CN109804457A - 激光照射装置、半导体器件制造方法及激光照射装置操作方法 - Google Patents

激光照射装置、半导体器件制造方法及激光照射装置操作方法 Download PDF

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Abstract

一种实施方式的激光退火装置(1)包括用于生成激光束(L)的激光振荡器(4)，用于将待由所述激光束(L)照射的工件(W)浮起并传送该工件的浮起型传送台(3)，以及用于测量所述激光束(L)的光束轮廓的光束轮廓测量仪(7)。所述浮起型传送台(3)包括与所述工件(W)相对的传送表面(3a)以及与位于该传送表面(3a)相反一侧的下表面(3b)。所述光束轮廓测量仪(7)位于所述浮起型传送台(3)下表面(3b)下方。所述浮起型传送台(3)包括处于其一部分之内的可卸除部分(12)。通过将所述可卸除部分(12)从所述浮起型传送台(3)卸除，形成开孔(S)，该开孔(3)自所述传送表面(3a)延伸至所述下表面(3b)。所述光束轮廓测量仪(7)用于经所述开孔(S)，对所述激光束(L)的光束轮廓进行测量。

Description

激光照射装置、半导体器件制造方法及激光照射装置操作 方法
技术领域
本发明涉及一种激光照射装置、半导体器件制造方法以及所述激光照射装置的操作方法。举例而言，本发明涉及对激光束的光束轮廓进行的测量。
背景技术
专利文献1公开一种激光退火装置，该装置对处于浮起状态的处理对象进行传送，并在该处理对象上施加激光束。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：公开号为WO2015/174347的国际专利申请
发明内容
本发明解决的技术问题
然而，专利文献1只字未提对激光束的光束轮廓进行测量。
根据本说明书的描述以及附图，其他待解决的问题以及新颖特征将变得容易理解。
解决问题的技术手段
为了解决上述问题，一种激光照射装置构造为使得传送台的一部分可以卸除。
本发明的有益效果
根据上述构造，可通过卸除传送台的一部分后形成的开孔，对激光束的光束轮廓进行测量。
附图说明
图1为第一实施方式激光退火装置的侧视截面图。
图2为第一实施方式激光退火装置平面图。
图3为第一实施方式激光退火装置平面图。
图4为第一实施方式制造方法流程图。
图5为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图6为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图7为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图8为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图9为激光束的光束轮廓测量结果一例的示意图。
图10为第一实施方式激光退火装置侧视截面图。
图11为第二实施方式激光退火装置侧视截面图。
图12为第三实施方式激光退火装置侧视截面图。
图13为半导体器件制造方法步骤截面图。
图14为有机EL显示装置构造的简化截面图。
图15为比较例1激光退火装置的侧视截面图。
图16为比较例2激光退火装置的侧视截面图。
附图标记列表
1 激光退火装置
2 处理腔室
3 浮起型传送台
4 激光振荡器
5 光学系统
6 装卸驱动器
7 光束轮廓测量仪
8 轮廓测量仪驱动器
9 控制单元
10 传送表面
11 传送台主体
12 可卸除部分
L 激光束
S 开孔
W 工件
具体实施方式
<比较例1>
首先，参考图15，对比较例1的激光退火装置400进行描述。激光退火装置400为例如通过在设于硅片或玻璃基片上的非晶硅膜上施加激光束而形成多晶硅膜的装置。激光退火装置400包括处理腔室401、可动传送台单元402、光学系统403以及激光振荡器404。
处理腔室401内设有用于将作为处理对象的工件W移入处理腔室401的移入口401a以及用于将退火后的工件W从处理腔室401移出的移出口401b。
可动传送台单元402构造为能够从移入口401a移入处理腔室401内，并在处理腔室内沿+X方向移向移出口401b。可动传送台单元402包括用于支持工件W的传送台主体402a以及光束轮廓测量仪402b。光束轮廓测量仪402b固定于传送台主体402a上，并且能够随传送台主体402a在处理腔室401内沿+X方向移动。
光学系统403由反射镜或透镜形成。光学系统403将激光振荡器404产生的激光束L会聚及成形为预定形状，并将成形后的激光束L引入处理腔室401。
随后，在使可动传送台单元402沿+X方向从移入口401a移向移出口401b的同时，通过将激光束L施加至工件W上而对工件W进行退火。
此时，可利用设于可动传送台单元402上的光束轮廓测量仪402b，测量激光束L的光束轮廓。光束轮廓测量仪402b例如固定于传送台主体402a侧面。
虽然上述比较例1激光退火装置400因可毫无问题地测量激光束L的光束轮廓而较有优势，但是仍存在若干待解决的问题。也就是说，第一，在对置于传送台主体402a上的工件W进行更换时，造成时间浪费。第二，当将工件W从传送台主体402a剥离时，工件W可能因剥离而产生静电。第三，在将工件W放置于传送台主体402a上后，工件W可能因与传送台主体402a接触而受到污染。第四，在缓解上述第二和第三问题时往往造成工艺时间的延长，从而增大生产率降低的可能性。
<比较例2>
以下，参考图16，对比较例2的激光退火装置405进行描述。激光退火装置405为例如通过在设于硅片或玻璃基片上的非晶硅膜上施加激光束而形成多晶硅膜的装置。激光退火装置405包括处理腔室406、浮起型传送台407、光学系统408、激光振荡器409以及工件传送单元(未图示)。
处理腔室406内设有用于将作为处理对象的工件W移入处理腔室406的移入口406a以及用于将退火后的工件W从处理腔室406移出的移出口406b。
浮起型传送台407以不可移动的方式设于处理腔室406内，并构造为可在浮起后传送工件W。
光学系统408由反射镜或透镜形成。光学系统408将激光振荡器409产生的激光束L会聚及成形为预定形状，并将成形后的激光束L引入处理腔室406。
随后，在由上述工件传送单元将工件W浮起于浮起型传送台407上方并使其沿+X方向从移入口406a移向移出口406b的同时，通过将激光束L施加至工件W上而对工件W进行退火。
由于工件W在处理腔室406内以浮起于浮起型传送台407上方的状态沿+X方向移动，因此比较例2解决了上述比较例1的三个问题。
然而，在比较例2的构造中，无法将光束轮廓测量仪设在适于测量激光束L光束轮廓的位置。
<第一实施方式>
以下，参考图1至图3，对采用第一实施方式激光照射装置的激光退火装置进行描述。需要注意的是，第一实施方式激光照射装置不但可用于所述激光退火装置，还可应用于激光剥离装置。
(激光照射装置的构造)
如图1和图2所示，第一实施方式激光退火装置1可例如通过在设于硅片或玻璃基片上的非晶硅膜上施加激光束而将该非晶硅膜结晶化，从而形成多晶硅膜。激光退火装置1包括处理腔室2、用作传送台的浮起型传送台3、激光振荡器4、光学系统5、装卸驱动器6、作为测量仪器的光束轮廓测量仪7、轮廓测量仪驱动器8以及控制单元9。需要注意的是，为了便于说明，图2中省略了激光振荡器4、光学系统5以及控制单元9。
如图1所示，处理腔室2内设有用于将作为处理对象的工件W移入处理腔室2的移入口2a以及用于将退火后的工件W从处理腔室2移出的移出口2b。在第一实施方式中，移入口2a和移出口2b设于彼此相对的一对侧壁上。工件W经移入口2a移入处理腔室2，并在处理腔室2内退火后，经移出口2b移出处理腔室2。需要注意的是，为了便于说明，在第一实施方式中，将从移入口2a至移出口2b的方向定义为传送方向(+X方向)。此外，还将垂直朝上的方向定义为+Z方向，并将与X方向和Z方向均正交的方向定义为Y方向。
浮起型传送台3为用于将待由激光束L照射的工件W浮起并传送该工件W的传送台。具体而言，通过自浮起型传送台3向工件W喷射气体的方式，将工件W浮起。浮起型传送台3具有与工件W相对的传送表面3a，以及与位于传送表面3a相反一侧的下表面3b。传送表面3a上形成有用于朝上喷射气体的多个喷射孔H。
此外，浮起型传送台3包括：传送台主体11，该传送台主体具有沿垂直方向(Z方向)开放的开孔S；以及可卸除部分12，该可卸除部分既可安装于传送台主体11开孔S内，也可自该开孔卸除。也就是说，浮起型传送台3将可卸除部分12含于其一部分之内，而且该可卸除部分12可自所述一部分卸除。此外，开孔S从传送表面3a延伸至下表面3b，并通过将可卸除部分12从浮起型传送台3卸除的方式形成于浮起型传送台3中。开孔S和可卸除部分12位于激光束L的光轴上。也就是说，可卸除部分12为浮起型传送台3的施加激光束L的部分。
激光振荡器4生成激光束L。在第一实施方式中，由激光振荡器4生成的激光束L不限于任何特定类型。激光束L例如包括准分子激光束。
光学系统5由反射镜或透镜形成。如图3所示，光学系统5将激光振荡器4产生的激光束L会聚及成形为预定形状，并将成形后的激光束L引入处理腔室2。在第一实施方式中，激光束L的所述预定形状为该激光束L焦点F处的形状，而且为矩形。也就是说，激光束L的平面形状为沿与传送方向垂直的方向延伸的矩形，而且具有长轴和短轴。
再次参照图1，装卸驱动器6为用于移动可卸除部分12的驱动器。具体而言，装卸驱动器6为用于将可卸除部分12装入传送台主体11开孔S内或从该开孔S中卸除的驱动器。装卸驱动器6固定于浮起型传送台3的传送台主体11上。装卸驱动器6包括：垂直驱动器13，该垂直驱动器在垂直方向(Z方向)上移动装入传送台主体11开孔S内的可卸除部分12；以及水平驱动器14，在可卸除部分12被垂直驱动器13移动后，该水平驱动器在水平方向(X方向)上移动可卸除部分12。垂直驱动器13包括：与可卸除部分12连接的驱动轴13a；以及用于在垂直方向(Z方向)上前后移动驱动轴13a的驱动源13b。水平驱动器14包括：与垂直驱动器13的驱动源13b连接的驱动轴14a；以及用于在水平方向(X方向)上前后移动驱动轴14a的驱动源14b。垂直驱动器13和水平驱动器14例如为气缸。
光束轮廓测量仪7为用于测量激光束L的光束轮廓的测量仪器。在第一实施方式中，光束轮廓测量仪7设于浮起型传送台3下表面3b下方。光束轮廓测量仪7设于安装在传送台主体11开孔S内的可卸除部分12的正下方。光束轮廓测量仪7位于激光束L的光轴上。
轮廓测量仪驱动器8为用于移动光束轮廓测量仪7的驱动器。轮廓测量仪驱动器8固定于处理腔室2上。轮廓测量仪驱动器8包括插拔驱动器8a和扫描驱动器8b。插拔驱动器8a为用于在垂直方向(Z方向)上移动光束轮廓测量仪7的驱动器。插拔驱动器8a用于将光束轮廓测量仪7插入传送台主体11的开孔S中，或者将光束轮廓测量仪7从开孔S中拔除。插拔驱动器8a包括驱动轴以及使该驱动轴前后移动的驱动源。插拔驱动器8a例如为气缸。通过插拔驱动器8a，可将光束轮廓测量仪7从浮起型传送台3下表面3b下方的位置移动至开孔S内的位置。通过这种方式，光束轮廓测量仪7可对激光束L在其焦点F处的光束轮廓进行测量。扫描驱动器8b为用于在宽度方向(Y方向)上移动光束轮廓测量仪7的驱动器。具体而言，扫描驱动器8b为沿图3所示激光束L平面形状的长轴移动光束轮廓测量仪7的驱动器。因此，光束轮廓测量仪7可沿激光束L平面形状的长轴移动。
控制单元9用于控制装卸驱动器6和轮廓测量仪驱动器8的操作，并控制激光振荡器4的输出。具体而言，控制单元9对可卸除部分12装入传送台主体11或从传送台主体11卸除的操作以及光束轮廓测量仪7的上下运动等进行控制。控制单元9包括用作中央处理单元的CPU(中央处理单元)、可读写RAM(随机存取存储器)以及只读ROM(只读存储器)。该ROM内存有可由所述CPU加载和执行的控制程序。
此外，激光退火装置1还包括传送单元(未图示)，该传送单元用于对浮起于浮起型传送台3上方的工件W进行保持和传送。传送单元对工件W的保持方式例如包括抓握保持、吸附保持等。
通过上述构造，当光束轮廓测量仪7对激光束L的光束轮廓进行测量时，将可卸除部分12从浮起型传送台3中卸除。如此，即在浮起型传送台3中形成自传送表面3a延伸至下表面3b的所述开孔S，以使得光束轮廓测量仪7可经该开孔S，对激光束L的光束轮廓进行测量。因此，在光束轮廓测量仪7对激光束L的光束轮廓进行测量时，浮起型传送台3并不会形成障碍。此外，当在浮起型传送台3上方传送工件W时，仅需将可卸除部分12装入浮起型传送台3中即可。
(激光照射装置的操作)
以下，参考图4至图10，对通过使用激光退火装置1制造半导体器件的方法进行详细描述。图4为激光退火装置1的操作方法流程图。
首先，如图5所示，控制单元9通过控制工件传送单元(未图示)，在将经移入口2a移入处理腔室2的工件W浮起的同时，沿+X方向传送该工件W(S100)。也就是说，控制单元9在通过自浮起型传送台3向工件W喷射气体而将工件W浮起于浮起型传送台3上方的同时，对工件W进行传送。在第一实施方式中，工件W包括玻璃基片和非晶硅膜。
随后，控制单元9通过控制激光振荡器4以及光学系统5，向处于传送状态的工件W的非晶硅膜发射激光束L(S110)，从而使得所述非晶硅膜结晶化，并形成多晶硅膜。之后，将工件W经移出口2b移出，以供下一工序处理。
随后，如图6所示，控制单元9通过控制垂直驱动器13，将浮起型传送台3的可卸除部分12卸除(S120)，从而在浮起型传送台3的一部分中形成自传送表面3a延伸至下表面3b的开孔S。
在第一实施方式中，如图7所示，控制单元9进一步控制水平驱动器14，以使得可卸除部分12沿水平方向(-X方向)移动。
在此之后，如图8所示，控制单元9通过控制插拔驱动器8a，将光束轮廓测量仪7移动至开孔S的位置。随后，控制单元9经开孔S，对激光束L在其焦点F处的光束轮廓进行测量(步骤S130)。
需要注意的是，如图3所示，在第一实施方式中，激光束L的平面形状成形为沿所述宽度方向(Y方向)延伸的矩形。因此，控制单元9在通过控制图8所示扫描驱动器8b而在所述宽度方向(Y方向)上移动光束轮廓测量仪7的同时，对激光束L在其焦点F处的光束轮廓进行测量。图9所示为光束轮廓测量仪7的测量结果一例。图9为激光束L焦点F处的光束轮廓图，其中，横轴表示所述宽度方向(Y方向)上的位置，纵轴表示相对强度。在第一实施方式中，由于激光束L的光束轮廓形成于其焦点F处，因此应例如关注激光束L焦点F处的相对强度。此外，当激光束L在其焦点F处的光束轮廓并非所需光束轮廓时，控制单元9通过对激光振荡器4和/或光学系统5的操作进行校正，使得激光束L在其焦点F处的光束轮廓变成所需光束轮廓。
在此之后，如图10所示，控制单元9通过控制轮廓测量仪驱动器8，将光束轮廓测量仪7从开孔S中卸除，并通过控制装卸驱动器6，将可卸除部分12插入并装于开孔S内(S140)。
根据上述半导体器件制造方法(步骤S100至S140)，可经通过将浮起型传送台3的一部分卸除而形成的开孔S，对激光束L的光束轮廓进行测量。
以上，已对第一实施方式进行了描述。在上述第一实施方式中，用作激光照射装置的激光退火装置1至少包括激光振荡器4、浮起型传送台3以及光束轮廓测量仪7。
<第二实施方式>
以下，参考图11，对采用第二实施方式激光照射装置的激光退火装置进行描述。下文中，主要说明第二实施方式与上述第一实施方式的不同之处，相同之处不再重复描述。
在上述第一实施方式中，可卸除部分12构造为既可装于浮起型传送台3内，也可从浮起型传送台3卸除。与此相对，在第二实施方式中，浮起型传送台3的位于激光束L光轴上的一部分由透镜20形成。透镜20设计为将激光束L的焦点投射至位于浮起型传送台3下方的光束轮廓测量仪7上。通过上述构造，可利用设于浮起型传送台3下方的光束轮廓测量仪7，对激光束L在其焦点F处的光束轮廓进行测量。
<第三实施方式>
以下，参考图12，对采用第三实施方式激光照射装置的激光退火装置进行描述。下文中，主要说明第三实施方式与上述第一实施方式的不同之处，相同之处不再重复描述。
在上述第一实施方式中，可卸除部分12构造为既可装于浮起型传送台3内，也可从浮起型传送台3卸除。此外，光束轮廓测量仪7设于浮起型传送台3下方。
与此相对，在第三实施方式中，光束轮廓测量仪7设于浮起型传送台3上方。此外，激光束L的光轴上还设有反射镜等反射或弯曲激光束L光轴的光学元件21，以将光学系统5发射的激光束L引导至光束轮廓测量仪7上。通过上述构造，可对激光束L在其焦点处的光束轮廓进行测量。
<其他实施方式>
以下，将利用第一、第二或第三实施方式制造半导体器件的方法作为其他实施方式进行描述，并参照图13和图14，对此类半导体器件进行描述。
(半导体器件制造方法)
首先，对利用上述激光照射装置制造半导体器件的方法进行描述。在该实施方式中，通过将所述激光退火装置用作激光照射装置，可在形成于基片上的非晶膜施加激光束，从而使该非晶膜结晶化。所述半导体器件例如为含有TFT(薄膜晶体管)的半导体器件。在该情况下，可通过在非晶硅膜上施加激光束而使该非晶硅膜结晶化，从而形成多晶硅膜。该多晶硅膜构成所述TFT。
图13为用于说明半导体器件制造方法一例的截面图。根据上述实施方式的激光照射装置适于制造TFT阵列基片。以下，对含TFT的半导体器件的制造方法进行描述。
首先，如图13(a)所示，在玻璃基片201上形成栅电极202。含铝等金属的金属薄膜例如可用作栅电极202。随后，如图13(b)所示，在栅电极202上形成栅极绝缘膜203。所形成的栅极绝缘膜203覆盖栅电极202。在此之后，如图13(c)所示，在栅极绝缘膜203上形成非晶硅膜204。所形成的非晶硅膜204通过栅极绝缘膜203重叠于栅电极202之上。
栅极绝缘膜203例如为氮化硅膜(SiNx)、氧化硅膜(SiO2膜)或以上两者的层叠膜等。具体而言，栅极绝缘膜203和非晶硅膜204通过CVD(化学气相沉积)法先后沉积而成。
随后，如图13(d)所示，利用上述激光照射装置，在非晶硅膜204上施加激光束，以使得非晶硅膜204结晶化并形成多晶硅膜205。如此，栅极绝缘膜203上形成所含硅已结晶化的多晶硅膜205。
随后，如图13(e)所示，在多晶硅膜205上形成层间绝缘膜206、源电极207a和漏电极207b。层间绝缘膜206、源电极207a和漏电极207b可通过普通光刻方法或普通成膜方法形成。
通过上述半导体器件制造方法，可制造含TFT的半导体器件。需要注意的是，后续制造步骤随最终制造的器件的不同而不同，因此不再赘述。
(有机EL显示装置)
以下，作为使用含TFT的半导体器件的装置的一例，对有机EL显示装置进行描述。图14为有机EL显示装置的概略剖视图，其中，该有机EL显示装置的像素电路以简化方式示出。图14所示有机EL显示装置300为每一像素PX均设有TFT的有源矩阵型显示装置。
有机EL显示装置300包括基片310、TFT层311、有机层312、滤色层313及密封基片314。图14所示为密封基片314位于观看侧的顶部发射型有机EL显示装置。需要注意的是，以下描述用于说明有机EL显示装置的一种例示构造，本实施方式并不限于下述构造。举例而言，本实施方式半导体器件也可用于底部发射型有机EL显示装置。
基片310为玻璃基片或金属基片。TFT层311设于基片310上。TFT层311包含分别设于各个像素PX之内的TFT 311a。TFT层311还包括与TFT 311a连接的线路等。TFT 311a、所述线路等构成像素电路。需要注意的是，TFT层311对应于以上结合图13所述TFT，并包括栅电极202、栅极绝缘膜203、多晶硅膜205、层间绝缘膜206、源电极207a和漏电极207b。
有机层312设于TFT层311上。有机层312包括分别设于各个像素PX之内的有机EL发光单元312a。有机EL发光单元312a例如具有由阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极相互叠加而成的叠层结构。在顶部发射型情况下，所述阳极为金属电极，而阴极为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等制成的透明导电膜。此外，在有机层312内，像素PX之间还设有将有机EL发光单元312a分隔开来的分隔壁312b。
滤色层313设于有机层312上。滤色层313包括用于实现彩色显示的滤色片313a。也就是说，每一像素PX内均设有作为滤色片313a的红(R)、绿(G)或蓝(B)着色的树脂层。当有机层312发出的白光通过滤色片313a时，该白光被转化为具有红绿蓝三色的光。需要注意的是，当有机层312内设有有机EL发光单元能够发出红绿蓝三色的三色系统时，可不设滤色层313。
密封基片314设于滤色层313上。密封基片314为玻璃基片等透明基片，而且用于防止有机层312的有机EL发光单元发生性能下降。
流经有机层312的有机EL发光单元312a的电流随供于像素电路的显示信号的变化而变化。因此，通过向每一像素PX提供与显示图像相对应的显示信号，可以控制每一像素PX的发光量，从而可显示出所需图像。
需要注意的是，以上假设所述含TFT的半导体器件用于控制所述有机EL显示装置。然而，除了该目的之外，所述含TFT的半导体器件还可用于控制液晶显示装置。
以上，已根据实施方式对发明人所发明的本发明进行了具体描述，但是本发明并不限于上述实施方式，而且无需赘言，在不脱离本发明的精神和范围内，还可做出各种变化。
本发明基于申请号为2016-196491且申请日为2016年10月4日的日本专利申请，并要求其优先权，该专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。

Claims (19)

1.一种激光照射装置，其特征在于，包括：
一激光振荡器，用于生成一激光束；
一传送台，用于将待由所述激光束照射的一工件浮起并传送所述工件；以及
一测量仪器，用于测量所述激光束的一光束轮廓，其中，
所述传送台包括与所述工件相对设置的一传送表面以及位于所述传送表面相反一侧的一下表面，
所述测量仪器位于所述传送台的所述下表面的下方；
所述传送台包括位于所述传送台一部分之内的一可卸除部分，所述可卸除部分构造为可从所述传送台卸除，
通过将所述可卸除部分从所述传送台卸除，在所述传送台内形成一开孔，所述开孔自所述传送表面延伸至所述下表面，以及
所述测量仪器用于经所述开孔，对所述激光束的所述光束轮廓进行测量。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，所述可卸除部分位于所述激光束的一光轴上。
3.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，所述测量仪器可移动至所述开孔的位置。
4.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，所述测量仪器用于对所述激光束在所述激光束的焦点处的所述光束轮廓进行测量。
5.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，所述开孔和所述测量仪器位于所述激光束的一光轴上。
6.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，
所述激光束的平面形状为具有一长轴和一短轴的矩形，以及
所述测量仪器用于沿所述长轴移动。
7.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，通过自所述传送台向所述工件喷射气体而将所述工件浮起。
8.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，所述工件包括一非晶半导体膜，通过在所述非晶半导体膜上施加所述激光束而形成一多晶半导体膜。
9.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)将包括一非晶半导体膜的一工件浮起于一传送台上方，并传送所述工件；
(b)在所述非晶半导体膜上施加一激光束，以形成一多晶半导体膜；
(c)卸除所述传送台的一可卸除部分，以在所述传送台的一部分内形成一开孔；以及
(d)经所述开孔，测量所述激光束的一光束轮廓。
10.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在步骤(c)和步骤(d)之间还包括，将一测量仪器移动至所述开孔的位置处的步骤，所述测量仪器用于测量所述激光束的所述光束轮廓。
11.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述开孔以及用于测量所述激光束的所述光束轮廓的一测量仪器位于所述激光束的一光轴上。
12.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在步骤(a)中，通过自所述传送台向所述工件喷射气体而将所述工件浮起。
13.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述工件包括玻璃基片。
14.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述多晶半导体膜形成一薄膜晶体管。
15.根据权利要求14所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管用于控制一液晶显示装置或一有机EL显示装置。
16.一种激光照射装置操作方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)将一工件浮起于一传送台上方，并传送所述工件；
(b)在所述工件上施加一激光束；
(c)卸除所述传送台的一可卸除部分，以在所述传送台的一部分内形成一开孔；以及
(d)经所述开孔，测量所述激光束的一光束轮廓。
17.根据权利要求16所述的激光照射装置操作方法，其特征在于，在步骤(c)和步骤(d)之间还包括，将一测量仪器移动至所述开孔的位置处的步骤，所述测量仪器用于测量所述激光束的所述光束轮廓。
18.根据权利要求16所述的激光照射装置操作方法，其特征在于，所述开孔以及用于测量所述激光束的所述光束轮廓的一测量仪器位于所述激光束的一光轴上。
19.根据权利要求16所述的激光照射装置操作方法，其特征在于，在步骤(a)中，通过自所述传送台向所述工件喷射气体而将所述工件浮起。
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