TW201820051A - 用於微影裝置之流體處置結構 - Google Patents

Abstract

一種流體處置結構，其經組態以將浸潤流體限制至一微影裝置之一區，該流體處置結構包含：一孔徑，其形成於該流體處置結構中以使一投影光束經由該浸潤流體傳遞通過該孔徑；一第一部分；以及一第二部分；且其中該第一部分及該第二部分中之至少一者界定經調適用於自該區抽取該浸潤流體之一表面；且其中該流體處置結構經調適以提供進入該流體處置結構之該表面或離開該表面之一流體流，且其中該第一部分相對於該第二部分之移動能有效地改變進入該表面或離開該表面之該流體流相對於該孔徑之一位置，且其中該第一部分及該第二部分中之一者包含用於使該流體流通過其之至少一個通孔，且該第一部分及該第二部分中之另一者包含用於使該流體流通過其之至少一個開口，該至少一個通孔及至少一個開口在對準時流體連通，該移動使得該至少一個開口與該至少一個通孔中之不同通孔對準，藉此改變進入該表面或離開該表面之該流體流相對於該孔徑之該位置。

Description

用於微影裝置之流體處置結構

本發明係關於一種流體處置結構及一種微影裝置。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上，通常施加至基板之目標部分上，之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。 已提議，將微影投影裝置中之基板浸沒在例如水之具有相對高折射率之浸潤液體中以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，浸潤液體為超純水，但可使用另一浸潤液體。將參考液體來描述本發明之實施例。然而，另一流體可合適，尤其濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)之流體。排除氣體之流體特別理想。此情形之要點係實現較小特徵之成像，此係因為曝光輻射在液體中將具有較短波長。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可具有或可不具有相似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可合適之其他液體包括烴，諸如，芳族化合物、氟代烴及/或水溶液。 在浸潤裝置中，浸潤流體係由流體處置結構處置。在一實施例中，流體處置結構可供應浸潤流體且可被稱作流體供應系統。在一實施例中，流體處置結構可至少部分地將浸潤流體限制至一區且可被稱作流體限制系統。在一實施例中，流體處置結構可提供對浸潤流體之障壁且藉此被稱作障壁部件。在一實施例中，流體處置結構產生或使用流體流，例如氣流，例如以幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。氣流可形成密封以限制浸潤流體。 然而，使用流體處置結構可導致缺陷形成在基板之頂部表面上。缺陷可由在基板在流體處置結構下經過之後留下的浸潤流體之小滴引起。基板之表面上的缺陷可導致基板之表面上的誤差，此可降低良率。缺陷可尤其意謂水印，或可意謂可出現於基板之表面上的其他缺陷。在支撐支撐台上之基板或物件之支撐台上留下浸潤液體亦係值得考慮的，該流體處置結構在該支撐台上經過。

舉例而言，需要提供一種其中縮減浸潤流體損耗之流體處置結構。 根據本發明之一態樣，提供一種流體處置結構，其經組態以將浸潤流體限制至一微影裝置之一區，該流體處置結構包含：一孔徑，其形成於該流體處置結構中以使一投影光束經由該浸潤流體傳遞通過該孔徑；一第一部分；以及一第二部分；且其中該第一部分及該第二部分中之至少一者界定經調適用於自該區抽取該浸潤流體之一表面；且其中該流體處置結構經調適以提供進入該流體處置結構之該表面或離開該表面之一流體流且其中該第一部分相對於該第二部分之移動能有效地改變進入該表面或離開該表面之該流體流相對於該孔徑之一位置，且其中該第一部分及第二部分中之一者包含用於使該流體流通過其之至少一個通孔且該第一部分及第二部分中之另一者包含用於使該流體流通過其之至少一個開口，該至少一個通孔與至少一個開口在對準時流體連通，該移動允許該至少一個開口與該至少一個通孔中之一者之對準，藉此改變進入該表面或離開該表面之該流體流相對於該孔徑之該位置。

圖1示意性地描繪根據本發明之一個實施例之微影裝置。該裝置包含： a. 照明系統(照明器) IL，其經組態以調節投影光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)； b. 支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM； c. 支撐台，例如，用以支撐一或多個感測器之感測器台；或支撐台WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈基板) W、連接至經組態以根據某些參數來準確地定位例如基板W之台之表面之第二定位器PW；以及 d. 投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至投影光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。 照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。 支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之諸如積體電路之器件中的特定功能層。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射性光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置可屬於具有兩個或多於兩個台(或載物台或支撐件)之類型，例如，兩個或多於兩個支撐台，或一或多個支撐台及一或多個清潔台、感測器台或量測台之組合。舉例而言，在一實施例中，微影裝置為多載物台裝置，其包含位於投影系統之曝光側處之兩個或多於兩個台，每一台包含及/或固持一或多個物件。在一實施例中，該等台中之一或多者可固持輻射敏感基板。在一實施例中，台中之一或多者可固持用以量測來自投影系統之輻射之感測器。在一實施例中，多載物台裝置包含經組態以固持輻射敏感基板之第一台(亦即，支撐台)，及未經組態以固持輻射敏感基板之第二台(通常在下文中且不限於被稱作量測台、感測器台及/或清潔台)。第二台可包含及/或可固持除了輻射敏感基板以外的一或多個物件。此一或多個物件可包括選自以下各者之一或多個者：用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一或多個對準標記，及/或清潔器件(用以清潔例如液體限制結構)。 在此等「多載物台」機器中，可並行地使用多個台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有可以類似於基板台、清潔台、感測器台及/或量測台之方式的方式並行地使用之兩個或多於兩個圖案化器件台(或載物台或支撐件)。 參看圖1，照明系統IL自源SO或輻射接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射時，源SO及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源SO形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明系統IL。在其他狀況下，舉例而言，當源SO為水銀燈時，源SO可為微影裝置之整體部分。源SO及照明系統IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。 照明系統IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。一般而言，可調整照明系統IL之光瞳平面中的強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明系統IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。類似於源SO，照明系統IL可被認為或可不被認為形成微影裝置之部分。舉例而言，照明系統IL可為微影裝置之整體部分，或可為與微影裝置分離之實體。在後一狀況下，微影裝置可經組態以允許照明系統IL安裝於其上。視情況，照明系統IL可拆卸且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。 投影光束入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件MA上，且係由該圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，投影光束傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動支撐台WT例如以便將不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確描繪)可用於例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於投影光束之路徑準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現支撐台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記M1、M2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。 儘管可在本文中特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可在製造具有微尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。 用於在投影系統PS之最終元件與基板之間提供浸潤液體之配置可分類成三個一般類別。此等類別為浴類型配置、所謂的局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及視情況支撐台WT之部分被浸沒於浸潤液體浴中。在全濕潤浸潤系統中，基板之整個頂部表面涵蓋在浸潤液體中。 局域化浸潤系統使用液體供應系統，其中浸潤液體僅提供至基板之局域化區域。由浸潤液體填充之區在平面上小於基板之頂部表面且填充有浸潤液體之區相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在彼區域下方移動。圖2及圖3展示可用於此系統中之不同流體處置結構。密封特徵存在於底部表面20中以將浸潤液體密封至局域化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種被提議為此情形做準備之方式。 所提議之配置為提供具有沿著投影系統PS之最終元件與支撐台WT之間的空間之界線的至少一部分延伸之結構的流體處置結構。圖2中說明此配置。 圖2示意性地描繪局域化流體處置結構12。流體處置結構12沿著投影系統PS之最終元件與支撐台WT或基板W之間的空間11之界線之至少一部分延伸。(請注意，除非另外明確說明，否則在下文中對基板W之表面之提及另外或在替代例中亦係指支撐台WT或支撐台WT上之諸如感測器之物件的表面。)流體處置結構12在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於流體處置結構12與基板W之表面之間，且可為無接觸密封件，諸如，氣體密封件(歐洲專利申請公開案第EP 1,420,298 A號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件。 流體處置結構12至少部分地將浸潤液體限制在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中。基板W之無接觸密封件可圍繞投影系統PS之影像場形成，使得浸潤液體被限制在基板W表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內且更一般而言被限制至包括在流體處置結構12與鄰近空間11之基板W之間的區。空間11係藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的流體處置結構12而至少部分地形成。浸潤液體係藉由液體開口3中之一者而帶入至在投影系統PS下方且在流體處置結構12內之空間11中。浸潤液體可由液體開口3中之另一者移除。浸潤液體可經由至少兩個液體開口3而被帶入至空間11中。使用液體開口3中之哪一者來供應浸潤液體且視情況使用哪一者來移除浸潤液體可取決於支撐台WT之運動方向。流體處置結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供浸潤液體緩衝。在一實施例中，流體處置結構12具有在上部末端處緊密符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可例如為圓形的內周邊。在底部處，內周邊緊密地符合影像場之形狀，例如矩形，但無需為此狀況。 浸潤液體可藉由氣體密封件16被限制在空間11中，該氣體密封件在使用期間形成於流體處置結構12之底部表面20與基板W之表面之間。表面20面對基板W且密封件形成於彼表面20與基板W之間。孔徑15形成於流體處置結構12中以供投影光束藉由空間11中之浸潤液體傳遞通過該孔徑。氣體密封件16係藉由氣體而形成。氣體密封件16中之氣體係在壓力下而經由入口25提供至流體處置結構12與基板W之間的間隙。經由出口14來抽取氣體。氣體入口25上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制浸潤液體之高速氣流。流體處置結構12與基板W之間的浸潤液體上之氣體之力將浸潤液體限制在空間11中。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可連續或不連續。氣流能有效地將浸潤液體限制在空間11中。全文特此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在一實施例中，流體處置結構12並不具有氣體密封件16。 圖3示意性地說明形成於替代性流體處置結構12之表面20中之特徵。表面20包括用以調適表面20以自該區抽取浸潤液體之特徵。圖3示意性地說明流體處置結構12之彎液面控制特徵的平面圖，該等彎液面控制特徵可具有使用氣體拖曳原理之出口且本發明之一實施例可與該等彎液面控制特徵有關。說明彎液面控制特徵之特徵，該等特徵可例如替換由圖2中之入口15及出口14提供之氣體密封件16所描繪的彎液面控制特徵。圖3之彎液面控制特徵為抽取器之形式，例如，雙相抽取器。彎液面控制特徵在流體處置結構12之表面20中包含複數個離散開口50。因此，表面20經調適用於自該區抽取浸潤流體。每一離散開口50經說明為圓形，但並非必然如此。實際上，形狀並非至關重要的，且離散開口50中之一或多者可為選自以下各者中之一或多者：圓形、橢圓形、直線性(例如，正方形或矩形)、三角形等，且一或多個開口可為細長的。 複數個入口開口13係在離散開口50的徑向向內側且亦在流體處置結構12之表面20中。浸潤液體經由入口開口13被提供至浸潤液體所提供至的區。入口開口13環繞空間11，該空間11係由形成於流體處置結構12中之孔徑15限定。 在開口50之徑向向內側可能不存在彎液面控制特徵。彎液面320藉由至離散開口50中之氣流誘發之拖曳力被牽制在離散開口50之間。大於約15 m/s，理想地，約20 m/s之氣體拖曳速度係足夠的。可縮減流體自基板W噴濺或洩漏之量，藉此縮減流體之蒸發且藉此降低熱膨脹/收縮效應。 流體處置結構之底部之各種幾何形狀係可能的。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2004-0207824號或美國專利申請公開案第US 2010-0313974號中所揭示之結構中之任一者可用於本發明之一實施例中。本發明之一實施例可應用於流體處置結構12，流體處置結構12在平面中具有任何形狀，或具有諸如以任何形狀配置之出口的組件。非限制性清單中之此類形狀可包括橢圓形(諸如，圓形)、直線性形狀(諸如，矩形，例如正方形)，或平行四邊形(諸如，菱形)，或具有多於四個拐角的有角形狀(諸如四角星或多於四角之星)，如圖3中所描繪。 已知微影裝置可包含流體處置結構12，流體處置結構12包含氣刀。氣刀可用於幫助將浸潤流體限制至空間11。因此，氣刀可適用於防止浸潤流體逸出空間11，此稍後可能導致缺陷。提供強力氣刀適用於防止膜牽拉。此係因為強力氣刀將縮減或防止落在流體處置結構12後面之浸潤流體之量。另外，強力氣刀可較快打破膜以縮減落在流體處置結構12後面之浸潤流體之量。 流體處置結構12經組態以將浸潤流體限制至區且包含氣刀系統。氣刀系統可經組態以在使用中產生氣刀。氣刀可在空間11徑向向外側且可有助於限制浸潤流體。氣刀系統包含各自具有退出口60之通道。氣刀可在使用中藉由離開退出口60之氣體形成。退出口60形成平面圖中之形狀的至少一側。退出口60可形成平面圖中之形狀之至少一側、多側或所有側。舉例而言，退出口60可形成四角星之側，如圖3中所展示。該形狀可具有複數個側，例如，可提供任何適當的數目個側，例如3、4、5、6、7、8、9、10或更多個。如上文所描述，退出口60可形成任何形狀之側且此並非限制性的。圖3將掃描方向110描繪為與四角星之兩角成直線，但情況可能並非如此。由氣刀形成之形狀可以任何所選定向與掃描方向110對準。 在圖3之實施例中，可看出，存在經由液體開口13 (浸潤液體)且經由退出口60 (用以形成氣刀之氣流)自表面20離開之流體流。亦存在至表面20中至離散開口50中之流體流(氣體與浸潤液體之混合物)。 在本發明中，流體處置結構12經調適以提供進入表面20或離開該表面20之流體流(例如，自流體開口13離開之流體、進入離散開口50之流體、自退出口60離開之流體)。流體處置結構12經調適以改變進入表面20或離開該表面20之流體相對於孔徑15例如在徑向方向上之位置。 流體處置結構12與基板W之間的相對移動越快，則越有可能出現浸潤液體之洩漏。然而，需要最大化流體處置結構12與基板W之間的相對速度以便最大化裝置之產出率。因此，需要增加流體處置結構12與基板W之間的最大相對速度，且不允許任何浸潤液體或僅少量浸潤液體留在基板W上。藉由改變流體流相對於孔徑15之位置，有可能增加基板W相對於投影系統PS之速度，該速度可在浸潤液體留在基板W之表面上之前達成。 在一實施例中，與彎液面控制特徵相關聯之流體流可與基板W在同一方向上移動，藉此降低與彎液面控制特徵相關聯之流動與基板W之間的相對速度。因此，在一實施例中，流體流之位置改變意謂衝擊在基板W之表面上的流體流所在之位置之相對速度相較於其中不存在進入表面或離開該表面之流體流相對於孔徑15之相對移動及位置的狀況具有經降低速度。相對速度之此降低意謂不大可能損耗液體及/或基板W相對於投影系統PS之較高速度在浸潤液體留在基板W上之前係可用的。 在一實施例中，允許進入表面20或離開該表面20之流體流相對於孔徑之位置改變允許與彎液面控制特徵相關聯之流體流在平面中之形狀在特定方向上對準。舉例而言，在平面中之形狀可為有角形狀且可一直轉動形狀之拐角以面對就限制浸潤液體而言係最佳之接近的基板。具體言之，此系統可允許由圖3之開口50造成之平面中之總體形狀的拐角與基板W相對於投影系統PS之實際移動方向對準，而非與如圖3中所說明之掃描方向110固定對準。此將允許在不具有液體損耗之情況下之基板W之非掃描移動的速度比在圖3之固定流體處置結構12之情況下的可能的速度快。此因此允許用於將浸潤液體限制至區之特徵之對準相對於在流體處置結構12下方之基板W之行進方向進行最佳對準。 在一實施例中，位置改變允許流體流在基板W之特定區上若干次經過，使得可由流體流含有確實經過更接近於孔徑15之彎液面控制特徵之任何浸潤液體。 流體流之位置改變係藉由允許流體處置結構12之第一部分相對於流體處置結構12之第二部分移動而達成。可由控制器500控制該移動。位置改變係藉由將第一部分及第二部分中之一者配置成包含用於流體流通過其之至少一個通孔而達成。第一部分及第二部分中之另一者包含用於流體流通過其之至少一個開口。至少一個通孔與至少一個開口在對準時流體連通。藉由相對於彼此移動第一部分及第二部分，至少一個開口將與至少一個通孔中之不同通孔對準。以此方式，可將流體流選擇為自至少一個通孔中之不同通孔離開，藉此改變進入表面或離開該表面之流體流相對於孔徑之位置。此配置係有利的，因為在實質上不增加流體處置結構12之容積的情況下，可能有效地調適流體處置結構12以允許進入表面20或離開該表面20之流體流改變其相對於孔徑15之位置。另外，流體處置結構12之用於相對於投影系統PS將流體處置結構12固持在適當位置之任何支撐件可附接至流體處置結構12之第一部分，該第一部分可經配置成不相對於投影系統PS移動。相較於整個流體處置結構12旋轉或移動以便改變流體流相對於投影系統PS之位置之狀況，此極大地簡化流體處置結構12之支撐。另外，而非藉由僅移動流體處置結構12之一部分來移動整個流體處置結構12，移動部分之總質量比在移動整個流體處置結構12之狀況下的總質量要低。通常，在包含至少一個開口之第一部分或第二部分中提供橫截面面積大於開口之橫截面面積之腔室。該腔室藉由吸收壓力變化而使通過開口之流動平穩。在較佳實施例中，將腔室提供於非移動部分中，使得界定腔室之部分有利地不需要移動，藉此縮減移動質量。其中具有至少一個通孔之部分可保持相對薄且藉此保持低質量，此意謂用於該移動之致動會較簡單。 在一實施例中，第一部分相對於第二部分之移動包括第一部分相對於第二部分之旋轉移動。在一實施例中，第一部分相對於第二部分之移動包括第一部分相對於第二部分之平移移動。 現將僅參看圖4藉助於實例描述本發明之第一實施例。此實施例及其他實施例中描述用於至流體處置結構12中/自該流體處置結構12離開之流體流的各種開口、入口、退出口等等。該等開口、入口、退出口等等可呈具有任何橫截面形狀之一或多個開口、入口、退出口等等之形式且可為任何數目。舉例而言，該等開口、入口、退出口等等可呈單一隙縫而非如所說明之單獨的孔之形式。圖4為流體處置結構12之表面20之示意性透視圖。除了如下文所描述之外，圖4之流體處置結構亦與圖3之流體處置結構相同。流體處置結構12包含離散開口50及退出口60a、60b、60c，該等離散開口及退出口之功能與圖3之離散開口50及退出口60的功能相同。表面20中用於抽取浸潤液體之離散開口50比退出口60更接近於孔徑15。 流體處置結構12包含第一部分100及第二部分200。第一部分100被安裝成相對於投影系統PS實質上靜止。第二部分200位於形成於第一部分100之底部中之凹槽中，使得表面20 (其係流體處置結構12之下表面)部分地由第一部分100形成且部分地由第二部分200形成。第一部分100及第二部分200之底部表面係實質上共面之表面且一同界定抽取浸潤液體所藉由之表面20。 流體處置結構12經調適使得第二部分200可相對於第一部分100旋轉。旋轉移動係圍繞流體處置結構12之中心軸線。在一實施例中，流體處置結構12之中心軸線係與微影裝置之投影系統PS之中心軸線一致。 退出口60係呈表面20中之出口開口之形式。自退出口60a、60b、60c離開之流體流在平面中沿著至少一條線自表面20流出，因為退出口60a、60b、60c在平面中沿著線配置。自退出口60a、60b、60c離開之流體(例如氣體)流係呈氣刀之形式。在圖4中所說明之實施例中，退出口60a、60b、60c在平面中形成三條線。然而，本實施例不限於三條線且可由退出口60a、60b、60c形成任何數目條線。 退出口60a、60b、60c之線形成，使得自其離開之流體流歸因於流體流之位置改變能有效地操縱朝向孔徑15之浸潤液體之小液滴。除退出口60在平面中形成為五條葉片形線(60a、60b、60c、60d、60e)之外，此情形亦在圖5中示意性地說明，圖5為圖4中所說明之表面20的平面視圖。 浸潤液體之小液滴62經說明為由自退出口之線60e離開之氣流推動且朝向離散開口50拂掠。第二部分200之旋轉如同包含複數個氣刀之二極體一般起作用。氣刀將逸出徑向內部限制特徵之所有浸潤液體徑向向內推回至浸潤液體應處於之區中。浸潤液體接著可由諸如離散開口50之抽取特徵抽取。 退出口之線60a至60e在圓周方向上延伸且亦沿著其長度與孔徑15愈來愈遠。第二部分200旋轉，使得在相對於投影系統PS或孔徑15之給定固定徑向位置處，當給定線經過彼徑向時，其在彼固定徑向位置處之位置移動至更接近於投影系統PS及孔徑15。箭頭63說明第二部分200相對於第一部分100之旋轉方向。線相對於小液滴62 (其將在流體處置結構12下方之基板W上)之移動將引起小液滴62在方向64上朝向孔徑15移動。 小液滴62之移動係歸因於離開退出口60e之流體流相對於孔徑15之位置移動。 當小液滴62朝向孔徑15移動時，將經由離散開口50中之一者提取該小液滴即使小液滴62移動經過退出口之線60e，其接著亦將由退出口之下一線60d截獲，該退出口之線60d將以與如上文相對於由退出口之線60e施加在小液滴62上之力所描述相同的方式將力施加在小液滴62上。以此方式，在遠離孔徑15之方向上移動經過離散開口50之浸潤液體之任何小液滴由自退出口之線60a、60b、60c、60d、60e離開之流體流拂掠回朝向開口50。 如在圖4及圖5中所說明，退出口之線60a至60e可能不為筆直的且可為例如彎曲的。退出口之線60a至60e可能或可能不在圓周方向上重疊。 儘管未說明，但可將開口13提供在鄰近孔徑15之第一部分100中之表面20中。 如圖5中所說明，液體開口13存在於第一部分100中在第二部分200徑向向內側。液體開口13在此實施例中係視情況選用的且與圖3之流體處置結構12中之液體開口13具有相同功能。 第二部分200係藉由第一部分100無摩擦地懸掛。第二部分200可相對於第一部分100以例如在0.1 Hz與100 Hz之間，較佳地在1 Hz與10 Hz之間，的速度比如若干赫茲旋轉。若旋轉速度保持不變，則有利地不存在引入至裝置之加速或減速力。 可以氣動方式或液壓方式驅動第二部分200相對於第一部分100之移動。圖6為圖4及圖5之流體處置結構12之橫截面。說明用於氣動或液壓致動之管路120。氣動致動可使用與退出口60中所使用之氣體相同的氣體，例如二氧化碳。液壓致動可例如藉由泵吸浸潤液體使其經過管路120而使用與浸潤液體相同的液體。相對於第一部分100移動第二部分200之其他方式包括使用(伺服/步進器)馬達，視情況結合齒輪、皮帶或桿。使用皮帶或桿將運動自馬達傳輸至第二部分200可為有利的，因為接著有可能將馬達置放在遠離第二部分200之位置處。此在流體處置結構12具有有限容積之狀況下可為尤其有利的。可提供偵測第一部分100相對於第二部分200之旋轉之速度的旋轉感測器(圖中未描繪)。可提供在旋轉期間量測浸潤液體/氣體之速度的流動感測器(圖中未描繪)。控制器500可使用該等感測器以控制第二部分200相對於第一部分100在封閉迴路中之旋轉速度。 如圖6中所說明，在一實施例中，在第一部分100與第二部分200之間提供外軸承130及內軸承140。內軸承140可為液體軸承，例如使用與空間11中之液體相同的液體之液體軸承。外軸承130可為氣體軸承，例如使用與離開退出口60之氣體相同之氣體的氣體軸承。可僅提供一個軸承130、140且該等軸承可為任何類型的非接觸式及/或無摩擦軸承，包括如上文所描述之氣動軸承及液壓軸承。 移除內軸承140且僅具有外軸承130可為有利的，因為相比於第二部分200之內側，第二部分200之外側處有更多可用空間。因此，可縮減旋轉環第二部分200之大小，因為不需要內軸承140之空間。由於旋轉的第二部分200之較小半徑，此將導致較小屏蔽氣體(例如，二氧化碳)佔據面積。另外，此將意謂需要較少退出口60。然而，相較於提供內軸承140之狀況，第二部分200之硬度可能需要增加。 圖4至圖6之實施例說明提供在第二部分200中之離散開口50。然而，無需為此狀況且在一實施例中，在第一部分100中提供離散開口50。圖4至圖6之實施例之配置可為有利的，因為離散開口50與流體處置結構12下方之基板W之間的相對速度較低，此意謂歸因於開口50與基板W之間的相對運動，較小力對彎液面起作用。因此，可縮減來自經過離散開口50之區之液體損耗。另外，離散開口50在平面中形成之形狀可能為除圓形之外的形狀。舉例而言，可能需要使離散開口呈具有與掃描方向對準之拐角之有角形狀，諸如圖3中所說明。然而，自最小化流體處置結構12之大小之角度來看，無論離散開口50在第一部分100中抑或在第二部分200中，離散開口50在平面中形成之形狀均理想地為圓形，如所說明。 如圖6中所說明，針對自200離開之流體流中之每一者提供環形腔室55、65。舉例而言，在圖6之實施例中，提供經由第二部分200中之通孔51與離散開口50流體連通之環形腔室55。在腔室55中提供負壓。此負壓誘發通過離散開口50之流體流(浸潤液體及氣體)。相似地，在退出口60上方提供經由第二部分200中之通孔61與退出口60流體連通之環形腔室65。將氣體之過壓供應至環形腔室65。因為環形腔室65與全部退出口60a至60e流體連通，所以此提供自所有退出口60a至60e離開之均勻氣流。 腔室55及65可看作為第一部分100中之與第二部分200中之通孔51、61流體連通之開口。以此方式，環形腔室55、65係與表面20中之離散開口50及退出口60流體連通。相較於通孔51之組合的容積，環形腔室55為相對大腔室。此允許均衡化歸因於浸潤液體傳遞通過通孔51而存在之壓力波動。相似原理適用於環形腔室65。然而，另外，第一部分100中之開口之大表面區域對應於環形腔室65意謂表面20中之退出口60a至60e中之每一者係與一個環形腔室65流體連通，該等退出口60a至60e相對於孔徑15處於不同徑向位置。 在一實施例中，離心力可用於使環形腔室55中之浸潤液體與氣體分離。此係為有益的，因為此降低環形腔室55中之干擾力及浸潤液體之蒸發。 第二部分200可藉由車削而非銑削製成。此係有利的，因為相比於銑削，車削較不昂貴且更快並且亦更準確。因此，相較於圖3之通常藉由銑削製成之流體處置結構12，降低製造成本。 在一實施例中，第二部分200可自第一部分100拆卸以便輔助清潔及/或升級，及/或改變離散開口50及/或退出口60及/或可在第二部分200之表面20上之任何其他特徵的型態。 儘管未說明，但外抽取孔可在第二部分200徑向向外側之第一部分100中形成。外抽取孔可經由第一部分100之主體中之腔室連接至負壓。外抽取孔可用於自外抽取孔徑向向內側移除氣體。在於離開退出口60a至60e之氣流中使用除空氣外之屏蔽氣體(例如，二氧化碳)之狀況下，外抽取孔係理想的。使用外抽取孔可確保微影裝置之環境不被危險濃度的屏蔽氣體污染。另外，允許屏蔽氣體逸出至微影裝置之其餘部分中可為不當的，因為其接著可到達成像感測器及/或對準感測器之輻射光束之光學路徑，從而可導致所進行之量測之誤差。在另一實施例中，外抽取孔可提供在第二部分200中且可以與離散開口50相似之方式連接至負壓源。 圖7至圖9展示以與圖4至圖6之實施例之原理相似的原理起作用之替代性實施例。除如下文所描述之外，圖7至圖9之實施例係與圖4至圖6之實施例相同。在圖7至圖9之實施例中，入口開口13及退出口60形成於第一部分100中。離散開口50形成於第二部分200中。如同所有其他實施例，提供在第一部分100中及提供在第二部分200中之準確開口可因所說明之配置不同而不同。舉例而言，入口開口13及退出口60中之一或多者可提供在旋轉的第二部分200中而非提供在實質上靜止的第一部分100中。另外，如同圖4至圖6之實施例，外抽取開口可提供在退出口60徑向向外側，可提供在靜止的第一部分100中抑或提供在旋轉的第二部分200中。 儘管相關於呈離散開口50之形式之液體限制特徵解釋圖7至圖9之實施例，但相同原理可用於產生進入表面20或離開表面20之流體流之任何類型的液體限制特徵。 如可在圖7至圖9中看出，離散開口50在平面中以環繞孔徑15之非環形形狀形成。該形狀經設計以降低基板W相對於垂直於鄰近離散開口50之間的方向之線的速度。此能有效地降低在離散開口50之間延伸之彎液面320上的力(而非如圖3之形狀所作用)。因此，第二部分200可旋轉，使得該形狀在相對於在流體處置結構12下方之基板W之行進方向上之用於限制浸潤液體的最佳化方向上對準。此配置具有優於圖3之實施例之益處，該益處在於可連續地調整第一部分100相對於第二部分200之位置以相對於在流體處置結構12下方之基板W之改變的行進方向最佳化由離散開口50形成之形狀之定向。如在其他實施例中，控制器500控制第一部分100相對於第二部分200之移動。此可基於在流體處置結構12下方之基板W之已知路線或可替代或另外地基於在流體處置結構12下方之基板W之經感測運動方向。 圖7及圖8之實施例之離散開口50在平面中形成之總體形狀係離軸橢圓或另一(延行的)經最佳化細長形狀。圖9之實施例之離散開口50在平面中形成之形狀係具有圓形前邊緣且朝向隅角延長且在後邊緣處具有實質上直線之形狀。在兩個實施例中，用於每一單位面積或長度之離散開口50之數目可在後邊緣之區中增加。此等形狀在後邊緣處以與圖3之流體處置結構12之形狀相同的原理起作用。亦即，相對於垂直於鄰近離散開口50之間的方向之方向縮減在流體處置結構12下方移動之基板W之相對速度。因此，離散開口50不再含有浸潤液體所處之速度增加。 圖10展示本發明之除如下文所描述之外與上述實施例相同的另一實施例。在圖10實施例中，孔徑15係由第一部分100界定。 在圖10之實施例中，第二部分200係呈板之形式。第二部分200形成整個表面20。進入表面20或離開表面20之任何流體流藉由第二部分200進行。出於此目的，第二部分200在其中具有複數個通孔51、131。通孔包括用於通過液體開口13之液體流之通孔131及用於抽取浸潤液體及氣體藉此以牽制彎液面320之離散開口50的通孔51。如同在上述實施例中，在離散開口50上方提供環形腔室55。另一環形腔室135提供在液體開口13上方以用於提供通過液體開口13之浸潤液體。環形腔室135以與本文中所描述之其他環形腔室相同之原理起作用。 第二部分200可相對於第一部分100在平面中平移。第二部分200可在其中移動之平面為實質上平行於基板W之平面。該平面亦平行於表面20之平面。 第二部分200在其中具有在液體開口13徑向向內側之孔徑27。第二部分200中之孔徑27係大於第一部分100中之孔徑15。此允許第二部分200相對於第一部分100之移動，且第二部分200不會阻擋投影光束傳遞通過以使基板W成像之孔徑15。此可在圖11之實施例中最清晰地看到，圖11之實施例在此方面相似。第二部分200中之孔徑27可具有任何形狀。在圖11之實施例中，該形狀在平面中為圓角正方形。選擇此形狀係因為其視需要允許第二部分200相對於第一部分100之移動的界限，且第二部分200不會阻擋第一部分100之孔徑15。 環形腔室55、135可視為如同在圖6實施例一樣在第一部分100中具有開口。環形腔室55、135之開口與通孔51、131在對準時流體連通。第二部分200相對於第一部分100之移動引起通孔51、131相對於孔徑15之移動。以此方式，進入表面20或離開表面20(亦即，自液體開口13離開及進入離散開口50)之流體流之位置相對於孔徑15改變。 在圖10之實施例中，至少一個通孔131、51之橫截面面積小於環形腔室135、55之開口之橫截面面積。此允許第二部分200相對於第一部分100之移動，藉此相對於第一部分100之孔徑15移動通孔131、51之位置。達成此移動同時維持環形腔室135、55與其相關聯通孔131、51之間的流體連通。以此方式，流體處置結構12與基板W之間的進入通孔131、51或離開通孔131、51之恆定流體流係可能的。 在圖10之實施例中，在第一部分100與第二部分200之間提供軸承。該軸承可為無摩擦軸承。在一個實施例中，該軸承為流體軸承，例如液體軸承或氣體軸承。在一較佳實施例中，徑向向內軸承140為液體軸承。該液體軸承可使用與提供至浸潤空間11之液體相同的液體。此具有如下優點：自軸承140至空間11或環形腔室135中之浸潤液體之任何洩漏對空間11中之浸潤液體無害。 徑向向外軸承130可為氣體軸承或液體軸承。在一較佳實施例中，徑向向外軸承130為氣體軸承。此在將另一通孔提供於第二部分200中在離散開口50徑向向外側以用於將氣體之氣刀流提供至基板W上(與圖3之實施例相似)時尤其較佳。與提供至彼氣流之氣體相同之氣體可接著用於徑向向外軸承130中。 在圖10之實施例中，當基板W相對於第一部分100移動時，控制器500相對於第一部分100在相同方向上移動第二部分200。相較於不產生第一部分100與第二部分200之間的相對移動之狀況，此引起第二部分200與基板W之間的相對速度之降低。第二部分200與基板W之間的相對速度之此降低意謂彎液面320較穩定且浸潤液體之損耗係不大可能的。 可以任何方式達成第二部分200相對於第一部分100之相對移動。在圖10之實施例中，藉由在一個邊緣處捲起第二部分200來達成在一個方向上之移動。此藉由提供軸300達成，第二部分200圍繞該軸300捲繞。藉由驅動軸300 (及在對置方向上之流體處置結構12之相對側上的對應軸)，可達成在一個方向上之移動。可藉由沿著軸之縱向軸線移動軸300來達成在垂直於軸300之軸線之方向上的移動。 在圖11之實施例中，利用用以達成第二部分200與第一部分100之間的相對移動之不同機構。在包括圖10之實施例之任何其他實施例中，此等機構可用於代替捲起特徵。該致動可藉由使用經(線性地)致動桿或電線、藉由使用線性馬達(致動器)或以任何其他方式。使用線性致動器提供較多設計自由、產生非所需粒子之較低風險及較佳控制以及較準確移動。在兩個或三個線性致動器藉由桿連接至第二部分200之狀況下，第二部分200之移動質量降至最低(相較於圖10中所說明之捲起實施例)。 在圖11之實施例中，可在第一部分100之底部表面中提供用於使氣流通過其之退出口60且因此退出口60相對於孔徑15固定。因此，如同在圖4之實施例中，表面20係由第一部分100及第二部分200兩者界定。 由於移動部分之低質量，圖10及圖11之實施例係有利的。亦即，可使形成第二部分200之板相對薄，意謂需要較小力來使該板加速及減速。 儘管圖10及圖11之實施例經說明為具有用於提供通過其之浸潤液體之液體開口13及用於抽取浸潤液體及氣體之離散開口50，但可在第二部分200 (具有對應腔室)中提供其他開口及退出口。舉例而言，可提供外抽取開口。 圖12中示意性地說明另一實施例。除如下文所描述之外，圖12之實施例與圖10及圖11實施例相同。 在圖12之實施例中，代替在第一部分100中形成環形腔室135、55，此等腔室形成於第二部分200中。如同在上述實施例中，用於進入表面20及/或離開表面20之流體流之任何數目個開口13、50及退出口60係可能的，但出於簡單起見，在圖12中僅說明開口13及50。在圖12中所說明之實施例中，說明用於提供自其離開之浸潤流體之液體開口13以及自流體處置結構12下方抽取浸潤液體及氣體之離散開口50。 在圖12之實施例中，可藉由在第一部分100與第二部分200之間延伸的軟管將流體提供至環形腔室135、55且藉由該等軟管自環形腔室135、55抽取流體。因此，相比於在上述實施例中，第一部分100與第二部分200之間的任何軸承具有較低要求，因為其不需要為不透流體的。因此，相較於圖4至圖9之實施例，該設計被簡化，代價為增加相對於實質上靜止之第一部分100移動之第二部分200之質量。 圖12之實施例具有如下優點：除內軸承140 (其係視情況選用的)之外，不存在與區中之浸潤流體流體連通之移動部分。因此，可由相對於彼此移動之兩個表面產生之粒子無法進入浸潤空間(在圖12之左側)中。 除如下文所描述之外，圖13之實施例係與上述實施例相同。在圖13之實施例中，在第一部分100中提供液體開口13及離散開口50 (以及退出口60，未說明)。液體開口13及離散開口50 (以及退出口60)藉由第一部分100連接至通孔131、51。可移動第二部分200係在第一部分100中之腔中且相對於通孔131、51移動，且使該等通孔與第二部分200中之環形腔室135、55選擇性地流體連通。在一實施例中，環形腔室135、55具有橫截面面積與第一部分100中之通孔131、51之橫截面面積相似之開口。在另一實施例中，環形腔室135、55之開口可呈隙縫之形式。由此，藉由第二部分200相對於第一部分100之移動，有可能選擇第一部分100中之通孔131、51中之如下通孔：其與環形腔室135、55流體連通且因此具有通過其之流體流。因此，有可能藉由改變液體開口13及離散開口50中之與環形腔室135、55流體連通之開口而改變進入表面20或離開表面20之流體流相對於孔徑15之位置。 舉例而言，若第二部分200相對於第一部分100移動至左邊，如所說明，則最左側通孔131及對應開口13將與內環形腔室135流體連通且最內離散開口50將與外環形腔室55流體連通。然而，外液體開口13及外離散開口50將不與其各別環形腔室135、55流體連通且將因此不具有通過該等開口之流體流。 若第二部分200現在相對於第一部分100移動至右邊，則外通孔131及對應液體開口13以及外通孔51及對應離散開口50將與各別環形腔室135、55流體連通，使得自流體處置結構12離開之(浸潤液體之)流體的位置將相對於孔徑15徑向向外移動且抽取浸潤液體及氣體藉由開口50進行所在之位置亦將相對於孔徑15徑向向外移動。 在一個實施例中，可提供通過第一部分100之通孔131、51之一個或兩個集合之陣列。通孔131、51呈例如微篩之形式。在微篩中，通孔例如具有約20微米之大小且間距為30微米。因此，藉由第二部分200相對於第一部分100之移動，可達成幾乎無限數目個進入表面20或離開表面20之流體流之不同位置。此係因為自環形腔室135、55引出之通道可與微篩中之通孔中之任一者對準，使得有可能選擇微篩之通孔中之如下通孔：其具有通過其之流體流。此配置係有利的，因為有可能取決於在流體處置結構12下方之基板W之移動的方向及速度使抽取流體及/或提供流體之距離相對於孔徑15平穩地變化。 圖14說明除如下文所描述之外與圖13相同之一實施例。在圖14之實施例中，液體開口13、退出口60及外抽取開口800形成於第一部分100中且因此相對於孔徑15固定在適當位置。抽取開口800經說明為在比表面20之平面離基板W更遠之平面中之表面中。無需為此狀況。在一實施例中，抽取開口800可形成於表面20中。離散開口藉由具有複數個通孔51之微篩形成。第二部分200位於第一部分100中之腔中且相對於通孔51移動。使通孔51與第二部分200中之環形腔室55選擇性地流體連通。以此方式，自流體處置結構12與基板W之間抽取浸潤液體及/或氣體所在之徑向位置可移動。 在所有實施例中，使用控制器500以控制第一部分100相對於第二部分200之位置可用於最佳化進入表面20或離開表面20之流體流之位置，藉此在浸潤液體自該區洩漏之前增加投影系統PS與基板W之間的最大相對速度。 為上文所提及之實施例之組合的其他配置係可能的。舉例而言，流體處置結構12可包含第三部分(未說明)例如作為圖13之實施例中之第一部分100之底部，該第三部分接著可相對於第二部分200移動。以此方式，可達成較廣範圍之運動，從而允許投影系統PS與基板W及/或支撐台WT之間的相對速度且藉此允許甚至更高之產出率。 如應瞭解，上述特徵中之任一者可與任何其他特徵一起使用，且本申請案中不僅涵蓋明確描述之彼等組合。 如應瞭解，上述特徵中之任一者可與任何其他特徵一起使用，且本申請案不僅涵蓋明確描述之彼等組合。舉例而言，本發明之一實施例可應用於圖3之實施例。 熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之上下文中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光之抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，以使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在上下文允許之情況下可指包括折射及反射光學組件的各種類型之光學組件中之任一者或組合。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同之其他方式來實踐本發明。以上之描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍的範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

3‧‧‧液體開口

11‧‧‧空間

12‧‧‧流體處置結構

13‧‧‧入口開口/液體開口/流體開口

14‧‧‧出口

15‧‧‧入口/孔徑

16‧‧‧氣體密封件

20‧‧‧表面

25‧‧‧入口

27‧‧‧孔徑

50‧‧‧離散開口

51‧‧‧通孔

55‧‧‧環形腔室

60‧‧‧退出口

60a‧‧‧退出口/退出口之線

60b‧‧‧退出口/退出口之線

60c‧‧‧退出口/退出口之線

60d‧‧‧退出口/退出口之線

60e‧‧‧退出口/退出口之線

61‧‧‧通孔

62‧‧‧小液滴

63‧‧‧箭頭/旋轉方向

64‧‧‧方向

65‧‧‧環形腔室

100‧‧‧第一部分

110‧‧‧掃描方向

120‧‧‧管路

130‧‧‧徑向向外軸承

131‧‧‧通孔

135‧‧‧環形腔室

140‧‧‧徑向向內軸承

200‧‧‧第二部分

300‧‧‧軸

320‧‧‧彎液面

500‧‧‧控制器

800‧‧‧外抽取開口

AD‧‧‧調整器

B‧‧‧投影光束/輻射光束

BD‧‧‧光束遞送系統

C‧‧‧目標部分

CO‧‧‧聚光器

IF‧‧‧位置感測器

IL‧‧‧照明系統

IN‧‧‧積光器

M1‧‧‧圖案化器件對準標記

M2‧‧‧圖案化器件對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PW‧‧‧第二定位器

SO‧‧‧源

W‧‧‧基板

WT‧‧‧支撐台

現將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分，且在該等圖式中： 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置； 圖2描繪用於微影投影裝置中之流體處置結構； 圖3為描繪一另外流體處置結構之側視橫截面視圖； 圖4為流體處置結構之底部表面之透視圖； 圖5為流體處置結構之底部表面之平面視圖； 圖6為描繪圖4或圖5之流體處置結構之一半的側視橫截面視圖； 圖7為一另外流體處置結構之平面視圖； 圖8為圖7流體處置結構之一半之橫截面視圖； 圖9為一另外流體處置結構之下表面之透視圖； 圖10為一另外流體處置結構之一半之側視橫截面視圖； 圖11為一另外流體處置結構之下表面之透視圖； 圖12為描繪一另外流體處置結構之一半之側視橫截面視圖； 圖13為描繪一另外流體處置結構之一半之側視橫截面視圖；且 圖14為描繪一另外流體處置結構之一半之側視橫截面視圖。

Claims (20)

1. 一種流體處置結構，其經組態以將浸潤流體限制至一微影裝置之一區，該流體處置結構包含： 一孔徑，其形成於該流體處置結構中以使一投影光束經由該浸潤流體傳遞通過該孔徑； 一第一部分；及 一第二部分；且 其中該第一部分及該第二部分中之至少一者界定經調適用於自該區抽取該浸潤流體之一表面；且 其中該流體處置結構經調適以提供進入該流體處置結構之該表面或離開該表面之一流體流，且其中該第一部分相對於該第二部分之移動能有效地改變進入該表面或離開該表面之該流體流相對於該孔徑之一位置，且 其中該第一部分及該第二部分中之一者包含用於使該流體流通過其之至少一個通孔且該第一部分及該第二部分中之另一者包含用於使該流體流通過其之至少一個開口，該至少一個通孔及至少一個開口在對準時流體連通，該移動使得該至少一個開口與該至少一個通孔中之一者對準，藉此改變進入該表面或離開該表面之該流體流相對於該孔徑之該位置。
2. 如請求項1之流體處置結構，其中該移動包括該第一部分相對於該第二部分之一旋轉移動。
3. 如請求項1或2之流體處置結構，其中該流體流為自該表面中之至少一個出口開口離開之氣體之一流體流，該至少一個出口開口為該至少一個通孔之一出口開口。
4. 如請求項3之流體處置結構，其中該至少一個出口開口經配置使得該流體流在平面中沿著一線自該表面流出，且歸因於該流體流之該位置改變，該流體流能有效地操縱朝向該孔徑之該浸潤流體之小液滴。
5. 如請求項3或4之流體處置結構，其在該表面中進一步包含用於抽取該浸潤流體之至少一個入口開口，該至少一個入口開口比該至少一個出口開口更接近於該孔徑。
6. 如請求項5之流體處置結構，其中該至少一個入口開口係在該第一部分中且該至少一個出口開口係在該第二部分中，且該表面係由該第一部分及該第二部分之實質上共面之表面界定。
7. 如請求項1或2之流體處置結構，其中該流體流為進入用於抽取該浸潤液體之該表面中之至少一個入口開口的流體之一流體流，該至少一個入口開口為該至少一個通孔之一入口開口。
8. 2或7之流體處置結構，其中進入該表面或離開該表面之該流體流在平面中於該表面上形成一區域且在該表面上具有環繞該孔徑之一形狀。
9. 如請求項8之流體處置結構，其中該形狀相對於傳遞通過該孔徑之該投影光束之一軸線不對稱。
10. 2、7、8或9中任一項之流體處置結構，其中該第二部分界定該表面且該第一部分定位於該第二部分之與該表面相對之一側上。
11. 如請求項1至10中任一項之流體處置結構，其中該第一部分界定該表面且該第二部分定位於該第一部分中之一腔中。
12. 如請求項1至11中任一項之流體處置結構，其中該至少一個通孔之一橫截面面積小於該至少一個開口之一橫截面面積且該至少一個通孔係在該表面中，使得藉由相對於該孔徑移動該第二部分，該通孔相對於該孔徑之該位置改變，同時該至少一個開口與至少一個通孔保持流體連通。
13. 如請求項1至12中任一項之流體處置結構，其中該第一部分包含一板且一液體軸承存在於該第一部分與該第二部分之間。
14. 如請求項13之流體處置結構，其中該第一部分經調適以藉由在一個邊緣處捲起而相對於該第二部分移動。
15. 如請求項1至14中任一項之流體處置結構，其中該第一部分包含複數個該等通孔且該第一部分相對於該第二部分之移動使得該至少一個開口與不同通孔對準，使得該流體流傳遞通過之該通孔可改變，藉此以改變進入該表面或離開該表面之該流體流相對於該孔徑之該位置。
16. 如請求項15之流體處置結構，其中該複數個通孔包含通孔之一二維陣列，且該至少一個開口為細長的使得該開口可與該二維陣列之複數個鄰近通孔對準且與該複數個鄰近通孔流體連通。
17. 如請求項1至16中任一項之流體處置結構，其進一步包含一第三部分，其中該第一部分及該第二部分兩者可相對於該第三部分移動。
18. 一種浸潤微影裝置，其包含如請求項1至17中任一項之該流體處置系統。
19. 如請求項18之浸潤微影裝置，其進一步包含一投影系統，該投影系統用於將該投影光束通過由該流體處置結構限制至該區之該浸潤流體而投射至被支撐在一支撐台上之一基板上。
20. 如請求項19之浸潤微影裝置，其進一步包含一控制器，該控制器用於在該支撐台相對於該投影系統之移動期間控制該第一部分相對於該第二部分之移動，使得該流體流與該基板之間的一相對速度低於在無該第一部分相對於該第二部分之移動之狀況下之速度。