KR102276004B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102276004B1
KR102276004B1 KR1020190167667A KR20190167667A KR102276004B1 KR 102276004 B1 KR102276004 B1 KR 102276004B1 KR 1020190167667 A KR1020190167667 A KR 1020190167667A KR 20190167667 A KR20190167667 A KR 20190167667A KR 102276004 B1 KR102276004 B1 KR 102276004B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser
substrate
unit
scattering member
camera
Prior art date
Application number
KR1020190167667A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210076448A (ko
Inventor
정지훈
정영대
이지영
김원근
김태신
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190167667A priority Critical patent/KR102276004B1/ko
Publication of KR20210076448A publication Critical patent/KR20210076448A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102276004B1 publication Critical patent/KR102276004B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 회전시키는 회전 유닛; 상기 회전 유닛으로 약액을 토출하는 약액 토출 유닛; 상기 기판으로 레이저를 조사하고, 상기 기판을 가열하는 레이저 조사 유닛; 및 상기 조사되는 레이저의 빔 프로파일을 측정하는 측정 유닛;을 포함할 수 있다. 측정 유닛은 회전 유닛 상에 배치되는 산란 부재; 및 레이저가 조사되는 산란 부재를 촬영하는 카메라;를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 발명이다. 보다 상세하게는 기판을 레이저를 통해 가열하는 장치에 관한 발명이다.
반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화의 필요성이 더욱 증가되고 있다. 예를 들어, 다양한 반도체 소자 중에서 메모리 소자인 3D 낸드 메모리(3D V-NAND flash memory)는 24단, 32단으로 회로를 적층하는 구조에서 최근에는 64단으로 회로를 적층하여 제조한다.
다단으로 적층되는 회로는 증착과 식각이 적절하게 실시되어야 설계에 맞게 제조될 수 있다. 따라서, 64단 이상의 3D 낸드 메모리를 제조하기 위해서는 우수한 식각 기술과 증착 기술이 필요할 수 있다.
한편, 반도체 소자를 제조하는 다양한 공정에서 식각 공정은 인산이 담긴 수용액에 기판을 침지 시켜서 진행하는 것이 일반적이다. 그러나, 종래의 식각 방법은 식각 균일성 및 식각량에 한계가 있으므로, 회로 패턴의 미세화를 충족시키기 어려울 수 있다. 따라서, 높은 식각량을 구현할 수 있는 기판 처리 장치에 대한 필요성이 요구되고 있다.
새로운 기판 처리 장치 및 방법의 일 예시로써 기판을 레이저를 통해 가열하는 방법이 개시된다. 레이저를 통해 기판을 가열하는 방법을 사용하는 경우에도 기판의 식각률이 균일하게 도출되어야 한다. 기판의 식각률은 기판의 온도 프로파일과 연관되며, 기판의 온도 프로파일은 레이저 빔 프로파일과 거의 유사한 경향을 보인다. 따라서 식각률을 확인하기 위해 챔버 내에서의 레이저 빔 프로파일의 관측이 필요하나, 기존과 같이 감쇄된 빔을 CCD 카메라에 직접 조사하여 빔 이미지를 얻는 방식을 사용하기 위해서는 충분한 공간이 요구되어, 좁은 공간을 가지는 챔버 내에 적용하기에는 부적절한 문제점이 있었다.
본 발명에서는 챔버 내에서의 레이저 빔 프로파일을 관찰할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
기판 처리 장치가 개시된다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 회전시키는 회전 유닛; 상기 회전 유닛으로 약액을 토출하는 약액 토출 유닛; 상기 기판으로 레이저를 조사하고, 상기 기판을 가열하는 레이저 조사 유닛; 및 상기 조사되는 레이저의 빔 프로파일을 측정하는 측정 유닛;을 포함할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 측정 유닛은 상기 회전 유닛 상에 배치되는 산란 부재; 및 상기 레이저가 조사되는 상기 산란 부재를 촬영하는 카메라;를 포함할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 산란 부재는 웨이퍼와 동일한 크기를 가질 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 산란 부재는 쿼츠 또는 사파이어 재질일 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 카메라는 CCD 카메라일 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 레이저는 적외선(IR) 레이저를 조사할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 카메라는 상기 레이저의 스펙트럼 외의 다른 주파수는 차단하는 필터를 포함할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 레이저 조사 유닛은 상기 회전 유닛 아래에 위치되고, 상기 회전 유닛 상에 위치된 물체를 향하여 레이저를 조사할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 측정 유닛은 상기 카메라로 촬영한 이미지를 처리하는 이미지 처리부;를 더 포함할 수 있다.
일 예시에 따르면, 상기 이미지 처리부는 상기 카메라로 촬영한 이미지가 원형의 형상이 아닐 경우 보정을 통해 원형의 형상이 되도록 보정 처리를 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 기판에 레이저를 조사하여 기판을 가열하는 기판 처리 방법이 개시된다.
상기 기판 처리 방법은, 기판이 배치되는 위치에 산란 부재를 배치하는 단계; 상기 산란 부재의 일면에 레이저를 조사하는 단계; 및 상기 산란 부재를 촬영하는 단계;를 포함할 수 있다.
일 예시에 따르면 상기 방법은, 상기 산란 부재를 촬영하여 도출된 이미지를 통해 상기 산란 부재에 인가된 레이저 빔 프로파일을 추출하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.
일 예시에 따르면 상기 산란 부재를 촬영하여 도출된 이미지가 원형의 형상이 아닌 경우, 원형의 형상으로 이미지를 보정한 후 레이저 빔 프로파일을 추출할 수 있다.
본 발명에 따르면 챔버 내에서의 레이저 빔 프로파일을 관찰할 수 있는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면 레이저 빔 프로파일을 기존에 비해 빠른 속도로 측정 가능하다.
본 발명에 따르면 카메라의 필터 주파수를 조절하여 광 노이즈의 선별적인 제거가 가능하다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 기존의 레이저 빔 프로파일을 얻는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 따른 기판 처리 장치에서, 측정 유닛을 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4b는 카메라를 통해 촬영한 이미지를 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5b는 카메라를 통해 촬영한 이미지 및 이를 3D 형태로 재구성한 도면이다.
도 6a 내지 도 6b는 카메라를 통해 촬영한 이미지가 원형이 아닐 경우 보정하는 것을 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 도 7b는 레이저 빔 프로파일을 나타내는 도면이다.
도 8a 내지 도 8b는 카메라 및 레이저의 파장 대역을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
본 명세서 전체에서 사용되는 '~부'는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위로서, 예를 들어 소프트웨어, FPGA 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그렇지만 '~부'가 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다.
일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로 코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 및 변수들을 포함할 수 있다. 구성요소와 '~부'에서 제공하는 기능은 복수의 구성요소 및 '~부'들에 의해 분리되어 수행될 수도 있고, 다른 추가적인 구성요소와 통합될 수도 있다.
도 1은 기존의 레이저 빔 프로파일을 얻는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1에서는 레이저(1), 빔 샘플링 어셈블리(2), 필터 어셈블리(3), 빔 프로파일 센서(4), 리드아웃 회로(5)가 포함된 빔 프로파일 장치가 개시된다.
도 1의 장치에 따르면 레이저(1)가 토출되고, 토출된 레이저 B는 샘플링 어셈블리(2)에 의해 일부는 통과되고, 일부는 감쇄되어 세기가 B'으로 감소한다. 감쇄된 레이저 B'은 필터 어셈블리(3)를 통과하여 다시 감쇄되고(B''), 2차에 걸쳐 감쇄된 빔은 센서(4)를 통해 감지되고, 리드아웃 회로(5)를 통해 측정된다.
이러한 기존의 방법은, 감쇄된 레이저 빔을 센서(4)에 직접 조사하여 빔 이미지를 얻는 방법에 해당한다. 이와 같은 종래의 기술은, 빔 스플리터 혹은 ND 필터(neutral density filter) 등과 같은 광을 감쇄하는 장치가 별도로 필요하고, CCD 센서의 크기보다 레이저 빔의 크기가 클 경우에는, 렌즈 등을 이용해 이미징 광학계를 구성해야 하므로, 반도체 공정 챔버 내부 등과 같이 공간의 제약이 있을 경우에는 측정이 용이하지 않은 단점이 존재한다.
이러한 단점을 극복하기 위한 방법으로써, 본 발명이 개시된다.
본 발명은 레이저를 이용한 기판의 가열 장치에 있어서, 기판에 조사되는 레이저 빔 프로파일을 측정할 수 있는 방법에 관한 발명이다. 빔 프로파일은 광 세기의 분포 형상을 의미한다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서는 레이저 빔 프로파일을 측정하기 위한 측정 유닛(140)을 포함할 수 있다. 측정 유닛(140)은 광을 산란시키는 산란 부재(141) 및 산란 부재(141)를 촬상하는 카메라(142)를 포함할 수 있다. 이를 통해 공정 챔버 내에서의 좁은 공간에서 직경 300 mm에 이르는 레이저 빔 프로파일을 측정할 수 있다. 이는 기존의 방법이 약 10분이 걸려 측정되는 것에 비해 빠르게 측정할 수 있는 효과가 있다. 본 발명에 따른 측정은 사진을 1회 촬영하는 시간과 동일한 수준의 시간만 소요하고 측정이 가능한 효과가 있다. 또한 본 발명은 별도의 감쇄 장치가 필요하지 않아 경제적인 효과 역시 존재한다.
이하에서 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예를 도면을 통해 설명한다.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 회전 유닛(110), 약액 토출 유닛(120), 레이저 조사 유닛(130) 및 측정 유닛(140)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 원통 형상의 금속 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 내부에 처리 공간을 가진다.
회전 유닛(110)은 기판(W)을 지지한다. 회전 유닛(110)은 기판(W)을 회전시킨다. 회전 유닛(110)은 위에서 바라볼 때 원형으로 이루어진 상부면을 포함할 수 있다. 기판(W)이 회전 유닛(110)의 상부면에 안착될 수 있다. 회전 유닛(110)의 상부면이 회전되면, 기판(W)도 회전될 수 있다. 약액이 기판(W)의 중심에 토출되면, 약액은 원심력에 의하여 기판(W)의 외곽까지 퍼질 수 있다.
이를 위한 회전 유닛(110)은 일 예시로, 지지 부재(113), 회전 부재(111) 및 구동 부재(112)를 포함할 수 있다.
지지 부재(113)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 부재(113)는 기판(W)보다 상대적으로 큰 크기일 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 원형의 웨이퍼인 경우, 지지 부재(113)는 웨이퍼의 직경보다 큰 직경으로 이루어질 수 있다.
지지 부재(113)는 투명한 소재로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 레이저 조사 유닛(140)에서 조사되는 레이저가 지지 부재(113)를 투과할 수 있다. 지지 부재(113)는 약액과 반응하지 않도록 내식성이 우수한 소재일 수 있다.
이를 위한 지지 부재(113)의 소재는 일례로, 석영 또는 유리일 수 있다. 회전 부재(111)는 상기 지지 부재(113)의 가장자리를 지지한다. 회전 부재(111)는 상기 지지 부재(113)와 결합되며, 상하 방향으로 관통될 수 있다.
이러한 회전 부재(111)는 상기 레이저 조사 유닛(130)에 인접한 부분으로부터 상기 지지 부재(113)로 갈수록 내경이 증가할 수 있다. 즉, 회전 부재(111)는 하단에서 상단으로 갈수록 내경이 증가되는 원통 형상일 수 있다. 이에 따라, 후술할 레이저 조사 유닛(130)에서 생성된 레이저가 회전 부재(111)에 의해 간섭되지 않고 기판(W)까지 조사될 수 있다.
구동 부재(112)는 회전 부재(111)와 결합되고, 회전 부재(111)를 회전시킬 수 있다. 구동 부재(112)는 회전 부재(111)를 회전시킬 수 있는 것이면, 어느 것이든 사용될 수 있다.
약액 토출 유닛(120)은 회전 유닛(110)으로 약액을 토출한다. 약액 토출 유닛(120)은 저장 탱크(미도시)에 저장된 약액을 펌핑하여 기판(W)에 토출할 수 있다.
약액은 다양한 목적으로 사용될 수 있고, 약액의 일례로 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 및 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액) 등으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 여기서, 기판 처리 장치(10)가 기판(W)을 식각하는 식각 공정을 실시하는 경우, 약액 토출 유닛(120)에서 토출되는 약액은 인산 수용액일 수 있다.
세정에 사용되는 약액으로는 탈이온수(DIW)가 사용될 수 있고, 건조에 사용되는 가스로는 질소(N2), 이소프로필 알코올(IPA: IsoPropyl Aalcohol) 등이 사용될 수 있다.
약액 회수 유닛(미도시)은 회전 유닛(110)에 인접하게 위치된다. 약액 회수 유닛은 회전 유닛(110)에서 비산되는 약액을 회수할 수 있다.
일 예시에 따르면, 약액 회수 유닛은 회전 유닛(110)의 둘레 전체를 감싸도록 설치되고, 회전 유닛(110)에서 비산되는 약액을 회수할 수 있다.
약액 회수 유닛의 외부 형상은 일례로 상부의 일부분이 개구된 블럭 형상일 수 있다. 약액 회수 유닛은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 분리하고 회수할 수 있다.
기판(W)을 처리하는 과정에서 발생된 파티클 등에 의해 오염 물질이 약액 회수 유닛에 생성되거나, 잔류하는 약액으로부터 퓸(Fume)과 같은 오염 물질이 생성될 수 있다. 이와 같은 오염 물질은 약액 재생부에 의해 재생되어, 이후, 공정에서 기판(W)이 오염되는 것이 방지될 수 있다.
레이저 조사 유닛(130)은 기판(W)으로 레이저를 조사하고, 상기 기판(W)을 가열할 수 있다.
레이저 조사 유닛(130)은 회전 유닛(110)의 하부에 위치될 수 있다. 레이저 조사 유닛(130)은 상기 회전 유닛(110) 상에 위치된 기판(W)을 향하여 레이저를 조사한다. 레이저 조사 유닛(130)에서 조사된 레이저는 회전 유닛(110)의 지지 부재(113)를 통과하여 기판(W)에 조사될 수 있다. 이에 따라 기판(W)은 레이저에 의해 특정 온도로 가열될 수 있다.
측정 유닛(140)은 산란 부재(141), 카메라(142) 및 이미지 처리부(143)를 포함할 수 있다.
산란 부재(141)는 회전 유닛(110)의 지지 부재(113) 상에 배치될 수 있다. 산란 부재(141)는 웨이퍼(W)와 동일한 크기로 제공될 수 있다. 산란 부재(141)는 웨이퍼와 동일한 두께를 가지도록 제공될 수 있다. 산란 부재(141)는 웨이퍼가 배치되는 위치에 배치되어 레이저 조사 유닛에서 도출되는 레이저를 챔버(100) 내로 산란시킬 수 있다.
산란 부재(141)는 광학 유리일 수 있다. 산란 부재(141)는 사용하는 레이저의 파장을 투과할 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 산란 부재(141)는 얇은 판형 형상의 유지가 가능한 강도를 가진 재질로 형성될 수 있다. 산란 부재(141)는 레이저의 파장에 따라 각각 다른 재질로 형성될 수 있다. 일 예시에 따르면 산란 부재(141)는 사파이어 재질로 형성될 수 있다. 산란 부재(141)는 쿼츠 재질로 형성될 수 있다. 산란 부재(141)는 BK7 재질로 형성될 수 있다.
산란 부재(141)는 웨이퍼와 유사한 형상을 가질 수 있다. 산란 부재(141)의 직경은 웨이퍼와 동일한 크기일 수 있다. 산란 부재(141)의 직경을 웨이퍼와 동일한 크기로 제작함으로써, 레이저 빔 프로파일을 웨이퍼의 크기에 대응하여 관찰할 수 있다.
산란 부재(141)의 두께는 웨이퍼용 척이 지지할 수 있는 두께로 제작될 수 있다. 산란 부재(141)의 두께는 얇으면서도 휘거나 부서지지 않도록 약 1~3 mm 내외의 두께로 제작될 수 있다.
측정 유닛(140)은 카메라(142)를 포함할 수 있다. 카메라(142)는 챔버(100)의 상부면에 배치될 수 있다. 카메라(142)는 챔버(100)의 상부 모서리에 배치될 수 있다. 카메라(142)는 챔버(100)의 상부의 중앙부에 배치될 수도 있다.
도 2의 일 예시에 따르면 카메라(142)는 챔버(100)의 상부면의 우측 모서리에 배치된 일 실시 예가 개시된다.
그러나 카메라(142)는 상기 실시 예에 국한되어 배치되지 아니한다.
카메라(142)는 웨이퍼를 기준으로 레이저가 진행하는 방향과 동일 방향에 배치될 수 있다. 또는 카메라(142)는 웨이퍼를 기준으로 레이저가 진행하는 방향과 반대 방향에 배치될 수도 있다. 카메라(142)는 챔버(100)의 웨이퍼의 위치에 산란 부재(141)가 배치된 후, 가열을 위한 레이저 빔이 산란 부재(141)에 조사되면 산란 부재(141)의 표면을 촬영하여 레이저 빔 프로파일을 측정할 수 있다.
카메라(142)는 CCD 카메라(142)일 수 있다. 이 때 레이저는 적외선(IR) 파장을 가지는 레이저일 수 있다.
다른 일 실시 예에 따르면, 본 발명의 측정 유닛(140)의 카메라(142)는 레이저의 스펙트럼 외의 다른 주파수는 차단하는 필터를 포함할 수 있다. 일 예시에 따르면 카메라(142)는 광학 밴드 패스 필터를 포함할 수 있다.
카메라(142)는 레이저가 가지는 파장 대역만 센싱할 수 있는 필터를 포함함으로써 광 노이즈의 선별적인 제거가 가능한 효과가 있다. 카메라(142)의 필터와 관련된 자세한 설명은 도 8에서 후술한다.
측정 유닛(140)은 이미지 처리부(143)를 포함할 수 있다. 이미지 처리부(143)는 카메라(142)와 연결될 수 있다. 이미지 처리부(143)는 카메라(142)로 촬영한 이미지의 처리를 수행할 수 있다. 보다 상세하게는, 이미지 처리부(143)는 카메라(142)가 촬상한 이미지의 보정을 수행할 수 있다. 또는 이미지 처리부(143)는 카메라(142)가 촬상한 이미지를 분석하기 위해 필요한 데이터의 형태로 변환할 수 있다. 이미지 처리부(143)의 자세한 설명은 도 3에서 후술한다.
도 3은 도 2에 따른 기판 처리 장치에서, 측정 유닛(140)을 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 3에서는 도 2에 따른 기판 처리 장치에서의 일 구성은 생략하고, 본 발명에서 특징이 되는 일 구성에 대해서만 도시하였다.
도 3에 따르면 지지 부재(113)의 상부면에는 산란 부재(141)가 배치된다. 지지 부재(113)의 상부면에 산란 부재(141)가 배치되면, 레이저 조사 유닛(130)에서 레이저가 도출되고 카메라(142)는 산란 부재(141)를 촬영할 수 있다. 카메라(142)에서 촬영한 이미지는 이미지 처리부(143)로 전달될 수 있다.
이미지 처리부(143)에서는 촬영한 이미지로부터 레이저 빔 프로파일을 추출할 수 있도록 사전 처리를 수행할 수 있다. 이미지 처리부(143)에서는, 촬영한 이미지의 가공 처리 또는 보정 처리를 수행할 수도 있다.
이미지 처리부(143)에서는 원형의 웨이퍼에 대응되는 촬영 이미지가 확보되면, 이에 대한 변환 처리를 수행하고 이를 분석하여 레이저 빔 프로파일을 추출할 수 있다.
일 예시에 따르면 이미지 처리부(143)에서는 카메라(142)로 촬영한 이미지가 원형의 형상이 아닐 경우 보정을 통해 원형의 형상이 되도록 보정 처리를 수행할 수 있다. 일 예시에 따르면 이미지 처리부(143)에서는 카메라(142)로 촬영한 이미지에 노이즈가 있는 경우 이를 제거하는 작업을 수행할 수 있다.
도 4a 내지 도 4b는 카메라(142)를 통해 촬영한 이미지를 나타내는 도면이다.
도 4는 980 nm 파장의 레이저 빔을 광학유리(BK7)의 재질을 가지는 산란 부재(141)에 조사한 후, 근적외선용 CCD 카메라(142)로 촬영한 실시 예에 해당한다.
도 4a 및 도 4b는 거칠기가 서로 다른 산란 부재(141)에 각각 레이저를 조사한 후 촬영한 이미지에 해당한다.
도 4a 내지 도 4b를 비교하면, 산란 부재(141)의 거칠기가 차이가 있는 경우 이미지의 노이즈 수준에는 약간 차이가 있는 것을 알 수 있습니다. 그러나 레이저 빔 프로파일을 확인하는 데에는 영향이 없으므로, 본 발명은 산란 부재(141)의 거칠기와 무관하게 사용 가능함을 확인할 수 있다.
도 5a 내지 도 5b는 카메라(142)를 통해 촬영한 이미지 및 이를 3D 형태로 재구성한 도면이다.
도 5는 100mm x 100mm의 사각형 형상의 산란 부재(141)(1500 Grit)를 사용하여 실험한 결과로 나타난 도면이다.
도 5a에 따르면 픽셀 단위로 결과 데이터가 도출됨을 확인할 수 있고, 도 5b와 같이 이를 3D 데이터의 형상으로 변환할 수도 있다.
이미지 처리부(143)에서는 카메라(142)를 통해 얻은 이미지 데이터를 수치 행렬의 형태로 변환할 수 있다. 이미지 처리부(143)에서는 이미지 처리 기법을 사용하여 노이즈 제거, 촬영 각도에 따른 왜곡 보정 등을 수행할 수 있다.
도 6a 내지 도 6b는 카메라(142)를 통해 촬영한 이미지가 원형이 아닐 경우 이를 이미지 처리부(143)에서 보정하는 것을 나타내는 도면이다.
도 6a는 촬영 이미지가 타원의 형상으로 도출된 경우를 나타낸다.
카메라(142)가 챔버의 모서리 측에 위치하는 경우, 촬영 이미지가 원형의 형상으로 도출되지 아니할 수 있다. 즉, 광축에서 벗어난 위치에 카메라(142)가 설치되어 비스듬한 각도로 빔 프로파일 이미지를 촬영한 경우 타원의 형상으로 이미지가 도출되어 해당 형상으로부터 레이저 빔 프로파일을 추출하는 데에 있어 어려움이 있을 수 있기 때문에, 도 6b와 같은 보정 작업을 수행할 수 있다.
이미지 처리부(143)에서는 산란 부재(141)의 촬영 이미지가 왜곡된 경우 해당 이미지가 원형의 웨이퍼 형상이 될 수 있도록 이미지 상하를 늘려주는 작업을 수행함으로써 보정된 이미지 및 레이저 빔 프로파일을 도출해 낼 수 있다.
도 7a 내지 도 7b는 레이저 빔 프로파일을 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 도 7b는 도 4 내지 도 6과 같은 촬영 및 이미지 처리 과정을 거쳐 도출된 레이저 빔 프로파일을 나타내는 도면이다.
본 발명에서는 단순히 카메라(142)로 촬영한 이미지를 관찰할 수 있을 뿐 아니라, 도 7과 같이 이미지 처리(image processing)를 위해 CCD 이미지 데이터를 수치 행렬로 변환하여 단면 등을 관찰할 수 있다.
이와 같이 레이저 빔 프로파일이 도출되면, 이는 온도 프로파일과 대응되는 형상을 갖기 때문에 식각률이 균일하게 도출되는지 여부를 확인하는 지표로 사용할 수 있다.
도 7b의 레이저 빔 프로파일에 따르면, 약 230픽셀에서 강도가 보다 높게 나오는 부분이 있음을 확인할 수 있다. 이러한 경우 온도 프로파일 역시 해당 부분에서 높게 도출될 수 있고, 이는 균일한 식각률을 방해하는 요인으로 작용하기 때문에 이를 확인하여 추후 레이저 조사 유닛에서 조사되는 레이저를 조절할 수 있다.
도 8a 내지 도 8b는 카메라(142) 및 레이저의 파장 대역을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a에 따르면, 근적외선 단색광 레이저(약 980nm)의 측정을 위해 근적외선 용 열화상 카메라를 사용한 일 실시 예가 개시된다. 이를 통해 별도의 암막 장치나 차광 장치 없이도 가시광선에 의한 광 노이즈를 제거할 수 있는 효과가 존재한다.
도 8b에 따르면, 레이저의 파장이 특정 스펙트럼에 집중되어 있을 경우, 해당 레이저의 파장만 통과시킬 수 있는 광학 밴드 패스 필터(optical band pass filter)를 활용하여 보다 효율적인 측정이 가능한 효과가 있다. 이는 레이저의 파장이 바뀔 때뿐만 아니라 CCD 카메라의 사양이 바뀔 경우에도 활용할 수 있다.
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판에 레이저를 조사하여 기판을 가열하는 처리 방법에 관한 발명이다. 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 목적은 레이저 빔 프로파일의 형상을 관찰하기 위함이다.
기판이 배치되는 위치에 산란 부재(141)가 배치될 수 있다. 산란 부재(141)는 웨이퍼와 유사한 형상으로 제작된 부재일 수 있다.
산란 부재(141)의 일면에 레이저가 조사된다. 산란 부재(141)를 통해 챔버 내부로 레이저 빔이 산란될 수 있다. 챔버의 내부에 배치된 카메라(142)를 통해 산란 부재(141)를 촬영할 수 있다.
촬영한 이미지는 이미지 처리부(143)로 전달될 수 있다. 촬영한 이미지를 확인하여, 이미지의 보정이 필요한 경우에는 이미지 보정 처리를 수행한 후, 데이터 변환을 거쳐 레이저 빔 프로파일을 추출할 수 있다.
이미지의 보정이 필요한 경우란 촬영한 이미지에 도시된 산란 부재의 형상이 원형의 형상이 아니거나, 촬영한 이미지에 노이즈가 심하게 발생하여 빔 프로파일을 바로 추출할 수 없는 경우를 의미한다.
촬영한 이미지를 확인하여, 이미지의 보정이 필요하지 아니한 경우에는 바로 레이저 빔 프로파일을 추출할 수 있다.
추출한 레이저 빔 프로파일을 통해 기판의 온도 프로파일을 확인할 수 있고, 이를 통해 식각률의 균일 여부를 확인할 수 있는 효과가 있다.
즉 본 발명에 따르면, CCD에 감쇄된 레이저 빔을 직접 조사하지 않고, 산란 부재(141)의 표면을 촬영하는 방식을 취하므로, 공간 제약이 있는 경우에도 빔 프로파일을 간접적으로 관찰할 수 있다.
또한 산란 부재(141)의 형상을 웨이퍼와 유사하게 제작함으로써 반도체 공정 챔버의 내부에서 활용할 수 있다.
또한 카메라(142)의 조절을 통해 별도의 암막 장치나 차광 장치 없이 조명 등에 의한 광 노이즈를 배제한 레이저 빔 프로파일 이미지를 획득하는 것이 가능하다. 또한 이미지 처리부(143)에서는 획득된 CCD 이미지 데이터에 추가적인 이미지 처리(image processing)를 하여, 레이저 빔 프로파일의 정밀도를 향상시키는 것이 가능하다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
10 : 기판 처리 장치
100 : 챔버
110 : 회전 유닛
120 : 약액 토출 유닛
130 : 레이저 조사 유닛
140 : 측정 유닛
141 : 산란 부재
142 : 카메라
143 : 이미지 처리부

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간에서 기판을 회전시키는 회전 유닛;
    상기 회전 유닛으로 약액을 토출하는 약액 토출 유닛;
    상기 기판으로 레이저를 조사하고, 상기 기판을 가열하는 레이저 조사 유닛; 및
    상기 조사되는 레이저의 빔 프로파일을 측정하는 측정 유닛;을 포함하고,
    상기 측정 유닛은
    상기 회전 유닛 상에 배치되는 산란 부재; 및
    상기 레이저가 조사되는 상기 산란 부재를 촬영하는 카메라;를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 산란 부재는 웨이퍼와 동일한 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 산란 부재는 쿼츠 또는 사파이어 재질인 기판 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 카메라는 CCD 카메라인 것을 일 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 레이저는 적외선(IR) 레이저를 조사하는 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 카메라는 상기 레이저의 스펙트럼 외의 다른 주파수는 차단하는 필터를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 조사 유닛은 상기 회전 유닛 아래에 위치되고,
    상기 회전 유닛 상에 위치된 물체를 향하여 레이저를 조사하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 측정 유닛은
    상기 카메라로 촬영한 이미지를 처리하는 이미지 처리부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 이미지 처리부는
    상기 카메라로 촬영한 이미지가 원형의 형상이 아닐 경우 보정을 통해 원형의 형상이 되도록 보정 처리를 수행하는 기판 처리 장치.
  11. 기판에 레이저를 조사하여 기판을 가열하는 기판 처리 방법에 있어서,
    기판이 배치되는 위치에 산란 부재를 배치하는 단계;
    상기 산란 부재의 일면에 레이저를 조사하는 단계; 및
    상기 산란 부재를 촬영하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 산란 부재를 촬영하여 도출된 이미지를 통해 상기 산란 부재에 인가된 레이저 빔 프로파일을 추출하는 단계; 를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 산란 부재를 촬영하여 도출된 이미지가 원형의 형상이 아닌 경우,
    원형의 형상으로 이미지를 보정한 후 레이저 빔 프로파일을 추출하는 기판 처리 방법.
KR1020190167667A 2019-12-16 2019-12-16 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102276004B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190167667A KR102276004B1 (ko) 2019-12-16 2019-12-16 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190167667A KR102276004B1 (ko) 2019-12-16 2019-12-16 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210076448A KR20210076448A (ko) 2021-06-24
KR102276004B1 true KR102276004B1 (ko) 2021-07-13

Family

ID=76607355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190167667A KR102276004B1 (ko) 2019-12-16 2019-12-16 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102276004B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014502367A (ja) 2010-11-09 2014-01-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 非線形光学結晶中の結晶位置寿命の測定
KR101438311B1 (ko) 2012-03-22 2014-09-05 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 열처리 장치
JP2018060888A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102013671B1 (ko) * 2017-10-12 2019-08-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 처리액 노즐 검사 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014502367A (ja) 2010-11-09 2014-01-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 非線形光学結晶中の結晶位置寿命の測定
KR101438311B1 (ko) 2012-03-22 2014-09-05 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 열처리 장치
JP2018060888A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210076448A (ko) 2021-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6033453B2 (ja) 多変量解析を用いたプラズマエンドポイント検出
KR102148833B1 (ko) 주입형 포토레지스트 스트리핑 공정
JP3329685B2 (ja) 計測装置および計測方法
KR102469856B1 (ko) 에칭 처리 방법 및 베벨 에칭 장치
US20210118701A1 (en) Substrate treatment apparatus
CN109791900B (zh) 用于处理腔室清洁终点检测的方法和设备
JP3066593B2 (ja) エッチング方法
WO1997009607A1 (en) Ultra-sensitive detection of contaminants in gas via intracavity laser spectroscopy (ils)
KR102276004B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
IL267920B2 (en) Testing and metrology using broadband infrared radiation
CN109425612B (zh) 检查用晶片和能量分布的检查方法
TW533526B (en) Method and apparatus to provide for automated process verification and hierarchical substrate examination
JP2006145627A (ja) マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法
KR20190003811A (ko) 브루스터 각의 이중-파장 시프트에 의한 비접촉 온도 측정
US7427520B2 (en) Method and apparatus for measuring thickness of thin film formed on substrate
US10770298B2 (en) Automatic inspection device and method of laser processing equipment
US11145526B2 (en) Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure
TWI831656B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI690067B (zh) 光學感測器及其製作方法
KR102013671B1 (ko) 기판 처리 장치 및 처리액 노즐 검사 방법
JP7347236B2 (ja) 架橋フッ素樹脂及びその管理方法
KR101862312B1 (ko) 처리물 분석 장치 및 이를 포함하는 가공 장치, 처리물 분석 방법
US20060138312A1 (en) Solid-state spectrophotomer
Tselishcheva et al. Optical properties of UV-induced color centers in a KY 3 F 10: Ce 3+ crystal
KR101166435B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 식각 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant