TW202214047A - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 Download PDF

Info

Publication number
TW202214047A
TW202214047A TW110108230A TW110108230A TW202214047A TW 202214047 A TW202214047 A TW 202214047A TW 110108230 A TW110108230 A TW 110108230A TW 110108230 A TW110108230 A TW 110108230A TW 202214047 A TW202214047 A TW 202214047A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
inert gas
pipe
gas
pressure
processing
Prior art date
Application number
TW110108230A
Other languages
English (en)
Inventor
八幡橘
大橋直史
高崎唯史
Original Assignee
日商國際電氣股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商國際電氣股份有限公司 filed Critical 日商國際電氣股份有限公司
Publication of TW202214047A publication Critical patent/TW202214047A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本發明之課題，在於提供在具備有複數個處理室之情形時，可維持高生產性的技術。 本發明提供一種構成，其具備有：複數個處理室，其等對基板進行處理；氣體供給部，其進行朝向處理室地氣體供給；複數個處理室排氣管，其等個別地被連接於複數個處理室之各者；共用氣體排氣管，其被配設為使各處理室排氣管匯流於複數個處理室排氣管的下游側；壓力檢測部，其對處理室排氣管之壓力的狀態進行檢測；及惰性氣體供給管，其個別地連接於複數個處理室排氣管之各者，對該處理室排氣管的管內供給惰性氣體。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
本發明係關於基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式。
作為半導體裝置之製程所使用的基板處理裝置，例如有具備複數個對基板進行處理的處理室，而在各處理室共用排氣系統者。具體而言，存在有被構成為如下者：於複數個處理室之各者連接有排氣管，而且各排氣管在其下游處匯流(例如，參照專利文獻1)。於如此之構成的基板處理裝置中，藉由在各處理室對基板進行相同的處理，可提升生產性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5947435號公報
(發明所欲解決之問題)
於複數個處理室中，存在有因所使用之零件的加工精度或組裝精度等問題，而發生處理性能不均的情形。處理性能的不均，由於會導致在各處理室之處理結果的不均，因此存在對基板進行處理的良率會降低而成為生產性提升之妨礙的可能性。
本發明的目的，在於提供在具備複數個處理室之情形時，可維持高生產性的技術。 (解決問題之技術手段)
根據本發明一態樣所提供的技術，係具備有： 複數個處理室，其係對基板進行處理； 氣體供給部，其係對上述處理室實施氣體供給； 複數個處理室排氣管，其係分別個別連接於上述複數個處理室； 共用氣體排氣管，其係配設成使各處理室排氣管在上述複數個處理室排氣管下游匯流狀態； 壓力檢測部，其係檢測上述處理室排氣管的壓力狀態；以及 惰性氣體供給管，其係分別個別連接於上述複數個處理室排氣管，且朝該處理室排氣管的管內供給惰性氣體。 (對照先前技術之功效)
根據本發明的技術，於具備複數個處理室之情形時，可維持高生產性。
以下對本發明的實施形態進行說明。
＜第一實施形態＞ 首先。參照圖式對本發明第一實施形態進行說明。
(1)基板處理裝置之構成 圖1係第一實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。 如圖1所示，基板處理裝置10被構成為主要具備有：製程模組110、以及被連接於製程模組110的氣體供給部及氣體排氣部。
(製程模組) 製程模組110具有用以對基板200進行既定處理的腔室100。腔室100包含有：腔室100a及腔室100b。亦即，製程模組110具有複數個腔室100a、100b。在各腔室100a、100b之間設有間隔壁150，而被構成為各個腔室100a、100b內的環境氣體不會相混。關於腔室100的詳細構造將於後述之。
作為處理對象的基板200，例如可列舉由半導體積體電路裝置(半導體裝置)所構建的半導體晶圓基板(以下亦簡稱為「晶圓」)。再者，關於作為處理對象的基板200，對於後述之虛擬基板，亦可稱為「產品基板」。
(氣體供給部) 於製程模組110連接有對各腔室100a、100b之各者供給處理氣體等的氣體供給部。氣體供給部具有第1氣體供給部(處理氣體供給部)、第2氣體供給部(反應氣體供給部)、及第3氣體供給部(第1惰性氣體供給部)。又，除該等之外，亦設有第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)。以下，對各氣體供給部的構成進行說明。
(第1氣體供給部) 於各腔室100a、100b連接有第1處理氣體供給管111a、111b，而且於第1處理氣體供給管111a、111b連接有第1處理氣體共用供給管112。在第1處理氣體共用供給管112的上游側配設有第1處理氣體源113。在第1處理氣體源113與腔室100a、100b之間，從上游側起分別依序設有MFC(質量流量控制器)115a、115b、及處理室側閥116a、116b。第1氣體供給部(處理氣體供給部)係由該等第1處理氣體共用供給管112、MFC 115a、115b、處理室側閥116a、116b、及作為第1氣體供給管之第1處理氣體供給管111a、111b所構成。再者，亦可構成為第1處理氣體源113包含於第1氣體供給部中。
處理氣體之一即作為第1處理氣體的原料氣體係從第1處理氣體源113被供給。此處，第1元素例如為矽(Si)。亦即，原料氣體例如為含矽氣體。具體而言，含矽氣體可使用二氯矽烷(SiH 2Cl 2，以下亦稱DCS)氣體。
(第2氣體供給部) 於各腔室100a、100b連接有第2處理氣體供給管121a、121b，而且於第2處理氣體供給管121a、121b連接有第2處理氣體共用供給管122。在第2處理氣體共用供給管122的上游側配設有第2處理氣體源123。在第2處理氣體源123與腔室100a、100b之間，從上游側起分別依序設有MFC 125a、125b、作為活化部之RPU(遠端電漿單元)124a、124b、及處理室側閥126a、126b。亦可取代RPU 124a、124b，而在第2處理氣體共用供給管122上設置RPU 124。第2氣體供給部(反應氣體供給部)係藉由該等RPU 124、124a、124b、MFC 125a、125b、處理室側閥126a、126b、第2處理氣體共用供給管122、及作為第2氣體供給管之第2處理氣體供給管121a、121b所構成。再者，亦可構成為第2處理氣體源123包含於第2氣體供給部中。
處理氣體之一即作為第2處理氣體的反應氣體係從第2處理氣體源123被供給。反應氣體例如為含氧氣體。具體而言，作為含氧氣體可使用例如氧(O 2)氣體。
(第3氣體供給部) 於第1處理氣體供給管111a、111b及第2處理氣體供給管121a、121b，連接有第1惰性氣體供給管131a、131b。又，於第1惰性氣體供給管131a、131b連接有第1惰性氣體共用供給管132。在第1惰性氣體共用供給管132的上游側配設有第1惰性氣體(沖洗氣體)源133。在第1惰性氣體源133與腔室100a、100b之間，從上游側起分別依序設有MFC 135a、135b、處理室側閥136a、136b、及閥176a、176b、186a、186b。第3氣體供給部(第1惰性氣體供給部)係由該等MFC 135a、135b、處理室側閥136a、136b、閥176a、176b、186a、186b、第1惰性氣體共用供給管132、及第1惰性氣體供給管131a、131b所構成。再者，亦可構成為第1惰性氣體源133包含於第3氣體供給部中。又，亦可構成為根據被設於基板處理裝置10之製程模組的數量，使相同的構成增減。
惰性氣體(沖洗氣體)係從第1惰性氣體源133被供給。作為惰性氣體，例如使用氮(N 2)氣體。
(第4氣體供給部) 於後述之氣體排氣部的排氣管224、226連接有第2惰性氣體供給管141a、141b，而且於第2惰性氣體供給管141a、141b連接有第2惰性氣體共用供給管142。在第2惰性氣體共用供給管142的上游側配設有第2惰性氣體源143。在第2惰性氣體源143與排氣管224、226之間，從上游側起依序分別設有MFC 145a、145b、及閥146a、146b。第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)係藉由該等MFC 145a、145b、閥146a、146b、第2惰性氣體共用供給管142、及第2惰性氣體供給管141a、141b所構成。再者，亦可構成威第2惰性氣體源143包含於第4氣體供給部中。
惰性氣體係從第2惰性氣體源143被供給。惰性氣體例如可使用氮(N 2)氣體。再者，此處雖將第3氣體供給部與第4氣體供給部的氣體源個別地加以構成，但亦可構成為加以整合而僅設置1個。
(氣體排氣部) 於製程模組110連接有分別將腔室100a內的環境氣體與腔室100b內的環境氣體加以排氣的氣體排氣部。具體而言，於腔室100a連接有處理室排氣管224，而於腔室100b連接有處理室排氣管226。亦即，複數個處理室排氣管224、226個別地連接於複數個腔室100a之各者。然後，於處理室排氣管224、226連接有共用氣體排氣管225。亦即，在處理室排氣管224、226的下游測，以使各處理室排氣管224、226匯流的方式配設有共用氣體排氣管225。藉此，處理室排氣管224與處理室排氣管226藉由下游端的匯流部230所匯流，而且被連接於共用氣體排氣管225。
在共用氣體排氣管225的下游側配設有排氣泵223。在排氣泵223與腔室100a、100b之間，從下游側起分別依序設有APC(Auto Pressure Controller，壓力自動控制器)222、閥221、以及閥228a、228b。氣體排氣部係藉由該等APC 222、閥221、閥228a、228b、處理室排氣管224、226、及共用氣體排氣管225所構成。如此，腔室100a內環境氣體與腔室100b內的環境氣體，排氣係藉由1個排氣泵223所進行。
在處理室排氣管224設有壓力檢測部227a。壓力檢測部227a係檢測處理室排氣管224內的壓力者，可構成為例如使用壓力感測器。處理室排氣管224中，在壓力檢測部227a的上游側連接有第2惰性氣體供給管141a。 又，在處理室排氣管226設有壓力檢測部227b。壓力檢測部227b係檢測處理室排氣管226內的壓力者，可構成為例如使用壓力感測器。在處理室排氣管226中，於壓力檢測部227b的上游側連接有第2惰性氣體供給管141b。 亦可將壓力檢測部227a、227b之任一者或其組合稱為排氣管壓力檢測部。
處理室排氣管224被構成為具有沿著在設置有基板處理裝置10之狀態之縱向被配設的縱配管224a、及同樣地沿著橫向被配設的橫配管224b。此處所謂的縱向，係指垂直(鉛直)方向、或從垂直方向僅傾斜既定之容許傾斜角之量的方向。又，所謂橫向係指水平方向、或從水平方向僅傾斜既定之容許傾斜角之量的方向。 縱配管224a的長度係設為自第2惰性氣體供給管141a所供給的惰性氣體不會對後述之處理空間305之環境氣體造成影響的距離。藉由設為如此之構成，便不會對處理空間305的處理條件(例如處理空間305的壓力)造成影響。 惰性氣體供給管141a被連接於橫配管224b。藉此，壓力檢測部227a在橫配管224b中則被設置於第2惰性氣體供給管141a與匯流部230之間。
處理室排氣管226被構成為具有沿著在設置有基板處理裝置10之狀態之縱向被配設的縱配管226a、及同樣地沿著橫向被配設的橫配管226b。關於縱向與橫向係如上所述。 縱配管226a的長度係設為，從第2惰性氣體供給管141b所供給的惰性氣體不會對後述之處理空間305之環境氣體造成影響的距離。藉由如此之構成，便不會對處理空間305的處理條件(例如處理空間305的壓力)造成影響。 惰性氣體供給管141b被連接於橫配管226b。藉此，壓力檢測部227b便成為在橫配管226b中被設置於第2惰性氣體供給管141b與匯流部230之間。
藉由各壓力檢測部227a、227b被設置於第2惰性氣體供給管141a、141b與匯流部230之間的構成，可導出以下的效果。 其一，針對從第2惰性氣體供給管141a、141b被供給的惰性氣體、及藉由處理室排氣管224、226而從處理空間305被排氣的處理氣體，可對各被混合之氣體流動中之狀態的壓力進行檢測。因此，在後述之排氣調整步驟S102中，可進行更正確的設定。 其二，藉由其位於較第2惰性氣體供給管141a、141b更下游測，可防止壓力檢測部227a、227b之檢測孔被堵塞之情形。假設，在其設置於較與惰性氣體供給管141a、141b之連接點更上游側之情形時，由於被排氣至處理室排氣管224、226之處理氣體的濃度高，因此存在有會導致壓力檢測部227a、227b之檢測孔被堵塞的可能性。相對於此，於本構成中由於被設置於惰性氣體供給管141a、141b的下游側，因此可降低處理氣體的濃度，所以可抑制發生檢測孔被堵塞之情形。
(腔室) 接著，對製程模組110中腔室100a、100b之詳細構造進行說明。此處，由於複數個腔室100a、100b之各者係相同的構成，因此僅舉一個腔室100a(以下僅標示為腔室100)為例進行說明。
圖2所示係第一實施形態之基板處理裝置之腔室的構成圖。 腔室100係藉由例如鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等之金屬材料，被構成為例如橫截面為圓形之扁平的密閉容器302。密閉容器302具有上部容器302a及下部容器302b，且在上部容器302a與下部容器302b之間設置有隔間板308。在下部容器302b的側面設有鄰接於閘閥149的基板搬出入口148，基板200經由基板搬出入口148在與未圖示之真空搬送室之間移動。在下部容器302b的底部設有複數個升降銷307。此外，下部容器302b被接地。
在作為密閉容器302所構成的腔室100內，設有支撐基板200的基板支撐部310。基板支撐部310主要具有載置基板200的基板載置面311、於表面具有基板載置面311的基板載置台312、及被內包於基板載置台312之作為加熱源的加熱器313。在基板載置台312，供升降銷307貫通的貫通孔314分別被設置於與升降銷307對應的位置。
基板載置台312由軸317所支撐。軸317的支撐部貫通被設在腔室100之底壁的孔，而且經由支撐板316而在腔室100的外部被連接於升降機構318。藉由使升降機構318作動而使軸317及基板載置台312升降，可使被載置於基板載置面311的基板200升降。再者，軸317下端部的周圍由蛇腹管319所包覆，藉此腔室100內被保持為氣密。
若升降機構318使基板載置台312上升，基板載置台312便會位於圖中所示的基板處理位置。於基板處理位置，升降銷307沒入基板載置面311的上表面，而成為基板載置面311從下方支撐基板200。再者，當處理基板200時，基板載置台312被維持於基板處理位置。又，若升降機構318使基板載置台312下降，基板載置台312便成為基板載置面311位於與基板搬出入口148對向的基板搬送位置(參照圖1中的虛線)。於基板搬送位置，升降銷307的上端部從基板載置面311的上表面突出，而成為升降銷307從下方支撐基板200。
在腔室100內形成有對基板200進行處理的處理空間305、及在將基板200搬送至處理空間305時供基板200通過的搬送空間306。
處理空間305係被形成於基板處理位置之基板載置台312與腔室100的頂板330之間的空間。將構成處理空間305的構造體，亦稱為處理室301。亦即，在處理室301內設有處理空間305。
搬送空間306主要係由下部容器302b、及基板處理位置之基板載置台312之下部構造所構成的空間。將構成搬送空間306的構造體亦稱為搬送室。搬送室被配設於處理室301的下方。再者，搬送室只要為構成搬送空間306的構造體即可，當然不侷限於上述構造。
於面向處理空間305的頂板330，連接有第1氣體供給部的第1處理氣體供給管111、及第2氣體供給部的第2處理氣體供給管121。更詳細而言，於腔室100a的頂板330，連接有第1處理氣體供給管111a及第2處理氣體供給管121a，而於腔室100b的頂板330，連接有第1處理氣體供給管111b及第2處理氣體供給管121b。藉此，第1處理氣體、第2處理氣體或惰性氣體會被供給至處理空間305內。
在面向處理空間305之密閉容器302的側壁部分，連接有氣體排氣部的處理室排氣管224、226。更詳細而言，在腔室100a之密閉容器302的側壁部分連接有處理室排氣管224，而在腔室100b之密閉容器302的側壁部分連接有處理室排氣管226。藉此，被供給至處理空間305內的氣體，會通過處理室排氣管224、226被排氣。
(控制器) 基板處理裝置10具有對基板處理裝置10之各部之動作進行控制之作為控制部(控制手段)的控制器380。
圖3係第一實施形態之基板處理裝置之控制器的構成圖。 控制器380被構成至少具有CPU(運算部)380a、RAM(暫時儲存部)380b、儲存部380c、及信號收發部380d的電腦。控制器380經由信號收發部380d被連接於基板處理裝置10的各構成，根據操作經由信號收發部383而被連接於上位裝置370或輸出入裝置381之使用者的指示，從儲存部380c叫出程式或配方，並根據該內容對各構成的動作進行控制。
運算部380a具有作為調整部391的功能。儲存部380c具有作為壓力記錄部392及控制資料記錄部393的功能。 調整部391係根據壓力檢測部227a、227b所檢測出之氣體排氣部之壓力的狀態，來控制來自第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)之第2惰性氣體供給管141a、141b之惰性氣體的供給者。具體而言，調整部391被構成為一邊參照壓力記錄部392的記錄資料，一邊根據該記錄資料來對第4氣體供給部所進行之氣體供給的控制資料進行設定，並將所設定的控制資料記錄於控制資料記錄部393。 壓力記錄部392係記錄壓力檢測部227a、227b之檢測結果(例如壓力值)者。 控制資料記錄部393係記錄用以控制第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)所進行之氣體供給的控制資料者。控制資料例如係MFC 145a、145b的控制參數、或控制閥146a、146b之開度的參數。
再者，控制器380以專用的電腦構成亦可，以通用的電腦構成亦可。例如，準備儲存有上述之程式的外部儲存裝置(例如，磁帶；軟碟或硬碟等之磁碟、CD或DVD等之光碟、MO等之光磁碟、USB記憶體(USB Flash Drive)或記憶卡等之半導體記憶體)382，並使用外部儲存裝置382將程式安裝至通用的電腦，藉此可構成本實施形態的控制器380。
又，用以將程式供給至電腦的手段，並不侷限於經由外部儲存裝置382進行供給的情形。例如，既可使用網際網路或專用回路等地通信手段，亦可從上位裝置370經由信號收發部383來接收資訊，且不經由外部儲存裝置382地供給程式。又，亦可使用鍵盤或觸控面板等之輸出入裝置381來指示控制器380。
又，儲存部380c與外部儲存裝置382亦可由電腦讀取的記錄媒體被構成。以下，亦將該等統括地簡稱為記錄媒體。再者，於本說明書中使用記錄媒體一詞的情形時，存在有僅包含儲存部380c單體的情形、僅包含外部儲存裝置382單體的情形、或者包含其雙方的情形。
(2)基板處理步驟的程序 其次，對使用上述之構成之基板處理裝置10而進行之基板處理步驟的程序進行說明。基板處理步驟係作為半導體裝置(device)之製程的一步驟來進行者，且為用以對成為處理對象之晶圓200進行既定處理者。作為既定的處理，在以下的說明中，對使用DCS氣體來作為第1處理氣體，使用O 2氣體來作為第2處理氣體，而在晶圓200之表面形成膜的例子進行說明。此處，設為進行交替地供給不同處理氣體的交替供給處理者。
於本說明書中使用「晶圓」一詞的情形，存在有意指晶圓本身的情形、及意指晶圓與在其表面所形成之處理之層或膜之積層體的情形。於本說明書中使用「晶圓之表面」一詞的情形，存在有意指晶圓本身之表面的情形、與意指於晶圓上所形成之既定層等追表面的情形。於本說明書中記載為「在晶圓上形成既定層」的情形，存在有在晶圓本身的表面上直接形成既定層的情形、及在被形成於晶圓上之層等之上形成既定層的情形。於本說明書中使用「基板」一詞的情形，亦與使用「晶圓」一詞的情形為同義。
以下，對基板處理步驟，使用圖4、圖5及圖6進行說明。圖4係說明基板處理步驟之整體的程序者。圖5係說明基板處理步驟中，排氣調整步驟S102的細節者。圖6係說明基板處理步驟中，膜處理步驟S104的細節者。
再者，於以下之說明中，構成基板處理裝置10之各部的動作，係藉由控制器380所控制。
如圖4所示，於基板處理步驟中，進行排氣調整步驟S102、及膜處理步驟S104。以下，對各步驟依序進行說明。
(排氣調整步驟：S102) 首先，對進行排氣調整步驟S102的理由進行說明。 半導體裝置之製程所使用的基板處理裝置10，被構成為搭載各種零件。因此，基板處理裝置10存在有會因零件之加工或組裝等的精度，而導致性能出現個體差異的情形。具體而言，例如會發生處理室排氣管224之直徑與處理室排氣管226之直徑不同的情形。又，例如會發生從腔室100a至匯流點230為止之距離、與從腔室100b至匯流點230為止之距離不同的情形。
如本實施形態，於基板處理裝置10具備有複數個腔室100a、100b，且各腔室100a、100b共用氣體排氣部(具體上為共用氣體排氣管225與排氣泵223等)之構成的情形時，存在有若與排氣流量控制相關的零件性能有個體差，就會失去各腔室100a、100b之間的排氣平衡，而導致排氣氣體逆流回各處理室301的可能性。此處所謂的排氣平衡，係表示各處理室排氣管224、226之排氣狀態的平衡良好之情形，例如代表各處理室排氣管224、226的壓力實質相等之情形。
若失去排氣平衡，便會存在各處理空間305的壓力亦產生變動，而導致生產性降低的可能性。具體而言，例如於處理室排氣管224的壓力較處理室排氣管226的壓力高之情形時，在處理室排氣管224內流動的氣體會阻礙處理室排氣管226的氣體流動等，而失去排氣平衡。
因此，於本實施形態中，藉由進行排氣調整步驟S102，可控制各腔室100a、100b之間的排氣平衡為良好。
其次，使用圖5對排氣調整步驟S102的細節進行說明。再者，設為在排氣調整步驟S102的期間，泵223會持續地運轉者。又，APC 222係設為開度以處理空間305成為所期望之壓力的方式所被調整者。
(基板處理位置移動步驟：S202) 對基板處理位置移動步驟S202進行說明。 在排氣調整步驟S102最先進行的基板處理位置移動步驟S202中，於基板載置面311上沒有基板200之狀態下、或作為虛擬之基板200的虛擬基板被載置於基板載置面311上的狀態下，將各腔室100a、100b中的基板載置台312移動至基板處理位置。藉此，對各腔室100a、100b設為與後述之膜處理步驟S104時相同的排氣條件。
(氣體供給調整步驟：S204) 對氣體供給調整步驟S204進行說明。 於氣體供給調整步驟S204中，在基板處理位置移動步驟S202使基板載置台312移動至基板處理位置後，開始進行朝向各腔室100a、100b之處理空間305的氣體供給。此處，對處理空間305供給處理氣體或惰性氣體。又，若在後述之設定步驟S212之後，則一邊從控制資料記錄部393讀出關於第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)的控制資料，並根據該控制資料進行氣體供給控制，一邊對處理室排氣管224、226供給惰性氣體。
此時，較佳係以與後述之膜處理步驟S104時相同的條件，進行朝向處理空間305之氣體供給。例如供給在膜處理步驟S104中所供給的處理氣體(例如DCS氣體或O 2氣體)。又，亦可與膜處理步驟S104同樣地加熱加熱器313，而接近膜處理步驟S104的溫度條件。該等處理尤其於排氣狀況會因氣體的分解度或黏性等之氣體的性質而改變時有效。
(排氣管壓力檢測步驟：S206) 對排氣管壓力檢測步驟S206進行說明。 於排氣管壓力檢測步驟S206中，在氣體供給調整步驟S204中對處理空間305供給氣體的期間，藉由壓力檢測部227a來檢測處理室排氣管224內的壓力，並藉由壓力檢測部227b來檢測處理室排氣管226內的壓力。然後，將利用各壓力檢測部227a、227b分別檢測出的檢測結果(例如管內的壓力值)，記錄於控制器380的壓力記錄部392。
(判定步驟：S208) 對判定步驟S208進行說明。 在判定步驟S208中，調整部391參照壓力記錄部392，讀出關於處理室排氣管224、226的壓力檢測結果。然後，判定各個壓力檢測結果的壓力差是否在既定範圍內。亦即，調整部391判定處理室排氣管224、226之間的壓力差是否小於既定的臨限值(以下亦稱為第一臨限值)。若壓力差在既定範圍內，便判斷在後述之膜處理步驟S104中對基板處理會產生影響之程度之壓力的不均不存在，並移至後續要說明之基板搬送位置移動步驟S210的執行。另一方面，於壓力差不在既定範圍內的情形時、即壓力差在第一臨限值以上的情形時，在經由後述之設定步驟S212後，返回氣體供給調整步驟S204。
(基板搬送位置移動步驟：S210) 對基板搬送位置移動步驟S210進行說明。 若於判定步驟S208被判斷為Yes(即壓力差在既定範圍內)，其後，作為在後續要進行的膜處理步驟S104中為了搬入基板200的準備，將各腔室100a、100b中的基板載置台312移動至基板搬送位置。
(設定步驟：S212) 對設定步驟S212進行說明。設定步驟S212係設定關於第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)之控制資料的步驟。
如前所述，若處理室排氣管224、226的壓力差不在既定範圍內時，便會失去各腔室100a、100b之間之排氣平衡的可能性。於該情形時，為了使排氣平衡良好，只要適當調整第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)中來自第2惰性氣體供給管141a、141b之惰性氣體的供給，並以處理室排氣管224、226的壓力差不會超出既定範圍之方式進行控制即可。來自第2惰性氣體供給管141a、141b之惰性氣體的供給，其調整可藉由控制器380個別地控制閥146a、146b、MFC 145a、145b來實現。
因此，在設定步驟S212中，調整部391為了使各腔室100a、100b之間的排氣平衡良好，而根據處理室排氣管224、226的壓力差，適當設定關於第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)的控制資料。例如，在處理室排氣管224的壓力較處理室排氣管226的壓力高之情形時，以從第2惰性氣體供給管141b對處理室排氣管226供給惰性氣體，使處理室排氣管226的壓力剛好升高差壓分的方式，來設定關於MFC 145a、145b、閥146a、146b等的控制資料。若根據如此之控制資料來進行第4氣體供給部之惰性氣體的供給控制，由於處理室排氣管224、226的壓力差則被緩和而不超出既定範圍，因此可實現使各腔室100a、100b之間的排氣平衡良好。
亦即，調整部391根據由壓力檢測部227a、227b所檢測出之壓力的狀態，來設定關於第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)的控制資料。然後，調整部391藉由將所設定的控制資料記錄於控制資料記錄部393，便可於其後要進行的氣體供給調整步驟S204或膜處理步驟S104中加以利用。如此一來，調整部391便可控制從第2惰性氣體供給管141a、141b朝向處理室排氣管224、226之惰性氣體的供給。
此時的惰性氣體供給控制態樣，如為可緩和處理室排氣管224、226的壓力差而使各者成為相等者，便未特別限定。例如，既可控制為根據處理室排氣管224、226的壓力差，而對處理室排氣管224、226之任一者供給惰性氣體，亦可控制為對處理室排氣管224、226雙方以不同的壓力供給惰性氣體。
經過以上所說明一連串知各步驟S202~S212，在排氣調整步驟S102中，可在膜處理步驟S104之前，使各腔室100a、100b之間的排氣平衡良好。
此時，於排氣調整步驟S102中，如前所述，設為在基板載置面311上沒有基板200的狀態、或在基板載置面311上載置有虛擬基板的狀態。以下，對其理由進行說明。 假設，思考在作為產品基板的基板200被載置於基板載置面311上之狀態下實施排氣調整步驟S102的情形。於該情形時，當調整惰性氣體時，處理氣體會與惰性氣體碰撞，其結果，處理氣體便可能逆流至處理空間305。若發生如此之處理氣體的逆流，在作為產品基板的基板200上便會形成多餘的膜，而存在藉此生產性會降低的的可能性。 相對於此，如本實施形態所說明，若在沒有基板200的狀態、或載置有虛擬基板的狀態下實施排氣調整步驟S102，則假設即便發生處理氣體的逆流，仍不會對作為產品基板的基板200之處理造成影響，而可維持高生產性。
再者，排氣調整步驟S102最佳係以與膜處理步驟S104相同的條件進行。細節如後述般，膜處理步驟S104具有第1處理氣體供給步驟S302、第1沖洗步驟S304、第2處理氣體供給步驟S306、及第2沖洗步驟S308。然後，由於在各步驟S302~S308中會變更處理空間305的環境氣體，因此可在各步驟中變更氣體的供給條件。例如，存在有在各步驟S302~S308中處理空間305的壓力會不同之情形。
因此，亦可在排氣調整步驟S102中，執行相當於第1處理氣體供給步驟S302、第1沖洗步驟S304、第2處理氣體供給步驟S306、及第2沖洗步驟S308的步驟。具體而言，在相當於該等的各步驟中，壓力檢測部227對各處理室排氣管224、226的壓力進行檢測，調整部391設定關於第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)的控制資料。然後，針對各步驟、即第1處理氣體供給步驟S302、第1沖洗步驟S304、第2處理氣體供給步驟S306、及第2沖洗步驟S308之各者，分別將所設定的控制資料事先記錄於控制資料記錄部393中。
(膜處理步驟：S104) 其次，對膜處理步驟S104進行說明。 於膜處理步驟S104中，將作為產品基板的基板200搬入腔室100內，從氣體供給部供給氣體，而對基板200進行處理。然後，若處理結束，則將基板200從腔室100內搬出。對既定片數的基板200，重複進行該動作。如此之膜處理步驟S104的細節，將於後述之。
然而，即使在進行膜處理步驟S104的期間，仍與排氣調整步驟S102同樣地，最佳係壓力檢測部227a檢測處理室排氣管224內的壓力，壓力檢測部227b檢測處理室排氣管226內的壓力，並將各檢測結果記錄於壓力記錄部392。
更佳係於壓力檢測部227a、227b之各者之壓力檢測結果的壓力差不在既定範圍內的情形時，仍進行與排氣調整步驟S102相同的處理動作。此處所謂既定範圍內係藉由壓力差是否小於既定臨限值(以下亦稱為第二臨限值)來進行判定。
以下，對其理由進行說明。 若進行膜處理步驟S104，則存在有膜會在處理室排氣管224、226內堆積的情形。其原因在於，壓力會因處理室排氣管224、226的溫度較處理空間305低、或處理室排氣管224、226較處理空間305狹小而變高。
在處理室排氣管224、226內所堆積的膜厚，會因與各者所要連接之腔室100a、100b相關之零件的個體差等而不同。若膜厚較厚，各處理室排氣管224、226內的壓力也會受到影響，但若該膜厚在各處理室排氣管224、226不同，則存在會失去排氣平衡的可能性。
因此，最佳係不僅上述之排氣調整步驟S102，即便於進行膜處理步驟S104的期間，亦進行如下的處理動作：壓力檢測部227a對處理室排氣管224內的壓力進行檢測，壓力檢測部227b對處理室排氣管226內的壓力進行檢測，而於各檢測結果的壓力差不在既定範圍內的情形時，重新設定關於第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)的控制資料並將其記錄於控制資料記錄部393。
(膜處理步驟S104的細節) 接著，使用圖6對膜處理步驟S104的細節進行說明。
(基板搬入、載置步驟) 於膜處理步驟S104中，首先進行基板搬入、載置步驟。再者，於圖6中省略本步驟的圖示。 於基板搬入、載置步驟中，使腔室100內的基板載置台312下降至基板搬送位置，而使升降銷307貫通基板載置台312的貫通孔314。藉此，升降銷307成為較基板載置台312的表面剛好突出既定高度的狀態。然後，於該狀態下，打開閘閥149使搬送空間306與真空搬送室(未圖示)連通，從真空搬送室使用基板移載機(未圖示)將基板200搬入搬送空間306，並將該基板200移載至升降銷307上。藉此，基板200以水平姿勢被支撐於從基板載置台312之表面突出的升降銷307上。
若將基板200搬入腔室100內，便使基板移載機退避至腔室100之外，並關閉閘閥149而將腔室100內加以密閉。然後，藉由使基板載置台312上升，使基板200載置於基板載置面311上，而且使基板載置台312上升至基板處理位置，而使基板載置面311上的基板200位於處理空間305內。
此時，對被埋入基板載置台312之內部的加熱器313供給電力，以基板載置面311上之基板200的表面成為既定溫度的方式進行控制。基板200的溫度例如係室溫以上且800℃以下、較佳係例如室溫以上且500℃以下。此時，加熱器313的溫度係根據未圖示之溫度感測器所檢測出的溫度資訊，由控制器380抽取控制值，並藉由控制對加熱器313的通電程度而被調整。
以上的處理動作，被設為於各腔室100a、100b之各者同樣地被進行。
(第1處理氣體供給步驟：S302) 對第1處理氣體供給步驟S302進行說明。 若處理空間305內的基板200達到既定溫度，首先便進行第1處理氣體供給步驟S302。於第1處理氣體供給步驟S302中，打開閥116a、116b並且以DCS氣體成為既定流量之方式來調整MFC 115a、115b。再者，DCS氣體的供給流量例如係100sccm以上且800sccm以下。此時，從第3氣體供給部供給N 2氣體。從第3氣體供給部所供給的N 2氣體係作為DCS氣體的載送氣體而使用。
此外，在第1處理氣體供給步驟S302中，打開閥221、228a、228b，一邊使泵223運作，一邊調整APC 222的開度，使腔室100內成為所期望的壓力。具體而言，以使處理空間305、搬送空間306之各者的壓力成為例如50~300Pa之中之既定值得方式進行控制。既定值例如設為250Pa。
此時，根據被記錄於控制資料記錄部393的控制資料，打開閥146a、146b，並且以從第2惰性氣體供給管141a、141b供給之惰性氣體的流量成為既定流量的方式來調整MFC 145a、145b。在從控制資料記錄部393讀取控制資料時，若為在排氣調整步驟S102實施相當於第1處理氣體供給步驟S302的步驟，計算並設定控制資料的情形時，讀取與該第1處理氣體供給步驟S302對應的控制資料。
藉由如此之處理動作，惰性氣體被供給至處理室排氣管224與處理室排氣管226之任一者或雙方，各處理室排氣管224、226之間的壓力差會被緩和而在實質上成為相同的壓力。因此，於本步驟中，可抑制失去各腔室100a、100b之間之排氣平衡的情形。
於被供給DCS氣體的處理空間305中，該DCS氣體藉由熱而被分解為矽成分等，並被供給至基板200上。藉此，在基板200的表面則形成作為「含第1元素層」之含矽層。含矽層相當於要形成之薄膜的前身。
然後，從本步驟的開始經過既定時間後，關閉閥116a、116b，而停止DCS氣體的供給。更佳係當停止DCS氣體的供給時，同步地亦停止從第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)之惰性氣體的供給。藉由如此同步地停止，可防止處理室排氣管224、226內的微粒逆流至處理空間305的情形。
(第1沖洗步驟：S304) 對第1沖洗步驟S304進行說明。 第1處理氣體供給步驟S302的結束後，接著進行第1沖洗步驟S304。於第1沖洗步驟S304中，一邊維持閥136a、136b、176a、176b的開啟狀態，而且打開閥186a、186b，對處理空間305供給N 2氣體，一邊持續利用泵223所進行的排氣，藉此進行環境氣體的沖洗。
此外，於第1沖洗步驟S304中，根據被記錄於控制資料記錄部393的控制資料，打開閥146a、146b，並且以從第2惰性氣體供給管141a、141b供給之惰性氣體的流量成為既定流量的方式來調整MFC 145a、145b。在從控制資料記錄部393讀取控制資料時，若為在排氣調整步驟S102實施相當於第1沖洗步驟S304的步驟計算並設定控制資料的情形時，讀取與該第1沖洗步驟S304對應的控制資料。
藉由如此之處理動作，惰性氣體被供給至處理室排氣管224與處理室排氣管226之任一者或雙方，使各處理室排氣管224、226之間的壓力差被緩和而實質上成為相同的壓力。因此，本步驟可抑制失去各腔室100a、100b之間之排氣平衡的情形。
然後，從本步驟之開始經過既定時間後，關閉閥136a、136b，而停止利用N 2氣體之供給所進行之環境氣體的沖洗。更佳係當停止N 2氣體之供給時，同步地亦停止從第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)之惰性氣體的供給。藉由如此同步地停止，可防止處理室排氣管224、226內之微粒逆流至處理空間305的情形。
(第2處理氣體供給步驟：S306) 對第2處理氣體供給步驟S306進行說明。 若關閉閥閥136a、136b使第1沖洗步驟S304結束，接著便進行第2處理氣體供給步驟S306。於第2處理氣體供給步驟S306中，打開閥126a、126b，並且利用MFC 125a、125b進行流量調整，開始朝向處理空間305內之O 2氣體的供給。O 2氣體的供給流量例如係100sccm以上且6000sccm以下。此時，從第3氣體供給部供給N 2氣體。從第3氣體供給部所供給的N 2氣體係作為O 2氣體的載送氣體或稀釋氣體而被使用。
此外，於第2處理氣體供給步驟S306中，與第1處理氣體供給步驟S302的情形同樣地，繼續進行利用泵223等所進行的排氣，使腔室100內成為所期望的壓力。然後，根據被記錄於控制資料記錄部393的控制資料，打開閥146a、146b，並且以從第2惰性氣體供給管141a、141b所供給之惰性氣體的流量成為既定流量的方式來調整MFC 145a、145b。在從控制資料記錄部393讀取控制資料時，若在排氣調整步驟S102實施相當於第2處理氣體供給步驟S306的步驟來計算並設定控制資料時，讀取與該第2處理氣體供給步驟S306對應的控制資料。
藉由如此之處理動作，惰性氣體被供給至處理室排氣管224與處理室排氣管226之任一者或雙方，使各處理室排氣管224、226之間的壓力差被緩和而實質上成為相同的壓力。因此，本步驟可抑制失去各腔室100a、100b之間之排氣平衡的情形。
被供給至處理空間305的O 2氣體，藉由RPU 124、124a、124b之至少任一者而被設為電漿狀態。在被供給電漿狀態O 2氣體的處理空間305中，該O 2氣體會被供給至基板200上。藉此，藉由含矽層由O 2氣體所改質，而在基板200的表面，形成由含有矽元素及氧元素之層所構成的薄膜。
然後，從本步驟之開始經過既定時間後，關閉閥126a、126b，而停止O 2氣體的供給。更佳係當停止O 2氣體之供給時，同步地亦停止從第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)之惰性氣體的供給。藉由如此同步地停止，可防止處理室排氣管224、226內之微粒逆流至處理空間305的情形。
(第2沖洗步驟：S308) 對第2沖洗步驟S308進行說明。 第2處理氣體供給步驟S306的結束後，接著進行第2沖洗步驟S308。於第2沖洗步驟S308中，與第1沖洗步驟S304同樣地從第1惰性氣體供給管131a、131b供給N 2氣體，來進行處理空間305之環境氣體的沖洗。
此外，於第2沖洗步驟S308中，根據被記錄於控制資料記錄部393的控制資料，打開閥146a、146b，並且以從第2惰性氣體供給管141a、141b供給之惰性氣體流量成為既定流量的方式來調整MFC 145a、145b。在從控制資料記錄部393讀取控制資料時，若為在排氣調整步驟S102實施相當於第2沖洗步驟S308的步驟計算並設定控制資料的情形時，讀取與該第2沖洗步驟S308對應的控制資料。
藉由如此之處理動作，惰性氣體被供給至處理室排氣管224與處理室排氣管226之任一者或雙方，使各處理室排氣管224、226之間的壓力差被緩和而實質上成為相同的壓力。因此，本步驟可抑制失去各腔室100a、100b之間之排氣平衡的情形。
然後，從本步驟之開始經過既定時間後，關閉閥136a、136b，而停止利用N 2氣體之供給所進行之環境氣體的沖洗。更佳係當停止N 2氣體之供給時，同步地亦停止從第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)之惰性氣體的供給。藉由如此同步地停止，可防止處理室排氣管224、226內之微粒逆流至處理空間305的情形。
(判定步驟：S310) 對判定步驟S310進行說明。 若第2沖洗步驟S308結束，控制器380便將依序所進行的第1處理氣體供給步驟S302、第1沖洗步驟S304、第2處理氣體供給步驟S306、及第2沖洗步驟S308設為1個循環，並判定是否已實施該循環既定次數(n cycle)。
於未實施既定次數時(S310為No的情形時)，重複第1處理氣體供給步驟S302、沖洗步驟S304、第2處理氣體供給步驟S306、及沖洗步驟S308的循環。於已實施既定次數時(S310為Yes的情形時)，結束圖6所示之一連串的處理。
(基板搬出步驟) 其後，進行基板搬出步驟。再者，於圖6中，省略本步驟的圖示。 於基板搬出步驟中，使腔室100內的基板載置台312下降至基板搬送位置，使基板200支撐於從基板載置台312之表面突出的升降銷307上。藉此，基板200從基板處理位置被移送至基板搬送位置。然後，在該狀態下，打開閘閥149，使用基板移載機(未圖示)將基板200朝向腔室100之外搬出。
(3)本實施形態之效果 藉由本實施形態，可發揮以下所示之一個或複數個效果。
(a)藉由本實施形態，第2惰性氣體供給管141a、141b個別地連接於複數個處理室排氣管224、226之各者，而從第2惰性氣體供給管141a、141b對處理室排氣管224、226的管內供給惰性氣體。藉此，可緩和各處理室排氣管224、226之間的壓力差，而抑制失去各腔室100a、100b之間之排氣平衡的情形。因此，即便於具備有複數個腔室100a、100b的情形，仍可將各腔室100a、100b之間的排氣平衡設為良好，其結果，可維持高生產性。
(b)藉由本實施形態，壓力檢測部227a、227b被設於複數個處理室排氣管224、226之各者。因此，可適當地檢測各處理室排氣管224、226之間的壓力差，而在將各腔室100a、100b之間的排氣平衡設定為良好上非常有用。
(c)藉由本實施形態，根據由壓力檢測部227a、227b所檢測出之壓力的狀態，來控制從第2惰性氣體供給管141a、141b朝向處理室排氣管224、226之管內之惰性氣體的供給。因此，由於可確實地緩和各處理室排氣管224、226之間的壓力差，而實現實質上相同的壓力，因此在將各腔室100a、100b之間的排氣平衡設定為良好上非常有用。
(d)藉由本實施形態，在較壓力檢測部227a、227b的檢測部位更處理室排氣管224、226的上游側，連接有第2惰性氣體供給管141a、141b。可對處理氣體與惰性氣體之混合氣體流動之狀態的壓力進行檢測，而可在排氣調整步驟S102進行正確的設定。又，亦可防止壓力檢測部227a、227b之檢測孔堵塞的情形。
(e)藉由本實施形態，處理室排氣管224、226具有縱配管224a、226a及橫配管224b、226b，且第2惰性氣體供給管141a、141b被連接於橫配管224b、226b。藉此，壓力檢測部227a、227b被設於第2惰性氣體供給管141a、141b與匯流部230之間，而成為在較壓力檢測部227a、227b更上游側連接有第2惰性氣體供給管141a、141b。藉此，亦可在排氣調整步驟S102進行正確的設定，而且亦可防止壓力檢測部227a、227b之檢測孔堵塞的情形。
(f)藉由本實施形態，以複數個處理室排氣管224、226之間的壓力差成為既定範圍內的方式，進行從第2惰性氣體供給管141a、141b之惰性氣體的供給。亦即，藉由將各處理室排氣管224、226之間的壓力差抑制在既定範圍內，可抑制失去各腔室100a、100b之間之排氣平衡的情形。其結果，在各腔室100a、100b之間的排氣平衡設定為良好上非常有用。
＜第二實施形態＞ 其次，對本發明第二實施形態，使用圖7進行說明。 圖7係第二實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。 其與第一實施形態的差異點，在於在共用氣體排氣管225設置壓力檢測部229，而使排氣管壓力檢測步驟S206、判定步驟S208及設定步驟S212的內容不同，但其餘則與第一實施形態的情形相同。以下，以差異點為中心進行說明。
於本實施形態中，在共用氣體排氣管225設有壓力檢測部229。較佳係在APC 222的下游側、即APC 222與泵223之間設置壓力檢測部229。
壓力檢測部229係對共用氣體排氣管225內之壓力進行檢測之作為匯流管壓力檢測部而發揮功能者，與壓力檢測部227a、2227b相同地，可使用例如壓力感測器來構成。亦即，在共用氣體排氣管225，設置有壓力檢測部之一部分即作為匯流管壓力檢測部的壓力檢測部229。以下，將壓力檢測部229亦稱為匯流管壓力檢測部。亦可將壓力檢測部227a、壓力檢測部227b、壓力檢測部229之任一者或其組合稱為排氣管壓力檢測部。
如此，若設置壓力檢測部229而可檢測APC 222之下游側的壓力，則於壓力檢測部229檢測出與預先所預估之正常的檢測值有較大差異之值的情形時，可判定為發生APC 222的破損、或在排氣管224、排氣管226等有發生某種異常。由壓力檢測部229所檢測出的檢測值係設為會被記錄於壓力記錄部392者。
接著，對本實施形態的排氣管壓力檢測步驟S206、判定S208、及設定步驟S212進行說明。
(排氣管壓力檢測步驟：S206) 對排氣管壓力檢測步驟S206進行說明。 於排氣管壓力檢測步驟S206中，在對處理空間305供給氣體的期間，除了利用壓力檢測部227a對處理室排氣管224內的壓力進行檢測，並利用壓力檢測部227b對處理室排氣管226內的壓力進行檢測外，還利用壓力檢測部229對共用氣體排氣管225的壓力進行檢測。然後，將利用各壓力檢測部227a、227b、229所分別檢測出的檢測結果(例如管內的壓力值)，記錄於壓力記錄部392。
(判定步驟：S208) 對判定步驟S208進行說明。 於判定步驟S208中，調整部391參照壓力記錄部392，讀取由壓力檢測部227a與壓力檢測部229所檢測出的壓力檢測結果，來計算各者之間的壓力差。該壓力差由於係圖7中之左側部分的壓力差，因此以ΔPL來呈現。 於此相同地，調整部391參照壓力記錄部392，讀取由壓力檢測部227b與壓力檢測部229所檢測出的壓力檢測結果，來計算各者之間的壓力差。該壓力差係圖7中之右側部分的壓力差，因此以ΔPR來呈現。
其次，調整部391判定壓力差ΔPL與壓力差ΔPR的差是否在既定範圍內。亦即，調整部391判定壓力差ΔPL、ΔPR之間的差是否小於既定的臨限值(以下亦稱為第三臨限值)。然後，若差在既定範圍內，便判斷不存在有對膜處理步驟S104中之基板處理產生影響之程度之壓力的變動，並移至基板搬送位置移動步驟S210的執行。另一方面，於壓力差不在既定範圍內的情形時、即ΔPL、ΔPR之間的差在第三臨限值以上之情形時，移動至惰性氣體供給量調整步驟S212。
(設定步驟：S212) 對設定步驟S212進行說明。此處，設定關於第4氣體供給部(第2惰性氣體供給部)的控制資料。
調整部391根據壓力差ΔPL、ΔPR之間的差，來設定關於第4氣體供給部的控制資料，處理室排氣管224、226的壓力差會被緩和，而使處理室排氣管224內的壓力與處理室排氣管226內的壓力成為相當。然後，將所設定的控制資料記錄於控制資料記錄部393。
其後，於膜處理步驟S104中，根據所設定的控制資料，來控制第4氣體供給部，而對基板200進行處理。
(本實施形態之效果) 藉由本實施形態，除了上述之第一實施形態的效果之外，可發揮以下所示的效果。
藉由本實施形態，藉由在共用氣體排氣管225設置壓力檢測部229，其上游之零件之異常的檢測便會變容易。又，藉由檢測壓力檢測部227a與壓力檢測部229之壓力差ΔPL、和壓力檢測部227b與壓力檢測部229之壓力差ΔPR的差分，可更正確地檢測腔室100a或腔室100b的異常。
＜第三實施形態＞ 其次，對本發明第三實施形態進行說明。 與第一實施形態或第二實施形態的差異點，在於壓力記錄部392記錄履歷資訊。以下，以差異點為中心進行說明。
於本實施形態中，壓力記錄部392將利用壓力檢測部的檢測結果作為履歷資訊而加以記錄。履歷資訊係相當於壓力檢測部所檢測出之過去的檢測結果者，亦可如第一實施形態般為壓力檢測部227a、227b所檢測出者，亦可如第二實施形態般為壓力檢測部227a、227b、229所檢測出者。
如此，於壓力記錄部392記錄履歷資訊之情形時，在新檢測出之壓力值與過去所檢測出之壓力值的差大於既定值(第四臨限值)之情形時，則可判斷為基板處理裝置10發生某種異常。作為第四臨限值可考慮預先設定為例如明顯較正常所預估之壓力值的差分更大的值。
亦即，於本實施形態中，於利用壓力檢測部新得到的檢測結果、與已被記錄在壓力記錄部392之履歷資訊的差大於既定值(第四臨限值)之情形時，則判斷為已發生某種異常，而使控制器380通知異常狀態的警告資訊、或者使基板處理裝置10停止。
因此，藉由本實施形態，藉由警告資訊的發報或使裝置停止等，可抑制在異常狀態下對基板200進行處理之情形，其結果，可維持高生產性。
＜其他實施形態＞ 以上，雖已對本發明第一實施形態、第二實施形態及第三實施形態進行說明，但本發明並未被限定於上述之各實施形態，在不脫離其主旨的範圍內可進行各種變更。
於上述之各實施形態中，雖已記載交替地供給原料氣體與反應氣體來進行成膜的方法，但如果原料氣體與反應氣體的氣相反應量或副產物的生成量在容許範圍內，則其他方法亦可適用。例如，如原料氣體與反應氣體的供給時序重疊的方法。
又，於上述之各實施形態中雖已記載成膜處理，但亦可應用於其他的處理。例如為：擴散處理、氧化處理、氮化處理、氮氧化處理、還原處理、氧化還原處理、蝕刻處理、加熱處理等。例如僅使用反應氣體，在對被形成於基板表面或基板的膜進行電漿氧化處理，或電漿氮化處理時，皆可適用本發明。又，亦可將本發明適用於僅使用反應氣體的電漿退火處理。
又，於上述之各實施形態中雖已例示作為原料氣體而使用含矽氣體，且作為反應氣體而使用含氧氣體，來形成矽氧化膜的例子，但亦可應用於使用其他氣體的成膜。例如：含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金屬膜、及含有複數個該等元素的膜等。再者，該等膜係可例如：SiN膜、AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、TiAlC膜等。如對該等膜成膜所使用之原料氣體與反應氣體之各者的氣體特性(吸附性、脫離性、蒸氣壓等)加以比較，而適當地改變供給位置與處理室內的構造，則可得到同樣的效果。
又，於上述之各實施形態中，雖惰性氣體雖已以N 2氣體為例進行說明，但只要不會與處理氣體產生反應的氣體，則不限定於此。其可使用例如氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等之稀有氣體。
又，於上述之各實施形態中，關於壓力差雖使用同等、或在實施上相同等的表現方式，然而當然其不侷限於各壓力值完全相同的情形。例如，當然亦包含可維持基板處理之品質的程度之實質上相等的狀態。
10:基板處理裝置 100、100a、100b:腔室 110:製程模組 111:第1處理氣體供給管 111a、111b:第1處理氣體供給管 112:第1處理氣體共用供給管 113:第1處理氣體源 115a、115b、125a、125b、135a、135b、145a、145b:質量流量控制器(MFC) 116a、116b、126a、126b、136a、136b:處理室側閥 121、121a、121b:第2處理氣體供給管 122:第2處理氣體共用供給管 123:第2處理氣體源 124、124a、124b:遠端電漿單元(RPU) 131a、131b:第1惰性氣體供給管 132:第1惰性氣體共用供給管 133:第1惰性氣體(沖洗氣體)源 141:惰性氣體供給管 141a、141b:第2惰性氣體供給管 142:第2惰性氣體共用供給管 143:第2惰性氣體源 146a、146b、176a、176b、186a、186b、221、228a、228b:閥 148:基板搬出入口 149:閘閥 150:間隔壁 200:基板 222:APC 223:排氣泵 224、226:處理室排氣管 224a、226a:縱配管 224b、226b:橫配管 225:共用氣體排氣管 227、227a、227b、229:壓力檢測部 230:匯流部 301:處理室 302:處理容器 302a:上部容器 302b:下部容器 305:處理空間 306:搬送空間 307:升降銷 308:隔間板 310:基板支撐部 311:基板載置面 312:基板載置台 313:加熱器 314:貫通孔 317:軸 318:升降機構 319:蛇腹管 370:上位裝置 380:控制器 380a:運算部(CPU) 380b:暫存儲存部(RAM) 380c:儲存部 380d、383:信號收發部 381:輸出入裝置 382:外部儲存裝置 391:調整部 392:壓力記錄部 393:控制資料記錄部
圖1係第一實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。 圖2係第一實施形態之基板處理裝置之腔室的構成圖。 圖3係第一實施形態之基板處理裝置之控制器的構成圖。 圖4係第一實施形態之基板處理步驟的流程圖。 圖5係第一實施形態之排氣調整步驟的流程圖。 圖6係第一實施形態之膜處理步驟的流程圖。 圖7係第二實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。
10:基板處理裝置
100、100a、100b:腔室
110:製程模組
111a、111b:第1處理氣體供給管
112:第1處理氣體共用供給管
113:第1處理氣體源
115a、115b、125a、125b、135a、135b、145a、145b:質量流量控制器(MFC)
116a、116b、126a、126b、136a、136b:處理室側閥
121a、121b:第2處理氣體供給管
122:第2處理氣體共用供給管
123:第2處理氣體源
124、124a、124b:遠端電漿單元(RPU)
131a、131b:第1惰性氣體供給管
132:第1惰性氣體共用供給管
133:第1惰性氣體(沖洗氣體)源
141a、141b:第2惰性氣體供給管
142:第2惰性氣體共用供給管
143:第2惰性氣體源
146a、146b、176a、176b、186a、186b、221、228a、228b:閥
150:間隔壁
200:基板
222:APC
223:排氣泵
224、226:處理室排氣管
224a、226a:縱配管
224b、226b:橫配管
225:共用氣體排氣管
227、227a、227b:壓力檢測部
230:匯流部

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有： 複數個處理室，其等對基板進行處理； 氣體供給部，其朝向上述處理室實施氣體供給； 複數個處理室排氣管，其等個別地被連接於上述複數個處理室之各者； 共用氣體排氣管，其被配設為使各處理室排氣管匯流於上述複數個處理室排氣管的下游側； 壓力檢測部，其對上述處理室排氣管中壓力的狀態進行檢測；及 惰性氣體供給管，其個別地被連接於上述複數個處理室排氣管之各者，而將惰性氣體供給至該處理室排氣管的管內。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述壓力檢測部被設置於上述複數個處理室排氣管之各者。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，其具備有： 調整部，其根據上述壓力檢測部所檢測出之壓力的狀態，對來自惰性氣體供給管之惰性氣體的供給進行控制。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中，在較上述壓力檢測部之檢測部位於更上述處理室排氣管的上游端，連接有上述惰性氣體供給管。
  5. 如請求項2之基板處理裝置，其中，在上述共用氣體排氣管，設有作為上述壓力檢測部之一部分的匯流管壓力檢測部。
  6. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述處理室排氣管具有沿著縱向被配設的縱配管、及沿著橫向被配設的橫配管， 上述惰性氣體供給管被連接於上述橫配管。
  7. 如請求項2之基板處理裝置，其中，其被構成為以上述壓力檢測部所檢測出之上述複數個處理室排氣管之間的壓力差成為既定範圍內的方式，進行來自上述惰性氣體供給管之惰性氣體的供給。
  8. 如請求項2之基板處理裝置，其中，其具備有： 壓力記錄部，其將上述壓力檢測部的檢測結果作為履歷資訊而加以記錄；及 控制部，其在上述壓力檢測部所得到的檢測結果與已被記錄於上述壓力記錄部之上述履歷資訊之差大於既定值之情形時，通知警告資訊。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，其具備有： 調整部，其根據上述壓力檢測部所檢測出之壓力的狀態，對來自惰性氣體供給管之惰性氣體的供給進行控制。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，其在較上述壓力檢測部之檢測部位於更上述處理室排氣管的上游側，連接有上述惰性氣體供給管。
  11. 如請求項9之基板處理裝置，其中，在上述共用氣體排氣管，設有作為上述壓力檢測部之一部分的匯流管壓力檢測部。
  12. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述處理室排氣管具有沿著縱向被配設的縱配管、及沿著橫向被配設的橫配管， 上述惰性氣體供給管被連接於上述橫配管。
  13. 如請求項9之基板處理裝置，其中，其被構成為以上述壓力檢測部所檢測出之上述複數個處理室排氣管之間的壓力差成為既定範圍內的方式，進行來自上述惰性氣體供給管之惰性氣體的供給。
  14. 如請求項9之基板處理裝置，其中，其具備有： 壓力記錄部，其將上述壓力檢測部的檢測結果作為履歷資訊而加以記錄；及 控制部，其在上述壓力檢測部所得到的檢測結果與已被記錄於上述壓力記錄部之上述履歷資訊的差大於既定值之情形時，通知警告資訊。
  15. 如請求項1之基板處理裝置，其中，在較上述壓力檢測部之檢測部位於更為上述處理室排氣管的上游側，連接有上述惰性氣體供給管。
  16. 如請求項1之基板處理裝置，其中，在上述共用氣體排氣管，設有作為上述壓力檢測部之一部分的匯流管壓力檢測部。
  17. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述處理室排氣管具有沿著縱向被配設的縱配管、及沿著橫向被配設的橫配管， 上述惰性氣體供給管被連接於上述橫配管。
  18. 如請求項1之基板處理裝置，其中，其被構成為以上述壓力檢測部所檢測出之上述複數個處理室排氣管之間的壓力差成為既定範圍內之方式，進行來自上述惰性氣體供給管之惰性氣體的供給。
  19. 如請求項1之基板處理裝置，其中，其具備有： 壓力記錄部，其將上述壓力檢測部的檢測結果作為履歷資訊而加以記錄；及 控制部，其在上述壓力檢測部所得到之檢測結果與已被記錄於上述壓力記錄部之上述履歷資訊的差大於既定值之情形時，通知警告資訊。
  20. 一種半導體裝置之製造方法，其包含有： 排氣調整步驟，其針對個別地連接於對基板進行處理之複數個處理室之各者且下游端藉由共用氣體排氣管所匯流的複數個處理室排氣管，檢測該處理室排氣管中壓力的狀態，並根據該檢測結果來設定自個別地連接於上述複數個處理室排氣管之各者之惰性氣體供給管供給惰性氣體時的控制資料；及 膜處理步驟，其在上述複數個處理室中有上述基板存在的狀態下對該處理室供給處理氣體，並且根據在上述排氣調整步驟所設定的上述控制資料，自上述惰性氣體供給管對上述處理室排氣管的管內供給惰性氣體。
  21. 一種程式，係藉由電腦使基板處理裝置執行如下之程序者： 排氣調整程序，其針對個別地連接於對基板進行處理的複數個處理室之各者且下游端藉由共用氣體排氣管所匯流的複數個處理室排氣管，檢測該處理室排氣管中壓力的狀態，並根據該檢測結果來設定自個別地連接於上述複數個處理室排氣管之各者的惰性氣體供給管供給惰性氣體時的控制資料；及 膜處理程序，其在上述複數個處理室中有上述基板存在的狀態下對該處理室供給處理氣體，並且根據在上述排氣調整步驟所設定的上述控制資料而從上述惰性氣體供給管對上述處理室排氣管的管內供給惰性氣體。
TW110108230A 2020-09-23 2021-03-09 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 TW202214047A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-158263 2020-09-23
JP2020158263A JP7227950B2 (ja) 2020-09-23 2020-09-23 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202214047A true TW202214047A (zh) 2022-04-01

Family

ID=80740032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110108230A TW202214047A (zh) 2020-09-23 2021-03-09 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220090264A1 (zh)
JP (1) JP7227950B2 (zh)
KR (1) KR20220040353A (zh)
CN (1) CN114256090A (zh)
TW (1) TW202214047A (zh)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5947435B2 (ja) 1974-12-25 1984-11-19 三菱電機株式会社 避雷装置
JPS6317520A (ja) * 1986-07-10 1988-01-25 Hitachi Metals Ltd 化学気相成長装置用圧力制御装置
JP2007242875A (ja) 2006-03-08 2007-09-20 Sharp Corp 有機金属気相成長装置およびそれを用いた気相成長方法
JP5227638B2 (ja) 2008-04-03 2013-07-03 株式会社アルバック 真空処理装置
JP2011119644A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US20150013604A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Applied Materials, Inc. Chamber pressure control apparatus for near atmospheric epitaxial growth system
JP5775633B1 (ja) * 2014-09-29 2015-09-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP5947435B1 (ja) * 2015-08-27 2016-07-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP6089082B1 (ja) 2015-09-29 2017-03-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP6804029B2 (ja) * 2017-12-21 2020-12-23 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6905634B2 (ja) * 2018-02-23 2021-07-21 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
US11150154B2 (en) * 2018-06-08 2021-10-19 Orbis Intelligent Systems, Inc. Pipe sensors

Also Published As

Publication number Publication date
CN114256090A (zh) 2022-03-29
KR20220040353A (ko) 2022-03-30
US20220090264A1 (en) 2022-03-24
JP7227950B2 (ja) 2023-02-22
JP2022052085A (ja) 2022-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11001924B2 (en) Substrate processing apparatus, nozzle base, and manufacturing method for semiconductor device
TWI575638B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method, a program, and a recording medium of a semiconductor device
KR101796542B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
CN110957236B (zh) 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
CN109545701B (zh) 半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置
TWI549214B (zh) A substrate processing apparatus, and a method of manufacturing the semiconductor device
TW201810362A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
TWI660472B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
CN106997859A (zh) 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
KR102099330B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
US20180286727A1 (en) Method of processing substrate
US20230360930A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US20160177446A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium
JP5551282B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
TW202214047A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
WO2022064549A1 (ja) 半導体装置の製造方法、記録媒体及び基板処理装置
TWI713133B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式
KR20230050451A (ko) 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치
TWI544105B (zh) 氧化矽薄膜與氮化矽薄膜的沉積方法、薄膜形成設備及半導體元件的製造方法
JP2020176296A (ja) 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法