TW201825218A - 雷射照射裝置、半導體裝置的製造方法以及雷射照射裝置的動作方法 - Google Patents

雷射照射裝置、半導體裝置的製造方法以及雷射照射裝置的動作方法 Download PDF

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Abstract

一個實施形態的雷射退火裝置(1)係具有：雷射振盪器(4)，產生雷射光(L)；上浮式運送平台(3)，用以使雷射光(L)所照射的工件(W)上浮且運送；以及光束分析儀(7)，用以測定雷射光(L)的光束分布。上浮式運送平台(3)係具有：與工件(W)對向的運送面(3a)；以及與運送面(3a)相反側的下表面(3b)。光束分析儀(7)係位於上浮式運送平台(3)之下表面(3b)的下方。於上浮式運送平台(3)的一部分具有能夠拆卸的裝卸部(12)。藉由將裝卸部(12)從上浮式運送平台(3)拆卸，能夠設置從運送面(3a)到達下表面(3b)的開口部(S)。藉由光束分析儀(7)能夠透過開口部(S)測定雷射光(L)的光束分布。

Description

雷射照射裝置、半導體裝置的製造方法以及雷射照射裝置的動作方法
本發明係關於一種雷射照射裝置、半導體裝置的製造方法以及雷射照射裝置的動作方法，例如關於雷射光的光束分布(beam profile)之測定。
專利文獻1開示一種雷射退火裝置，將被處理體上浮運送並且將雷射光照射於被處理體。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2015/174347號。
然而，對比文件1沒有提到任何關於測定雷射光的光束分布之內容。
其他的課題與新穎的特徵係可由本說明書的記載以及附加圖式而明瞭。
為了解決上述的課題，在雷射照射裝置中將運送平台的一部分設置成可以拆卸的方式。
依據上述的構成，透過將運送平台之一部分拆卸而設置的開口部，而使測定雷射光的光束分布成為可能。
1、400、405‧‧‧雷射退火裝置
2、401、406‧‧‧處理室
2a、401a、406a‧‧‧運入口
2b、401b、406b‧‧‧運出口
3、407‧‧‧上浮式運送平台
3a‧‧‧運送面
3b‧‧‧下表面
4、404、409‧‧‧雷射振盪器
5、403、408‧‧‧光學系統
6‧‧‧裝卸致動器
7、402b‧‧‧光束分析儀
8‧‧‧分析儀致動器
8a‧‧‧插拔致動器
8b‧‧‧掃描致動器
9‧‧‧控制部
11‧‧‧運送平台本體
12‧‧‧裝卸部
13‧‧‧鉛直致動器
13a、14a‧‧‧軸
13b、14b‧‧‧驅動源
14‧‧‧水平致動器
20‧‧‧透鏡
21‧‧‧光學元件
201‧‧‧玻璃基板
202‧‧‧閘極電極
203‧‧‧閘極絕緣膜
204‧‧‧非晶矽膜
205‧‧‧多晶矽膜
206‧‧‧層間絕緣膜
207a‧‧‧源極電極
207b‧‧‧汲極電極
300‧‧‧有機EL顯示器
310‧‧‧基板
311‧‧‧TFT層
311a‧‧‧TFT
312‧‧‧有機層
312a‧‧‧有機EL發光元件
312b‧‧‧分隔壁
313‧‧‧彩色濾光片層
313a‧‧‧彩色濾光片
314‧‧‧封裝基板
402‧‧‧移動式運送平台單元
402a‧‧‧平台本體
F‧‧‧雷射光的焦點位置
H‧‧‧噴射孔
L‧‧‧雷射光
PX‧‧‧像素
S‧‧‧開口部
W‧‧‧工件
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1係用以說明實施形態1之雷射退火裝置的側面剖面圖。
圖2係用以說明實施形態1之雷射退火裝置的俯視圖。
圖3係用以說明實施形態1之雷射退火裝置的俯視圖。
圖4係表示實施形態1之製造方法的流程圖。
圖5係用以說明實施形態1之雷射退火裝置的側面剖面圖。
圖6係用以說明實施形態1之雷射退火裝置的側面剖面圖。
圖7係用以說明實施形態1之雷射退火裝置的側面剖面圖。
圖8係用以說明實施形態1之雷射退火裝置的側面剖 面圖。
圖9係例示雷射光的光束分布之測定結果的曲線(graph)圖。
圖10係用以說明實施形態1之雷射退火裝置的側面剖面圖。
圖11係用以說明實施形態2之雷射退火裝置的側面剖面圖。
圖12係用以說明實施形態3之雷射退火裝置的側面剖面圖。
圖13係顯示半導體裝置之製造方法的步驟剖面圖。
圖14係將有機EL(Electro-Luminescence；電致發光)顯示器之構成簡略化顯示的剖面圖。
圖15係用以說明比較例1之雷射退火裝置的側面剖面圖。
圖16係用以說明比較例2之雷射退火裝置的側面剖面圖。
<比較例1>
首先，參照圖15，對比較例1的雷射退火裝置400進行說明。雷射退火裝置400係例如對設置於矽基板或玻璃基板的非晶矽(amorphous silicon)膜照射雷射光，藉以形成多晶矽(poly silicon)膜的裝置。雷射退火裝置400係具備有：處理室401、移動式運送平台單元402、光學系統403、 以及雷射振盪器404。
在處理室401係設置有：運入口401a，用以將作為被處理體的工件W運入處理室401內；以及運出口401b，用以將已退火處理過的工件W從處理室401運出。
移動式運送平台單元402係構成為在處理室401內能夠從運入口401a朝向運出口401b於+X方向移動。移動式運送平台單元402係具備：平台本體402a，支撐工件W；以及光束分析儀(beam profiler)402b。光束分析儀402b係相對於平台本體402a被固定，構成為能夠與平台本體402a一同在處理室401內於+X方向移動。
光學系統403係構成為包含鏡面或是透鏡。光學系統403係將雷射震盪器404所發生的雷射光L予以集光且成形為預定的形狀，照射至處理室401內。
然後，一邊將移動式運送平台單元402從運入口401a朝向運出口401b於+X方向移動，一邊將雷射光L照射於工件W，藉此工件W被退火處理。
此時，雷射光L的光束分布係可以使用設置於移動式運送平台單元402的光束分析儀402b來測定。光束分析儀402b例如係固定於平台本體402a的側面。
前述之比較例1的雷射退火裝置400係在能夠無疑問地測定雷射光L的光束分布這點上雖然優秀，但仍殘留著幾個課題。亦即，第一，在將平台本體402a上的工件W交換時產生了時間的浪費。第二，在將工件W從平台本體402a剝離時，有工件W發生剝離帶電之疑慮。第三，於平台本體402a支撐工件W時，有著工件W因與平台本體402a的接觸而遭到汙染之疑慮。第四，為了改善第二及第三而有工站時間(takt time；生產單位產品所需時間)增加之傾向且生產性降低的疑慮。
<比較例2>
其次，參照圖16，對比較例2的雷射退火裝置405進行說明。雷射退火裝置405例如係藉由對設置於矽基板或玻璃基板的非晶矽膜照射雷射光以形成多晶矽膜的裝置。雷射退火裝置405係具備處理室406、上浮式運送平台407、光學系統408、雷射振盪器409以及未圖示的工件運送單元。
於處理室406係設置有：用以將作為被處理體的工件W運入至處理室406內的運入口406a、以及用以將已經過退火處理的工件W從處理室406運出的運出口406b。
上浮式運送平台407係在處理室406內設置成無法移動，且構成為能夠將工件W上浮運送。
光學系統408係構成為含有鏡面或透鏡。光學系統408係將雷射振盪器409所產生的雷射光L予以集光且成形為預定形狀，照射至處理室406內。
然後，於上浮式運送平台407上將工件W上浮，一邊藉由前述的工件運送單元將工件W於+X方向上從運入口406a朝向運出口406b移動，一邊將雷射光L照射於工件W，藉此工件W被退火處理。
比較例2係一邊於上浮式運送平台407上將工件W上浮，一邊在處理室406內將其於+X方向上移動，因此解決上述比較例1的3個課題。
然而，在比較例2的構成中，在適於測定雷射光L之光束分布的位置無法設置光束分析儀。
<實施形態1>
以下請參照圖1至圖3，對適用實施形態1之雷射照射裝置的雷射退火裝置進行說明。並且，實施形態1之雷射照射裝置係除了適用於雷射退火裝置以外，也適用於雷射剝離裝置。
(雷射照射裝置的構造)
如圖1及圖2所示，實施形態1之雷射退火裝置1例如係藉由對設置於矽基板或玻璃基板的非晶矽膜照射雷射光，以將非晶矽膜結晶化且形成多晶矽膜的裝置。雷射退火裝置1係具有：處理室2、作為運送平台的上浮式運送平台3、雷射振盪器4、光學系統5、裝卸致動器(actuator)6、作為測定器的光束分析儀7、分析儀致動器8以及控制部9。另外，在圖2中係為了方便說明而將雷射振盪器4、光學系統5以及控制部9的圖示省略。
如圖1所示，在處理室2係設有：用以將作為被處理體之工件W運入至處理室2內的運入口2a、以及用以將已經過退火處理的工件W從處理室2運出的運出口2b。在本實施形態1中，運入口2a與運入口2b係分別被設置於一對相互對向的側壁。工件W係於運入口2a被運入至處理室2內，被退火處理，於運出口2b從處理室2被運出。另外，為了說明上的方便，在本實施形態1中將從運入口2a朝向運出口2b的方向定義為運送方向(+X方向)。並且，將鉛直方向的上方向定義為+Z方向，將相對於X方向與Z方向正交的方向定義為Y方向。
上浮式運送平台3係用以將受雷射光L照射的工件W上浮而進行運送的運送平台。詳細來說，工件W係藉由從上浮式運送平台3對工件W噴射氣體而上浮。上浮式運送平台3係具備與工件W對向的運送面3a以及與運送面3a相反側的 下表面3b。於運送面3a係形成有複數個用以將氣體朝向上方噴射的噴射孔H。
而且，上浮式運送平台3係包含：運送平台本體11，具有在上下(Z方向)開口之開口部S；以及裝卸部12，相對於運送平台本體11的開口部S裝卸自如。亦即，上浮式運送平台3的一部分具有能夠拆卸的裝卸部12。然後，藉由將裝卸部12從上浮式運送平台3拆卸，能夠於上浮式運送平台3設置從運送面3a到達下表面3b的開口部S。開口部S及裝卸部12係位於雷射光L的光軸上。亦即，裝卸部12係上浮式運送平台3之內的被雷射光L所照射的部分。
雷射振盪器4係產生雷射光L。在本實施形態1中不限制雷射振盪器4所產生之雷射光L的種類。例如可列舉出準分子雷射(excimer laser)作為雷射光L。
光學系統5係構成為含有鏡面或是透鏡。如圖3所示般，光學系統5係將雷射振盪器4所產生的雷射光L予以集光且成形為預定形狀，照射至處理室2內。在本實施形態1中於雷射光L的焦點位置F之預定形狀係長方形。亦即，雷射光L的平面形狀係在相對於運送方向正交的方向上延伸的長方形，具有長軸及短軸。
回到圖1，裝卸致動器6係使裝卸部12移動的致動器。 詳細來說，裝卸致動器6係將裝卸部12相對於運送平台本體11的開口部S裝卸的致動器。裝卸致動器6係固定於上浮式運送平台3的運送平台本體11。裝卸致動器6係具備：將安裝於運送平台本體11之開口部S的裝卸部12於鉛直方向(Z方向)上移動的鉛直致動器13，以及在由鉛直致動器13所致的移動之後將裝卸部12於水平方向(X方向)上移動的水平致動器14。鉛直致動器13係包含將與裝卸部12連結的軸13a以及將軸13a於鉛直方向(Z方向)上前進或後退的驅動源13b。水平致動器14係包含與鉛直致動器13之驅動源13b連結的軸14a以及將軸14a於水平方向(X方向)上前進或後退的驅動源14b。鉛直致動器13及水平致動器14例如係氣缸(air cylinder)。
光束分析儀7係測定雷射光L的光束分布之測定器。在本實施形態1中，光束分析儀7係位於上浮式運送平台3的下表面3b之下方。光束分析儀7係配置於裝卸部12之正下方，裝卸部12係安裝在運送平台本體11之開口部S。光束分析儀7係位於雷射光L的光軸上。
分析儀致動器8係使光束分析儀7移動的致動器。分析儀致動器8係固定於處理室2。分析儀致動器8係包含插拔致動器8a以及掃描致動器8b。插拔致動器8a係將光束分析儀7於鉛直方向(Z方向)上移動的致動器。插拔致動器8a係於運送平台本體11之開口部S將光束分析儀7插 拔的致動器。插拔致動器8a係由軸以及將該軸前進或後退的驅動源所構成。插拔致動器8a例如係氣缸。藉由插拔致動器8a，光束分析儀7係能夠從上浮式運送平台3的下表面3b之下方的位置移動至開口部S的位置，藉此光束分析儀7係能夠測定於雷射光L之焦點位置F的光束分布。掃描致動器8b係將光束分析儀7於寬度方向(Y方向)上移動的致動器。詳細來說，掃描致動器8b係沿著圖3所示雷射光L之平面形狀的長軸將光束分析儀7移動的致動器。因此，光束分析儀7係能夠沿著雷射光L之平面形狀的長軸移動。
控制部9係對裝卸致動器6或分析儀致動器8的動作以及雷射振盪器4的輸出進行控制的控制部，對裝卸部12相對於運送平台本體11的裝卸動作以及光束分析儀7的升降動作等進行控制。控制部9係具備作為中央運算處理器的CPU(Central Processing Unit；中央處理器)、可自由讀取與寫入的RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)以及讀取專用的ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)。ROM係儲存有可被CPU讀取且執行的控制程式。
另外，雷射退火裝置1係具備有將以上浮式運送平台3上浮的工件W予以保持且將工件W運送的未圖示的運送單元。由運送單元所致的工件W的保持係可列舉例如以握持保持、以吸附保持等。
由以上之構成，藉由光束分析儀7測定雷射光L的光束分布時係將裝卸部12從上浮式運送平台3拆下。藉此，從運送面3a到達下表面3b的開口部S能夠設於上浮式運送平台3，藉由光束分析儀7透過開口部S對雷射光L的光束分布進行測定便成為可能。因此，在使用光束分析儀7測定雷射光L的光束分布時，上浮式運送平台3的存在不會成為阻礙。另一方面，在上浮式運送平台3上運送工件W時，可將裝卸部12安裝於上浮式運送平台3。
(雷射照射裝置的動作)
然後，參照圖4至圖10，對使用雷射退火裝置1的半導體裝置之製造方法進行詳細說明。在圖4係顯示雷射退火裝置1之動作方法的流程圖。
首先，控制部9係如圖5所示般，一邊將已從運入口2a運入至處理室2內的工件W上浮，一邊控制未圖示的工件運送單元且在+X方向上進行運送(步驟S100)。亦即，一邊從上浮式運送平台3對工件W噴射氣體且於上浮式運送平台3上使工件W上浮，一邊運送工件W。在本實施形態1中的工件W係包含玻璃基板及非晶矽膜。
然後，控制部9係藉由控制雷射振盪器4及光學系統5而朝向被運送之工件W的非晶矽膜照射雷射光L(步驟 S110)。藉此，非晶矽膜結晶化且形成多晶矽膜。工件W係於之後從運出口2b被運送到下個步驟。
然後，控制部9係如圖6所示般，控制鉛直致動器13且將上浮式運送平台3的裝卸部12拆下(步驟S120)。藉此，於上浮式運送平台3的一部分設置從運送面3a到達下表面3b的開口部S。
在本實施形態1中，控制部9係更進一步如圖7所示般，以裝卸部12在水平方向(-X方向)上移動的方式控制水平致動器14。
然後，控制部9係如圖8所示般，控制插拔致動器8a以將光束分析儀7移動至開口部S的位置。然後，控制部9係透過開口部S測定在雷射光L之焦點位置F的光束分布(步驟S130)。
另外，如圖3所示般，在本實施形態1中，雷射光L的平面形狀係成形為在寬度方向(Y方向)上延伸的長方形。因此，控制部9係控制圖8所示的掃描致動器8b，一邊將光束分析儀7於寬度方向(Y方向)上移動，一邊測定在雷射光L之焦點位置F上的光束分布。於圖9係例示有藉由光束分析儀7所得的測定結果。圖9係例示雷射光L之焦點位置F上的光束分布的曲線圖，橫軸係寬度方向(Y 方向)上的位置，縱軸係相對強度。在本實施形態1中，作為雷射光L之焦點位置F上的光束分布，例如著重於雷射光L之焦點位置F上的相對強度。而且，控制部9係在當雷射光L之焦點位置上的光束分布並非所期望的光束分布的情況下，以使雷射光L的焦點位置F上的光束分布成為所期望之光束分布的方式修正雷射振盪器4或光學系統5的動作。
然後，控制部9係如圖10所示般，控制分析儀致動器8且從開口部S將光束分析儀7撤掉，控制裝卸致動器6以將裝卸部12插入安裝於開口部S(步驟S140)。
根據以上的半導體裝置之製造方法(從步驟S100至步驟S140)，透過藉由將上浮式運送平台3的一部分拆卸而設置的開口部S，使對雷射光L的光束分布進行測定成為可能。
以上說明了實施形態1。在上述的實施形態1中，作為雷射照射裝置的上述雷射退火裝置1係至少具備雷射振盪器4、上浮式運送平台3以及光束分析儀7而構成。
<實施形態2>
以下參照圖11，對適用實施形態2之雷射照射裝置的雷射退火裝置進行說明。在此以實施形態2與上述實施形 態1相異的點為中心進行說明，省略重複的說明。
在上述的實施形態1中係將裝卸部12設成構成為相對於上浮式運送平台3可以裝卸。與此相對地，在本實施形態2中係以透鏡20構成在上浮式運送平台3中位於雷射光L之光軸上的部分。透鏡20係以將雷射光L的焦點投影於配置在上浮式運送平台3之下側的光束分析儀7的方式來設計。藉由以上的構成，成為能夠利用配置於上浮式運送平台3之下方的光束分析儀7來測定在雷射光L之焦點位置F上的光束分布。
<實施形態3>
以下參照圖12，對適用實施形態3之雷射照射裝置的雷射退火裝置進行說明。在此以實施形態3與上述實施形態1相異的點為中心進行說明，省略重複的說明。
在上述的實施形態1中係將裝卸部12設成構成為相對於上浮式運送平台3可以裝卸。而且，光束分析儀7係設成配置於上浮式運送平台3的下方。
與此相對地，在本實施形態3中係構成為將光束分析儀7配置於上浮式運送平台3之上側，並在雷射光L的光軸上配置鏡面等的將光軸反射或折射的光學元件21，以將從光學系統5照射的雷射光L導引到光束分析儀7的方 式。藉由以上的構成，成為能夠測定在雷射光L之焦點位置上的光束分布。
<其他實施形態>
然後，參照圖13及圖14，作為其他的實施形態，對使用了在實施形態1、2及3中已說明的雷射照射裝置之半導體裝置的製造方法及半導體裝置進行說明。
(半導體裝置的製造方法)
首先，對使用了上述已說明之雷射照射裝置的半導體裝置的製造方法進行說明。在本實施形態中係藉由使用作為雷射照射裝置的雷射退火裝置，能夠將雷射光照射於已形成於基板上的非晶質膜而使非晶質膜結晶化。例如在半導體裝置係具備TFT(Thin Film transistor；薄膜電晶體)之半導體裝置的情況下，能夠將雷射光照射於非晶矽膜且使其結晶化而形成多晶矽膜。多晶矽膜係構成TFT。
圖13係用以說明半導體裝置的製造方法之一例的剖面圖。在上述已說明的本實施形態之雷射照射裝置係適合於TFT陣列基板的製造。以下，對具有TFT之半導體裝置的製造方法進行說明。
首先，如圖13中的(a)所示般，於玻璃基板201上形成閘極電極202。閘極電極202係例如可以使用含有鋁等的 金屬薄膜。然後，如圖13中的(b)所示般，在閘極電極202之上形成閘極絕緣膜203。閘極絕緣膜203係以覆蓋閘極電極202的方式形成。之後，如圖13的(c)所示般，在閘極絕緣膜203之上形成非晶矽膜204。非晶矽膜204係以透過閘極絕緣膜203與閘極電極202重複的方式配置。
閘極絕緣膜203係氮化矽膜(SiNx)、氧化矽膜(SiO2膜)或是此等的積層膜等等。具體來說，藉由CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沈積法)將閘極絕緣膜203與非晶矽膜204連續成膜。
然後，如圖13的(d)所示般，利用上述已說明的雷射照射裝置將雷射光照射於非晶矽膜204且使非晶矽膜204結晶化形成多晶矽膜205。藉此，矽已結晶化的多晶矽膜205形成於閘極絕緣膜203上。
之後，如圖13的(e)所示般，於多晶矽膜205之上形成層間絕緣膜206、源極電極207a以及汲極電極207b。層間絕緣膜206、源極電極207a以及汲極電極207b係可使用一般的攝影平版印刷(photolithographic)法或成膜法來形成。
藉由使用上述之半導體裝置的製造方法，能夠製造具有TFT的半導體裝置。另外，之後的製造步驟視最後所製造的設備(device)而異，因此省略說明。
(有機EL顯示器)
然後，對作為使用了具有TFT之半導體裝置的設備之一範例之有機EL顯示器進行說明。圖14係用以說明有機EL顯示器之概要的剖面圖，將有機EL顯示器的像素電路予以簡略化並顯示。圖14所示的有機EL顯示器300係於各像素PX配置了TFT之主動矩陣(active matrix)型的顯示裝置。
有機EL顯示器300係具備基板310、TFT層311、有機層312、彩色濾光片層313以及封裝基板314。在圖14係表示封裝基板314側成為可視側之頂部發光(top emission)方式的有機EL顯示器。另外，以下的說明係表示有機EL顯示器一個構成例的說明，本實施形態係不限制於以下所說明的構成。例如，本實施形態的半導體裝置係亦可使用底部發光(bottom emission)方式的有機EL顯示器。
基板310係玻璃基板或是金屬基板。在基板310之上係設有TFT層311。TFT層311係具有已配置於各畫素PX的TFT311a。進而，TFT層311係具有連接於TFT311a的配線等。TFT311a及其配線等係構成像素電路。另外，TFT層311係對應於圖13已說明的TFT，具有閘極電極202、閘極絕緣膜203、多晶矽膜205、層間絕緣膜206、源極電極207a以及汲極電極207b。
在TFT層311之上係設置有有機層312。有機層312係具有對每個像素PX配置的有機EL發光元件312a。有機EL發光元件312a係例如具有陽極、正電洞注入層、正電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層及陰極所積層的積層構造。在頂部發光方式的情況下，陽極係金屬電極，陰極係ITO(Indium Tin Oxide；銦錫氧化物)等的透明導電膜。進而，於有機層312係在畫素PX之間設置有用以將有機EL發光元件312a分離的分隔壁312b。
在有機層312之上係設有彩色濾光片層313。彩色濾光片層313係設置有用以進行顏色顯示的彩色濾光片313a。亦即，於各畫素PX係設置有作為彩色濾光片313a的塗色成R(紅色)、G(綠色)或是B(藍色)的樹脂層。從有機層312放出的白色光係在通過彩色濾光片313a時被變換成RGB顏色的光。另外，於有機層312設置有發光RGB的各色之有機EL發光元件的3色方式的情況下，可以省略彩色濾光片層313。
於彩色濾光片層313之上係設置有封裝基板314。封裝基板314係玻璃基板等的透明基板，為了防止有機層312的有機EL發光元件之劣化而設置。
流經有機層312之有機EL發光元件312a的電流係依 據供給至像素電路的顯示訊號而變化。因此，藉由將因應於顯示圖像的顯示訊號供給至各個像素PX而能夠控制於各個像素PX的發光量。藉此，能夠顯示所期望的圖像。
另外，上述之具有TFT的半導體裝置係為了控制有機EL顯示器而被使用。然而，取而代之地，具有TFT的半導體裝置係亦可用以控制液晶顯示器。
以上，基於實施形態對由本發明人所完成的發明進行了具體的說明，但本發明並不限定於前述的實施形態，在不脫離其意旨的範圍內無庸置疑地能夠做出各種變更。
本申請案係以2016年10月4日已申請的日本申請案特願2016-196491為基礎而主張優先權，將其開示之全部內容合併於此。

Claims (19)

  1. 一種雷射照射裝置，係具備：雷射振盪器，產生雷射光；運送平台，用以使前述雷射光所照射的工件上浮且運送；以及測定器，用以測定前述雷射光的光束分布；前述運送平台係具備：運送面，與前述工件對向；以及下表面，與前述運送面為相反側；前述測定器係位於前述運送平台的前述下表面的下方；於前述運送平台的一部分具有能夠拆卸的裝卸部；藉由將前述裝卸部從前述運送平台拆卸，設置從前述運送面到達前述下表面的開口部；藉由前述測定器，能夠透過前述開口部測定前述雷射光的光束分布。
  2. 如請求項1所記載之雷射照射裝置，其中前述裝卸部係位於前述雷射光的光軸上。
  3. 如請求項1所記載之雷射照射裝置，其中前述測定器係能夠移動至前述開口部的位置。
  4. 如請求項1所記載之雷射照射裝置，其中前述測定器係能夠測定在前述雷射光的焦點位置的光束分布。
  5. 如請求項1所記載之雷射照射裝置，其中前述開口部及前述測定器係位於前述雷射光的光軸上。
  6. 如請求項1所記載之雷射照射裝置，其中前述雷射光的平面形狀係具有長軸與短軸的長方形；前述測定器係能夠沿著前述長軸移動。
  7. 如請求項1所記載之雷射照射裝置，其中使氣體從前述運送平台對前述工件噴射以使前述工件上浮。
  8. 如請求項1所記載之雷射照射裝置，其中前述工件係包含非晶質半導體膜，藉由將前述雷射光照射於前述非晶質半導體膜而能夠形成多結晶半導體膜。
  9. 一種半導體裝置的製造方法，包含以下步驟：步驟(a)使含有非晶質半導體膜的工件上浮在運送平台上且運送；步驟(b)將雷射光照射於前述非晶質半導體膜以形成多結晶半導體膜；步驟(c)將前述運送平台的裝卸部拆卸，於前述運送平台的一部分設置開口部；以及步驟(d)透過前述開口部測定前述雷射光的光束分布。
  10. 如請求項9所記載之半導體裝置的製造方法，其中在前述步驟(c)與前述步驟(d)之間更包含將用以測定前述雷射光之光束分布的測定器移動到前述開口部的位置的步驟。
  11. 如請求項9所記載之半導體裝置的製造方法，其中前述開口部及測定前述雷射光之光束分布的測定器係位於前述雷射光的光軸上。
  12. 如請求項9所記載之半導體裝置的製造方法，其中在前述步驟(a)中，使氣體從前述運送平台對前述工件噴射以使前述工件上浮。
  13. 如請求項9所記載之半導體裝置的製造方法，其中前述工件係含有玻璃基板。
  14. 如請求項9所記載之半導體裝置的製造方法，其中前述多結晶半導體膜係構成薄膜電晶體。
  15. 如請求項14所記載之半導體裝置的製造方法，其中前述薄膜電晶體係用以控制液晶顯示器或有機電致發光顯示器。
  16. 一種雷射照射裝置的動作方法，包含以下步驟：步驟(a)使工件上浮在運送平台上且運送；步驟(b)將雷射光照射於前述工件；步驟(c)將前述運送平台的裝卸部拆卸，於前述運送平台的一部分設置開口部；以及步驟(d)透過前述開口部測定前述雷射光的光束分布。
  17. 如請求項16所記載之雷射照射裝置的動作方法，其中在前述步驟(c)與前述步驟(d)之間更包含將用以測定前述雷射光的光束分布的測定器移動到前述開口部的位置的步驟。
  18. 如請求項16所記載之雷射照射裝置的動作方法，其中前述開口部及測定前述雷射光之光束分布的測定器係位於前述雷射光的光軸上。
  19. 如請求項16所記載之雷射照射裝置的動作方法，其中在前述步驟(a)中，使氣體從前述運送平台對前述工件噴射以使前述工件上浮。
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