KR20170116857A - 플렉시블 led 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 led 기판 - Google Patents

플렉시블 led 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 led 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20170116857A
KR20170116857A KR1020160045051A KR20160045051A KR20170116857A KR 20170116857 A KR20170116857 A KR 20170116857A KR 1020160045051 A KR1020160045051 A KR 1020160045051A KR 20160045051 A KR20160045051 A KR 20160045051A KR 20170116857 A KR20170116857 A KR 20170116857A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
led
adhesive film
flexible
electrode pattern
Prior art date
Application number
KR1020160045051A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101800541B1 (ko
Inventor
김종석
김승택
김형태
정훈
이상호
Original Assignee
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국생산기술연구원 filed Critical 한국생산기술연구원
Priority to KR1020160045051A priority Critical patent/KR101800541B1/ko
Publication of KR20170116857A publication Critical patent/KR20170116857A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101800541B1 publication Critical patent/KR101800541B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5387—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Abstract

본 발명은 원하는 전극 패턴과 반전된 패턴을 갖도록 부착 필름 상에 LED 칩을 배열하고 상기 LED 칩을 플렉시블 기판에 전사함으로써, 대면적의 플렉시블 LED 기판을 제조할 수 있는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 LED 기판에 관한 것이다.
일례로, 다이싱 된 복수의 LED 칩 각각의 특성을 검사하여, 기준 특성을 만족하는 LED 칩을 선별하는 LED 칩 분류 단계; 플렉시블 기판 위에 전극 패턴을 형성하는 전극 패턴 형성 단계; 상기 LED 칩 분류 단계에서 선별된 LED 칩을 부착 필름 상에 배열하는 LED 칩 배열 단계; 및 상기 부착 필름에 부착된 LED 칩을 상기 플렉시블 기판에 전사하는 전사 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법을 개시한다.

Description

플렉시블 LED 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 LED 기판{Method for fabricating flexible LED board and flexible LED board using the same}
본 발명은 플렉시블 LED 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 LED 기판에 관한 것이다.
일반적으로 플렉시블 LED 기판은 웨이퍼 상에서 LED 칩이 2차원으로 배열된 어레이를 제작하여 이를 플렉시블 기판에 전사하는 하는 방법으로 진행된다. 따라서, 제작공정이 어렵고, 어레이 상에서 불량 LED 칩이 존재하여도 이를 제거하거나 교체할 수 없으므로, 완성된 제품의 품질이 저하되는 단점이 있다. 또한, 플렉시블 LED 기판의 대면적화를 위해서는 LED 배열을 위한 대면적 웨이퍼가 필요하므로, 대면적 웨이퍼를 제조하는 공정 개발에 따른 비용이 증가하게 된다. 더불어, 다른 방법으로 패키징된 LED 소자를 플렉시블 기판에 부착하여 플렉시블 LED를 제작하고 있으나, 이 경우에는 LED 패키지의 두께 때문에 두껍고 유연도가 좋지 않은 기판이 만들어지게 된다.
본 발명은 제품의 품질을 향상시키고 대면적의 플렉시블 LED 기판을 제조할 수 있는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 LED 기판을 제공한다.
본 발명에 의한 플렉시블 LED 기판의 제조 방법은 다이싱 된 복수의 LED 칩 각각의 특성을 검사하여, 기준 특성을 만족하는 LED 칩을 선별하는 LED 칩 분류 단계; 플렉시블 기판 위에 전극 패턴을 형성하는 전극 패턴 형성 단계; 상기 LED 칩 분류 단계에서 선별된 LED 칩을 부착 필름 상에 배열하는 LED 칩 배열 단계; 및 상기 부착 필름에 부착된 LED 칩을 상기 플렉시블 기판에 전사하는 전사 단계;를 포함한다.
상기 LED 칩 배열 단계에서는 상기 전극 패턴과 반전된 패턴이 상기 부착 필름에 형성되도록, 상기 부착 필름 상에 상기 LED 칩을 배열할 수 있다.
상기 부착 필름에는 상기 전극 패턴과 좌우가 바뀐 패턴으로 상기 LED 칩이 배열될 수 있다.
상기 부착 필름에는 상기 전극 패턴과 상하가 바뀐 패턴으로 상기 LED 칩이 배열될 수 있다.
상기 LED 칩 배열 단계에서는 상기 전극 패턴 중 일부의 패턴과 반전된 패턴으로 LED 칩이 배열된 단위 부착 필름을 복수개 형성하고, 상기 전사 단계에서는 상기 복수개의 단위 부착 필름을 상기 플렉시블 기판에 올려 상기 LED 칩을 플렉시블 기판에 전사할 수 있다.
상기 LED 칩 배열 단계에서는 상기 전극 패턴 전체와 반전된 패턴으로 LED 칩을 상기 부착 필름에 배열하고, 상기 전사 단계에서는 상기 부착 필름을 상기 플렉시블 기판에 올려 LED 칩을 플렉시블 기판에 전사할 수 있다.
상기 LED 칩 배열 단계에서는 상기 LED 칩의 일면에 형성된 도전성 패드가 상부로 노출되도록, 상기 LED 칩을 상기 부착 필름에 부착할 수 있다.
상기 전사 단계에서는 상기 LED 칩의 도전성 패드가 상기 전극 패턴에 접촉하도록, 상기 플렉시블 기판에 상기 부착 필름을 올릴 수 있다.
상기 전사 단계 이후에는, 상기 부착 필름을 제거하는 제거 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 LED 칩 배열 단계에서 사용한 부착 필름은 제거되지 않고, 상기 LED 칩을 보호하기 위한 보호 필름으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 LED 기판의 제조 방법은 원하는 전극 패턴과 반전된 패턴을 갖도록 부착 필름 상에 LED 칩을 배열하고 상기 LED 칩을 플렉시블 기판에 전사함으로써, 웨이퍼를 대면적화 하지 않고서도 대면적의 플렉시블 LED 기판을 제조할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 LED 기판의 제조 방법은 복수의 LED 칩의 특성을 검사하고 기준 특성을 통과한 LED 칩을 사용하여 플렉시블 LED 기판을 제조하므로, 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 LED 기판의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 2a는 웨이퍼 다이싱 단계를 도시한 평면도이다.
도 2b는 전극 패턴 형성 단계를 도시한 평면도이고, 도 2c는 단면도이다.
도 2d는 LED 칩 배열 단계를 도시한 평면도이고, 도 2e는 단면도이다.
도 2f는 LED 칩 배열 단계의 다른 실시예를 도시한 평면도이다.
도 2g는 전사 단계를 도시한 평면도이고, 도 2h는 단면도이다.
도 2i는 제거 단계를 도시한 평면도이고, 도 2j는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 LED 기판의 제조 방법을 도시한 순서도이다. 도 2a는 웨이퍼 다이싱 단계를 도시한 평면도이다. 도 2b는 전극 패턴 형성 단계를 도시한 평면도이고, 도 2c는 단면도이다. 도 2d는 LED 칩 배열 단계를 도시한 평면도이고, 도 2e는 단면도이다. 도 2f는 LED 칩 배열 단계의 다른 실시예를 도시한 평면도이다. 도 2g는 전사 단계를 도시한 평면도이고, 도 2h는 단면도이다. 도 2i는 제거 단계를 도시한 평면도이고, 도 2j는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 LED 기판의 제조 방법은 웨이퍼 다이싱 단계(S1), LED 칩 분류 단계(S2), 전극 패턴 형성 단계(S3), LED 칩 배열 단계(S4), 전사 단계(S5) 및 제거 단계(S6)를 포함한다. 이하에서는 도 1의 각 단계들을 도 2a 내지 도 2j를 참조하여 설명하기로 한다.
상기 웨이퍼 다이싱 단계(S1)는 복수의 LED(Light Emitting Diode) 칩(110)이 형성된 웨이퍼(10)를 다이싱하는 단계이다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 다이싱 단계(S1)에서는 복수의 LED 칩(110)이 형성된 웨이퍼(10)를 준비하고, 상기 웨이퍼(10)를 다이싱하여 LED 칩(110)을 낱개로 분리한다. 상기 웨이퍼(10)는 실리콘(Si), 글래스(glass) 또는 그 등가물로 이루어질 수 있으나, 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다. 상기 웨이퍼 다이싱 단계(S1)에서는 다이아몬드 블레이드 또는 레이저 빔을 통해 상기 웨이퍼(10)를 다이싱할 수 있으나, 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다. 상기 LED 칩(110)의 일면에는 외부 신호 및/또는 전원이 인가될 수 있도록 복수의 도전성 패드(미도시)가 형성된다.
상기 LED 칩 분류 단계(S2)는 상기 낱개의 LED 칩(110) 각각의 특성을 검사하여, 특성별로 상기 LED 칩(110)을 분류하는 단계이다. 상기 LED 칩 분류 단계(S2)에서는 상기 웨이퍼 다이싱 단계(S1)에서 낱개로 분류된 LED 칩(110)의 특성을 검사한다. 이때, 상기 LED 칩 분류 단계(S2)에서는 탐침(probe)을 사용하여 상기 LED 칩(110)의 특성을 검사할 수 있으며, 이를 프로빙(probing)이라고 한다. 예를 들어, 프로빙 공정은 상기 LED 칩(110)의 도전성 패드에 탐침을 접촉하여 LED 칩(110)의 특성을 검사할 수 있다. 이와 같이, 프로빙이 끝난 LED 칩(110)은 특성에 따라 분류된다. 일례로, 상기 복수의 LED 칩(110)은 기준 특성을 만족하는 칩과 기준 특성을 만족하지 못하는 불량 칩으로 분류될 수 있다. 이와 같이, 본 발명은 LED 칩(110)의 특성을 미리 검사한 후 불량인 칩을 선별할 수 있으므로, 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 전극 패턴 형성 단계(S3)는 플렉시블 기판(120) 위에 전극 패턴(121)을 형성하는 단계이다. 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 전극 패턴 형성 단계(S3)에서는 먼저 플렉시블 기판(120)을 준비한다. 예를 들어, 상기 플렉시블 기판(120)은 연성 인쇄회로기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board) 또는 연성 필름 등으로 이루어 질 수 있으나, 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다. 즉, 상기 플렉시블 기판(120)은 유연성이 있는 기판이라면 어떤 종류라도 사용될 수 있다.
그리고 나서, 상기 플렉시블 기판(120) 위에 사용자가 원하는 전극 패턴(130)을 형성한다. 상기 전극 패턴 형성 단계(S3)에서는 잉크젯과 같은 프린팅 공정, 메탈 필름을 사용하는 리소그래피 공정 등을 이용하여 상기 플렉시블 기판(120) 상에 원하는 전극 패턴(130)을 형성할 수 있으나, 본 발명에서 그 방법을 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 전극 패턴 형성 단계(S3)에서는 프린팅 공정을 통해 전극 페이스트를 상기 플렉시블 기판(120)에 도포함으로써, ‘LED’라는 글자의 전극 패턴(130)을 형성할 수 있다. 여기서, 전극 페이스트는 전도성 실리콘이나 금속을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다. 더불어, 도면에서는 편의상 전극 패턴(130)이 하나의 선 형태로 이어진 것처럼 도시하였으나, 상기 전극 패턴(130)은 복수의 패턴으로 이루어질 수 있다.
상기 LED 칩 배열 단계(S4)는 상기 LED 칩 분류 단계(S2)에서 기준 특성을 만족하는 LED 칩(110)을 부착 필름(140) 상에 배열하는 단계이다. 도 2d 및 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 LED 칩 배열 단계(S4)에서는 상기 LED 칩(110)의 도전성 패드(111)가 상부를 향하도록 상기 부착 필름(140) 상에 LED 칩(110)을 배열한다. 즉, 상기 LED 칩(110)에서 도전성 패드(111)가 형성된 면의 반대면이 상기 부착 필름(140)에 부착된다. 상기 LED 칩 배열 단계(S2)에서는 최종 제품의 용도에 따라 크기 또는 발광 파장 등의 특성을 달리 하는 LED 칩(110)들이 함께 배열되어 부착 필름(140)에 부착될 수 있다.
또한, 상기 LED 칩 배열 단계(S4)에서는 상기 플렉시블 기판(120)에 형성된 전극 패턴(130)과 반전된 패턴이 부착 필름(140)에 형성되도록, 상기 부착 필름(140) 상에 LED 칩(110)을 배열한다. 즉, 상기 부착 필름(140) 상에는 상기 플렉시블 기판(120)에 형성된 전극 패턴(130)과 좌우가 바뀐 패턴으로 LED 칩(110)이 배열된다. 또한, 도 2f에 도시된 바와 같이, 상기 부착 필름(140) 상에는 상기 플렉시블 기판(120)에 형성된 전극 패턴(130)과 상하가 바뀐 패턴으로 LED 칩(110)이 배열될 수도 있다. 상기 LED 칩(110)은 칩 이송 장치(20)를 통해서 상기 부착 필름(140) 상에 배열될 수 있다. 상기 부착 필름(140)은 접착성을 가지고 있어 상기 LED 칩(110)이 상기 부착 필름(140) 상에 부착될 수 있다. 또한, 상기 부착 필름(140)이 접착성이 없는 경우에는 상기 부착 필름(140) 상에 접착 부재(미도시)를 형성한 뒤 상기 LED 칩(110)을 부착할 수도 있다.
또한, 상기 플렉시블 기판(120)에 형성된 전극 패턴(130)이 반복되는 패턴으로 이루어진 경우, 상기 부착 필름(140)은 반복되는 패턴 중 어느 하나가 반전된 패턴을 갖도록 LED 칩(110)을 배열한 단위 부착 필름 형태로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 부착 필름(140)은 복수의 단위 부착 필름을 포함할 수 있다. 더불어, 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 부착 필름(140) 상에는 상기 플렉시블 기판(120)에 형성된 전극 패턴(130) 전체가 반전된 패턴을 갖도록 LED 칩(110)을 배열할 수도 있다. 이에 따라, 본 발명은 웨이퍼의 크기와 상관없이, 대면적의 플렉시블 LED 기판을 제조할 수 있다.
상기 전사 단계(S5)는 상기 부착 필름(140)에 부착된 LED 칩(110)을 상기 플렉시블 기판(120)에 전사하는 단계이다. 도 2g 및 도 2h에 도시된 바와 같이, 상기 전사 단계(S5)에서는 상기 전극 패턴(130)과 상기 LED 칩(110)이 서로 접촉하도록, 상기 플렉시블 기판(120)에 상기 부착 필름(140)을 올린다. 즉, 상기 전사 단계(S5)에서는 상기 부착 필름(140) 상에 배열된 LED 칩(110)이 플렉시블 기판(120)의 전극 패턴(130)과 접촉하도록, 상기 부착 필름(140)을 뒤집어서 상기 플렉시블 기판(120)에 올린다. 이에 따라, 상기 LED 칩(110)의 도전성 패드(111)가 상기 전극 패턴(130)과 접촉하게 된다. 이때, 상기 LED 칩(110)은 도전성 접착 부재(미도시)를 통해서 상기 전극 패턴(130)에 전기적으로 접속될 수 있다. 또한, 상기 전극 패턴(130)이 전도성 실리콘으로 이루어진 경우, 상기 LED 칩(110)을 전극 패턴(130)에 접촉한 뒤 상기 전극 패턴(130)을 경화시켜서 상기 LED 칩(110)을 상기 전극 패턴(130)에 전기적으로 접속시킬 수 있다.
상기 전극 패턴(130)이 반복되는 형태로 이루어진 경우, 상기 전사 단계(S5)에서는 복수의 단위 부착 필름을 한번에 플렉시블 기판에 전사하거나, 하나의 단위 부착 필름을 여러 번 전사할 수 있다. 또한, 상기 전사 단계(S5)에서는 전극 패턴(130) 전체가 반전된 패턴으로 LED 칩이 배열된 부착 필름을 플렉시블 기판에 한번만 전사할 수 있다.
일반적으로 플렉시블 LED 기판은 웨이퍼 상에서 2차원적으로 LED 칩 어레이를 제작한 후 이를 플렉시블 기판에 전사하는 하는 방법으로 진행된다. 따라서, 웨이퍼 상에서 불량 LED 칩이 존재하여도 이를 교체할 수 없으며, 플렉시블 LED 기판의 대면적화를 위해서는 웨이퍼의 대면적화가 먼저 이루어져야 한다. 그러나, 본 발명은 부착 필름(140) 상에 특성 검사가 끝난 LED 칩(110)을 배열하여 이를 플렉시블 기판(120)에 전사하므로, 웨이퍼의 크기에 구애 받지 않고 대면적의 플렉시블 LED 기판을 제조할 수 있게 된다.
상기 제거 단계(S6)는 상기 플렉시블 기판(120)으로부터 부착 필름(140)을 제거하는 단계이다. 도 2i 및 도 2j에 도시된 바와 같이, 상기 제거 단계(S6)에서는 상기 부착 필름(140)을 제거하여 본 발명에 따른 플렉시블 LED 기판(100)을 완성할 수 있다. 상기 부착 필름(140)은 통상의 습식 화학 에칭법, 건식 화학 에칭법, 전기 화학 에칭법, 기계적 에칭법 등에 의해서 제거될 수 있다. 또한, 상기 부착 필름(140)은 물리적인 힘을 가하여 상기 플렉시블 기판(120)으로부터 분리시킬 수도 있다. 이러한 제조 방법으로 형성된 플렉시블 LED 기판(100)은 플렉시블 기판(120), 상기 플렉시블 기판(120) 위에 형성된 전극 패턴(130) 및 상기 전극 패턴(130)에 전기적으로 연결된 복수의 LED 칩(110)을 포함한다.
더불어, 완성된 플렉시블 LED 기판(100) 상의 LED 칩(110)과 전극 패턴(130)을 보호하기 위하여 보호 필름을 부착할 수 있다. 이 때, 상기 부착 필름(140)을 제거하지 않고 이를 그대로 보호 필름으로 사용할 수 있다. 즉, 경우에 따라서 상기 제거 단계(S6)는 생략될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 LED 기판의 제조 방법은 원하는 전극 패턴(130)과 반전된 패턴을 갖도록 부착 필름(140) 상에 LED 칩(110)을 배열하고 상기 LED 칩(110)을 플렉시블 기판(120)에 전사함으로써, 웨이퍼를 대면적화 하지 않고서도 대면적의 플렉시블 LED 기판(100)을 제조할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 LED 기판의 제조 방법은 복수의 LED 칩(110)의 특성을 검사하고 기준 특성을 통과한 LED 칩(110)을 사용하여 플렉시블 LED 기판(100)을 제조하므로, 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 플렉시블 LED 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 LED 기판을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
10: 웨이퍼 20: 칩 이송 장치
110: LED 칩 111: 도전성 패드
120: 플렉시블 기판 130: 전극 패턴
140: 부착 필름

Claims (11)

  1. 다이싱 된 복수의 LED 칩 각각의 특성을 검사하여, 기준 특성을 만족하는 LED 칩을 선별하는 LED 칩 분류 단계;
    플렉시블 기판 위에 전극 패턴을 형성하는 전극 패턴 형성 단계;
    상기 LED 칩 분류 단계에서 선별된 LED 칩을 부착 필름 상에 배열하는 LED 칩 배열 단계; 및
    상기 부착 필름에 부착된 LED 칩을 상기 플렉시블 기판에 전사하는 전사 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 LED 칩 배열 단계에서는 상기 전극 패턴과 반전된 패턴이 상기 부착 필름에 형성되도록, 상기 부착 필름 상에 상기 LED 칩을 배열하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 부착 필름에는 상기 전극 패턴과 좌우가 바뀐 패턴으로 상기 LED 칩이 배열된 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 부착 필름에는 상기 전극 패턴과 상하가 바뀐 패턴으로 상기 LED 칩이 배열된 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 LED 칩 배열 단계에서는 상기 전극 패턴 중 일부의 패턴과 반전된 패턴으로 LED 칩이 배열된 단위 부착 필름을 복수개 형성하고, 상기 전사 단계에서는 상기 복수개의 단위 부착 필름을 상기 플렉시블 기판에 올려 상기 LED 칩을 플렉시블 기판에 전사하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 LED 칩 배열 단계에서는 상기 전극 패턴 전체와 반전된 패턴으로 LED 칩을 상기 부착 필름에 배열하고, 상기 전사 단계에서는 상기 부착 필름을 상기 플렉시블 기판에 올려 LED 칩을 플렉시블 기판에 전사하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 LED 칩 배열 단계에서는 상기 LED 칩의 일면에 형성된 도전성 패드가 상부로 노출되도록, 상기 LED 칩을 상기 부착 필름에 부착하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전사 단계에서는 상기 LED 칩의 도전성 패드가 상기 전극 패턴에 접촉하도록, 상기 플렉시블 기판에 상기 부착 필름을 올리는 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사 단계 이후에는, 상기 부착 필름을 제거하는 제거 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 LED 칩 배열 단계에서 사용한 부착 필름은 제거되지 않고, 상기 LED 칩을 보호하기 위한 보호 필름으로 사용되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판의 제조 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 플렉시블 LED 기판.
KR1020160045051A 2016-04-12 2016-04-12 플렉시블 led 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 led 기판 KR101800541B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160045051A KR101800541B1 (ko) 2016-04-12 2016-04-12 플렉시블 led 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 led 기판

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160045051A KR101800541B1 (ko) 2016-04-12 2016-04-12 플렉시블 led 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 led 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170116857A true KR20170116857A (ko) 2017-10-20
KR101800541B1 KR101800541B1 (ko) 2017-11-24

Family

ID=60299300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160045051A KR101800541B1 (ko) 2016-04-12 2016-04-12 플렉시블 led 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 led 기판

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101800541B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019088323A1 (ko) * 2017-11-03 2019-05-09 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 전사 부재를 이용한 전자 소자의 적층 구조, 상기 전자 소자의 제작을 위한 전사 장비 및 상기 전자 소자의 제조 방법
KR20190124517A (ko) * 2018-04-26 2019-11-05 장성민 Led 칩의 전사방법
KR20200077817A (ko) 2018-12-21 2020-07-01 전자부품연구원 전사 장치 및 그 동작방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019088323A1 (ko) * 2017-11-03 2019-05-09 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 전사 부재를 이용한 전자 소자의 적층 구조, 상기 전자 소자의 제작을 위한 전사 장비 및 상기 전자 소자의 제조 방법
KR20190124517A (ko) * 2018-04-26 2019-11-05 장성민 Led 칩의 전사방법
KR20200077817A (ko) 2018-12-21 2020-07-01 전자부품연구원 전사 장치 및 그 동작방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101800541B1 (ko) 2017-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7130701B2 (ja) 基板上に個別部品を並列に組み立てる方法
US7517725B2 (en) System and method for separating and packaging integrated circuits
KR100609201B1 (ko) 칩-사이즈 패키지 구조체 및 그 제조 방법
TWI534999B (zh) 影像感測晶片封裝體及其形成方法
US6653731B2 (en) Semiconductor device and method for fabricating same
KR101800541B1 (ko) 플렉시블 led 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 플렉시블 led 기판
JP6147250B2 (ja) 撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法
JP5960389B2 (ja) 半導体集積回路チップを分離および搬送する方法
US20150087088A1 (en) Method for producing image pickup apparatus and method for producing semiconductor apparatus
TWI549174B (zh) 製造半導體裝置之方法
US9607754B2 (en) Pre space transformer, space transformer manufactured using the pre space transformer, and semiconductor device inspecting apparatus including the space transformer
KR102145325B1 (ko) 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법
KR20010076394A (ko) 프로브 배열체, 그 제조 방법, 프로브 배열체를 사용한프로브의 설치 방법 및 프로브의 설치 장치
US20140103476A1 (en) Method for making image sensors using wafer-level processing and associated devices
KR102476429B1 (ko) 이방성 도전 필름
KR20110088234A (ko) 적층 반도체 패키지의 제조 방법
KR20230078613A (ko) 전기 장치 검사용 프로브 헤드
KR102548400B1 (ko) Led 이송 방법
WO2007049356A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US10504806B2 (en) Semiconductor package with electrical test pads
JP2004266026A (ja) チップ部品の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
KR20100027736A (ko) 프로브 본딩 방법
JP4877465B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の検査方法、半導体ウェハ
US20230061146A1 (en) Inspection method
JP2004039938A (ja) チップ状電子部品、その実装構造、その中間基板、及びこれらの製造方法、並びにチップ状電子部品の検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant