TW201826012A - 光罩基底、轉印用遮罩、轉印用遮罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

光罩基底、轉印用遮罩、轉印用遮罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種光罩基底，其即便於利用SiN系材料形成用以形成轉印圖案之薄膜之情形時，EB缺陷修正之修正速率亦充分快，相對於EB缺陷修正之與透光性基板之間之修正速率比亦充分高。 本發明之光罩基底之特徵在於：其係於透光性基板上具備由含有矽及氮之材料所形成之用以形成轉印圖案之薄膜者，且於對薄膜之除附近區域及表層區域以外之區域即內部區域之複數個測定部位進行X射線光電子光譜分析，取得Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av，且對透光性基板之複數個測定部位進行X射線光電子光譜分析，取得Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av時，(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)為1.08以上。

Description

光罩基底、轉印用遮罩、轉印用遮罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種光罩基底、使用該光罩基底製造之轉印用遮罩及其製造方法。又，本發明係關於一種使用上述轉印用遮罩之半導體裝置之製造方法。
於半導體裝置之製造步驟中，使用光微影法進行微細圖案之形成。又，該微細圖案之形成通常使用若干片轉印用遮罩。於將半導體裝置之圖案微細化時，除形成於轉印用遮罩之遮罩圖案之微細化以外，亦必須使光微影所使用之曝光光源之波長短波長化。近年來，於製造半導體裝置時之曝光光源應用ArF準分子雷射(波長193 nm)之情況增多。 作為轉印用遮罩之一種，有半色調型相位偏移遮罩。於半色調型相位偏移遮罩之相位偏移膜，廣泛使用矽化鉬(MoSi)系材料。但是，如專利文獻1所揭示，近年判明MoSi系膜對ArF準分子雷射之曝光之光之耐受性(所謂ArF耐光性)較低。於專利文獻1中，藉由對形成圖案後之MoSi系膜進行電漿處理、UV(ultraviolet，紫外線)照射處理、或加熱處理，於MoSi系膜之圖案之表面形成鈍態膜而提高ArF耐光性。 於專利文獻2中揭示有一種具備SiNx之相位偏移膜之相位偏移遮罩，於專利文獻3中記載有確認到SiNx之相位偏移膜具有較高之ArF耐光性。另一方面，於專利文獻4中揭示有藉由一面對遮光膜之黑缺陷部分供給二氟化氙(XeF2 )氣體，一面對該部分照射電子束而將黑缺陷部蝕刻去除之缺陷修正技術(以下，將此種照射電子束等帶電粒子而進行之缺陷修正簡稱為EB缺陷修正)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-217514號公報 [專利文獻2]日本專利特開平8-220731號公報 [專利文獻3]日本專利特開2014-137388號公報 [專利文獻4]日本專利特表2004-537758號公報
[發明所欲解決之問題] 於在自光罩基底製造轉印用遮罩時進行之遮罩缺陷檢查中於薄膜圖案檢測出黑缺陷之情形時，對該黑缺陷部分進行修正。近年來，於該黑缺陷部分之修正使用專利文獻4所揭示之EB缺陷修正之情況增多。EB缺陷修正為如下技術，即，藉由一面將XeF2 等非激發狀態之氟系氣體供給至薄膜圖案之黑缺陷部分，一面對該黑缺陷部分照射電子束，使該黑缺陷部分變化為揮發性氟化物而自薄膜圖案去除。 但是，於該EB缺陷修正中，不易僅對黑缺陷部分照射電子束，亦難以僅對黑缺陷部分供給非激發狀態之氟系氣體。於進行過EB缺陷修正時，黑缺陷部分附近之透光性基板之表面相對較容易受到EB缺陷修正之影響。因此，於透光性基板與薄膜圖案之間需要相對於EB缺陷修正之充分之修正速率比。 SiN系材料之薄膜與MoSi系材料之薄膜相比，組成接近於由玻璃材料所形成之透光性基板。因此，SiN系材料之薄膜不易提高相對於EB缺陷修正之與透光性基板之間之修正速率比。相位偏移膜必須兼具使曝光之光以特定之透過率透過之功能、及使透過該相位偏移膜之曝光之光、與以和該相位偏移膜之厚度相同之距離通過空氣中之曝光之光之間產生特定之相位差的功能。進而，較理想為以更薄之厚度實現此種兼具兩種功能之相位偏移膜。包含Si之薄膜對曝光之光之折射率n較小，為了於該薄膜產生特定之相位差，必須大幅地增加薄膜之厚度。SiN系材料之薄膜有折射率n隨著含氮量變多而變大之傾向。根據此種情況，於利用SiN系材料形成相位偏移膜之情形時，必須含有較多氮。然而，含氮量較多之SiN系材料之薄膜存在如下問題：EB缺陷修正之修正速率大幅地變慢，於EB缺陷修正時容易發生透光性基板之表面之刻蝕。 另一方面，要求二元遮罩之遮光膜對曝光之光之反射率為特定以下。於利用SiN系材料形成對曝光之光之反射率較低之遮光膜之情形時，至少必須增多表層之含氮量。又，含氮量較少之SiN系材料有相對較容易被非激發狀態之氟系氣體蝕刻之傾向。於對利用此種含氮量較少之SiN系材料所形成之遮光膜圖案進行EB缺陷修正之情形時，有未照射電子束之遮光膜圖案之側壁被非激發狀態之氟系氣體蝕刻之虞。因此，即便於SiN系材料之遮光膜之情形時，亦必須含有特定量以上之氮。根據此種情況，即便於二元遮罩之情形時，若利用SiN系材料形成遮光膜，則EB缺陷修正之修正速率亦較慢，於EB缺陷修正時透光性基板之表面之刻蝕亦相對較容易推進，因此存在問題。 因此，本發明係為了解決先前之問題而完成者，其目的在於提供一種光罩基底，其係於透光性基板上具備用以形成轉印圖案之薄膜者，即便於利用含有矽及氮之材料形成該薄膜之情形時，EB缺陷修正之修正速率亦充分快，且相對於EB缺陷修正之與透光性基板之間之修正速率比亦充分高。又，本發明之目的在於提供一種使用該光罩基底之轉印用遮罩及其製造方法。而且，本發明之目的在於提供一種使用此種轉印用遮罩之半導體裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述問題，本發明具有以下之構成。 (構成1) 一種光罩基底，其特徵在於： 其係於透光性基板上具備用以形成轉印圖案之薄膜者，且 上述薄膜係由含有矽及氮之材料所形成， 於對上述薄膜之除與上述透光性基板之界面之附近區域及與上述透光性基板為相反側之表層區域以外之區域即內部區域，於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述內部區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av，且對上述透光性基板於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述透光性基板之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av時，將上述薄膜之上述平均值PSi_fi_av除以上述透光性基板之上述平均值PSi_sb_av所得之數值(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)為1.08以上。 (構成2) 如構成1所記載之光罩基底，其特徵在於：於對上述表層區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述表層區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fs，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_fs之平均值PSi_fs_av時，將上述表層區域之上述平均值PSi_fs_av除以上述透光性基板之上述平均值PSi_sb_av所得之數值(PSi_fs_av)/(PSi_sb_av)為1.05以上。 (構成3) 如構成1或2所記載之光罩基底，其特徵在於：於對上述表層區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述表層區域之複數個測定部位之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fs，並取得上述分別取得之最大峰值PN_fs之平均值PN_fs_av，且對上述內部區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述內部區域之複數個測定部位之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fi，並取得上述分別取得之最大峰值PN_fi之平均值PN_fi_av時，將上述表層區域之上述平均值PN_fs_av除以上述薄膜之上述平均值PN_fi_av所得之數值(PN_fs_av)/(PN_fi_av)為0.98以下。 (構成4) 如構成1至3中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於：上述內部區域之含氮量為50原子%以上。 (構成5) 如構成1至4中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於：上述表層區域之含氧量多於上述內部區域。 (構成6) 如構成1至5中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於：上述Si2p窄譜中之光電子強度之最大峰值係於鍵結能為96[eV]以上且106[eV]以下之範圍之最大峰值。 (構成7) 如構成3所記載之光罩基底，其特徵在於：於上述N1s窄譜中之光電子強度之最大峰值係於鍵結能為392[eV]以上且402[eV]以下之範圍之最大峰值。 (構成8) 如構成1至7中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於：於上述X射線光電子光譜分析中對上述薄膜照射之X射線為AlKα射線。 (構成9) 如構成1至8中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於：上述表層區域係遍及上述薄膜之自與上述透光性基板為相反側之表面向上述透光性基板側至10 nm之深度為止之範圍的區域。 (構成10) 如構成1至9中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於：上述附近區域係遍及自與上述透光性基板之界面向上述表層區域側至10 nm之深度為止之範圍的區域。 (構成11) 如構成1至10中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於：上述薄膜為相位偏移膜。 (構成12) 如構成11所記載之光罩基底，其特徵在於：上述相位偏移膜具有使ArF準分子雷射之曝光之光以10%以上之透過率透過之功能、及使透過上述相位偏移膜之上述曝光之光、與於空氣中通過與上述相位偏移膜之厚度相同之距離之上述曝光之光之間產生150度以上且200度以下之相位差的功能。 (構成13) 一種轉印用遮罩之製造方法，其特徵在於：其係使用如構成1至12中任一項所記載之光罩基底者，且具備藉由乾式蝕刻於上述薄膜形成轉印圖案之步驟。 (構成14) 一種轉印用遮罩，其特徵在於： 其係於透光性基板上具備具有轉印圖案之薄膜者，且 上述薄膜係由含有矽及氮之材料所形成， 於對上述薄膜之除與上述透光性基板之界面之附近區域及與上述透光性基板為相反側之表層區域以外之區域即內部區域，於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述內部區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av，且對上述透光性基板於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述透光性基板之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av時，將上述薄膜之上述平均值PSi_fi_av除以上述透光性基板之上述平均值PSi_sb_av所得之數值(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)為1.08以上。 (構成15) 如構成14所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：於對上述表層區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述表層區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fs，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_fs之平均值PSi_fs_av時，將上述表層區域之上述平均值PSi_fs_av除以上述透光性基板之上述平均值PSi_sb_av所得之數值(PSi_fs_av)/(PSi_sb_av)為1.05以上。 (構成16) 如構成14或15所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：於對上述表層區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述表層區域之複數個測定部位之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fs，並取得上述分別取得之最大峰值PN_fs之平均值PN_fs_av，且對上述內部區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述內部區域之複數個測定部位之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fi，並取得上述分別取得之最大峰值PN_fi之平均值PN_fi_av時，將上述表層區域之上述平均值PN_fs_av除以上述薄膜之上述平均值PN_fi_av所得之數值(PN_fs_av)/(PN_fi_av)為0.98以下。 (構成17) 如構成14至16中任一項所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：上述內部區域之含氮量為50原子%以上。 (構成18) 如構成14至17中任一項所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：上述表層區域之含氧量多於上述內部區域。 (構成19) 如構成14至18中任一項所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：上述Si2p窄譜中之光電子強度之最大峰值係於鍵結能為96[eV]以上且106[eV]以下之範圍之最大峰值。 (構成20) 如構成16所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：於上述N1s窄譜中之光電子強度之最大峰值係於鍵結能為392[eV]以上且402[eV]以下之範圍之最大峰值。 (構成21) 如構成14至20中任一項所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：於上述X射線光電子光譜分析中對上述薄膜照射之X射線為AlKα射線。 (構成22) 如構成14至21中任一項所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：上述表層區域係遍及上述薄膜之自與上述透光性基板為相反側之表面向上述透光性基板側至10 nm之深度為止之範圍的區域。 (構成23) 如構成14至22中任一項所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：上述附近區域係遍及自與上述透光性基板之界面向上述表層區域側至10 nm之深度為止之範圍的區域。 (構成24) 如構成14至23中任一項所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：上述薄膜為相位偏移膜。 (構成25) 如構成24所記載之轉印用遮罩，其特徵在於：上述相位偏移膜具有使ArF準分子雷射之曝光之光以10%以上之透過率透過之功能、及使透過上述相位偏移膜之上述曝光之光、與於空氣中通過與上述相位偏移膜之厚度相同之距離之上述曝光之光之間產生150度以上且200度以下之相位差的功能。 (構成26) 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具備如下步驟：使用藉由如構成13所記載之轉印用遮罩之製造方法所製造之轉印用遮罩，將轉印圖案曝光轉印至半導體基板上之抗蝕膜。 (構成27) 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具備如下步驟：使用如構成14至25中任一項所記載之轉印用遮罩，將轉印圖案曝光轉印至半導體基板上之抗蝕膜。 [發明之效果] 本發明之光罩基底之特徵在於：於透光性基板上具備用以形成轉印圖案之薄膜，該薄膜係由含有矽及氮之材料所形成，於對該薄膜之除與透光性基板之界面之附近區域及與透光性基板為相反側之表層區域以外之區域即內部區域，於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而取得內部區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi與最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av，對透光性基板於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而取得透光性基板之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb與最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av時，(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)為1.08以上。藉由製成此種構造之光罩基底，可加快薄膜之對於EB缺陷修正之修正速率，可提高薄膜與透光性基板之間之相對於EB缺陷修正之修正速率比。 又，本發明之轉印用遮罩及其製造方法之特徵在於：於轉印用遮罩中具有轉印圖案之薄膜設為與上述本發明之光罩基底之薄膜相同之構成。藉由製成此種轉印用遮罩，即便於在該轉印用遮罩之製造過程中對薄膜圖案之黑缺陷部分進行EB缺陷修正之情形時，亦可抑制黑缺陷附近之透光性基板之表面被過度地刻蝕。因此，藉由本發明之轉印用遮罩及其製造方法所製造之轉印用遮罩成為轉印精度較高之轉印用遮罩。
首先，敍述至完成本發明之經過。本發明者等人對利用SiN系材料、尤其含氮量為50原子%以上之高氮化之SiN系材料形成光罩基底之薄膜之情形時加快EB缺陷修正之修正速率之方法進行了銳意研究。 EB缺陷修正所使用之XeF2 氣體係作為對矽系材料進行各向同性蝕刻時之非激發狀態之蝕刻氣體而為人所知。該蝕刻係以非激發狀態之XeF2 氣體向矽系材料之表面吸附、分離為Xe與F、矽之高次氟化物之生成、揮發之製程進行。於對矽系材料之薄膜圖案之EB缺陷修正中，對薄膜圖案之黑缺陷部分供給XeF2 氣體等非激發狀態之氟系氣體，使該氟系氣體吸附於黑缺陷部分之表面，其後對黑缺陷部分照射電子束。藉此，黑缺陷部分之矽原子被激發而促進與氟之鍵結，較未照射電子束之情形大幅地加快成為矽之高次氟化物而揮發。由於難以不使氟系氣體吸附至黑缺陷部分周圍之薄膜圖案，故而於EB缺陷修正時黑缺陷部分周圍之薄膜圖案亦被蝕刻。因此，重要的是大幅地加快相對於EB缺陷修正之黑缺陷部分之蝕刻速率(修正速率)，且儘可能地增大該修正速率與對於非激發狀態之氟系氣體之除黑缺陷部分以外之薄膜圖案之蝕刻速率(非激發氣體蝕刻速率)的差。 但是，於對SiN系材料之薄膜圖案進行EB缺陷修正之情形時，即便對黑缺陷部分照射電子束，亦難以大幅地加快於黑缺陷部分生成矽之高次氟化物之速度(修正速率)。藉由大幅地減少SiN系材料之薄膜圖案之含氮量，可加快黑缺陷部分之修正速率，但會大幅地限制薄膜圖案之光學特性之自由度，因此並未解決該問題。又，於大幅地減少SiN系材料之薄膜中之含氮量之情形時，薄膜圖案之非激發氣體蝕刻速率亦變快，與黑缺陷部分之修正速率之差幾乎未變大。 另一方面，於對薄膜圖案進行EB缺陷修正時，於藉由於利用乾式蝕刻製作薄膜圖案時去除薄膜而露出之透光性基板之表面亦會吸附非激發狀態之氟系氣體。又，難以僅對黑缺陷部分照射電子束，對其附近之露出之透光性基板之表面亦會照射到電子束。一般而言，轉印用遮罩之透光性基板係由合成石英等以矽及氧作為主成分之玻璃材料形成。玻璃材料對針對非激發狀態之氟系氣體之蝕刻速率(非激發氣體蝕刻速率)之耐受性較高。但是，若薄膜圖案之黑缺陷部分之修正速率較慢，則吸附有非激發狀態之氟系氣體之透光性基板之表面會長時間受到電子束之照射。於透光性基板內之矽中亦局部地存在有與其他元素之鍵結相對較弱之矽。該等矽若受到長時間之電子束之照射則會被激發，生成矽之高次氟化物而揮發(被蝕刻)。若發生此種透光性基板之表面之局部蝕刻，則於該表面形成凹凸，EB缺陷修正後之轉印用遮罩之轉印性能大幅地降低。 本發明者等人進行銳意研究，結果想到，若將SiN系材料中於照射電子束時容易激發矽之SiN系材料用於薄膜圖案，則是否可進一步加快黑缺陷部分之修正速率，並且抑制薄膜圖案之非激發氣體蝕刻速率。SiN系材料之薄膜之黑缺陷部分之修正速率與薄膜圖案之非激發氣體蝕刻速率根據薄膜中之含氮量而變動。又，因薄膜中之含氮量所產生之黑缺陷部分之修正速率之變動之傾向與薄膜圖案之非激發氣體蝕刻速率之變動之傾向並非完全相同。若於透光性基板上形成SiN系材料之薄膜，於該薄膜形成包含黑缺陷部分之圖案，且不進一步嘗試進行EB缺陷修正，則難以判斷該薄膜之黑缺陷部分之修正速率與薄膜圖案之非激發氣體蝕刻速率之差是否充分。 本發明者等人想到對SiN系材料之薄膜受到電子束之照射時，該薄膜中之矽是否為容易被激發之狀態之指標，應用X射線光電子光譜分析(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)。首先，研究對SiN系材料之薄膜進行X射線光電子光譜分析而取得Si2p窄譜，並使用其最大峰值之差異作為指標。SiN系材料之薄膜之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值相當於自Si-N鍵釋出之光電子之每單位時間之數量。光電子係受到X射線之照射而激發並自原子軌道飛出之電子。照射X射線時釋出之光電子之數量較多而容易激發之材料係功函數較小之材料。此種功函數較小之SiN系材料可以說為受到電子束之照射時亦容易激發之材料。 但是，對薄膜之表面進行X射線光電子光譜分析而獲得之Si2p窄譜僅可獲得極淺之深度之資訊。又，即便為相同之SiN系材料之薄膜，於X射線光電子光譜分析中檢測出之光電子之數量亦會根據測定條件(使用之X射線之種類、照射強度等)而變動，因此無法直接作為指標而使用。對該等問題進而進行銳意研究，結果想到，對SiN系材料之薄膜於厚度方向上設定複數個測定部位，對各測定部位分別取得Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值，並算出該複數個最大峰值之平均值，且對處於該SiN系材料之薄膜之下之透光性基板於厚度方向上設定複數個測定部位，對各測定部位分別取得Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值，並算出該複數個最大峰值之平均值，將SiN系材料之薄膜之最大峰值之平均值除以透光性基板之最大峰值之平均值所得之數值作為指標即可。 透光性基板係由以SiO2 作為主成分之相對較穩定之材料形成。對於用於光罩基底之透光性基板，要求光學特性之不均較小等材料之不均非常小。因此，複數個透光性基板間之各材料之功函數之不均亦非常小。於同一測定條件之情形時，不同之透光性基板間之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值之差較小，因此測定條件之差異之影響較大地反映於該光電子強度之最大峰值。透光性基板之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值係自Si-O鍵釋出之光電子之每單位時間之數量，且係對於修正因測定條件之差異所致之SiN系材料之薄膜的Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值之差而言較佳之參照值。 另一方面，若對相接於透光性基板而設置有SiN系材料之薄膜之光罩基底進行X射線光電子光譜分析，則於該薄膜之與透光性基板之界面之附近區域(基板附近區域)容易受到透光性基板之材料之影響，Si2p窄譜之數值之精度較低。又，薄膜之與透光性基板側為相反側之表面之附近區域(表層區域)引入氧，於與未受到該影響之薄膜之內部區域之間Si2p窄譜之數值之差異較大。又，薄膜之基板附近區域及表層區域占整體之比率較小，對EB缺陷修正之修正速率所產生之影響相對較小。 本發明者等人進一步努力進行研究，結果得出如下結論，即，於在透光性基板上以含有矽及氮之材料形成有用以形成轉印圖案之薄膜的光罩基底中，對該薄膜及透光性基板進行X射線光電子光譜分析之情形時，若將該薄膜之除與透光性基板之界面之附近區域及表層區域以外的區域即內部區域之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值之平均值除以透光性基板之Si2p窄譜的光電子強度之最大峰值之平均值所得之值為1.08以上，則可大幅地提高相對於EB缺陷修正之薄膜之修正速率，且增大該修正速率與非激發氣體蝕刻速率之差。 即，本發明之光罩基底之特徵在於，其於透光性基板上具備用以形成轉印圖案之薄膜，且該薄膜係由含有矽及氮之材料所形成，於對該薄膜之除與透光性基板之界面之附近區域及與透光性基板為相反側之表層區域以外之區域即內部區域，於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得內部區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi，並取得最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av，對透光性基板於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得透光性基板之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb，並取得最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av時，(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)為1.08以上。 其次，對本發明之各實施形態進行說明。本發明之光罩基底係能夠應用於用以製作二元遮罩、相位偏移遮罩等各種遮罩之光罩基底者。以下，對用以製造半色調型相位偏移遮罩之光罩基底進行說明。圖1係表示本發明之實施形態之光罩基底100之構成之剖視圖。圖1所示之光罩基底100具有於透光性基板1上依序積層有相位偏移膜(用以形成轉印圖案之薄膜)2、遮光膜3及硬質遮罩膜4之構造。 透光性基板1除合成石英玻璃以外，亦可由石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、低熱膨脹玻璃(SiO2 -TiO2 玻璃等)等玻璃材料形成。於該等中，合成石英玻璃對ArF準分子雷射光(波長193 nm)之透過率較高，作為形成光罩基底之透光性基板之材料尤佳。 為了有效地發揮相位偏移效果，要求相位偏移膜2之對ArF準分子雷射之曝光之光(以下稱為ArF曝光之光)之透過率為1%以上，較佳為2%以上，更佳為10%以上，進而較佳為15%以上。又，相位偏移膜2較佳為以對ArF曝光之光之透過率成為30%以下之方式進行調整，更佳為20%以下。 近年來，作為對於半導體基板(晶圓)上之抗蝕膜之曝光、顯影製程，使用NTD(Negative Tone Development，負色調顯影)，此處經常使用明視野遮罩(圖案開口率較高之轉印用遮罩)。於明視野之相位偏移遮罩中，藉由使相位偏移膜之對曝光之光之透過率為10%以上，而使透過透光部之光之0次光與1次光之平衡性變得良好。若該平衡性變得良好，則透過相位偏移膜之曝光之光與0次光發生干涉而使光強度衰減之效果進一步變大，抗蝕膜上之圖案解析性提高。因此，相位偏移膜2之對ArF曝光之光之透過率較佳為10%以上。於對ArF曝光之光之透過率為15%以上之情形時，由相位偏移效果所產生之轉印像(投影光學像)之圖案邊緣加強效果進一步提高。另一方面，若相位偏移膜2之對ArF曝光之光之透過率超過30%，則必須使形成該相位偏移膜2之SiN系材料含有固定量以上之成為使EB缺陷修正速率降低的主要原因之氧，因此欠佳。 為了獲得適當之相位偏移效果，對相位偏移膜2要求具有使透過之ArF曝光之光、與於空氣中通過與該相位偏移膜2之厚度相同之距離之光之間產生特定的相位差之功能。又，該相位差較佳為以成為150度以上且200度以下之範圍之方式調整。相位偏移膜2之上述相位差之下限值更佳為160度以上，進而較佳為170度以上。另一方面，相位偏移膜2之上述相位差之上限值更佳為190度以下。其原因在於，於在相位偏移膜2形成圖案時之乾式蝕刻時，減小因透光性基板1被微小地蝕刻所致之相位差之增加之影響。又，其原因亦在於，關於近年來利用曝光裝置進行之向相位偏移遮罩之ArF曝光之光之照射方式，使ArF曝光之光自相對於相位偏移膜2之膜面之垂直方向以特定角度傾斜之方向入射之方式增加。 相位偏移膜2係由含有矽及氮之材料形成。相位偏移膜2較佳為由包含矽及氮之材料、或於包含矽及氮之材料中含有選自半金屬元素及非金屬元素中之1種以上之元素的材料形成。相位偏移膜2亦可除含有矽以外，亦含有任一半金屬元素。於該半金屬元素中，若含有選自硼、鍺、銻及碲中之1種以上之元素，則可期待提高用作濺鍍靶之矽之導電性，故而較佳。 相位偏移膜2除含有氮以外，亦可含有任一非金屬元素。此處，本發明之非金屬元素係指包含狹義之非金屬元素(氮、碳、氧、磷、硫、硒)、鹵素及稀有氣體者。於該非金屬元素中，亦較佳為含有選自碳、氟及氫中之1種以上之元素。相位偏移膜2較佳為除後述表層區域23以外，將含氧量抑制為10原子%以下，更佳為設為5原子%以下，進而較佳為不積極地含有氧(利用X射線光電子光譜分析等進行組成分析時為檢測下限值以下)。若相位偏移膜2之含氧量較多，則進行EB缺陷修正時之修正速率大幅地變慢。 相位偏移膜2亦可含有稀有氣體。稀有氣體係可藉由於利用反應性濺鍍成膜相位偏移膜2時存在於成膜室內而增大成膜速度、提高生產性之元素。該稀有氣體電漿化，與靶碰撞，藉此自靶飛出靶構成元素，在中途，一面引入反應性氣體一面於透光性基板1上形成相位偏移膜2。於該靶構成元素自靶飛出至附著於透光性基板1為止之期間，引入少許成膜室中之稀有氣體。作為該反應性濺鍍所需之稀有氣體之較佳者，可列舉氬氣、氪氣、氙氣。又，為了緩和相位偏移膜2之應力，可將原子量較小之氦氣、氖氣積極地引入至薄膜。 相位偏移膜2之厚度較佳為90 nm以下。若相位偏移膜2之厚度厚於90 nm，則EB缺陷修正中為了去除所需要之時間變長。相位偏移膜2之厚度更佳為80 nm以下。另一方面，相位偏移膜2之厚度較佳為40 nm以上。若相位偏移膜2之厚度未達40 nm，則有無法獲得作為相位偏移膜所要求之特定之透過率與相位差之虞。 相位偏移膜2以整體之平均值(後述之基板附近區域21、內部區域22及表層區域23之整體之平均值)計之對ArF曝光之光之折射率n(以下簡稱為折射率n)較佳為2.0以上，更佳為2.2以上。又，相位偏移膜2以整體之平均值計之對ArF曝光之光之消光係數k(以下簡稱為消光係數k)較佳為1.2以下，更佳為1.0以下。另一方面，相位偏移膜2以整體之平均值計之折射率n較佳為3.0以下，更佳為2.8以下。又，相位偏移膜2以整體之平均值計之消光係數k較佳為0.1以上，更佳為0.2以上。其原因在於，為了滿足作為相位偏移膜2所要求之光學特性即對於ArF曝光之光之特定之相位差與特定之透過率，若並非上述折射率n與消光係數k之範圍則難以實現。 薄膜之折射率n及消光係數k並非僅由該薄膜之組成決定。該薄膜之膜密度及結晶狀態等亦為影響折射率n及消光係數k之要素。因此，調整以反應性濺鍍成膜薄膜時之各條件，以該薄膜成為所需之折射率n及消光係數k之方式成膜。為了使相位偏移膜2為上述折射率n及消光係數k之範圍，於利用反應性濺鍍成膜薄膜時，並不僅限於調整稀有氣體與反應性氣體之混合氣體之比率。涉及利用反應性濺鍍成膜薄膜時之成膜室內之壓力、施加至靶之電力、靶與透光性基板之間之距離等位置關係等多方面。又，該等成膜條件係成膜裝置所固有者，以形成之薄膜成為所需之折射率n及消光係數k之方式適當調整。 相位偏移膜2之內部自透光性基板1側起按照基板附近區域(附近區域)21、內部區域22及表層區域23之順序被分為3個區域。基板附近區域21係遍及自相位偏移膜2與透光性基板1之界面朝向與透光性基板1為相反側之表面側(即，表層區域23側)至10 nm之深度為止之範圍的區域。於對該基板附近區域21進行X射線光電子光譜分析之情形時，容易受到存在於其下方之透光性基板1之影響。又，所取得之基板附近區域21之Si2p窄譜中之光電子強度之最大峰值之精度較低。 表層區域23係遍及自與透光性基板1為相反側之表面朝向透光性基板1側至10 nm之深度為止之範圍的區域。表層區域23係含有自相位偏移膜2之表面引入之氧之區域，因此具有於膜之厚度方向上含氧量具有梯度組成之構造(具有膜中之含氧量隨著遠離透光性基板1而逐漸增加之梯度組成的構造)。即，表層區域23之含氧量多於內部區域22。因此，對該表層區域23進行X射線光電子光譜分析而取得之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fs之值與對內部區域22進行X射線光電子光譜分析而取得之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi之數值的差相對較大。 內部區域22係除基板附近區域21及表層區域23以外之相位偏移膜2之區域。對該內部區域22進行X射線光電子光譜分析而取得之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi係幾乎不受透光性基板1之影響或表層氧化之影響之數值。因此，該內部區域22之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi可謂反映構成內部區域22之SiN系材料之相對X射線或電子束之照射之激發之容易性(功函數)的數值。 要求相位偏移膜2之內部區域22由如下材料形成，即，對該內部區域22於厚度方向上設定複數個測定部位，對該內部區域22之各測定部位進行X射線光電子光譜分析而分別取得Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi，並算出該複數個測定部位之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av，且對透光性基板1於厚度方向上設定複數個測定部位，對該透光性基板1之各測定部位進行X射線光電子光譜分析而分別取得Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb，並算出該複數個測定部位之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av，將內部區域22之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av除以透光性基板1之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av所獲得之數值(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)成為1.08以上。若(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)為1.08以上，則構成佔據相位偏移膜2之大部分之內部區域22的SiN系材料受到電子束之照射時變得容易被激發。而且，此種相位偏移膜2進行EB缺陷修正時之修正速率較快，可抑制透光性基板1被刻蝕。(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)較佳為1.085以上，更佳為1.09以上。 相位偏移膜2之表層區域23較佳為由如下材料形成，即，對該表層區域23於厚度方向上設定複數個測定部位，對該表層區域23之各測定部位進行X射線光電子光譜分析而分別取得Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fs，並算出該複數個測定部位之最大峰值PSi_fs之平均值PSi_fs_av時，將該表層區域23之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fs之平均值PSi_fs_av除以透光性基板1之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av所獲得之數值(PSi_fs_av)/(PSi_sb_av)成為1.05以上。若(PSi_fs_av)/(PSi_sb_av)為1.05以上，則相位偏移膜2中含氧量最多之區域即表層區域23亦容易於受到電子束之照射時被激發。由於表層區域23之含氧量多於內部區域22，故而無法避免進行表層區域23之EB缺陷修正時之修正速率慢於內部區域22，但可減小因含有氧所導致之修正速率之降低幅度。(PSi_fs_av)/(PSi_sb_av)更佳為1.06以上，進而較佳為1.07以上。 相位偏移膜2之內部區域22之含氮量較佳為50原子%以上，更佳為52原子%以上。含氮量較少之SiN系材料之薄膜對ArF曝光之光之折射率n較小，該薄膜之對ArF曝光之光之折射率n有隨著含氮量變多而變大之傾向。尤其，於以SiN系材料形成對ArF曝光之光之透過率為10%以上之相位偏移膜2之情形時，藉由使含氮量為50原子%以上，能以更薄之膜厚確保特定之透過率及相位差。另一方面，內部區域22之含氮量較佳為相當於Si3 N4 之混合比之57原子%以下。若欲使SiN系材料之薄膜(於此情形時為內部區域22)中之含氮量多於Si3 N4 之混合比，則難以使薄膜為非晶或微晶構造。又，薄膜之表面粗糙度大幅地變差。 相位偏移膜2之內部區域22較佳為由包含矽及氮之材料形成。再者，稀有氣體係即便對內部區域22進行使用X射線光電子光譜分析或拉塞福逆散射分析(RBS：Rutherford Back-Scattering Spectrometry，拉塞福逆散射譜法)之組成分析亦不易檢測出之元素。因此，上述包含矽及氮之材料可視為亦包含含有稀有氣體之材料。 就藉由蝕刻形成圖案時之圖案邊緣粗糙度變得良好等原因而言，相位偏移膜2最佳為非晶構造。於為難以將相位偏移膜2設為非晶構造之組成之情形時，較佳為混合存在非晶構造與微晶構造之狀態。 相位偏移膜2之表層區域23較佳為由如下材料形成，即，於對該表層區域23於厚度方向上設定複數個測定部位，對該表層區域23之各測定部位進行X射線光電子光譜分析而分別取得N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fs，並算出該複數個測定部位之最大峰值PN_fs之平均值PN_fs_av，對內部區域22於厚度方向上設定複數個測定部位，對該內部區域22之各測定部位進行X射線光電子光譜分析而分別取得N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fi，並算出該複數個測定部位之最大峰值PN_fi之平均值PN_fi_av之情形時，將表層區域23之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值之平均值PN_fs_av除以內部區域22之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fi之平均值PN_fi_av所獲得之數值(PN_fs_av)/(PN_fi_av)成為0.98以下。 N1s窄譜之光電子強度之最大峰值成為測定對象物之含氮量之標準。(PN_fs_av)/(PN_fi_av)係判斷表層區域23之Si-N鍵數相對於內部區域22之Si-N鍵數之比率之標準。該(PN_fs_av)/(PN_fi_av)越小，則視為表層區域23之Si-N鍵之存在比率越低，Si-O鍵之存在比率越高。若表層區域23之Si-N鍵之存在比率過高(即，Si-O鍵之存在比率過低)，則相位偏移膜2之耐化學性降低。(PN_fs_av)/(PN_fi_av)更佳為0.97以下，進而較佳為0.96以下。另一方面，(PN_fs_av)/(PN_fi_av)較佳為0.94以上。於(PN_fs_av)/(PN_fi_av)未達0.94之情形時，表層區域23之Si-O鍵之存在比率較多，進行表層區域23之EB缺陷修正時之修正速率大幅地降低。 於上述X射線光電子光譜分析中，作為對透光性基板1或相位偏移膜2照射之X射線，可應用AlKα射線及MgKα射線之任一者，較佳為使用AlKα射線。再者，本說明書中，對進行使用AlKα射線之X射線之X射線光電子光譜分析之情形進行敍述。 對透光性基板1或相位偏移膜2進行X射線光電子光譜分析而取得Si2p窄譜或N1s窄譜之方法一般按照以下之順序進行。即，首先，於寬幅之鍵結能之帶寬進行取得光電子強度(自照射X射線之測定對象物之每單位時間之光電子之釋出數)之寬域掃描而取得寬譜，特定出源自該透光性基板1或相位偏移膜2之構成元素之所有波峰。其後，藉由於著眼於雖然解析度高於寬域掃描但可取得之鍵結能之帶寬較窄之窄域掃描的波峰(Si2p、N1s等)之周圍之帶寬進行掃描而取得各窄譜。另一方面，本發明中使用X射線光電子光譜分析之測定對象物即透光性基板1或相位偏移膜2之構成元素預先已知。又，本發明所需之窄譜限於Si2p窄譜或N1s窄譜。因此，於本發明之情形時，亦可省略取得寬譜之步驟，而取得Si2p窄譜或N1s窄譜。 對透光性基板1或相位偏移膜2進行X射線光電子光譜分析而取得之Si2p窄譜中之光電子強度之最大峰值(PSi_fs、PSi_fi、PSi_sb)較佳為於鍵結能為96[eV]以上且106[eV]以下之範圍之最大峰值。其原因在於，該鍵結能之範圍外之峰值有並非自Si-N鍵或Si-O鍵釋出之光電子之虞。又，對相位偏移膜2進行X射線光電子光譜分析而取得之N1s窄譜中之光電子強度之最大峰值(PN_fs、PN_fi)較佳為於鍵結能為392[eV]以上且402[eV]以下之範圍之最大峰值。其原因在於，該鍵結能之範圍外之峰值有並非自Si-N鍵釋出之光電子之虞。 相位偏移膜2係藉由濺鍍而形成，但亦可應用DC(direct current，直流)濺鍍、RF(radio frequency，射頻)濺鍍及離子束濺鍍等任一濺鍍。於使用導電性較低之靶(矽靶、不含半金屬元素或含量較少之矽化合物靶等)之情形時，較佳為應用RF濺鍍或離子束濺鍍，若考慮成膜速率，則更佳為應用RF濺鍍。製造光罩基底100之方法較佳為至少具有如下步驟：使用矽靶或包含矽中含有選自半金屬元素及非金屬元素中之1種以上之元素之材料的靶，藉由含有氮系氣體及稀有氣體之濺鍍氣體中之反應性濺鍍，於透光性基板1上形成相位偏移膜2。 光罩基底100之製造方法較佳為對形成上述相位偏移膜2之步驟中使用之濺鍍氣體，選定氮氣之混合比率多於成為有成膜變得不穩定之傾向之遷移模式的氮氣之混合比率之範圍者(選定成為所謂中毒模式(反應模式)之氮氣之混合比率者)。形成相位偏移膜2之步驟中使用之氮系氣體只要為含有氮之氣體，則可應用任一氣體。如上所述，相位偏移膜2較佳為將含氧量抑制得較低，因此較佳為應用不含氧之氮系氣體，更佳為應用氮氣(N2 氣體)。又，形成相位偏移膜2之步驟中使用之稀有氣體亦可應用任一稀有氣體。作為該稀有氣體之較佳者，可列舉氬氣、氪氣、氙氣。又，為了緩和薄膜之應力，可將原子量較小之氦氣、氖氣積極地引入至薄膜。 又，光罩基底100之製造方法更佳為具有如下步驟：於形成上述相位偏移膜2之步驟後，進行使相位偏移膜2之表層區域23之至少一部分氧化之處理。作為該情形時之使表層區域23氧化之處理，可列舉於大氣中等含有氧之氣體中之加熱處理、於大氣中等含有氧之氣體中之閃光燈等之光照射處理、使臭氧或氧電漿與相位偏移膜2之表面接觸之處理等。 於光罩基底100中，較佳為於相位偏移膜2上具備遮光膜3。一般而言，於相位偏移遮罩200(參照圖2(f))中，要求形成轉印圖案之區域(轉印圖案形成區域)之外周區域確保特定值以上之光學濃度(OD)，以使抗蝕膜不會於使用曝光裝置對半導體晶圓上之抗蝕膜進行曝光轉印時受到因透過外周區域之曝光之光所產生之影響。於相位偏移遮罩200之外周區域，至少要求光學濃度大於2.0。如上所述，相位偏移膜2具有以特定之透過率使曝光之光透過之功能，僅相位偏移膜2難以確保上述光學濃度。因此，較理想為於製造光罩基底100之階段將遮光膜3預先積層於相位偏移膜2上以確保不足之光學濃度。藉由設為此種光罩基底100之構成，若於製造相位偏移膜2之過程中，去除使用相位偏移效果之區域(基本為轉印圖案形成區域)之遮光膜3，則可製造於外周區域確保上述光學濃度之相位偏移遮罩200。再者，光罩基底100之相位偏移膜2與遮光膜3之積層構造中之光學濃度較佳為2.5以上，更佳為2.8以上。又，為了使遮光膜3薄膜化，相位偏移膜2與遮光膜3之積層構造中之光學濃度較佳為4.0以下。 遮光膜3可應用單層構造及雙層以上之積層構造之任一者。又，單層構造之遮光膜3及雙層以上之積層構造之遮光膜3之各層可為於膜或層之厚度方向上為大致相同之組成之構成，亦可為於層之厚度方向上具有梯度組成之構成。 於未在遮光膜3與相位偏移膜2之間介置其他膜之情形時，必須應用對在相位偏移膜2形成圖案時使用之蝕刻氣體具有充分之蝕刻選擇性之材料。於此情形時，遮光膜3較佳為由含有鉻之材料形成。作為形成該遮光膜3之含有鉻之材料，除鉻金屬以外，可列舉於鉻中含有選自氧、氮、碳、硼及氟中之1種以上之元素之材料。 一般而言，鉻系材料係利用氯系氣體與氧氣之混合氣體進行蝕刻，但鉻金屬相對該蝕刻氣體之蝕刻速率不太高。若考慮提高相對氯系氣體與氧氣之混合氣體之蝕刻氣體之蝕刻速率之方面，則較佳為使用於鉻中含有選自氧、氮、碳、硼及氟中之1種以上之元素之材料作為形成遮光膜3之材料。又，亦可於形成遮光膜3之含有鉻之材料中含有鉬及錫中之1種以上之元素。藉由含有鉬及錫中之1種以上之元素，可進一步提高相對氯系氣體與氧氣之混合氣體之蝕刻速率。 另一方面，於光罩基底100中設為於遮光膜3與相位偏移膜2之間介置其他膜之構成之情形時，較佳為設為以上述含有鉻之材料形成其他膜(蝕刻終止層兼蝕刻遮罩膜)，以含有矽之材料形成遮光膜3之構成。含有鉻之材料係藉由氯系氣體與氧氣之混合氣體進行蝕刻，但由有機系材料所形成之抗蝕膜容易被該混合氣體蝕刻。含有矽之材料一般藉由氟系氣體或氯系氣體進行蝕刻。由於該等蝕刻氣體基本上不含氧，故而可較藉由氯系氣體與氧氣之混合氣體蝕刻之情形減少由有機系材料所形成之抗蝕膜之減膜量。因此，可減小抗蝕膜之膜厚。 形成遮光膜3之含有矽之材料中可含有過渡金屬，亦可含有過渡金屬以外之金屬元素。其原因在於，於由該光罩基底100製作相位偏移遮罩200之情形時，由遮光膜3所形成之圖案基本為外周區域之遮光帶圖案，與轉印圖案形成區域相比，照射ArF曝光之光之累計量較少、或以微細圖案殘留有該遮光膜3之情況較少，即便ArF耐光性較低，亦不易產生實質性之問題。又，其原因在於，若使遮光膜3中含有過渡金屬，則與不含有之情形相比，可大幅地提高遮光性能，且使遮光膜之厚度變薄。作為遮光膜3中含有之過渡金屬，可列舉鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鉿(Hf)、鎳(Ni)、釩(V)、鋯(Zr)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈮(Nb)、鈀(Pd)等任一金屬或該等金屬之合金。 另一方面，作為形成遮光膜3之含有矽之材料，亦可應用包含矽及氮之材料、或包含矽及氮之材料中含有選自半金屬元素及非金屬元素中之1種以上之元素之材料。 於積層於上述相位偏移膜2而具備遮光膜3之光罩基底100中，更佳為設為於遮光膜3上進而積層有由對蝕刻遮光膜3時使用之蝕刻氣體具有蝕刻選擇性之材料所形成之硬質遮罩膜4的構成。遮光膜3必須具有確保特定之光學濃度之功能，因此減小其厚度存在極限。硬質遮罩膜4只要於到在其正下方之遮光膜3形成圖案之乾式蝕刻結束為止之期間，具有可儘可能地作為蝕刻遮罩發揮功能之膜之厚度便足夠，基本上不受光學上之限制。因此，硬質遮罩膜4之厚度可較遮光膜3之厚度大幅地減薄。而且，有機系材料之抗蝕膜只要於到在該硬質遮罩膜4形成圖案之乾式蝕刻結束為止之期間，具有作為蝕刻遮罩發揮功能之膜之厚度便足夠，因此可較先前大幅地減薄抗蝕膜之厚度。 於遮光膜3由含有鉻之材料形成之情形時，該硬質遮罩膜4較佳為由上述含有矽之材料形成。再者，該情形時之硬質遮罩膜4有與有機系材料之抗蝕膜之密接性較低之傾向，因此較佳為對硬質遮罩膜4之表面實施HMDS(Hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)處理，提高表面之密接性。再者，該情形時之硬質遮罩膜4更佳為由SiO2 、SiN、SiON等形成。又，作為遮光膜3由含有鉻之材料形成之情形時之硬質遮罩膜4之材料，除上述以外，亦可應用含有鉭之材料。作為該情形時之含有鉭之材料，除鉭金屬以外，亦可列舉於鉭中含有選自氮、氧、硼及碳中之1種以上之元素之材料等。作為該材料，例如可列舉Ta、TaN、TaON、TaBN、TaBON、TaCN、TaCON、TaBCN、TaBOCN等。另一方面，於遮光膜3由含有矽之材料形成之情形時，該硬質遮罩膜4較佳為由上述含有鉻之材料形成。 於光罩基底100中，較佳為相接於上述硬質遮罩膜4之表面而以100 nm以下之膜厚形成有機系材料之抗蝕膜。於與DRAM hp32 nm代對應之微細圖案之情形時，有於應形成於硬質遮罩膜4之轉印圖案(相位偏移圖案)設置線寬為40 nm之SRAF(Sub-Resolution Assist Feature，次解析度輔助特徵)之情況。但是，於此情形時，抗蝕圖案之剖面縱橫比可較低地設為1：2.5，因此可於抗蝕膜之顯影時、沖洗時等抑制抗蝕圖案倒塌或脫離。再者，抗蝕膜之膜厚更佳為80 nm以下。 圖2中表示由作為本發明之實施形態之光罩基底100製造相位偏移遮罩200之步驟之剖視模式圖。 本發明之相位偏移遮罩200之特徵在於：其係於透光性基板1上具備具有轉印圖案之相位偏移膜2(相位偏移圖案2a)者，且相位偏移膜2係由含有矽及氮之材料形成，於對該相位偏移膜2之除與透光性基板1之界面之附近區域(基板附近區域)21及與透光性基板1為相反側之表層區域23以外之區域即內部區域22於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得內部區域22之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi，並取得該分別取得之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av，對透光性基板1於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得透光性基板1之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb，並取得該分別取得之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av時，將相位偏移膜2之平均值PSi_fi_av除以透光性基板1之平均值PSi_sb_av所得之數值(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)為1.08以上。 該相位偏移遮罩200具有與光罩基底100相同之技術特徵。關於相位偏移遮罩200中之透光性基板1、相位偏移膜2及遮光膜3所相關之事項，與光罩基底100相同。 又，本發明之相位偏移遮罩200之製造方法之特徵在於：其係使用上述光罩基底100者，且具備如下步驟：藉由乾式蝕刻於遮光膜3形成轉印圖案；藉由將具有轉印圖案之遮光膜3(遮光圖案3a)作為遮罩之乾式蝕刻而於相位偏移膜2形成轉印圖案；及藉由將具有包含遮光帶之圖案之抗蝕膜(抗蝕圖案6b)作為遮罩之乾式蝕刻而於遮光膜3(遮光圖案3a)形成包含遮光帶之圖案(遮光圖案3b)。 於製造具有與近年來之DRAM hp32 nm代對應之微細圖案的相位偏移遮罩200之情形時，於藉由乾式蝕刻而於光罩基底100之相位偏移膜2形成轉印圖案之階段，完全無黑缺陷部分之情況極少。又，對具有上述微細圖案之相位偏移膜2之黑缺陷部分進行之缺陷修正於多數情況下應用EB缺陷修正。儘管相位偏移膜2由含有矽及氮之材料形成，但相位偏移遮罩200相對於EB缺陷修正之修正速率亦較快。又，相位偏移膜2與透光性基板1之間之相對於EB缺陷修正之修正速率比亦較高。因此，於對相位偏移膜2之黑缺陷部分進行EB缺陷修正時，抑制過度地刻蝕透光性基板1之表面，修正後之相位偏移遮罩200具有較高之轉印精度。 又，於將ArF準分子雷射作為曝光之光之曝光裝置之遮罩台設置對黑缺陷部分進行EB缺陷修正後之相位偏移遮罩200，將相位偏移圖案2a曝光轉印至半導體裝置上之抗蝕膜時，亦能以充分地滿足設計規格之精度將圖案轉印至半導體裝置上之抗蝕膜。 以下，根據圖2所示之製造步驟，說明相位偏移遮罩200之製造方法之一例。再者，於該例中，對遮光膜3應用含有鉻之材料，對硬質遮罩膜4應用含有矽之材料。 首先，相接於光罩基底100之硬質遮罩膜4，藉由旋轉塗佈法形成抗蝕膜。其次，對抗蝕膜曝光描繪作為應形成於相位偏移膜2之轉印圖案(相位偏移圖案)之第1圖案，進而進行顯影處理等特定之處理，形成具有相位偏移圖案之第1抗蝕圖案5a(參照圖2(a))。繼而，將第1抗蝕圖案5a作為遮罩，進行使用氟系氣體之乾式蝕刻，於硬質遮罩膜4形成第1圖案(硬質遮罩圖案4a)(參照圖2(b))。 其次，於去除抗蝕圖案5a後，將硬質遮罩圖案4a作為遮罩，進行使用氯系氣體與氧氣之混合氣體之乾式蝕刻，於遮光膜3形成第1圖案(遮光圖案3a)(參照圖2(c))。繼而，將遮光圖案3a作為遮罩，進行使用氟系氣體之乾式蝕刻，於相位偏移膜2形成第1圖案(相位偏移圖案2a)，且同時亦去除硬質遮罩圖案4a(參照圖2(d))。 其次，藉由旋轉塗佈法於光罩基底100上形成抗蝕膜。其次，對抗蝕膜曝光描繪作為應形成於遮光膜3之圖案(遮光圖案)之第2圖案，進而進行顯影處理等特定之處理，形成具有遮光圖案之第2抗蝕圖案6b。繼而，將第2抗蝕圖案6b作為遮罩，進行使用氯系氣體與氧氣之混合氣體之乾式蝕刻，於遮光膜3形成第2圖案(遮光圖案3b)(參照圖2(e))。進而，去除第2抗蝕圖案6b，經過洗淨等特定之處理，獲得相位偏移遮罩200(參照圖2(f))。 作為上述乾式蝕刻中使用之氯系氣體，只要含有Cl，則無特別限制。例如，作為氯系氣體，可列舉Cl2 、SiCl2 、CHCl3 、CH2 Cl2 、CCl4 、BCl3 等。又，作為上述乾式蝕刻中使用之氟系氣體，只要含有F，則無特別限制。例如，作為氟系氣體，可列舉CHF3 、CF4 、C2 F6 、C4 F8 、SF6 等。尤其，不含C之氟系氣體對於玻璃材料之透光性基板1之蝕刻速率相對較低，因此可進一步減小對透光性基板1之損傷。 進而，本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於，使用利用上述光罩基底100所製造之相位偏移遮罩200，將圖案曝光轉印至半導體基板上之抗蝕膜。本發明之光罩基底100及使用該光罩基底100所製造之相位偏移遮罩200具有如上所述之效果。因此，於將ArF準分子雷射作為曝光之光之曝光裝置之遮罩台設置對黑缺陷部分進行EB缺陷修正後之相位偏移遮罩200，將相位偏移圖案2a曝光轉印至半導體裝置上之抗蝕膜時，亦可以充分滿足設計規格之精度將圖案轉印至半導體裝置上之抗蝕膜。因此，於將該抗蝕膜之圖案作為遮罩對下層膜進行乾式蝕刻而形成電路圖案之情形時，可形成不存在因精度不足所引起之配線短路或斷線之高精度之電路圖案。 [實施例] 以下，藉由實施例進而具體地說明本發明之實施形態。 (實施例1) [光罩基底之製造] 準備包含主表面之尺寸約152 mm×約152 mm、厚度約6.25 mm之合成石英玻璃之透光性基板1。該透光性基板1係端面及主表面被研磨至特定之表面粗糙度，其後實施特定之洗淨處理及乾燥處理者。 其次，於透光性基板1上以62 nm之厚度形成包含矽及氮之相位偏移膜2。相位偏移膜2係於單片式RF濺鍍裝置內設置透光性基板1，使用矽(Si)靶，將氪氣(Kr)、氦氣(He)及氮氣(N2 )之混合氣體作為濺鍍氣體，藉由利用RF電源之反應性濺鍍(RF濺鍍)而形成。 其次，對形成有該相位偏移膜2之透光性基板1，於大氣中於加熱溫度280℃、處理時間30分鐘之條件下進行加熱處理。對加熱處理後之相位偏移膜2，藉由相位偏移量測定裝置(Lasertec公司製造 MPM-193)測定ArF準分子雷射之光之波長(約193 nm)下之透過率及相位差，結果透過率為17.1%，相位差為176.1度。又，對另一透光性基板之主表面於相同條件下形成相位偏移膜，進而於相同條件下進行加熱處理，其後使用光譜橢圓偏光計(J.A.Woollam公司製造 M-2000D)測定該相位偏移膜之光學特性，結果波長193 nm下之折射率n為2.58，消光係數k為0.39。 於另一透光性基板之主表面上，於與上述實施例1之相位偏移膜2相同之成膜條件下形成另一相位偏移膜，進而於相同之條件下進行加熱處理。其次，對該加熱處理後之另一透光性基板及相位偏移膜進行X射線光電子光譜分析。於該X射線光電子光譜分析中，對相位偏移膜(或透光性基板)之表面照射X射線(AlKα射線：1486 eV)，測定自該相位偏移膜釋出之光電子之強度，藉由氬氣濺鍍對相位偏移膜(或透光性基板)之表面刻蝕特定時間(約0.7 nm之深度)，對經刻蝕之區域之相位偏移膜(或透光性基板)照射X射線，測定自該刻蝕之區域之相位偏移膜釋出之光電子之強度，藉由重複上述步驟，而關於相位偏移膜與透光性基板之各者取得Si2p窄譜與N1s窄譜。再者，於該X射線光電子光譜分析中，X射線使用AlKα射線(1486.6eV)，光電子之檢測區域係於200 μmf、掠出角度為45 deg之條件下進行(以下之比較例亦相同)。 於該X射線光電子光譜分析中，於相位偏移膜與透光性基板，分別於距離表面為0.7 nm之深度處設置測定部位。相位偏移膜之表層區域設為包含自相位偏移膜之表面至9.8 nm之深度之測定部位為止之區域(即，自相位偏移膜之表面至10 nm之深度為止之區域)，相位偏移膜之內部區域設定為包含自距離相位偏移膜之表面為10.5 nm之深度之測定部位至51.8 nm之深度之測定部位為止的區域(即，自距離相位偏移膜之表面超過10 nm之深度至52 nm之深度為止之區域)。 圖3中表示該相位偏移膜之表層區域(距離相位偏移膜之表面為深度8.4 nm之測定部位)、內部區域(距離相位偏移膜之表面為深度29.4 nm之測定部位)、透光性基板(距離透光性基板之表面為深度33.6 nm之測定部位)之各Si2p窄譜。該圖3所揭示之各Si2p窄譜係於表層區域、內部區域、透光性基板之各者所測定之所有測定部位中最大峰值(PSi_fs、PSi_fi、PSi_sb)最大之測定部位者。 圖4中表示相位偏移膜之表層區域(距離相位偏移膜之表面為深度8.4 nm之測定部位)、內部區域(距離相位偏移膜之表面為深度29.4 nm之測定部位)、透光性基板(距離透光性基板膜之表面為深度33.6 nm之測定部位)之各N1s窄譜。該圖4所揭示之各N1s窄譜係於表層區域、內部區域、透光性基板之各者所測定之所有測定部位中最大峰值(PN_fs、PN_fi、PN_sb)最大之測定部位者。 根據該X射線光電子光譜分析之結果，算出將相位偏移膜之內部區域之Si2p窄譜之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av除以透光性基板之Si2p窄譜之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av所得之值(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)，結果為1.092。再者，透光性基板之最大峰值之平均值係使用位於距離透光性基板之表面為10.5 nm之深度至30.8 nm之深度之間的各測定部位之最大峰值PSi_sb而算出(以下相同)。 算出將相位偏移膜之表層區域之Si2p窄譜之最大峰值PSi_fs之平均值PSi_fs_av除以透光性基板之Si2p窄譜之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av所得之值(PSi_fs_av)/(PSi_sb_av)，結果為1.076。算出將相位偏移膜之表層區域之N1s窄譜之最大峰值PN_fs之平均值PN_fs_av除以相位偏移膜之內部區域之N1s窄譜之最大峰值PN_fi之平均值PN_fi_av所得之值(PN_fs_av)/(PN_fi_av)，結果為0.957。又，由該X射線光電子光譜分析結果可知，該相位偏移膜之內部區域之平均組成為Si：N＝45：55(原子%比)。 其次，相接於相位偏移膜2之表面，以30 nm之厚度形成包含CrOCN之遮光膜3之最下層。最下層係於單片式DC濺鍍裝置內設置形成有加熱處理後之相位偏移膜2之透光性基板1，使用鉻(Cr)靶，將氬氣(Ar)、二氧化碳(CO2 )、氮氣(N2 )及氦氣(He)之混合氣體(流量比 Ar：CO2 ：N2 ：He＝22：39：6：33，壓力＝0.2 Pa)作為濺鍍氣體，將DC電源之電力設為1.9 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)而形成。 其次，於遮光膜3之最下層上以4 nm之厚度形成包含CrN之遮光膜3之下層。下層係使用相同之鉻(Cr)靶，將氬氣(Ar)及氮氣(N2 )之混合氣體(流量比 Ar：N2 ＝83：17，壓力＝0.1 Pa)作為濺鍍氣體，將DC電源之電力設為1.4 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)而形成。 其次，於遮光膜3之下層上以14 nm之厚度形成包含CrOCN之遮光膜3之上層。上層係使用相同之鉻(Cr)靶，將氬氣(Ar)、二氧化碳(CO2 )、氮氣(N2 )及氦氣(He)之混合氣體(流量比 Ar：CO2 ：N2 ：He＝21：37：11：31，壓力＝0.2 Pa)作為濺鍍氣體，將DC電源之電力設為1.9 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)而形成。藉由以上之順序，自相位偏移膜2側起以合計膜厚48 nm形成由包含CrOCN之最下層、包含CrN之下層、包含CrOCN之上層之3層構造所構成之鉻系材料之遮光膜3。 進而，於遮光膜3上以5 nm之厚度形成包含矽及氧之硬質遮罩膜4。硬質遮罩膜4係於單片式RF濺鍍裝置內設置積層有相位偏移膜2及遮光膜3之透光性基板1，使用二氧化矽(SiO2 )靶，將氬氣(Ar)(壓力＝0.03Pa)作為濺鍍氣體，將RF電源之電力設為1.5 kW，藉由RF濺鍍而形成。藉由以上之順序，製造具備於透光性基板1上積層有相位偏移膜2、遮光膜3及硬質遮罩膜4之構造之光罩基底100。 [相位偏移遮罩之製造] 其次，使用該實施例1之光罩基底100，按照以下之順序製作實施例1之相位偏移遮罩200。首先，對硬質遮罩膜4之表面實施HMDS處理。繼而，藉由旋轉塗佈法，相接於硬質遮罩膜4之表面而以膜厚80 nm形成包含電子束描繪用化學增幅型抗蝕劑之抗蝕膜。其次，對該抗蝕膜電子束描繪作為應形成於相位偏移膜2之相位偏移圖案之第1圖案，進行特定之顯影處理及洗淨處理，形成具有第1圖案之第1抗蝕圖案5a(參照圖2(a))。再者，此時，於電子束描繪之第1圖案中，以於相位偏移膜2形成黑缺陷之方式，除原本應形成之相位偏移圖案以外，亦預先添加有程式缺陷。 其次，將第1抗蝕圖案5a作為遮罩，進行使用CF4 氣體之乾式蝕刻，於硬質遮罩膜4形成第1圖案(硬質遮罩圖案4a)(參照圖2(b))。 其次，去除第1抗蝕圖案5a。繼而，將硬質遮罩圖案4a作為遮罩，進行使用氯氣與氧氣之混合氣體(氣體流量比 Cl2 ：O2 ＝4：1)之乾式蝕刻，於遮光膜3形成第1圖案(遮光圖案3a)(參照圖2(c))。 其次，將遮光圖案3a作為遮罩，進行使用氟系氣體(SF6 與He之混合氣體)之乾式蝕刻，於相位偏移膜2形成第1圖案(相位偏移圖案2a)，且同時去除硬質遮罩圖案4a(參照圖2(d))。 其次，藉由旋轉塗佈法，於遮光圖案3a上以膜厚150 nm形成包含電子束描繪用化學增幅型抗蝕劑之抗蝕膜。其次，對抗蝕膜曝光描繪作為應形成於遮光膜3之圖案(遮光圖案)之第2圖案，進而進行顯影處理等特定之處理，形成具有遮光圖案之第2抗蝕圖案6b。繼而，將第2抗蝕圖案6b作為遮罩，進行使用氯氣與氧氣之混合氣體(氣體流量比 Cl2 ：O2 ＝4：1)之乾式蝕刻，於遮光膜3形成第2圖案(遮光圖案3b)(參照圖2(e))。進而，去除第2抗蝕圖案6b，經過洗淨等特定之處理，而獲得相位偏移遮罩200(參照圖2(f))。 藉由遮罩檢查裝置對所製造之實施例1之半色調型之相位偏移遮罩200進行遮罩圖案之檢查，結果於配置有程式缺陷之部位之相位偏移圖案2a確認到黑缺陷之存在。對該黑缺陷部分進行EB缺陷修正，結果相位偏移圖案2a相對於透光性基板1之修正速率比充分高，可將對透光性基板1之表面之蝕刻抑制於最小限度。 其次，對於該EB缺陷修正後之實施例1之相位偏移遮罩200，使用AIMS193(Carl Zeiss公司製造)進行以波長193 nm之曝光之光對半導體裝置上之抗蝕膜曝光轉印時之轉印像之模擬。對該模擬之曝光轉印像進行驗證，結果充分地滿足設計規格。又，進行過EB缺陷修正之部分之轉印像不遜色於除此以外之區域之轉印像。由該結果可以說，即便於將進行EB缺陷修正後之實施例1之相位偏移遮罩200設置於曝光裝置之遮罩台，對半導體裝置上之抗蝕膜進行曝光轉印之情形時，亦可高精度地形成最終形成於半導體裝置上之電路圖案。 (比較例1) [光罩基底之製造] 比較例1之光罩基底除變更對相位偏移膜之加熱處理之條件以外，以與實施例1之光罩基底100相同之順序製造。具體而言，比較例1之相位偏移膜係於加熱溫度550℃、處理時間1小時之條件下進行加熱處理。針對加熱處理後之相位偏移膜2，藉由相位偏移量測定裝置(Lasertec公司製造 MPM-193)測定ArF準分子雷射之光之波長(約193 nm)下之透過率及相位差，結果透過率為18.8%，相位差為177.7度。又，與實施例1之情形同樣地測定該相位偏移膜之光學特性，結果波長193 nm下之折射率n為2.56，消光係數k為0.35。 與實施例1之情形同樣地，於另一透光性基板之主表面上，於與比較例1之相位偏移膜相同之成膜條件下形成另一相位偏移膜，進而於相同之條件下進行加熱處理。其次，對該加熱處理後之另一透光性基板與相位偏移膜進行與實施例1相同之X射線光電子光譜分析。 圖5中表示該另一相位偏移膜之表層區域(距離相位偏移膜之表面為深度4.9 nm之測定部位)、內部區域(距離相位偏移膜之表面為深度47.6 nm之測定部位)、透光性基板(距離透光性基板之表面為深度16.1 nm之測定部位)之各Si2p窄譜。該圖5所揭示之各Si2p窄譜係於表層區域、內部區域、透光性基板之各者所測定之所有測定部位中最大峰值(PSi_fs、PSi_fi、PSi_sb)最大之測定部位者。 圖6中表示相位偏移膜之表層區域(距離相位偏移膜之表面為深度9.8 nm之測定部位)、內部區域(距離相位偏移膜之表面為深度31.5 nm之測定部位)、透光性基板(距離相位偏移膜之表面為深度16.1 nm之測定部位)之各N1s窄譜。該圖6所揭示之各N1s窄譜係於表層區域、內部區域、透光性基板之各者所測定之所有測定部位中最大峰值(PN_fs、PN_fi、PN_sb)最大之測定部位者。 根據該X射線光電子光譜分析之結果，算出將相位偏移膜之內部區域之Si2p窄譜之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av除以透光性基板之Si2p窄譜之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av所得之值(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)，結果為1.076。算出將相位偏移膜之表層區域之Si2p窄譜之最大峰值PSi_fs之平均值PSi_fs_av除以透光性基板之Si2p窄譜之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av所得之值(PSi_fs_av)/(PSi_sb_av)，結果為1.044。算出將相位偏移膜之表層區域之N1s窄譜之最大峰值PN_fs之平均值PN_fs_av除以相位偏移膜之內部區域之N1s窄譜之最大峰值PN_fi之平均值PN_fi_av所得之值(PN_fs_av)/(PN_fi_av)，結果為0.933。 其次，與實施例1之情形同樣地，於透光性基板之相位偏移膜上形成遮光膜及硬質遮罩膜。按照以上之順序，製造具備於透光性基板上積層有相位偏移膜、遮光膜及硬質遮罩膜之構造的比較例1之光罩基底。 [相位偏移遮罩之製造] 其次，使用該比較例1之光罩基底，以與實施例1相同之順序製造比較例1之相位偏移遮罩。藉由遮罩檢查裝置對所製造之比較例1之半色調型之相位偏移遮罩進行遮罩圖案之檢查，結果於配置有程式缺陷之部位之相位偏移圖案確認到黑缺陷之存在。對該黑缺陷部分進行EB缺陷修正，結果相位偏移圖案與透光性基板之間之修正速率比較低，因此對透光性基板之表面之蝕刻進展。 對於進行EB缺陷修正後之比較例1之相位偏移遮罩，使用AIMS193(Carl Zeiss公司製造)進行以波長193 nm之曝光之光對半導體裝置上之抗蝕膜曝光轉印時之轉印像之模擬。對該模擬之曝光轉印像進行驗證，結果除進行過EB缺陷修正之部分以外，大致充分地滿足設計規格。但是，進行過EB缺陷修正之部分之轉印像為因對透光性基板之蝕刻之影響等而產生轉印不良之程度者。由該結果預測，於將進行EB缺陷修正後之比較例1之相位偏移遮罩設置於曝光裝置之遮罩台，對半導體裝置上之抗蝕膜進行曝光轉印之情形時，最終形成於半導體裝置上之電路圖案會發生電路圖案之斷線或短路。
1‧‧‧透光性基板
2‧‧‧相位偏移膜
2a‧‧‧相位偏移圖案
3‧‧‧遮光膜
3a‧‧‧遮光圖案
3b‧‧‧遮光圖案
4‧‧‧硬質遮罩膜
4a‧‧‧硬質遮罩圖案
5a‧‧‧第1抗蝕圖案
6b‧‧‧第2抗蝕圖案
21‧‧‧基板附近區域
22‧‧‧內部區域
23‧‧‧表層區域
100‧‧‧光罩基底
200‧‧‧相位偏移遮罩
圖1係表示本發明之實施形態之光罩基底之構成的剖視圖。 圖2(a)～(f)係表示本發明之實施形態之轉印用遮罩之製造步驟的剖視圖。 圖3係表示對實施例1之光罩基底之相位偏移膜及透光性基板進行X射線光電子光譜分析之結果(Si2p窄譜)的圖。 圖4係表示對實施例1之光罩基底之相位偏移膜及透光性基板進行X射線光電子光譜分析之結果(N1s窄譜)的圖。 圖5係表示對比較例1之光罩基底之相位偏移膜及透光性基板進行X射線光電子光譜分析之結果(Si2p窄譜)的圖。 圖6係表示對比較例1之光罩基底之相位偏移膜及透光性基板進行X射線光電子光譜分析之結果(N1s窄譜)的圖。

Claims (27)

  1. 一種光罩基底，其特徵在於： 其係於透光性基板上具備用以形成轉印圖案之薄膜者，且 上述薄膜係由含有矽及氮之材料形成， 於對上述薄膜之除與上述透光性基板之界面之附近區域及與上述透光性基板為相反側之表層區域以外之區域即內部區域，於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述內部區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av，且對上述透光性基板於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述透光性基板之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av時，將上述薄膜之上述平均值PSi_fi_av除以上述透光性基板之上述平均值PSi_sb_av所得之數值(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)為1.08以上。
  2. 如請求項1之光罩基底，其中於對上述表層區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述表層區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fs，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_fs之平均值PSi_fs_av時，將上述表層區域之上述平均值PSi_fs_av除以上述透光性基板之上述平均值PSi_sb_av所得之數值(PSi_fs_av)/(PSi_sb_av)為1.05以上。
  3. 如請求項1之光罩基底，其中於對上述表層區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述表層區域之複數個測定部位之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fs，並取得上述分別取得之最大峰值PN_fs之平均值PN_fs_av，且對上述內部區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述內部區域之複數個測定部位之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fi，並取得上述分別取得之最大峰值PN_fi之平均值PN_fi_av時，將上述表層區域之上述平均值PN_fs_av除以上述薄膜之上述平均值PN_fi_av所得之數值(PN_fs_av)/(PN_fi_av)為0.98以下。
  4. 如請求項1之光罩基底，其中上述內部區域之含氮量為50原子%以上。
  5. 如請求項1之光罩基底，其中上述表層區域之含氧量多於上述內部區域。
  6. 如請求項1之光罩基底，其中上述Si2p窄譜中之光電子強度之最大峰值係於鍵結能為96[eV]以上且106[eV]以下之範圍之最大峰值。
  7. 如請求項3之光罩基底，其中上述N1s窄譜中之光電子強度之最大峰值係於鍵結能為392[eV]以上且402[eV]以下之範圍之最大峰值。
  8. 如請求項1之光罩基底，其中於上述X射線光電子光譜分析中對上述薄膜照射之X射線為AlKα射線。
  9. 如請求項1之光罩基底，其中上述表層區域係遍及上述薄膜之自與上述透光性基板為相反側之表面向上述透光性基板側至10 nm之深度為止之範圍的區域。
  10. 如請求項1之光罩基底，其中上述附近區域係遍及自與上述透光性基板之界面向上述表層區域側至10 nm之深度為止之範圍的區域。
  11. 如請求項1之光罩基底，其中上述薄膜為相位偏移膜。
  12. 如請求項11之光罩基底，其中上述相位偏移膜具有使ArF準分子雷射之曝光之光以10%以上之透過率透過之功能、及使透過上述相位偏移膜之上述曝光之光、與於空氣中通過與上述相位偏移膜之厚度相同之距離之上述曝光之光之間產生150度以上且200度以下之相位差的功能。
  13. 一種轉印用遮罩之製造方法，其特徵在於：其係使用如請求項1至12中任一項之光罩基底者，且具備藉由乾式蝕刻於上述薄膜形成轉印圖案之步驟。
  14. 一種轉印用遮罩，其特徵在於： 其係於透光性基板上具備具有轉印圖案之薄膜者，且 上述薄膜係由含有矽及氮之材料形成， 於對上述薄膜之除與上述透光性基板之界面之附近區域及與上述透光性基板為相反側之表層區域以外之區域即內部區域，於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述內部區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fi，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_fi之平均值PSi_fi_av，且對上述透光性基板於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述透光性基板之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_sb，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_sb之平均值PSi_sb_av時，將上述薄膜之上述平均值PSi_fi_av除以上述透光性基板之上述平均值PSi_sb_av所得之數值(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)為1.08以上。
  15. 如請求項14之轉印用遮罩，其中於對上述表層區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述表層區域之複數個測定部位之Si2p窄譜之光電子強度之最大峰值PSi_fs，並取得上述分別取得之最大峰值PSi_fs之平均值PSi_fs_av時，將上述表層區域之上述平均值PSi_fs_av除以上述透光性基板之上述平均值PSi_sb_av所得之數值(PSi_fs_av)/(PSi_sb_av)為1.05以上。
  16. 如請求項14之轉印用遮罩，其中於對上述表層區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述表層區域之複數個測定部位之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fs，並取得上述分別取得之最大峰值PN_fs之平均值PN_fs_av，且對上述內部區域於厚度方向上設定複數個測定部位，進行X射線光電子光譜分析而分別取得上述內部區域之複數個測定部位之N1s窄譜之光電子強度之最大峰值PN_fi，並取得上述分別取得之最大峰值PN_fi之平均值PN_fi_av時，將上述表層區域之上述平均值PN_fs_av除以上述薄膜之上述平均值PN_fi_av所得之數值(PN_fs_av)/(PN_fi_av)為0.98以下。
  17. 如請求項14之轉印用遮罩，其中上述內部區域之含氮量為50原子%以上。
  18. 如請求項14之轉印用遮罩，其中上述表層區域之含氧量多於上述內部區域。
  19. 如請求項14之轉印用遮罩，其中上述Si2p窄譜中之光電子強度之最大峰值係於鍵結能為96[eV]以上且106[eV]以下之範圍之最大峰值。
  20. 如請求項16之轉印用遮罩，其中上述N1s窄譜中之光電子強度之最大峰值係於鍵結能為392[eV]以上且402[eV]以下之範圍之最大峰值。
  21. 如請求項14之轉印用遮罩，其中於上述X射線光電子光譜分析中對上述薄膜照射之X射線為AlKα射線。
  22. 如請求項14之轉印用遮罩，其中上述表層區域係遍及上述薄膜之自與上述透光性基板為相反側之表面向上述透光性基板側至10 nm之深度為止之範圍的區域。
  23. 如請求項14之轉印用遮罩，其中上述附近區域係遍及自與上述透光性基板之界面向上述表層區域側至10 nm之深度為止之範圍的區域。
  24. 如請求項14之轉印用遮罩，其中上述薄膜為相位偏移膜。
  25. 如請求項24之轉印用遮罩，其中上述相位偏移膜具有使ArF準分子雷射之曝光之光以10%以上之透過率透過之功能、及使透過上述相位偏移膜之上述曝光之光、與於空氣中通過與上述相位偏移膜之厚度相同之距離之上述曝光之光之間產生150度以上且200度以下之相位差的功能。
  26. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具備如下步驟：使用藉由如請求項13之轉印用遮罩之製造方法所製造之轉印用遮罩，將轉印圖案曝光轉印至半導體基板上之抗蝕膜。
  27. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具備如下步驟：使用如請求項14至25中任一項之轉印用遮罩，將轉印圖案曝光轉印至半導體基板上之抗蝕膜。
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CN112689796A (zh) * 2018-09-14 2021-04-20 株式会社尼康 相移掩模坯料、相移掩模、曝光方法以及器件制造方法
US20220252972A1 (en) 2019-09-05 2022-08-11 Hoya Corporation Mask blank, phase shift mask and method for producing semiconductor device
CN116783548A (zh) * 2021-01-26 2023-09-19 豪雅株式会社 掩模坯料、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法
WO2023037731A1 (ja) * 2021-09-08 2023-03-16 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
CN116152262B (zh) * 2023-04-24 2023-06-23 东莞市群安塑胶实业有限公司 一种离子性中间膜外观缺陷检测方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3332230B2 (ja) * 1993-08-17 2002-10-07 大日本印刷株式会社 ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス
JP3286103B2 (ja) * 1995-02-15 2002-05-27 株式会社東芝 露光用マスクの製造方法及び製造装置
JP4310816B2 (ja) * 1997-03-14 2009-08-12 株式会社ニコン 照明装置、投影露光装置、デバイスの製造方法、及び投影露光装置の調整方法
WO1999036832A1 (fr) * 1998-01-19 1999-07-22 Nikon Corporation Dispositif d'eclairement et appareil de sensibilisation
US6281967B1 (en) * 2000-03-15 2001-08-28 Nikon Corporation Illumination apparatus, exposure apparatus and exposure method
WO2000057459A1 (fr) * 1999-03-24 2000-09-28 Nikon Corporation Méthode d'exposition et dispositif correspondant
JP2001135560A (ja) * 1999-11-04 2001-05-18 Nikon Corp 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
JP4545854B2 (ja) * 1999-11-05 2010-09-15 キヤノン株式会社 投影露光装置
JP2004537758A (ja) 2001-07-27 2004-12-16 エフ・イ−・アイ・カンパニー 電子ビーム処理
TW200625027A (en) * 2005-01-14 2006-07-16 Zeiss Carl Smt Ag Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2010097975A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Nikon Corp 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010217514A (ja) 2009-03-17 2010-09-30 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクの製造方法
CN102834773B (zh) * 2010-04-09 2016-04-06 Hoya株式会社 相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模
JP6005530B2 (ja) 2013-01-15 2016-10-12 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
WO2014112457A1 (ja) 2013-01-15 2014-07-24 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
JP5630592B1 (ja) 2013-06-17 2014-11-26 大日本印刷株式会社 フォトマスクの製造方法
JP2015049282A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 Hoya株式会社 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP6106579B2 (ja) * 2013-11-25 2017-04-05 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びパターン転写方法
JP6153894B2 (ja) * 2014-07-11 2017-06-28 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP6396118B2 (ja) * 2014-08-20 2018-09-26 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法
JP6499440B2 (ja) * 2014-12-24 2019-04-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
US10571797B2 (en) 2015-03-19 2020-02-25 Hoya Corporation Mask blank, transfer mask, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
WO2016158649A1 (ja) 2015-03-27 2016-10-06 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP6341129B2 (ja) 2015-03-31 2018-06-13 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク

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