TW201818427A - 薄膜 - Google Patents
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Abstract
本發明為提供一種相對介電率、體積電阻率以及絕緣破壞強度皆高之薄膜。本發明之薄膜，其特徵為頻率1kHz，且在30℃下之相對介電率為9以上，在30℃下之體積電阻率為5E+15Ω･cm以上，絕緣破壞強度為500V/μm以上。
Description
[0001] 本發明關於一種薄膜。
[0002] 已知偏二氟乙烯之單獨聚合物之薄膜、或偏二氟乙烯與其他單體而成之共聚合物之薄膜具有高相對介電率。 [0003] 例如專利文獻1中有記載一種薄膜，其係作為表現優異介電特性之薄膜，且由氟化亞乙烯樹脂95~30重量%與聚醚5~70重量%而成之氟化亞乙烯樹脂組成物所得。 [0004] 專利文獻2中有記載一種高介電體薄膜，其係使用包含氟化亞乙烯單位以及四氟乙烯單位之合計為95莫耳%以上之氟樹脂所形成。 [0005] 專利文獻3中記載一種薄膜電容器用薄膜，其係包含四氟乙烯系樹脂作為薄膜形成樹脂，該四氟乙烯系樹脂中，氟化亞乙烯單位以及四氟乙烯單位以氟化亞乙烯單位/四氟乙烯單位（莫耳%比）為0/100~49/51之範圍來包含。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0006] [專利文獻1] 日本特開昭60-199046號公報 [專利文獻2] 國際公開第2008/090947號 [專利文獻3] 國際公開第2012/039424號
[本發明欲解決之課題] [0007] 然而，要求一種相對介電率比以往之薄膜更高，且體積電阻率以及絕緣破壞強度也較高之薄膜。 為了提高相對介電率，也有複合高介電率材料之方法，但相對介電率較高之材料的水分吸著量會變多，會引起體積電阻率之降低。且，主聚合物材料與添加物之相對介電率相異，會引起絕緣破壞強度之降低，因此，要求一種滿足高介電率與體積電阻率以及絕緣破壞強度全部之方法。 [0008] 有鑑於上述現狀，本發明之目的為提供一種相對介電率、體積電阻率以及絕緣破壞強度之任一者都較高之薄膜。 [解決課題之手段] [0009] 本發明為一種薄膜，其特徵為頻率為1kHz，在30℃下之相對介電率為9以上，在30℃下之體積電阻率為5E+15Ω･cm以上，絕緣破壞強度為500V/μm以上。 [0010] 上述薄膜之結晶化度為60%以上較佳。 [0011] 上述薄膜之X線繞射中結晶波峰之半寬度為0.5~1.5較佳。 [0012] 上述薄膜包含聚合物較佳。 [0013] 上述薄膜包含融點180℃以上之氟聚合物較佳。 [0014] 上述薄膜包含氟聚合物，該氟聚合物包含偏二氟乙烯單位較佳。 [0015] 上述薄膜之厚度為1~100μm較佳。 [0016] 上述薄膜為高介電性薄膜或壓電薄膜較佳。 [0017] 上述薄膜能夠適合使用在薄膜電容器、電潤濕裝置或壓電面板。 [發明效果] [0018] 本發明之薄膜由於具有上述構成，具有較高之相對介電率、較高之體積電阻率以及較高之絕緣破壞強度。
[0019] 以下，具體說明本發明。 [0020] 本發明之薄膜，頻率為1kHz，在30℃下之相對介電率為9以上。 作為上述相對介電率，為10以上較佳。 上述相對介電率係，於上述薄膜之表面實施f50mm之鋁蒸鍍，在其相反面也全面實施鋁蒸鍍，作為樣品，使用LCR量計，測定容量（C），自容量、電極面積（S）、薄膜之厚度（d），並以式C=ε×ε0
×S/d（ε0
為真空之介電率）所算出之值。 [0021] 本發明之薄膜在30℃下之體積電阻率為5E+ 15Ω･cm以上，較佳為6E+15Ω･cm以上，更較佳為7E+15Ω･cm以上，更再較佳為8E+15Ω･cm以上，特別佳為9E+15Ω･cm以上。作為上述體積電阻率，為1E+16Ω･cm以上最佳。且，作為上述體積低效率之上限，亦可為1E+17Ω･cm，亦可為5E+17Ω･cm。 [0022] 上述體積電阻率係於真空中在上述薄膜之單面蒸鍍鋁，作為樣品。接著，將此樣品設置在恆溫槽內（30℃、25%RH），以數位超絕緣計/微小電流計，將50V/μm之電壓施加於樣品，測定體積電阻率（Ω･cm）。 [0023] 本發明之薄膜之絕緣破壞強度為500V/μm以上，較佳為550V/μm以上，更較佳為600V/μm以上。作為上述絕緣破壞強度，亦可為1000V/μm以下，亦可為800V/μm以下。 上述絕緣破壞強度係將上述薄膜放置於下部電極，放置f25mm且重量500g之分銅作為上部電極，於兩端以100V/sec增加電壓，測定破壞之電壓。測定數設為50點，刪除上下5點，算出平均值，除以厚度之值，求出絕緣破壞電壓。 [0024] 本發明之薄膜由於具有上述構成，故具有較高之相對介電率、較高之體積電阻率以及較高之絕緣破壞強度。且，實際運轉時，電容器元件為例如150V/um以上之高電界，但本發明之薄膜，即使在150V/um以上之高電界區域中，耐久性以及絕緣性也較優異，且作為較高電容器容量、電容器，也具有充分之體積電阻率。 [0025] 本發明之薄膜，結晶化度為60%以上較佳。作為上述結晶化度，為70%以上再較佳，為80%以上更佳。 [0026] 上述結晶化度係將複數上述薄膜安裝於樣品固定座，將此作為測定樣品。將樣品以X線繞射裝置自10~40°之範圍所得之繞射光譜之結晶質部分與非晶質部分之面積比算出結晶化度。上述薄膜之厚度未滿40μm時，重疊複數上述薄膜使合計之厚度為40μm以上。 [0027] 本發明之薄膜，X線繞射中結晶波峰之半寬度為0.5~1.5較佳。 [0028] 上述半寬度係將X線繞射裝置所得之光譜以波峰分離法分解成結晶波峰與非晶光暈，將自所得之結晶波峰之基底部至波峰頂部之高度設為h時，以相當於h/2之部分之結晶波峰的寬度算出半寬度。 [0029] 本發明之薄膜之厚度為100μm以下較佳，為30μm以下再較佳，為10μm以下更較佳，亦可為1μm以上。 上述厚度能夠使用數位測長機來測定。常使用之厚度為2μm以上8μm以下或2μm以上5μm以下。 [0030] 本發明之薄膜包含聚合物較佳，包含氟聚合物再較佳。本發明之薄膜亦可為有機薄膜。 [0031] 作為上述有機薄膜，有舉出包含聚烯烴系聚合物、聚環烯烴系聚合物、聚酯系聚合物、聚醯胺系聚合物、聚乳酸系聚合物、聚亞醯胺系聚合物、聚醚亞醯胺系聚合物、胺基甲酸酯系聚合物、環氧系聚合物等之聚合物者。 且，作為上述氟聚合物，有舉出聚四氟乙烯、四氟乙烯/乙烯共聚合物、聚氟化亞乙烯、四氟乙烯/全氟烷基乙烯醚共聚合物、四氟乙烯/六氟丙烯共聚合物等。以顯示更優異之耐熱性與高介電性來看，為包含偏二氟乙烯單位之氟聚合物較佳，為偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚合物、偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚合物、偏二氟乙烯/六氟丙烯共聚合物、偏二氟乙烯/四氟乙烯/六氟丙烯共聚合物再較佳。 [0032] 上述氟聚合物之融點為180℃以上較佳，上限亦可為320℃。再較佳之下限為190℃，上限為280℃。 [0033] 作為上述氟聚合物，為偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚合物更佳。 上述共聚合物，以顯示更優異之耐熱性，且使於低溫之介電率與於高溫之介電率之差變得更小來看，偏二氟乙烯單位/四氟乙烯單位之莫耳比為5/95~95/5較佳，為10/90~90/10再較佳，進一步為10/90~49/51較佳，為20/80以上再較佳，為45/55以下更再較佳。 [0034] 上述共聚合物進一步包含烯性不飽和單體（但，去除四氟乙烯以及偏二氟乙烯）之共聚合單位較佳。 作為上述乙烯性不飽和單體之共聚合單位之含量，相對於全共聚合單位，亦可為0~50%莫耳%，亦可為0~40莫耳%，亦可為0~30莫耳%，亦可為0~15莫耳%，亦可為0~5莫耳%。 [0035] 作為上述乙烯性不飽和單體，只要是能夠與四氟乙烯以及偏二氟乙烯共聚合之單體，並無特別限制，但選自下述式（1）以及（2）所表示之乙烯性不飽和單體所成群中至少1種較佳。 [0036]（式中，X1
、X2
、X3
以及X4
亦可相同或相異，表示H、F或Cl，n表示0~8之整數。但，去除四氟乙烯以及偏二氟乙烯）。 [0037]（式中，Rf1
表示碳數1~3之烷基或碳數1~3之氟烷基）。 [0038] 作為式（1）所表示之乙烯性不飽和單體，選自CF2
=CFCl、CF2
=CFCF3
、下述式（3）：（式中，X4
以及n與上述相同）以及下述式（4）：（式中，X4
以及n與上述相同） 所成群中至少1種較佳，選自CF2
=CFCl、CH2
=CFCF3
、CH2
=CH-C4
F9
、CH2
=CH-C6
F13
、CH2
=CF-C3
F6
H以及CF2
=CFCF3
所成群中至少1種再較佳，選自CF2
=CFCl、CH2
=CH-C6
F13
以及CH2
=CFCF3
中至少1種更佳。 [0039] 作為式（2）所表示之乙烯性不飽和單體，為選自CF2
=CF-OCF3
、CF2
=CF-OCF2
CF3
以及 CF2
=CF-OCF2
CF2
CF3
所成群中至少1種較佳。 [0040] 上述共聚合物為包含 55.0~90.0莫耳%之四氟乙烯、 5.0~44.9莫耳%之偏二氟乙烯以及 0.1~10.0莫耳%之式（1）：（式中，X1
、X2
、X3
以及X4
亦可為相同或相異，表示H、F或Cl，n表示0~8之整數。但，去除四氟乙烯以及偏二氟乙烯） 所表示之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物較佳。 [0041] 再較佳為包含 55.0~85.0莫耳%之四氟乙烯、 10.0~44.9莫耳%之偏二氟乙烯以及 0.1~5.0莫耳%之式（1）所表之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物。 [0042] 更佳為包含 55.0~85.0莫耳%之四氟乙烯、 13.0~44.9莫耳%之偏二氟乙烯以及 0.1~2.0莫耳%之式（1）所表示之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物。 [0043] 以提升共聚合物之於高溫以及低溫之機械性強度之觀點來看，為式（1）所表示之乙烯性不飽和單體為選自CH2
=CH-C4
F9
、CH2
=CH-C6
F13
以及CH2
=CF-C3
F6
H所成群中至少1種單體較佳。再較佳為式（1）所表示之乙烯性不飽和單體為選自CH2
=CH-C4
F9
、CH2
=CH-C6
F13
以及CH2
=CF-C3
F6
H所成群中至少1種單體，且共聚合物為包含 55.0~80.0莫耳%之四氟乙烯、 19.5~44.9莫耳%之偏二氟乙烯以及 0.1~0.6莫耳%之式（1）所表示之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物。 [0044] 上述共聚合物亦可為包含 58.0~85.0莫耳%之四氟乙烯、 10.0~41.9莫耳%之偏二氟乙烯以及 0.1~5.0莫耳%之式（1）所表示之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物。 [0045] 上述共聚合物為包含 55.0~90.0莫耳%之四氟乙烯、 9.2~44.2莫耳%之偏二氟乙烯以及 0.1~0.8莫耳%之式（2）：（式中，Rf1
表示碳數1~3之烷基或碳數1~3之氟烷基） 所表示之乙烯性不飽和單體之共聚合單位之共聚合物較佳。 [0046] 再較佳為包含 58.0~85.0莫耳%之四氟乙烯、 14.5~39.9莫耳%之偏二氟乙烯以及 0.1~0.5莫耳%之式（2）所表示之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物。 [0047] 上述共聚合物為包含 55.0~90.0莫耳%之四氟乙烯、 5.0~44.8莫耳%之偏二氟乙烯、 0.1~10.0莫耳%之式（1）所表示之乙烯性不飽和單體以及 0.1~0.8莫耳%之式（2）所表示之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物較佳。 [0048] 再較佳為包含 55.0~85.0莫耳%之四氟乙烯、 9.5~44.8莫耳%之偏二氟乙烯、 0.1~5.0莫耳%之式（1）所表示之乙烯性不飽和單體以及 0.1~0.5莫耳%之式（2）所表示之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物。 [0049] 更佳為包含 55.0~80.0莫耳%之四氟乙烯、 19.8~44.8莫耳%之偏二氟乙烯、 0.1~2.0莫耳%之式（1）所表示之乙烯性不飽和單體以及 0.1~0.3莫耳%之式（2）所表示之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物。上述共聚合物具有此組成時，低透過性特別優異。 [0050] 上述共聚合物亦可為包含 58.0~85.0莫耳%之四氟乙烯、 9.5~39.8莫耳%之偏二氟乙烯、 0.1~5.0莫耳%之式（1）所表示之乙烯性不飽和單體以及 0.1~0.5莫耳%之式（2）所表示之乙烯性不飽和單體 之共聚合單位之共聚合物。 [0051] 上述共聚合物之熔融流動率（MFR）為0.1 ~100g/10min較佳，為0.1~50g/10min再較佳。 [0052] 上述MFR係根據ASTM D3307-01，在297℃、5kg荷重下，10分鐘內自內徑2mm且長度8mm之噴嘴所流出之聚合物之質量（g/10分鐘）。 [0053] 上述共聚合物之融點為180℃以上較佳，上限亦可為290℃。再較佳之下限為190℃，上限為280℃。 [0054] 上述融點係使用示差掃描熱量計，根據ASTM D-4591，以升溫速度10℃/分鐘進行熱測定，將相對於所得之吸熱曲線之波峰的溫度作為融點。 [0055] 上述共聚合物之熱分解開始溫度（1%質量減溫度）為360℃以上較佳。再較佳之下限為370℃。上述熱分解開始溫度只要在上述範圍內，能夠將上限設為例如410℃。 [0056] 上述熱分解開始溫度係提供於加熱試驗之共聚合物之1質量%分解之溫度，係使用示差熱･熱重量測定裝置〔TG-DTA〕，藉由測定供應於加熱試驗之共聚合物之質量減少1質量%時的溫度，所得之值。 [0057] 上述共聚合物之動力黏彈性測定所得之170℃下的儲藏彈性率（E’）為60~400MPa較佳。 [0058] 上述儲藏彈性率為藉由動力黏彈性測定於170℃下所測定之值，更具體來說，以動力黏彈性裝置將長度30mm、寬度5mm、厚度0.25mm之樣品以拉伸模式、抓取寬度20mm、測定溫度自25℃至250℃、升溫速度2℃/min、頻率1Hz之條件所測定之值。170℃下之較佳儲藏彈性率（E’）為80~350MPa，再較佳儲藏彈性率（E’）為100~350MPa。 測定樣品能夠例如藉由將成形溫度設定在比共聚合物之融點高50~100℃之溫度，並以3MPa之壓力形成至厚度0.25mm之薄膜剪裁成長度30mm、寬度5mm來製作。 [0059] 上述共聚合物亦可為氟樹脂。 [0060] 本發明之薄膜包含上述氟聚合物或上述共聚合物時，亦可進一步包含其他聚合物。作為其他聚合物，例如為了提高可撓性，為聚碳酸酯（PC）、聚酯、聚乙烯對苯二甲酸酯（PET）、聚乙烯萘二甲酸酯（PEN）、矽氧樹脂、聚醚、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯（PP）等較佳，為了提高強度，有舉出聚偏二氟乙烯（PVdF）、偏二氟乙烯（VdF）/六氟丙烯（HFP）共聚合物、聚（甲基）丙烯酸酯、環氧樹脂、聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、聚氧化二甲苯（PPO）、聚硫化二甲苯（PPS）、聚醯胺（PA）、聚亞醯胺（PI）、聚醯胺亞醯胺（PAI）、PC、聚苯乙烯、聚苯并咪唑（PBI）等，或以補足高介電性之觀點來看，有舉出奇數聚醯胺、氰基支鏈澱粉、銅酞青系聚合物等。 [0061] 作為與上述共聚合物組合之其他聚合物，此等中，以與上述共聚合物親和性較高之觀點來看，選自PVdF、VdF/HFP共聚合物、聚（甲基）丙烯酸酯以及聚乙酸乙烯酯所成群中至少1種之聚合物較佳。且，PVdF、VdF/HFP共聚合物以不損害介電率並使機械性強度提升之觀點來看，特別佳。且，聚（甲基）丙烯酸酯、聚乙酸乙烯酯以機械性強度或絕緣電阻之提升之觀點來看，特別佳。 [0062] 上述共聚合物與其他聚合物之質量比為50/50~99/1較佳，為75/25~99/1再較佳。 [0063] 以不損害薄膜之機械性強度且能夠防止薄膜之阻塞之觀點來看，本發明之薄膜也能包含矽。其摻混量相對於上述聚合物100質量份為0.01~10質量份較佳，為0.1質量份以上再較佳，為5質量份以下再較佳，為2質量份以下更佳。 [0064] 本發明之薄膜亦可包含高介電性無機粒子、補強用填料、親和性提升劑等。 [0065] 作為上述高介電性無機粒子，有舉出鈦酸鋇系酸化物粒子、鈦酸鍶系酸化物粒子等。上述高介電性無機粒子相對於上述聚合物100質量份摻混10~200質量份較佳。 [0066] 若含有上述鈦酸鋇系酸化物粒子，則介電率會提升，但會見到介電損失之增大、耐電壓之降低。因此，上述鈦酸鋇系酸化物粒子之含量以相對於上述聚合物100質量份為200質量份左右為上限。且，以介電率提升之改善效果之觀點來看，鈦酸鋇系酸化物粒子之含量為10質量份以上較佳。 [0067] 若含有上述鈦酸鍶系酸化物粒子，則會見到介電率之提升與介電損失之降低，故較佳。另一方面，耐電壓會降低，故要求耐電壓提升時，不摻混較佳。 [0068] 作為上述補強用填料，有舉出碳化矽、氮化矽、氧化鎂、鈦酸鉀、玻璃、礬土、硼素化合物之粒子或纖維。 [0069] 作為上述親和性提升劑，有舉出偶合劑、官能基改質聚烯烴、苯乙烯改質聚烯烴、官能基改質聚苯乙烯、聚丙烯酸酸亞醯胺、異丙苯基酚等，亦可在不損害本發明之效果的範圍內包含。且，以耐電壓之觀點來看，不包含此等之成分再較佳。 [0070] 本發明之薄膜係自頻率1kHz，在30℃下之相對介電率A與頻率1kHz，在150℃下之相對介電率B，根據下式算出之變化率為-8~+8%較佳。上述變化率為-7~+7%再較佳，為-6~+6%更佳。上述變化率亦可為-2.0%以下+2.0%以上。 變化率(%)=(B-A)/A×100 [0071] 相對介電率A以及B皆使用LCR量計來測定容量（C），並自容量、電極面積（S）、薄膜之厚度（d）以式C=ε×ε0
×S/d（ε0
為真空之介電率）來算出。 [0072] 本發明之薄膜自頻率1kHz，在30℃下之相對介電率E與頻率100kHz，在30℃下之相對介電率F，根據下式所算出之變化率為-8~+8%較佳。 變化率(%)=(F-E)/E×100 [0073] 相對介電率E以及F皆使用LCR量計來測定容量（C），並自容量、電極面積（S）薄膜之厚度（d）以式C=ε×ε0
×S/d（ε0
為真空之介電率）算出。 [0074] 本發明之薄膜為頻率1kHz，在150℃下之損失正切為7%以下較佳，為6%以下再較佳。 上述損失正切使用LCR量計來測定。 [0075] 本發明之薄膜，縱向（MD）在25℃下之拉伸彈性率為800MPa以上較佳，為900MPa以上再較佳。 上述拉伸彈性率能夠根據ASTM D1708來測定。 [0076] 本發明之薄膜，縱向（MD）之在25℃下之彈性率為800MPa以上，且厚度亦可為100μm以下。上述彈性率為900MPa以上再較佳。且，上述厚度為30μm以下再較佳，為10μm以下更較佳，為1μm以上較佳。 [0077] 本發明之薄膜能夠適當地藉由下述製造方法來製造，該製造方法包含：藉由將聚合物溶融壓出成形得到薄膜之步驟以及藉由將上述薄膜延伸，得到延伸薄膜之步驟。 [0078] 上述溶融壓出成形能夠於250~380℃下來進行。 上述溶融壓出成形也能夠使用溶融壓出成形機來進行，將柱體溫度設為250~350℃，且將模溫度設為300~380℃較佳。且，將成形溫度階段性地上升較佳。例如，將柱體部設為300℃後，使其升溫至330℃，並將T模部設為340℃，使成形溫度階段性地上升較佳。 [0079] 上述製造方法包含將上述壓出成形所得之薄膜藉由軋輥捆卷之步驟較佳。上述軋輥之溫度設為0~180℃較佳。 [0080] 上述壓出成形之後，將所得之薄膜延伸，得到延伸薄膜。 上述延伸亦可為二軸延伸。 [0081] 上述二軸延伸中，將薄膜往與縱方向（MD）成垂直之橫向（TD）延伸。 上述二軸延伸中之延伸倍率以MD以及TD之各倍率，為2~10倍較佳，為3倍以上再較佳，為3.5倍以上更較佳，為4倍以上特別佳。 上述二軸延伸中之延伸溫度為0~200℃較佳，為40℃以上再較佳，為120℃以下再較佳。 上述二軸延伸中之延伸速度為1E+2~1E+5%/分鐘較佳。 [0082] 上述二軸延伸亦可為同時二軸延伸。 作為上述二軸延伸之方法，能夠採用拉幅式二軸延伸、圓筒式二軸延伸等方法，為拉幅式二軸延伸較佳。 上述二軸延伸中之延伸溫度為0~200℃較佳，為40℃以上再較佳，為120℃以下再較佳。 上述同時二軸延伸中之延伸速度為1E+2~1E+5%/分鐘較佳。 同時二軸延伸法是將軋輥狀薄膜之端部（TD側）以夾子夾住，其夾子間隔藉由往MD方向、TD方向之兩方向延展，來延伸薄膜之方法。 [0083] 上述延伸能夠使用分批式或連續式之延伸機來進行。且，上述延伸亦能夠自溶融壓出所得之薄膜成形直接連續地進行。 [0084] 上述製造方法包含在上述延伸後，將所得之延伸薄膜熱固定之步驟較佳。藉由熱固定，能夠得到抑制熱等影響造成的薄膜之收縮、或提升耐久性之效果。 上述熱固定之溫度為100~250℃較佳，為150℃以上再較佳，為200℃以下再較佳。熱固定時間以短時間較佳，連續延伸以5分以下較佳。 [0085] 本發明之薄膜作為高介電性薄膜或壓電薄膜較適合。 [0086] 將本發明之薄膜作為壓電薄膜時，將薄膜進行分極處理較佳。上述分極處理能夠藉由電暈放電來進行，例如能夠藉由下述來進行：日本特開2011-181748號公報所記載，對薄膜使用線狀電極實施加壓；或對薄膜使用針狀電極實施加壓。進行上述分極處理後，亦可進行熱處理。 [0087] 本發明之薄膜亦適合使用在薄膜電容器、電潤濕裝置、或壓電面板。 [0088] 本發明之薄膜能夠適合作為薄膜電容器之高介電性薄膜來使用。上述薄膜電容器亦可具有本發明之薄膜、與設置在該薄膜之至少一側之面之電極層。 [0089] 作為薄膜電容器之構造，有舉例如電極層與高介電性薄膜相互層積之層積型（日本特開昭63-181411號公報、日本特開平3-18113號公報等）、或捲入帶狀之高介電性薄膜與電極層之捲回型（在高介電性薄膜上沒有連續層積電極之日本特開昭60-262414號公報等所揭示者、或高介電性薄膜上有連續層積電極之日本特開平 3-286514號公報等所揭示者等）等。為構造較單純且製造較容易之高介電性薄膜上有連續層積電極層之捲回型薄膜電容器時，一般來說，將單面有層積電極之高介電性薄膜以電極彼此不會接觸之方式重疊捲入2片，並因應必要，在捲入後，固定使其不鬆開，以此來製造。 [0090] 電極層並無特別限定，一般來說，為由鋁、鋅、金、白金、銅等之導電性金屬而成之層，作為金屬箔或蒸鍍金屬被膜來使用。能夠使用金屬箔與蒸鍍金屬被膜之任一者、或亦可併用兩者。能夠將電極層變薄，其結果，能夠增大對體積之容量，與介電體之密著性也較優異，且，以厚度之不均較小之觀點來看，通常為蒸鍍金屬被膜較佳。蒸鍍金屬被膜不限定於一層者，例如，為了使其保有耐濕性，自可在鋁層上進一步形成半導體之氧化鋁層，作為電極層之方法（例如日本特開平2-250306號公報等）等，因應必要，亦可為多層。蒸鍍金屬被膜之厚度並無特別限定，但較佳為100~2,000埃，再較佳為200~1,000埃之範圍。蒸鍍金屬被膜之厚度在此範圍時，電容器之容量或強度較平衡，較適合。 [0091] 作為電極層使用蒸鍍金屬被膜時，被膜之形成方法並無特別限定，能夠採用例如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等。通常使用真空蒸鍍法。 [0092] 作為真空蒸鍍法，有例如成形品之分批方式、與長尺品所使用之半連續（半容器）方式與連續（air to air）方式等，現在是以半連續方式為主力來進行。半連續方式之金屬蒸鍍法是在真空系統中金屬蒸鍍、捲取之後，將真空系統回到大氣系統，取出經蒸鍍之薄膜之方法。 [0093] 關於半連續方式，具體來說，能夠參照例如專利第3664342號說明書之圖1所記載之方法來進行。 [0094] 在薄膜上形成金屬薄膜層時，預先在薄膜表面上施予電暈處理、電漿處理等用來提升接著性之處理。作為電極層使用金屬箔時，金屬箔之厚度並沒有特別限定，但通常為0.1~100μm，較佳為1~50μm，再較佳為3~15μm之範圍。 [0095] 固定方法並無特別限定，例如藉由以樹脂密封或封入絕緣外殼等，同時進行固定與構造之保護即可。引出線之接續方法也沒有限定，有例示以溶接、超音波壓接、熱壓接、黏著膠帶之固定等。亦可在捲入之前將電極與引出線連接。封入絕緣外殼時等，因應必要，亦可以胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂等之熱硬化性樹脂來將開口部等密封並防止氧化惡化等。 [0096] 不實施電暈處理或電漿處理時，表面張力為24mJ/m2
，但未實施時，蒸鍍之狀態較不充分。藉由實施電暈處理，能夠使表面張力增加到26~40mJ/m2
左右，蒸鍍狀態也較良好。且，以電漿處理也能夠進行同等之處理，但處理條件較嚴格，表面張力為超過40mJ/m2
之值的話，表面狀態會變差，故為較不適合之處理。 [0097] 關於蒸鍍，保護裝置逃離薄膜缺欠造成的破壞，並使題升信賴性作為，亦可組合保險絲型式。且，藉由其保險絲型式構成，能夠將破壞造成之靜電容量降低極小化。 [0098] 蒸鍍後之薄膜，使用切割機裝置，將電容器切割成必要之寬度，一般來說為20mm寬度~150mm寬度左右。 [0099] 藉由在捲回後之元件的兩端面溶融噴射鋅（Zn）等之金屬，能形成金屬性電極。接著，使用真空烘爐，在高溫･減壓下（120℃、Torr、24小時）乾燥元件後，將引出線或端子進行焊接或溶接。之後，插入樹脂外殼或金屬外殼，以下述所示之固定方法實施密封。 [0100] 本發明之薄膜能夠適合作為電潤濕裝置之高介電性薄膜來使用。 [0101] 上述電潤濕裝置亦可具有第1電極，與第2電極，與配置在第1電極與第2電極之間且能夠移動之導電性液體，與配置在第1電極與前述導電性液體之間，且使第1電極與前述第2電極絕緣之本發明之薄膜（高介電性薄膜）。本發明之薄膜上，亦可設置撥水層。第1電極與第2電極之間除了導電性液體，也有保持絕緣性液體，導電性液體與絕緣性液體亦可構成2層。 [0102] 上述電潤濕裝置能夠使用在光學元件、顯示裝置（顯示）、可變焦點鏡片、光變調裝置、光拾取裝置、光記錄再生裝置、顯像裝置、液滴操作裝置、分析機器（例如用來試料分析時有必要使微小導電性液體移動之化學、生化學以及生物學性分析機器）。 [0103] 本發明之薄膜能夠適合作為壓電面板之壓電薄膜。 [0104] 上述壓電面板亦可依此順序具有第1電極，與本發明之薄膜（壓電薄膜），與第2電極。第1電極直接或間接地配置在薄膜之一側的主面上，第2電極直接或間接地配置在薄膜之另一側的主面上。 [0105] 上述壓電面板能夠使用在觸控面板。上述觸控面板能夠使用在輸入裝置。具有上述觸控面板之輸入裝置能夠基於觸控位置、觸控壓或其兩者來輸入。具有上述觸控面板之輸輸入裝置能夠具有位置檢出部及壓力檢出部。 [0106] 上述輸入裝置能夠使用在電子機器（例如手機（例如智慧型手機）、平板（PDA）、桌上型PC、ATM、自動販賣機以及汽車導航系統）。具有當該輸入裝置之電子機器能夠基於觸控位置、觸控壓或其兩者來操作以及動作。 [0107] 且，能夠使用振動發電等之環境發電、觸控感應器、觸控面板、觸感感應器、介電輻射熱計、薄膜揚聲器、觸覺反饋（觸覺介面）等之強介電體用途或電伸縮式致動器等之薄膜。 [實施例] [0108] 接著，舉出實施例說明本發明，但本發明不只限定於相關。 [0109] 實施例之各數值由以下方法來測定。 [0110] 氟聚合物之單體組成 使用核磁氣共鳴裝置，將測定溫度設為（聚合物之融點+20）℃，進行19
F-NMR測定，藉由各波峰之積分值以及單體之種類適當組合元素分析後來求出。 [0111] 融點 使用示差掃描熱量計，根據ASTM D-4591，以升溫速度10℃/分鐘進行熱測定，自所得之吸熱曲線之波峰求出融點。 [0112] 熔融流動率〔MFR〕 MFR為根據ASTM D3307-01，在297℃ 5kg荷重下，將自內徑2mm且長度8mm之噴嘴流出10分鐘之聚合物之質量（g/10分）作為MFR。 [0113] 厚度 使用數位測長機，將乘載於基板之薄膜於室溫下測定。 [0114] 結晶化度 將複數薄膜重疊成為40μm以上，固定於樣品固定座，將此作為測定樣品。將樣品以X線繞射裝置，自10~40°之範圍所得之繞射光譜之結晶質部分與非晶質部分之面積比算出結晶化度。 [0115] 半寬度 將X線繞射裝置所得之光譜以波峰分離法分離成結晶波峰與非晶光暈，將所得之結晶波峰之基底部自波峰頂部之高度設為h時，藉由相當於h/2部分之結晶波峰之寬度算出半寬度。 [0116] 相對介電率 於真空中對薄膜之兩面蒸鍍鋁，作為樣品。將此樣品以LCR量計，測定於30℃且頻率1kHz下之靜電容量。自所得之各靜電容量算出相對介電率。 [0117] 體積電阻率 於真空中對薄膜之單面蒸鍍鋁，作為樣品。接著，將此樣品設置於恆溫槽內（30℃、25%RH），以數位超絕緣計/微小電流計對樣品加壓50V/μm之電壓，測定體積電阻率（Ω･cm）。 [0118] 絕緣破壞強度 將薄膜放置於下部電極，作為上部電極，放置f25mm且重量500g之分銅，對兩端使電壓以100V/sec增加，測定破壞之電壓。測定數設為50點，去除上下5點算出平均值，以除以厚度之值求出絕緣破壞強度。 [0119] 實施例1 將片狀樹脂於250℃下以溶融壓出機製膜，得到薄膜厚度50μm之薄膜。將此薄膜放置於分批式之二軸延伸裝置，同時往MD方向延伸3.0倍並往TD方向延伸3.0倍，得到延伸薄膜。 [0120] 實施例2 將片狀樹脂於250℃下以溶融壓出機製膜，得到薄膜厚度50μm之薄膜。將此薄膜放置於分批式之二軸延伸裝置，同時往MD方向延伸3.5倍並往TD方向延伸3.5倍，得到延伸薄膜。 [0121] 實施例3 將片狀樹脂於250℃下以溶融壓出機製膜，得到薄膜厚度50μm之薄膜。將此薄膜放置於分批式之二軸延伸裝置，同時往MD方向延伸4.0倍並往TD方向延伸4.0倍，得到延伸薄膜。 [0122] 實施例4 將片狀樹脂於250℃下以溶融壓出機製膜，得到薄膜厚度50μm之薄膜。將此薄膜放置於分批式之二軸延伸裝置，同時往MD方向延伸4.0倍並往TD方向延伸4.0倍，延伸後於160℃環境下進行3分鐘熱固定，得到薄膜。 [0123] 實施例5 將片狀樹脂於250℃下以溶融壓出機製膜，得到薄膜厚度50μm之薄膜。將此薄膜放置於分批式之二軸延伸裝置，同時往MD方向延伸4.5倍並往TD方向延伸4.5倍，得到延伸薄膜。 [0124] 比較例1 將片狀樹脂於250℃下以溶融加壓製膜，得到薄膜厚100μm之薄膜。 [0125] 比較例2 將片狀樹脂於250℃下以溶融壓出機製膜，得到薄膜厚度50μm之薄膜。 [0126] 比較例3 將偏二氟乙烯單獨聚合物以溶融壓出機製膜，得到薄膜厚25μm之薄膜。 [0127] 將各片狀樹脂之特性以及結果表示於表1。且，將實施例4以及比較例2之於30℃以及120℃下之體積電阻率之測定結果以及此等之電界依存性表示於表2。 [0128][0129]
Claims (9)
- 一種薄膜，其特徵為頻率為1kHz，在30℃下之相對介電率為9以上，在30℃下之體積電阻率為5E+15Ω･cm以上，絕緣破壞強度為500V/μm以上。
- 如請求項1之薄膜，其中，結晶化度為60%以上。
- 如請求項1或2之薄膜，其中，X線繞射中結晶波峰之半寬度為0.5~1.5。
- 2或3之薄膜，其中，包含聚合物。
- 2、3或4之薄膜，其中，包含融點180℃以上之氟聚合物。
- 2、3、4或5之薄膜，其中，包含氟聚合物，該氟聚合物包含偏二氟乙烯單位。
- 2、3、4、5或6之薄膜，其中，厚度為1~100μm。
- 2、3、4、5、6或7之薄膜，其係高介電性薄膜或壓電薄膜。
- 2、3、4、5、6、7或8之薄膜，其係使用於薄膜電容器、電潤濕裝置或壓電面板。
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| JP7021427B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2022-02-17 | ダイキン工業株式会社 | フッ素樹脂フィルム |
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| WO2019093175A1 (ja) * | 2017-11-08 | 2019-05-16 | ダイキン工業株式会社 | フィルム |
| EP3736841A4 (en) * | 2018-01-25 | 2021-11-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FILM CAPACITOR, AND OUTER CASE FOR FILM CAPACITOR |
| WO2021141089A1 (ja) * | 2020-01-08 | 2021-07-15 | 株式会社村田製作所 | 糸および布 |
| CN113736195B (zh) * | 2021-09-03 | 2022-04-15 | 武汉理工大学 | 一种耐高温铁电聚合物基介电储能复合薄膜及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS60199046A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Kureha Chem Ind Co Ltd | フツ化ビニリデン樹脂組成物 |
| CA1289313C (en) * | 1986-06-13 | 1991-09-24 | Atochem North America, Inc. | Dielectric film of a copolymer of vinylidene fluoride and tetrafluoroethylene |
| EP0315708A1 (en) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | ATOCHEM NORTH AMERICA, INC. (a Pennsylvania corp.) | A dielectric film of a copolymer of vinylidene fluoride and tetrafluoroethylene |
| JP2002219750A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-08-06 | Asahi Glass Co Ltd | 機械的強度の高いフッ素樹脂フィルム |
| JP5467771B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2014-04-09 | ダイキン工業株式会社 | 高耐電圧を有する高誘電体フィルム |
| US9040646B2 (en) * | 2007-10-04 | 2015-05-26 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Expandable TFE copolymers, methods of making, and porous, expanded articles thereof |
| JP5333456B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2013-11-06 | ダイキン工業株式会社 | 積層型高誘電性フィルム |
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| JP2011222679A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Daikin Ind Ltd | 透明圧電シート |
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