JP6905634B2 - クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム - Google Patents
クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6905634B2 JP6905634B2 JP2020502061A JP2020502061A JP6905634B2 JP 6905634 B2 JP6905634 B2 JP 6905634B2 JP 2020502061 A JP2020502061 A JP 2020502061A JP 2020502061 A JP2020502061 A JP 2020502061A JP 6905634 B2 JP6905634 B2 JP 6905634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- temperature
- processing container
- exhaust pipe
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 244
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 155
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 124
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 460
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 121
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 10
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 94
- 239000010408 film Substances 0.000 description 75
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 72
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 68
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 33
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 33
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 29
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 22
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 17
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 9
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 8
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 6
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000006057 reforming reaction Methods 0.000 description 4
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003697 SiBN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKXNTUKZVVFSIN-UHFFFAOYSA-N S(=O)([O-])[O-].[NH4+].S(=O)(O)O.[NH4+].S(=O)(O)O Chemical compound S(=O)([O-])[O-].[NH4+].S(=O)(O)O.[NH4+].S(=O)(O)O WKXNTUKZVVFSIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007245 Si2Cl6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005096 Si3H8 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003826 SiH3Cl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- 238000005256 carbonitriding Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/308—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/347—Carbon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45531—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making ternary or higher compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/36—Carbonitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
処理容器内で基板上に膜を形成する処理を行った後、前記処理容器内へクリーニングガスを供給して前記処理容器内に付着した堆積物を除去する工程を有し、
前記堆積物を除去する工程は、
前記処理容器内に前記クリーニングガスを供給するとともに、所定の第1の圧力を維持するように真空ポンプで排気する第1工程と、
前記クリーニングガスの供給を停止し、前記処理容器内の前記クリーニングガス及び前記クリーニングガスによる反応生成物を排気する第2工程と、
前記処理容器内を前記第1の圧力より低い第2の圧力以下に維持しつつ、前記処理容器と前記真空ポンプとを接続している排気管を冷却する第3工程と、
を順次繰り返し行うものであり、
前記第3工程は、前記第2工程から前記第3工程に遷移するときにおける前記排気管の温度が、第1温度より高い第2温度より高かったときは、前記排気管の温度が前記第1温度以下になるまで前記冷却することを継続し、前記排気管の温度が前記第2温度以下だったときは、前記第1温度以下になるまで継続することなく所定時間で前記冷却することを完了する技術が提供される。
電子デバイス等の製造スループットを向上させるためには、複数回の成膜の度に行われるクリーニングの一回当たりの時間を短縮することに加え、クリーニングの周期を伸ばすことが重要である。それにはクリーニングのし残しが蓄積されないようにすることが効果的である。以下、本開示の一実施形態について図1〜図7を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
ウエハ200に対して原料ガスとしてHCDSガスを供給するステップ1と、
ウエハ200に対して炭素含有ガスとしてC3H6ガスを供給するステップ2と、
ウエハ200に対して酸化ガスとしてO2ガスを供給するステップ3と、
ウエハ200に対して窒化ガスとしてNH3ガスを供給するステップ4と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、ウエハ200上に、Si、O、CおよびNを含む膜としてシリコン酸炭窒化膜(SiOCN膜)を形成する。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態に維持される。
続いて、後述する表面改質ステップを行い、その後、次の4つのステップ、すなわち、ステップ1〜4を順次実行する。
(NH3ガス供給)
このステップでは、ガス供給管310c内へNH3ガスを流すようにし、バルブ330cを開く。NH3ガスは、MFC241cにより流量調整され、成膜温度に加熱されたノズル340cより処理室201内へ供給され、排気管232から排気される。このとき、ウエハ200は熱で活性化されたNH3ガスに曝露されることとなる。このとき同時にバルブ330fを開き、ガス供給管310f内へN2ガスを流す。ガス供給管310f内を流れたN2ガスは、NH3ガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気管232から排気される。
表面改質が完了した後、バルブ330cを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは表面改質に寄与した後のNH3ガスを処理室201内から実質的に排除する。このとき、バルブ330fは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留するガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(HCDSガス供給)
表面改質ステップが終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、HCDSガスを供給する。
第1の層が形成された後、バルブ330aを閉じ、HCDSガスの供給を停止する。そして、表面改質ステップと同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはClを含むSi含有層の形成に寄与した後のHCDSガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、表面改質ステップと同様である。
(C3H6ガス供給)
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、熱で活性化されたC3H6ガスを供給する。
第2の層が形成された後、バルブ330bを閉じ、C3H6ガスの供給を停止する。そして、表面改質ステップと同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはC含有層の形成に寄与した後のC3H6ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、表面改質ステップと同様である。
(O2ガス供給)
ステップ2が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、熱で活性化されたO2ガスを供給する。
また、ステップ3における酸化力を低下させることで、第3の層の最表面にSiが露出した状態を維持し、後述するステップ4において、第3の層の最表面を窒化させることが容易となる。すなわち、第3の層の最表面に、後述するステップ4の条件下でNと結合することができるSiを存在させておくことにより、Si−N結合を形成するのが容易となる。
第3の層が形成された後、バルブ330bを閉じ、O2ガスの供給を停止する。そして、表面改質ステップと同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくは第3の層の形成に寄与した後のO2ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、表面改質ステップと同様である。
(NH3ガス供給)
ステップ3が終了した後、処理室201内のウエハ200に対し、熱で活性化されたNH3ガスを供給する。
第4の層が形成された後、バルブ330cを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。そして、表面改質ステップと同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくは第4の層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。このとき、処理室201内に残留するガス等を完全に排除しなくてもよい点は、表面改質ステップと同様である。
上述したステップ1〜4を非同時に行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiOCN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成するSiOCN層の厚さを所望の膜厚よりも小さくして、上述のサイクルを所望の膜厚になるまで複数回繰り返すのが好ましい。
バルブ330fを開き、ガス供給管310fからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管232から排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、マニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
上述の成膜処理を行うと、反応管203の内壁、ボート217の表面等に、SiOCN膜等の薄膜を含む堆積物が累積する。すなわち、この薄膜を含む堆積物が、成膜温度に加熱された処理室201内の部材の表面等に付着して累積する。この堆積物の量(厚さ)が、堆積物に剥離や落下が生じる前の所定の量(厚さ)に達する前に、クリーニング処理が行われる。
クリーニング温度に加熱された処理室201内へ、クリーニング温度に加熱されたノズル340aよりクリーニングガスとしてフッ素系ガスを供給するとともに、同様に加熱されたノズル340bよりクリーニングガスとして反応促進ガスを供給することで、処理室201内の部材の表面に堆積したSiOCNや副生成物等を含む堆積物を熱化学反応により除去するクリーニング処理を実施することで行われる。
反応管203内にクリーニングガスを供給するとともに、所定の第1の圧力を維持するように真空ポンプで排気する第1工程としてのF2FLOW工程と、
クリーニングガスの供給を停止し、反応管203内のクリーニングガス及びクリーニングガスによる反応生成物を排気する第2工程としてのVACUUM工程と、
反応管203内を第1の圧力より低い第2の圧力以下に維持しつつ、反応管203と真空ポンプとを接続している排気管を冷却する第3工程としてのM.PUMP工程と、
を順次N回繰り返し実施する(図5参照)。
空のボート217、すなわち、ウエハ200を装填していないボート217が、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内が所定の圧力以下(例えば10Pa)となるように、真空ポンプ246によって真空排気される。また、処理室201内が規定温度Cとなるように、ヒータ207によって加熱される。処理室201内を規定温度Cに加熱することで、反応管203の内壁、ノズル340a〜340cの表面や内部(内壁)、ボート217の表面等は、規定温度Cに加熱される。処理室201内の温度が規定温度Cに到達したら、クリーニング処理が完了するまでの間は、その温度が維持されるように制御する。続いて、ボート回転機構267によるボート217の回転を開始する。ボート217の回転は、クリーニング処理が完了するまでの間は、継続して行われる。但し、ボート217は回転させなくてもよい。
その後、図5に示されるように、次の3つのステップ、すなわち、F2FLOW工程、VACUUM工程,M.PUMP工程を順次実行する。後述するように F2FLOW工程、VACUUM工程の所要時間は、非常停止等の緊急時を除き固定であるが、M.PUMP工程は追加の待ち時間によって延長されうる。
F2FLOW工程の初期において、圧力が目標以下であるため、APCバルブ244は全閉となりうる。処理室201内が、100Torrに到達すると、APCバルブ244はその開度を変化させながら圧力制御を行う。その結果、圧力は、図5の中央のグラフで示されるように遷移する。
このクリーニングガスによる反応は通常、発熱反応であり、排気管232へ流入する未反応クリーニングガス、N2ガス及び生成ガスの混合物は、高温となっている。排気管232のAPCバルブ244よりも上流側(処理室201側)における温度が、図5の下寄りのグラフに示される。排気管232の温度は、クリーニングガスの導入による圧力の上昇に連動して、上昇する。
F2FLOW工程の開始から予め設定されたガス供給時間が経過したら、バルブ330d,330eを閉じてF2FLOW工程を終了し、VACUUM工程を開始する。VACUUM工程では、処理室201内へのクリーニングガスの供給を停止し、APCバルブ244が開いた状態を維持し、排気管232を介して処理室201内のクリーニングガス等を排気する。図5に示されるように、処理室201内の圧力は、所定のレート(例えば-2000Pa/s)で緩やかに減少するようにAPCバルブ244によって制御される。VACUUM工程は、所定の圧力(100Torr)から所定のレートで減圧しているので、一定の時間で完了する。或いは、10Paへ到達する時間に余裕を持たせて、定めた所定の時間、低い圧力を持続させるようにしてもよい。
VACUUM工程を終了すると、M.PUMP工程で、反応管203内を第1の圧力より低い第2の圧力以下に維持しつつ、排気管232への、クリーニングガス及び反応副生成物の曝露を、F2FLOW工程、VACUUM工程よりも少なくする。これにより、VACUUM工程やM.PUMP工程において加熱された排気管232は冷却される(自然冷却)。例えば、APCバルブ244を全開にし、反応管203内を、到達圧力もしくは10Pa以下の圧力で維持する。このとき、バルブ330f等を閉じ、もしくはMFC241fを制御することで、排気管232内へN2ガスを停止もしくは、到達圧力を過剰に上昇させない程度に制限する。適度な量のN2ガスは、反応生成物の分圧を平行蒸気圧よりも下げる上で役立つ。
その後、F2FLOW工程、VACUUM工程、M.PUMP工程を順次所定回数繰り返し、クリーニング処理を進行させる。F2FLOW工程、VACUUM工程,M.PUMP工程を交互に繰り返すことで、排気管232の温度を臨界温度未満の温度に維持したまま、上述の堆積物の除去処理を適正に進行させることが可能となる。
本実施形態におけるクリーニング処理は、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
F2FLOW工程を行う際に、処理室201内へのF2ガス、NOガスの供給を連続的に行いつつ、さらに、処理室201内へN2ガスを間欠的に供給することで、処理室201内の圧力を変動させるようにしてもよい。すなわち、F2FLOW工程では、バルブ330d,330eを開いたままとし、さらにこのとき、バルブ330d,330eのうち少なくともいずれかのバルブの開閉動作を繰り返すようにしてもよい。この場合にも、処理室201内からの堆積物の除去効率を高めることが可能となる。
F2FLOW工程を行う際に、処理室201内へF2ガスとNOガスとを供給して封じ込めるステップと、処理室201内へF2ガスとNOガスとを封じ込めた状態を維持するステップとを行うようにしてもよい。
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果を得ることができる。
以上、本開示の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
Claims (13)
- 処理容器内で基板上に膜を形成する処理を行った後、前記処理容器内へクリーニングガスを供給して前記処理容器内に付着した堆積物を除去する工程を有し、
前記堆積物を除去する工程は、
前記処理容器内に所定の第1の圧力に達するまで前記クリーニングガスを供給する第1工程と、
前記クリーニングガスの供給を停止し、前記処理容器内の前記クリーニングガス及び前記クリーニングガスによる反応生成物を排気する第2工程と、
前記処理容器内を前記第1の圧力より低い第2の圧力以下に維持しつつ、前記処理容器と真空ポンプとを接続している排気管を冷却する第3工程と、
を順次繰り返し行うものであり、
前記第3工程は、前記第2工程から前記第3工程に遷移するときにおける前記排気管の温度が、第1温度より高い第2温度より高かったときは、前記排気管の温度が前記第1温度以下になるまで前記冷却することを継続し、前記排気管の温度が前記第2温度以下だったときは、前記第1温度以下になるまで継続することなく所定時間で前記冷却することを完了するクリーニング方法。 - 前記第3工程は、前記排気管への、前記クリーニングガス及び前記反応生成物の曝露を、前記第1工程及び前記第2工程よりも少なくすることで前記排気管を自然冷却するものであり、
前記第1工程及び前記第2工程の各々は、緊急時を除き、予め決められた時間で行われる、請求項1記載のクリーニング方法。 - 前記第1工程は、一定の流量で前記クリーニングガスの供給を続けながら、前記第1の圧力を維持するように真空ポンプで排気する動作を含み、
前記第3工程は、前記排気管に設けられた温度検出器を用いて、前記排気管の温度を測定し、
前記第1工程および前記第3工程は、前記排気管に設けられた圧力調整器を用いて圧力調整を行い、
前記処理容器は、
上端に閉塞部を有し、下端に開口部を有する筒部と、
前記筒部の一側壁の外側に形成され、クリーニングガスを供給するガス供給系が接続されたガス供給エリアと、
前記ガス供給エリアと対向する前記筒部の他側壁の外側に形成され、前記処理容器内の雰囲気を排気する排気系が接続されたガス排気エリアと、を備えるよう構成された請求項1又は2記載のクリーニング方法。 - 前記第2温度は、前記排気管に腐食が生じる温度未満の温度である、請求項1乃至3の何れかに記載のクリーニング方法。
- 前記第3工程では、前記排気管を自然冷却させるか、前記排気管内へ不活性ガスを供給することで前記排気管を強制冷却させる、請求項1乃至4の何れかに記載のクリーニング方法。
- 前記クリーニングガスは、フッ素ガスと一酸化窒素ガスとの混合ガスであり、
前記堆積物は、シリコン酸炭窒化膜である請求項1乃至4の何れかに記載のクリーニング方法。 - 処理容器内へクリーニングガスを供給して前記処理容器内に付着した堆積物を除去する工程と、
前記処理容器内で基板上に膜を形成する処理を行う工程と、を有し、
前記堆積物を除去する工程は、
前記処理容器内に前記クリーニングガスを供給するとともに、所定の第1の圧力を維持するように真空ポンプで排気する第1工程と、
前記クリーニングガスの供給を停止し、前記処理容器内の前記クリーニングガス及び前記クリーニングガスによる反応生成物を排気する第2工程と、
前記処理容器内を前記第1の圧力より低い第2の圧力以下に維持しつつ、前記処理容器と前記真空ポンプとを接続している排気管を冷却する第3工程と、
を順次繰り返し行うものであり、
前記第3工程は、前記第2工程から前記第3工程に遷移するときにおける前記排気管の温度が、第1温度より高い第2温度より高かったときは、前記排気管の温度が前記第1温度以下になるまで前記冷却することを継続し、前記排気管の温度が前記第2温度以下だったときは、前記第1温度以下になるまで継続することなく所定時間で前記冷却することを完了する半導体装置の製造方法。 - 基板を内部に収容する処理容器と、
前記処理容器内の基板に対して成膜ガスを供給する成膜ガス供給部と、
前記処理容器内へクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、
前記処理容器内を排気する排気管と前記処理容器とを接続する接続部と、
前記処理容器内の前記基板に対して前記成膜ガスを供給することで膜を形成する処理と、前記処理容器内へ前記クリーニングガスを供給して前記処理容器内に付着した堆積物を除去する処理と、を行わせ、前記堆積物を除去する処理では、前記処理容器内にクリーニングガスを供給するとともに、所定の第1の圧力を維持するように真空ポンプで排気する第1の処理と、
クリーニングガスの供給を停止し、前記処理容器内のクリーニングガス及び前記クリーニングガスによる反応生成物を排気する第2の処理と、
前記処理容器内を前記第1の圧力より低い第2の圧力以下に維持しつつ、前記処理容器と真空ポンプとを接続している排気管を冷却する第3の処理と、を順次繰り返し行わせるように、前記成膜ガス供給部および前記クリーニングガス供給部を制御する制御部と、
を有し、
前記第3の処理は、前記第2の処理から前記第3の処理に遷移するときにおける前記排気管の温度が、第1温度より高い第2温度より高かったときは、前記排気管の温度が前記第1温度以下になるまで前記冷却することを継続し、前記排気管の温度が前記第2温度以下だったときは、前記第1温度以下になるまで継続することなく所定時間で前記冷却することを完了する基板処理装置。 - 前記処理容器は、
上端に閉塞部を有し、下端に開口部を有する円筒部と、
前記円筒部の一側壁の外側に形成され、クリーニングガスを供給するガス供給系が接続されたガス供給エリアと、
前記ガス供給エリアと対向する前記円筒部の他側壁の外側に形成され、前記処理容器内の雰囲気を排気する排気系が接続されたガス排気エリアと、を備え、
前記ガス供給エリアおよび前記ガス排気エリアは、その内部の空間を複数の空間に区画する内壁を備える、請求項8記載の基板処理装置。 - 前記ガス供給エリアと前記円筒部との境界壁に前記クリーニングガスを前記円筒部内に供給するガス供給孔が形成される、請求項9記載の基板処理装置。
- 前記ガス排気エリアと前記円筒部との境界壁に前記円筒部内の雰囲気を排気するガス排気孔が形成される、請求項10記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給孔および前記ガス排気孔は、前記複数の空間それぞれに対向した位置に、上下方向に複数に形成されている、請求項11記載の基板処理装置。
- 基板処理装置の処理容器内で基板上に膜を形成する処理を行った後、前記処理容器内へクリーニングガスを供給して前記処理容器内に付着した堆積物を除去する手順をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記堆積物を除去する手順は、
前記処理容器内にクリーニングガスを供給するとともに、所定の第1の圧力を維持するように真空ポンプで排気する第1手順と、
クリーニングガスの供給を停止し、前記処理容器内のクリーニングガス及び前記クリーニングガスによる反応生成物を排気する第2手順と、
前記処理容器内を前記第1の圧力より低い第2の圧力以下に維持しつつ、前記処理容器と真空ポンプとを接続している排気管を冷却する第3手順と、
を順次繰り返し行うものであり、
前記第3手順は、前記第2手順から前記第3手順に遷移するときにおける前記排気管の温度が、第1温度より高い第2温度より高かったときは、前記排気管の温度が前記第1温度以下になるまで前記冷却することを継続し、前記排気管の温度が前記第2温度以下だったときは、前記第1温度以下になるまで継続することなく所定時間で前記冷却することを完了するプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018031234 | 2018-02-23 | ||
JP2018031234 | 2018-02-23 | ||
PCT/JP2018/048482 WO2019163295A1 (ja) | 2018-02-23 | 2018-12-28 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019163295A1 JPWO2019163295A1 (ja) | 2021-02-04 |
JP6905634B2 true JP6905634B2 (ja) | 2021-07-21 |
Family
ID=67687538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020502061A Active JP6905634B2 (ja) | 2018-02-23 | 2018-12-28 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11788188B2 (ja) |
JP (1) | JP6905634B2 (ja) |
KR (1) | KR102473880B1 (ja) |
CN (1) | CN111771263A (ja) |
SG (1) | SG11202008066PA (ja) |
WO (1) | WO2019163295A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019188128A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP7113041B2 (ja) * | 2020-03-04 | 2022-08-04 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP7227950B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2023-02-22 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP7282837B2 (ja) * | 2021-07-20 | 2023-05-29 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
CN113913786A (zh) * | 2021-10-09 | 2022-01-11 | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 | 一种薄膜沉积设备及其清洁方法 |
KR102519321B1 (ko) * | 2021-10-25 | 2023-04-10 | 주식회사 한화 | 소성로용 분위기 가스 공급장치 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222805A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP3795012B2 (ja) * | 2002-12-17 | 2006-07-12 | 三菱重工業株式会社 | 薄膜製造装置、及びそれに対するクリーニング方法 |
JP3780307B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2006-05-31 | 岩谷産業株式会社 | エピタキシャル成長炉系のクリーニング方法 |
CN101429649B (zh) * | 2003-09-19 | 2012-06-13 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 |
JP4467954B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2010-05-26 | 三菱重工業株式会社 | プラズマcvd装置のクリーニング方法及びプラズマcvd装置 |
JP4642349B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びその低温域温度収束方法 |
JP2007227501A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法及びクリーニング機能付き半導体製造装置 |
JP4870536B2 (ja) * | 2006-12-06 | 2012-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法 |
JP2011066106A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5504793B2 (ja) * | 2009-09-26 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び冷却方法 |
KR101427726B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP6026351B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 |
JP6347543B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-06-27 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6523119B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-05-29 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6581552B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2019-09-25 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
-
2018
- 2018-12-28 WO PCT/JP2018/048482 patent/WO2019163295A1/ja active Application Filing
- 2018-12-28 CN CN201880089902.3A patent/CN111771263A/zh active Pending
- 2018-12-28 KR KR1020207024147A patent/KR102473880B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-28 JP JP2020502061A patent/JP6905634B2/ja active Active
- 2018-12-28 SG SG11202008066PA patent/SG11202008066PA/en unknown
-
2020
- 2020-08-21 US US16/999,345 patent/US11788188B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-24 US US18/323,092 patent/US20230313371A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111771263A (zh) | 2020-10-13 |
US20230313371A1 (en) | 2023-10-05 |
US11788188B2 (en) | 2023-10-17 |
KR102473880B1 (ko) | 2022-12-06 |
US20200407845A1 (en) | 2020-12-31 |
WO2019163295A1 (ja) | 2019-08-29 |
JPWO2019163295A1 (ja) | 2021-02-04 |
SG11202008066PA (en) | 2020-09-29 |
KR20200110418A (ko) | 2020-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6905634B2 (ja) | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム | |
JP6342670B2 (ja) | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
US9895727B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, method of cleaning interior of process chamber, substrate processing apparatus, and recording medium | |
US9340872B2 (en) | Cleaning method, manufacturing method of semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
US20150004804A1 (en) | Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Apparatus, and Non-transitory Computer-readable Recording Medium | |
JP6920082B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
US11434564B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, recording medium and method of processing substrate | |
JP5945430B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、及びプログラム | |
JP6055879B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
KR102297247B1 (ko) | 처리 용기 내의 부재를 클리닝하는 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램 | |
JP2023033533A (ja) | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 | |
US20230220546A1 (en) | Method of cleaning, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
US20230287567A1 (en) | Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP6990756B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP7496884B2 (ja) | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
WO2023112387A1 (ja) | 成膜方法、半導体装置の製造方法、成膜装置、およびプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210615 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210625 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6905634 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |