CN101587906B - 显示装置和电子设备 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 142
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/10—Controlling the light source
- H05B47/105—Controlling the light source in response to determined parameters
- H05B47/11—Controlling the light source in response to determined parameters by determining the brightness or colour temperature of ambient light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/13—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body combined with thin-film or thick-film passive components
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/10—Controlling the light source
- H05B47/16—Controlling the light source by timing means
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/40—Control techniques providing energy savings, e.g. smart controller or presence detection
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种显示装置和电子设备。该显示装置包括:为每个像素设置的阳极电极;开口绝缘膜,覆盖阳极电极的周边并且限定像素开口;以及存储电容器,经由平坦化绝缘膜配置在阳极电极的下方,具有存储用于驱动像素的电荷的功能,并且包括比像素开口宽的电容器电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置,该显示装置设置有为驱动像素而存储电荷的存储电容器,本发明还涉及一种电子设备。
背景技术
诸如液晶显示装置和有机EL(电致发光)显示装置的显示装置包括用于驱动像素的驱动基板。驱动基板包括诸如TFT(薄膜晶体管)的驱动晶体管,形成该驱动晶体管来驱动在图像显示区域中布置成矩阵的各像素。
具体地讲,有机EL显示装置包括设置在有机EL发光层下面的平坦化绝缘膜,这是因为有机EL显示装置具有薄的有机膜被设置在阳极电极和阴极电极之间的结构。另外,为每个像素设置驱动有机EL发光层的驱动晶体管(TFT)和用于存储电荷以保持有机EL发光层的发光状态的存储电容器(参考日本未审查专利申请公开No.2007-035964)。
发明内容
在这样的显示装置中,每个像素的显示电极经由设置在电容器电极上的平坦化绝缘膜而设置在存储电容器的电极(电容器电极)上。然而,通过平坦化绝缘膜并不能充分地实现平坦化。
就是说,电容器电极的不规则性影响平坦化绝缘膜,并且也影响形成在绝缘膜上的显示电极。这样的不规则性导致在显示电极和形成其上的发光层中引起缺陷的问题,以及在外部光等入射到开口上时因内部不规则性引起的衍射而导致显示质量下降的问题。
所希望的是通过平坦化绝缘膜来充分地确保平坦性以改善显示质量。
根据本发明实施例的显示装置包括:为每个像素设置的显示电极;开口绝缘膜,覆盖显示电极的周边并且限定像素开口;以及存储电容器,经由平坦化绝缘膜配置在显示电极的下方,具有存储用于驱动像素的电荷的功能,并且包括比该像素开口宽的电容器电极。
在该显示装置中,经由平坦化绝缘膜而配置在显示电极下方的存储电容器的电容器电极具有比像素开口宽的部分。因此,在电容器电极的端部产生的平坦化绝缘膜的不规则性不影响开口的内部区域。
在该显示装置中,构成存储电容器的成对的电容器电极都具有比像素开口宽的部分。因此,在电容器电极的端部产生的平坦化绝缘膜的不规则性不影响开口的内部区域。
在该显示装置中,在构成存储电容器的成对的电容器电极中,至少更接近显示电极的电容器电极具有与像素开口的形状对应的形状。因此,在电容器电极的端部产生的平坦化绝缘膜的不规则性不影响开口的内部区域。
在该显示装置中,在构成存储电容器的成对的电容器电极中,至少更接近显示电极的电容器电极具有与显示电极的宽度基本相同的宽度。因此,在电容器电极的端部产生的平坦化绝缘膜的不规则性不影响开口的内部区域。
根据本发明实施例的电子设备包括安装在壳体的显示装置,该显示装置包括:为每个像素设置的显示电极;开口绝缘膜,覆盖显示电极的周边并且限定像素开口;以及存储电容器,经由平坦化绝缘膜配置在显示电极的下方,具有存储用于驱动像素的电荷的功能,并且包括比该像素开口宽的电容器电极。
在该电子设备中,安装在壳体上的显示装置包括经由平坦化绝缘膜配置在显示电极下方的存储电容器,并且存储电容器的电容器电极具有比像素开口宽的部分。因此,在电容器电极的端部产生的平坦化绝缘膜的不规则性不影响开口的内部区域。
根据本发明的实施例,在电容器电极的端部产生的平坦化绝缘膜的不规则性不影响开口的内部区域,由此通过平坦化绝缘膜充分保证了平坦性,并且改善了显示质量。
附图说明
图1是图解根据本发明实施例的显示装置的整体构造示例的示意图;
图2是图解像素部分的构造示例的示意性平面图;
图3是图解像素部分的构造示例的示意性截面图;
图4A至4D是图解根据本发明实施例的显示装置的制造方法示例的示意性截面图;
图5A至5E是图解继图4D后的显示装置的制造方法示例的示意性截面图;
图6是图解存储电容器的另一个构造的示意性平面图;
图7是图解存储电容器的又一个构造的示意性平面图;
图8是图解存储电容器的再一个构造的示意性平面图;
图9是图解存储电容器的再一个构造的示意性平面图;
图10是图解平板型模块形状示例的示意图;
图11是图解应用本发明实施例的电视机的立体图;
图12A和12B是图解应用本发明实施例的数码照相机的立体图;
图13是图解应用本发明实施例的笔记本尺寸的个人电脑的立体图;
图14是图解应用本发明实施例的摄像机的立体图;
图15A至15G是图解应用本发明实施例的诸如移动电话的移动终端装置的立体图;
图16是示出显示成像装置的构造的框图;
图17是示出I/O显示面板的构造示例的框图;和
图18是图解每个像素与传感器读出H驱动器之间连接关系的电路图。
具体实施方式
下面,将参考附图描述本发明的实施例。
<显示装置的概要>
图1是图解根据本发明实施例的显示装置的概要的示意性平面图。也就是,显示装置1包括基本上设置在诸如玻璃基板的支撑基板的中心的驱动元件形成区域10,以及配置在驱动元件形成区域10周围的电源部分20、信号线输入部分21、扫描信号输入部分24和电源控制信号输入部分25。驱动元件形成区域10包括配置成矩阵的多个像素部分30。在显示彩色图像的显示装置中,显示像素包括例如与R(红)、G(绿)和B(蓝)对应的像素部分30的组合。
像素部分30的每一个都设置有包括驱动晶体管的驱动部分31a。驱动部分31a的驱动晶体管包括形成在基板上的薄膜晶体管(TFT),从而通过施加电压来驱动设置在像素部分30中的驱动目标。当像素部分30的驱动目标为有机EL(电致发光)发光层时,施加给对应于每个颜色的有机EL发光层的电场由驱动晶体管控制。当像素部分30的驱动目标为液晶层时,施加给液晶的电场由驱动晶体管控制。
此外,电源控制线22和扫描线23连接到驱动晶体管,从而驱动元件形成区域10中的驱动晶体管由扫描信号输入部分24依次驱动以显示图像。就是说,从电源控制线22给由扫描线23选择的水平像素行供应电源电压,并且根据经由沿垂直像素行方向的信号线26而从信号线输入部分21输入的像素信号来由对应的像素进行显示。因此,扫描线23的水平像素行的选择与来自信号线26的像素信号的输入被同步以驱动该驱动元件形成区域10,由此显示图像。
通过沉积步骤、杂质注入步骤和光刻步骤等来生产驱动基板1,沉积步骤通过CVD(化学气相沉积)等在支撑基板上形成诸如半导体层、绝缘膜层等的层,杂质注入步骤和光刻步骤等用于形成驱动元件和图案化配线。
在该实施例中,电路通过分割曝光(division exposure)形成在驱动基板1的驱动元件形成区域10中,在分割曝光中驱动元件形成区域10分成多个曝光区域。在分割曝光中,一次曝光也称为“照射(shot)”。在该实施例中,采用相同的曝光图案通过多次照射来实现驱动元件形成区域10的曝光。例如,在生产采用有机EL(电致发光)的显示装置的图案化步骤中,对于每层都通过掩模来执行分割曝光,以改善多个层对准的精确性。
<像素部分的构造>
图2是图解像素部分的构造示例的示意性平面图。多个像素部分30配置在显示区域中,并且由扫描线23、电源控制线22和信号线21分开。尽管诸如有机EL发光层或者液晶等的驱动目标配置在像素部分30上,但是图2中没有示出该驱动目标。
像素部分30的每一个都设置有写入晶体管32、存储电容器33和驱动晶体管31。在写入晶体管32中,对应的扫描线23连接到栅极电极,漏极电极连接到对应的信号线21,并且源极电极连接到驱动晶体管31的栅极电极和存储电容器33的一个电极。
驱动晶体管32由从对应的扫描线23输入的ON信号导通,存储电容器33存储从对应的信号线21发送的像素信号。结果,驱动晶体管31导通,以给驱动目标施加电源电压。
在存储电容器33中,一个电极(电容器电极33a)连接到写入晶体管32的源极,并且另一个电极(电容器电极33b)连接到驱动晶体管31的源极电极。存储电容器33具有以预定的时间段存储像素信号并保持像素状态的功能。
在根据该实施例的显示装置中,构成存储电容器33的成对电容器电极的至少一个具有比像素开口宽的部分,该像素开口也就是由每个像素部分33中设置的开口绝缘膜55(参考图2中的阴影部分)所形成的开口。在图2所示的示例中,在III-III线所示的部分中,存储电容器33的成对的电容器电极33a和33b比开口绝缘膜55形成的开口宽。
在该示例中,该成对的电容器电极33a和33b都有比开口宽的部分。然而,电容器电极33a和33b的至少一个可以具有比开口宽的部分。
最优选地,该成对的电容器电极33a和33b都有比开口宽的部分,并且该成对的电容器电极的阳极电极侧的电容器电极优选具有比开口宽的部分。这样,当电容器电极33a和33b具有比开口宽的部分时,平坦化绝缘膜产生在电容器电极33a和33b端部的不规则性不影响开口的内部区域。
<截面结构>
图3是图解沿着图2中III-III线剖取的像素部分的构造示例的示意性截面图。图3主要示出了存储电容器33的截面部分。也就是,在玻璃基板40中形成第一金属层61,并且经由栅极绝缘膜41在第一金属层61上形成第二金属层62。存储电容器33包括用作电容器电极33a和33b中的一个33a的第一金属层61、用作另一个电容器电极33b的第二金属层62以及夹持在两个电极之间的栅极绝缘膜41。
另外,信号线62B和电源控制线62C与第二金属层62同层形成在栅极绝缘膜41上。此外,钝化膜64形成在第二金属层62上,并且平坦化绝缘膜65形成在钝化膜64上。此外,阳极电极51形成在平坦化绝缘膜65上,开口绝缘膜55形成为围绕阳极电极51的周边。没有开口绝缘膜55的部分用作开口,EL层50沉积在阳极电极51的暴露表面上。此外,阴极电极52形成在整个表面上。
在这样的截面结构中,用作存储电容器33的电容器电极33a的第一金属层61和用作另一个电容器电极33b的第二金属层62形成为比开口绝缘膜55所形成的开口宽。因此,用作各电容器电极33a和33b的第一金属层61和第二金属层62的端部覆盖有开口绝缘膜55,因此通过钝化膜64和平坦化绝缘膜65可以在开口中形成足够平坦的表面。
具体地讲,当更接近阳极电极51的电容器电极33b与阳极电极51基本上具有相同的宽度时,在电容器电极33b的端部的不规则性不影响阳极电极51。因此,形成在平坦化绝缘膜65上的阳极电极51也确保了开口内的充分的平坦性,EL层50也沉积在令人满意的平坦表面上。
<制造显示装置的方法>
图4A至5E是依次图解根据该实施例的显示装置的制造方法示例的示意性截面图。这些图主要示出驱动部分的驱动晶体管部分。如图4A所示,首先,诸如钼等的金属通过溅射等沉积在绝缘基板(例如,玻璃基板40)上,然后进行预定的图案化以形成栅极电极Trg。栅极电极Trg形成在对应于每个驱动晶体管的位置,从而为像素部分平行地布置多个驱动晶体管。
接下来,如图4B所示,通过例如等离子CVD法在栅极电极Trg上形成栅极绝缘膜41、半导体层(非晶硅)42和缓冲氧化膜43。栅极绝缘膜41具有层叠结构,例如包括氮化硅和氧化硅。缓冲氧化膜43例如包括氧化硅膜。这些膜可以连续地沉积。
然后,如图4C所示,在缓冲氧化膜43上形成热交换层44。该热交换层44由例如钼构成并且通过溅射等形成。
然后,通过扫描用固态激光辐照该热交换层44。沿着像素部分的驱动晶体管的布置方向执行固态激光的扫描。固态激光的辐照宽度等于驱动晶体管的沟道长度或者等于包括沟道长度和允许的辐照位置偏差的宽度。根据要求,可以通过往复扫描来执行固态激光的辐照。结果,晶化了半导体层(非晶硅)42,以形成每个驱动晶体管的沟道区域42’。
接下来,去除热交换层44和缓冲氧化膜43。然后,如图5A所示,在沟道区域42’上形成沟道保护膜(蚀刻停止层)45,并且如图5B和5C所示,沉积n+层46,并且n+层46和沟道区域42’同时图案化为岛的形式。沟道保护膜45包括例如氮化硅膜并且通过等离子CVD法等形成。
接下来,如图5D所示,为源极电极Trs和漏极电极Trd形成第二金属层。第二金属层进行预定的图案化,然后如图5E所示形成绝缘保护膜(钝化)47。
在这些步骤中,形成对应于每个像素部分的晶体管31。通过相同的步骤形成存储电容器。换言之,存储电容器的电容器电极33a采用与晶体管31的栅极电极Trg相同的金属层(第一金属层)形成,存储电容器的另一个电容器电极33b采用与晶体管31的源极电极Trs和漏极电极Trd相同的金属层(第二金属层)形成。
在此情况下,存储电容器的电容器电极33a连接到每个晶体管31的栅极电极Trg,存储电容器的另一个电容器电极33b连接到每个晶体管31的源极电极Trs。
<电容器电极的其它构造>
(示例1)
图6是图解电容器电极的另一个构造(示例1)的示意性平面图。在该示例中,图6所示的电容器电极33a和33b都为圆形的。存储电容器33的电容器电极33a电连接到驱动晶体管31的栅极电极Trg,并且另一个电容器电极33b电连接到驱动晶体管33的源极电极Trs。
具有上述形状的电容器电极33a和33b的至少一个具有比开口绝缘膜55(参考图6中的阴影部分)形成的开口宽的部分。另外,电容器电极33a和33b中的一个33a略大于另一个电容器电极33b。当电容器电极33a和33b形成为在尺寸上包括作为尺寸差的光刻余量时,即使在光刻过程中产生偏差,电容器电极33a和33b也可以保证重叠。
另外,电容器电极33a和33b可以形成为形状对应于开口绝缘膜55形成的开口的形状。就是说,在图6所示的示例中,开口为圆形,因此电容器电极33a和33b也可以形成为具有对应于开口的圆形形状的圆形形状。因此,电容器电极33a和33b的端部完全被开口绝缘膜55覆盖,钝化膜、平坦化绝缘膜和阳极电极的端部所形成的台阶不产生在开口内。
(示例2)
图7是图解电容器电极的又一个构造(示例2)的示意性平面图。在该示例中,电容器电极33a和33b中的电容器电极33b包括多个圆形电极33b’。另一方面,存储电容器33的电容器电极33a电连接到驱动晶体管31的栅极电极Trg,并且设置为基本上矩形的形状。构成电容器电极33b的多个圆形电极33b’彼此电连接并且还电连接到驱动晶体管31的源极电极Trs。
具有上述形状的电容器电极33a和33b中的一个33a具有比开口绝缘膜55(参考图7中的阴影部分)形成的开口宽的部分。另外,构成另一个电容器电极33b的多个圆形电极33b’全部配置在电容器电极33a的区域内。在形成电容器电极33a和33b时,即使光刻过程中产生偏差,电容器电极33a和33b也可以保证重叠。
因为电容器电极33a和33b中的一个33a具有比开口绝缘膜55所形成的开口宽的部分,所以电容器电极33a的端部覆盖有开口绝缘膜55,钝化膜、平坦化绝缘膜和阳极电极的端部所形成的台阶不产生在开口内。
(示例3)
图8是图解电容器电极的再一个构造(示例3)的示意性平面图。在该示例中,图8所示的电容器电极33a和33b都为正六边形。存储电容器33的电容器电极33a电连接到驱动晶体管31的栅极电极Trg,另一个电容器电极33b电连接到驱动晶体管33的源极电极Trs。
具有上述形状的电容器电极33a和33b的至少一个具有比开口绝缘膜55(参考图8中的阴影部分)所形成的开口宽的部分。另外,电容器电极33a和33b中的一个33a略大于另一个电容器电极33b。当电容器电极33a和33b形成为在尺寸上包括作为尺寸差的光刻余量时,即使在光刻过程中产生偏差,电容器电极33a和33b也可以保证重叠。
另外,电容器电极33a和33b具有比开口绝缘膜55所形成的开口宽的部分。因此,电容器电极33a和33b的端部覆盖有开口绝缘膜55,钝化膜、平坦化绝缘膜和阳极电极的端部所形成的台阶不产生在开口内。尽管图8示出了电容器电极33a和33b为正六边形的示例,但是电容器电极33a和33b可以具有任何形状,只要该形状为正多边形。
(示例4)
图9是图解电容器电极的再一个构造(示例4)的示意性平面图。在该示例中,电容器电极33a和33b中的电容器电极33b包括多个正方形电极33b”。另一方面,存储电容器33的电容器电极33a电连接到驱动晶体管31的栅极电极Trg,并且设置为基本上矩形的形状。构成电容器电极33b的多个正方形电极33b”彼此电连接并且还电连接到驱动晶体管31的源极电极Trs。
具有上述形状的电容器电极33a和33b中的一个33a具有比开口绝缘膜55(参考图9中的阴影部分)所形成的开口宽的部分。另外,构成另一个电容器电极33b的多个正方形电极33b”全部配置在电容器电极33a的区域内。因此,当形成电容器电极33a和33b时,即使在光刻过程中产生偏差,电容器电极33a和33b也可以保证重叠。
因为电容器电极33a和33b中的一个33a具有比开口绝缘膜55所形成的开口宽的部分,所以电容器电极33a的端部覆盖有开口绝缘膜55,并且钝化膜、平坦化绝缘膜和阳极电极的端部所形成的台阶不产生在开口内。
<实施例的优点>
在该实施例的显示装置中,电容器电极33a和33b的端部覆盖有在像素开口之外的开口绝缘膜55,因此平坦化绝缘膜等的端部的不规则性的影响不产生在开口内。具体地讲,更接近阳极电极51的电容器电极33b具有与阳极电极51基本上相同的宽度。因此,能够改善阳极电极51的平坦性并且电容器电极33b端部的不规则性对阳极电极51没有影响。因为在开口区域中不具有不规则性,所以显示质量不因外部光入射到开口上时不规则性引起的衍射而降低。
接下来,在下面描述根据该实施例的显示装置的应用示例。
<电子设备>
该实施例的显示装置包括如图10所示的平板型模块形状(flat-typemodule shape)。例如,每一个都包括发光区域、薄膜晶体管和光接收元件等的像素整体形成为矩阵,以在例如绝缘基板2002上设置像素阵列部分2002a。另外,粘合剂2021配置为围绕像素阵列部分(像素矩阵部分)2002a,贴附诸如玻璃基板的对向基板2006以形成显示模块。根据需要,在透明对向基板2006上可以设置滤色器、保护膜和遮光膜等。此外,例如,FPC(柔性印刷电路)2023可以设置为连接器,用于从外面给像素阵列部分2002a输入信号并从像素阵列部分2002a向外面输出信号。
根据上述实施例的显示装置可以应用于图11至15所示的各种电子设备(如数码照相机、笔记尺寸的个人电脑、诸如移动电话的移动终端和摄像机等)的显示装置。也就是,该显示装置可以应用于任何领域的电子设备,其中输入到电子设备的视频信号或者在电子设备中产生的视频信号显示为图像或者图片。在下文,描述应用该实施例的电子设备示例。
图11是示出应用该实施例的电视机的立体图。该应用示例的电视机包括图像显示屏101,该图像显示屏101包括前面板102和滤色器玻璃103等。作为图像显示屏101,采用了根据该实施例的显示装置。
图12A和12B是示出应用该实施例的数码照相机的立体图。图12A是正面立体图,而图12B是背面立体图。该应用示例的数码照相机包括闪光的发光部分111、显示部分112、菜单开关113和快门按钮114等。作为显示部分112,采用根据该实施例的显示装置。
图13是示出应用该实施例的笔记本尺寸的个人电脑的立体图。该应用示例的笔记本尺寸的个人电脑包括主体121、用于输入字符等操作的键盘122、用于显示图像的显示部分123等。作为显示部分123,采用根据该实施例的显示装置。
图14是示出应用该实施例的摄像机的立体图。该应用示例的摄像机包括主体131、设置朝前的侧的摄像物镜132、摄像的开始/停止开关133和显示部分134等。作为显示部分134,采用根据该实施例的显示装置。
图15A至15G是示出应用该实施例的诸如移动电话的移动终端的示意图。图15A和15B分别为打开状态下的主视图和侧视图;而图15C、15D、15E和15G分别为闭合状态下的主视图、左视图、右视图、俯视图和仰视图。该应用示例的移动电话包括上壳体141、下壳体142、连接部分(这里是铰链)143、显示器144、副显示器145、图片光146和照相机147等。作为显示器144和副显示器145,采用根据该实施例的显示装置。
<显示图像装置>
该实施例的显示装置可以应用于将在下面描述的显示图像装置。同样,该显示图像装置可以应用于上述的各种电子设备。图16示出了显示图像装置的整体构造。显示图像装置包括I/O显示面板2000、背光1500、显示驱动电路1200、光接收驱动电路1300、图像处理部分1400和应用程序执行部分1100。
I/O显示面板2000包括有机电致发光装置并且该有机电致发光装置包括在整个表面上布置成矩阵的多个像素,从而I/O显示面板2000具有通过逐行操作(linear sequential operations)而在显示数据的基础上显示诸如预定图形和符号等图像的功能并具有如下所述的为接触或者接近I/O显示面板2000的物体成像的功能。背光1500包括多个发光二极管并且用作I/O显示面板2000的光源,从而背光1500以与I/O显示面板2000的操作定时同步的预定定时来高速地导通和截止。
显示驱动电路1200是用于驱动I/O显示面板2000的电路(通过逐行操作驱动),从而在显示数据(显示操作)的基础上在I/O显示面板2000上显示图像。
光接收驱动电路1300是用于驱动I/O显示面板2000的电路(通过逐行操作驱动),从而在I/O显示面板2000中获得光接收数据(以为物体成像)。每个像素的光接收数据存储在例如帧单元中的帧存储器1300A中并且作为采集的图像被输出到图像处理部分1400。
像处理部分1400在从光接收驱动电路1300输出的采集图像的基础上执行预定的图像处理(算术处理),以检测与接触或者接近I/O显示面板2000的物体有关的信息(位置坐标数据、与物体的形状和尺寸有关的数据等)并获得信息。下面,详细描述检测处理。
应用程序执行部分1100在图像处理部分1400的检测结果的基础上根据预定的应用软件来执行处理,从而例如所检测物体的位置坐标被包括在显示数据中并显示在I/O显示面板2000上。应用程序执行部分1100中产生的显示数据提供给显示驱动电路1200。
接下来,参考图17描述I/O显示面板2000的详细构造。I/O显示面板2000包括显示区域(传感器区域)2100、显示H驱动器2200、显示V驱动器2300、传感器读出H驱动器2500和传感器V驱动器2400。
显示区域(传感器区域)2100是来自电致发光装置的光被调制并作为显示光被出射的区域,并且是为接触或者接近该区域的物体成像的区域。作为发光元件(显示元件)的有机电致发光装置和光接收元件(成像元件)各自布置成矩阵。
显示H驱动器2200与显示V驱动器2300一起在从显示驱动电路1200和控制时钟提供的显示驱动显示信号的基础上驱动显示区域2100内的像素的有机电致发光装置。
传感器读出H驱动器2500与传感器V驱动器2400合作执行传感器区域2100内的像素的光接收元件的逐行驱动。
接下来,参考图18描述显示区域2100中的像素和传感器读出H驱动器2500之间的关系或者连接。在显示区域2100中,布置红色(R)像素3100、绿色(G)像素3200和蓝色(B)像素3300。
连接到像素的光接收传感器3100c、3200c和3300c的电容器中累积的电荷分别由缓冲放大器3100f、3200f和3300f放大,并且在读出开关3100g、3200g和3300g导通时经由信号输出电极定时提供给传感器读出H驱动器2500。另外,恒流源4100a、4100b和4100c连接到各自的信号输出电极,从而通过传感器读出H驱动器2500以高的灵敏度来检测对应于光接收量的信号。
本领域的技术人员应当理解,在所附权利要求或其等同特征的范围内,可以根据设计要求和其他因素来进行各种修改、组合、部分组合及替换。
本申请包含2008年5月20日提交至日本专利局的日本优先权专利申请JP 2008-131664涉及的主题,将其全部内容引用结合于此。
Claims (5)
1.一种显示装置,包括:
为每个像素设置的显示电极;
开口绝缘膜,覆盖该显示电极的周边并且限定像素开口;以及
存储电容器,经由平坦化绝缘膜配置在该显示电极的下方,具有存储用于驱动该像素的电荷的功能,并且包括比该像素开口宽的电容器电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中构成该存储电容器的成对的电容器电极都具有比该像素开口宽的部分。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中在构成该存储电容器的成对的电容器电极中,至少更接近该显示电极的电容器电极具有与该像素开口的形状对应的形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中在构成该存储电容器的成对的电容器电极中,至少更接近该显示电极的电容器电极具有与该显示电极的宽度相同的宽度。
5.一种电子设备,包括:
安装在壳体上的显示装置,
其中该显示装置包括:为每个像素设置的显示电极;开口绝缘膜,覆盖该显示电极的周边并且限定像素开口;以及存储电容器,经由平坦化绝缘膜配置在该显示电极的下方,具有存储用于驱动该像素的电荷的功能,并且包括比该像素开口宽的电容器电极。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008131664A JP4702395B2 (ja) | 2008-05-20 | 2008-05-20 | 表示装置および電子機器 |
JP131664/08 | 2008-05-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101587906A CN101587906A (zh) | 2009-11-25 |
CN101587906B true CN101587906B (zh) | 2011-07-27 |
Family
ID=41341249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009102038356A Active CN101587906B (zh) | 2008-05-20 | 2009-05-20 | 显示装置和电子设备 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8368825B2 (zh) |
JP (1) | JP4702395B2 (zh) |
CN (1) | CN101587906B (zh) |
TW (1) | TWI406065B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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TWI539592B (zh) * | 2014-05-22 | 2016-06-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
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JP2007035964A (ja) | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Sony Corp | 薄膜トランジスタとその製造方法、及び表示装置 |
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-
2008
- 2008-05-20 JP JP2008131664A patent/JP4702395B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-19 TW TW098108990A patent/TWI406065B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-05-19 US US12/468,221 patent/US8368825B2/en active Active
- 2009-05-20 CN CN2009102038356A patent/CN101587906B/zh active Active
-
2012
- 2012-12-28 US US13/730,749 patent/US20130127363A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN1417631A (zh) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | 株式会社日立制作所 | 液晶显示装置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201001372A (en) | 2010-01-01 |
JP4702395B2 (ja) | 2011-06-15 |
US20090288865A1 (en) | 2009-11-26 |
US8368825B2 (en) | 2013-02-05 |
CN101587906A (zh) | 2009-11-25 |
US20130127363A1 (en) | 2013-05-23 |
TWI406065B (zh) | 2013-08-21 |
JP2009282097A (ja) | 2009-12-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |