TW202020975A - 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式 - Google Patents

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Abstract

[課題] 提供一種在從基板的側方供給氣體的裝置中，可在基板的上游側及下游側實現均一的膜質之技術。 其解決手段，係具有： 基板載置部，其係具有載置基板的載置面； 處理室，其係處理前述基板； 氣體供給部，其係設在前述處理室的上游，供給氣體至前述處理室； 排氣部，其係設在前述處理室的下游，將前述處理室的氣氛排氣；及 傾斜部，其係前述處理室的一部分，在與前述基板載置面對向的位置，從前述基板載置面的上游側到下游側，連續性地被構成為前述處理室的剖面積慢慢地變小。

Description

基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式
本技術是有關基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式。
在製造半導體裝置的半導體製造裝置中，被要求生產性的提升。為了予以實現，均一地處理基板來使良品率提升。
(發明所欲解決的課題)
作為處理基板的裝置，有例如專利文獻1般，從基板側方供給氣體的裝置，或如專利文獻2般，從基板的上方供給氣體的裝置存在。
從基板的上方供給氣體的裝置時，氣體會直接衝突於基板表面。因此，例如形成膜的處理時，恐有氣體所衝突的部分的膜厚變厚等，而無法均一地處理基板面內之虞。
從側方供給氣體的裝置時，氣體不會直接衝突於基板，因此該部分變厚等的問題是不會發生。然而，氣體是從基板的上游到下游，氣體的狀態會有變化，如此一來，在基板的上游側及下游側，恐有膜質相異之虞。
於是，以提供一種在從基板的側方供給氣體的裝置中，可在基板的上游側及下游側實現均一的膜質之技術為目的。
[專利文獻1]日本特開2011-28340 [專利文獻2]日本特許5961297 (用以解決課題的手段)
提供一種具有下列構成之技術， 基板載置部，其係具有載置基板的載置面； 處理室，其係處理前述基板； 氣體供給部，其係設在前述處理室的上游，供給氣體至前述處理室； 排氣部，其係設在前述處理室的下游，將前述處理室的氣氛排氣；及 傾斜部，其係前述處理室的一部分，在與前述基板載置面對向的位置，從前述基板載置面的上游側到下游側，連續性地被構成為前述處理室的剖面積慢慢地變小。 [發明的效果]
在從基板的側方供給氣體的裝置中，可在基板的上游側及下游側實現均一的膜質。
利用圖1~圖9來說明有關供給氣體來處理基板的基板處理裝置200的一例。圖1是由橫側來看基板處理裝置200的剖面圖。圖2是在圖1的α-α線，由上來看基板處理裝置200的剖面圖。圖3是在圖1的β-β線，由上來看基板處理裝置200的剖面圖。圖4是說明基板處理裝置200的氣體流動的說明圖。圖5是基板處理裝置200的氣體流速的模擬圖。圖6是說明第一氣體供給部的說明圖。圖7是說明第二氣體供給部的說明圖。圖8是說明第三氣體供給部的說明圖。圖9是說明控制器的說明圖。
(腔室) 如圖1記載般，基板處理裝置200是具有腔室202。腔室202是構成為密閉容器。並且，腔室202是例如藉由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等的金屬材料所構成。在腔室202內是形成有處理矽晶圓等的基板100的處理空間205，及在將基板100搬送至處理空間205時基板100所通過的搬送空間206。腔室202是以上部容器202a及下部容器202b所構成。在上部容器202a與下部容器202b之間是設有隔板208。
在下部容器202b的側面是設有與閘閥149鄰接的基板搬出入口148，基板100是經由基板搬出入口148來移動於與未圖示的真空搬送室之間。在下部容器202b的底部是設有複數個昇降銷207。而且，下部容器202b是被接地。
構成處理空間205的處理室201是例如以後述的基板載置台212及頂壁230所構成。在處理空間205內是設有支撐基板100的基板載置部210。基板載置部210是主要具有載置基板100的基板載置面211，及在表面持有基板載置面211的基板載置台212，以及被內包於基板載置台212之作為加熱源的加熱器213。
在基板載置台212中，昇降銷207所貫通的貫通孔214會分別被設於與昇降銷207對應的位置。加熱器213是連接控制加熱器213的溫度的溫度控制部220。
基板載置台212是藉由桿(shaft)217來支撐。桿217的支撐部是貫通設在腔室202的底壁的孔，更經由支撐板216在腔室202的外部連接至昇降部218。藉由使昇降部218作動來使桿217及基板載置台212昇降，可使被載置於基板載置面211上的基板100昇降。另外，桿217下端部的周圍是藉由波紋管219來覆蓋。腔室202內是被保持於氣密。
昇降部218主要具有：支撐桿217的支撐軸218a，及使支撐軸218a昇降的作動部218b。
在昇降部218亦可設置用以對作動部218b指示昇降的指示部218e，作為昇降部218的一部分。指示部218e是電性連接至控制器400。指示部218e是根據控制器400的指示來控制作動部218b。作動部218是如後述般，控制成基板載置台212會移動至基板搬送場所或基板處理場所的位置。
基板載置台212是在基板100的搬送時，下降至基板載置面211會與基板搬出入口148對向的位置，在基板100的處理時，如圖1所示般，上昇至基板100成為處理空間205內的處理位置。
頂壁230是被支撐於隔板208上。頂壁230是設置具有傾斜面的傾斜部231。傾斜部231的傾斜面是被形成於與基板載置面211對向的位置。另外，傾斜部231是亦可與頂部230一體，但加工上費時費工時，亦可作為不同的零件。
在頂壁230的側面是設有第一氣體供給孔235、第二氣體供給孔236、第三氣體供給孔237。將第一氣體供給孔235、第二氣體供給孔236、第三氣體供給孔237匯集稱為氣體供給孔232。
在此是說明為將氣體供給孔232(第一氣體供給孔235、第二氣體供給孔236、第三氣體供給孔237)設於頂壁230，但可為從處理室201的側方供給氣體的構造，例如設置有別於頂壁230的構造(例如供給孔232專用的區塊)，在此形成供給孔232，或亦可形成於區塊與頂壁230之間。
如圖1所記載般，第一氣體供給孔235、第二氣體供給孔236、第三氣體供給孔237是配置於比基板載置面211更高的位置。並且，該等的供給孔是配置於同高度。另一方面，如圖2所記載般，在水平方向，第一氣體供給孔235、第二氣體供給孔236、第三氣體供給孔237是被構成為鄰接。第一氣體供給孔235是連通至後述的第一氣體供給部240(路線A)。第二氣體供給孔236是連通至第二氣體供給部250(路線B)。第三氣體供給孔237是連通至第三氣體供給部260(路線C)。
從氣體供給孔232來看，在隔著基板100來對向的位置是設有排氣流路239。排氣流路239是將處理室201的氣氛廢棄的流路，例如被形成於頂壁230與隔板208之間。排氣流路239是連通至後述的排氣管281。
由於為以上般的構成，因此氣體供給孔232是作為處理室201的上游，將排氣流路239構成為處理室201的下游。從氣體供給孔232供給的氣體是經由基板100上游側的上方領域205a、下游側的上方領域205b來移動至排氣流路239。
在此是說明為在頂壁230與隔板208之間形成排氣流路239，但只要是可將處理室201的氣氛排氣的構造即可，例如設置有別於頂壁230的構造(例如排氣流路239專用的區塊)，在此形成排氣流路239，或亦可形成於區塊與頂壁230之間。
傾斜部231的傾斜面是傾斜為從基板載置面211的上游側到下游側，與基板載置面211的距離慢慢地變小。具體而言，傾斜部231的傾斜面是被構成為慢慢地下降。亦即，被連續性地構成為處理空間205的剖面積會慢慢地變小。
由於剖面積與流速是成反比例，所以隨著剖面積變小，氣體流動會變快。因此，越朝向下游，氣體流動會越變快。在圖5顯示氣體流速的模擬。在此是越黑，氣體流動越慢，越白，氣體流動越快。若根據模擬結果，則可知在氣體供給孔232的附近、氣體排氣孔的附近是氣體流動快。
傾斜部231的傾斜面是以無凹凸或孔的連續的形狀所構成。藉由設為如此的構造，即使從氣體供給孔232供給的氣體衝突於傾斜部231的傾斜面，也可抑制亂流的發生。
假定設有凹凸或孔的情況，氣體會衝突於凸構造，或衝突於孔的角部，而發生亂流。因為氣體的亂流，在基板100上被供給非意圖的不均的密度的氣體。例如，氣體會集中於凸構造或孔的下方，在凹構造的下方是氣體會比凸構造或孔的下方少。
說明將氣體供給孔232配置於比基板載置台212高的位置的理由。假定氣體供給孔232與被載置於基板載置台212上的基板100為同高度的情況，被供給的氣體是衝突於基板100的側面，產生氣體的亂流。該情況，氣體會集中於衝突的部分，有僅該部分膜厚變厚等的問題。相對於此，若將氣體供給孔232形成比基板100更高的位置，則氣體不會衝突於側面，因此亂流不會產生，所以可均一地處理基板面內。
而且，從第二氣體供給部250供給電漿狀的氣體時，如圖4所示般，最好以從氣體供給孔232供給的氣體的主流221(點線箭號)的著地點222會成為基板100的面內之方式設定氣體供給孔232的高度。有關於此，利用圖4來說明。圖4是將圖1簡略化的圖面，說明氣體的流動的圖。在此，所謂氣體的主流是意指相較於其他，氣體的電漿密度高的流動。
另外，著地點222的上游側領域223是電漿會藉由氣體的擴散來供給至基板上。如圖5所示般，在上游側領域223是氣體流動沒那麼快，因此在基板100的上游側邊緣也可供給氣體的成分。
由於如此主流的著地點位於基板上，因此電漿所流動的距離是成為離著地點的距離，相較於從基板100的側方供給電漿，可縮短距離。因此，即使是短時間失活之類的電漿也可使用於基板處理。
(供給部) 如圖1、圖2所示般，在頂壁230是設有供給原料氣體的第一氣體供給孔235、供給反應氣體的第二氣體供給孔236及供給淨化氣體的第三氣體供給孔237。如後述般，反應氣體是與原料氣體反應的氣體。第一氣體供給孔235也稱為原料氣體供給孔，第二氣體供給孔236也稱為反應氣體供給孔，第三氣體供給孔237也稱為淨化氣體供給孔。
第一氣體供給孔235是被構成為與第一氣體供給部240的一部分之氣體供給管241連通。氣體供給管241是被固定於上部容器202a。
第二氣體供給孔236是被構成為與第二氣體供給部250的一部分之氣體供給管251連通。氣體供給管251是被固定於上部容器202a。
第三氣體供給孔237是被構成為與第三氣體供給部260的一部分之氣體供給管261連通。氣體供給管261是被固定於上部容器202a。
在圖1、圖2記載的「A」是對應於圖6記載的「A」。「B」是對應於圖7記載的「B」。「C」是對應於圖8記載的「C」。
(第一氣體供給部) 接著，利用圖6來說明第一氣體供給部240的詳細。
從氣體供給管241是主要供給含第一元素氣體。 在氣體供給管241是從上游方向依序設有第一氣體供給源242、流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC) 243、及開閉閥的閥244。
從氣體供給管241經由氣體供給管241，含有第一元素的氣體(以下稱為「含第一元素氣體」)會經由MFC243、閥244、氣體供給管241來供給至處理室201。
含第一元素氣體是原料氣體，亦即處理氣體之一。在此，第一元素是例如鈦(Ti)。亦即，含第一元素氣體是例如含Ti氣體。具體而言，含鈦氣體可使用四氯化鈦(TiCl4 )氣體。
含第一元素氣體在常溫常壓下液體時，只要在第一氣體供給源242與MFC243之間設置未圖示的氣化器即可。在此是作為氣體說明。
主要藉由氣體供給管241、MFC243、閥244來構成第一氣體供給部240。更亦可思考將第一氣體供給源242含在第一氣體供給部240。第一氣體供給部240是供給原料氣體的構成，因此也稱為原料氣體供給部。
(第二氣體供給部) 接著，利用圖7來說明第二氣體供給部250。 在氣體供給管251是從上游方向依序設有反應氣體供給源252、流量控制器(流量控制部)的MFC253、電漿產生部的遠程電漿單元(RPU; Remote Plasma Unit)255、閥256。
然後，從氣體供給管251是反應氣體會經由MFC253、RPU255來供給至處理空間205內。反應氣體是藉由RPU255來形成電漿狀態。RPU255是藉由電漿控制部254來控制。
反應氣體是處理氣體之一，例如含氮氣體。含氮氣體是例如可使用氨(NH3 )氣體。反應氣體是與原料氣體的成分反應的氣體。
另外，在本技術中，由於不存在專利文獻2記載的分散板，因此不會有電漿衝突於分散板而失活的情形供給至基板100上。
主要以氣體供給管251、MFC253、閥256、RPU255來構成第二氣體供給部250。更亦可將反應氣體供給源252、電漿控制部254含在第二氣體供給部250。由於第二氣體供給部250是供給反應氣體的構成，因此也稱為反應氣體供給部。
(第三氣體供給部) 接著，利用圖8來說明第三氣體供給部260。 在氣體供給管261是從上游方向依序設有淨化氣體供給源262、MFC263、及開閉閥的閥264。
淨化氣體是在後述的淨化工程，淨化處理空間205的氣氛者。例如可使用氮氣體。
主要藉由氣體供給管261、MFC263、閥264來構成第三氣體供給部260。更亦可思考將淨化氣體供給源262含在淨化氣體供給部260。由於第三氣體供給部260是供給淨化氣體的構成，因此也稱為淨化氣體供給部。
(排氣部) 利用圖1說明。將處理室201的氣氛排氣的排氣部280是具有連通至排氣流路239的排氣管281。在排氣管281是設有將處理空間205內控制成預定的壓力的壓力控制器之APC(AutoPressure Controller)282、計測處理空間205的壓力之壓力檢測部283。APC282是具有可調整開度的閥體(未圖示)，按照來自後述的控制器400的指示來調整排氣管281的傳導(conductance)。並且，在排氣管281中在APC282的上游側是設有閥284。而且，在APC282的下游連接旁通管273。將排氣管281與閥284、APC282匯集稱為排氣部280。更亦可將壓力檢測部283含在排氣部280。
在排氣管281的下游側是設有泵285。泵285是經由排氣管281來將處理室201內的氣氛排氣。
(控制器) 基板處理裝置200是可具有控制基板處理裝置200的各部的動作的控制器400。控制器400是如圖9記載般，至少具有運算部(CPU)401、一時記憶部402、記憶部403、發送接收訊號部404。控制器400是經由發送接收訊號部404來連接至基板處理裝置200的各構成，按照上位控制器或使用者的指示來從記憶部402叫出程式或處方，按照其內容來控制各構成的動作。另外，控制器400是亦可構成為專用的電腦，或亦可構成為泛用的電腦。例如，準備儲存了上述的程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等的磁碟，CD或DVD等的光碟，MO等的光磁碟，USB記憶體(USB Flash Drive)或記憶卡等的半導體記憶體)412，利用外部記憶裝置412來將程式安裝於泛用的電腦，藉此可構成本實施形態的控制器400。並且，用以將程式供給至電腦的手段是不限於經由外部記憶裝置412來供給的情況。例如，亦可使用網際網路或專用線路等的通訊手段，或亦可從上位裝置420經由發送接收訊號部411來接收資訊，不經由外部記憶裝置412來供給程式。又，亦可利用鍵盤或觸控面板等的輸出入裝置413來對控制器400進行指示。
另外，記憶部402或外部記憶裝置412是構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦可將該等總稱為記錄媒體。另外，在本說明書中使用稱為記錄媒體的言辭時，有只包含記憶部402單體時，只包含外部記憶裝置412單體時，或包含其雙方時。
(基板處理工程) 利用圖10~圖12來說明有關使用基板處理裝置200的基板處理工程。圖10是基板處理的流程，圖11、圖12是說明被形成於基板100上的膜的狀態的說明圖。圖13是比較例。
進行本基板處理工程，在基板上形成薄膜。另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置200的各部的動作是藉由控制器400來控制。
(基板搬入工程) 說明基板搬入工程。在圖10中是省略本工程的說明。在基板處理裝置200是藉由使基板載置台212下降至基板100的搬送位置(搬送場所)，使昇降銷207貫通於基板載置台212的貫通孔214。其結果，昇降銷207會成為比基板載置台212表面更只突出預定的高度部分的狀態。接著，開啟閘閥149來使搬送空間206與真空搬送室(未圖示)連通。然後，從此移載室，利用基板移載機(未圖示)來將基板100搬入至搬送空間206，將基板100移載於昇降銷207上。藉此，基板100是在從基板載置台212的表面突出的昇降銷207上以水平姿勢支撐。
一旦將基板100搬入至腔室202內，則使基板移載機退避至腔室202外，關閉閘閥149將腔室202內密閉。然後，藉由使基板載置台212上昇，使基板100載置於基板載置面211上，更藉由使基板載置台212上昇，使基板100上昇至前述的處理空間205內的處理位置(基板處理場所)。
基板100被搬入至搬送空間206之後，開啟閥284，使處理空間205與APC282之間連通。APC282是藉由調整排氣管281的傳導，控制泵285之處理空間205的排氣流量，將處理空間205維持於預定的壓力(例如10-5 ~10-1 Pa的高真空)。
並且，將基板100載置於基板載置台212上時，對被埋入於基板載置台212的內部之加熱器213供給電力，控制成基板100的表面會成為預定的溫度。基板100的溫度是例如室溫以上，800℃以下，理想是室溫以上，500℃以下。此時，加熱器213的溫度是控制器400會根據藉由未圖示的溫度感測器所檢測出的溫度資訊來抽出控制値，藉由溫度控制部220來控制往加熱器213的通電情況，藉此調整。
將基板100昇溫至基板處理溫度之後，一面將基板100保持於預定溫度，一面進行伴隨加熱處理的以下的基板處理。亦即，從各氣體供給管供給處理氣體至腔室202內，處理基板100。
以下，說明有關使用四氯化鈦(TiCl4 )氣體作為第一處理氣體，使用氨(NH3 )氣體作為第二處理氣體，在基板100上形成氮化鈦膜作為薄膜的例子。在此，進行重複交替供給不同的處理氣體的工程之交替供給處理。
(第一處理氣體供給工程S202) 接著，說明第一處理氣體供給工程S202。一旦基板載置台212如圖1般移動至基板處理場所，則經由排氣管281來從處理室201將氣氛排氣，調整處理室201內的壓力。一面調整成預定的壓力，一面基板100的溫度會加熱成預定的溫度，例如500℃~600℃。
接著，說明氣體供給部的動作。 在第一氣體供給部240中，將閥244開啟，且以MFC243來調整處理氣體的流量。藉由如此的動作，從氣體供給管241供給處理氣體至處理室201，例如供給TiCl4 氣體至處理室201。在基板100上，如圖11記載般，在基板100上形成有含鈦層。含鈦層是從基板100的上游部100a形成到下游部100b。
另外，所謂上游部100a是表示基板100之中氣體供給孔232側，所謂下游部100b是表示排氣流路239側。
一旦經過預定時間，則將閥244關閉，而停止TiCl4 氣體的供給。
(淨化工程S204) 接著，說明淨化工程S204。停止TiCl4 氣體的供給之後，從第三氣體供給部260供給淨化氣體，淨化處理室201內的氣氛。在此，將閥244及閥256關閉，且將閥264開啟。
處理室201是藉由APC282來控制處理室201的壓力成為預定壓力。藉此，在第一處理氣體供給工程S202無法結合於基板100的TiCl4 氣體是藉由泵285來經由排氣管281從處理室201除去。
在淨化工程S204中，為了排除無法附著於基板100或殘留於處理室201的TiCl4 氣體，而供給大量的淨化氣體來提高排氣效率。
一旦經過預定時間，則將閥264關閉，結束淨化處理。
(第二處理氣體供給工程S206) 接著，說明第二處理氣體供給工程S206。首先，電漿控制部254是設定為供給電力至RPU255，將通過RPU255內的氣體形成電漿狀態。至電力的供給安定為止花費時間時，亦可與前的工程(例如淨化工程S204)並行進行。
一旦處理室201的氣氛的淨化完了，則進行第二處理氣體供給工程S206。在第二氣體供給部250中，將閥256開啟，經由RPU255來供給含第二元素氣體的NH3 氣體作為第二處理氣體至處理室201內。此時，以NH3 氣體的流量成為預定流量的方式，調整MFC253。NH3 氣體的供給流量是例如1000~10000sccm。
在RPU255成為電漿狀態的NH3 氣體是經由氣體供給孔236來供給至處理室201內。被供給的NH3 氣體是與基板100上的含鈦層反應。然後，已被形成的含鈦層會藉由NH3 氣體的電漿來改質。藉此，在基板100上是形成例如含有鈦元素及氮元素的層之氮化鈦層(TiN層)。
其次，利用圖13來說明比較例的基板100上的狀態。比較例的頂壁230不是傾斜面，具有與基板100平行的平行面238。
在本工程供給NH3 氣體時，NH3 氣體是被分解，與基板表面的TiCl4 成分反應，形成TiN。此時，產生HCl作為副生成物。
在上游部100a產生的副生成物HCl是流至下游部100b的方向。在下游部100b也產生副生成物HCl，更在上游部100a產生的HCl會流來下游部100b。
於是，如圖11記載般，副生成物HCl是下游部100b上方比上游部100a上方更多滯留。如此，HCl的量變多，因此HCl的一部分附著於基板100表面的TiCl4 。由於附著的HCl是位於NH3 氣體與TiCl4 之間，因此妨礙NH3 氣體結合於TiCl4 。
本工程是以在下游部100b也如上游部100a般氨與TiCl4 會反應而形成TiN為目的，但比較例的構造的情況，如前述般在下游部100b上方，由於在TiCl4 的一部分是附著有HCl，所以NH3 氣體無法與TiCl4 結合。因此，在下游部是產生未形成TiN的部分。亦即，在基板100的上游及下游產生膜質的偏差。
相對於此，因為本技術是具有持有傾斜面的傾斜部，所以如前述般越朝向下游，氣體流動會越變快。因此，在上游部100a或下游部100b產生的副生成物HCl不會有在下游部100b上方滯留的情形，會被排氣。
由於副生成物未滯留，所以在下游部100b上方也無妨礙氨氣體與TiCl4 的反應。因此，在下游部100b也可形成TiN層。如此，在基板100的上游側、下游側，將膜質均一化。
從開始NH3 氣體的供給之後經過預定時間後，關閉閥256，停止NH3 氣體的供給。NH3 氣體的供給時間是例如2~20秒。
(淨化工程S208) 接著，說明淨化工程S208。停止NH3 氣體的供給之後，實行與上述的淨化工程S204同樣的淨化工程S208。淨化工程S208的各部的動作是與上述的淨化工程S204同樣，因此省略在此的說明。
(判定工程S210) 接著，說明判定工程S210。以第一處理氣體供給工程S202、淨化工程S204、第二處理氣體供給工程S206、淨化工程S208作為1循環，控制器400判定是否將此循環實施了預定次數(n循環)。若將循環實施了預定次數，則在基板100上是所望膜厚的TiN層會在基板面內均一地形成。實施了預定次數時(在S210，Yes的情況)，結束圖5所示的處理。
(基板搬出工程) 接著說明基板搬出工程。一旦形成所望的膜厚的TiN層，則使基板載置台212下降，將基板100移動至搬送場所。然後，開啟閘閥149，利用機械手臂(未圖示)來將基板100搬出至腔室202外。
另外，在上述的實施形態中，說明有關使用含鈦氣體作為含第一元素氣體，使用含氮氣體作為含第二元素氣體的情況，但不限於此，亦可使用含金屬氣體或含氧氣體。
又，若該等的氣體為熱分解容易的氣體，則具有更顯著的效果。所謂熱分解容易的氣體是例如矽烷(SiH4 )。SiH4 氣體是作為含第一元素氣體使用。
使用熱分解容易的氣體時，藉由具有傾斜面，具有其次的效果。 熱分解容易的氣體是到達熱分解溫度之後慢慢地開始分解。這是因為熱浸透至氣體全體費時。例如，通過接近加熱器的位置的氣體是提前開始，通過離加熱器遠的位置的氣體是分解的開始慢。由於為如此的狀態，因此為了使氣體全體分解，需要預定時間。
可是，將流速設定成為了從上游部100a移動至下游部100b而經過預定時間以上時，由於在上游部是未經過預定時間，所以氣體的分解量少，在下游部是經過預定時間，所以氣體的分解量多。
如此在下游部100b被分解的氣體的成分多時，下游部100b上的膜厚會比上游部100b上的膜厚更厚等，膜質在上游及下游產生偏差。
相對於此，若設置具有傾斜面的傾斜部231，則由於在下游側可加快熱分解容易的氣體流動，因此可在預定時間經過之前排氣。亦即，在下游側是可在氣體全體分解之前排氣。因此，可在上游及下游將膜質均一化。
又，雖舉N2 氣體為例作為惰性氣體說明，但不限於此，只要是不與處理氣體反應的氣體即可。例如可使用氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等的稀有氣體。
100:基板 200:基板處理裝置
圖1是說明基板處理裝置的說明圖。 圖2是說明基板處理裝置的說明圖。 圖3是說明基板處理裝置的說明圖。 圖4是說明氣體的流動的說明圖。 圖5是氣體的流速的模擬圖。 圖6是說明第一氣體供給部的說明圖。 圖7是說明第二氣體供給部的說明圖。 圖8是說明第三氣體供給部的說明圖。 圖9是說明基板處理裝置的控制器的說明圖。 圖10是說明基板處理流程的說明圖。 圖11是說明基板的處理狀態的說明圖。 圖12是說明基板的處理狀態的說明圖。 圖13是說明比較例的基板的處理狀態的說明圖。
100:基板
148:基板搬出入口
149:閘閥
200:基板處理裝置
201:處理室
202:腔室
202a:上部容器
202b:下部容器
205:處理空間
205a:上方領域
205b:上方領域
206:搬送空間
207:昇降銷
208:隔板
210:基板載置部
211:基板載置面
212:基板載置台
213:加熱器
214:貫通孔
216:支撐板
217:桿
218:昇降部
218a:支撐軸
218b:作動部
218e:指示部
219:波紋管
220:溫度控制部
221:主流
230:頂壁
231:傾斜部
232:氣體供給孔
235:第一氣體供給孔
236:第二氣體供給孔
237:第三氣體供給孔
239:排氣流路
280:排氣部
281:排氣管
282:APC
283:壓力檢測部
284:閥
285:泵
400:控制器

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具有： 基板載置部，其係具有載置基板的載置面； 處理室，其係處理前述基板； 氣體供給部，其係設在前述處理室的上游，供給氣體至前述處理室； 排氣部，其係設在前述處理室的下游，將前述處理室的氣氛排氣；及 傾斜部，其係前述處理室的一部分，在與前述基板載置面對向的位置，從前述基板載置面的上游側到下游側，無凹凸或孔，連續性地被構成為前述處理室的剖面積慢慢地變小。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部的供給孔的高度位置，係被構成為比前述基板載置部更高。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係具有： 從前述基板的側方供給原料氣體之原料氣體供給部；及 從前述基板的側方供給與前述原料氣體反應的反應氣體之反應氣體供給部。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係被構成為氣體的主流的著地點會被設定在前述基板的面內。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述反應氣體係以電漿狀態來供給至前述基板上，從前述著地點到前述基板的下游端部的距離，係被構成為前述電漿不失活的距離。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，前述原料氣體為熱分解容易的氣體， 在前述載置部係加熱前述基板的加熱器會沿著前述基板載置面而設。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係被構成為氣體的主流的著地點會被設定在前述基板的面內。
  8. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述原料氣體為熱分解容易的氣體， 在前述載置部係加熱前述基板的加熱器會沿著前述基板載置面而設。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係被構成為氣體的主流的著地點會被設定在前述基板的面內。
  10. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係被構成為氣體的主流的著地點會被設定在前述基板的面內。
  11. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係具有： 從前述基板的側方供給原料氣體之原料氣體供給部；及 從前述基板的側方供給與前述原料氣體反應的反應氣體之反應氣體供給部。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係被構成為氣體的主流的著地點會被設定在前述基板的面內。
  13. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，前述反應氣體係以電漿狀態來供給至前述基板上，從前述著地點到前述基板的下游端部的距離，係被構成為前述電漿不失活的距離。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，前述原料氣體為熱分解容易的氣體， 在前述載置部係加熱前述基板的加熱器會沿著前述基板載置面而設。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係被構成為氣體的主流的著地點會被設定在前述基板的面內。
  16. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，前述原料氣體為熱分解容易的氣體， 在前述載置部係加熱前述基板的加熱器會沿著前述基板載置面而設。
  17. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，前述原料氣體為熱分解容易的氣體， 在前述載置部係加熱前述基板的加熱器會沿著前述基板載置面而設。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係被構成為氣體的主流的著地點會被設定在前述基板的面內。
  19. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述氣體供給部，係被構成為氣體的主流的著地點會被設定在前述基板的面內。
  20. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有： 將基板搬入至處理室而載置於基板載置部所具有的基板載置面之工程；及 一面被設在以傾斜部作為一部分的前述處理室的上游的氣體供給部會供給氣體至前述處理室，一面被設在前述處理室的下游的排氣部會將前述處理室的氣氛排氣，而進行前述基板之工程，該傾斜部係在與前述基板載置面對向的位置，從前述基板載置面的上游側到下游側，無凹凸或孔，連續性地被構成為前述處理室的剖面積慢慢地變小。
  21. 一種程式，其特徵為藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置， 將基板搬入至處理室而載置於基板載置部所具有的基板載置面之程序；及 一面被設在以傾斜部作為一部分的前述處理室的上游的氣體供給部會供給氣體至前述處理室，一面被設在前述處理室的下游的排氣部會將前述處理室的氣氛排氣，而進行前述基板之工程，該傾斜部係在與前述基板載置面對向的位置，從前述基板載置面的上游側到下游側，無凹凸或孔，連續性地被構成為前述處理室的剖面積慢慢地變小。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI804993B (zh) * 2020-09-23 2023-06-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0860369A (ja) * 1994-08-17 1996-03-05 Nissin Electric Co Ltd 化学気相成長装置
JP4192148B2 (ja) * 2002-06-10 2008-12-03 東京エレクトロン株式会社 原子層堆積法処理装置
JP2011028340A (ja) 2009-07-21 2011-02-10 Osaka Univ 磁性演算素子
JP2011192945A (ja) * 2010-03-17 2011-09-29 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP5961297B1 (ja) 2015-03-26 2016-08-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI804993B (zh) * 2020-09-23 2023-06-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式

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