CN113913786A - 一种薄膜沉积设备及其清洁方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜沉积设备及其清洁方法，包括：工艺腔体、控制装置和气体供应装置，工艺腔体与气体供应装置连通，控制装置与气体供应装置连接；控制装置用于控制气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，并将包含有气态物质的废气排出。本申请提供的薄膜沉积设备，可以实现自清洁，有效提高产品的良率，提升产品品质，节约产品生产成本；大大简化了清洗部件，降低了清洗部件的复杂程度，也降低了薄膜沉积设备的购置成本和维护成本；且无需通过射频电源电离得到离子，进而可以避免离子对橡胶管路进行刻蚀，延长薄膜沉积设备的使用寿命。

Description

一种薄膜沉积设备及其清洁方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜沉积设备及其清洁方法。
背景技术
CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)和ALD(Atomic LayerDeposition，原子层沉积)是半导体器件生产过程中的两种硅类薄膜镀膜方法。这两种方法会在基板表面和腔体内的其余结构部件上形成镀膜层，经过长时间镀膜积累，会导致腔体内部结构部件上的膜层厚度加厚。而由于薄膜本征应力原因，膜层会发生不定时的脱落现象，膜层落到产品上，以微粒形式存在，导致产品良率下降，生产成本上升。
相关技术中，主要采用RPSC装置(Remote Plasma Source Clean，远程等离子体清洗装置)对腔体内部结构部件上的膜层进行清洗。然而远程等离子体清洗装置结构复杂，且需要电离三氟化氮，而电离得到的氟离子会刻蚀橡胶管路，导致维护难度大，维护成本高，进而使得清洗成本居高不下。
发明内容
本申请实施例通过提供一种薄膜沉积设备及其清洁方法，解决了现有技术中使用远程等离子体清洗装置复杂，导致清洗成本高的技术问题，实现了简化清洗设备，降低清洗成本的技术效果。
第一方面，本申请提供了一种薄膜沉积设备，薄膜沉积设备包括工艺腔体、控制装置和气体供应装置，气体供应装置中存储有二氟化氙气体，工艺腔体与气体供应装置连通，控制装置与气体供应装置连接；
控制装置用于控制气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，并将包含有气态物质的废气排出。
进一步地，气体供应装置包括二氟化氙容器和控制阀门，二氟化氙容器和工艺腔体通过控制阀门连通。
进一步地，气体供应装置还包括气流载体容器，气流载体容器与气体供应装置连通。
进一步地，薄膜沉积设备还包括排气装置，排气装置与控制装置连接，排气装置与工艺腔体连通；
控制装置用于控制排气装置将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
进一步地，薄膜沉积设备还包括压力检测装置，压力检测装置与控制装置连接；
压力检测装置用于采集工艺腔体内的实际压力数据；
控制装置用于根据实际压力数据，确定工艺腔体内的压力变化率是否小于或等于预设变化率，若是，则将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
第二方面，本申请提供了一种薄膜沉积设备清洁方法，方法包括：
向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质；
将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
进一步地，向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，包括：
获取薄膜沉积设备在上次完成清洗后已执行镀膜操作的基板数量；
当基板数量大于或等于预设数量，则向工艺腔体中通入二氟化氙气体。
进一步地，将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出，包括：
获取工艺腔体内的实际压力值的变化率；
当变化率小于或等于预设变化率时，将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
进一步地，在将工艺腔体中的废气排出的过程中，方法还包括：
向工艺腔体中通入预设质量流量的二氟化氙气体；或者，
在预设时长内向工艺腔体中通入二氟化氙气体。
进一步地，向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，包括：
将气流载体通入二氟化氙容器中，使得二氟化氙容器中存储的二氟化氙气体随气流载体通入工艺腔体中。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本申请提供的薄膜沉积设备可以依赖于气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，有效提高了产品的良率，提升产品品质，节约产品生产成本。并且本申请提供的薄膜沉积设备不需要使用复杂的RPSC装置，大大降低了薄膜沉积设备的复杂程度，也降低了薄膜沉积设备的购置成本和维护成本。本申请提供的薄膜沉积设备无需进行射频电源电离，避免离子对橡胶管路进行刻蚀，可以延长薄膜沉积设备的使用寿命，进一步降低维护成本和购置成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中的RPSC装置与工艺腔体连接的结构示意图；
图2为本申请提供的薄膜沉积设备的结构示意图；
图3为本申请提供的二氟化氙与硅发生反应的过程示意图。
附图标记：
1-控制装置，2-钢瓶，3-第一质量流量控制器，4-第二质量流量控制器，5-气瓶，6-第三质量流量控制器，7-分子泵，8-通气孔，9-射频电源，10-真空计。
具体实施方式
本申请实施例通过提供一种薄膜沉积设备，解决了现有技术中使用远程等离子体清洗装置复杂，导致清洗成本高的技术问题。
本申请实施例的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：
一种薄膜沉积设备，薄膜沉积设备包括工艺腔体、控制装置和气体供应装置，气体供应装置中存储有二氟化氙气体，工艺腔体与气体供应装置连通，控制装置与气体供应装置连接；控制装置用于控制气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，并将包含有气态物质的废气排出。
本实施例提供的薄膜沉积设备，可以实现自清洁，有效提高了产品的良率，提升产品品质，节约产品生产成本。并且本实施例提供的薄膜沉积设备不需要使用复杂的RPSC装置，大大简化了清洗部件，降低了清洗部件的复杂程度，也降低了薄膜沉积设备的购置成本和维护成本。本实施例提供的薄膜沉积设备无需通过射频电源电离，进而可以避免离子对橡胶管路进行刻蚀，延长薄膜沉积设备的使用寿命，进一步降低维护成本和购置成本。
为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
首先说明，本文中出现的术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
CVD(化学气相沉积)和ALD(原子层沉积)是半导体器件生产过程中的两种硅类薄膜镀膜方法。这两种方法会在基板表面和腔体内的其余结构部件上形成镀膜层，经过长时间镀膜积累，会导致腔体内部结构部件上的膜层厚度加厚。而由于薄膜本征应力原因，膜层会发生不定时的脱落现象，膜层落到产品上，以微粒形式存在，导致产品良率下降，生产成本上升。
相关技术中，主要是在机台端加装RPSC装置，可参见图1。图1中的气瓶(GAS BOX)用于存储三氟化氮NF3气体或其他工艺所需气体；MFC(Mass Flow Controller)为质量流量计控制器，用于控制NF3气体或其他工艺所需气体的质量流量；RPSC即为远程等离子体清洗装置；分子泵(PUMP)等排气装置用于将工艺腔体的废气排出；通风孔(VENT)用于在必要时将大气通入工艺腔体中；RF POWER为射频电源；真空计用于检测工艺腔体内部的压力值；控制系统用于控制气瓶、RPSC、分子泵、通风孔、射频电源和真空计等装置。
RPSC装置的清洗过程是：GAS BOX通过管路向RPSC装置通入NF3气体，开启RPSC装置的射频电源，将通入的NF3气体进行电离(参见化学反应式(1))，将电离后的氟离子通过管路通入到薄膜沉积设备的工艺腔体内部，并与工艺腔体内部的结构部件(包括上极板、下极板、工艺腔体内表面、金属掩膜版及其支撑部件等)上积累的硅类薄膜发生反应，生成四氟化硅气体(参见化学反应式(2))，工艺腔体的分子泵将生成的气态产物抽走，工艺腔体清洗干净后，便可以进行新一轮的薄膜沉积。
Figure BDA0003294535460000051
4F-+Si→SiF4↑ (2)
RPSC装置内部管路较多且接口多，结构复杂，且离子会刻蚀管路的橡胶，不仅会导致管路会存在泄漏风险，还会难以维护，也会增加维护成本；由于气体需要射频进行电离分解，导致RPSC装置的射频部件容易发生故障，RPSC装置也容易发生宕机，因此设备稼动率较低；此外，RPSC装置的购买成本较高，且后期维护成本也较高，导致清洗费用花费较多。
本实施例为了解决上述技术问题，提供了如图2所示的一种薄膜沉积设备。本实施例提供的一种薄膜沉积设备，包括依次连接的控制装置1、气体供应装置。其中，气体供应装置中存储有二氟化氙气体。气体供应装置包括二氟化氙容器和控制阀门，二氟化氙容器和工艺腔体通过控制阀门连通。其中，控制阀门可以是第一质量流量计控制器3，二氟化氙容器可以是XeF2钢瓶2。
在此基础上还包括排气装置(例如分子泵7)和压力检测装置(例如真空计10)，排气装置与控制装置连接，排气装置与工艺腔体连通。压力检测装置与控制装置连接，压力检测装置与工艺腔体连通。
需要说明的是，除了上述结构以外，薄膜沉积设备还包括其他部件，例如，通风孔、射频电源等，具体可以参照相关技术，例如用于CVD(化学气相沉积)和ALD(原子层沉积)的镀膜设备。
在一种可选的实施方式中，第一质量流量计控制器3用于控制钢瓶2与工艺腔体之间的气体流动量，第二质量流量计控制器4用于控制气瓶1与钢瓶2之间的气体流动量，第三质量流量计控制器6用于在镀膜过程中，控制气瓶1与工艺腔体之间的气体流动量。
控制装置用于控制气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质；还用于控制排气装置将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出；还用于控制压力检测装置采集工艺腔体内的实际压力数据，并根据实际压力数据，确定工艺腔体内的压力变化率是否小于或等于预设变化率，若是，则将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
本实施例所提供的薄膜沉积设备主要依赖于XeF2与工艺腔体内的Si发生化学反应式(3)所示的反应，生成气体氙Xe和四氟化硅气体SiF4，再依赖于排气装置将包含有气态物质(主要包括Xe和SiF4)的废气(主要包括Xe、SiF4和气流载体，气流载体可以是惰性气体，例如氮气N2)排出即可，可参见图3的反应过程示意图。
2XeF2+Si→2Xe↑+4SiF4↑ (3)
相比于图1所示的薄膜沉积设备而言，本实施例提供的图2所示的薄膜沉积设备使用XeF2钢瓶替代复杂的RPSC装置，不仅能够解决工艺腔体内壁、腔体内部构件上膜层脱落的现象，达到清洗的目的，还大大降低了薄膜沉积设备中用于清洗的部件的复杂度(通常情况下，结构越复杂的设备其故障率越高)，进而可以大大降低系统发生故障的概率。并且，由于薄膜沉积设备本身的结构复杂度大幅降低，不仅使购买成本大大降低，也使得系统在后期使用过程中的维护成本大幅降低，且后期维护时间也大幅降低，也就大幅提高了系统的稼动率。
此外，本实施例提供的薄膜沉积设备不要进行电离，大大降低了清洗能耗；也避免了产生F-，也就避免了对管路的刻蚀，延长了系统的使用寿命。
本实施例还提供了与图2所示薄膜沉积设备配合的一种薄膜沉积设备清洁方法，应用于图2所示的控制装置，方法包括步骤S11和步骤S12。
步骤S11，向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质。
步骤S12，将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
控制装置控制气体供应装置向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，进入工艺腔体的二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生化学反应式(3)的反应，生成气态物质Xe和SiF4，再将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出，进而可以达到清洁工艺腔体的目的。
在向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体之前，需要确保薄膜沉积设备处于非镀膜工作状态，因此，控制装置可以检测薄膜沉积设备是否处于非镀膜工作状态；当薄膜沉积设备处于非镀膜工作状态时，可以产生一个触发指令，使得控制装置控制气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体。触发指令可以是操作人员手动控制目标按钮产生的，也可以是一个虚拟的触发信号，当然，触发指令还可以指气体供应装置的阀门控制信号，触发指令的形式或含义可以根据具体情况进行设定，此处不做限制。
工艺腔体内的部件表面积累的薄膜的厚度与薄膜沉积设备完成镀膜操作的次数有关，因此在检测薄膜沉积设备是否处于非镀膜工作状态的同时，或者在此之前或之后，可以获取薄膜沉积设备在上次完成清洗后已执行镀膜操作的基板数量。根据基板数量是否大于或等于预设数量，以及薄膜沉积设备是否处于非镀膜工作状态的结果，确定是否向工艺腔体中通入二氟化氙气体。当基板数量大于或等于预设数量，且薄膜沉积设备处于非镀膜工作状态时，向工艺腔体中通入二氟化氙气体。
也就是说，本实施例通过对薄膜沉积设备在上次完成清洗后已执行镀膜操作的基板数量进行监控。当基板数量大于或等于预设数量时，意味着工艺腔体内的部件表面(也包括工艺腔体的内壁表面)的薄膜已积累到一定程度，进而可以在薄膜沉积设备处于非镀膜工作状态时，控制气体供应装置向工艺腔体内通入二氟化氙气体，进入工艺腔体的二氟化氙气体可以自动吸附在工艺腔体内的部件表面，并发生化学反应式(3)的化学反应，达到清除表面薄膜的目的。
预设数量可以根据不同的薄膜沉积设备的实际运行情况确定，通常预设数量可以设置为1-100张。
在控制气体供应装置的过程中，控制装置可以获取薄膜沉积设备参数包，根据薄膜沉积设备参数包，确定气体供应装置的运行参数。薄膜沉积设备参数包中包括气体供应装置、质量流量计控制器、分子泵等装置的控制参数，例如驱动电压、气体流速、开口大小等。因此，控制装置可以根据薄膜沉积设备参数包，确定气体供应装置的运行参数，可以使气体供应装置的运行更精准。此外，控制装置在控制质量流量计控制器、分子泵时，也是根据薄膜沉积设备参数包，确定质量流量计控制器、分子泵的运行参数，也就使得流入工艺腔体中的二氟化氙气体的质量流量更精准。
依据图2可以看出，在气瓶中存储有氮气N2，N2一方面可以改变XeF2钢瓶内部的压力，使得XeF2钢瓶中的固体XeF2转换为气体XeF2，另一方面还可以作为气流载体将气体XeF2带入工艺腔体中。也就是说，控制装置控制气体供应装置向薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，其实质是控制装置控制气体供应装置将气流载体通入二氟化氙容器中，使得二氟化氙容器中存储的二氟化氙气体随气流载体通入工艺腔体中。气流载体的作用是使XeF2钢瓶与工艺腔体的空气发生流动，将二氟化氙气体带入工艺腔体中。气流载体可以采用氮气，也可以采用其他惰性气体，此处不做限制。气流载体可以存储与气流载体容器中，气流载体容器可以是气瓶。
在控制气体供应装置向薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体时，可以根据薄膜沉积设备在上次清洗完成后已执行镀膜操作的基板数量，确定通入工艺腔体中的二氟化氙气体的目标质量流量，进而控制气体供应装置向工艺腔体中通入目标质量流量的二氟化氙气体。可以在一定程度上减少二氟化氙的用量，降低清洗成本，减少清洗时间，提高薄膜沉积设备的稼动率。
在控制气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体之后，方法还包括：
步骤S21，获取工艺腔体内的实际压力值的变化率；
步骤S22，当变化率小于或等于预设变化率时，控制排气装置将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
步骤S23，在控制排气装置将工艺腔体中的废气排出的过程中，控制气体供应装置向工艺腔体中通入预设质量流量的二氟化氙气体；或者，控制气体供应装置在预设时长内向工艺腔体中通入二氟化氙气体。
根据化学反应式(3)可以看出，清洗后生成的都是气体，因此，工艺腔体内的压力值会发生变化，进而可以根据工艺腔体内的压力值变化，确定工艺腔体内的清洗过程的进度。因此，本实施例通过压力检测装置采集工艺腔体内的实际压力数据，控制装置根据实际压力数据，推定工艺腔体内的反应进度，即控制装置根据实际压力数据，确定工艺腔体内的压力变化率是否小于或等于预设变化率，若是，则将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。变化率体现了实际压力值的浮动程度，当变化率小于或等于预设变化率时，意味着压力已经较平稳，表示化学反应已经基本完成或已经完成，此时，可以控制排气装置将工艺腔体中的废气排出。
不过，当变化率小于或等于预设变化率时，也可能是工艺腔体内部的压力已经超过了压力检测装置的检测范围，此时压力检测装置已经无法准确检测工艺腔体内部的压力或压力变化。那么，在此时，工艺腔体内的化学反应还可能在继续进行。为了能够提高工艺腔体内的清洁程度，可以在控制排气装置将工艺腔体中的废气排出的过程中，继续向工艺腔体内通入二氟化氙气体，使得工艺腔体内的二氟化氙气体浓度增加，继续对未清洁的薄膜进行清除，提高清洁度。
在控制排气装置将工艺腔体中的废气排出的过程中，继续向工艺腔体内通入二氟化氙气体，可以采取两种方式，一种方式是通入定量的二氟化氙气体，例如，控制气体供应装置向工艺腔体中通入预设质量流量的二氟化氙气体；另一种方式是设定通入时长，在预设时长内持续通入二氟化氙气体，例如，控制气体供应装置在预设时长内向工艺腔体中持续通入二氟化氙气体。这两种方式可以在实际操作时，根据具体情况选取，此处不做限制。
也就是说，本实施例提供的一种薄膜沉积设备，在清洗过程中涉及两个通气阶段，第一阶段是步骤S11涉及的阶段，即当需要对薄膜沉积设备的工艺腔体进行清洁时，向工艺腔体中通入一定量或一定时长的二氟化氙气体。第二阶段是步骤S23涉及的阶段，即在控制排气装置将工艺腔体中的废气排出的过程中，继续向工艺腔体中通入一定量或一定时长的二氟化氙气体。
现结合图2，对本实施例提供的清洁过程进行如下说明：
在机台端安装XeF2自清洁特气罐体(即钢瓶)，罐体通过带有MFC的气体导管导向工艺腔体內部。
当薄膜沉积设备完成不限于1～100张基板镀膜之后，通过控制装置自动控制打开MFC的节流阀向薄膜沉积设备的工艺腔体通入XeF2气体。
XeF2气体会自动吸附在需要清洗的结构部件上，与结构部件上的硅类化合物膜层发生化学反应，生成气态类产物。
通过连接在工艺腔体上的分子真空泵，将化学反应气态生成物抽到尾排处理单元(未在图2中示出)，通过真空计实时检测腔体压力变化。当腔体压力平稳后，代表着化学反应已经完成，当腔体压力平稳后的1-500秒内继续向工艺腔体内部通气，进而完成整个自清洗流程。
综上所述，本实施例提供的薄膜沉积设备，可以实现自清洁，可以有效的提高产品的良率，提升产品品质，节约产品生产成本。并且本实施例提供的薄膜沉积设备摒弃现有的RPSC装置，而是采用钢瓶，存储所需的二氟化氙，大大降低了薄膜沉积设备的复杂程度，也降低了薄膜沉积设备的购置成本和维护成本。本实施例提供的系统无需进行射频电源电离，避免离子对橡胶管路进行刻蚀，延长薄膜沉积设备的使用寿命。
由于本实施例所介绍的电子设备为实施本申请实施例中信息处理的方法所采用的电子设备，故而基于本申请实施例中所介绍的信息处理的方法，本领域所属技术人员能够了解本实施例的电子设备的具体实施方式以及其各种变化形式，所以在此对于该电子设备如何实现本申请实施例中的方法不再详细介绍。只要本领域所属技术人员实施本申请实施例中信息处理的方法所采用的电子设备，都属于本申请所欲保护的范围。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括工艺腔体、控制装置和气体供应装置，所述气体供应装置中存储有二氟化氙气体，所述工艺腔体与所述气体供应装置连通，所述控制装置与所述气体供应装置连接；
所述控制装置用于控制所述气体供应装置向所述工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与所述工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，并将包含有所述气态物质的废气排出。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述气体供应装置包括二氟化氙容器和控制阀门，所述二氟化氙容器和所述工艺腔体通过所述控制阀门连通。
3.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述气体供应装置还包括气流载体容器，所述气流载体容器与所述气体供应装置连通。
4.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括排气装置，所述排气装置与所述控制装置连接，所述排气装置与所述工艺腔体连通；
所述控制装置用于控制所述排气装置将所述工艺腔体中包含有所述气态物质的废气排出。
5.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括压力检测装置，所述压力检测装置与所述控制装置连接；
所述压力检测装置用于采集所述工艺腔体内的实际压力数据；
所述控制装置用于根据所述实际压力数据，确定所述工艺腔体内的压力变化率是否小于或等于预设变化率，若是，则将所述工艺腔体中包含有所述气态物质的废气排出。
6.一种薄膜沉积设备清洁方法，其特征在于，所述方法包括：
向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与所述工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质；
将所述工艺腔体中包含有所述气态物质的废气排出。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，包括：
获取所述薄膜沉积设备在上次完成清洗后已执行镀膜操作的基板数量；
当所述基板数量大于或等于预设数量，则向所述工艺腔体中通入二氟化氙气体。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述工艺腔体中包含有所述气态物质的废气排出，包括：
获取所述工艺腔体内的实际压力值的变化率；
当所述变化率小于或等于预设变化率时，将所述工艺腔体中包含有所述气态物质的废气排出。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在将所述工艺腔体中的废气排出的过程中，所述方法还包括：
向所述工艺腔体中通入预设质量流量的二氟化氙气体；或者，
在预设时长内向所述工艺腔体中通入二氟化氙气体。
10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，包括：
将气流载体通入二氟化氙容器中，使得所述二氟化氙容器中存储的二氟化氙气体随所述气流载体通入所述工艺腔体中。
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