TW201822248A - 基板處理裝置、微影用模板之製造方法、程式 - Google Patents

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Abstract

[目的] 本發明之目的在提供可抑制微粒發生的技術。 　　[解決手段] 藉由本發明之一態樣，提供一種技術，其係具有：基板載置台，其係具有：在中央具有圖案形成區域且在其外周具有非接觸區域的基板之中，支持前述非接觸區域的背面的凸部、及連同前述凸部一起構成空間的底部；處理室，其係具有前述基板載置台；處理氣體供給部，其係對前述處理室供給處理氣體；及熱氣體供給部，其係對前述空間供給熱氣體。

Description

基板處理裝置、微影用模板之製造方法、程式
[0001] 本發明係關於基板處理裝置、微影用模板之製造方法、程式。
[0002] 以處理基板的基板處理裝置而言，有例如在處理室內具有支持基板的基板支持部的裝置(例如專利文獻1)。 　　[0003] 在基板處理裝置中，係構成為可處理眾多種類的基板。以其中之一而言，有作為奈米壓印用微影模板來使用的玻璃基板。有一種使該模板轉印在被轉印基板上的樹脂，形成圖案的方法(例如專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1] 日本特開2016-63033號公報 　　[專利文獻2] 日本特開2013-235885號公報
(發明所欲解決之課題) 　　[0005] 在奈米壓印處理中，為了將微影用模板的構造轉印在被轉印基板，在模板構造必須有高正確性。為了製造正確性高的模板，必須進行例如在模板構造形成硬遮罩等基板處理。形成硬遮罩時，進行例如將基板加熱等處理。 　　[0006] 但是，在奈米壓印技術領域，必須抑制微粒發生。其係基於若在模板附著微粒而未形成為所希望的形狀時，若使用該模板來進行轉印，被轉印基板側的良率明顯降低之故。 　　[0007] 因此，本發明之目的在提供可抑制微粒發生的技術。 (解決課題之手段) 　　[0008] 藉由本發明之一態樣，提供一種技術，其係具有：基板載置台，其係具有：在中央具有圖案形成區域且在其外周具有非接觸區域的基板之中，支持前述非接觸區域的背面的凸部、及連同前述凸部一起構成空間的底部；處理室，其係具有前述基板載置台；處理氣體供給部，其係對前述處理室供給處理氣體；及熱氣體供給部，其係對前述空間供給熱氣體。 (發明之效果) 　　[0009] 藉由本發明，可抑制微粒發生。
[0011] 以下一邊參照圖示，一邊說明本發明之實施形態。 　　[0012] [本發明之第一實施形態] 　　說明本發明之第一實施形態。 　　[0013] 以下一邊參照圖示，一邊說明本發明之第一實施形態。 　　[0014] (基板處理裝置) 　　[0015] 使用圖1，說明處理對象的基板200。在圖1中，(a)係由上方觀看基板200的圖，(b)係(a)的α-α’中的剖面圖。基板200係被使用作為奈米壓印用微影模板(以下為L模板)。形成L模板時，係使用被稱為主模板之預先形成的模具。L模板係被使用作為用以轉印至被轉印基板之模具者。藉由在被轉印基板按壓L模板，以在被轉印基板形成圖案。 　　[0016] 基板200係構成為L模板。基板200係主要具有：成為基座的玻璃基板200a；及形成在其上部的圖案形成區域200b。圖案形成區域200b係形成由主模板被轉印的圖案的區域。接觸被轉印基板時，以不會與被轉印區域以外的部分相接觸的方式，將圖案形成區域200b構成為凸狀。在圖案形成區域200b形成有後述之硬遮罩等。 　　[0017] 200c係表示在玻璃基板200a的上面之中未形成有圖案形成區域200b的面。200c由於為不與被轉印基板相接觸的區域，因此在本實施形態中稱為非接觸區域200c。200d係在基板背面之中指圖案形成區域200b的背面。200e係指非接觸區域200c的背面。在本實施形態中，將200d稱為基板中央背面，將200e稱為基板外周背面。 　　[0018] 接著，使用圖2，說明處理圖1所記載之基板200的裝置。圖2係本實施形態之基板處理裝置100的橫剖面概略圖。 　　[0019] (容器) 　　如圖例所示，基板處理裝置100係具備有容器202。在容器202內係形成有：處理基板200的處理空間205；及將基板200搬送至處理空間205時，基板200通過的搬送空間206。容器202係由上部容器202a、及下部容器202b所構成。在上部容器202a與下部容器202b之間設有分隔板208。 　　[0020] 在下部容器202b的側面設有鄰接閘閥206的基板搬入出口，基板200係透過基板搬入出口而在與框體之間移動。在下部容器202b的底部設有複數升降銷207。此外，下部容器202b係予以接地。 　　[0021] 在處理空間205配置有支持基板200的基板支持部210。基板支持部210係主要具有：緩衝構造211、在表面具有緩衝構造211的基板載置台212、設在基板載置台212內之作為加熱源的加熱部213。加熱部213係以例如電阻加熱所構成。在基板載置台212係在與升降銷207相對應的位置分別設有供升降銷207貫穿的貫穿孔214。在加熱部213係連接有溫度控制部215。溫度控制部215係按照控制器280的指示，控制加熱部213的溫度。加熱部213亦稱為基板載置台加熱部。緩衝構造211係藉由凸部211a與底部211e所構成。其中，將藉由凸部211a所包圍的空間稱為空間211b。空間211b亦稱為緩衝空間。基板載置台212容後詳述。 　　[0022] 基板載置台212係藉由軸217予以支持。軸217係貫穿容器202的底部，另外在容器202的外部與升降部218相連接。在軸217的內側係設有後述之熱氣體供給管220。在本實施形態中，將緩衝構造211與基板載置台212總括稱為基板載置部。基板載置部容後詳述。 　　[0023] 在處理空間205的上部(上游側)係設有作為氣體分散機構的淋浴頭230。在淋浴頭230的蓋231設有貫穿孔231a。貫穿孔231a係與後述之氣體供給管242相連通。 　　[0024] 淋浴頭230係具備有用以使氣體分散之作為分散機構的分散板234。該分散板234的上游側為處理氣體滯留空間232，下游側為處理空間205。在分散板234設有複數貫穿孔234a。 　　[0025] 上部容器202a係具有凸緣，在凸緣上載置支持區塊233且予以固定。支持區塊233係具有凸緣233a，在凸緣233a上被載置分散板234且予以固定。此外，蓋231係被固定在支持區塊233的上面。 　　[0026] (基板載置部) 　　接著使用圖3，詳細說明基板載置部。圖3係將基板載置台212放大的說明圖。如前所述，緩衝構造211係具有凸部211a。凸部211a係支持基板外周背面200e者，例如以周狀構成。凸部211a的上端面支持基板外周背面200e，藉此在基板200與構成緩衝構造211的底面的底部211e之間構成空間211b。 　　[0027] 可以凸部211a支持，並且藉由設置空間211b，減少基板200背面與基板載置台212的接觸面積。藉此，可抑制因接觸所致之微粒發生。 　　[0028] 凸部211a係在圖案形成區域200b的背面200d側構成空間，另外以支持非接觸區域200c的背面200e的方式設定空間211b的大小。亦即，在圖案形成區域200b的背面200d係構成為不存在支持基板200的構造。 　　[0029] 在凸部211a的一部分係設有朝向側面方向而設的孔211d。孔211d係構成為貫穿凸部211a，並且以預定間隔配置複數個。空間211b的環境氣體係透過孔211d，而與比凸部211a更為外方的空間，亦即處理空間205相連通。在此係在凸部211a設置孔211d，但是若設在基板外周背面200e下方即可，若在構造上可能，亦可設在例如底部211e。 　　[0030] 在底部211e係設有熱氣體供給孔221。熱氣體供給孔211係構成熱氣體供給管220的一端。在熱氣體供給管220的另一端設有熱氣體源222。由熱氣體源222被供給的氣體為惰性氣體。惰性氣體係藉由後述之氣體加熱部225予以加熱。在本實施形態中，將經加熱的惰性氣體稱為熱氣體。 　　[0031] 在熱氣體供給管220之中，在熱氣體源222與熱氣體供給孔221之間，由上游設有閥223、質流控制器224、氣體加熱部225。閥223、質流控制器224係調整由熱氣體源222被供給的惰性氣體的流量。氣體加熱部225係將由惰性氣體源222a被輸出的惰性氣體加熱者。氣體加熱部225係至少具有：例如迷宮構造225a、及設在迷宮構造225a外周的氣體加熱構造225b。氣體加熱構造係使用例如電阻加熱。欲通過氣體加熱部225的惰性氣體係在迷宮構造225a滯留，其間藉由加熱構造225b予以加熱，藉此被加熱成所希望的溫度。 　　[0032] 惰性氣體係透過閥223、質流控制器224、氣體加熱部225而被供給至空間211b。被供給至空間211b的熱氣體係藉由對流，將基板200背面(背面200d、背面200e)加熱，之後由孔211d被排氣。 　　[0033] 其中，在本實施形態中，將氣體加熱部225、質流控制器224、閥233總括稱為熱氣體供給部。其中，亦可在熱氣體供給部增加氣體源222。 　　[0034] 在此，使用比較例，說明在存在空間211b的狀態下將背面200e加熱的理由。圖9為比較例，為不存在熱氣體供給管220，而僅具有凸部311的構造。T0 係表示基板200的面內溫度分布。若以凸部311支持，如圖9記載所示，基板200的端部(在此為背面200e)係利用藉由來自凸部311與基板200的接觸部分的熱傳導而被移動的加熱部213的熱予以加熱。基板中央(基板中央背面200d)由於遠離凸部311，因此藉由熱傳導所致之加熱效率比外周為更低。此外，當處理基板200時，由於將處理空間205形成為真空狀態，因此空間312亦同樣地成為真空狀態。因此，在空間312中不會有發生對流的情形。由於為如以上所示之加熱狀況，因此如溫度分布T0 所示，基板200的中央係比外周為溫度較低。此關係性在圖案形成區域200b中亦同，在圖案形成區域200b中亦為中央的溫度比外周為更低。亦即，在基板200的面內，發生溫度不均。 　　[0035] 另一方面，在本實施形態中，如圖4記載所示，由熱氣體供給管220對空間211b供給熱氣體。空間211b係以熱氣體環境氣體予以充滿，因此藉由由加熱部213所發生的熱的對流、與熱氣體所具有的熱能，使基板中央背面200d被加熱。在基板外周背面200e中，由於欲在氣體所接觸的部分使溫度均一，因此可維持溫度。由於可形成為如上所示之狀態，因此可將基板200的面內溫度分布如溫度分布T1 般形成為大致平坦。因此，在圖案形成區域200b中亦可將溫度分布形成為平坦。藉由形成為平坦，可將在圖案形成區域200b上所形成的膜的膜厚成為均一。 　　[0036] 再者，形成為藉由將空間211b構成在基板外周背面200e下方，熱氣體可將基板外周加熱。亦即，可將非接觸面200c加熱。除了背面200d之外，將背面200e加熱，藉此可使圖案形成區域200b的外周側亦適當地加熱。假設僅將基板中央背面200d加熱，在圖案形成區域200b與非接觸區域200c的交界線，與圖案形成區域200b的中央相比，溫度較低。因此，如本實施形態所示，不僅基板中央的背面200d，連外周的背面200e亦加熱。 　　[0037] 接著說明孔211d被設在基板外周背面200e下方的理由。如圖所示，在基板載置台210由於存在貫穿孔214，因此若考慮排出熱氣體，亦被認為以此即足夠。但是，若在基板外周背面200e下方不具孔211d，而僅有貫穿孔214的構造時，熱氣體滯留在基板外周背面200e的下方。因此，將基板外周背面200e更進一步加熱。此亦有面內的溫度控制參數增加的情形，因此用以控制溫度的工程或控制亦增加。另一方面，若如本實施形態所示在基板外周背面200e的下方設置孔211d，由於抑制熱氣體滯留，因此不會有增加溫度參數的情形。 　　[0038] (處理氣體供給部) 　　以與設在淋浴頭230之蓋231的氣體導入孔231a相連通的方式，在蓋231連接有共通氣體供給管242。在共通氣體供給管242連接有第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a。第二氣體供給管244a係與共通氣體供給管242相連接。其中，在本實施形態中，將由第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a被供給的氣體稱為處理氣體。 　　[0039] (第一氣體供給系) 　　在第一氣體供給管243a係由上游方向依序設有：第一氣體源243b、作為流量控制器(流量控制部)的質流控制器(MFC)243c、及作為開閉閥的閥243d。 　　[0040] 第一氣體源243b係含有第一元素的第一氣體(亦稱為「含第一元素氣體」)源。在此，第一元素係例如鈦(Ti)。亦即，含第一元素氣體係例如含鈦氣體。以含鈦氣體而言，可使用例如TiCl4 氣體。其中，含第一元素氣體亦可為在常溫常壓下為固體、液體、及氣體之任一者。若含第一元素氣體在常溫常壓下為液體，若在第一氣體供給源242b與質流控制器243c之間，設置未圖示之氣化器即可。在此作為氣體來進行說明。 　　[0041] 主要藉由第一氣體供給管243a、質流控制器243c、閥243d，構成第一氣體供給系243(亦稱為含鈦氣體供給系)。 　　[0042] (第二氣體供給系) 　　在第二氣體供給管244a係由上游方向依序設有：第二氣體源244b、作為流量控制器(流量控制部)的質流控制器(MFC)244c、及作為開閉閥的閥244d、遠距電漿單元244e。 　　[0043] 由第二氣體供給管244a係含有第二元素的氣體(以下為「含第二元素氣體」)透過質流控制器244c、閥244d、遠距電漿單元244e而被供給至淋浴頭230內。含第二元素氣體係藉由遠距電漿單元244e被形成為電漿狀態而被供給至基板200上。 　　[0044] 作為電漿生成部的遠距電漿單元244e係例如以ICP(電感耦合電漿，Inductive Coupling Plasma)方式生成電漿者，以線圈或匹配箱、電源等所構成。容後詳述，當含第二元素氣體通過時，以生成離子少、自由基多的電漿的方式，考慮氣體種類或壓力範圍而事前調整電源或匹配箱等。 　　[0045] 含第二元素氣體係處理氣體之一。其中，含第二元素氣體亦可考慮為反應氣體或改質氣體。因此，將第二氣體供給系亦稱為反應氣體供給系。以下針對第二氣體供給源等在名稱包含第二氣體的構成，亦可將第二氣體置換成原料氣體來稱呼。 　　[0046] 在此，含第二元素氣體係含有與第一元素不同的第二元素。以第二元素而言，例如氧(O)、氮(N)、碳(C)的任一者。在本實施形態中，含第二元素氣體係設為例如含氮氣體。具體而言，使用氨(NH3 )氣體作為含氮氣體。 　　[0047] 主要藉由第二氣體供給管244a、質流控制器244c、閥244d，構成第二氣體供給系244(亦稱為含氮氣體供給系)。 　　[0048] (第三氣體供給系) 　　在第三氣體供給管245a係由上游方向依序設有：第三氣體源245b、作為流量控制器(流量控制部)的質流控制器(MFC)245c、及作為開閉閥的閥245d。 　　[0049] 第三氣體源245b係惰性氣體的氣體源。惰性氣體係具有沖洗處理室內的環境氣體等作用。第三氣體係例如氮(N2 )氣體。 　　[0050] 主要藉由第三氣體供給管245a、質流控制器245c、閥245d，構成第三氣體供給系245。 　　[0051] 將以上說明之第一氣體供給系、第二氣體供給系之任一方、或將雙方總括者稱為處理氣體供給部。其中，亦可在處理氣體供給部包含第三氣體供給系。 　　[0052] (排氣系) 　　將容器202的環境氣體進行排氣的排氣系係具有與容器202相連接的複數排氣管。具有：與處理空間205相連接的排氣管(第1排氣管)262、及與搬送空間206相連接的排氣管(第2排氣管)261。此外，在各排氣管261、262的下游側係連接有排氣管(第3排氣管)264。 　　[0053] 排氣管261係設在搬送空間206的側方或下方。在排氣管261設有泵264(TMP。Turbo Molecular Pump，渦輪分子泵)。在排氣管261中，在泵264的上游側係設有作為搬送空間用第一排氣閥的閥265。 　　[0054] 排氣管262係設在處理空間205的側方。在排氣管262係設有將處理空間205內控制為預定壓力的壓力控制器亦即APC(AutoPressure Controller，自動壓力控制器)266。APC266係具有可調整開度的閥體(未圖示)，按照來自控制器280的指示，調整排氣管262的電導。此外，在排氣管262中，在APC266的上游側設有閥267。將排氣管262與閥267、APC266總括稱為處理室排氣系。 　　[0055] 在排氣管264設有DP(Dry Pump。乾式泵) 269。如圖所示，在排氣管264係由其上游側連接有排氣管262、排氣管261，另外在該等之下游設有DP269。DP269係透過排氣管262、排氣管261的各個，將處理空間205及搬送空間206的各個的環境氣體進行排氣。 　　[0056] (控制器) 　　接著，使用圖5，詳細說明控制器280。基板處理裝置10係具有控制基板處理裝置10之各部的動作的控制器280。 　　[0057] 將控制器280概略顯示於圖5。作為控制部(控制手段)的控制器280係構成為具備有：CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)280a、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)280b、作為記憶部的記憶裝置280c、I/O埠280d的電腦。RAM280b、記憶裝置280c、I/O埠280d係構成為可透過內部匯流排280f而與CPU280a交換資料。基板處理裝置10內的資料的傳送接收係藉由亦為CPU280a之一功能的收送訊指示部280e的指示來進行。 　　[0058] 在控制器280係構成為可連接有例如構成為觸控面板等的輸出入裝置281、或外部記憶裝置282。此外，設有透過網路連接於上位裝置270的收訊部283。 　　[0059] 記憶裝置280c係由例如快閃記憶體、HDD (Hard Disk Drive，硬碟驅動機)等所構成。在記憶裝置280c內係以可讀出的方式儲存有控制基板處理裝置的動作的控制程式、或記載有後述之基板處理的順序或條件等的製程變因(process recipe)、後述之表格等。其中，製程變因係以可使控制器280執行後述之基板處理工程中的各順序，而得預定結果的方式加以組合者，作為程式來發揮功能。以下，亦將該製程變因或控制程式等總稱而僅稱為程式。其中，在本說明書中使用程式的詞彙時，有僅包含製程變因單體的情形、僅包含控制程式單體的情形、或包含該雙方的情形。此外，RAM280b係構成為暫時保持藉由CPU280a被讀出的程式或資料等的記憶體區域(工作區)。 　　[0060] I/O埠280d係與閘閥206、升降機構218、加熱部213、惰性氣體加熱部225等基板處理裝置100的各構成相連接。 　　[0061] CPU280a係構成為：讀出來自記憶裝置280c的控制程式來執行，並且按照來自輸出入裝置281的操作指令的輸入等，由記憶裝置280c讀出製程變因。接著，CPU280a係構成為可以按照所被讀出的製程變因的內容的方式，控制閘閥206的開閉動作、升降機構218的升降動作、各泵的ON/OFF控制、質流控制器的流量調整動作、閥等。以製程變因而言，記錄對應各基板的變因(recipe)。例如，記憶在基板200上形成SiO膜的第一變因，且記憶在基板200S上形成SiN膜的第二變因。該等變因係構成為若由上位裝置等接收處理各個基板的指示時即讀出。 　　[0062] 其中，控制器280係可藉由使用儲存有上述程式的外部記憶裝置(例如硬碟等磁碟、DVD等光碟、MO等磁光碟、USB記憶體等半導體記憶體)282而在電腦安裝程式等，構成本實施形態之控制器280。其中，用以對電腦供給程式的手段並非侷限於透過外部記憶裝置282來進行供給的情形。例如，亦可使用網際網路或專用線路等通訊手段，未透過外部記憶裝置282地供給程式。其中，記憶裝置280c或外部記憶裝置282係構成為電腦可讀取記錄媒體。以下亦將該等總稱而僅稱為記錄媒體。其中，在本說明書中使用記錄媒體的詞彙時，有僅包含記憶裝置280c單體的情形、僅包含外部記憶裝置282單體的情形、或包含該雙方的情形。 　　[0063] (2)基板處理工程 　　接著，一邊參照圖6，一邊說明使用基板處理裝置100，在基板200上形成薄膜的工程。圖6係本發明之實施形態之成膜工程的流程圖。 　　[0064] 在此，說明使用TiCl4 氣體作為含第一元素氣體，使用氨(NH3 )氣體作為含第二元素氣體，在圖案形成區域200b上形成作為薄膜的氮化鈦膜之例。氮化鈦膜係作為硬遮罩來使用。 　　[0065] (S202) 　　說明基板搬入／載置工程S202。在基板處理裝置100中係使基板載置台212下降至基板200的搬送位置，藉此使升降銷207貫穿至基板載置台212的貫穿孔214。結果，形成為升降銷207以比基板載置台212表面為預定高度份突出的狀態。接著，打開閘閥206，使用未圖示之基板移載機，將基板200搬入至處理室內，且將基板200移載至升降銷207上。藉此，基板200係以水平姿勢被支持在由基板載置台212的表面突出的升降銷207上。 　　[0066] 一將基板200搬入至處理容器202內，使基板移載機退避至處理容器202之外，將閘閥206關閉而將處理容器202內密閉。之後，藉由使基板載置台212上升，在設在基板載置台212的緩衝構造211上載置基板200。此時凸部211a支持背面200e。 　　[0067] 將基板200載置於基板載置台212之上時，對被埋入在基板載置台212的內部的加熱部213供給電力。載置基板200後，由熱氣體供給管220供給熱氣體。如上所示，以基板200的表面成為預定的溫度的方式進行控制。基板200的溫度係例如室溫以上、500℃以下，較佳為室溫以上、400℃以下。此時，加熱部213的溫度係藉由根據藉由未圖示之溫度感測器被檢測到的溫度資訊，控制對加熱部213的通電情形或熱氣體的供給量來調整。 　　[0068] 之後，藉由使基板載置台212上升，使基板200上升至前述處理空間205內的處理位置(基板處理方位)。 　　[0069] 若上升至處理空間205內的處理位置，APC266係調整排氣管262的電導，控制藉由DP269所得之處理空間205的排氣流量，將處理空間205維持在預定的壓力(例如10-5 ～10-1 Pa的高真空)。 　　[0070] 此外，由熱氣體供給管220對空間211b供給熱氣體，以基板200的面內溫度成為預定溫度的方式進行控制。溫度為例如室溫以上、500℃以下，較佳為室溫以上、400℃以下。壓力考慮設為例如50～5000Pa。 　　[0071] (S204) 　　S202之後係進行S204的成膜工程。在成膜工程S204中，係按照製程變因，控制第一氣體供給系、第二氣體供給系而將各氣體供給至處理空間205，並且控制排氣系而將處理空間進行排氣，在基板200上，尤其圖案形成區域上形成硬遮罩膜。其中，在此亦可使第一氣體與第二氣體同時存在於處理空間，進行CVD處理，或交替供給第一氣體與第二氣體，來進行循環處理。 　　[0072] (S206) 　　在S206中，以與上述S202相反的順序，將處理完畢的基板200搬出至容器202之外。接著，以與S202相同的順序，接著將待機的未處理的基板200搬入至容器202內。之後，對被搬入的基板200，執行S204。 　　[0073] [第二實施形態] 　　接著使用圖7，說明第二實施形態。基板載置台212的形狀與第一實施形態不同。以下以相異處為中心來進行說明。 　　[0074] 本實施形態中之基板載置台212係除了第一實施形態的構造之外，具有分散板240。分散板240係以水平方向與基板200的背面形成並行的方式而設。例如，如圖7所示，被固定在凸部211a的側面。亦即，在垂直方向中，在凸部211a與底部211e之間設有分散板240。分散板240係具有：板241、及分散孔242。分散孔242係在板241之中，至少設在與背面200d、背面200e各個相對向的位置。分散板240係設在：在高度方向中，由基板200的下面以下方向間離預定距離的位置且比孔211d較為上方的位置。 　　[0075] 如上所示藉由設置分散板240，可使由熱氣體供給孔221被供給的熱氣體均一地衝撞背面200d與背面200e。因此，可將基板200的面內及圖案形成區域200b均一加熱。 　　[0076] 更佳為以在熱氣體供給孔221的直線上設置分散板244的板241為佳。若如上所示，熱氣體衝撞板244，在空間211b內均等擴散，因此可以均等的壓力接觸基板200的背面。因此可將基板200均一加熱。 　　[0077] 假設在直線上不存在板241，熱氣體未衝撞板而衝撞基板背面，因此有僅有該衝撞部分局部溫度上升之虞。在本實施形態中，係可藉由形成為上述構成，防止局部溫度上升。 　　[0078] [第三實施形態] 　　接著使用圖8，說明第三實施形態。基板載置台212的形狀與第一實施形態不同。以下以相異處為中心來進行說明。 　　[0079] 在本實施形態中，係在加熱部213的周圍設置惰性氣體被擴散且加熱的空間250，並且在構成空間的壁部之一亦即基板載置台212的底部212a連接惰性氣體供給孔，此外未設置氣體加熱部225，以此不同。 　　[0080] 處理基板200時，由氣體源222對空間250供給惰性氣體。所被供給的惰性氣體係在空間250內擴散，並且在加熱部213被加熱。經加熱的惰性氣體係透過分散板240的分散孔241而衝撞至基板200的背面，使基板200加熱。 　　[0081] 藉由形成為如上所示之構造，不需要如第一實施例般另外設置加熱部。因此，可廉價地製造基板處理裝置。 　　[0082] [其他實施形態] 　　以上具體說明本發明之實施形態，惟並非限定於此，可在未脫離其要旨的範圍內作各種變更。 　　[0083] 此外，例如在上述之實施形態中，係列舉在基板處理裝置所進行的成膜處理中，使用TiCl4 氣體作為含第一元素氣體，使用NH3 氣體作為含第二元素氣體，在基板200上形成作為硬遮罩的TiN膜之例，惟本發明並非限定於此。以硬遮罩而言，若為可得與基板200a的蝕刻選擇比的膜即可，亦可為例如鉻、鉬等金屬、或該等的氧化物或氮化物。 　　[0084] 此外，在本實施形態中係說明形成硬遮罩之例，惟並非侷限於此。若為形成L模板的過程中的加熱工程即可，亦可為例如用以修復L模板的構造缺損等的成膜工程。
[0085]
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧基板
200a‧‧‧玻璃基板
200b‧‧‧圖案形成區域
200c‧‧‧在玻璃基板200a的上面之中未形成有圖案形成區域200b的面(非接觸區域)
200d‧‧‧圖案形成區域200b的背面(基板中央背面)
200e‧‧‧非接觸區域200c的背面(基板外周背面)
202‧‧‧容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
205‧‧‧處理空間
206‧‧‧搬送空間
207‧‧‧升降銷
208‧‧‧分隔板
210‧‧‧基板支持部
211‧‧‧緩衝構造
211a‧‧‧凸部
211b‧‧‧空間
211d‧‧‧孔
211e‧‧‧底部
212‧‧‧基板載置台
212a‧‧‧底部
213‧‧‧加熱部
214‧‧‧貫穿孔
215‧‧‧溫度控制部
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降部
220‧‧‧熱氣體供給管
221‧‧‧熱氣體供給孔
222‧‧‧熱氣體源
222a‧‧‧惰性氣體源
223‧‧‧閥
224‧‧‧質流控制器
225‧‧‧氣體加熱部
225a‧‧‧迷宮構造
225b‧‧‧氣體加熱構造
230‧‧‧淋浴頭
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧貫穿孔
232‧‧‧處理氣體滯留空間
233‧‧‧支持區塊
233a‧‧‧凸緣
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫穿孔
240‧‧‧分散板
241‧‧‧板
242‧‧‧分散孔
242‧‧‧氣體供給管
242b‧‧‧第一氣體供給源
243‧‧‧第一氣體供給系(含鈦氣體供給系)
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧第一氣體源
243c‧‧‧質流控制器(MFC)
243d‧‧‧閥
244‧‧‧第二氣體供給系(含氮氣體供給系)
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧第二氣體源
244c‧‧‧質流控制器(MFC)
244d‧‧‧閥
244e‧‧‧遠距電漿單元
245‧‧‧第三氣體供給系
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧第三氣體源
245c‧‧‧質流控制器(MFC)
245d‧‧‧閥
250‧‧‧空間
261‧‧‧排氣管(第2排氣管)
262‧‧‧排氣管(第1排氣管)
264‧‧‧排氣管(第3排氣管)
265‧‧‧閥
266‧‧‧APC(AutoPressure Controller)
267‧‧‧閥
269‧‧‧DP(Dry Pump。乾式泵)
270‧‧‧上位裝置
280‧‧‧控制器
280a‧‧‧CPU(Central Processing Unit)
280b‧‧‧RAM(Random Access Memory)
280c‧‧‧記憶裝置
280d‧‧‧I/O埠
280e‧‧‧收送訊指示部
280f‧‧‧內部匯流排
281‧‧‧輸出入裝置
282‧‧‧外部記憶裝置
283‧‧‧收訊部
311‧‧‧凸部
312‧‧‧空間
T0‧‧‧面內溫度分布
[0010] 　　圖1係說明在本發明之實施形態中進行處理的基板的說明圖。 　　圖2係說明本發明之實施形態之基板處理裝置的說明圖。 　　圖3係說明本發明之實施形態之基板載置台的說明圖。 　　圖4係說明本發明之實施形態之基板載置台室的說明圖。 　　圖5係說明本發明之實施形態之控制器的說明圖。 　　圖6係說明本發明之實施形態之基板處理流程的說明圖。 　　圖7係說明本發明之實施形態之基板載置台的說明圖。 　　圖8係說明本發明之實施形態之基板載置台的說明圖。 　　圖9係說明本發明之比較例之基板載置台的說明圖。

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，其係具有： 　　基板載置台，其係具有：在中央具有圖案形成區域且在其外周具有非接觸區域的基板之中，支持前述非接觸區域的背面的凸部、及連同前述凸部一起構成空間的底部； 　　處理室，其係具有前述基板載置台； 　　處理氣體供給部，其係對前述處理室供給處理氣體；及 　　熱氣體供給部，其係對前述空間供給熱氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述熱氣體供給部係具有被設在前述底部的供給管，在前述供給管係設有將氣體加熱的加熱部。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述空間係至少設在前述圖案形成區域與前述非接觸區域各個的背面的下方。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，在垂直方向中，在前述凸部的上端與前述底部之間設有分散板。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，前述分散板係與前述基板並行作配置。
  6. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，在垂直方向中，在前述凸部的上端與前述底部之間設有分散板。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，前述分散板係與前述基板並行作配置。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述空間係至少設在前述圖案形成區域與前述非接觸區域各個的背面的下方。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，在垂直方向中，在前述凸部的上端與前述底部之間設有分散板。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，前述分散板係與前述基板並行作配置。
  11. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，在垂直方向中，在前述凸部的上端與前述底部之間設有分散板。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，前述分散板係與前述基板並行作配置。
  13. 一種微影用模板之製造方法，其係具有： 　　將在中央具有圖案形成區域且在其外周具有非接觸區域的基板搬入至處理室的工程； 　　在具有：支持前述非接觸區域的背面的凸部、及連同前述凸部一起構成空間的底部的基板載置台之中，在前述凸部支持前述非接觸區域的背面的工程；及 　　在對前述空間供給熱氣體的狀態下對前述處理室供給處理氣體，且處理基板的工程。
  14. 一種程式，其係藉由電腦，使基板處理裝置執行以下處理的程式： 　　將在中央具有圖案形成區域且在其外周具有非接觸區域的基板搬入至處理室的處理； 　　在具有：支持前述非接觸區域的背面的凸部、及連同前述凸部一起構成空間的底部的基板載置台之中，在前述凸部支持前述非接觸區域的背面的處理；及 　　在對前述空間供給熱氣體的狀態下對前述處理室供給處理氣體，且處理基板的處理。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6506785B2 (ja) * 2017-02-02 2019-04-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム及び基板処理装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1056054A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Fujitsu Ltd ヒータ付き基板載置台、成膜装置及びエッチング装置
JP2000034568A (ja) * 1998-07-15 2000-02-02 Shibaura Mechatronics Corp 回転基板ホルダー
US6180926B1 (en) * 1998-10-19 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Heat exchanger apparatus for a semiconductor wafer support and method of fabricating same
JP2000286267A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法
JP2001102435A (ja) * 1999-07-28 2001-04-13 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
US6634882B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
WO2002065532A1 (fr) * 2001-02-15 2002-08-22 Tokyo Electron Limited Procede de traitement de piece et dispositif de traitement
JP4961179B2 (ja) * 2006-08-08 2012-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP4478164B2 (ja) * 2007-03-12 2010-06-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写装置、スタンパおよび微細構造の製造方法
JP5247175B2 (ja) * 2008-02-06 2013-07-24 株式会社アルバック 真空処理装置
TWI498988B (zh) * 2008-02-20 2015-09-01 Tokyo Electron Ltd A gas supply device, a film forming apparatus, and a film forming method
JP5288191B2 (ja) 2009-03-17 2013-09-11 大日本印刷株式会社 基板固定装置
JP4881413B2 (ja) * 2009-09-16 2012-02-22 株式会社東芝 識別マーク付きテンプレート及びその製造方法
JP5869899B2 (ja) * 2011-04-01 2016-02-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー
JP6028384B2 (ja) * 2012-05-07 2016-11-16 大日本印刷株式会社 ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法
WO2014038667A1 (ja) * 2012-09-06 2014-03-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
JP6049485B2 (ja) * 2013-02-13 2016-12-21 新電元工業株式会社 半導体ウェーハの検査方法
KR101647877B1 (ko) * 2014-03-11 2016-08-11 세메스 주식회사 반도체 패키지들을 지지하기 위한 테이블 조립체
JP6202681B2 (ja) * 2014-03-26 2017-09-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2016063033A (ja) 2014-09-17 2016-04-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体

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