JPS5962115A - 誘電体フイルム - Google Patents
誘電体フイルムInfo
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- JPS5962115A JPS5962115A JP57173634A JP17363482A JPS5962115A JP S5962115 A JPS5962115 A JP S5962115A JP 57173634 A JP57173634 A JP 57173634A JP 17363482 A JP17363482 A JP 17363482A JP S5962115 A JPS5962115 A JP S5962115A
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- JP
- Japan
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- film
- dielectric
- orientation
- oriented
- type
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/44—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
- H01B3/443—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from vinylhalogenides or other halogenoethylenic compounds
- H01B3/445—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from vinylhalogenides or other halogenoethylenic compounds from vinylfluorides or other fluoroethylenic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
- C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
- C08J2327/16—Homopolymers or copolymers of vinylidene fluoride
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Extrusion Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良された電気物性及び光学特性を持つフッ化
ビニリデン系重合体からなるＢＴ’ｊ、体フィルムに関
するものである。
ビニリデン系重合体からなるＢＴ’ｊ、体フィルムに関
するものである。
フッ化ビニリデン系重合体からなるフィルムすなわちポ
リフッ化ビニリデン系フイルムハ、誘電率が高く、コン
デンサー用などの誘電体拐料としてコンテンサーの小型
化を可能にする。またこのフィルムにイオン物質を含有
させたものは、フィルムの高誘電１率効果を利用して低
い外部電界でイオン物質を電界移動させることが可能で
ある。しかし、通常の溶融押出しフィルムや溶剤蒸発法
により作られたキャストフィルムあるいにプレスフィル
ムなどでは、Ｕ電率は室温、１に出付近で品高９〜１０
程度であり、しかも室温、商用周波級以下の低周波数域
での−δは６〜５チ以上と太きいＯ このポリフッ化ビニリデン系フィルムの誘電率を高め一
δを低くする改良方法として、一旦出来た未延伸またに
未配向フィルムを室温以上の温度で未配向型から少くと
も一定め方向に延伸、固定する方法が開発され（特公昭
５０−１７６８０号公報）、実用化されている。この方
法で作られたフィルムは、低周波数域での一δが６チ以
下に改良され、誘電率も未延伸フィルムに比較して大き
く、室温、Ｉ ＫＩ（ｚ付近における値に１０〜１１以
上である。しかし、延伸配向されたフィルムは熱収縮性
があり、熱処理操作により熱処理温度以下における熱収
縮は防ぐことが出来るとしでも、熱処理温度をフィルム
の融解温度付近まで高めると、フィルム中の樹脂の分子
配向が変化し物性も変化する恐れがあり、／Ｉ；’ＩＩ
点刊近迄熱Ｊ〆ねしない延伸フィルムに（ｉ＋られなか
った。このように、延伸操作によりＵｊ誘電率朗δなど
の誘石、特性が向上されたポリフッ化ビニリチン系フィ
ルムは、熱収縮によって誘ＴＩＪ’、特性が不可逆的に
大きく変化する恐れがあつだ。
リフッ化ビニリデン系フイルムハ、誘電率が高く、コン
デンサー用などの誘電体拐料としてコンテンサーの小型
化を可能にする。またこのフィルムにイオン物質を含有
させたものは、フィルムの高誘電１率効果を利用して低
い外部電界でイオン物質を電界移動させることが可能で
ある。しかし、通常の溶融押出しフィルムや溶剤蒸発法
により作られたキャストフィルムあるいにプレスフィル
ムなどでは、Ｕ電率は室温、１に出付近で品高９〜１０
程度であり、しかも室温、商用周波級以下の低周波数域
での−δは６〜５チ以上と太きいＯ このポリフッ化ビニリデン系フィルムの誘電率を高め一
δを低くする改良方法として、一旦出来た未延伸またに
未配向フィルムを室温以上の温度で未配向型から少くと
も一定め方向に延伸、固定する方法が開発され（特公昭
５０−１７６８０号公報）、実用化されている。この方
法で作られたフィルムは、低周波数域での一δが６チ以
下に改良され、誘電率も未延伸フィルムに比較して大き
く、室温、Ｉ ＫＩ（ｚ付近における値に１０〜１１以
上である。しかし、延伸配向されたフィルムは熱収縮性
があり、熱処理操作により熱処理温度以下における熱収
縮は防ぐことが出来るとしでも、熱処理温度をフィルム
の融解温度付近まで高めると、フィルム中の樹脂の分子
配向が変化し物性も変化する恐れがあり、／Ｉ；’ＩＩ
点刊近迄熱Ｊ〆ねしない延伸フィルムに（ｉ＋られなか
った。このように、延伸操作によりＵｊ誘電率朗δなど
の誘石、特性が向上されたポリフッ化ビニリチン系フィ
ルムは、熱収縮によって誘ＴＩＪ’、特性が不可逆的に
大きく変化する恐れがあつだ。
また、延伸配向されたポリフッ化ビニリデン系〕・ｆル
ムは、商用周波数ないしＩ ＫＩ−１ｚにおける測定で
、ＯＣ付近から８ＬＩＣ付近まで昇温に伴ってＲ”ｉ電
率が大ｌ」に上昇し、例えば２０Ｃから８０Ｃ迄の内で
も１０チ以上、またＤＣから８０Ｃ迄の内では実に６０
係以上の増加率を示す場合もあった。コンデンサーにお
いては、誘電体の誘電率が変化すると、それに伴って静
電容量が変化し、更にこのコンデン・す“−を用いた回
路の種々の特性が変化する。しかも熱収縮変化などによ
り不可逆的変化が起った場合は、温度による回路の電気
定数の変化を予測−ｒることも不可能となる。
ムは、商用周波数ないしＩ ＫＩ−１ｚにおける測定で
、ＯＣ付近から８ＬＩＣ付近まで昇温に伴ってＲ”ｉ電
率が大ｌ」に上昇し、例えば２０Ｃから８０Ｃ迄の内で
も１０チ以上、またＤＣから８０Ｃ迄の内では実に６０
係以上の増加率を示す場合もあった。コンデンサーにお
いては、誘電体の誘電率が変化すると、それに伴って静
電容量が変化し、更にこのコンデン・す“−を用いた回
路の種々の特性が変化する。しかも熱収縮変化などによ
り不可逆的変化が起った場合は、温度による回路の電気
定数の変化を予測−ｒることも不可能となる。
更に、ポリフッ化ビニリデンフィルム誘電特性の向上を
図るための延伸操作は、ポリフッ化ビニリデンの主たる
２種の結晶構造のうちα型構造から極性の大きいβ型ｔ
ｆｆ造への結晶形態の転化を・伴うが、β型のポリフッ
化ビニリデンに高い電界が印加されると高度の圧電性及
び焦゛蹴性が刊与芒れることか知られている。このβ型
のポリフッ化ビニリチンを、例えば電：子回路の雷サー
ジ用コンデンサーとして使用する際、取付前に高電圧の
印加による１ｆｊＪ電圧テストを行ったり、あるいに取
付後にｕ″ｌｉ、比以下の重１圧でも高電圧印加を行う
き、当然圧ｍ、性および焦電性が付与される。その場合
、周囲の温度変化によりノイズ信号を生ずるなどの問題
を起す恐れがあり、コンデンサー用途などとしては圧′
混性および熱電性の付与は通常好ましくない。
図るための延伸操作は、ポリフッ化ビニリデンの主たる
２種の結晶構造のうちα型構造から極性の大きいβ型ｔ
ｆｆ造への結晶形態の転化を・伴うが、β型のポリフッ
化ビニリデンに高い電界が印加されると高度の圧電性及
び焦゛蹴性が刊与芒れることか知られている。このβ型
のポリフッ化ビニリチンを、例えば電：子回路の雷サー
ジ用コンデンサーとして使用する際、取付前に高電圧の
印加による１ｆｊＪ電圧テストを行ったり、あるいに取
付後にｕ″ｌｉ、比以下の重１圧でも高電圧印加を行う
き、当然圧ｍ、性および焦電性が付与される。その場合
、周囲の温度変化によりノイズ信号を生ずるなどの問題
を起す恐れがあり、コンデンサー用途などとしては圧′
混性および熱電性の付与は通常好ましくない。
更にまた、未延伸又は未配向のポリフッ化ビニリデン系
フィルムの多くに球晶が出来ており、球晶を延伸し゛Ｃ
出来た配向フィルムはともすれば表面が不均一てブＣ学
的な透明性も劣る。この不拘−性ｔハ劇↑ＩＬ圧７１￥
性などの電気月料に必要な特性の向上のためには改良さ
れるのが望ましい。
フィルムの多くに球晶が出来ており、球晶を延伸し゛Ｃ
出来た配向フィルムはともすれば表面が不均一てブＣ学
的な透明性も劣る。この不拘−性ｔハ劇↑ＩＬ圧７１￥
性などの電気月料に必要な特性の向上のためには改良さ
れるのが望ましい。
本発明者等に、これらの延伸操作によるポリフッ化ビニ
リデン糸Ｕ； 電体フィルムの欠点を出来る限り伴わな
い誘′１Ｌ！１体フィル！−を得るためにω［究努力を
重ねた結果、溶ｆＡｉｌｌ状態において高度に涼、動配
向されプこフッ化ビニリチン系連合体を固化させること
により得られるフィルムは前記欠点が改良され、更に室
温付近におけるーδの減少効果も得られるという極めて
満足するものであることを見出した。
リデン糸Ｕ； 電体フィルムの欠点を出来る限り伴わな
い誘′１Ｌ！１体フィル！−を得るためにω［究努力を
重ねた結果、溶ｆＡｉｌｌ状態において高度に涼、動配
向されプこフッ化ビニリチン系連合体を固化させること
により得られるフィルムは前記欠点が改良され、更に室
温付近におけるーδの減少効果も得られるという極めて
満足するものであることを見出した。
−［なわち、このようにして得られたフィルムは溶融状
態より固化させたものであるために主としてα型結晶構
造を有している。また、高度に流動配向させた樹脂溶融
体が固化したものであるので、その結晶域の分子軸はフ
ィルム面に平行に配向しており、しかもその結晶の配向
が延伸操作により得られたものでは無いので、フィルム
は常温から結晶Ｆ・１１点に及ぶ昇温過程におけるどの
温度領域においでも熱収縮を生じない。
態より固化させたものであるために主としてα型結晶構
造を有している。また、高度に流動配向させた樹脂溶融
体が固化したものであるので、その結晶域の分子軸はフ
ィルム面に平行に配向しており、しかもその結晶の配向
が延伸操作により得られたものでは無いので、フィルム
は常温から結晶Ｆ・１１点に及ぶ昇温過程におけるどの
温度領域においでも熱収縮を生じない。
従って本発明による誘電体フィルムは上述のような構成
であって、そのα型結晶構造のフッ化ビニリデン系重合
体を主体とするもので、少量のβへＩ！措造や更に他の
結晶構造のものをきむ場合もあるが、結晶構造の組成は
赤外吸収スペクトルにおいて、α型結晶構造の特性吸収
帯５３Ｑｃｍ とβ型結晶イｊｔ造の１１￥性吸収帯
５１０ｃｍ の各赤外吸収との吸光度比Ｉ）５．１５
０／Ｔ）５１０ が６以上であることが望ましい。
であって、そのα型結晶構造のフッ化ビニリデン系重合
体を主体とするもので、少量のβへＩ！措造や更に他の
結晶構造のものをきむ場合もあるが、結晶構造の組成は
赤外吸収スペクトルにおいて、α型結晶構造の特性吸収
帯５３Ｑｃｍ とβ型結晶イｊｔ造の１１￥性吸収帯
５１０ｃｍ の各赤外吸収との吸光度比Ｉ）５．１５
０／Ｔ）５１０ が６以上であることが望ましい。
結晶域の分子軸の配向についてにフィルムエツジからの
Ｘ線回折法により測冗出来る。すなわち、フィルムを約
１間の厚みに重ね、接着剤で固め、フィルムをｌＸ１（
ｉｎ）角柱状に切出し、エツジ面に垂直にＸ線照射して
得た回折パターンから分子鎖軸のおおよその配向方向を
決定し、さらに分子ａｉ ｔｉｌ＋に直角な回折面に着
目してその回折面についてミクロテンシトメーターで求
めた半価ｒｌ】Δ２θから として求めたπをフィルム面に平行な分子軸の配向度と
した府会、本発明による誘電体フィルムでにこのπが０
．８以上であることが必要である。
Ｘ線回折法により測冗出来る。すなわち、フィルムを約
１間の厚みに重ね、接着剤で固め、フィルムをｌＸ１（
ｉｎ）角柱状に切出し、エツジ面に垂直にＸ線照射して
得た回折パターンから分子鎖軸のおおよその配向方向を
決定し、さらに分子ａｉ ｔｉｌ＋に直角な回折面に着
目してその回折面についてミクロテンシトメーターで求
めた半価ｒｌ】Δ２θから として求めたπをフィルム面に平行な分子軸の配向度と
した府会、本発明による誘電体フィルムでにこのπが０
．８以上であることが必要である。
また本発明による誘電体フィルムではフィルム面内での
分子軸も異方性を持つ”Ｃ配向していることが望ましく
、その異方性はＸ”Ｐｂ”Ａ回折図や複屈折率、あるい
は赤外吸収スペクトルの偏光二色性によって検出”Ｊ’
ｈｉ”、である。Ｘ線による場合はフィル求められる
が、通常に赤外の特性吸収帯の偏光二色比から検出する
方法が容易である。すなわちα型結晶１７’７造の特性
吸収帯の−っである５ ６０ａｕ−’においては、フィ
ルム面及び分子軸の配向方向に直角な偏光赤外の吸収強
度が大きく、分子軸の配向方向に平行な偏光赤外の吸収
強度は小さい。ここでフィルム面に垂直でかつフィルム
の巻取方向に平行な偏光赤外の吸光度をＤＩフィルムの
巻取方向に直角な偏光赤外の吸光度をＤ上とした場合、
偏光二色比１）１／Ｄ＃が１より大きければ、分子＃ｌ
は巻取方向に平行配向しており、１と等しければ直角と
平行の異方性が無く、１歩満てあれば巻取方向に直角に
配向していることになる。本発明のフィルムに偏光二色
比（Ｄ工／Ｄｒ）が１以外の値であることが望ましく、
またＤ土／Ｄｔｒが１．６以上であることが更に望まし
い。
分子軸も異方性を持つ”Ｃ配向していることが望ましく
、その異方性はＸ”Ｐｂ”Ａ回折図や複屈折率、あるい
は赤外吸収スペクトルの偏光二色性によって検出”Ｊ’
ｈｉ”、である。Ｘ線による場合はフィル求められる
が、通常に赤外の特性吸収帯の偏光二色比から検出する
方法が容易である。すなわちα型結晶１７’７造の特性
吸収帯の−っである５ ６０ａｕ−’においては、フィ
ルム面及び分子軸の配向方向に直角な偏光赤外の吸収強
度が大きく、分子軸の配向方向に平行な偏光赤外の吸収
強度は小さい。ここでフィルム面に垂直でかつフィルム
の巻取方向に平行な偏光赤外の吸光度をＤＩフィルムの
巻取方向に直角な偏光赤外の吸光度をＤ上とした場合、
偏光二色比１）１／Ｄ＃が１より大きければ、分子＃ｌ
は巻取方向に平行配向しており、１と等しければ直角と
平行の異方性が無く、１歩満てあれば巻取方向に直角に
配向していることになる。本発明のフィルムに偏光二色
比（Ｄ工／Ｄｒ）が１以外の値であることが望ましく、
またＤ土／Ｄｔｒが１．６以上であることが更に望まし
い。
本発明によるフィルムＵまた、フィルムカ融解する温度
より低い温度では加熱による収縮が起らないことを特徴
とする。１−なわち通常は延伸、配向された高分子フィ
ルムに延伸温度あるいは熱処理温度付近に再加熱される
さ収縮が起る場合が多いが、本発明のフィルムは後延伸
にょる配向フィルムでに無い為に、分子に配向している
にもがかわらず、結晶融乃了の温度に至るまで加熱によ
って収縮が起らない。本発す１１の改良された電気物性
を持つフィルムに、融点近くまで加熱による熱収縮が起
らない争件を不可欠とする。
より低い温度では加熱による収縮が起らないことを特徴
とする。１−なわち通常は延伸、配向された高分子フィ
ルムに延伸温度あるいは熱処理温度付近に再加熱される
さ収縮が起る場合が多いが、本発明のフィルムは後延伸
にょる配向フィルムでに無い為に、分子に配向している
にもがかわらず、結晶融乃了の温度に至るまで加熱によ
って収縮が起らない。本発す１１の改良された電気物性
を持つフィルムに、融点近くまで加熱による熱収縮が起
らない争件を不可欠とする。
゛また本発明のフッ化ビニリデン系重合体フィルムにα
型＋Ｒ？ １１？＋型を主体とするフィルムであるが、
その誘電率ε′は極性の高いβ型結晶型のものに匹敵す
る太き芒である。−ｆなわち２０ ’Ｃ、Ｉ ＫＨｚで
ε′は１１以上であり、しかもこの誘電率は室温の上下
のｔａ １尾における変化が少く、例えばＩ ＫＨ２に
おけるε′を２０７．’ないし８０Ｃの間の各温度で測
定した場合その変動は±５チ以内である。
型＋Ｒ？ １１？＋型を主体とするフィルムであるが、
その誘電率ε′は極性の高いβ型結晶型のものに匹敵す
る太き芒である。−ｆなわち２０ ’Ｃ、Ｉ ＫＨｚで
ε′は１１以上であり、しかもこの誘電率は室温の上下
のｔａ １尾における変化が少く、例えばＩ ＫＨ２に
おけるε′を２０７．’ないし８０Ｃの間の各温度で測
定した場合その変動は±５チ以内である。
゛また本うら明によるフィルムは一旦出来た球晶を延伸
したものでｔゴ無いため表面の均一性にも秀れ透明性も
良い。
したものでｔゴ無いため表面の均一性にも秀れ透明性も
良い。
本発明におけるフッ化ビニリデン系重合体とにポリフッ
化ビニリデンを含むだけでなく、フッ化を含み、またポ
リ１フツ化ビニリデンの特性を損なわない範囲でこれに
混合可能な池の高分、子物質、たきえはポリメタクリル
酸メチル、ポリハロゲン化エチレンなどあるいは加工助
剤などと混合したものをざむ。
化ビニリデンを含むだけでなく、フッ化を含み、またポ
リ１フツ化ビニリデンの特性を損なわない範囲でこれに
混合可能な池の高分、子物質、たきえはポリメタクリル
酸メチル、ポリハロゲン化エチレンなどあるいは加工助
剤などと混合したものをざむ。
また本発明によるフィルムの高い誘電率を損なわない範
囲で熱処理などの処理は可能であるが、高い誘電率を得
るためには架橋処理は通常好ましくない。
囲で熱処理などの処理は可能であるが、高い誘電率を得
るためには架橋処理は通常好ましくない。
本発明によるフィルムはその化学的構造を変化させるこ
と無く絶縁抵抗をかなりＩＪ広く作ることが可能であっ
て、１０１２Ωａ以下のものから１０１５Ωαまでも必
要に応じて作成できる。
と無く絶縁抵抗をかなりＩＪ広く作ることが可能であっ
て、１０１２Ωａ以下のものから１０１５Ωαまでも必
要に応じて作成できる。
本発明によるフィルムの製造法の一例はインフレーショ
ン法であり、具体的には円形状ダイがらフッ化ビニリデ
ン系重合体を溶融状態でチューブ状に押出し、ダイ孔を
通して外部からチューブ内部に空気又は押出された重合
体ｌζ幻して不溶性の気体又は液体を導入してチューブ
状の溶融フッ化ビニリチン系重合体が冷却され結晶化し
固化するまでの間を中空に保ち、固化したチューブをガ
イドロールを通して引取るきいう方法である。この場合
において高度の配向を持たせるためには、ダイから押出
された重合体は同化過程を経て引取りロールに引取られ
る時点で引取り方向がその直角方向である横方向の５倍
以上の倍率に伸びていることが望ましい。また広い面積
を効率良く引取るためには横方向の長さもダイ径の０．
８倍以上、更に好ましくは１．０倍以上であることが望
ましい。
ン法であり、具体的には円形状ダイがらフッ化ビニリデ
ン系重合体を溶融状態でチューブ状に押出し、ダイ孔を
通して外部からチューブ内部に空気又は押出された重合
体ｌζ幻して不溶性の気体又は液体を導入してチューブ
状の溶融フッ化ビニリチン系重合体が冷却され結晶化し
固化するまでの間を中空に保ち、固化したチューブをガ
イドロールを通して引取るきいう方法である。この場合
において高度の配向を持たせるためには、ダイから押出
された重合体は同化過程を経て引取りロールに引取られ
る時点で引取り方向がその直角方向である横方向の５倍
以上の倍率に伸びていることが望ましい。また広い面積
を効率良く引取るためには横方向の長さもダイ径の０．
８倍以上、更に好ましくは１．０倍以上であることが望
ましい。
このような方法によって本発明のフィルムの製造は可能
であるが、池の方法も適用できることに勿論である。
であるが、池の方法も適用できることに勿論である。
本発明のフィルムの厚さは５０μｍ以上でもさしつかえ
ないが、好まいｉ′５．気−ＩＩ料きしては５０μｍ以
下であることが便利である。
ないが、好まいｉ′５．気−ＩＩ料きしては５０μｍ以
下であることが便利である。
次２こ対Ｊ１（（例及び実施例によっで本発明の効果及
び内υを史に仔細に説明する。
び内υを史に仔細に説明する。
実施例１
ポリフッ化ビニリデン（ＫＦポリマー１０００゜呉羽化
学工粟（株）製）を直径１５０ｍφ、クリアランスが２
間の円形状ダイから溶融状態でチューブ状に押出し、ダ
イ孔を通して外部からデユープ内部に空気を導入してチ
ューブ状の溶融ポリフッ化ビニ９デンが冷却され結晶化
し固化するまでの間を中空に保った。次いで、固化した
チューブをガイドロールを通して引取った。この時の押
出量３００、ｐ／分、引取速度６６粛／分、ダイ出口の
温度２５０Ｃであり、フィルム折中は２５国であった。
学工粟（株）製）を直径１５０ｍφ、クリアランスが２
間の円形状ダイから溶融状態でチューブ状に押出し、ダ
イ孔を通して外部からデユープ内部に空気を導入してチ
ューブ状の溶融ポリフッ化ビニ９デンが冷却され結晶化
し固化するまでの間を中空に保った。次いで、固化した
チューブをガイドロールを通して引取った。この時の押
出量３００、ｐ／分、引取速度６６粛／分、ダイ出口の
温度２５０Ｃであり、フィルム折中は２５国であった。
こうして出来たフィルムは厚さ約９μ肩であり、従うで
ダイ孔より押出された樹脂は引取り時にタテ方向２０９
倍、横方向１．１倍に引伸ばされており、また清明でα
型結晶構造を有し、赤外吸光度比１）５３０／Ｄ５１０
ｕ７、分子軸（７Ｊ 配向Ｋ ｙｒ Ｂ Ｏ，９１゜
複屈折率２２ｘｌＯ，α型結晶の特性吸収バンド５６０
□−１の赤外偏光二色比ａ１．５８であった。その誘電
率ε′に第１表に示すように２０Ｕ、ＩＫ七において約
１３，８．８０ｃでは約１３．４であり、温度変化は少
い。亥た２０ｃから１７０ｃｔこ至る昇温過イ♀で熱膨
張係数は常に正であった。
ダイ孔より押出された樹脂は引取り時にタテ方向２０９
倍、横方向１．１倍に引伸ばされており、また清明でα
型結晶構造を有し、赤外吸光度比１）５３０／Ｄ５１０
ｕ７、分子軸（７Ｊ 配向Ｋ ｙｒ Ｂ Ｏ，９１゜
複屈折率２２ｘｌＯ，α型結晶の特性吸収バンド５６０
□−１の赤外偏光二色比ａ１．５８であった。その誘電
率ε′に第１表に示すように２０Ｕ、ＩＫ七において約
１３，８．８０ｃでは約１３．４であり、温度変化は少
い。亥た２０ｃから１７０ｃｔこ至る昇温過イ♀で熱膨
張係数は常に正であった。
実施例
実施例１と同様の装ト′６で溶融状態で流動配向下に結
晶化させたフィルム折ｒ１１３５ｃｍ、厚さ約８μｍＯ
） ７ イルＡ ｆ−ｘ Ｄ５３０／ Ｄ５１Ｄ ＝１
２．９ テアＦ）、分子Ｍのフィルム面内配向度πは０
．９２、複屈折率ｔユ２０ｘ１０−３．５３０ｍ−’の
赤外偏光二色比は１．６であった。
晶化させたフィルム折ｒ１１３５ｃｍ、厚さ約８μｍＯ
） ７ イルＡ ｆ−ｘ Ｄ５３０／ Ｄ５１Ｄ ＝１
２．９ テアＦ）、分子Ｍのフィルム面内配向度πは０
．９２、複屈折率ｔユ２０ｘ１０−３．５３０ｍ−’の
赤外偏光二色比は１．６であった。
誘電左動（こつぃＣは第１図Ｉ及び第１表に示すようｌ
こε′に１２付近であってＯＣから９０ｃに至るも温度
によって殆んど変化しでいない。
こε′に１２付近であってＯＣから９０ｃに至るも温度
によって殆んど変化しでいない。
このフィルムの昇温過程における慈＃張係数に１７０ｃ
以上まで常に正であった。
以上まで常に正であった。
実施例６
実Ｍ！Ｉｉ（’！Ｉ １と同１矛な方法で直径８０闘φ
の円形状夕゛イから溶融状態で流動配向下に結晶化させ
たフィルＡ［ｒ中１２傭、厚さ４μｍのフィルムはαｍ
であり、結晶配向度は０．９６．５５０ｃｍ−’の赤外
偏光二色比は４．７５であった。そのε′は第１表に示
すようＪ（： Ｉ Ｋ）ＬｔＪＣｈイＴ室温（２Ｅｌ
［１” ） Ｔ： １２’、３．８υＣでも１１．８と
殆んど変化せず、輸δは第２表に示すように２０ｃで１
％以下と小さかった。ｔたこのフィルムの熱膨張係数は
温度に対して１７０ｔ：’以上まで常に正であった。
の円形状夕゛イから溶融状態で流動配向下に結晶化させ
たフィルＡ［ｒ中１２傭、厚さ４μｍのフィルムはαｍ
であり、結晶配向度は０．９６．５５０ｃｍ−’の赤外
偏光二色比は４．７５であった。そのε′は第１表に示
すようＪ（： Ｉ Ｋ）ＬｔＪＣｈイＴ室温（２Ｅｌ
［１” ） Ｔ： １２’、３．８υＣでも１１．８と
殆んど変化せず、輸δは第２表に示すように２０ｃで１
％以下と小さかった。ｔたこのフィルムの熱膨張係数は
温度に対して１７０ｔ：’以上まで常に正であった。
ｙこ用例４
実施例３のフィルムを枠にはさみ、室温で緊張状態にし
たものを１５０ｃで３ｏ分間空気浴中に入れ熱処理した
。フィルムは１５０ｃでは無緊張 □であった。枠ｌ
こはさんだまま室温付近まで冷却して取出したフィルム
はｉｉ表に示すように結晶型にα型で分子軸の配向度π
ａＯ，９４となった。このフィルムの誘電率８′は第１
表に示すようｌこ２ Ｏｒ。
たものを１５０ｃで３ｏ分間空気浴中に入れ熱処理した
。フィルムは１５０ｃでは無緊張 □であった。枠ｌ
こはさんだまま室温付近まで冷却して取出したフィルム
はｉｉ表に示すように結晶型にα型で分子軸の配向度π
ａＯ，９４となった。このフィルムの誘電率８′は第１
表に示すようｌこ２ Ｏｒ。
Ｉ ＫＨｚで１３．８と大きく、Ｉ ＫＨｚで８０ｔｌ
’まで昇温過程でのε′の増加の傾向は見られなかった
。又、このフィルムは熱処理温度の１５０ｃより高温の
１６５Ｃまで無緊張状態にして巧昇温しでも熱収縮は起
らなかった。
’まで昇温過程でのε′の増加の傾向は見られなかった
。又、このフィルムは熱処理温度の１５０ｃより高温の
１６５Ｃまで無緊張状態にして巧昇温しでも熱収縮は起
らなかった。
対１１ｉｉｔ ｆｌｌ
ポリフッ化ビニリデンをＴダイから溶ｇｄ（押出しして
作ったシートを１１０ｃで一軸に延伸して作つた厚さ７
μｍのフィルムは主として結晶構造はβ型で赤外吸光度
比Ｄ５３０／Ｄ５１０＃−ＩＯ，１であった。
作ったシートを１１０ｃで一軸に延伸して作つた厚さ７
μｍのフィルムは主として結晶構造はβ型で赤外吸光度
比Ｄ５３０／Ｄ５１０＃−ＩＯ，１であった。
分子軸の配向度πは０．９７で良く配向していた。又５
１０ａ＋＋−’の赤外偏光二色比ニ６．６であった。こ
のフィルムの誘電率ε′は、第１図のＵｌ及び第１表に
示Ｙように、２０ Ｕ、 Ｉ ＫＨｚにおいて１４と大
きいが、ｔａｎδはＮ５２表に示すように１．９％であ
り、その温度依存性は第２図のＵに示すように１１品に
伴なってＤＣから８０１．’以上まで太きく Ｊ： ｎ
、 ｌ、でいる。このフィルムを自由な状態で１１昇温
したＬころ１ ［ＪＯｔ、’付近から徐々に熱収縮が起
り、１ろＯＣまで千１−温しで室７品にもどしたところ
月ｉ ＦＩＴ、 ｔｔ−ｓ約２０μｍで不均一であり、
誘電率に２ Ｄ Ｃ、Ｉ ＫＨ２においてｒり９となっ
た。
１０ａ＋＋−’の赤外偏光二色比ニ６．６であった。こ
のフィルムの誘電率ε′は、第１図のＵｌ及び第１表に
示Ｙように、２０ Ｕ、 Ｉ ＫＨｚにおいて１４と大
きいが、ｔａｎδはＮ５２表に示すように１．９％であ
り、その温度依存性は第２図のＵに示すように１１品に
伴なってＤＣから８０１．’以上まで太きく Ｊ： ｎ
、 ｌ、でいる。このフィルムを自由な状態で１１昇温
したＬころ１ ［ＪＯｔ、’付近から徐々に熱収縮が起
り、１ろＯＣまで千１−温しで室７品にもどしたところ
月ｉ ＦＩＴ、 ｔｔ−ｓ約２０μｍで不均一であり、
誘電率に２ Ｄ Ｃ、Ｉ ＫＨ２においてｒり９となっ
た。
対照例２
ポリフッ化ビニリデンをＴダイから溶融押出しして作っ
た無配向シートを二軸延伸して作ったＨさ１２μｍのフ
ィルムに、わずかにβ型を含むが主としてα型の結晶構
造をしており、赤外吸光層比Ｊ、） ５３０／ Ｉ）
５１１Ｊ ＝ ２．３で、分子ａｌｌの配向度πは１．
６であった。このフィルム（ｘ１６０ｃで約１０係の熱
収縮を起した。このフィルムの誘電的性質を第１．２衆
に示す。２０Ｃ，ＩＩ（Ｈｚにおけるε′は１０．８と
小さめであゆ、ε′の温度依存性は第１図Ｂに示すよう
にＤＣから８ＤＣに至るまで上昇し続け、実施「す２の
■と比較すると、温度変化は顕著である。
た無配向シートを二軸延伸して作ったＨさ１２μｍのフ
ィルムに、わずかにβ型を含むが主としてα型の結晶構
造をしており、赤外吸光層比Ｊ、） ５３０／ Ｉ）
５１１Ｊ ＝ ２．３で、分子ａｌｌの配向度πは１．
６であった。このフィルム（ｘ１６０ｃで約１０係の熱
収縮を起した。このフィルムの誘電的性質を第１．２衆
に示す。２０Ｃ，ＩＩ（Ｈｚにおけるε′は１０．８と
小さめであゆ、ε′の温度依存性は第１図Ｂに示すよう
にＤＣから８ＤＣに至るまで上昇し続け、実施「す２の
■と比較すると、温度変化は顕著である。
対照例６
対照例２で用いたＴダイから溶融押出しして作った無配
向シートは厚さ８０μｍで結晶型は殆んどα型であり１
７０Ｃ以上でも熱収縮に起らなかった。しかし分子軸の
配向度πは殆んど０であり、５６０ロー１の赤外二色比
は１．２であった。このフィルムの誘電率はＩ ＫＨｚ
、 ２０υで９０と小さかった０ 第１表、第２表及び第１図、第２図における実施例と対
照１ｆｌＪの比較から本発明フィルムが高い誘電率を室
温から８０Ｃ付近まで安定に保持し、ＯＣから２［Ｊｔ
ｌ’付近で−δの減少効果も得られることは明らかでを
）る。
向シートは厚さ８０μｍで結晶型は殆んどα型であり１
７０Ｃ以上でも熱収縮に起らなかった。しかし分子軸の
配向度πは殆んど０であり、５６０ロー１の赤外二色比
は１．２であった。このフィルムの誘電率はＩ ＫＨｚ
、 ２０υで９０と小さかった０ 第１表、第２表及び第１図、第２図における実施例と対
照１ｆｌＪの比較から本発明フィルムが高い誘電率を室
温から８０Ｃ付近まで安定に保持し、ＯＣから２［Ｊｔ
ｌ’付近で−δの減少効果も得られることは明らかでを
）る。
実施例５
実施例３における本発明のフィルムと対照例２における
二軸延伸フィルムについて表面光沢度測定による表面性
の評価を行った。日本電色工朶株式会社Δμのテジタル
変角光沢引ＶＧ−ＩＩ）７頃を用い、投光角および受光
角を６０”Ｃとし、光沢上゛／準板にてティジットメー
ターに表示される値を標準値に合わせた。次に１ｔｌｌ
ｉ準板と測定サンプルを置＠僕えて測定サンプルの光沢
度（３８（６０°）を求めた。
二軸延伸フィルムについて表面光沢度測定による表面性
の評価を行った。日本電色工朶株式会社Δμのテジタル
変角光沢引ＶＧ−ＩＩ）７頃を用い、投光角および受光
角を６０”Ｃとし、光沢上゛／準板にてティジットメー
ターに表示される値を標準値に合わせた。次に１ｔｌｌ
ｉ準板と測定サンプルを置＠僕えて測定サンプルの光沢
度（３８（６０°）を求めた。
得られた値に出６表の如くであり、実施例６における本
発明のフ・ｆルムの方が対照例２のフィルムに較べて光
沢度が高く表面性の良いことが判る。
発明のフ・ｆルムの方が対照例２のフィルムに較べて光
沢度が高く表面性の良いことが判る。
（以下余白、次頁につづく。）
第 ２ Ｐ
紀６表
に直角に’４′５Ｅ５’Ｃ；および受光したトコ）合。
第１図及び第２図は本発明の詳細な説明するためのグラ
フであって防電率及び−δのそれぞれ１に、ｌ−１ｚで
の測足における温度変化を示したものである。図中にお
いて、Ｕはβ型の一軸廷伸フイルム（対照例１）、Ｂは
α型二１ｔｔｂ延伸フィルム（対照例２）、ＩＦ１本発
明によるα型配向フ・ｆルム（実施例２）を用いた場合
を示している。
フであって防電率及び−δのそれぞれ１に、ｌ−１ｚで
の測足における温度変化を示したものである。図中にお
いて、Ｕはβ型の一軸廷伸フイルム（対照例１）、Ｂは
α型二１ｔｔｂ延伸フィルム（対照例２）、ＩＦ１本発
明によるα型配向フ・ｆルム（実施例２）を用いた場合
を示している。
代理人 上屋 勝
〃 常 包 芳 男
〃 杉浦俊貫
（自発）手続補正書
１．事件の表示
昭和５７年特許願第１７５６３４ 号
７１１件との関係 特Ｍｌ出願人
東京都中央区日本橋堀留町壱丁目九番拾壱号（１１０）
呉羽化学工業株式会社 ６ 補正により増加する発明の数 一以上一 １、 フッ化ビニリデンを主体とするフッ化ビニリデン
系重合体からなり、その結晶構造が主としてα型であり
、その結晶域での分子軸がフィルム■１に平行に配向し
、その配向度πが０．８以上であり、室温から融点付近
まで加熱による熱収縮が起らないフィルムであることを
特徴とする誘電体フィルム。
呉羽化学工業株式会社 ６ 補正により増加する発明の数 一以上一 １、 フッ化ビニリデンを主体とするフッ化ビニリデン
系重合体からなり、その結晶構造が主としてα型であり
、その結晶域での分子軸がフィルム■１に平行に配向し
、その配向度πが０．８以上であり、室温から融点付近
まで加熱による熱収縮が起らないフィルムであることを
特徴とする誘電体フィルム。
２．７フッビニリデン系重合体の結晶域での分子軸がフ
ィルム面内で異方性を持って配向し、主たる結晶ｌ〜り
の赤外特性吸収帯５３０ｃｒｒ＋−’の赤外偏光二色比
が１．６以上であることを特徴とする特許請求のＲｉ（
ｊ囲ａ番１項記載の誘電体フィルム。
ィルム面内で異方性を持って配向し、主たる結晶ｌ〜り
の赤外特性吸収帯５３０ｃｒｒ＋−’の赤外偏光二色比
が１．６以上であることを特徴とする特許請求のＲｉ（
ｊ囲ａ番１項記載の誘電体フィルム。
ムのｕ ｔｌｊ、率が２０ Ｃ，Ｉ Ｋ１１ｚにおいて
１１以上であることを特徴とする特許ｉＮ求の範囲第１
項あるいは第２項記載の誘′ｓ１ｇ、体フィルム。
１１以上であることを特徴とする特許ｉＮ求の範囲第１
項あるいは第２項記載の誘′ｓ１ｇ、体フィルム。
４、７）化ヒニリデン糸亜合体がインフレーション法に
よって製造されたものであることを６ ＧＸとするｌ峙
Ｗ「石１求の範囲第１狽あるいは第２項あるいは第６項
記載の訪１九体フィルム。
よって製造されたものであることを６ ＧＸとするｌ峙
Ｗ「石１求の範囲第１狽あるいは第２項あるいは第６項
記載の訪１九体フィルム。
（自発）手続補正書
１、事イＬ１の表示
昭和５７年特Ｖｌ願第１７５６３４号・。
２・発明の名称 ｕＮ休体イルム、。
３、補正をする者
小１′１との関係 ′Ｉ！♂１出願人東京都中央区日
本橋堀留町壱丁目九番拾壱号（１１０） 呉羽化学工
業株式会社 ６、補正により増加する発明の数 （１）、ＩＩ〒許桔求の範囲を別紙の：＋ｉｌり補正す
る。
本橋堀留町壱丁目九番拾壱号（１１０） 呉羽化学工
業株式会社 ６、補正により増加する発明の数 （１）、ＩＩ〒許桔求の範囲を別紙の：＋ｉｌり補正す
る。
（２）、明細書第６′ｒＸ第９行目の「分子軸は」を「
分子軸の少なくとも大部分は」と補正する。
分子軸の少なくとも大部分は」と補正する。
（３）、同第７α第１５行目の「０．８以上」を「０．
８〜１．０」と補正する。
８〜１．０」と補正する。
（４）、同第８百ｍ ５行〜第７行の「フィルム面・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・小さい。」を
「フィルム面に垂直に赤外線を入射させたとき、分子軸
の配向方向に直角なイ１４光赤外の吸収強度は、分子軸
の配向方向に平行なイｊ４光赤外の吸収強度より大きい
。」と補正する。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・小さい。」を
「フィルム面に垂直に赤外線を入射させたとき、分子軸
の配向方向に直角なイ１４光赤外の吸収強度は、分子軸
の配向方向に平行なイｊ４光赤外の吸収強度より大きい
。」と補正する。
（５）、同第８頁第９行の「ＤＩフィルムの」をｒＤｙ
。
。
フィルム面に垂直でかつ」と補正する。
（６）、同第１５員第７ ？ｒｊ〜第８行の［１，９チ
であり、・・・・・・・・・・・・・・・第２図のＵ」
を「１．９ ｅＩ、である。また、このフィルムの誘電
率ε′は第１ＮのＵ」と補正する。
であり、・・・・・・・・・・・・・・・第２図のＵ」
を「１．９ ｅＩ、である。また、このフィルムの誘電
率ε′は第１ＮのＵ」と補正する。
（７）、同第１７頁第７行の「６０℃」を「６０°」と
補正する。
補正する。
−以上一
２、特許請求の範囲〆
１．７ツ化ビニリデンを主体とするフン化ビニリデン系
重合体からなり、その結晶構造が主としてα型であり、
その結晶域での分子軸がフィルム面に主として平行に配
向し、その配向度πが０．８〜１．０であり、室温から
融点付近まで加熱による熱収縮が起らないフィルムであ
ることを特徴とする誘電体フィルム。
重合体からなり、その結晶構造が主としてα型であり、
その結晶域での分子軸がフィルム面に主として平行に配
向し、その配向度πが０．８〜１．０であり、室温から
融点付近まで加熱による熱収縮が起らないフィルムであ
ることを特徴とする誘電体フィルム。
２、 フン化ビニリデン系Ｎｆａ体フィルノ・の結晶域
での分子軸がフィルム面内で異方性を持って配向し、主
たる結晶壓の赤外特性吸収帯５３０ｃｘ−１の赤外（１
ｉ１１光二色比が１．６以上であることを特徴とする特
ｔｔ’＋’請求の範囲第１項記載の誘電体フィルム。
での分子軸がフィルム面内で異方性を持って配向し、主
たる結晶壓の赤外特性吸収帯５３０ｃｘ−１の赤外（１
ｉ１１光二色比が１．６以上であることを特徴とする特
ｔｔ’＋’請求の範囲第１項記載の誘電体フィルム。
６．７ツ化ビニリデン系重合体フィルムの誘電率が２０
℃、Ｉ ＫＩＩｚにおいて１１以上であることを特徴と
する管８【請求の範囲第１項あるいは第２項記載の誘電
体フィルム。
℃、Ｉ ＫＩＩｚにおいて１１以上であることを特徴と
する管８【請求の範囲第１項あるいは第２項記載の誘電
体フィルム。
４、 フッ化ビニリデン系重合体フィルムがインフレー
ション法によって製造されたものであることを／ｌ？徴
とする特許請求の範囲第１項あるいは第２項あるいは第
６項記載の誘電体フィルム。
ション法によって製造されたものであることを／ｌ？徴
とする特許請求の範囲第１項あるいは第２項あるいは第
６項記載の誘電体フィルム。
−以上一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、７ツ化ビニリデンを主体とするフッ化ビニリチン系
重合体からなり、その結晶宿造が主としてα型であり、
その結晶域での分子軸がフィルム面に平行に配向し、そ
の配向度πが０．８以上であり、室温から融点付近まで
加熱による熱収縮力３起らないフィルムであることを特
徴とする誘電体フィルム。 ２、 フッ化ビニリデン系重合体の結晶域での分子軸が
フィルム面内で兵力性を持って配向し、主たる結晶型の
赤外特性吸収帯５３ Ｑ ｃｍ−’の赤外イ棉）゛〇二
色比が１．６以上であることを特徴とする特ｉ’ｒ Ｎ
ｉ’Ｊ求の範囲第１項記載の誘ｖｊ、体フィルム。 ３、 フッ化ビニリチン系重合体の誘電率力５２０１：
’、Ｉ Ｋ）ｌｚにおいて１１以上であることをＩＦＷ
徴とする１１°テ許請求の範囲第１項あるいは第２項記
号戊のｎ秀ｉ４゜体フィルム。 ４、 フッ化ビニリデン系重合体がインフレーション法
によって製造されたものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項あるいは第２項あるいは第６項記載の誘
電体フィルム。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173634A JPS5962115A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 誘電体フイルム |
| EP83305952A EP0105750B1 (en) | 1982-10-01 | 1983-09-30 | Dielectric film and process for producing same |
| DE8383305952T DE3371139D1 (en) | 1982-10-01 | 1983-09-30 | Dielectric film and process for producing same |
| CA000438120A CA1220912A (en) | 1982-10-01 | 1983-09-30 | Dielectric film and process for producing same |
| US06/668,654 US4656234A (en) | 1982-10-01 | 1984-11-06 | Dielectric film for capacitor and process for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173634A JPS5962115A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 誘電体フイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962115A true JPS5962115A (ja) | 1984-04-09 |
| JPH0212170B2 JPH0212170B2 (ja) | 1990-03-19 |
Family
ID=15964242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57173634A Granted JPS5962115A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 誘電体フイルム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4656234A (ja) |
| EP (1) | EP0105750B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5962115A (ja) |
| CA (1) | CA1220912A (ja) |
| DE (1) | DE3371139D1 (ja) |
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| JP2011168750A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Asahi Kasei Home Products Kk | ポリ塩化ビニリデン系樹脂ラップフィルム及びラップフィルム巻回体 |
| WO2018062253A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | ダイキン工業株式会社 | フィルム |
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| JP2681032B2 (ja) * | 1994-07-26 | 1997-11-19 | 山形大学長 | 強誘電性高分子単結晶、その製造方法、およびそれを用いた圧電素子、焦電素子並びに非線形光学素子 |
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| US6162885A (en) * | 1997-05-23 | 2000-12-19 | Ruefer; Bruce G. | Multi-axially orientated amorphous PTFE material |
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| JP7071664B2 (ja) * | 2020-04-22 | 2022-05-19 | ダイキン工業株式会社 | 含フッ素重合体フィルム |
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| GB1050197A (ja) * | 1963-11-27 | |||
| NL127087C (ja) * | 1964-10-21 | 1900-01-01 | ||
| CA921220A (en) * | 1966-07-14 | 1973-02-20 | Ishii Hajime | Polyvinylidene fluoride films and process for producing the same |
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1982
- 1982-10-01 JP JP57173634A patent/JPS5962115A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-30 EP EP83305952A patent/EP0105750B1/en not_active Expired
- 1983-09-30 DE DE8383305952T patent/DE3371139D1/de not_active Expired
- 1983-09-30 CA CA000438120A patent/CA1220912A/en not_active Expired
-
1984
- 1984-11-06 US US06/668,654 patent/US4656234A/en not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2018062253A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2019-06-24 | ダイキン工業株式会社 | フィルム |
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| Publication number | Publication date |
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