導電粒子配置膜對應於微間距，則不變更導電粒子配置膜之設計，亦可應用於間距較寬之導通檢查對象。
1‧‧‧導電粒子
2‧‧‧彈性體膜
10、11‧‧‧導電粒子配置膜
30‧‧‧絕緣性可撓性片材
31‧‧‧貫通電極
32‧‧‧柔軟性連接器片材
50‧‧‧導通檢查用電子電路基板
60‧‧‧探頭材料
61‧‧‧電極結構體
100、200、300‧‧‧檢查探頭單元
t‧‧‧彈性體膜厚
d‧‧‧導電粒子之平均粒徑
圖1係本發明之導電粒子配置膜之剖面圖。
圖2係本發明之導電粒子配置膜之剖面圖。
圖3A係彈性體膜之最表面與導電粒子之位置關係說明圖。
圖3B係彈性體膜之最表面與導電粒子之位置關係說明圖。
圖3C係彈性體膜之最表面與導電粒子之位置關係說明圖。
圖4A係積層型之本發明之導電粒子配置膜之剖面圖。
圖4B係積層型之本發明之導電粒子配置膜之剖面圖。
圖5A係使用了柔軟性連接器片材之積層型的本發明之導電粒子配置膜之剖面圖。
圖5B係使用了柔軟性連接器片材之積層型的本發明之導電粒子配置膜之剖面圖。
圖5C係圖5B之導電粒子配置膜之俯視圖。
圖5D係使用了柔軟性連接器片材之積層型的本發明之導電粒子配置膜之剖面圖。
圖6A係將本發明之導電粒子配置膜用作檢查探頭之檢查探頭單元之概略剖面圖。
圖6B係將本發明之導電粒子配置膜用作異向導電性連接器之檢查探頭單元之概略剖面圖。
圖6C係將本發明之導電粒子配置膜用作異向導電性轉接器之檢查探頭單元之概略剖面圖。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之導電粒子配置膜之一例進行詳細說明。再者，各圖中，相同符號表示相同或相等之構成元件。
<導電粒子配置膜之整體構成>
圖1係本發明之導電粒子配置膜10之剖面圖。該導電粒子配置膜10於彈性體膜2之面方向上配置有導電粒子1。此處，所謂"於面方向上配置"，意指於俯視導電粒子配置膜10時，導電粒子1為相互隔離地配置之狀態(較佳為規則地(例如：正方晶格狀、矩形晶格狀、斜方晶格狀、六方晶格狀)排列之狀態)。於該情形時，亦可如圖2所示般，多個導電粒子1於平面上集合或者連結而作為1個單元， 並相互隔離。關於隔離之最小距離(導電粒子與導電粒子之最短之距離)作為一例，為了避免導電粒子之不必要之接觸，較佳為導電粒徑之0.5倍以上，更佳為0.7倍以上。上限並無特別限制，可根據對象物進行適當設定，作為微間距用之一例，較佳為導電粒徑之10倍以下，更佳為5倍以下，進而更佳為2倍以下。再者，所謂導電粒子1相互隔離地配置，係指例如於導電粒子數為1000以上、較佳為2000以上之矩形或者正方形的面積內之總導電粒子數較佳為95%以上、更較佳為98%以上、進而更較佳為99.5%以上為獨立。於刻意地使其連結之情形時，將連結者作為1個導電粒子數而計算(導電粒徑係指各導電粒子之大小)。
又，導電粒子間距離與導通檢查對象之端子間距離不必一致，較佳為導電粒子間距離小於導通檢查對象之端子間距離。其原因在於：藉由使多個導電粒子與導通檢查對象之端子接觸，可降低導通電阻值。因此，與端子接觸之導電粒子可為1個，較佳為3個以上，更佳為11個以上。
於本發明之導電粒子配置膜10中，如圖1所示，彈性體膜2之厚度t與導電粒子1之平均粒徑d大致一致。使其"大致一致"之理由係由於可進行於導電粒子配置膜之兩面的導通，且可於大致平面上壓接於導通檢查對象。通常，有0.70dt1.10d之關係。
再者，關於彈性體膜2與導電粒子1之位置關係，於本發明中，導電粒子1之端部需要位於彈性體膜2之兩面各自之最外面附近。將該"附近"之狀態顯示於彈性體膜2之單表面之部分圖即圖3A~圖3C。即，圖3A表示導電粒子1之端部與彈性體膜2之表面相接之狀態。圖3B表示導電粒子1之端部自彈性體膜2之表面埋入膜內之狀態。埋入深度(彈性體被覆厚度)a通常為自彈性體膜2之表面一側起的厚度10%以內，較佳為5%以內。圖3C表示導電粒子1之端部自彈性體膜2之表面露出之狀態。露出之高度b較佳為自彈性體膜2之表面一側起的厚度之30%以內。因此，關於彈性體膜2之兩面之"附近"的圖案，假定以下6種態樣：即 兩面為圖3A、圖3B或圖3C之態樣，一面為圖3A、另一面為圖3B之態樣，一面為圖3A、另一面為圖3C之態樣，一面為圖3B、另一面為圖3C之態樣。又，關於導電粒子自彈性體膜露出之程度、由彈性體被覆之程度，於導電粒子配置膜之一面及另一面上可相同，亦可不同。
(彈性體膜2)
彈性體膜2之厚度t主要根據導通檢查對象之表面凹凸或導電粒子配置膜之處理性等而確定，如下所述，可根據導電粒子配置膜之積層之態樣進行適當調整。與應用於半導體裝置之情形時，若考慮凸塊高度及其偏差，則較佳為3μm以上，更較佳為10μm以上，尤佳為30μm以上。厚度之上限並無特別限定，考慮導電粒子配置膜之處理性或微間距對應等，通常為200μm以下，較佳為100μm以下，更佳為50μm以下。再者，彈性體膜2之厚度t可使用公知之膜厚計(例如，FUJIWORK股份有限公司，膜試驗機厚度測定器，HKT Handy系列)進行測定。
作為以上所說明之彈性體膜2，可列舉：聚丁二烯、天然橡膠、聚異戊二烯、SBR(Styrene-Butadiene Rubber)、NBR(Nitrile-Butadiene Rubber)等共軛二烯系橡膠及該等之氫化物、苯乙烯-丁二烯-二烯嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物等嵌段共聚物及該等之氫化物、氯丁二烯、胺酯(urethane)橡膠、聚酯系橡膠、表氯醇橡膠、矽橡膠、乙烯丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物、矽橡膠等之彈性體膜。於需要彈性體膜2有耐候性之情形時，較佳為共軛二烯系橡膠以外之彈性體膜，尤其就成形加工性及電特性之觀點而言，較佳為矽橡膠膜。又，亦可包含：熱硬化型之異向導電性膜等異向導電性連接材料、不包含導電粒子之熱硬化型之電子零件用連接材料、電子零件用之黏著劑組成物或接著劑組成物、用於底部填充用途之樹脂組成物之樹脂。又，亦可積層相同或者不同之多片膜而製成積層型之彈性體膜2。就便利性之觀點而言，希望該彈性體膜2具有於檢查時可自導通檢查對象裝卸之特性。該方面可成為與公知之 硬化型之電子零件用接著膜(例如，熱硬化型之異向導電性膜)之較大不同點中之一。
再者，於作為彈性體膜2而採用經熱硬化者之情形時，於積層型者中，可獲得製造條件之選項較多之效果。進而，亦可於檢查步驟前積層各種膜而對檢查條件進行微調整，或使檢查步驟本身黑箱化。又，作為彈性體膜2，不含熱硬化且由與微黏著性之接著膜大致相同之組成所構成之情形時，對每一導通檢查對象進行更換等檢查步驟之處理性之選項較多。於積層型之情形時，藉由按此種方式組合，調整至所需特性即可。
(導電粒子1)
另一方面，導電粒子1之平均粒徑為與彈性體膜大致一致之尺寸，通常為200μm以下即可，較佳為2μm以上且50μm以下，更佳為2.5μm以上且30μm以下，尤佳為2.8μm以上且20μm以下。又，為了提高導通檢查精度，希望導電粒徑均一。具體而言，CV(Coefficient of variation)值(導電粒徑標準偏差/導電粒子之平均粒徑)較佳為20%以下，更佳為10%以下，進而更佳為5%以下。再者，CV值之下限越小，粒徑越均一而較佳，故而無特別限制。
又，作為導電粒子1，可列舉：鎳、鐵、鈷等顯示磁性之金屬粒子或該等之合金之粒子、或非磁性之焊料粒子等。該等粒子亦可含有金、銀、鈀、銠等貴金屬，較佳為含有金或銀。又，亦可將該等金屬粒子或者合金粒子作為核心，並藉由電解鍍覆法、無電解鍍覆法、濺鍍法、真空蒸鍍法等利用貴金屬被覆該核心之表面。或者，亦可將非磁性金屬粒子或者玻璃珠等無機粒子或有機聚合物粒子作為核心，並利用鎳、鈷等導電性磁性體被覆該等粒子，進而利用貴金屬被覆，採用由此所得之粒子作為導電粒子1。於採用將有機聚合物粒子作為核心，並利用金屬等被覆所得之金屬被覆樹脂粒子之情形時，就容易從加壓時之導電粒子之變形、或有機聚合物粒子之反作用下調整導通狀態方面 而言較佳。又，亦可採用使有機聚合物粒子含有導電性微粒子，進而利用金屬等被覆所得之含導電性微粒子之金屬被覆樹脂粒子。可期待進一步降低導通電阻值之效果。於本發明中，可併用兩種以上之如以上之導電粒子1。
(導電粒子配置膜之積層)
本發明之導電粒子配置膜10為了增加其整體厚度，可積層多個相同之導電粒子配置膜10(圖4A)。又，積層時，亦可積層多個不同之導電粒子配置膜10、11(圖4B)。於後者之情形時，於導電粒子配置膜10及導電粒子配置膜11中，由於使用粒徑相對不同之導電粒子，故而容易維持導電粒子配置膜之厚度方向之導電粒子之連結狀態，從而較佳。
又，於積層導電粒子配置膜10之情形時，可積層導電粒子配置膜10及柔軟性連接器片材而使其單元化，該柔軟性連接器片材係於絕緣性可撓性片材設置有貫通電極者，亦可如圖5A所示般，於2片導電粒子配置膜10之間夾持“於絕緣性可撓性片材30設置有貫通電極31所得之柔軟性連接器片材32”(參照日本專利第3951333號)。於該情形時，如圖5B所示，於導電粒子配置膜10中，對應於貫通電極31，導電粒子可為1個或者2個，較佳為配置更多個(較佳為3個以上，更佳為10個以上)導電粒子1。對應於1個貫通電極31所配置之多個導電粒子1可彼此連結，亦可如圖5C所示般，於俯視時，對應於1個貫通電極31之多個導電粒子1(上)相互不連結而獨立地隔離配置。此時，較佳為使配置於柔軟性連接器片材之下方的導電粒子配置膜之導電粒子1(下)與配置於柔軟性連接器片材之上方的導電粒子配置膜之導電粒子1(上)不重疊。如圖5C之導電粒子之配置狀態可藉由以下而形成：例如，使導電粒子間之距離或個數發生變化，或者使配置圖案本身相異，又，即便為相同配置圖案，亦使相對於基準線之角度發生變化。作為基準線，例如，可採用導電粒子配置膜之一邊或端子之一邊等。藉此可防止導通檢查時之按壓力之偏差。進而，如圖5D所示，亦可於導電 粒子配置膜10之不與貫通電極31對向之區域S中存在導電粒子1。
絕緣性可撓性片材例如可為公知之使用聚醯亞胺之FPC(Flexible Print Circuit)，亦可為於如聚矽氧橡膠片材等用作緩衝材料之材料設置貫通孔，設置電極所得者。又，該等之厚度可根據檢查之目的，與導電粒子配置膜10同樣地進行適當設定。關於積層之片數並無特別限定，依照積層之目的進行適當設定即可。包括絕緣性可撓性片材在內之整體厚度與下述積層型之導電粒子配置膜10之整體厚度相同。
再者，配置於積層型之導電粒子配置膜之內側的導電粒子配置膜之膜厚t與導電粒子之平均粒徑d亦可不滿足0.70dt1.10d之關係。其原因在於：如上所述，於絕緣性可撓性片材設置貫通電極之情形時，若該貫通電極自絕緣性可撓性片材表面突出，則位於積層之內側之導電粒子配置膜中所存在之導電粒子受到突出之貫通電極按壓。又，亦假定於導電粒子配置膜之至少一面積層彈性體膜2(自導電粒子配置膜除去導電粒子所得者)之情形。若貫通電極自絕緣性可撓性片材表面突出，則需要用以填充突出之貫通電極之周圍之空間的樹脂。又，關於積層，亦可為將密鋪有相對小粒徑之導電粒子之導電粒子配置膜及由相對大粒徑(作為一例為10~50μm，較佳為10~30μm)之導電粒子所構成之導電粒子配置膜積層。密鋪有相對小粒徑(作為一例為2~9μm)之導電粒子的導電粒子配置膜可將2~9μm之導電粒子設為六方晶格或以此為準之配置(自六方晶格發生少許應變或拉伸所得之晶格、或正方晶格、正方晶格之中心點有導電粒子之晶格等)。為了成為所要求之導通路徑，使相對大粒徑之導電粒子介隔有小粒徑之導電粒子即可。若僅大粒徑，則有粒子間之接觸不足之虞，故而可考慮到小粒徑會發揮輔助性作用。大粒徑較佳為大於小粒徑之2倍以上，較佳為大於2.5倍以上，更佳為大於3倍以上。為了容易設計導通路，而使小粒徑與大粒徑之排列具有相似性，故而較佳為相同。又，於避免形成膜面方向上之 不規則之導通路方面而言較佳為排列不同。
又，於對應於貫通電極31而配置有多個導電粒子之情形時，與配置一個導電粒子之情形相比，導電粒徑相對變小，積層之一片導電粒子配置膜10之厚度相應變薄。因此，藉由積層由導電粒子配置膜10及柔軟性連接器片材32所構成之單元2組以上，較佳為4組以上，可容易地使整體厚度增大至例如30μm以上之厚度，使其容易適應以半導體裝置為首之各種導通檢查對象之檢查。於一般的半導體封裝中，由於焊料電極之高度為100μm左右，考慮到此方面，故而希望設為400μm左右之厚度(於該情形時，就厚度與導電粒子之大小關係而言，較佳為積層型)。又，近年來，半導體裝置之端子包含Au之情形時，為了削減材料成本，低高度化之要求變高。例如，為8μm以下，較佳為6μm以下，更佳為3μm以下。於此種情形、或設置端子前(導通檢查對象為大致平滑之狀態之一例)進行檢查之情形時，導電粒子配置膜10可為30μm以下。
再者，於考慮到實際應用於導通檢查之情形時，積層型之導電粒子配置膜10之整體厚度(如上所述有絕緣性可撓性片材之情形時，為包含其在內之合計之厚度)係根據半導體裝置或半導體封裝、設置有電極之配線基板等導通檢查對象之凸塊高度而設定，關於下限方向，較佳為20μm以上，更佳為30μm以上，進而較佳為50μm以上，關於上限方向，較佳為400μm以下，更佳為200μm以下，進而較佳為150μm以下。再者，於導通檢查對象之基板上形成電路之電極受數μm厚左右之鈍化膜保護之情形時，有即便薄於上述整體厚度之範圍亦可應用之情況。
再者，於積層型之導電粒子配置膜之情形時，關於位於最外側之彈性體膜中之導電粒子，可以六方晶格圖案或者使其具有應力所得之晶格圖案配置於一面。其原因在於可提高導電粒子之個數密度。為了使圖案形狀容易識別，可以正方晶格或長方晶格或者使其具有應力所得之晶格圖案配置於一面。 又，亦可使其與端子排列對應，設置為規則性配置。例如由於端子一般為矩形或者圓形，故而設為與該等端子之外形具有相似性之配置，藉此檢查時可判定是否導通。
再者，無論是否為積層型，準備2種以上相對於導通檢查對象之端子而具有不同導通路徑之導電粒子配置膜，並將各者應用於同一半導體裝置等導通檢查對象之導通檢查中，藉此可精密地判定導通檢查對象之端子之導通不良。此處，所謂不同之導通路徑，意指自與成為導通檢查對象之端子接觸之導電粒子，至檢測導通之接收部(下述檢查探頭單元之導通部等)之路徑中，導電粒子或貫通電極等導通構件於膜剖面觀察下相異。導通路徑不同之2種以上之導電粒子配置膜可藉由以下方式取得，即，根據半導體裝置等導通檢查對象之端子形狀或端子排列之狀態，對每一導電粒子配置膜設計導電粒子之配置。或者，藉由使1種導電粒子配置膜與半導體裝置等導通檢查對象於變更平面方向之角度後接觸(例如，藉由變更角度地更換貼附導電粒子配置膜)，可利用實質上具有2種不同之導通路徑之導電粒子配置膜實現導通檢查。其原因在於：藉由比較按此種方式獲得之檢查結果，可應對微間距，且可以一片或者最小限度之片數，而擴大可檢查之範圍。
再者，本發明之導電粒子配置膜10亦可於其至少單面進而形成黏著層。藉由設置黏著層，可進行導電粒子配置膜10對導通檢查對象等之裝卸。又，此種黏著層由於係與彈性體膜不同之構成構件，故而黏著層覆蓋導電粒子之端部，作為導電粒子之保護材而起作用。因此，藉由設置此種黏著層，可多次穩定地進行使用導電粒子配置膜10之導通檢查。再者，於設置黏著層之情形時，不僅可設置於導電粒子配置膜10之一面，亦可設置於兩面。例如，若導電粒子為下述金屬被覆樹脂粒子，則根據檢查之條件而亦有無法耐受使用多次之情況。即便如此，亦有希望可裝卸，較佳為設置微黏著層之情況。關於該厚度， 由於為了保護導電粒子亦可設置微黏著層，故而可較導電粒子自彈性體膜露出之高度更厚，具體而言，可於導電粒徑200μm之10%的基礎之上擴大範圍而設為25μm以下，為了獲得充分之黏著性而較佳為1μm以上之厚度，更佳為2μm以上之厚度。
又，導電粒子配置膜10之面積可根據檢查之用途而確定，可選自以下之組合。作為一例，一邊之下限較佳為0.5mm以上，更佳為0.8mm以上，進而較佳為2mm以上。其係假定一般的異向導電性膜之連接體中之膜寬度(即，驅動IC之短邊之長度、或FPC之電極之實際按壓之工具寬度)。一邊之上限越大則越佳，若考慮實際使用上之處理性，則作為一例，較佳為600mm以下，更佳為450mm以下，進而較佳為300mm以下。再者，作為導電粒子配置膜10之製品形態，尤其若考慮搬運性，則較佳為卷裝體。又，尤其若考慮作業性，則較佳為單片體。
<導電粒子配置膜之製造方法>
以上所說明之本發明之導電粒子配置膜可與習知之規則排列有導電粒子的異向導電性膜之製造方法同樣地進行製造。例如，可藉由以下方式進行製造，即，在於平面方向上形成有多個凹部之轉印模具之該凹部配置導電粒子，並將彈性體膜按壓於轉印模具之凹部形成面而使導電粒子轉印，將轉印有導電粒子之彈性體膜夾於一對壓盤，藉由加熱加壓而將導電粒子壓入彈性體膜中(例如，參照日本專利第6187665號)。
<檢查探頭單元>
本發明之導電粒子配置膜可較佳地用作檢查探頭單元之檢查探頭材料、異向導電性連接器、或者異向導電性轉接器。
作為本發明之檢查探頭單元之一例，可列舉：如圖6A所示般，相對於導通檢查用電子電路基板50而設置本發明之導電粒子配置膜10(參照圖 1)作為檢查探頭材料之檢查探頭單元100。於該情形時，可轉用圖2、圖4A、圖4B、圖5A~5D之導電粒子配置膜代替導電粒子配置膜10。再者，作為導通檢查用電子電路基板50，可使用先前公知之導通檢查用電子電路基板。
作為本發明之檢查探頭單元之另一例，可列舉：如圖6B所示般，於具有“導通檢查用電子電路基板50”、及“具備與導通檢查用電子電路基板50導通之電極結構體61之探頭材料60”的檢查探頭單元200中，於導通檢查用電子電路基板50及探頭材料60之間，配置本發明之導電粒子配置膜10作為異向導電性連接器之檢查探頭單元。於該情形時，作為電極結構體61或探頭材料60，可採用先前公知者。
又，作為本發明之檢查探頭單元之又一例，可列舉：如圖6C所示般，於具有“導通檢查用電子電路基板50”、及“具備與導通檢查用電子電路基板50導通之電極結構體61之探頭材料60”的檢查探頭單元300中，於探頭材料60之與導通檢查用電子電路基板50相反側之前端，配置有本發明之導電粒子配置膜10作為異向導電性轉接器的檢查探頭單元。於該情形時，亦可於導通檢查用電子電路基板50與探頭材料60之間追加設置本發明之導電粒子配置膜10。
又，如上所述之檢查探頭單元有因凸塊佈局而需要每次變更規格之情況，若用作探頭材料之導電粒子配置膜為對應微間距者，則不變更導電粒子配置膜之設計亦可應用於間距較寬者，故而經濟性亦優異。
<導通檢查方法>
本發明之檢查探頭單元可較佳地應用於半導體裝置等各種電子零件之導通檢查。具體而言，可藉由以下方式實現導通檢查，即，對於導通檢查對象即電子零件之電極，壓接檢查探頭單元之探頭材料，介隔導電粒子配置膜且藉由公知之方法，測定電子零件之電極與構成檢查探頭單元之導通檢查用電子電路基板之間的電阻值。
再者，於此種導通檢查中，為了實現高精度之檢查，應測定之各端子電阻值越低則越佳。作為一例，若未達1000mΩ，則於實際使用上無問題，較佳為200mΩ以下，更佳為100mΩ以下，進而更佳為50mΩ以下。其可根據檢查對象或檢查條件進行適當選擇。所謂於該情形時之導通電阻值，希望係指對導通檢查對象施加充分之按壓而表現出穩定之電阻值之狀態。
又，作為導通檢查之溫度條件，可列舉：室溫條件(20℃±15℃)、低溫條件(例如，-40℃)、或者高溫條件(例如100℃)。進而，可列舉熱循環溫度條件(-40℃/100℃/1000循環)。
半導體裝置等導通檢查對象之端子間距(最小端子長+端子間空間)一般為200μm左右，而本發明之檢查探頭單元可對應更狹小之端子間距。其原因在於：可於檢查探頭單元之最外面配置例如粒徑為2.5μm~30μm左右之導電粒子。具體而言，於為了作為探頭起作用而需要之導電粒子為1個即可時，若將粒徑為3μm之導電粒子以粒子間中心距離為6μm之方式配置成六方晶格狀，則可設為10×10μm左右之檢查用端子。因此，作為導通檢查對象之端子間距，取決於與導電粒子相接之電極之尺寸，若將電極之長度最小設為10μm左右，將電極間距離最小設為10μm左右，則可將端子間距設為20μm左右。
再者認為，藉由導通檢查所測定之導通電阻值取決於導電粒子之材質或大小、進而取決於與電極相接之導電粒子個數，故而根據應測定之導通電阻值，亦有要求進一步增大端子間距之情況。因此，可應用於導通檢查之端子間距，關於下限方向，較佳為20μm以上，更佳為30μm以上，進而較佳為50μm以上，關於上限方向，較佳為400μm以下，更佳為200μm以下，進而較佳為150μm以下。
[產業上之可利用性]
於本發明之導電粒子配置膜中，導電粒子被埋入厚度與其平均粒 徑大致相同之彈性體膜其深度方向之一半且配置於面方向上。因此，本發明之導電粒子配置膜對於半導體裝置等微間距之導通檢查對象的高精度之導通檢查有用。再者，對檢查對象區域平滑之導通檢查對象、或非微間距之導通檢查對象的高精度之導通檢查亦有用。

Claims (10)

  1. 一種導電粒子配置膜，係將導電粒子配置於彈性體膜之面方向上者，並且，彈性體膜之厚度與導電粒子之平均粒徑大致一致，導電粒子之端部位於彈性體膜之兩面各自之最外面附近。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電粒子配置膜，其積層有多片導電粒子配置膜。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電粒子配置膜，其中，上述導通粒子配置膜之至少一面形成有黏著層。
  4. 一種製造方法，其係申請專利範圍第1項之導電粒子配置膜的製造方法，並且，在平面方向上形成有多個凹部之轉印模具的該凹部配置導電粒子，並將彈性體膜按壓於轉印模具之凹部形成面而使導電粒子轉印，將轉印有導電粒子之彈性體膜夾於一對壓盤，藉由加熱加壓將導電粒子壓入彈性體膜中。
  5. 一種檢查探頭單元，係相對於導通檢查用電子電路基板設置申請專利範圍第1至3中任一項之導電粒子配置膜，來作為檢查探頭材料。
  6. 一種檢查探頭單元，其具有：導通檢查用電子電路基板；及探頭材料，其具備與該導通檢查用電子電路基板導通之電極結構體，並且，於導通檢查用電子電路基板與探頭材料之間，配置申請專利範圍第1至3項中任一項之導電粒子配置膜來作為異向導電性連接器。
  7. 一種檢查探頭單元，其具有：導通檢查用電子電路基板；及探頭材料，其具備與該導通檢查用電子電路基板導通之電極結構體，並且，於探頭材料之與導通檢查用電子電路基板相反側之前端，配置申請專利範圍第1至3項中任一項之導電粒子配置膜來作為異向導電性轉接器(adaptor)。
  8. 一種檢查探頭單元，其具有：導通檢查用電子電路基板；及探頭材料，其具有與該導通檢查用電子電路基板導通之電極結構體，並且，於探頭材料之與導通檢查用電子電路基板相反側之前端，配置申請專利範圍第1至3項中任一項之導電粒子配置膜來作為異向導電性轉接器。
  9. 一種檢查探頭單元，其具有：導通檢查用電子電路基板；及探頭材料，其具有與該導通檢查用電子電路基板導通之電極結構體，並且，於探頭材料之與導通檢查用電子電路基板相反側之前端、及探頭材料之與導通檢查用電子電路基板相反側之前端，分別配置申請專利範圍第1至3項中任一項之導電粒子配置膜來作為異向導電性轉接器。
  10. 一種導通檢查方法，其將申請專利範圍第5至9項中任一項之檢查探頭單元應用於導通檢查對象。
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