JP2013093362A - 静電容量素子、及び共振回路 - Google Patents
静電容量素子、及び共振回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013093362A JP2013093362A JP2011232896A JP2011232896A JP2013093362A JP 2013093362 A JP2013093362 A JP 2013093362A JP 2011232896 A JP2011232896 A JP 2011232896A JP 2011232896 A JP2011232896 A JP 2011232896A JP 2013093362 A JP2013093362 A JP 2013093362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- internal electrode
- capacitance element
- internal
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 263
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 72
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 192
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 192
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 78
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 rare earth iron oxide Chemical class 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical class C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,2,4-oxadiazol-5-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NOC(=N1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZRPAUEVGEGEPFQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 ZRPAUEVGEGEPFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical class N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[5-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]ethanone Chemical class N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CC=1OC(=NN=1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150096058 Erfe gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical class O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/06—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
【解決手段】容量素子(可変容量素子1)は、誘電体層と、誘電体層を挟んで形成される少なくとも一対の内部電極10とを備える容量素子本体2と、容量素子本体2の側面に形成され、内部電極10に電気的に接続される外部端子3,4とを備える。そして、誘電体層5及び内部電極の線膨張係数の違いに起因して発生する応力が、誘電体層5と誘電体層5を挟む一対の内部電極10とで構成されるコンデンサCの中心に集中するように構成されている。
【選択図】図1
Description
1.第1の実施形態:容量を構成する電極本体の対称性を高めた可変容量素子
2.第2の実施形態:内部電極の対称性を擬似的に高めた可変容量素子
3.第3の実施形態:フローティング電極を設けて対称性を高めた可変容量素子
4.第4の実施形態:可変容量素子本体の外形の対称性を高めた可変容量素子
5.第5の実施形態:可変容量素子本体の外形と容量を構成する電極本体を同一形状とした可変容量素子
6.第6の実施形態:1つの内部電極において接続電極を複数形成した可変容量素子
7.第7の実施形態:内部電極の積層方向に直列接続された複数のコンデンサを構成した可変容量素子(その1)
8.第8の実施形態:内部電極の積層方向に直列接続された複数のコンデンサを構成した可変容量素子(その2)
9.第9の実施形態:内部電極の積層方向に直列接続された複数のコンデンサを構成した可変容量素子(その3)
10.第10の実施形態:可変容量素子を組み込んだ共振回路
[可変容量素子の構成]
まず、本開示の第1の実施形態に係る可変容量素子について説明する。図1Aは、本実施形態例に係る可変容量素子の斜視図であり、図1Bは本実施形態に係る可変容量素子の断面構成図である。また、図2は、本実施形態例の可変容量素子を構成する内部電極の平面構成図である。図1A及び図2では、内部電極及び誘電体層の重心を通る線を破線で示す。なお、以下の図面においても同様とする。
以上の構成を有する可変容量素子1の製造方法の一例を説明する。まず、所望の誘電体材料からなる誘電体シートを用意する。誘電体シートは、可変容量素子本体2において各誘電体層5を構成するものであり、例えば厚さ約2.5μmとされている。これらの誘電体シートは、ペースト状にした誘電体材料をPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に所望の厚さに塗布して形成することができる。また、図2に示した内部電極10の形成領域に対応する領域が開口されたマスクを用意する。
以下に、本実施形態例の可変容量素子の変形例を示す。
図6に、変形例1−1に係る可変容量素子を構成する内部電極の平面構成を示す。図6において、図2に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
変形例1−1に係る可変容量素子では、内部電極12の電極本体11が楕円形状とされている。変形例1−1では、楕円形状の長径方向を誘電体層5の長軸方向とし、短径方向を誘電体層5の短軸方向として構成している。
図7に、変形例1−2に係る可変容量素子を構成する内部電極の平面構成を示す。図7において、図2に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
変形例1−2に係る可変容量素子では、内部電極14の電極本体13が楕円形状とされている。変形例2では、楕円形状の長径方向を誘電体層5の短軸方向とし、短径方向を誘電体層5の長軸方向として構成している。
図8に、変形例1−3に係る可変容量素子を構成する内部電極の平面構成を示す。図8において、図2に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
変形例1−3に係る可変容量素子では、内部電極16の電極本体15が正六角形とされており、誘電体層5の中心を通る短軸方向の直線上に正六角形の2つの頂点が重なるように構成されている。
図9に、変形例1−4に係る可変容量素子を構成する内部電極の平面構成を示す。図9において、図2に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
変形例1−4に係る可変容量素子では、内部電極18の電極本体17が正六角形とされており、誘電体層5の中心を通る長軸方向の直線上に正六角形の2つの頂点が重なるように構成されている。
次に、本開示の第2の実施形態に係る可変容量素子について説明する。本実施形態例では、内部電極を構成する接続電極のみが第1の実施形態と異なる例であり、その外形や、断面構成は図1A及び図1Bに示す第1の実施形態に係る可変容量素子と同様であるから図示を省略する。
図10は、本実施形態例の可変容量素子を構成する内部電極の平面構成図である。図10において、図2に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
図11に、変形例2−1に係る可変容量素子を構成する内部電極の平面構成を示す。図11において、図10に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
変形例2−1に係る可変容量素子では、内部電極22の電極本体21が正方形とされている。変形例2−1においても、接続電極19の面積は、電極本体21の面積に比較して十分小さく形成されており、また、接続電極19の幅は正方形の幅に比較して十分小さく形成されている。変形例2−1では、接続電極19周辺に発生する残留応力が、電極本体21部分に発生する残留応力に影響を及ぼさない程度とするため、接続電極19の外部端子に接続される端部の幅は電極本体21の最大幅の・・分の1以下に設定するのが好ましい。
図12に、変形例2−2に係る可変容量素子を構成する内部電極の平面構成を示す。図12において、図10に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
図10に示した可変容量素子の内部電極20では、接続電極19が可変容量素子本体の長軸方向の側面のほぼ中心に露出するように形成されていた。それに対して、変形例2−2では、内部電極24を構成する接続電極23が可変容量素子本体の長軸方向の側面の中心から外れた位置に露出するように形成されている。
変形例2−2に示すように、接続電極23を、コンデンサを構成する電極本体8の重心を通る軸上に配置することにより、残留応力の対称性をそれほど損なうことなく、外部端子の設計の自由度を高めることができる。
その他、第1の実施形態、第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本開示の第3の実施形態に係る可変容量素子について説明する。本実施形態例では、内部電極の構成のみが第1の実施形態と異なる例であり、その外形や、断面構成は図1A及び図1Bに示す第1の実施形態に係る可変容量素子と同様であるから図示を省略する。
図13は、本実施形態例の可変容量素子を構成する内部電極28の平面構成図である。図13において、図2に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
接続電極26は、電極本体25の一方の辺に接続され、端部が容量素子本体の側面に露出するように形成されている。
その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図14に、変形例3−1に係る可変容量素子を構成する内部電極の平面構成を示す。図14において、図13に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
変形例3−1に係る可変容量素子では、内部電極32の電極本体29の形状が第3の実施形態と異なる例である。
接続電極30は、電極本体29の一方の辺に接続され、端部が容量素子本体の側面に露出するように形成されている。
図15に、変形例3−2に係る可変容量素子を構成する内部電極の平面構成を示す。図15において、図13に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
変形例3−2では、内部電極35は、正方形状の電極本体25と、電極本体25の辺に接続され、可変容量素子本体の側面に露出されて外部端子に接続される接続電極33と、2つのフローティング電極27,34とで構成されている。接続電極33は、その幅が電極本体25の幅に比較して十分に細く形成されている。また、2つのフローティング電極27,34は、接続電極33及び電極本体25を挟む両領域に形成され、電極本体25の重心を通る軸に対して対称に形成されている。
図16に、変形例3−3に係る可変容量素子を構成する内部電極の平面構成を示す。図において、図14に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
変形例3−3では、内部電極38は、円形状の電極本体29と、電極本体29の辺に接続され、可変容量素子本体の側面に露出されて外部端子に接続される接続電極36と、2つのフローティング電極31,37とで構成されている。接続電極36は、その幅が電極本体29の直径に比較して十分に細く形成されている。また、2つのフローティング電極31,37は、接続電極36及び電極本体29を挟む両領域に形成され、電極本体29の重心を通る軸に対して対称に形成されている。
次に、本開示の第4の実施形態に係る可変容量素子について説明する。本実施形態例では、可変容量素子本体の形状が第1の実施形態と異なる例であり、内部電極の形状や、断面構成は図に示す第1の実施形態に係る可変容量素子と同様であるから図示を省略する。
図17は、本実施形態例の可変容量素子の外観斜視図である。
その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図18は、変形例4−1に係る可変容量素子の外観斜視図である。変形例4−1では、可変容量素子本体の形状が第1の実施形態と異なる例であり、内部電極の形状や、断面構成は図に示す第1の実施形態に係る可変容量素子と同様であるから図示を省略する。
図19に、変形例4−2に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。変形例4−2に係る可変容量素子では、内部電極51は、正方形とされた電極本体49と、その電極本体49の一辺に接続され、端部が容量素子本体の側面に露出するように形成された接続電極50とで構成されている。また、可変容量素子本体の内部電極51が形成される平面形状、すなわち誘電体層48の平面形状は楕円形状とされており、内部電極51を構成する接続電極50は、楕円形状の誘電体層48の短径方向に形成されている。
図20に、変形例4−3に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。変形例4−3に係る可変容量素子では、内部電極51は、変形例4−2と同様とされる。また、可変容量素子本体の内部電極51が形成される平面形状、すなわち誘電体層52は楕円形状とされており、内部電極51を構成する接続電極50は、楕円形状の誘電体層52の長径方向に形成されている。
図21に、変形例4−4に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。変形例4−4に係る可変容量素子では、内部電極51は、変形例4−2と同様とされる。また、可変容量素子本体の内部電極51が形成される平面形状、すなわち誘電体層53は角丸長方形状(小判型)とされており、内部電極51を構成する接続電極50は、角丸長方形状の誘電体層53の長軸方向に形成されている。
図22に、変形例4−5に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。変形例4−5に係る可変容量素子では、内部電極51は、変形例4−2と同様とされる。また、可変容量素子本体の内部電極が形成される平面形状、すなわち誘電体層は正方形状の一辺の両側に位置する2つの角部がアール状に形成された四角形状に形成されている。
図23に、変形例4−6に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。変形例4−6に係る可変容量素子では、内部電極51は、変形例4−2と同様とされる。また、可変容量素子本体の内部電極51が形成される平面形状、すなわち誘電体層55は正方形状の4つの角部がアール状とされた角丸正方形状に形成されている。
図24に、変形例4−7に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。変形例4−7に係る可変容量素子では、内部電極51は、変形例4−2と同様とされる。また、可変容量素子本体の内部電極51が形成される平面形状、すなわち誘電体層56は八角形状に形成されている。
図25に、変形例4−8に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。変形例4−8に係る可変容量素子では、内部電極51は、変形例4−2と同様とされる。また、可変容量素子本体の内部電極51が形成される平面形状、すなわち誘電体層57は正六角形状に形成されている。
次に、本開示の第5の実施形態に係る可変容量素子について説明する。図26は、本実施形態例の可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成図である。本実施形態例では、可変容量素子本体の外形が第1の実施形態と異なる例である。図26において、図2に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図27に、変形例5−1に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。図27において、図26に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。変形例5−1に係る可変容量素子では、内部電極20は、第2の実施形態の内部電極20と同様の構成とされている。
図29に、変形例5−2に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。変形例5−2では、内部電極51は、正方形状とされた電極本体49と、その電極本体49の一辺に接続され、端部が容量素子本体の側面に露出するように形成された接続電極50とで構成されている。また、可変容量素子本体の内部電極51が形成される平面形状、すなわち誘電体層59の平面形状は正方形状とされている。そして、内部電極51の電極本体49の重心が、誘電体層59の中心に位置するように形成されている。
図30に、変形例5−3に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。図30において、図29に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。変形例5−3に係る可変容量素子では、内部電極22は、図11に示した変形例2−1の内部電極22と同様の構成とされている。
その他、第5の実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本開示の第6の実施形態に係る可変容量素子について説明する。図31は、本実施形態例に係る可変容量素子の斜視図である。また、図32は、本実施形態例の可変容量素子を構成する内部電極の平面構成図である。
また、本実施形態例では、コンデンサを形成する電極本体65を円形状とし、その電極本体65に接続される接続電極66を、等間隔の3方向に形成することにより、内部電極67の対称性を高めることができる。これにより、可変容量素子本体62の焼成時において発生する残留応力を中心に向かって集中させることができ、コンデンサの電気的特性を向上させることができる。
その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図34に、変形例6−1に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。図34において、図32に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。変形例6−1では、内部電極70は、円形状の電極本体65と、電極本体65に接続され、電極本体65の円周方向に等間隔に形成された3つの接続電極69とで構成されている。また、誘電体層68は、内部電極70が形成される平面が正方形状とされ
図35に、変形例6−2に係る可変容量素子を構成する誘電体層及び内部電極の平面構成を示す。図35において、図32に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。変形例6−2では、第6の実施形態と、誘電体層の平面形状が異なる例である。
図36Aは、本開示の第7の実施形態に係る可変容量素子81の概略斜視図であり、図36Bは、可変容量素子81の断面構成図である。以下では、後述する内部電極の積層方向をz方向、積層方向に直交する可変容量素子81の一方向をx方向、積層方向に直交する可変容量素子81の他方向をy方向として説明する。また、可変容量素子81のxy面で構成される一方の面を「上面」、xy面で構成される他方の面を「下面」として説明する。また、可変容量素子1の上面及び下面に垂直な面を「側面」として説明する。
また、第1外部端子83a〜第6外部端子83fは、それぞれz方向において可変容量素子本体82の側面を被覆すると共に、可変容量素子本体82の上面及び下面に張り出すように形成されている。
本実施形態例の第1内部電極88〜第6内部電極93は、第1の実施形態と同様の材料を用いて形成することができる。
次に、変形例7−1に係る可変容量素子について説明する。変形例7−1の可変容量素子では、その外観構成、断面構成、及び回路構成は、第7の実施形態出示した図36A、図36B、及び図41と同様であるから、図示を省略し、重複説明を省略する。
次に、変形例7−2に係る可変容量素子について説明する。変形例7−2の可変容量素子は、その外観構成、断面構成、及び回路構成は、第7の実施形態出示した図36A、図36B、及び図41と同様であるから、図示を省略し、重複説明を省略する。
第1応力制御部100は、誘電体層85を介して複数積層された第1内部電極88で構成され、第1応力制御部100を構成する第1内部電極88は、第1コンデンサC1を構成する第1内部電極88と同様、第1外部端子83aに接続されている。したがって、第1コンデンサC1を構成する第1内部電極88と第1応力制御部100を構成する第1内部電極88とは同電位とされるため、この電極間にコンデンサは形成されない。さらに、第1応力制御部100に形成される複数の第1内部電極88も同電位とされるため、第1応力制御部100ではコンデンサが形成されない。
その他、第7の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図44Aは、本開示の第8の実施形態に係る可変容量素子121の概略斜視図であり、図44Bは、可変容量素子121の断面構成図である。図44A及び図44Bにおいて、図36A及び図36Bに対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
そして、第1外部端子129a〜第10外部端子129jは、それぞれz方向において可変容量素子本体122の側面を被覆すると共に、可変容量素子本体122の上面及び下面に張り出すように形成されている。
本実施形態例の第1内部電極123〜第6内部電極128は、第1の実施形態と同様の材料を用いて形成することができる。
その他、第7の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態例の可変容量素子においても、第7の実施形態に係る変形例7−2と同様にして、応力制御部を設ける構成とすることができる。
次に、変形例8−1に係る可変容量素子について説明する。変形例8−1の可変容量素子では、その外観構成、断面構成、及び回路構成は、第8の実施形態で示した図44A、図44B、及び図50と同様であるから、図示を省略し、重複説明を省略する。
また、変形例8−1の可変容量素子においても、第7の実施形態に変形例7−2に係る可変容量素子のように、応力制御部を設ける例とすることができる。
図52Aは、本開示の第9の実施形態に係る可変容量素子141の概略斜視図であり、図52Bは、可変容量素子141の断面構成図である。本実施形態例の可変容量素子141は、第1内部電極144及び第6内部電極149の構成のみが、第7の実施形態における可変容量素子121と異なる例である。図52A及び図52Bにおいて、図36A及び図36Bに対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
そして、第1外部端子143a〜第8外部端子143hは、それぞれz方向において可変容量素子本体142の側面を被覆すると共に、可変容量素子本体142の上面及び下面に張り出すように形成されている。
また、本実施形態例に係る可変容量素子141においても、変形例7−2と同様にして、応力制御部を設ける構成としてもよい。
次に、変形例9−1に係る可変容量素子について説明する。変形例9−1の可変容量素子は、その外観構成、断面構成、及び回路構成は、第9の実施形態出示した図52A、図52B、図56と同様であるから、図示を省略し、重複説明を省略する。
また、変形例9−1に係る可変容量素子においても、変形例7−2と同様にして、応力制御部を設ける構成としてもよい。
次に、本発明の第10の実施形態に係る共振回路について説明する。本実施形態例は本発明の容量素子を共振回路に適用した例であり、特に、第1の実施形態における可変容量素子1を適用した例を示す。また、本実施形態例では、共振回路を非接触ICカードに用いた例を示す。
誘電体層と、
前記誘電体層を挟んで形成される少なくとも一対の内部電極とを備える容量素子本体と、
前記容量素子本体の側面に形成され、前記内部電極に電気的に接続される外部端子とを備え、
前記誘電体層及び前記内部電極の線膨張係数の違いに起因して発生する応力が、前記誘電体層と前記誘電体層を挟む一対の内部電極とで構成されるコンデンサの中心に集中するように構成された
静電容量素子。
前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に前記外部端子に接続される接続電極とで構成され、
前記コンデンサを構成する少なくとも一方の内部電極の電極本体の平面形状が円形状とされている(1)に記載の静電容量素子。
前記接続電極の前記外部端子に接続される端部の幅は前記電極本体の直径の4分の1以下とされている
(1)又は(2)に記載の静電容量素子。
前記容量素子本体の前記内部電極が形成される面に平行な面の形状が、円形状とされている
(1)〜(3)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記容量素子本体の外形が円柱形状とされている
(1)〜(4)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に外部端子に接続される接続電極とで構成され、
前記コンデンサを構成する少なくとも一方の内部電極の電極本体の平面形状が楕円形状とされている
(1)〜(5)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に外部端子に接続される接続電極とで構成され、
前記コンデンサを構成する少なくとも一方の内部電極の電極本体の平面形状が五角形以上の正多角形状とされている
(1)〜(5)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に外部端子に接続される接続電極と、前記電極本体及び前記外部端子に接続されないフローティング電極とで構成されている
(1)〜(7)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に前記外部端子に接続される複数の接続電極とを備る
(1)〜(7)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記電極本体は円形状に形成され、前記複数の接続電極は前記電極本体の円周方向に等間隔に形成されている
(9)に記載の静電容量素子。
前記容量素子本体の外形が円柱形状とされている
(1)〜(3)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記容量素子本体の外形が断面正方形状の柱状とされている
(1)〜(3)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記容量素子本体の外形が断面楕円形状の柱状とされている
(1)〜(3)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記容量素子本体の外形が断面多角形状の柱状とされている
(1)〜(3)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記容量素子本体の外形が断面正多角形状の柱状とされている
(1)〜(3)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記容量素子本体の前記内部電極が形成される平面形状と、前記内部電極の電極本体の形状が同一形状とされている
(1)〜(15)のいずれかに記載の静電容量素子。
前記容量素子本体の前記内部電極が形成される平面形状と、前記内部電極の電極本体の形状が円形状とされている
(1)に記載の静電容量素子。
前記内部電極は誘電体層を介して複数層積層され、前記複数の内部電極で形成される複数のコンデンサが前記内部電極の積層方向に直列接続される
(1)〜(17)のいずれかに記載の静電容量素子。
積層される各内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に前記外部端子に接続される複数の接続電極とを備え、
各内部電極の電極本体は同一形状とされ、各内部電極の電極本体の重心が積層方向の直線上に配置されるように構成されている
(18)に記載の静電容量素子。
誘電体層と、
前記誘電体層を挟んで形成される少なくとも一対の内部電極とを備える容量素子本体と、
前記容量素子本体の側面に形成され、前記内部電極に電気的に接続される外部端子とを備え、
前記誘電体層及び前記内部電極の線膨張係数の違いに起因して発生する応力が、前記誘電体層と前記誘電体層を挟む一対の内部電極とで構成されるコンデンサの中心に集中するように構成された
静電容量素子を含む共振コンデンサと、
前記共振コンデンサに接続された共振コイルと
を備える共振回路。
Claims (20)
- 誘電体層と、
前記誘電体層を挟んで形成される少なくとも一対の内部電極とを備える容量素子本体と、
前記容量素子本体の側面に形成され、前記内部電極に電気的に接続される外部端子とを備え、
前記誘電体層及び前記内部電極の線膨張係数の違いに起因して発生する応力が、前記誘電体層と前記誘電体層を挟む一対の内部電極とで構成されるコンデンサの中心に集中するように構成された
静電容量素子。 - 前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に前記外部端子に接続される接続電極とで構成され、
前記コンデンサを構成する少なくとも一方の内部電極の電極本体の平面形状が円形状とされている請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記接続電極の前記外部端子に接続される端部の幅は前記電極本体の直径の4分の1以下とされている
請求項2に記載の静電容量素子。 - 前記容量素子本体の前記内部電極が形成される面に平行な面の形状が、円形状とされている
請求項3に記載の静電容量素子。 - 前記容量素子本体の外形が円柱形状とされている
請求項4に記載の静電容量素子。 - 前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に外部端子に接続される接続電極とで構成され、
前記コンデンサを構成する少なくとも一方の内部電極の電極本体の平面形状が楕円形状とされている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に外部端子に接続される接続電極とで構成され、
前記コンデンサを構成する少なくとも一方の内部電極の電極本体の平面形状が五角形以上の正多角形状とされている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に外部端子に接続される接続電極と、前記電極本体及び前記外部端子に接続されないフローティング電極とで構成されている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に前記外部端子に接続される複数の接続電極とを備る
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記電極本体は円形状に形成され、前記複数の接続電極は前記電極本体の円周方向に等間隔に形成されている
請求項9に記載の静電容量素子。 - 前記容量素子本体の外形が円柱形状とされている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記容量素子本体の外形が断面正方形状の柱状とされている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記容量素子本体の外形が断面楕円形状の柱状とされている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記容量素子本体の外形が断面多角形状の柱状とされている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記容量素子本体の外形が断面正多角形状の柱状とされている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記容量素子本体の前記内部電極が形成される平面形状と、前記内部電極の電極本体の形状が同一形状とされている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記容量素子本体の前記内部電極が形成される平面形状と、前記内部電極の電極本体の形状が円形状とされている
請求項1に記載の静電容量素子。 - 前記内部電極は誘電体層を介して複数層積層され、前記複数の内部電極で形成される複数のコンデンサが前記内部電極の積層方向に直列接続される
請求項1に記載の静電容量素子。 - 積層される各内部電極は、コンデンサを構成する電極本体と、前記電極本体に接続されると共に前記外部端子に接続される複数の接続電極とを備え、
各内部電極の電極本体は同一形状とされ、各内部電極の電極本体の重心が積層方向の直線上に配置されるように構成されている
請求項18に記載の静電容量素子。 - 誘電体層と、
前記誘電体層を挟んで形成される少なくとも一対の内部電極とを備える容量素子本体と、
前記容量素子本体の側面に形成され、前記内部電極に電気的に接続される外部端子とを備え、
前記誘電体層及び前記内部電極の線膨張係数の違いに起因して発生する応力が、前記誘電体層と前記誘電体層を挟む一対の内部電極とで構成されるコンデンサの中心に集中するように構成された
静電容量素子を含む共振コンデンサと、
前記共振コンデンサに接続された共振コイルと
を備える共振回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011232896A JP2013093362A (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 静電容量素子、及び共振回路 |
CN201280051181.XA CN103890883A (zh) | 2011-10-24 | 2012-10-02 | 静电电容元件和谐振电路 |
US14/349,585 US20140247534A1 (en) | 2011-10-24 | 2012-10-02 | Electrostatic capacitance element and resonance circuit |
PCT/JP2012/075488 WO2013061730A1 (ja) | 2011-10-24 | 2012-10-02 | 静電容量素子、及び共振回路 |
KR1020147009388A KR20140094508A (ko) | 2011-10-24 | 2012-10-02 | 정전 용량 소자 및 공진 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011232896A JP2013093362A (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 静電容量素子、及び共振回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013093362A true JP2013093362A (ja) | 2013-05-16 |
JP2013093362A5 JP2013093362A5 (ja) | 2014-11-27 |
Family
ID=48167565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011232896A Pending JP2013093362A (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 静電容量素子、及び共振回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140247534A1 (ja) |
JP (1) | JP2013093362A (ja) |
KR (1) | KR20140094508A (ja) |
CN (1) | CN103890883A (ja) |
WO (1) | WO2013061730A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6262235B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2018-01-17 | デクセリアルズ株式会社 | 可変容量回路、可変容量デバイス、及びそれを用いた共振回路、通信装置 |
JP2014239203A (ja) * | 2014-01-31 | 2014-12-18 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の実装構造体 |
KR102015544B1 (ko) * | 2014-09-04 | 2019-08-30 | 코멧 아게 | Rf 전력 공급을 위한 가변 전력 커패시터 |
US10431388B2 (en) * | 2015-12-08 | 2019-10-01 | Avx Corporation | Voltage tunable multilayer capacitor |
WO2019051192A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-14 | Avx Corporation | HIGH VOLTAGE TUNING MULTILAYER CAPACITOR |
US10943741B2 (en) | 2017-10-02 | 2021-03-09 | Avx Corporation | High capacitance tunable multilayer capacitor and array |
CN113196428B (zh) | 2018-12-26 | 2022-12-13 | 京瓷Avx元器件公司 | 用于控制电压可调多层电容器的系统和方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5252501A (en) * | 1975-10-25 | 1977-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Frequency variable tuning circuit |
JPS6127327U (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-18 | 東北金属工業株式会社 | 積層セラミツク部品 |
JPS62281319A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | 日本電気株式会社 | 可変コンデンサ |
JPS63117416A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | 株式会社村田製作所 | 積層形多端子電子部品 |
JP2000164451A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JP2003142355A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2010045372A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Avx Corp | 超広帯域キャパシタ |
WO2014125930A1 (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-21 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2437212A (en) * | 1942-12-23 | 1948-03-02 | Frederic D Schottland | Electric condenser and method for making the same |
US2903634A (en) * | 1954-09-22 | 1959-09-08 | Acf Ind Inc | Printed capacitor |
JP3548883B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2004-07-28 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
US6760215B2 (en) * | 2001-05-25 | 2004-07-06 | Daniel F. Devoe | Capacitor with high voltage breakdown threshold |
US7595974B2 (en) * | 2003-11-21 | 2009-09-29 | Tdk Corporation | Layered ceramic capacitor |
JP2008053278A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
JP4702395B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2011-06-15 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
JP2010199269A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Kyocera Corp | コンデンサおよびコンデンサモジュール |
-
2011
- 2011-10-24 JP JP2011232896A patent/JP2013093362A/ja active Pending
-
2012
- 2012-10-02 CN CN201280051181.XA patent/CN103890883A/zh active Pending
- 2012-10-02 KR KR1020147009388A patent/KR20140094508A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-10-02 WO PCT/JP2012/075488 patent/WO2013061730A1/ja active Application Filing
- 2012-10-02 US US14/349,585 patent/US20140247534A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5252501A (en) * | 1975-10-25 | 1977-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Frequency variable tuning circuit |
JPS6127327U (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-18 | 東北金属工業株式会社 | 積層セラミツク部品 |
JPS62281319A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | 日本電気株式会社 | 可変コンデンサ |
JPS63117416A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | 株式会社村田製作所 | 積層形多端子電子部品 |
JP2000164451A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JP2003142355A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2010045372A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Avx Corp | 超広帯域キャパシタ |
WO2014125930A1 (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-21 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140247534A1 (en) | 2014-09-04 |
WO2013061730A1 (ja) | 2013-05-02 |
KR20140094508A (ko) | 2014-07-30 |
CN103890883A (zh) | 2014-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6282388B2 (ja) | 静電容量素子、及び共振回路 | |
WO2013061730A1 (ja) | 静電容量素子、及び共振回路 | |
JP5666123B2 (ja) | 可変容量デバイス | |
RU2523065C2 (ru) | Емкостный прибор и резонансная схема | |
JP5628494B2 (ja) | 共振回路 | |
JP6319758B2 (ja) | 静電容量デバイス、共振回路及び電子機器 | |
JP4743222B2 (ja) | 可変容量素子及び、電子機器 | |
US20120062338A1 (en) | Electrostatic capacitance element, method of manufacturing electrostatic capacitance element, and resonance circuit | |
KR100745541B1 (ko) | 이종소재를 이용한 적층형 칩 공통모드 바리스터 필터복합소자 및 그 제조방법 | |
JP5870674B2 (ja) | 積層コンデンサアレイ | |
JP2009152404A (ja) | 積層コンデンサアレイ | |
KR20100113452A (ko) | 가변용량 소자 및 전자 기기 | |
JP5126374B2 (ja) | 可変容量素子及び、電子機器 | |
JP6067783B2 (ja) | 静電容量素子及び共振回路 | |
JP4952779B2 (ja) | 積層コンデンサアレイ | |
JP2017084856A (ja) | 圧電トランスモジュール及び圧電トランスモジュールの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141014 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160226 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160315 |