TW201830740A - 具有次波長厚度之壓電層的彈性波裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之態樣係關於一種彈性波裝置。該彈性波裝置包含：一次波長厚度之壓電層；一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上；及一高速度層，其具有高於一彈性波之速度之一整體速度。該高速度層可抑制一彈性波在反諧振下自該壓電層洩漏。

Description

具有次波長厚度之壓電層的彈性波裝置
本發明之實施例係關於一種彈性波裝置。
一彈性波裝置可實施一表面聲波諧振器。一表面聲波諧振器可包含一壓電基板上之一交指狀轉換器電極。表面聲波諧振器可在其上安置交指狀轉換器電極之壓電層之一表面上產生一表面聲波。表面聲波諧振器可實施一表面聲波濾波器。 可在射頻電子系統中實施表面聲波諧振器。舉例而言，一行動電話之一射頻前端中之濾波器可包含表面聲波濾波器。設計滿足或超過此等射頻系統之設計規範之一表面聲波諧振器可具挑戰性。
發明申請專利範圍中描述之創新各具有若干特徵，其等之單一者不單獨負責本其所要屬性。在不限制發明申請專利範圍之範疇之情況下，現將簡要描述本發明之一些突出特徵。 本發明之一個態樣係一種彈性波裝置，其包含：一壓電層；一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上；及一高速度層，其與該壓電層實體接觸。該壓電層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該壓電層具有在自0.35λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度。該高速度層具有高於該彈性波之一速度之一整體速度。 該壓電層可包含鈮酸鋰層。該壓電層可包含鉭酸鋰層。該壓電層之該厚度可在自0.4λ至0.75λ之一範圍中。 該高速度層可係矽層。 該壓電層之切割角可在自-10°至50°之一範圍中。該壓電層之切割角可在自-10°至30°之一範圍中。該壓電層之切割角可在自0°至30°之一範圍中。該壓電層之切割角可在自10°至30°之一範圍中。該壓電層之切割角可在自20°至30°之一範圍中。該壓電層之切割角可在自30°至40°之一範圍中。 該交指狀轉換器電極可包含鋁。在一些例項中，該交指狀轉換器電極之材料可係鋁合金。該交指狀轉換器電極可具有在自0.02λ至0.1λ之一第二厚度範圍中之一厚度。 該彈性波裝置可進一步包含一溫度補償層，該溫度補償層經配置使得該交指狀轉換器電極安置於該溫度補償層與該壓電層之間。該溫度補償層可包含二氧化矽。該溫度補償層可具有小於0.5λ之一厚度。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：鈮酸鋰層；一交指狀轉換器電極，其在該鈮酸鋰層上；及矽基板，其與該鈮酸鋰層實體接觸。該鈮酸鋰層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該鈮酸鋰層具有在自0.35λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度。 該鈮酸鋰層之該切割角可係自-10°至30°之一範圍。該鈮酸鋰層之該切割角可係自15°至35°之一範圍。該鈮酸鋰層之該切割角可係在自20°至30°之一範圍中。 該鈮酸鋰層之該厚度可在自0.4λ至0.75λ之一範圍中。 該交指狀轉換器電極可包含鋁。該交指狀轉換器電極可具有在自0.02λ至0.1λ之一第二厚度範圍中之一厚度。 該彈性波裝置可進一步包含一溫度補償層，該溫度補償層經配置使得該交指狀轉換器電極安置於該溫度補償層與該鈮酸鋰層之間。該溫度補償層可包含二氧化矽。該溫度補償層可具有小於0.5λ之一厚度。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：鈮酸鋰層；一交指狀轉換器電極，其在該鈮酸鋰層上；一高速度層，其具有高於該彈性波之一速度之一整體速度；及一溫度補償層，其安置於該高速度層與該鈮酸鋰層之間。該鈮酸鋰層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該鈮酸鋰層具有在自0.35λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度。該高速度層經組態以抑制該彈性波在反諧振下自該鈮酸鋰層洩漏。該溫度補償層具有一正頻率溫度係數。該彈性波裝置經配置以便具有至少26%之一機電耦合係數。 該高速度層可係矽層。 該溫度補償層可係二氧化矽層。該溫度補償層可具有小於0.5λ之一厚度。 該交指狀轉換器電極可包含鋁。 該鈮酸鋰層之該切割角可在自15°至35°之一範圍中。該鈮酸鋰層之切割角可在自20°至30°之一範圍中。該鈮酸鋰層之切割角可在自-10°至30°之一範圍中。 該鈮酸鋰層之厚度可在自0.4λ至0.75λ之一範圍中。 該機電耦合係數可係至少28%。該機電耦合係數可小於30%。該機電耦合係數可小於35%。 該聲波裝置之一品質因數可在自2000至5000之一範圍中。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：鉭酸鋰層；一交指狀轉換器電極，其在該鉭酸鋰層上；一高速度層，其具有高於該彈性波之一速度之一整體速度；及一溫度補償層，其安置於該高速度層與該鉭酸鋰層之間。該鉭酸鋰層具有在自-10°至50°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該鉭酸鋰層具有小於λ之一厚度。該高速度層經組態以抑制該彈性波在反諧振下自該鉭酸鋰層洩漏。該溫度補償層具有一正頻率溫度係數。 該高速度層可係矽層。 該溫度補償層可係二氧化矽層。該溫度補償層可具有小於0.5λ之一厚度。 該交指狀轉換器電極可包含鋁。該交指狀轉換器電極可具有在自0.02λ至0.1λ之一第二厚度範圍中之一厚度。 該鉭酸鋰層之切割角可在自-10°至30°之一範圍中。該鉭酸鋰層之切割角可在自0°至30°之一範圍中。該鉭酸鋰層之切割角可在自10°至30°之一範圍中。該鉭酸鋰層之切割角可在自30°至40°之一範圍中。該鉭酸鋰層之切割角可在自15°至35°之一範圍中。該鉭酸鋰層之切割角可在自20°至30°之一範圍中。 該鉭酸鋰層之厚度可在自0.25λ至0.8λ之一範圍中。該鉭酸鋰層之厚度可在自0.35λ至0.8λ之一範圍中。該鉭酸鋰層之厚度可在自0.4λ至0.75λ之一範圍中。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：一壓電層；一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上；及一高速度層，其具有高於該彈性波之一速度之一整體速度且經組態以抑制該彈性波在反諧振下自該壓電層洩漏。該壓電層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該交指狀轉換器電極具有在自0.02λ至0.1λ之一第一厚度範圍中之一厚度。該壓電層具有小於λ之一厚度。 該高速度層可係矽層。 該壓電層可包含鈮酸鋰層。該壓電層可包含鉭酸鋰層。 該交指狀轉換器電極之厚度可在0.05λ與0.1λ之間。該交指狀轉換器電極可包含鋁。 該壓電層之切割角可在自-10°至30°之一範圍中。該壓電層之切割角可在自0°至30°之一範圍中。該壓電層之切割角可在自15°至35°之一範圍中。該壓電層之切割角可在自20°至30°之一範圍中。該壓電層之切割角可在自30°至40°之一範圍中。 該壓電層之厚度可在自0.25λ至0.8λ之一第二厚度範圍中。該壓電層之厚度可在自0.35λ至0.8λ之一範圍中。該壓電層之厚度可在自0.4λ至0.75λ之範圍內。 該高速度層可結合至該壓電層且與該壓電層實體接觸。該高速度層可係矽基板。 該彈性波裝置可進一步包含安置於該高速度層與該壓電層之間之一溫度補償層。該溫度補償層可包含二氧化矽。該溫度補償層可具有小於0.5λ之一厚度。 該彈性波裝置可進一步包含一溫度補償層，該溫度補償層經配置使得該交指狀轉換器電極安置於該溫度補償層與該壓電層之間。該溫度補償層可包含二氧化矽。該溫度補償層可具有小於0.5λ之一厚度。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：一壓電層；一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上；矽層，其經組態以抑制該彈性波在反諧振下自該壓電層洩漏；及一溫度補償層，其具有一正頻率溫度係數。該壓電層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該壓電層具有在自0.25λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度。該壓電層安置於該矽層與該交指狀轉換器電極之間。該交指狀轉換器電極安置於該溫度補償層與該壓電層之間。 該溫度補償層可具有小於0.5λ之一厚度。該溫度補償層可包含二氧化矽。該溫度補償層可包含二氧化碲。該溫度補償層可包含SiOF。 該壓電層之切割角可在-10°與30°之間。該壓電層之切割角可在15°與35°之間。該壓電層之切割角可在20°與30°之間。 該壓電層之厚度可在0.35λ至0.8λ之間。該壓電層之厚度可在0.4λ至0.75λ之間。 該交指狀轉換器電極可具有在0.02λ與0.1λ之間之一厚度。該交指狀轉換器電極可包含鋁。 該壓電層可係鈮酸鋰層。該壓電層可係鉭酸鋰層。 該矽層可與該壓電層實體接觸。 一濾波器可包含根據本文中論述之任何適合原理及優點之一彈性波裝置。一雙工器可包含根據本文中論述之任何適合原理及優點之一彈性波裝置。 一經封裝模組可包含根據本文中論述之任何適合原理及優點之一彈性波裝置。該經封裝模組可進一步包含一射頻開關。該經封裝模組可進一步包含一功率放大器。 一無線通信裝置可包含根據本文中論述之任何適合原理及優點之一彈性波裝置。該無線通信裝置可係一行動電話。該彈性波裝置可包含於一濾波器及/或一頻率多工電路(諸如一雙工器)中。 出於概述本發明之目的，已在本文中描述創新之某些態樣、優點及新穎特徵。應理解，根據任何特定實施例不必達成全部此等優點。因此，可以達成或最佳化如本文中教示之一個優點或優點群組之一方式體現或實行創新而無需達成如可在本文中教示或建議之其他優點。
相關申請案之交叉參考 本申請案主張2016年10月20日申請且標題為「ELASTIC WAVE DEVICE」之美國臨時專利申請案第62/410,804號之優先權之權利，該申請案之全文藉此以引用的方式併入本文中。本申請案主張2016年11月17日申請且標題為「ELASTIC WAVE DEVICE」之美國臨時專利申請案第62/423,705號之優先權之權利，該申請案之全文藉此以引用的方式併入本文中。 某些實施例之以下詳細描述呈現特定實施例之各種描述。然而，可以(例如)如由發明申請專利範圍界定且涵蓋之大量不同方式體現本文中描述之創新。在此描述中，參考圖式，其中相同元件符號可指示相同或功能上類似元件。將理解，圖中繪示之元件不一定按比例繪製。再者，將理解，某些實施例可包含多於在一圖式中繪示之元件及/或在一圖式中繪示之元件之一子集。此外，一些實施例可併入來自兩個或兩個以上圖式之特徵之任何適合組合。 包含具有一相對低切割角之鈮酸鋰(LiNbO3 )之彈性波裝置可具有一相對大的機電耦合係數(k2 )。此等裝置可在其中水平剪切(SH)波在反諧振(fp)下洩漏至鈮酸鋰層下方之一基板中之一洩漏表面聲波模式中操作。在一反諧振頻率下，一振盪振幅可係近似零。此可引起此等裝置之品質因數(Q)相對低。Q可表示經儲存電力對經消耗電力之一比率。Q可係頻率相依的。諧振品質因數(Qs)可不同於反諧振品質因數(Qp)。使用一相對低Q，此等彈性波裝置可不適用於某些濾波器應用。本文中論述之任何彈性波裝置可實施一表面聲波(SAW)諧振器。因此，可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施一SAW諧振器。 可使用銅(Cu)電極及光柵來降低一洩漏表面聲波之一相位速度以防止來自一壓電層(諸如鈮酸鋰層)之洩漏。此可產生一較少洩漏之SH波。使用重電極已導致難以充分減少來自一壓電層之洩漏及達成可期望用於一濾波器中之Q。另外，在此等方法中，瑞利波雜散可相對接近諧振，此可係非所要的。 本發明之態樣係關於使用矽(Si)基板來防止在反諧振下來自一彈性波裝置之一壓電層之洩漏。矽基板之一整體速度可顯著高於SH波之一速度，此可防止來自彈性波裝置之一壓電層之洩漏。壓電層(諸如鈮酸鋰層)可具有一相對低聲阻抗且矽基板可具有一相對高聲阻抗。壓電層與矽基板之聲阻抗之一差異可在壓電層與矽基板之一界面處產生一有效反射以防止SH波洩漏至矽基板中。此可引起反諧振Q得到顯著改良。壓電層可具有小於SH波之一波長之一厚度。此可引起板波雜散遠離SH波主要模式之諧振。一溫度補償層(諸如二氧化矽(SiO2 )層)可包含於彈性波裝置之一交指狀轉換器電極及壓電層上方以改良彈性波裝置之一頻率溫度係數(TCF)。 本發明之一態樣係一種彈性波裝置，其包含：一壓電層；一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上；及一高速度層，其與該壓電層實體接觸。該壓電層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該壓電層具有在自0.35λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度。該高速度層具有高於該彈性波之一速度之一整體速度。該壓電層之該厚度可促成增加該彈性波裝置之一Qp。該切割角可促成該彈性波裝置之相對高k2 、Qp及優質數值。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：鈮酸鋰層；交指狀轉換器電極，其在該鈮酸鋰層上；及矽基板，其與該鈮酸鋰層實體接觸。該鈮酸鋰層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該鈮酸鋰層具有在自0.35λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度。該鈮酸鋰層之該厚度可促成增加該彈性波裝置之一Qp。該切割角可促成該彈性波裝置之相對高k2 、Qp及優質數值。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：鈮酸鋰層；交指狀轉換器電極，其在該鈮酸鋰層上；一高速度層；及一溫度補償層。該鈮酸鋰層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該鈮酸鋰層具有在自0.35λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度。該高速度層具有高於表面聲波之一速度之一整體速度。該高速度層經組態以防止該表面聲波在反諧振下自該鈮酸鋰層洩漏。該溫度補償層安置於該高速度層與該鈮酸鋰層之間。該溫度補償層具有一正頻率溫度係數。該彈性裝置經配置以便具有至少26%之一機電耦合係數。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：鉭酸鋰層；交指狀轉換器電極，其在該鉭酸鋰層上；一高速度層；及一溫度補償層。該鉭酸鋰層具有在自-10°至50°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該鉭酸鋰層具有小於λ之一厚度。該高速度層具有高於表面聲波之一速度之一整體速度。該高速度層經組態以防止該表面聲波在反諧振下自該鈮酸鋰層洩漏。該溫度補償層安置於該高速度層與該鉭酸鋰層之間。該溫度補償層具有一正頻率溫度係數。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：一壓電層；一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上；及一高速度層。該壓電層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該交指狀轉換器電極具有在自0.02λ至0.1λ之一厚度範圍中之一厚度。該壓電層具有小於λ之一厚度。該高速度層具有高於該彈性波之一速度之一整體速度。該高速度層經組態以防止該彈性波在反諧振下自該壓電層洩漏。該交指狀轉換器電極之厚度可促成該彈性波裝置之可期望k2 、Qp及優質數值。 本發明之另一態樣係一種彈性波裝置，其包含：一壓電層；一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上；矽層，其經組態以防止彈性波在反諧振下自該壓電層洩漏；及一溫度補償層，其具有一正頻率溫度係數。該壓電層具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角。該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波。該壓電層具有在自0.25λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度。該壓電層安置於該矽層與該交指狀轉換器電極之間。該交指狀轉換器電極安置於該溫度補償層與該壓電層之間。 在某些實施例中，包含矽基板上之具有一相對低切割角之一次波長厚度之鈮酸鋰層之一彈性波裝置可有效地抑制及/或防止SH波之洩漏且在其上安置一交指狀轉換器(IDT)電極之鈮酸鋰層之一表面上捕獲能量。在某些實施例中，相對低切割角可在自20°至30°之一範圍中。在此等彈性波裝置中，Q可大於約2000且k2 可大於20%。在交指狀轉換器電極上方包含一溫度補償層(諸如二氧化矽)可引起彈性波裝置之TCF增加。 根據一些實施例，一彈性波裝置包含鈮酸鋰層，該鈮酸鋰層與在其上安置一IDT電極之鈮酸鋰層之一側相對而結合至矽基板。在此等實施例中，可藉由具有小於彈性波裝置及矽基板之一彈性波之一波長之一厚度之鈮酸鋰層達成一相對高反諧振Q (例如，2000或更大之一反諧振Q)。同時，可藉由具有一相對低切割角(例如，在自20°至30°之一範圍中之一切割角)而達成一相對大k2 (例如，20%或更大)。 在一些其他實施例中，一彈性波裝置可包含一介電層(例如，二氧化矽層)，該介電層安置於具有一相對低切割角之一次波長厚度之鈮酸鋰層與矽基板之間。介電層可使TCF更接近零。因此，可減少對鈮酸鋰厚度之頻率相依性。 圖1係根據一實施例之一彈性波裝置10之一橫截面視圖。如所繪示，彈性波裝置10包含一壓電層12、一IDT電極14及一高速度層16。 壓電層12可係(例如)鈮酸鋰(LiNbO3 )層或鉭酸鋰(LiTaO3 )層。所繪示壓電層12具有小於由彈性波裝置10之IDT電極14產生之一彈性波之一波長之一厚度H1 。壓電層12可具有一相對低切割角。舉例而言，壓電層12之切割角可係自-10°至35°之一範圍。在一些實施例中，壓電層之切割角可在自15°至35°之一範圍或自20°至30°之一範圍中。如本文中使用，N°之一「切割角」係指在一Y切割X傳播壓電層中之一N°旋轉之Y切割。因此，針對具有尤拉(Euler)角(φ、θ、ψ)之一壓電層，以度為單位之「切割角」可係θ減去90°。 一IDT電極14安置於壓電層12上。IDT電極14可在壓電層12之一表面上產生一彈性波。所繪示IDT電極14具有一間距L1 及一厚度h。間距L1 係由彈性波裝置10產生之一彈性波之波長λ。IDT電極14可包含鋁及/或適用於一IDT電極14之任何其他材料。舉例而言，IDT電極材料可包含鋁(Al)、鈦(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉑(Pt)、鎢(W)、鉬(Mo)、釕(Ru)或其等之任何適合組合。在某些應用中，IDT電極14可包含鋁。舉例而言，IDT電極可包含鋁合金，諸如鋁及銅。 在所繪示彈性波裝置10中，高速度層16結合至壓電層12且與壓電層12實體接觸。高速度層16具有高於由IDT電極14產生之彈性波之一速度之一整體速度。高速度層16可具有高於壓電層12之一聲波阻抗。高速度層16可抑制由彈性波裝置10產生之一彈性波在反諧振下自壓電層12洩漏。高速度層16可係矽層。此矽層可具有一相對高聲速、一相對大剛度及一相對小密度。在某些例項中，矽層可係多晶矽層。 在一些例項中，彈性波裝置10包含與矽基板結合之鉭酸鋰壓電層。圖2A至圖4E繪示與此等彈性波裝置相關聯之模擬結果。 圖2A至圖2E係一彈性波裝置10之模擬之圖表，該彈性波裝置10具有：鉭酸鋰壓電層，其具有42°之一切割角；一高速度層，其係矽基板；及一IDT電極，其具有2.0 um之一間距L1 及160 nm之一厚度h。間距L1 係彈性波之波長λ。因此，160 nm之厚度h對應於0.08λ。在此彈性波裝置中掃掠鉭酸鋰層之厚度H1 。圖2A係展示針對0.25λ及0.5λ之鉭酸鋰層之厚度H1 及針對無矽基板之一對應裝置之頻率回應之一圖表，其中λ係由IDT電極產生之一彈性波之波長。在一些圖中，波長λ由「L」表示。圖2B展示當鉭酸鋰層之厚度係約0.25λ時達成裝置之一最大k2 。圖2C繪示當鉭酸鋰層之厚度H1 較低時，Qs可增加。圖2D繪示針對自約0.2λ至0.3λ之鉭酸鋰層之厚度H1 之一範圍，一優質數(FOM)具有一高值。圖2E繪示Vs敏感度可隨著一較薄鉭酸鋰層而增加。 圖3A至圖3E係一彈性波裝置10之模擬之圖表，該彈性波裝置10具有：鉭酸鋰壓電層，其具有42°之一切割角及0.25λ (其中λ係彈性波之波長)之一厚度H1 ；一高速度層，其係矽基板；及一IDT電極，其具有2.0 um之一間距L1 。在此彈性波裝置中掃掠IDT電極之厚度h。圖3A係展示針對0.08λ及0.16λ之一IDT電極之厚度h及針對無與鉭酸鋰層結合之矽基板之一對應裝置之頻率回應之一圖表。圖3B展示當h小於約0.08λ時裝置之k2 可開始減小。圖3C繪示Qs及Qp可隨著較大IDT電極厚度h而增加。圖3D繪示FOM可隨著較大IDT電極厚度h而增加。圖3E繪示Vs敏感度可隨著一較薄IDT電極而增加。 圖4A至圖4E係一彈性波裝置10之模擬之圖表，該彈性波裝置10具有：鉭酸鋰壓電層，其具有0.25λ (其中λ係彈性波之波長)之一厚度H1 ；一高速度層，其係矽基板；及一IDT電極，其具有2.0 um之一間距L1 及0.08λ之一高度h。在此彈性波裝置中掃掠鉭酸鋰層之切割角。圖4A係展示針對42°及120°之切割角及針對無與鉭酸鋰層結合之矽基板之一對應裝置之頻率回應之一圖表。圖4B展示針對約20°之一切割角，裝置之k2 可為一最大值。圖4C繪示Qs及Qp對切割角。圖4D繪示針對約20°至30°之一切割角，FOM可具有一最大值。圖4E繪示Vs對切割角。 在某些例項中，彈性波裝置10包含與矽基板結合之鈮酸鋰壓電層。圖5A至圖7E繪示與此等彈性波裝置相關聯之模擬結果。 圖5A至圖5E係一彈性波裝置10之模擬之圖表，該彈性波裝置10具有：鈮酸鋰壓電層，其具有42°之一切割角；一高速度層，其係矽基板；及一IDT電極，其具有2.0 um之一間距L1 及160 nm或0.08λ之一厚度h。在此彈性波裝置中掃掠鈮酸鋰層之厚度H1 。圖5A係展示針對0.25λ及0.5λ (其中λ係由IDT電極產生之一彈性波之波長)之鈮酸鋰層之厚度H1 及針對無矽基板之一對應裝置之頻率回應之一圖表。圖5B展示當鈮酸鋰層之厚度係約0.25λ時可達成裝置之一最大k2 。圖5C繪示當鈮酸鋰層之厚度H1 較低時，Qs可增加。圖5D繪示針對自約0.2λ至0.4λ之鈮酸鋰層之厚度H1 之一範圍，一優質數(FOM)具有一相對高值。圖5E繪示Vs敏感度可隨著一較薄鈮酸鋰層而增加。 圖6A至圖6E係一彈性波裝置10之模擬之圖表，該彈性波裝置10具有：鈮酸鋰壓電層，其具有42°之一切割角及0.25λ (其中λ係彈性波之波長)之一厚度H1 ；一高速度層，其係矽基板；及一IDT電極，其具有2.0 um之一間距L1 。在此彈性波裝置中掃掠IDT電極之厚度h。圖6A係展示針對0.08λ及0.12λ之一IDT電極之厚度h及針對無與鈮酸鋰層結合之矽基板之一對應裝置之頻率回應之一圖表。圖6B展示針對較厚IDT電極，裝置之k2 可減小。圖6C繪示Qs及Qp可隨著較大IDT電極厚度h而增加。圖6D繪示FOM可隨著較大IDT電極厚度h而增加。圖6E繪示Vs敏感度可隨著一較薄IDT電極而增加。圖6B至圖6E展示當IDT電極具有在自0.02λ至0.1λ之一範圍中之一厚度時，一彈性波裝置可具有可期望特性。 圖7A至圖7E係一彈性波裝置10之模擬之圖表，該彈性波裝置10具有：鈮酸鋰壓電層，其具有0.25λ (其中λ係彈性波之波長)之一厚度H1 ；一高速度層，其係矽基板；及一IDT電極，其具有2.0 um之一間距L1 及0.08λ之一高度h。在此彈性波裝置中掃掠鈮酸鋰層之切割角。圖7A係展示針對42°及128°之切割角及針對無與鈮酸鋰層結合之矽基板之一對應裝置之頻率回應之一圖表。圖7B展示針對約20°之一切割角，裝置之k2 可為一最大值。圖7C繪示Qs及Qp對切割角。圖7D繪示針對約20°至30°之一切割角，FOM可具有一最大值。圖7E繪示Vs對切割角。 圖8A至圖8F比較具有鉭酸鋰(LT)壓電層之一彈性波裝置10與具有鈮酸鋰(LN)壓電層之彈性波裝置10之模擬結果。在此等圖及一些其他圖中，「L」表示彈性波之波長λ。圖8A展示針對各種壓電層厚度，具有一LN壓電層之一彈性波裝置可具有比具有一LT壓電層之一彈性波裝置高之k2 。圖8B展示針對各種IDT電極厚度，具有一LN壓電層之一彈性波裝置可具有比具有一LT壓電層之一彈性波裝置高之k2 。圖8C展示針對各種切割角，具有一LN壓電層之一彈性波裝置可具有比具有一LT壓電層之一彈性波裝置高之k2 。圖8D展示針對各種壓電層厚度，具有一LN壓電層之一彈性波裝置可具有比具有一LT壓電層之一彈性波裝置高之FOM。圖8E展示針對各種IDT電極厚度，具有一LN壓電層之一彈性波裝置可具有比具有一LT壓電層之一彈性波裝置高之FOM。圖8F展示針對各種切割角，具有一LN壓電層之一彈性波裝置可具有比具有一LT壓電層之一彈性波裝置高之FOM。 圖9係一彈性波裝置10之相位速度(Vp)對壓電層厚度之一圖表，該彈性波裝置10具有具備一42°切割角之一LT壓電層及作為一高速度層之矽基板。如本文中使用，42LT可係指具有一42°切割角之鉭酸鋰。可藉由以下方程式模型化彈性波裝置之相位速度(Vp)：(方程式1)(方程式2) 當vSH , 42LT/Si ＜ VL , Si時，SH波可在LT/Si界面處被反射回至LT層且集中在LT層之表面上。針對(洩漏SAW)針對僅一42LT層具有一IDT電極之一彈性波裝置，一SH波可與整體模式耦合且洩漏至基板中。 圖10係一彈性波裝置10之k2 對壓電層厚度之一圖表，該彈性波裝置10具有具備一42°切割角之一LT壓電層及作為一高速度層之矽基板。可藉由以下方程式模型化k2 ：(方程式3) 在此模擬中，在約0.25λ之一LT層厚度處達成約10%之一最大k2 。在LT層之某些厚度處，蘭姆(Lamb)模式可存在於一通帶中。 圖11A係一彈性波裝置10之品質因數對壓電層厚度之一圖表，該彈性波裝置10具有具備一42°切割角之一LT壓電層及作為一高速度層之矽基板。在與僅由42LN而非42LN/Si組成之一基板相關之此一彈性波裝置中，Qp升高。圖11B繪示可在一彈性波裝置10之表面上捕獲波，該彈性波裝置10具有具備一42°切割角之一LT壓電層及作為一高速度層之矽基板。此可對應於Qp之一增加。相比之下，圖11C繪示針對不包含矽基板之一類似彈性波裝置，彈性波可洩漏至基板中。在一些例項中，在一42LT基板且無矽基板之情況下，Qs可係1846且Qp可係1406。因此，圖11A繪示與一LT層結合之矽基板可引起一彈性波裝置之Qp顯著增加。 圖12A至圖12D繪示針對一LT壓電層之各種厚度具有該LT層及作為一高速度層之矽基板之一彈性波裝置10之寄生模式。圖12A對應於0.05λ之LT厚度；圖12B對應於0.75λ之LT厚度；圖12C對應於0.25λ之LT厚度；且圖12D對應於1λ之LT厚度。 在具有具備一42°切割角之一LT壓電層及作為一高速度層之矽基板之一彈性波裝置10中，一頻率溫度係數(TCF)似乎不隨著LT層之厚度改變而顯著改變。TCF似乎不受矽基板顯著影響。 圖13A至圖13C繪示針對LT層之各種厚度之鋁IDT電極之厚度對具有具備0.25λ之一厚度之一LT壓電層及作為一高速度層之矽基板之一彈性波裝置10之一影響。圖13A繪示IDT電極厚度對Q之一影響。圖13B繪示IDT電極厚度對Vp之一影響。圖13C繪示IDT電極厚度對k2 之一影響。 雖然上文論述之若干模擬係基於一2 GHz裝置，但對於經配置以產生具有不同頻率之彈性波之彈性波裝置，針對Vp、k2 及Q預期類似結果。因此，已依據波長λ呈現結果。舉例而言，經配置以產生具有2 um之一波長及約2 GHz之一頻率之一彈性波之一彈性波裝置可具有與經配置以產生具有4 um之一波長及約1 GHz之一頻率之一彈性波之一對應彈性波裝置類似之性質。 圖14A繪示針對具有具備0.5λ之一厚度及5°之一切割角之鈮酸鋰(LN)基板之一彈性波裝置之在反諧振(fp)下之正規化平均表面位移。此一裝置可經歷至LN基板中之洩漏，如圖14A中展示。圖14B繪示針對具有具備0.5λ之一厚度及5°之一切割角之鈮酸鋰(LN)基板及用於高速度層之矽基板之一彈性波裝置10之在fp下之正規化平均表面位移。此一裝置可具有在LN層之一表面處捕獲之彈性波，如由圖14B指示。 圖15A至圖15D係具有一LN壓電層及作為一高速度層之矽基板之一彈性波裝置10之模擬之圖表，其等展示LN層之厚度與各種參數之間之關係。圖15A繪示依據LN層之厚度而變化之k2 。圖15B繪示Qp對LN層之厚度。圖15B繪示針對在自0.35λ至0.8λ之一範圍中之LN厚度之相對高Qp值。針對在自0.35λ至0.8λ之一範圍中之LN厚度，機電耦合係數k2 亦係相對高的。圖15C繪示Qs對LN層之厚度。圖15D繪示v0 對LN層之厚度。 圖16A至圖16K繪示針對LN之各種切割角之具有具備0.5λ之一厚度之一LN壓電層及作為一高速度層之矽基板之一彈性波裝置10之頻率導納。如圖16A至圖16E中展示，可針對-30°、-20°、-10°、0°及10°之切割角存在瑞利寄生回應。如圖16H至圖16K中展示，可針對40°、50°、60°及70°之切割角存在S0 蘭姆寄生回應。圖16F及圖16G中展示之針對20°及30°之切割角之頻率回應不包含顯著瑞利寄生回應或S0 蘭姆寄生回應。因此，在自約15°至35°之一範圍中之一切割角可係有利的。 圖17A係具有作為一高速度層之矽基板之一彈性波裝置10之模擬之一圖表，其展示針對某些切割角之LN或LT壓電層之厚度與k2 之間之關係。圖17A展示相較於具有42°之切割角之一LT壓電層或具有128°之一切割角之一LN壓電層，具有5°之一切割角之一LN壓電層之k2 可顯著更高。 圖17B係具有作為一高速度層之矽基板之一彈性波裝置10之模擬之一圖表，其展示針對某些切割角之LN或LT壓電層之厚度與v0 之間之關係。圖17B展示相較於具有42°之切割角之一LT壓電層或具有128°之一切割角之一LN壓電層，具有5°之一切割角之一LN壓電層之v0 可更高。 圖18A至圖18C係具有具備一128°切割角之一LN壓電層及作為一高速度層之矽基板之一彈性波裝置10之模擬之圖表。圖18A繪示針對具有0.7λ之一厚度之一LN層之一頻率回應。圖18B繪示針對具有1λ之一厚度之一LN層之一頻率回應。圖18C繪示針對具有一理論上無限厚度之一LN層之一頻率回應。 圖19繪示彈性波裝置10之速度與壓電層之厚度之間之關係。 圖20A及圖20B係針對某些壓電層之依據一彈性波裝置10之壓電層之厚度而變化之Q之模擬之圖表，其中矽基板係高速度層。圖20A係依據某些壓電層之厚度而變化之Qs之一圖表。圖20B係依據某些壓電層之厚度而變化之Qp之一圖表。圖20A及圖20B上之點分別表示彈性波裝置(其等類似，惟其等不包含矽基板除外)之Qs及Qp值。 圖21係根據一實施例之一彈性波裝置20之一橫截面視圖。如所繪示，彈性波裝置20包含一壓電層12、一IDT電極14及一高速度層16以及一溫度補償層22。彈性波裝置20如同圖1之彈性波裝置10，惟溫度補償層22安置於壓電層12與高速度層16之間除外。如繪示，溫度補償層22具有與壓電層12實體接觸之一第一側及與高速度層16實體接觸之一第二側。溫度補償層22可相對於彈性波裝置10改良彈性波裝置20之TCF。 溫度補償層22可使彈性波裝置20之TFC比不包含溫度補償層之一類似彈性波裝置之TCF更接近零。溫度補償層22可具有一正頻率溫度係數。舉例而言，溫度補償層22可係二氧化矽(SiO2 )層。替代地，溫度補償層22可係二氧化碲(TeO2 )層或SiOF層。溫度補償層22可包含SiO2 、TeO2 及/或SiOF之任何適合組合。溫度補償層22可具有低於由IDT電極14產生之彈性波之一速度之一整體速度。溫度補償層22可係一介電層。溫度補償層22可具有低於壓電層12之一聲阻抗。溫度補償層22可具有低於高速度層16之一聲阻抗。所繪示溫度補償層22具有一厚度H2 。 圖21之彈性波裝置20可具有高於由一壓電層上之一IDT電極組成之一彈性波裝置之一品質因數。舉例而言，在矽上之二氧化矽上具有一LT或LN壓電層之一彈性波裝置20可具有在自約2000至5000之一範圍中之一品質因數。作為一實例，一彈性波裝置20可具有約3000之一品質因數且由一壓電層上之一IDT電極組成之一對應彈性波裝置可具有約1000之一品質因數。品質因數可係程序相依的。 圖22A至圖28B係一彈性波裝置20之模擬之圖表，該彈性波裝置20具有：鉭酸鋰壓電層，其具有一42°切割角(42LT)；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。 圖22A係針對二氧化矽層之各種厚度之依據42LT厚度而變化之k2 之一圖表。此圖表中之約12.5%之一最大k2 對應於約0.15λ之一42LT厚度及0.2λ之二氧化矽厚度。 圖22B係針對二氧化矽層之各種厚度之依據42LT厚度而變化之 vP-OPEN 之一圖表。圖22B指示針對約0.05λ至0.1λ之二氧化矽厚度，Vp色散幾乎係平坦的。 圖23A繪示針對各種二氧化矽層厚度之Qs與42LT厚度之間之一關係。此圖表中之約1865之一最大Qs對應於約0.7λ之一42LT厚度及約0.5λ之二氧化矽厚度。圖23B繪示針對各種二氧化矽層厚度之Qp與42LT厚度之間之一關係。此圖表中之約2015之一最大Qp對應於約0.65λ之一42LT厚度及約0.25λ之二氧化矽厚度。圖23A及圖23B中之點指示無矽基板及二氧化矽層之一類似彈性波裝置分別具有1846之Qs及1406之Qp。因此，矽基板及二氧化矽層可改良Qs及Qp。如由此等圖表指示，藉由矽基板及二氧化矽層，Qp可比Qs得到更多改良。 圖24A及圖24B繪示(1)二氧化矽層之TCF與厚度之間及(2)二氧化矽層之k2 與厚度之間之關係。圖24A對應於具有0.25λ之一厚度之42LT。在圖24A中，一平均TCF 0發生於約0.7λ之二氧化矽厚度處。圖24B對應於具有0.5λ之一厚度之42LT。在圖24B中，一平均TCF 0發生於約0.9λ之二氧化矽厚度處。 圖25A至圖25C繪示針對各種42LT及二氧化矽厚度之頻率回應中之寄生模式。圖25A展示針對具有0.15λ之一厚度之一42LT層及0.2λ之二氧化矽厚度之一相對乾淨頻率回應。圖25B展示當42LT層具有小於0.03λ之一厚度時一通帶中之一瑞利波。圖25C展示當42LT層具有大於0.8λ之一厚度時一通帶中之一板波。當42LT層具有在自約0.03λ至0.8λ之一範圍中之一厚度時，通帶可係相對乾淨的。 圖26A係Vo之一等高線圖。圖26B係k2 之一等高線圖。圖26B指示針對約0.15λ之一42LT厚度及約0.2λ之二氧化矽厚度之約12.5%之一最大k2 。 圖27A係Qs之一等高線圖。圖27A指示針對約0.7λ之一42LT厚度及約0.5λ之二氧化矽厚度之約1865之一最大Qs。圖27B係Qp之一等高線圖。圖27B指示針對約0.65λ之一42LT厚度及約0.25λ之二氧化矽厚度之約2015之一最大Qp。 圖28A係Qavg之一等高線圖。Qavg可係Qp及Qs之一平均值。圖28A指示針對約0.65λ之一42LT厚度及約0.3λ之二氧化矽厚度之約1935之一最大Qavg。圖28B係FOM之一等高線圖。圖28B指示針對約0.175λ之一42LT厚度及約0.2λ之二氧化矽厚度之約225之一最大FOM。 在圖21之彈性波裝置20中，相對於無溫度補償層及高速度層之一類似彈性波裝置，可升高Qp。此可係歸因於被侷限於彈性波裝置20之壓電層12之表面之位移。圖29A至圖29D繪示針對彈性波裝置20中之42LT及5LN壓電層被侷限於壓電層之表面之位移而在無一高速度層及一溫度補償層之類似彈性裝置中位移未被如此侷限於表面。 圖30A至圖36B係一彈性波裝置20之模擬之圖表，該彈性波裝置20具有：鈮酸鋰壓電層，其具有一5°切割角(5LN)；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。 圖30A係針對二氧化矽層之各種厚度之依據5LN厚度而變化之k2 之一圖表。此圖表中之約29.5%之一最大k2 對應於約0.5λ之一5LN厚度及0.05λ之二氧化矽厚度。 圖30B係針對二氧化矽層之各種厚度之依據5LN厚度而變化之vP-OPEN 之一圖表。 圖31A繪示針對各種二氧化矽層厚度之Qs與5LN厚度之間之一關係。此圖表中之約1815之一最大Qs對應於約0.7λ之一5LN厚度及約0.9λ之二氧化矽厚度。圖31B繪示針對各種二氧化矽層厚度之Qp與5LN厚度之間之一關係。此圖表中之約2460之一最大Qp對應於約0.55λ之一5LN厚度及約0.2λ之二氧化矽厚度。圖31A及圖31B中之點指示無矽基板及二氧化矽層之一類似彈性波裝置分別具有1798之Qs及40.5之Qp。因此，矽基板及二氧化矽層可在具有一5LN壓電層之彈性波裝置20中顯著升高Qp。 圖32A及圖32B繪示(1)二氧化矽層之TCF與厚度之間及(2)二氧化矽層之k2 與厚度之間之關係。圖32A對應於具有0.25λ之一厚度之一5LN。圖32B對應於具有0.5λ之一厚度之一5LN。 圖33A至圖33C繪示針對各種5LN彈性波裝置之頻率回應中之寄生模式。圖33A及圖33B係關於5LN/Si彈性波裝置。圖33C係關於一5LN/SiO2 /Si彈性波裝置。圖33A展示當5LN層具有小於0.3λ之一厚度時一通帶中之一瑞利波。圖33B展示當5LN層具有大於0.9λ之一厚度時一通帶中之一板模式回應。圖33C展示針對具有0.5λ之一厚度之一5LN層及具有0.05λ之一厚度之二氧化矽層之一相對乾淨頻率回應。可使用具有在自約0.3λ至0.8λ之一範圍中之一厚度之一5LN層達成一相對乾淨的通帶。 圖34A係Vo之一等高線圖。圖34B係k2 之一等高線圖。圖34B指示針對約0.5λ之一5LN厚度及約0.05λ之二氧化矽厚度之約29.5%之一最大k2 。 圖35A係Qs之一等高線圖。圖35A指示針對約0.7λ之一5LN厚度及約0.9λ之二氧化矽厚度之約1815之一最大Qs。圖35B係Qp之一等高線圖。圖35B指示針對約0.55λ之一5LN厚度及約0.2λ之二氧化矽厚度之約2460之一最大Qp。 圖36A係Qavg之一等高線圖。圖36A指示針對約0.6λ之一5LN厚度及約0.26λ之二氧化矽厚度之約2130之一最大Qavg。圖36B係FOM之一等高線圖。圖36B指示針對約0.55λ之一5LN厚度及約0.1λ之二氧化矽厚度之約625之一最大FOM。 圖37A至圖37F係比較二氧化矽層處於各種位置中之彈性波裝置之各種參數之圖表。此等圖表各包含對應於具有以下者之彈性波裝置之曲線：(1)在矽基板上方之一5LN壓電層上方之鋁IDT電極；(2)在矽基板上方之二氧化矽層上方之一5LN壓電層上方之鋁IDT電極；(3)在矽基板上方之一5LN壓電層上方之鋁IDT電極上方之二氧化矽層；及(4)在矽基板上方之一5LN壓電層上方之二氧化矽層上方之鋁IDT電極。此等模擬掃略5LN壓電層之厚度且將二氧化矽層之厚度設定為0.1λ。 圖37A係Vo之一圖表。此圖表指示低速二氧化矽最少參與波傳播。圖37B係k2 之一圖表。圖37B指示當二氧化矽層安置於一IDT電極與一5LN層之間時，k2 尤其低。圖37C係Qs之一圖表。圖37D係Qp之一圖表。圖37D指示Al/5LN/SiO2 /Si彈性波具有最佳Qp。此可係歸因於在SiO2 /Si界面上之最大反射以防止洩漏至矽基板中。圖37E係Qavg之一圖表。圖37F係FOM之一圖表。此等圖表指示具有稍微低k2 及Q之SiO2 /Al/5LN/Si可用作5LN/SiO2 /Si之一替代物。 圖38A係依據一彈性波裝置20中之一LN層之一切割角而變化之k2 之圖表，該彈性波裝置20包含：一LN壓電層，其具有0.5λ之一厚度；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。此圖表上之不同曲線對應於不同二氧化矽層厚度。圖38A指示在10°之一切割角及0之二氧化矽厚度下之約30%之一最大k2 。 圖38B係依據一彈性波裝置20中之一LN層之一切割角而變化之 vP-OPEN 之圖表，該彈性波裝置20包含：一LN，其具有0.5λ之一厚度；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。此圖表上之不同曲線對應於不同二氧化矽層厚度。圖38B指示在35°之一切割角及0之二氧化矽厚度下之約4420 m/s之一最大v0 。 圖38C係依據一彈性波裝置20中之一LN層之一切割角而變化之Qs之圖表，該彈性波裝置20包含：一LN，其具有0.5λ之一厚度；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。此圖表上之不同曲線對應於不同二氧化矽層厚度。圖38C指示在55°之一切割角及0.3λ之二氧化矽厚度下之約2135之一最大Qs。 圖38D係依據一彈性波裝置20中之一LN層之一切割角而變化之Qp之圖表，該彈性波裝置20包含：一LN，其具有0.5λ之一厚度；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。此圖表上之不同曲線對應於不同二氧化矽層厚度。圖38D指示在25°之一切割角及0.25λ之二氧化矽厚度下之約2560之一最大Qp。 圖39A至圖39L繪示針對LN之各種切割角之一彈性波裝置20之頻率導納，該彈性波裝置20具有：一LN壓電層，其具有0.5λ之一厚度；溫度補償層，其係具有0.1λ之一厚度之二氧化矽層；及一高速度層，其係矽基板。 圖40係根據一實施例之一彈性波裝置30之一橫截面視圖。如所繪示，彈性波裝置30包含一壓電層12、一IDT電極14、一高速度層16及一溫度補償層32。彈性波裝置30如同圖1之彈性波裝置10，惟一溫度補償層32包含於IDT電極14上方使得IDT電極14在壓電層12與溫度補償層32之間。如所繪示，溫度補償層32與壓電層12相對而覆蓋IDT電極14。溫度補償層32可相對於彈性波裝置10改良彈性波裝置30之TCF。 溫度補償層32可使彈性波裝置30之TFC比不包含溫度補償層之一類似彈性波裝置之TCF更接近零。溫度補償層32可具有一正頻率溫度係數。舉例而言，溫度補償層32可係二氧化矽(SiO2 )層。替代地，溫度補償層32可係二氧化碲(TeO2 )層或SiOF層。溫度補償層32可包含SiO2 、TeO2 及/或SiOF之任何適合組合。溫度補償層32可具有低於由IDT電極14產生之彈性波之一速度之一整體速度。溫度補償層32可係一介電層。溫度補償層32可具有低於壓電層12之一聲阻抗。溫度補償層32可具有低於高速度層16之一聲阻抗。所繪示溫度補償層32具有一厚度H3 。 圖41A及圖41B係具有鈮酸鋰壓電層、高速度層及IDT電極上方之溫度補償層之一彈性波裝置30之模擬之圖表。圖41A係針對介電層之各種厚度之依據LN厚度而變化之k2 之一圖表。圖41B係針對溫度補償層之各種厚度之依據LN厚度而變化之速度溫度係數(TCV)之一圖表。 圖42A至圖42D係經組態以產生具有2.0 um之一波長之一彈性波之一彈性波裝置30之模擬之圖表，其中彈性波裝置30包含：一高速度層，其係矽基板；一IDT電極，其具有160 nm (0.08λ)之一高度；在IDT電極上方之SiO2 溫度補償層，其具有0.4 um (0.2λ)之一厚度；及鈮酸鋰壓電層，其具有0.5 um (0.25λ)之一厚度。圖42A至圖42D對應於鈮酸鋰壓電層之不同切割角。特定言之，圖42A對應於0°之一切割角；圖42B對應於10°之一切割角；圖42C對應於20°之一切割角；且圖42D對應於30°之一切割角。如圖42C中展示，可針對20°之一切割角抑制一瑞利雜散。在具有矽基板上之一LN壓電層之一彈性波裝置30中，可期望在自約15°至25°之一範圍中之一切割角。 圖43A至圖45B係一彈性波裝置30之模擬之圖表，該彈性波裝置30具有：鈮酸鋰壓電層，其具有一5°之切割角(5LN)；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。 圖43A及圖43B繪示(1)二氧化矽層之TCF與厚度之間及(2)二氧化矽層之k2 與厚度之間之關係。圖43A對應於具有0.25λ之一厚度之一5LN壓電層。在圖43A中，在約0.3λ之二氧化矽厚度處指示一平均TCF 0。圖43B對應於具有0.5λ之一厚度之一5LN壓電層。在圖43B中，在約0.3λ之二氧化矽厚度處指示一平均TCF 0。此等模擬建議，在此等裝置中，約0.3λ之二氧化矽可達成一可期望TCF。 圖44A係針對二氧化矽層之各種厚度之依據5LN厚度而變化之k2 之一圖表。此圖表建議，在一5LN層上之IDT電極上方具有二氧化矽層可減少k2 。圖44B係針對二氧化矽層之各種厚度之依據5LN厚度而變化之vP-OPEN 之一圖表。 圖45A繪示針對各種二氧化矽層厚度之Qs與5LN厚度之間之一關係。圖45B繪示針對各種二氧化矽層厚度之Qp與5LN厚度之間之一關係。圖45A及圖45B中之點指示無矽基板及二氧化矽層之一類似彈性波裝置分別具有1798之Qs及40.5之Qp。因此，圖40之彈性波裝置30之矽基板及二氧化矽層可在具有一5LN壓電層之彈性波裝置20中顯著升高Qp。比較圖45B與圖31B指示在一5LN層上之IDT電極上方具有二氧化矽層可能不如在一5LN層與矽基板之間包含二氧化矽層般多地增加Qp。 圖46A至圖48B係一彈性波裝置30之模擬之圖表，該彈性波裝置30具有：鉭酸鋰壓電層，其具有一42°切割角(42LT)；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。 圖46A及圖46B繪示(1)二氧化矽層之TCF與厚度之間及(2)二氧化矽層之k2 與厚度之間之關係。圖46A對應於具有0.25λ之一厚度之一42LT壓電層。在圖46A中，在約0.2λ之二氧化矽厚度處指示一平均TCF 0。圖46B對應於具有0.5λ之一厚度之一42LT壓電層。在圖46B中，在約0.25λ之二氧化矽厚度處指示一平均TCF 0。此等模擬建議，在此等裝置中，小於約0.25λ之二氧化矽可達成一可期望TCF。 圖47A係針對二氧化矽層之各種厚度之依據42LT厚度而變化之k2 之一圖表。此圖表建議，在一42LT層上之IDT電極上方具有二氧化矽層可減少k2 。圖47B係針對二氧化矽層之各種厚度之依據42LT厚度而變化之 vP-OPEN 之一圖表。 圖48A繪示針對各種二氧化矽層厚度之Qs與42LT厚度之間之一關係。圖48B繪示針對各種二氧化矽層厚度之Qp與42LT厚度之間之一關係。圖48B指示在IDT電極及矽基板上方具有二氧化矽層可相對於無矽基板及二氧化矽層之一類似彈性波裝置增加Qp。此圖表亦繪示在某些例項中，可期望使42LT層厚度小於約0.8λ。 圖49A係依據一彈性波裝置30中之一LN層之一切割角而變化之k2 之圖表，該彈性波裝置30包含：一LN壓電層，其具有0.5λ之一厚度；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。此圖表上之不同曲線對應於不同二氧化矽層厚度。圖49A指示在10°之一切割角及0之二氧化矽厚度下之約30%之一最大k2 。 圖49B係依據一彈性波裝置30中之一LN層之一切割角而變化之 vP-OPEN 之圖表，該彈性波裝置30包含：一LN，其具有0.5λ之一厚度；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。此圖表上之不同曲線對應於不同二氧化矽層厚度。圖49B指示在40°之一切割角及0.2 λ之二氧化矽厚度下之約4580 m/s之一最大v0 。 圖49C係依據一彈性波裝置30中之一LN層之一切割角而變化之Qs之圖表，該彈性波裝置30包含：一LN，其具有0.5λ之一厚度；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。此圖表上之不同曲線對應於不同二氧化矽層厚度。圖49C指示在60°之一切割角及0之二氧化矽厚度下之約2100之一最大Qs。 圖49D係依據一彈性波裝置30中之一LN層之一切割角而變化之Qp之圖表，該彈性波裝置30包含：一LN，其具有0.5λ之一厚度；一高速度層，其係矽基板；及一溫度補償層，其係二氧化矽層。此圖表上之不同曲線對應於不同二氧化矽層厚度。圖49D指示在25°之一切割角及0之二氧化矽厚度下之約2560之一最大Qp。 圖50A至圖50L繪示針對LN之各種切割角之一彈性波裝置30之頻率導納，該彈性波裝置30具有：一LN壓電層，其具有0.5λ之一厚度；溫度補償層，其係具有0.1λ之一厚度之二氧化矽層；及一高速度層，其係矽基板。圖50F展示針對20°之一切割角無顯著雜散之一相對乾淨頻率乾淨頻率回應。此等圖表指示在此等中裝置，在自約15°至25°之一範圍中之切割角可達成一相對乾淨頻率回應。 圖51係圖40之彈性波裝置30之一平面視圖。圖51繪示IDT電極14可定位於一第一光柵反射器34與一第二光柵反射器36之間。IDT電極14、第一光柵反射器34及第二光柵反射器36可充當一表面聲波諧振器。可類似地實施彈性波裝置10、20或40之任何者。圖51繪示本文中論述之任何溫度補償層可包含於一IDT電極之一部分上方及/或下方。 圖52係根據一實施例之一彈性波裝置40之一橫截面視圖。如所繪示，彈性波裝置40包含一壓電層12、一IDT電極14、一高速度層16、一第一溫度補償層22及一第二溫度補償層32。彈性波裝置40如同圖21之彈性波裝置20，惟彈性波裝置40亦包含在IDT電極14上方之一第二溫度補償層32使得IDT電極14在壓電層12與溫度補償層32之間除外。彈性波裝置40如同圖40之彈性波裝置30，惟彈性波裝置40亦包含安置於高速度層16與壓電層12之間之一第一溫度補償層22除外。彈性波裝置40可具有相對於圖40之彈性波裝置30之針對對壓電層厚度之頻率相依性之改良不敏感度。 LT/Si及LT/SiO2 /Si彈性波裝置之進一步模擬指示針對具有在自0°至30°之一範圍中之一切割角之一LT，此等裝置具有可期望k2 值。此等模擬指示可期望具有在10°與30°之間之一切割角之一LT層。在約20°之一切割角處觀察到一最大k2 值。LT/Si及LT/SiO2 /Si彈性波裝置之其他模擬指示針對具有具備在自30°至40°之一範圍中之一切割角之一LT層之此等裝置，此等裝置具有可期望高速度(vO )值。 可在一濾波器、一雙工器或其他多工器或一頻率多工電路(例如，一雙工器或一三工器)中實施本文中論述之任何彈性波裝置。 圖53A至圖53D係可受益於本文中論述之彈性波裝置之原理及優點之濾波器之實例。藉由包含根據本文中論述之原理及優點之一彈性波裝置，相對於包含習知彈性波裝置之濾波器，此等濾波器可實現改良之效能(諸如一更高品質因數)。此等濾波器之特徵之任何適合組合可彼此一起及/或與本文中論述之任何其他實施例組合實施。 圖53A係包含根據本文中論述之原理及優點之一彈性波裝置之一濾波器60之一示意圖。包含一彈性波裝置之一濾波器可被稱為一彈性裝置濾波器。如所繪示，濾波器60係包含串聯彈性波裝置61、63及65以及並聯表面聲波裝置62及64之一梯式濾波器。各所繪示彈性波裝置可係一諧振器。彈性波裝置61至65配置於一輸入埠In與一輸出埠Out之間。在一些例項中，濾波器60可係一傳輸濾波器，其中輸入埠In係一傳輸埠且輸出埠Out係一天線埠。根據一些其他例項，濾波器60可係一接收濾波器，其中輸入埠In係一天線埠且輸出埠Out係一接收埠。 可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施串聯彈性波裝置61、63及65之一或多者及/或並聯表面聲波裝置62及64之一或多者。彈性波裝置61至65之一或多者可係表面聲波裝置。包含一或多個表面聲波裝置之一濾波器可被稱為一表面聲波濾波器。雖然出於闡釋性目的，濾波器60展示5個彈性波裝置諧振器，但一濾波器可包含用於一特定應用之任何適合數目個彈性裝置諧振器。舉例而言，在一些應用中，一彈性波裝置濾波器可包含3、4、6、7、9或更多個彈性波裝置。 圖53B係包含根據本文中論述之原理及優點之一彈性波裝置之一濾波器60’之一示意圖。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施濾波器60’之任何諧振器。濾波器60’如同圖53A之濾波器60，惟濾波器60’包含不同數目個諧振器且亦包含一迴路電路除外。如所繪示，濾波器60’包含一額外並聯表面聲波裝置66及一額外串聯表面聲波裝置67。濾波器60’亦包含一迴路電路68。迴路電路68與圖53B中之梯式電路之表面聲波諧振器並聯連接。迴路電路68可具有容許具有在表面聲波諧振器之梯式電路之一阻帶內部之一特定頻帶中之一頻率之一信號通過迴路電路68之一通過特性。迴路電路68可回應於在輸入埠In處之輸入信號而輸出一迴路信號。傳播通過梯式電路及迴路電路之信號可包含在阻帶內部之特定頻帶中彼此相反之相位分量。 圖53C係包含根據本文中論述之原理及優點之一彈性波裝置之一濾波器60’’之一示意圖。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施濾波器60’’之任何諧振器。濾波器60’’如同圖53B之濾波器60’，惟濾波器60’’包含一特定例示性迴路電路68’除外。如圖53C中展示，迴路電路68’包含一第一電容器C1、IDT電極69及一第二電容器C2。所繪示電容器及IDT電極可安置於壓電基板上。壓電基板可係其上安置梯式電路之諧振器之相同壓電基板。因此，此一壓電基板可對應於圖1、圖21、圖40或圖52中展示之層結構。 可將IDT電極69配置為一橫向濾波器。衰減帶中之通過特性可藉由此橫向濾波器之設計進行調整，且相位特性可藉由調整IDT電極之間之一距離以便將與梯式電路之相位特性相反之相位特性提供給迴路電路68’而調整。IDT電極69之各者可包含一對梳狀電極，各電極包含彼此交錯之電極指。第一電容器C1及第二電容器C2之電容分別可小於IDT電極69之電容。第一電容器C1之電容可小於第二電容器C2之電容。可藉由分別調整第一電容器C1及第二電容器C2之電容而調整衰減帶中之迴路電路68’之通過特性之一衰減量。第一電容器C1及第二電容器C2可經配置以便容許迴路電路68’之通過特性之衰減量類似於梯式電路之通過特性之一衰減量。 在迴路電路68’之相位特性與梯式電路之相位特性相反之情況下，可實質上抵消梯式電路之衰減帶中之一振幅特性。因此，此可增加梯式電路之衰減帶中之衰減量。此外，可藉由選擇第一電容器C1及第二電容器C2之靜電電容而抑制自梯式電路流動至迴路電路68’中之一電流，藉此具有保護IDT電極69免受損害之功能。 圖53D係包含根據本文中論述之原理及優點之一彈性波裝置之一濾波器60’’’之一示意圖。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施濾波器60’’’之任何諧振器。濾波器60’’’如同圖53C之濾波器60’’，惟濾波器60’’’包含一不同迴路電路除外。如圖53D中展示，相對於迴路電路68’，迴路電路68’’包含額外電容器及IDT電極。特定言之，在迴路電路68’’中包含一第三電容器C3及一第四電容器C4。迴路電路68’’亦包含IDT電極69’，該IDT電極69’比圖53C之IDT電極69包含更多IDT電極。 圖54A至圖54C係可受益於本文中論述之彈性波裝置之原理及優點之雙工器之實例。藉由包含根據本文中論述之原理及優點之一彈性波裝置，相對於包含其他習知彈性波裝置之雙工器，此等雙工器可實現改良之效能(諸如一更高品質因數)。此等雙工器之特徵之任何適合組合可彼此一起及/或與本文中論述之任何其他實施例組合實施。 圖54A係包含根據本文中論述之原理及優點之一彈性裝置之一雙工器70之一示意圖。雙工器70包含一傳輸濾波器及一接收濾波器。傳輸濾波器及接收濾波器兩者皆耦合至一共同埠COM。共同埠COM可係一天線埠。任何適合數目個彈性波裝置可包含於雙工器70之傳輸濾波器及/或接收濾波器中。 傳輸濾波器耦合於一傳輸埠TX與共同埠COM之間。傳輸濾波器經組態以對在傳輸埠TX處接收之傳播至共同埠COM之一信號濾波。傳輸濾波器可包含圖53A之濾波器60之任何適合特徵。如所繪示，傳輸濾波器包含串聯彈性波裝置61、63及65以及並聯表面聲波裝置62及64。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施串聯彈性波裝置61、63及65之一或多者及/或並聯表面聲波裝置62及64之一或多者。 接收濾波器耦合於共同埠COM與接收埠RX之間。接收濾波器經組態以對在共同埠COM處接收之傳播至接收埠RX之一信號濾波。接收濾波器可包含圖53A之濾波器60之任何適合特徵。如所繪示，接收濾波器包含串聯彈性波裝置71、73及75以及並聯表面聲波裝置72及74。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施串聯彈性波裝置71、73及75之一或多者及/或並聯表面聲波裝置72及74之一或多者。 雖然圖54A繪示一雙工器70，但可在任何適合多工器中實施根據本文中論述之任何適合原理及優點之一或多個彈性波裝置。一多工器可包含任何適合數目個聲波濾波器。舉例而言，多工器可係具有四個濾波器之一四工器、具有五個濾波器之一五工器、具有六個濾波器之一六工器、具有八個濾波器之一八工器等。在一些例項中，一多工器可包含在一共同節點處連接之2至16個彈性波濾波器。 圖54B係包含根據本文中論述之原理及優點之一彈性裝置之一雙工器70’之一示意圖。雙工器70’被展示為連接至一天線101。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施雙工器70’之任何諧振器。雙工器70’如同圖54A之雙工器70，惟雙工器70’在傳輸濾波器中包含不同數目個諧振器且包含一不同接收濾波器架構除外。如所繪示，雙工器70’之傳輸濾波器包含串聯SAW諧振器61、63、65、67及79以及並聯SAW諧振器62、64、66及78。雙工器70’之接收濾波器包含雙模式SAW (DMS)諧振器111及112。DMS諧振器111及112藉由接收濾波器之串聯SAW諧振器110而耦合至天線101。DMS諧振器111及/或112可包含根據本文中論述之任何適合原理及優點之一彈性波裝置。 圖54C係包含根據本文中論述之原理及優點之一彈性裝置之一雙工器70’’之一示意圖。雙工器70’’被展示為連接至一天線101。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施雙工器70’’之任何諧振器。雙工器70’’如同圖54B之雙工器70’，惟雙工器70’’額外地包含電感器L1及L2、電容器cap01、cap02、cap03、cap04及cap05以及IDT電極113除外。所繪示電容器及IDT電極可實施類似於上文論述之迴路電路之功能性。電感器L1及L2針對傳輸濾波器之並聯SAW諧振器提供至接地之一電感性路徑。 一經封裝模組可包含本文中論述之任何彈性波裝置。一些此等經封裝模組亦可包含一射頻開關及/或一功率放大器。可在各種經封裝模組中實施本文中論述之彈性波裝置。現將論述其中可實施本文中論述之彈性波裝置之任何適合原理及優點之一些例示性經封裝模組。圖55、圖56及圖57係根據某些實施例之闡釋性經封裝模組之示意性方塊圖。可彼此組合實施參考此等經封裝模組之任何者論述之任何適合特徵。 圖55係根據一或多項實施例之包含一濾波器82、一功率放大器83及一開關84之一模組80之一示意性方塊圖。模組80可包含圍封所繪示元件之一封裝。濾波器82、一功率放大器83及一開關84可安置於一共同封裝基板上。舉例而言，封裝基板可係一積層基板。濾波器82可包含根據本文中論述之彈性波裝置之任何適合原理及優點實施之任何適合數目個彈性波裝置。濾波器82可包含於一雙工器或其他多工器中。開關84可係一射頻開關。開關84可將功率放大器83之一輸出選擇性地電耦合至濾波器82。在一些例項中，開關84可係可將功率放大器之輸出提供至模組80之複數個濾波器之一選定濾波器之一多投開關。 圖56係根據一或多項實施例之包含一濾波器82、一功率放大器83、一開關84及一第二開關86之一模組85之一示意性方塊圖。模組85如同圖55之模組80，惟模組85包含一額外開關86除外。額外開關86可將濾波器82選擇性地電耦合至其他RF電路。額外開關86可係可將濾波器82選擇性地電連接至一天線埠之一天線開關。 圖57係根據一或多項實施例之包含一雙工器92、一功率放大器83及一第一開關84、一第二開關93以及一低雜訊放大器94之一模組90之一示意性方塊圖。模組90如同圖55之模組80，惟在模組90中繪示一雙工器而非一濾波器且模組90包含接收電路除外。所繪示接收電路包含一開關93及一低雜訊放大器94。低雜訊放大器94可放大由一接收濾波器提供之一射頻信號。開關93可將低雜訊放大器94選擇性地電連接至雙工器92之接收濾波器。 一無線通信裝置(諸如一行動電話)可包含根據本文中論述之任何原理及優點之一或多個彈性波裝置。圖58係包含根據一或多項實施例之任何適合數目個彈性波裝置之一無線通信裝置100之一示意性方塊圖。無線通信裝置100可係任何適合無線通信裝置。舉例而言，一無線通信裝置100可係一行動電話，諸如一智慧型電話。如所繪示，無線通信裝置100包含一天線101、包含濾波器103之一RF前端102、一RF收發器104、一處理器105及一記憶體106。天線101可傳輸由RF前端102提供之RF信號。天線101可將經接收RF信號提供至RF前端102以用於處理。 RF前端102可包含一或多個功率放大器、一或多個低雜訊放大器、一或多個RF開關、一或多個接收濾波器、一或多個傳輸濾波器、一或多個雙工器或其等之任何適合組合。RF前端102可傳輸且接收與任何適合通信標準相關聯之RF信號。可在RF前端102之濾波器103之一或多者中實施本文中論述之任何彈性波裝置。 RF收發器104可將一RF信號提供至RF前端102以用於放大及/或其他處理。RF收發器104亦可處理由RF前端102之一低雜訊放大器提供之一RF信號。RF收發器104與處理器105通信。處理器105可係一基頻帶處理器。處理器105可將任何適合基頻帶處理功能提供給無線通信裝置100。記憶體106可由控制器105存取。記憶體106可儲存無線通信裝置100之任何適合資料。 本文中論述之任何原理及優點可應用至其他系統、模組、晶片、彈性波裝置、濾波器、雙工器、多工器、無線通信裝置及方法而非僅應用至本文中描述之實施例。可組合上文描述之各項實施例之元件及操作以提供進一步實施例。上文描述之一些實施例已結合彈性波裝置(諸如SAW諧振器)提供實例。然而，可結合可受益於本文中之任何教示之任何其他系統、設備或方法使用實施例之原理及優點。可結合經組態以處理在自約30 kHz至300 GHz之一範圍中(諸如在自約450 MHz至6 GHz之一範圍中)之信號之射頻電路實施本文中論述之任何原理及優點。舉例而言，本文中論述之任何濾波器可對在自約30 kHz至300 GHz之一範圍中(諸如在自約450 MHz至6 GHz之一範圍中)之信號濾波。 在支援載波聚合及/或多輸入多輸出(MIMO)通信之RF系統中，本文中論述之彈性波裝置之效能可係可期望的。對下行鏈路容量之使用者需求對於多媒體內容串流可係永不滿足的。為了增加容量，可使用多個天線發送不同資料串流及/或可藉由組合可自不同頻帶及/或不同子頻帶獲得之通道頻寬而實施下行鏈路載波聚合。使用本文中論述之彈性波裝置，此等RF系統可具有增強之效能。 圖59係包含具有根據一或多項實施例之一彈性波裝置之一濾波器之一RF系統120之一示意圖。RF系統120支援載波聚合及MIMO功能性。如所繪示，RF系統120包含一第一天線139、一第二天線141及一RF前端。所繪示RF前端包含一高頻帶傳輸及接收模組122、一中頻帶傳輸及接收模組132、一高頻帶及中頻帶接收模組140及一三工器138。雖然在圖59中未繪示，但RF前端亦包含一低頻帶傳輸及接收模組。所繪示RF系統120可傳輸且接收具有各種頻帶之信號，包含低頻帶(LB)、中頻帶(MB)及高頻帶(HB)信號。舉例而言，RF系統120可處理具有1 Ghz或更小之一頻率之一或多個LB信號、具有在1 Ghz與2.3 GHz之間之一頻率之一或多個MB信號及具有大於2.3 GHz之一頻率之一或多個HB信號。LB頻率之實例包含(但不限於)頻帶8、頻帶20及頻帶26。MB頻率之實例包含(但不限於)頻帶1、頻帶3及頻帶4。HB頻率之實例包含(但不限於)頻帶7、頻帶38及頻帶41。 在所繪示RF系統120中，高頻帶傳輸及接收模組122藉由三工器138而電耦合至第一天線139。第一天線139經實施以處置LB、MB及HB信號。第一天線139可傳輸且接收載波聚合信號。所繪示高頻帶傳輸及接收模組122包含一功率放大器123、雙工器124A及124B、低雜訊放大器125A及125B以及天線開關126。此等雙工器之濾波器可經配置以對在不同頻帶內之HB信號濾波。此等濾波器可係帶通濾波器，如繪示。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施雙工器124A及/或124B之任何諧振器。高頻帶傳輸及接收模組122可產生用於藉由第一天線139傳輸之HB信號且處理由第一天線139接收之HB信號。可在高頻帶傳輸及接收模組122中實施用於傳輸及/或接收之任何適合數目個信號路徑。 如所繪示，中頻帶傳輸及接收模組132藉由三工器138而電耦合至第一天線139。所繪示中頻帶傳輸及接收模組132包含一功率放大器133、雙工器134A及134B、低雜訊放大器135A及135B以及天線開關136。此等雙工器之濾波器可經配置以對在不同頻帶內之MB信號濾波。此等濾波器可係帶通濾波器，如繪示。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施雙工器134A及/或134B之任何諧振器。中頻帶傳輸及接收模組132可產生用於藉由第一天線139傳輸之BB信號且處理由第一天線139接收之MB信號。可在中頻帶傳輸及接收模組132中實施用於傳輸及/或接收之任何適合數目個信號路徑。 第二天線141可接收HB及MB信號。第二天線141可係一分集天線且第一天線139可係一主天線。可藉由中頻帶及高頻帶MIMO接收模組140處理經接收信號。所繪示中頻帶及高頻帶MIMO接收模組140包含一天線開關142、接收濾波器143A、143B、143C及143D以及低雜訊放大器144A、144B、144C及144D。此等接收濾波器可經配置以對在不同頻帶內之HB信號或MB信號濾波。此等接收濾波器可係帶通濾波器，如繪示。可根據本文中論述之任何適合原理及優點實施接收濾波器143A至143D之任何諧振器。 所繪示RF系統59可支援針對HB及MB兩者之下行鏈路MIMO。雖然圖120之RF系統120包含用於接收HB及MB信號之兩個天線，但RF系統120可經調適以包含用以提供具有一較高階之MIMO之額外天線。在一個實例中，額外天線及模組可經實施以支援用於MB及HB信號之4x4 RX MIMO。 可在各種電子裝置中實施本發明之態樣。電子裝置之實例可包含(但不限於)消費型電子產品、消費型電子產品之部分，諸如半導體晶粒及/或經封裝射頻模組、電子測試儀器、上行鏈路無線通信裝置、個人區域網路通信裝置等。消費型電子產品之實例可包含(但不限於)：諸如一智慧型電話之一行動電話、諸如一智慧型手錶或一耳機之一穿戴式計算裝置、一電話、一電視、一電腦監視器、一電腦、一路由器、一數據機、一手持式電腦、一膝上型電腦、一平板電腦、一個人數位助理(PDA)、一微波、一冰箱、諸如一汽車電子系統之一車輛電子系統、一立體聲系統、一DVD播放器、一CD播放器、諸如一MP3播放器之一數位音樂播放器、一無線電、一攝錄影機、諸如一數位相機之相機、一攜帶型記憶體晶片、一洗衣機、一烘乾機、一洗衣/烘乾機、周邊裝置、一時鐘等。此外，電子裝置可包含未完成產品。 除非內容脈絡另有要求，否則貫穿描述及發明申請專利範圍，字詞「包括(comprise/comprising)」、「包含(include/including)」及類似者應通常理解為包含性意義而非排他性或詳盡性意義，即「包含，但不限於」之意義。如本文中通常使用之字詞「耦合」係指可彼此直接耦合或藉由一或多個中間元件耦合之兩個或兩個以上元件。同樣地，如本文中通常使用之字詞「連接」係指可直接連接或藉由一或多個中間元件連接之兩個或兩個以上元件。另外，字詞「本文」、「上文」、「下文」及具有類似意思之字詞當用於本申請案中時應指本申請案整體且非本申請案之任何特定部分。在內容脈絡允許的情況下，上文實施方式中使用單數或複數的字詞亦可分別包含複數或單數。字詞「或」關於兩個或兩個以上項目之一清單，該字詞通常旨在涵蓋字詞之全部以下解譯：清單中之任何項目、清單中之全部項目及清單中項目的任何組合。 再者，除非另外具體陳述或除非在如所使用之本內容脈絡內理解，否則尤其諸如「可(can)」、「可(could)」、「可能(might)」、「可(may)」、「例如(e.g)/(for example)」、「諸如」及類似者之本文中所使用之條件語言通常旨在傳達某些實施例包含(而其他實施例不包含)某些特徵、元件及/或狀態。因此，此條件語言通常不旨在暗示特徵、元件及/或狀態以一或多項實施例所需之任何方式或一或多項實施例必須包含用於決定在任何特定實施例中是否包含或執行此等特徵、元件及/或狀態之邏輯。 雖然已描述某些實施例，但此等實施例僅藉由實例表示，且不旨在限制本發明之範疇。當然，可以各種其他形式體現本文中描述之新穎方法、裝置、設備及系統。此外，可在不脫離本發明之精神之情況下進行本文中描述之方法、設備及系統之形式之各種省略、取代及改變。舉例而言，可刪除、移動、添加、細分、組合及/或修改本文中描述之電路區塊及/或裝置結構。可以各種不同方式實施此等電路區塊及/或裝置結構之各者。隨附發明申請專利範圍及其等等效物旨在涵蓋任何此等形式或修改，如落於本發明之範疇及精神內。
10‧‧‧彈性波裝置
12‧‧‧壓電層
14‧‧‧交指狀轉換器(IDT)電極
16‧‧‧高速度層
20‧‧‧彈性波裝置
22‧‧‧溫度補償層
30‧‧‧彈性波裝置
32‧‧‧溫度補償層
34‧‧‧第一光柵反射器
36‧‧‧第二光柵反射器
40‧‧‧彈性波裝置
60‧‧‧濾波器
60'‧‧‧濾波器
60''‧‧‧濾波器
60'''‧‧‧濾波器
61‧‧‧串聯彈性波裝置
62‧‧‧並聯表面聲波裝置
63‧‧‧串聯彈性波裝置
64‧‧‧並聯表面聲波裝置
65‧‧‧串聯彈性波裝置
66‧‧‧並聯表面聲波裝置
67‧‧‧串聯表面聲波裝置
68‧‧‧迴路電路
68'‧‧‧迴路電路
68''‧‧‧迴路電路
69‧‧‧交指狀轉換器(IDT)電極
69'‧‧‧交指狀轉換器(IDT)電極
70‧‧‧雙工器
70'‧‧‧雙工器
70''‧‧‧雙工器
71‧‧‧串聯彈性波裝置
72‧‧‧並聯表面聲波裝置
73‧‧‧串聯彈性波裝置
74‧‧‧並聯表面聲波裝置
75‧‧‧串聯彈性波裝置
78‧‧‧並聯表面聲波(SAW)諧振器
79‧‧‧串聯表面聲波(SAW)諧振器
80‧‧‧模組
82‧‧‧濾波器
83‧‧‧功率放大器
84‧‧‧開關/第一開關
85‧‧‧模組
86‧‧‧第二開關
90‧‧‧模組
92‧‧‧雙工器
93‧‧‧第二開關
94‧‧‧低雜訊放大器
100‧‧‧無線通信裝置
101‧‧‧天線
102‧‧‧RF前端
103‧‧‧濾波器
104‧‧‧RF收發器
105‧‧‧處理器
106‧‧‧記憶體
110‧‧‧串聯表面聲波(SAW)諧振器
111‧‧‧雙模式表面聲波(SAW)(DMS)諧振器
112‧‧‧雙模式表面聲波(SAW)(DMS)諧振器
113‧‧‧交指狀轉換器(IDT)電極
120‧‧‧RF系統
122‧‧‧高頻帶傳輸及接收模組
123‧‧‧功率放大器
124A‧‧‧雙工器
124B‧‧‧雙工器
125A‧‧‧低雜訊放大器
125B‧‧‧低雜訊放大器
126‧‧‧天線開關
132‧‧‧中頻帶傳輸及接收模組
133‧‧‧功率放大器
134A‧‧‧雙工器
134B‧‧‧雙工器
135A‧‧‧低雜訊放大器
135B‧‧‧低雜訊放大器
136‧‧‧天線開關
138‧‧‧三工器
139‧‧‧第一天線
140‧‧‧高頻道及中頻帶接收模組
141‧‧‧第二天線
142‧‧‧天線開關
143A‧‧‧接收濾波器
143B‧‧‧接收濾波器
143C‧‧‧接收濾波器
143D‧‧‧接收濾波器
144A‧‧‧低雜訊放大器
144B‧‧‧低雜訊放大器
144C‧‧‧低雜訊放大器
144D‧‧‧低雜訊放大器
C1‧‧‧第一電容器
C2‧‧‧第二電容器
C3‧‧‧第三電容器
C4‧‧‧第四電容器
COM‧‧‧共同埠
cap01‧‧‧電容器
cap02‧‧‧電容器
cap03‧‧‧電容器
cap04‧‧‧電容器
cap05‧‧‧電容器
h‧‧‧厚度
H1‧‧‧厚度
H2‧‧‧厚度
H3‧‧‧厚度
In‧‧‧輸入埠
L1‧‧‧交指狀轉換器(IDT)電極之間距
L1‧‧‧電感器
L2‧‧‧電感器
Out‧‧‧輸出埠
RX‧‧‧接收埠
TX‧‧‧傳輸埠
將參考隨附圖式藉由非限制性實例描述本發明之實施例。 圖1係根據一實施例之一彈性波裝置之一橫截面視圖。 圖2A至圖2E係包含矽基板上之鉭酸鋰壓電層之圖1之一彈性波裝置之模擬之圖表，其中改變鉭酸鋰壓電層之一厚度。圖2A係針對各種鉭酸鋰厚度及針對無矽基板之一對應裝置之一頻率回應之一圖表。圖2B係機電耦合係數對鉭酸鋰厚度之一圖表。圖2C係品質因數對鉭酸鋰厚度之一圖表。圖2D係優質數對鉭酸鋰厚度之一圖表。圖2E係速度對鉭酸鋰厚度之一圖表。 圖3A至圖3E係包含矽基板上之鉭酸鋰壓電層之圖1之一彈性波裝置之模擬之圖表，其中改變一交指狀轉換器電極之一厚度。圖3A係針對各種交指狀轉換器電極厚度及針對無矽基板之一對應裝置之一頻率回應之一圖表。圖3B係機電耦合係數對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。圖3C係品質因數對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。圖3D係優質數對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。圖3E係速度對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。 圖4A至圖4E係包含矽基板上之鉭酸鋰壓電層之圖1之一彈性波裝置之模擬之圖表，其中改變一切割角。圖4A係針對各種切割角及針對無矽基板之一對應裝置之一頻率回應之一圖表。圖4B係機電耦合係數對切割角之一圖表。圖4C係品質因數對切割角之一圖表。圖4D係優質數對切割角之一圖表。圖4E係速度對切割角之一圖表。 圖5A至圖5E係包含矽基板上之鈮酸鋰壓電層之圖1之一彈性波裝置之模擬之圖表，其中改變鈮酸鋰壓電層之一厚度。圖5A係針對各種鈮酸鋰厚度及針對無矽基板之一對應裝置之一頻率回應之一圖表。圖5B係機電耦合係數對鈮酸鋰厚度之一圖表。圖5C係品質因數對鈮酸鋰厚度之一圖表。圖5D係優質數對鈮酸鋰厚度之一圖表。圖5E係速度對鈮酸鋰厚度之一圖表。 圖6A至圖6E係包含矽基板上之鈮酸鋰壓電層之圖1之一彈性波裝置之模擬之圖表，其中改變一交指狀轉換器電極之一厚度。圖6A係針對各種交指狀轉換器電極厚度及針對無矽基板之一對應裝置之一頻率回應之一圖表。圖6B係機電耦合係數對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。圖6C係品質因數對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。圖6D係優質數對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。圖6E係速度對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。 圖7A至圖7E係包含矽基板上之鈮酸鋰壓電層之圖1之一彈性波裝置之模擬之圖表，其中改變一切割角。圖7A係針對各種切割角及針對無矽基板之一對應裝置之一頻率回應之一圖表。圖7B係機電耦合係數對切割角之一圖表。圖7C係品質因數對切割角之一圖表。圖7D係優質數對切割角之一圖表。圖7E係速度對切割角之一圖表。 圖8A至圖8F比較包含鉭酸鋰壓電層之圖1之一彈性波裝置之模擬結果與包含鈮酸鋰壓電層之圖1之一彈性波裝置之模擬結果。圖8A係機電耦合係數對壓電層厚度之一圖表。圖8B係機電耦合係數對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。圖8C係機電耦合係數對切割角之一圖表。圖8D係優質數對壓電層厚度之一圖表。圖8E係優質數對交指狀轉換器電極厚度之一圖表。圖8F係優質數對切割角之一圖表。 圖9係圖1之一彈性波裝置之相位速度對壓電層厚度之一圖表，該彈性波裝置具有在矽基板上之具有一42°切割角之一LT壓電層。 圖10係圖1之一彈性波裝置之k2 對壓電層厚度之一圖表，該彈性波裝置具有在矽基板上之具有一42°切割角之一LT壓電層。 圖11A係圖1之一彈性波裝置之品質因數對壓電層厚度之一圖表，該彈性波裝置具有在矽基板上之具有一42°切割角之一LT壓電層。圖11B係繪示可在圖1之一彈性波裝置之表面上捕獲波之一圖表，該彈性波裝置具有在矽基板上之具有一42°切割角之一LT壓電層。圖11C繪示針對不包含矽基板之一類似彈性波裝置，彈性波可洩漏至基板中。 圖12A至圖12D繪示具有矽基板上之一LT壓電層之圖1之一彈性波裝置之寄生模式。圖12A繪示針對0.05λ之鉭酸鋰厚度之一寄生模式。圖12B繪示針對0.75λ之鉭酸鋰厚度之一寄生模式。圖12C繪示針對0.25λ之鉭酸鋰厚度之一寄生模式。圖12D繪示針對1λ之鉭酸鋰厚度之一寄生模式。 圖13A至圖13C繪示針對LT層之各種厚度鋁IDT電極之厚度對具有矽基板上之一LT壓電層之圖1之一彈性波裝置之一影響。圖13A繪示IDT電極厚度對Q之一影響。圖13B繪示IDT電極厚度對相位速度(Vp)之一影響。圖13C繪示IDT電極厚度對k2 之一影響。 圖14A繪示針對具有鈮酸鋰基板之一彈性波裝置之正規化平均表面位移fp。圖14B繪示針對具有矽基板上之鈮酸鋰基板之圖1之一彈性波裝置之正規化平均表面位移fp。 圖15A至圖15D係針對LN層之厚度及各種參數之具有矽基板上之一LN壓電層之圖1之一彈性波裝置之模擬之圖表。圖15A繪示依據LN層之厚度而變化之k2 。圖15B繪示依據LN層之厚度而變化之Qp。圖15C繪示依據LN層之厚度而變化之Qs。圖15D繪示依據LN層之厚度而變化之v0 。 圖16A至圖16K係針對LN壓電層之各種切割角之具有矽基板上之一LN壓電層之圖1之一彈性波裝置之頻率導納之圖表。圖16A對應於-30°之一切割角。圖16B對應於-20°之一切割角。圖16C對應於-10°之一切割角。圖16D對應於0°之一切割角。圖16E對應於10°之一切割角。圖16F對應於20°之一切割角。圖16G對應於30°之一切割角。圖16H對應於40°之一切割角。圖16I對應於50°之一切割角。圖16J對應於60°之一切割角。圖16K對應於70°之一切割角。 圖17A係針對具有係矽基板之一高速度層之圖1之一彈性波裝置之某些切割角之k2 之一圖表。 圖17B係針對具有係矽基板之一高速度層之圖1之一彈性波裝置之某些切割角之v0 之一圖表。 圖18A至圖18C係針對圖1之一彈性波裝置之模擬之圖表，該彈性波裝置具有在矽基板上之具有一128°切割角之一LN壓電層。圖18A繪示針對具有0.7λ之一厚度之一LN層之一頻率回應。圖18B繪示針對具有1λ之一厚度之一LN層之一頻率回應。圖18C繪示針對具有一理論上無限厚度之一LN層之一頻率回應。 圖19係依據壓電層之厚度而變化之圖1之彈性波裝置之速度之一圖表。 圖20A及圖20B係針對矽基板上之某些壓電層之依據圖1之一彈性波裝置之壓電層之厚度而變化之Q之模擬之圖表。圖20A係依據某些壓電層之厚度而變化之Qs之一圖表。圖20B係依據某些壓電層之厚度而變化之Qp之一圖表。 圖21係根據一實施例之一彈性波裝置之一橫截面視圖。 圖22A係針對圖21之彈性波裝置之二氧化矽層之各種厚度之依據42LT厚度而變化之k2 之一圖表。 圖22B係針對圖21之彈性波裝置之二氧化矽層之各種厚度之依據42LT厚度而變化之vP-OPEN 之一圖表。 圖23A繪示針對圖21之彈性波裝置之各種二氧化矽層厚度之Qs與42LT厚度之間之一關係。 圖23B繪示針對圖21之彈性波裝置之各種二氧化矽層厚度之Qp與42LT厚度之間之一關係。 圖24A及圖24B繪示圖21之彈性波裝置之(1)二氧化矽層之TCF與厚度之間及(2)二氧化矽層之k2 與厚度之間之關係。圖24A對應於具有0.25λ之一厚度之42LT。圖24B對應於具有0.5λ之一厚度之42LT。 圖25A至圖25C繪示針對圖21之彈性波裝置之各種42LT及二氧化矽厚度之頻率回應中之寄生模式。圖25A展示針對具有0.15λ之一厚度之一42LT層及0.2λ之二氧化矽厚度之一相對乾淨頻率回應。圖25B展示當42LT層具有小於0.03λ之一厚度時一通帶中之一瑞利(Rayleigh)波。圖25C展示當42LT層具有大於0.8λ之一厚度時一通帶中之一板波。 圖26A係針對圖21之彈性波裝置之Vo之一等高線圖。圖26B係針對圖21之彈性波裝置之k2 之一等高線圖。 圖27A係針對圖21之彈性波裝置之Qs之一等高線圖。圖27B係針對圖21之彈性波裝置之Qp之一等高線圖。 圖28A係針對圖21之彈性波裝置之Qavg之一等高線圖。圖28B係針對圖21之彈性波裝置之FOM之一等高線圖。 圖29A至圖29D繪示針對圖21之彈性波裝置中之42LT及5LN壓電層被侷限於壓電層之表面之位移而在無一高速度層及一溫度補償層之類似彈性裝置中位移未被如此侷限於表面。圖29A繪示具有一42LT基板之一彈性波裝置中之位移。圖29B繪示具有一42LT壓電層、二氧化矽溫度補償層及一高速度層(其係矽基板)之圖21之一彈性波裝置中之位移。圖29C繪示具有一5LN基板之一彈性波裝置中之位移。圖29D繪示具有一5LN壓電層、二氧化矽溫度補償層及一高速度層(其係矽基板)之圖21之一彈性波裝置中之位移。 圖30A係針對圖21之彈性波裝置之二氧化矽層之各種厚度之依據5LN厚度而變化之k2 之一圖表。 圖30B係針對圖21之彈性波裝置之二氧化矽層之各種厚度之依據5LN厚度而變化之vP-OPEN 之一圖表。 圖31A繪示針對圖21之彈性波裝置之各種二氧化矽層厚度之Qs與5LN厚度之間之一關係。圖31B繪示針對圖21之彈性波裝置之各種二氧化矽層厚度之Qp與5LN厚度之間之一關係。 圖32A及圖32B繪示(1)二氧化矽層之TCF與厚度之間及(2)二氧化矽層之k2 與厚度之間之關係。圖32A對應於具有0.25λ之一厚度之一5LN。圖32B對應於具有0.5λ之一厚度之一5LN。 圖33A至圖33C繪示針對各種5LN彈性波裝置之頻率回應中之寄生模式。圖33A係關於具有一LN層(其係0.25λ厚)之5LN/Si彈性波裝置。圖33B係關於具有一LN層(其係1λ厚)之5LN/Si彈性波裝置。圖33C係關於一5LN/SiO2 /Si彈性波裝置。 圖34A係針對圖21之彈性波裝置之Vo之一等高線圖。圖34B係針對圖21之彈性波裝置之k2 之一等高線圖。 圖35A係針對圖21之彈性波裝置之Qs之一等高線圖。圖35B係針對圖21之彈性波裝置之Qp之一等高線圖。 圖36A係針對圖21之彈性波裝置之Qavg之一等高線圖。圖36B係針對圖21之彈性波裝置之FOM之一等高線圖。 圖37A至圖37F係比較二氧化矽層處於各種位置中之彈性波裝置之各種參數之圖表。圖37A係依據壓電層高度而變化之Vo之一圖表。圖37B係依據壓電層高度而變化之k2 之一圖表。圖37C係依據壓電層高度而變化之Qs之一圖表。圖37D係依據壓電層高度而變化之Qp之一圖表。圖37E係依據壓電層高度而變化之Qavg之一圖表。圖37F係依據壓電層高度而變化之FOM之一圖表。 圖38A係依據圖21之一彈性波裝置中之一LN層之一切割角而變化之k2 之圖表，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電，其中二氧化矽層安置於矽基板與LN壓電之間。 圖38B係依據圖21之一彈性波裝置中之一LN層之一切割角而變化之vP-OPEN 之圖表，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電，其中二氧化矽層安置於矽基板與LN壓電之間。 圖38C係依據圖21之一彈性波裝置中之一LN層之一切割角而變化之Qs之圖表，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電，其中二氧化矽層安置於矽基板與LN壓電之間。 圖38D係依據圖21之一彈性波裝置中之一LN層之一切割角而變化之Qp之圖表，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電，其中二氧化矽層安置於矽基板與LN壓電之間。 圖39A至圖39L繪示針對圖21之一彈性波裝置之LN之各種切割角之頻率導納，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電，其中二氧化矽層安置於矽基板與LN壓電之間。圖39A對應於-30°之一切割角。圖39B對應於-20°之一切割角。圖39C對應於-10°之一切割角。圖39D對應於0°之一切割角。圖39E對應於10°之一切割角。圖39F對應於20°之一切割角。圖39G對應於30°之一切割角。圖39H對應於40°之一切割角。圖39I對應於50°之一切割角。圖39J對應於60°之一切割角。圖39K對應於70°之一切割角。圖39L對應於80°之一切割角。 圖40係根據一實施例之一彈性波裝置之一橫截面視圖。 圖41A及圖41B係具有鈮酸鋰壓電層、高速度層及IDT電極上方之一介電層之圖40之一彈性波裝置之模擬之圖表。圖41A係針對介電層之各種厚度之依據LN厚度而變化之k2 之一圖表。圖41B係針對介電層之各種厚度之依據LN厚度而變化之速度溫度係數(TCV)之一圖表。 圖42A至圖42D係包含矽基板上之一LN壓電層上方之二氧化矽之圖40之一彈性波裝置之模擬之圖表。圖42A對應於具有0°之一切割角之LN。圖42B對應於具有10°之一切割角之LN。圖42C對應於具有20°之一切割角之LN。圖42D對應於具有30°之一切割角之LN。 圖43A及圖43B繪示針對具有一5LN壓電層之圖40之一彈性波裝置 (1)二氧化矽層之TCF與厚度之間及(2)二氧化矽層之k2 與厚度之間之關係。圖43A對應於具有0.25λ之一厚度之一5LN壓電層。圖43B對應於具有0.5λ之一厚度之一5LN壓電層。 圖44A係針對圖40之一彈性波裝置之二氧化矽層之各種厚度之依據5LN厚度而變化之k2 之一圖表。圖44B係針對圖40之一彈性波裝置之二氧化矽層之各種厚度之依據5LN厚度而變化之vP-OPEN 之一圖表。 圖45A繪示針對圖40之一彈性波裝置之各種二氧化矽層厚度之Qs與5LN厚度之間之一關係。圖45B繪示針對圖40之一彈性波裝置之各種二氧化矽層厚度之Qp與5LN厚度之間之一關係。 圖46A及圖46B繪示針對具有一42LN壓電層之圖40之一彈性波裝置 (1)二氧化矽層之TCF與厚度之間及(2)二氧化矽層之k2 與厚度之間之關係。圖46A對應於具有0.25λ之一厚度之一42LT壓電層。圖46B對應於具有0.5λ之一厚度之一42LT壓電層。 圖47A係針對圖40之一彈性波裝置之二氧化矽層之各種厚度之依據42LT厚度而變化之k2 之一圖表。圖47B係針對圖40之一彈性波裝置之二氧化矽層之各種厚度之依據42LT厚度而變化之vP-OPEN 之一圖表。 圖48A繪示針對圖40之一彈性波裝置之各種二氧化矽層厚度之Qs與42LT厚度之間之一關係。圖48B繪示針對圖40之一彈性波裝置之各種二氧化矽層厚度之Qp與42LT厚度之間之一關係。 圖49A係依據圖40之一彈性波裝置中之一LN層之一切割角而變化之k2 之圖表，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電層上方之二氧化矽層。 圖49B係依據圖40之一彈性波裝置中之一LN層之一切割角而變化之vP-OPEN 之圖表，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電層上方之二氧化矽層。 圖49C係依據圖40之一彈性波裝置中之一LN層之一切割角而變化之Qs之圖表，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電層上方之二氧化矽層。 圖49D係依據圖40之一彈性波裝置中之一LN層之一切割角而變化之Qp之圖表，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電層上方之二氧化矽層。 圖50A至圖50L繪示針對圖40之一彈性波裝置中之LN之各種切割角之頻率導納，該彈性波裝置包含矽基板上之一LN壓電層上方之二氧化矽層。圖50A對應於-30°之一切割角。圖50B對應於-20°之一切割角。圖50C對應於-10°之一切割角。圖50D對應於0°之一切割角。圖50E對應於10°之一切割角。圖50F對應於20°之一切割角。圖50G對應於30°之一切割角。圖50H對應於40°之一切割角。圖50I對應於50°之一切割角。圖50J對應於60°之一切割角。圖50K對應於70°之一切割角。圖50L對應於80°之一切割角。 圖51係圖40之彈性波裝置之一平面視圖。 圖52係根據另一實施例之一彈性波裝置之一橫截面視圖。 圖53A係包含根據一或多項實施例之一彈性波裝置之一濾波器之一示意圖。 圖53B係包含根據一或多項實施例之一彈性波裝置之另一濾波器之一示意圖。 圖53C係包含根據一或多項實施例之一彈性波裝置之另一濾波器之一示意圖。 圖53D係包含根據一或多項實施例之一彈性波裝置之另一濾波器之一示意圖。 圖54A係包含根據一或多項實施例之一彈性波裝置之一雙工器之一示意圖。 圖54B係包含根據一或多項實施例之一彈性波裝置之另一雙工器之一示意圖。 圖54C係包含根據一或多項實施例之一彈性波裝置之另一雙工器之一示意圖。 圖55係包含一功率放大器、一開關及一濾波器之一模組之一示意性方塊圖，該濾波器包含根據一或多項實施例之一彈性波。 圖56係包含一功率放大器、開關及一濾波器之一模組之一示意性方塊圖，該濾波器包含根據一或多項實施例之一彈性波。 圖57係包含一功率放大器、一開關及一雙工器之一模組之一示意性方塊圖，該雙工器包含根據一或多項實施例之一彈性波。 圖58係包含具有根據一或多項實施例之一彈性波裝置之一濾波器之一無線通信裝置之一示意性方塊圖。 圖59係包含具有根據一或多項實施例之一彈性波裝置之一濾波器之一射頻系統之一示意圖。

Claims (40)

  1. 一種彈性波裝置，其包括： 一壓電層，其具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角； 一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上，該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波，該交指狀轉換器電極具有在自0.02λ至0.1λ之一第一厚度範圍中之一厚度，且該壓電層具有小於λ之一厚度；及 一高速度層，其具有高於該彈性波之一速度之一整體速度且經組態以抑制該彈性波在反諧振下自該壓電層洩漏。
  2. 如請求項1之彈性波裝置，其進一步包括安置於該高速度層與該壓電層之間之一溫度補償層。
  3. 如請求項1之彈性波裝置，其中該高速度層係矽層。
  4. 如請求項1之彈性波裝置，其中該壓電層包含鈮酸鋰層。
  5. 如請求項1之彈性波裝置，其中該壓電層包含鉭酸鋰層。
  6. 如請求項1之彈性波裝置，其中該交指狀轉換器電極之該厚度在0.05λ與0.1λ之間。
  7. 如請求項1之彈性波裝置，其中該切割角在自15°至35°之一範圍中。
  8. 如請求項1之彈性波裝置，其中該壓電層之該厚度在自0.35λ至0.8λ之一第二厚度範圍中。
  9. 如請求項1之彈性波裝置，其中該交指狀轉換器電極包含鋁。
  10. 如請求項1之彈性波裝置，其中該高速度層結合至該壓電層且與該壓電層實體接觸。
  11. 一種彈性波裝置，其包括： 鈮酸鋰層，其具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角； 一交指狀轉換器電極，其在該鈮酸鋰層上，該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波，且該鈮酸鋰層具有在自0.35λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度； 一高速度層，其具有高於該彈性波之一速度之一整體速度，該高速度層經組態以抑制該彈性波在反諧振下自該鈮酸鋰層洩漏；及 一溫度補償層，其安置於該高速度層與該鈮酸鋰層之間，該溫度補償層具有一正頻率溫度係數，該彈性波裝置經配置以便具有至少26%之一機電耦合係數。
  12. 如請求項11之彈性波裝置，其中該溫度補償層係二氧化矽層。
  13. 如請求項11之彈性波裝置，其中該溫度補償層具有小於0.5λ之一厚度。
  14. 如請求項11之彈性波裝置，其中該切割角在自-10°至30°之一範圍中。
  15. 一種彈性波裝置，其包括： 鉭酸鋰層，其具有在自-10°至50°之一切割角範圍中之一切割角； 一交指狀轉換器電極，其在該鉭酸鋰層上，該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波，且該鉭酸鋰層具有小於λ之一厚度； 一高速度層，其具有高於該彈性波之一速度之一整體速度，該高速度層經組態以抑制該彈性波在反諧振下自該鉭酸鋰層洩漏；及 一溫度補償層，其安置於該高速度層與該鉭酸鋰層之間，該溫度補償層具有一正頻率溫度係數。
  16. 如請求項15之彈性波裝置，其中該溫度補償層係二氧化矽層。
  17. 如請求項15之彈性波裝置，其中該溫度補償層具有小於0.5λ之一厚度。
  18. 如請求項15之彈性波裝置，其中該交指狀轉換器電極具有在自0.02λ至0.1λ之一第二厚度範圍中之一厚度。
  19. 如請求項15之彈性波裝置，其中該切割角在自-10°至30°之一範圍中。
  20. 如請求項15之彈性波裝置，其中該鉭酸鋰層之該厚度在自0.25λ至0.8λ之一厚度範圍中。
  21. 一種彈性波裝置，其包括： 一壓電層，其具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角； 一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上，該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波，且該壓電層具有在自0.35λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度；及 一高速度層，其與該壓電層實體接觸，該高速度層具有高於該彈性波之一速度之一整體速度。
  22. 如請求項21之彈性波裝置，其中該壓電層包含鈮酸鋰層。
  23. 如請求項21之彈性波裝置，其中該壓電層包含鉭酸鋰層。
  24. 如請求項21之彈性波裝置，其中該高速度層係矽層。
  25. 如請求項21之彈性波裝置，其中該切割角在自-10°至30°之一範圍中。
  26. 如請求項21之彈性波裝置，其中該交指狀轉換器電極具有在自0.02λ至0.1λ之一第二厚度範圍中之一厚度。
  27. 如請求項21之彈性波裝置，其進一步包括具有一正頻率溫度係數之一溫度補償層，該交指狀轉換器電極安置於該溫度補償層與該壓電層之間。
  28. 如請求項27之彈性波裝置，其中該溫度補償層具有小於0.5λ之一厚度。
  29. 一種彈性波裝置，其包括： 鈮酸鋰層，其具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角； 一交指狀轉換器電極，其在該鈮酸鋰層上，該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波，且該鈮酸鋰層具有在自0.35λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度；及 矽基板，其與該鈮酸鋰層實體接觸。
  30. 如請求項29之彈性波裝置，其中該切割角在自15°至35°之一範圍中。
  31. 如請求項29之彈性波裝置，其中該鈮酸鋰層之該厚度在自0.4λ至0.75λ之一範圍中。
  32. 如請求項29之彈性波裝置，其中該交指狀轉換器電極具有在自0.02λ至0.1λ之一第二厚度範圍中之一厚度。
  33. 如請求項29之彈性波裝置，其進一步包括具有一正頻率溫度係數之一溫度補償層，該交指狀轉換器電極安置於該溫度補償層與該壓電層之間。
  34. 一種彈性波裝置，其包括： 一壓電層，其具有在自-10°至60°之一切割角範圍中之一切割角； 一交指狀轉換器電極，其在該壓電層上，該交指狀轉換器電極經組態以產生具有λ之一波長之一彈性波，且該壓電層具有在自0.25λ至0.8λ之一厚度範圍中之一厚度； 矽層，其經組態以抑制該彈性波在反諧振下自該壓電層洩漏，該壓電層安置於該矽層與該交指狀轉換器電極之間；及 一溫度補償層，其具有一正頻率溫度係數，交指狀轉換器電極安置於該溫度補償層與該壓電層之間。
  35. 如請求項34之彈性波裝置，其中該溫度補償層具有小於0.5λ之一厚度。
  36. 如請求項34之彈性波裝置，其中該溫度補償層包含二氧化矽。
  37. 如請求項34之彈性波裝置，其中該切割角在15°與35°之間。
  38. 如請求項34之彈性波裝置，其中該交指狀轉換器電極具有在0.02λ與0.1λ之間之一厚度。
  39. 如請求項34之彈性波裝置，其中該壓電層係鈮酸鋰層。
  40. 如請求項34之彈性波裝置，其中該矽層與該壓電層實體接觸。
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