JP7376810B2 - フィルム - Google Patents
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- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 31
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 23
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 23
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- -1 alkyl vinyl ether Chemical compound 0.000 claims description 11
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 169
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- KHXKESCWFMPTFT-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-3-(1,2,2-trifluoroethenoxy)propane Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F KHXKESCWFMPTFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000009998 heat setting Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- BLTXWCKMNMYXEA-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(trifluoromethoxy)ethene Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)(F)F BLTXWCKMNMYXEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutane Chemical compound CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000012763 reinforcing filler Substances 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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Description
変化率(%)=(B-A)/A×100
に従って算出される変化率が-8~+8%であることを特徴とするフィルムが記載されている。
本発明の第1のフィルムは、160℃での体積抵抗率が1.0E16Ω・cm以上であることが好ましい。
本発明の第1のフィルムは、ポリマーを含むことが好ましい。
前記ポリマーは、結晶化度が65%以上であることが好ましい。
前記ポリマーは、融点270℃以上のフルオロポリマーであることが好ましい。
前記ポリマーは、比誘電率が2.5以下のフルオロポリマーであることが好ましい。
前記ポリマーは、テトラフルオロエチレン/パーフロオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体、及び、テトラフルオロエチレン/ヘキサフルオロプロピレン共重合体からなる群より選択される少なくとも1種のフルオロポリマーであることが好ましい。
本発明のフィルムは、フィルムコンデンサ、エレクトロウェッティングデバイス、回路用基板、電線用ケーブル、高周波用プリント基板、電子部品封止材、又は、モーター・トランス用電気絶縁に使用されるものであることが好ましい。
なお、以下「本発明のフィルム」と記載する場合、上記本発明の第1のフィルム及び第2のフィルムの両方を含む。
上記誘電正接は、フィルムの表面にφ50mmのアルミ蒸着を実施し、その反対面にも全面にアルミ蒸着を実施してサンプルとし、LCRメーターを用いて、160℃で、周波数1kHzで測定して求める。
上記絶縁破壊強さは、フィルムを下部電極に置き、上部電極としてφ25mm、重さ500gの分銅を置いて両端に電圧を100V/secで増加させて破壊する電圧を測定する。測定数は50点とし、上下5点を削除して平均値を算出し、厚みで除した値で絶縁破壊強さを求める。
上記体積抵抗率は、フィルムを恒温槽(160℃、25%RH)内に設置した下部電極および上部電極で挟みこみ、デジタル超絶縁形/微小電流計にて50V/μmの電界をフィルムに印加し、漏れ電流を計測し算出する。
上記厚みは、デジタル測長機を用いて測定できる。
上記結晶化度は、フィルムをX線回折装置にて多重ピーク分離法を用いて測定する。具体的には、複数のフィルムを合計の厚みが40μm以上になるように重ねあわせた測定サンプルをサンプルホルダーにセットし、X線回折装置にて得られた回折角(2θ)が10~50°の範囲の回折スペクトルの結晶質部分と非晶質部分のピークをそれぞれ独立のピークに分離し、各ピークの積分強度(面積)を求めることにより結晶化度を算出する。具体的には、全ピークの積分強度のうちの結晶質部分のピークの積分強度の割合から結晶化度を算出する。本条件範囲はすべてのポリマーに適用する。
上記半価幅は、X線回折装置で得られたスペクトルをピーク分離法によって結晶ピークと非晶ハローを分解し、得られた結晶ピークのバックグラウンドからピークトップまでの高さをhとした際、h/2に当たる部分の結晶ピークの幅より半価幅を算出する。
本発明のフィルムは、高温での誘電正接を0.02%以下、絶縁破壊強さを400V/μm以上とする点、高温での体積抵抗率の点から、フルオロポリマーを含むものが好ましく、TFE単位を含むフルオロポリマーがより好ましい。
上記融点は、示差走査熱量計を用い、ASTM D-4591に準拠して、昇温速度10度/分にて、熱測定を行い、得られた吸熱曲線のピークから融点を求めた。
上記比誘電率は、ヒートプレスにてフィルムを作成し、フィルムの表面にφ50mmのアルミ蒸着を実施し、その反対面にも全面にアルミ蒸着を実施してサンプルとし、LCRメーターを用いて容量(C)を測定し、容量、電極面積(S)、フィルムの厚み(d)から、式C=ε×ε0×S/d(ε0は真空の誘電率)で算出する値である。
CF2=CFO(CF2CFY1O)p-(CF2CF2CF2O)q-Rf (1)
(式中、Y1はF又はCF3を表し、Rfは炭素数1~5のパーフルオロアルキル基を表す。pは0~5の整数を表し、qは0~5の整数を表す。)、及び、一般式(2):
CFX=CXOCF2OR1 (2)
(式中、Xは、同一又は異なり、F又はCF3を表し、R1は、直鎖又は分岐した、炭素数が1~6のパーフルオロアルキル基、若しくは、炭素数が5又は6の環状パーフルオロアルキル基を表す。)
からなる群より選択される少なくとも1種を挙げることができる。
具体的には、パーフルオロ(メチルビニルエーテル)〔PMVE〕、パーフルオロ(エチルビニルエーテル)〔PEVE〕、パーフルオロ(プロピルビニルエーテル)〔PPVE〕、パーフルオロ(ブチルビニルエーテル)〔PBVE〕等が挙げられる。
上記PAVEに基づく重合単位の量は、全重合単位に対して、2.0質量%以上がより好ましく、3.5質量%以上が更に好ましく、4.0質量%以上が特に好ましく、5.0質量%以上が最も好ましく、8.0質量%以下がより好ましく、7.0質量%以下が更に好ましく、6.5質量%以下が特に好ましく、6.0質量%以下が最も好ましい。なお、上記PAVEに基づく重合単位の量は、19F-NMR法により測定する。
上記PFAは、全重合単位に対して、TFE及びPAVEに基づく重合単位の合計が90モル%以上であることが好ましく、95モル%以上であることが更に好ましい。上記PFAは、TFE及びPAVEに基づく重合単位のみからなることも好ましい。
なお、上記PFAはHFP単位を含まない。
まず、上記共重合体を溶融押出成形して、厚さ0.25~0.3mmのフィルムを作製する。このフィルムをフーリエ変換赤外分光分析により分析して、上記共重合体の赤外吸収スペクトルを得、完全にフッ素化処理されて不安定末端基が存在しないベーススペクトルとの差スペクトルを得る。この差スペクトルに現れる特定の不安定末端基の吸収ピークから、下記式(A)に従って、上記共重合体における炭素原106個あたりの不安定末端基数Nを算出する。
N=I×K/t (A)
I:吸光度
K:補正係数
t:フィルムの厚さ(mm)
上記融点は、290℃以上であることがより好ましく、315℃以下であることがより好ましい。
上記融点は、示差走査熱量計〔DSC〕を用いて10℃/分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度である。
上記ガラス転移温度は、動的粘弾性測定により測定して得られる値である。
上記FEPは、全重合単位に対して、TFE、HFP及びPAVEに基づく重合単位の合計が90モル%以上であることが好ましく、95モル%以上であることが更に好ましい。上記FEPは、TFE及びHFPに基づく重合単位のみからなってもよいし、TFE、HFP及びPAVEに基づく重合単位のみからなってもよい。
上記質量比(TFE/HFP/PAVE)は、75~98/1.0~15/1.0~10(質量%)であることがより好ましい。
上記TFE/HFP/PAVE共重合体は、HFP単位及びPAVE単位を合計で1質量%以上含む。
なお、HFP単位の含有量は、19F-NMR法により測定することができる。
他のエチレン性単量体(α)単位としては、TFE単位及びHFP単位、並びに、TFE/HFP/PAVE共重合体の場合には、更にPAVE単位と共重合可能な単量体単位であれば特に限定されず、例えば、フッ化ビニル〔VF〕、VdF、クロロトリフルオロエチレン〔CTFE〕等の含フッ素エチレン性単量体や、エチレン、プロピレン、アルキルビニルエーテル等の非フッ素化エチレン性単量体等が挙げられる。
上記TFE/HFP共重合体は、TFE単位以外の重合単位を合計で1質量%以上含む。
上記融点は、示差走査熱量計〔DSC〕を用いて10℃/分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度である。
上記MFRは、ASTM D3307-01に準拠し、297℃、5kg荷重下で内径2mm、長さ8mmのノズルから10分間あたりに流出するポリマーの質量(g/10分)である。
上記熱分解開始温度は、加熱試験に供した共重合体の1質量%が分解する温度であり、示差熱・熱重量測定装置〔TG-DTA〕を用いて加熱試験に供した共重合体の質量が1質量%減少する時の温度を測定することにより得られる値である。
上記貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定により170℃で測定する値であり、より具体的には、動的粘弾性装置で長さ30mm、巾5mm、厚み0.25mmのサンプルを引張モード、つかみ巾20mm、測定温度25℃から250℃、昇温速度2℃/min、周波数1Hzの条件で測定する値である。170℃におけるより好ましい貯蔵弾性率(E’)は80~350MPaであり、更に好ましい貯蔵弾性率(E’)は100~350MPaである。
測定サンプルは、例えば、成形温度を共重合体の融点より50~100℃高い温度に設定し、3MPaの圧力で厚さ0.25mmに成形したフィルムを、長さ30mm、巾5mmにカットすることで作成することができる。
本発明の第1のフィルムは、PFA及びFEPからなる群より選択される少なくとも1種のフルオロポリマーを含み、かつ、結晶化度が65%以上であることがより好ましく、PFA及びFEPからなる群より選択される少なくとも1種のフルオロポリマーを含み、かつ、結晶化度が70%以上であることがより好ましく、PFAを含み、かつ、結晶化度が75%以上であることが更に好ましく、PFAを含み、かつ、結晶化度が80%以上であることが特に好ましい。
本発明の第2のフィルムは、上記構成を有することによって、高温においても、誘電正接が小さく、かつ、絶縁破壊強さに優れる。また、高温における体積抵抗率にも優れる。
本発明の第2のフィルムは、特定のポリマーを使用することにより、高温での誘電正接を低下させることができ、更に、特定のポリマーを特定の面倍率以上に延伸することによって結晶化度を65%以上にすることができ、絶縁破壊強さ及び体積抵抗率を向上させることができる。
上記溶融押出成形は、また、溶融押出成形機を使用して行うことができ、シリンダー温度を250~350℃、ダイ温度を300~380℃とすることが好ましい。
上記延伸は、一軸延伸であっても、二軸延伸であってもよい。二軸延伸は逐次二軸延伸でも同時二軸延伸であってもよい。
上記一軸延伸における延伸倍率は、4.5倍以上であることが好ましく、5.0倍以上であることがより好ましく、9.0倍以上であることが更に好ましい。
上記一軸延伸における延伸温度は、0~180℃であることが好ましく、40℃以上であることがより好ましく、120℃以下であることがより好ましい。
上記一軸延伸における延伸速度は、1E+2~1E+5%/分であることが好ましい。
上記二軸延伸における延伸倍率は、MDおよびTDの各倍率で2.0~10倍であることが好ましく、2.5倍以上であることがより好ましく、3.0倍以上であることが更に好ましく、4.0倍以上であることが特に好ましく、5.0倍以上であることが殊更に好ましい。
上記二軸延伸における延伸温度は、0~180℃であることが好ましく、20℃以上がより好ましく、40℃以上であることが更に好ましく、120℃以下がより好ましい。
上記二軸延伸における延伸速度は、1E+2~1E+5%/分であることが好ましい。
上記二軸延伸の方法としては、テンター式二軸延伸、チューブラー式二軸延伸等の方法が採用でき、テンター式二軸延伸が好ましい。
逐次二軸延伸法は、一般に縦延伸(MD方向)をロールの回転差を利用して延伸し、続いて横延伸ではロール状フィルムの端部(TD側)をクリップで掴みTD方向に延伸する方法である。場合によっては、縦延伸、横延伸、縦延伸の順にMD方向に引張を加える場合もある。
同時二軸延伸法は、ロール状フィルムの端部(TD側)をクリップで掴み、そのクリップ間隔がMD方向、TD方向の両方に広がることでフィルムを延伸する方法である。
特定のポリマーを使用することにより、高温での誘電正接を低下させることができ、更に、面倍率が4.5倍以上になるように延伸することによって、結晶化度を65%以上とすることができ、絶縁破壊強さ及び体積抵抗率をより一層向上させることができることが見出された。
上記面倍率は、5.0倍以上が好ましく、6.0倍以上がより好ましく、6.5倍以上が更に好ましく、9.0倍以上が特に好ましく、16倍以上が殊更に好ましく、25倍以上が最も好ましい。面倍率を高くすることで、結晶化度をより高くすることができ、体積抵抗率及び絶縁破壊強さを向上させることができる。
上記原反フィルムは、延伸を行う前のフィルムであり、例えば、上記押出成形で得られたフィルムであってよい。
上記熱固定の温度は、100~250℃であることが好ましく、150℃以上であることがより好ましく、230℃以下であることがより好ましい。熱固定時間は短時間で良く、連続延伸では5分以下で良い。
例えば、フィルムコンデンサ、エレクトロウェッティングデバイス、回路用基板、電線用ケーブル、高周波用プリント基板、電子部品封止材、モーター・トランス用電気絶縁等に使用可能である。
上記フィルムコンデンサは、本発明のフィルムと、該フィルムの少なくとも一方の面に設けられた電極層とを有するものであってよい。
パワー半導体としては、ダイオード、トランジスタ、IC(集積回路)等が挙げられる。特に、高温での使用が可能なSiC(シリコンカーバイド)半導体を用いたパワー半導体の周辺部材として用いられるフィルムコンデンサの誘電性フィルムとして特に好適である。
核磁気共鳴装置を用い、測定温度を(ポリマーの融点+20)℃として19F-NMR測定を行い、各ピークの積分値およびモノマーの種類によっては元素分析を適宜組み合わせて求めた。
示差走査熱量啓を用い、ASTM D-4591に準拠して、昇温速度10度/分にて、熱測定を行い、得られた吸熱曲線のピークから融点を求めた。
デジタル測長機を用いて、基板に載せたフィルムを室温下にて測定した。
フィルムをX線回折装置にて多重ピーク分離法を用いて結晶化度を測定した。具体的には、複数のフィルムを合計の厚みが40μm以上になるように重ねあわせた測定サンプルをサンプルホルダーにセットし、X線回折装置にて得られた回折スペクトルの結晶質部分と非晶質部分のピークをそれぞれ独立のピークに分離し、各ピークの積分強度(面積)を求めることにより結晶化度を算出する。
実施例1~5及び比較例1~3では、10~50°の範囲で得られた回折スペクトルを多重ピーク分離法によりピーク分離を行い、全ピークの積分強度のうちの結晶質部分のピークの積分強度の割合から結晶化度を算出した。
MFRは、ASTM D3307-01に準拠し、297℃、5kg荷重下で内径2mm、長さ8mmのノズルから10分間あたりに流出するポリマーの質量(g/10分)をMFRとした。
真空中でフィルムの両面にアルミニウムを蒸着しサンプルとする。このサンプルをLCRメーターにて、30℃及び160℃で、周波数1kHzでの静電容量を測定する。得られた各静電容量から比誘電率を算出した。
真空中でフィルムの両面にアルミニウムを蒸着しサンプルとする。このサンプルをLCRメーターにて、30℃及び160℃で、周波数1kHzでの誘電正接を測定する。
フィルムを恒温槽内に設置した下部電極および上部電極で挟みこみ、デジタル超絶縁形/微小電流計にて50V/μmの電界をフィルムに印加し、漏れ電流を計測し、体積抵抗率を算出した。また、恒温槽の温度を160℃にし、恒温槽内で測定を実施した。
フィルムを下部電極に置き、上部電極としてφ25mm、重さ500gの分銅を置いて両端に電圧を100V/secで増加させて破壊する電圧を測定した。測定数は50点とし、上下5点を削除して平均値を算出し、厚みで除した値で絶縁破壊強さを求めた。測定恒温槽内(160℃、25%RH)で実施し、160℃下での絶縁破壊強さを測定した。
PFA:TFE/PPVE共重合体、不安定末端基数:炭素原子106個辺り110~400個、融点:305℃、比誘電率:2.1
PP(ポリプロピレン)フィルム:フィルム厚2.8μmの延伸フィルム
PFAを溶融押出成形機にて製膜し、フィルム厚100μmのフィルムを得た。その100μmのフィルムを、二軸延伸機にて80℃、1E+2~1E+5%/分の速度でMD、TD方向にそれぞれ2.5倍延伸し、フィルム厚8~10μmの延伸フィルムを得た。
PFAを溶融押出成形機にて製膜し、フィルム厚50μmのフィルムを得た。その50μmのフィルムを、二軸延伸機にて40℃、1E+2~1E+5%/分の速度でMD、TD方向にそれぞれ4.0倍延伸し、フィルム厚8~10μmの延伸フィルムを得た。
PFAを溶融押出成形機にて製膜し、フィルム厚50μmのフィルムを得た。その50μmのフィルムを、二軸延伸機にて60℃、1E+2~1E+5%/分の速度でMD、TD方向にそれぞれ4.0倍延伸し、フィルム厚8~10μmの延伸フィルムを得た。
PFAを溶融押出成形機にて製膜し、フィルム厚50μmのフィルムを得た。その50μmのフィルムを、二軸延伸機にて80℃、1E+2~1E+5%/分の速度でMD、TD方向にそれぞれ4.0倍延伸し、フィルム厚8~10μmの延伸フィルムを得た。
PFAを溶融押出成形機にて製膜し、フィルム厚50μmのフィルムを得た。その50μmのフィルムを、二軸延伸機にて100℃、1E+2~1E+5%/分の速度でMD、TD方向にそれぞれ4.0倍延伸し、フィルム厚8~10μmの延伸フィルムを得た。
PFAを溶融押出成形機にて製膜し、フィルム厚12.5μmのフィルムを得た。
FEPを溶融押出成形機にて製膜し、Tダイ成形押出機にて製膜し、フィルム厚50μmのフィルムを得た。二軸延伸機にて90℃でMD、TD方向にそれぞれ2.0倍延伸し、フィルム厚12.5μmの延伸フィルムを得た。
PPフィルムを用いた。
Claims (6)
- 周波数1kHz、160℃での誘電正接が0.02%以下であり、
160℃での絶縁破壊強さが400V/μm以上であり、
比誘電率が2.5以下のフルオロポリマーを含み、
厚みが1~10μmである
ことを特徴とするフィルム。 - 160℃での体積抵抗率が1.0E16Ω・cm以上である請求項1記載のフィルム。
- 前記フルオロポリマーは、結晶化度が65%以上である請求項1又は2記載のフィルム。
- 前記フルオロポリマーは、融点が270℃以上である請求項1、2又は3記載のフィルム。
- 前記フルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン/パーフロオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体、及び、テトラフルオロエチレン/ヘキサフルオロプロピレン共重合体からなる群より選択される少なくとも1種のフルオロポリマーである請求項1、2、3又は4記載のフィルム。
- フィルムコンデンサ、エレクトロウェッティングデバイス、回路用基板、電線用ケーブル、高周波用プリント基板、電子部品封止材、又は、モーター・トランス用電気絶縁に使用される請求項1、2、3、4又は5記載のフィルム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017215659 | 2017-11-08 | ||
JP2017215659 | 2017-11-08 | ||
JP2019552728A JP7278959B2 (ja) | 2017-11-08 | 2018-10-29 | フィルム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019552728A Division JP7278959B2 (ja) | 2017-11-08 | 2018-10-29 | フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021191880A JP2021191880A (ja) | 2021-12-16 |
JP7376810B2 true JP7376810B2 (ja) | 2023-11-09 |
Family
ID=66438339
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019552728A Active JP7278959B2 (ja) | 2017-11-08 | 2018-10-29 | フィルム |
JP2021154040A Active JP7376810B2 (ja) | 2017-11-08 | 2021-09-22 | フィルム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019552728A Active JP7278959B2 (ja) | 2017-11-08 | 2018-10-29 | フィルム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11845839B2 (ja) |
EP (1) | EP3693408A4 (ja) |
JP (2) | JP7278959B2 (ja) |
CN (1) | CN111295413A (ja) |
TW (1) | TWI810218B (ja) |
WO (1) | WO2019093175A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220087974A (ko) * | 2020-12-18 | 2022-06-27 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002240144A (ja) | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Asahi Glass Co Ltd | 低複屈折のフッ素樹脂フィルム |
JP2005186370A (ja) | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Nissei Electric Co Ltd | 熱収縮チューブ |
JP2011029294A (ja) | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | コンデンサー用ガラスフィルム |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60262414A (ja) | 1984-06-09 | 1985-12-25 | 松下電器産業株式会社 | フイルムコンデンサ |
JPS61167527A (ja) | 1985-01-18 | 1986-07-29 | Unitika Ltd | フツ素系重合体延伸フイルム及びその製造方法 |
JPS63181411A (ja) | 1987-01-23 | 1988-07-26 | 日本ケミコン株式会社 | 積層フイルムコンデンサ |
JPH0314840A (ja) * | 1988-12-28 | 1991-01-23 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 弗化ビニリデン系ポリマー二軸冷延伸フィルムおよびその製造方法 |
JP2778091B2 (ja) | 1989-03-23 | 1998-07-23 | 東レ株式会社 | コンデンサ用金属化フイルムおよびその製造方法 |
JP2676921B2 (ja) | 1989-06-14 | 1997-11-17 | 株式会社村田製作所 | ノイズフィルタの取付け構造 |
JPH03286514A (ja) | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Nitsuko Corp | 金属化フィルムコンデンサのフィルム巻回方法 |
JP3422444B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2003-06-30 | 出光石油化学株式会社 | ポリプロピレン樹脂組成物及びポリプロピレン延伸フィルム |
JP3664342B2 (ja) | 1996-09-30 | 2005-06-22 | 日本ゼオン株式会社 | 高分子誘電体フィルム |
JP2002219750A (ja) | 2000-11-10 | 2002-08-06 | Asahi Glass Co Ltd | 機械的強度の高いフッ素樹脂フィルム |
WO2008090947A1 (ja) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Daikin Industries, Ltd. | 高耐電圧を有する高誘電体フィルム |
JP5544505B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-07-09 | 旭硝子株式会社 | ポリテトラフルオロエチレン延伸フィルムの製造方法およびポリテトラフルオロエチレン延伸フィルム |
JP5633793B2 (ja) * | 2010-08-26 | 2014-12-03 | 旭硝子株式会社 | ポリテトラフルオロエチレン延伸フィルムの製造方法およびポリテトラフルオロエチレン延伸フィルム |
EP2910604B1 (en) * | 2012-10-16 | 2022-04-13 | Daikin Industries, Ltd. | High dielectric film |
EP3327068B1 (en) | 2015-07-17 | 2021-08-18 | Daikin Industries, Ltd. | Film |
CN109689746B (zh) * | 2016-09-28 | 2022-03-01 | 大金工业株式会社 | 膜 |
EP3556798A4 (en) * | 2017-01-31 | 2020-08-12 | Daikin Industries, Ltd. | FLUORINE RESIN FILM |
-
2018
- 2018-10-29 EP EP18876298.3A patent/EP3693408A4/en active Pending
- 2018-10-29 WO PCT/JP2018/040068 patent/WO2019093175A1/ja unknown
- 2018-10-29 JP JP2019552728A patent/JP7278959B2/ja active Active
- 2018-10-29 CN CN201880070918.XA patent/CN111295413A/zh active Pending
- 2018-10-29 US US16/762,211 patent/US11845839B2/en active Active
- 2018-11-07 TW TW107139443A patent/TWI810218B/zh active
-
2021
- 2021-09-22 JP JP2021154040A patent/JP7376810B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002240144A (ja) | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Asahi Glass Co Ltd | 低複屈折のフッ素樹脂フィルム |
JP2005186370A (ja) | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Nissei Electric Co Ltd | 熱収縮チューブ |
JP2011029294A (ja) | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | コンデンサー用ガラスフィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11845839B2 (en) | 2023-12-19 |
TW201922872A (zh) | 2019-06-16 |
EP3693408A1 (en) | 2020-08-12 |
US20200362127A1 (en) | 2020-11-19 |
EP3693408A4 (en) | 2021-07-21 |
TWI810218B (zh) | 2023-08-01 |
JPWO2019093175A1 (ja) | 2020-08-06 |
JP2021191880A (ja) | 2021-12-16 |
WO2019093175A1 (ja) | 2019-05-16 |
CN111295413A (zh) | 2020-06-16 |
JP7278959B2 (ja) | 2023-05-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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