CN112056006B - 显示设备及其制造方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的显示设备具有形成在像素形成表面上的多个凹部，以及分别布置在多个凹部中的像素。每个像素的发光单元形成在每个凹部的侧壁和底面上。根据本公开的显示设备的制造方法是通过其制造具有上述配置的显示设备的方法。此外，根据本公开的电子设备包括具有上述配置的显示设备的电子设备。

Description

显示设备及其制造方法以及电子设备
技术领域
本公开涉及一种显示设备及显示设备的制造方法以及电子设备。
背景技术
作为近来的显示设备，平板型显示设备已经流行。作为平板型显示设备中的一种，存在使用所谓的电流驱动型电光元件作为像素的发光单元(发光元件)的显示设备，该电流驱动型电光元件的发光亮度根据在该设备中流动的电流值而变化。作为电流驱动型电光元件，已知使用有机材料的电致发光(EL)并使用通过向有机薄膜施加电场而发光的现象的有机EL元件。
通过在阳极电极上使用有机EL材料进行蒸镀膜形成来形成有机EL元件。此外，作为实现彩色显示的方法之一，存在一种单独地图案化红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的各个颜色的元素的颜色编码方法。在这种颜色编码方法的情况下，需要为RGB的每种颜色掩蔽另一种颜色的电极开口部分，并蒸镀有机EL材料。因此，掩模的定位精度限制了像素间距。从掩模的精确度的角度来看，难以实现更高的清晰度，并且随着像素间距变得更小，这种趋势变得突出。
同时，在现有的像素阵列中，RGB的各个颜色的元素通常形成在与背板衬底的衬底表面平行的平坦表面上。与此相反，已经提出了一种发光设备，其中在衬底上形成多个多面体结构，在该多面体结构的倾斜表面上形成发光元件，并且像素以条形排列(例如，参见专利文献1)。
引文列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开第2012-129041号
发明内容
本发明要解决的问题
在上述专利文件1所记载的现有技术中，具有倾斜面且形成有发光元件的多面体结构是以在衬底上突出的状态形成的突出部。在将发光元件形成在作为衬底上的突出部的多面体结构的倾斜表面上的现有技术的情况下，每种颜色的发光元件在远离像素的中心的方向上，即在漫射方向上发射光。因此，光提取效率低和视角是依赖的。
本公开的目的在于提供一种能够使用颜色编码方法实现更高清晰度，并且能够提高光提取效率的显示设备，该显示设备的制造方法以及包括该显示设备的电子设备。
问题解决方案
用于实现上述目的的本公开的显示设备包括设置在像素形成表面上的多个凹部，以及布置在多个凹部的每一个中的像素，其中像素的发光单元形成在多个凹部的每一个的侧壁和底面上。
此外，用于实现上述目的的显示设备的制造方法包括，在制造包括设置在像素形成表面上的多个凹部和布置在多个凹部的每一个中的像素的显示设备中，在多个凹部的每一个的侧壁和底面上形成像素的发光单元。
此外，用于实现上述目的的本公开的电子设备包括具有上述配置的显示设备。
附图说明
图1是示意性示出应用本公开的技术的有机EL显示设备的配置的系统配置图。
图2是示出应用本公开的技术的有机EL显示设备中的像素(像素电路)的电路配置的示例的电路图。
图3A是示出根据第一实施例的像素结构的平面图，图3B是示出沿图3A中的A-A线截取的横截面结构的横截面图。
图4A是示出G的子像素的发光状态的示意图，图4B是示出W的子像素的发光状态的示意图。
图5是示出倾斜蒸镀的入射临界角的设定的说明图。
图6是示出根据第二实施例的像素结构的平面图。
图7是示出根据第三实施例的像素结构的制造方法的处理处理的流程图(1)。
图8是示出根据第三实施例的像素结构的制造方法的处理处理的流程图(2)。
图9是示出根据第三实施例的像素结构的制造方法的处理处理的流程图(3)。
图10是示出根据第三实施例的像素结构的制造方法的处理处理的流程图(4)。
图11是示出根据第三实施例的像素结构的制造方法的处理处理的流程图(5)。
图12A是示出根据第四实施例的像素结构的平面图，图12B是沿着图12A的B-B线截取的切割部分端面图。
图13是示出B的子像素的发光状态的示意图。
图14A、14B和14C是示出根据第五实施例的像素结构的平面图，图14A、14B和14C示出侧阳极电极的形状的另一示例。
图15是示出根据第六实施例的像素结构的制造方法的处理处理的流程图(1)。
图16是示出根据第六实施例的像素结构的制造方法的处理处理的流程图(2)。
图17A是根据本公开的电子设备的特定示例1的可互换镜头单镜头反射式数字照相机的前视图，并且图17B是数字照相机的后视图。
图18是示出根据本公开的电子设备的特定示例2的头戴式显示器的示例的外部视图。
具体实施方式
在下文中，将使用附图来描述用于执行本公开的技术的模式(在下文中，将被描述为“实施例”)。本公开的技术不限于实施例，并且实施例中的各种数值、材料等是示例。在下面的描述中，对相同的部件或具有相同功能的部件赋予相同的附图标记，并且将省略多余的描述。注意，将按以下顺序给出描述。
1.本公开的显示设备及其制造方法，以及电子设备，和总体描述
2.应用本公开的技术的显示设备
2-1.系统配置
2-2.像素电路
2-3.颜色编码方法
3.本公开的实施例
3-1.第一实施例(像素包括RGBW的四种颜色的子像素的示例)
3-2.第二实施例(第一实施例的修改示例：凹部形状的另一示例)
3-3.第三实施例(根据第一实施例的像素结构的制造方法的示例)
3-4.第四实施例(像素包括RGB的三种颜色的子像素的示例)
3-5.第五实施例(第四实施例的修改示例：侧阳极电极形状的另一示例)
3-6.第六实施例(根据第四实施例的像素结构的制造方法的示例)
4.修改示例
5.本公开的电子设备
5-1.具体示例1(数字照相机的示例)
5-2.具体示例2(头戴式显示器的示例)
6.可在本公开内容中采用的配置
<本公开的显示设备及其制造方法，以及电子设备，和总体描述>
在本公开的显示设备及其制造方法以及电子设备中，像素具有包括具有彼此不同的发光颜色的多个发光单元的配置。然后，在多个凹部的每一个的底面上形成多个发光单元中的一个。
在本公开的显示装置及其制造方法以及包括上述优选配置的电子设备中，多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色、蓝色和白色四种颜色，红色、绿色和蓝色发光单元形成在多个凹部中的每一个的侧壁上，并且白色发光单元形成在多个凹部中的每一个的底表面上。
此外，在本公开的显示设备及其制造方法以及包括上述优选配置的电子设备中，可以通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层。然后，在倾斜蒸镀中，发光材料相对于凹部的底面的入射角被优选地设定为在凹部的侧壁和底面上形成发光层的角度。此外，可以基于形成在凹部的侧壁上的侧阳极电极的尺寸和形成在凹部的底面上的底阳极电极的尺寸来设定发光材料的入射角。
或者，在本公开的显示设备及其制造方法以及包括上述优选结构的电子设备中，多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色和蓝色中的两种颜色，在多个凹部的每一个的侧壁上形成三种颜色中的两种颜色的发光单元，并且在多个凹部的每一个的底面上形成剩余一种颜色的发光单元。
此外，在本公开的显示设备及其制造方法以及包括上述优选配置的电子设备中，可以通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层。然后，在倾斜蒸镀中，发光材料相对于凹部的底面的入射角优选地设定为在凹部的底面上不形成发光层的角度。
此外，在本公开的显示设备及其制造方法以及包括上述优选配置的电子设备中，像素的发光单元可以具有包括有机电致发光元件的配置。
<应用本公开的技术的显示设备>
应用本公开的技术的显示设备是有源矩阵型显示设备，其使用在与电光元件相同的像素电路中提供的有源元件(例如绝缘栅场效应晶体管)来控制在电光元件中流动的电流。作为绝缘栅场效应晶体管，通常可以例举金属氧化物半导体(MOS)晶体管和薄膜晶体管(TFT)。
这里，作为例子，将使用有源矩阵型有机EL显示设备的示例进行说明，该有源矩阵型有机EL显示设备使用例如有机EL元件的电流驱动型电光元件作为像素电路的发光单元(发光元件)，该电流驱动型电光元件根据在设备中流动的电流值而改变发光亮度。
[系统配置]
图1是示意性示出应用本公开的技术的有机EL显示设备的配置的系统配置图。如图1所示，根据本应用示例的有机EL显示设备10具有包括像素阵列部30和周边电路部的配置，像素阵列部30包括以矩阵形状二维排列的多个像素20，像素20包括有机EL元件，周边电路部驱动像素阵列部30的每个像素20。
根据本应用示例的有机EL显示设备10是支持彩色显示的显示设备。然后，像素20是作为用于形成彩色图像的单元的主像素，并且每个像素包括具有彼此不同的发光颜色的多个子像素。作为示例，像素20包括四个子像素，这四个子像素包括发射红(R)光的子像素20r，发射绿(G)光的子像素20g，发射蓝(B)光的子像素20b和发射白(W)光的子像素20w。
子像素20r、20g、20b和20w例如布置成网格。在网格布置中，子像素20r、20g、20b和20w的阵列不限于图1所示的颜色阵列。以下，子像素20r、20g、20b和20w有时统称为子像素20s。
周边电路部包括例如安装在与像素阵列部30相同的显示面板70上的写入扫描单元40、驱动扫描单元50、信号输出单元60等，并且驱动像素阵列部30的每个子像素20s。注意，可以采用其中写入扫描单元40、驱动扫描单元50和信号输出单元60的一部分或全部设置在显示面板70的外部上的配置。
作为显示面板70的衬底，可以使用玻璃衬底等绝缘透明衬底，也可以使用硅衬底等半导体衬底。使用诸如硅衬底的半导体衬底作为显示面板70的衬底的有机EL显示设备被称为所谓的微型显示器(紧凑显示器)，并且优选地用作数字照相机的电子取景器、头戴式显示器的显示单元等。
在像素阵列部30中，对于m行和n列中的子像素20s的阵列，沿着行方向(像素行/水平方向中的像素的阵列方向)为每个像素行铺设扫描线31(311至31m)和驱动线32(321至32m)。此外，对于m行和n列中的子像素阵列20s，沿着列方向(像素列中的像素的阵列方向/垂直方向)为每个像素列铺设信号线33(331至33n)。
扫描线311至31m分别连接到写入扫描单元40的相应行的输出端。驱动线321至32m分别连接到驱动扫描单元50的相应行的输出端。信号线331至33n分别连接到信号输出单元60的相应列的输出端。
写入扫描单元40包括移位寄存器电路、地址解码器等。写入扫描单元40在将视频信号的信号电压写入像素阵列部30的各个子像素20s时，通过向扫描线31(311至31m)依次提供写入扫描信号WS(WS1至WSm)，对各行依次扫描像素阵列部30的子像素20s进行所谓的线性顺序扫描。
与写入扫描单元40类似，驱动扫描单元50包括移位寄存器电路、地址解码器等。驱动扫描单元50通过与由写入扫描单元40执行的线性顺序扫描同步地向驱动线32(321至32m)提供光发射控制信号DS(DS1至DSm)来执行子像素20s的光发射/光非发射(消光)的控制。
信号输出单元60选择性地输出视频信号的信号电压(在下文中，有时将简称为“信号电压”)Vsig和参考电压Vofs，所述信号电压Vsig对应于从信号供应源(未示出)供应的亮度信息。在此，参考电压Vofs是与视频信号的信号电压Vsig所基于的电压相对应的电压(例如，与视频信号的黑电平相对应的电压)或其附近的电压。参考电压Vofs作为执行校正操作时的初始化电压。
对于由写入扫描单元40执行的线性顺序扫描所选择的每个像素行，将从信号输出单元60选择性地输出的信号电压Vsig/参考电压Vofs经由信号线34(341至34n)写入像素阵列部30的子像素20s中。即，信号输出单元60采用按每个像素行(线)写入信号电压Vsig的线性顺序写入的驱动配置。
[像素电路]
图2是示出应用本公开的技术的有机EL显示设备10中的像素(像素电路)的电路配置的示例的电路图。子像素20s的发光单元包括有机EL元件21。有机EL元件21是具有根据在设备中流动的电流值而变化的发光亮度的电流驱动型电光元件的示例。
如图2所示，子像素20s包括有机EL元件21和通过在有机EL元件21中流动电流来驱动有机EL元件21的驱动电路(像素驱动电路)。有机EL元件21的阴极电极连接到为所有子像素20s铺设的公共电源线34。在图中，Cel表示有机EL元件21的等效电容。
驱动有机EL元件21的驱动电路单元具有包括驱动晶体管22、采样晶体管23、发光控制晶体管24、保持电容25和辅助电容26的配置。这里，假定有机EL元件21及其驱动电路不是形成在诸如玻璃衬底的绝缘材料上，而是形成在诸如硅衬底的半导体衬底上，并且驱动晶体管22采用使用P沟道型晶体管的配置。
此外，在本例中，采样晶体管23和发光控制晶体管24也采用与驱动晶体管22同样地使用P沟道型晶体管的配置。因此，驱动晶体管22、采样晶体管23和发光控制晶体管24具有包括源极/栅极/漏极/背栅极的四端配置，而不是包括源极/栅极/漏极的三端配置。源极电压Vdd施加到背栅极。
然而，因为采样晶体管23和发光控制晶体管24是用作开关元件的开关晶体管，所以采样晶体管23和发光控制晶体管24不限于P沟道型晶体管。因此，采样晶体管23和发光控制晶体管24可以是N沟道型晶体管或者可以具有P沟道型晶体管和N沟道型晶体管混合存在的配置。
在具有上述配置的子像素20s中，采样晶体管23通过采样通过信号线33从信号输出单元60提供的视频信号的信号电压Vsig来执行对保持电容25的写入。发光控制晶体管24连接在源极电压Vdd的节点和驱动晶体管22的源电极之间，并在根据发光控制信号DS执行的驱动下控制有机EL元件21的发光/不发光。
保持电容25连接在驱动晶体管22的栅电极和源电极之间。保持电容25保持由采样晶体管23执行的采样所写入的视频信号的信号电压Vsig。驱动晶体管22在有机EL元件21中流过与保持电容25所保持的电压对应的驱动电流来驱动有机EL元件21。
辅助电容26连接在驱动晶体管22的源电极与具有固定电位的节点(例如，源电极电压Vdd的节点)之间。辅助电容26具有在视频信号的信号电压Vsig被写入时抑制驱动晶体管22的源极电位的变化的功能，并且具有将驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs设置为驱动晶体管22的阈值电压Vth的功能。
[颜色编码方法]
在具有上述配置的有机EL显示设备10中，通过使用作为发光材料的有机EL材料在阳极电极上使用作为着色方法之一的颜色编码方法进行蒸镀膜形成来形成有机EL元件21。由于颜色编码方法将不同颜色的子像素20s(20r、20g、20b和20w)涂覆，并使每种颜色的有机EL元件21发光，所以与使用滤色片的方法相比，颜色编码方法在发光效率和光提取效率方面具有更大的优点。
然而，在颜色编码方法的情况下，因为需要对子像素20s的每种颜色掩蔽另一种颜色的电极开口部分，并且蒸镀有机EL材料，所以掩模的定位精度限制了像素间距。因此，从掩模的精度的观点来看，难以实现更高的清晰度，并且随着像素间距变得更小，这种趋势变得突出。
<本公开的实施例>
鉴于上述情况，在本公开的实施例中，为了实现使用颜色编码方法的更高清晰度，采用了像素20的所谓立体布置结构，其中在像素形成表面上设置多个凹部，并且像素20布置在多个凹部的每一个中。此时，使用多个凹部中的每一个的侧壁和底面(底部)针对子像素20s(20r、20g、20b、20w)中的每一个形成作为像素20的发光单元的有机EL元件21。这里，有机EL元件21的发光颜色是RGBW的四种颜色，但是发光颜色不限于此。例如，发光颜色可以是RGB的三种颜色，或者可以将所有颜色设置为白色以实现更高的亮度。
在下文中，将描述用于使用颜色编码方法实现更高清晰度的本实施例的具体实施例。
[第一实施例]
第一实施例是像素20包括RGBW的四种颜色的子像素20r、20g、20b和20w的示例。图3A示出了根据第一实施例的像素结构的平面图，图3B示出了沿着图3A中的A-A线截取的横截面图。这里，假定有机EL元件21及其驱动电路形成在诸如硅衬底的半导体衬底上。
通常，在半导体衬底上堆叠形成有驱动电路的电路层，在该电路层上形成图3B所示的层间绝缘膜81，在该层间绝缘膜81上形成像素20。即，层间绝缘膜81的上表面成为像素形成表面，在该像素形成表面上形成像素20。
根据第一实施例的像素结构具有如下构造：在作为像素形成表面的层间绝缘膜81的顶表面上设置与像素20的数量对应的多个凹部82，并且在多个凹部82中的每一个中布置包括RGBW的四种颜色的子像素20r、20g、20b和20w的像素20。换言之，根据第一实施例的像素结构具有立体布置结构，其中包括RGBW四种颜色的子像素20r、20g、20b和20w的像素20被布置在多个凹部82的每一个中。
在平面视图中，多个凹部82例如具有大致圆形的形状，并且具有在圆周方向上分成三个的配置。在本实施例中，凹部82的侧壁(侧面)是与像素形成表面垂直的垂直面。这里，除了严格垂直面的情况之外，“垂直面”还包括基本上垂直面的情况，并且允许存在在设计或制造中产生的各种变化。然而，侧壁不必总是垂直面，而可以是在凹部82的开口加宽的方向上倾斜的倾斜表面。
在根据第一实施例的像素结构中，凹部82的侧壁和底面(底部)的使用使得包括RGBW的子像素20r、20g、20b和20w的像素20能够布置在一个凹部82中。具体而言，在凹部82的三分割侧壁上形成RGB的子像素20r、20g和20b的各有机EL元件21，在凹部82的底面上形成W的子像素20w的有机EL元件21。
图3B示出了G的子像素20g、R的子像素20r和W的子像素20w的横截面结构。子像素20g和20r的各个阳极电极83g和83r埋设在凹部82的侧壁中作为侧阳极电极，子像素20w的阳极电极83w埋设在凹部82的底面中作为底阳极电极。作为阳极电极的材料，例如，可以使用诸如铝(Al)或铟锡氧化物(ITO)和银(Ag)的堆叠层的金属材料。
然后，在根据第一实施例的像素结构中，通过倾斜蒸镀(oblique evaporation)在侧阳极电极上使用作为发光材料的有机EL材料形成膜。图3A所示的箭头分别表示通过倾斜蒸镀的RGB的成膜方向。在本实施例的情况下，例如，使用顺序为G、R、B的有机EL材料进行各颜色的成膜。
首先，通过倾斜蒸镀在G的阳极电极83g上形成G的有机EL层84g的膜。因此，形成G的子像素20g。此时，在倾斜蒸镀中，通过将作为发光材料的有机EL材料的入射角设定为最佳角度，也可以在凹部82的底面上的W的阳极电极83w上形成G的有机EL层84g的膜。有机EL材料的入射角的细节将在后面描述。
接下来，通过倾斜蒸镀在R的阳极电极83r上形成R的有机EL层84r的膜。因此，形成R的子像素20r。此时，通过倾斜蒸镀，R的有机EL层84r的膜形成在形成于凹部82的底面上的G的有机EL层84g上。
最后，通过倾斜蒸镀在B的阳极电极83b上形成B的有机EL层84b的膜。由此，形成B的子像素20b。此时，通过倾斜蒸镀，在凹部82的底面上形成的R的有机EL层84r上形成B的有机EL层84b的膜。
此外，通过GRB的上述三次倾斜蒸镀，在凹部82的底面上的W的阳极电极83w上，堆叠G的有机EL层84g、R的有机EL层84r和B的有机EL层84b。结果，在凹部82的底面上，形成包括G的有机EL层84g的堆叠层、R的有机EL层84r和B的有机EL层84b的W的子像素20w。
然后，在所有像素20中的G的有机EL层84g、R的有机EL层84r和B的有机EL层84b上形成作为公共电极的包括透明电极的阴极电极85。作为阴极电极85的材料，可以使用例如ITO、氧化锌铟(IZO)或氧化锌(ZnO)等材料。在阴极电极85上形成保护膜86。
如上所述，根据第一实施例的像素结构是这样的像素结构，其中包括RGBW的子像素20r、20g、20b和20w的像素20在空间上布置在形成于像素形成表面上的多个凹部82中的每一个中。在该像素结构中，形成有W的子像素20w的凹部82的底面的尺寸与RGBW的子像素20r、20g、20b和20w在平面上布置的情况下的一个子像素的尺寸相对应。
换言之，根据根据第一实施例的像素结构，通过使用凹部82的侧壁和底面(底部)的像素20的立体布置，因为包括RGBW的子像素20r、20g、20b和20w的像素20可以被布置在子像素的尺寸中，即使使用颜色编码方法也可以实现更高的清晰度。
此外，在RGBW的子像素20r、20g、20b和20w的各个颜色的阳极电极83r、83g、83b和83w上发射的光被直接发射到凹部82的外部。另外，光被另一种颜色的阳极电极的电极表面反射并发射到凹部82的外部。由此，能够提高光提取效率，并且不会产生视角依赖性。图4A示出了G的子像素20g的发光状态，图4B示出了W的子像素20g的发光状态。
此外，在根据第一实施例的像素结构中，通过倾斜蒸镀，以例如G、R和B的顺序形成各个颜色的有机EL层84g、84r和84b的膜。因此，在依次形成RGB的子像素20r、20g和20b时，在凹部82的底面上也依次形成各颜色的有机EL层84g、84r和84b。因此，在顺序地形成RGB的子像素20r、20g和20b的同时，W的子像素20w可以由G的有机EL层84g、R的有机EL层84r和B的有机EL层84b的堆叠层形成，这是有利的。
如图5所示，以设定入射临界角的方式设定倾斜蒸镀中的入射角，即，最大入射角θmax和最小入射角θmin基于底阳极电极(W的阳极电极83w)的宽度方向上的尺寸x和侧阳极电极(例如，G的阳极电极83g)的深度方向上的尺寸y。如上所述，通过以这种方式设定入射临界角(θmax、θmin)，在顺序地形成RGB的子像素20r、20g和20b时，可以形成包括G的有机EL层84g、R的有机EL层84r和B的有机EL层84b的堆叠层的W的子像素20w。
[第二实施例]
第二实施例是第一实施例的修改示例，并且是凹部82的形状的另一示例。图6示出了根据第二实施例的像素结构的平面图。
在根据第一实施例的像素结构中，在平面视图中，凹部82具有基本上圆形的形状，并且具有在圆周方向上分成三个的配置。与此相反，在根据第二实施例的像素结构中，凹部82具有在平面图中基本上为三角形的配置。然后，在对应于三角形的边的各个侧壁上形成RGB的子像素20r、20g和20b，并且在底面上形成W的子像素20w。与第一实施例类似，可以通过倾斜蒸镀来形成RGBW的子像素20r、20g、20b和20w。在图6中，箭头分别表示通过倾斜蒸镀的RGB的成膜方向。
[第三实施例]
第三实施例是根据第一实施例的像素结构的制造方法的示例，即，像素20包括RGBW的四种颜色的子像素20r、20g、20b和20w的像素结构。图7、8、9、10及11示出了根据第三实施例的像素结构的制造方法的流程图。倾斜蒸镀用于形成RGBW的子像素20r、20g、20b和20w的有机EL材料的膜。
在用作基膜的层间绝缘膜81中，形成用于电连接包含铝(Al)或铜(Cu)的布线的接触插塞87和88，阳极电极83w是底阳极电极，阳极电极83r、83g和83b是侧阳极电极(处理1)。作为层间绝缘膜81的材料，可以例示SiO、SiON、SiN、SiOC等。作为接触插塞87、88的材料，可以例示钨(W)等。
通常，一个像素包括RGB的三个子像素20r、20g和20b，但是在本实施例中，一个像素包括RGBW的四个子像素20r、20g、20b和20w。例如，一个像素的尺寸大约为1到30μm。
接着，为了形成用于形成埋设的底阳极电极的凹部(凹槽)89，即，为了形成W的阳极电极83w，在用作基膜的层间绝缘膜81上图案化用于i-射线或KrF的光致抗蚀剂90，进行曝光和显影，光致抗蚀剂90仅在W的阳极电极83w的位置开口(处理2)。
接着，例如基于在处理2中图案化的光致抗蚀剂90使用基于F的蚀刻气体对层间绝缘膜81进行5nm以上的处理，并且形成凹陷89(处理3)。这里，通过在层间绝缘膜81中预先形成图中虚线所示的蚀刻停止层91，可以使W的阳极电极83w的膜厚均匀。此后，进行O2灰化和洗涤。
接着，在层间绝缘膜81的整个表面上形成用于在层间绝缘膜81的凹部89中形成W的阳极电极83w的电极形成层92(处理4)。将成为W的阳极电极83w的电极形成层92例如包括钛(Ti)和铝(Al)的堆叠层。在电极形成层92的形成中，例如，以大约1至500nm的膜厚形成Ti膜，以大约10至1μm的膜厚形成Al膜，并且堆叠Ti和Al膜。
接着，通过化学机械抛光(CMP)或蚀刻刮除落在凹部89外部的层间绝缘膜81上的电极形成层92，并且形成W的阳极电极83w(处理5)。此时，进行过蚀刻直到用于侧阳极电极的接触插塞88完全暴露于层间绝缘膜81的表面。
接着，在W的阳极电极83w和用于通过CMP或回蚀刻暴露的侧阳极电极的接触插塞88上，形成用于形成侧阳极电极的电极形成层93，即，RGB的阳极电极83r、83g和83b(处理6)。此时，以与底阳极电极的最大尺寸的膜厚比落入例如0.5至2的范围内的方式形成电极形成层93。作为将成为RGB的阳极电极83r、83g和83b的电极形成层93的材料，例如可以例示Al。
接着，在电极形成层93上形成用于i-射线或KrF的光致抗蚀剂94，进行曝光和显影，形成底阳极电极的开口95，形成用于分离侧阳极电极的处理掩模(处理7)。
接着，通过使用Cl基气体蚀刻电极形成层93，对作为底阳极电极的W的阳极电极83w进行表面处理，并且形成作为侧阳极电极的RGB的阳极电极83r、83g和83b(处理8)。
接着，通过O2灰化除去光致抗蚀剂94，之后，通过洗涤除去残余物(处理9)。
接下来，将形成的底阳极电极和侧阳极电极掩埋回层间绝缘膜81中(处理10)。此时，使层间绝缘膜81的膜厚比侧阳极电极的高度厚。然而，重要的是层间绝缘膜81的膜厚不会太厚。这是因为，如果侧阳极电极上的层间绝缘膜81太厚，则难以进行稍后描述的倾斜蒸镀。
接着，对底阳极电极和侧阳极电极的开口施加光致抗蚀剂96，通过曝光和显影来图案化光致抗蚀剂96，并且形成底阳极电极和侧阳极电极的开口97(处理11)。
接下来，以形成光致抗蚀剂96的开口97直到暴露底阳极电极的方式执行回蚀刻(处理12)。此时，由归因于层间绝缘膜81的信号检测处理结束点。
接着，通过O2灰化除去光致抗蚀剂96，之后，通过洗涤除去残余物(处理13)。
接下来，通过在凹部82的侧表面的三个表面上的阳极电极之中朝向G的阳极电极83g倾斜蒸镀G的有机EL材料，形成G的有机EL层84g(处理14)。此时，在凹部82的底面的W的阳极电极83w上也同时形成G的有机EL材料膜。
在倾斜蒸镀时，通过调整有机EL材料的衬底和蒸镀源的相对位置，需要控制有机EL材料(发光材料)相对于凹部82的底面的入射角θ。换言之，通过设定有机EL材料的入射角θ，在进行G的有机EL材料的倾斜蒸镀时，也可以在凹部82的底面的W的阳极电极83w上形成G的有机EL材料的膜。这里的入射角θ是指参照图5描述的入射临界角，即最大入射角θmax和最小入射角θmin。
接下来，通过向R的阳极电极83r倾斜蒸镀R的有机EL材料，形成R的有机EL层84r(处理15)。此时，在凹部82的底面的W的阳极电极83w上也同时形成R的有机EL材料膜。
接下来，通过向B的阳极电极83b倾斜蒸镀B的有机EL材料，形成B的有机EL层84b(处理16)。此时，在凹部82的底部的W的阳极电极83w上也同时形成有机EL材料膜。结果，在W的阳极电极83w上形成GRB的堆叠层。
接着，通过例如溅射，以5nm至5μm的膜厚形成包括透明电极的阴极电极85(处理17)。注意，通过形成包括透明电极的厚阴极电极85，阴极电极85也可以用作保护膜。作为阴极电极85的材料，可以例示氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。此外，也可以通过由特定合金(例如，Mg、Ag等)形成薄膜来形成阴极电极85。
接下来，为了保护有机EL层84g、84r、84b和84w以及阴极电极85，形成保护层86(处理18)。作为保护层86，优选形成具有高保护性能的SiN、SiON、有机树脂等的膜作为单层或堆叠层结构。保护层86的总膜厚例如变为约0.3μm至10μm。还可以使用Al形成保护膜。在这种情况下，使用诸如ITO的透明膜形成底阳极电极。
如上所述，根据根据第三实施例的像素结构的制造方法，通过倾斜蒸镀，可以例如以G、R和B的顺序在凹部82的侧壁上形成各种颜色的有机EL材料的膜。然后，在形成这些各种颜色的有机EL材料膜时，在凹部82的底表面上也顺序形成和堆叠各种颜色的有机EL材料膜。因此，在顺序地形成RGB的子像素20r、20g和20b的同时，可以形成W的子像素20w。
另外，在上述示例中，在凹部82的侧壁上以G、R、B的顺序形成各种颜色的有机EL材料的膜。然而，膜形成的顺序不限于该顺序，并且有机EL层84g、84r和84b可以以任意顺序进行。
[第四实施例]
第四实施例是像素20包括RGB的三种颜色的子像素20r、20g和20b的示例。图12A示出根据第四实施例的像素结构的平面图，图12B示出沿着图12A的B-B线截取的切割部分端面图。这里，还假定有机EL元件21及其驱动电路形成在诸如硅衬底的半导体衬底上。
根据第四实施例的像素结构具有如下构造：在作为像素形成表面的层间绝缘膜81的顶表面上设置与像素20的数量相对应的多个凹部82，并且在多个凹部82中的每一个中布置包括RGB的三种颜色的子像素20r、20g和20b的像素20。换言之，根据第四实施例的像素结构具有立体布置结构，其中包括RGB的三种颜色的子像素20r、20g和20b的像素20布置在多个凹部82的每一个中。
在平面视图中，多个凹部82例如具有大致圆形的形状，并且具有在圆周方向上分成两个的配置。在本实施例中，凹部82的侧壁在图中示出为与像素形成表面垂直的垂直面，但侧壁不必总是垂直面，也可以是向凹部82的开口加宽的方向倾斜的倾斜表面。
在根据第四实施例的像素结构中，凹部82的侧壁和底面(底部)的使用使得包括RGB的三种颜色的子像素20r、20g和20b的像素20能够布置在一个凹部82中。具体地，RG的子像素20r和20g的各个有机EL元件21形成在凹部82的两个分开的侧壁上，并且B的子像素20b的有机EL元件21形成在凹部82的底面上。
图12B表示G的子像素20g、R的子像素20r和B的子像素20b的横截面结构。子像素20g和20r的各个阳极电极83g和83r埋设在凹部82的侧壁中作为侧阳极电极，子像素20b的阳极电极83b埋设在凹部82的底面中作为底阳极电极。在平面视图中，作为侧阳极电极的阳极电极83g和83r具有基本上圆形的形状。阳极电极的材料与第一实施例的情况类似。
然后，在根据第四实施例的像素结构中，与根据第一实施例的像素结构的情况类似，通过相对于侧阳极电极进行倾斜蒸镀，形成作为发光层的有机EL层。图12A所示的箭头分别表示RGB的成膜方向。注意，B的成膜方向是与凹部82的底面垂直的方向。在本实施例的情况下，例如，以G、R和B的顺序形成每种颜色的有机EL层。
首先，通过倾斜蒸镀在G的阳极电极83g上形成G的有机EL层84g的膜。在这种情况下，以在凹部82的侧壁上形成G的有机EL材料膜的方式进行蒸镀。接下来，通过倾斜蒸镀在R的阳极电极83r上形成R的有机EL层84r的膜。在这种情况下，也以在凹部82的侧壁上形成R的有机EL材料膜的方式进行蒸镀。然后，最后，在设置于凹部82的底面上的B的阳极电极83b上形成B的有机EL层84g的膜。
如上所述，根据第四实施例的像素结构是这样的像素结构，其中包括RGB的子像素20r、20g和20b的像素20在空间上布置在形成于像素形成表面上的多个凹部82中的每一个中。在该像素结构中，形成有B的子像素20b的凹部82的底面的尺寸与RGB的子像素20r、20g和20b在平面上布置的情况下的一个子像素的尺寸相对应。
换言之，根据第四实施例的像素结构，通过使用凹部82的侧壁和底面的像素20的立体布置，因为包括RGB的子像素20r、20g和20b的像素20可以被布置在子像素的尺寸中，即使使用颜色编码方法也可以实现更高的清晰度。此外，在RGB的子像素20r、20g和20b的各个颜色的阳极电极83r、83g和83b上发射的光被直接发射到凹部82的外部。另外，光被另一种颜色的阳极电极的电极表面反射并发射到凹部82的外部。由此，能够提高光提取效率，并且不会产生视角依赖性。
图13示出了设置在凹进部分82的底表面上的B的子像素20b的发光状态。图13示出在B的子像素20b的阳极电极83b上发射的光被R的子像素20r的阳极电极83r的电极表面和G的子像素20g的阳极电极83g的电极表面反射，并发射到凹部82的外部的状态。
[第五实施例]
第五实施例是第四实施例的修改示例，是作为侧阳极电极的阳极电极83g、83r的形状的另一个示例。图14A、14B和14C示出了根据第五实施例的像素结构的平面图。在图14A、14B和14C中，箭头表示有机EL材料的膜形成方向。
在根据第四实施例的图像结构中，在平面图中，GR的阳极电极83g和83r具有基本上圆形的形状，并且阳极电极83g和83r以相对的方式布置。与此相比，在根据第五实施例的图像结构中，在平面图中，GR的阳极电极83g和83r具有图14A、14B和14C所示的形状。
具体地，在图14A所示的示例中，在平面视图中，GR的阳极电极83g和83r具有大致尖锐的U形形状，具有大致尖锐的U形形状的阳极电极83g和83r以相对的方式布置成矩形形状，并且GR的有机EL层84g和84r形成在阳极电极83g和83r的内部。在这种情况下，在平面视图中，形成在凹部82的底面上的B的有机EL层84b具有矩形形状。
具体地，在图14B所示的示例中，在平面图中，GR的阳极电极83g和83r具有大致L形形状，具有大致L形形状的阳极电极83g和83r以相反的方式布置成矩形形状，在阳极电极83g和83r的大致L形形状的内部形成有GR的有机EL层84g和84r。在这种情况下，在平面视图中，形成在凹部82的底面上的B的有机EL层84b具有矩形形状。
具体地，在图14B所示的示例中，在平面图中，GR的阳极电极83g和83r的内表面具有大致半圆形形状，内表面具有大致半圆形形状的阳极电极83g和83r以相对的方式布置，在阳极电极83g、83r的大致半圆形的内表面上形成有GR的有机EL层84g和84r。在这种情况下，在平面视图中，形成在凹部82的底面上的B的有机EL层84b具有圆形形状。
[第六实施例]
第六实施例是根据第四实施例的像素结构的制造方法的示例，即，像素20包括RGB的三种颜色的子像素20r、20g和20b的像素结构。图15和16示出了根据第六实施例的像素结构的制造方法的流程图。倾斜蒸镀用于形成RG的子像素20r和20g的有机EL材料的膜。
处理1至13中的处理与第三实施例的情况下的处理1至13中的处理相同。然而，因为像素20在像素结构中包括RGB的三种颜色的子像素20r、20g和20b，所以对于凹部82的底面的阳极电极，用B的阳极电极83b代替在第三实施例的情况下的W的阳极电极83w。
在进行回蚀刻直至作为底阳极电极的B的阳极电极83b暴露之后，通过在凹部82的侧面的两个表面上的阳极电极之中朝向G的阳极电极83g倾斜蒸镀G的有机EL材料，形成G的有机EL层84g(处理14)。此时，通过调整有机EL材料的衬底和蒸镀源的相对位置，需要以不在凹部82的底面的B的阳极电极83b上形成G的有机EL材料膜的方式控制有机EL材料相对于有机EL材料的衬底的入射角θ。
接下来，通过向R的阳极电极83r倾斜蒸镀R的有机EL材料，形成R的有机EL层84r(处理15)。此时，同样地，需要以不在凹部82的底面的B的阳极电极83b上形成R的有机EL材料膜的方式控制有机EL材料相对于有机EL材料衬底的入射角θ。
接着，通过将B的有机EL材料向凹部82的底面的B的阳极电极83b蒸镀，形成B的有机EL层84b(处理16)。通过蒸镀三种颜色的有机EL材料，在凹部82的侧壁上形成G的有机EL层84g和R的有机EL层84r的膜，并且在凹部82的底面上形成B的有机EL层84b的膜。
接着，通过例如溅射，以5nm至5μm的膜厚形成包括透明电极的阴极电极85(处理17)。注意，通过形成包括透明电极的厚阴极电极85，阴极电极85也可以用作保护膜。阴极电极85的材料等与第三实施例的情况类似。
接下来，为了保护有机EL层84g、84r和84b以及阴极电极85，形成保护层86(处理18)。保护层86的材料等也与第三实施例的情况类似。
另外，在上述示例中，对在凹部82的侧壁上形成G的子像素20g和R的子像素20r，以及在凹部82的底面上形成B的子像素20b的情况进行了说明，但配置并不限定于此。换言之，可以采用在凹部82的底面上形成G的子像素20g或者R的子像素20r的像素结构。
<修改示例>
到目前为止，已经基于优选实施例描述了本公开的技术，但是本公开的技术不限于这些实施例。在上述实施例中描述的显示设备的配置和结构是示例性的，并且可以适当地改变。
<本公开的电子设备>
本公开的上述显示设备可以在将输入到电子设备的视频信号或在电子设备中产生的视频信号显示为图像或视频的任何领域中用作电子设备的显示单元(显示设备)。作为电子设备，可以例示电视机，诸如膝上型个人计算机，数字照相机和移动电话的移动终端设备，头戴式显示器等。然而，电子设备不限于此。
以此方式，通过在任何领域中使用本公开的显示设备作为电子设备的显示单元，可获得以下效果。换言之，根据本公开的显示设备，能够使用颜色编码方法实现更高的清晰度，能够提高光提取效率，并且不会出现视角依赖性。因此，使用本公开的显示设备可以有助于电子设备的显示单元的更高的清晰度和更高的图像质量。
本公开的显示设备还包括具有带密封配置的模块化形状的显示设备。作为示例，通过将例如透明玻璃的相对部分附着到像素阵列部而形成的显示模块对应于这样的显示设备。注意，显示模块可以设置有用于从外部向像素阵列部输入和输出信号等的电路单元或柔性印刷电路(FPC)等。在下文中，作为使用本公开的显示设备的电子设备的具体示例，将示例数字照相机和头戴式显示器。然而，在此示例的具体实施例仅仅是示例，并且具体实施例不限于这些。
(具体示例1)
图17A和17B是根据本公开的电子设备的具体示例1的可互换镜头的单镜头反射式数字照相机的外部视图。图17A示出了数字照相机的前视图，图17B示出了数字照相机的后视图。
根据该具体示例1的可互换镜头的单镜头反射式数字照相机包括例如在相机主体部分(相机主体)211的正面右侧上的可互换成像镜头单元(可互换镜头)212，以及在正面左侧上的要由拍摄者抓握的抓握部分213。
然后，在照相机主体部211的背面的大致中央设置监视器214。电子取景器(目镜窗)215设置在监视器214上方。通过查看电子取景器215，拍摄者可以可视地识别已经从成像透镜单元212引导的对象的光学图像，并且决定构图。
在具有上述配置的可互换镜头的单镜头反射式数字照相机中，本公开的显示设备可用作电子取景器215。换言之，根据该具体示例1的可互换镜头的单镜头反射式数字照相机可以使用本公开的显示设备作为电子取景器215来制造。
[具体示例2]
图18是示出根据本公开的电子设备的特定示例2的头戴式显示器的示例的外部视图。
根据该特定示例2的头戴式显示器300具有透射型头戴式显示器配置，该透射型头戴式显示器配置包括主体部分301、臂部302和镜筒303。主体部分301连接臂部302和眼镜310。具体而言，主体部分301的长边方向的端部附接在臂部302上。此外，主体部分301的侧表面的一侧经由连接构件(未示出)联接到眼镜310。注意，主体部分301可以直接附着到人体的头部。
主体部分301结合控制板和用于控制头戴式显示器300的操作的显示单元。臂部302通过联接主体部分301和镜筒303而相对于主体部分301支撑镜筒303。具体地，臂部302通过将主体部分301的端部和镜筒303的端部结合而将镜筒303固定到主体部分301。此外，臂部302并入用于将关于从主体部分301提供的图像的数据传送到镜筒303的信号线。
镜筒303通过眼镜310的透镜311向佩戴头戴式显示器300的用户的眼睛投射从主体部分301通过臂部302提供的图像光。
在具有上述配置的头戴式显示器300中，本公开的显示设备可用作并入主体部分301中的显示单元。换言之，可以使用本公开的显示设备作为显示单元来制造根据该特定示例2的头戴式显示器300。
<可以在本公开中采用的配置>
注意，本公开可以采用以下配置。
<<A.显示设备>
[A-1]一种显示设备，包括：
设置在像素形成表面上的多个凹部；和
布置在所述多个凹部的每一个中的像素，
其中所述像素的发光单元形成在所述多个凹部中的每一个中的侧壁和底面上。
[A-2]根据上述[A-1]所述的显示设备，
其中所述像素包括具有彼此不同的发光颜色的多个发光单元，并且
多个发光单元中的一个形成在多个凹部中的每一个的底面上。
[A-3]根据上述[A-2]所述的显示设备，
其中所述多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色、蓝色和白色的四种颜色，
在所述多个凹部的每一个的侧壁上形成红色、绿色和蓝色发光单元，并且
在多个凹部的每一个的底面上形成白色发光单元。
[A-4]根据上述[A-3]所述的显示设备，
其中通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层。
[A-5]根据上述[A-4]所述的显示设备，
其中在倾斜蒸镀中，发光材料相对于凹部的底面的入射角被设定为在凹部的侧壁和底面上形成发光层的角度。
[A-6]根据上述[A-5]所述的显示设备，
其中所述发光材料的入射角基于形成在所述凹部的侧壁上的侧阳极电极的尺寸和形成在所述凹部的底面上的底阳极电极的尺寸来设定。
[A-7]根据上述[A-2]所述的显示设备，
其中所述多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色和蓝色中的两种颜色，
在所述多个凹部的每一个的侧壁上形成三种颜色中的两种颜色的发光单元，并且
在多个凹部的每一个的底面上形成剩余一种颜色的发光单元。
[A-8]根据上述[A-7]所述的显示设备，
其中通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层。
[A-9]根据上述[A-8]所述的显示设备，
其中在倾斜蒸镀中，发光材料相对于凹部的底面的入射角被设定为在凹部的底面上不形成发光层的角度。
[A-10]根据上述[A-1]至[A-9]中任一项所述的显示设备，
其中所述像素的发光单元包括有机电致发光元件。
<<B.显示设备的制造方法>>
[B-1]一种显示设备的制造方法，包括：
设置在像素形成表面上的多个凹部，以及
布置在所述多个凹部的每一个中的像素，
制造方法包括：
在制造显示设备时，在多个凹部的每一个的侧壁和底面上形成像素的发光单元。
[B-2]根据上述[B-1]所述的显示设备的制造方法，
其中所述像素包括具有彼此不同的发光颜色的多个发光单元，并且
多个发光单元中的一个形成在多个凹部中的每一个的底面上。
[B-3]根据上述[B-2]所述的显示设备的制造方法，
其中所述多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色、蓝色和白色的四种颜色，
在所述多个凹部的每一个的侧壁上形成红色、绿色和蓝色发光单元，并且
在多个凹部的每一个的底面上形成白色发光单元。
[B-4]根据上述[B-3]所述的显示设备的制造方法，
其中通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层。
[B-5]根据上述[B-4]所述的显示设备的制造方法，
其中在倾斜蒸镀中，发光材料相对于凹部的底面的入射角被设定为在凹部的侧壁和底面上形成发光层的角度。
[B-6]根据上述[B-5]所述的显示设备的制造方法，
其中所述发光材料的入射角基于形成在所述凹部的侧壁上的侧阳极电极的尺寸和形成在所述凹部的底面上的底阳极电极的尺寸来设定。
[B-7]根据上述[B-2]所述的显示设备的制造方法，
其中所述多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色和蓝色中的两种颜色，
在所述多个凹部的每一个的侧壁上形成三种颜色中的两种颜色的发光单元，并且
在多个凹部的每一个的底面上形成剩余一种颜色的发光单元。
[B-8]根据上述[B-7]所述的显示设备的制造方法，
其中通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层。
[B-9]根据上述[B-8]所述的显示设备的制造方法，
其中在倾斜蒸镀中，发光材料相对于凹部的底面的入射角被设定为在凹部的底面上不形成发光层的角度。
[B-10]根据上述[B-1]至[B-9]中任一项所述的显示设备的制造方法，
其中所述像素的发光单元包括有机电致发光元件。
<<C.电子设备>>>
[C-1]一种电子设备，包括：
显示设备，包括
设置在像素形成表面上的多个凹部，以及
布置在所述多个凹部的每一个中的像素，
其中所述像素的发光单元形成在所述多个凹部中的每一个中的侧壁和底面上。
[C-2]根据上述[C-1]所述的电子设备，
其中所述像素包括具有彼此不同的发光颜色的多个发光单元，并且
多个发光单元中的一个形成在多个凹部中的每一个的底面上。
[C-3]根据上述[C-2]所述的电子设备，
其中所述多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色、蓝色和白色的四种颜色，
在所述多个凹部的每一个的侧壁上形成红色、绿色和蓝色发光单元，并且
在多个凹部的每一个的底面上形成白色发光单元。
[C-4]根据上述[C-3]所述的电子设备，
其中通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层。
[C-5]根据上述[C-4]所述的电子设备，
其中在倾斜蒸镀中，发光材料相对于凹部的底面的入射角被设定为在凹部的侧壁和底面上形成发光层的角度。
[C-6]根据上述[C-5]所述的电子设备，
其中所述发光材料的入射角基于形成在所述凹部的侧壁上的侧阳极电极的尺寸和形成在所述凹部的底面上的底阳极电极的尺寸来设定。
[C-7]根据上述[C-2]所述的电子设备，
其中所述多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色和蓝色中的两种颜色，
在所述多个凹部的每一个的侧壁上形成三种颜色中的两种颜色的发光单元，并且
在多个凹部的每一个的底面上形成剩余一种颜色的发光单元。
[C-8]根据上述[C-7]所述的电子设备，
其中通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层。
[C-9]根据上述[C-8]所述的电子设备，
其中在倾斜蒸镀中，发光材料相对于凹部的底面的入射角被设定为在凹部的底面上不形成发光层的角度。
[C-10]根据上述[C-1]至[C-9]中任一项所述的电子设备，
其中所述像素的发光单元包括有机电致发光元件。
附图标记列表
10 有机EL显示设备
20 像素
20s(20r、20g、20b、20w) 子像素
21 有机EL元件
22 驱动晶体管
23 写入晶体管(采样晶体管)
24 发光控制晶体管
25 保持电容
26 辅助电容
30 像素阵列部
31(311至31m) 扫描线
32(321至32m) 驱动线
33(331至33n) 信号线
81 层间绝缘膜
82 凹部
83r、83g、83b、83w 阳极电极
84r、84g、84b 有机EL层(发光层)
85 阴极电极
86 保护膜

Claims (9)

1.一种显示设备，包括：
设置在像素形成表面上的多个凹部；和
布置在所述多个凹部的每一个中的像素，
其中，所述像素的发光单元形成在所述多个凹部的每一个凹部的侧壁和底面上，
其中，所述像素包括具有彼此不同的发光颜色的多个发光单元，并且
所述多个发光单元中的一个发光单元形成在所述多个凹部中的每一个凹部的底面上，
其中，所述多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色、蓝色和白色四种颜色，
在所述多个凹部的每一个凹部的侧壁上形成红色、绿色和蓝色发光单元，并且
在所述多个凹部的每一个凹部的底面上形成白色发光单元。
2.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层是通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成的。
3.根据权利要求2所述的显示设备，
其中，在倾斜蒸镀中，发光材料相对于凹部的底面的入射角被设定为在凹部的侧壁和底面上形成发光层的角度。
4.根据权利要求3所述的显示设备，
其中，所述发光材料的入射角基于形成在凹部的侧壁上的侧阳极电极的尺寸和形成在凹部的底面上的底阳极电极的尺寸来设定。
5.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，所述像素的发光单元包括有机电致发光元件。
6.一种显示设备的制造方法，所述显示设备包括：
设置在像素形成表面上的多个凹部，以及
布置在所述多个凹部的每一个凹部中的像素；
所述制造方法包括：在制造所述显示设备时，在多个凹部的每一个凹部的侧壁和底面上形成像素的发光单元，
其中，所述像素包括具有彼此不同的发光颜色的多个发光单元，并且
所述多个发光单元中的一个发光单元形成在多个凹部中的每一个凹部的底面上，
其中，所述多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色、蓝色和白色四种颜色，
在所述多个凹部的每一个凹部的侧壁上形成红色、绿色和蓝色发光单元，并且
在所述多个凹部的每一个凹部的底面上形成白色发光单元。
7.根据权利要求6所述的显示设备的制造方法，
其中，形成在凹部的侧壁上的发光单元的发光层是通过相对于凹部的侧壁倾斜蒸镀发光材料来形成的。
8.根据权利要求7所述的显示设备的制造方法，
其中，在凹部的侧壁上形成发光层时，以在凹部的底面上形成发光层的发光材料的入射角进行倾斜蒸镀。
9.一种电子设备，包括：
显示设备，包括
设置在像素形成表面上的多个凹部，以及
布置在所述多个凹部的每一个中的像素，
其中，所述像素的发光单元形成在所述多个凹部的每一个凹部中的侧壁和底面上,
其中，所述像素包括具有彼此不同的发光颜色的多个发光单元，并且
所述多个发光单元中的一个发光单元形成在所述多个凹部中的每一个凹部的底面上，
其中，所述多个发光单元的发光颜色包括红色、绿色、蓝色和白色四种颜色，
在所述多个凹部的每一个凹部的侧壁上形成红色、绿色和蓝色发光单元，并且
在所述多个凹部的每一个凹部的底面上形成白色发光单元。
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