TW201825440A

TW201825440A - 陶瓷複合材料及方法

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Publication number: TW201825440A
Application number: TW106129070A
Authority: TW
Inventors: 安波佛莉; 西奧多羅斯荷克絲; 仁珍達希; 湯瑪士Ｌ艾凡斯; 強納森安東博克; 尼爾費芬柏格; 雀爾亞伯特斯李恩德斯; 馬克阿姆斯壯
Original assignee: 美商薩比克環球應用科技公司
Priority date: 2016-08-26
Filing date: 2017-08-25
Publication date: 2018-07-16
Also published as: JP2019528363A; US20190185382A1; CN111417610A; KR20190053861A; EP3504173A1; WO2018039634A1

Abstract

本文描述冷燒結陶瓷聚合物複合物及自無機化合物起始材料及聚合物製造其等之方法。該冷燒結方法及各種聚合物允許在陶瓷內併入不同聚合材料。

Description

陶瓷複合材料及方法

許多陶瓷及複合材料係經燒結以減小該等材料之多孔性及增強該等材料之性質，諸如強度、導電性、半透明度及導熱性。燒結方法涉及高溫之施加，通常高於1,000℃，以緻密及改良該等材料之性質。然而，使用高燒結溫度排除某些類型之材料之製造及其增加製造該等材料之費用。陶瓷零件之習知製造要求在高溫下(通常在熔化溫度之0.6至0.7倍下)加熱經壓制之陶瓷材料。因為許多非陶瓷材料具有比陶瓷更低之熔化溫度，習知燒結方法之高溫要求不容許在該燒結期間將非陶瓷材料併入陶瓷基質內。另外，非陶瓷材料在曝露於習知燒結方法目前採用之高溫或其他條件下時可降解。難以使用習知燒結方法製造具有複雜形狀或接近成品形狀之陶瓷零件。同樣地，難以使用習知燒結方法製造具有高尺寸公差之陶瓷零件。習知燒結方法之高溫導致陶瓷材料之體積變化，因此難以控制燒結零件之尺寸。習知燒結方法中使用高溫亦可導致針對有效獲取及安全處置需要材料處理系統之副產品。使用習知技術，難以製造具有大量晶界之陶瓷零件。習知燒結方法之高溫此外導致大顆粒之形成及因此減少晶界之數量。用於燒結陶瓷之某些低溫方法可解決涉及高溫燒結之挑戰中之一些。例如，超低溫共燒陶瓷(ULTCC)可在450℃與750℃之間燒製。參見，例如He等人，「Low-Temperature Sintering Li₂ MoO₄ /Ni_0.5 Zn_0.5 Fe₂ O₄ Magneto-Dielectric Composites for High-Frequency Application」，J. Am. Ceram. Soc. 2014:97(8):1-5。另外，Li₂ MoO₄ 之介電性質可藉由潤濕水溶性Li₂ MoO₄ 粉末，壓縮該粉末及在120℃下後處理所得之樣品進行改良。參見Kahari等人，J. Am. Ceram. Soc. 2015:98(3):687-689。雖然如此，但Li₂ MoO₄ 粉末之粒度係小於180微米，Kahari教示較小之粒度使甚至該粉末之潤濕變得複雜，藉此導致黏土狀團簇、不均勻之密度、翹曲及破裂，及最終總結大粒度係有利的。

本發明藉由提供冷燒結陶瓷聚合物複合物及用於製造其等之方法解決此等及其他挑戰。該方法使可通過在低溫及中度壓力下發生之燒結步驟產生各種陶瓷聚合物複合物。因此，在一項實施例中，本發明提供冷燒結陶瓷聚合物複合物，其由包括以下之方法製成： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物。該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g ) (若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ 。在一些實施例中，雖然此等特徵，但該聚合物不為聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯及磺化四氟乙烯(納菲薄膜(Nafion))。在另一實施例中，本發明提供冷燒結陶瓷聚合物複合物，其由包括以下之方法製成： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物。在此實施例中，該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ 。另外，該聚合物係分支聚合物。另一實施例係用於製造冷燒結陶瓷聚合物複合物之方法，其包括： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物。在本發明方法中，該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ 。在一些實施例中，該聚合物不為聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯及磺化四氟乙烯(納菲薄膜)。或者，根據另一實施例，本發明提供用於製造冷燒結陶瓷聚合物複合物之方法，其包括： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物。在此實施例中，該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ 。另外，該聚合物係分支聚合物。亦預期在各種實施例中係藉由本文描述之方法中之任何一者產生之冷燒結陶瓷聚合物複合物。該等方法之冷燒結步驟可導致無機化合物之緻密化。因此，根據一些實施例，冷燒結陶瓷聚合物複合物或冷燒結陶瓷顯示如由質量/幾何比率、阿基米德方法或相等方法測定之至少70%之相對密度。該相對密度可為至少75%、80%、85%、90%或95%。

本申請案主張對2016年8月26日申請之美國臨時專利申請案第62/379,851號之優先權之權利，該申請案係以全文引用之方式併入本文中，該引用之程度就如同本文完整闡述一般。縱觀本檔案，以範圍格式表示之值應用靈活方式加以理解以不僅包括明確作為該範圍之限值列舉之數值，但亦包括包含在該範圍內之所有個別數值或子範圍，就如同明確列舉各數值及子範圍。例如，「約0.1%至約5%」或「約0.1%至5%」之範圍應理解為不僅包括約0.1%至約5%，但亦包括在該指定範圍內之個別值(例如，1%、2%、3%及4%)及子範圍(例如，0.1%至0.5%、1.1%至2.2%、3.3%至4.4%)。除非另有指示，否則陳述「約X至Y」具有與「約X至約Y」相同之含義。同樣地，除非另有指示，否則陳述「約X、Y或約Z」具有與「約X、約Y或約Z」相同之含義。在本檔案中，除非內文另有明確指示，否則術語「一」、「一個」或「該」係用以包括一或不止一個。除非另有指示，否則術語「或」係用以指非排他性「或」。陳述「A及B中至少一者」具有與「A、B或A及B」相同之含義。另外，應瞭解本文採用且未經另外定義之措辭或術語係僅用於描述之目的且非限制性。章節標題之任何用途係意欲有助於對本檔案之解讀且不應視為限制性；與章節標題相關之資訊可出現於該特定章節之內或之外。在本文描述之方法中，行為可以任何順序進行而不背離本發明之原則，除非在時間或操作順序經明確列舉時。此外，除非明確主張語言闡述特定行為可分別進行，否則其等可同時進行。例如，實施X之主張行為及實施Y之主張行為可在單一操作內同時進行，及所得方法將落於本發明主張之方法之字面範圍內。如本文使用之術語「約」可容許值或範圍之變化程度例如位於規定值或範圍之規定限值之10%內、5%內或1%內，且包括精確之規定值或範圍。如本文使用之術語「大體上」係指大部分或大多數，例如至少約50%、60%、70%、80%、90%、95%、96%、97%、98%、99%、99.5%、99.9%、99.99%或至少約99.999%或以上或100%。本發明提供藉由本文描述之方法中之任何一者獲得之冷燒結陶瓷聚合物複合物，本文描述之方法中之任何一者被稱為冷燒結方法(CSP)。本文描述之燒結方法係關於陶瓷及非陶瓷成分之混合物在低溫(相較於傳統陶瓷燒結所需之溫度)下在酸性、鹼性或中性化學環境中之熱化學處理。該CSP包括存在一或更多種與該(等)無機化合物(其為預陶瓷材料)具有一定程度之反應性或至少部分溶解該(等)無機化合物之能力之溶劑。該CSP之低燒結溫度使得可在燒結方法前併入非陶瓷材料，該併入在習知高溫燒結方法中係不可能或難以達成的。將非陶瓷組件併入燒結陶瓷基質內提供對陶瓷而言不典型之若干特徵，其等包括導電性、導熱性、可撓性、抗裂紋擴展性、不同磨損性能、不同介電常數、改良之電擊穿強度及/或改良之機械韌性。在本發明方法中，將一或更多種呈顆粒形式之無機化合物與至少一種溶劑及至少一種聚合物(P₁ )組合。不希望受操作之任何特定理論之束縛，本發明者們咸信無機化合物與溶劑反應或部分溶解於該溶劑中以在該等無機化合物之顆粒之表面形成固體溶液。在示例性實施例中，將無機化合物、溶劑及聚合物之混合物放置於模內及使其經歷壓力及高溫，通常為不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高200℃以下之溫度(T₁ )。固體溶液及所施加之壓力與溫度之存在容許該無機化合物燒結。固體顆粒之銳利邊緣之溶解可能減小界面面積，及一些毛細管力在燒結之初始階段有助於重排。一經施加外部及毛細管壓力，液相重新分配自身及填充於顆粒間之孔內。由於液體之壓力輔助流動，固體顆粒可快速重排，其共同導致緻密化。後續階段(通常稱為「溶液-沈澱」)係通過使液相在低溫下呈過飽和狀態之液體蒸發產生，其針對固相及液相引發較大化學驅動力以達成平衡狀態。在外部施加及毛細作用壓力下，顆粒間之接觸區具有較高之化學勢，使得在此階段中，離子物質及/或原子團簇擴散通過液體及沈積於該等顆粒之遠離接觸區之位點上。在此過程期間之質量輸送最小化表面積之過量自由能及在材料形成緻密固體時移除孔隙度。由於熱壓模之固定形狀，該等顆粒將收縮及主要在外部壓力之方向上變平。在燒結之最終階段中，隨著大部分水蒸發，固體-固體接觸之面積增加，導致硬質固體顆粒架構網之形成，其減小緻密化速率。同時，奈米厚非晶相可於一些晶界區內產生，藉此抑制晶界擴散活性。然而，粒形調節將緩慢消除孔隙度，有助於在此階段中進一步緻密化。諸如聚合物(P₁ )之非陶瓷組分在此CSP期間保留於陶瓷基質內部，藉此導致冷燒結陶瓷聚合物複合物。在陶瓷內充分分散之聚合物(P₁ )因此助於陶瓷與聚合物之間之改良之相互作用，從而相較於無聚合物之燒結陶瓷，導致增強之破裂韌性、改良之摩擦性質、更佳之刮擦性能、更佳之導熱性及更佳之電性質。無機化合物本文描述之方法之各種實施例採用呈顆粒形式之至少一種無機化合物。有用之無機化合物包括(但不限於)金屬氧化物、金屬碳酸鹽、金屬硫酸鹽、金屬硫化物、金屬硒化物、金屬碲化物、金屬砷化物、金屬醇鹽、金屬碳化物、金屬氮化物、金屬鹵化物(例如，氟化物、溴化物、氯化物及碘化物)、黏土、陶瓷玻璃、金屬及其組合。無機化合物之特定實例包括MoO₃ 、WO₃ 、V₂ O₃ 、V₂ O₅ 、ZnO、Bi₂ O₃ 、CsBr、Li₂ CO₃ 、CsSO₄ 、Li₂ MoO₄ 、Na₂ Mo₂ O₇ 、K₂ Mo₂ O₇ 、ZnMoO₄ 、Gd₂ (MoO₄ )₃ 、Li₂ WO₄ 、Na₂ WO₄ 、LiVO₃ 、BiVO₄ 、AgVO₃ 、Na₂ ZrO₃ 、LiFePO₄ 及KH₂ PO₄ 。在其他實施例中，前體金屬鹽可以溶液形式使用以助於或以其他方式促進冷燒結方法。例如，水溶性鋅(II)鹽(諸如氯化鋅及乙酸鋅)將非水溶性ZnO沈積於現存無機表面上。以此方式，來自前體溶液之ZnO之沈澱在熱力學上有助於冷燒結方法之進展。在一些實施例中，本發明方法使用一經燒結即彼此反應之無機化合物之混合物以提供燒結陶瓷材料(固態反應性燒結)。此途徑之一個優點係依賴於相對廉價之無機化合物初始材料。固態反應性燒結(SSRS)方法之額外優點包括藉由將相形成、緻密化及顆粒生長組合在一個燒結步驟內而簡化用於質子導電陶瓷之製造方法。參見S. Nikodemski等人，Solid State Ionics 253 (2013) 201 - 210。反應性無機化合物之一個實例係關於Cu₂ S及In₂ S₃ 之燒結以產生化學計量之CuInS₂ 。參見T. Miyauchi等人，Japanese Journal of Applied Physics，第27卷，第2部分，No. 7, L1178。另一實例係將NiO添加至Y₂ O₃ 、ZrO₂ 及BaCO₃ 以一經燒結即產生BaY₂ NiO₅ 。參見J. Tong, J. Mater. Chem. 20 (2010) 6333 - 6341。無機化合物係以顆粒形式存在，諸如細粉。用於產生無機化合物之顆粒形式之任何習知方法係合適的。例如，該等顆粒可產生自各種研磨方法(諸如球磨、砂磨粉碎、震動研磨及噴射研磨)。無機化合物之所得粒度(即直徑)基於顆粒數目平均值係約100 μm或以下。在各種實施例中，平均數目粒度係小於約90 μm、小於約80 μm、小於約70 μm、小於約60 μm、小於約50 μm、小於約40 μm、小於約30 μm、小於約20 μm或小於約10 μm。任何合適之方法(諸如雷射散射)可用以量測粒度及分佈。在說明性實施例中，以數目計，至少80%、至少85%、至少90%或至少95%之顆粒具有小於規定數目平均粒度之尺寸。根據本發明之一些實施例，將無機化合物與溶劑組合以獲得混合物。在其他實施例中，將該無機化合物與溶劑及至少一種單體、反應性寡聚物或其組合組合以獲得混合物。在此等實施例中，該無機化合物基於該混合物之總重量係以約50至約95重量%之量存在。該混合物中無機化合物之示例性重量百分率係至少50%、至少55%、至少60%、至少65%、至少70%、至少75%、至少80%、至少85%及至少90%。溶劑本發明之方法採用至少一種溶劑，其中無機化合物具有至少部分可溶性。有用之溶劑包括水、醇(諸如C_1-6 -烷基醇)、酯、酮、偶極非質子性溶劑(例如，二甲基亞碸(DMSO)、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)及二甲基甲醯胺(DMF))及其組合。在一些實施例中，僅使用單一溶劑。在其他實施例中，使用兩種或更多種溶劑之混合物。又其他實施例提供水溶劑系統，向該系統中添加一或更多種其他組分以調節pH。該等組分包括無機與有機酸及有機與無機鹼。無機酸之實例包括亞硫酸、硫酸、次硫酸、過硫酸、焦硫酸、焦亞硫酸、二亞硫磺酸、四硫磺酸、硫代亞硫酸、氫硫酸、過氧二硫酸、過氯酸、鹽酸、次氯酸、亞氯酸、氯酸、次硝酸、亞硝酸、硝酸、過硝酸、碳酸(carbonous acid)、碳酸(carbonic acid)、低碳酸、過碳酸、草酸、乙酸、磷酸、亞磷酸、低磷酸、過磷酸、次亞磷酸、焦磷酸、氫磷酸、氫溴酸、亞溴酸、溴酸、次溴酸、次碘酸、亞碘酸、碘酸、過碘酸、氫碘酸、亞氟酸(fluorous acid)、氟酸(fluoric acid)、次氟酸、全氟酸、氫氟酸、鉻酸、亞鉻酸、低鉻酸、過鉻酸、氫硒酸、硒酸、亞硒酸、疊氮酸、硼酸、鉬酸、過氙酸、矽氟酸、碲酸、亞碲酸、鎢酸、氙酸、檸檬酸、甲酸、焦銻酸、過錳酸、錳酸、銻酸、亞銻酸、矽酸、鈦酸、砷酸、過鍀酸、氫砷酸、重鉻酸、四硼酸、偏錫酸、次草酸(hypooxalous acid)、氰鐵酸、氰酸、次矽酸(silicous acid)、氫氰酸、硫氰酸、鈾酸及二鈾酸(diuranic acid)。有機酸之實例包括丙二酸、檸檬酸、酒石酸、麩胺酸、鄰苯二甲酸、壬二酸、巴比妥酸、二苯羥乙酸、桂皮酸、延胡索酸、戊二酸、葡萄糖酸、己酸、乳酸、蘋果酸、油酸、葉酸、丙炔酸、丙酸、玫紅酸、硬脂酸、單寧酸、三氟乙酸、尿酸、抗壞血酸、沒食子酸、乙醯水楊酸、乙酸及磺酸(諸如對甲苯磺酸)。無機鹼之實例包括氫氧化鋁、氫氧化銨、氫氧化砷、氫氧化鋇、氫氧化鈹、氫氧化鉍(iii)、氫氧化硼、氫氧化鎘、氫氧化鈣、氫氧化鈰(iii)、氫氧化銫、氫氧化鉻(ii)、氫氧化鉻(iii)、氫氧化鉻(v)、氫氧化鉻(vi)、氫氧化鈷(ii)、氫氧化鈷(iii)、氫氧化銅(i)、氫氧化銅(ii)、氫氧化鎵(ii)、氫氧化鎵(iii)、氫氧化金(i)、氫氧化金(iii)、氫氧化銦(i)、氫氧化銦(ii)、氫氧化銦(iii)、氫氧化銥(iii)、氫氧化鐵(ii)、氫氧化鐵(iii)、氫氧化鑭、氫氧化鉛(ii)、氫氧化鉛(iv)、氫氧化鋰、氫氧化鎂、氫氧化錳(ii)、氫氧化錳(vii)、氫氧化汞(i)、氫氧化汞(ii)、氫氧化鉬、氫氧化釹、側氧基-氫氧化鎳、氫氧化鎳(ii)、氫氧化鎳(iii)、氫氧化鈮、氫氧化鋨(iv)、氫氧化鈀(ii)、氫氧化鈀(iv)、氫氧化鉑(ii)、氫氧化鉑(iv)、氫氧化鈈(iv)、氫氧化鉀、氫氧化鐳、氫氧化銣、氫氧化釕(iii)、氫氧化鈧、氫氧化矽、氫氧化銀、氫氧化鈉、氫氧化鍶、氫氧化鉭(v)、氫氧化鍀(ii)、四甲基氫氧化銨、氫氧化鉈(i)、氫氧化鉈(iii)、氫氧化釷、氫氧化錫(ii)、氫氧化錫(iv)、氫氧化鈦(ii)、氫氧化鈦(iii)、氫氧化鈦(iv)、氫氧化鎢(ii)、氫氧化鈾醯、氫氧化釩(ii)、氫氧化釩(iii)、氫氧化釩(v)、氫氧化鐿、氫氧化釔、氫氧化鋅及氫氧化鋯。有機鹼通常係含氮的，因為其等在水介質中可接受質子。示例性有機鹼包括一級、二級及三級(C_1-10 )-烷基胺，諸如甲基胺、三甲胺及類似物。額外實例係(C_6-10 )-芳胺及(C_1-10 )-烷基-(C_6-10 )-芳基-胺。其他有機鹼在環形結構內併入氮，諸如在單環及雙環雜環及雜芳基化合物中。此等包括(例如)吡啶、咪唑、苯并咪唑、組胺酸及磷腈。在本文描述之一些方法中，將無機化合物與溶劑組合以獲得混合物。根據各種實施例，該溶劑基於該混合物之總重量係以約40重量%或以下之量存在。或者，該混合物中溶劑之重量百分率係35%或以下、30%或以下、25%或以下、20%或以下、15%或以下、10%或以下、5%或以下、3%或以下或1%或以下。聚合物各種聚合物適用於本文描述之冷燒結陶瓷聚合物複合物及方法中。適用於本發明之聚合物係彼等能承受本文描述之冷燒結方法之反應條件下之溫度及壓力者，使得該聚合物可熔化、流動及/或軟化至一定程度以容許該聚合物填充冷燒結陶瓷聚合物複合物內燒結陶瓷結構中之顆粒間及顆粒內空隙。滿足此等基本條件之聚合物可通常被稱為非可燒結聚合物。相比之下，其他聚合物在本文描述之冷燒結條件下不明顯熔化、流動及/或軟化。相反，此等聚合物可在外部壓力下經壓縮及緻密化，及其等在燒結方法中保持或形成粒狀或纖維狀微結構。因此，此等聚合物可通常被稱為可燒結聚合物。在一些實施例中，若該聚合物係結晶或半結晶，則該聚合物具有熔點(T_m )。一些聚合物(即使結晶或半結晶)亦具有玻璃轉化溫度(T_g )。然而，在此等情況下，該T_m 係其中聚合物經選擇用於本發明中之定義特徵。熔點(T_m )係藉由聚合物領域中熟知的方法及儀器量測。其他聚合物(諸如非晶形聚合物)不具有T_m ，但替代地可由玻璃轉化溫度T_g 表徵，T_g 係藉由聚合物領域中熟知的方法及儀器量測。在一些實施例中，冷燒結陶瓷聚合物複合物中之各聚合物係經選擇使得其T_m (若該聚合物係結晶或半結晶)或其T_g (若該聚合物係非晶形的)係小於比用於本文描述之冷燒結方法中之溶劑或溶劑混合物之沸點(如在1 bar下測定)高200℃之溫度(T₁ )。因此，根據一項說明性實施例，該溶劑係水(其在1 bar下具有100℃之沸點)，及因此該聚合物應具有不大於300℃之T_m 或T_g 。在其他實施例中，T₁ 係在約70℃至約250℃之間，或在約100℃至約200℃之間。儘管水在此等說明性實施例中可為溶劑，但因為在1 bar下T₁ 係比水之沸點高200℃以下，所以各種其他溶劑及溶劑混合物亦滿足此等基本要求。儘管上文闡述聚合物選擇標準，但應瞭解就此等各種實施例而言，該聚合物不為聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯及磺化四氟乙烯(納菲薄膜)。在其他實施例中，然而，合適之聚合物係主要基於該聚合物是否為分支聚合物進行選擇及在一些實施例中可另外根據如上文討論之T_m 或T_g 進行選擇。如聚合物領域中瞭解之分支聚合物係非完全線性的聚合物，即該聚合物之主鏈含有至少一個分支，及在一些實施例中分支程度較大。不希望受任何特定理論之束縛，本發明者們咸信根據各種實施例，該等分支聚合物在冷燒結方法期間採用之壓力下偏離，使給定分支聚合物相較於其線性相對物經歷更高之流動，使得僅分支聚合物適用於製造如本文描述之冷燒結陶瓷聚合物複合物。針對本發明方法中之用途所預期之聚合物架構之實例包括直鏈及分支聚合物、共聚物(諸如無規共聚物及嵌段共聚物)及交聯聚合物。亦預期聚合物摻混物及交聯聚合物與非交聯聚合物之摻混物。聚合物之示例性類別包括聚醯亞胺、聚醯胺、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碸、聚酮、聚縮甲醛、聚碳酸酯及聚醚。額外之類別及特定之聚合物包括丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)聚合物、丙烯酸系聚合物、賽璐珞(celluloid)聚合物、乙酸纖維素聚合物、環烯共聚物(COC)、乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)聚合物、乙烯乙烯醇(EVOH)聚合物、氟塑膠、丙烯酸/PVC合金、液晶聚合物(LCP)、聚縮醛聚合物(POM或縮醛)、聚丙烯酸酯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯聚合物(PMMA)、聚丙烯腈聚合物(PAN或丙烯腈)、聚醯胺聚合物(PA，諸如耐隆)、聚醯胺-醯亞胺聚合物(PAI)、聚芳醚酮聚合物(PAEK)、聚丁二烯聚合物(PBD)、聚丁烯聚合物(PB)、聚對苯二甲酸丁二酯聚合物(PBT)、聚己酸內酯聚合物(PCL)、聚氯三氟乙烯聚合物(PCTFE)、聚四氟乙烯聚合物(PTFE)、聚對苯二甲酸乙二酯聚合物(PET)、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯聚合物(PCT)、聚碳酸酯聚合物(PC)、聚(1,4-亞環己基環己烷-1,4-二羧酸酯) (PCCD)、聚羥基烷醇酯聚合物(PHA)、聚酮聚合物(PK)、聚酯聚合物、聚乙烯聚合物(PE)、聚醚醚酮聚合物(PEEK)、聚醚酮酮聚合物(PEKK)、聚醚酮聚合物(PEK)、聚醚醯亞胺聚合物(PEI)、聚醚碸聚合物(PES)、聚氯化乙烯聚合物(PEC)、聚醯亞胺聚合物(PI)、聚乳酸聚合物(PLA)、聚甲基戊烯聚合物(PMP)、聚苯醚聚合物(PPO)、聚苯硫醚聚合物(PPS)、聚鄰苯二甲醯胺聚合物(PPA)、聚丙烯聚合物、聚苯乙烯聚合物(PS)、聚碸聚合物(PSU)、聚對苯二甲酸丙二醇酯聚合物(PTT)、聚胺基甲酸酯聚合物(PU)、聚乙酸乙烯酯聚合物(PVA)、聚氯乙烯聚合物(PVC)、聚偏二氯乙烯聚合物(PVDC)、聚醯胺醯亞胺聚合物(PAI)、聚芳酯聚合物、聚甲醛聚合物(POM)、苯乙烯-丙烯腈聚合物(SAN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚(對苯醚) (PPO)、聚醯胺(PA)、聚苯硫醚(PPS)、聚乙烯(PE) (例如，超高分子量聚乙烯(UHMWPE)、超低分子量聚乙烯(ULMWPE)、高分子量聚乙烯(HMWPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、高密度交聯聚乙烯(HDXLPE)、交聯聚乙烯(PEX或XLPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、線性低密度聚乙烯(LLDPE)及極低密度聚乙烯(VLDPE))、聚丙烯(PP)及其組合。額外之聚合物包括聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚(對伸苯基伸乙烯基)、聚(3-烷基噻吩)、聚丙烯腈、聚(偏二氟乙烯)、聚酯(諸如聚對苯二甲酸烷二酯)、聚丙烯醯胺、聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚三氟氯乙烯、全氟烷氧基烷烴、聚芳醚酮、聚芳碸、聚芳基醚碸、聚芳硫醚、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚乙內醯脲、聚環烯(polycycloene)、液晶聚合物、聚芳基硫醚、聚噁二唑苯并咪唑、聚咪唑并吡咯酮、聚哌喃酮、聚有機矽氧烷(諸如聚二甲基矽氧烷)、聚醯胺(諸如耐隆)、丙烯酸聚合物(acrylics)、磺化聚合物、其共聚物及其摻混物。其他有用之聚合物係離子聚合物或寡聚物(「離子聚合物」)。離子聚合物之關鍵特徵在於酸性基團或離子基之相對中度濃度，該等酸性基團或離子基結合至寡聚物/聚合物主鏈且向聚合物且因此向冷燒結陶瓷聚合物複合物賦予物理、機械、光學、介電及動態性質之實質性變化。例如，具有酸性官能基之聚合物可經由酸性基團之間的氫結合而經歷鏈間及物理交聯。說明性寡聚物包括磺化寡聚物。另外，脂肪酸或四烷基銨鹽可藉由本發明方法引入以促進額外之離子相互作用。額外之組分本發明方法之各種實施例預期向用於冷燒結之混合物或冷燒結陶瓷聚合物複合物中引入一或更多種額外之材料。此等材料之任何組合可能使冷燒結陶瓷聚合物複合物之製造變及定制冷燒結陶瓷聚合物複合物之組成及性質變得容易。通常，本文描述之添加劑中之任何一者基於該冷燒結陶瓷聚合物複合物之總重量係以以下之量存在：約0.001重量%至約50重量%、約0.01重量%至約30重量%、約1至約5重量%或約0.001重量%或以下或約0.01重量%、0.1、1、2、3、4、5、10、15、20、25、30、35、40、45重量%或約50重量%或以上。超分子結構例如，一些實施例提供超分子結構的添加，超分子結構的特徵通常為微弱之相互作用(諸如可使用非共價鍵)結合在一起之子結構之總成。該等相互作用在冷燒結採用之溫度下可變弱，藉此釋放可流動通過或進入顆粒無機化合物或冷燒結陶瓷之新產生孔之子結構分子。一經冷卻，該等子結構分子可重新組裝成超分子結構，其等嵌入於冷燒結陶瓷內。適用於此目的之典型化合物係氫鍵結合之分子，其等可(例如)具有單、雙、三或四重氫鍵。其他結構利用主-客相互作用及以此方式產生超分子(聚合)結構。超分子結構之實例包括大環(諸如環糊精、杯芳烴、瓜環)及冠醚(基於微弱相互作用之主-客相互作用)；醯胺或羧酸二聚物、三聚物或四聚物(諸如2-脲基-4[1H]-嘧啶酮(經由氫鍵結合)、聯吡啶或三吡啶(經由與金屬錯合)及各種芳族分子(經由π-π相互作用))。溶膠-凝膠其他實施例提供將溶膠-凝膠引入冷燒結陶瓷之混合物內。該溶膠-凝膠方法由金屬醇鹽之一系列水解及縮合反應組成，及在一些實例中亦使用烷氧基矽烷。水解係藉由在酸性、中性或鹼性條件下向醇鹽或矽烷溶液添加水開始。因此，藉由向金屬醇鹽添加少量水，可獲得聚合奈米複合物。適用於製造溶膠-凝膠之化合物之實例包括矽醇鹽，諸如原矽酸四烷基酯(例如，原矽酸四乙酯)、倍半矽氧烷及苯基三乙氧基矽烷。填充劑根據一些實施例，冷燒結陶瓷聚合物複合物可包括一或更多種填充劑。該填充劑係以該複合物之約0.001重量%至約50重量%或約0.01重量%至約30重量%或約0.001重量%或以下或約0.01重量%、0.1、1、2、3、4、5、10、15、20、25、30、35、40、45重量%或約50重量%或以上存在。該填充劑可均質分佈於該複合物中。該填充劑可為纖維或微粒的。該填充劑可為矽酸鋁(莫來石)、合成矽酸鈣、矽酸鋯、熔融矽石、結晶二氧化矽石墨、天然矽砂或類似物；硼粉末(諸如硼-氮化物粉末、硼-矽酸鹽粉末或類似物)；氧化物(諸如TiO₂ 、氧化鋁、氧化鎂或類似物)；硫酸鈣(諸如其酸酐、脫水物或三水合物)；碳酸鈣(諸如白堊、石灰岩、大理石、合成沈澱碳酸鈣或類似物)；滑石(包括纖維、模塊化、針形、薄片狀滑石或類似物)；矽灰石；表面經處理之矽灰石；玻璃球(諸如空心及實心玻璃球、矽酸鹽球、微珠、鋁矽酸鹽(鋁矽酸鹽(armospheres))或類似物)；高嶺土(包括硬質高嶺土、軟質高嶺土、煅燒高嶺土、包括此項技術中已知用以促進與聚合基質樹脂之相容性之各種塗層之高嶺土或類似物)；單晶纖維或「晶鬚」(諸如碳化矽、氧化鋁、碳化硼、鐵、鎳、銅或類似物)；纖維(包括連續纖維及短纖維)，諸如石棉、碳纖維、玻璃纖維；硫化物(諸如硫化鉬、硫化鋅或類似物)；鋇化合物(諸如鈦酸鋇、鋇鐵氧體、硫酸鋇、重晶石或類似物)；金屬及金屬氧化物(諸如微粒或纖維鋁、青銅、鋅、銅及鎳或類似物)；片狀填充劑(諸如玻璃片、碳化矽片、二硼化鋁、鋁片、鋼片或類似物)；纖維填充劑(諸如短無機纖維，諸如彼等衍生自包括矽酸鋁、氧化鋁、氧化鎂及硫酸鈣半水合物或類似物中至少一者之摻混物者)；天然填充劑及加強物(諸如藉由磨碎木頭獲得之木屑)；纖維產品(諸如洋麻、纖維素、棉花、瓊麻、黃麻、亞麻、澱粉、玉米粉、木質素、苧麻、藤、龍舌蘭、竹、大麻、花生殼、玉米、椰子(椰殼纖維)、稻穀殼或類似物)；有機填充劑 (諸如聚四氟乙烯、自可形成纖維之有機聚合物(諸如聚(醚酮)、聚醯亞胺、聚苯并噁唑、聚(苯硫醚)、聚酯、聚乙烯、芳族聚醯胺、芳族聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚四氟乙烯、丙烯酸樹脂、聚(乙烯醇)或類似物))所形成之加強有機纖維填充劑；及填充劑(諸如雲母、黏土、長石、飛灰、鋁矽酸鎂鹽、石英、石英岩、珍珠岩、矽藻土(Tripoli)、矽藻土(diatomaceous earth)、碳黑或類似物或包括前述填充物中至少一者之組合。該填充劑可為滑石、洋麻纖維或其組合。該纖維可用金屬材料層塗覆以促進導電性，或對表面進行矽烷、矽氧烷或矽烷及矽氧烷之組合處理以改良於該複合物內之黏附及分散。該填充劑可選自碳纖維、礦物填充劑及其組合。該填充劑可選自雲母、滑石、黏土、鈣矽石、硫化鋅、氧化鋅、碳纖維、玻璃纖維、經陶瓷塗覆之石墨、二氧化鈦或其組合。金屬及碳在各種實施例中，冷燒結陶瓷聚合物複合物包括一或更多種元素金屬。該金屬係以粉末化形式或顆粒形(諸如奈米顆粒，其中數目平均粒度在自約10 nm至約500 nm之範圍內)式存在。示例性金屬包括(但不限於)鋰、鈹、鈉、鎂、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鎵、銣、鍶、釔、鋯、鈮、鉬、鍀、釕、銠、鈀、銀、鎘、銦、錫、銫、鋇、鑭、鈰、鐠、釹、鉕、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鑥、鉿、鉭、鎢、錸、鋨、銥、鉑、金、汞、鉈、鉛、鉍、釙、鈁、鐳、錒、釷、鏷、鈾、錼、鈈、鋂、鋦、錇、鉲、鎄、鐨、鍆、鍩、鐒、鑪、金杜、金喜、金波、金黑、金麥、鐽、錀、鎶、鉨(ununtrium)、鈇、鏌(ununpentium)、鉝及其組合。在其他實施例中，視需要與任何其他實施例組合，冷燒結陶瓷聚合物複合物包括碳之一或更多種形式。碳可在本文描述之方法之冷燒結步驟前引入聚合物及無機化合物之混合物內。碳之各種形式係適用於本發明中，包括石墨、奈米碳管、石墨烯、碳黑、富勒烯、非晶形碳、瀝青及焦油。額外之處理步驟冷燒結陶瓷聚合物複合物之最終外形及性質可藉由進行在冷燒結步驟之前及/或之後發生之額外步驟調適。例如，各種實施例中之本發明方法包括一或更多個步驟，其等包括注塑模製、高壓釜、壓延成型、乾壓、流延成型及擠壓。該等步驟可對該混合物進行以便於施加外形或幾何形狀，其等在冷燒結步驟後仍保留。以此方式，例如，壓延成型之步驟可最終產生冷燒結陶瓷聚合物複合物之薄片狀形式。或者，具有複雜幾何形狀、特徵及形狀之機械零件可藉由首先注塑模製混合物(其然後經冷燒結)產生。或者或另外，引入各種後固化或修整步驟。此等包括(例如)退火及機械加工。在一些實施例中，引入退火步驟，其中冷燒結陶瓷聚合物複合物需較大之物理強度或抗裂性。例如，就一些聚合物或聚合物組合而言，冷燒結步驟雖足以燒結陶瓷，但無法提供足夠熱量以確保聚合物完全流入陶瓷空隙內。因此，退火步驟可提供持續足以達成完全流動之時間之熱量，及藉此例如相較於未經退火步驟之冷燒結陶瓷聚合物複合物，確保改良之擊穿強度、韌性及摩擦性質。或者，該冷燒結陶瓷聚合物複合物可經歷視需要預程式化溫度及/或壓力斜升、保持或循環，其中該溫度或壓力或兩者視需要多次增加或減小。冷燒結陶瓷聚合物複合物亦可使用此項技術中已知的習知技術進行機械加工。可進行機械加工步驟以產生成品零件。例如，注塑模製之預燒結步驟可產生零件之整體形狀，而機械加工之後燒結步驟可添加細節及精確特徵。實例下列實例進一步闡述本發明之額外實施例。因此，該等實例非意欲限制本發明之範圍。實例1A：冷燒結陶瓷聚合物複合物冷燒結陶瓷聚合物複合物係使用不同類型之陶瓷及聚合物製成。使用研缽及研杵混合無機化合物起始材料及聚合物之粉末與少量液體。然後將所得混合物放於圓柱形模中及熱壓。該熱壓係在各種溫度、保持時間及壓力下進行。冷燒結陶瓷聚合物複合物之緻密化係藉由量測容積密度(例如，阿基米德方法)及藉由使用SEM/TEM觀察微結構進行分析。實例2A：冷燒結陶瓷聚合物金屬複合物冷燒結陶瓷聚合物金屬複合物係使用不同類型之無機化合物起始材料、金屬及聚合物製成。使用研缽及研杵混合無機化合物、聚合物及金屬之粉末與少量液體。然後將所得混合物放於圓柱形模中及熱壓。該熱壓係在各種溫度、保持時間及壓力下進行。陶瓷-聚合物-金屬複合物之緻密化係藉由量測容積密度及藉由使用SEM/TEM觀察微結構進行分析。實例3A：具有電子導電性之冷燒結陶瓷聚合物複合物陶瓷傳統上因其等電絕緣性質而著名。在燒結陶瓷主體內添加導電性填充劑可容許增強導電性。不同導電性填充劑之實例包括併入陶瓷基質內以改良其導電性之導電性聚合物。導電性聚合物(亦稱為本徵型導電聚合物(ICP))係可導電之聚合物之群。導電性聚合物由線性主鏈組成，諸如聚乙炔、聚吡咯及聚苯胺及其等共聚物。聚(對伸苯基伸乙烯基) (PPV)及其可溶衍生物適用作電致發光半導體聚合物。聚(3-烷基噻吩)係用於太陽能電池及電晶體之典型材料。金屬及石墨係熟知的電導體。此等材料之併入顯示導電性之改良。具有改良之導電性之冷燒結陶瓷聚合物複合物係適用於有機太陽能電池、印刷電子電路、有機發光二極體、致動器、電致變色、超級電容器、電池、化學感測器及生物感測器、可撓性透明顯示器及電磁遮罩。實例4A：具有離子導電性之冷燒結陶瓷聚合物複合物製成具有改良之離子導電性之冷燒結陶瓷聚合物複合物。離子導電性聚合物(諸如聚丙烯腈(PAN)、聚(環氧乙烷)、聚(偏二氟乙烯)、聚(甲基丙烯酸甲酯))之併入產生改良之離子導電性。同樣地，快離子導體(FIC) (諸如聚丙烯醯胺、瓊脂、納菲薄膜、釔穩定化氧化鋯、β氧化鋁、氟離子導體、碘化物、硫化銀、氯化鉛、鈦酸鍶、錫酸鍶、Zr(HPO₄ )₂ .nH₂ O及UO₂ HPO₄ .nH₂ O)之併入增強離子導電性。CCM之一種可能之應用係在固態電池及超級電容器中。實例5A：具有韌性之冷燒結陶瓷聚合物複合物由於可移動位錯活性之缺乏，大部分陶瓷(諸如Al₂ O₃ 、ZrO₂ 、SiC及Si₃ N₄ )遭受塑性變形之缺乏，且因此其等本質上易碎及對裂縫極度敏感。陶瓷之增韌係通常非本質地(即，通過使用可促進裂紋尖端遮罩機制(諸如裂紋偏轉、原位相變、被迫微裂及裂紋橋接)之微結構)達成。不同於陶瓷，聚合物不含有晶面、位錯及晶界，而是由共價結合之分子網路組成。聚合物之變形本質上係可塑的。在燒結陶瓷主體內併入聚合物有助於改良冷燒結陶瓷聚合物複合物之韌性。呈粉末(1 nm至500 µm)、纖維或晶鬚之形式之增強添加劑併入陶瓷基質內可抑制裂紋擴展，藉此防止冷燒結陶瓷聚合物複合物材料脆性斷裂。實例6A：將相變材料(PCM)併入冷燒結陶瓷聚合物複合物內熱能儲存可改良能量系統之性能及可靠性。針對潛熱熱能儲存(LHTES)使用PCM係較佳方法，因其具有安全性、穩定性及高能量儲存密度。大量有機及無機物質及共晶已作為PCM進行研究。PCM因此使用本文描述之冷燒結方法併入陶瓷主體內。實例7A：具有摩擦性質之冷燒結陶瓷聚合物複合物將非陶瓷材料併入冷燒結陶瓷聚合物複合物中可減小摩擦係數。例如，冷燒結陶瓷聚合物複合物係自聚苯乙烯與氧化鋁粉末及鋼鐵與氧化鋁粉末之混合物製成。複合物之摩擦及磨損行為係在乾滑動摩擦條件下測定。測試係在不同之正常負荷及滑動速度下在室溫下進行。在磨損測試期間測定摩擦係數及磨損損失。陶瓷材料(諸如硫化物，其等包括硫化銅及硫化鉬)作為基質材料或添加劑可改良摩擦性質。實例8A：具有可加工性之冷燒結陶瓷聚合物複合物相較於陶瓷，聚合物易於處理。各種冷燒結陶瓷聚合物複合物係經製成及與缺乏聚合物組件之相應之陶瓷進行比較。如由通過不同之處理條件證實，聚合物之併入改良冷燒結陶瓷聚合物複合物之可加工性。實例9A：具有非可燒結聚合物之冷燒結陶瓷聚合物複合物針對使用非可燒結聚合物製成之各種冷燒結陶瓷聚合物複合物測定容積密度。非可燒結聚合物係當陶瓷及聚合物混合物經歷CSP之壓力及溫度時不燒結之聚合物之群。非可燒結聚合物係通常結構中具有非晶形結構或少量結晶度之聚合物。實例10A：具有擊穿強度之冷燒結陶瓷聚合物複合物冷燒結陶瓷聚合物複合物係用於高壓電容器、高溫絕緣及電晶體之聚合及陶瓷介電質之替代物。增加之介電強度、增加之介電常數、漸進破壞模式、材料可調性及可加工性之組合提供優於僅聚合物或僅陶瓷材料之優良性質。聚合物因其可加工性及高擊穿強度而常用；然而，對更高之能量儲存之需求已日益增長。將聚合物併入冷燒結陶瓷聚合物複合物之陶瓷主體內導致增強之擊穿強度。實例11A：具有介電常數之冷燒結陶瓷聚合物複合物陶瓷(尤其鐵電陶瓷)具有高介電常數，但易碎及具有低介電強度，而聚合物係可撓性的及易於處理且具有高介電強度，但具有很小之介電常數。冷燒結陶瓷聚合物複合物組合陶瓷及聚合物之優點，及其等係可撓性及易於處理且具有相對高之介電常數及高之擊穿強度之材料。實例12A：具有高持續使用溫度之冷燒結陶瓷聚合物複合物用於冷燒結陶瓷聚合物複合物中之聚合物之選擇可影響複合物之高持續使用溫度。實例13A：具有可燒結聚合物之冷燒結陶瓷聚合物複合物可燒結聚合物係經歷燒結之聚合物。其等係通常具有高熔點及不可由習知熔化處理技術處理之聚合物。通常，具有至少200℃之熔點之聚合物係適合作為可燒結聚合物。此等聚合物之實例係聚四氟乙烯聚合物(PTFE)、四氟乙烯(ETFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、三氟氯乙烯(ECTFE)、全氟烷氧基(PFA)、聚芳醚酮(PEK)、聚芳碸(PSU)、聚芳基醚碸(PES)、聚芳硫醚(PAS)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚酯醯亞胺、聚乙內醯脲、聚環烯、液晶聚合物(LCP)、聚芳基硫醚、聚噁二唑苯并咪唑、聚苯并咪唑(PBI)及聚咪唑并吡咯酮(哌喃酮)。相較於非可燒結聚合物，可燒結聚合物之併入提供較高之容積密度。另外，因為可燒結聚合物具有較高之熔化溫度，所以其等亦可在在高溫下處理及使用。實例15A：具有摩擦電材料之冷燒結陶瓷聚合物複合物摩擦電材料係一種當開始與不同材料摩擦接觸時帶電之材料。通常，陶瓷顯示弱摩擦電性質，而聚合物顯示良好之摩擦電性質。該等冷燒結陶瓷聚合物複合物可改良摩擦電性質。顯示摩擦電性質之聚合物之一些實例係聚二甲基矽氧烷(PDMS)、耐隆、丙烯酸系聚合物等。取決於聚合物之類型，該等冷燒結陶瓷聚合物複合物顯示正或負摩擦電行為。當正及負摩擦電材料彼此相對使用時，摩擦電性質係經增強。摩擦電材料可用以獲取能量。實例16A：具有增容劑之冷燒結陶瓷聚合物複合物增容作用係向聚合物之不混溶摻混物添加材料以改良其等穩定性及處理。冷燒結陶瓷聚合物複合物係藉由併入各種增容劑製成。說明性增容劑係官能化聚合物，諸如酸官能化烯烴、DuPont’s Fusabond®、DuPont’s Elvaloy®等。一般材料及程序將下列資訊適用於下文實驗實例及比較實例。使用如下固態反應製造二鉬酸鈉(Na₂ Mo₂ O₇ ; NMO)：將Na₂ CO₃ (99.95%, Alfa Aesar)及MoO₃ (99.5%, Alfa Aesar)以必要比率經由球磨混合於乙醇中歷時24小時以產生混合物。該混合物係在85℃下乾燥及然後在箱式爐中加熱至500℃歷時5小時以產生NMO。所得NMO粉末係經由球磨於乙醇中研磨24小時及然後在85℃下再次乾燥。由此程序製成之所有NMO批次之X射線繞射(XRD)圖案顯示相純樣品。鉬酸鋰(LMO)係獲自Sigma-Aldrich。粒度(以微米計)係用Malvern Masterziser 2000量測。原樣LMO顯示d10=60、d50=191、d90=620之粒度。經研磨之LMO顯示d10=7、d50=28、d90=83之粒度。理論密度= 3.03 g/cc 氧化鋅係獲自Sigma Aldrich。BET表面具有200 nm之平均粒度。理論密度= 5.61 g/cc 聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(PEI)及聚乙烯(PE)之聚合物粉末係自製或購買自Michelman (Michem Emulsions) (PP, PE)。乳劑經報告具有~1 μm之聚合物粒度。水性乳劑之乾燥係在80℃下在真空烘箱中進行以防止在乾燥期間黏性燒結。經乾燥之乳劑係使用研缽及研杵進行研磨。水=去離子水。模=具有具有13mm直徑腔之不鏽鋼。擠壓=臺式液壓機(Dake, Model B-10)。加熱器=加熱帶(Grangier, Item # 2VYA3, Mfr. Model# NHW00142)及控制熱電偶(Watlow-distributor.com; 72XTSGB036D)，其使用電源(J-Kem Scientific, Model 210)。相對密度(%) = (量測密度/理論密度)*100。比較實例1：純LMO冷燒結陶瓷將1.5公克之量之LMO添加至研缽及用研杵研磨至約99微米之平均粒度。向此粉末添加去離子水及混合約2分鐘以形成糊狀物質。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係在變化之壓力及溫度下進行及對相對密度之影響係繪製於表1A及表1B中。溶劑含量對相對密度之影響係呈現於表1C中。表1A：溫度及壓力對相對密度之影響。表1B：壓力對相對密度之影響。表3：溶劑含量對相對密度之影響。比較實例2：純經研磨之LMO冷燒結陶瓷將1.5公克之量之經研磨之LMO添加至研缽及用研杵研磨至約99微米之平均粒度。向此粉末添加去離子水及混合約2分鐘以形成糊狀物質。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係用變化之壓力進行及對相對密度之影響係繪製於表2中。表2：經燒結研磨之LMO陶瓷集結粒之相對密度比較實例3：純NMO冷燒結陶瓷將1.5公克之量之NMO添加至研缽及用研杵研磨至約99微米之平均粒度。向此粉末添加去離子水及混合約2分鐘以形成糊狀物質。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係用變化之壓力、溫度及溶劑含量進行及其等對相對密度之影響係繪製於表3A至3C中。表3A：溫度對相對密度之影響。表3B：壓力對相對密度之影響。表3C：溶劑含量對相對密度之影響。實驗實例1：經由冷燒結之NMO / PEI 將1 g之經10體積% PEI (ULTEM^TM 1000; Dv50粒度15 µm)填充之NMO粉末添加至研缽，其中添加50或100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係在134.0 MPa或268.0 MPa下進行30 min。相對密度對溫度之影響係呈現於表4中。表4：溫度、壓力及溶劑含量對相對密度之影響。實驗實例2：經由冷燒結之NMO /聚乙烯複合物將含有變化量PE之一系列NMO粉末樣品(1 g)個別地添加至研缽，其中添加50或100 µl/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係在268.0 MPa或134.0 MPa下在120℃下進行30 min。相對密度對PE體積%之影響係呈現於表5中。表5：PE體積%對相對密度之影響實驗實例3：經由冷燒結之LMO /聚醚醯亞胺複合物將1 g之經PEI (ULTEM^TM 1000; Dv50粒度15um)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加50 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係在134.0 MPa² 下在120℃下或在240℃下進行30 min。相對密度對PE體積%之影響係繪製於表6及7中。應注意在240℃下燒結之LMO/PEI複合物顯示比彼等在120℃下燒結者更低之相對密度。此藉由在該實驗之冷卻階段期間施加解決，其導致大於96%相對密度。表6：在120℃下PEI體積%對相對密度之影響。表7：在240℃下冷卻條件及溶劑含量對相對密度之影響。實驗實例4：經由冷燒結之LMO /聚碳酸酯複合物將含有變化量之PC填充之一系列LMO粉末樣品(1 g)個別地添加至研缽，其中添加50 µl/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係用134.0 MPa在120℃下進行30 min。相對密度對PC Dv50粒度及體積%之影響係繪製於表8中。表8：PC體積%及Dv50粒度對相對密度之影響。實驗實例5：經由冷燒結之氧化鋅(ZnO) /聚醚醯亞胺複合物將1 g經聚醚醯亞胺(ULTEM^TM 1000; Dv50粒度1 um)填充之ZnO粉末添加至研缽，其中添加於去離子水中之100 µL/g 1.8M乙酸溶液。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮成集結粒。實驗係用134.0 MPa在120℃下進行30 min。相對密度對聚醚醯亞胺體積%之影響係繪製於表9中。表9：聚醚醯亞胺體積%對相對密度之影響。實驗實例6：後退火將2 g之經PEI (ULTEM^TM 1010；平均粒度Dv50 = 1 µm)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268.0 MPa壓力及120℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。樣品在液氮中破碎及一半在烘箱中在260℃下經退火1小時。退火後，破裂表面兩等分皆在SEM下進行成像及比較。所得影像證實聚合物顆粒之形態自在120℃下之球形至在260℃下之熔融狀之清晰變化。實驗實例7：導熱性將1 g之經PEI (ULTEM^TM 1000; Dv50粒度1 µm)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加50 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係用134.0 MPa在120℃下進行30 min。利用Retsch 447雷射閃光分析(LFA)儀器根據標準ASTM E1461、DIN EN 821、DIN 30905及ISO 22007-4:2008，使如製備時之樣品經歷導熱性測試。就各樣品而言，熱擴散率(a; mm² /s)係由LFA量測，比熱(c_p ; J/g/K)係由差示掃描量熱法量測，及密度(ρ; g/cm³ )係由熱板量測，以根據下式計算導熱性(λ; W/m^* K)：　　　　　　導熱性係根據國家及國際標準(諸如ASTM E1461、DIN EN 821、DIN 30905及ISO 22007-4:2008)量測，及樣品係在所需溫度下穩定化，雷射在幾分鐘內發射數次及必要資料係針對各雷射「發射」進行記錄。導熱性對PE體積%之影響係繪製於表10中。表10：PEI體積%對導熱性之影響。實驗實例8：電性質將0.5 g之經PP (Dv50粒度＜1 μm)或PEI (ULTEM^TM 1000; Dv50粒度1 μm)填充之NMO粉末添加至研缽，其中添加50 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係用134.0 MPa在120℃下進行30 min。介電常數及損失因數就介電常數及損失量測而言，使用Heidenhain Metro計量器量測樣品厚度，精確至± 0.2 µm。選擇13 mm區中之三個位置經以在金屬化前量測薄膜厚度，及其等平均值用於介電常數計算。使用13 mm直徑圓形遮罩將Metalon® HPS-FG32銀墨沈積於在真空烘箱中在120℃下乾燥2小時後的各樣品上。然後使經銀墨塗覆之樣品在120℃下固化2小時。使用與Tenney濕度及溫度室同步之Agilent E4980A Precision LCR Meter以量測在23℃、60℃、120℃下之作為頻率之函數之介電常數及介電損失。LCR儀之連接係用經焊接至兩個彈簧探針之Keysight 16048A測試引線套組製造。擊穿強度擊穿強度(BDS)係遵循ASTM D-149標準(以500 V/s斜升)量測。此測試利用浸漬於矽油中在黃銅板上之6.35 mm不鏽鋼模球以最小化電場不均勻性及存在於測試位置之薄膜缺陷之風險。ASTM D-149返回接近樣品之權利BDS之值。對用360粗砂砂紙拋光，於異丙醇中沖洗及在真空烘箱中在120℃下乾燥2小時後的各樣品量測擊穿強度厚度。厚度係使用如上文描述之Heidenhain Metro計量器在擊穿前量測。此可完成使得可將球平面內量測置於進行厚度量測之確切地點上。在各樣品(及每種組合物製備3個樣品)上進行三次量測及資料集係使用2參數威布爾分佈擬合。尺度參數係電容器之63%已經擊穿的電壓，及β(形狀參數(亦常被稱為斜坡))係威布爾模量，其指示該分佈之寬度。介電油溫度在23℃下保持穩定。結果表11至19呈現散裝NMO及NMO-聚醚醯亞胺(PEI)複合物在23℃、60℃、120℃下之介電常數相對於在自20 Hz至1 MHz之範圍內之頻率。最大量測係取決於聚合物-陶瓷複合物中聚合物之耐溫能力(Tg或Tm)。該等表亦呈現在23℃、60℃及120℃下之介電損失Df (亦被稱為耗散因數或損失正切)，其為取決於聚合物-陶瓷複合物中聚合物之最大操作溫度之頻率之函數。表11：散裝NMO在23℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表12：在120℃下製成之具有10% PEI之冷燒結NMO在23℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表13：在240℃下製成之具有10% PEI之冷燒結NMO在23℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表14：散裝NMO在60℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表15：在120℃下製成之具有10% PEI之冷燒結NMO在60℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表16：在240℃下製成之具有10% PEI之冷燒結NMO在60℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表17：散裝NMO在120℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表18：在120℃下製成之具有10% PEI之冷燒結NMO在120℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表19：在240℃下製成之具有10% PEI之冷燒結NMO在120℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表20至34呈現散裝NMO及NMO-聚丙烯(PP)複合物在23℃、60℃、120℃下之介電常數及損失相對於在自20 Hz至1 MHz之範圍內之頻率。最大量測係取決於聚合物-陶瓷複合物中聚合物之耐溫能力(Tg或Tm)。表20：具有10% PP之冷燒結NMO在23℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表21：具有20% PP之冷燒結NMO在23℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表22：具有30% PP之冷燒結NMO在23℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表23：具有40% PP之冷燒結NMO在23℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表24：具有50% PP之冷燒結NMO在23℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表25：具有10% PP之冷燒結NMO在60℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表26：具有20% PP之冷燒結NMO在60℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表27：具有30% PP之冷燒結NMO在60℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表28：具有40% PP之冷燒結NMO在60℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表29：具有50% PP之冷燒結NMO在60℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表30：具有10% PP之冷燒結NMO在120℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表31：具有20% PP之冷燒結NMO在120℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表32：具有30% PP之冷燒結NMO在120℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表33：具有40% PP之冷燒結NMO在120℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 表34：具有50% PP之冷燒結NMO在120℃下之介電常數(DK)及損失(Df) 下表35顯示最佳擬合線之威布爾擊穿強度(通常被稱為比例因數或α)及斜率(通常被稱為β)。10%PP-NMO及40%PP-NMO樣品具有在0.77至0.82範圍內之最差R^2值及所有其他散裝陶瓷及聚合物-陶瓷複合物樣品具有＞0.90之R^2最佳擬合值。表35：散裝NMO及冷燒結NMO-PP及NMO-PEI複合物之最佳擬合線之ASTMD-149威布爾(Weibull)擊穿強度及斜率 10%PP-NMO樣品在每個經測試之樣品中具有最高擊穿強度。增加NMO中PP之負荷水平顯示減小擊穿強度以及50-50摻混等效於散裝NMO結果。在120℃下製成之10%PEI-NMO複合物具有與散裝NMO相似之擊穿強度，而在240℃下產生之樣品相對於散裝具有輕微增加。實驗實例9：冷燒結複合物之熱膨脹係數熱膨脹係數(CTE)係使用TA儀器熱機械分析儀TMA Q400進行量測及資料係使用來自TA儀器之Universal Analysis V4.5A進行分析。量測為13 mm圓直徑，2 mm厚度集結粒之樣品係經重塑以配合TMA Q400儀器。將曾放置於該TMA Q400中之樣品加熱至150℃ (@20℃/min)，在該溫度下水分及壓力應釋放及然後冷卻至-80℃ (@20℃/min)以開始實際CTE量測。以每分鐘5℃將該樣品自-80℃加熱至150℃，在每分鐘5℃下，作為溫度之函數量測位移。然後將量測資料加載於分析軟體中及CTE係使用Alpha x1-X2方法進行計算。該方法量測自溫度T1至溫度T2之維度變化及用下列方程式將該維度變化轉化為CTE值：其中： ∆L =長度變化(µm) ∆T =溫度變化(℃) L0 =樣品長度(m) 用TMA Q400測試LMO冷燒結樣品中呈變化濃度的三種聚合物之CTE。結果係呈現於下表36中。表36：LMO/PEI、LMO/PS及LMO/聚酯冷燒結複合物之CTE 實驗實例10：冷燒結溫度對LMO/PEI複合物之機械性質之影響徑向壓縮在徑向壓縮測試方法中，圓盤係由兩個平坦之金屬板沿其直徑進行壓縮。沿直徑進行之壓縮產生垂直於樣品之中平面中之裝載方向之最大拉伸壓力[參見，參考JJ Swab等人，Int J Fract (2011) 172: 187-192]。陶瓷之破裂強度(σ_f )可由下式計算：其中P係破裂負荷，D係盤直徑及t係盤厚度。所有測試係於室溫下在具有1000 N荷重計之ElectroPlus^TM E3000全電氣式動態測試儀器(Instron)上進行。將樣品安裝在兩個平坦之金屬盤之間及施加5 N之小預負荷。徑向壓縮測試係在位移控制(0.5 mm/min)下進行，及在250 Hz下獲取時間、壓縮位移及負荷資料。在測試前，所有樣品係使用黑色噴漆噴出斑點。在徑向壓縮期間，具有斑點之表面之順序影像係用INSTRON視訊伸長計AVE (Fujinon 35 mm)在50 Hz之頻率下獲取。測試後，所有影像使用DIC重播軟體(Instron)進行分析以產生全場應變圖(full-field strain map)。將虛擬應變器(6 mm x 3 mm)嵌入於各樣品之中平面中及計算橫向應變(ε_x )。破裂應變(ε_f )係在最大負荷下計算。 A. LMO樣品之製備。將2 g之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及150℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。 B. LMO/PEI複合物樣品。將2 g之PEI (ULTEM^TM 1010；平均粒度Dv50 = 15.4 µm；分子量= 51000 g/mol；分子數= 21000；Tg = 218℃)及LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及150、180、200及240℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。針對各溫度製備一個集結粒。獲得自徑向壓縮測試之機械性質係顯示於下表37中。獲得自凝膠滲透層析術(GPC)分析之分子量係列於表38中。ULTEM 1010之分子量係經維持高達至180℃之溫度，之後分子量下降，其表明ULTEM 1010在超過180℃之溫度下降解。表37：在不同溫度下燒結之LMO/PEI複合物之機械性質之總結表38：經由GPC量測之LMO/PEI複合物之分子量之總結。實驗實例11：在高於聚合物之Tg之溫度下進行之熱處理對LMO/PEI複合物之微結構之影響 LMO/PEI複合物樣品。將2 g之經PEI (ULTEM^TM 1010；平均粒度Dv50 = 1 µm)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及120℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。兩個集結粒係各用10體積% ULTEM^TM 1010及90體積% LMO製成。將一個集結粒於烘箱中在240℃下放置1小時。兩個集結粒皆係由分子量進行分析。經熱處理及未經熱處理(對照)之GPC結果係列於表39中。結果顯示不同於在240℃下之冷燒結(其導致ULTEM^TM 1010之分子量之顯著下降(＞85%))，在240℃下之熱老化導致分子量小於5%之變化。表39：經由GPC量測之LMO/PEI複合物之分子量之總結。 LMO/PEI複合物樣品。將2 g之經PEI (ULTEM^TM 1010；平均粒度Dv50 = 1 µm)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及120℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。一個集結粒係用40體積% (21.7重量%) ULTEM^TM 1010及60體積% LMO製成。樣品在液氮中破碎及一半在烘箱中在260℃下退火1小時。退火後，兩等分的破裂表面皆在SEM下進行成像及比較，其證實聚合物顆粒之形態自在120℃下之球形至在260℃下之熔融狀之清晰變化。實驗實例12：乾燥對LMO及LMO/PEI複合物之機械性質之影響 LMO樣品。將2 g之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及150℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。一個集結粒係原樣經測試及另一個在125℃下乾燥整夜以移除水分及然後在徑向壓縮下進行測試。 LMO/PEI複合物樣品。將2 g之PEI (ULTEM^TM 1010；平均粒度Dv50 = 15.4 µm；分子量= 51000 g/mol；分子數= 21000；Tg = 218℃)及LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及240℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。一個集結粒係原樣經測試及另一個係在125℃下乾燥整夜以移除水分。徑向壓縮測試結果係顯示於表40中。表40：在125℃下乾燥之前及之後之純LMO及LMO/PEI複合物之機械性質之總結。實驗實例13：燒結壓力對LMO/PEI複合物之機械性質之影響。 LMO/PEI複合物樣品。將經2 g之PEI (ULTEM^TM 1010；平均粒度Dv50 = 15.4 µm；分子量= 51000 g/mol；分子數= 21000；Tg = 218℃)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在134 MPa、268 MPa或402 MPa壓力及240℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。4個集結粒係在134 MPa壓力下製成，2個集結粒係在268 MPa下製成及3個集結粒係在402 MPa壓力下製成。所有集結粒係在125℃下於烘箱中乾燥整夜。徑向壓縮測試結果係顯示於表41中。其證實相較於在134及402 MPa下製成之樣品，在268 MPa壓力下冷燒結之LMO/PEI複合物顯示最高平均破裂應力及破裂應變。表41：在各種壓力下冷燒結之LMO/PEI複合物之機械性質之總結。實驗實例14：聚合物體積%之變化對LMO/PEI複合物之機械性質之影響。 LMO樣品。將2 g之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及150℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。使LMO集結粒在125℃下於烘箱中乾燥整夜及在徑向壓縮下進行測試。 LMO/PEI複合物樣品。將2 g之經PEI (ULTEM^TM 1010；平均粒度Dv50 = 15.4 µm；分子量= 51000 g/mol；分子數= 21000；Tg = 218℃)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及240℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。集結粒係在125℃下於烘箱中乾燥整夜。徑向壓縮測試結果係顯示於表42中。表42：在20及40體積%PEI下之LMO/PEI複合物之機械性質之總結。實驗實例15：聚合物粒度對LMO/PEI複合物之機械性質之影響。 LMO樣品。將2 g之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及150℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。LMO集結粒係在125℃下於烘箱中乾燥整夜及在徑向壓縮下進行測試。 LMO/PEI複合物樣品。將2 g之PEI (ULTEM^TM 1010)及LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。使用具有2種不同平均粒度之PEI。大PEI係定義為具有平均粒徑Dv50 = 15.4 µm；Dn50 = 1.8 µm之球形顆粒。小PEI係定義為具有平均粒徑Dv50 = 1.4 µm；Dn50 = 18.7 nm之球形顆粒。小顆粒係在SABIC下合成。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及在268 MPa壓力及180℃溫度下壓縮為陶瓷集結粒歷時30 min。集結粒係在125℃下於烘箱中乾燥整夜。徑向壓縮測試結果係顯示於表43中。表43：使用兩種不同平均粒度之PEI製成之LMO/PEI複合物之機械性質之總結。實驗實例16：LMO/PEI複合物之破裂應力及破裂應變將2 g之經PEI (ULTEM^TM 1010；平均粒度Dv50 = 1 µm)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加5 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係用134.0 MPa在120℃下進行30 min。純LMO及LMO/PEI複合物之獲得自徑向壓縮測試之破裂應力及破裂應變係列於表44中。LMO/PEI複合物之平均破裂應力及破裂應變相比於純LMO分別改良14%及82%。表44：經由冷燒結製成之LMO/PEI複合物之破裂應力及破裂應變。實驗實例17：經由冷燒結之LMO/PPO複合物將2 g之經PPO (經低溫研磨之SA90)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為陶瓷集結粒。實驗係用268.0 MPa在120、150、180、200及240℃下進行30 min。在機械測試前，所有集結粒係在125℃下於烘箱中乾燥整夜。純LMO及LMO/PPO複合物之獲得自徑向壓縮測試之破裂應力及破裂應變係列於表44中。表44：經由冷燒結製成之LMO-PPO複合物之破裂應力及破裂應變。實驗實例18：經由冷燒結之LMO/分支-PEI複合物將2 g經低溫研磨之分支PEI (33 kDa，具有0.3 mol%支化劑TAPE)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加50 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係用268.0 MPa在150℃及240℃下進行30 min。在機械測試前，所有集結粒係在125℃下於烘箱中乾燥整夜。純LMO及LMO/分支-PEI複合物之獲得自徑向壓縮測試之破裂應力及破裂應變係列於表45中。表45：經由冷燒結製成之LMO-分支-PEI複合物之破裂應力及破裂應變。實驗實例19：經由冷燒結之LMO/PC複合物將2 g經非晶形低溫研磨PC (LEXAN^TM 100樹脂)填充之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將該物質添加至不鏽鋼模及壓縮為具有高密度之陶瓷集結粒。實驗係用268.0 MPa在150℃下進行30 min。在機械測試前，所有集結粒係在125℃下於烘箱中乾燥整夜。純LMO及LMO/PC複合物之獲得自徑向壓縮測試之破裂應力及破裂應變係列於表46中。在150℃下燒結之LMO/PC複合物之平均破裂應力及破裂應變相比於純LMO分別改良15.5%及5%。表46：經由冷燒結製成之LMO-非晶形PC複合物之破裂應力及破裂應變。實驗實例20：多樣品冷燒結。 LMO樣品。將6 g之LMO粉末添加至研缽，其中添加100 µL/g去離子水。然後使用研杵將所得混合物研磨至糊狀稠度。將2 g之LMO去離子水混合物添加至不鏽鋼模，其中不鏽鋼模集結粒位於該混合物之上及之下。將另一2 g之LMO去離子水混合物添加至不鏽鋼模及將另一不鏽鋼模集結粒嵌入於頂部上。最後，將另一2 g之LMO去離子水混合物添加至不鏽鋼模及將不鏽鋼模集結粒嵌入於頂部上。在各樣品與剛模集結粒之間嵌入13 mm直徑及125微米厚之聚醯亞胺(Dupont^TM Kapton^® HN)薄膜。整個堆疊係在268 MPa壓力及180℃溫度下壓制30 min。各集結粒之所得密度列於表47中及與在相同溫度下製成之單一LMO集結粒相比較。表47：在單一集結粒與多個冷燒結集結粒之間的密度比較。其他實例下文列舉之額外實例進一步闡述本發明之方法及冷燒結陶瓷聚合物複合物。實例1係冷燒結陶瓷聚合物複合物，其由包括以下之方法製成： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高200℃以下之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該聚合物具有熔點(T_m ) (若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ 。實例2包括實例1，其中該聚合物不為聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯及磺化四氟乙烯(納菲薄膜)。實例3係冷燒結陶瓷聚合物複合物，其由包括以下之方法製成： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高200℃以下之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ ；及其中該聚合物係分支聚合物。實例4包括實例1至3中任一項，其中T₁ 係比該溶劑之沸點高不大於100℃。實例5包括實例1至4中任一項，其中該混合物進一步包含至少一種聚合物(P₂ )，其具有T_m (若該聚合物係結晶或半結晶)或T_g (若該聚合物係非晶形的)，其大於T₁ 。實例6包括實例1至5中任一項，其中該方法進一步包括： (c) 使該冷燒結陶瓷聚合物複合物經歷大於T_m 或T_g 之溫度T₂ 。實例6-A包括實例6，其中T₂ 係大於T₁ 。實例7包括實例1至6中任一項，其中該至少一種聚合物(P₁ )係選自由以下組成之群：聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚(對伸苯基伸乙烯基)、聚(3-烷基噻吩)、聚丙烯腈、聚(偏二氟乙烯)、聚酯、聚丙烯醯胺、聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚三氟氯乙烯、全氟烷氧基烷烴、聚芳醚酮、聚芳碸、聚芳基醚碸、聚芳硫醚、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚乙內醯脲、聚環烯、液晶聚合物、聚芳基硫醚、聚噁二唑苯并咪唑、聚咪唑并吡咯酮、聚哌喃酮、聚有機矽氧烷、聚醯胺、丙烯酸聚合物、其共聚物及其摻混物。實例8包括實例1至6中任一項，其中該混合物中該無機化合物之重量百分率基於該混合物之總重量係約50至約99% (w/w)。實例9包括實例1至8中任一項，其中該混合物中該至少一種聚合物之重量百分率基於該混合物之總重量係約1至約50% (w/w)。實例10包括實例1至9中任一項，其中該溶劑包含水、醇、酯、酮、偶極非質子性溶劑或其組合。實例11包括實例1至10中任一項，其中該溶劑基於該溶劑之總重量包含至少50重量%水。實例12包括實例1至11中任一項，其中該溶劑進一步包含無機酸、有機酸、無機鹼或有機鹼。實例13包括實例1至12中任一項，其中該方法進一步包括使冷燒結陶瓷聚合物複合物經歷後固化或修整步驟。實例14包括實例13，其中該後固化或修整步驟係退火或機械加工該冷燒結陶瓷聚合物複合物。實例15包括實例1至14中任一項，其中該方法進一步包括選自以下之一或更多個步驟：注塑模製、高壓釜及壓延成型。實例16包括實例1至15中任一項，其中該經受步驟(b)係在約50℃至約300℃之間的溫度(T₁ )下進行。實例17包括實例16，其中該溫度(T₁ )係在約70℃至約250℃之間。實例18包括實例17，其中該溫度(T₁ )係在約100℃至約200℃之間。實例19包括實例1至18中任一項，其中該混合物進一步包含基於碳之材料及元素金屬中之至少一者。實例20包括實例19，其中該基於碳之材料係選自由以下組成之群中之至少一者：石墨、奈米碳管、石墨烯、碳黑、富勒烯、非晶形碳、瀝青及焦油。實例21包括實例1至20中任一項，其中該冷燒結陶瓷聚合物複合物具有至少90%之相對密度。實例22包括實例1至21中任一項，其中該冷燒結陶瓷聚合物複合物具有至少95%之相對密度。實例23係用於製造冷燒結陶瓷聚合物複合物之方法，其包括： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ 。實例24包括實例23，其中該聚合物不為聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯及磺化四氟乙烯(納菲薄膜)。實例25係用於製造冷燒結陶瓷聚合物複合物之方法，其包括： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g ) (若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ ；及其中該聚合物係分支聚合物。實例26包括實例23至25中任一項，其中T₁ 係比該溶劑之沸點高不大於100℃。實例27包括實例23至26中任一項，其中該混合物進一步包含至少一種聚合物(P₂ )，其具有T_m (若該聚合物係結晶或半結晶)或T_g (若該聚合物係非晶形的)，其大於T₁ 。實例28包括23至27中任一項，其中該方法進一步包括： (c) 使該冷燒結陶瓷聚合物複合物經歷大於T_m 或T_g 之溫度T₂ 。實例28-A包括實例28，其中T₂ 係大於T₁ 。實例29包括23至28中任一項，其中該至少一種聚合物(P₁ )係選自由以下組成之群：聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚(對伸苯基伸乙烯基)、聚(3-烷基噻吩)、聚丙烯腈、聚(偏二氟乙烯)、聚酯、聚丙烯醯胺、聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚三氟氯乙烯、全氟烷氧基烷烴、聚芳醚酮、聚芳碸、聚芳基醚碸、聚芳硫醚、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚乙內醯脲、聚環烯、液晶聚合物、聚芳基硫醚、聚噁二唑苯并咪唑、聚咪唑并吡咯酮、聚哌喃酮、聚有機矽氧烷、聚醯胺、丙烯酸聚合物、其共聚物及其摻混物。實例30包括23至29中任一項，其中該混合物中該無機化合物之重量百分率基於該混合物之總重量係約50至約99% (w/w)。實例31包括23至30中任一項，其中該混合物中該至少一種聚合物之重量百分率基於該混合物之總重量係約1至約50% (w/w)。實例32包括23至31中任一項，其中該溶劑包含水、醇、酯、酮、偶極非質子性溶劑或其組合。實例33包括23至32中任一項，其中該溶劑基於該溶劑之總重量包含至少50重量%水。實例34包括23至33中任一項，其中該溶劑進一步包含無機酸、有機酸、無機鹼或有機鹼。實例35包括23至34中任一項，其中該方法進一步包括使冷燒結陶瓷聚合物複合物經歷後固化或修整步驟。實例36包括實例35，其中該後固化或修整步驟係退火或機械加工該冷燒結陶瓷聚合物複合物。實例37包括23至36中任一項，其中該方法進一步包括選自以下之一或更多個步驟：注塑模製、高壓釜及壓延成型。實例38包括23至37中任一項，其中該經受步驟(b)係在約50℃至約300℃之間的溫度(T₁ )下進行。實例39包括實例38，其中該溫度(T₁ )係在約70℃至約250℃之間。實例40包括實例39，其中該溫度(T₁ )係在約100℃至約200℃之間。實例41包括23至40中任一項，其中該混合物進一步包含基於碳之材料及元素金屬中之至少一者。實例42包括實例41，其中該基於碳之材料係選自由以下組成之群中之至少一者：石墨、奈米碳管、石墨烯、碳黑、富勒烯、非晶形碳、瀝青及焦油。實例43包括23至42中任一項，其中該冷燒結陶瓷聚合物複合物具有至少90%之相對密度。實例44包括23至43中任一項，其中該冷燒結陶瓷聚合物複合物具有至少95%之相對密度。

Claims

一種冷燒結陶瓷聚合物複合物，其由包括以下之方法製成： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ 。
如請求項1之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該聚合物不為聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯及磺化四氟乙烯(納菲薄膜(Nafion))。
一種冷燒結陶瓷聚合物複合物，其由包括以下之方法製成： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ ；及其中該聚合物係分支聚合物。
如請求項1至3中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中T₁ 係比該溶劑之沸點高不大於100℃。
如請求項1至4中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該混合物進一步包含至少一種聚合物(P₂ )，其具有T_m (若該聚合物係結晶或半結晶)或(若該聚合物係非晶形的)T_g ，其大於T₁ 。
如請求項1至5中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該方法進一步包括： c. 使該冷燒結陶瓷聚合物複合物經歷大於T_m 或T_g 之溫度T₂ 。
如請求項1至6中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該至少一種聚合物(P₁ )係選自由以下組成之群：聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚(對伸苯基伸乙烯基)、聚(3-烷基噻吩)、聚丙烯腈、聚(偏二氟乙烯)、聚酯、聚丙烯醯胺、聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚三氟氯乙烯、全氟烷氧基烷烴、聚芳醚酮、聚芳碸、聚芳基醚碸、聚芳硫醚、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚乙內醯脲、聚環烯、液晶聚合物、聚芳基硫醚、聚噁二唑苯并咪唑、聚咪唑并吡咯酮、聚哌喃酮、聚有機矽氧烷、聚醯胺、丙烯酸聚合物、其共聚物及其摻混物。
如請求項1至6中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該混合物中該無機化合物之重量百分率基於該混合物之總重量係約50至約99% (w/w)。
如請求項1至8中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該混合物中該至少一種聚合物之重量百分率基於該混合物之總重量係約1至約50% (w/w)。
如請求項1至9中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該溶劑包含水、醇、酯、酮、偶極非質子性溶劑或其組合。
如請求項1至10中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該溶劑基於該溶劑之總重量包含至少50%重量水。
如請求項1至11中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該溶劑進一步包含無機酸、有機酸、無機鹼、金屬鹽或有機鹼。
如請求項1至12中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該方法進一步包括使該冷燒結陶瓷聚合物複合物經歷後固化或修整步驟。
如請求項13之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該後固化或修整步驟係退火或機械加工該冷燒結陶瓷聚合物複合物。
如請求項1至14中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該方法進一步包括選自以下之一或更多個步驟：注塑模製、壓縮模塑、高壓釜及壓延成型。
如請求項1至15中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該經受步驟(b)係在約50℃至約300℃之間的溫度(T₁ )下進行。
如請求項16之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該溫度(T₁ )係在約70℃至約250℃之間。
如請求項17之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該溫度(T₁ )係在約100℃至約200℃之間。
如請求項1至18中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該混合物進一步包含基於碳之材料及元素金屬中之至少一者。
如請求項19之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該基於碳之材料係選自由以下組成之群中之至少一者：石墨、奈米碳管、石墨烯、碳黑、富勒烯、非晶形碳、瀝青及焦油。
如請求項1至20中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該冷燒結陶瓷聚合物複合物具有至少90%之相對密度。
如請求項1至21中任一項之冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該冷燒結陶瓷聚合物複合物具有至少95%之相對密度。
一種用於製造冷燒結陶瓷聚合物複合物之方法，其包括： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及比該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ 。
如請求項23之方法，其中該聚合物不為聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯及磺化四氟乙烯(納菲薄膜)。
一種用於製造冷燒結陶瓷聚合物複合物之方法，其包括： a. 將呈具有小於約30 µm之數目平均粒度之顆粒之形式之至少一種無機化合物與至少一種聚合物(P₁ )及可使該無機化合物至少部分溶解於其中之溶劑組合以獲得混合物；及 b. 使該混合物經歷不超過約5000 MPa之壓力及該溶劑之沸點(如在1 bar下測定)高不大於200℃之溫度(T₁ )以獲得該冷燒結陶瓷聚合物複合物，其中該聚合物具有熔點(T_m )(若該聚合物係結晶或半結晶)或玻璃轉化溫度(T_g )(若該聚合物係非晶形的)，其小於T₁ ；及其中該聚合物係分支聚合物。
如請求項23至25中任一項之方法，其中T₁ 係比該溶劑之沸點高不大於100℃。
如請求項23至26中任一項之方法，其中該混合物進一步包含至少一種聚合物(P₂ )，其具有T_m (若該聚合物係結晶或半結晶)或T_g (若該聚合物係非晶形的)，其大於T₁ 。
如請求項23至27中任一項之方法，其中該方法進一步包括： (c) 使該冷燒結陶瓷聚合物複合物經歷大於T_m 或T_g 之溫度T₂ 。
如請求項23至28中任一項之方法，其中該至少一種聚合物(P₁ )係選自由以下組成之群：聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚(對伸苯基伸乙烯基)、聚(3-烷基噻吩)、聚丙烯腈、聚(偏二氟乙烯)、聚酯、聚丙烯醯胺、聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚三氟氯乙烯、全氟烷氧基烷烴、聚芳醚酮、聚芳碸、聚芳基醚碸、聚芳硫醚、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚乙內醯脲、聚環烯、液晶聚合物、聚芳基硫醚、聚噁二唑苯并咪唑、聚咪唑并吡咯酮、聚哌喃酮、聚有機矽氧烷、聚醯胺、丙烯酸聚合物、其共聚物及其摻混物。
如請求項23至29中任一項之方法，其中該混合物中該無機化合物之重量百分率基於該混合物之總重量係約50至約99% (w/w)。
如請求項23至30中任一項之方法，其中該混合物中該至少一種聚合物之重量百分率基於該混合物之總重量係約1至約50% (w/w)。
如請求項23至31中任一項之方法，其中該溶劑包含水、醇、酯、酮、偶極非質子性溶劑或其組合。
如請求項23至32中任一項之方法，其中該溶劑基於該溶劑之總重量包含至少50重量%水。
如請求項23至33中任一項之方法，其中該溶劑進一步包含無機酸、有機酸、無機鹼或有機鹼。
如請求項23至34中任一項之方法，其中該方法進一步包括使冷燒結陶瓷聚合物複合物經歷後固化或修整步驟。
如請求項35之方法，其中該後固化或修整步驟係退火或機械加工該冷燒結陶瓷聚合物複合物。
如請求項23至36中任一項之方法，其中該方法進一步包括選自以下之一或更多個步驟：注塑模製、高壓釜及壓延成型。
如請求項23至37中任一項之方法，其中該經受步驟(b)係在約50℃至約300℃之溫度(T₁ )下進行。
如請求項38之方法，其中該溫度(T₁ )係在約70℃至約250℃之間。
如請求項39之方法，其中該溫度(T₁ )係在約100℃至約200℃之間。
如請求項23至40中任一項之方法，其中該混合物進一步包含基於碳之材料及元素金屬中之至少一者。
如請求項41之方法，其中該基於碳之材料係選自由以下組成之群中之至少一者：石墨、奈米碳管、石墨烯、碳黑、富勒烯、非晶形碳、瀝青及焦油。
如請求項23至42中任一項之方法，其中該冷燒結陶瓷聚合物複合物具有至少90%之相對密度。
如請求項23至43中任一項之方法，其中該冷燒結陶瓷聚合物複合物具有至少95%之相對密度。