KR102187881B1 - 마이크로 led 검사용 프로브 소켓 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 다양한 실시예는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예는 접착층과, 접착층에 앵커링되어 배열된 도전성 입자로 이루어진 프로브 소켓; 유전층과, 유전층에 형성되고 도전성 입자에 전기적으로 접속된 전극패턴으로 이루어진 프로브 기판을 포함하고, 상기 프로브 소켓의 도전성 입자가 웨이퍼에 형성된 마이크로 LED의 패드에 전기적으로 접속되어 테스트 공정을 수행하는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스를 개시한다.

Description

마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 제조 방법{Method for manufacturing probe socket device for micro LED inspection}
본 발명의 다양한 실시예는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 제조된 이후에 제품의 신뢰성을 확인하기 위하여 프로브 소켓 디바이스를 통하여 각종 검사를 실시하게 된다. 예컨대, 반도체 소자의 모든 입출력 단자를 프로브 소켓 디바이스와 연결하여 정상적인 동작 및 단선 여부를 검사하는 전기적 특성 테스트와, 반도체 소자의 전원 입력 단자 등 몇몇 입출력 단자들을 프로브 소켓 디바이스와 연결하여 정상 동작 조건보다 높은 온도, 전압 및 전류 등으로 스트레스를 인가하여 반도체 소자의 수명 및 결함 발생 여부를 체크하는 번인 테스트(Burn-In Test) 등이 있다.
한편, 이러한 검사를 위한 프로브 소켓 디바이스는 전도성 미세 패터닝이 가능한 공정을 일반적으로 이용하여 제조하고 있으며 포토리소그라피 공정을 대표적인 예로 들수 있다.
그러나 포토 리소그라피 공정 기술은 도포-노광-식각 등의 공정이 반복적으로 이루짐으로써, 매우 복잡하고 공정비용이 매우 높은 단점이 있다. 또한, 잉크젯, 그라비아, 디스펜서, EHD(Electrohydrodynamic) 젯팅 등의 인쇄 공정을 이용 할 수 있으나 잉크 및 페이스트 사용으로 공정이 비교적 까다로우며 공정 환경에 대한 제약 사항이 매우 많은 단점이 있다.
이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다. 일례로, 본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 새로운 도전성 미세 패터닝 공정 기술을 이용하여 제조 방법이 매우 간단하고 제조 원가를 절감할 수 있는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스는 접착층과, 접착층에 앵커링되어 배열된 도전성 입자로 이루어진 프로브 소켓; 접착층에 접착된 유전층과, 유전층에 형성되고 도전성 입자에 전기적으로 접속된 전극패턴으로 이루어진 프로브 기판을 포함할 수 있고, 상기 프로브 소켓의 도전성 입자가 웨이퍼에 형성된 마이크로 LED의 패드에 전기적으로 접속되어 테스트 공정을 수행할 수 있다.
도전성 입자는 유전체 코어와, 유전체 코어를 둘러싸는 제1도전성 도금층과, 제1도전성 도금층을 둘러싸는 제2도전성 도금층을 포함할 수 있다.
유전체 코어는 플라스틱 또는 세라믹 옥사이드를 포함할 수 있고, 제1도전성 도금층은 니켈 또는 구리 도금층을 포함할 수 있으며, 제2도전성 도금층은 골드 또는 실버 도금층을 포함할 수 있다.
유전체 코어의 평균 직경은 10nm 내지 50㎛일 수 있고, 제1도전성 도금층의 평균 두께는 1nm 내지 10㎛일 수 있으며, 제2도전성 도금층의 평균 두께는 1nm 내지 10㎛일 수 있다.
도전성 입자는 골드 입자를 포함할 수 있다.
접착층은 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법은 절연 필름 상에 PDMS(polydimethylsiloane)를 코팅하고, PDMS 상에 세라믹 입자 단일층을 형성하며, 점착제 필름에 포토마스크를 이용하여, UV(Ultra Violet) 광을 조사하여 도전성 입자가 부착할 영역의 점착력을 높인 전사 필름을 제조하고, 세라믹 입자 단일층 상에 전사 필름을 부착한 후 탈착하여 PDMS 상에서 특정 영역의 세라믹 입자를 제거하며, 세라믹 입자가 제거된 영역에 도전성 입자를 부착하여 특정 영역에 도전성 입자 단일층을 형성한 몰드 제조 단계; 절연 필름 상에 포토마스크를 이용하여 도전성 입자 단일층의 패턴과 동일 간격으로 전극패턴을 형성한 프로브 기판 제조 단계; 및 프로브 기판 상에 접착층을 코팅하고, 접착층 상에 몰드를 부착하여 도전성 입자가 접착층을 관통하여 전극패턴에 전사되도록 한 후, 몰드를 제거하는 프로브 소켓 제조 단계를 포함할 수 있다.
세라믹 입자는 SiO2를 포함할 수 있다.
도전성 입자는 골드 입자를 포함할 수 있다.
세라믹 입자의 직경보다 도전성 입자의 직경이 클 수 있다.
접착층은 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
접착층의 두께는 도전성 입자의 직경보다 작을 수 있다.
프로브 기판 상에 몰드가 부착될 때 접착층이 액상이 되도록 50℃ 내지 150℃의 온도 분위기가 제공될 수 있다.
몰드 제거 후, 접착층이 경화되도록 0℃ 내지 250℃의 온도 분위기가 제공될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다. 일례로, 본 발명의 실시예는 새로운 도전성 미세 패터닝 공정 기술을 이용하여 제조 방법이 매우 간단하고 제조 원가를 절감할 수 있는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법은 도전성 입자 단일층으로 도전성 입자 소모를 상대적 절감할 수 있고, 도전성 입자 단일층에 의한 접촉 저항의 최소화를 통하여 안정적인 물성을 확보할 수 있으며, 수백 나노의 정밀도를 갖는 미세 패턴닝이 가능하여 전자 제품용 파인 피치(Fine pitch) 용도에 적합하며, 대면적화가 용이하여 디스플레이 응용 등에 적합하고, 도전성 입자의 패턴화가 용이하여 새로운 디자인에 대한 대응력이 우수하며, 도전성 입자의 코어 특성 조절에 따라 프로브 소켓 제품의 특성 변경이 용이(경질 <-> 연질)하다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 소자 단위 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 개념을 도시한 개략도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 웨이퍼 단위 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 개념을 각각 도시한 개략도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스에 이용된 도전성 입자의 구조, 장기 내열성 테스트 결과 및 경질/연질 코어를 각각 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조를 위한 입자 배열 단일층 제조/전사 기술을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조를 위한 골드 패턴 몰드를 도시한 평면 사진이다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조를 위한 골드 패턴 몰드의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조를 위한 프로브 기판을 도시한 평면 사진이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스를 도시한 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함할 수 있다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "하부"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 소자 단위 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 개념을 도시한 개략도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)는 프로브 소켓(110)(또는 테스트 소켓) 및 프로브 기판(120)(또는 테스트 보드)을 포함할 수 있다.
프로브 소켓(110)은 접착층(111)과, 접착층(111)에 앵커링되어 배열된 도전성 입자(112)를 포함할 수 있다. 접착층(111)은, 일례로, 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 도전성 입자(112)는 복수의 입자를 접착층(111)에 문질러서 압력을 가하는 입자 정렬법으로 형성될 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 접착층(111)에 직접 앵커링/접촉하는 입자 정렬법으로 형성될 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 접착층(111)에 단층으로 코팅되는 입자 정렬법으로 형성될 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 접착층(111)을 관통하여 형성될 수 있다. 더욱이, 도전성 입자(112)는 다수가 한층 및/또는 한 그룹을 이룰 수 있다. 여기서, 접착층(111)의 두께에 비해 도전성 입자(112)의 평균 직경이 더 클 수 있다. 도전성 입자(112)는 평균 직경이 대략 10nm 내지 50㎛일 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 구형 또는 타원형의 형상을 가질 수 있다. 더욱이, 도전성 입자(112)는 전하성 물질 및/또는 비전하성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 다른 성질을 갖는 물질들이 혼합된 것일 수 있다.
일례로, 이와 같이 접착층(111)에 일렬로 입자를 배열하는 기술은 소위 입자배열단일층 제조/전사기술(PAT:Particle Array Transfer coating)을 포함하거나 이로 지칭될 수 있다.
입자배열단일층 제조/전사기술은 점착성의 유기 실리콘 패드에 배열하고자 하는 미세 입자를 도포-수세하여 단일층을 배열하고, 패턴이 형성되어 있는 필름에 단순 접촉식 전사 공정을 통하여 매우 간단하게 입자 단일층 패턴을 형성할 수 있는 공정을 의미할 수 있다. 이는 아래에서 다시 설명하기로 한다.
이러한 입자배열단일층 제조/전사기술은 유기 솔벤트 및 레진을 사용하지 않는 공정으로 친환경적이고, 공정중 입자의 투입량 및 온/습도의 영향이 거의 없기 때문에 공정 환경에 제약이 없으며, 금속, 세라믹, 폴리머 등 파티클 소재에 대한 제한이 없고, 단일층 전사를 목적으로 하는 기재의 표면 특성에 대한 제약이 없으며, 적용 대상에 대한 크기/면적 확장성이 우수하고, 입자크기에 따라 미세 패턴 구현이 자유롭다.
계속해서, 프로브 기판(120)은 유전층(121)과 유전층(121) 상에 형성되고 도전성 입자(112)에 전기적으로 접속된 전극패턴(122)을 포함할 수 있다.
이와 같이 하여, 프로브 소켓 디바이스(100)는 프로브 소켓(110)의 도전성 입자(112)가 마이크로 LED 소자(130)의 패드(131)에 전기적으로 접속되어 테스트 공정을 수행하도록 한다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 웨이퍼 단위 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 개념을 각각 도시한 개략도이다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 프로브 소켓 디바이스(100)는 대략 평평한 접착층(111)에 다수의 도전성 입자(112)가 앵커링/배열된 프로브 소켓(110)과, 유전층(121)에 다수의 전극패턴(122)이 형성된/배열된 프로브 기판(120)을 포함할 수 있다. 또한, 프로브 소켓(110)과 프로브 기판(120)은 상호간 라미네이팅됨으로써, 하나의 구성 요소로 일체화될 수 있다. 이때, 접착층(111)이 유전층(121)에 기계적으로 접속되고, 또한 도전성 입자(112)가 전극패턴(122)에 기계적/전기적으로 접속될 수 있다.
여기서, 검사 대상인 웨이퍼에는 다수의 마이크로 LED 소자(130)가 배열/형성될 수 있으며, 각각의 마이크로 LED 소자(130)는 캐소드 패드(131) 및 애노드 패드(131)를 포함할 수 있다.
이와 같이 하여, 프로브 소켓 디바이스(100)에 구비된 도전성 입자(112)가 웨이퍼에 구비된 LED 소자(130)의 패드(131)에 전기적으로 접속될 수 있다. 따라서, 프로브 기판(120)을 통하여 전원을 공급하게 되면, 전원은 도전성 입자(112)를 통하여 LED 소자(130)의 패드(131)에 공급된다.
이에 따라, LED 소자(130)는 소정 색상으로 발광하게 되고, 하부에 구비된 별도의 비전 시스템을 통하여 웨이퍼 중에서 굿 다이(good die)와 배드 다이(bad die)를 구별하게 된다. 일례로, 비전 시스템을 통하여 웨이퍼에서 굿 다이와 배드 다이에 대한 좌표가 생성되고, 해당 웨이퍼와 해당 좌표가 함께 다이 픽앤플레이스 장비에 제공됨으로써, 다이 픽앤플레이스 장비는 배드 다이를 제외하고 굿 다이만을 픽업하여 디스플레이 패널에 플레이스하게 된다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)에 이용된 도전성 입자(112)의 구조, 장기 내열성 테스트 결과 및 경질/연질 코어를 각각 도시한 도면이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 도전성 입자(112)는 유전체 코어(112a)와, 이를 둘러싸는 제1도전성 도금층(112b)과, 이를 둘러싸는 제2도전성 도금층(112c)을 포함하여 대략 구형으로 형성될 수 있다. 여기서 제1도전성 도금층(112b)은 유전체 코어(112a)와 제2도전성 도금층(112c)을 상호간 접속시킬 수 있다. 또한, 유전체 코어(112a)의 평균 직경은 대략 10nm 내지 50㎛일 수 있고, 제1도전성 도금층(112b)의 평균 두께는 대략 1nm 내지 10㎛일 수 있으며, 제2도전성 도금층(112c)의 평균 두께 역시 대략 1nm 내지 10㎛일 수 있다.
일부 예들에서, 유전체 코어(112a)는 플라스틱 또는 세라믹 옥사이드를 포함하거나 이로 지칭될 수 있다. 또한, 제1도전성 도금층(112b)은 니켈 또는 구리 도금층을 포함하거나 이로 지칭될 수 있고, 제2도전성 도금층(112c)은 골드를 포함하거나 이로 지칭될 수 있다. 일부 예들에서, 도전성 입자(112)는 골드 입자를 포함할 수도 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 도전성 입자(112)의 장기 테스트 결과, 1000시간/150℃ 및 2000시간/150℃에서 평균 직경 및 10% 부하의 값에 직경 변화가 크지 않음을 볼 수 있다.
또한, 도 3c에 도시된 바와 같이, 경질 코어를 사용할 경우 수직력에 대하여 변형이 크지 않은 반면, 연질 코어를 사용할 경우 수직력에 대하여 변형이 큼을 볼 수 있다. 일부 예들에서, 연질 코어를 사용할 경우 원래 높이(100%)에 대하여 대략 20% 내지 50%의 높이를 가지만큼 변형될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위한 입자 배열 단일층 제조/전사 기술을 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 다양한 패턴 사이즈, 입자 재료, 입자 사이즈 및 입자 배열 이미지가 가능함을 볼 수 있으며, 이에 따라 이를 이용하여 프로브 소켓 디바이스(100)를 구현할 수 있음을 알 수 있다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위한 골드 패턴 몰드를 도시한 평면 사진이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위해 우선 도전성 입자가 배열된 몰드(310)를 제조해야 한다. 일부 예들에서, 대략 20 ㎛의 크기를 갖는 골드 입자 패턴 필름을 형성하기 위해, 도 5에 도시된 몰드(310)를 제조한다. 여기서, 도 5의 골드 패턴 몰드(310)는 다수의 요홈(311)(세라믹 입자가 없는 영역으로서, 세라믹 입자가 없는 영역에 골드 입자가 형성됨)을 도시하고 있다. 몰드를 제조하는 방법은 도 6을 참조하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위한 골드 패턴 몰드의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 골드 패턴 몰드의 제조 방법은 PET(Polyethylene terephthalate) 필름 기재 상에 PDMS(polydimethylsiloane)를 코팅하는 단계와, PDMS 코팅된 기재 상에 대략 5 ㎛의 직경을 갖는 SiO2 입자를 이용하여 SiO2 입자 단일층이 코팅된 필름을 제조하는 단계와, 점착제 필름에 포토마스크를 이용하여, UV(Ultra Violet) 광을 조사하여 골드 입자가 부착할 영역의 점착력을 높인 전사 필름을 제조하는 단계와, SiO2 입자가 코팅된 기재 상에 전사 필름을 부착-탈착 공정을 수행하여 기재 상에서 특정 영역의 SiO2 입자를 제거하는 단계와, 몰드 필름에 대략 20 ㎛의 직경을 갖는 골드 입자를 코팅하여 특정 영역에 골드 입자 단일층이 부착된 몰드를 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 기재 상에서 특정 영역의 SiO2 입자를 제거하는 단계에서는 다수의 SiO2 입자가 제거되어 요홈이 구비된다. 이러한 요홈의 내측에는 접착력이 있는 PDMS의 표면이 외부로 노출될 수 있다. 한편, PDMS 이외에도 폴리에틸렌(polyethylene, PE) 또는 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride, PVC)가 이용될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위한 프로브 기판을 도시한 평면 사진이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 골드 입자의 패턴과 동일한 간격으로 유전층(121) 상에 전극패턴(122)을 포토마스크를 이용하여 형성함으로써 프로브 기판(120)을 제조한다. 사진에서는 비록 전극패턴이 직선 형태로 도시되어 있으나, 이는 절곡된 형태도 가능하다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조 방법은 상술한 프로브 기판(120)에 에폭시 수지(B-stage)와 같은 접착제(111)를 코팅하는 단계와, 접착제(111)로 코팅된 프로브 기판(120) 상에 골드 패턴 몰드(310)를, 예를 들면, 50℃ 내지 150℃ 정도의 온도로 가압 부착하여 도전성 입자(112)를 프로브 기판(120)에 전사하는 단계와, 골드 패턴 몰드(310)를 제거한 후 도전성 입자(112)의 안정적 부착을 위해 최종 프로브 소켓 디바이스(100)를 대략 0℃ 내지 250℃의 온도로 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 대략 50℃ 내지 150℃ 정도의 온도가 제공됨으로써 B-stage의 접착층(111)은 액상으로 변화되고, 이에 따라 도전성 입자(112)가 접착층(111)을 용이하게 관통하여 전극패턴(122)에 접속된다. 또한, 대략 0℃ 내지 250℃ 정도의 온도가 제공됨으로써 B-stage의 접착층(111)이 고상으로 경화된다. 여기서, 대략 0℃ 내지 30℃의 온도를 제공할 경우, 접착제(111)가 경화하는데 수일이 소요될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)를 도시한 사진이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)는 대략 직선 형태의 전극패턴(122) 위에 도전성 입자(112)(골드 입자)가 잘 배치되어 있음을 확인할 수 있다.
이와 같이 하여, 본 발명의 다양한 실시예는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법은 새로운 도전성 미세 패터닝 공정 기술을 이용하여 제조 방법이 매우 간단하고 제조 원가를 절감할 수 있는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
100; 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스
110; 프로브 소켓 111; 접착층
112; 도전성 입자 112a; 유전체 코어
112b; 제1도전성 도금층 112c; 제2도전성 도금층
120; 프로브 기판 121; 유전층
122; 전극패턴 130; 마이크로 LED 소자
131; 패드

Claims (14)

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  7. 절연 필름 상에 PDMS(polydimethylsiloane)를 코팅하고, PDMS 상에 세라믹 입자 단일층을 형성하며, 점착제 필름에 포토마스크를 이용하여, UV(Ultra Violet) 광을 조사하여 도전성 입자가 부착할 영역의 점착력을 높인 전사 필름을 제조하고, 세라믹 입자 단일층 상에 전사 필름을 부착한 후 탈착하여 PDMS 상에서 특정 영역의 세라믹 입자를 제거하며, 세라믹 입자가 제거된 영역에 도전성 입자를 부착하여 특정 영역에 도전성 입자 단일층을 형성한 몰드 제조 단계;
    절연 필름 상에 포토마스크를 이용하여 도전성 입자 단일층의 패턴과 동일 간격으로 전극패턴을 형성한 프로브 기판 제조 단계; 및
    프로브 기판 상에 접착층을 코팅하고, 접착층 상에 몰드를 부착하여 도전성 입자가 접착층을 관통하여 전극패턴에 전사되도록 한 후, 몰드를 제거하는 프로브 소켓 제조 단계를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    세라믹 입자는 SiO2를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    도전성 입자는 골드 입자를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    세라믹 입자의 직경보다 도전성 입자의 직경이 큰, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    접착층은 에폭시 수지를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    접착층의 두께는 도전성 입자의 직경보다 작은, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.
  13. 제7항에 있어서,
    프로브 기판 상에 몰드가 부착될 때 접착층이 액상이 되도록 50℃ 내지 150℃의 온도 분위기가 제공되는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.
  14. 제7항에 있어서,
    몰드 제거 후, 접착층이 경화되도록 0℃ 내지 250℃의 온도 분위기가 제공되는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.
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