JP2020532144A - ポリマーおよびセラミックの冷間焼結材料を含む基板 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2017年8月25日付で出願された「SUBSTRATE INCLUDING POLYMER AND CERAMIC COLD-SINTERED MATERIAL」と題する米国仮特許出願第62/550,417号の優先権の恩典を主張するものであり、その開示は参照によりその全体が本明細書に組み入れられる。
高周波セラミック誘電体基板は、電気的特性を容易に調整する能力(例えば、適当な誘電率を有し、共振周波数または誘電率の平坦な温度係数を有すること)が制限されうる。さらに、高周波セラミック誘電体基板は、高い機械的安定性(亀裂に対する耐性)および高い熱伝導性を欠きうる。
本開示によれば、セラミック/ポリマー複合材料は、上述の問題に対処する、電子用途における高周波デバイス基板としての用途のための基板として、冷間焼結プロセス(CSP)を介して開発された。複合基板は、単層構造(例えば、金属、絶縁体、金属および/もしくは金属、絶縁体)または層状構造(例えば、金属、絶縁体、互いに積み重ねられた金属、もしくは互いに積み重ねられた絶縁体の複数層を包含する)でありうる。基板は低温共焼成セラミック(LTCC)デバイスとして動作することができる。LTCCデバイスは、レジスタ、インダクタ、コンデンサ、アクティブコンポーネント、誘電体共振器などの組み入れにより、複数の機能を有することができる。
これから、開示された主題のある種の態様を詳細に参照するが、その例は添付の図面に部分的に例示されている。開示された主題は、列挙された特許請求の範囲と併せて記述されるが、例示された主題は、特許請求の範囲を開示された主題に限定することを意図しないことが理解されよう。
密度 = W乾燥/(W飽和-W懸濁)*溶媒の密度
ここで2-プロパノールの密度は、20℃で0.786 g/cm3、21℃で0.785 g/cm3、および22℃で0.784 g/cm3であるとみなされた。
一例では、Na2Mo2O7粉末を、以下の組成にしたがってポリエーテルイミド(PEI)と混合した: (1-x)Na2Mo2O7-xPEI (x = 0、10、20、30、40、50 Vol%)。混合物をエタノール中で24時間ボールミル粉砕し、その後85℃で乾燥させた。
TA instruments熱機械分析装置TMA Q400を用いて冷間焼結ハイブリッド材料の熱膨張係数を測定し、TA instrumentsのUniversal Analysis V4.5Aを用いてデータを分析する。
式中:
ΔL = 長さの変化(μm)
ΔT = 温度の変化(℃)
L0 = サンプル長(m)
以下の例示的な態様が提供されるが、その付番は重要度を指定するものと解釈されるべきではない。
以下:
ポリマー要素; および
セラミック要素;
を含む冷間焼結ハイブリッド材料と;
冷間焼結ハイブリッド材料内に少なくとも部分的に埋め込まれた導体と;
導体に接続されたビアと
を含み、
冷間焼結ハイブリッド材料が約80%〜約99%の範囲の相対密度を有する、
基板、が提供される。
ポリマー要素が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリケトン、ポリホルマール、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリ(p-フェニレンオキシド)、ポリエーテルイミド、200℃超のガラス転移温度を有するポリマー、それらのコポリマー、またはそれらの混合物から選択される、態様1記載の基板、が提供される。
ポリマー要素が、1つまたは複数のモノマーまたは反応性オリゴマーの重合から形成されるポリマーである、態様1または2のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
1つまたは複数のモノマーまたは反応性オリゴマーが、スチレン、スチレン誘導体、4-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン(N-vinylpryrolidone)、アクリロニトリル、酢酸ビニル、アルキルオレフィン、ビニルエーテル、酢酸ビニル、環状オレフィン、マレイミド、脂環式、アルケン、もしくはアルキン、またはそれらの混合物から選択される、態様3記載の基板、が提供される。
ポリマー要素が、分枝ポリマー、ポリマーブレンド、コポリマー、ランダムコポリマー、ブロックコポリマー、架橋ポリマー、架橋ポリマーと非架橋ポリマーとのブレンド、大員環、超分子構造、高分子イオノマー、動的架橋ポリマー、液晶ポリマー、ゾルゲル、またはそれらの混合物から選択される、態様1〜4のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
ポリマー要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約5 wt%〜約60 wt%の範囲にある、態様1〜5のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
ポリマー要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約20 wt%〜約40 wt%の範囲にある、態様1〜6のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
セラミック要素が、1つまたは複数のセラミック粒子を含む、態様1〜7のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
1つまたは複数のセラミック粒子が、球体、ウィスカ、ロッド、フィブリル、繊維、またはプレートレットとして形状化される、態様8記載の基板、が提供される。
1つまたは複数のセラミック粒子が、酸化物、フッ化物、塩化物、ヨウ化物、炭酸塩、リン酸塩、ガラス、バナジン酸塩、タングステン酸塩、モリブデン酸塩、テルル酸塩、ホウ酸塩またはそれらの混合物から選択される、請求項8または9のいずれか一項記載の基板、が提供される。
1つまたは複数のセラミック粒子が、BaTiO3、Mo2O3、WO3、V2O3、V2O5、ZnO、Bi2O3、CsBr、Li2CO3、CsSO4、LiVO3、Na2Mo2O7、K2Mo2O7、ZnMoO4、Li2MoO4、Na2WO4、K2WO4、Gd2(MoO4)3、Bi2VO4、AgVO3、Na2ZrO3、LiFeP2O4、LiCoP2O4、KH2PO4、Ge(PO4)3、Al2O3、MgO、CaO、ZrO2、ZnO-B2O3-SiO2、PbO-B2O3-SiO2、3ZnO-2B2O3、SiO2、27B2O3-35Bi2O3-6SiO2-32ZnO、Bi24Si2O40、BiVO4、Mg3(VO4)2、Ba2V2O7、Sr2V2O7、Ca2V2O7、Mg2V2O7、Zn2V2O7、Ba3TiV4O15、Ba3ZrV4O15、NaCa2Mg2V3O12、LiMg4V3O12、Ca5Zn4(VO4)6、LiMgVO4、LiZnVO4、BaV2O6、Ba3V4O13、Na2BiMg2V3O12、CaV2O6、Li2WO4、LiBiW2O8、Li2Mn2W3O12、Li2Zn2W3O12、PbO-WO3、Bi2O3-4MoO3、Bi2Mo3O12、Bi2O-2.2MoO3、Bi2Mo2O9、Bi2MoO6、1.3Bi2O3-MoO3、3Bi2O3-2MoO3、7Bi2O3-MoO3、Li2Mo4O13、Li3BiMo3O12、Li8Bi2Mo7O28、Li2O-Bi2O3-MoO3、Na2MoO4、Na6MoO11O36、TiTe3O8、TiTeO3、CaTe2O5、SeTe2O5、BaO-TeO2、BaTeO3、Ba2TeO5、BaTe4O9、Li3AlB2O6、Bi6B10O24、Bi4B2O9、またはそれらの混合物から選択される、態様8〜10のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
最大寸法に沿った1つまたは複数のセラミック粒子の個々の粒子の平均サイズが、約20 nm μm〜約30 μmの範囲にある、態様8〜11のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
セラミック要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約50 wt%〜約95 wt%の範囲にある、態様1〜12のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
セラミック要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約60 wt%〜約75 wt%の範囲にある、態様1〜13のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
ポリマー要素およびセラミック要素の体積対体積比(v:v)が、約1:100〜約100:1の範囲にある、態様1〜14のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
冷間焼結ハイブリッド材料上に配置された接着剤をさらに含む、態様1〜15のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
冷間焼結ハイブリッド材料が、ある程度のクローズドセル多孔性を含む焼結微細構造を有し、ポリマー要素が、焼結微細構造のクローズドセルの少なくともいくつかのなかに分散される、態様1〜16のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
冷間焼結ハイブリッド材料の厚さが、約0.5 μm〜約100 mmの範囲にある、態様1〜17のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
冷間焼結ハイブリッド材料の厚さが、約0.5 mm〜約50 mmの範囲にある、態様1〜18のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
冷間焼結ハイブリッド材料の複数の層を含む、態様1〜19のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
冷間焼結ハイブリッド材料の複数の層が約2層〜約400層を含む、態様20記載の基板、が提供される。
相対密度が約90%〜約95%の範囲にある、態様1〜21のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
導体が金属を含む、態様1〜22のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
金属が、銅、金、銀、ニッケル、それらの合金、白金および金の合金、パラジウムおよび銀の合金、またはそれらの混合物から選択される、態様23記載の基板、が提供される。
導体が、冷間焼結ハイブリッド材料の隣接する層の間に配置された導電層である、態様1〜24のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
ビアが金属を含む、態様1〜25のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
金属が、銅、金、銀、ニッケル、それらの合金、白金および金の合金、パラジウムおよび銀の合金、またはそれらの混合物から選択される、態様26記載の基板、が提供される。
ビアが導体から実質的に垂直な方向に延びる、態様1〜27のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
ビアが隣接する導体間に延びる、態様1〜28のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
基板の第1の表面と、該第1の表面の反対側の、基板の第2の表面との間に延びるサーマルビアをさらに含む、態様1〜29のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
導体が信号伝送導体、電力導体、または接地導体から選択される、態様1〜30のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
導体に接続された第1の電子要素および第2の電子要素のうちの少なくとも1つをさらに含む、態様1〜31のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
第1の電子要素および第2の電子要素の少なくとも1つが、基板内に少なくとも部分的に埋め込まれている、態様32記載の基板、が提供される。
第1および第2の電子要素の少なくとも1つが、インダクタ、コンデンサ、レジスタ、シリコンダイ、集積回路、バンドパスフィルタ、水晶発振器、またはアンテナである、態様32または33のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
シリコンダイが、中央処理装置、フラッシュメモリ、ワイヤレス充電器、電力管理集積回路(PMIC)、Wi-Fi送信機、全地球測位システム、およびNANDスタックから選択される、態様34記載の基板、が提供される。
冷間焼結ハイブリッド材料を含む基板の熱膨張係数が、冷間焼結ハイブリッド材料を含まない対応する基板、またはポリマー要素をそれほど有しない冷間焼結ハイブリッド材料を含む対応する基板よりも大きい、態様1〜35のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
第1の量の混合物を、第1のバッキング層上に堆積させる工程であって、
混合物が
ポリマー要素;
セラミック要素; および
結合剤
を含む、工程;
第1の量の混合物を少なくとも部分的に乾燥させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を第1のバッキング層上に形成させる工程;
第1のバッキング層を取り除く工程;
導体および電子要素の少なくとも1つを少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物上に印刷する工程;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を溶媒と接触させる工程; ならびに
冷間焼結混合物を生成させるために少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を焼結する工程であって、焼結する工程が、
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を取り巻く環境の圧力を、約1 MPa〜約5000 Mpaの範囲に上昇させること;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物の温度を溶媒の沸点よりも約1℃〜約200℃高い範囲に上昇させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を冷間焼結させ、基板を生成させること
を含み、
冷間焼結混合物が約80%〜約99%の範囲の相対密度を有する、工程
を含む、基板を作製する方法、が提供される。
混合物の温度を、ある量の結合剤を蒸発させるのに十分な温度まで上昇させる工程をさらに含む、態様37記載の方法、が提供される。
第1のバッキング層を切断して、混合物の第1の部分および混合物の第2の部分を生成させる工程; ならびに
第1の部分を第2の部分に対し積み重ねてスタックを形成し、
スタックの焼結後に、第1の部分が第1の冷間焼結ハイブリッド層を形成し、第2の部分が第2の冷間焼結ハイブリッド層を形成する、工程
をさらに含む、態様37または38のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の少なくとも1つに、少なくとも1つの孔を形成させる工程をさらに含む、態様39記載の方法、が提供される。
孔を画定する冷間焼結ハイブリッド層の表面上に金属をめっきする工程をさらに含む、態様40記載の方法、が提供される。
少なくとも部分的に穴内に少なくとも1つの電子要素を配置する工程をさらに含む、態様40記載の方法、が提供される。
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物が、約100℃〜約400℃の範囲の温度で焼結される、態様37〜42のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物が、約120℃〜約300℃の範囲の温度で焼結される、態様37〜43のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
圧力が約200 Psi〜約3000 Psiの範囲にある、態様37〜44のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
圧力が約500 Psi〜約2000 Psiの範囲にある、態様37〜45のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
圧力が約700 Psi〜約1000 Psiの範囲にある、態様37〜46のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
第1のバッキング層が、ポリマー要素のポリマーとは異なる少なくとも1つのポリマーを含む固体フィルムを含む、態様37〜47のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
材料がシリコーンで少なくとも部分的にコーティングされている、態様48記載の方法、が提供される。
第1のバッキング層が実質的に平面である、態様37〜49のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
ポリマー要素が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリケトン、ポリホルマール、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリ(p-フェニレンオキシド)、ポリエーテルイミド、200℃超のガラス転移温度を有するポリマー、それらのコポリマー、またはそれらの混合物から選択される、態様37〜50のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
ポリマー要素が1つまたは複数のモノマーまたは反応性オリゴマーの重合から形成されるポリマーである、態様37〜51のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
1つまたは複数のモノマーまたは反応性オリゴマーが、スチレン、スチレン誘導体、4-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン(N-vinylpryrolidone)、アクリロニトリル、酢酸ビニル、アルキルオレフィン、ビニルエーテル、酢酸ビニル、環状オレフィン、マレイミド、脂環式、アルケン、もしくはアルキン、またはそれらの混合物から選択される、態様52記載の方法、が提供される。
ポリマーが、分枝ポリマー、ポリマーブレンド、コポリマー、ランダムコポリマー、ブロックコポリマー、架橋ポリマー、架橋ポリマーと非架橋ポリマーとのブレンド、大員環、超分子構造、高分子イオノマー、動的架橋ポリマー、液晶ポリマー、ゾルゲル、またはそれらの混合物から選択される、態様52または53のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
ポリマー要素が、冷間焼結混合物の約5 wt%〜約60 wt%の範囲にある、態様52〜54のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
ポリマー要素が、冷間焼結混合物の約10 wt%〜約20 wt%の範囲にある、態様52〜55のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
セラミック要素が、1つまたは複数のセラミック粒子を含む、態様37〜56のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
1つまたは複数のセラミック粒子が、球体、ウィスカ、ロッド、フィブリル、繊維、およびプレートレットの少なくとも1つとして形状化される、態様57記載の方法、が提供される。
1つまたは複数のセラミック粒子が、酸化物、フッ化物、塩化物、ヨウ化物、炭酸塩、リン酸塩、ガラス、バナジン酸塩、タングステン酸塩、モリブデン酸塩、テルル酸塩、ホウ酸塩またはそれらの混合物から選択される、請求項57または58のいずれか一項記載の方法、が提供される。
1つまたは複数のセラミック粒子が、BaTiO3、Mo2O3、WO3、V2O3、V2O5、ZnO、Bi2O3、CsBr、Li2CO3、CsSO4、LiVO3、Na2Mo2O7、K2Mo2O7、ZnMoO4、Li2MoO4、Na2WO4、K2WO4、Gd2(MoO4)3、Bi2VO4、AgVO3、Na2ZrO3、LiFeP2O4、LiCoP2O4、KH2PO4、Ge(PO4)3、Al2O3、MgO、CaO、ZrO2、ZnO-B2O3-SiO2、PbO-B2O3-SiO2、3ZnO-2B2O3、SiO2、27B2O3-35Bi2O3-6SiO2-32ZnO、Bi24Si2O40、BiVO4、Mg3(VO4)2、Ba2V2O7、Sr2V2O7、Ca2V2O7、Mg2V2O7、Zn2V2O7、Ba3TiV4O15、Ba3ZrV4O15、NaCa2Mg2V3O12、LiMg4V3O12、Ca5Zn4(VO4)6、LiMgVO4、LiZnVO4、BaV2O6、Ba3V4O13、Na2BiMg2V3O12、CaV2O6、Li2WO4、LiBiW2O8、Li2Mn2W3O12、Li2Zn2W3O12、PbO-WO3、Bi2O3-4MoO3、Bi2Mo3O12、Bi2O-2.2MoO3、Bi2Mo2O9、Bi2MoO6、1.3Bi2O3-MoO3、3Bi2O3-2MoO3、7Bi2O3-MoO3、Li2Mo4O13、Li3BiMo3O12、Li8Bi2Mo7O28、Li2O-Bi2O3-MoO3、Na2MoO4、Na6MoO11O36、TiTe3O8、TiTeO3、CaTe2O5、SeTe2O5、BaO-TeO2、BaTeO3、Ba2TeO5、BaTe4O9、Li3AlB2O6、Bi6B10O24、Bi4B2O9、またはそれらの混合物から選択される、態様57〜59のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
最大寸法による個々のセラミック粒子の平均サイズが、約20 nm〜約30 μmの範囲にある、態様57〜60のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
セラミック要素が、混合物の約50 wt%〜約99 wt%の範囲にある、態様37〜61のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
セラミック要素が、混合物の約80 wt%〜約90 wt%の範囲にある、態様37〜62のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
混合物中のポリマー要素およびセラミック要素の体積対体積比(v:v)が、約1:100〜約100:1の範囲にある、態様37〜63のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の少なくとも1つが、ある程度のクローズドセル多孔性を含む焼結微細構造を有し、ポリマー要素が、焼結微細構造のクローズドセルの少なくともいくつかのなかに分散される、態様37〜64のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の厚さが、約10 μm〜約50 mmの範囲にある、態様37〜65のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の厚さが、約0.5 mm〜約100 mmの範囲にある、態様37〜66のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
圧力が上昇した後に、溶媒が少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物に添加される、態様37〜67のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
溶媒が、水、アルコール、エーテル、ケトン、双極性非プロトン性溶媒、またはそれらの混合物から選択される、態様68記載の方法、が提供される。
溶媒が、無機酸、有機酸、無機塩基、有機塩基、またはそれらの混合物をさらに含む、態様69記載の方法、が提供される。
第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の少なくとも1つを、硬化後または仕上げ工程に供する工程をさらに含む、態様37〜70のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
印刷する工程が、スクリーン印刷、堆積、エアロゾル印刷、およびインク印刷のうちの少なくとも1つを含む、態様37〜71のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
相対密度が約90%〜約95%の範囲にある、態様37〜72のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
第2の量の混合物を第2のバッキング層上に堆積させる工程;
第2のバッキング層上の第2の量の混合物を少なくとも部分的に乾燥させて、少なくとも部分的に乾燥した第2の量の混合物を生成させる工程;
第2のバッキング層を取り除く工程;
導体および電子要素の少なくとも1つを、少なくとも部分的に乾燥した第2の量の混合物上に印刷する工程; ならびに
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を、少なくとも部分的に乾燥した第2の量の混合物と接触させて、スタックを形成させる工程
をさらに含む、態様37〜71のいずれか1つに記載の方法、が提供される。
以下の工程を含む方法によって形成された基板、が提供される:
第1の量の混合物を第1のバッキング層上に堆積させる工程であって、
混合物が
ポリマー要素;
セラミック要素; および
結合剤
を含む、工程;
第1の量の混合物を少なくとも部分的に乾燥させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を第1のバッキング層上に形成させる工程;
第1のバッキング層を取り除く工程;
導体および電子要素の少なくとも1つを、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物上に印刷する工程;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を溶媒と接触させる工程; ならびに
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を焼結する工程であって、焼結する工程が
少なくとも部分的に乾燥した混合物を取り巻く環境の圧力を、約1 MPa〜約5000 Mpaの範囲に上昇させること;
少なくとも部分的に乾燥した混合物の温度を溶媒の沸点よりも約1℃〜約200℃高い範囲に上昇させて、少なくとも部分的に乾燥した混合物を冷間焼結させ、基板を生成させること
を含み、
冷間焼結混合物が約80%〜約99%の範囲の相対密度を有する、工程。
方法が混合物の温度を、ある量の結合剤を蒸発させるのに十分な温度まで上昇させる工程をさらに含む、態様75記載の基板、が提供される。
方法が
第1のバッキング層を切断して、混合物の第1の部分および混合物の第2の部分を生成させる工程; ならびに
第1の部分を第2の部分に対し積み重ねてスタックを形成し、
スタックの焼結後に、第1の部分が第1の冷間焼結ハイブリッド層を形成し、第2の部分が第2の冷間焼結ハイブリッド層を形成する、工程
をさらに含む、態様75または76のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
方法が、第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の少なくとも1つに少なくとも1つの孔を形成させる工程をさらに含む、態様77記載の基板、が提供される。
方法が、孔を画定する冷間焼結ハイブリッド層の表面上に金属をめっきする工程をさらに含む、態様78記載の基板、が提供される。
方法が、少なくとも部分的に穴内に少なくとも1つの電子要素を配置する工程をさらに含む、態様78記載の基板、が提供される。
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物が、約100℃〜約400℃の範囲の温度で焼結される、態様75〜80のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物が、約120℃〜約300℃の範囲の温度で焼結される、態様75〜81のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
圧力が約200 Psi〜約3000 Psiの範囲にある、態様75〜82のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
圧力が約500 Psi〜約2000 Psiの範囲にある、態様75〜83のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
圧力が約700 Psi〜約1000 Psiの範囲にある、態様75〜84のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
第1のバッキング層が、ポリマー要素のポリマーとは異なる少なくとも1つのポリマーを含む固体フィルムを含む、態様75〜85のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
材料がシリコーンで少なくとも部分的にコーティングされている、態様86記載の基板、が提供される。
第1のバッキング層が実質的に平面である、態様75〜87のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
ポリマー要素が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリケトン、ポリホルマール、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリ(p-フェニレンオキシド)、ポリエーテルイミド、200℃超のガラス転移温度を有するポリマー、それらのコポリマー、またはそれらの混合物から選択される、態様75〜88のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
ポリマー要素が1つまたは複数のモノマーまたは反応性オリゴマーの重合から形成されるポリマーである、態様75〜89のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
1つまたは複数のモノマーまたは反応性オリゴマーが、スチレン、スチレン誘導体、4-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン(N-vinylpryrolidone)、アクリロニトリル、酢酸ビニル、アルキルオレフィン、ビニルエーテル、酢酸ビニル、環状オレフィン、マレイミド、脂環式、アルケン、もしくはアルキン、またはそれらの混合物から選択される、態様90記載の基板、が提供される。
ポリマーが分枝ポリマー、ポリマーブレンド、コポリマー、ランダムコポリマー、ブロックコポリマー、架橋ポリマー、架橋ポリマーと非架橋ポリマーとのブレンド、大員環、超分子構造、高分子イオノマー、動的架橋ポリマー、液晶ポリマー、ゾルゲル、またはそれらの混合物から選択される、態様90または91のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
ポリマー要素が、第1の冷間焼結混合物の約5 wt%〜約60 wt%の範囲にある、態様90〜92のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
ポリマー要素が、第1の冷間焼結混合物の約10 wt%〜約20 wt%の範囲にある、態様90〜93のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
セラミック要素が、1つまたは複数のセラミック粒子を含む、態様75〜94のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
1つまたは複数のセラミック粒子が、球体、ウィスカ、ロッド、フィブリル、繊維、およびプレートレットの少なくとも1つとして形状化される、態様95記載の基板、が提供される。
1つまたは複数のセラミック粒子が、酸化物、フッ化物、塩化物、ヨウ化物、炭酸塩、リン酸塩、ガラス、バナジン酸塩、タングステン酸塩、モリブデン酸塩、テルル酸塩、ホウ酸塩またはそれらの混合物から選択される、請求項95または96のいずれか一項記載の基板、が提供される。
1つまたは複数のセラミック粒子が、BaTiO3、Mo2O3、WO3、V2O3、V2O5、ZnO、Bi2O3、CsBr、Li2CO3、CsSO4、LiVO3、Na2Mo2O7、K2Mo2O7、ZnMoO4、Li2MoO4、Na2WO4、K2WO4、Gd2(MoO4)3、Bi2VO4、AgVO3、Na2ZrO3、LiFeP2O4、LiCoP2O4、KH2PO4、Ge(PO4)3、Al2O3、MgO、CaO、ZrO2、ZnO-B2O3-SiO2、PbO-B2O3-SiO2、3ZnO-2B2O3、SiO2、27B2O3-35Bi2O3-6SiO2-32ZnO、Bi24Si2O40、BiVO4、Mg3(VO4)2、Ba2V2O7、Sr2V2O7、Ca2V2O7、Mg2V2O7、Zn2V2O7、Ba3TiV4O15、Ba3ZrV4O15、NaCa2Mg2V3O12、LiMg4V3O12、Ca5Zn4(VO4)6、LiMgVO4、LiZnVO4、BaV2O6、Ba3V4O13、Na2BiMg2V3O12、CaV2O6、Li2WO4、LiBiW2O8、Li2Mn2W3O12、Li2Zn2W3O12、PbO-WO3、Bi2O3-4MoO3、Bi2Mo3O12、Bi2O-2.2MoO3、Bi2Mo2O9、Bi2MoO6、1.3Bi2O3-MoO3、3Bi2O3-2MoO3、7Bi2O3-MoO3、Li2Mo4O13、Li3BiMo3O12、Li8Bi2Mo7O28、Li2O-Bi2O3-MoO3、Na2MoO4、Na6MoO11O36、TiTe3O8、TiTeO3、CaTe2O5、SeTe2O5、BaO-TeO2、BaTeO3、Ba2TeO5、BaTe4O9、Li3AlB2O6、Bi6B10O24、Bi4B2O9、またはそれらの混合物から選択される、態様95〜97のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
最大寸法による個々のセラミック粒子の平均サイズが、約20 nm〜約30 μmの範囲にある、態様95〜98のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
セラミック要素が、混合物の約50 wt%〜約99 wt%の範囲にある、態様75〜99のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
セラミック要素が、混合物の約80 wt%〜約90 wt%の範囲にある、態様75〜100のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
混合物中のポリマー要素およびセラミック要素の体積対体積比(v:v)が、約1:100〜約100:1の範囲にある、態様75〜101のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の少なくとも1つが、ある程度のクローズドセル多孔性を含む焼結微細構造を有し、ポリマー要素が、焼結微細構造のクローズドセルの少なくともいくつかのなかに分散される、態様77〜102のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の厚さが、約10 μm〜約50 mmの範囲にある、態様77〜103のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の厚さが、約0.5 mm〜約100 mmの範囲にある、態様77〜104のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
圧力が上昇した後に、溶媒が少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物に添加される、態様75〜105のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
溶媒が、水、アルコール、エーテル、ケトン、双極性非プロトン性溶媒、またはそれらの混合物から選択される、態様106記載の基板、が提供される。
溶媒が、無機酸、有機酸、無機塩基、有機塩基、またはそれらの混合物をさらに含む、態様107記載の基板、が提供される。
第1の冷間焼結ハイブリッド層および第2の冷間焼結ハイブリッド層の少なくとも1つを、硬化後または仕上げ工程に供する工程をさらに含む、態様77〜108のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
印刷する工程が、スクリーン印刷、堆積、エアロゾル印刷、およびインク印刷のうちの少なくとも1つを含む、態様75〜109のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
相対密度が約90%〜約95%の範囲にある、態様75〜110のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
第2の量の混合物を第2のバッキング層上に堆積させる工程;
第2のバッキング層上の第2の量の混合物を少なくとも部分的に乾燥させる工程;
第2のバッキング層を取り除く工程;
導体および電子要素の少なくとも1つを、少なくとも部分的に乾燥した第2の量の混合物上に印刷する工程; ならびに
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を、少なくとも部分的に乾燥した第2の量の混合物と接触させて、スタックを形成させる工程
をさらに含む、態様75〜111のいずれか1つに記載の基板、が提供される。
[本発明1001]
以下:
ポリマー要素; および
セラミック要素;
を含む冷間焼結ハイブリッド材料と;
冷間焼結ハイブリッド材料内に少なくとも部分的に埋め込まれた導体と;
導体に接続されたビアと
を含み、
冷間焼結ハイブリッド材料が約80%〜約99%の範囲の相対密度を有する、
基板。
[本発明1002]
ポリマー要素が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリケトン、ポリホルマール、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリ(p-フェニレンオキシド)、ポリエーテルイミド、200℃超のガラス転移温度を有するポリマー、それらのコポリマー、またはそれらの混合物から選択される、本発明1001の基板。
[本発明1003]
ポリマー要素が、分枝ポリマー、ポリマーブレンド、コポリマー、ランダムコポリマー、ブロックコポリマー、架橋ポリマー、架橋ポリマーと非架橋ポリマーとのブレンド、大員環、超分子構造、高分子イオノマー、動的架橋ポリマー、液晶ポリマー、ゾルゲル、またはそれらの混合物から選択される、本発明1001または1002のいずれかの基板。
[本発明1004]
ポリマー要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約5 wt%〜約60 wt%の範囲にある、本発明1001〜1003のいずれかの基板。
[本発明1005]
ポリマー要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約20 wt%〜約40 wt%の範囲にある、本発明1001〜1004のいずれかの基板。
[本発明1006]
セラミック要素が、1つまたは複数のセラミック粒子を含む、本発明1001〜1005のいずれかの基板。
[本発明1007]
1つまたは複数のセラミック粒子が、球体、ウィスカ、ロッド、フィブリル、繊維、またはプレートレットとして形状化される、本発明1006の基板。
[本発明1008]
1つまたは複数のセラミック粒子が、酸化物、フッ化物、塩化物、ヨウ化物、炭酸塩、リン酸塩、ガラス、バナジン酸塩、タングステン酸塩、モリブデン酸塩、テルル酸塩、ホウ酸塩またはそれらの混合物から選択される、本発明1006または1007のいずれかの基板。
[本発明1009]
1つまたは複数のセラミック粒子が、BaTiO 3 、Mo 2 O 3 、WO 3 、V 2 O 3 、V 2 O 5 、ZnO、Bi 2 O 3 、CsBr、Li 2 CO 3 、CsSO 4 、LiVO 3 、Na 2 Mo 2 O 7 、K 2 Mo 2 O 7 、ZnMoO 4 、Li 2 MoO 4 、Na 2 WO 4 、K 2 WO 4 、Gd 2 (MoO 4 ) 3 、Bi 2 VO 4 、AgVO 3 、Na 2 ZrO 3 、LiFeP 2 O 4 、LiCoP 2 O 4 、KH 2 PO 4 、Ge(PO 4 ) 3 、Al 2 O 3 、MgO、CaO、ZrO 2 、ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 、PbO-B 2 O 3 -SiO 2 、3ZnO-2B 2 O 3 、SiO 2 、27B 2 O 3 -35Bi 2 O 3 -6SiO 2 -32ZnO、Bi 24 Si 2 O 40 、BiVO 4 、Mg 3 (VO 4 ) 2 、Ba 2 V 2 O 7 、Sr 2 V 2 O 7 、Ca 2 V 2 O 7 、Mg 2 V 2 O 7 、Zn 2 V 2 O 7 、Ba 3 TiV 4 O 15 、Ba 3 ZrV 4 O 15 、NaCa 2 Mg 2 V 3 O 12 、LiMg 4 V 3 O 12 、Ca 5 Zn 4 (VO 4 ) 6 、LiMgVO 4 、LiZnVO 4 、BaV 2 O 6 、Ba 3 V 4 O 13 、Na 2 BiMg 2 V 3 O 12 、CaV 2 O 6 、Li 2 WO 4 、LiBiW 2 O 8 、Li 2 Mn 2 W 3 O 12 、Li 2 Zn 2 W 3 O 12 、PbO-WO 3 、Bi 2 O 3 -4MoO 3 、Bi 2 Mo 3 O 12 、Bi 2 O-2.2MoO 3 、Bi 2 Mo 2 O 9 、Bi 2 MoO 6 、1.3Bi 2 O 3 -MoO 3 、3Bi 2 O 3 -2MoO 3 、7Bi 2 O 3 -MoO 3 、Li 2 Mo 4 O 13 、Li 3 BiMo 3 O 12 、Li 8 Bi 2 Mo 7 O 28 、Li 2 O-Bi 2 O 3 -MoO 3 、Na 2 MoO 4 、Na 6 MoO 11 O 36 、TiTe 3 O 8 、TiTeO 3 、CaTe 2 O 5 、SeTe 2 O 5 、BaO-TeO 2 、BaTeO 3 、Ba 2 TeO 5 、BaTe 4 O 9 、Li 3 AlB 2 O 6 、Bi 6 B 10 O 24 、Bi 4 B 2 O 9 、またはそれらの混合物から選択される、本発明1006〜1008のいずれかの基板。
[本発明1010]
セラミック要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約50 wt%〜約95 wt%の範囲にある、本発明1001〜1009のいずれかの基板。
[本発明1011]
冷間焼結ハイブリッド材料の複数の層を含む、本発明1001〜1010のいずれかの基板。
[本発明1012]
相対密度が約90%〜約95%の範囲にある、本発明1001〜1011のいずれかの基板。
[本発明1013]
第1の量の混合物を、第1のバッキング層上に堆積させる工程であって、
混合物が
ポリマー要素;
セラミック要素; および
結合剤
を含む、工程;
第1の量の混合物を少なくとも部分的に乾燥させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を第1のバッキング層上に形成させる工程;
第1のバッキング層を取り除く工程;
導体および電子要素の少なくとも1つを、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物上に印刷する工程;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を、溶媒と接触させる工程; ならびに
冷間焼結混合物を生成させるために少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を焼結する工程であって、焼結する工程が、
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を取り巻く環境の圧力を、約1 MPa〜約5000 Mpaの範囲に上昇させること;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物の温度を溶媒の沸点よりも約1℃〜約200℃高い範囲に上昇させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を冷間焼結させ、基板を生成させること
を含み、
冷間焼結混合物が約80%〜約99%の範囲の相対密度を有する、工程
を含む、基板を作製する方法。
[本発明1014]
混合物の温度を、ある量の結合剤を蒸発させるのに十分な温度まで上昇させる工程をさらに含む、本発明1013の方法。
[本発明1015]
第1のバッキング層を切断して、混合物の第1の部分および混合物の第2の部分を生成させる工程; ならびに
第1の部分を第2の部分に対し積み重ねてスタックを形成し、
スタックが焼結された後に、第1の部分が第1の冷間焼結ハイブリッド層を形成し、第2の部分が第2の冷間焼結ハイブリッド層を形成する、工程
をさらに含む、本発明1013または1014のいずれかの方法。
[本発明1016]
少なくとも部分的に乾燥した混合物が、約100℃〜約400℃の範囲の温度で焼結される、本発明1013〜1015のいずれかの方法。
[本発明1017]
圧力が約200 Psi〜約3000 Psiの範囲にある、本発明1013〜1016のいずれかの方法。
[本発明1018]
ポリマー要素が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリケトン、ポリホルマール、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリ(p-フェニレンオキシド)、ポリエーテルイミド、200℃超のガラス転移温度を有するポリマー、それらのコポリマー、またはそれらの混合物から選択される、本発明1013〜1017のいずれかの方法。
[本発明1019]
セラミック要素が、BaTiO 3 、Mo 2 O 3 、WO 3 、V 2 O 3 、V 2 O 5 、ZnO、Bi 2 O 3 、CsBr、Li 2 CO 3 、CsSO 4 、LiVO 3 、Na 2 Mo 2 O 7 、K 2 Mo 2 O 7 、ZnMoO 4 、Li 2 MoO 4 、Na 2 WO 4 、K 2 WO 4 、Gd 2 (MoO 4 ) 3 、Bi 2 VO 4 、AgVO 3 、Na 2 ZrO 3 、LiFeP 2 O 4 、LiCoP 2 O 4 、KH 2 PO 4 、Ge(PO 4 ) 3 、Al 2 O 3 、MgO、CaO、ZrO 2 、ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 、PbO-B 2 O 3 -SiO 2 、3ZnO-2B 2 O 3 、SiO 2 、27B 2 O 3 -35Bi 2 O 3 -6SiO 2 -32ZnO、Bi 24 Si 2 O 40 、BiVO 4 、Mg 3 (VO 4 ) 2 、Ba 2 V 2 O 7 、Sr 2 V 2 O 7 、Ca 2 V 2 O 7 、Mg 2 V 2 O 7 、Zn 2 V 2 O 7 、Ba 3 TiV 4 O 15 、Ba 3 ZrV 4 O 15 、NaCa 2 Mg 2 V 3 O 12 、LiMg 4 V 3 O 12 、Ca 5 Zn 4 (VO 4 ) 6 、LiMgVO 4 、LiZnVO 4 、BaV 2 O 6 、Ba 3 V 4 O 13 、Na 2 BiMg 2 V 3 O 12 、CaV 2 O 6 、Li 2 WO 4 、LiBiW 2 O 8 、Li 2 Mn 2 W 3 O 12 、Li 2 Zn 2 W 3 O 12 、PbO-WO 3 、Bi 2 O 3 -4MoO 3 、Bi 2 Mo 3 O 12 、Bi 2 O-2.2MoO 3 、Bi 2 Mo 2 O 9 、Bi 2 MoO 6 、1.3Bi 2 O 3 -MoO 3 、3Bi 2 O 3 -2MoO 3 、7Bi 2 O 3 -MoO 3 、Li 2 Mo 4 O 13 、Li 3 BiMo 3 O 12 、Li 8 Bi 2 Mo 7 O 28 、Li 2 O-Bi 2 O 3 -MoO 3 、Na 2 MoO 4 、Na 6 MoO 11 O 36 、TiTe 3 O 8 、TiTeO 3 、CaTe 2 O 5 、SeTe 2 O 5 、BaO-TeO 2 、BaTeO 3 、Ba 2 TeO 5 、BaTe 4 O 9 、Li 3 AlB 2 O 6 、Bi 6 B 10 O 24 、Bi 4 B 2 O 9 またはそれらの混合物から選択される1つまたは複数のセラミック粒子を含む、本発明1013〜1018のいずれかの方法。
[本発明1020]
以下の工程を含む方法によって形成された基板:
第1の量の混合物を、第1のバッキング層上に堆積させる工程であって、
混合物が
ポリマー要素;
セラミック要素; および
結合剤
を含む、工程;
第1の量の混合物を少なくとも部分的に乾燥させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を第1のバッキング層上に形成させる工程;
第1のバッキング層を取り除く工程;
導体および電子要素の少なくとも1つを、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物上に印刷する工程;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を溶媒と接触させる工程; ならびに
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を焼結する工程であって、焼結する工程が
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を取り巻く環境の圧力を、約1 MPa〜約5000 Mpaの範囲に上昇させること;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物の温度を溶媒の沸点よりも約1℃〜約200℃高い範囲に上昇させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を冷間焼結させ、基板を生成させること
を含み、
冷間焼結混合物が約80%〜約99%の範囲の相対密度を有する、工程。
Claims (20)
- 以下:
ポリマー要素; および
セラミック要素;
を含む冷間焼結ハイブリッド材料と;
冷間焼結ハイブリッド材料内に少なくとも部分的に埋め込まれた導体と;
導体に接続されたビアと
を含み、
冷間焼結ハイブリッド材料が約80%〜約99%の範囲の相対密度を有する、
基板。 - ポリマー要素が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリケトン、ポリホルマール、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリ(p-フェニレンオキシド)、ポリエーテルイミド、200℃超のガラス転移温度を有するポリマー、それらのコポリマー、またはそれらの混合物から選択される、請求項1記載の基板。
- ポリマー要素が、分枝ポリマー、ポリマーブレンド、コポリマー、ランダムコポリマー、ブロックコポリマー、架橋ポリマー、架橋ポリマーと非架橋ポリマーとのブレンド、大員環、超分子構造、高分子イオノマー、動的架橋ポリマー、液晶ポリマー、ゾルゲル、またはそれらの混合物から選択される、請求項1または2のいずれか一項記載の基板。
- ポリマー要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約5 wt%〜約60 wt%の範囲にある、請求項1〜3のいずれか一項記載の基板。
- ポリマー要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約20 wt%〜約40 wt%の範囲にある、請求項1〜4のいずれか一項記載の基板。
- セラミック要素が、1つまたは複数のセラミック粒子を含む、請求項1〜5のいずれか一項記載の基板。
- 1つまたは複数のセラミック粒子が、球体、ウィスカ、ロッド、フィブリル、繊維、またはプレートレットとして形状化される、請求項6記載の基板。
- 1つまたは複数のセラミック粒子が、酸化物、フッ化物、塩化物、ヨウ化物、炭酸塩、リン酸塩、ガラス、バナジン酸塩、タングステン酸塩、モリブデン酸塩、テルル酸塩、ホウ酸塩またはそれらの混合物から選択される、請求項6または7のいずれか一項記載の基板。
- 1つまたは複数のセラミック粒子が、BaTiO3、Mo2O3、WO3、V2O3、V2O5、ZnO、Bi2O3、CsBr、Li2CO3、CsSO4、LiVO3、Na2Mo2O7、K2Mo2O7、ZnMoO4、Li2MoO4、Na2WO4、K2WO4、Gd2(MoO4)3、Bi2VO4、AgVO3、Na2ZrO3、LiFeP2O4、LiCoP2O4、KH2PO4、Ge(PO4)3、Al2O3、MgO、CaO、ZrO2、ZnO-B2O3-SiO2、PbO-B2O3-SiO2、3ZnO-2B2O3、SiO2、27B2O3-35Bi2O3-6SiO2-32ZnO、Bi24Si2O40、BiVO4、Mg3(VO4)2、Ba2V2O7、Sr2V2O7、Ca2V2O7、Mg2V2O7、Zn2V2O7、Ba3TiV4O15、Ba3ZrV4O15、NaCa2Mg2V3O12、LiMg4V3O12、Ca5Zn4(VO4)6、LiMgVO4、LiZnVO4、BaV2O6、Ba3V4O13、Na2BiMg2V3O12、CaV2O6、Li2WO4、LiBiW2O8、Li2Mn2W3O12、Li2Zn2W3O12、PbO-WO3、Bi2O3-4MoO3、Bi2Mo3O12、Bi2O-2.2MoO3、Bi2Mo2O9、Bi2MoO6、1.3Bi2O3-MoO3、3Bi2O3-2MoO3、7Bi2O3-MoO3、Li2Mo4O13、Li3BiMo3O12、Li8Bi2Mo7O28、Li2O-Bi2O3-MoO3、Na2MoO4、Na6MoO11O36、TiTe3O8、TiTeO3、CaTe2O5、SeTe2O5、BaO-TeO2、BaTeO3、Ba2TeO5、BaTe4O9、Li3AlB2O6、Bi6B10O24、Bi4B2O9、またはそれらの混合物から選択される、請求項6〜8のいずれか一項記載の基板。
- セラミック要素が、冷間焼結ハイブリッド材料の約50 wt%〜約95 wt%の範囲にある、請求項1〜9のいずれか一項記載の基板。
- 冷間焼結ハイブリッド材料の複数の層を含む、請求項1〜10のいずれか一項記載の基板。
- 相対密度が約90%〜約95%の範囲にある、請求項1〜11のいずれか一項記載の基板。
- 第1の量の混合物を、第1のバッキング層上に堆積させる工程であって、
混合物が
ポリマー要素;
セラミック要素; および
結合剤
を含む、工程;
第1の量の混合物を少なくとも部分的に乾燥させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を第1のバッキング層上に形成させる工程;
第1のバッキング層を取り除く工程;
導体および電子要素の少なくとも1つを、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物上に印刷する工程;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を、溶媒と接触させる工程; ならびに
冷間焼結混合物を生成させるために少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を焼結する工程であって、焼結する工程が、
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を取り巻く環境の圧力を、約1 MPa〜約5000 Mpaの範囲に上昇させること;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物の温度を溶媒の沸点よりも約1℃〜約200℃高い範囲に上昇させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を冷間焼結させ、基板を生成させること
を含み、
冷間焼結混合物が約80%〜約99%の範囲の相対密度を有する、工程
を含む、基板を作製する方法。 - 混合物の温度を、ある量の結合剤を蒸発させるのに十分な温度まで上昇させる工程をさらに含む、請求項13記載の方法。
- 第1のバッキング層を切断して、混合物の第1の部分および混合物の第2の部分を生成させる工程; ならびに
第1の部分を第2の部分に対し積み重ねてスタックを形成し、
スタックが焼結された後に、第1の部分が第1の冷間焼結ハイブリッド層を形成し、第2の部分が第2の冷間焼結ハイブリッド層を形成する、工程
をさらに含む、請求項13または14のいずれか一項記載の方法。 - 少なくとも部分的に乾燥した混合物が、約100℃〜約400℃の範囲の温度で焼結される、請求項13〜15のいずれか一項記載の方法。
- 圧力が約200 Psi〜約3000 Psiの範囲にある、請求項13〜16のいずれか一項記載の方法。
- ポリマー要素が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリケトン、ポリホルマール、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリ(p-フェニレンオキシド)、ポリエーテルイミド、200℃超のガラス転移温度を有するポリマー、それらのコポリマー、またはそれらの混合物から選択される、請求項13〜17のいずれか一項記載の方法。
- セラミック要素が、BaTiO3、Mo2O3、WO3、V2O3、V2O5、ZnO、Bi2O3、CsBr、Li2CO3、CsSO4、LiVO3、Na2Mo2O7、K2Mo2O7、ZnMoO4、Li2MoO4、Na2WO4、K2WO4、Gd2(MoO4)3、Bi2VO4、AgVO3、Na2ZrO3、LiFeP2O4、LiCoP2O4、KH2PO4、Ge(PO4)3、Al2O3、MgO、CaO、ZrO2、ZnO-B2O3-SiO2、PbO-B2O3-SiO2、3ZnO-2B2O3、SiO2、27B2O3-35Bi2O3-6SiO2-32ZnO、Bi24Si2O40、BiVO4、Mg3(VO4)2、Ba2V2O7、Sr2V2O7、Ca2V2O7、Mg2V2O7、Zn2V2O7、Ba3TiV4O15、Ba3ZrV4O15、NaCa2Mg2V3O12、LiMg4V3O12、Ca5Zn4(VO4)6、LiMgVO4、LiZnVO4、BaV2O6、Ba3V4O13、Na2BiMg2V3O12、CaV2O6、Li2WO4、LiBiW2O8、Li2Mn2W3O12、Li2Zn2W3O12、PbO-WO3、Bi2O3-4MoO3、Bi2Mo3O12、Bi2O-2.2MoO3、Bi2Mo2O9、Bi2MoO6、1.3Bi2O3-MoO3、3Bi2O3-2MoO3、7Bi2O3-MoO3、Li2Mo4O13、Li3BiMo3O12、Li8Bi2Mo7O28、Li2O-Bi2O3-MoO3、Na2MoO4、Na6MoO11O36、TiTe3O8、TiTeO3、CaTe2O5、SeTe2O5、BaO-TeO2、BaTeO3、Ba2TeO5、BaTe4O9、Li3AlB2O6、Bi6B10O24、Bi4B2O9またはそれらの混合物から選択される1つまたは複数のセラミック粒子を含む、請求項13〜18のいずれか一項記載の方法。
- 以下の工程を含む方法によって形成された基板:
第1の量の混合物を、第1のバッキング層上に堆積させる工程であって、
混合物が
ポリマー要素;
セラミック要素; および
結合剤
を含む、工程;
第1の量の混合物を少なくとも部分的に乾燥させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を第1のバッキング層上に形成させる工程;
第1のバッキング層を取り除く工程;
導体および電子要素の少なくとも1つを、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物上に印刷する工程;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を溶媒と接触させる工程; ならびに
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を焼結する工程であって、焼結する工程が
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を取り巻く環境の圧力を、約1 MPa〜約5000 Mpaの範囲に上昇させること;
少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物の温度を溶媒の沸点よりも約1℃〜約200℃高い範囲に上昇させて、少なくとも部分的に乾燥した第1の量の混合物を冷間焼結させ、基板を生成させること
を含み、
冷間焼結混合物が約80%〜約99%の範囲の相対密度を有する、工程。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045209A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2013120819A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JP2015023274A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板 |
WO2015119114A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 日本碍子株式会社 | 積層体、積層デバイス及びそれらの製造方法 |
WO2017058727A1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | The Penn State Research Foundation | Cold sintering ceramics and composites |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045209A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2013120819A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JP2015023274A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板 |
WO2015119114A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 日本碍子株式会社 | 積層体、積層デバイス及びそれらの製造方法 |
WO2017058727A1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | The Penn State Research Foundation | Cold sintering ceramics and composites |
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